JP2009259203A - 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 - Google Patents

静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】製造プロセスの簡素化を図りながら、透光性基板上のパターンやパターン同士の交差部を目立たなくすることのできる静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】入力機能付き表示装置１００の入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、透光性基板１５の一方面には、膜厚が２０ｎｍで屈折率が１．９１のＩＴＯ膜からなる第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている。また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、膜厚が５ｎｍで屈折率が２．３０のニオブ酸化膜、および膜厚が５５ｎｍで屈折率が１．４５のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、指の接触位置を静電容量の変化として検出可能な静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器に関するものである。
携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、液晶装置などの表面にタブレット型の入力装置が配置され、液晶装置の画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所に指などを触れることで、指示画像に対応する情報の入力が行えるものがある。
このような入力装置（タッチパネル）には、抵抗膜型、静電容量型などがあるが、抵抗膜型の入力装置は、フィルムとガラスの２枚構造でフィルムを押下してショートさせる構造のため、動作温度範囲の狭さや、経時変化に弱いという欠点を有している。
これに対して、静電容量型の入力装置は、一枚の基板に透光性導電膜を形成すればよいという利点がある。かかる静電容量型の入力装置では、例えば、互いに交差する方向に電極を延在させて、指などが接触した際、電極間の静電容量が変化することを検知して入力位置を検出するタイプのものがある（例えば、特許文献１）。
また、静電容量型の入力装置としては、透光性導電膜の両端に同相、同電位の交流を印加し、指が接触あるいは近接してキャパシタが形成される際に流れる微弱電流を検知して入力位置を検出するタイプのものもある。
特開２００７−１２２３２６号公報
静電容量型入力装置においては、例えば、液晶装置で表示された画像を入力装置の入力面側から透過して視認するため、基板および電極には透光性に優れたものが用いられるが、それでも、透光性電極などが形成されている領域と、透光性電極などが形成されていない領域との間で反射率が大きく異なると、透光性電極の存在が目立ってしまい、好ましくない。しかるに第１の透光性電極と第２の透光性電極を透光性基板の表面および裏面に各々形成すると、第１の透光性電極と第２の透光性電極との間に透光性基板が介在するため、第１の透光性電極が形成されている領域、第２の透光性電極が形成されている領域、これらの透光性電極が形成されていない領域で光学的な構成が大きく相違する結果、各領域間で反射率に大きな差が発生し、透光性電極の存在が目立ってしまうという問題点がある。
また、透光性基板の同一面側に第１の透光性電極および第２の透光性電極を形成した場合でも、透光性基板に通常用いられるガラス基板と、透光性電極に通常用いられるＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide）との間には屈折率に大きな差があるため、透光性電極が形成されている領域と、透光性電極が形成されていない領域との間で反射率に差が生じ、透光性電極の存在が目立ってしまい、好ましくない。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、製造プロセスの簡素化を図りながら、透光性基板上のを目立たなくすることのできる静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板と、前記透光性基板の一方の面に形成され、異なる屈折率を備えた複数の透光性薄膜を含み、当該複数の透過性薄膜の一つの透過性薄膜がニオブ酸化膜である多層膜と、前記透光性基板の入力領域の前記多層膜の上層に形成され、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極と、前記透光性基板の入力領域の前記多層膜の上層に形成され、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る静電容量型入力装置では、透光性基板の同一面上に第１の透光性電極および第２の透光性電極が形成されているため、第１の透光性電極と第２の透光性電極との間に透光性基板が介在しないので、反射防止技術を用いれば、第１の透光性電極が形成されている領域、第２の透光性電極が形成されている領域、これらの透光性電極が形成されていない領域での反射率の差を小さくして、透光性電極を目立たなくするのが容易であるとともに、製造プロセスを簡素化できる。また、本発明では、反射防止技術として、第１の透光性電極と透光性基板との層間、および第２の透光性電極と透光性基板との層間に、ニオブ酸化膜を含み、異なる屈折率を備えた透光性薄膜の多層膜を形成し、逆位相の光によって、透光性電極が形成されている領域と、透光性電極が形成されていない領域での反射率の差を圧縮しているため、透光性電極を目立たなくすることができる。すなわち、屈折率が異なる界面を透過する際、媒体間の界面で反射が発生するため、透光性基板上に透光性電極が形成されている場合には、透光性電極に対して入力面側の媒体層／透光性電極の界面と、透光性電極／透光性基板との界面とが存在するため、透光性電極が形成されている領域と、透光性電極が形成されていない領域とでは反射率に差が発生し、透光性電極の存在が見えてしまう結果になるが、多層膜を用い、各界面で反射した光の位相を逆転させ打ち消し合うようにすれば、透光性電極が形成されている領域と、透光性電極が形成されていない領域との反射率の差を解消できるので、透光性電極の存在が目立たなくすることができる。ここで、本発明では、多層膜には、屈折率の高いニオブ酸化膜を用いたため、透光性電極にＩＴＯ膜などの屈折率の高い材料を用いても透光性電極を目立たなくすることができるとともに、透光性電極に膜厚の厚いＩＴＯ膜などを用いることができ、透光性電極の低抵抗化を図ることができる。
本発明において、前記第１の透光性電極と前記第２の透光性電極とは、同一構成の前記多層膜上に同一材料で形成され、前記第１の透光性電極と前記第２の透光性電極との交差部分では、前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極のうちの一方の電極が繋がっている一方、他方の電極は途切れており、少なくとも前記交差部分における前記一方の電極の上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されていることが好ましい。このように構成すると、第１の透光性電極と第２の透光性電極とが同一構成であるので、第１の透光性電極および第２の透光性電極を同一プロセスで形成することができ、製造プロセスの簡素化を図ることができる。また、第１の透光性電極と第２の透光性電極とを異なる層間に形成して交差させると、かかる交差部分の膜構成は、第１の透光性電極および第２の透光性電極と相違してしまい、液晶装置などで表示された画像を入力装置の入力面側からみた際、透光性電極などが形成されている領域と、透光性電極などが形成されていない領域との間での反射率の差が小さくなるように透光性電極を形成して、透光性電極を目立たなくしても交差部分が目立ってしまうことになるが、本発明では、交差部分において電極が途切れており、かかる途切れた電極同士は、透光性の層間絶縁膜の上層に形成された透光性の中継電極によって電気的に接続されている。このため、交差部分が占める面積が狭い。また、交差部分は、透光性の薄膜が積層された構造になっているので、交差部分の存在を目立たなくすることができる。それ故、本発明によれば、入力装置の入力面側からみた際、交差部分の存在が目立たないので、入力装置の背面側に画像生成装置を配置した場合、品位の高い画像を表示することができる。
本発明において、前記多層膜は、前記入力領域において前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極が形成されていない領域を含む全領域に形成されていることが好ましい。このように構成すると、第１の透光性電極および第２の透光性電極のパターニング形成を容易かつ効率よく行うことができるので、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
本発明において、前記透光性基板はガラス基板であり、前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極は、ＩＴＯ膜からなり、前記多層膜は、前記透光性基板上に形成されたニオブ酸化膜と、該ニオブ酸化膜上に積層されたシリコン酸化膜とからなる構成を採用することができる。
この場合、前記ニオブ酸化膜は、膜厚が４ｎｍ〜６ｎｍ、かつ、屈折率が２．２２〜２．３７であり、前記シリコン酸化膜は、膜厚が５２ｎｍ〜６０ｎｍあるいは７０ｎｍ〜７８ｎｍ、かつ、屈折率が１．４２５〜１．４９であり、前記ＩＴＯ膜は、膜厚が１７ｎｍ〜２３ｎｍ、かつ、屈折率が１．８７〜１．９４５であることが好ましい。このように構成すると、第１の透光性電極および第２の透光性電極を構成するＩＴＯ膜の膜厚が厚いので、透光性電極の低抵抗化を図ることができる。
本発明では、前記透光性基板において前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極が形成されている側の面は、少なくとも透光性樹脂層で覆われている構成を採用することができ、このような透光性樹脂層は、層間絶縁膜や粘着剤層によって構成される。このように構成すると、透光性樹脂層を設ける前の状態で透光性電極の存在が多少目立っても、透光性樹脂層を設けた後は、透光性電極の存在が目立たなくなる。
本発明を適用した静電容量型入力装置を用いて入力機能付き表示装置を構成する場合、前記静電容量型入力装置における入力面とは反対側に画像生成装置が重ねて配置される。
本発明を適用した入力機能付き表示装置は、携帯電話、電子手帳、ＰＯＳ端末などの端末装置などといった電子機器に用いることができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、図１（ｂ）は各々、本発明を適用した入力機能付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力機能付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１（ｂ）において、第１の透光性電極パターン（第１の透光性電極）および第２の透光性電極パターン（第２の透光性電極）について実線で簡略化して示してあり、それらの数も減らして示してある。
図１（ａ）において、本形態の入力機能付き表示装置１００は概ね、画像生成装置としての液晶装置５０と、この画像生成装置において表示光を出射する側の面に重ねて配置されたパネル状の入力装置１０（タッチパネル）とを有している。液晶装置５０は、透過型、反射型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶パネル５０ａを備えており、透過型あるいは半透過反射型の液晶パネルの場合、表示光の出射側とは反対側にバックライト装置（図示せず）が配置される。また、液晶装置５０においては、液晶パネル５０ａに対して位相差板や偏光板（図示せず）が重ねて配置される。液晶パネル５０ａは、素子基板５１と、素子基板５１に対して対向配置された対向基板５２と、対向基板５２と素子基板５１との間に保持された液晶層とを備えており、素子基板５１において、対向基板５２の縁から張り出した領域にはフレキシブル基板５３が接続されている。素子基板５１には駆動用ＩＣがＣＯＧ実装されることもある。いずれの場合も、液晶装置５０は動画や静止画を表示可能であり、入力装置１０に対する入力を行う際、入力情報に対応する指示画像を表示する。従って、利用者は、入力装置１０で表示された指示画像を指で接触すれば、情報の入力を行うことができる。
入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、透光性基板１５と、この透光性基板１５に後述する粘着剤層（透光性樹脂層）を介して貼り合わされた透光性のカバー基板４０と、透光性基板１５の端部に接続されたフレキシブル基板１９とを備えている。フレキシブル基板１９には、入力装置１０において入力位置の検出を行うための駆動回路（図示せず）が接続されている。入力装置１０においては、カバー基板４０の上面によって入力面１０ｂが構成されており、カバー基板４０の略中央領域が指先による入力が行われる入力領域１０ａになっている。
図１（ｂ）に示すように、透光性基板１５の入力面１０ｂ側の面のうち、入力領域１０ａに相当する領域には、矢印Ｘで示す第１の方向に延在する複数列の第１の透光性電極パターン１１と、矢印Ｙで示す第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数列の第２の透光性電極パターン１２とが形成されている。
このような構成の入力装置１０では、複数の第１の透光性電極パターン１１および複数の第２の透光性電極パターン１２に順次、電圧印加し、電荷を与えた際、入力領域１０ａにおけるいずれかの箇所に導電体である指が触れると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と、指との間でも容量を持ち、その結果として静電容量が低下するので、いずれの箇所に指が触れたかを検出することができる。
（入力装置１０の詳細構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置を図２のＡ１−Ａ１’線に相当する位置で切断したときの様子を模式的に示す断面図、透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図、および光学干渉を利用した反射防止技術の説明図である。なお、図２においては、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの一部を抜粋して示してある。
図１（ｂ）、図２および図３（ａ）に示すように、本形態の入力装置１０において、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されている。また、入力領域１０ａにおいて、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８が複数、存在する。
そこで、本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２のうちの一方の電極パターンは、交差部分１８でも繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れている構成になっている。本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１が繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている構成になっている。
また、交差部分１８における第１の透光性電極パターン１１の上層側には、透光性の層間絶縁膜４ａが形成されているとともに、この層間絶縁膜４ａの上層には、交差部分１８で途切れている第２の透光性電極パターン１２同士を電気的に接続する透光性の中継電極５ａが形成されている。このため、第２の透光性電極パターン１２は第２の方向で電気的に接続されている。
ここで、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、交差部分１８で挟まれた領域に菱形形状の大面積のパッド部（大面積部分）１１ａ，１２ａを備えており、第１の透光性電極パターン１１において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃは、パッド部（大面積部分）１１ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極５ａも、パッド部（大面積部分）１１ａ，１２ａより幅の狭い細幅形状で短冊状に形成されている。
さらに、透光性基板１５において第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている側の面には、入力領域１０ａに粘着剤層３０（透光性樹脂層）により透光性のカバー基板４０が貼られている。
図１（ａ）、図１（ｂ）、および図３（ｂ）に示すように、透光性基板１５において入力領域１０ａの外側領域には、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の各々に電気的に接続する複数の金属配線９ａが形成されており、これらの金属配線９ａの端部は、フレキシブル基板１９を接続するための端子１９ａを構成している。
このように構成した入力装置１０において、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差に起因して、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまい、見栄えを低下させる。本形態では、かかる見栄えの低下を防止することを目的に、図３（ｃ）を参照して以下に説明する光学干渉を利用した反射防止技術に基づいて、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の材質および厚さを設定してある。
光学干渉を利用した反射防止技術とは、図３（ｃ）に示すように、射光が薄膜の表面、および基板と薄膜の界面で反射した際、この表面反射光と界面反射光の位相を逆転させ打ち消しあうことで反射光を軽減する技術である。すなわち、図３（ｃ）において、空気層の屈折率（ｎ0）と、薄膜の屈折率（ｎ1）と膜厚（ｄ1）と、基板の屈折率（ｎ2）が、下記の式
（ｎ1）2＝ｎ0×ｎ2
ｎ1×ｄ1＝λ／４
を満たす場合、波長λ（ｎｍ）における反射率が０％となる。ここで、反射防止効果は波長依存性があり、薄膜の膜依存性もあることから、光学シミュレーションを行ったところ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２も含めて、上記の光学干渉を利用した反射防止技術を利用すれば、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差が解消され、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を見えなくできるという結論を得た。
そこで、本形態では、まず、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２はＩＴＯ膜３ａにより形成され、第１の透光性電極パターン１１と透光性基板１５との層間、および第２の透光性電極パターン１２と透光性基板１５との層間には、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２とともに、図３（ｃ）を参照して説明した反射防止構造を実現するための多層膜２０が形成されている。
本形態では、多層膜２０として、透光性基板１５の表面に形成されたニオブ酸化膜１ａと、このニオブ酸化膜１ａの上層に形成されたシリコン酸化膜２ａとが用いられ、かかる多層膜２０は、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側に下地膜として、パターニングされずにベタパターンとして形成され、入力領域において第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域を含む全領域に形成されている。ニオブ酸化膜１ａはＮｂ2Ｏ5と表されるが、成膜条件によってはニオブ原子と酸素原子との比がシフトすることがあり、このようなシフトによって屈折率もシフトする。また、シリコン酸化膜２ａはＳｉＯ2と表されるが、成膜条件によってはシリコン原子と酸素原子との比がシフトすることもあり、このようなシフトによって屈折率もシフトする。また、ＩＴＯ膜３ａも、成膜条件によっては、インジウム原子や錫原子と酸素原子の比がシフトすることもあり、このようなシフトによって屈折率もシフトする。
このような多層膜２０を用いて反射防止構造を実現するにあたって、本形態では、透光性基板１５の屈折率、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成するＩＴＯ膜３ａの膜厚や屈折率などを考慮して、ニオブ酸化膜１ａおよびシリコン酸化膜２ａの膜厚を最適化してある。また、ニオブ酸化膜１ａ、シリコン酸化膜２ａ、およびＩＴＯ膜３ａについては成膜条件によって、屈折率が相違することから、本形態では、図４〜図６に示す検討結果に基づいて、各層の屈折率や膜厚は、以下に示す条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５、厚さ＝５５ｎｍあるいは７５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
に設定してある。
（ニオブ酸化膜１ａの構成と、ＩＴＯ膜３ａの有無での反射率差との関係）
図４を参照して、本発明を適用した入力装置におけるニオブ酸化膜１ａの屈折率および膜厚と、ＩＴＯ膜３ａの有無による反射率差との関係を説明する。図４（ａ）、図４（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるニオブ酸化膜１ａの膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフである。
図４（ａ）には、各種検討結果のうち、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５、厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、ニオブ酸化膜１ａの膜厚を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
また、図４（ｂ）には、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５、厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、ニオブ酸化膜１ａの屈折率を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、ニオブ酸化膜１ａの膜厚を５ｎｍとし、屈折率を２．３０に設定すると、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差を最小とすることができ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくすることができる。
ニオブ酸化膜１ａは、膜厚を５ｎｍ、屈折率を２．３０に設定した場合にＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差が最小となるが、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、反射率差が０．１％以下となる範囲の膜厚（４ｎｍ〜６ｎｍ）及び屈折率（２．２２〜２．３７）に設定すれば、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくする効果が得られる。
（シリコン酸化膜２ａの構成と、ＩＴＯ膜３ａの有無での反射率差との関係）
図５を参照して、本発明を適用した入力装置におけるシリコン酸化膜２ａの屈折率および膜厚と、ＩＴＯ膜３ａの有無による反射率差との関係を説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるシリコン酸化膜２ａの膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフである。
図５（ａ）には、各種検討結果のうち、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、シリコン酸化膜２ａの膜厚を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
また、図５（ｂ）には、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、シリコン酸化膜２ａの屈折率を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２ａの膜厚を５５ｎｍあるいは７５ｎｍとし、屈折率を１．４５に設定すると、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差を最小とすることができ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくすることができる。
シリコン酸化膜２ａは、膜厚を５５ｎｍあるいは７５ｎｍ、屈折率を１．４５に設定した場合にＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差が最小となるが、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、反射率差が０．０５％以下となる範囲の膜厚（５２ｎｍ〜６０ｎｍあるいは７０ｎｍ〜７８ｎｍ）及び屈折率（１．４２５〜１．４９）に設定すれば、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくする効果が得られる。
（ＩＴＯ膜３ａの構成と、ＩＴＯ膜３ａの有無での反射率差との関係）
図６を参照して、本発明を適用した入力装置におけるＩＴＯ膜３ａの屈折率および膜厚と、ＩＴＯ膜３ａの有無による反射率差との関係を説明する。図６（ａ）、図６（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるＩＴＯ膜３ａの膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフである。
図６（ａ）には、各種検討結果のうち、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５、厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、ＩＴＯ膜３ａの膜厚を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
また、図６（ｂ）には、以下の条件
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
を固定して、ＩＴＯ膜３ａの屈折率を変えた場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示してある。
図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜３ａの膜厚を２０ｎｍとし、屈折率を１．９１に設定すると、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差を最小とすることができ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくすることができる。
ＩＴＯ膜３ａは、膜厚を２０ｎｍ、屈折率を１．９１に設定した場合にＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差が最小となるが、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、反射率差が０．１％以下となる範囲の膜厚（１７ｎｍ〜２３ｎｍ）及び屈折率（１．８７〜１．９４５）に設定すれば、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくする効果が得られる。
（入力装置１０の製造方法）
図７（ａ）〜図７（ｅ）は、本発明の実施の形態１に係る入力装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図７（ａ）〜図７（ｅ）には、透光性電極パターン、交差部および金属配線を纏めて示してあり、左側には図３（ａ）に相当する部分を示し、右側には図３（ｂ）に相当する部分を示してある。
本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、透光性基板１５（ガラス基板）の一方の面全体に、膜厚が５ｎｍのニオブ酸化膜１ａ、膜厚が５５ｎｍのシリコン酸化膜２、および膜厚が２０ｎｍの多結晶のＩＴＯ膜３を形成した後、金属膜９を形成する。このようにして、ニオブ酸化膜１ａとシリコン酸化膜２との多層膜２０（下地膜）の上にＩＴＯ膜３および金属膜９を積層した状態とする。
次に、金属膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図７（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。
次に、金属配線９ａおよびＩＴＯ膜３などの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、ＩＴＯ膜３をエッチングし、図７（ｃ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を同時にパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。このようにして形成した第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８において、第１の透光性電極パターン１１は、パッド部（大面積部分）１１ａが接続部分１１ｃを介して繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている。本形態でも、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２をパターニング形成する際、多層膜２０をパターニングしない分、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２のパターニング形成を容易かつ効率よく行うことができるので、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
次に、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側にアクリル樹脂を塗布した後、露光現像し、図７（ｄ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１の接続部分１１ｃを覆うように層間絶縁膜４ａを形成する。
次に、層間絶縁膜４ａの上層側にアモルファスのＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態でＩＴＯ膜をエッチングし、図７（ｅ）に示すように、層間絶縁膜４ａの上層に、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分を繋ぐように中継電極５ａを形成する。しかる後には、温度が２００℃以上の条件、例えば、温度が２２０℃、時間が２０分〜３０分の条件で焼成を行い、中継電極５ａを構成するＩＴＯ膜を多結晶のＩＴＯ膜とする。アモルファスのＩＴＯ膜であればシュウ酸などでエッチングでき、シュウ酸であれば多結晶のＩＴＯ膜をエッチングしないので、中継電極５ａをパターニング形成する際、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成するＩＴＯ膜３ａが損傷することがない。また、焼成により、中継電極５ａを構成するＩＴＯ膜を多結晶のＩＴＯ膜とするため、中継電極５ａの電気的抵抗を低減することもできる。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側は、異なる屈折率を備えた透光性薄膜同士が重なるように形成された多層膜２０（ニオブ酸化膜１ａ、シリコン酸化膜２ａ）が形成されているため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差を解消することできる。すなわち、本形態では、透光性基板１５がガラス基板であって、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜３ａからなる第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２に対して、膜厚が５ｎｍのニオブ酸化膜１ａと膜厚が５５ｎｍのシリコン酸化膜２ａからなる多層膜２０を下地膜として積層し、各界面で反射した光の位相を逆転させ打ち消し合う構成になっている。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差を解消できるので、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまうことを防止することができる。
逆に言えば、本発明では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２に対して、膜厚が５ｎｍのニオブ酸化膜１ａと膜厚が５５ｎｍのシリコン酸化膜２ａからなる多層膜２０を下地膜として積層してあるため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２として、２０ｎｍという厚いＩＴＯ膜３ａを用いることができ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の電気抵抗を低減した場合でも、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまうことを防止することができる。
特に本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が大面積のパッド部（大面積部分）１１ａ，１２ａを備えているため、目立ちやすい形状であるが、本発明を適用すれば、かかる形状の第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を形成した場合でも、目立つのを確実に防止することができる。
また、本形態では、透光性基板１５の同一面上に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されているため、透光性基板１５の表面および裏面の各々に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化できる。しかも、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とが同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を異なる層により形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化することができる。
ここで、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を透光性基板１５の同一面側に同一層により形成すると、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とを交差させる必要があり、かかる交差部分１８の膜構成は、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と相違してしまう。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくしても、交差部分１８の存在が目立ってしまう。しかるに本形態では、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分については、層間絶縁膜４ａの上層に形成された中継電極５ａによって、電気的に接続する構成を採用し、かつ、第１の透光性電極パターン１１において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃ、および中継電極５ａを細幅にしたため、交差部分１８が占める面積が狭い。また、中継電極５ａは膜厚が１０ｎｍ〜１５ｎｍのＩＴＯ膜からなり、層間絶縁膜４ａは、アクリル樹脂からなるため、交差部分１８についても、その存在が目立たない。それ故、本発明によれば、入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、交差部分１８の存在が目立たないので、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。
［実施の形態２］
（全体構成）
図８は、本発明の実施の形態２に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。図９（ａ）、図９（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置を図８のＡ２−Ａ２’線に相当する位置で切断したときの様子を模式的に示す断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。
図８および図９（ａ）において、本形態の入力装置１０も、実施の形態１と同様、静電容量型のタッチパネルであり、透光性基板１５の入力面１０ｂのうち、入力領域１０ａには、第１の方向に延在する複数列の第１の透光性電極パターン１１と、第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数列の第２の透光性電極パターン１２とが形成されている。第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２はいずれも、透光性基板１５の同一面上に対してＩＴＯ膜３ａにより構成され、その下層側には、多層膜２０（ニオブ酸化膜１ａ、シリコン酸化膜２ａ）が形成されている。また、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８において、第１の透光性電極パターン１１は繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている。さらに、透光性基板１５において第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている側の面には、入力領域１０ａに粘着剤層３０（透光性樹脂層）により透光性のカバー基板４０が貼られている。
ここで、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の上層側には、透光性の層間絶縁膜４ｂ（透光性樹脂層）が入力領域１０ａの略全体に形成され、かかる層間絶縁膜４ｂの上層には、層間絶縁膜４ｂのコンタクトホール４ｃを介して、交差部分１８で途切れている第２の透光性電極パターン１２同士を電気的に接続する透光性の中継電極５ａが形成されている。このため、第２の透光性電極パターン１２は第２の方向で電気的に接続されている。
本形態においても、実施の形態１と略同様、各層の屈折率や膜厚は、以下のリスト
粘着剤層３０：屈折率＝１．４８、厚さ＝２２５０００ｎｍ
層間絶縁膜４ｂ：屈折率＝１．５２、厚さ＝１５００ｎｍ
ＩＴＯ膜３ａ：屈折率＝１．９１、厚さ＝２０ｎｍ
シリコン酸化膜２ａ：屈折率＝１．４５、厚さ＝５５ｎｍ
ニオブ酸化膜１ａ：屈折率＝２．３０、厚さ＝５ｎｍ
透光性基板１５（ガラス）：屈折率＝１．５２、厚さ＝５０００００ｎｍ
に示す条件に設定してある。
実施形態１の図４（ａ）、図４（ｂ）は、ニオブ酸化膜の膜厚と屈折率、図５（ａ）、図５（ｂ）は、シリコン酸化膜の膜厚と屈折率、図６（ａ）、図６（ｂ）は、ＩＴＯ膜の膜厚と屈折率を変化させた場合であり、且つ層間絶縁膜４ｂ無し（厚さ＝０ｎｍ）で粘着剤層を有した場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示したものである。本実施形態２は、層間絶縁膜４ｂの屈折率（＝１．５２）が粘着剤層の屈折率（＝１．４８）に近く、層間絶縁膜４ｂの膜厚（＝１５００ｎｍ）が粘着剤層の膜厚（＝２２５０００ｎｍ）に比べ著しく薄いため、ＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の数値の結果は略同等である。すなわち、図４（ａ）、図４（ｂ）は、ニオブ酸化膜の膜厚と屈折率、図５（ａ）、図５（ｂ）は、シリコン酸化膜の膜厚と屈折率、図６（ａ）、図６（ｂ）は、ＩＴＯ膜の膜厚と屈折率を変化させた場合であり、且つ層間絶縁膜４ｂ（厚さ＝１５００ｎｍ、屈折率＝１．５２）で粘着剤層（厚さ＝２２５０００ｎｍ、屈折率＝１．４８）を有した場合におけるＩＴＯ膜３ａ（透光性電極パターン）の有無による反射率差の変化を示したものである。
第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、交差部分１８で挟まれた領域に菱形形状のパッド部を備えており、第１の電極パターンにおいて交差部分１８に位置する接続部分１１ｃは、パッド部より幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極５ａも、パッド部より幅の狭い細幅形状で短冊状に形成されている。
図９（ｂ）に示すように、透光性基板１５において入力領域１０ａの外側領域には、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の各々に電気的に接続する複数の金属配線９ａが形成されており、これらの金属配線９ａの端部は、フレキシブル基板を接続するための端子１９ａを構成している。
（入力装置１０の製造方法）
図１０（ａ）〜図１０（ｅ）は、本発明の実施の形態２に係る入力装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図１０（ａ）〜図１０（ｅ）には、透光性電極パターン、交差部および金属配線を纏めて示してあり、左側には図９（ａ）に相当する部分を示し、右側には図９（ｂ）に相当する部分を示してある。
本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図１０（ａ）に示すように、透光性基板１５（ガラス基板）の一方の面全体に、膜厚が５ｎｍの多結晶のニオブ酸化膜１ａ、膜厚が５５ｎｍのシリコン酸化膜２、および膜厚が２０ｎｍの多結晶のＩＴＯ膜３を形成した後、金属膜９を形成する。
次に、金属膜９の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図１０（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。
次に、金属配線９ａなどの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、ＩＴＯ膜３をエッチングし、図１０（ｃ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成するＩＴＯ膜３ａをパターニング形成する。次に、エッチングマスクを除去する。
次に、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側にアクリル樹脂を塗布した後、露光現像し、図１０（ｄ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２の交差部分１８に重なるように層間絶縁膜４ｂを形成する。その際、層間絶縁膜４ｂにはコンタクトホール４ｃが同時形成される。
次に、層間絶縁膜４ｂの上層側に多結晶のＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態でＩＴＯ膜をエッチングし、中継電極５ａを形成する。その際、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、層間絶縁膜４ｂで覆われているので、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が損傷することがない。また、多結晶のＩＴＯ膜の代わりに、アモルファスのＩＴＯ膜を形成し、感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態でシュウ酸によりエッチングし、パターン形成後にアニールして多結晶のＩＴＯ膜にしても良い。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１と同様、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には多層膜（ニオブ酸化膜１ａおよびシリコン酸化膜２ａ）が形成されているため、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を解消することできるので、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が目立たないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
［その他の実施の形態］
上記形態では、金属配線９ａの端部をそのまま、端子１９ａとして利用したが、金属配線９ａの端部の上層にＩＴＯ層を中継電極５ａと同時形成し、端子１９ａとしてもよい。また、実施の形態２では、入力領域１０ａのみに層間絶縁膜４ｂを形成したが、端子１９ａの表面を除く略全面に層間絶縁膜４ｂを形成してもよい。
また、上記実施の形態では、薄膜光学干渉を用いた多層膜構成の例として、シリコン酸化膜２ａの膜厚を厚さ＝５５ｎｍを中心に説明したが、図５（ａ）に示す結果に基づいて７５ｎｍとしてもよい。
また、ニオブ酸化膜１ａ、シリコン酸化膜２ａおよびＩＴＯ膜３ａの膜厚、屈折率については、１０％程度の許容範囲を設定しても、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差をかなり圧縮することができる。
上記形態では、画像生成装置としての液晶装置５０を用いたが、有機エレクトロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置を画像生成装置として用いてもよい。
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力機能付き表示装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１（ａ）に、入力機能付き表示装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての入力機能付き表示装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１１（ｂ）に、入力機能付き表示装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての入力機能付き表示装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力機能付き表示装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１１（ｃ）に、入力機能付き表示装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての入力機能付き表示装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力機能付き表示装置１００に表示される。
なお、入力機能付き表示装置１００が適用される電子機器としては、図１１に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末などの端末機器等などが挙げられる。
（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力機能付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力機能付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図。 本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置を図２のＡ１−Ａ１’線に相当する位置で切断したときの様子を模式的に示す断面図、透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図、および光学干渉を利用した反射防止技術の説明図。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるニオブ酸化膜の膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフ。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるシリコン酸化膜の膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフ。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置におけるＩＴＯ膜の膜厚および屈折率と、ＩＴＯ膜（透光性電極パターン）の有無による反射率差との関係を示すグラフ。 本発明の実施の形態１に係る入力装置の製造方法を示す工程断面図。 本発明の実施の形態２に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置を図８のＡ２−Ａ２’線に相当する位置で切断したときの様子を模式的に示す断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図。 本発明の実施の形態２に係る入力装置の製造方法を示す工程断面図。 本発明に係る入力機能付き表示装置を用いた電子機器の説明図。
符号の説明
１ａ…ニオブ酸化膜、２ａ…シリコン酸化膜、３ａ…ＩＴＯ膜、４ａ，４ｂ…層間絶縁膜、５ａ…中継電極、９ａ…金属配線、１０…入力装置、１１…第１の透光性電極パターン、１２…第２の透光性電極パターン、１５…透光性基板、１８…交差部分、１１ａ，１２ａ…パッド部（大面積部分）、１１ｃ…接続部分、５０…画像生成装置としての液晶装置、１００…表示ユニットとしての入力機能付き表示装置。

Claims (8)

  1. 透光性基板と、
    前記透光性基板の一方の面に形成され、異なる屈折率を備えた複数の透光性薄膜を含み、当該複数の透過性薄膜の一つの透過性薄膜がニオブ酸化膜である多層膜と、
    前記透光性基板の入力領域の前記多層膜の上層に形成され、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極と、
    前記透光性基板の入力領域の前記多層膜の上層に形成され、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極と、を備えることを特徴とする静電容量型入力装置。
  2. 前記第１の透光性電極と前記第２の透光性電極とは、同一構成の前記多層膜上に同一材料で形成され、
    前記第１の透光性電極と前記第２の透光性電極との交差部分では、前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極のうちの一方の電極が繋がっている一方、他方の電極は途切れており、
    少なくとも前記交差部分における前記一方の電極の上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
  3. 前記多層膜は、前記入力領域において前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極が形成されていない領域を含む全領域に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の静電容量型入力装置。
  4. 前記透光性基板はガラス基板であり、
    前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極は、ＩＴＯ膜からなり、
    前記多層膜は、前記透光性基板上に形成されたニオブ酸化膜と、該ニオブ酸化膜上に積層されたシリコン酸化膜とからなることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の静電容量型入力装置。
  5. 前記ニオブ酸化膜は、膜厚が４ｎｍ〜６ｎｍ、かつ、屈折率が２．２２〜２．３７であり、
    前記シリコン酸化膜は、膜厚が５２ｎｍ〜６０ｎｍあるいは７０ｎｍ〜７８ｎｍ、かつ、屈折率が１．４２５〜１．４９であり、
    前記ＩＴＯ膜は、膜厚が１７ｎｍ〜２３ｎｍ、かつ、屈折率が１．８７〜１．９４５であることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型入力装置。
  6. 前記透光性基板において前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極が形成されている側の面は、少なくとも透光性樹脂層で覆われていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の静電容量型入力装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の静電容量型入力装置を備えた入力機能付き表示装置であって、
    前記静電容量型入力装置における入力面とは反対側に画像生成装置が重ねて配置されていることを特徴とする入力機能付き表示装置。
  8. 請求項７に記載の入力機能付き表示装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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