JP2010054547A - Ultraviolet laser device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、紫外レーザ装置に関し、特に準連続的に発振できる紫外レーザ装置に関する。 The present invention relates to an ultraviolet laser device, and more particularly to an ultraviolet laser device capable of quasi-continuous oscillation.
微細化の進む半導体露光用フォトマスクの検査装置には、照明用として紫外光源が用いられている。その光源波長としては、特許文献1に示されるような248nm、193nmなどの露光波長を用いることが有用である。しかし、これらの波長光を発するエキシマレーザはせいぜい数kHzの低繰り返しパルス発振しかできず、検査用光源として利用するにはスループットが上がらないという問題ある。
Ultraviolet light sources are used for illumination in photomask inspection apparatuses for semiconductor exposure that are becoming increasingly finer. As the light source wavelength, it is useful to use exposure wavelengths such as 248 nm and 193 nm as disclosed in
キセノンランプ等では、248nmの連続光が得られるが、輝度が低いという問題がある。また、特許文献2には、193nmの固体光源の利用が提示されている。しかし、特許文献2に記載の光源では、5段もの波長変換を利用しており、装置が複雑、保守が大変であるという課題がある。
A xenon lamp or the like can obtain continuous light of 248 nm, but has a problem of low brightness.
このような事情から、検査装置の照明用光源としては、露光波長とは異なっても連続出力のレーザ光源が用いられることが多い。よく用いられる光源は、アルゴンイオンレーザの第2高調波(244nmないし257nm)である。しかしながら、アルゴンイオンレーザは、高電圧の電界による放電を利用したガスレーザで、電気光変換効率が極めて低く、装置が大型、短寿命で頻繁な保守によるダウンタイムが長い等の課題を抱えている。 Under such circumstances, a continuous output laser light source is often used as the illumination light source of the inspection apparatus even if it is different from the exposure wavelength. A frequently used light source is the second harmonic (244 nm to 257 nm) of an argon ion laser. However, an argon ion laser is a gas laser that uses a discharge by a high-voltage electric field and has problems such as extremely low electro-optical conversion efficiency, a large-sized device, a short life, and a long downtime due to frequent maintenance.
また、特許文献3には、244nmアルゴンレーザに1064nmの光を混合して、198.5nmの光を発生させる装置が提示されている。しかし、特許文献3に記載の装置では、さらに装置が大型化し、保守が頻繁になる等の課題が増している。1064nm固体レーザの第4高調波である266nm光の場合、ガスレーザに比して高効率かつ、小型な構成で連続発振が可能である。しかし、マスク検査に実用可能な出力を得るには、スペクトル幅の狭い単一周波数の第2次高調波(532nm)を用いて外部共振器変換させる必要があり、発生される266nmも狭帯域されてしまう。
Further,
検査装置の照明用光源としては、スペクトル幅が狭いほうが光学系の色収差による悪影響が少ない。しかし、照明系の各光学部品において干渉ノイズが生じ、照明効果が著しく悪化するという課題が大きな障害となる。特許文献4には、これを解決する方法が提示されているが、レーザ装置が2台必要となり、装置が大型化、複雑化するという新たな課題がある。
As the illumination light source of the inspection apparatus, the narrower the spectral width, the less adverse effects caused by the chromatic aberration of the optical system. However, the problem that interference noise occurs in each optical component of the illumination system and the illumination effect is significantly deteriorated is a major obstacle.
従来から知られている1064nm固体レーザの第5高調波発生では、第4高調波266nmに基本波1064nmを和周波混合することによって、1台のレーザ装置から波長213nmの深紫外光が得られる。第5高調波は、1台のレーザ装置から比較的簡素な構成で深紫外光が得られることが特徴で、一般にナノ秒オーダーのパルス幅を有するQスイッチレーザが利用される。 In the fifth harmonic generation of a conventionally known 1064 nm solid-state laser, deep ultraviolet light having a wavelength of 213 nm can be obtained from one laser device by mixing the fundamental wave 1064 nm with the fourth harmonic 266 nm. The fifth harmonic is characterized in that deep ultraviolet light can be obtained from a single laser device with a relatively simple configuration. In general, a Q-switched laser having a pulse width of nanosecond order is used.
しかしながら、従来技術では、第5高調波(213nm)については、数kHzという低繰返しのパルス発振のものは市販されているものの、準連続発振の213nm光源については実証された報告例はない。213nm光の動作としては、特許文献5に示されるように連続発振も可能であるが、266nm光と同様に干渉ノイズの問題がある。
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、マスク検査に利用できる準連続発振の第5高調波発生による紫外レーザ光源を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an ultraviolet laser light source by quasi-continuous oscillation fifth harmonic generation that can be used for mask inspection.
本発明の第1の態様に係る紫外レーザ装置は、50psec以下のパルス幅の基本波を出力するモードロックレーザ装置と、前記基本波が入射され、第2高調波を発生する第1非線形光学結晶と、前記第1非線形光学結晶から出射する第2高調波と残存基本波とを分離するビームスプリッタと、前記第2高調波が入射され、第4高調波を発生する第2非線形光学結晶と、前記第2非線形光学結晶から出射する第4高調波と、前記第1非線形光学結晶からの残存基本波とを同軸とするビームコンバイナーと、同軸の第4高調波と残存基本波とを和周波混合して第5高調波を発生する第3非線形光学結晶とを備えるものである。これにより、準連続発振の第5高調波を発生させることができる。 An ultraviolet laser device according to a first aspect of the present invention includes a mode-locked laser device that outputs a fundamental wave having a pulse width of 50 psec or less, and a first nonlinear optical crystal that receives the fundamental wave and generates a second harmonic. A beam splitter that separates the second harmonic wave and the remaining fundamental wave emitted from the first nonlinear optical crystal; a second nonlinear optical crystal that receives the second harmonic wave and generates a fourth harmonic wave; A beam combiner in which the fourth harmonic emitted from the second nonlinear optical crystal and the residual fundamental wave from the first nonlinear optical crystal are coaxial, and a sum frequency mixing of the coaxial fourth harmonic and the residual fundamental wave And a third nonlinear optical crystal that generates the fifth harmonic. Thereby, the fifth harmonic of quasi-continuous oscillation can be generated.
本発明の第2の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、残存基本波に比して第4高調波のパルスが先行して前記第3非線形光学結晶に到着し、前記第3非線形光学結晶内部を略同時に通過するための第1光学手段をさらに備えるものである。これにより、準連続発振の第5高調波の変換効率を向上させることができる。 In the ultraviolet laser device according to the second aspect of the present invention, in the above-described ultraviolet laser device, a fourth harmonic pulse precedes the third nonlinear optical crystal in comparison with the remaining fundamental wave, and 3 The 1st optical means for passing through the inside of a nonlinear optical crystal substantially simultaneously is further provided. Thereby, the conversion efficiency of the fifth harmonic of quasi-continuous oscillation can be improved.
本発明の第3の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第1光学手段は、前記ビームスプリッタを経た後の残存基本波の光路上に設けられた少なくとも1枚の平行平面の透明基板であることを特徴とするものである。これにより、簡易な構成で、準連続発振の第5高調波の変換効率を向上させることができる。 An ultraviolet laser apparatus according to a third aspect of the present invention is the above ultraviolet laser apparatus, wherein the first optical means is at least one parallel provided on the optical path of the remaining fundamental wave after passing through the beam splitter. It is a flat transparent substrate. Thereby, it is possible to improve the conversion efficiency of the fifth harmonic of quasi-continuous oscillation with a simple configuration.
本発明の第4の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第1光学手段には、反射防止膜が施されていることを特徴とするものである。これにより、反射によるビームパワーの損失を低減させることができる。 An ultraviolet laser device according to a fourth aspect of the present invention is characterized in that, in the above-mentioned ultraviolet laser device, the first optical means is provided with an antireflection film. Thereby, loss of beam power due to reflection can be reduced.
本発明の第5の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第1光学手段は、前記ビームスプリッタ及び前記ビームコンバイナーの少なくともいずれか一方の厚さ調整することにより形成されることを特徴とするものである。これにより、部材数を増加させることなく、準連続発振の第5高調波の変換効率を向上させることができる。 An ultraviolet laser device according to a fifth aspect of the present invention is the ultraviolet laser device described above, wherein the first optical means is formed by adjusting a thickness of at least one of the beam splitter and the beam combiner. It is characterized by this. Thereby, the conversion efficiency of the fifth harmonic of quasi-continuous oscillation can be improved without increasing the number of members.
本発明の第6の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記ビームスプリッタと前記ビームコンバイナーとの間の残存基本波、第2高調波又は第4高調波のいずれかの光路上に、その出力ないし偏光方向を調整する第2光学手段を設けたことを特徴とするものである。これにより、第5高調波の出力を安定化させることが可能となる。 An ultraviolet laser device according to a sixth aspect of the present invention is the ultraviolet laser device described above, wherein any of the residual fundamental wave, the second harmonic wave, and the fourth harmonic wave between the beam splitter and the beam combiner. A second optical means for adjusting the output or the polarization direction is provided on the road. As a result, the output of the fifth harmonic can be stabilized.
本発明の第7の態様に係る紫外レーザ装置は、基本波を出力する、モードロックレーザ装置又はQスイッチレーザ装置と、前記基本波が入射され、第2高調波を発生する第1非線形光学結晶と、前記第1非線形光学結晶から出射する第2高調波と残存基本波とを分離するビームスプリッタと、前記第2高調波が入射され、第4高調波を発生する第2非線形光学結晶と、前記第2非線形光学結晶から出射する第4高調波と、前記第1非線形光学結晶からの残存基本波とを同軸とするビームコンバイナーと、同軸の第4高調波と残存基本波とを和周波混合して第5高調波を発生する第3非線形光学結晶と、前記ビームスプリッタと前記ビームコンバイナーとの間の残存基本波、第2高調波又は第4高調波のいずれかの光路上に、その出力ないし偏光方向を調整する第2光学手段とを備えるものである。これにより、第5高調波の出力を安定化させることが可能となる。 An ultraviolet laser device according to a seventh aspect of the present invention includes a mode-locked laser device or a Q-switched laser device that outputs a fundamental wave, and a first nonlinear optical crystal that generates the second harmonic upon incidence of the fundamental wave. A beam splitter that separates the second harmonic wave and the remaining fundamental wave emitted from the first nonlinear optical crystal; a second nonlinear optical crystal that receives the second harmonic wave and generates a fourth harmonic wave; A beam combiner in which the fourth harmonic emitted from the second nonlinear optical crystal and the residual fundamental wave from the first nonlinear optical crystal are coaxial, and a sum frequency mixing of the coaxial fourth harmonic and the residual fundamental wave A third nonlinear optical crystal that generates a fifth harmonic, and an output thereof on an optical path of any of the remaining fundamental wave, the second harmonic, and the fourth harmonic between the beam splitter and the beam combiner. Or partial In which and a second optical means for adjusting the direction. As a result, the output of the fifth harmonic can be stabilized.
本発明の第8の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第2光学手段は、半波長板を備えることを特徴とするものである。これにより、残存基本波、第2高調波又は第4高調波の偏光方向を調整することができ、第5高調波の出力を安定化することが可能となる。 An ultraviolet laser device according to an eighth aspect of the present invention is the ultraviolet laser device described above, wherein the second optical means includes a half-wave plate. Thereby, the polarization direction of the remaining fundamental wave, the second harmonic, or the fourth harmonic can be adjusted, and the output of the fifth harmonic can be stabilized.
本発明の第9の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第2光学手段は、偏光子をさらに備えることを特徴とするものである。これにより、残存基本波、第2高調波又は第4高調波の出力を調整するができ、第5高調波の出力を安定化することが可能となる。 An ultraviolet laser apparatus according to a ninth aspect of the present invention is the ultraviolet laser apparatus described above, wherein the second optical means further includes a polarizer. Thereby, the output of a residual fundamental wave, a 2nd harmonic, or a 4th harmonic can be adjusted, and it becomes possible to stabilize the output of a 5th harmonic.
本発明の第10の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記第5高調波の一部を検出する光検出器と、前記光検出器の出力が略一定となるように、前記半波長板を回転駆動させる制御機構とをさらに備えるものである。これにより、自動的に、第5高調波の出力を安定化することができる。 An ultraviolet laser apparatus according to a tenth aspect of the present invention is the above-described ultraviolet laser apparatus, wherein a photodetector for detecting a part of the fifth harmonic and an output of the photodetector are substantially constant. And a control mechanism that rotationally drives the half-wave plate. As a result, the output of the fifth harmonic can be automatically stabilized.
本発明の第11の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記モードロックレーザ装置から出射される基本波の波長は、1020〜1100nmであり、第5高調波の波長は204〜220nmであることを特徴とするものである。 An ultraviolet laser device according to an eleventh aspect of the present invention is the above ultraviolet laser device, wherein the wavelength of the fundamental wave emitted from the mode-locked laser device is 1020 to 1100 nm, and the wavelength of the fifth harmonic is 204. It is characterized by being -220 nm.
本発明の第12の態様に係る紫外レーザ装置は、上記の紫外レーザ装置において、前記モードロックレーザ装置は、モードロック動作のレーザ発振器と、その出力光を増幅する増幅器からなることを特徴とするものである。 An ultraviolet laser device according to a twelfth aspect of the present invention is the ultraviolet laser device described above, wherein the mode-locked laser device comprises a mode-locked laser oscillator and an amplifier that amplifies the output light. Is.
本発明によれば、マスク検査に利用できる準連続発振の第5高調波発生による紫外レーザ光源を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the ultraviolet laser light source by the 5th harmonic generation of the quasi-continuous oscillation which can be utilized for a mask test | inspection can be provided.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description shows preferred embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following embodiments. In the following description, the same reference numerals indicate substantially the same contents.
実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係る紫外レーザ装置の構成を、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る紫外レーザ装置10の構成を示す図である。図1に示すように、紫外レーザ装置10は、モードロックレーザ装置1、第2高調波発生用結晶(第1非線形光学結晶)2、第4高調波発生用結晶(第2非線形光学結晶)3、第5高調波発生用結晶(第3非線形光学結晶)4、集光レンズL1、L3、コリメートレンズL2、L4、再集光レンズL5、L6、レンズL7、ビームスプリッタBS1、BS3、ビームコンバイナーBS2、折返し鏡M1、M2を備えている。
The configuration of the ultraviolet laser apparatus according to
モードロックレーザ装置1は、50psec以下のパルス幅の波長1064nmのレーザ光を出射する。モードロックレーザ装置1からの1064nm光は、第2高調波発生用結晶2に集光レンズL1によって集光され、その一部が波長532nmの第2高調波に変換される。この第2高調波発生用結晶2としては、LBO、BBO、KTP、KDP、LiNbO3、PPLN等が用いられる。変換効率は、1064nm光のビーム品質やパルス幅、結晶品質等に依存するが、通常40〜60%となる。
The mode-locked
発生した532nm光はコリメートレンズL2で平行にされた後、ビームスプリッタBS1により反射され、折返し鏡M1、集光レンズL3を経て第4高調波発生用結晶3に入射する。532nm光は、第4高調波発生用結晶3により、その一部が第4高調波である266nmに変換される。第4高調波発生用結晶3としては、BBO、CLBO、LB4等が用いられる。
The generated 532 nm light is collimated by the collimator lens L2, reflected by the beam splitter BS1, and incident on the fourth
第4高調波発生用結晶3から出た266nm光はコリメートレンズL4、再集光レンズL5を経てビームコンバイナーBS2で反射されて、第5高調波発生用結晶4に入射する。この第5高調波発生用結晶4としては、BBO、CLBO、LB4等が利用できる。
The 266 nm light emitted from the fourth harmonic generating
一方、第2高調波発生用結晶2で変換されなかった残存1064nm光は、ビームスプリッタBS1を透過する。ビームスプリッタBS1を透過した1064nm光は、折返し鏡M2で反射され、再集光レンズL6を経てビームコンバイナーBS2を透過する。ビームコンバイナーBS2を透過した1064nm光は、266nm光と同軸に戻され、第5高調波発生用結晶4に入射し、波長213nmの準連続発振の第5高調波が発生する。
On the other hand, the remaining 1064 nm light that has not been converted by the second
この第5高調波は、パルス幅50psec未満となり、そのスペクトル幅は0.001nm程度である。このスペクトル幅は、マスク検査装置で干渉ノイズの問題を生じることはなく、また、色収差の問題も生じない適度な広がりである。 The fifth harmonic has a pulse width of less than 50 psec and a spectrum width of about 0.001 nm. This spectrum width is a moderate spread that does not cause the problem of interference noise in the mask inspection apparatus and does not cause the problem of chromatic aberration.
波長213nmの第5高調波は、ビームスプリッタBS3で反射され、レンズL7を透過して、出力される。このように本実施の形態によれば、簡素な構成で、マスク検査に利用できる準連続発振の紫外レーザ装置を実現することができる。 The fifth harmonic wave having a wavelength of 213 nm is reflected by the beam splitter BS3, passes through the lens L7, and is output. As described above, according to this embodiment, a quasi-continuous oscillation ultraviolet laser device that can be used for mask inspection can be realized with a simple configuration.
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係る紫外レーザ装置について図2を参照して説明する。図2は、本実施の形態に係る紫外レーザ装置10の構成を示す図である。本実施の形態において、実施の形態1と異なる点は、光路長補償素子5が設けられている点である。図2において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
An ultraviolet laser apparatus according to
本発明者は、1064nmモードロックレーザ装置を用いて準連続発振の213nm光発生を行ったところ、準連続発振での213nm光の発生効率を向上させるために、以下の点を見出した。例えば、実験に用いたモードロックレーザ装置1によるレーザ光のパルス幅は10psecであり、空気中の伝播距離は僅か3mmという短い長さであった。この場合、第3、第4高調波では問題とならない光学部品での群遅延によって、第5高調波発生用結晶4に入射する1064nmと266nm光パルスの時間的な重なりがずれることがある。
The present inventor performed quasi-continuous oscillation of 213 nm light using a 1064 nm mode-locked laser apparatus, and found the following points in order to improve the generation efficiency of 213 nm light in quasi-continuous oscillation. For example, the pulse width of the laser beam by the mode-locked
本発明者は、モードロックレーザによる第5高調波発生の効率を向上させるためには、第5高調波発生用結晶4に入射する1064nmと266nm光パルスの時間的な重なりを合わせることが有効であることを見出した。
In order to improve the efficiency of the fifth harmonic generation by the mode-locked laser, the present inventor is effective to match the temporal overlap of the 1064 nm and 266 nm light pulses incident on the fifth
ここで、図3を参照して、紫外レーザ装置10における群遅延について説明する。図3に示すように、第2高調波発生後の1064nm光と532nm光をビームスプリッタBS1により分離して、532nm光から変換された266nm光とビームコンバイナーBS2で再結合する場合について考える。
Here, the group delay in the
この構成では、1064nm光は、ビームスプリッタ(BS1、BS2)を2回透過するので、通過時間が長くなる。さらに、1064nm光はビームスプリッタBS1、BS2により上側に曲げられるので532nm、266nm光の光路長より長くなる。例えば、ビームスプリッタBS1、BS2が、郡屈折率1.46の合成石英製であり、厚さが5mmであるとする。この場合、遅延時間の合計は31.5psecとなる。また、再集光レンズL6における1064nmの群遅延は、その厚みが5mmの石英製であるとすると7.7psecとなる。 In this configuration, the 1064 nm light is transmitted twice through the beam splitter (BS1, BS2), so that the transit time is long. Further, since the 1064 nm light is bent upward by the beam splitters BS1 and BS2, it becomes longer than the optical path length of 532 nm and 266 nm light. For example, it is assumed that the beam splitters BS1 and BS2 are made of synthetic quartz having a group refractive index of 1.46 and have a thickness of 5 mm. In this case, the total delay time is 31.5 psec. Further, the group delay of 1064 nm in the re-condensing lens L6 is 7.7 psec if it is made of quartz having a thickness of 5 mm.
一方、第4高調波発生用結晶3を長さ10mmのCLBO結晶、レンズL3、L4、L5を厚さ5mmの石英レンズとする。集光レンズL3による532nm光の群遅延と第4高調波発生用結晶3、コリメートレンズL4、再集光レンズL5の通過に伴う266nm光の群遅延は、合計49.1psecである。
On the other hand, the fourth
従って、この例の場合、第5高調波発生用結晶4に到着する1064nm光のパルスは、266nm光に対して9.9psec先行する。本実施の形態では、1064nm光と266nm光が第5高調波発生用結晶4内において時間的に重なるように、光路長補償素子5を設けている。1064nm光の光路長と532nm光及び266nm光の光路長を略一致させることで、213nm光への変換効率を高めることができる。
Therefore, in this example, the 1064 nm light pulse that arrives at the fifth
一般にレーザ光路長の遅延方法としては、図11に示されるように、4枚の平面鏡M11、M12、M13、M14を組み合わせて実現することが多い(例えば、特許公報368677号公報)。しかし、このような構成は複雑かつ大型化する上に、本実施の形態のような10psec(3mm)程度の僅かな遅延時間の調整には不適切である。 In general, a laser optical path length delay method is often realized by combining four plane mirrors M11, M12, M13, and M14 as shown in FIG. 11 (for example, Japanese Patent Publication No. 3686777). However, such a configuration is complicated and large, and is inappropriate for adjusting a slight delay time of about 10 psec (3 mm) as in the present embodiment.
図2に示すように、本実施の形態では、光路長補償素子5は、ビームスプリッタBS1を経た後の残存基本波1064nm光の光路上に設けられている。光路長補償素子5は、1064nm光と266光の光路長を略一致させ、モードロックレーザ装置1からのパルス光の変換効率を向上させるために設けられている。光路長補償素子5としては、1064nm光を透過させる、少なくとも1枚の平行平面の透明基板を用いることができる。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the optical path
なお、第5高調波発生用結晶4の透過における群遅延も発生するため、1064nm光のパルスは、266nm光のパルスよりもやや遅れて入射させることが好ましい。これにより、第5高調波発生用結晶4の中央付近で2つのパルスが重なり、213nm光の変換効率を最大にすることができる。
In addition, since the group delay in the transmission of the fifth
上述したように、図3で説明した例では、光路長補償素子5を設けない場合、1064nm光のパルスが266nm光のパルスに対して、約9.9psec先に第5高調波発生用結晶4に入射する。本実施の形態では、光路長補償素子5として、例えば、厚さ8.5mmの合成石英(1064nmにおける群屈折率1.46)の平行平板を用いる。
As described above, in the example illustrated in FIG. 3, when the optical path
この場合、1064nm光が空気中を通過する場合に比して、8.5mm×(1.46−1.00)÷光速=13.0psec余計に時間がかかる。これにより、266nm光のパルスを、1064nm光のパルスに比して(13−9.9)=3.1psec先行して第5高調波発生用結晶4に入射させることができる。この第5高調波発生用結晶4を長さ10mmのCLBO結晶とした場合、1064nmの群屈折率1.50に対して266nmの群屈折率は1.69である。このため、第5高調波発生用結晶4の中央付近で1064nm光のパルスは266nm光のパルスに追いつき、最も効率的に和周波混合が可能となる。
In this case, it takes an extra time of 8.5 mm × (1.46-1.00) ÷ light velocity = 13.0 psec as compared with the case where 1064 nm light passes through the air. Accordingly, the pulse of 266 nm light can be incident on the fifth
図4に、光路長補償素子5を設けた場合と、光路長補償素子5を設けない場合の、第5高調波への変換効率を示す。図4に示す例では、モードロックレーザ装置1として最大出力9.5Wのモードロック発振Nd:YVO4レーザを用いている。本発明を利用しなかった場合の第5高調波出力は、わずか40mWしか得られない。しかしながら、本発明を利用することにより、最大400mWの10倍もの出力を得ることができた。このように、光路長補償素子5を1064nm光の光路長に挿入することにより、変換効率を大幅に向上させることができる。
FIG. 4 shows the conversion efficiency to the fifth harmonic when the optical path
また、213nm光の出力が最大となるように、光路長補償素子5の合計厚みを選択するため、複数の光路長補償素子5を設けることが好ましい。光路長補償素子5として、平行平板の透明基板を用いることにより、複数の光路長補償素子5を適宜1064nm光の光路上に挿入しても、光軸角度を変化させることなく、容易に最適化することができる。これは、装置を複数製作する際には極めて有用な特徴である。
In order to select the total thickness of the optical path
なお、厚みの異なる光路長補償素子5に適宜変更することも可能である。また、光路長補償素子5の入射面、出射面に対する反射防止膜を施すことが好ましい。これにより、パワーの損失を抑制することができる。また、ビームスプリッタBS1及びビームコンバイナーBS2の少なくともいずれか一方の厚さを調整して、光路長を補償することも可能である。例えば、上述の例では、ビームスプリッタBS1及びビームコンバイナーBS2の厚みを9mm以上とすることができる。これにより、部品数を増加させることなく、光路長を補償することができる。
In addition, it is also possible to change suitably to the optical path
図5に、本実施の形態に係る紫外レーザ装置において用いられる光路長補償素子5の他の構成例を示す。図5に示すように、2枚の光路長補償素子5a、5bをブリュースター角に近い対照配置にする。水平偏光となるように、光路長補償素子5aに入射させることにより、光路長補償素子5に反射防止膜を設けなくても略同様の効果が得られる。
FIG. 5 shows another configuration example of the optical path
また、光路長補償素子5としては、合成石英でなくとも、1064nm光を透過させる任意の透明な光学材料を用いることができる。例えば、BK7等のガラスやサファイア、CaF2、BBO等の結晶でもよい。
Further, as the optical path
ここで、図6、図7を参照して、本実施の形態に係る紫外レーザ装置の他の構成例について説明する。図6に示すように、ビームスプリッタBS1、BS2として、1064nm光を反射、532nm光を透過させるものを用いてもよい。この場合、ビームスプリッタの透過によって532nm光は遅延するため、1064nm光の光路長を調整する光路長補償素子5としては、さらに大きなものが必要となる。
Here, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, another configuration example of the ultraviolet laser device according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 6, beam splitters BS1 and BS2 that reflect 1064 nm light and transmit 532 nm light may be used. In this case, since the 532 nm light is delayed by the transmission of the beam splitter, a larger optical path
また、図7に示すように、ビームスプリッタBS1として、1064nm光を反射、532nm光を透過させるものを、ビームコンバイナーBS2として、1064nm光を問うか、532nm光を反射するものを用いることも可能である。 In addition, as shown in FIG. 7, it is possible to use a beam splitter BS1 that reflects 1064 nm light and transmits 532 nm light, and a beam combiner BS2 that asks for 1064 nm light or reflects 532 nm light. is there.
以上説明したように、本実施の形態によれば、一台のモードロックレーザ装置を基本波として適度なスペクトル幅を有して干渉ノイズの問題がない比較的小型な構成でマスク検査に利用できる準連続発振の第5高調波発生による高出力深紫外レーザ光源を実現することが可能である。 As described above, according to the present embodiment, one mode-locked laser device can be used for mask inspection with a relatively small configuration having an appropriate spectrum width and no problem of interference noise using a fundamental wave as a fundamental wave. It is possible to realize a high-power deep ultraviolet laser light source by quasi-continuous oscillation fifth harmonic generation.
なお、本実施の形態では、光路長補償素子5を1064nm光の光路上に設ける構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、ビームスプリッタBS1で反射された後の第2高調波の光路上や、第4高調波発生用結晶3で変換された後の第4高調波の光路上に設けることも可能である。
In the present embodiment, the optical path
実施の形態3.
本発明の実施の形態3に係る紫外レーザ装置について、図8を参照して説明する。図8は本実施の形態に係る紫外レーザ装置20の構成を示す図である。本実施の形態に係る紫外レーザ装置20は、第5高調波の出力を安定化する機能を有する。
An ultraviolet laser apparatus according to
従来から、APC(Automatic Power Control)回路を設けて、発生する波長変換光の出力を安定化することは、高調波発生型の光源において行われている。ところが、本発明者が検討した結果、従来のようにAPC回路を設けても、安定な制御が非常に困難であるということが分かった。 Conventionally, providing an APC (Automatic Power Control) circuit to stabilize the output of generated wavelength converted light has been performed in a harmonic generation type light source. However, as a result of studies by the present inventors, it has been found that stable control is very difficult even if an APC circuit is provided as in the prior art.
すなわち、第5高調波のように3段階もの波長変換過程を経ると、励起光出力に対する第5高調波の出力の直線性は全くない。また、図10に示すように、基本波の出力変動に対して、第5高調波の出力はその5乗に依存することが分かった。従って、基本波出力が変動すると、第5高調波の出力はより大きく変動する。 That is, when the wavelength conversion process of three stages is performed as in the case of the fifth harmonic, there is no linearity of the output of the fifth harmonic with respect to the pumping light output. Further, as shown in FIG. 10, it was found that the output of the fifth harmonic depends on the fifth power with respect to the output fluctuation of the fundamental wave. Therefore, when the fundamental wave output varies, the output of the fifth harmonic varies more greatly.
また、3つもの非線形光学結晶により波長変換を行っているので、基本波の出力を変化させると、各結晶での光吸収による温度が変化する。このため位相整合条件の変化を誘引してしまい、ヒステリシスが大きいという現象もある。このため、各段の非線形光学結晶に入射する光出力、発生する波長変換出力はなるべく変化させないほうが望ましい。 In addition, since wavelength conversion is performed using as many as three nonlinear optical crystals, the temperature due to light absorption in each crystal changes when the output of the fundamental wave is changed. For this reason, a change in phase matching condition is induced, and there is a phenomenon that hysteresis is large. For this reason, it is desirable that the light output incident on the nonlinear optical crystal at each stage and the generated wavelength conversion output are not changed as much as possible.
そこで、本実施の形態においては、簡素な手段により制御性のよい出力安定化機構を有する第5高調波発生による紫外レーザ装置を提供することを目的として、以下に説明する紫外レーザ装置を考案した。 Therefore, in the present embodiment, an ultraviolet laser device described below has been devised for the purpose of providing an ultraviolet laser device using fifth harmonic generation having an output stabilization mechanism with good controllability by simple means. .
図8に示すように、本実施の形態に係る紫外レーザ装置20は、モードロックレーザ装置1、第2高調波発生用結晶2、第4高調波発生用結晶3、第5高調波発生用結晶4、回転型波長板6、偏光子7、光検出器8、APC回路9、集光レンズL1、L3、コリメートレンズL2、L4、再集光レンズL5、L6、レンズL7、ビームスプリッタBS1、BS3、BS4、ビームコンバイナーBS2、折返し鏡M1、M2を備えている。ここでは、モードロックレーザ装置1として、波長1064nm、出力10WのNd:YAGレーザを用いた例について説明する。
As shown in FIG. 8, the
モードロックレーザ装置1からの1064nm光は、第2高調波発生用結晶2に集光レンズL1によって集光され、その一部が波長532nmの第2高調波に変換される。この第2高調波発生用結晶2としては、LBO、BBO、KTP、KDP、LiNbO3、PPLN等が用いられる。変換効率は、1064nm光のビーム品質やパルス幅、結晶品質等に依存するが、通常50%、5W程度となる。
The 1064 nm light from the mode-locked
発生した532nm光はコリメートレンズL2で平行にされた後、ビームスプリッタBS1により反射され、折返し鏡M1、集光レンズL3を経て第4高調波発生用結晶3に入射する。532nm光は、第4高調波発生用結晶3により、その一部が第4高調波である266nmに変換される。第4高調波発生用結晶3としては、BBO、CLBO、LB4等が用いられる。5Wの532nm光からは、最大2W程度の266nm光が発生される。
The generated 532 nm light is collimated by the collimator lens L2, reflected by the beam splitter BS1, and incident on the fourth
第4高調波発生用結晶3から出た266nm光はコリメートレンズL4、再集光レンズL5を経てビームコンバイナーBS2で反射されて、第5高調波発生用結晶4に入射する。この第5高調波発生用結晶4としては、BBO、CLBO、LB4等が利用できる。
The 266 nm light emitted from the fourth harmonic generating
一方、第2高調波発生用結晶2で変換されなかった残存1064nm光は、5W程度である。この残存1064nm光は、ビームスプリッタBS1を透過した後に、折返し鏡M2で反射され、再集光レンズL6を経てビームコンバイナーBS2を透過する。ビームコンバイナーBS2を透過した1064nm光は、266nm光と同軸に戻され、第5高調波発生用結晶4に入射する。
On the other hand, the remaining 1064 nm light that has not been converted by the second
最適状態では、2Wの266nm光と5Wの1064nm光から、最大で1W程度の第5高調波(213nm)が発生する。実際には、途中の光学部品での損失等により、もう少し小さくなる場合が多い。 In the optimum state, a fifth harmonic (213 nm) of about 1 W at maximum is generated from 2W 266 nm light and 5 W 1064 nm light. Actually, it is often a little smaller due to a loss in the optical components on the way.
この際、ビームスプリッタBS1により分離された残存基本波の光路には、回転型波長板6と偏光子7とが設置されている。残存基本波は、回転型波長板6の回転によって偏光子7を通過する。これにより、残存1064nm光の出力を容易に調整することが出来る。第5高調波の出力は残存基本波と第4高調波の出力の積に比例する。従って、図9の示すように、第5高調波の出力は基本波の出力変動に比例する。このため、残存基本波の出力を調整すれば、第2、第4高調波の出力を略一定に保ったまま、第5高調波の出力をその調整された残存基本波の出力に比例して制御することができるので、容易かつ安定に制御することが可能である。
At this time, the
第5高調波は、ビームスプリッタBS3により反射され、光分岐手段であるビームスプリッタBS4に入射する。ビームスプリッタBS4、第5高調波の一部を光検出器8のほうへ反射し、残りを透過する。第5高調波の一部は光検出器8により検出される。APC回路9は、この光検出器8が出力する光検出信号に基づいて回転型波長板6を回転駆動することにより、1064nm光の出力を制御し第5高調波の出力を所定の値に保つ。
The fifth harmonic is reflected by the beam splitter BS3 and is incident on the beam splitter BS4 which is an optical branching unit. The beam splitter BS4 reflects part of the fifth harmonic toward the
この1064nm光の出力は、半波長板の0〜45°の回転角度θに対して、(sinθ)2に比例する。回転型波長板6は、半波長板をステップモータ駆動の回転装置に取り付けた構成を有している。APC回路9により、第5高調波である213nm光の光検出器8による検出値が一定となるように制御すれば、213nm光の出力の自動一定制御(APC)が実現できる。
The output of the 1064 nm light is proportional to (sin θ) 2 with respect to the rotation angle θ of 0 to 45 ° of the half-wave plate. The
本実施の形態によれば、モードロックレーザ装置1による第5高調波の出力を、結晶や光学部品の劣化等による出力変化を補償して、一定制御するAPC機能が容易に実現できる。なぜなら、熱的な影響によるヒステリシス効果が顕著な266nm出力を変化させることなく、1064nm光の出力又は偏光面だけを調整することで、213nm光の出力が調整できるからである。これにより、従来は±5%程度の安定度しか確保できなかったものを、±2%程度に安定に制御することができる。このため、フォトマスクの欠陥検査装置用の光源、あるいは加工等に利用できる。
According to the present embodiment, it is possible to easily realize the APC function of controlling the output of the fifth harmonic by the mode-locked
なお、本実施の形態においては、半波長板と偏光子との組合せとしたが、偏光子を取り除いても同様の効果が得られる。第5高調波発生用結晶4において、266nm光と混合できる1064nm光の偏光方向は一定なので、半波長板により偏光面を回転させると、第5高調波発生に寄与する成分は、やはり半波長板の回転角度をθとすると、(sinθ)2に依存する。
In the present embodiment, a combination of a half-wave plate and a polarizer is used, but the same effect can be obtained even if the polarizer is removed. Since the polarization direction of the 1064 nm light that can be mixed with the 266 nm light is constant in the fifth
また、上述の実施の形態においては、残存基本波の光路上に回転型波長板6、偏光子7を配置する構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、ビームスプリッタBS1の後の第2高調波の光路上、第4高調波発生用結晶3の後の第4高調波の光路上に、その出力ないし偏光方向を調整する光学手段を設けることも可能である。
In the above-described embodiment, the
さらに、本実施の形態においては、モードロックレーザ装置1を用いたが、これに代わり、Qスイッチレーザを用いることも可能である。さらに、実施の形態2と実施の形態3とを組み合わせて、APC機能と光路長補償機能とを同時に実現することも可能である。
Further, in the present embodiment, the mode-locked
1 モードロックレーザ装置
2 第2高調波発生用結晶
3 第4高調波発生用結晶
4 第5高調波発生用結晶
5 光路長補償素子
6 回転型波長板
7 偏光子
8 光検出器
9 APC回路
10、20 紫外レーザ装置
L1、L3 集光レンズ
L2、L4 コリメートレンズ
L5、L6 再集光レンズ
L7 レンズ
M1、M2 折返し鏡
M11、M12、M13、M14 平面鏡
BS1、BS3、BS4 ビームスプリッタ
BS2 ビームコンバイナー
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基本波が入射され、第2高調波を発生する第1非線形光学結晶と、
前記第1非線形光学結晶から出射する第2高調波と残存基本波とを分離するビームスプリッタと、
前記第2高調波が入射され、第4高調波を発生する第2非線形光学結晶と、
前記第2非線形光学結晶から出射する第4高調波と、前記第1非線形光学結晶からの残存基本波とを同軸とするビームコンバイナーと、
同軸の第4高調波と残存基本波とを和周波混合して第5高調波を発生する第3非線形光学結晶とを備える紫外レーザ装置。 A mode-locked laser device that outputs a fundamental wave having a pulse width of 50 psec or less;
A first nonlinear optical crystal that receives the fundamental wave and generates a second harmonic;
A beam splitter that separates the second harmonic and the residual fundamental wave emitted from the first nonlinear optical crystal;
A second nonlinear optical crystal that receives the second harmonic and generates a fourth harmonic;
A beam combiner coaxially with a fourth harmonic wave emitted from the second nonlinear optical crystal and a residual fundamental wave from the first nonlinear optical crystal;
An ultraviolet laser device comprising: a third nonlinear optical crystal that generates a fifth harmonic by mixing the sum of the coaxial fourth harmonic and the residual fundamental wave.
前記基本波が入射され、第2高調波を発生する第1非線形光学結晶と、
前記第1非線形光学結晶から出射する第2高調波と残存基本波とを分離するビームスプリッタと、
前記第2高調波が入射され、第4高調波を発生する第2非線形光学結晶と、
前記第2非線形光学結晶から出射する第4高調波と、前記第1非線形光学結晶からの残存基本波とを同軸とするビームコンバイナーと、
同軸の第4高調波と残存基本波とを和周波混合して第5高調波を発生する第3非線形光学結晶と、
前記ビームスプリッタと前記ビームコンバイナーとの間の残存基本波、第2高調波又は第4高調波のいずれかの光路上に、その出力ないし偏光方向を調整する第2光学手段とを備える紫外レーザ装置。 A mode-locked laser device or a Q-switched laser device that outputs a fundamental wave;
A first nonlinear optical crystal that receives the fundamental wave and generates a second harmonic;
A beam splitter that separates the second harmonic and the residual fundamental wave emitted from the first nonlinear optical crystal;
A second nonlinear optical crystal that receives the second harmonic and generates a fourth harmonic;
A beam combiner coaxially with a fourth harmonic wave emitted from the second nonlinear optical crystal and a residual fundamental wave from the first nonlinear optical crystal;
A third nonlinear optical crystal that generates a fifth harmonic by sum-frequency mixing the coaxial fourth harmonic and the residual fundamental wave;
An ultraviolet laser apparatus comprising: a second optical means for adjusting an output or a polarization direction on an optical path of any one of a residual fundamental wave, a second harmonic, and a fourth harmonic between the beam splitter and the beam combiner. .
前記光検出器の出力が略一定となるように、前記半波長板を回転駆動させる制御機構と、
をさらに備える請求項6〜9のいずれか1項に記載の紫外レーザ装置。 A photodetector for detecting a part of the fifth harmonic;
A control mechanism that rotationally drives the half-wave plate so that the output of the photodetector is substantially constant;
The ultraviolet laser device according to any one of claims 6 to 9, further comprising:
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---|---|
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012037813A (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Nikon Corp | Ultraviolet laser device |
JP2012203147A (en) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Nikon Corp | Ultraviolet laser device |
WO2013111211A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | Laser device |
JP2014035307A (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | Defect inspection device and defect inspection method |
WO2014116922A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | Kla-Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
JP5679386B1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-03-04 | レーザーテック株式会社 | Laser light source device and inspection device |
US9042006B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-05-26 | Kla-Tencor Corporation | Solid state illumination source and inspection system |
US9250178B2 (en) | 2011-10-07 | 2016-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US9413134B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Multi-stage ramp-up annealing for frequency-conversion crystals |
US9419407B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus |
US9529182B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9608399B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-03-28 | Kla-Tencor Corporation | 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser |
US9748729B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US10175555B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-01-08 | KLA—Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
CN112134125A (en) * | 2020-09-22 | 2020-12-25 | 天津大学 | Device and method for generating ultraviolet light based on sum frequency amplified by fundamental frequency |
KR102255408B1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-05-24 | 주식회사 루트로닉 | Laser device |
KR20230123856A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 한국광기술원 | Laser system and method of controlling same |
KR20230123857A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 한국광기술원 | Laser system and method of controlling same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09162104A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Sony Corp | Semiconductor aligner, projection aligner and formation of circuit pattern |
JPH10186428A (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-14 | Sony Corp | Laser beam generating device |
JP2002350914A (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Nikon Corp | Light source device and irradiation device |
JP2003161974A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Nikon Corp | Light source device and light irradiation device |
JP2005006973A (en) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nidek Co Ltd | Laser therapy equipment |
JP2007047332A (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nikon Corp | Wavelength conversion optical system, laser light source, exposure device, device for inspecting inspection object, and device for processing polymer crystal |
JP2007136478A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | V Technology Co Ltd | Laser generator |
-
2008
- 2008-08-26 JP JP2008216250A patent/JP2010054547A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09162104A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Sony Corp | Semiconductor aligner, projection aligner and formation of circuit pattern |
JPH10186428A (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-14 | Sony Corp | Laser beam generating device |
JP2002350914A (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Nikon Corp | Light source device and irradiation device |
JP2003161974A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Nikon Corp | Light source device and light irradiation device |
JP2005006973A (en) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nidek Co Ltd | Laser therapy equipment |
JP2007047332A (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nikon Corp | Wavelength conversion optical system, laser light source, exposure device, device for inspecting inspection object, and device for processing polymer crystal |
JP2007136478A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | V Technology Co Ltd | Laser generator |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012037813A (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Nikon Corp | Ultraviolet laser device |
JP2012203147A (en) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Nikon Corp | Ultraviolet laser device |
US9413134B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Multi-stage ramp-up annealing for frequency-conversion crystals |
US9250178B2 (en) | 2011-10-07 | 2016-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US10283366B2 (en) | 2011-10-07 | 2019-05-07 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US9459215B2 (en) | 2011-10-07 | 2016-10-04 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US11227770B2 (en) | 2011-10-07 | 2022-01-18 | Kla Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
WO2013111211A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | Laser device |
JP2013156329A (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | National Institutes Of Natural Sciences | Laser device |
JP2014035307A (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Hitachi High-Technologies Corp | Defect inspection device and defect inspection method |
US9042006B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-05-26 | Kla-Tencor Corporation | Solid state illumination source and inspection system |
US9318869B2 (en) | 2013-01-24 | 2016-04-19 | Kla-Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US8929406B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-01-06 | Kla-Tencor Corporation | 193NM laser and inspection system |
WO2014116922A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | Kla-Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9529182B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US10439355B2 (en) | 2013-02-13 | 2019-10-08 | Kla-Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9935421B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-04-03 | Kla-Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9608399B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-03-28 | Kla-Tencor Corporation | 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser |
JP5679386B1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-03-04 | レーザーテック株式会社 | Laser light source device and inspection device |
US10495582B2 (en) | 2014-03-20 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US9419407B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus |
US10199149B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US9748729B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US10175555B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-01-08 | KLA—Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
US10429719B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-10-01 | Kla-Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
KR102255408B1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-05-24 | 주식회사 루트로닉 | Laser device |
WO2021118280A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | 주식회사 루트로닉 | Laser apparatus |
CN112134125A (en) * | 2020-09-22 | 2020-12-25 | 天津大学 | Device and method for generating ultraviolet light based on sum frequency amplified by fundamental frequency |
KR20230123856A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 한국광기술원 | Laser system and method of controlling same |
KR20230123857A (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 한국광기술원 | Laser system and method of controlling same |
KR102661679B1 (en) * | 2022-02-17 | 2024-04-29 | 한국광기술원 | Dual wavelength laser system and method of controlling same |
KR102661677B1 (en) * | 2022-02-17 | 2024-04-29 | 한국광기술원 | Laser system using tilting mirror and method of controlling same |
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