JP2010033983A - Organic el display device, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device having a superior organic compound layer with no effect of burrs and residues formed in formation of the lower layer, and to provide a manufacturing method of the organic EL display device enabling formation of this organic compound layer. <P>SOLUTION: The organic EL display device is composed of the lower part electrode which is constituted of a substrate and a plurality of pixels arranged on the substrate and in which the pixels are installed on the substrate, an electrode layer which is installed upward the lower part electrode and in which the number of the layer is n, and the organic compound layer which is installed between the lower part electrode and the electrode layers directly above the lower part electrode and between the electrode layers, and includes a light-emitting layer to emit prescribed light, and in which the number of the layers is n. The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d<SB>1</SB><d<SB>2</SB>< ..., <d<SB>n</SB>, wherein d<SB>1</SB>denotes the film thickness of a first organic compound layer, d<SB>2</SB>denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d<SB>n</SB>denotes the film thickness of an n-th organic compound layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display device and a manufacturing method thereof.

有機化合物層と電極層とを交互に積層されてなる多色発光の有機EL表示装置として、例えば、特許文献1に開示されている多色発光表示装置が挙げられる。特許文献1に開示されている多色発光表示装置は、少なくとも2つの発光素子を積層した構成となっていて、各々の発光素子を個別に駆動することができる。また特許文献1に開示されている多色発光表示装置は、装置を構成する複数の有機発光素子を選択的に駆動させるために、各電極層を所望の形状にパターニングすることが必要になる。また、上層の電極層を下層の電極層又は基板に予め形成した配線層と部分的に電気接続することも必要になる。即ち、特許文献1に開示されている多色発光表示装置を製造する際には、電極層及び有機化合物層を選択的に除去する工程が必要となる。また選択的に除去した領域においても、電極間のショートを発生させることなく電極層と有機化合物層とをさらに順次積層させることが求められる。   As a multicolor organic EL display device in which organic compound layers and electrode layers are alternately stacked, for example, a multicolor light emission display device disclosed in Patent Document 1 can be cited. The multicolor light emitting display device disclosed in Patent Document 1 has a configuration in which at least two light emitting elements are stacked, and each light emitting element can be driven individually. Further, in the multicolor light emitting display device disclosed in Patent Document 1, it is necessary to pattern each electrode layer in a desired shape in order to selectively drive a plurality of organic light emitting elements constituting the device. In addition, it is also necessary to partially electrically connect the upper electrode layer to a lower electrode layer or a wiring layer previously formed on the substrate. That is, when the multicolor light emitting display device disclosed in Patent Document 1 is manufactured, a step of selectively removing the electrode layer and the organic compound layer is required. Further, even in the selectively removed region, it is required to sequentially stack the electrode layer and the organic compound layer without causing a short circuit between the electrodes.

米国特許5707745号明細書US Pat. No. 5,707,745

しかしながら、特許文献1に開示されている多色発光表示装置を製造する際に、特に、有機化合物層又は電極層を選択的に除去する工程を行うときに、除去した領域の端部でバリや残渣が発生する場合がある。このため良好な加工形状が得られないことがある。特に、除去する領域の膜厚が厚いほどバリや残渣が顕著に発生するおそれがある。このようにバリや残渣が発生している領域上に有機化合物層又は電極層となる薄膜を形成すると、除去した領域における加工形状が良好でないため、有機化合物層又は電極層になる薄膜が良好に形成されにくい。一方、除去した領域の上層に形成する有機化合物層の膜厚が薄い場合は、下層に発生したバリや残渣の影響を受けて所望の領域を完全に被覆することが難しく、有機化合物層を良好に形成することが困難になる。このため、電極間のショートが発生し、有機EL表示装置の製造歩留りが低下するという問題があった。   However, when the multicolor light emitting display device disclosed in Patent Document 1 is manufactured, particularly when a step of selectively removing the organic compound layer or the electrode layer is performed, burrs or Residues may be generated. For this reason, a favorable processed shape may not be obtained. In particular, as the thickness of the region to be removed increases, burrs and residues may be more prominently generated. When a thin film that becomes an organic compound layer or an electrode layer is formed on a region where burrs or residues are generated in this way, the processed shape in the removed region is not good, so the thin film that becomes an organic compound layer or an electrode layer is good. Hard to form. On the other hand, when the thickness of the organic compound layer formed on the upper layer of the removed region is thin, it is difficult to completely cover the desired region under the influence of burrs and residues generated in the lower layer, and the organic compound layer is good. It becomes difficult to form. For this reason, there is a problem that a short circuit between the electrodes occurs and the manufacturing yield of the organic EL display device is lowered.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。その目的は、下層の形成時において発生したバリや残渣に影響されることなく良好な有機化合物層を有する有機EL表示装置、及びこの有機化合物層の形成を可能にする有機EL表示装置の製造方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above problems. An object of the present invention is to provide an organic EL display device having a good organic compound layer without being affected by burrs and residues generated during the formation of the lower layer, and a method for manufacturing the organic EL display device that enables the formation of this organic compound layer Is to provide.

本発明の有機EL表示装置は、基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がnである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がnである有機化合物層と、からなり、
該有機化合物層の膜厚が下記式(1)の関係を満たすことを特徴とする。
1<d2<・・・<dn (1)
(式(1)において、d1は、第1有機化合物層の膜厚を表す。d2は、第2有機化合物層の膜厚を表す。dnは、第n有機化合物層の膜厚を表す。)
The organic EL display device of the present invention includes a substrate,
A plurality of pixels arranged on the substrate,
A lower electrode provided on the substrate;
An electrode layer provided above the lower electrode and having n layers;
An organic compound layer including a light emitting layer provided between the lower electrode and the electrode layer immediately above the lower electrode and between the electrode layers and emitting predetermined light, the number of layers being n,
The film thickness of the organic compound layer satisfies the relationship of the following formula (1).
d 1 <d 2 <... <d n (1)
In (Equation (1), d 1 is .d 2 representing the thickness of the first organic compound layer, .d n representing the thickness of the second organic compound layer, the thickness of the n organic compound layer To express.)

本発明によれば、下層の形成時において発生したバリや残渣に影響されることなく良好な有機化合物層を有する有機EL表示装置、及びこの有機化合物層の形成を可能にする有機EL表示装置の製造方法を提供することができる。従って、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上における電極間のショートを低減することが可能になり、有機EL表示装置の製造歩留りを向上させることができる。   According to the present invention, an organic EL display device having a good organic compound layer without being affected by burrs and residues generated during the formation of the lower layer, and an organic EL display device capable of forming this organic compound layer A manufacturing method can be provided. Therefore, it is possible to reduce a short circuit between the electrodes on the region where the organic compound layer or the electrode layer is selectively removed, and the manufacturing yield of the organic EL display device can be improved.

本発明は、基板と、この基板上に複数配列されている画素と、から構成される有機EL表示装置及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an organic EL display device including a substrate and a plurality of pixels arranged on the substrate, and a manufacturing method thereof.

本発明の有機EL表示装置の構成部材である画素は、下部電極と、電極層と、有機化合物層と、からなる部材である。ここで、下部電極は基板上に設けられる。電極層は、下部電極の上方に設けられ層の数がnである。ここで、nの値は、有機EL表示装置に印加する電圧等を考慮して、好ましくは、2〜4である。有機化合物層は、下部電極と下部電極の直上にある電極層との間及び電極層間に設けられ層の数がnである。ここで、有機化合物層には所定の光を発する発光層を含んでいる。またnの値は、有機EL表示装置に印加する電圧等を考慮して、好ましくは、2〜4である。   The pixel that is a constituent member of the organic EL display device of the present invention is a member that includes a lower electrode, an electrode layer, and an organic compound layer. Here, the lower electrode is provided on the substrate. The electrode layer is provided above the lower electrode, and the number of layers is n. Here, the value of n is preferably 2 to 4 in consideration of the voltage applied to the organic EL display device. The organic compound layer is provided between the lower electrode and the electrode layer immediately above the lower electrode and between the electrode layers, and the number of layers is n. Here, the organic compound layer includes a light emitting layer that emits predetermined light. The value of n is preferably 2 to 4 in consideration of the voltage applied to the organic EL display device.

本発明の有機EL表示装置は、有機化合物層の膜厚が下記式(1)の関係を満たすことを特徴とする。
1<d2<・・・<dn (1)
The organic EL display device of the present invention is characterized in that the film thickness of the organic compound layer satisfies the relationship of the following formula (1).
d 1 <d 2 <... <d n (1)

式(1)において、d1は、第1有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第1有機化合物層とは、下部電極とこの下部電極の直上に設けられる第1電極層との間に設けられる有機化合物層をいうものである。 In Formula (1), d 1 represents the film thickness of the first organic compound layer. Here, the first organic compound layer refers to an organic compound layer provided between the lower electrode and the first electrode layer provided immediately above the lower electrode.

式(1)において、d2は、第2有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第2有機化合物層とは、上述した第1電極層とこの第1電極層の直上に設けられる第2電極層との間に設けられる有機化合物層をいうものである。 In the formula (1), d 2 represents the thickness of the second organic compound layer. Here, the second organic compound layer refers to an organic compound layer provided between the first electrode layer described above and the second electrode layer provided immediately above the first electrode layer.

式(1)において、dnは、第n有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第n有機化合物層とは、上から2番目に設けられる電極層である第n−1電極層と上から1番目に設けられる電極層である第n電極層(上部電極)との間に設けられる有機化合物層をいうものである。 In the formula (1), d n represents the film thickness of the n organic compound layer. Here, the nth organic compound layer is an n-1 electrode layer that is the second electrode layer provided from the top and an nth electrode layer (upper electrode) that is the first electrode layer provided from the top. An organic compound layer provided between them.

本発明の有機EL表示装置を製造する場合は、有機化合物層を形成するときにこの有機化合物層の膜厚を上記式(1)の関係を満たすように制御する。即ち、式(1)に示すように、有機化合物層を形成するときには、下方にある有機化合物層よりも厚い膜厚で形成する。   When the organic EL display device of the present invention is manufactured, the thickness of the organic compound layer is controlled so as to satisfy the relationship of the above formula (1) when the organic compound layer is formed. That is, as shown in Formula (1), when forming an organic compound layer, it is formed with a film thickness thicker than the organic compound layer below.

本発明の有機EL表示装置は、好ましくは、有機化合物層に含まれる発光層が下記式(2)の関係を満たす。
λ1<λ2<・・・<λn (2)
In the organic EL display device of the present invention, the light emitting layer included in the organic compound layer preferably satisfies the relationship of the following formula (2).
λ 12 <... <λ n (2)

式(2)において、λ1は、第1有機化合物層に含まれる第1発光層から発する光のピーク波長を表す。 In Formula (2), λ 1 represents the peak wavelength of light emitted from the first light emitting layer included in the first organic compound layer.

式(2)において、λ2は、第2有機化合物層に含まれる第2発光層から発する光のピーク波長を表す。 In Formula (2), λ 2 represents the peak wavelength of light emitted from the second light emitting layer included in the second organic compound layer.

式(2)において、λnは、第n有機化合物層に含まれる第n発光層から発する光のピーク波長を表す。 In Formula (2), λ n represents the peak wavelength of light emitted from the nth light emitting layer included in the nth organic compound layer.

本発明の有機EL表示装置を製造する場合は、好ましくは、有機化合物層を形成するときに、有機化合物層に含まれる発光層が下記式(2)の関係を満たすようにする。即ち、式(2)に示すように、有機化合物層に含まれる発光層から発する光のピーク波長が、下方にある有機化合物層に含まれる発光層から発する光のピーク波長よりも長波長側にシフトするように調整するのが好ましい。   In the case of producing the organic EL display device of the present invention, preferably, when the organic compound layer is formed, the light emitting layer included in the organic compound layer satisfies the relationship of the following formula (2). That is, as shown in Formula (2), the peak wavelength of light emitted from the light emitting layer included in the organic compound layer is longer than the peak wavelength of light emitted from the light emitting layer included in the organic compound layer below. It is preferable to adjust so as to shift.

以下、本発明について図面を参照しながら具体的に説明する。ただし本発明はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to this.

[第1の実施形態]
図1は、本発明の製造方法によって製造される有機EL表示装置を示す模式図である。図1において、(a)は、1画素分の有機EL表示装置を示す断面模式図であり、(b)は、(a)に示される有機EL表示装置の等価回路を示す回路図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic view showing an organic EL display device manufactured by the manufacturing method of the present invention. 1, (a) is a schematic cross-sectional view showing an organic EL display device for one pixel, and (b) is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device shown in (a).

図1(a)に示される有機EL表示装置1は、トップエミッション型の有機EL表示装置である。また図1(a)に示される有機EL表示装置は、第1副画素P1と、第2副画素P2と、第3副画素P3とが並列に配置されており、この3個の副画素P1,P2及びP3により1つの画素が構成されている。   An organic EL display device 1 shown in FIG. 1A is a top emission type organic EL display device. In the organic EL display device shown in FIG. 1A, a first subpixel P1, a second subpixel P2, and a third subpixel P3 are arranged in parallel, and the three subpixels P1 are arranged. , P2 and P3 constitute one pixel.

ところで図1(a)に示される副画素P1,P2及びP3には、下部電極と電極層との間、及び電極層と電極層との間に各々が異なる色に発光する有機化合物層がそれぞれ形成されている。   By the way, in the sub-pixels P1, P2, and P3 shown in FIG. 1A, there are organic compound layers that emit light of different colors between the lower electrode and the electrode layer and between the electrode layer and the electrode layer, respectively. Is formed.

即ち、第1副画素P1は、基板10上に、下部電極11a、第1有機化合物層12a、第1電極層13a、第2有機化合物層14a、第2電極層15a、第3有機化合物層16a及び第3電極層21がこの順に積層されている。   That is, the first subpixel P1 is formed on the substrate 10 with the lower electrode 11a, the first organic compound layer 12a, the first electrode layer 13a, the second organic compound layer 14a, the second electrode layer 15a, and the third organic compound layer 16a. And the 3rd electrode layer 21 is laminated | stacked in this order.

尚、第1副画素P1の近傍には、コンタクトホール20aが設けられており、第1電極13a、第2電極層15a及び第3電極層21が直接電気接続できるようになっている。これにより第1副画素P1は、図1(b)に示される等価回路Aを形成し、所望の電圧を印加したときに第1有機化合物層13aが発光するようになっている。   A contact hole 20a is provided in the vicinity of the first subpixel P1, so that the first electrode 13a, the second electrode layer 15a, and the third electrode layer 21 can be directly electrically connected. Thereby, the first subpixel P1 forms an equivalent circuit A shown in FIG. 1B, and the first organic compound layer 13a emits light when a desired voltage is applied.

第2副画素P2では、基板10上に、下部電極11b、第1有機化合物層12b、第1電極層13b、第2有機化合物層14b、第2電極層15b、第3有機化合物層16b及び第3電極層21がこの順に積層されている。   In the second subpixel P2, the lower electrode 11b, the first organic compound layer 12b, the first electrode layer 13b, the second organic compound layer 14b, the second electrode layer 15b, the third organic compound layer 16b, and the first electrode are formed on the substrate 10. Three electrode layers 21 are laminated in this order.

尚、第2副画素P2の近傍には、コンタクトホール18b及びコンタクトホール20bが設けられている。ここでコンタクトホール18bは、下部電極11bと第1電極層13bとが直接電気接続できるようになっている。またコンタクトホール20bは、第2電極層15bと第3電極層21とが直接電気接続できるようになっている。上記の二種類のコンタクトホールを設けることにより、第2副画素P2は、図1(b)に示される等価回路Bを形成し、所望の電圧を印加したときに第2有機化合物層14bが発光するようになっている。   A contact hole 18b and a contact hole 20b are provided in the vicinity of the second subpixel P2. Here, the contact hole 18b allows the lower electrode 11b and the first electrode layer 13b to be directly electrically connected. Further, the contact hole 20b allows the second electrode layer 15b and the third electrode layer 21 to be directly electrically connected. By providing the above two types of contact holes, the second subpixel P2 forms the equivalent circuit B shown in FIG. 1B, and the second organic compound layer 14b emits light when a desired voltage is applied. It is supposed to be.

第3副画素P3では、基板10上に、下部電極11c、第1有機化合物層12c、第1電極層13c、第2有機化合物層14c、第2電極層15c、第3有機化合物層16c及び第3電極層21がこの順に積層されている。   In the third subpixel P3, the lower electrode 11c, the first organic compound layer 12c, the first electrode layer 13c, the second organic compound layer 14c, the second electrode layer 15c, the third organic compound layer 16c, and the first electrode are formed on the substrate 10. Three electrode layers 21 are laminated in this order.

尚、第3副画素P3の近傍には、コンタクトホール19cが設けられており、下部電極層11c、第1電極層13c及び第2電極層が直接電気接続できるようになっている。これにより第3副画素P3は、図1(b)に示される等価回路Cを形成し、所望の電圧を印加したときに第3有機化合物層16cが発光するようになっている。   A contact hole 19c is provided in the vicinity of the third subpixel P3 so that the lower electrode layer 11c, the first electrode layer 13c, and the second electrode layer can be directly electrically connected. Thus, the third subpixel P3 forms an equivalent circuit C shown in FIG. 1B, and the third organic compound layer 16c emits light when a desired voltage is applied.

一方、図1(a)で示される有機化合物層(12a乃至12c、14a乃至14c及び16a乃至16c)は、少なくとも発光層を含む単層薄膜又は2層以上からなる積層体である。ここで、有機化合物層が2層以上からなる積層体である場合、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のいずれかが含まれる。   On the other hand, the organic compound layers (12a to 12c, 14a to 14c, and 16a to 16c) shown in FIG. 1A are a single-layer thin film including at least a light-emitting layer or a laminate including two or more layers. Here, when the organic compound layer is a laminate composed of two or more layers, any of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer and the like is included in addition to the light emitting layer.

一方、基板10として、絶縁性基板上にTFT等のスイッチング素子(図示せず)が形成されたものを使用してもよい。尚、このスイッチング素子は下部電極11a乃至11cに電気接続されるものである。   On the other hand, a substrate in which a switching element (not shown) such as a TFT is formed on an insulating substrate may be used as the substrate 10. This switching element is electrically connected to the lower electrodes 11a to 11c.

次に、図面を参照しながら本発明の製造方法を説明する。図2は、本発明の有機EL表示装置の製造方法を示す断面模式図である。   Next, the manufacturing method of this invention is demonstrated, referring drawings. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing the organic EL display device of the present invention.

本実施形態において、まず基板10上に下部電極11a乃至11cを所望の形状でパターン形成する。   In the present embodiment, first, the lower electrodes 11a to 11c are patterned in a desired shape on the substrate 10.

本実施形態において使用される基板10は、絶縁性の基板が好ましく、例えば、ガラス基板が挙げられる。   The substrate 10 used in this embodiment is preferably an insulating substrate, for example, a glass substrate.

下部電極11a乃至11cの構成材料として、Cr、Al、Ag等の金属単体、ITO、IZO等の透明導電性化合物が挙げられる。尚、第1電極層11a乃至11cは、上記の金属単体から構成される薄膜と、上記透明導電性化合物から構成される薄膜と、を積層した積層体であってもよい。   Examples of the constituent material of the lower electrodes 11a to 11c include a simple metal such as Cr, Al, and Ag, and a transparent conductive compound such as ITO and IZO. In addition, the 1st electrode layers 11a thru | or 11c may be the laminated body which laminated | stacked the thin film comprised from said metal simple substance, and the thin film comprised from the said transparent conductive compound.

下部電極11a乃至11cの形成方法として、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。   As a method for forming the lower electrodes 11a to 11c, there is a method in which a metal film or a transparent conductive compound film formed by sputtering or vacuum vapor deposition is patterned using a photolithography method.

下部電極11a乃至11cを形成した後、複数の副画素に共通する第1有機化合物層12を、下部電極11a乃至11cを覆うように形成する(図2(a))。   After forming the lower electrodes 11a to 11c, the first organic compound layer 12 common to the plurality of sub-pixels is formed so as to cover the lower electrodes 11a to 11c (FIG. 2A).

この第1有機化合物層12を形成する際、その膜厚(d1)は薄い方が好ましい。第1有機化合物層12をより薄く形成することで、次の工程でコンタクトホール18b及び18cを形成する際に、形成されるコンタクトホール18b及び18cの端部においてバリや残渣の発生を低減することが可能になる。尚、ここでいう膜厚d1とは、下部電極と第電極層との間に設けられる第1有機化合物層の膜厚をいうものである。 When the first organic compound layer 12 is formed, the thickness (d 1 ) is preferably thin. By forming the first organic compound layer 12 thinner, when forming the contact holes 18b and 18c in the next step, the generation of burrs and residues at the end portions of the formed contact holes 18b and 18c is reduced. Is possible. Here, the film thickness d 1 is the film thickness of the first organic compound layer provided between the lower electrode and the first electrode layer.

第1有機化合物層12は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の3層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。   The first organic compound layer 12 includes, for example, three layers of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer, but the present invention is not limited to this.

電子輸送層を構成する電子注入輸送材料として、アルミニウム原子に8−ヒドロキシキノリンの3量体が配位したAlq3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用することができる。 As an electron injecting and transporting material constituting the electron transporting layer, Alq 3 in which an 8-hydroxyquinoline trimer is coordinated to an aluminum atom, an azomethine zinc complex, a distyrylbiphenyl derivative system, or the like can be used.

発光層を構成する発光材料は、取り出す光の色又は光の波長に応じて適宜選択することができる。例えば、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物、及びこれらの単独オリゴ体、或いは複合オリゴ体等を使用することができる。   The light-emitting material constituting the light-emitting layer can be appropriately selected according to the color of light to be extracted or the wavelength of light. For example, a triarylamine derivative, a stilbene derivative, a polyarylene, an aromatic condensed polycyclic compound, an aromatic heterocyclic compound, an aromatic heterocyclic condensed ring compound, a metal complex compound, and a single oligo or a composite oligo thereof. Can be used.

正孔輸送層を構成する正孔注入輸送材料として、フタロシアミン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体等を使用することができる。   As a hole injecting and transporting material constituting the hole transporting layer, a phthalocyanine compound, a triarylamine compound, a conductive polymer, a perylene compound, an Eu complex, or the like can be used.

第1有機化合物層12の形成方法としては、真空蒸着法、塗布法等を用いることができる。   As a method for forming the first organic compound layer 12, a vacuum deposition method, a coating method, or the like can be used.

次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第1有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール18b及び18cを形成する(図2(b))。尚、この段階で後述するコンタクトホール19a(20a)及び20bを形成する領域についても第1有機化合物層の選択的除去を行う。この選択的除去によって、分割された第1有機化合物層12a〜12cが形成される。第1有機化合物層を選択的に除去する方法としては、レーザーアブレーション法が好ましい。レーザーアブレーション法として、具体的には、YAGレーザー、エキシマレーザー等を照射する方法が挙げられるが、第1有機化合物層を選択的にかつ良好に除去することができればこの限りではない。本実施形態においては、より具体的には、波長248nmのエキシマレーザーを使用する。また、第1有機化合物層の選択的除去方法として、具体的には、数μmに集光したレーザーを走査する方法、遮光膜をパターン配置したマスクを用いて所望の領域にのみレーザーを照射する方法等を採用することができる。   Next, the contact holes 18b and 18c are formed by selectively removing the first organic compound layer provided in the region where the contact holes are to be formed (FIG. 2B). At this stage, the first organic compound layer is selectively removed also in regions where contact holes 19a (20a) and 20b, which will be described later, are formed. By this selective removal, the divided first organic compound layers 12a to 12c are formed. As a method for selectively removing the first organic compound layer, a laser ablation method is preferable. Specific examples of the laser ablation method include a method of irradiating a YAG laser, an excimer laser, or the like, but this is not limited as long as the first organic compound layer can be selectively and satisfactorily removed. In this embodiment, more specifically, an excimer laser with a wavelength of 248 nm is used. Further, as a selective removal method of the first organic compound layer, specifically, a method of scanning a laser focused to several μm, a laser is irradiated only to a desired region using a mask in which a light shielding film is arranged in a pattern. A method etc. can be adopted.

また、第1有機化合物層12並びにコンタクトホール18b及び18cを形成する別の方法として、メタルマスクを用いた真空蒸着、又はインクジェット等を用いた選択的塗布によるパターン形成が挙げられる。   Another method for forming the first organic compound layer 12 and the contact holes 18b and 18c includes pattern formation by vacuum deposition using a metal mask or selective application using an ink jet or the like.

次に、第1有機化合物層12a〜12c上に第1電極層に相当する薄膜を形成した後、パターニングを行うことにより、所望のパターンに分割された第1電極層13a〜13cを形成する(図2(c))。このときコンタクトホール18bを介して下部電極11bと第1電極層13bとが電気接続される。またコンタクトホール18cを介して下部電極11cと第1電極層13cとが電気接続される。ここで、第1電極層13aは第1有機化合物層12aを覆う領域に形成される。第1電極層13bは第1有機化合物層12bを覆う領域に形成される。第1電極層13cは第1有機化合物層12cを覆う領域に形成される。   Next, after forming a thin film corresponding to the first electrode layer on the first organic compound layers 12a to 12c, patterning is performed to form the first electrode layers 13a to 13c divided into desired patterns ( FIG. 2 (c)). At this time, the lower electrode 11b and the first electrode layer 13b are electrically connected via the contact hole 18b. The lower electrode 11c and the first electrode layer 13c are electrically connected through the contact hole 18c. Here, the first electrode layer 13a is formed in a region covering the first organic compound layer 12a. The first electrode layer 13b is formed in a region covering the first organic compound layer 12b. The first electrode layer 13c is formed in a region covering the first organic compound layer 12c.

第1電極層13a〜13cは、ITO、IZO等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が10nm乃至30nmである半透過性のAl薄膜、Ag薄膜等であってもよい。   The first electrode layers 13a to 13c are preferably transparent electrodes made of ITO, IZO or the like, but may be semi-transparent Al thin films or Ag thin films having a film thickness of 10 nm to 30 nm.

第1電極層13a〜13cの形成方法として、下部電極11a〜11cと同様の方法、即ち、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。   As a method for forming the first electrode layers 13a to 13c, a method similar to that for the lower electrodes 11a to 11c, that is, a metal film formed by sputtering or vacuum deposition, or a transparent conductive compound film is used by photolithography. And a method of forming a pattern using them.

次に、上記の第1有機化合物層12と同様の方法で、第2有機化合物層14を形成する(図2(c))。ここで第2有機化合物層14の膜厚(d2)は、第1有機化合物層12の膜厚d1よりも厚くする。第1有機化合物層12よりも第2有機化合物層14の膜厚を厚くすることにより、コンタクトホール18b上に形成された第1電極層13b上にも第2有機化合物層14に相当する薄膜を良好に形成することができる。このため第1電極層13bと後述する第2電極層15bとの間におけるショートの発生を低減することができる。尚、ここでいう膜厚d2とは、第1電極層と第2電極層との間に設けられる第2有機化合物層の膜厚をいうものである。 Next, the second organic compound layer 14 is formed by the same method as that for the first organic compound layer 12 (FIG. 2C). Here, the film thickness (d 2 ) of the second organic compound layer 14 is made larger than the film thickness d 1 of the first organic compound layer 12. By making the film thickness of the second organic compound layer 14 larger than that of the first organic compound layer 12, a thin film corresponding to the second organic compound layer 14 is also formed on the first electrode layer 13b formed on the contact hole 18b. It can be formed satisfactorily. For this reason, generation | occurrence | production of the short circuit between the 1st electrode layer 13b and the 2nd electrode layer 15b mentioned later can be reduced. Here, the film thickness d 2 means the film thickness of the second organic compound layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer.

第2有機化合物層14は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の3層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。また第2有機化合物層14の構成材料は、第1有機化合物層12の構成材料と同様の材料を使用することができる。   The second organic compound layer 14 includes, for example, three layers of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer, but the present invention is not limited to this. Further, as the constituent material of the second organic compound layer 14, the same material as the constituent material of the first organic compound layer 12 can be used.

第2有機化合物層14の形成方法としては、第1有機化合物層12の場合と同様に、真空蒸着法、塗布法等が挙げられる。   As a method for forming the second organic compound layer 14, as in the case of the first organic compound layer 12, a vacuum deposition method, a coating method, and the like can be given.

次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第2有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール19a及び19cを形成する(図2(d))。尚、この段階で後述するコンタクトホール20bを形成する領域についても第2有機化合物層の選択的除去を行う。この選択的除去によって、分割された第2有機化合物層14a〜14cが形成される。   Next, the contact holes 19a and 19c are formed by selectively removing the second organic compound layer provided in the region where the contact holes are to be formed (FIG. 2D). At this stage, the second organic compound layer is selectively removed also in a region where a contact hole 20b described later is formed. By this selective removal, the divided second organic compound layers 14a to 14c are formed.

次に、第2有機化合物層14a〜14c上に第2電極層に相当する薄膜を形成した後、パターニングを行うことにより、所望のパターンに分割された第2電極層15a〜15cを形成する(図2(e))。このときコンタクトホール19aを介して第1電極層13aと第2電極層15aとが電気接続される。またコンタクトホール19cを介して下部電極11c、第1電極層13c及び第2電極層15cが電気接続される。ここで、第2電極層15aは第2有機化合物層14aを覆う領域に形成される。第2電極層15bは第2有機化合物層14bを覆う領域に形成される。第2電極層15cは第2有機化合物層14cを覆う領域に形成される。   Next, after forming a thin film corresponding to the second electrode layer on the second organic compound layers 14a to 14c, patterning is performed to form second electrode layers 15a to 15c divided into desired patterns ( FIG. 2 (e)). At this time, the first electrode layer 13a and the second electrode layer 15a are electrically connected through the contact hole 19a. Further, the lower electrode 11c, the first electrode layer 13c, and the second electrode layer 15c are electrically connected through the contact hole 19c. Here, the second electrode layer 15a is formed in a region covering the second organic compound layer 14a. The second electrode layer 15b is formed in a region covering the second organic compound layer 14b. The second electrode layer 15c is formed in a region covering the second organic compound layer 14c.

第2電極層15a〜15cは、ITO、IZO等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が10nm乃至30nmである半透過性のAl薄膜、Ag薄膜等であってもよい。   The second electrode layers 15a to 15c are preferably transparent electrodes made of ITO, IZO or the like, but may be semi-transparent Al thin films or Ag thin films having a film thickness of 10 nm to 30 nm.

第2電極層15a〜15cの形成方法として、下部電極11a〜11cと同様の方法、即ち、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。   As a method of forming the second electrode layers 15a to 15c, a method similar to that of the lower electrodes 11a to 11c, that is, a metal film formed by sputtering or vacuum deposition, or a transparent conductive compound film is used by photolithography. And a method of forming a pattern using them.

次に、上記の第1有機化合物層12と同様の方法で、第3有機化合物層16を形成する(図2(e))。ここで第2有機化合物層16の膜厚(d3)は、第2有機化合物層14の膜厚d2よりも厚くする。第2有機化合物層14よりも第3有機化合物層16の膜厚を厚くすることにより、コンタクトホール19c上に形成された第2電極層15b上にも第2有機化合物層14に相当する薄膜を良好に形成することができる。このため第2電極層15cと後述する第3電極層21との間におけるショートの発生を低減することができる。また、パターニング等により第2電極層15a〜15cをそれぞれ形成する際に、加工端部でバリや残渣が発生するおそれがあるが、第2有機化合物層14よりも第3有機化合物層16の膜厚を厚くすればよい。こうすることにより、第2電極層15a〜15cを効率よく被覆した膜を形成することができる。尚、ここでいう膜厚d3とは、第2電極層と第3電極層との間に設けられる第3有機化合物層の膜厚をいうものである。 Next, the third organic compound layer 16 is formed by the same method as that for the first organic compound layer 12 (FIG. 2E). Here, the film thickness (d 3 ) of the second organic compound layer 16 is made larger than the film thickness d 2 of the second organic compound layer 14. By making the film thickness of the third organic compound layer 16 larger than that of the second organic compound layer 14, a thin film corresponding to the second organic compound layer 14 is also formed on the second electrode layer 15b formed on the contact hole 19c. It can be formed satisfactorily. For this reason, generation | occurrence | production of the short circuit between the 2nd electrode layer 15c and the 3rd electrode layer 21 mentioned later can be reduced. Further, when the second electrode layers 15 a to 15 c are formed by patterning or the like, burrs or residues may be generated at the processed end, but the film of the third organic compound layer 16 is more than the second organic compound layer 14. The thickness may be increased. By doing so, a film efficiently covering the second electrode layers 15a to 15c can be formed. Note that the film thickness d 3 referred to herein is intended to refer to a film thickness of the third organic compound layer provided between the second electrode layer and the third electrode layer.

第3有機化合物層16は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の3層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。また第3有機化合物層16の構成材料は、第1有機化合物層12の構成材料と同様の材料を使用することができる。   The third organic compound layer 16 includes, for example, three layers of an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer, but is not limited to this in the present invention. Further, as the constituent material of the third organic compound layer 16, the same material as the constituent material of the first organic compound layer 12 can be used.

第3有機化合物層16の形成方法としては、第1有機化合物層12の場合と同様に、真空蒸着法、塗布法等が挙げられる。   As a method for forming the third organic compound layer 16, as in the case of the first organic compound layer 12, a vacuum deposition method, a coating method, and the like can be given.

次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第3有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール20a及び20bを形成する(図2(f))。この選択的除去により、分割された第3有機化合物層16a〜16cが形成される。   Next, the contact holes 20a and 20b are formed by selectively removing the third organic compound layer provided in the region for forming the contact holes (FIG. 2 (f)). By this selective removal, divided third organic compound layers 16a to 16c are formed.

次に、第3有機化合物層16a〜16c上に第3電極層21を形成する(図2(g))。このときコンタクトホール20aを介して第1電極層13a、第2電極層15a及び第3電極層21が電気接続される。またコンタクトホール20bを介して第2電極層15b及び第3電極層21が電気接続される。   Next, the third electrode layer 21 is formed on the third organic compound layers 16a to 16c (FIG. 2G). At this time, the first electrode layer 13a, the second electrode layer 15a, and the third electrode layer 21 are electrically connected through the contact hole 20a. The second electrode layer 15b and the third electrode layer 21 are electrically connected through the contact hole 20b.

第3電極層15a〜15cは、ITO、IZO等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が10nm乃至30nmである半透過性のAl薄膜、Ag薄膜等であってもよい。   The third electrode layers 15a to 15c are preferably transparent electrodes made of ITO, IZO or the like, but may be semi-transparent Al thin films or Ag thin films having a film thickness of 10 nm to 30 nm.

第3電極層21の形成方法として、スパッタ法、真空蒸着法等が挙げられる。   Examples of the method for forming the third electrode layer 21 include a sputtering method and a vacuum deposition method.

以上に示した方法により製造した有機EL表示装置は、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上においても、有機化合物層を良好に形成することができる。従って、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上において起こる可能性がある電極層間のショートを低減することが可能になり、有機EL表示装置の製造歩留りを向上させることができる。   The organic EL display device manufactured by the method described above can satisfactorily form the organic compound layer even on the region where the organic compound layer or the electrode layer has been selectively removed. Accordingly, it is possible to reduce a short circuit between the electrode layers that may occur on the region where the organic compound layer or the electrode layer is selectively removed, and to improve the manufacturing yield of the organic EL display device.

[第2の実施形態]
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、好ましくは、有機化合物層に含まれる発光層の発光ピーク波長が、下方にある有機化合物層に含まれる発光層の発光ピーク波長よりも長波長側にシフトするように調整する。
[Second Embodiment]
In the method for producing an organic EL display device of the present invention, preferably, the emission peak wavelength of the light emitting layer contained in the organic compound layer is longer than the emission peak wavelength of the light emitting layer contained in the organic compound layer below. Adjust to shift.

具体的には、例えば、図1(a)の有機EL表示装置において、第2有機化合物層(14a〜14c)に含まれる第2発光層の発光スペクトルが、第1有機化合物層(12a〜12c)に含まれる第1発光層の発光スペクトルよりも長波長であるのが好ましい。また、第3有機化合物層(16a〜16c)に含まれる第3発光層の発光スペクトルが、第2有機化合物層(14a〜14c)に含まれる第2発光層の発光スペクトルよりも長波長であるのが好ましい。   Specifically, for example, in the organic EL display device of FIG. 1A, the emission spectrum of the second light emitting layer included in the second organic compound layers (14a to 14c) is the first organic compound layer (12a to 12c). It is preferable that the wavelength is longer than the emission spectrum of the first light-emitting layer included in (1). Moreover, the emission spectrum of the 3rd light emitting layer contained in a 3rd organic compound layer (16a-16c) is longer wavelength than the light emission spectrum of the 2nd light emitting layer contained in a 2nd organic compound layer (14a-14c). Is preferred.

より具体的には、例えば、図1(a)の有機EL表示装置において、第1有機化合物層(12a〜12c)に含まれる第1発光層を青色発光層とする。そして、第2有機化合物層(14a〜14c)に含まれる第2発光層を緑色発光層とし、第3有機化合物層(16a〜16c)に含まれる第3発光層を赤色発光層とする。   More specifically, for example, in the organic EL display device of FIG. 1A, the first light emitting layer included in the first organic compound layers (12a to 12c) is a blue light emitting layer. And let the 2nd light emitting layer contained in a 2nd organic compound layer (14a-14c) be a green light emitting layer, and let the 3rd light emitting layer contained in a 3rd organic compound layer (16a-16c) be a red light emitting layer.

こうすることで、光の共振器構造を利用した色純度の高い光を取り出すことが可能になり、有機EL表示装置の表示品質をさらに高めることができる。   By doing so, it becomes possible to extract light with high color purity using the resonator structure of light, and the display quality of the organic EL display device can be further improved.

本発明の製造方法によって製造される有機EL表示装置を示す模式図であり、(a)は、1画素分の有機EL表示装置を示す断面模式図であり、(b)は、(a)に示される有機EL表示装置の等価回路を示す回路図である。It is a schematic diagram which shows the organic electroluminescence display manufactured by the manufacturing method of this invention, (a) is a cross-sectional schematic diagram which shows the organic electroluminescence display for 1 pixel, (b) is (a). It is a circuit diagram which shows the equivalent circuit of the organic electroluminescence display shown. 図2は、本発明の有機EL表示装置の製造方法を示す断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing the organic EL display device of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 基板
11a、11b、11c 下部電極
12、12a、12b、12c 第1有機化合物層
13a、13b、13c 第1電極層
14、14a、14b、14c 第2有機化合物層
15a、15b、15c 第2電極層
16、16a、16b、16c 第3有機化合物層
18b、18c、19a、19c、20a、20b コンタクトホール
21 第3電極層
P1 第1副画素
P2 第2副画素
P3 第3副画素
10 Substrate 11a, 11b, 11c Lower electrode 12, 12a, 12b, 12c First organic compound layer 13a, 13b, 13c First electrode layer 14, 14a, 14b, 14c Second organic compound layer 15a, 15b, 15c Second electrode Layer 16, 16a, 16b, 16c Third organic compound layer 18b, 18c, 19a, 19c, 20a, 20b Contact hole 21 Third electrode layer P1 First subpixel P2 Second subpixel P3 Third subpixel

Claims (4)

基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がnである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がnである有機化合物層と、からなり、
該有機化合物層の膜厚が下記式(1)の関係を満たすことを特徴とする、有機EL表示装置。
1<d2<・・・<dn (1)
(式(1)において、d1は、第1有機化合物層の膜厚を表す。d2は、第2有機化合物層の膜厚を表す。dnは、第n有機化合物層の膜厚を表す。)
A substrate,
A plurality of pixels arranged on the substrate,
A lower electrode provided on the substrate;
An electrode layer provided above the lower electrode and having n layers;
An organic compound layer including a light emitting layer provided between the lower electrode and the electrode layer immediately above the lower electrode and between the electrode layers and emitting predetermined light, the number of layers being n,
An organic EL display device, wherein the film thickness of the organic compound layer satisfies the relationship of the following formula (1).
d 1 <d 2 <··· < d n (1)
In (Equation (1), d 1 is .d 2 representing the thickness of the first organic compound layer, .d n representing the thickness of the second organic compound layer, the thickness of the n organic compound layer To express.)
前記有機化合物層に含まれる前記発光層が下記式(2)の関係を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。
λ1<λ2<・・・<λn (2)
(式(2)において、λ1は、第1有機化合物層に含まれる第1発光層から発する光のピーク波長を表す。λ2は、第2有機化合物層に含まれる第2発光層から発する光のピーク波長を表す。λnは、第n有機化合物層に含まれる第n発光層から発する光のピーク波長を表す。)
The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting layer included in the organic compound layer satisfies a relationship of the following formula (2).
λ 12 <... <λ n (2)
(In Formula (2), λ 1 represents the peak wavelength of light emitted from the first light-emitting layer included in the first organic compound layer. Λ 2 is emitted from the second light-emitting layer included in the second organic compound layer. .λ represents a peak wavelength of light n represents a peak wavelength of light emitted from the n light emitting layer included in the n organic compound layer.)
基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がnである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がnである有機化合物層と、
からなる有機EL表示装置の製造方法において、
該有機化合物層を形成するときに該有機化合物層の膜厚を下記式(1)の関係を満たすように制御することを特徴とする、有機EL表示装置の製造方法。
1<d2<・・・<dn (1)
A substrate,
A plurality of pixels arranged on the substrate,
A lower electrode provided on the substrate;
An electrode layer provided above the lower electrode and having n layers;
An organic compound layer including a light emitting layer provided between the lower electrode and the electrode layer immediately above the lower electrode and between the electrode layers and emitting predetermined light, the number of layers being n;
In the manufacturing method of the organic EL display device comprising:
A method for producing an organic EL display device, comprising controlling the film thickness of the organic compound layer so as to satisfy the relationship of the following formula (1) when the organic compound layer is formed.
d 1 <d 2 <... <d n (1)
前記有機化合物層を形成するときに、前記有機化合物層に含まれる前記発光層が下記式(2)の関係を満たすことを特徴とする、請求項3に記載の有機EL表示装置の製造方法。
λ1<λ2<・・・<λn (2)
4. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 3, wherein when the organic compound layer is formed, the light emitting layer included in the organic compound layer satisfies a relationship of the following formula (2).
λ 12 <... <λ n (2)
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