JP2009276721A - Electro-optical device and its test method, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device, an inspection method thereof, and an electronic apparatus.
近年、自発光型の平面表示型電気光学装置として、有機薄膜により発光層(電気光学層)等を構成した多層構造の有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence:EL)表示装置が開発され、これまでにも様々な提案がなされている(例えば、特許文献1等参照)。
この有機EL表示装置には、トップエミッション型と、ボトムエミッション型の2種類のものがあり、薄型、軽量、フレキシブル、インクジェット法を用いて作製可能等の優れた特徴を有することから、ディスプレイパネル、電子ペーパー等、様々な分野への応用が進められている。
In recent years, a multi-layer organic electroluminescence (EL) display device in which a light-emitting layer (electro-optic layer) or the like is formed of an organic thin film has been developed as a self-luminous flat display type electro-optic device. (For example, refer to Patent Document 1).
There are two types of organic EL display devices, a top emission type and a bottom emission type, which have excellent characteristics such as being thin, lightweight, flexible, and capable of being manufactured using an ink jet method. Applications in various fields such as electronic paper are being promoted.
ところで、従来の有機EL表示装置、特にトップエミッション型の有機EL表示装置では、陰極にインジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)等の透明電極材料を用いているために、陰極自体の電気抵抗を小さくすることが難しい。そこで、この陰極の電気抵抗を小さくするために、この陰極の上側または下側に金属膜からなる補助配線を設けることが行われている。
このような補助配線としては、例えば、実表示領域の周縁の回路領域のバンク層の頂部に陰極を形成し、この陰極上に補助配線を設けた構成がある。
この補助配線は、陰極の成膜前あるいは成膜後に蒸着法により成膜される。この補助配線のパターンの位置は、マスク精度、アライメント精度、基板への密着性等によりズレが生じるために、補助配線に公差を設定し、この公差に合わせて陰極上に補助配線の許容エリアを設け、この許容エリア内に補助配線を成膜している。
As such an auxiliary wiring, for example, there is a configuration in which a cathode is formed on the top of the bank layer in the circuit area at the periphery of the actual display area, and the auxiliary wiring is provided on the cathode.
This auxiliary wiring is formed by vapor deposition before or after the formation of the cathode. The position of the auxiliary wiring pattern is shifted due to mask accuracy, alignment accuracy, adhesion to the substrate, etc. Therefore, a tolerance is set for the auxiliary wiring, and an allowable area of the auxiliary wiring is set on the cathode according to this tolerance. An auxiliary wiring is formed in the permissible area.
ところで、従来の有機EL表示装置では、通常、補助配線は許容エリア内に成膜されているので、補助配線が許容エリアからはみ出すことはないが、補助配線の成膜中に突発的な変動が生じて補助配線が許容エリアからはみ出してしまったような場合には、補助配線が陰極から大きくずれてしまい、その結果、陰極の電気抵抗が小さくならず、発光素子に点灯ムラ等の不具合が生じるという問題点があった。
このような場合、製造ラインにおいてインライン検査により不具合が発生した状況を把握し、製造工程を停止して対応する必要があるが、膜面側からの検査では、補助配線以外の金属パターン等があるために、補助配線のみを画像認識により検出することが難しいという問題点があった。また、この検出が実現できたとしても、画像認識技術を用いた検査システムが非常に高価なことから、製造コストを押し上げる一因になるという問題点があった。
By the way, in the conventional organic EL display device, since the auxiliary wiring is usually formed in the allowable area, the auxiliary wiring does not protrude from the allowable area, but sudden fluctuation occurs during the formation of the auxiliary wiring. If the auxiliary wiring protrudes from the permissible area, the auxiliary wiring greatly deviates from the cathode, and as a result, the electrical resistance of the cathode does not decrease, causing problems such as uneven lighting in the light emitting element. There was a problem.
In such a case, it is necessary to grasp the situation where a defect has occurred in the production line and stop the production process. However, in the inspection from the film surface side, there are metal patterns other than auxiliary wiring. Therefore, there is a problem that it is difficult to detect only the auxiliary wiring by image recognition. Even if this detection can be realized, the inspection system using the image recognition technique is very expensive, which causes a problem of increasing the manufacturing cost.
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、補助配線の検査を簡便かつ低コストにて行うことができ、点灯ムラ等の不具合が生じる虞が無く、鮮明な画像を長時間表示することができる電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the auxiliary wiring can be inspected easily and at low cost, and there is no possibility of causing problems such as uneven lighting, and a clear image can be obtained. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device that can display for a long time, an inspection method thereof, and an electronic apparatus.
上記の課題を解決するために、本発明は以下の電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置は、透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第1の電極及び第2の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、前記第2の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following electro-optical device, an inspection method thereof, and an electronic apparatus.
That is, the electro-optical device of the present invention has a circuit layer including a thin film transistor and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode electrically connected to the circuit layer on a transparent substrate. A light-shielding auxiliary wiring layer electrically connected to the second electrode, and light shielding at a position corresponding to an allowable film formation region of the auxiliary wiring layer on the transparent substrate. A layer is provided.
本発明の電気光学装置では、透明基板上の補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に光遮蔽層を設けたので、この光遮蔽層を介して補助配線層を透明基板側から観察することにより、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における不具合を容易に見出すことができ、補助配線層の検査精度及び検査効率を向上させることができる。その結果、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができ、点灯ムラ等の不具合が生じる虞のない電気光学装置を提供することができる。 In the electro-optical device of the present invention, since the light shielding layer is provided at a position corresponding to the allowable film forming region of the auxiliary wiring layer on the transparent substrate, the auxiliary wiring layer is observed from the transparent substrate side through the light shielding layer. Thus, it is possible to easily determine whether or not the auxiliary wiring layer is formed in the allowable film formation region. Therefore, it is possible to easily find a defect in the manufacturing process of the auxiliary wiring layer, and to improve the inspection accuracy and inspection efficiency of the auxiliary wiring layer. As a result, it is possible to improve the yield in the manufacturing process of the product, and to provide an electro-optical device that is free from problems such as uneven lighting.
本発明の電気光学装置は、前記透明基板上かつ前記光遮蔽層に隣接した位置に、第2の光遮蔽層を設けてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、透明基板上かつ光遮蔽層に隣接した位置に、第2の光遮蔽層を設けたので、これら光遮蔽層及び第2の光遮蔽層を介して補助配線層を透明基板側から観察する際に、補助配線層の位置の確認が容易になり、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定をより容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における不具合をさらに容易に見出すことができ、補助配線層の検査精度及び検査効率をさらに向上させることができる。
The electro-optical device according to the present invention is characterized in that a second light shielding layer is provided on the transparent substrate and at a position adjacent to the light shielding layer.
In the electro-optical device of the present invention, since the second light shielding layer is provided on the transparent substrate and at a position adjacent to the light shielding layer, the auxiliary wiring layer is provided via the light shielding layer and the second light shielding layer. When observing from the transparent substrate side, the position of the auxiliary wiring layer can be easily confirmed, and it can be more easily determined whether or not the auxiliary wiring layer is formed in the allowable film formation region. Therefore, the trouble in the manufacturing process of the auxiliary wiring layer can be found more easily, and the inspection accuracy and inspection efficiency of the auxiliary wiring layer can be further improved.
本発明の電気光学装置の検査方法は、透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第1の電極及び第2の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、前記第2の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなる電気光学装置の検査方法であって、前記透明基板側から前記光遮蔽層を介して前記補助配線層を観察し、前記補助配線層の良否を判定することを特徴とする。 According to an electro-optical device inspection method of the present invention, a circuit layer including a thin film transistor and a light emitting layer sandwiched between a first electrode and a second electrode electrically connected to the circuit layer are formed on a transparent substrate. Provided with a light-shielding auxiliary wiring layer that is electrically connected to the second electrode, and a light is provided at a position corresponding to an allowable film formation region of the auxiliary wiring layer on the transparent substrate. An inspection method for an electro-optical device provided with a shielding layer, characterized in that the auxiliary wiring layer is observed from the transparent substrate side through the light shielding layer and the quality of the auxiliary wiring layer is determined. .
本発明の電気光学装置の検査方法では、透明基板側から光遮蔽層を介して補助配線層を観察し、この補助配線層の良否を判定することとしたので、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における検査精度及び検査効率を向上させることができ、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができる。 In the inspection method for the electro-optical device according to the present invention, the auxiliary wiring layer is observed from the transparent substrate side through the light shielding layer and the quality of the auxiliary wiring layer is determined. It is possible to easily determine whether or not a film is formed inside. Therefore, the inspection accuracy and inspection efficiency in the auxiliary wiring layer manufacturing process can be improved, and the yield in the product manufacturing process can be improved.
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えてなることを特徴とする。
本発明の電子機器では、本発明の電気光学装置を備えたので、点灯ムラ等の不具合が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、画像表示領域に点灯ムラ等に起因する暗点が生じる虞が無く、鮮明な画像を長時間表示することができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device according to the present invention.
Since the electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device according to the present invention, there is no risk of problems such as uneven lighting, and the image quality can be maintained at high quality. Therefore, a clear image can be displayed for a long time.
本発明の電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を実施するための最良の形態について説明する。
ここでは、電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いた有機EL表示装置について説明する。
The best mode for carrying out the electro-optical device, the inspection method thereof, and the electronic apparatus of the invention will be described.
Here, as an electro-optical device, an electroluminescent material which is an example of an electro-optical material, in particular, an organic EL display device using an organic electroluminescence (EL) material will be described.
「第1の実施形態」
図1は、本実施形態の有機EL表示装置(電気光学装置)1の配線構造を示す図であり、この有機EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ( Thin Film Transistor:TFT)を用いたアクティブマトリクス型の有機EL表示装置である。
“First Embodiment”
FIG. 1 is a diagram showing a wiring structure of an organic EL display device (electro-optical device) 1 according to this embodiment. The organic
この有機EL表示装置1は、互いに並列な複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線され、これら走査線101と信号線102との各交点付近に画素領域Xが設けられている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えた信号線駆動回路100が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路80が接続されている。
The organic
A signal
さらに、画素領域X各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、この保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極:第1の電極)23と、この画素電極23と陰極(第2の電極)50との間に挟み込まれた発光層110とが設けられている。これら画素電極23と陰極50と発光層110とにより、発光素子(有機EL素子)が構成されている。
Further, in each pixel region X, a switching
この有機EL表示装置1によれば、走査線101を駆動してスイッチング用TFT112をオン状態にすると、このときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、この保持容量113の状態に応じて駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して電源線103から画素電極23に電流が流れ、さらに発光層110を介して陰極50に電流が流れる。よって、発光層110では、これを流れる電流量に応じて発光する。
According to the organic
次に、この有機EL表示装置1の具体的な構成について説明する。
図2は、本実施形態の有機EL表示装置1の1表示単位を構成するR、G、Bの3つの画素領域Xを示す平面構成図であり、図3は図2のA−A’線、B−B’線及びC−C’線に沿う部分断面構成図である。本実施形態の有機EL表示装置では、図2に示す3つの画素領域Xにより1表示単位が構成されている。
Next, a specific configuration of the organic
FIG. 2 is a plan configuration diagram showing three pixel regions X of R, G, and B constituting one display unit of the organic
図2に示すように、有機EL表示装置1には、複数(図示では2本)の走査線101と、これらの走査線101に直交して延びる複数(図示では3本)の信号線102が設けられており、走査線101及び信号線102に囲まれた領域が画素領域Xに対応している。画素領域Xにおいては、走査線101と信号線102との交差点に対応してスイッチング用TFT112が設けられており、このスイッチング用TFT112に駆動用TFT123及び保持容量113が接続されている。また、発光層110を挟み信号線102と反対側の位置には、信号線102に沿う方向に延在する電源線103を有している。
As shown in FIG. 2, the organic
画素領域Xは、画像を表示する実表示領域4と、この実表示領域4の周囲に配置された回路領域5とに区画されている。
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−A’方向、B−B’方向及びC−C’方向にそれぞれ離間してマトリックス状に形成されている。
The pixel area X is divided into an actual display area 4 for displaying an image and a
In the actual display area 4, display areas R, G, and B each having a pixel electrode are formed in a matrix in such a manner as to be spaced apart in the AA ′ direction, the BB ′ direction, and the CC ′ direction.
この有機EL表示装置1は、図2及び図3に示すように、透明基板20上の実表示領域4に、画素電極(陽極)23と発光層110と陰極50とを備えた発光素子(有機EL素子)がマトリックス状に多数形成され、この透明基板20上の回路領域5のバンク層310の陰極50上に、この陰極50と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層311が形成され、この補助配線層311の下方かつ透明基板20上の補助配線層311の許容成膜領域312に対応する位置に光遮蔽層313が形成されている。さらに、これらを覆う緩衝層210、フィルタ211及びガスバリア層30等が形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the organic
この有機EL表示装置1は、ガスバリア層30側から発光した光を取り出すトップエミッション型であるが、光遮蔽層313を介して補助配線層311を観察し、この補助配線層311の良否を判定する必要があることから、基板には、ガラス基板、石英基板、樹脂基板(プラスチックシート、プラスチックフィルム等)などの透明基板20が用いられている。
この透明基板20上には、画素電極23を駆動するための駆動用TFT123などを含む回路部11が形成されており、この回路部11上に発光素子(有機EL素子)がマトリックス状に多数設けられている。
The organic
On the
発光層110は、具体的にはエレクトロルミネッセンス層であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えた構成であればよく、さらには、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)を備えた構成であってもよい。
この発光素子は、上記の構成のもとに、その発光層110において、正孔輸送層(図示略)から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより発光する。
The
In the
発光層110を構成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系有機材料などが好適に用いられる。
As a material for forming the
これらの発光材料は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、あるいはルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層110の上に電子注入層を設けた構成としてもよい。
These luminescent materials are low molecular weight materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or low molecular weight materials such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a molecular material.
In addition, it replaces with the polymeric material mentioned above, a conventionally well-known low molecular material can also be used.
Moreover, it is good also as a structure which provided the electron injection layer on such a
画素電極23は、本実施形態の有機EL表示装置1がトップエミッション型であることから、透明である必要がなく、したがって、各種の導電材料から適宜選択することによって形成されている。
陰極50は、図2〜図3に示すように、実表示領域4および回路領域5の総面積より広い面積を有し、しかも実表示領域4および回路領域5それぞれを覆うように形成されたもので、発光層110とバンク層310の上面、さらにはバンク層310の外側部を形成する壁面を覆った状態で透明基板20上に形成されている。
この陰極50は、バンク層310の外側で透明基板20の外周部に形成された陰極用配線(図示略)を介して駆動IC(駆動回路)に接続されている。
The
As shown in FIGS. 2 to 3, the
The
陰極50の材料としては、本実施形態の有機EL表示装置1がトップエミッション型であることから、光透過性である必要があり、したがって、透明導電材料が用いられる。この透明導電材料としては、スズ添加酸化インジウム(ITO:Indium Tin Oxide)が好適であるが、これ以外にも、例えば、亜鉛添加酸化インジウム(IZO/アイ・ゼット・オー:Indium Zinc Oxide)(登録商標)等の酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜等を用いることができる。
なお、本実施形態ではITOを用いている。
As the material of the
In this embodiment, ITO is used.
この陰極50では、その上に、ケイ素化合物や金属化合物などの無機化合物からなる陰極保護層(図示略)を形成してもよい。この陰極保護層を陰極50上に形成することにより、製造プロセス時においても、陰極50への酸素等の侵入を良好に防止することができる。
なお、陰極保護層を形成する場合、基体200の外周部の絶縁層284上まで、10nmから300nm程度の厚みに形成することが好ましい。
In the
In addition, when forming a cathode protective layer, it is preferable to form in thickness of about 10 nm to 300 nm to the insulating layer 284 of the outer peripheral part of the base | substrate 200. FIG.
この陰極50上の帯状の領域である補助配線層の許容成膜領域312には、この陰極50と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層311が形成されている。
補助配線層311の幅は、この補助配線層311が所定の公差で成膜された場合に許容成膜領域312内に完全に収まる必要があることから、この許容成膜領域312の幅の30%〜70%の範囲内とされている。
この補助配線層311を構成する材料としては、陰極50と接続した場合に陰極50の電気抵抗を小さくするものであればよく、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料が好適である。
An
The width of the
The
この補助配線層311の厚さは、10nm以上、500nm以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが10nm未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、配線層の均一性が損なわれてしまう虞があるからであり、一方、厚さが500nmを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。
The thickness of the
また、この補助配線層311の下方かつ透明基板20上の補助配線層311の許容成膜領域312に対応する位置には光遮蔽層313が形成されている。
この光遮蔽層313の幅は、この光遮蔽層313を介して補助配線層311を観察し、この補助配線層311が所定の公差で成膜されているか否かを判定するために、許容成膜領域312の幅と一致させる必要がある。
この光遮蔽層313を構成する材料としては、可視光線に対して不透明な材料であればよく、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料が好適である。
この光遮蔽層313の判定の確度を向上させるためには、黒色材料を用いることが好ましい。
Further, a
The width of the
The
In order to improve the determination accuracy of the
この光遮蔽層313の厚さは、10nm以上、500nm以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが10nm未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、光遮蔽性が不十分なものとなる虞があるからであり、一方、厚さが500nmを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。
The thickness of the
この光遮蔽層313は、積層構造としてもよく、例えば、上述した金属材料のうち組成の異なる複数の材料を積層した構造としてもよい。具体的には、陰極50側から銀、銀−パラジウム合金の順に積層した2層構造、あるいは、陰極50側からアルミニウム、銅の順に積層した2層構造等が挙げられる。
The
これにより、この光遮蔽層313を介して補助配線層311を観察した場合、補助配線層311が光遮蔽層313により完全に隠れていれば、補助配線層311が許容成膜領域312内にあると判断できるので、良品と判定することができる。一方、補助配線層311の一部が光遮蔽層313の一方の側から現れていれば、補助配線層311が許容成膜領域312からずれていると判断できるので、不良品と判定することができる。
Accordingly, when the
これら陰極50及び補助配線層311の上には、バンク層221よりも広い範囲で、かつ陰極50を覆った状態で緩衝層210が設けられ、この緩衝層210上の実表示領域4にはフィルタ211が形成され、これら全体を覆うようにガスバリア層30が形成されている。
On the
この緩衝層210は、透明基板20及び回路部11を含む基体側の反りや体積変化により発生する応力を緩和し、不安定なバンク層310からの陰極50の剥離を防止する機能を有するもので、下側に位置するバンク層310の形状の影響により凸凹状とされた陰極50の凸凹部分を埋めるように形成されており、更に、その上面は略平坦とされている。
この緩衝層210では、その上面が略平坦化されているので、この緩衝層210上に形成される硬いガスバリア層30も平坦化され、応力が集中する部位がなくなる。これにより、ガスバリア層30におけるクラックの発生を防止することができる。
The
Since the upper surface of the
ガスバリア層30は、その内側に外部から酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極50や発光層110への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極50や発光層110の劣化等を抑えるようになっている。
このガスバリア層30は、例えば無機化合物からなるもので、ケイ素化合物が好ましい。このケイ素化合物としては、ケイ素窒化物、ケイ素酸窒化物、ケイ素酸化物(シリカ等)等が挙げられる。
このケイ素化合物以外の無機化合物としては、例えば、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸窒化物、アルミニウム酸化物(アルミナ等)等のアルミニウム化合物、酸化タンタル等のタンタル化合物、酸化チタン等のチタン化合物が挙げられる。
The
The
Examples of inorganic compounds other than the silicon compound include aluminum compounds such as aluminum nitride, aluminum oxynitride, and aluminum oxide (such as alumina), tantalum compounds such as tantalum oxide, and titanium compounds such as titanium oxide.
このガスバリア層30は、本実施形態の有機EL表示装置1がトップエミッション型であることから、光透過性である必要がある。ここでは、その材質や膜厚を適宜に調整することにより、可視光線領域における光透過率を例えば80%以上としている。
The
本実施形態の有機EL表示装置1では、カラー表示を行うべく発光層110が、光の三原色にそれぞれ対応する光を発光するように、赤色表示領域Rに赤色光のみを透過するフィルタ211Rを、緑色表示領域Gに緑色光のみを透過するフィルタ211Gを、青色表示領域Bに青色光のみを透過するフィルタ211Bを、それぞれ設け、これら3種類の表示領域R、G、Bによりカラー表示を行う1画素が構成されている。
また、これら3種類の表示領域R、G、B各々の境界である回路領域5には、金属クロムをスパッタリング法などにて成膜したブラックマトリクス(BM、図示略)が形成されている。
In the organic
Further, a black matrix (BM, not shown) in which metal chromium is formed by sputtering or the like is formed in the
次に、本実施形態に係る有機EL表示装置1の製造方法について説明する。
なお、透明基板20の表面に回路部11を形成する工程からインクジェット法により発光層110を形成する工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
Next, a method for manufacturing the organic
In addition, since it is not different from a prior art from the process of forming the
まず、透明基板20上の補助配線層の許容成膜領域312に対応する位置に、この許容成膜領域312と同一形状の開口部を有するマスクを載置し、この開口部内の透明基板20上に、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法(PVD)により、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料を堆積させる。これにより光遮蔽層313が成膜される。
次いで、従来公知の方法により、光遮蔽層313を含む透明基板20の表面に、回路部11、画素電極23、バンク層310、発光層110等を形成し、この発光層110の3種類の表示領域R、G、Bによりカラー表示を行う1画素を構成する。
First, a mask having an opening having the same shape as the allowable
Next, the
次いで、これら発光層110及びバンク層310の上面、さらにはバンク層310の外側部を構成する壁面を覆うように、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法(PVD)によりITO膜を成膜し、陰極50とする。
なお、陰極50上に酸化チタン等の陰極保護層(図示略)を成膜するには、真空蒸着法等の物理的気相堆積法(PVD)を用いる。
Next, for example, by a physical vapor deposition method (PVD) such as a vacuum evaporation method or a sputtering method so as to cover the upper surfaces of the
In order to form a cathode protective layer (not shown) such as titanium oxide on the
次いで、陰極50の補助配線層の許容成膜領域312に、補助配線層311と同一形状の開口部を有するマスクを載置し、この開口部内の陰極50上に、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法(PVD)により、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料を堆積させる。これにより、補助配線層311が成膜される。
Next, a mask having an opening having the same shape as that of the
次いで、補助配線層311を含む陰極50上に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の主成分と、光重合反応剤等と、有機溶媒等を含む緩衝層用塗液を用いて、インクジェット法等のウエットプロセスにより緩衝層210を形成する。
なお、インクジェット法の替わりに、スリットコート(或いはカーテンコート)法により緩衝層用塗液を塗布してもよい。
Next, on the
Instead of the ink jet method, the buffer layer coating liquid may be applied by a slit coat (or curtain coat) method.
次いで、緩衝層210上の実表示領域4に、フィルタ211を形成する。
この有機EL表示装置1では、カラー表示を行うべく発光層110が、光の三原色にそれぞれ対応する光を発光するように、赤色表示領域Rに赤色光のみを透過するフィルタ211Rを、緑色表示領域Gに緑色光のみを透過するフィルタ211Gを、青色表示領域Bに青色光のみを透過するフィルタ211Bを、それぞれ形成する。これら3種類の表示領域R、G、Bによりカラー表示を行う1画素が構成される。
Next, the
In the organic
次いで、フィルタ211を含む緩衝層210を覆うように、すなわち透明基板20上にて露出する陰極50の全ての部位を覆うように、ガスバリア層30を形成する。
ここで、このガスバリア層30を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法(PVD)により成膜を行い、次いで、プラズマCVD法等の化学的気相堆積法(CVD)により成膜を行うのが好ましい。
Next, the
Here, as a method of forming this
なお、ガスバリア層30上に、接着層を介して表面保護層を設けてもよい。
この表面保護層は、例えば、ガスバリア層30上に、スリットコート法などにより接着剤を厚みが略均一になるように塗布して接着層とし、この接着層上に薄厚の表面保護層を貼り合わせることにより、形成することができる。
この表面保護層は、耐圧性、耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有しているので、この表面保護層をガスバリア層30上に設けることにより、発光層110や陰極50はもちろんのこと、ガスバリア層30をも保護することができる。したがって、発光素子の長寿命化を図ることができる。
以上により、有機EL表示装置1を作製することができる。
A surface protective layer may be provided on the
The surface protective layer is formed, for example, by applying an adhesive to the
Since this surface protective layer has functions such as pressure resistance, abrasion resistance, light reflection preventing property, gas barrier property, and ultraviolet blocking property, by providing this surface protective layer on the
As described above, the organic
以上説明したように、本実施形態の有機EL表示装置1によれば、陰極50上に、この陰極50と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層311を形成し、この補助配線層311の下方かつ透明基板20上の補助配線層311の許容成膜領域312に対応する位置に光遮蔽層313を形成したので、この光遮蔽層313を介して補助配線層311を透明基板20側から観察することにより、補助配線層311のムラ、すなわち補助配線層311が許容成膜領域312内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層311の製造工程における不具合を容易に見出すことができ、補助配線層311の検査精度及び検査効率を向上させることができ、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができる。
As described above, according to the organic
なお、光遮蔽層313を介して補助配線層311を透明基板20側から観察する際に、光源とカメラを用いて外部モニターに画像を映し出し、この画像を基に補助配線層311が許容成膜領域312内に成膜されているか否かの判定を行ってもよく、画像処理ソフトを用いて補助配線層311が許容成膜領域312内に成膜されているか否かを自動判定することとしてもよい。
また、光遮蔽層313を形成する方法としては、上述した金属材料を堆積させる方法の他、半導体層で形成する方法、ソース/ドレイン電極で形成する方法等を用いることができる。
When the
As a method for forming the
「第2の実施形態」
図4は、本実施形態の有機EL表示装置401の1表示単位を構成するR、G、Bの3つの画素領域Xを示す平面構成図であり、図5は図4のA−A’線、B−B’線及びC−C’線に沿う部分断面構成図である。
本実施形態の有機EL表示装置401が第1の実施形態の有機EL表示装置1と異なる点は、透明基板20上かつ光遮蔽層313の両隣に隣接した位置に、この光遮蔽層313から所定の間隔をおいて(第2の)光遮蔽層402、403をそれぞれ設けた点である。
“Second Embodiment”
FIG. 4 is a plan configuration diagram showing three pixel regions X of R, G, and B constituting one display unit of the organic
The organic
この有機EL表示装置401では、透明基板20上かつ光遮蔽層313の両隣に隣接した位置に、この光遮蔽層313から所定の間隔をおいて光遮蔽層402、403をそれぞれ設けたので、この光遮蔽層313と光遮蔽層402、403それぞれとの間に形成された隙間が、補助配線層311の許容成膜領域312の両側の非常に狭い帯状の開口部分となり、補助配線層311以外の情報量が削減され、補助配線層311のムラ、すなわち補助配線層311が許容成膜領域312内に成膜されているか否かをさらに容易に判定することができる。
In the organic
したがって、これら光遮蔽層313及び光遮蔽層402、403を介して補助配線層311を透明基板20側から観察すると、光遮蔽層313及び光遮蔽層402、403により補助配線層311の位置の確認が容易になり、補助配線層311が許容成膜領域312内に成膜されているか否かの判定をより容易に行うことができる。
したがって、補助配線層311の製造工程における不具合をさらに容易に見出すことができ、補助配線層311の検査精度及び検査効率をさらに向上させることができる。
Therefore, when the
Therefore, a defect in the manufacturing process of the
次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上記の有機EL表示装置(電気光学装置)1(401)を表示部として有したものであり、具体的には図6に示すものが挙げられる。
図6(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図6(a)において、携帯電話1000は、上述した有機EL表示装置1(401)を用いた表示部1001を備えている。
図6(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図6(b)において、時計1100は、上述した有機EL表示装置1(401)を用いた表示部1101を備えている。
図6(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図6(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1201、上述した有機EL表示装置1(401)を用いた表示部1202、情報処理装置本体(筐体)1203を備えている。
図6(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機EL表示装置(電気光学装置)1(401)を有した表示部1001,1101,1202を備えているので、表示部を構成する有機EL表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
Next, the electronic apparatus of the present invention will be described. The electronic apparatus has the above-described organic EL display device (electro-optical device) 1 (401) as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 6A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 6A, a
FIG. 6B is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 6B, a
FIG. 6C is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 6C, the
Each of the electronic devices shown in FIGS. 6A to 6C includes the
1、401…表示装置(電気光学装置)、23…画素電極(第1電極)、30…ガスバリア層、50…陰極(第2電極)、110…発光層(電気光学層)、20…透明基板、311…補助配線層、312…許容成膜領域、313…光遮蔽層、402、403…光遮蔽層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,401 ... Display apparatus (electro-optical device), 23 ... Pixel electrode (first electrode), 30 ... Gas barrier layer, 50 ... Cathode (second electrode), 110 ... Light emitting layer (electro-optical layer), 20 ...
Claims (4)
前記第2の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、
前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなることを特徴とする電気光学装置。 On a transparent substrate, a circuit layer including a thin film transistor, and a light emitting element having a light emitting layer sandwiched between a first electrode and a second electrode electrically connected to the circuit layer,
Providing a light-shielding auxiliary wiring layer electrically connected to the second electrode;
An electro-optical device, wherein a light shielding layer is provided at a position corresponding to an allowable film formation region of the auxiliary wiring layer on the transparent substrate.
前記第2の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、
前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなる電気光学装置の検査方法であって、
前記透明基板側から前記光遮蔽層を介して前記補助配線層を観察し、前記補助配線層の良否を判定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。 On a transparent substrate, a circuit layer including a thin film transistor, and a light emitting element having a light emitting layer sandwiched between a first electrode and a second electrode electrically connected to the circuit layer,
Providing a light-shielding auxiliary wiring layer electrically connected to the second electrode;
An inspection method for an electro-optical device in which a light shielding layer is provided at a position corresponding to an allowable film formation region of the auxiliary wiring layer on the transparent substrate,
An inspection method for an electro-optical device, wherein the auxiliary wiring layer is observed from the transparent substrate side through the light shielding layer to determine whether the auxiliary wiring layer is good or bad.
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WO2023281345A1 (en) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display apparatus |
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