JP2009075503A - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学物質の熱を効率良く放散して、電気光学物質の特性劣化を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０，２０）と、該一対の基板に狭持された電気光学物質と、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における、電気光学物質に面する側に積層され、電気光学物質の配向状態を規制する無機配向膜（１６、２２）と、少なくとも一方の基板上における、無機配向膜の下層側に積層され、電気光学物質の熱を放散する放熱膜（２０１）とを備える。その駆動時に、液晶及び放熱膜間に比較的大きな温度勾配が形成されることによって、液晶及び放熱膜間で移動する熱量が増加し、効率良く液晶の熱を放散することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置が、例えばプロジェクタ等の強力な光源を備える電子機器に用いられると、光源の輻射熱等によって電気光学装置の温度が上昇して、例えば液晶等の電気光学物質の特性が劣化する可能性がある。このため、電気光学装置の一例としての液晶表示素子における防塵基板に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又は酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）である透過性酸化物結晶体、或いはフッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）又はフッ化バリウム（ＢａＦ_２）であるフッ化物単結晶を用いることによって、液晶表示素子の放熱性を向上させる技術が提案されている（特許文献１及び２参照）。

特開２００５−２０２３３２号公報 特開２００５−２０８０７８号公報

しかしながら、電気光学装置の一例としての液晶装置が無機配向膜を備えて構成されている場合は、無機配向膜を形成する無機材料の熱伝導率が低く、上述の特許文献１及び２に記載の技術を用いたとしても、液晶層の熱が十分には放散されないという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、電気光学物質の熱を効率良く放散して、電気光学物質の特性劣化を抑制することができる電気光学装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の基板と、該一対の基板に狭持された電気光学物質と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における、前記電気光学物質に面する側に積層され、前記電気光学物質の配向状態を規制する無機配向膜と、前記少なくとも一方の基板上における、前記無機配向膜の下層側に積層され、前記電気光学物質の熱を放散する放熱膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、一対の基板は、少なくとも一方の基板上における、電気光学物質に面する側に、例えばＳｉＯやＳｉＯ_２等の無機材料からなる無機配向膜を有している。他方の基板上における、電気光学物質に面する側にも、同様に、無機配向膜が設けられていてもよいし、有機配向膜を有していてもよい。例えば液晶等である電気光学物質は一対の基板間に狭持されており、該基板間において所定の配向状態となっている。ここに「所定の配向状態」とは、無機配向膜によって規制される電気光学物質の配向状態を意味する。例えば所定の配向状態を垂直配向とする場合には、例えば斜方蒸着法又は指向性スパッタ法によって、基板の法線方向に対して、例えば４０度〜６０度の角度で基板上に無機材料を積層して無機配向膜を形成すればよい。或いは、例えば所定の配向状態を水平配向とする場合には、例えば斜方蒸着法又は指向性スパッタ法によって、基板の法線方向に対して例えば８０度〜８５度の角度で基板上に無機材料を積層して無機配向膜を形成すればよい。

例えばＡｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＴｉＯ_２等の比較的熱伝導率の高い無機材料からなる放熱膜は、無機配向膜が形成された少なくとも一方の基板上における、無機配向膜より下層側に、積層されている。放熱膜は、その一部が空気中に露出されることによって、或いは、放熱膜より熱伝導率の高い金属等に接続されることによって、電気光学物質の熱を放散する。

本願発明者の研究によれば、一般に、電気光学装置が、例えば液晶プロジェクタのライトバルブとして用いられると、例えばハロゲンランプ等の光源からの強力な光源光が電気光学装置に入射し、電気光学物質の温度が上昇する。この電気光学物質の温度上昇を抑制するために、例えば電気光学物質を狭持する一対の基板の外側に放熱部材を設けたとしても、電気光学装置内の温度分布は、例えば電気光学装置の積層方向の座標を横軸に、各座標における温度を縦軸にとると、上に凸である曲線形状になる。即ち、一対の基板の外側に放熱部材を設けたとしても、積層方向の中心近傍に位置する電気光学物質の熱を効率良く放散することは困難である。加えて、無機配向膜を形成する無機材料の熱伝導率が低く、電気光学物質の熱が基板や放熱部材等に伝わり難いことが判明している。

しかるに本発明では、少なくとも一方の基板における無機配向膜の下層側に、放熱膜が配置されている。即ち、一対の基板の内側に放熱膜が配置されている。これにより、電気光学物質が配置されている位置の近傍に比較的温度の低い部位を形成することができる。すると、電気光学物質及び放熱膜間の距離が短く、且つ両者間に温度差があるので、大きな温度勾配を得ることができる。単位時間に単位面積を通過する熱量（以下、熱流束密度とも言う）は熱伝導率及び温度勾配に比例するため、温度勾配を大きくすることによって、熱流束密度を大きくすることができる。従って、無機配向膜の熱伝導率が低くても、大きな温度勾配をもたせることによって、電気光学物質の熱を効率良く放散することができる。

尚、このような放熱膜が、画素領域の全域或いは各画素の開口領域（即ち、表示に寄与する光が通過又は反射する領域）に形成される場合には、放熱膜は、なるべく光透過率が高い材料から構成されることが好ましい。

以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、無機配向膜を採用しつつ、電気光学物質の熱を効率良く放散して、電気光学物質の特性劣化を抑制することができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記一対の基板間の間隙において、前記放熱膜の一部が露出している。

この態様によれば、放熱膜の一部は、例えば基板の画素領域の周囲に位置するシール領域の外側等の一対の基板間の間隙において露出している。ここに「露出」とは、電気光学物質に面する領域から外れた領域において、当該電気光学装置の外部空間にある大気や部材に対して、放熱膜の一部が接触していることを意味する。これにより、放熱膜及び空気間における熱交換に寄与する放熱膜の面積を広くすることができ、効率良く熱を放散することができる。或いは、放熱膜を、例えば一対の基板を収容する金属製の収容ケース等に接続する際の接触面積を広くすることができ、接続部分の機械的な強度を向上させることができる。尚、「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素が平面配列された領域全体を意味し、典型的には、「画像表示領域」或いは「表示領域」に相当する。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上で平面的に見て、前記放熱膜の一部は、前記一対の基板のうち他方の基板の縁の少なくとも一部から外側へ向かって突出している。

この態様によれば、基板上で平面的に見て、放熱膜の一部が、他方の基板の縁の少なくとも一部から、即ち放熱膜が積層された基板とは異なる基板の縁の少なくとも一部から、外側へ向かって突出している。即ち、基板上で平面的に見て、放熱膜が前記異なる基板と重ならない部分を有している。これにより、放熱膜及び空気間における熱交換に寄与する放熱膜の面積を広くすることができ、効率良く熱を放散することができる。或いは、放熱膜を、例えば一対の基板を収容する金属製の収容ケース等に接続する際に、例えば接着剤を容易に塗布することができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記放熱膜の膜厚と該放熱膜の熱伝導率との積は、前記無機配向膜の膜厚と該無機配向膜の熱伝導率との積の２倍より大きい。

この態様によれば、放熱膜を積層しない場合に比べて、電気光学物質の温度を摂氏１０度以上低下することができる。電気光学物質に光が照射されることにより引き起こされる光化学反応の反応速度は、電気光学物質の温度が摂氏１０度低下すると、約半分になることが本願発明者の研究により判明している。従って、光化学反応による電気光学物質の特性劣化を抑制すると共に、当該電気光学装置の耐用期間を延長することができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記放熱膜の熱伝導率は、前記無機配向膜の熱伝導率より高い。

この態様によれば、例えば、上述の条件を満たすための放熱膜の膜厚を薄くすることができ（例えば、数十ナノメートル）、製造時間及びコスト等を抑制することができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記放熱膜は、前記無機配向膜の直下に積層されている。

この態様によれば、電気光学物質及び放熱膜間には、無機配向膜が積層されているのみであるので、電気光学物質及び放熱膜間において、より大きな温度勾配を得ることができる。従って、より効率良く電気光学物質の熱を放散することができる。

尚、放熱膜は、無機配向膜の下に、例えば、平坦化膜、絶縁膜、保護膜、パッシベーション膜など、他の膜を介して積層されていてもよい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一対の基板を収容する収容ケースを更に備え、前記放熱膜は、前記収容ケースに接続されている。

この態様によれば、例えば、アルミニウムや銅等の熱伝導率の高い材料からなる収容ケースは、一対の基板を収容する。放熱膜は、収容ケースに接続される。典型的には、接着剤や接着テープ等により放熱膜と収容ケースとが相互に接着され接続される。これにより、電気光学物質の熱は、放熱膜を介して収容ケースへ伝わり、放散される。収容ケースは、放熱膜よりも広い熱交換（即ち、放熱）面積を有するので、より効率良く電気光学物質の熱を放散することができる。尚、収容ケースには放熱フィン等が形成されていてもよい。

この態様では、前記放熱膜と前記収容ケースとを相互に接着する接着部を更に備えてもよい。

このように構成すれば、例えば接着剤等により形成される接着部によって、放熱膜と収容ケースとを機械的に強固に接続することができる。接触材としては、熱伝導性に優れたものが好ましい。例えば、接着部を形成する材料に、例えば金属微粒子等を混合すれば、熱伝導率を向上させることができ、実用上非常に有利である。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、電気光学物質の特性劣化を防止することができる。このため、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下、本発明の電気光学装置に係る実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

＜第１実施形態＞
本発明の電気光学装置に係る第１実施形態を、図１乃至図７を参照して説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。尚、図１及び図２にでは、説明の便宜上、基板上に形成された各構成要素の平面的な位置関係を一部異ならしめてある。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一対の基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、本発明に係る「電気光学物質」の一例としての液晶を含んでなる液晶層５０が狭持されている。該液晶層５０を構成する液晶は、誘電率異方性が負のネマティック液晶であり、当該液晶装置の駆動時には、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードで駆動される。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに代えて又は加えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿って、データ線駆動回路１０１より内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿った額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。画素電極９ａ上には、放熱膜２０１が画素電極９ａを覆うように、例えばＡｌ_２Ｏ_３やＭｇＯ等の比較的熱伝導率の高い透明絶縁材料を、例えば２０ｎｍ（ナノメートル）の厚さに積層して形成されている。放熱膜２０１上には、例えばＳｉＯ_２等の無機材料からなる無機配向膜１６が形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、無機配向膜２２が形成されている。

無機配向膜１６及び２２は、例えば斜方蒸着法又は指向性スパッタ法によって、基板の法線方向に対して、例えば４０度〜６０度の角度でＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０上に無機材料を、例えば１００ｎｍの厚さに夫々積層して形成される。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

また、液晶層５０は、ＶＡモードで駆動される液晶に代えて、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードで駆動される液晶を含んで構成されてもよい。即ち、液晶層５０は、誘電率異方性が正のネマティック液晶を含んで構成されてもよい。この場合は、例えば斜方蒸着法又は指向性スパッタ法によって、基板の法線方向に対して、例えば８０度〜８５度の角度でＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０上に無機材料を夫々積層して、無機配向膜１６及び２２を形成すればよい。

次に、放熱膜２０１について、図３乃至図５を参照して説明を加える。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置を対向基板の側から見た平面図であり、図４は、図３のＡ−Ａ´線断面図であり、図５は、本実施形態に係る液晶装置が収容ケースに収容された際のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図３乃至図５では、図１及び図２に示した各構成要素を適宜省略して示している。

図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層された放熱膜２０１は、その一部が対向基板２０の縁の一部から外側へ向かって突出している。また、図４に示すように、放熱膜２０１は、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に積層された部分が露出している。即ち、放熱膜２０１の一部は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間において露出している。放熱膜２０１が一部露出することによって、放熱膜２０１の熱を放散することができる。ここで特に、本実施形態では、放熱膜２０１が、対向基板２０の縁から外側へ向かって突出しているため、露出部分の面積を広くすることができ、効率良く熱を放散することができる。

図５に示すように、例えばアルミニウム等の熱伝導率の高い金属からなる収容ケース４０１に、当該液晶装置が収容される際には、例えばシリコン系のモールド剤からなる接着部４１１によって放熱膜２０１と収容ケース４０１とが相互に接着される。このように、放熱膜２０１の露出部分は接続部分としても機能する。そして、放熱膜２０１の露出部分の面積が広いため、より放熱効率の高い収容ケース４０１に対し、効率良く熱を伝えることができる。

このような放熱膜２０１が、液晶層５０の近傍に積層されているため、液晶層５０及び放熱膜２０１間において、比較的大きな温度勾配を得ることができる。すると、液晶層５０の熱が放熱膜２０１に伝わり易くなり、効率良く液晶層５０の熱を放散することができる。従って、液晶層５０を構成する液晶の熱による特性劣化を抑制することが可能となる。

次に、放熱膜２０１の膜厚について、図６及び図７を参照して説明を加える。ここに図６は、放熱膜の膜厚と液晶層の温度との関係の一例を示す特性図であり、図７は、放熱膜及び無機配向膜の膜厚と、各膜厚と各膜を構成する材料の熱伝導率との積との関係の一例を示す特性図である。図６及び図７は、無機配向膜の厚さを１００ｎｍ、放熱膜の厚さを０、１０、１５、２０ｎｍとして夫々構成した液晶装置に対し、３Ｗ／ｃｍ^２の光を照射した際の実測値を夫々示している。図中の丸は放熱膜２０１をＡｌ_２Ｏ_３で形成した場合を示しており、菱形は放熱膜２０１をＭｇＯで形成した場合を示している。また、三角はＳｉＯ_２で形成した無機配向膜１６を示している。尚、図６及び図７において各実測点を直線で補間している。

図６に示すように、放熱膜２０１の厚さが１５nm以上であれば、液晶層５０の温度を放熱膜２０１が無い場合に比べて摂氏１０度以上低下させることができる。本願発明者の研究によれば、液晶層５０の温度が摂氏１０度低下すれば、液晶の光化学反応の反応速度が約半分になる。即ち、液晶装置の耐用期間を約２倍にすることができることが判明している。従って、液晶層５０の温度が摂氏１０度以上低下する条件を定量的に求めることができれば、求められた条件に適合するように材料及び膜厚を選択して適宜液晶装置を設計することができる。

そこで、本願発明者は、材料の伝熱特性を表す熱伝導率と膜厚の積というパラメータに着目する。図７に示すように、無機配向膜１６に関するパラメータの値は１５であり、膜厚１５ｎｍの放熱膜２０１に関するパラメータの値は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ共に、約３７である。この結果、本願発明者は、放熱膜の膜厚と熱伝導率との積が、無機配向膜の膜厚と熱伝導率との積の２倍より大きければ、仮に誤差範囲内において値が変化したとしても、液晶層５０の温度を摂氏１０度以上低下させることができると結論づけられる。尚、図中に示した誤差は、成膜条件等による熱伝導率の変化に起因している。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態を、図８及び図９を参照して説明する。ここに図８は、図３と同趣旨の、本実施形態に係る液晶装置を対向基板の側から見た平面図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ´線断面図である。尚、第２実施形態では、放熱膜が対向基板に積層されている以外は、第１実施形態の構成と同様である。よって、第２実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図８及び図９を参照して説明する。

図９に示すように、放熱膜２０２は、対向基板２０上に形成された対向電極２１の上に形成されている。無機配向膜２２は、放熱膜２０２の上に形成されている。該放熱膜２０２の一部は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間において露出している。また、図８に示すように、平面的に見て、放熱膜２０２は、その一部がＴＦＴアレイ基板１０の縁の一部から外側へ向かって突出している。尚、無機配向膜１６は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された画素電極９ａを覆うように形成されている。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態を、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１０は、図３と同趣旨の、本実施形態に係る液晶装置を対向基板の側から見た平面図であり、図１１は、図１０のＣ−Ｃ´線断面図である。尚、第３実施形態では、放熱膜がＴＦＴアレイ基板及び対向基板に積層されている以外は、第１実施形態の構成と同様である。よって、第３実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図１０及び図１１を参照して説明する。

図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａを覆うように放熱膜２０３が形成されている。該放熱膜２０３の上には、無機配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の上に放熱膜２０４が形成されている。該放熱膜２０４の上には、無機配向膜２２が形成されている。

図１０に示すように、平面的に見て、放熱膜２０３は、対向基板２０の縁の一部から外側（図１０における上方向）へ向かって突出しており、放熱膜２０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の縁の一部から外側（図１０における左右方向）へ向かって突出している。

このように構成すれば、放熱膜２０３及び２０４が液晶層５０の積層方向の両側に形成されているため、より効率良く液晶層５０の熱を放散することができる。

＜電子機器＞
次に、図１２を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。

図１２に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図３のＡ−Ａ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置が収容ケースに収容された際のＡ−Ａ´線断面図である。 放熱膜の膜厚と液晶層の温度との関係の一例を示す特性図である。 放熱膜及び無機配向膜の膜厚と、各膜厚と各膜を構成する材料の熱伝導率との積との関係の一例を示す特性図である。 第２実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図８のＢ−Ｂ´線断面図である。 第３実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図１０のＢ−Ｂ´線断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１６、２２…無機配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、２０１、２０２、２０３、２０４…放熱膜、４０１…収容ケース、４１１…接着部

Claims (9)

1. 一対の基板と、
   該一対の基板に狭持された電気光学物質と、
   前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における、前記電気光学物質に面する側に積層され、前記電気光学物質の配向状態を規制する無機配向膜と、
   前記少なくとも一方の基板上における、前記無機配向膜の下層側に積層され、前記電気光学物質の熱を放散する放熱膜と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記一対の基板間の間隙において、前記放熱膜の一部が露出していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記基板上で平面的に見て、前記放熱膜の一部は、前記一対の基板のうち他方の基板の縁の少なくとも一部から外側へ向かって突出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記放熱膜の厚みと該放熱膜の熱伝導率との積は、前記無機配向膜の厚みと該無機配向膜の熱伝導率との積の２倍より大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記放熱膜の熱伝導率は、前記無機配向膜の熱伝導率より高いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記放熱膜は、前記無機配向膜の直下に積層されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記一対の基板を収容する収容ケースを更に備え、
   前記放熱膜は、前記収容ケースに接続されている
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記放熱膜と前記収容ケースとを相互に接着する接着部を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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