JP2009287064A

JP2009287064A - Catalyst cvd apparatus

Info

Publication number: JP2009287064A
Application number: JP2008139499A
Authority: JP
Inventors: Masaki Mizutani; 匡希水谷; Tatsuji Okamura; 竜次岡村; Daisuke Tazawa; 大介田澤; Kenichi Kako; 賢一加来
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2008-05-28
Filing date: 2008-05-28
Publication date: 2009-12-10

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a catalyst CVD apparatus capable of stretching a catalyst body without deflection even at high temperature. <P>SOLUTION: The catalyst CVD apparatus has a catalyst body 4 having a weight 8 and stretched inside a reaction chamber 1. Further, the weight is conductive, and a conductive path to the catalyst body is constituted. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は触媒ＣＶＤ装置に関するものである。 The present invention relates to a catalytic CVD apparatus.

触媒ＣＶＤ装置は加熱した触媒体の作用により原料ガスを分解して基体上に堆積膜を形成する装置である。触媒ＣＶＤはＣａｔ-ＣＶＤまたはＨｏｔｗｉｒｅＣＶＤと称されることもある。従来、堆積膜の均一性のためには触媒体をたわませることなく電極端子間に張架することが必要と考えられている。特許文献１では、一対の電極端子間に結線された触媒線の両端のうち少なくとも一方の端部にバネ構造を設けて触媒線を張架することが開示されている。さらには、バネ構造として触媒単線の端部を螺旋コイル状に巻回すること、または触媒単線の端部の終端に接続した板バネを用いることが開示されている。 The catalytic CVD apparatus is an apparatus that decomposes a source gas by the action of a heated catalyst body to form a deposited film on a substrate. Catalytic CVD is sometimes referred to as Cat-CVD or Hot wire CVD. Conventionally, for the uniformity of the deposited film, it is considered necessary to stretch between the electrode terminals without bending the catalyst body. Patent Document 1 discloses that the catalyst wire is stretched by providing a spring structure at at least one of the ends of the catalyst wire connected between the pair of electrode terminals. Furthermore, it is disclosed that the end of the catalyst single wire is wound in a spiral coil shape or a leaf spring connected to the end of the end of the catalyst single wire is used as the spring structure.

また、従来から、触媒体の長寿命化のためには触媒体の低温部において触媒体と成膜ガスが反応しないようにすることが必要とされている。特許文献２では発熱体（触媒体）と電力供給機構とを接続する接続端子に対する発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出していない構造が開示されている。具体的には、前記接続部領域が、発熱体との間に空隙を存在させつつ当該接続部領域を覆う筒状体または板体によって覆われているか、または接続端子本体にキャップが冠着されている構造が開示されている。さらには、前記接続端子側から前記空隙部を介して水素ガス等が処理容器内に導入される構造が開示されている。
特開２００４−０５５６５１号公報国際公開第２００２／０２５７１２号パンフレット Conventionally, in order to extend the life of the catalyst body, it is necessary to prevent the catalyst body and the film forming gas from reacting at a low temperature portion of the catalyst body. Patent Document 2 discloses a structure in which the connection region of the heating element with respect to the connection terminal that connects the heating element (catalyst body) and the power supply mechanism is not exposed in the space in the processing container. Specifically, the connection area is covered with a cylindrical body or a plate that covers the connection area while leaving a gap between the heat generation element, or a cap is attached to the connection terminal body. A structure is disclosed. Furthermore, a structure in which hydrogen gas or the like is introduced into the processing container from the connection terminal side through the gap is disclosed.
JP 2004-055651 A International Publication No. 2002/025712 Pamphlet

特許文献１に記載の従来例のように触媒単線の端部を螺旋コイル状に巻回することは、触媒体の形成工程が複雑であるため、触媒体の形成を容易にする工夫が必要になる。また、触媒体の形状が板状あるいは網状の場合、螺旋コイル状に形成してバネ性を持たせることは難しいので、触媒体の形状に制限が発生する。また、触媒体にバネを附設して用いる場合、高温時にバネの弾性を維持することやバネ材から不純物が飛散して堆積膜の膜質を悪化させる懸念があり、更なる改善が求められている。また、シランなどを原料としてシリコン薄膜を形成する場合には、バネ材との接続部において触媒体の温度が低下して触媒体がシリサイド化しやすい場合があり、その結果、触媒体が脆くなり断線しやすくなる場合がある。 As in the conventional example described in Patent Document 1, winding the end of the catalyst single wire in a spiral coil shape requires a device that facilitates the formation of the catalyst body because the formation process of the catalyst body is complicated. Become. Further, when the shape of the catalyst body is a plate shape or a net shape, it is difficult to form a spiral coil shape to have a spring property, so that the shape of the catalyst body is limited. Further, when using a spring attached to the catalyst body, there is a concern that the elasticity of the spring is maintained at a high temperature and there is a concern that impurities are scattered from the spring material to deteriorate the film quality of the deposited film, and further improvement is required. . In addition, when a silicon thin film is formed using silane or the like as a raw material, the temperature of the catalyst body may decrease at the connection portion with the spring material, and the catalyst body may be easily silicided. As a result, the catalyst body becomes brittle and is disconnected. May be easier to do.

特許文献２に記載の従来例では、発熱体（触媒体）を交換するにあたってキャップを外す必要があるため手間がかかり、装置のダウンタイムが長くなるという課題があるため、発熱体（触媒体）を交換に要する時間を短縮するための工夫が必要とされる。また、キャップを外さずにコイルバネに触媒体の端部を差し込むというワンタッチ着脱構造も開示されているが、この構造は機械的・電気的な結合力を向上する工夫が必要とされる。 In the conventional example described in Patent Document 2, since it is necessary to remove the cap when replacing the heating element (catalyst body), there is a problem that it takes time and the downtime of the apparatus becomes long. Therefore, the heating element (catalyst body) A device for shortening the time required for replacement is required. Also, a one-touch attachment / detachment structure in which the end of the catalyst body is inserted into the coil spring without removing the cap is disclosed, but this structure requires a device for improving the mechanical and electrical coupling force.

そこで本発明は、触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a catalytic CVD apparatus capable of stretching a catalyst body without bending even at a high temperature.

上記目的を達成するため、本発明の触媒ＣＶＤ装置は、錘体が設けられて張架された触媒体を内部に備えていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the catalytic CVD apparatus of the present invention is characterized in that a catalyst body provided with a weight body and stretched is provided inside.

本発明によれば、触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a catalytic CVD apparatus that can stretch a catalyst body without bending even at high temperatures.

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本発明を適用可能な触媒ＣＶＤ装置の一実施形態の模式的な断面図である。 FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of a catalytic CVD apparatus to which the present invention can be applied.

本実施形態の触媒ＣＶＤ装置は、反応室１の内部に原料ガスを供給するガス管２と、反応室１の内部を所望の圧力に減圧する排気管３と、２つの電力導入端子５の間に張架された触媒体４とを備えている。触媒体４は、一方の電力導入端子５を介して電源６に接続され、他方の電力導入端子５を介してグラウンドに接続されており、電源６から触媒体４に通電することによって加熱することができる。ガス管２から反応室１内に供給された原料ガスが電源６からの通電によって加熱された触媒体４で分解されると、基体ホルダー９に保持された基体７の上に堆積膜が形成される。基体ホルダー９はヒータ９ａを備えており、基体７を加熱することができる。本例では基体７の形状は円筒状の場合を例示しているが、本発明の触媒ＣＶＤ装置は任意の形状の基体に適用可能である。 The catalytic CVD apparatus of this embodiment includes a gas pipe 2 that supplies a raw material gas into the reaction chamber 1, an exhaust pipe 3 that depressurizes the inside of the reaction chamber 1 to a desired pressure, and two power introduction terminals 5. And a catalyst body 4 stretched between the two. The catalyst body 4 is connected to the power source 6 through one power introduction terminal 5 and connected to the ground through the other power introduction terminal 5, and is heated by energizing the catalyst body 4 from the power source 6. Can do. When the source gas supplied from the gas pipe 2 into the reaction chamber 1 is decomposed by the catalyst body 4 heated by energization from the power source 6, a deposited film is formed on the base 7 held by the base holder 9. The The substrate holder 9 includes a heater 9a and can heat the substrate 7. In this example, the case where the shape of the substrate 7 is cylindrical is illustrated, but the catalytic CVD apparatus of the present invention can be applied to a substrate having an arbitrary shape.

本実施形態の触媒ＣＶＤ装置は、触媒体４の端部に錘体８が附設されていることが特徴である。触媒体４は錘体８に働く重力の作用により常に張力が付勢され、高温でもたわむことなく張架される。錘体８の材料は金属、ガラス、セラミクスなどを用いることができる。金属としてはステンレス、アルミニウム、あるいは触媒体４にも適用できるタングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、イリジウム、白金、チタンなどを用いることができる。ガラスとしては石英ガラスを用いることができる。セラミクスとしてはアルミナ、ジルコニア、ムライトなどを用いることができる。また、錘体８を導電材料とすれば電源６からの導電経路として兼用することができるので、触媒ＣＶＤ装置を構成する部品点数を少なくすることができるため、触媒ＣＶＤ装置の製造コストを低減することができる。本例では反応室１の中にガス管２、触媒体４および基体７がそれぞれ１つずつ設置されている例を示したが、反応室１の中にガス管、触媒体および基体がそれぞれ複数設置されていても良い。 The catalytic CVD apparatus of this embodiment is characterized in that a weight body 8 is attached to the end of the catalyst body 4. The catalyst body 4 is always urged by the action of gravity acting on the weight body 8, and is stretched without bending even at a high temperature. Metal, glass, ceramics, or the like can be used as the material of the weight body 8. As the metal, it is possible to use stainless steel, aluminum, or tungsten, tantalum, rhenium, molybdenum, iridium, platinum, titanium, or the like that can also be applied to the catalyst body 4. Quartz glass can be used as the glass. As ceramics, alumina, zirconia, mullite, or the like can be used. Further, if the weight 8 is made of a conductive material, it can also be used as a conductive path from the power source 6, so that the number of parts constituting the catalytic CVD apparatus can be reduced, thereby reducing the manufacturing cost of the catalytic CVD apparatus. be able to. In this example, the gas tube 2, the catalyst body 4, and the substrate 7 are each installed in the reaction chamber 1, but there are a plurality of gas tubes, catalyst bodies, and substrates in the reaction chamber 1. It may be installed.

（錘体の説明）
図２は図１に示した触媒体と錘体との接続部の詳細な構成を示す模式図である。図２（ａ）は線状の触媒体４が錘体８に止めネジ８ｂで固定される例を示している。図２（ｂ）は線状の触媒体４の端部に縒り加工して環状部が形成され、この環状部にピン８ｃが嵌装されて触媒体４が錘体８に固定される例を示している。これらの固定部は錘体８から突出した突起部８ａに設けることが好ましい。この構成によれば、触媒体４から錘体８へ熱が逃げるのを抑制し、触媒体４の端部の温度低下を抑制することができる。その結果、原料ガスがシリコンを含む場合に触媒体４がシリサイド化することを抑制できる。そのため、突起部８ａは細長形状とすることが好ましく、たとえば直径は１ｍｍから５ｍｍ程度、長さは１０ｍｍから５０ｍｍ程度とすることが好ましい。なお、この例では錘体８が導電性を有しており、電流経路としても機能している。錘体８の下部に導線５ａが接続され、その導線５ａは本例ではグラウンド側の電力導入端子５に接続されている。導線５ａは錘体８が上下に移動できるようにたわみを持って錘体８と電力導入端子５との間に接続されている。 (Description of weight)
FIG. 2 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a connection portion between the catalyst body and the weight body shown in FIG. FIG. 2A shows an example in which the linear catalyst body 4 is fixed to the weight body 8 with a set screw 8b. FIG. 2B shows an example in which an end portion of the linear catalyst body 4 is processed to form an annular portion, and a pin 8 c is fitted to the annular portion so that the catalyst body 4 is fixed to the weight body 8. Show. These fixing portions are preferably provided on the protruding portion 8 a protruding from the weight body 8. According to this configuration, it is possible to suppress heat from escaping from the catalyst body 4 to the weight body 8 and to suppress a temperature drop at the end of the catalyst body 4. As a result, when the source gas contains silicon, the catalyst body 4 can be suppressed from silicidation. Therefore, it is preferable that the protrusion 8a has an elongated shape. For example, the diameter is preferably about 1 mm to 5 mm, and the length is preferably about 10 mm to 50 mm. In this example, the weight body 8 has conductivity and also functions as a current path. A conducting wire 5a is connected to the lower part of the weight body 8, and the conducting wire 5a is connected to the power introduction terminal 5 on the ground side in this example. The conducting wire 5a is connected between the weight body 8 and the power introduction terminal 5 with a deflection so that the weight body 8 can move up and down.

図３（ａ）は、薄板状の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。図３（ｂ）は、網状の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。錘体８は、触媒体４の形状に応じて、錘体８自体および突起部８ａの形状を直方体等の形状にすることが可能である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した例ではいずれも触媒体４を止めネジ８ｂで突起部８ａに固定している。 FIG. 3A shows an example in which a weight body 8 is attached to the thin plate-like catalyst body 4. FIG. 3B shows an example in which a weight body 8 is attached to the net-like catalyst body 4. According to the shape of the catalyst body 4, the weight body 8 itself and the shape of the protrusion 8a can be formed into a rectangular parallelepiped shape. In both the examples shown in FIGS. 3A and 3B, the catalyst body 4 is fixed to the protrusion 8a with a set screw 8b.

図３（ｃ）は、線状の複数本の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。図３（ｃ）に示した例では、各々の触媒体４の端部が止めネジ８ｂによって垂体８の突起部８ａに固定されている。 FIG. 3C shows an example in which a weight body 8 is attached to a plurality of linear catalyst bodies 4. In the example shown in FIG. 3C, the end portion of each catalyst body 4 is fixed to the protruding portion 8a of the vertical body 8 by a set screw 8b.

（折り返し張架・水平張架）
図４（ａ）は、１本の線状の触媒体４を枠体１１内に複数回折り返して張架した触媒体ユニット１０を示している。触媒体ユニット１０は触媒体４と枠体１１とを備えている。枠体１１の対向する２つの内壁面にはそれぞれ複数の中間支持部１２が設けられており、触媒体４の端部以外の中間部分は、それらの中間支持部１２で屈曲または湾曲して張架される。図４（ａ）に示す触媒体ユニット１０では、触媒体４は枠体１１の上下の内壁面の間を実質的に鉛直方向に張架されている。このような触媒体ユニット１０は平面状の大面積基板に堆積膜を形成する場合に適している。触媒体４の全長が長大な場合、触媒体４の熱膨張が大きくなるので、触媒体４は各々の中間支持部１２において滑動するように構成されている。本例では中間支持部１２は円環形状を有している。中間支持部１２を構成する材質には、触媒体４と同じ材料か、または石英、セラミクス、カーボンなどを用いることができる。触媒体４は各々の中間支持部１２でコロあるいは滑車機構に案内されて滑動可能となるようにしても良い。 (Folded / Horizontal)
FIG. 4A shows a catalyst body unit 10 in which a single linear catalyst body 4 is folded back in a frame 11 and stretched. The catalyst body unit 10 includes a catalyst body 4 and a frame body 11. A plurality of intermediate support portions 12 are provided on each of two opposing inner wall surfaces of the frame body 11, and intermediate portions other than the end portions of the catalyst body 4 are bent or curved by the intermediate support portions 12. It is built. In the catalyst body unit 10 shown in FIG. 4A, the catalyst body 4 is stretched between the upper and lower inner wall surfaces of the frame body 11 in a substantially vertical direction. Such a catalyst unit 10 is suitable for forming a deposited film on a planar large-area substrate. When the total length of the catalyst body 4 is long, the thermal expansion of the catalyst body 4 increases, so that the catalyst body 4 is configured to slide on each intermediate support portion 12. In this example, the intermediate support portion 12 has an annular shape. As the material constituting the intermediate support portion 12, the same material as the catalyst body 4, or quartz, ceramics, carbon, or the like can be used. The catalyst body 4 may be slidable by being guided by a roller or pulley mechanism at each intermediate support portion 12.

あるいは、図４（ｂ）に示す触媒体ユニット１０のように触媒体４を水平方向に張架することもできる。触媒体４の一方の端部は、コロ１２ａによって張架方向が鉛直方向に曲げられている。図４（ｂ）に示す構成は、水平に保持した平板状の基体へ堆積膜を形成する場合に適している。 Alternatively, the catalyst body 4 can be stretched in the horizontal direction as in the catalyst body unit 10 shown in FIG. One end of the catalyst body 4 is bent in the vertical direction by a roller 12a. The configuration shown in FIG. 4B is suitable for forming a deposited film on a flat substrate held horizontally.

（シリサイド化の抑制手段）
原料ガスがＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆等のシリコンを含むガスである場合に触媒体４がシリサイド化することを抑制する方法としては、触媒体４の温度低下を防ぐことの他にも、触媒体４の低温部にシリコンを含むガスが進入しないようにすることも有効である。 (Siliconization suppression means)
As a method for suppressing the catalyst body 4 from silicidation when the source gas is a gas containing silicon such as SiH ₄ or Si ₂ H ₆ , in addition to preventing the temperature of the catalyst body 4 from decreasing, It is also effective to prevent the gas containing silicon from entering the low temperature portion of the medium 4.

図５は、反応室１が隔壁１３で成膜空間１４ａと非成膜空間１４ｂとに分割されている例を示す図である。図５に示す触媒ＣＶＤ装置では、基体７は成膜空間１４ａ内に配置されている。触媒体４は、隔壁１３に設けられた連通孔を貫通して成膜空間１４ａ及び非成膜空間１４ｂ内を延びている。錘体８は非成膜空間１４ｂ内に配置されている。非成膜空間１４ｂ内にはガス管２から水素ガス、窒素ガス、または不活性ガスなどのパージガスを導入するようにしても良い。また、非成膜空間１４ｂの内圧を成膜空間１４ａの内圧よりも高くすることも有効である。図５に示す構成によれば、触媒体４の温度の低下しやすい錘体８との接続部にシリコンを含むガスが進入することを抑制することができる。その結果、低温になりやすい接続部における触媒体４のシリサイド化を抑制でき、触媒体４の断線等を防いで寿命を延ばすことができる。 FIG. 5 is a diagram illustrating an example in which the reaction chamber 1 is divided by the partition wall 13 into a film formation space 14a and a non-film formation space 14b. In the catalytic CVD apparatus shown in FIG. 5, the substrate 7 is disposed in the film formation space 14a. The catalyst body 4 extends through the communication hole provided in the partition wall 13 and in the film forming space 14a and the non-film forming space 14b. The weight body 8 is disposed in the non-deposition space 14b. A purge gas such as hydrogen gas, nitrogen gas, or inert gas may be introduced from the gas pipe 2 into the non-film formation space 14b. It is also effective to make the internal pressure of the non-film formation space 14b higher than the internal pressure of the film formation space 14a. According to the configuration shown in FIG. 5, it is possible to prevent the gas containing silicon from entering the connection portion with the weight body 8 where the temperature of the catalyst body 4 is likely to decrease. As a result, silicidation of the catalyst body 4 at the connection portion that tends to be low in temperature can be suppressed, and disconnection of the catalyst body 4 can be prevented and the life can be extended.

図６は、触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に向かって水素ガス、窒素ガスまたは不活性ガスなどのパージガスを噴出するように、錘体８にガス噴出部１５を設けた例を示している。 FIG. 6 shows an example in which a gas ejection portion 15 is provided on the weight body 8 so as to eject a purge gas such as hydrogen gas, nitrogen gas or inert gas toward the catalyst body 4 in the extending direction of the catalyst body 4. Show.

図６（ａ）に示す構成では、錘体８及び電力導入端子５に貫通穴が形成され、その貫通穴にフレキシブル配管１６ａが挿入されており、このフレキシブル配管１６ａを介してパージガスを噴出ガス噴出部１５に供給するようになっている。フレキシブル配管１６ａは少なくとも錘体８と電力導入端子５との間に位置する部分が伸縮可能であり、錘体８の移動を妨げないようになっている。 In the configuration shown in FIG. 6A, a through hole is formed in the weight body 8 and the power introduction terminal 5, and a flexible pipe 16a is inserted into the through hole, and a purge gas is ejected through the flexible pipe 16a. It supplies to the part 15. The flexible pipe 16a can be expanded and contracted at least at a portion located between the weight body 8 and the power introduction terminal 5, so that the movement of the weight body 8 is not hindered.

また、図６（ｂ）に示す構成では、錘体８及び電力導入端子５に貫通穴が形成され、その貫通穴に固定配管１６ｂが挿入されており、この固定配管１６ｂを介してパージガスを噴出ガス噴出部１５に供給するようになっている。固定配管１６ｂは、電力導入端子５には固定されているが、錘体８に対しては固定されていない。具体的には、錘体８に形成された貫通穴の固定配管１６ｂが挿入される部分における径は、固定配管１６ｂの外径よりも僅かに大きくなっており、錘体８はその貫通穴に挿入された固定配管１６ｂに対してスライド移動可能である。 In the configuration shown in FIG. 6B, a through hole is formed in the weight body 8 and the power introduction terminal 5, and a fixed pipe 16b is inserted into the through hole, and a purge gas is ejected through the fixed pipe 16b. The gas is supplied to the gas ejection portion 15. The fixed pipe 16 b is fixed to the power introduction terminal 5, but is not fixed to the weight body 8. Specifically, the diameter of the portion of the through hole formed in the weight 8 where the fixed pipe 16b is inserted is slightly larger than the outer diameter of the fixed pipe 16b, and the weight 8 is placed in the through hole. It is slidable with respect to the inserted fixed piping 16b.

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す構成によれば、触媒体４の温度の低下しやすい錘体８との接続部にシリコンを含むガスが進入することを抑制することができる。その結果、低温になりやすい接続部における触媒体４のシリサイド化を抑制でき、触媒体４の寿命を延ばすことができる。また、触媒体４の張架とシリサイド化防止のためのガス噴出を簡便な構成で同時に実現することができる。さらに、本例の構成では、触媒体４と錘体８との接続部は反応室１の内部空間に露出せずにパージガスで保護される一方、触媒体４を固定するための止めネジ８ｂは反応室１の内部空間に露出している。そのため、他の部材を分解することなく、止めネジ８ｂを緩めるだけで触媒体４の交換を容易に行うことができる。また、触媒体４と錘体８とは止めネジ８ｂで固定されるので、両者の機械的・電気的な結合力を向上することができる。 According to the configuration shown in FIGS. 6A and 6B, the gas containing silicon can be prevented from entering the connection portion of the catalyst body 4 with the weight body 8 where the temperature of the catalyst body 4 tends to decrease. As a result, silicidation of the catalyst body 4 at the connection portion that tends to be low in temperature can be suppressed, and the life of the catalyst body 4 can be extended. Further, the stretching of the catalyst body 4 and the gas ejection for preventing silicidation can be realized simultaneously with a simple configuration. Furthermore, in the configuration of this example, the connection part of the catalyst body 4 and the weight body 8 is not exposed to the internal space of the reaction chamber 1 and is protected by the purge gas, while the set screw 8b for fixing the catalyst body 4 is It is exposed in the internal space of the reaction chamber 1. Therefore, the catalyst body 4 can be easily replaced only by loosening the set screw 8b without disassembling other members. Further, since the catalyst body 4 and the weight body 8 are fixed by the set screw 8b, the mechanical and electrical coupling force between them can be improved.

また、触媒体４の温度低下によるシリサイド化を抑制するために、触媒体４の錘体８が配置された側とは反対側の電力端子接続部においても、図７に示すようなパージガスを噴出する構成部材を備えていても良い。図７に示す構成では、触媒体４と止めネジ８ｂおよびパージガス噴出部材１７とが接触する部分（パージガス噴出部材１７に対する触媒体４の固定部）は、パージガス噴出部材１７の内部に形成されたパージガス流路１８内に配置されている。そのため、その固定部は反応室１の内部空間に露出していない。パージガスは、パージガス管１９を介して供給され、ガス噴出部１５から触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に向かって噴出される。また、パージガス噴出部材１７は導電性を有しており、電力導入端子５（図７では不図示）から電力端子２０を介して触媒体４に電力が供給される。ガス噴出部材１７は、短絡を防ぐために絶縁フランジ２１を介して反応室１および電力導入端子５に固定される。 Further, in order to suppress silicidation due to the temperature drop of the catalyst body 4, a purge gas as shown in FIG. 7 is also ejected at the power terminal connection portion on the side opposite to the side where the weight body 8 of the catalyst body 4 is disposed. You may provide the structural member which does. In the configuration shown in FIG. 7, the portion where the catalyst body 4 is in contact with the set screw 8 b and the purge gas ejection member 17 (fixed portion of the catalyst body 4 with respect to the purge gas ejection member 17) is the purge gas formed inside the purge gas ejection member 17. It is disposed in the flow path 18. Therefore, the fixed part is not exposed in the internal space of the reaction chamber 1. The purge gas is supplied through the purge gas pipe 19 and is ejected from the gas ejection portion 15 toward the catalyst body 4 in the extending direction of the catalyst body 4. Further, the purge gas ejection member 17 has conductivity, and power is supplied to the catalyst body 4 from the power introduction terminal 5 (not shown in FIG. 7) via the power terminal 20. The gas ejection member 17 is fixed to the reaction chamber 1 and the power introduction terminal 5 through an insulating flange 21 in order to prevent a short circuit.

上述したように、触媒体４と止めネジ８ｂおよびパージガス噴出部材１７とが接触する部分（パージガス噴出部材１７に対する触媒体４の固定部）は、パージガス流路１８の中内に配置されており、反応室１の内部空間に露出していない。そのため、シリコン含有ガスが触媒体４の低温となりうる部分に進入することを効果的に抑制することができる。一方、触媒体４を固定するための止めネジ８ｂは反応室１の内部空間で露出している。そのため、他の部材を分解することなく、止めネジ８ｂを緩めるだけで触媒体４の交換を容易に行うことができる。また、触媒体４とパージガス噴出部材１７とは止めネジ８ｂで固定されるので、両者の機械的・電気的な結合力を向上することができる。 As described above, the portion in which the catalyst body 4 is in contact with the set screw 8b and the purge gas ejection member 17 (fixed portion of the catalyst body 4 with respect to the purge gas ejection member 17) is disposed in the purge gas flow path 18. It is not exposed in the internal space of the reaction chamber 1. Therefore, it is possible to effectively suppress the silicon-containing gas from entering a portion where the temperature of the catalyst body 4 can be low. On the other hand, a set screw 8 b for fixing the catalyst body 4 is exposed in the internal space of the reaction chamber 1. Therefore, the catalyst body 4 can be easily replaced only by loosening the set screw 8b without disassembling other members. Further, since the catalyst body 4 and the purge gas ejection member 17 are fixed by the set screw 8b, the mechanical and electrical coupling force between them can be improved.

以下、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置を構成するその他の要素について説明する。 Hereinafter, other elements constituting the catalytic CVD apparatus of this embodiment will be described.

（反応室）
反応室１を構成する材料としてステンレス、アルミニウムなどの金属やセラミクス、ガラスなどを用いることができる。反応室１の内部に基体を複数収容できるようにすることもできる。反応室１の形状は基体の形状や数に応じて円筒や矩形に形成することができる。また、基体ホルダー９を回転させることにより基体７を回転して堆積膜の均一性を向上させることができる。また基体７の温度制御のための加熱機構または冷却機構を有していてもよい。また、成膜時に基体に適当なバイアス電位を付与しても良い。また、反応室１の内部にプラズマを生起させるためのプラズマ生起手段を有していても良い。 (Reaction room)
As a material constituting the reaction chamber 1, metals such as stainless steel and aluminum, ceramics, glass, and the like can be used. A plurality of substrates can be accommodated in the reaction chamber 1. The reaction chamber 1 can be formed in a cylindrical or rectangular shape according to the shape and number of substrates. Further, the uniformity of the deposited film can be improved by rotating the substrate 7 by rotating the substrate holder 9. Further, a heating mechanism or a cooling mechanism for controlling the temperature of the substrate 7 may be provided. Further, an appropriate bias potential may be applied to the substrate during film formation. Moreover, you may have the plasma generation means for generating a plasma inside the reaction chamber 1. FIG.

（触媒体）
触媒体４としてタングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、イリジウム、白金、チタンなどの高融点金属やカーボンなどを用いることができる。成膜時の触媒体４の温度は１０００℃から２０００℃程度に設定される。触媒体４の形状が線状の場合、その直径は０．１ｍｍから１．０ｍｍ程度とすることができる。触媒体４と基体７との距離は１ｍｍから１００ｍｍ程度とすることができる。 (Catalyst body)
As the catalyst body 4, refractory metals such as tungsten, tantalum, rhenium, molybdenum, iridium, platinum, titanium, carbon, and the like can be used. The temperature of the catalyst body 4 during film formation is set to about 1000 ° C. to 2000 ° C. When the shape of the catalyst body 4 is linear, the diameter can be about 0.1 mm to 1.0 mm. The distance between the catalyst body 4 and the substrate 7 can be about 1 mm to 100 mm.

以下、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置を用いて形成できる堆積膜について説明する。 Hereinafter, a deposited film that can be formed using the catalytic CVD apparatus of the present embodiment will be described.

（堆積膜）
本実施形態の触媒ＣＶＤ装置で形成できる堆積膜の種類はＳｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣなどのシリコン含有薄膜、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ＣＮなどのカーボン含有薄膜などが挙げられる。さらには、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ポリスチレン、ポリエチレンなどの樹脂薄膜、その他にもＧａＮ薄膜やＡｌ₂Ｏ₃膜などが挙げられる。これらの堆積膜は基板材料や成膜条件により単結晶、多結晶、微結晶、またはアモルファスとなる。シリコン含有薄膜を形成するための原料ガスとしてはシラン、ジシラン、モノメチルシラン、ヂメチルシラン、テトラエトキシシランなどを用いることができる。カーボン含有薄膜を形成するための原料ガスとしては一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、アセチレンなどを用いることができる。窒素含有薄膜を形成するための原料ガスとしては一酸化窒素、アンモニア、窒素などを用いることができる。酸素含有薄膜を形成するための原料ガスとしては酸素を用いることができる。これらのガスは必要に応じて水素や不活性ガスなどの希釈ガスで希釈される。また、これらのガスに加えて必要に応じてドーパント含有ガスが添加される。 (Deposited film)
Examples of the deposited film that can be formed by the catalytic CVD apparatus of the present embodiment include silicon-containing thin films such as Si, SiN, SiC, SiON, and SiOC, and carbon-containing thin films such as amorphous carbon, diamond-like carbon, and CN. Furthermore, resin thin films such as PTFE (polytetrafluoroethylene), polystyrene, polyethylene, and the like, as well as GaN thin films, Al ₂ O ₃ films, and the like. These deposited films are monocrystalline, polycrystalline, microcrystalline, or amorphous depending on the substrate material and film forming conditions. Silane, disilane, monomethylsilane, dimethylsilane, tetraethoxysilane, or the like can be used as a source gas for forming the silicon-containing thin film. Carbon monoxide, carbon dioxide, methane, acetylene, or the like can be used as a source gas for forming the carbon-containing thin film. Nitrogen monoxide, ammonia, nitrogen, or the like can be used as a source gas for forming the nitrogen-containing thin film. Oxygen can be used as a source gas for forming the oxygen-containing thin film. These gases are diluted with a diluent gas such as hydrogen or an inert gas as necessary. In addition to these gases, a dopant-containing gas is added as necessary.

（基体）
堆積膜を形成する基体としては金属、半導体ウェファ、ガラス、セラミクス、樹脂などを用いることができる。その形状は平板、円筒、またはシート状の長尺ロールなどとすることができる。これらの基体上にはあらかじめ別の方法で形成された堆積膜が設けられていても良い。特に、電子写真感光体ドラムの基体としては、アルミニウムを引き抜いて成型したアルミニウム引抜成型管を好適に用いることができる。 (Substrate)
As the substrate on which the deposited film is formed, metal, semiconductor wafer, glass, ceramics, resin, or the like can be used. The shape may be a flat plate, a cylinder, or a sheet-like long roll. A deposited film formed in advance by another method may be provided on these substrates. In particular, as the base of the electrophotographic photosensitive drum, an aluminum pultruded tube formed by drawing aluminum can be preferably used.

以下に、本発明の触媒ＣＶＤ装置を電子写真感光体用のアモルファスシリコンの堆積膜形成装置として用いた実施例を示す。 Examples in which the catalytic CVD apparatus of the present invention is used as an amorphous silicon deposited film forming apparatus for an electrophotographic photoreceptor will be described below.

（実施例１）
図１を参照すると、反応室１はステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）で構成し、直径５００ｍｍ、高さ５００ｍｍの円筒形状とした。ガス管２はアルミナセラミクスからなり、直径６ｍｍの管状に形成され、その長手方向に沿って１０ｍｍ間隔でガス噴出孔が形成されている。ガス管２には不図示のガス供給機構が接続されており、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、Ｂ₂Ｈ₆、ＮＯ、ＣＨ₄を反応室１に供給することができる。ステンレス鋼からなる排気管３は不図示の真空ポンプに接続され、反応室１の内部空間を所望の圧力に保つことができる。直径０．５ｍｍのタングステン線からなる触媒体４には、電力導入端子５を介して最大出力５ｋＷの直流電源６が接続されている。基体７には直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒形状のアルミニウムを用いている。ガス管２と触媒体４との距離は３０ｍｍ、触媒体４と基体７との距離は３０ｍｍとした。基体ホルダー９はヒータ９ａを具備しており、基体７を所望の温度に加熱することができる。また、基体ホルダー９は不図示の回転機構を具備しており、基体ホルダー９によって基体７を回転することができる。 Example 1
Referring to FIG. 1, the reaction chamber 1 is made of stainless steel (SUS316L) and has a cylindrical shape with a diameter of 500 mm and a height of 500 mm. The gas pipe 2 is made of alumina ceramic, is formed in a tubular shape with a diameter of 6 mm, and gas ejection holes are formed at intervals of 10 mm along the longitudinal direction. A gas supply mechanism (not shown) is connected to the gas pipe 2, and SiH ₄ , H ₂ , B ₂ H ₆ , NO, and CH ₄ can be supplied to the reaction chamber 1. The exhaust pipe 3 made of stainless steel is connected to a vacuum pump (not shown), and the internal space of the reaction chamber 1 can be maintained at a desired pressure. A direct current power source 6 having a maximum output of 5 kW is connected to a catalyst body 4 made of a tungsten wire having a diameter of 0.5 mm via a power introduction terminal 5. The base body 7 is made of cylindrical aluminum having a diameter of 30 mm and a length of 358 mm. The distance between the gas pipe 2 and the catalyst body 4 was 30 mm, and the distance between the catalyst body 4 and the substrate 7 was 30 mm. The substrate holder 9 includes a heater 9a and can heat the substrate 7 to a desired temperature. The base holder 9 includes a rotation mechanism (not shown), and the base 7 can be rotated by the base holder 9.

本実施例では、錘体８及びその周囲の構成は図６（ｂ）に示す構成とした。錘体８の材質には反応室１と同じ材質のステンレスを用い、その形状は直径２０ｍｍ、高さ４０ｍｍの円柱形状とした。錘体８の突起部８ａは直径３ｍｍ、高さ２０ｍｍとした。錘体８の内部にはガス噴出部１５を形成するために貫通穴が形成されている。突起部８ａには直径１ｍｍの止めネジ８ｂが取り付けられるようになっており、触媒体４の端部は止めネジ８ｂにより突起部８ａの貫通穴内、すなわちパージガスの流路壁に押し付けられるように固定される。錘体８の貫通穴は錘体８の下部において直径６．５ｍｍとされ、直径６ｍｍのアルミナセラミクス製の固定配管１６ｂが挿入されている。固定配管１６ｂには不図示のガス供給機構が接続されており、水素ガスが、固定配管１６ｂ及び錘体８の貫通穴を通って、ガス噴出部１５から触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に沿って噴出される。錘体８は、アルミニウム撚り合わせ素線からなる導線５ａを介して電力導入端子５の電力導入部に接続される。触媒体４の錘体８が配置された側とは反対側の電力端子接続部は図７に示す構成とする。電力導入端子５を構成する材料やその寸法は上記の錘体８に準じて選択される。 In this embodiment, the weight body 8 and the surrounding structure are as shown in FIG. The weight 8 is made of stainless steel, which is the same material as the reaction chamber 1, and has a cylindrical shape with a diameter of 20 mm and a height of 40 mm. The protrusion 8a of the weight 8 has a diameter of 3 mm and a height of 20 mm. A through hole is formed inside the weight body 8 in order to form the gas ejection portion 15. A set screw 8b having a diameter of 1 mm is attached to the protrusion 8a, and the end of the catalyst body 4 is fixed by the set screw 8b so as to be pressed into the through hole of the protrusion 8a, that is, against the purge gas channel wall. Is done. The through hole of the weight body 8 has a diameter of 6.5 mm at the lower part of the weight body 8, and a fixed pipe 16b made of alumina ceramics having a diameter of 6 mm is inserted. A gas supply mechanism (not shown) is connected to the fixed pipe 16 b, and hydrogen gas passes through the fixed pipe 16 b and the through hole of the weight body 8, and the catalyst body 4 passes through the through hole of the weight body 8 from the gas ejection portion 15. It is ejected along the stretching direction. The weight body 8 is connected to the power introduction portion of the power introduction terminal 5 through a conducting wire 5a made of an aluminum twisted strand. The power terminal connection portion on the side opposite to the side on which the weight body 8 of the catalyst body 4 is disposed is configured as shown in FIG. The material constituting the power introduction terminal 5 and the dimensions thereof are selected according to the weight 8 described above.

［触媒ＣＶＤ装置の使用例］
図１の装置を用いて図８の模式的断面図に示す電子写真感光体用のアモルファスシリコンドラム（以下、「感光ドラム」とも称する。）を製作する実施例を以下に示す。 [Usage example of catalytic CVD equipment]
An embodiment for producing an amorphous silicon drum (hereinafter also referred to as “photosensitive drum”) for an electrophotographic photosensitive member shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 8 using the apparatus of FIG. 1 will be described below.

感光ドラム９０は、円筒状アルミニウム基体７の上に設けられた、水素化アモルファスシリコンを主体としボロンを光導電層より多く含有する阻止層９２と、水素化アモルファスシリコンを主体とし光導電性を有する光導電層９３とを有する。さらにその上には、水素化アモルファスシリコンを主体とし炭素を含有する表面層９４が設けられている。各々の層を形成するための条件を表１に示す。まず、基体７を基体ホルダー９に配置した後、反応室１を真空引きして触媒体４に通電して、基体７の温度が放射温度計で計測して１８００℃となるように投入電力を調整する。基体７を回転しつつ２５０℃に加熱する。その後、表１の条件で阻止層９２、光導電層９３、表面層９４を順次形成する。表面層９４の堆積が終了したら反応室１をパージして基体７を取り出し、感光ドラム９０を得る。
The photosensitive drum 90 is provided on the cylindrical aluminum substrate 7 and has a blocking layer 92 mainly containing hydrogenated amorphous silicon and containing more boron than the photoconductive layer, and photoconductive mainly containing hydrogenated amorphous silicon. A photoconductive layer 93. Further thereon, a surface layer 94 mainly composed of hydrogenated amorphous silicon and containing carbon is provided. Table 1 shows the conditions for forming each layer. First, after placing the substrate 7 on the substrate holder 9, the reaction chamber 1 is evacuated, the catalyst body 4 is energized, and the input power is applied so that the temperature of the substrate 7 is 1800 ° C. measured by a radiation thermometer. adjust. The substrate 7 is heated to 250 ° C. while rotating. Thereafter, a blocking layer 92, a photoconductive layer 93, and a surface layer 94 are sequentially formed under the conditions shown in Table 1. When the deposition of the surface layer 94 is completed, the reaction chamber 1 is purged, the substrate 7 is taken out, and the photosensitive drum 90 is obtained.

＜比較例＞
従来の触媒ＣＶＤ装置を用いて感光ドラムを作製し、上記実施例の感光ドラムと比較する。図９に示す比較例の触媒ＣＶＤ装置は錘体を備えておらず、触媒体４は両端とも固定されている。また、パージガスを触媒体４に対してその延伸方向に噴出する機構は備えていない。その他は図１に示す触媒ＣＶＤ装置と同様の構成である。この装置を用いて上記実施例と同様の成膜条件で感光ドラムを作製した。 <Comparative example>
A photosensitive drum is produced using a conventional catalytic CVD apparatus and compared with the photosensitive drum of the above embodiment. The catalytic CVD apparatus of the comparative example shown in FIG. 9 does not include a weight body, and the catalyst body 4 is fixed at both ends. Further, there is no mechanism for ejecting the purge gas to the catalyst body 4 in the extending direction. The other configuration is the same as that of the catalytic CVD apparatus shown in FIG. Using this apparatus, a photosensitive drum was produced under the same film forming conditions as in the above example.

実施例１と比較例の触媒ＣＶＤ装置を用いて作製した感光ドラムのそれぞれについて、総膜厚を渦電流式膜厚計（株式会社フィッシャーインストルメンツ製 FISCHERSCOPE MMS）で測定した。総膜厚の測定個所は感光ドラムの長手方向に沿って９点で行った。その結果、総膜厚のムラ（最大値と最小値との差分を９点の平均値で除した百分率）は実施例１で５％、比較例で２５％だった。また、感光ドラムを形成する前と形成した後の触媒体４の抵抗値を室温で測定した。触媒体４のシリサイド化による抵抗上昇は実施例１で２％、比較例で１２％だった。そのため、実施例１では触媒体４は１０回の成膜工程に耐えたが、比較例では触媒体は２回の成膜工程で交換する必要があった。また、実施例１での触媒体４の交換に要する時間は、パージガス噴出のための機構（図６（ｂ）及び図７参照）が備えられているにもかかわらず、比較例の場合と同程度の時間であった。 About each of the photosensitive drum produced using the catalytic CVD apparatus of Example 1 and a comparative example, the total film thickness was measured with the eddy current type film thickness meter (Fischer Instruments Co., Ltd. FISCHERSCOPE MMS). The total thickness was measured at nine points along the longitudinal direction of the photosensitive drum. As a result, the total film thickness unevenness (percentage obtained by dividing the difference between the maximum value and the minimum value by the average value of 9 points) was 5% in Example 1 and 25% in Comparative Example. Further, the resistance value of the catalyst body 4 before and after forming the photosensitive drum was measured at room temperature. The resistance increase due to silicidation of the catalyst body 4 was 2% in Example 1 and 12% in the comparative example. Therefore, in Example 1, the catalyst body 4 withstood the film formation process 10 times, but in the comparative example, the catalyst body had to be replaced in the film formation process 2 times. Further, the time required for exchanging the catalyst body 4 in Example 1 is the same as that in the case of the comparative example, although a mechanism (see FIGS. 6B and 7) for ejecting the purge gas is provided. It was about time.

（実施例２）
実施例２の装置では、反応室１の材料としてステンレスに替えて厚さ６ｍｍの合成石英を用いた。その他は実施例１と同様の構成で触媒ＣＶＤ装置を製作し、この装置を用いて感光ドラムを製作した。本実施例においても、感光ドラムの堆積膜の均一性と触媒体の寿命に関して実施例１と同等の効果が得られた。 (Example 2)
In the apparatus of Example 2, synthetic quartz having a thickness of 6 mm was used as the material for the reaction chamber 1 instead of stainless steel. Other than that, a catalytic CVD apparatus was manufactured in the same configuration as in Example 1, and a photosensitive drum was manufactured using this apparatus. Also in this example, the same effect as in Example 1 was obtained with respect to the uniformity of the deposited film on the photosensitive drum and the life of the catalyst body.

（実施例３）
実施例３では、図１の装置を使用し、触媒体として図３（ｃ）に示すように複数本からなる触媒体４を用いた。錘体８は反応室１と同じ材質のステンレスで構成し、その形状は幅５０ｍｍ、奥行１０ｍｍ、高さ１０ｍｍの直方体形状とした。錘体８の突起部８ａは幅５０ｍｍ、奥行５ｍｍ、高さ２０ｍｍとした。触媒体４には直径０．５ｍｍのタングステン線を用い、１０ｍｍ間隔で４本のタングステン線を突起部８ａに設けられた直径０．７ｍｍの穴部に止めネジ８ｂでそれぞれ固定した。実施例３の装置のその他の構成は、触媒体４の端部におけるパージガス噴出機構を設けていないことを除いて、実施例１の触媒ＣＶＤ装置と同様である。このような構成を備えた実施例３の触媒ＣＶＤ装置を用いて感光ドラムを製作したところ、感光ドラムの堆積膜の均一性に関して実施例１と同等の効果を得られた。 (Example 3)
In Example 3, the apparatus of FIG. 1 was used, and a plurality of catalyst bodies 4 were used as catalyst bodies as shown in FIG. The weight 8 is made of stainless steel made of the same material as the reaction chamber 1 and has a rectangular parallelepiped shape with a width of 50 mm, a depth of 10 mm, and a height of 10 mm. The protrusion 8a of the weight 8 has a width of 50 mm, a depth of 5 mm, and a height of 20 mm. A tungsten wire having a diameter of 0.5 mm was used for the catalyst body 4, and four tungsten wires were fixed at intervals of 10 mm in holes having a diameter of 0.7 mm provided in the protruding portion 8 a with a set screw 8 b. The other configuration of the apparatus of the third embodiment is the same as that of the catalytic CVD apparatus of the first embodiment except that the purge gas ejection mechanism at the end of the catalyst body 4 is not provided. When the photosensitive drum was manufactured using the catalytic CVD apparatus of Example 3 having such a configuration, the same effect as in Example 1 was obtained with respect to the uniformity of the deposited film on the photosensitive drum.

本発明を適用可能な触媒ＣＶＤ装置の一実施形態の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of one Embodiment of the catalytic CVD apparatus which can apply this invention. 図１に示した触媒体と錘体との接続部の詳細な構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the detailed structure of the connection part of the catalyst body shown in FIG. 1, and a weight body. 図（ａ）は薄板状の触媒体に錘体を附設する例を示す図であり、図（ｂ）は網状の触媒体に錘体を附設する例を示す図である。FIG. 5A is a view showing an example in which a weight body is attached to a thin plate-shaped catalyst body, and FIG. 5B is a view showing an example in which a weight body is attached to a net-like catalyst body. 図（ａ）は１本の線状の触媒体を枠体内に複数回折り返して張架した触媒体ユニットを示す図であり、図（ｂ）は触媒体を水平方向に張架した触媒体ユニットを示す図である。Fig. (A) is a diagram showing a catalyst body unit in which a single linear catalyst body is folded back and folded into a frame body, and Fig. (B) is a catalyst body unit in which the catalyst body is stretched horizontally. FIG. 反応室が隔壁で成膜空間と非成膜空間とに分割されている例を示す図である。It is a figure which shows the example by which the reaction chamber is divided | segmented into the film-forming space and the non-film-forming space by the partition. 触媒体に対して触媒体の延伸方向に向かってパージガスを噴出するように錘体にガス噴出部を設けた例を示す図である。It is a figure which shows the example which provided the gas ejection part in the weight body so that purge gas might be ejected with respect to the extending direction of a catalyst body with respect to a catalyst body. 触媒体の錘体が配置された側とは反対側の電力端子接続部に備えられたパージガス噴出構成部材を示す図である。It is a figure which shows the purge gas ejection structural member with which the power terminal connection part on the opposite side to the side by which the weight body of the catalyst body is arrange | positioned. 感光ドラムの層構造を示す図である。It is a figure which shows the layer structure of a photosensitive drum. 比較例である従来の触媒ＣＶＤ装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional catalytic CVD apparatus which is a comparative example.

Explanation of symbols

１反応室
２ガス管
３排気管
４触媒体
５電力導入端子
６電源
７基体
８錘体
９基体ホルダー 1 reaction chamber 2 gas pipe 3 exhaust pipe 4 catalyst body 5 power introduction terminal 6 power source 7 base body 8 weight body 9 base body holder

Claims

A catalytic CVD apparatus comprising a catalyst body provided with a weight body and stretched therein.

The catalytic CVD apparatus according to claim 1, wherein the weight body has conductivity and forms a conductive path to the catalyst body.

The catalytic CVD apparatus according to claim 1, wherein the weight body has a protrusion, and the protrusion is connected to the catalyst body.

4. The catalytic CVD according to claim 1, wherein the weight body has a gas ejection portion that ejects a purge gas from the catalyst body along an extending direction of the catalyst body. 5. apparatus.

The through-hole communicating with the gas ejection part is formed in the weight body, and the purge gas is supplied to the weight body through a flexible pipe connected to the through-hole. 4. The catalytic CVD apparatus according to 4.

The weight body is formed with a through hole communicating with the gas ejection portion, and gas is supplied to the weight body through a fixed pipe that is slidably inserted into the through hole. The catalytic CVD apparatus according to claim 4.

An intermediate support portion for supporting an intermediate portion other than the end portion of the catalyst body, the catalyst body being bent or curved at the intermediate support portion, and the catalyst body being slidable by the intermediate support portion; The catalytic CVD apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the catalytic CVD apparatus is characterized.

The interior of the catalytic CVD apparatus is divided into a film forming space and a non-film forming space by a partition wall, and the weight body is disposed in the non-film forming space. 8. The catalytic CVD apparatus according to any one of 7 above.

9. The catalyst body according to claim 1, wherein the catalyst body has a portion stretched in a horizontal direction and a portion stretched in a vertical direction and provided with a weight body. Catalytic CVD equipment.

The weight body is provided at one end of the catalyst body,
The other end of the catalyst body is made of a conductive material, and a purge gas ejection member is formed with a flow path for ejecting purge gas to the catalyst body along the extending direction of the catalyst body. Is fixed in the flow path,
10. The catalytic CVD apparatus according to claim 1, wherein electric power is supplied to the catalyst body via the purge gas ejection member. 11.