JP2009080162A - Photosensitive composition and pattern forming method using the same - Google Patents

Photosensitive composition and pattern forming method using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as IC, a circuit board manufacturing process such as liquid crystal or thermal head, and other photofabrication processes, which is improved in four points of sensitivity, resolution, line edge roughness and pattern collapse. <P>SOLUTION: The photosensitive composition contains (A) a polymer which has a repeating unit having a specific acetal structure, and is decomposed by the effect of acid and increased in solubility to alkali developer; (B) a polymer having a repeating unit having a specific acetal structure, and is decomposed by the effect of acid and increased in solubility to alkali developer; and (C) a compound which generates an acid irradiated with active ray or radiation. The pattern forming method uses the composition. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路素子、集積回路製造用マスク、プリント配線板、液晶パネル等の製造に好適に用いることができる感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a photosensitive composition that can be suitably used for manufacturing semiconductor integrated circuit elements, integrated circuit manufacturing masks, printed wiring boards, liquid crystal panels, and the like, and a pattern forming method using the same.

感光性組成物として、化学増幅型感光性組成物がある。化学増幅型感光性組成物は、遠紫外光等の活性光線又は放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性光線又は放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。   As the photosensitive composition, there is a chemically amplified photosensitive composition. The chemically amplified photosensitive composition generates an acid in an exposed area by irradiation with actinic light or radiation such as far ultraviolet light, and a reaction using this acid as a catalyst to react an active light or radiation irradiated part with a non-irradiated part. It is a pattern forming material for changing the solubility in a developer to form a pattern on a substrate.

化学増幅型感光性組成物として、特許文献1(特開平2−19847号公報)には、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)のフェノール性ヒドロキシル基を全部あるいは部分的にテトラヒドロピラニル基で保護した樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物が開示されている。
特許文献2(特開平4−219757号公報)には、同様にポリ(p−ヒドロキシスチレン)のフェノール性ヒドロキシル基の20〜70%がアセタール基で置換された樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物が開示されている。
更に、特許文献3(特開平5−249682号公報)には、同様のアセタール保護された樹脂を用いたフォトレジスト組成物が開示されている。
また、特許文献4(特開平8−123032号公報)には、アセタール基で置換された基を含む三元共重合体を用いたフォトレジスト組成物が示されている。
更に、特許文献5(特開平5−113667号公報)、特許文献6(特開平6−266112号公報)、特許文献7(特開平6−289608号公報)、特許文献8(特開平7−209868号公報)にはヒドロキシスチレンと(メタ)アクリレート共重合体よりなるフォトレジスト組成物が開示されている。
また、特許文献9(特開平9−297396号公報)には、酸により分解し得る基を有する重合体、感放射線性酸発生剤、フェノール性水酸基を有する分子量1000未満の化合物中のフェノール性水酸基の水素原子をアセタール化した化合物、並びに酸拡散制御材を含有する感光性樹脂組成物が記載されている。この組成物は、コンタクトホールの解像力、断面形状、及びフォーカス許容性に優れることが記載されている。
しかしながら、従来の化学増幅型感光性組成物は、感度、解像度、ラインエッジラフネス及びパターン倒れの4点で必ずしも充分な成果は、得られていなかった。
As a chemically amplified photosensitive composition, Patent Document 1 (JP-A-2-19847) discloses a resin in which the phenolic hydroxyl groups of poly (p-hydroxystyrene) are all or partly protected with tetrahydropyranyl groups. There is disclosed a photoresist composition characterized by containing.
Patent Document 2 (JP-A-4-219757) similarly includes a resin in which 20 to 70% of the phenolic hydroxyl groups of poly (p-hydroxystyrene) are substituted with acetal groups. A photoresist composition is disclosed.
Further, Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-249682) discloses a photoresist composition using a similar acetal-protected resin.
Patent Document 4 (JP-A-8-123032) discloses a photoresist composition using a ternary copolymer containing a group substituted with an acetal group.
Further, Patent Document 5 (Japanese Patent Laid-Open No. 5-113667), Patent Document 6 (Japanese Patent Laid-Open No. 6-266112), Patent Document 7 (Japanese Patent Laid-Open No. 6-289608), Patent Document 8 (Japanese Patent Laid-Open No. 7-209868). Discloses a photoresist composition comprising hydroxystyrene and a (meth) acrylate copolymer.
Patent Document 9 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-297396) discloses a polymer having a group that can be decomposed by an acid, a radiation-sensitive acid generator, and a phenolic hydroxyl group in a compound having a phenolic hydroxyl group and a molecular weight of less than 1000. A photosensitive resin composition containing a compound obtained by acetalizing a hydrogen atom and an acid diffusion control material is described. It is described that this composition is excellent in resolving power of contact holes, cross-sectional shape, and focus tolerance.
However, the conventional chemical amplification type photosensitive composition has not necessarily achieved sufficient results in four points of sensitivity, resolution, line edge roughness, and pattern collapse.

特開平2−19847号公報JP-A-2-19847 特開平4−219757号公報JP-A-4-219757 特開平5−249682号公報JP-A-5-249682 特開平8−123032号公報JP-A-8-123032 特開平5−113667号公報JP-A-5-113667 特開平6−266112号公報JP-A-6-266112 特開平6−289608号公報JP-A-6-289608 特開平7−209868号公報JP-A-7-209868 特開平9−297396号公報JP-A-9-297396

本発明の目的は、感度、解像度、ラインエッジラフネス及びパターン倒れの4点で改良
された感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a photosensitive composition improved in four points of sensitivity, resolution, line edge roughness and pattern collapse, and a pattern forming method using the same.

本発明は、下記構成である。   The present invention has the following configuration.

(1) (A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー、(B)下記一般式(II)で表される繰り返単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物。   (1) (A) a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (I), which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, (B) in the following general formula (II) A polymer which has a repeating unit represented by the formula and is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, and (C) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. A photosensitive composition.

一般式(I)に於いて、
Lは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Zは、環状構造を有さない基を表す。
1は、水素原子又は置換基を表す。
3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
5は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
a及びbは、それぞれ、1≦a、1≦bであり、且つ、(a+b)=5である。
一般式(II)に於いて、
L’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Wは、環状構造を有する基を表す。
2は、水素原子又は置換基を表す。
4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
c及びdは、それぞれ、1≦c、1≦dであり、且つ、(c+d)=5である。
In general formula (I),
L represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
Z represents a group having no cyclic structure.
R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
a and b are 1 ≦ a, 1 ≦ b, and (a + b) = 5, respectively.
In general formula (II):
L ′ represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
W represents a group having a cyclic structure.
R 2 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 4 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
c and d are 1 ≦ c, 1 ≦ d, and (c + d) = 5, respectively.

(2) X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とする、(1)に記載の感光性組成物。   (2) The photosensitive composition as described in (1), which is exposed to X-rays, electron beams or EUV.

(3) (1)又は(2)に記載の感光性組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   (3) A pattern forming method comprising the steps of: forming a photosensitive film from the photosensitive composition according to (1) or (2); and exposing and developing the photosensitive film.

以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。   The preferred embodiments of the present invention will be further described below.

(4) R1及びR2の内の少なくとも1つが、置換基であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の感光性組成物。 (4) The photosensitive composition as described in (1) or (2), wherein at least one of R 1 and R 2 is a substituent.

(5) Zが、炭素数8以下であり、且つ、Wが、炭素数8以上であることを特徴とする(1)、(2)及び(4)のいずれかに記載の感光性組成物。   (5) The photosensitive composition as described in any one of (1), (2) and (4), wherein Z has 8 or less carbon atoms, and W has 8 or more carbon atoms. .

(6) 更に、シリコン系及び/又はフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とする(1)、(2)、(4)及び(5)のいずれかに記載の感光性組成物。   (6) The photosensitive composition as described in any one of (1), (2), (4) and (5), which further contains a silicon-based and / or fluorine-based surfactant.

(7) 更に、塩基性化合物を含有することを特徴とする(1)、(2)及び(4)〜(6)のいずれかに記載の感光性組成物。   (7) The photosensitive composition as described in any one of (1), (2) and (4) to (6), which further contains a basic compound.

(8) 更に、溶剤を含有することを特徴とする(1)、(2)及び(4)〜(7)のいずれかに記載の感光性組成物。   (8) The photosensitive composition as described in any one of (1), (2) and (4) to (7), which further contains a solvent.

本発明により、高感度、高解像度、低ラインエッジラフネス、且つパターン倒れが抑制された感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することができる。   The present invention can provide a photosensitive composition having high sensitivity, high resolution, low line edge roughness, and suppressed pattern collapse, and a pattern forming method using the same.

以下、本発明について詳細に説明する。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of a group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substituted and unsubstituted includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー及び(B)一般式(II)で表される繰り返単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー
本発明の感光性組成物は、下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー(以下、「酸分解性ポリマー(A)」ともいう)及び下記一般式(II)で表される繰り返単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー(以下、「酸分解性ポリマー(B)」ともいう)を含有する。
(A) a polymer having a repeating unit represented by the general formula (I), which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, and (B) a repeating represented by the general formula (II) The polymer which has a unit and decomposes | disassembles by the effect | action of an acid, and the solubility with respect to an alkali developing solution increases The photosensitive composition of this invention has a repeating unit represented by the following general formula (I), and an effect | action of an acid Which has a repeating unit represented by the following general formula (II) and a polymer which is decomposed by the above-described decomposition to increase the solubility in an alkali developer (hereinafter also referred to as “acid-decomposable polymer (A)”) Contains a polymer (hereinafter also referred to as “acid-decomposable polymer (B)”) that is decomposed by the above-described method to increase the solubility in an alkali developer.

一般式(I)に於いて、
Lは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Zは、環状構造を有さない基を表す。
1は、水素原子又は置換基を表す。
3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
5は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
a及びbは、それぞれ、1≦a、1≦bであり、且つ、(a+b)=5である。
一般式(II)に於いて、
L’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Wは、環状構造を有する基を表す。
2は、水素原子又は置換基を表す。
4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
c及びdは、それぞれ、1≦c、1≦dであり、且つ、(c+d)=5である。
In general formula (I),
L represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
Z represents a group having no cyclic structure.
R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
a and b are 1 ≦ a, 1 ≦ b, and (a + b) = 5, respectively.
In general formula (II):
L ′ represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
W represents a group having a cyclic structure.
R 2 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 4 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
c and d are 1 ≦ c, 1 ≦ d, and (c + d) = 5, respectively.

一般式(I)及び(II)に於ける、L及びL’のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基が挙げられる。
L及びL’のシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数3〜20個のシクロアルキル基が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by L and L ′ in the general formulas (I) and (II) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, Examples thereof include straight-chain or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as a pentyl group, hexyl group, octyl group and dodecyl group.
Examples of the cycloalkyl group of L and L ′ include cycloalkyl groups having 3 to 20 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

L及びL’のアルキル基、シクロアルキル基が有し得る好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキル若しくはシクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数12以下である。   Preferred examples of the substituent that the alkyl group and cycloalkyl group of L and L ′ may have include, for example, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, and an acyloxy group. A heterocyclic residue such as an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkyl or cycloalkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, a thiophenecarbonyloxy group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, a pyrrolidone residue, The number is 12 or less.

置換基を有するアルキル基として、例えば、シクロヘキシルエチル基、アルキル若しくはシクロアルキルカルボニルオキシメチル基、アルキル若しくはシクロアルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキル若しくはシクロアルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキル若しくはシクロアルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキル若しくはシクロアルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキル若しくはシクロアルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラルキルチオエチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group having a substituent include, for example, cyclohexylethyl group, alkyl or cycloalkylcarbonyloxymethyl group, alkyl or cycloalkylcarbonyloxyethyl group, arylcarbonyloxyethyl group, aralkylcarbonyloxyethyl group, alkyl or cycloalkyloxymethyl. Group, aryloxymethyl group, aralkyloxymethyl group, alkyl or cycloalkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, aralkyloxyethyl group, alkyl or cycloalkylthiomethyl group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group, alkyl or cyclo Examples thereof include an alkylthioethyl group, an arylthioethyl group, an aralkylthioethyl group, and the like.

これらの基におけるアルキル基、シクロアルキル基は、特に限定されないが、更にアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。   The alkyl group and cycloalkyl group in these groups are not particularly limited, but may further have a substituent such as an alkyl group or an alkoxy group.

上記アルキル若しくはシクロアルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。   Examples of the alkyl or cycloalkylcarbonyloxyethyl group include a cyclohexylcarbonyloxyethyl group, a t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, an n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and the like.

アリールも特に限定されないが、一般的にフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基のような炭素数6〜14のものが挙げられ、更にアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。上記アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基、シクロヘキシルフェニルオキシエチル基等を挙げることができる。   Aryl is not particularly limited, but generally includes those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, and further, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group. You may have substituents, such as group. Examples of the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group, a cyclohexylphenyloxyethyl group, and the like.

アラルキルも特に限定されないが、ベンジル基などを挙げることができる。上記アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。   Aralkyl is not particularly limited, and examples thereof include a benzyl group. Examples of the aralkylcarbonyloxyethyl group include a benzylcarbonyloxyethyl group.

L及びL’のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基などの炭素数7〜15個のものを挙げることができる。   Examples of the aralkyl groups of L and L ′ include those having 7 to 15 carbon atoms such as benzyl group and phenethyl group.

アラルキル基ヘの好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキル若しくはシクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基等が挙げられ、置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基、フェニルチオフェネチル基等を挙げることができる。L、L’、Z又はWとしてのアラルキル基が有し得る置換基の炭素数の範囲は、好ましくは12以下である。   Preferred examples of the substituent for the aralkyl group include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkyl or cycloalkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group. Examples of the aralkyl group having a substituent include an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthiophenethyl group. The range of the number of carbon atoms of the substituent that the aralkyl group as L, L ′, Z or W may have is preferably 12 or less.

L及びL’は、水素原子又はアルキル基(好ましくは炭素数1〜5)であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。   L and L ′ are preferably a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), and more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

一般式(I)に於ける、Zの環状構造を有さない基は、置換基(環状構造を有する基を除く)有していてもよい、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができ、エチル基が特に好ましい。
Zの環状構造を有さない基の置換基としては、水酸基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)等を挙げることができる。
Zは、炭素数8以下であることが好ましい。
In the general formula (I), the group not having a cyclic structure of Z may have a substituent (excluding a group having a cyclic structure) and may be a linear or branched alkyl having 1 to 15 carbon atoms. Group is preferable, and examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, and a t-butyl group, and an ethyl group is particularly preferable.
Examples of the substituent of the group not having a cyclic structure of Z include a hydroxyl group and an alkoxy group (preferably having 1 to 5 carbon atoms).
Z preferably has 8 or less carbon atoms.

一般式(II)に於ける、Wの環状構造を有する基は、シクロアルキル基又はアリール基を有する基が好ましい。ここで、シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基等の炭素数5個〜12個のものが好ましい。また、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等の炭素数6個〜16個のものが好ましく、これらの基は、たとえば、メチルフェニル基、エチルフェニル基などのように更に置換基を有していてもよい。これらのシクロアルキル基又はアリール基は、そのものでWに相当する基として成り立ってもよいが、アルキル基(好ましくは炭素数1〜5)に直接若しくは他の連結基(好ましくはオキシ基)を介して結合していてもよい。Wの環状構造を有する基としては、フェノキシエチル基、シクロヘキシルフェノキシエチル基、シクロヘキシルチオエチル基、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、シクロヘキサノン−4−イル−フェノキシエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルエチル基、フェネチル基、ベンジル基が好ましく、シクロヘキシルエチル基が特に好ましい。
Wは、炭素数8以上であることが好ましい。
In general formula (II), the group having a cyclic structure of W is preferably a group having a cycloalkyl group or an aryl group. Here, as a cycloalkyl group, C5-C12 things, such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a cyclodecanyl group, are preferable. As the aryl group, those having 6 to 16 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group are preferable, and these groups further have a substituent such as a methylphenyl group and an ethylphenyl group. It may be. These cycloalkyl groups or aryl groups may be formed as groups corresponding to W by themselves, but directly or through other linking groups (preferably oxy groups) to alkyl groups (preferably having 1 to 5 carbon atoms). May be combined. Examples of the group having a cyclic structure of W include phenoxyethyl group, cyclohexylphenoxyethyl group, cyclohexylthioethyl group, t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, cyclohexanone-4-yl-phenoxyethyl. Group, cyclohexyl group, cyclohexylethyl group, phenethyl group and benzyl group are preferable, and cyclohexylethyl group is particularly preferable.
W preferably has 8 or more carbon atoms.

一般式(I)及び(II)に於ける、R1及びR2の置換基としては、いかなるものでも良く、特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基(ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、複素環基(ヘテロ環基を含む)、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基(−B(OH)2)、ホスファト基(−OPO(OH)2)、スルファト基(−OSO3H)、その他の公知の置換基が例として挙げられる。 In the general formulas (I) and (II), the substituent for R 1 and R 2 may be any one, and is not particularly limited. For example, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group (bicycloalkyl group) , Including tricycloalkyl group), alkenyl group (including cycloalkenyl group and bicycloalkenyl group), alkynyl group, aryl group, heterocyclic group (including heterocyclic group), cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxy Group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino Group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarboni Ruamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group , Aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, alkylthiocarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group , Hydrazino group, ureido group, boronic acid group (—B (OH) 2 ), phosphato group (—OPO (OH) 2 ), sulfato group (—OSO 3 H), and other known substituents. .

1及びR2の置換基として、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基が挙げられる。
アルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基等を挙げることができる。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカノイル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
アルケニル基は、炭素数2〜8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。
アリール基は、炭素数6〜18のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基等を挙げることができる。
アリールオキシ基は、炭素数6〜20のアリールオキシ基が好ましく、例えば、フェノキシ基等を挙げることができる。
アルキルチオ基は、炭素数1〜5のアルキルチオ基が好ましく、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec−ブチルチオ基等を挙げることができる。
アシル基は、炭素数1〜8個のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を挙げることができる。
アシルオキシ基は、炭素数2〜8のアシルオキシ基が好ましく、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。
アルコキシカルボニル基は、炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基が好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
アルキルチオカルボニル基は、炭素数2〜6のアルキルチオカルボニル基が好ましく、例えば、メチルチオカルボニル基、エチルチオカルボニル基、プロピルチオカルボニル基、イソプロピルチオカルボニル基、n−ブチルチオカルボニル基、イソブチルチオカルボニル基、sec−ブチルチオカルボニル基等を挙げることができる。
As the substituent for R 1 and R 2 , an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylthiocarbonyl group, A cyano group, a nitro group, and a carboxyl group are mentioned.
The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. For example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, A pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a t-pentyl group, and the like can be given.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, for example, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a cyclodecanoyl group, an adamantyl group, or a norbornyl group. And boronyl group.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group.
The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and an n-butoxy group.
The aryloxy group is preferably an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a phenoxy group.
The alkylthio group is preferably an alkylthio group having 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, an isopropylthio group, an n-butylthio group, an isobutylthio group, and a sec-butylthio group.
The acyl group is preferably an acyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, valeryl group, pivaloyl group, and benzoyl group.
The acyloxy group is preferably an acyloxy group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyroxy group, a valeryloxy group, a pivaloyloxy group, a hexanoyloxy group, an octanoyloxy group, and a benzoyloxy group. Can do.
The alkoxycarbonyl group is preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a butoxycarbonyl group.
The alkylthiocarbonyl group is preferably an alkylthiocarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, such as a methylthiocarbonyl group, an ethylthiocarbonyl group, a propylthiocarbonyl group, an isopropylthiocarbonyl group, an n-butylthiocarbonyl group, an isobutylthiocarbonyl group, A sec-butylthiocarbonyl group etc. can be mentioned.

1及びR2のいずれか、若しくは両方が、カルボニル基を有することが好ましい。 Either one or both of R 1 and R 2 preferably have a carbonyl group.

1及びR2は、アセタール基のオルト位が好ましい。 R 1 and R 2 are preferably in the ortho position of the acetal group.

一般式(I)及び(II)に於ける、R3及びR4のアルキル基、シクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基が挙げられる。
3及びR4のアルキル基、シクロアルキル基が有し得る好ましい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられる。
3及びR4としては、水素原子、メチル基、エチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
In the general formulas (I) and (II), the alkyl group and cycloalkyl group of R 3 and R 4 are methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t- Examples thereof include a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a butyl group, a pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group and a dodecyl group, and a cycloalkyl group.
Preferred substituents that the alkyl group and cycloalkyl group of R 3 and R 4 may have include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonyl group. Examples include amino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy group, thiophenemethylcarbonyloxy group, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residue.
R 3 and R 4 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom.

5及びR6のアルキル基、シクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基が挙げられる。
5及びR6のアルキル基が有し得る好ましい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられる。
5及びR6としては、水素原子、メチル基、エチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
Examples of the alkyl group and cycloalkyl group of R 5 and R 6 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, cyclopentyl group, hexyl group, cyclohexyl group. A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, such as a group, an octyl group, a dodecyl group, or a cycloalkyl group.
Preferred substituents that the alkyl group of R 5 and R 6 may have include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group. Groups, arylthio groups, aralkylthio groups, thiophenecarbonyloxy groups, thiophenemethylcarbonyloxy groups, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues.
R 5 and R 6 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom.

酸分解性ポリマー(A)は、一般式(I)で表される繰り返し単位を、好ましくは5〜
60モル%、より好ましくは5〜30モル%有することが好ましく、必要に応じて併せて他の繰り返し単位を有してもよい。
The acid-decomposable polymer (A) is a repeating unit represented by the general formula (I), preferably 5 to 5.
It is preferable to have 60 mol%, more preferably 5 to 30 mol%, and if necessary, other repeating units may be included.

酸分解性ポリマー(B)は、一般式(II)で表される繰り返し単位を、好ましくは5〜60モル%、より好ましくは5〜30モル%有することが好ましく、必要に応じて併せて他の繰り返し単位を有してもよい。   The acid-decomposable polymer (B) preferably has 5 to 60 mol%, more preferably 5 to 30 mol% of the repeating unit represented by the general formula (II). It may have a repeating unit.

感光性組成物中の、酸分解性ポリマー(A):酸分解性ポリマー(B)の質量比は、好ましくは 0.10:1〜1:0.10であり、より好ましくは0.25:1〜1:0.25である。   The mass ratio of the acid-decomposable polymer (A): acid-decomposable polymer (B) in the photosensitive composition is preferably 0.10: 1 to 1: 0.10, more preferably 0.25: 1-1: 0.25.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)は、下記一般式(III)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   The acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) preferably have a repeating unit represented by the following general formula (III).

一般式(III)に於いて、
7は、水素原子又は置換基を表す。
8は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
e及びf は、それぞれ、1≦e、1≦fであり、且つ、(e+f)=5である。
In general formula (III):
R 7 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
e and f are 1 ≦ e, 1 ≦ f, and (e + f) = 5, respectively.

一般式(III)に於ける、R7は、一般式(I)に於ける、R1と同様のものであり、R8は、一般式(I)に於ける、R3と同様のものである。 In the general formula (III), R 7 is the same as R 1 in the general formula (I), and R 8 is the same as R 3 in the general formula (I). It is.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)は、全繰り返し単位中、一般式(III)で表される繰り返し単位を20〜80モル%(より好ましくは、40〜80モル%)有することが好ましい。   The acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) are 20 to 80 mol% (more preferably 40 to 80 mol%) of the repeating unit represented by the general formula (III) in all repeating units. It is preferable to have.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)は、例えば、フェノール性水酸基を有するポリマーを、好ましくは有機溶媒に溶解し、系中の水分を共沸蒸留等の手法で脱水した後、アルキルビニルエーテル化合物及び酸触媒を添加してアセタール化反応を行い、フェノール性水酸基に所望のアセタール基を導入することにより得ることができる。   The acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) are obtained by, for example, dissolving a polymer having a phenolic hydroxyl group, preferably in an organic solvent, and dehydrating water in the system by a technique such as azeotropic distillation. It can be obtained by adding an alkyl vinyl ether compound and an acid catalyst to conduct an acetalization reaction and introducing a desired acetal group into a phenolic hydroxyl group.

上記フェノール性水酸基を有するポリマーとしては、ヒドロキシスチレン類の重合体が好ましく、t−ブチルアクリレートもしくはt−ブチルメタクリレート等の酸分解性の(メタ)アクリレートとの共重合体であってもよい。
ヒドロキシスチレン類の重合体は、置換基を有するヒドロキシスチレンの重合体、置換基を有するヒドロキシスチレンとヒドロキシスチレンとの共重合体であることが好ましい。置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基が挙げられる。
The polymer having a phenolic hydroxyl group is preferably a polymer of hydroxystyrenes, and may be a copolymer with an acid-decomposable (meth) acrylate such as t-butyl acrylate or t-butyl methacrylate.
The polymer of hydroxystyrenes is preferably a polymer of hydroxystyrene having a substituent, or a copolymer of hydroxystyrene having a substituent and hydroxystyrene. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylthiocarbonyl group, a cyano group, a nitro group, A carboxyl group is mentioned.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)のアルカリ溶解性を調節する目的で、フェノール性水酸基を有するポリマーに非酸分解性基を導入することもできる。非酸分解性基の導入方法としては、スチレン類、非酸分解性の(メタ)アクリル酸エステル類、非酸分解性の(メタ)アクリル酸アミド類を共重合する方法や、ヒドロキシスチレン類の水酸基を非酸分解性の置換基で保護する方法が好ましい。   For the purpose of adjusting the alkali solubility of the acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B), a non-acid-decomposable group can be introduced into the polymer having a phenolic hydroxyl group. Non-acid-decomposable groups can be introduced by copolymerizing styrenes, non-acid-decomposable (meth) acrylic esters, non-acid-decomposable (meth) acrylic amides, hydroxystyrenes, A method of protecting the hydroxyl group with a non-acid-decomposable substituent is preferred.

上記非酸分解性基の置換基としては、アセチル基、メシル基、トルエンスルホニル基等が好ましいが、これらに限定されるものではない。   As a substituent of the non-acid-decomposable group, an acetyl group, a mesyl group, a toluenesulfonyl group and the like are preferable, but not limited thereto.

上記スチレン類としては、スチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、ジブロモスチレン、ヨードスチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、フェニルスチレン、t−ブチルスチレン、t−ブトキシスチレン等があげられるが、スチレン、メチルスチレン、t−ブチルスチレン、t−ブトキシスチレンが特に好ましい。   Examples of the styrenes include styrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, phenylstyrene, t-butylstyrene, t -Butoxystyrene and the like can be mentioned, and styrene, methylstyrene, t-butylstyrene, and t-butoxystyrene are particularly preferable.

上記非酸分解性の(メタ)アクリル酸エステル類としては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル等があげられる。   Examples of the non-acid-decomposable (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate. , Benzyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, and the like.

非酸分解性の(メタ)アクリル酸アミド類としては、(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸フェニルアミド、(メタ)アクリル酸イソプロピルアミド等があげられる。   Non-acid-decomposable (meth) acrylic acid amides include (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid phenylamide, (meth) acrylic acid isopropylamide and the like.

更に、共重合可能なモノマーとしては、例えば、マレイン酸誘導体、無水マレイン酸誘導体、(メタ)アクリロニトリル、ビニルピロリドン、ビニルピリジン、酢酸ビニル等を挙げることができる。   Furthermore, examples of the copolymerizable monomer include maleic acid derivatives, maleic anhydride derivatives, (meth) acrylonitrile, vinyl pyrrolidone, vinyl pyridine, and vinyl acetate.

上述したように、酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)のアルカリ溶解性を調節し、そのアルカリ現像性を損なわない範囲で、上記フェノール性水酸基を有するポリマーに共重合成分及び/又は非酸分解性基を導入することが可能であるが、一般的にはフェノール性水酸基を有するポリマーを構成する成分のうちヒドロキシスチレン類成分が60モル%以上、好ましくは70モル%以上占めることがドライエッチング耐性や感度の点で望ましい。   As described above, the alkali-soluble property of the acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) is adjusted, and the copolymer component and the polymer having a phenolic hydroxyl group are added to the extent that the alkali developability is not impaired. It is possible to introduce a non-acid-decomposable group, but in general, among the components constituting the polymer having a phenolic hydroxyl group, the hydroxystyrene component accounts for 60 mol% or more, preferably 70 mol% or more. It is desirable in terms of dry etching resistance and sensitivity.

上記幹ポリマー(フェノール性水酸基を有するポリマー)の重量平均分子量は、ゲルバーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算分子量(Mw)として測定することができ、好ましくは2000〜200,000であり、2,500〜30,000が特に好ましい。分子量が200,000を超えると溶解性が劣り解像力が
低下する傾向にある。
The weight average molecular weight of the above-mentioned trunk polymer (polymer having a phenolic hydroxyl group) can be measured as a polystyrene-equivalent molecular weight (Mw) by gel permeation chromatography (GPC), preferably 2000 to 200,000. 2,500 to 30,000 is particularly preferred. When the molecular weight exceeds 200,000, the solubility tends to be poor and the resolution tends to decrease.

アセタール化反応に用いるアルキルビニルエーテル化合物としては、下記一般式(A)で表される化合物が望ましい。
1−O−CH=CH2 一般式(A)
式中、R1は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。
As the alkyl vinyl ether compound used in the acetalization reaction, a compound represented by the following general formula (A) is desirable.
R 1 —O—CH═CH 2 General Formula (A)
In the formula, R 1 represents an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, or an aralkyl which may have a substituent. Represents a group.

上記R1の置換基を有してもよいアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜20、さらに好ましくは炭素数1〜18の、直鎖状であっても分岐状であってもよく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、n−ヘキシル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、n−ヘプチル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、n−オクチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、n−ノニル基、i−ノニル基、t−ノニル基、n−デシル基、i−デシル基、t−デシル基、n−ウンデシル基、i−ウンデシル基、n−ドデシル基、i−ドデシル基、n−トリデシル基、i−トリデシル基、n−テトラデシル基、i−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、i−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、i−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、i−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、i−オクタデシル基、n−ノナデシル基、i−ノナデシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基は、下記に示す置換基によって置換されていてもよい。 The alkyl group which may have a substituent for R 1 is preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 18 carbon atoms, which may be linear or branched, For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, n- Hexyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, n-heptyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, n-octyl group, i-octyl group, t-octyl group, n-nonyl group, i- Nonyl group, t-nonyl group, n-decyl group, i-decyl group, t-decyl group, n-undecyl group, i-undecyl group, n-dodecyl group, i-dodecyl group, n-tridecyl group, i- Tridecyl group, n-tetradecyl group, i-tetradecyl group , N-pentadecyl group, i-pentadecyl group, n-hexadecyl group, i-hexadecyl group, n-heptadecyl group, i-heptadecyl group, n-octadecyl group, i-octadecyl group, n-nonadecyl group, i-nonadecyl group Etc. These alkyl groups may be substituted by the substituent shown below.

上記R1の置換基を有してもよいシクロアルキル基としては、好ましくは炭素数3〜20、さらに好ましくは炭素数3〜18のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル基、シクロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シクロペンタデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロヘプタデシル基、シクロオクタデシル基、シクロノナデシル基、4−シクロヘキシルシクロヘキシル基、4−n−ヘキシルシクロヘキシル基、ペンタニルシクロヘキシル基、ヘキシルオキシシクロヘキシル基、ペンタニルオキシシクロヘキシル基等を挙げることができる。これらのシクロアルキル基は、下記に示す置換基によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group which may have a substituent for R 1 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms, such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, Cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, cycloundecyl, cyclododecyl, cyclotridecyl, cyclotridecyl, cyclotetradecyl, cyclopentadecyl, cyclohexyl Sadecyl group, cycloheptadecyl group, cyclooctadecyl group, cyclononadecyl group, 4-cyclohexylcyclohexyl group, 4-n-hexylcyclohexyl group, pentanylcyclohexyl group, hexyloxycyclohexyl group, pentanyloxycyclohexyl group, etc. It is possible. These cycloalkyl groups may be substituted with the substituents shown below.

上記R1の置換基を有していてもよいアリール基としては、好ましくは炭素数6〜30、好ましくは炭素数6〜25のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−シクロヘプテニルフェニル基、4−シクロオクタニルフェニル基、2−シクロペンチルフェニル基、2−シクロヘキシルフェニル基、2−シクロヘプテニルフェニル基、2−シクロオクタニルフェニル基、3−シクロペンチルフェニル基、3−シクロヘキシルフェニル基、3−シクロヘプテニルフェニル基、3−シクロオクタニルフェニル基、4−シクロペンチルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル基、4−シクロオクタニルオキシフェニル基、2−シクロペンチルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニル基、2−シクロオクタニルオキシフェニル基、3−シクロペンチルオキシフェニル基、3−シクロヘキシルオキシフェニル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニル基、3−シクロオクタニルオキシフェニル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−n−ヘプテニルフェニル基、4−n−オクタニルフェニル基、2−n−ペンチルフェニル基、2−n−ヘキシルフェニル基、2−n−ヘプテニルフェニル基、2−n−オクタニルフェニル基、3−n−ペンチルフェニル基、3−n−ヘキシルフェニル基、3−n−ヘプテニルフェニル基、3−n−オクタニルフェニル基、2,6−ジ−イソプロピルフェニル基、2,3−ジ−イソプロピルフェニル基、2,4−ジ−イソプロピルフェニル基、3,4−ジ−イソプロピルフェニル基、3,6−ジ−t−ブチルフェニル基、2,3−ジ−t−ブチルフェニル基、2,4−ジ−t−ブチルフェニル基、3,4−ジ−t−ブチルフェニル基、2,6−ジ−n−ブチルフェニル基、2,3−ジ−n−ブチルフェニル基、2,4−ジ−n−ブチルフェニル基、3,4−ジ−n−ブチルフェニル基、2,6−ジ−i−ブチルフェニル基、2,3−ジ−i−ブチルフェニル基、2,4−ジ−i−ブチルフェニル基、3,4−ジ−i−ブチルフェニル基、2,6−ジ−t−アミルフェニル基、2,3−ジ−t−アミルフェニル基、2,4−ジ−t−アミルフェニル基、3,4−ジ−t−アミルフェニル基、2,6−ジ−i−アミルフェニル基、2,3−ジ−i−アミルフェニル基、2,4−ジ−i−アミルフェニル基、3,4−ジ−i−アミルフェニル基、2,6−ジ−n−ペンチルフェニル基、2,3−ジ−n−ペンチルフェニル基、2,4−ジ−n−ペンチルフェニル基、3,4−ジ−n−ペンチルフェニル基、4−アダマンチルフェニル基、2−アダマンチルフェニル基、4−イソボロニルフェニル基、3−イソボロニルフェニル基、2−イソボロニルフェニル基、4−シクロペンチルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル基、4−シクロオクタニルオキシフェニル基、2−シクロペンチルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニル基、2−シクロオクタニルオキシフェニル基、3−シクロペンチルオキシフェニル基、3−シクロヘキシルオキシフェニル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニル基、3−シクロオクタニルオキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプテニルオキシフェニル基、4−n−オクタニルオキシフェニル基、2−n−ペンチルオキシフェニル基、2−n−ヘキシルオキシフェニル基、2−n−ヘプテニルオキシフェニル基、2−n−オクタニルオキシフェニル基、3−n−ペンチルオキシフェニル基、3−n−ヘキシルオキシフェニル基、3−n−ヘプテニルオキシフェニル基、3−n−オクタニルオキシフェニル基、2,6−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,3−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,4−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、3,4−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,6−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、2,4−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、2,4−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,3−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,4−ジ−t−アミルオキシフェニル基、3,4−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,6−ジ−i−アミルオキシフェニル基、2,3−ジ−i−アミルオキシフェニル基、2,4−ジ−i−アミルオキシフェニル基、3,4−ジ−i−アミルオキシフェニル基、2,6−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、2,3−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、2,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、3,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、4−アダマンチルオキシフェニル基、3−アダマンチルオキシフェニル基、2−アダマンチルオキシフェニル基、4−イソボロニルオキシフェニル基、3−イソボロニルオキシフェニル基、2−イソボロニルオキシフェニル基、等が挙げられる。これらのアリール基は、下記に示す置換基によって置換されていてもよい。 The aryl group which may have a substituent for R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 25 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, Ethylphenyl group, propylphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propyloxyphenyl group, 4-cyclopentylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-cycloheptenylphenyl group, 4-cyclooctanylphenyl group, 2 -Cyclopentylphenyl group, 2-cyclohexylphenyl group, 2-cycloheptenylphenyl group, 2-cyclooctanylphenyl group, 3-cyclopentylphenyl group, 3-cyclohexylphenyl group, 3-cycloheptenylphenyl group, 3-cyclo Octanylphenyl group, 4-cyclopentyloxy Enyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl group, 4-cyclooctanyloxyphenyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl group, 2-cyclohexyloxyphenyl group, 2-cycloheptenyloxyphenyl group 2-cyclooctanyloxyphenyl group, 3-cyclopentyloxyphenyl group, 3-cyclohexyloxyphenyl group, 3-cycloheptenyloxyphenyl group, 3-cyclooctanyloxyphenyl group, 4-n-pentylphenyl group, 4-n-hexylphenyl group, 4-n-heptenylphenyl group, 4-n-octanylphenyl group, 2-n-pentylphenyl group, 2-n-hexylphenyl group, 2-n-heptenylphenyl group , 2-n-octanylphenyl group, 3-n-pentyl Phenyl group, 3-n-hexylphenyl group, 3-n-heptenylphenyl group, 3-n-octanylphenyl group, 2,6-di-isopropylphenyl group, 2,3-di-isopropylphenyl group, 2 , 4-di-isopropylphenyl group, 3,4-di-isopropylphenyl group, 3,6-di-t-butylphenyl group, 2,3-di-t-butylphenyl group, 2,4-di-t -Butylphenyl group, 3,4-di-t-butylphenyl group, 2,6-di-n-butylphenyl group, 2,3-di-n-butylphenyl group, 2,4-di-n-butyl Phenyl group, 3,4-di-n-butylphenyl group, 2,6-di-i-butylphenyl group, 2,3-di-i-butylphenyl group, 2,4-di-i-butylphenyl group 3,4-di-i-butylphenyl group, 2,6-di-t Amylphenyl group, 2,3-di-t-amylphenyl group, 2,4-di-t-amylphenyl group, 3,4-di-t-amylphenyl group, 2,6-di-i-amylphenyl Group, 2,3-di-i-amylphenyl group, 2,4-di-i-amylphenyl group, 3,4-di-i-amylphenyl group, 2,6-di-n-pentylphenyl group, 2,3-di-n-pentylphenyl group, 2,4-di-n-pentylphenyl group, 3,4-di-n-pentylphenyl group, 4-adamantylphenyl group, 2-adamantylphenyl group, 4- Isobornylphenyl group, 3-isobornylphenyl group, 2-isobornylphenyl group, 4-cyclopentyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl group, 4-cyclooct Nyloxyphenyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl group, 2-cyclohexyloxyphenyl group, 2-cycloheptenyloxyphenyl group, 2-cyclooctanyloxyphenyl group, 3-cyclopentyloxyphenyl group, 3-cyclohexyloxyphenyl group 3-cycloheptenyloxyphenyl group, 3-cyclooctanyloxyphenyl group, 4-n-pentyloxyphenyl group, 4-n-hexyloxyphenyl group, 4-n-heptenyloxyphenyl group, 4-n -Octanyloxyphenyl group, 2-n-pentyloxyphenyl group, 2-n-hexyloxyphenyl group, 2-n-heptenyloxyphenyl group, 2-n-octanyloxyphenyl group, 3-n-pentyl An oxyphenyl group, a 3-n-hexyloxyphenyl group, 3-n-heptenyloxyphenyl group, 3-n-octanyloxyphenyl group, 2,6-di-isopropyloxyphenyl group, 2,3-di-isopropyloxyphenyl group, 2,4-di-isopropyloxy Phenyl group, 3,4-di-isopropyloxyphenyl group, 2,6-di-t-butyloxyphenyl group, 2,3-di-t-butyloxyphenyl group, 2,4-di-t-butyloxy Phenyl group, 3,4-di-t-butyloxyphenyl group, 2,6-di-n-butyloxyphenyl group, 2,3-di-n-butyloxyphenyl group, 2,4-di-n- Butyloxyphenyl group, 3,4-di-n-butyloxyphenyl group, 2,6-di-i-butyloxyphenyl group, 2,3-di-i-butyloxyphenyl group, 2,4-di- i-Butyloxy Phenyl group, 3,4-di-i-butyloxyphenyl group, 2,6-di-t-amyloxyphenyl group, 2,3-di-t-amyloxyphenyl group, 2,4-di-t- Amyloxyphenyl group, 3,4-di-t-amyloxyphenyl group, 2,6-di-i-amyloxyphenyl group, 2,3-di-i-amyloxyphenyl group, 2,4-di- i-amyloxyphenyl group, 3,4-di-i-amyloxyphenyl group, 2,6-di-n-pentyloxyphenyl group, 2,3-di-n-pentyloxyphenyl group, 2,4- Di-n-pentyloxyphenyl group, 3,4-di-n-pentyloxyphenyl group, 4-adamantyloxyphenyl group, 3-adamantyloxyphenyl group, 2-adamantyloxyphenyl group, 4-isoboronyloxy Eniru group, 3-isobornyl oxyphenyl group, 2-isobornyl oxyphenyl group, and the like. These aryl groups may be substituted by the substituent shown below.

1の置換基を有してもよいアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜30、さらに好ましくは炭素数8〜25のアラルキル基であり、例えば、フェニルエチル基、トリルフェニルエチル基、キシリルフェニルエチル基、エチルフェニルエチル基、プロピルフェニルエチル基、4−シクロペンチルフェニルエチル基、4−シクロヘキシルフェニルエチル基、4−シクロヘプテニルフェニルエチル基、4−シクロオクタニルフェニルエチル基、2−シクロペンチルフェニルエチル基、2−シクロヘキシルフェニルエチル基、2−シクロヘプテニルフェニルエチル基、2−シクロオクタニルフェニルエチル基、3−シクロペンチルフェニルエチル基、3−シクロヘキシルフェニルエチル基、3−シクロヘプテニルフェニルエチル基、3−シクロオクタニルフェニルエチル基、4−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、4−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、2−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、3−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、3−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、4−n−ペンチルフェニルエチル基、4−n−ヘキシルフェニルエチル基、4−n−ヘプテニルフェニルエチル基、4−n−オクタニルフェニルエチル基、2−n−ペンチルフェニルエチル基、2−n−ヘキシルフェニルエチル基、2−n−ヘプテニルフェニルエチル基、2−n−オクタニルフェニルエチル基、3−n−ペンチルフェニルエチル基、3−n−ヘキシルフェニルエチル基、3−n−ヘプテニルフェニルエチル基、3−n−オクタニルフェニルエチル基、2,6−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、2,3−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、2,4−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、3,4−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、2,6−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−t−アミルフェニルエチル基、2,3−ジ−t−アミルフェニルエチル基、2,4−ジ−t−アミルフェニルエチル基、3,4−ジ−t−アミルフェニルエチル基、2,6−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,3−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,4−ジ−i−アミルフェニルエチル基、3,4−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、4−アダマンチルフェニルエチル基、3−アダマンチルフェニルエチル基、2−アダマンチルフェニルエチル基、4−イソボロニルフェニルエチル基、3−イソボロニルフェニルエチル基、2−イソボロニルフェニルエチル基、4−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、4−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、2−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、3−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、3−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、4−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、4−n−へキシルオキシフェニルエチル基、4−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、4−n−オクタニルオキシフェニルエチル基、2−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、2−n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、2−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−n−オクタニルオキシフェニルエチル基、3−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、3−n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、3−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、3−n−オクタニルオキシフェニルエチル基、2,6−ジーイソプロピルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−イソプロピルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−イソプロピルオキシフェニルエチル基、3,4一ジーイソプロピルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、4−アダマンチルオキシフェニルエチル基、3−アダマンチルオキシフェニルエチル基、2−アダマンチルオキシフェニルエチル基、4−イソボロニルオキシフェニルエチル基、3−イソボロニルオキシフェニルエチル基、2−イソボロニルオキシフェニルエチル基、あるいは、上記アルキルがメチル基、プロピル基、ブチル基等に置き換えたもの等が挙げられる。これらのアラルキル基は、下記に示す置換基によって置換されていてもよい。 The aralkyl group which may have a substituent of R 1 is preferably an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 8 to 25 carbon atoms, such as a phenylethyl group, a tolylphenylethyl group, a cycloalkyl group. Silylphenylethyl group, ethylphenylethyl group, propylphenylethyl group, 4-cyclopentylphenylethyl group, 4-cyclohexylphenylethyl group, 4-cycloheptenylphenylethyl group, 4-cyclooctanylphenylethyl group, 2-cyclopentyl Phenylethyl group, 2-cyclohexylphenylethyl group, 2-cycloheptenylphenylethyl group, 2-cyclooctanylphenylethyl group, 3-cyclopentylphenylethyl group, 3-cyclohexylphenylethyl group, 3-cycloheptenylphenylethyl Group, 3-sik Octanylphenylethyl group, 4-cyclopentyloxyphenylethyl group, 4-cyclohexyloxyphenylethyl group, 4-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 4-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 2-cyclopentyloxyphenylethyl group, 2-cyclohexyloxyphenylethyl group, 2-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 2-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 3-cyclopentyloxyphenylethyl group, 3-cyclohexyloxyphenylethyl group, 3-cycloheptenyloxy Phenylethyl group, 3-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 4-n-pentylphenylethyl group, 4-n-hexylphenylethyl group, 4-n-heptenylphenylethyl group, 4-n-octanyl Phenylethyl group, 2-n-pentylphenylethyl group, 2-n-hexylphenylethyl group, 2-n-heptenylphenylethyl group, 2-n-octanylphenylethyl group, 3-n-pentylphenylethyl group 3-n-hexylphenylethyl group, 3-n-heptenylphenylethyl group, 3-n-octanylphenylethyl group, 2,6-diisopropylphenylethyl group, 2,3-diisopropylphenylethyl group Group, 2,4-di-isopropylphenylethyl group, 3,4-di-isopropylphenylethyl group, 2,6-di-t-butylphenylethyl group, 2,3-di-t-butylphenylethyl group, 2,4-di-t-butylphenylethyl group, 3,4-di-t-butylphenylethyl group, 2,6-di-n-butylphenylethyl group, , 3-Di-n-butylphenylethyl group, 2,4-di-n-butylphenylethyl group, 3,4-di-n-butylphenylethyl group, 2,6-di-i-butylphenylethyl group 2,3-di-i-butylphenylethyl group, 2,4-di-i-butylphenylethyl group, 3,4-di-i-butylphenylethyl group, 2,6-di-t-amylphenyl Ethyl group, 2,3-di-t-amylphenylethyl group, 2,4-di-t-amylphenylethyl group, 3,4-di-t-amylphenylethyl group, 2,6-di-i- Amylphenylethyl group, 2,3-di-i-amylphenylethyl group, 2,4-di-i-amylphenylethyl group, 3,4-di-i-amylphenylethyl group, 2,6-di- n-pentylphenylethyl group, 2,3-di-n-pentyl Enylethyl group, 2,4-di-n-pentylphenylethyl group, 3,4-di-n-pentylphenylethyl group, 4-adamantylphenylethyl group, 3-adamantylphenylethyl group, 2-adamantylphenylethyl group, 4-isobornylphenylethyl group, 3-isobornylphenylethyl group, 2-isobornylphenylethyl group, 4-cyclopentyloxyphenylethyl group, 4-cyclohexyloxyphenylethyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl Ethyl group, 4-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 2-cyclopentyloxyphenylethyl group, 2-cyclohexyloxyphenylethyl group, 2-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 2-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 3 -Cyclopentyl Oxyphenylethyl group, 3-cyclohexyloxyphenylethyl group, 3-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 3-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 4-n-pentyloxyphenylethyl group, 4-n-hexyloxy Phenylethyl group, 4-n-heptenyloxyphenylethyl group, 4-n-octanyloxyphenylethyl group, 2-n-pentyloxyphenylethyl group, 2-n-hexyloxyphenylethyl group, 2-n- Heptenyloxyphenylethyl group, 2-n-octanyloxyphenylethyl group, 3-n-pentyloxyphenylethyl group, 3-n-hexyloxyphenylethyl group, 3-n-heptenyloxyphenylethyl group, 3 -N-octanyloxyphenylethyl group, 2,6-diisopro Ruoxyphenylethyl group, 2,3-di-isopropyloxyphenylethyl group, 2,4-di-isopropyloxyphenylethyl group, 3,4-diisopropyloxyphenylethyl group, 2,6-di-t-butyl Oxyphenylethyl group, 2,3-di-t-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-t-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-t-butyloxyphenylethyl group, 2,6 -Di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,3-di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-n-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-butyloxyphenyl group Ethyl group, 2,6-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,3-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-i-butyloxyphenyl Ethyl group, 3,4-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,6-di-t-amyloxyphenylethyl group, 2,3-di-t-amyloxyphenylethyl group, 2,4-di -T-amyloxyphenylethyl group, 3,4-di-t-amyloxyphenylethyl group, 2,6-di-i-amyloxyphenylethyl group, 2,3-di-i-amyloxyphenylethyl group 2,4-di-i-amyloxyphenylethyl group, 3,4-di-i-amyloxyphenylethyl group, 2,6-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 2,3-di-n -Pentyloxyphenylethyl group, 2,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 4-adamantyloxyphenylethyl group, 3-adama Ntyloxyphenylethyl group, 2-adamantyloxyphenylethyl group, 4-isoboronyloxyphenylethyl group, 3-isoboronyloxyphenylethyl group, 2-isoboronyloxyphenylethyl group, or the above alkyl Examples thereof include those substituted with methyl group, propyl group, butyl group and the like. These aralkyl groups may be substituted by the substituents shown below.

上記基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることができる。   Further substituents for the above groups include hydroxyl groups, halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro groups, cyano groups, the above alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxy groups. Propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy group such as t-butoxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group , Aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, alkenyl group, vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group, butenyloxy Alkenyloxy groups such as groups above It can be mentioned aryl group, an aryloxy group such as phenoxy group, aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

これらの置換基はさらに置換基を有してもよい。   These substituents may further have a substituent.

一般式(A)で表される化合物の具体例としては、例えば、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、t−ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、n−ヘキシルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、シクロヘキシルエチルビニルエーテル、フェノキシエチルビニルエーテル、シクロヘキシルフェノキシエチルビニルエーテル、4−カルボニルシクロヘキシルフェノキシエチルビニルエーテル、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチルビニルエーテル、シクロヘキシルチオエチルビニルエーテル、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチルビニルエーテル等が挙げられるが、実質的にポリマー中のフェノール性水酸基との間でアセタール化反応をおこすものであればよく、上記のものに限定されない。上記の中では、エチルビニルエーテル、シクロヘキシルエチルビニルエーテル、t−ブチルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルが好ましく、エチルビニルエーテル、シクロヘキシルエチルビニルエーテル、t−ブチルビニルエーテルがより好ましい。   Specific examples of the compound represented by the general formula (A) include, for example, ethyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, t-butyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, n-hexyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, Examples include cyclohexyl ethyl vinyl ether, phenoxy ethyl vinyl ether, cyclohexyl phenoxy ethyl vinyl ether, 4-carbonyl cyclohexyl phenoxy ethyl vinyl ether, t-butyl cyclohexyl carbonyloxy ethyl vinyl ether, cyclohexyl thioethyl vinyl ether, n-butyl cyclohexyl carbonyloxy ethyl vinyl ether, etc. Between the phenolic hydroxyl groups in the polymer As long as it causes the acetal reaction, but it is not limited to those described above. Among the above, ethyl vinyl ether, cyclohexyl ethyl vinyl ether, t-butyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, and cyclohexyl vinyl ether are preferable, and ethyl vinyl ether, cyclohexyl ethyl vinyl ether, and t-butyl vinyl ether are more preferable.

反応において用いられる、アルキルビニルエーテル化合物の使用量は、フェノール性水酸基を有するポリマー中のフェノール性水酸基に対して、5モル%〜95モル%を用いることが好ましく、より好ましくは10モル%〜60モル%であり、更に好ましくは15モル%〜50モル%である。   The amount of the alkyl vinyl ether compound used in the reaction is preferably 5 mol% to 95 mol%, more preferably 10 mol% to 60 mol, based on the phenolic hydroxyl group in the polymer having a phenolic hydroxyl group. %, And more preferably 15 mol% to 50 mol%.

反応に用いられる有機溶媒としては、不活性溶媒であれば特に制限されないが、プロピ
レングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、2−ヘプタノン、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。なかでも、PGMEA、2−ヘプタノンが好ましい。
The organic solvent used in the reaction is not particularly limited as long as it is an inert solvent, and examples thereof include propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA), 2-heptanone, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and tetrahydrofuran. be able to. Of these, PGMEA and 2-heptanone are preferable.

反応溶媒は、フェノール性水酸基を有するポリマー100重量部に対して、好ましくは、100〜1000重量部用いられる。   The reaction solvent is preferably used in an amount of 100 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer having a phenolic hydroxyl group.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)は、夫夫1種単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。また、フェノール性水酸基を有するポリマーの分子量、組成比の異なる2種以上のフェノール性水酸基を有するポリマーから合成された酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)の組合せ、アセタール保護率の異なる2種以上の酸分解性ポリマーの組合せ等も感度、解像力、プロファイルその他のレジスト特性を発揮させるために選択することができる。   The acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) can be used singly or in combination of two or more. Further, a combination of an acid-decomposable polymer (A) and an acid-decomposable polymer (B) synthesized from polymers having two or more types of phenolic hydroxyl groups having different molecular weights and composition ratios of phenolic hydroxyl groups, and acetal protection rate A combination of two or more acid-decomposable polymers having different sensitivities can be selected in order to exhibit sensitivity, resolution, profile and other resist characteristics.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)の合成は、先に示した有機溶媒(アセタール化反応に対して不活性な溶媒)にフェノール性水酸基を有するポリマーを溶解し、必要に応じて減圧蒸留等で系中の水分を除去し、アルキルビニルエーテル化合物を添加する。アルキルビニルエーテル化合物は、同時に添加してもよいし、順次に分割して添加してもよい。アセタール化反応は、酸性触媒の添加により進行する。   The synthesis of the acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) is performed by dissolving the polymer having a phenolic hydroxyl group in the organic solvent (inactive solvent for the acetalization reaction) shown above. In response, water in the system is removed by distillation under reduced pressure or the like, and an alkyl vinyl ether compound is added. The alkyl vinyl ether compound may be added at the same time, or may be added in divided portions sequentially. The acetalization reaction proceeds by adding an acidic catalyst.

上記酸性触媒は無機酸、有機酸の何れも用いることができる。有機酸は残留金属不純物が無いことから好ましく、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩等がより好ましい。   As the acid catalyst, either an inorganic acid or an organic acid can be used. The organic acid is preferable because it has no residual metal impurities, and p-toluenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid pyridinium salt, and the like are more preferable.

アセタール化反応を停止させる目的で、塩基化合物による中和を行うことが好ましい。この中和を行わないと、酸が残存しレジストの貯蔵安定性を損なう恐れがある。用いる塩基化合物としては、添加した触媒としての酸を中和し、水洗工程で塩が除去されればよく、特に限定されない。なかでも、有機塩基化合物は残留金属不純物が無いことから好ましく、具体的にはトリエチルアミン、トリメチルアミン、ピリジン、アミノピリジン、ピペラジン、イミダゾール等があげられ、トリエチルアミン、ピリジンが特に好ましい。   For the purpose of stopping the acetalization reaction, neutralization with a base compound is preferably performed. If this neutralization is not performed, there is a possibility that an acid remains and impairs the storage stability of the resist. The basic compound to be used is not particularly limited as long as the acid as the added catalyst is neutralized and the salt is removed in the water washing step. Among these, organic base compounds are preferable because they have no residual metal impurities, and specific examples include triethylamine, trimethylamine, pyridine, aminopyridine, piperazine, imidazole, and the like, and triethylamine and pyridine are particularly preferable.

アセタール化反応を完了し、中和した後は、超純水等を用いて系中に残存している塩を除去することが好ましい。   After the acetalization reaction is completed and neutralized, it is preferable to remove the salt remaining in the system using ultrapure water or the like.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。   Specific examples of the acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) include the following, but the present invention is not limited thereto.

酸分解性ポリマー(A)及び酸分解性ポリマー(B)の合計の組成物中の含有量としては、該組成物の全固形分の重量に対して好ましくは70〜98重量%であり、より好ましくは75〜96重量%であり、更により好ましくは80〜96重量%である。   The total content of the acid-decomposable polymer (A) and the acid-decomposable polymer (B) in the composition is preferably 70 to 98% by weight based on the total solid content of the composition, and more Preferably it is 75-96 weight%, More preferably, it is 80-96 weight%.

(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)
酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる
(B) A compound that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation (hereinafter also referred to as an “acid generator”).
As an acid generator, photo-initiator of photocation polymerization, photo-initiator of photo-radical polymerization, photo-decoloring agent of dyes, photo-discoloring agent, or irradiation with actinic ray or radiation used for micro-resist etc. Known compounds that generate acids and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples thereof include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407. JP, 63-26653, JP, 55-164824, JP, 62-69263, JP, 63-146038, JP, 63-163452, JP, 62-153853, The compounds described in JP-A 63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。   Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。   Among the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII), and (ZIII) can be exemplified.

上記一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリ
ス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましく
は炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxyl group , Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group ( Preferable examples include 2 to 7 carbon atoms, an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylmethyl group.

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原
子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. Examples of the substituent of these alkyl groups include a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, and an alkylthio group, and an alkyl group substituted with a fluorine atom is preferable.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。 Examples of the non-nucleophilic anion of Z include an aliphatic sulfonate anion in which the α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group. A bis (alkylsulfonyl) imide anion substituted with a fluorine atom and a tris (alkylsulfonyl) methide anion wherein an alkyl group is substituted with a fluorine atom are preferred. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonic acid anion having 4 to 8 carbon atoms, a benzenesulfonic acid anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonic acid anion, a perfluorooctanesulfonic acid anion, It is a pentafluorobenzenesulfonic acid anion and 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid anion.

201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 include the corresponding groups in the compounds (ZI-1), (ZI-2) and (ZI-3) described later.

尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。 In addition, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI) may be sufficient. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI) is, at least one bond with structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、及び(ZI−3)を挙げることができる。   More preferable (ZI) components include compounds (ZI-1), (ZI-2), and (ZI-3) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compounds, namely, compounds containing an arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group with the remaining being an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく
、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group may be substituted. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。
化合物(ZI−2)は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Next, the compound (ZI-2) will be described.
The compound (ZI-2) is a compound in which R 201 to R 203 in the general formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。   The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
x及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.
Any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom and a sulfur atom. , An ester bond and an amide bond may be included. Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.
Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。 The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms ( Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched propyl group, a linear or branched butyl group, and a linear or branched pentyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclohexane having 3 to 8 carbon atoms. An alkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group) can be mentioned.

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基
又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c. Is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

x及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c , such as a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxy group. A carbonylmethyl group is more preferred.

2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。 Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 7c .

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。 Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include the same alkoxy groups as in R 1c to R 5c .

x及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

一般式(ZII)及び(ZIII)於いて、
204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
In general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

一般式(ZII)及び(ZIII)於ける、R204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。
204〜R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
General formulas (ZII) and (ZIII) in a phenyl group, a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group. Aryl group R 204 to R 207 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, may be an aryl group having a heterocyclic structure having a sulfur atom and the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like.
The alkyl group and cycloalkyl group in R 204 to R 207, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).
Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms ), An aryl group (for example, having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and a phenylthio group.

使用することができる活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。   Examples of the compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation that can be used further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物は、下記一般式(PI)で表される化合物が、より好ましい。   The compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation is more preferably a compound represented by the following general formula (PI).

一般式(PI)中、
1〜R13は、各々独立に水素原子又は置換基を表す。
Zaは単結合または2価の連結基である。
-は対アニオンを表す。
In general formula (PI),
R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
Za is a single bond or a divalent linking group.
X represents a counter anion.

一般式(PI)に於いて、R1〜R13のうち少なくとも1つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。
アルコール性水酸基とはアルキル基の炭素原子に結合した水酸基を表す。
In the general formula (PI), at least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group.
An alcoholic hydroxyl group represents a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an alkyl group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R1〜R13は−W−Yで表される。ただし、Yは水酸基で置換されたアルキル基であり、Wは単結合または2価の連結基である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are represented by —W—Y. Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group, and W is a single bond or a divalent linking group.

Yのアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができ、好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基であり、更に好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基である。Yは特に好ましくは-CH2CH2OH構造を含有する。 As the alkyl group of Y, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl Group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group Preferably ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and sec-butyl group, more preferably ethyl group, propyl group and isopropyl group. Y particularly preferably contains a —CH 2 CH 2 OH structure.

Wで表される2価の連結基としては、特に制限は無いが、例えば、アルコキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基などの一価の基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基を挙げることができる。   The divalent linking group represented by W is not particularly limited, and examples thereof include an alkoxy group, an acyloxy group, a carbamoyloxy group, an alkoxycarbonyloxy group, an aryloxycarbonyloxy group, an acylamino group, an aminocarbonylamino group, Alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxy Examples thereof include a divalent group in which an arbitrary hydrogen atom in a monovalent group such as a carbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carbamoyl group is replaced with a single bond.

Wとして好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基であり、更に好ましくは単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基である。   W is preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and any hydrogen atom in the carbamoyl group replaced with a single bond. It is a divalent group, more preferably a divalent group in which any hydrogen atom in a single bond, acyloxy group, alkylsulfonyl group, acyl group or alkoxycarbonyl group is replaced with a single bond.

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は好ましくは2〜10個であり、更に好ましくは2〜6個であり、特に好ましくは2〜4個である。
1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有しても良い。R1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコー
ル性水酸基の数としては1個から6個であり、好ましくは1個から3個が好ましく、更に好ましくは1個であることが好ましい。
一般式(PI)で表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、好ましくはR1〜R13すべてあわせて1個から10個であり、より好ましくは1個から6個であり、更により好ましくは1個から3個である。
When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, the number of carbon atoms contained is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 to 4. .
The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. The number of alcoholic hydroxyl groups having a substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 is 1 to 6, preferably 1 to 3, and more preferably 1. preferable.
The number of alcoholic hydroxyl groups possessed by the compound represented by formula (PI) is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to R 13 in total. The number is preferably 1 to 3.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は各々独立に水素原子または置換基であり、置換基としては、いかなるものでも良く、特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、複素環基(ヘテロ環基と言っても良い)、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基(−B(OH)2)、ホスファト基(−OPO(OH)2)、スルファト基(−OSO3H)、その他の公知の置換基、が例として挙げられる。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are each independently a hydrogen atom or a substituent, and any substituent may be used without any particular limitation. Atoms, alkyl groups (including cycloalkyl groups, bicycloalkyl groups, and tricycloalkyl groups), alkenyl groups (including cycloalkenyl groups and bicycloalkenyl groups), alkynyl groups, aryl groups, and heterocyclic groups (referred to as heterocyclic groups) Cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group ( Anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonyl group Group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and aryl Sulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino Group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group (—B (OH) 2 ), phosphato group (—OPO (OH) 2 ), sulfato group (—OSO 3 H), and other known ones Substituents are mentioned as examples.

また、R1〜R13のうちの隣接する2つが共同して環(芳香族、又は非芳香族の炭化水
素環、又は複素環。これらは、さらに組み合わされて多環縮合環を形成することができる。例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環、が挙げられる。)を形成することもできる。
In addition, two adjacent R 1 to R 13 may be combined to form a ring (aromatic or non-aromatic hydrocarbon ring or heterocyclic ring. These may be further combined to form a polycyclic fused ring. For example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, fluorene ring, triphenylene ring, naphthacene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine Ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolidine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, Phenanthridine ring, acridine ring, Ntororin ring, thianthrene ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, a phenothiazine ring and a phenazine ring.) May also be formed.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基、ウレイド基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably a hydrogen atom or a halogen atom, an alkyl group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, and a tricycloalkyl group), an alkenyl group ( (Including cycloalkenyl groups and bicycloalkenyl groups), alkynyl groups, aryl groups, cyano groups, carboxyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, acylamino groups, aminocarbonylamino groups, alkoxycarbonylamino groups , Aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl , A carbamoyl group, an imido group, a silyl group, a ureido group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は更に好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基である。
更に、R1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は特に好ましくは水素原子又はアルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、ハロゲン原子、アルコキシ基である。
When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom or a halogen atom, an alkyl group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, and a tricycloalkyl group), a cyano group. , Alkoxy group, acyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, alkylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, alkoxycarbonyl group and carbamoyl group.
Further, when R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom or an alkyl group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group and a tricycloalkyl group), a halogen atom, An alkoxy group;

一般式(PI)中、好ましくはR1〜R13のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含み、より好ましくは、R9〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含む。 In general formula (PI), preferably at least one of R 1 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group, more preferably at least one of R 9 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group.

Zaは単結合または2価の連結基を表し、2価の連結基としては例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−CH=CH−、−C≡C−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基、等であり、置換基を有しても良い。これらの置換基としては上のR1〜R13に示した置換基と同様である。Zaとして好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、−CH=CH−、−C≡C−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基など電子求引性を持たない置換基であり、更に好ましくは単結合、エーテル基、チオエーテル基であり、特に好ましくは単結合である。 Za represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether group, and a thioether. Group, amino group, disulfide group, acyl group, alkylsulfonyl group, —CH═CH—, —C≡C—, aminocarbonylamino group, aminosulfonylamino group, etc., which may have a substituent. These substituents are the same as the substituents shown for R 1 to R 13 above. Za preferably has a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, —CH═CH—, —C≡C—, an aminocarbonylamino group, an aminosulfonylamino group, or the like. A substituent, more preferably a single bond, an ether group or a thioether group, particularly preferably a single bond.

一般式(PI)で表される化合物は、対アニオンX-を有する。アニオンとしては、有機アニオンが望ましい。有機アニオンとは炭素原子を少なくとも1つ含有するアニオンを表す。更に、有機アニオンとしては非求核性アニオンであることが好ましい。非求核性ア
ニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。
非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
非求核性スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。非求核性カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
The compound represented by the general formula (PI) has a counter anion X . As an anion, an organic anion is desirable. An organic anion represents an anion containing at least one carbon atom. Furthermore, the organic anion is preferably a non-nucleophilic anion. A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction.
Examples of the non-nucleophilic anion include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.
Examples of the non-nucleophilic sulfonate anion include an alkyl sulfonate anion, an aryl sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion. Examples of the non-nucleophilic carboxylate anion include an alkylcarboxylate anion, an arylcarboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル部位はアルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
The alkyl moiety in the alkyl sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, and preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, such as a methyl group or an ethyl group. Group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group Tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group and the like.
The aryl group in the aryl sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the alkyl sulfonate anion and aryl sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxyl group, Hydroxyl group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably 1 to 5 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (preferably May include 2 to 7 carbon atoms, an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル部位としては、アルキルスルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。アリールカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、アリールスルホン酸アニオンおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。   Examples of the alkyl moiety in the alkylcarboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the alkylsulfonate anion. Examples of the aryl group in the arylcarboxylate anion include the same aryl groups as in the arylsulfonate anion. The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylmethyl group.

上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group substituent in the alkylcarboxylate anion, arylcarboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom, alkyl group as in the arylsulfonate anion, A cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, etc. can be mentioned. Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.
The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, and the like can be given. Examples of the substituent for these alkyl groups include a halogen atom, an alkyl group substituted with a halogen atom, an alkoxy group, and an alkylthio group.
Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

一般式(PI)で表される化合物の対アニオンX-としてはスルホン酸アニオンが好ましく、更に好ましくはアリールスルホン酸であることが好ましい。
対アニオンとして具体的には、メタンスルホン酸アニオン、トリフロロメタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロエタンスルホン酸アニオン、ヘプタフロロプロパンスルホン酸アニオン、パーフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロヘキサンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビストリフロロメチルベンゼンスルホ酸アニオン、2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸アニオン、パーフロロエトキシエタンスルホン酸アニオン、2,3,5,6−テトラフロロ−4−ドデシルオキシベンゼンスルホン酸アニオン、p-トルエンスルホン酸アニオン、2,4,6-トリメチルベンゼンスルホン酸アニオンなどが挙げられる。
The counter anion X of the compound represented by the general formula (PI) is preferably a sulfonate anion, more preferably an aryl sulfonic acid.
Specific examples of counter anions include methane sulfonate anion, trifluoromethane sulfonate anion, pentafluoroethane sulfonate anion, heptafluoropropane sulfonate anion, perfluorobutane sulfonate anion, perfluorohexane sulfonate anion, perfluoro. Octane sulfonate anion, pentafluorobenzene sulfonate anion, 3,5-bistrifluoromethylbenzene sulfonate anion, 2,4,6-triisopropylbenzene sulfonate anion, perfluoroethoxyethane sulfonate anion, 2, 3, 5 , 6-tetrafluoro-4-dodecyloxybenzenesulfonate anion, p-toluenesulfonate anion, 2,4,6-trimethylbenzenesulfonate anion, and the like.

一般式(PI)で表される化合物は保護基で保護された水酸基を置換基に含むベンゼン誘導体と環状のスルホキシド化合物を縮合させてスルホニウム塩を形成し、水酸基の保護基を脱保護する方法などにより合成することが出来る。   The compound represented by the general formula (PI) is a method in which a benzene derivative containing a hydroxyl group protected by a protecting group as a substituent and a cyclic sulfoxide compound are condensed to form a sulfonium salt, and the protecting group of the hydroxyl group is deprotected. Can be synthesized.

(ただし、図中、Wは2価の連結基であり、Rはアルキレン基、Pは保護基である) (In the figure, W is a divalent linking group, R is an alkylene group, and P is a protecting group.)

スルホニウム化の反応に用いる酸としてはメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−エチルベンゼンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸などが挙げられ、用いた酸の共役塩基がスルホニウムのアニオンとなる。スルホニウム化の反応に用いる縮合剤としては酸無水物等が挙げられ、例えばトリフルオロ酢酸無水物、ポリリン酸、メタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、p−トルエンスルホン酸無水物、ノナフルオロブタンスルホン酸無水物、テトラフルオロスクシン酸無水物、ヘキサフルオログルタル酸無水物、クロロジフルオロ酢酸無水物、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロブタン酸無水物など強酸の無水物が挙げられる。
水酸基の保護基Pとしてはエーテルやエステル等が挙げられ、例えば、メチルエーテル、アリールエーテル、ベンジルエーテル、酢酸エステル、安息香酸エステル、炭酸エステル等が挙げられる。
対アニオンX-はイオン交換樹脂に通し、目的のアニオンの共役酸を添加することによ
り、所望のアニオンに変換することが出来る。
Examples of acids used for the reaction of sulfoniumation include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, p-ethylbenzenesulfonic acid, Nonafluorobutanesulfonic acid and the like can be mentioned, and the conjugate base of the acid used becomes the anion of sulfonium. Examples of the condensing agent used in the sulfoniumation reaction include acid anhydrides, such as trifluoroacetic acid anhydride, polyphosphoric acid, methanesulfonic acid anhydride, trifluoromethanesulfonic acid anhydride, p-toluenesulfonic acid anhydride, nona. Examples include strong acid anhydrides such as fluorobutanesulfonic anhydride, tetrafluorosuccinic anhydride, hexafluoroglutaric anhydride, chlorodifluoroacetic anhydride, pentafluoropropionic anhydride, heptafluorobutanoic anhydride.
Examples of the hydroxyl-protecting group P include ethers and esters, and examples include methyl ether, aryl ether, benzyl ether, acetic acid ester, benzoic acid ester, and carbonic acid ester.
The counter anion X can be converted into a desired anion by passing through an ion exchange resin and adding a conjugate acid of the target anion.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
また、活性光線又は放射線の放射により酸を発生する化合物として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
Of the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.
Further, as a compound that generates an acid by radiation of actinic rays or radiation, a compound that generates an acid having one sulfonic acid group or imide group is preferable, and a compound that generates monovalent perfluoroalkanesulfonic acid, more preferably, Or a compound generating an aromatic sulfonic acid substituted with a monovalent fluorine atom or a group containing a fluorine atom, or a compound generating an imido acid substituted with a monovalent fluorine atom or a group containing a fluorine atom is there. The acid generator that can be used is particularly preferably a fluorinated substituted alkane sulfonic acid, a fluorinated substituted benzene sulfonic acid or a fluorinated substituted imido acid whose pKa of the generated acid is pKa = -1 or less, and the sensitivity is improved. .

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。   Among the compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, particularly preferred examples are given below.

酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
酸発生剤の感光性組成物中の含量は、感光性組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the acid generator in the photosensitive composition is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and still more preferably 1 based on the total solid content of the photosensitive composition. -7% by mass.

塩基性化合物
本発明の感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
Basic Compound The photosensitive composition of the present invention preferably contains a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating.

好ましい構造として、下記式(A)〜(E)で示される構造を挙げることができる。   Preferable structures include structures represented by the following formulas (A) to (E).

ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示す。
Here, R 250 , R 251 and R 252 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, And R 250 and R 251 may combine with each other to form a ring. These may have a substituent. Examples of the alkyl group and cycloalkyl group having a substituent include an aminoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aminocycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and 1 to 1 carbon atoms. A 20 hydroxyalkyl group or a C 3-20 hydroxycycloalkyl group is preferred.
These may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain.
R 253 , R 254 , R 255 and R 256 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.

好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。   Preferable compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine, and piperidine, and may have a substituent. More preferable compounds include compounds having an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, a hydroxyl group and / or Or the aniline derivative which has an ether bond etc. can be mentioned.

イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン、N,N−ジメトキシエチル−N−フェノキシエトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリン等を挙げることができる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0. ] Undec-7-ene. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium. Examples thereof include hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, and 2-oxopropylthiophenium hydroxide. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, tris (methoxyethoxyethyl) amine, N, N-dimethoxyethyl-N-phenoxyethoxyethoxyethylamine, and the like. . Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の使用量は、感光性組成物の固形分を基準として、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。   These basic compounds are used alone or in combination of two or more. The amount of the basic compound used is preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the solid content of the photosensitive composition.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
本発明の感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
Fluorine and / or silicon-based surfactant The photosensitive composition of the present invention further comprises a fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant and silicon-based surfactant, both fluorine atom and silicon atom). It is preferable to contain any one or two or more kinds of surfactants.

本発明の感光性組成物がフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤とを含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。   When the photosensitive composition of the present invention contains fluorine and / or a silicon-based surfactant, adhesion and development defects can be obtained with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A small resist pattern can be provided.

これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。   Examples of these fluorine and / or silicon surfactants include, for example, JP-A No. 62-36663, JP-A No. 61-226746, JP-A No. 61-226745, JP-A No. 62-170950, JP 63-34540 A, JP 7-230165 A, JP 8-62834 A, JP 9-54432 A, JP 9-5988 A, JP 2002-277862 A, US Patent Nos. 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511, 5,824,451 Surfactant can be mentioned, The following commercially available surfactant can also be used as it is.

使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新
秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
Examples of commercially available surfactants that can be used include EFTOP EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。   As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. It may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block link) or poly (block link of oxyethylene and oxypropylene) may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C613基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オ
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C613基を有
するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C817基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxy) (Ethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) copolymer, acrylate (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate having C 8 F 17 groups (or Copolymer of acrylate (or methacrylate), (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group Coalesce, etc. Can.

フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤の使用量は、感光性組成物の全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。   The amount of fluorine and / or silicon surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the photosensitive composition (excluding the solvent). is there.

酸化防止剤
本発明の感光性組成物は、酸化防止剤を含有することが好ましい。
酸化防止剤とは、有機材料が酸素の存在下で酸化されることを防ぐためのものである。
Antioxidant The photosensitive composition of the present invention preferably contains an antioxidant.
The antioxidant is for preventing the organic material from being oxidized in the presence of oxygen.

酸化防止剤としては、一般に使用されているプラスチック等の酸化防止に効果があるものであれば特に限定するものではなく、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン−アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤、アミン− ケトン縮合物からなる酸化防止剤等があげられる。なお、これらの酸化防止剤のうち、レジストの機能を低下させずに本発明の効果を発現させるためには、酸化防止剤としてフェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤を用いることが好ましい。   The antioxidant is not particularly limited as long as it is effective in preventing the oxidation of commonly used plastics, for example, a phenolic antioxidant, an antioxidant made of an organic acid derivative, and a sulfur-containing agent. Antioxidants, phosphorus antioxidants, amine antioxidants, antioxidants composed of amine-aldehyde condensates, antioxidants composed of amine-ketone condensates, and the like. Of these antioxidants, phenol antioxidants and antioxidants composed of organic acid derivatives are used as antioxidants in order to exhibit the effects of the present invention without reducing the function of the resist. Is preferred.

ここに、フェノール系酸化防止剤としては、置換フェノール類、例えば、1 − オキシ−3 − メチル− 4 − イソプロピルベンゼン、2 , 6 − ジ− 第三− ブチルフェノール、2 , 6− ジ− 第三− ブチル− 4 − エチルフェノール、2 , 6 − ジ−
第三− ブチル− 4 − メチルフェノール、4 − ヒドロキシメチル− 2 , 6 − ジ− 第三− ブチルフェノール、ブチル・ヒドロキシアニソール、2− ( 1 − メチルシクロヘキシル) − 4 , 6 − ジメチルフェノール、2 , 4 − ジメチル− 6 − 第三− ブチルフェノール、2 − メチル− 4 , 6 − ジノニルフェノール、2 , 6
− ジ− 第三− ブチル− α − ジメチルアミノ− p − クレゾール、6 − ( 4 −
ヒドロキシ− 3 , 5 − ジ− 第三− ブチル・アニリノ) 2 , 4 − ビス・オクチル− チオ− 1 ,3 , 5 − トリアジン、n − オクタデシル− 3 − ( 4 ’ − ヒドロキシ− 3 ’ , 5 ’ − ジ− 第三− ブチル・フェニル) プロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール類、アルキル化− p − クレゾール、ヒンダード・フェノール等があげられ、ビス, トリス, ポリフェノール類、例えば、4 , 4 ’ − ジヒドロキシ・ジフェニル、メチレン・ビス( ジメチル− 4 , 6 − フェノール) 、2 , 2 ’ − メチレン− ビス− ( 4 − メチル− 6 −第三− ブチルフェノール) 、2 , 2 ’ − メチレン− ビス− ( 4 − メチル− 6 − シクロヘキシル・フェノール) 、2 , 2 ’ − メチレン− ビス− ( 4 − エチル− 6 − 第三− ブチルフェノール) 、4 , 4 ’ − メチレン− ビス− ( 2 , 6 − ジ− 第三− ブチルフェノール) 、2 ,2 ’ − メチレン− ビス− ( 6 − アルファメチル− ベンジル− p − クレゾール) 、メチレン架橋した多価アルキルフェノール、4 , 4 ’ − ブチリデンビス− ( 3 − メチル− 6 − 第三− ブチルフェノール) 、1 , 1 − ビス− ( 4 − ヒドロキシフェニル) − シクロヘキサン、2 , 2 ’ − ジヒドロキシ− 3 , 3 ’ − ジ− ( α − メチルシクロヘキシル)− 5 , 5 ’ − ジメチル・ジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダード・ビスフェノール、1 , 3 , 5 − トリメチル− 2 , 4 , 6 − トリス( 3 , 5 − ジ− 第三− ブチル− 4 − ヒドロキシベンジル) ベンゼン、トリス− ( 2 − メチル− 4 − ヒドロキシ− 5 − 第三− ブチルフェニル) ブタン、テトラキス−[ メチレン− 3 − ( 3 ’ , 5 ’ − ジ− 第三− ブチル− 4 ’− ヒドロキシフェニル) プロピオネート] メタン等があげられる。
Here, as the phenolic antioxidant, substituted phenols such as 1-oxy-3-methyl-4-isopropylbenzene, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,6-di-tert- Butyl-4-ethylphenol, 2,6-di-
Tert-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-tert-butylphenol, butylhydroxyanisole, 2- (1-methylcyclohexyl) -4,6-dimethylphenol, 2,4 -Dimethyl-6-tert-butylphenol, 2-methyl-4,6-dinonylphenol, 2,6
-Di-tert-butyl-α-dimethylamino-p-cresol, 6- (4-
Hydroxy-3,5-di-tert-butylanilino) 2,4-bisoctyl-thio-1,3,5-triazine, n-octadecyl-3- (4'-hydroxy-3 ', 5' -Di-tert-butyl-phenyl) propionate, octylated phenol, aralkyl-substituted phenols, alkylated-p-cresol, hindered phenol, etc., bis, tris, polyphenols such as 4, 4'- Dihydroxy diphenyl, methylene bis (dimethyl-4,6-phenol), 2,2'-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylene-bis- (4 -Methyl-6-cyclohexyl-phenol), 2,2'-methylene-bis- (4- Ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-methylene-bis- (2,6-di-tert-butylphenol), 2,2'-methylene-bis- (6-alphamethyl-benzyl-p -Cresol), methylene-bridged polyhydric alkylphenols, 4,4'-butylidenebis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1-bis- (4-hydroxyphenyl) -cyclohexane, 2, 2 '-Dihydroxy-3,3'-di- (α-methylcyclohexyl) -5,5'-dimethyldiphenylmethane, alkylated bisphenol, hindered bisphenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris ( 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) ben Tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, tetrakis- [methylene-3- (3 ', 5'-di-tert-butyl-4'-hydroxyphenyl) Propionate] Examples include methane.

本発明で用いる酸化防止剤の好ましい具体例としては、2 , 6 − ジ− t − ブチル− 4 −メチルフェノール、4− ヒドロキシメチル− 2 , 6 − ジ− t − ブチルフェノール、2 、2'− メチレンビス( 4 − メチル− 6 − t − ブチルフェノール) 、ブチルヒドロキシアニソール、t − ブチルヒドロキノン、2 , 4 , 5 −トリヒドロキシブチロフェノン、ノルジヒドログアヤレチック酸、没食子酸プロピル、没食子酸オクチル、没食子酸ラウリル、クエン酸イソプロピルなどが挙げられる。これらのうち2, 6 − ジ− t − ブチル− 4 − メチルフェノール、4 − ヒドロキシメチル− 2 , 6 − ジ− t − ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t − ブチルヒドロキノンが好ましく、さらに2 , 6 − ジ− t − ブチル−4 − メチルフェノールまたは4− ヒドロキシメチル− 2 , 6 − ジ− t − ブチルフェノールがより好ましい。   Preferable specific examples of the antioxidant used in the present invention include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, and 2,2′-methylenebis. (4-methyl-6-t-butylphenol), butylhydroxyanisole, t-butylhydroquinone, 2,4,5-trihydroxybutyrophenone, nordihydroguaiaretic acid, propyl gallate, octyl gallate, lauryl gallate, And isopropyl citrate. Of these, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, butylhydroxyanisole, and t-butylhydroquinone are preferred, and 2,6-di- -T-Butyl-4-methylphenol or 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol is more preferred.

酸化防止剤の含有量は、感光性組成物中に1ppm以上であることが好ましく、5ppm以上であることが更により好ましく、10ppm 以上であることが更により好ましく、50ppm 以上であることが更により好ましく、100ppm 以上であることが更により好ましく、100〜10000ppm であることが特に好ましい。また、複数の酸化防止剤を混合して使用しても良い。   The content of the antioxidant is preferably 1 ppm or more in the photosensitive composition, more preferably 5 ppm or more, still more preferably 10 ppm or more, and even more preferably 50 ppm or more. Preferably, it is still more preferably 100 ppm or more, and particularly preferably 100 to 10,000 ppm. A plurality of antioxidants may be mixed and used.

有機溶剤
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
Organic Solvent The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent.

使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。   Examples of the organic solvent that can be used include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl. Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc.

(Ia)ケトン系溶剤
本発明において使用される溶剤として好ましくは、少なくとも1つのケトン構造を有する溶剤である。
ケトン構造を有する溶剤としては、鎖状ケトン溶剤、環状ケトン溶剤が挙げられ、合計炭素数5〜8の化合物が塗布性が良好で好ましい。
鎖状ケトン溶剤としては、例えば、2−ヘプタノン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどが挙げられ、好ましくは2−ヘプタノンである。
環状ケトン溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、3−メチル−2−シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、イソホロン等挙げられ、好ましくはシクロヘキサノン、シクロヘプタノンである。
(Ia) Ketone solvent The solvent used in the present invention is preferably a solvent having at least one ketone structure.
Examples of the solvent having a ketone structure include a chain ketone solvent and a cyclic ketone solvent, and a compound having a total carbon number of 5 to 8 is preferable because of good coatability.
Examples of chain ketone solvents include 2-heptanone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, with 2-heptanone being preferred.
Examples of the cyclic ketone solvent include cyclopentanone, 3-methyl-2-cyclopentanone, cyclohexanone, 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, and isophorone. Are cyclohexanone and cycloheptanone.

溶剤はケトン構造を有する溶剤単独、もしくは他の溶剤との混合溶剤として用いることが好ましい。混合する溶剤(併用溶剤)としてはプロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、乳酸アルキル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、アルコキシプロピオン酸アルキル、ラクトン化合物等を挙げることができる。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を挙げることができる。
乳酸アルキルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル等を挙げることができる。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。
ラクトン化合物としては、例えば、γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。
The solvent is preferably used as a solvent having a ketone structure alone or as a mixed solvent with other solvents. Examples of the solvent to be mixed (combined solvent) include propylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkyl lactate, propylene glycol monoalkyl ether, alkyl alkoxypropionate, and lactone compound.
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether acetate and the like.
Examples of the alkyl lactate include methyl lactate and ethyl lactate.
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether.
Examples of the alkyl alkoxypropionate include methyl methoxypropionate, ethyl methoxypropionate, methyl ethoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate.
Examples of the lactone compound include γ-butyrolactone.

好ましい併用溶剤としては、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、乳酸アルキル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを挙げることができる。より好ましい併用溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを挙げることができる。   Preferred examples of the combined solvent include propylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkyl lactate, and propylene glycol monoalkyl ether. More preferable examples of the combined solvent include propylene glycol monomethyl ether acetate.

ケトン系溶剤と併用溶剤とを混合することにより、基板密着性、現像性、DOF等が改善される。
ケトン系溶剤と上記併用溶剤の比率(質量比)は、好ましくは10/90〜95/5、より好ましくは20/80〜80/20、更に好ましくは30/70〜70/30である。
By mixing the ketone solvent and the combined solvent, substrate adhesion, developability, DOF, and the like are improved.
The ratio (mass ratio) of the ketone solvent and the combined solvent is preferably 10/90 to 95/5, more preferably 20/80 to 80/20, still more preferably 30/70 to 70/30.

また、膜厚均一性や現像欠陥性能を高める観点で、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の沸点200℃以上の高沸点溶剤を混合してもよい。
これら高沸点溶剤の添加量は、全溶剤中の好ましくは0.1〜15質量%であり、より好ましくは0.5〜10質量%であり、更により好ましくは1〜5質量%である。
Moreover, you may mix the high boiling point solvent of 200 degreeC or more of boiling points, such as ethylene carbonate and a propylene carbonate, from a viewpoint of improving film thickness uniformity and development defect performance.
The amount of these high-boiling solvents added is preferably 0.1 to 15% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and even more preferably 1 to 5% by mass in the total solvent.

本発明に於いては、溶剤を単独に用いて、好ましくは2種類以上の溶剤を用いて、固形分濃度として、好ましくは1〜20質量%、より好ましくは1〜10質量%、更により好ましくは1〜8質量%の感光性組成物を調製する。   In the present invention, the solvent is used alone, preferably two or more kinds of solvents are used, and the solid content concentration is preferably 1 to 20% by mass, more preferably 1 to 10% by mass, and still more preferably. Prepare 1 to 8% by weight of a photosensitive composition.

本発明の感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。   If necessary, the photosensitive composition of the present invention further promotes solubility in surfactants other than dyes, plasticizers, fluorine-based and / or silicon-based surfactants, photosensitizers, and developers. A compound etc. can be contained.

本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。   The dissolution accelerating compound for the developer that can be used in the present invention is a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable.

これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、(C)成分の樹脂又は(E)成分の樹脂に対して2〜50質量%であり、さらに好ましくは5〜30質量%である。現像残渣抑制、現像時パターン変形防止の点で50質量%以下が好ましい。   The preferable addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by mass, more preferably 5 to 30% by mass with respect to the resin of component (C) or the resin of component (E). 50 mass% or less is preferable at the point of development residue suppression and the pattern deformation prevention at the time of image development.

このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開平2−28531号、米国特許第4916210号、欧州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。   Such phenolic compounds having a molecular weight of 1000 or less can be obtained by referring to methods described in, for example, JP-A-4-1222938, JP-A-2-28531, U.S. Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. Can be easily synthesized.

カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。   Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

本発明においては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。   In the present invention, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants may be added. Specifically, nonionic interfaces such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan aliphatic esters, polyoxyethylene sorbitan aliphatic esters, etc. Mention may be made of activators.

これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。   These surfactants may be added alone or in some combination.

(パターン形成方法)
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
(Pattern formation method)
The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, and applying the solution on a predetermined support as follows.

例えば、感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感光性膜を形成する。
当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
活性光線又は放射線の照射時に感光性膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体を満たして露光(液浸露光)を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。
For example, the photosensitive composition is applied onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for the manufacture of precision integrated circuit elements by an appropriate coating method such as a spinner or a coater, and dried to form a photosensitive film. Form.
The photosensitive film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated) and developed. Thereby, a good pattern can be obtained.
Exposure (immersion exposure) may be performed by filling a liquid having a higher refractive index than air between the photosensitive film and the lens during irradiation with actinic rays or radiation. Thereby, resolution can be improved.

活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(13nm)、電子ビームが好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, electron beam, etc., but preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam, etc. ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (13 nm) An electron beam is preferred.

現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、好ましくは0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、好ましくは10.0〜15.0である。
In the development step, an alkaline developer is used as follows. As an alkaline developer of the resist composition, inorganic hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts, cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is preferably from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkaline developer is preferably 10.0 to 15.0.

以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, the content of this invention is not limited by this.

合成例1(酸分解性ポリマー(RB−10)の合成
反応容器中で3−オキソペンチル−4−アセトキシスチレン7.5g(0.03mol)、4−アセトキシスチレン16.22g(0.1mol)、重合開始剤剤V−601(和光純薬工業(株)製)を0.23g(0.001mol)をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート200gに溶解し、窒素ガス雰囲気下、80℃の系中に4時間かけて滴下した。滴下後、2時間加熱攪拌した後反応溶液を室温まで放冷し、ヘキサン3L中に滴下しポリマーを沈殿させた。ろ過した固体をアセトン200mlに溶解し、再度ヘキサン5L中に滴下、ろ過した固体を減圧乾燥して、3−オキソペンチル−4−アセトキシスチレン/4−アセトキシスチレン共重合体を20.14g得た。
Synthesis Example 1 (Synthesis of acid-decomposable polymer (RB-10) 3-oxopentyl-4-acetoxystyrene 7.5 g (0.03 mol), 4-acetoxystyrene 16.22 g (0.1 mol) in a reaction vessel, polymerization initiator Agent V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.23 g (0.001 mol) dissolved in 200 g of ethylene glycol monoethyl ether acetate and placed in a system at 80 ° C. for 4 hours under nitrogen gas atmosphere. After the dropwise addition, the reaction solution was allowed to cool to room temperature after being heated and stirred for 2 hours, and dropped into 3 L of hexane to precipitate a polymer.The filtered solid was dissolved in 200 ml of acetone, dropped again into 5 L of hexane, The filtered solid was dried under reduced pressure to obtain 20.14 g of 3-oxopentyl-4-acetoxystyrene / 4-acetoxystyrene copolymer.

反応容器中に上記で得られた共重合体20.00g、メタノール40ml、1−メトキシ−2−プロパノール100ml、濃塩酸1.5mlを加え、80℃に加熱して5時間攪拌した。反応溶液を室温まで放冷し、蒸留水3L中に滴下した。ろ過した固体をアセトン200mlに溶解し、再度蒸留水3L中に滴下、ろ過した固体を減圧乾燥してポリマー(P−1)を13.31g得た。GPCによる重量平均分子量は8000、分子量分散度(Mw/Mn)は1.35であった。   20.00 g of the copolymer obtained above, 40 ml of methanol, 100 ml of 1-methoxy-2-propanol and 1.5 ml of concentrated hydrochloric acid were added to the reaction vessel, heated to 80 ° C. and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature and dropped into 3 L of distilled water. The filtered solid was dissolved in 200 ml of acetone, dropped again into 3 L of distilled water, and the filtered solid was dried under reduced pressure to obtain 13.31 g of polymer (P-1). The weight average molecular weight by GPC was 8000, and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) was 1.35.

反応容器中で、上記で得られたポリマー(P−1)10.00gをPGMEA100gに溶解し、この溶液を60℃、20mmHgまで減圧して約20gの溶剤を系中に残存している水と共に留去し、20℃まで冷却し、2−(4−シクロヘキシルフェノキシ)エチルビニルエーテル2.00g、p−トルエンスルホン酸0.02gを添加し、室温にて2時間撹拌した。その後、トリエチルアミン0.03gを添加して中和し、酢酸エチル300g、水100gを加えて洗浄操作を3回行った。その後、溶媒量を調整して30質量%のポリマー溶液を得た。GPCによる重量平均分子量は8000、分子量分散度は1.4であり、1Hおよび13C−NMR解析から、フェノール性OHのアセタール保護率が20.1%であった。   In a reaction vessel, 10.00 g of the polymer (P-1) obtained above was dissolved in 100 g of PGMEA, this solution was decompressed to 60 ° C. and 20 mmHg, and about 20 g of solvent was added together with the remaining water in the system. After distilling off and cooling to 20 ° C., 2.00 g of 2- (4-cyclohexylphenoxy) ethyl vinyl ether and 0.02 g of p-toluenesulfonic acid were added and stirred at room temperature for 2 hours. Thereafter, 0.03 g of triethylamine was added for neutralization, and 300 g of ethyl acetate and 100 g of water were added for washing operation three times. Thereafter, the amount of the solvent was adjusted to obtain a 30% by mass polymer solution. The weight average molecular weight by GPC was 8000, the molecular weight dispersity was 1.4, and the acetal protection rate of phenolic OH was 20.1% from 1H and 13C-NMR analysis.

以下の実施例で使用した酸分解性ポリマー(A)、(B)は、用いるモノマーおよびビニルエーテルを変更する以外は上記合成例1と同様の方法で合成した。   The acid-decomposable polymers (A) and (B) used in the following examples were synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 except that the monomer and vinyl ether used were changed.

実施例1〜13及び比較例1〜4
下記表1に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度が5質量%の溶液を調製した。この
溶液を0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過し、ポジ型レジスト溶液を調製した。
Examples 1-13 and Comparative Examples 1-4
The components shown in Table 1 below were dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content concentration of 5% by mass. This solution was filtered through a 0.1 μm polytetrafluoroethylene filter to prepare a positive resist solution.

調製したポジ型レジスト溶液をスピンコータを利用して、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に均一に塗布し、120℃90秒間加熱乾燥を行い、膜厚0.15μmのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50KeV)を用いて電子線照射を行った。照射後に110℃、90秒ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。   The prepared positive resist solution is uniformly applied on a silicon wafer subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, and heated and dried at 120 ° C. for 90 seconds to form a positive resist film having a thickness of 0.15 μm. Formed. The resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam drawing apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd., acceleration voltage 50 KeV). After irradiation, it was baked at 110 ° C. for 90 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The obtained pattern was evaluated by the following method.

[感度]
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製 S−4800)を用いて観察した。150nmライン(ライン:スペース=1:1)を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。
[sensitivity]
The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). The minimum irradiation energy when resolving a 150 nm line (line: space = 1: 1) was defined as sensitivity.

[解像度]
上記の感度を示す照射量において、たとえパターンの一部に倒れが見られたとしても分離解像が認められたラインサイズ(ライン:スペース=1:1)を限界解像サイズとし、これを解像度と定義した。
[resolution]
The line size (line: space = 1: 1) in which separation resolution is recognized even when a part of the pattern is tilted is used as the limit resolution size at the irradiation dose showing the above sensitivity, and this is the resolution. Defined.

[ラインエッジラフネス(LER)]
上記の感度を示す照射量における150nmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、良好な性能であることを意味する。
[Line edge roughness (LER)]
The distance from the reference line where there should be an edge using a scanning electron microscope (S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.) at any 30 points in the length direction of 50 μm of the 150 nm line pattern at the irradiation dose showing the sensitivity described above. Was measured, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated. A smaller value means better performance.

[倒れ前寸法]
上記の感度を示す照射量において、パターンの倒れが全く見られずに分離解像が認められたパターンサイズ(ライン:スペース=1:1)を倒れ前寸法として定義し、倒れの抑制具合の指標とした。この値が小さい程、良好な性能であることを意味する。
[Dimension before collapse]
The pattern size (line: space = 1: 1) in which separation resolution was observed without any pattern collapse at the above-mentioned exposure doses was defined as the pre-fall dimension, and an index of the degree of collapse suppression. It was. A smaller value means better performance.

表1に用いた略号を以下に示す。   Abbreviations used in Table 1 are shown below.

塩基性化合物
N−1:トリオクチルアミン
N−2:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン
N−3:2,4,6−トリフェニルイミダゾール
Basic compound N-1: Trioctylamine N-2: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene N-3: 2,4,6-triphenylimidazole

界面活性剤
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
W−4:ポリオキシエチレンラウリルエーテル
Surfactant W-1: Megafac F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
W-4: Polyoxyethylene lauryl ether

溶剤
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル
S−3:乳酸エチル
S−4:シクロヘキサノン
Solvent S-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate S-2: Propylene glycol monomethyl ether S-3: Ethyl lactate S-4: Cyclohexanone

表1から、本発明の感光性組成物は、感度、解像度、LER、パターン倒れの性能すべてにおいて、比較例の組成物よりも優れていることが判る。   From Table 1, it can be seen that the photosensitive composition of the present invention is superior to the composition of the comparative example in all of sensitivity, resolution, LER, and pattern collapse performance.

Claims (3)

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー、(B)下記一般式(II)で表される繰り返単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物。
一般式(I)に於いて、
Lは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Zは、環状構造を有さない基を表す。
1は、水素原子又は置換基を表す。
3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
5は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
a及びbは、それぞれ、1≦a、1≦bであり、且つ、(a+b)=5である。
一般式(II)に於いて、
L’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。
Wは、環状構造を有する基を表す。
2は、水素原子又は置換基を表す。
4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
c及びdは、それぞれ、1≦c、1≦dであり、且つ、(c+d)=5である。
(A) A polymer having a repeating unit represented by the following general formula (I) and decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, (B) represented by the following general formula (II) A photosensitivity comprising a polymer having a repeating unit and decomposing by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer and (C) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation Composition.
In general formula (I),
L represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
Z represents a group having no cyclic structure.
R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
a and b are 1 ≦ a, 1 ≦ b, and (a + b) = 5, respectively.
In general formula (II):
L ′ represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.
W represents a group having a cyclic structure.
R 2 represents a hydrogen atom or a substituent.
R 4 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group or a halogen atom.
R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
c and d are 1 ≦ c, 1 ≦ d, and (c + d) = 5, respectively.
X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とする、請求項1に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 1, wherein the photosensitive composition is exposed by X-ray, electron beam or EUV. 請求項1又は2に記載の感光性組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。   A pattern forming method comprising the steps of: forming a photosensitive film from the photosensitive composition according to claim 1; and exposing and developing the photosensitive film.
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