JP2009033782A - Power transmission control device, power transmission device, electronic equipment, and non-contact power transmission system - Google Patents

Power transmission control device, power transmission device, electronic equipment, and non-contact power transmission system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power transmission control device having an improved detection accuracy of detecting foreign substances, and to provide a power transmission device. <P>SOLUTION: The power transmission control device provided on the power transmission device of a non-contact power transmission system includes: a drive clock generating circuit 25 for generating a drive clock DRCK defining the drive frequency of a primary coil L1; a driver control circuit 26 for generating a driver control signal on the basis of the drive clock DRCK and outputting the generated driver clock signal to the power transmission driver; a waveform detecting circuit 30 for detecting a change in waveform of an induction voltage signal PHIN of the primary coil L1; and a control circuit 20 for detecting foreign substances on the basis of a result of detection in the waveform detection circuit 30. In detecting foreign substances, the drive clock generating circuit 25 outputs the drive clock signal DRCK set in a foreign substance detecting frequency F2 being a frequency different from a usual power transmission frequency. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、送電制御装置、送電装置、電子機器及び無接点電力伝送システムに関する。   The present invention relates to a power transmission control device, a power transmission device, an electronic device, and a contactless power transmission system.

近年、電磁誘導を利用し、金属部分の接点がなくても電力伝送を可能にする無接点電力伝送(非接触電力伝送)が脚光を浴びている、この無接点電力伝送の適用例として、携帯電話機や家庭用機器(例えば電話機の子機)の充電などが提案されている。   In recent years, contactless power transmission (contactless power transmission) that uses electromagnetic induction and enables power transmission even without a metal part contact has been highlighted. Charging of telephones and household equipment (for example, a handset of a telephone) has been proposed.

無接点電力伝送の従来技術として特許文献1がある。この特許文献1では、送電装置(1次側)が、1次コイルの誘起電圧信号のピーク値を監視して、所定のしきい値電圧と比較することで、受電側の負荷状態を検出し、金属異物検出を実現している。   There exists patent document 1 as a prior art of non-contact electric power transmission. In Patent Document 1, the power transmission device (primary side) detects the load state on the power receiving side by monitoring the peak value of the induced voltage signal of the primary coil and comparing it with a predetermined threshold voltage. , Metal foreign object detection is realized.

しかしながら、この特許文献1の従来技術では、コイルの駆動周波数は常に一定であり、駆動周波数を変更することはなかった。このため、異物検出の精度を今ひとつ向上できないという課題があった。
特開2006−60909号公報
However, in the prior art of Patent Document 1, the drive frequency of the coil is always constant, and the drive frequency is not changed. For this reason, there was a problem that the accuracy of foreign object detection could not be improved.
JP 2006-60909 A

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、異物検出の精度を向上できる送電制御装置、送電装置、電子機器及び無接点電力伝送システムを提供することにある。   The present invention has been made in view of the technical problems as described above. The object of the present invention is to provide a power transmission control device, a power transmission device, an electronic device, and a contactless power transmission system capable of improving the accuracy of foreign object detection. It is to provide.

本発明は、1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて送電装置から受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の負荷に対して電力を供給する無接点電力伝送システムの前記送電装置に設けられる送電制御装置であって、前記1次コイルの駆動周波数を規定する駆動クロックを生成して出力する駆動クロック生成回路と、前記駆動クロックに基づいてドライバ制御信号を生成し、前記1次コイルを駆動する送電ドライバに対して出力するドライバ制御回路と、前記1次コイルの誘起電圧信号の波形変化を検出する波形検出回路と、前記波形検出回路での検出結果に基づいて、異物検出を行う制御回路とを含み、前記駆動クロック生成回路は、異物検出時には、通常送電用周波数とは異なる周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力する送電制御装置に関係する。   The present invention relates to the non-contact power transmission system in which a primary coil and a secondary coil are electromagnetically coupled to transmit power from a power transmission device to a power reception device and supply power to a load of the power reception device. A power transmission control device provided in a power transmission device, a drive clock generation circuit that generates and outputs a drive clock that defines a drive frequency of the primary coil, a driver control signal is generated based on the drive clock, and A driver control circuit that outputs to a power transmission driver that drives the primary coil, a waveform detection circuit that detects a change in the waveform of the induced voltage signal of the primary coil, and a foreign object based on the detection result of the waveform detection circuit A control circuit that performs detection, and the drive clock generation circuit is configured to detect a foreign object before setting the foreign object detection frequency to a frequency different from a normal power transmission frequency. It related to power transmission control device for outputting a drive clock.

本発明によれば、駆動クロック生成回路は、駆動周波数を規定する駆動クロックを生成して出力し、ドライバ制御回路は、この駆動クロックに基づいてドライバ制御信号を生成して、送電ドライバに対して出力する。そして、この場合に本発明では、異物検出時には、通常送電用周波数とは異なる異物検出用周波数に設定された駆動クロックが出力される。そして、このように、駆動クロックが異物検出用周波数に設定された状態で、波形検出回路が、1次コイルの誘起電圧信号の波形変化を検出し、制御回路が、その検出結果に基づいて異物検出を行う。このようにすれば、通常送電時とは異なる駆動周波数で異物検出が行われるようになり、異物検出精度を向上できる。   According to the present invention, the drive clock generation circuit generates and outputs a drive clock that defines the drive frequency, and the driver control circuit generates a driver control signal based on the drive clock and outputs it to the power transmission driver. Output. In this case, according to the present invention, when a foreign object is detected, a drive clock set at a foreign object detection frequency different from the normal power transmission frequency is output. In this way, with the drive clock set to the foreign object detection frequency, the waveform detection circuit detects the change in the waveform of the induced voltage signal of the primary coil, and the control circuit detects the foreign object based on the detection result. Perform detection. In this way, foreign object detection is performed at a driving frequency different from that during normal power transmission, and the foreign object detection accuracy can be improved.

また本発明では、前記駆動クロック生成回路は、異物検出時には、前記通常送電用周波数とコイル共振周波数との間の周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力してもよい。   In the present invention, the drive clock generation circuit may output the drive clock set to a foreign object detection frequency that is a frequency between the normal power transmission frequency and the coil resonance frequency when the foreign object is detected.

このようにすれば、異物検出時には、通常送電時に比べて、駆動周波数がコイル共振周波数に近づくようになる。これにより、誘起電圧信号の波形が歪み、少ない負荷変動で波形を大きく変動させることが可能になり、異物検出精度を向上できる。   In this way, at the time of foreign object detection, the drive frequency comes closer to the coil resonance frequency than during normal power transmission. As a result, the waveform of the induced voltage signal is distorted, and the waveform can be greatly varied with a small load variation, and the foreign object detection accuracy can be improved.

また本発明では、前記波形検出回路は、誘起電圧信号のパルス幅情報を検出するパルス幅検出回路を含み、前記制御回路は、前記パルス幅情報に基づいて、異物検出を行ってもよい。   In the present invention, the waveform detection circuit may include a pulse width detection circuit that detects pulse width information of the induced voltage signal, and the control circuit may perform foreign object detection based on the pulse width information.

このようにすれば、電圧、電流を個別に検出し、その位相差で判定する手法を採用しなくても、簡素な構成で安定した異物検出を実現できるようになる。   In this way, stable foreign object detection can be realized with a simple configuration without adopting a method of individually detecting the voltage and current and determining based on the phase difference.

また本発明では、前記波形検出回路は、前記1次コイルの第1の誘起電圧信号が低電位電源側から変化して第1のしきい値電圧を上回るタイミングを第1のタイミングとした場合に、前記駆動クロックの第1のエッジタイミングと前記第1のタイミングとの間の期間である第1のパルス幅期間を計測して、第1のパルス幅情報を検出する第1のパルス幅検出回路を含み、前記制御回路は、前記第1のパルス幅情報に基づいて、異物検出を行ってもよい。   In the present invention, the waveform detection circuit may be configured such that the first timing is a timing at which the first induced voltage signal of the primary coil changes from the low potential power supply side and exceeds the first threshold voltage. , A first pulse width detection circuit for detecting a first pulse width information by measuring a first pulse width period which is a period between the first edge timing of the drive clock and the first timing The control circuit may perform foreign object detection based on the first pulse width information.

本発明によれば、駆動クロックの第1のエッジタイミング(例えば立ち下がりエッジ又は立ち上がりエッジのタイミング)と第1のタイミングとの間の期間である第1のパルス幅期間が計測されて、第1のパルス幅情報として検出される。そして、検出された第1のパルス幅情報に基づいて、異物検出が行われる。このようにすれば、電圧、電流を個別に検出し、その位相差で判定する手法を採用しなくても、安定した異物検出を実現できる。また本発明では、第1のタイミングは、第1の誘起電圧信号が低電位電源側から変化して第1のしきい値電圧を上回るタイミングとなっているため、電源電圧等が変動した場合にも、バラツキの少ないパルス幅検出を実現できる。   According to the present invention, the first pulse width period, which is the period between the first edge timing (for example, falling edge or rising edge timing) of the drive clock and the first timing, is measured, and the first Is detected as pulse width information. Then, foreign object detection is performed based on the detected first pulse width information. In this way, stable foreign object detection can be realized without adopting a method in which voltage and current are individually detected and determined based on the phase difference. In the present invention, the first timing is a timing at which the first induced voltage signal changes from the low-potential power supply side and exceeds the first threshold voltage. However, pulse width detection with little variation can be realized.

また本発明では、前記波形検出回路は、前記第1の誘起電圧信号を波形整形して、第1の波形整形信号を出力する第1の波形整形回路を含み、前記第1のパルス幅検出回路は、前記第1の波形整形信号と前記駆動クロックに基づいて、前記第1のパルス幅期間を計測してもよい。   In the present invention, the waveform detection circuit includes a first waveform shaping circuit that shapes the first induced voltage signal and outputs a first waveform shaping signal, the first pulse width detection circuit. May measure the first pulse width period based on the first waveform shaping signal and the drive clock.

このようにすれば、第1の波形整形回路により波形整形された信号と駆動クロックを用いて、第1のパルス幅期間をデジタル処理により計測することが可能になる。   In this way, it is possible to measure the first pulse width period by digital processing using the signal waveform-shaped by the first waveform shaping circuit and the drive clock.

また本発明では、前記第1のパルス幅検出回路は、前記第1のパルス幅期間においてカウント値のインクリメント又はデクリメントを行い、得られたカウント値に基づいて前記第1のパルス幅期間の長さを計測する第1のカウンタを含んでもよい。   In the present invention, the first pulse width detection circuit increments or decrements a count value in the first pulse width period, and the length of the first pulse width period is based on the obtained count value. A first counter that counts may be included.

このようにすれば、第1のパルス幅期間を、第1のカウンタを用いてデジタル処理により正確に計測できるようになる。   In this way, the first pulse width period can be accurately measured by digital processing using the first counter.

また本発明では、前記第1のパルス幅検出回路は、前記第1の波形整形信号と前記駆動クロックを受け、前記第1のパルス幅期間においてアクティブになる第1のイネーブル信号を生成する第1のイネーブル信号生成回路を含み、前記第1のカウンタは、前記第1のイネーブル信号がアクティブである場合に、カウント値のインクリメント又はデクリメントを行ってもよい。   In the present invention, the first pulse width detection circuit receives the first waveform shaping signal and the drive clock, and generates a first enable signal that is active during the first pulse width period. The first counter may increment or decrement a count value when the first enable signal is active.

このようにすれば、第1のイネーブル信号の生成だけで、パルス幅期間をカウントするためのカウント処理を制御できるようになり、処理を簡素化できる。   In this way, the count process for counting the pulse width period can be controlled only by generating the first enable signal, and the process can be simplified.

また本発明では、前記第1のイネーブル信号生成回路は、そのクロック端子に前記駆動クロックが入力され、そのデータ端子に高電位電源電圧又は低電位電源電圧が入力され、そのリセット端子又はセット端子に前記第1の波形整形信号が入力される第1のフリップフロップ回路を含んでもよい。   In the present invention, the first enable signal generation circuit has the drive clock input to the clock terminal, the high potential power supply voltage or the low potential power supply voltage input to the data terminal, and the reset terminal or the set terminal. A first flip-flop circuit to which the first waveform shaping signal is input may be included.

このようにすれば、第1のフリップフロップ回路を設けるだけという簡素な構成でイネーブル信号の生成を実現できる。   In this way, the generation of the enable signal can be realized with a simple configuration in which only the first flip-flop circuit is provided.

また本発明では、前記制御回路は、前記第1のパルス幅情報に基づいて、通常送電開始前の異物検出である1次異物検出を行ってもよい。   In the present invention, the control circuit may perform primary foreign object detection, which is foreign object detection before the start of normal power transmission, based on the first pulse width information.

このようにすれば、通常送電開始前の例えば無負荷状態において1次異物検出を実現できる。   In this way, primary foreign object detection can be realized, for example, in a no-load state before the start of normal power transmission.

また本発明では、前記波形検出回路は、前記1次コイルの第2の誘起電圧信号が高電位電源側から変化して第2のしきい値電圧を下回るタイミングを第2のタイミングとした場合に、前記駆動クロックの第2のエッジタイミングと前記第2のタイミングとの間の期間である第2のパルス幅期間を計測して、第2のパルス幅情報を検出する第2のパルス幅検出回路を含み、前記制御回路は、前記第2のパルス幅情報に基づいて、通常送電開始後の異物検出である2次異物検出を行ってもよい。   In the present invention, the waveform detection circuit may be configured such that the second timing is a timing at which the second induced voltage signal of the primary coil changes from the high potential power supply side and falls below the second threshold voltage. , A second pulse width detection circuit that detects a second pulse width information by measuring a second pulse width period that is a period between the second edge timing of the drive clock and the second timing The control circuit may perform secondary foreign object detection, which is foreign object detection after the start of normal power transmission, based on the second pulse width information.

このようにすれば、通常送電開始前と通常送電開始後とで、異なる基準で異物を検出できるようになり、異物検出の精度、安定性を向上できる。   In this way, foreign objects can be detected with different standards before the start of normal power transmission and after the start of normal power transmission, and the accuracy and stability of foreign object detection can be improved.

また本発明では、前記波形検出回路は、前記第2の誘起電圧信号を波形整形して、第2の波形整形信号を出力する第2の波形整形回路を含み、前記第2のパルス幅検出回路は、前記第2の波形整形信号と前記駆動クロックに基づいて、前記第2のパルス幅期間を計測してもよい。   According to the present invention, the waveform detection circuit includes a second waveform shaping circuit that shapes the second induced voltage signal and outputs a second waveform shaping signal, and the second pulse width detection circuit. May measure the second pulse width period based on the second waveform shaping signal and the drive clock.

このようにすれば、第2の波形整形回路により波形整形された信号と駆動クロックに基を用いて、第2のパルス幅期間をデジタル処理により計測することが可能になる。   In this way, it is possible to measure the second pulse width period by digital processing using the signal waveform-shaped by the second waveform shaping circuit and the drive clock.

また本発明では、前記第2のパルス幅検出回路は、前記第2のパルス幅期間においてカウント値のインクリメント又はデクリメントを行い、得られたカウント値に基づいて前記第2のパルス幅期間の長さを計測する第2のカウンタを含んでもよい。   In the present invention, the second pulse width detection circuit increments or decrements a count value in the second pulse width period, and the length of the second pulse width period is based on the obtained count value. A second counter may be included for measuring.

このようにすれば、第2のパルス幅期間を、第2のカウンタを用いてデジタル的に正確に計測できるようになる。   In this way, the second pulse width period can be accurately measured digitally using the second counter.

また本発明では、前記波形検出回路は、前記第1の誘起電圧信号を波形整形して、第1の波形整形信号を前記第1のパルス幅検出回路に出力する第1の波形整形回路を含み、前記第2の波形整形回路は、前記第1の誘起電圧信号とは異なる前記第2の誘起電圧信号を波形整形して、前記第2の波形整形信号を前記第2のパルス幅検出回路に出力してもよい。   In the present invention, the waveform detection circuit includes a first waveform shaping circuit that shapes the first induced voltage signal and outputs the first waveform shaping signal to the first pulse width detection circuit. The second waveform shaping circuit shapes the second induced voltage signal different from the first induced voltage signal, and the second waveform shaped signal is supplied to the second pulse width detection circuit. It may be output.

このようにすれば、第1の波形整形回路及び第1のパルス幅検出回路を用いた第1方式と、第2の波形整形回路及び第2のパルス幅検出回路を用いた第2方式とで、信号状態が異なる第1、第2の誘起電圧信号を用いてパルス幅検出を実現できるようになり、パルス幅検出の精度、安定性を向上できる。   In this manner, the first method using the first waveform shaping circuit and the first pulse width detection circuit and the second method using the second waveform shaping circuit and the second pulse width detection circuit. The pulse width detection can be realized by using the first and second induced voltage signals having different signal states, and the accuracy and stability of the pulse width detection can be improved.

また本発明は、上記のいずれかに記載の送電制御装置と、交流電圧を生成して前記1次コイルに供給する送電部とを含む送電装置に関係する。   The present invention also relates to a power transmission device including any of the power transmission control devices described above and a power transmission unit that generates an alternating voltage and supplies the alternating voltage to the primary coil.

また本発明は、上記に記載の送電装置を含む電子機器に関係する。   Moreover, this invention relates to the electronic device containing the power transmission apparatus as described above.

また本発明は、送電装置と受電装置を含み、1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて前記送電装置から前記受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の負荷に対して電力を供給する無接点電力伝送システムであって、前記受電装置は、前記2次コイルの誘起電圧を直流電圧に変換する受電部を含み、前記送電装置は、前記1次コイルの駆動周波数を規定する駆動クロックを生成して出力する駆動クロック生成回路と、前記駆動クロックに基づいてドライバ制御信号を生成し、前記1次コイルを駆動する送電ドライバに対して出力するドライバ制御回路と、前記1次コイルの誘起電圧信号の波形変化を検出する波形検出回路と、前記波形検出回路での検出結果に基づいて、異物検出を行う制御回路とを含み、前記駆動クロック生成回路は、異物検出時には、通常送電用周波数とは異なる周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力する無接点電力伝送システムに関係する。   In addition, the present invention includes a power transmission device and a power reception device, and electromagnetically couples a primary coil and a secondary coil to transmit power from the power transmission device to the power reception device, and to a load of the power reception device. A contactless power transmission system for supplying power, wherein the power receiving device includes a power receiving unit that converts an induced voltage of the secondary coil into a DC voltage, and the power transmitting device defines a driving frequency of the primary coil A drive clock generation circuit that generates and outputs a drive clock, a driver control circuit that generates a driver control signal based on the drive clock and outputs the driver control signal to a power transmission driver that drives the primary coil, and the primary A waveform detection circuit for detecting a change in the waveform of the induced voltage signal of the coil; and a control circuit for detecting a foreign substance based on a detection result of the waveform detection circuit. , Upon foreign object detection is related to the non-contact power transmission system for outputting the driving clock set to foreign object detection frequency is a frequency different from the normal power transmission frequency.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.

1.電子機器
図1(A)に本実施形態の無接点電力伝送手法が適用される電子機器の例を示す。電子機器の1つである充電器500(クレードル)は送電装置10を有する。また電子機器の1つである携帯電話機510は受電装置40を有する。また携帯電話機510は、LCDなどの表示部512、ボタン等で構成される操作部514、マイク516(音入力部)、スピーカ518(音出力部)、アンテナ520を有する。
1. Electronic Device FIG. 1A shows an example of an electronic device to which the contactless power transmission method of this embodiment is applied. A charger 500 (cradle) which is one of electronic devices has a power transmission device 10. A mobile phone 510 that is one of the electronic devices includes a power receiving device 40. The mobile phone 510 includes a display unit 512 such as an LCD, an operation unit 514 including buttons and the like, a microphone 516 (sound input unit), a speaker 518 (sound output unit), and an antenna 520.

充電器500にはACアダプタ502を介して電力が供給され、この電力が、無接点電力伝送により送電装置10から受電装置40に送電される。これにより、携帯電話機510のバッテリを充電したり、携帯電話機510内のデバイスを動作させることができる。   Electric power is supplied to the charger 500 via the AC adapter 502, and this electric power is transmitted from the power transmitting device 10 to the power receiving device 40 by contactless power transmission. Thereby, the battery of the mobile phone 510 can be charged or the device in the mobile phone 510 can be operated.

なお本実施形態が適用される電子機器は携帯電話機510に限定されない。例えば腕時計、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピュータ、ハンディターミナル、携帯情報端末、電動自転車、或いはICカードなどの種々の電子機器に適用できる。   Note that the electronic apparatus to which this embodiment is applied is not limited to the mobile phone 510. For example, the present invention can be applied to various electronic devices such as wristwatches, cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, portable information terminals, electric bicycles, and IC cards.

図1(B)に模式的に示すように、送電装置10から受電装置40への電力伝送は、送電装置10側に設けられた1次コイルL1(送電コイル)と、受電装置40側に設けられた2次コイルL2(受電コイル)を電磁的に結合させて電力伝送トランスを形成することで実現される。これにより非接触での電力伝送が可能になる。   As schematically shown in FIG. 1B, power transmission from the power transmission device 10 to the power reception device 40 is performed on the primary coil L1 (power transmission coil) provided on the power transmission device 10 side and on the power reception device 40 side. This is realized by electromagnetically coupling the secondary coil L2 (power receiving coil) formed to form a power transmission transformer. Thereby, non-contact power transmission becomes possible.

2.送電装置、受電装置
図2に本実施形態の送電装置10、送電制御装置20、受電装置40、受電制御装置50の構成例を示す。図1(A)の充電器500などの送電側の電子機器は、図2の送電装置10を含む。また携帯電話機510などの受電側の電子機器は、受電装置40と負荷90(本負荷)を含むことができる。そして図2の構成により、例えば平面コイルである1次コイルL1と2次コイルL2を電磁的に結合させて送電装置10から受電装置40に対して電力を伝送し、受電装置40の電圧出力ノードNB7から負荷90に対して電力(電圧VOUT)を供給する無接点電力伝送(非接触電力伝送)システムが実現される。
2. FIG. 2 shows a configuration example of the power transmission device 10, the power transmission control device 20, the power reception device 40, and the power reception control device 50 according to the present embodiment. A power transmission-side electronic device such as the charger 500 of FIG. 1A includes the power transmission device 10 of FIG. In addition, a power receiving-side electronic device such as the mobile phone 510 can include the power receiving device 40 and a load 90 (main load). 2, for example, the primary coil L1 and the secondary coil L2, which are planar coils, are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmitting apparatus 10 to the power receiving apparatus 40, and the voltage output node of the power receiving apparatus 40 A non-contact power transmission (non-contact power transmission) system that supplies power (voltage VOUT) from the NB 7 to the load 90 is realized.

送電装置10(送電モジュール、1次モジュール)は、1次コイルL1、送電部12、波形モニタ回路14、表示部16、送電制御装置20を含むことができる。なお送電装置10や送電制御装置20は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば表示部、波形モニタ回路)を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。   The power transmission device 10 (power transmission module, primary module) can include a primary coil L1, a power transmission unit 12, a waveform monitor circuit 14, a display unit 16, and a power transmission control device 20. Note that the power transmission device 10 and the power transmission control device 20 are not limited to the configuration in FIG. 2, and some of the components (for example, the display unit and the waveform monitor circuit) are omitted, other components are added, and the connection relationship Various modifications such as changing the above are possible.

送電部12は、電力伝送時には所定周波数の交流電圧を生成し、データ転送時にはデータに応じて周波数が異なる交流電圧を生成して、1次コイルL1に供給する。具体的には図3(A)に示すように、例えばデータ「1」を受電装置40に対して送信する場合には、周波数f1の交流電圧を生成し、データ「0」を送信する場合には、周波数f2の交流電圧を生成する。この送電部12は、1次コイルL1の一端を駆動する第1の送電ドライバと、1次コイルL1の他端を駆動する第2の送電ドライバと、1次コイルL1と共に共振回路を構成する少なくとも1つのコンデンサを含むことができる。   The power transmission unit 12 generates an AC voltage having a predetermined frequency during power transmission, and generates an AC voltage having a different frequency according to data during data transfer, and supplies the AC voltage to the primary coil L1. Specifically, as shown in FIG. 3A, for example, when data “1” is transmitted to the power receiving device 40, an AC voltage of frequency f1 is generated and data “0” is transmitted. Generates an alternating voltage of frequency f2. The power transmission unit 12 includes at least a first power transmission driver that drives one end of the primary coil L1, a second power transmission driver that drives the other end of the primary coil L1, and a resonance circuit together with the primary coil L1. One capacitor can be included.

そして送電部12が含む第1、第2の送電ドライバの各々は、例えばパワーMOSトランジスタにより構成されるインバータ回路(バッファ回路)であり、送電制御装置20のドライバ制御回路26により制御される。   Each of the first and second power transmission drivers included in the power transmission unit 12 is an inverter circuit (buffer circuit) configured by, for example, a power MOS transistor, and is controlled by the driver control circuit 26 of the power transmission control device 20.

1次コイルL1(送電側コイル)は、2次コイルL2(受電側コイル)と電磁結合して電力伝送用トランスを形成する。例えば電力伝送が必要なときには、図1(A)、図1(B)に示すように、充電器500の上に携帯電話機510を置き、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通るような状態にする。一方、電力伝送が不要なときには、充電器500と携帯電話機510を物理的に離して、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通らないような状態にする。   The primary coil L1 (power transmission side coil) is electromagnetically coupled to the secondary coil L2 (power reception side coil) to form a power transmission transformer. For example, when power transmission is necessary, as shown in FIGS. 1A and 1B, a mobile phone 510 is placed on the charger 500 so that the magnetic flux of the primary coil L1 passes through the secondary coil L2. To make sure On the other hand, when power transmission is unnecessary, the charger 500 and the mobile phone 510 are physically separated so that the magnetic flux of the primary coil L1 does not pass through the secondary coil L2.

波形モニタ回路14(整流回路、波形整形回路)は、1次コイルL1のコイル端信号CSGに基づいて、波形モニタ用の誘起電圧信号PHINを生成する。例えば1次コイルL1の誘起電圧信号であるコイル端信号CSGは、送電制御装置20のICの最大定格電圧を超えてしまったり、負の電圧になったりする。波形モニタ回路14は、このようなコイル端信号CSGを受け、送電制御装置20の波形検出回路30により波形検出が可能な信号である波形モニタ用の誘起電圧信号PHINを生成して、送電制御装置20の例えば波形モニタ用端子に出力する。具体的には波形モニタ回路14は、最大定格電圧を超えないように電圧をクランプするリミット動作を行ったり、負電圧が送電制御装置20に印加されないように半波整流を行う。このために波形モニタ回路14は、リミット動作や半波整流や電流制限のための必要な抵抗、ダイオードなどを含むことができる。例えばコイル端信号CSGを、複数の抵抗により構成される電圧分割回路により電圧分割したり、ダイオードにより半波整流して、誘起電圧信号PHINとして送電制御装置20に出力する。   The waveform monitor circuit 14 (rectifier circuit, waveform shaping circuit) generates an induced voltage signal PHIN for waveform monitoring based on the coil end signal CSG of the primary coil L1. For example, the coil end signal CSG which is an induced voltage signal of the primary coil L1 exceeds the maximum rated voltage of the IC of the power transmission control device 20, or becomes a negative voltage. The waveform monitor circuit 14 receives such a coil end signal CSG, generates an induced voltage signal PHIN for waveform monitoring, which is a signal that can be detected by the waveform detection circuit 30 of the power transmission control device 20, and generates the power transmission control device. For example, output to 20 waveform monitor terminals. Specifically, the waveform monitor circuit 14 performs a limit operation for clamping the voltage so as not to exceed the maximum rated voltage, or performs half-wave rectification so that a negative voltage is not applied to the power transmission control device 20. For this purpose, the waveform monitor circuit 14 can include a resistor, a diode, and the like necessary for limit operation, half-wave rectification, and current limitation. For example, the coil end signal CSG is voltage-divided by a voltage dividing circuit composed of a plurality of resistors, or half-wave rectified by a diode and output to the power transmission control device 20 as an induced voltage signal PHIN.

表示部16は、無接点電力伝送システムの各種状態(電力伝送中、ID認証等)を、色や画像などを用いて表示するものであり、例えばLEDやLCDなどにより実現される。   The display unit 16 displays various states of the contactless power transmission system (during power transmission, ID authentication, etc.) using colors, images, and the like, and is realized by, for example, an LED or an LCD.

送電制御装置20は、送電装置10の各種制御を行う装置であり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この送電制御装置20は、制御回路22(送電側)、発振回路24、駆動クロック生成回路25、ドライバ制御回路26、波形検出回路30を含むことができる。なお、これらの構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの変形実施も可能である。   The power transmission control device 20 is a device that performs various controls of the power transmission device 10, and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The power transmission control device 20 can include a control circuit 22 (power transmission side), an oscillation circuit 24, a drive clock generation circuit 25, a driver control circuit 26, and a waveform detection circuit 30. In addition, some implementations, such as abbreviate | omitting some of these components and adding another component, are possible.

送電側の制御回路22(制御部)は送電装置10や送電制御装置20の制御を行うものであり、例えばゲートアレイやマイクロコンピュータなどにより実現できる。具体的には制御回路22は、電力伝送、負荷状態検出(データ検出、異物検出、取り去り検出等)、周波数変調などに必要な各種のシーケンス制御や判定処理を行う。   The control circuit 22 (control unit) on the power transmission side controls the power transmission device 10 and the power transmission control device 20, and can be realized by, for example, a gate array or a microcomputer. Specifically, the control circuit 22 performs various sequence control and determination processes necessary for power transmission, load state detection (data detection, foreign object detection, removal detection, etc.), frequency modulation, and the like.

発振回路24は例えば水晶発振回路により構成され、1次側のクロックを生成する。駆動クロック生成回路25は、駆動周波数を規定する駆動クロックを生成する。そして、ドライバ制御回路26は、この駆動クロックや制御回路22からの周波数設定信号などに基づいて、所望の周波数の制御信号を生成し、送電部12の第1、第2の送電ドライバに出力して、第1、第2の送電ドライバを制御する。   The oscillation circuit 24 is constituted by a crystal oscillation circuit, for example, and generates a primary side clock. The drive clock generation circuit 25 generates a drive clock that defines the drive frequency. The driver control circuit 26 generates a control signal having a desired frequency based on the drive clock, the frequency setting signal from the control circuit 22, and the like, and outputs the control signal to the first and second power transmission drivers of the power transmission unit 12. Then, the first and second power transmission drivers are controlled.

波形検出回路30は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHINの波形変化を検出する。例えば受電側(2次側)の負荷状態(負荷電流)が変化すると、誘起電圧信号PHINの波形が変化する。波形検出回路30は、このような波形の変化を検出して、検出結果(検出結果情報)を制御回路22に出力する。   The waveform detection circuit 30 detects a change in the waveform of the induced voltage signal PHIN of the primary coil L1. For example, when the load state (load current) on the power receiving side (secondary side) changes, the waveform of the induced voltage signal PHIN changes. The waveform detection circuit 30 detects such a change in waveform and outputs a detection result (detection result information) to the control circuit 22.

具体的には波形検出回路30は、例えば誘起電圧信号PHINを波形整形し、波形整形信号を生成する。例えば信号PHINが所与のしきい値電圧を超えた場合にアクティブ(例えばHレベル)になる方形波(矩形波)の波形整形信号(パルス信号)を生成する。そして波形検出回路30は、波形整形信号と駆動クロックに基づいて、波形整形信号のパルス幅情報(パルス幅期間)を検出する。具体的には、波形整形信号と、駆動クロック生成回路25からの駆動クロックを受け、波形整形信号のパルス幅情報を検出することで、誘起電圧信号PHINのパルス幅情報を検出する。   Specifically, the waveform detection circuit 30 shapes the induced voltage signal PHIN, for example, and generates a waveform shaped signal. For example, a square wave (rectangular wave) waveform shaping signal (pulse signal) that becomes active (eg, H level) when the signal PHIN exceeds a given threshold voltage is generated. The waveform detection circuit 30 detects pulse width information (pulse width period) of the waveform shaping signal based on the waveform shaping signal and the drive clock. Specifically, the pulse width information of the induced voltage signal PHIN is detected by receiving the waveform shaping signal and the drive clock from the drive clock generation circuit 25 and detecting the pulse width information of the waveform shaping signal.

制御回路22は、波形検出回路30での検出結果に基づいて、受電側(受電装置40側)の負荷状態(負荷変動、負荷の高低)を検出する。具体的には波形検出回路30(パルス幅検出回路)で検出されたパルス幅情報に基づいて、受電側の負荷状態を検出し、例えばデータ(負荷)検出、異物(金属)検出、取り去り(着脱)検出などを行う。即ち、誘起電圧信号のパルス幅情報であるパルス幅期間は、受電側の負荷状態の変化に応じて変化する。制御回路22は、このパルス幅期間(パルス幅期間の計測により得られたカウント値)に基づいて受電側の負荷変動を検知する。これにより、図3(B)のように受電装置40の負荷変調部46が負荷変調によりデータを送信した場合に、この送信データを検出することが可能になる。   Based on the detection result of the waveform detection circuit 30, the control circuit 22 detects the load state (load fluctuation, load level) on the power receiving side (power receiving device 40 side). Specifically, based on the pulse width information detected by the waveform detection circuit 30 (pulse width detection circuit), the load state on the power receiving side is detected, for example, data (load) detection, foreign object (metal) detection, removal (detachment) ) Perform detection. That is, the pulse width period, which is the pulse width information of the induced voltage signal, changes according to the change in the load state on the power receiving side. The control circuit 22 detects a load fluctuation on the power receiving side based on the pulse width period (a count value obtained by measuring the pulse width period). Thereby, when the load modulation unit 46 of the power receiving device 40 transmits data by load modulation as shown in FIG. 3B, this transmission data can be detected.

受電装置40(受電モジュール、2次モジュール)は、2次コイルL2、受電部42、負荷変調部46、給電制御部48、受電制御装置50を含むことができる。なお受電装置40や受電制御装置50は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。   The power reception device 40 (power reception module, secondary module) can include a secondary coil L2, a power reception unit 42, a load modulation unit 46, a power supply control unit 48, and a power reception control device 50. The power reception device 40 and the power reception control device 50 are not limited to the configuration in FIG. 2, and various modifications such as omitting some of the components, adding other components, and changing the connection relationship. Is possible.

受電部42は、2次コイルL2の交流の誘起電圧を直流電圧に変換する。この変換は受電部42が有する整流回路43により行われる。この整流回路43は、ダイオードDB1〜DB4を含む。ダイオードDB1は、2次コイルL2の一端のノードNB1と直流電圧VDCの生成ノードNB3との間に設けられ、DB2は、ノードNB3と2次コイルL2の他端のノードNB2との間に設けられ、DB3は、ノードNB2とVSSのノードNB4との間に設けられ、DB4は、ノードNB4とNB1との間に設けられる。   The power receiving unit 42 converts the AC induced voltage of the secondary coil L2 into a DC voltage. This conversion is performed by a rectifier circuit 43 included in the power receiving unit 42. The rectifier circuit 43 includes diodes DB1 to DB4. The diode DB1 is provided between the node NB1 at one end of the secondary coil L2 and the generation node NB3 of the DC voltage VDC, and DB2 is provided between the node NB3 and the node NB2 at the other end of the secondary coil L2. , DB3 is provided between the node NB2 and the VSS node NB4, and DB4 is provided between the nodes NB4 and NB1.

受電部42の抵抗RB1、RB2はノードNB1とNB4との間に設けられる。そしてノードNB1、NB4間の電圧を抵抗RB1、RB2により分圧することで得られた信号CCMPIが、受電制御装置50の周波数検出回路60に入力される。   The resistors RB1 and RB2 of the power receiving unit 42 are provided between the nodes NB1 and NB4. A signal CCMPI obtained by dividing the voltage between the nodes NB1 and NB4 by the resistors RB1 and RB2 is input to the frequency detection circuit 60 of the power reception control device 50.

受電部42のコンデンサCB1及び抵抗RB4、RB5は、直流電圧VDCのノードNB3とVSSのノードNB4との間に設けられる。そしてノードNB3、NB4間の電圧を抵抗RB4、RB5により分圧することで得られた信号ADINが、受電制御装置50の位置検出回路56に入力される。   The capacitor CB1 and the resistors RB4 and RB5 of the power receiving unit 42 are provided between the node NB3 of the DC voltage VDC and the node NB4 of VSS. A signal ADIN obtained by dividing the voltage between the nodes NB3 and NB4 by the resistors RB4 and RB5 is input to the position detection circuit 56 of the power reception control device 50.

負荷変調部46は負荷変調処理を行う。具体的には受電装置40から送電装置10に所望のデータを送信する場合に、送信データに応じて負荷変調部46(2次側)での負荷を可変に変化させて、図3(B)に示すように1次コイルL1の誘起電圧の信号波形を変化させる。このために負荷変調部46は、ノードNB3、NB4の間に直列に設けられた抵抗RB3、トランジスタTB3(N型のCMOSトランジスタ)を含む。このトランジスタTB3は受電制御装置50の制御回路52からの信号P3Qによりオン・オフ制御される。そしてトランジスタTB3をオン・オフ制御して負荷変調を行う際には、給電制御部48のトランジスタTB2はオフにされ、負荷90が受電装置40に電気的に接続されない状態になる。   The load modulation unit 46 performs load modulation processing. Specifically, when desired data is transmitted from the power receiving device 40 to the power transmitting device 10, the load at the load modulation unit 46 (secondary side) is variably changed in accordance with the transmission data, and FIG. As shown, the signal waveform of the induced voltage of the primary coil L1 is changed. For this purpose, the load modulation unit 46 includes a resistor RB3 and a transistor TB3 (N-type CMOS transistor) provided in series between the nodes NB3 and NB4. The transistor TB3 is on / off controlled by a signal P3Q from the control circuit 52 of the power reception control device 50. When performing load modulation by controlling on / off of the transistor TB3, the transistor TB2 of the power supply control unit 48 is turned off, and the load 90 is not electrically connected to the power receiving device 40.

例えば図3(B)のように、データ「0」を送信するために2次側を低負荷(インピーダンス大)にする場合には、信号P3QがLレベルになってトランジスタTB3がオフになる。これにより負荷変調部46の負荷はほぼ無限大(無負荷)になる。一方、データ「1」を送信するために2次側を高負荷(インピーダンス小)にする場合には、信号P3QがHレベルになってトランジスタTB3がオンになる。これにより負荷変調部46の負荷は、抵抗RB3(高負荷)になる。   For example, as shown in FIG. 3B, when the secondary side is set to a low load (impedance is large) in order to transmit data “0”, the signal P3Q becomes L level and the transistor TB3 is turned off. As a result, the load of the load modulator 46 becomes almost infinite (no load). On the other hand, when the secondary side is set to a high load (low impedance) in order to transmit data “1”, the signal P3Q becomes H level and the transistor TB3 is turned on. As a result, the load of the load modulation unit 46 becomes the resistance RB3 (high load).

給電制御部48は負荷90への電力の給電を制御する。レギュレータ49は、整流回路43での変換で得られた直流電圧VDCの電圧レベルを調整して、電源電圧VD5(例えば5V)を生成する。受電制御装置50は、例えばこの電源電圧VD5が供給されて動作する。   The power supply control unit 48 controls power supply to the load 90. The regulator 49 adjusts the voltage level of the DC voltage VDC obtained by the conversion in the rectifier circuit 43 to generate the power supply voltage VD5 (for example, 5V). The power reception control device 50 operates by being supplied with the power supply voltage VD5, for example.

トランジスタTB2(P型のCMOSトランジスタ)は、受電制御装置50の制御回路52からの信号P1Qにより制御される。具体的にはトランジスタTB2は、ID認証が完了(確立)して通常の電力伝送を行う場合にはオンになり、負荷変調の場合等にはオフになる。   The transistor TB2 (P-type CMOS transistor) is controlled by a signal P1Q from the control circuit 52 of the power reception control device 50. Specifically, the transistor TB2 is turned on when ID authentication is completed (established) and normal power transmission is performed, and turned off when load modulation is performed.

受電制御装置50は、受電装置40の各種制御を行う装置であり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この受電制御装置50は、2次コイルL2の誘起電圧から生成される電源電圧VD5により動作することができる。また受電制御装置50は、制御回路52(受電側)、位置検出回路56、発振回路58、周波数検出回路60、満充電検出回路62を含むことができる。   The power reception control device 50 is a device that performs various controls of the power reception device 40 and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The power reception control device 50 can be operated by a power supply voltage VD5 generated from the induced voltage of the secondary coil L2. The power reception control device 50 can include a control circuit 52 (power reception side), a position detection circuit 56, an oscillation circuit 58, a frequency detection circuit 60, and a full charge detection circuit 62.

制御回路52(制御部)は受電装置40や受電制御装置50の制御を行うものであり、例えばゲートアレイやマイクロコンピュータなどにより実現できる。具体的には制御回路52は、ID認証、位置検出、周波数検出、負荷変調、或いは満充電検出などに必要な各種のシーケンス制御や判定処理を行う。   The control circuit 52 (control unit) controls the power receiving device 40 and the power receiving control device 50, and can be realized by, for example, a gate array or a microcomputer. Specifically, the control circuit 52 performs various sequence control and determination processes necessary for ID authentication, position detection, frequency detection, load modulation, full charge detection, and the like.

位置検出回路56は、2次コイルL2の誘起電圧の波形に相当する信号ADINの波形を監視して、1次コイルL1と2次コイルL2の位置関係が適正であるかを判断する。具体的には信号ADINを、コンパレータで2値に変換又はA/D変換でレベル判定して、位置関係が適正であるか否かを判断する。   The position detection circuit 56 monitors the waveform of the signal ADIN corresponding to the waveform of the induced voltage of the secondary coil L2, and determines whether the positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2 is appropriate. Specifically, the signal ADIN is converted into a binary value by a comparator or a level is determined by A / D conversion to determine whether or not the positional relationship is appropriate.

発振回路58は、例えばCR発振回路により構成され、2次側のクロックを生成する。周波数検出回路60は、信号CCMPIの周波数(f1、f2)を検出して、図3(A)に示すように、送電装置10からの送信データが「1」なのか「0」なのかを判断する。   The oscillation circuit 58 is constituted by a CR oscillation circuit, for example, and generates a secondary clock. The frequency detection circuit 60 detects the frequency (f1, f2) of the signal CCMPI and determines whether the transmission data from the power transmission device 10 is “1” or “0” as shown in FIG. To do.

満充電検出回路62(充電検出回路)は、負荷90のバッテリ94(2次電池)が、満充電状態(充電状態)になったか否かを検出する回路である。   The full charge detection circuit 62 (charge detection circuit) is a circuit that detects whether or not the battery 94 (secondary battery) of the load 90 is in a fully charged state (charged state).

負荷90は、バッテリ94の充電制御等を行う充電制御装置92を含むことができる。この充電制御装置92(充電制御IC)は集積回路装置などにより実現できる。なお、スマートバッテリのように、バッテリ94自体に充電制御装置92の機能を持たせてもよい。   The load 90 can include a charge control device 92 that performs charge control of the battery 94 and the like. The charge control device 92 (charge control IC) can be realized by an integrated circuit device or the like. Note that, like a smart battery, the battery 94 itself may have the function of the charging control device 92.

次に、送電側と受電側の動作の概要について図4のフローチャートを用いて説明する。送電側は、電源投入されてパワーオンすると(ステップS1)、位置検出用の一時的な電力伝送を行う(ステップS2)。この電力伝送により、受電側の電源電圧が立ち上がり、受電制御装置50のリセットが解除される(ステップS11)。すると受電側は、信号P1QをHレベルに設定する(ステップS12)。これによりトランジスタTB2がオフになり、負荷90との間の電気的な接続が遮断される。   Next, an outline of the operation on the power transmission side and the power reception side will be described using the flowchart of FIG. When the power transmission side is powered on and powered on (step S1), the power transmission side performs temporary power transmission for position detection (step S2). By this power transmission, the power supply voltage on the power receiving side rises and the reset of the power reception control device 50 is released (step S11). Then, the power receiving side sets the signal P1Q to H level (step S12). As a result, the transistor TB2 is turned off, and the electrical connection with the load 90 is interrupted.

次に、受電側は、位置検出回路56を用いて、1次コイルL1と2次コイルL2の位置関係が適正か否かを判断する(ステップS13)。そして位置関係が適正である場合には、受電側はIDの認証処理を開始し、認証フレームを送電側に送信する(ステップS14)。具体的には図3(B)で説明した負荷変調により認証フレームのデータを送信する。   Next, the power receiving side uses the position detection circuit 56 to determine whether or not the positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2 is appropriate (step S13). If the positional relationship is appropriate, the power receiving side starts an ID authentication process and transmits an authentication frame to the power transmission side (step S14). Specifically, authentication frame data is transmitted by the load modulation described with reference to FIG.

送電側は、認証フレームを受信すると、IDが一致するか否かなどの判断処理を行う(ステップS3)。そしてID認証を許諾する場合には、許諾フレームを受電側に送信する(ステップS4)。具体的には図3(A)で説明した周波数変調によりデータを送信する。   When the power transmission side receives the authentication frame, the power transmission side performs determination processing such as whether or not the IDs match (step S3). When the ID authentication is permitted, a permission frame is transmitted to the power receiving side (step S4). Specifically, data is transmitted by the frequency modulation described with reference to FIG.

受電側は、許諾フレームを受信し、その内容がOKである場合には、無接点電力伝送を開始するためのスタートフレームを送電側に送信する(ステップS15、S16)。一方、送電側は、スタートフレームを受信し、その内容がOKである場合には、通常の電力伝送を開始する(ステップS5、S6)。そして受電側は信号P1QをLレベルに設定する(ステップS17)。これによりトランジスタTB2が共にオンになるため、負荷90に対する電力伝送が可能になり、負荷への電力供給(VOUTの出力)が開始する(ステップS18)。   The power receiving side receives the permission frame and, if the content is OK, transmits a start frame for starting contactless power transmission to the power transmitting side (steps S15 and S16). On the other hand, the power transmission side receives the start frame and starts normal power transmission when the content is OK (steps S5 and S6). Then, the power receiving side sets the signal P1Q to the L level (step S17). As a result, both transistors TB2 are turned on, so that power transmission to the load 90 becomes possible, and power supply to the load (output of VOUT) starts (step S18).

3.異物検出用周波数
図5に本実施形態の送電制御装置20の構成例を示す。なお本実施形態の送電制御装置20は図5の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば波形モニタ回路)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
3. Foreign object detection frequency FIG. 5 shows a configuration example of the power transmission control device 20 of the present embodiment. Note that the power transmission control device 20 of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 5, and various modifications such as omitting some of the components (for example, a waveform monitor circuit) or adding other components are possible. Is possible.

図5において駆動クロック生成回路25は、1次コイルL1の駆動周波数を規定する駆動クロックDRCKを生成する。具体的には発振回路24で生成された基準クロックCLKを分周して駆動クロックDRCKを生成する。1次コイルL1には、この駆動クロックDRCKの駆動周波数の交流電圧が供給されることになる。   In FIG. 5, the drive clock generation circuit 25 generates a drive clock DRCK that defines the drive frequency of the primary coil L1. Specifically, the reference clock CLK generated by the oscillation circuit 24 is divided to generate the drive clock DRCK. The primary coil L1 is supplied with an AC voltage having a driving frequency of the driving clock DRCK.

ドライバ制御回路26は、駆動クロックDRCKに基づいてドライバ制御信号を生成し、1次コイルL1を駆動する送電部12の送電ドライバ(第1、第2の送電ドライバ)に出力する。この場合、送電ドライバを構成するインバータ回路に貫通電流が流れないように、インバータ回路のP型トランジスタのゲートに入力される信号とN型トランジスタのゲートに入力される信号が、互いにノンオーバラップの信号になるようにドライバ制御信号を生成する。   The driver control circuit 26 generates a driver control signal based on the drive clock DRCK and outputs the driver control signal to the power transmission drivers (first and second power transmission drivers) of the power transmission unit 12 that drives the primary coil L1. In this case, the signal input to the gate of the P-type transistor of the inverter circuit and the signal input to the gate of the N-type transistor are non-overlapping so that no through current flows through the inverter circuit constituting the power transmission driver. A driver control signal is generated so as to become a signal.

波形検出回路30は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHINの波形変化を検出する。そして制御回路22は、波形検出回路30での検出結果に基づいて、異物検出を行う。   The waveform detection circuit 30 detects a change in the waveform of the induced voltage signal PHIN of the primary coil L1. Then, the control circuit 22 performs foreign object detection based on the detection result in the waveform detection circuit 30.

例えば波形検出回路30は、誘起電圧信号PHINのパルス幅情報を検出する。そして制御回路22は、検出されたパルス幅情報に基づいて異物検出を行う。具体的には波形検出回路30は、後述する第1方式のパルス幅検出手法により、パルス幅情報を検出し、このパルス幅情報により異物検出が行われる。例えば駆動クロックのエッジタイミングから、誘起電圧信号PHIN(コイル端信号CSG)が立ち上がって所与のしきい値電圧を上回るタイミングまでのパルス幅期間を計測することで、異物が検出される。   For example, the waveform detection circuit 30 detects pulse width information of the induced voltage signal PHIN. Then, the control circuit 22 performs foreign object detection based on the detected pulse width information. Specifically, the waveform detection circuit 30 detects pulse width information by a first method of pulse width detection described later, and foreign object detection is performed based on the pulse width information. For example, the foreign matter is detected by measuring the pulse width period from the edge timing of the drive clock to the timing when the induced voltage signal PHIN (coil end signal CSG) rises and exceeds a given threshold voltage.

また波形検出回路30が、後述する第2方式のパルス幅検出手法によりパルス幅情報を検出することで、異物を検出してもよい。例えば駆動クロックのエッジタイミングから、誘起電圧信号PHIN(コイル端信号CSG)が立ち下がって所与のしきい値電圧を下回るタイミングまでのパルス幅期間を計測することで、異物を検出する。   Further, the waveform detection circuit 30 may detect the foreign matter by detecting the pulse width information by a second method of detecting the pulse width described later. For example, the foreign matter is detected by measuring the pulse width period from the edge timing of the drive clock to the timing when the induced voltage signal PHIN (coil end signal CSG) falls and falls below a given threshold voltage.

また波形検出回路30が、第1方式及び第2方式の両方のパルス幅検出を行うことで、異物を検出してもよい。例えば通常送電開始前は第1方式で1次異物検出を行い、通常送電開始後は第2方式で2次異物検出を行ってもよい。   Further, the waveform detection circuit 30 may detect the foreign matter by performing the pulse width detection of both the first method and the second method. For example, primary foreign matter detection may be performed by the first method before the start of normal power transmission, and secondary foreign matter detection may be performed by the second method after the start of normal power transmission.

また波形検出回路30が、負荷による位相特性を判断する手法により、異物を検出してもよい。例えば電圧・電流位相差を検出して異物を検出してもよい。或いは、誘起電圧信号PHINのピーク値を監視して、ピーク値の変化を検出することで、異物を検出してもよい。   Further, the waveform detection circuit 30 may detect the foreign matter by a method of determining the phase characteristic due to the load. For example, a foreign object may be detected by detecting a voltage / current phase difference. Alternatively, the foreign substance may be detected by monitoring the peak value of the induced voltage signal PHIN and detecting a change in the peak value.

そして本実施形態では、このような異物検出時(異物検出期間、異物検出モード)に、駆動クロックDRCK(駆動クロックと等価な信号を含む)を、通常送電用周波数F1とは異なる周波数である異物検出用周波数F2に設定する。具体的には、異物検出時(例えば1次異物検出時)に、制御回路22が駆動クロック生成回路25に対して駆動周波数の変更指示信号を出力する。すると駆動クロック生成回路25は、異物検出時には、異物検出用周波数F2に設定された駆動クロックDRCKを生成して出力する。例えば基準クロックCLKに対する分周比を変更することで、駆動周波数を通常送電用周波数F1から異物検出用周波数F2に変更して、周波数F2の駆動クロックDRCKをドライバ制御回路26に出力する。そしてドライバ制御回路26は、周波数F2のドライバ制御信号を生成して、送電ドライバを制御する。なお、この場合の異物検出用周波数F2は、例えば通常送電用周波数F1とコイル共振周波数F0の間の周波数に設定できる。   In this embodiment, when such foreign matter is detected (foreign matter detection period, foreign matter detection mode), the drive clock DRCK (including a signal equivalent to the drive clock) is set to a frequency that is different from the normal power transmission frequency F1. The detection frequency is set to F2. Specifically, the control circuit 22 outputs a drive frequency change instruction signal to the drive clock generation circuit 25 when a foreign object is detected (for example, when a primary foreign object is detected). Then, the drive clock generation circuit 25 generates and outputs the drive clock DRCK set to the foreign object detection frequency F2 when the foreign object is detected. For example, by changing the frequency division ratio with respect to the reference clock CLK, the drive frequency is changed from the normal power transmission frequency F1 to the foreign object detection frequency F2, and the drive clock DRCK having the frequency F2 is output to the driver control circuit 26. Then, the driver control circuit 26 generates a driver control signal having a frequency F2, and controls the power transmission driver. In this case, the foreign object detection frequency F2 can be set to a frequency between the normal power transmission frequency F1 and the coil resonance frequency F0, for example.

例えば図6(A)に、受電側(2次側)の負荷が低い場合(負荷電流が小さい場合)のコイル端信号CSGの信号波形例を示し、図6(B)に、受電側の負荷が高い場合(負荷電流が大きい場合)のコイル端信号CSGの信号波形例を示す。図6(A)、図6(B)に示すように、受電側の負荷が高くなるにつれて、コイル端信号CSGの波形が歪む。   For example, FIG. 6A shows a signal waveform example of the coil end signal CSG when the load on the power receiving side (secondary side) is low (when the load current is small), and FIG. 6B shows the load on the power receiving side. Shows a signal waveform example of the coil end signal CSG in a case where the current is high (when the load current is large). As shown in FIGS. 6A and 6B, the waveform of the coil end signal CSG is distorted as the load on the power receiving side increases.

具体的には、後述するように、図6(A)の低負荷時には、駆動波形(DRCKの波形)である方形波の方が、コイル共振波形である正弦波よりも支配的になる。一方、図6(B)のように高負荷になると、共振波形である正弦波の方が、駆動波形である方形波よりも支配的になって、波形が歪む。   Specifically, as described later, at the time of low load in FIG. 6A, the square wave that is the drive waveform (DRCK waveform) is more dominant than the sine wave that is the coil resonance waveform. On the other hand, when the load is high as shown in FIG. 6B, the sine wave that is the resonance waveform becomes more dominant than the square wave that is the drive waveform, and the waveform is distorted.

そして後述する第1方式のパルス幅検出手法では、図6(B)に示すように、コイル端信号CSGの立ち上がりの際のパルス幅期間XTPW1を検出して、異物挿入に伴う負荷変動を検出する。また第2方式のパルス幅検出手法では、コイル端信号CSGの立ち下がりの際のパルス幅期間XTPW2を検出して、異物挿入に伴う負荷変動を検出する。即ち図6(B)では、コイル端信号CSGが、方形波が支配的な信号波形から正弦波が支配的な信号波形に変化するのを検出することで、異物挿入に伴う負荷変動を検出している。   In the first method of detecting the pulse width, which will be described later, as shown in FIG. 6B, the pulse width period XTPW1 at the rising edge of the coil end signal CSG is detected to detect the load fluctuation accompanying the foreign object insertion. . In the second method of detecting the pulse width, the pulse width period XTPW2 at the fall of the coil end signal CSG is detected to detect the load fluctuation accompanying the insertion of the foreign matter. That is, in FIG. 6 (B), the coil end signal CSG detects a change in load accompanying the insertion of a foreign object by detecting a change from a signal waveform in which a square wave is dominant to a signal waveform in which a sine wave is dominant. ing.

そして本実施形態では、このような異物検出の際に、図6(C)に示すように駆動周波数を、通常送電用周波数F1とは異なる異物検出用周波数F2に設定している。具体的には、通常送電用周波数F1とコイル共振周波数F0(コイル等により構成される共振回路の共振周波数)の間の周波数F2に設定している。   In the present embodiment, when such foreign matter is detected, the drive frequency is set to a foreign matter detection frequency F2 different from the normal power transmission frequency F1, as shown in FIG. 6C. Specifically, it is set to a frequency F2 between the normal power transmission frequency F1 and the coil resonance frequency F0 (resonance frequency of a resonance circuit constituted by a coil or the like).

このように、異物検出時には、駆動周波数をF1からF2に変更して、コイル共振周波数F0に近づけることで、コイル端信号CSG(誘起電圧信号)の波形の歪みを大きくすることが可能になる。   As described above, when detecting a foreign object, the waveform of the coil end signal CSG (induced voltage signal) can be increased by changing the drive frequency from F1 to F2 and bringing it closer to the coil resonance frequency F0.

具体的には、後述の図9(C)で説明されるように、駆動周波数が共振周波数に近づくと、共振波形である正弦波の方が支配的になってくる。従って、駆動周波数を、共振周波数F0に近い異物検出用周波数F2に設定することで、通常送電用周波数F1に設定する場合に比べて、正弦波が支配的になり、より波形が歪むようになる。即ちパルス幅変動(位相変動)が生じやすい周波数帯域で、異物検出を行うことができる。この結果、異物検出の感度が高まり、異物検出の精度が向上する。即ち、少ない負荷変動で波形が大きく変動し、パルス幅期間XTPW1、XTPW2が大きく変動するようになるため、小さなサイズの金属異物等の検出も容易になる。   Specifically, as will be described later with reference to FIG. 9C, when the drive frequency approaches the resonance frequency, the sine wave that is the resonance waveform becomes dominant. Therefore, by setting the drive frequency to the foreign object detection frequency F2 close to the resonance frequency F0, the sine wave becomes dominant and the waveform becomes more distorted than when the normal transmission power frequency F1 is set. That is, foreign object detection can be performed in a frequency band in which pulse width fluctuation (phase fluctuation) is likely to occur. As a result, the foreign object detection sensitivity is increased and the foreign object detection accuracy is improved. That is, the waveform greatly fluctuates with a small load variation, and the pulse width periods XTPW1 and XTPW2 greatly fluctuate, so that it is easy to detect a metal foreign object having a small size.

例えば電力伝送の効率や消費電流の観点から、通常送電時の駆動周波数F1は、共振周波数F0から離れた周波数に設定され、共振周波数F0に近い周波数F2は、通常送電時には使用しないのが一般的である。   For example, from the viewpoint of power transmission efficiency and current consumption, the drive frequency F1 during normal power transmission is generally set to a frequency away from the resonance frequency F0, and the frequency F2 close to the resonance frequency F0 is generally not used during normal power transmission. It is.

しかしながら、通常送電開始前の異物検出時(1次異物検出)には、図2のトランジスタTB2がオフにされ、負荷90への電力送電が停止しているため、受電側はほぼ無負荷の状態になる。従って異物検出時には、電力伝送効率や消費電力については考慮する必要がなく、共振周波数F0に近い周波数に異物検出用周波数F2を設定しても問題はない。本実施形態では、このような観点から周波数F0とF1の間の周波数F2を設定している。   However, when a foreign object is detected before the start of normal power transmission (primary foreign object detection), the transistor TB2 in FIG. 2 is turned off and power transmission to the load 90 is stopped. become. Therefore, at the time of foreign object detection, it is not necessary to consider power transmission efficiency and power consumption, and there is no problem even if the foreign object detection frequency F2 is set to a frequency close to the resonance frequency F0. In this embodiment, the frequency F2 between the frequencies F0 and F1 is set from such a viewpoint.

また、後述するように、第1方式のパルス幅検出手法は、第2方式に比べて、電源電圧変動等に対するパルス幅検出のバラツキは少ないが、負荷変動に対する感度が低いという問題点がある。この点、第1方式による異物検出時に、異物検出用周波数F2を共振周波数F0に近づければ、負荷変動に対する波形の歪みが大きくなるため、負荷変動に対する感度を向上できるという利点がある。   Further, as will be described later, the pulse width detection method of the first method has a problem that the sensitivity to the load variation is low, although the variation of the pulse width detection with respect to the power supply voltage variation or the like is less than the second method. In this regard, when detecting the foreign matter by the first method, if the foreign matter detection frequency F2 is brought close to the resonance frequency F0, the distortion of the waveform with respect to the load change increases, so that there is an advantage that the sensitivity to the load change can be improved.

なお、前述のように波形検出回路30としては、パルス幅検出手法以外にも、位相検出手法やピーク電圧検出手法などの種々の手法を採用できる。そして、このような手法を採用した場合には、その手法において最も適切な周波数に異物検出用周波数F2を設定すればよく、例えば異物検出用周波数F2を、通常送電用周波数F1よりも高い周波数に設定してもよい。   As described above, various methods such as a phase detection method and a peak voltage detection method can be adopted as the waveform detection circuit 30 in addition to the pulse width detection method. When such a method is adopted, the foreign object detection frequency F2 may be set to the most appropriate frequency in the method. For example, the foreign object detection frequency F2 is set to a frequency higher than the normal power transmission frequency F1. It may be set.

4.第1の変形例
図7に本実施形態の第1の変形例を示す。図7において、例えば1次コイルL1のインダクタンスや共振回路を構成するコンデンサの容量値がばらついたり、電源電圧が変動したり、1次コイルL1、2次コイルL2の距離や位置関係が変動すると、誘起電圧信号PHIN1のピーク電圧(振幅)も変動する。従って、信号PHIN1のピーク電圧を検出する手法だけでは、負荷変動の正確な検出を実現できないおそれがある。そこで図7では、誘起電圧信号PHIN1のパルス幅情報の検出を行うことで、異物挿入等に伴う負荷変動を検出している。
4). First Modification FIG. 7 shows a first modification of this embodiment. In FIG. 7, for example, when the inductance of the primary coil L1 or the capacitance value of the capacitor constituting the resonance circuit varies, the power supply voltage varies, or the distance and positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2 vary. The peak voltage (amplitude) of the induced voltage signal PHIN1 also varies. Therefore, there is a possibility that accurate detection of the load variation cannot be realized only by the method of detecting the peak voltage of the signal PHIN1. Therefore, in FIG. 7, the load fluctuation due to the insertion of foreign matter or the like is detected by detecting the pulse width information of the induced voltage signal PHIN1.

図7において波形検出回路30は、1次コイルL1の第1の誘起電圧信号PHIN1の波形変化を検出する第1の波形検出回路31を含む。そして第1の波形検出回路31は、第1の波形整形回路32と第1のパルス幅検出回路33を含む。波形整形回路32(パルス信号生成回路)は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHIN1を波形整形し、波形整形信号WFQ1を出力する。具体的には例えば信号PHIN1が所与のしきい値電圧を超えた場合にアクティブ(例えばHレベル)になる方形波(矩形波)の波形整形信号WFQ1(パルス信号)を出力する。   In FIG. 7, the waveform detection circuit 30 includes a first waveform detection circuit 31 that detects a change in the waveform of the first induced voltage signal PHIN1 of the primary coil L1. The first waveform detection circuit 31 includes a first waveform shaping circuit 32 and a first pulse width detection circuit 33. The waveform shaping circuit 32 (pulse signal generation circuit) shapes the induced voltage signal PHIN1 of the primary coil L1 and outputs a waveform shaping signal WFQ1. Specifically, for example, a square wave (rectangular wave) waveform shaping signal WFQ1 (pulse signal) that becomes active (eg, H level) when the signal PHIN1 exceeds a given threshold voltage is output.

パルス幅検出回路33は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHIN1のパルス幅情報を検出する。具体的には、波形整形回路32からの波形整形信号WFQ1と、駆動クロック生成回路25からの駆動クロックDRCK(ドライバ制御信号)を受け、波形整形信号WFQ1のパルス幅情報を検出することで、誘起電圧信号PHIN1のパルス幅情報を検出する。   The pulse width detection circuit 33 detects the pulse width information of the induced voltage signal PHIN1 of the primary coil L1. Specifically, the waveform shaping signal WFQ1 from the waveform shaping circuit 32 and the drive clock DRCK (driver control signal) from the drive clock generation circuit 25 are received, and the pulse width information of the waveform shaping signal WFQ1 is detected to induce the waveform shaping signal WFQ1. The pulse width information of the voltage signal PHIN1 is detected.

例えば誘起電圧信号PHIN1がGND側(低電位電源側)から変化して第1のしきい値電圧VT1を上回るタイミングを第1のタイミングとしたとする。この場合にパルス幅検出回路33は、駆動クロックDRCKの第1のエッジタイミング(例えば立ち下がりタイミング)と第1のタイミングとの間の期間である第1のパルス幅期間を計測して、第1のパルス幅情報を検出する。例えば駆動クロックDRCKの電圧変化により誘起された電圧信号PHIN1が、所与のしきい値電圧VT1以下になる第1のパルス幅期間を計測する。そして駆動クロックDRCKのパルス幅に対する波形整形信号WFQ1(誘起電圧信号)のパルス幅の大きさを計測する。この場合の第1のパルス幅期間の計測は例えば基準クロックCLKを用いて行う。そしてパルス幅検出回路33での計測結果のデータPWQ1は、例えば図示されないラッチ回路にラッチされる。具体的にはパルス幅検出回路33は、基準クロックCLKによりカウント値のインクリメント(又はデクリメント)を行うカウンタを用いて、第1のパルス幅期間を計測し、その計測結果のデータPWQ1がラッチ回路にラッチされる。   For example, it is assumed that the timing when the induced voltage signal PHIN1 changes from the GND side (low potential power supply side) and exceeds the first threshold voltage VT1 is the first timing. In this case, the pulse width detection circuit 33 measures a first pulse width period, which is a period between the first edge timing (for example, the falling timing) of the drive clock DRCK and the first timing, The pulse width information is detected. For example, the first pulse width period in which the voltage signal PHIN1 induced by the voltage change of the drive clock DRCK is equal to or lower than a given threshold voltage VT1 is measured. Then, the magnitude of the pulse width of the waveform shaping signal WFQ1 (induced voltage signal) with respect to the pulse width of the drive clock DRCK is measured. In this case, the first pulse width period is measured using, for example, the reference clock CLK. Data PWQ1 as a result of measurement by the pulse width detection circuit 33 is latched by, for example, a latch circuit (not shown). Specifically, the pulse width detection circuit 33 measures the first pulse width period using a counter that increments (or decrements) the count value using the reference clock CLK, and the measurement result data PWQ1 is stored in the latch circuit. Latched.

そして制御回路22は、パルス幅検出回路33で検出されたパルス幅情報に基づいて、受電側(2次側)の負荷状態(負荷変動、負荷の高低)を検出する。具体的には制御回路22は、パルス幅検出回路33で検出されたパルス幅情報に基づいて、異物検出(1次異物検出)を行う。或いは、受電装置40が負荷変調により送信したデータの検出を行ってもよい。   Based on the pulse width information detected by the pulse width detection circuit 33, the control circuit 22 detects the load state (load fluctuation, load level) on the power receiving side (secondary side). Specifically, the control circuit 22 performs foreign object detection (primary foreign object detection) based on the pulse width information detected by the pulse width detection circuit 33. Alternatively, the data transmitted by the power receiving device 40 by load modulation may be detected.

図8(A)〜図8(C)に駆動クロックDRCK、コイル端信号CSG、誘起電圧信号PHIN1、パルス信号PLS1の信号波形の測定結果を示す。図8(A)、図8(B)、図8(C)は、各々、低負荷(例えば2次側の負荷電流=0mA)、中負荷(負荷電流=70mA)、高負荷(負荷電流=150mA)の場合の信号波形(電圧波形)である。またパルス幅検出に使用されるパルス信号PLS1は、誘起電圧信号PHIN1が第1のしきい値電圧VT1を上回る第1のタイミングTM1でHレベルになり、駆動クロックDRCKの立ち上がりエッジタイミングTRでLレベルになる信号である。なお、パルス幅期間を計測するためのしきい値電圧VT1(例えばN型トランジスタのしきい値電圧)としては、負荷状態の検出精度が最適になる電圧を適宜選択設定すればよい。   8A to 8C show measurement results of signal waveforms of the drive clock DRCK, the coil end signal CSG, the induced voltage signal PHIN1, and the pulse signal PLS1. 8A, 8B, and 8C are respectively a low load (for example, secondary side load current = 0 mA), a medium load (load current = 70 mA), and a high load (load current = 150 mA) is a signal waveform (voltage waveform). The pulse signal PLS1 used for pulse width detection becomes H level at the first timing TM1 when the induced voltage signal PHIN1 exceeds the first threshold voltage VT1, and L level at the rising edge timing TR of the drive clock DRCK. Is a signal. Note that as the threshold voltage VT1 for measuring the pulse width period (for example, the threshold voltage of the N-type transistor), a voltage that optimizes the load state detection accuracy may be appropriately selected and set.

図8(A)〜図8(C)に示すように、パルス信号PLS1のパルス幅期間XTPW1は、受電側の負荷が高くなるほど(負荷電流が大きくなるほど)、長くなる。従って、このパルス幅期間XTPW1を計測することで、受電側の負荷状態(負荷の高低)を検出できる。例えば、1次コイルL1上(L1とL2の間)に、金属等の異物が挿入されると、異物に対して1次側の電力が供給されてしまい、受電側の負荷状態が過負荷状態になる。このような場合にも、パルス幅期間XTPW1の長さを計測することで、この過負荷状態を検出することができ、いわゆる異物検出(1次異物検出)を実現できる。またパルス幅期間XTPW1を計測することで、受電装置40の負荷変調部46の負荷の高低を判断し、受電側からの送信データが「0」なのか「1」なのかを検出することも可能になる。   As shown in FIGS. 8A to 8C, the pulse width period XTPW1 of the pulse signal PLS1 becomes longer as the load on the power receiving side becomes higher (as the load current becomes larger). Therefore, by measuring the pulse width period XTPW1, it is possible to detect the load state (load level) on the power receiving side. For example, if a foreign object such as metal is inserted on the primary coil L1 (between L1 and L2), the primary power is supplied to the foreign object, and the load state on the power receiving side is an overload state. become. Even in such a case, this overload state can be detected by measuring the length of the pulse width period XTPW1, and so-called foreign matter detection (primary foreign matter detection) can be realized. In addition, by measuring the pulse width period XTPW1, it is possible to determine whether the load of the load modulation unit 46 of the power receiving device 40 is high or low and to detect whether the transmission data from the power receiving side is “0” or “1”. become.

なお図8(A)〜図8(C)では、タイミングTM1から駆動クロックDRCKの立ち上がりエッジタイミングTRまでの期間をパルス幅期間XTPW1と規定している。即ちこの場合には第1の波形検出回路31は、パルス信号PLS1のパルス幅期間XTPW1を第1のパルス幅情報として検出することになる。しかしながら、後述の図11に示すように駆動クロックDRCKの立ち下がりエッジタイミングTFからタイミングTM1までの期間をパルス幅期間TPW1と規定して、第1の波形検出回路31がパルス幅期間TPW1を第1のパルス幅情報として検出することが望ましい。このようにすれば、受電側の負荷が低いときに、ノイズ信号がパルス信号と見なされてパルス幅期間が計測されてしまう事態を防止できる。そしてこの場合には、受電側の負荷が高くなるほど、パルス幅期間TPW1は短くなる。従って、パルス幅期間TPW1(パルス幅カウント数)が所与の期間(所与のカウント数)よりも短くなった場合に、1次コイルL1上に異物が挿入されたと判断でき、異物検出を実現できる。   In FIGS. 8A to 8C, a period from the timing TM1 to the rising edge timing TR of the drive clock DRCK is defined as a pulse width period XTPW1. That is, in this case, the first waveform detection circuit 31 detects the pulse width period XTPW1 of the pulse signal PLS1 as the first pulse width information. However, as shown in FIG. 11 described later, the period from the falling edge timing TF to the timing TM1 of the drive clock DRCK is defined as the pulse width period TPW1, and the first waveform detection circuit 31 sets the pulse width period TPW1 to the first time. It is desirable to detect it as pulse width information. In this way, it is possible to prevent a situation in which the noise signal is regarded as a pulse signal and the pulse width period is measured when the load on the power receiving side is low. In this case, the pulse width period TPW1 becomes shorter as the load on the power receiving side becomes higher. Therefore, when the pulse width period TPW1 (pulse width count number) becomes shorter than a given period (given count number), it can be determined that foreign matter has been inserted on the primary coil L1, and foreign matter detection is realized. it can.

図9(A)に無負荷時における1次側の等価回路を示し、図9(B)に有負荷時における等価回路を示す。図9(A)に示すように無負荷時においては、キャパシタンスCと、1次側の漏れインダクタンスLl1及び結合インダクタンスMにより直列共振回路が形成される。従って、図9(C)のB1に示すように、無負荷時のコイル共振特性はQ値が高いシャープな特性になる。一方、有負荷の場合には2次側の漏れインダクタンスLl2及び2次側の負荷のレジスタンスRLが加わる。従って図9(C)に示すように、有負荷の場合の共振周波数fr2、fr3は、無負荷の場合の共振周波数fr1に比べて大きくなる。またレジスタンスRLの影響により、有負荷時の共振特性はQ値が低い緩やかな特性になる。更に低負荷(RL大)から高負荷(RL小)になるにつれて、共振周波数が高くなり、共振周波数がコイルの駆動周波数(DRCKの周波数)に近づく。   FIG. 9A shows an equivalent circuit on the primary side when there is no load, and FIG. 9B shows an equivalent circuit when there is a load. As shown in FIG. 9A, when there is no load, a series resonance circuit is formed by the capacitance C, the primary side leakage inductance L11, and the coupling inductance M. Accordingly, as indicated by B1 in FIG. 9C, the coil resonance characteristic at no load becomes a sharp characteristic having a high Q value. On the other hand, in the case of a load, a secondary side leakage inductance Ll2 and a secondary side load resistance RL are added. Therefore, as shown in FIG. 9C, the resonance frequencies fr2 and fr3 in the case of load are larger than the resonance frequency fr1 in the case of no load. Further, due to the influence of the resistance RL, the resonance characteristic under load is a gentle characteristic with a low Q value. Further, as the load becomes low (large RL) and high load (RL small), the resonance frequency increases and the resonance frequency approaches the coil drive frequency (DRCK frequency).

このように共振周波数が駆動周波数に近づくと、共振波形である正弦波の部分が徐々に見えてくる。即ち図8(A)のような低負荷時の電圧波形では、駆動波形である方形波の方が、共振波形である正弦波よりも支配的になっている。これに対して図8(C)のような高負荷時の電圧波形では、共振波形である正弦波の方が、駆動波形である方形波よりも支配的になる。この結果、高負荷になるほどパルス幅期間XTPW1は長くなる(TPW1は短くなる)。従って、パルス幅期間XTPW1(TPW1)を計測することで、簡素な構成で受電側の負荷の変動(高低)を判断できる。   As the resonance frequency approaches the drive frequency in this way, the portion of the sine wave that is the resonance waveform gradually appears. That is, in the voltage waveform at the time of low load as shown in FIG. 8A, the square wave as the drive waveform is more dominant than the sine wave as the resonance waveform. On the other hand, in the voltage waveform at the time of high load as shown in FIG. 8C, the sine wave that is the resonance waveform is more dominant than the square wave that is the drive waveform. As a result, as the load becomes higher, the pulse width period XTPW1 becomes longer (TPW1 becomes shorter). Therefore, by measuring the pulse width period XTPW1 (TPW1), it is possible to determine the load fluctuation (high or low) on the power receiving side with a simple configuration.

例えば、金属異物の挿入等による受電側の負荷変動を、コイル端信号のピーク電圧の変化だけを検知して判別する手法が考えられる。しかしながら、この手法によると、負荷変動のみならず、1次コイルL1と2次コイルL2の距離や位置関係によってもピーク電圧が変化してしまう。従って、負荷変動検知のバラツキが大きくなってしまうという問題がある。   For example, a method is conceivable in which load variation on the power receiving side due to insertion of a metal foreign object or the like is detected by detecting only a change in peak voltage of a coil end signal. However, according to this method, the peak voltage changes depending not only on the load fluctuation but also on the distance and the positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2. Therefore, there is a problem that variation in load variation detection becomes large.

これに対して本実施形態のパルス幅検出手法では、ピーク電圧ではなく、受電側の負荷状態により変化するパルス幅期間をデジタル処理により計測することで、負荷変動を検知している。従って、バラツキの少ない負荷変動検知を実現できるという優位点がある。   On the other hand, in the pulse width detection method of the present embodiment, the load fluctuation is detected by measuring, by digital processing, the pulse width period that changes depending on the load state on the power receiving side instead of the peak voltage. Therefore, there is an advantage that load variation detection with little variation can be realized.

また、受電側の負荷変動を、負荷による位相特性で判断する手法も考えられる。ここで負荷による位相特性とは、電圧・電流位相差のことを指すが、この手法では、回路構成が複雑になり、高コスト化を招くという問題がある。   In addition, a method for determining the load fluctuation on the power receiving side based on the phase characteristics due to the load is also conceivable. Here, the phase characteristic due to the load indicates a voltage / current phase difference. However, this method has a problem that the circuit configuration is complicated and the cost is increased.

これに対して本実施形態のパルス幅検出手法では、電圧波形を利用し、簡単な波形整形回路と計数回路(カウンタ)でデジタルデータとして処理できるため、回路構成を簡素化できるという利点がある。また、ピーク電圧を検知して負荷変動を検出する振幅検出手法との組み合わせの実現も容易であるという利点がある。   On the other hand, the pulse width detection method of the present embodiment has an advantage that the circuit configuration can be simplified because a voltage waveform can be used and processed as digital data by a simple waveform shaping circuit and a counting circuit (counter). Further, there is an advantage that it is easy to realize a combination with an amplitude detection method for detecting a load fluctuation by detecting a peak voltage.

更に本実施形態のパルス幅検出手法では、図8(A)〜図8(C)に示すように、誘起電圧信号PHIN1が0V(GND側)から変化してしきい値電圧VT1を上回るタイミングTM1により規定されるパルス幅期間XTPW1を計測している。従って、しきい値電圧VT1を0Vの近くに設定することで、電源電圧変動やコイルの距離・位置関係の変動による悪影響を少なくでき、更にバラツキが少ない負荷変動検知を実現できる。   Furthermore, in the pulse width detection method of this embodiment, as shown in FIGS. 8A to 8C, the timing TM1 when the induced voltage signal PHIN1 changes from 0 V (GND side) and exceeds the threshold voltage VT1. The pulse width period XTPW1 defined by is measured. Therefore, by setting the threshold voltage VT1 close to 0V, adverse effects due to power supply voltage fluctuations and coil distance / position relation fluctuations can be reduced, and load fluctuation detection with less variation can be realized.

図10に第1の変形例の送電制御装置20及び波形モニタ回路14の具体的な構成例を示す。波形モニタ回路14は、リミッタ機能付きの第1の整流回路17を含む。この整流回路17は、1次コイルL1のコイル端信号CSGが生成されるコイル端ノードNA2と、波形モニタ用の誘起電圧信号PHIN1が生成される第1のモニタノードNA11との間に設けられる電流制限抵抗RA1を有する。そして整流回路17は、誘起電圧信号PHIN1をVDDの電圧(高電位電源電圧)にクランプするリミッタ動作を行うと共に誘起電圧信号PHIN1に対する半波整流を行う。   FIG. 10 shows a specific configuration example of the power transmission control device 20 and the waveform monitor circuit 14 of the first modification. The waveform monitor circuit 14 includes a first rectifier circuit 17 with a limiter function. This rectifier circuit 17 has a current provided between a coil end node NA2 where a coil end signal CSG of the primary coil L1 is generated and a first monitor node NA11 where an induced voltage signal PHIN1 for waveform monitoring is generated. It has a limiting resistor RA1. The rectifier circuit 17 performs a limiter operation for clamping the induced voltage signal PHIN1 to the voltage of VDD (high potential power supply voltage) and performs half-wave rectification on the induced voltage signal PHIN1.

このような電流制限抵抗RA1を設けることで、コイル端ノードNA2からの過大な電流が送電制御装置20のIC端子に流れ込む事態が防止される。また整流回路17が、誘起電圧信号PHIN1をVDDの電圧にクランプすることで、最大定格電圧以上の電圧が送電制御装置20のIC端子に印加されてしまう事態が防止される。また整流回路17が、半波整流を行うことで、負の電圧が送電制御装置20のIC端子に印加されてしまう事態が防止される。   By providing such a current limiting resistor RA1, it is possible to prevent an excessive current from the coil end node NA2 from flowing into the IC terminal of the power transmission control device 20. Further, the rectifier circuit 17 clamps the induced voltage signal PHIN1 to the voltage of VDD, so that a situation where a voltage equal to or higher than the maximum rated voltage is applied to the IC terminal of the power transmission control device 20 is prevented. Moreover, the situation where the negative voltage is applied to the IC terminal of the power transmission control device 20 is prevented by the rectifier circuit 17 performing half-wave rectification.

具体的には整流回路17は、モニタノードNA11とVDD(広義には高電位電源)ノードとの間に設けられ、モニタノードNA11からVDDノードへと向かう方向を順方向とする第1のダイオードDA1を含む。またモニタノードNA11とGND(広義には低電位電源)ノードとの間に設けられ、GNDノードからモニタノードNA11へと向かう方向を順方向とする第2のダイオードDA2を含む。ダイオードDA1によりVDDへのリミット動作が実現され、ダイオードDA2により半波整流が実現される。   Specifically, the rectifier circuit 17 is provided between the monitor node NA11 and a VDD (high potential power supply in a broad sense) node, and a first diode DA1 whose forward direction is from the monitor node NA11 to the VDD node. including. Further, it includes a second diode DA2 provided between the monitor node NA11 and a GND (low potential power supply in a broad sense) node and having a forward direction from the GND node to the monitor node NA11. A limit operation to VDD is realized by the diode DA1, and half-wave rectification is realized by the diode DA2.

なお、ダイオードDA1を設ける代わりに、ツェナーダイオードを設けてもよい。即ち、モニタノードNA11とGND(低電位電源)ノードとの間に設けられ、GNDノードからモニタノードNA11へと向かう方向を順方向とするツェナーダイオードを設けてもよい。   Instead of providing the diode DA1, a Zener diode may be provided. That is, a Zener diode provided between the monitor node NA11 and a GND (low potential power supply) node and having a forward direction from the GND node to the monitor node NA11 may be provided.

波形整形回路32(第1の波形整形回路)は、VDD(高電位電源)とGND(低電位電源)の間に直列に接続された抵抗RC1及びN型のトランジスタTC1と、インバータ回路INVC1を含む。トランジスタTC1のゲートには、波形モニタ回路14からの誘起電圧信号PHIN1が入力される。そして信号PHIN1がトランジスタTC1のしきい値電圧よりも高くなると、TC1がオンになりノードNC1の電圧がLレベルになるため、波形整形信号WFQ1はHレベルになる。一方、信号PHIN1がしきい値電圧よりも低くなると、波形整形信号WFQ1はLレベルになる。   The waveform shaping circuit 32 (first waveform shaping circuit) includes a resistor RC1 and an N-type transistor TC1 connected in series between VDD (high potential power supply) and GND (low potential power supply), and an inverter circuit INVC1. . The induced voltage signal PHIN1 from the waveform monitor circuit 14 is input to the gate of the transistor TC1. When the signal PHIN1 becomes higher than the threshold voltage of the transistor TC1, the TC1 is turned on and the voltage of the node NC1 becomes L level, so that the waveform shaping signal WFQ1 becomes H level. On the other hand, when the signal PHIN1 becomes lower than the threshold voltage, the waveform shaping signal WFQ1 becomes L level.

パルス幅検出回路33は第1のカウンタ122を含む。このカウンタ122は、パルス幅期間においてカウント値のインクリメント(又はデクリメント)を行い、得られたカウント値に基づいてパルス幅期間(第1のパルス幅期間)の長さを計測する。この場合、カウンタ122は例えば基準クロックCLKに基づいてカウント値のカウント処理を行う。   The pulse width detection circuit 33 includes a first counter 122. The counter 122 increments (or decrements) the count value in the pulse width period, and measures the length of the pulse width period (first pulse width period) based on the obtained count value. In this case, the counter 122 performs a count value counting process based on the reference clock CLK, for example.

更に具体的には、パルス幅検出回路33は第1のイネーブル信号生成回路120を含む。このイネーブル信号生成回路120は、第1の波形整形信号WFQ1と駆動クロックDRCKを受け、第1のパルス幅期間においてアクティブになる第1のイネーブル信号ENQ1を生成する。そしてカウンタ122は、イネーブル信号ENQ1がアクティブ(例えばHレベル)である場合に、カウント値のインクリメント(又はデクリメント)を行う。   More specifically, the pulse width detection circuit 33 includes a first enable signal generation circuit 120. The enable signal generation circuit 120 receives the first waveform shaping signal WFQ1 and the drive clock DRCK, and generates the first enable signal ENQ1 that becomes active in the first pulse width period. The counter 122 increments (or decrements) the count value when the enable signal ENQ1 is active (eg, H level).

このイネーブル信号生成回路120は、そのクロック端子(反転クロック端子)に駆動クロックDRCK(DRCKと等価な信号を含む)が入力され、そのデータ端子にVDD(高電位電源)の電圧が入力され、そのリセット端子(非反転リセット端子)に波形整形信号WFQ1(WFQ1と等価な信号を含む)が入力されるフリップフロップ回路FFC1により構成できる。このフリップフロップ回路FFC1によれば、波形整形信号WFQ1がLレベルになった後に、駆動クロックDRCKがLレベルになると、その出力信号であるイネーブル信号ENQ1がHレベル(アクティブ)になる。その後、波形整形信号WFQ1がHレベルになると、フリップフロップ回路FFC1はリセットされて、その出力信号であるイネーブル信号ENQ1がLレベル(非アクティブ)になる。従って、カウンタ122は、イネーブル信号ENQ1がHレベル(アクティブ)になる期間を基準クロックCLKでカウントすることで、パルス幅期間を計測できる。   In the enable signal generation circuit 120, a drive clock DRCK (including a signal equivalent to DRCK) is input to its clock terminal (inverted clock terminal), and a voltage of VDD (high potential power supply) is input to its data terminal. It can be configured by a flip-flop circuit FFC1 in which a waveform shaping signal WFQ1 (including a signal equivalent to WFQ1) is input to a reset terminal (non-inverting reset terminal). According to the flip-flop circuit FFC1, when the drive clock DRCK becomes L level after the waveform shaping signal WFQ1 becomes L level, the output signal enable signal ENQ1 becomes H level (active). Thereafter, when the waveform shaping signal WFQ1 becomes H level, the flip-flop circuit FFC1 is reset, and the enable signal ENQ1 that is an output signal thereof becomes L level (inactive). Therefore, the counter 122 can measure the pulse width period by counting the period in which the enable signal ENQ1 is at the H level (active) with the reference clock CLK.

なおイネーブル信号生成回路120を、そのクロック端子に駆動クロックDRCKが入力され、そのデータ端子にGND(低電位電源)が接続され、そのセット端子に波形整形信号WFQ1が入力されるフリップフロップ回路により構成してもよい。この場合には、フリップフロップ回路の出力信号の反転信号を、イネーブル信号ENQ1としてカウンタ122に入力すればよい。   The enable signal generation circuit 120 is configured by a flip-flop circuit in which the drive clock DRCK is input to its clock terminal, GND (low potential power supply) is connected to its data terminal, and the waveform shaping signal WFQ1 is input to its set terminal. May be. In this case, an inverted signal of the output signal of the flip-flop circuit may be input to the counter 122 as the enable signal ENQ1.

カウント値保持回路124は、カウンタ122からのカウント値CNT1(パルス幅情報)を保持する。そして保持されたカウント値のデータLTQ1は出力回路126に出力される。   The count value holding circuit 124 holds the count value CNT1 (pulse width information) from the counter 122. The held count value data LTQ 1 is output to the output circuit 126.

出力回路126(フィルタ回路、ノイズ除去回路)はカウント値保持回路124に保持されたカウント値のデータLTQ1を受けて、データPWQ1(第1のパルス幅情報)を出力する。この出力回路126は、例えばカウント値保持回路124に今回保持されたカウント値と前回に保持されたカウント値を比較し、大きい方のカウント値を出力する比較回路130を含むことができる。これにより出力回路126からは、最大値のカウント値が保持されて出力されるようになる。このようにすれば、雑音等によるパルス幅期間の変動を抑えることが可能になり、安定したパルス幅検出を実現できる。また振幅検出手法との組み合わせも容易化できる。   The output circuit 126 (filter circuit, noise removal circuit) receives the count value data LTQ1 held in the count value holding circuit 124 and outputs data PWQ1 (first pulse width information). The output circuit 126 can include, for example, a comparison circuit 130 that compares the count value held this time in the count value holding circuit 124 with the count value held last time and outputs the larger count value. As a result, the maximum count value is held and output from the output circuit 126. This makes it possible to suppress fluctuations in the pulse width period due to noise or the like, and to realize stable pulse width detection. Further, the combination with the amplitude detection method can be facilitated.

図11に、図10の回路の動作を説明するための信号波形例を示す。図11のD1のタイミングで波形整形信号WFQ1がLレベルになると、フリップフロップ回路FFC1のリセットが解除される。そして駆動クロックDRCKの立ち下がりエッジタイミングTFでVDDの電圧がフリップフロップ回路FFC1に取り込まれ、これによりイネーブル信号ENQ1がLレベルからHレベルに変化する。この結果、カウンタ122がカウント処理を開始し、基準クロックCLKを用いてパルス幅期間TPW1を計測する。   FIG. 11 shows a signal waveform example for explaining the operation of the circuit of FIG. When the waveform shaping signal WFQ1 becomes L level at the timing of D1 in FIG. 11, the reset of the flip-flop circuit FFC1 is released. Then, at the falling edge timing TF of the drive clock DRCK, the VDD voltage is taken into the flip-flop circuit FFC1, and the enable signal ENQ1 changes from L level to H level. As a result, the counter 122 starts the counting process, and measures the pulse width period TPW1 using the reference clock CLK.

次に第1のタイミングTM1で波形整形信号WFQ1がHレベルになると、フリップフロップ回路FFC1がリセットされて、イネーブル信号ENQ1がHレベルからLレベルに変化する。これによりカウンタ122のカウント処理が終了する。そして、このカウント処理により得られたカウント値が、パルス幅期間TPW1を表す計測結果になる。   Next, when the waveform shaping signal WFQ1 becomes H level at the first timing TM1, the flip-flop circuit FFC1 is reset and the enable signal ENQ1 changes from H level to L level. Thereby, the count process of the counter 122 is completed. Then, the count value obtained by this counting process becomes a measurement result representing the pulse width period TPW1.

なお図11に示すように、パルス幅期間TPW1とXTPW1を足したものが、駆動クロックDRCKの半周期期間になる。そして図8(A)〜図8(C)のパルス幅期間XTPW1は、受電側の負荷が高くなるほど長くなる。従って、図11のパルス幅期間TPW1については、受電側の負荷が高くなるほど短くなる。図8(A)〜図8(C)のパルス幅期間XTPW1では、受電側の負荷が低い場合に、ノイズ信号とパルス信号の区別が難しくなるという問題があるが、図11のパルス幅期間TPW1では、このような問題を防止できる。   As shown in FIG. 11, the sum of the pulse width periods TPW1 and XTPW1 is a half cycle period of the drive clock DRCK. The pulse width period XTPW1 in FIGS. 8A to 8C becomes longer as the load on the power receiving side becomes higher. Therefore, the pulse width period TPW1 in FIG. 11 becomes shorter as the load on the power receiving side becomes higher. In the pulse width period XTPW1 in FIGS. 8A to 8C, there is a problem that it is difficult to distinguish between the noise signal and the pulse signal when the load on the power receiving side is low, but the pulse width period TPW1 in FIG. Then, such a problem can be prevented.

本実施形態のパルス幅検出手法の第1方式では、図11のD3に示すように、コイル端信号CSGが0Vから変化して低電位側のしきい値電圧VTLを超えるタイミングTM1に基づいて、パルス幅期間TPW1を規定している。即ちパルス幅期間TPW1は、駆動クロックCLKの立ち下がりエッジタイミングTFとタイミングTM1の間の期間であり、受電側の負荷変動によりタイミングTM1が変化することで、パルス幅期間TPW1が変化する。そして、タイミングTM1を決めるしきい値電圧VTLは低い電圧であるため、電源電圧等が変動した場合にも、タイミングTM1のバラツキは少ない。またコイルL1とL2の距離や位置関係が変動した場合にも、タイミングTM1のバラツキは少ない。従って、本実施形態の第1方式によれば、電源電圧等の変動の悪影響が小さいパルス幅検出方式を実現できる。   In the first method of the pulse width detection method of the present embodiment, as indicated by D3 in FIG. 11, the coil end signal CSG changes from 0V and exceeds the threshold voltage VTL on the low potential side, based on the timing TM1. A pulse width period TPW1 is defined. That is, the pulse width period TPW1 is a period between the falling edge timing TF and the timing TM1 of the drive clock CLK, and the pulse width period TPW1 is changed by changing the timing TM1 due to load fluctuation on the power receiving side. Since the threshold voltage VTL for determining the timing TM1 is a low voltage, there is little variation in the timing TM1 even when the power supply voltage or the like fluctuates. Even when the distance and the positional relationship between the coils L1 and L2 vary, there is little variation in the timing TM1. Therefore, according to the first method of this embodiment, it is possible to realize a pulse width detection method in which the adverse effect of fluctuations in the power supply voltage and the like is small.

なお図10の整流回路17では、後述する図16に示す本実施形態の第2方式用の整流回路18とは異なり、コイル端信号CSGを電圧分割することなく、誘起電圧信号PHIN1として波形整形回路32に入力している。従って、図11のしきい値電圧VTLは、図10の波形整形回路32のN型トランジスタTC1のしきい値電圧とほぼ等しくなり、図8(A)〜図8(C)のしきい値電圧VT1とほぼ等しくなる。   In the rectifier circuit 17 of FIG. 10, unlike the rectifier circuit 18 for the second method of the present embodiment shown in FIG. 16 described later, the waveform shaping circuit is generated as the induced voltage signal PHIN1 without dividing the coil end signal CSG. 32. Therefore, the threshold voltage VTL of FIG. 11 is substantially equal to the threshold voltage of the N-type transistor TC1 of the waveform shaping circuit 32 of FIG. 10, and the threshold voltages of FIGS. 8A to 8C. It becomes almost equal to VT1.

なお波形整形回路32の構成は図10の構成に限定されず、例えばコンパレータ等により構成してもよい。またイネーブル信号生成回路120の構成も図10の構成に限定されず、例えばNOR回路やNAND回路などの論理回路により構成してもよい。また出力回路126の構成も図10の構成に限定されず、例えば数のカウント値(例えば今回のカウント値と前回のカウント値)の平均値(移動平均)を求める平均化回路により構成してもよい。   The configuration of the waveform shaping circuit 32 is not limited to the configuration of FIG. 10, and may be configured by a comparator, for example. Further, the configuration of the enable signal generation circuit 120 is not limited to the configuration of FIG. 10, and may be configured by a logic circuit such as a NOR circuit or a NAND circuit. Further, the configuration of the output circuit 126 is not limited to the configuration of FIG. 10. For example, the output circuit 126 may be configured by an averaging circuit that calculates an average value (moving average) of count values (for example, the current count value and the previous count value). Good.

5.第2の変形例
図12に本実施形態の第2の変形例を示す。この第2の変形例では、波形検出回路30が、図7、図10で説明した第1の波形検出回路31の他に、1次コイルL1の第2の誘起電圧信号PHIN2の波形変化を検出する第2の波形検出回路34を含む。ここで、第1の波形検出回路31は、図8(A)〜図8(C)等で説明した第1方式のパルス幅検出を行う。一方、第2の波形検出回路34は、後述の図13(A)〜図13(C)で説明する第2方式のパルス幅検出を行う。
5). Second Modification FIG. 12 shows a second modification of the present embodiment. In the second modification, the waveform detection circuit 30 detects the waveform change of the second induced voltage signal PHIN2 of the primary coil L1 in addition to the first waveform detection circuit 31 described with reference to FIGS. The second waveform detection circuit 34 is included. Here, the first waveform detection circuit 31 performs the pulse width detection of the first method described in FIG. 8A to FIG. 8C and the like. On the other hand, the second waveform detection circuit 34 performs pulse width detection of the second method, which will be described later with reference to FIGS. 13 (A) to 13 (C).

第2の波形検出回路34は、第2の波形整形回路35と第2のパルス幅検出回路36を含む。波形整形回路35は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHIN2を波形整形し、波形整形信号WFQ2を出力する。具体的には例えば信号PHIN2が所与のしきい値電圧を超えた場合にアクティブ(例えばHレベル)になる方形波(矩形波)の波形整形信号WFQ2を出力する。   The second waveform detection circuit 34 includes a second waveform shaping circuit 35 and a second pulse width detection circuit 36. The waveform shaping circuit 35 shapes the induced voltage signal PHIN2 of the primary coil L1, and outputs a waveform shaping signal WFQ2. Specifically, for example, a square wave (rectangular wave) waveform shaping signal WFQ2 that is active (eg, H level) when the signal PHIN2 exceeds a given threshold voltage is output.

パルス幅検出回路36は、1次コイルL1の誘起電圧信号PHIN2のパルス幅情報を検出する。具体的には、波形整形回路35からの波形整形信号WFQ2と、駆動クロック生成回路25からの駆動クロックDRCKを受け、波形整形信号WFQ2のパルス幅情報を検出することで、誘起電圧信号PHIN2のパルス幅情報を検出する。   The pulse width detection circuit 36 detects the pulse width information of the induced voltage signal PHIN2 of the primary coil L1. Specifically, the pulse of the induced voltage signal PHIN2 is received by receiving the waveform shaping signal WFQ2 from the waveform shaping circuit 35 and the drive clock DRCK from the drive clock generation circuit 25 and detecting the pulse width information of the waveform shaping signal WFQ2. Detect width information.

例えば誘起電圧信号PHIN2が高電位電源(VDD)側から変化して第2のしきい値電圧VT2を下回るタイミングを第2のタイミングとしたとする。この場合にパルス幅検出回路36は、駆動クロックDRCKの第2のエッジタイミング(例えば立ち上がりエッジタイミング)と第2のタイミングとの間の期間である第2のパルス幅期間を計測して、第2のパルス幅情報を検出する。例えば駆動クロックDRCKの電圧変化により誘起された電圧信号PHIN2が、所与のしきい値電圧VT2以上になる第2のパルス幅期間を計測する。そして駆動クロックDRCKのパルス幅に対する波形整形信号WFQ2(誘起電圧信号)のパルス幅の大きさを計測する。この場合のパルス幅期間の計測は例えば基準クロックCLKを用いて行う。そしてパルス幅検出回路36での計測結果のデータPWQ2は、例えば図示されないラッチ回路にラッチされる。具体的にはパルス幅検出回路36は、基準クロックCLKによりカウント値のインクリメント(又はデクリメント)を行うカウンタを用いて、パルス幅期間を計測し、その計測結果のデータPWQ2がラッチ回路にラッチされる。   For example, it is assumed that the timing when the induced voltage signal PHIN2 changes from the high potential power supply (VDD) side and falls below the second threshold voltage VT2 is the second timing. In this case, the pulse width detection circuit 36 measures a second pulse width period, which is a period between the second edge timing (for example, rising edge timing) of the drive clock DRCK and the second timing, The pulse width information is detected. For example, the second pulse width period in which the voltage signal PHIN2 induced by the voltage change of the drive clock DRCK is equal to or higher than a given threshold voltage VT2 is measured. Then, the magnitude of the pulse width of the waveform shaping signal WFQ2 (induced voltage signal) with respect to the pulse width of the drive clock DRCK is measured. In this case, the pulse width period is measured using, for example, the reference clock CLK. Then, data PWQ2 as a result of measurement by the pulse width detection circuit 36 is latched by, for example, a latch circuit (not shown). Specifically, the pulse width detection circuit 36 measures the pulse width period using a counter that increments (or decrements) the count value by the reference clock CLK, and the measurement result data PWQ2 is latched by the latch circuit. .

そして制御回路22は、パルス幅検出回路36で検出されたパルス幅情報に基づいて、異物検出(2次異物検出)を行う。或いは、受電装置40が負荷変調により送信したデータの検出を行う。   Then, the control circuit 22 performs foreign matter detection (secondary foreign matter detection) based on the pulse width information detected by the pulse width detection circuit 36. Alternatively, the data transmitted by the power receiving device 40 by load modulation is detected.

図13(A)〜図13(C)に駆動クロックDRCK、コイル端信号CSG、誘起電圧信号PHIN2、パルス信号PLS2の信号波形の測定結果を示す。図13(A)、図13(B)、図13(C)は、各々、低負荷、中負荷、高負荷の場合の信号波形である。またパルス幅検出に使用されるパルス信号PLS2は、誘起電圧信号PHIN2が第2のしきい値電圧VT2を下回る第2のタイミングTM2でHレベルになり、駆動クロックDRCKの立ち下がりエッジタイミングTFでLレベルになる信号である。なお、パルス幅期間を計測するためのしきい値電圧VT2(例えばN型トランジスタのしきい値電圧)としては、負荷状態の検出精度が最適になる電圧を適宜選択設定すればよい。   FIGS. 13A to 13C show measurement results of signal waveforms of the drive clock DRCK, the coil end signal CSG, the induced voltage signal PHIN2, and the pulse signal PLS2. FIG. 13A, FIG. 13B, and FIG. 13C are signal waveforms in the case of low load, medium load, and high load, respectively. The pulse signal PLS2 used for pulse width detection becomes H level at the second timing TM2 when the induced voltage signal PHIN2 falls below the second threshold voltage VT2, and becomes L at the falling edge timing TF of the drive clock DRCK. It is a signal that becomes a level. Note that as the threshold voltage VT2 (for example, the threshold voltage of an N-type transistor) for measuring the pulse width period, a voltage that optimizes the load state detection accuracy may be appropriately selected and set.

図13(A)〜図13(C)に示すように、パルス信号PLS2のパルス幅期間XTPW2は、受電側の負荷が高くなるほど、長くなる。従って、このパルス幅期間XTPW2を計測することで、受電側の負荷状態を検出できる。具体的には、異物を検出したり(2次異物検出)、受電側からの送信データ(セーブフレーム)が「0」なのか「1」なのかを検出できる。   As shown in FIGS. 13A to 13C, the pulse width period XTPW2 of the pulse signal PLS2 becomes longer as the load on the power receiving side becomes higher. Therefore, the load state on the power receiving side can be detected by measuring the pulse width period XTPW2. Specifically, it is possible to detect a foreign object (secondary foreign object detection) or whether transmission data (save frame) from the power receiving side is “0” or “1”.

なお図13(A)〜図13(C)では、タイミングTM2から駆動クロックDRCKの立ち下がりエッジタイミングTFまでの期間をパルス幅期間XTPW2と規定している。即ちこの場合には第2の波形検出回路34はパルス信号PLS2のパルス幅期間XTPW2を第2のパルス幅情報として検出する。しかしながら、後述の図17に示すようにDRCKの立ち上がりエッジタイミングTRからタイミングTM2までの期間をパルス幅期間TPW2と規定して、第2の波形検出回路34がパルス幅期間TPW2を第2のパルス幅情報として検出することが望ましい。このようにすれば、受電側の負荷が低いときに、ノイズ信号がパルス信号と見なされてパルス幅期間が計測されてしまう事態を防止できる。そしてこの場合には、受電側の負荷が高くなるほど、パルス幅期間TPW2は短くなる。   In FIGS. 13A to 13C, a period from the timing TM2 to the falling edge timing TF of the drive clock DRCK is defined as a pulse width period XTPW2. That is, in this case, the second waveform detection circuit 34 detects the pulse width period XTPW2 of the pulse signal PLS2 as the second pulse width information. However, as shown in FIG. 17 described later, the period from the rising edge timing TR of DRCK to the timing TM2 is defined as the pulse width period TPW2, and the second waveform detection circuit 34 sets the pulse width period TPW2 to the second pulse width. It is desirable to detect as information. In this way, it is possible to prevent a situation in which the noise signal is regarded as a pulse signal and the pulse width period is measured when the load on the power receiving side is low. In this case, the pulse width period TPW2 becomes shorter as the load on the power receiving side becomes higher.

図13(A)〜図13(C)の第2方式(立ち下がり検出方式)は、図8(A)〜図8(C)の第1方式(立ち上がり検出方式)に比べて、少ない負荷変動でもパルス幅(カウント値)が大きく変化し、感度が高いという優位点がある。一方、図8(A)〜図8(C)の第1方式は、図13(A)〜図13(C)の第2方式に比べて、電源電圧変動や、コイルL1とL2の距離や位置関係の変動に対して、パルス幅の検出バラツキが少ないという優位点がある。   The second method (falling detection method) in FIGS. 13A to 13C has a smaller load fluctuation than the first method (rising detection method) in FIGS. 8A to 8C. However, there is an advantage that the pulse width (count value) changes greatly and the sensitivity is high. On the other hand, the first method shown in FIGS. 8A to 8C is different from the second method shown in FIGS. 13A to 13C in that the power supply voltage fluctuation, the distance between the coils L1 and L2, There is an advantage that the variation in the detection of the pulse width is small with respect to the fluctuation of the positional relationship.

例えば図14(A)は、第1方式での電源電圧変動に対するパルス幅の検出バラツキを示す図であり、図14(B)は、第2方式での電源電圧変動に対するパルス幅の検出バラツキを示す図である。   For example, FIG. 14A is a diagram showing the detection variation of the pulse width with respect to the power supply voltage variation in the first method, and FIG. 14B is the diagram showing the detection variation of the pulse width with respect to the power supply voltage variation in the second method. FIG.

図14(A)に示すように、第1方式では、電源電圧が高くなったり、低くなっても、負荷電流−パルス幅の特性曲線はそれほど変動しない。一方、図14(B)に示すように、第2方式では、電源電圧が高くなったり、低くなると、負荷電流−パルス幅の特性曲線も変動し、電源電圧変動に対するパルス幅の検出バラツキが大きい。   As shown in FIG. 14A, in the first method, the load current-pulse width characteristic curve does not vary so much even when the power supply voltage increases or decreases. On the other hand, as shown in FIG. 14B, in the second method, when the power supply voltage becomes higher or lower, the load current-pulse width characteristic curve also fluctuates, and the detection variation of the pulse width with respect to the power supply voltage fluctuation is large. .

そこで図12の第2の変形例では、通常送電開始前の異物検出である1次異物検出では、第1の波形検出回路31が第1方式で波形検出を行い、それにより得られた第1のパルス幅情報(PWQ1)を用いる。一方、通常送電開始後の異物検出である2次異物検出では、第2の波形検出回路34が第2方式で波形検出を行い、それにより得られた第2のパルス幅情報(PWQ2)を用いる。また受電側から送信されてくるデータ(満充電検出等を知らせるデータ)も、例えば第2のパルス幅情報を用いて検出する。   Therefore, in the second modified example of FIG. 12, in the primary foreign object detection that is the foreign object detection before the start of normal power transmission, the first waveform detection circuit 31 performs the waveform detection by the first method, and the first obtained thereby. The pulse width information (PWQ1) is used. On the other hand, in secondary foreign object detection that is foreign object detection after the start of normal power transmission, the second waveform detection circuit 34 performs waveform detection by the second method, and uses the second pulse width information (PWQ2) obtained thereby. . Further, data transmitted from the power receiving side (data notifying full charge detection or the like) is also detected using, for example, second pulse width information.

図15に、これらの1次異物検出、2次異物検出について説明するためのフローチャートを示す。   FIG. 15 shows a flowchart for explaining these primary foreign object detection and secondary foreign object detection.

まず1次側(送電装置側)が起動し(ステップS21)、起動した1次側が、2次側を起動するための電力(位置検出用の電力)を送電し(ステップS22)、通信待機状態に移行する(ステップS23)。すると、2次側(受電装置側)が起動し(ステップS31)、1次側に対して図3(B)で説明した負荷変調により認証フレーム(同期ID)を送信する(ステップS32)。   First, the primary side (power transmission device side) is activated (step S21), and the activated primary side transmits power for activating the secondary side (position detection power) (step S22), and is in a communication standby state. (Step S23). Then, the secondary side (power receiving apparatus side) is activated (step S31), and an authentication frame (synchronization ID) is transmitted to the primary side by the load modulation described with reference to FIG. 3B (step S32).

1次側は、認証フレームを受信すると、ID認証を行う(ステップS24)。そして、駆動周波数(DRCKの周波数)を、通常送電用周波数F1とは異なる周波数である異物検出用周波数F2に設定する。具体的には、通常送電用周波数F1とコイル共振周波数F0の間の周波数である異物検出用周波数F2に設定する。   When the primary side receives the authentication frame, it performs ID authentication (step S24). Then, the drive frequency (DRCK frequency) is set to the foreign object detection frequency F2, which is a frequency different from the normal power transmission frequency F1. Specifically, the foreign object detection frequency F2 which is a frequency between the normal power transmission frequency F1 and the coil resonance frequency F0 is set.

そして1次側は、このように異物検出用周波数F2に駆動周波数が設定された状態で、1次異物検出を行う(ステップS26)。具体的には図8(A)〜図8(C)で説明した第1方式により、第1の波形検出回路31が波形検出を行うことで、1次異物検出を行う。   Then, the primary side performs primary foreign object detection in a state where the drive frequency is set to the foreign object detection frequency F2 in this way (step S26). Specifically, primary foreign matter detection is performed by the first waveform detection circuit 31 performing waveform detection using the first method described with reference to FIGS.

次に1次側は、駆動周波数を通常送電用周波数F1に設定して、通常送電を開始し(ステップS27)、これにより2次側が電力を受電する(ステップS33)。   Next, the primary side sets the drive frequency to the normal power transmission frequency F1 and starts normal power transmission (step S27), whereby the secondary side receives power (step S33).

このように通常送電が開始した後、2次側は2次異物検出を行う(ステップS28)。具体的には図13(A)〜図13(C)で説明した第2方式により、第2の波形検出回路34が波形検出を行うことで、2次異物検出を行う。この場合、2次異物検出は、通常送電が開始した後に定期的に行うことが望ましい。   After the normal power transmission starts in this way, the secondary side performs secondary foreign object detection (step S28). Specifically, secondary foreign matter detection is performed by the second waveform detection circuit 34 performing waveform detection using the second method described with reference to FIGS. 13 (A) to 13 (C). In this case, it is desirable to perform secondary foreign object detection periodically after normal power transmission starts.

そして2次側は、負荷の満充電が検知されると、通常送電終了の通知を行い(ステップS34)、これにより1次側が通常送電を終了する(ステップS29)。   When the secondary side detects the full charge of the load, it notifies the end of normal power transmission (step S34), and thereby the primary side ends normal power transmission (step S29).

図15では、通常送電開始前の例えば無負荷状態のときに、1次異物検出を行う。そしてこの1次異物検出は、図14(A)に示すように電源電圧変動等に対してバラツキが少ない第1方式で行う。従って、電源電圧変動等があった場合にも、安定した異物検出が可能になると共に、この1次異物検出において取得されたパルス幅のカウント数をリファレンス値として設定できるようになる。そして、この無負荷状態でのリファレンス値に基づいて、通常送電後の2次異物検出を行ったり、受電側から送信されたデータの「0」、「1」を検出できるようになり、効率的な負荷変動検出が可能になる。   In FIG. 15, primary foreign matter detection is performed, for example, in a no-load state before the start of normal power transmission. The primary foreign matter detection is performed by the first method with little variation with respect to power supply voltage fluctuation or the like as shown in FIG. Accordingly, even when there is a power supply voltage fluctuation or the like, stable foreign object detection is possible, and the pulse width count obtained in the primary foreign object detection can be set as a reference value. Based on the reference value in the no-load state, secondary foreign matter detection after normal power transmission can be performed, and “0” and “1” of data transmitted from the power receiving side can be detected. Load variation can be detected.

図16に本実施形態の第2の変形例の具体的な構成例を示す。図16において、第2の波形検出回路34の波形整形回路35は、第1の波形検出回路31の波形整形回路32と同様の構成になる。また第2の波形検出回路34のイネーブル信号生成回路140では、そのフリップフロップ回路FFC2の非反転のクロック端子に駆動クロックDRCKが入力され、反転のリセット端子に、波形整形信号WFQ2が入力される。その他の第2の波形検出回路34のカウンタ142、カウント値保持回路144、出力回路146の構成は、第1の波形検出回路31のカウンタ122、カウント値保持回路124、出力回路126の構成と同様である。   FIG. 16 shows a specific configuration example of the second modification of the present embodiment. In FIG. 16, the waveform shaping circuit 35 of the second waveform detection circuit 34 has the same configuration as the waveform shaping circuit 32 of the first waveform detection circuit 31. In the enable signal generation circuit 140 of the second waveform detection circuit 34, the drive clock DRCK is input to the non-inverted clock terminal of the flip-flop circuit FFC2, and the waveform shaping signal WFQ2 is input to the inverted reset terminal. The other configurations of the counter 142, count value holding circuit 144, and output circuit 146 of the second waveform detection circuit 34 are the same as those of the counter 122, count value holding circuit 124, and output circuit 126 of the first waveform detection circuit 31. It is.

また図16では、波形モニタ回路14が、第1の整流回路17の他に、第2の整流回路18を含む。この第2の整流回路18は、第2のモニタノードNA21を介して、第2の波形検出回路34に対して波形モニタ用の第2の誘起電圧信号PHIN2を出力する。具体的には整流回路18は、コイル端ノードNA2とモニタノードNA21との間に設けられた第1の抵抗RA2と、モニタノードNA21とGND(低電位電源)ノードとの間に設けられた第2の抵抗RA3を含む。またモニタノードNA21とGNDノードとの間に設けられた第3のダイオードDA3を含む。そして抵抗RA2、RA3により、コイル端信号CSGの電圧が分割されて、誘起電圧信号PHIN2として第2の波形検出回路34に入力されるようになる。またダイオードDA3により、コイル端信号CSGの半波整流が行われて、負の電圧が第2の波形検出回路34に印加されないようになる。   In FIG. 16, the waveform monitor circuit 14 includes a second rectifier circuit 18 in addition to the first rectifier circuit 17. The second rectifier circuit 18 outputs a second induced voltage signal PHIN2 for waveform monitoring to the second waveform detection circuit 34 via the second monitor node NA21. Specifically, the rectifier circuit 18 includes a first resistor RA2 provided between the coil end node NA2 and the monitor node NA21, and a first resistor RA2 provided between the monitor node NA21 and the GND (low potential power supply) node. 2 resistor RA3. Further, it includes a third diode DA3 provided between the monitor node NA21 and the GND node. Then, the voltage of the coil end signal CSG is divided by the resistors RA2 and RA3, and is input to the second waveform detection circuit 34 as the induced voltage signal PHIN2. Further, the diode DA3 performs half-wave rectification of the coil end signal CSG so that a negative voltage is not applied to the second waveform detection circuit 34.

図17に、図16の回路の動作を説明するための信号波形例を示す。図17のD2のタイミングで波形整形信号WFQ2がHレベルになると、フリップフロップ回路FFC2のリセットが解除される。そして駆動クロックDRCKの立ち上がりエッジタイミングTRでVDDの電圧がフリップフロップ回路FFC2に取り込まれ、これによりイネーブル信号ENQ2がLレベルからHレベルに変化する。この結果、カウンタ142がカウント処理を開始し、基準クロックCLKを用いてパルス幅期間TPW2を計測する。   FIG. 17 shows an example of a signal waveform for explaining the operation of the circuit of FIG. When the waveform shaping signal WFQ2 becomes H level at the timing D2 in FIG. 17, the reset of the flip-flop circuit FFC2 is released. Then, at the rising edge timing TR of the drive clock DRCK, the VDD voltage is taken into the flip-flop circuit FFC2, and the enable signal ENQ2 changes from L level to H level. As a result, the counter 142 starts the counting process, and measures the pulse width period TPW2 using the reference clock CLK.

次に、第2のタイミングTM2で波形整形信号WFQ2がLレベルになると、フリップフロップ回路FFC2がリセットされて、イネーブル信号ENQ2がHレベルからLレベルに変化する。これによりカウンタ142のカウント処理が終了する。そして、このカウント処理により得られたカウント値が、パルス幅期間TPW2を表す計測結果になる。   Next, when the waveform shaping signal WFQ2 becomes L level at the second timing TM2, the flip-flop circuit FFC2 is reset, and the enable signal ENQ2 changes from H level to L level. Thereby, the count process of the counter 142 is completed. And the count value obtained by this count process becomes a measurement result representing the pulse width period TPW2.

なお図17に示すように、パルス幅期間TPW2とXTPW2を足したものが、駆動クロックDRCKの半周期期間になる。そして図13(A)〜図13(C)のパルス幅期間XTPW2は、受電側の負荷が高くなるほど長くなる。従って、図17のパルス幅期間TPW2については、受電側の負荷が高くなるほど短くなる。図13(A)〜図13(C)のパルス幅期間XTPW2では、受電側の負荷が低い場合に、ノイズ信号とパルス信号の区別が難しくなるという問題があるが、図17のパルス幅期間TPW2では、このような問題を防止できる。   As shown in FIG. 17, the sum of the pulse width periods TPW2 and XTPW2 is a half-cycle period of the drive clock DRCK. The pulse width period XTPW2 in FIGS. 13A to 13C becomes longer as the load on the power receiving side becomes higher. Therefore, the pulse width period TPW2 of FIG. 17 becomes shorter as the power receiving side load increases. In the pulse width period XTPW2 in FIGS. 13A to 13C, there is a problem that it is difficult to distinguish between the noise signal and the pulse signal when the load on the power receiving side is low, but the pulse width period TPW2 in FIG. Then, such a problem can be prevented.

図17のD3に示すように、第1方式では低電位側のしきい値電圧VTLを用いてタイミングTM1を判定し、D4に示すように、第2方式では高電位側のしきい値電圧VTHを用いてタイミングTM2を判定している。   As shown in D3 of FIG. 17, in the first method, the timing TM1 is determined using the threshold voltage VTL on the low potential side, and as shown in D4, the threshold voltage VTH on the high potential side is used in the second method. Is used to determine the timing TM2.

そして図17のD3のように低電位側のしきい値電圧VTLを用いてタイミングTM1を判定する第1の方式において、図16のような第2方式用の整流回路18を用いると、抵抗RA2、RA3による電圧分割により、波形がつぶれてしまい、検出精度が劣化するおそれがある。   Then, in the first method for determining the timing TM1 using the threshold voltage VTL on the low potential side as indicated by D3 in FIG. 17, if the rectifier circuit 18 for the second method as shown in FIG. 16 is used, the resistor RA2 As a result of voltage division by RA3, the waveform may be crushed and the detection accuracy may be degraded.

この点、図16に示す第1方式用の整流回路17では、抵抗を用いた電圧分割を行うことなく、コイル端信号CSGをクランプ及び半波整流することで得られた信号PHIN1を、第1の波形モニタ回路31に入力できる。従って、抵抗を用いた電圧分割が行われない綺麗な波形の信号PHIN1に基づいて、パルス幅を検出できるようになるため、検出精度を向上できる。またダイオードDA1、DA2を設けることで、信号PHIN1が最大定格電圧を超えてしまったり、負の電圧が第1の波形検出回路31に入力されてしまう事態を防止できる。   In this regard, in the rectifier circuit 17 for the first method shown in FIG. 16, the signal PHIN1 obtained by clamping and half-wave rectifying the coil end signal CSG without performing voltage division using a resistor, Can be input to the waveform monitor circuit 31. Therefore, the pulse width can be detected based on a clean waveform signal PHIN1 that is not subjected to voltage division using a resistor, so that the detection accuracy can be improved. Further, by providing the diodes DA1 and DA2, it is possible to prevent a situation in which the signal PHIN1 exceeds the maximum rated voltage or a negative voltage is input to the first waveform detection circuit 31.

一方、第2方式用の整流回路18では、抵抗RA2、RA3により電圧分割された信号PHIN2が、波形整形回路35のN型トランジスタTC2に入力される。そしてこのように電圧分割を行うことで、信号PHIN2が最大定格電圧を超えてしまう事態を防止できると共に、図17のD4に示すようにしきい値電圧VTHを高電位側に設定できる。即ち信号PHIN1、PHIN2は、各々、同じしきい値電圧のN型トランジスタTC1、TC2のゲートに入力される。しかしながら、信号PHIN2は、抵抗RA2、RA3により電圧分割された信号であるため、コイル端信号CSGで見た場合には、D3に示すしきい値電圧VTLに比べて、D4に示すしきい値電圧VTHは高い電圧になる。そして、このようにしきい値電圧VTHが高い電圧に設定されると、負荷変動に対するパルス幅の変化が大きくなり、感度の良い負荷変動検出を実現できる。従って、通常送電開始後の2次異物検出や、2次側から送信されたデータの「1」、「0」の判定を適正に実現できるようになる。   On the other hand, in the rectifier circuit 18 for the second system, the signal PHIN2 that is voltage-divided by the resistors RA2 and RA3 is input to the N-type transistor TC2 of the waveform shaping circuit 35. By performing voltage division in this way, a situation where the signal PHIN2 exceeds the maximum rated voltage can be prevented, and the threshold voltage VTH can be set to the high potential side as indicated by D4 in FIG. That is, the signals PHIN1 and PHIN2 are input to the gates of the N-type transistors TC1 and TC2 having the same threshold voltage, respectively. However, since the signal PHIN2 is a signal that is voltage-divided by the resistors RA2 and RA3, when viewed from the coil end signal CSG, the threshold voltage indicated by D4 is larger than the threshold voltage VTL indicated by D3. VTH becomes a high voltage. When the threshold voltage VTH is set to a high voltage as described above, the change in the pulse width with respect to the load change becomes large, and the load change detection with high sensitivity can be realized. Therefore, secondary foreign object detection after the start of normal power transmission and determination of “1” and “0” of data transmitted from the secondary side can be properly realized.

6.第3の変形例
図18に本実施形態の第3の変形例を示す。この第3の変形例では、波形検出回路30が、振幅検出回路200、A/D変換回路208、ラッチ回路230を含む。そして、誘起電圧信号PHIN3の振幅情報(ピーク電圧、振幅電圧、交流電圧)を検出することで、受電側の負荷変動を検出する。そして、このような振幅検出による異物検出の際に、駆動周波数を異物検出用周波数F2に設定してもよい。また、図12の第1、第2の波形検出回路31、34に加えて、図18の振幅検出回路200、A/D変換回路208、ラッチ回路230を含む第3の波形検出回路を設ける構成としてもよい。
6). Third Modification Example FIG. 18 shows a third modification example of the present embodiment. In the third modification, the waveform detection circuit 30 includes an amplitude detection circuit 200, an A / D conversion circuit 208, and a latch circuit 230. Then, load fluctuation on the power receiving side is detected by detecting amplitude information (peak voltage, amplitude voltage, AC voltage) of the induced voltage signal PHIN3. And in the case of the foreign material detection by such amplitude detection, you may set a drive frequency to the foreign material detection frequency F2. In addition to the first and second waveform detection circuits 31 and 34 in FIG. 12, a third waveform detection circuit including the amplitude detection circuit 200, the A / D conversion circuit 208, and the latch circuit 230 in FIG. 18 is provided. It is good.

振幅検出回路200は、オペアンプOPA1、OPA2と、保持コンデンサCA1と、リセット用のN型のトランジスタTA1を含む。オペアンプOPA1は、その非反転入力端子に信号PHIN3が入力され、その反転入力端子にオペアンプOPA2の出力ノードNA5が接続される。保持コンデンサCA1、リセット用トランジスタTA1は、オペアンプOPA1の出力ノードであるピーク電圧の保持ノードNA4と、GNDとの間に設けられる。オペアンプOPA2は、その非反転入力端子に保持ノードNA4が接続され、その反転入力端子にOPA2の出力ノードNA5が接続され、ボルテージフォロワ接続のオペアンプを構成している。なおオペアンプOPA2の後段に、ボルテージフォロワ接続のオペアンプを更に設けてもよい。   The amplitude detection circuit 200 includes operational amplifiers OPA1 and OPA2, a holding capacitor CA1, and a reset N-type transistor TA1. In the operational amplifier OPA1, the signal PHIN3 is input to its non-inverting input terminal, and the output node NA5 of the operational amplifier OPA2 is connected to its inverting input terminal. The holding capacitor CA1 and the reset transistor TA1 are provided between the GND and the holding node NA4 of the peak voltage which is the output node of the operational amplifier OPA1. The operational amplifier OPA2 has a holding node NA4 connected to its non-inverting input terminal and an output node NA5 of OPA2 connected to its inverting input terminal, thereby constituting a voltage follower-connected operational amplifier. Note that a voltage follower-connected operational amplifier may be further provided after the operational amplifier OPA2.

図18のオペアンプOPA1、OPA2、保持コンデンサCA1、リセット用トランジスタTA1によりピークホールド回路(ピーク検出回路)が構成される。即ち波形モニタ回路14からの信号PHIN2のピーク電圧が保持ノードNA4にホールドされ、このホールドされたピーク電圧の信号が、ボルテージフォロワ接続のオペアンプOPA2によりインピーダンス変換されてノードNA5に出力される。なおリセット用トランジスタTA1はリセット期間においてがオンになり、保持ノードNA4の電荷をGND側に放電する。   The peak hold circuit (peak detection circuit) is configured by the operational amplifiers OPA1 and OPA2, the holding capacitor CA1, and the reset transistor TA1 in FIG. That is, the peak voltage of the signal PHIN2 from the waveform monitor circuit 14 is held in the holding node NA4, and the held peak voltage signal is impedance-converted by the voltage follower-connected operational amplifier OPA2 and output to the node NA5. Note that the reset transistor TA1 is turned on during the reset period, and discharges the charge of the holding node NA4 to the GND side.

A/D変換回路208は、サンプルホールド回路210、コンパレータCPA1、逐次比較レジスタ212、D/A変換回路214を含む。サンプルホールド回路210は信号PHQをサンプリングして、ホールドする。コンパレータCPA1は、D/A変換回路214からのD/A変換後のアナログ信号DAQとサンプルホールド回路210からのサンプルホールド信号SHQを比較する。逐次比較レジスタ212(逐次比較制御回路)は、コンパレータCPA1の出力信号CQ1のデータを格納する。D/A変換回路214は、逐次比較レジスタ212からの例えば8ビットのデジタルデータSAQをD/A変換して、アナログ信号DAQを出力する。   The A / D conversion circuit 208 includes a sample hold circuit 210, a comparator CPA1, a successive approximation register 212, and a D / A conversion circuit 214. The sample hold circuit 210 samples and holds the signal PHQ. The comparator CPA1 compares the analog signal DAQ after D / A conversion from the D / A conversion circuit 214 with the sample hold signal SHQ from the sample hold circuit 210. The successive approximation register 212 (successive comparison control circuit) stores the data of the output signal CQ1 of the comparator CPA1. The D / A conversion circuit 214 D / A converts, for example, 8-bit digital data SAQ from the successive approximation register 212 and outputs an analog signal DAQ.

この逐次比較型のA/D変換回路208では、コンパレータCPA1が、MSB(最上位ビット)だけを「1」とした場合のD/A変換後の信号DAQと、入力信号SHQ(PHQ)を比較する。そして信号SHQの電圧の方が大きければMSBを「1」のままにして、小さければMSBを「0」にする。そしてA/D変換回路208は、以降の下位ビットについても同様にして逐次に比較処理を行う。そして最終的に得られたデジタルデータADQをラッチ回路230に出力する。なおA/D変換回路208は図18の構成に限定されず、例えば異なった回路構成の逐次比較型A/D変換回路であってもよいし、追従比較型、並列比較型、二重積分型などのA/D変換回路であってもよい。   In the successive approximation type A / D conversion circuit 208, the comparator CPA1 compares the signal DAQ after D / A conversion when only the MSB (most significant bit) is set to “1” and the input signal SHQ (PHQ). To do. If the voltage of the signal SHQ is larger, the MSB is kept at “1”, and if smaller, the MSB is set to “0”. The A / D conversion circuit 208 sequentially performs comparison processing for subsequent lower bits in the same manner. The finally obtained digital data ADQ is output to the latch circuit 230. The A / D conversion circuit 208 is not limited to the configuration shown in FIG. 18, and may be, for example, a successive approximation A / D conversion circuit having a different circuit configuration, a tracking comparison type, a parallel comparison type, or a double integration type. An A / D conversion circuit such as

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語(低電位電源、高電位電源、電子機器等)と共に記載された用語(GND、VDD、携帯電話機・充電器等)は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また送電制御装置、送電装置、受電制御装置、受電装置の構成・動作や、異物検出手法、パルス幅検出手法も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。   Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, in the specification or the drawings, terms (GND, VDD, mobile phone / charger, etc.) described together with different terms (low-potential power supply, high-potential power supply, electronic device, etc.) in a broader sense or the same meaning at least once The different terms can be used anywhere in the specification or drawings. All combinations of the present embodiment and the modified examples are also included in the scope of the present invention. Further, the configuration and operation of the power transmission control device, the power transmission device, the power reception control device, the power reception device, the foreign object detection method, and the pulse width detection method are not limited to those described in this embodiment, and various modifications can be made. .

図1(A)、図1(B)は無接点電力伝送の説明図。1A and 1B are explanatory diagrams of contactless power transmission. 本実施形態の送電装置、送電制御装置、受電装置、受電制御装置の構成例。1 is a configuration example of a power transmission device, a power transmission control device, a power reception device, and a power reception control device of the present embodiment. 図3(A)、図3(B)は周波数変調、負荷変調によるデータ転送の説明図。3A and 3B are explanatory diagrams of data transfer by frequency modulation and load modulation. 送電側と受電側の動作の概要について説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the outline | summary of operation | movement of the power transmission side and the power receiving side. 本実施形態の送電制御装置の構成例。The structural example of the power transmission control apparatus of this embodiment. 図6(A)〜図6(C)は本実施形態の周波数設定手法の説明図。6A to 6C are explanatory diagrams of the frequency setting method of the present embodiment. 本実施形態の第1の変形例の構成例。The structural example of the 1st modification of this embodiment. 図8(A)〜図8(C)は第1方式のパルス幅検出を説明するための信号波形の測定結果。8A to 8C show signal waveform measurement results for explaining the pulse width detection of the first method. 図9(A)〜図9(C)は無負荷時、有負荷時の等価回路及び共振特性図。FIG. 9A to FIG. 9C are equivalent circuits and resonance characteristic diagrams when there is no load and when there is a load. 第1の変形例の具体的な構成例。The specific structural example of a 1st modification. 第1の変形例の動作を説明するための信号波形例。The signal waveform example for demonstrating the operation | movement of a 1st modification. 本実施形態の第2の変形例の構成例。The structural example of the 2nd modification of this embodiment. 図13(A)〜図13(C)は第2方式のパルス幅検出を説明するための信号波形の測定結果。FIG. 13A to FIG. 13C show signal waveform measurement results for explaining the second method of pulse width detection. 図14(A)、図14(B)は電源電圧変動によるパルス幅検出のバラツキを説明するための図。FIGS. 14A and 14B are diagrams for explaining variations in pulse width detection due to power supply voltage fluctuations. 1次異物検出、2次異物検出について説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating a primary foreign material detection and a secondary foreign material detection. 第2の変形例の具体的な構成例。The specific structural example of a 2nd modification. 第2の変形例の動作を説明するための信号波形例。The signal waveform example for demonstrating operation | movement of a 2nd modification. 本実施形態の第3の変形例の構成例。The structural example of the 3rd modification of this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

L1 1次コイル、L2 2次コイル、
10 送電装置、12 送電部、14 波形モニタ回路、16 表示部、
17、18 整流回路、20 送電制御装置、22 制御回路(送電側)、
24 発振回路、25 駆動クロック生成回路、26 ドライバ制御回路、
30 波形検出回路、
31 第1の波形検出回路、32 波形整形回路、33 パルス幅検出回路、
34 第2の波形検出回路、35 波形整形回路、36 パルス幅検出回路、
40 受電装置、42 受電部、43 整流回路、46 負荷変調部、
48 給電制御部、50 受電制御装置、52 制御回路(受電側)、
56 位置検出回路、58 発振回路、60 周波数検出回路、62 満充電検出回路、
90 負荷、92 充電制御装置、94 バッテリ、
120 イネーブル信号生成回路、122 カウンタ、124 カウント値保持回路、
126 出力回路、130 比較回路
140 イネーブル信号生成回路、142 カウンタ、144 カウント値保持回路、
146 出力回路、150 比較回路、200 振幅検出回路、
208 A/D変換回路、210 サンプルホールド回路、212 逐次比較レジスタ、214 D/A変換回路
L1 primary coil, L2 secondary coil,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Power transmission apparatus, 12 Power transmission part, 14 Waveform monitor circuit, 16 Display part,
17, 18 Rectifier circuit, 20 power transmission control device, 22 control circuit (power transmission side),
24 oscillation circuit, 25 drive clock generation circuit, 26 driver control circuit,
30 waveform detection circuit,
31 first waveform detection circuit, 32 waveform shaping circuit, 33 pulse width detection circuit,
34 second waveform detection circuit, 35 waveform shaping circuit, 36 pulse width detection circuit,
40 power receiving device, 42 power receiving unit, 43 rectifier circuit, 46 load modulation unit,
48 power supply control unit, 50 power reception control device, 52 control circuit (power reception side),
56 position detection circuit, 58 oscillation circuit, 60 frequency detection circuit, 62 full charge detection circuit,
90 load, 92 charge control device, 94 battery,
120 enable signal generation circuit, 122 counter, 124 count value holding circuit,
126 output circuit, 130 comparison circuit 140 enable signal generation circuit, 142 counter, 144 count value holding circuit,
146 output circuit, 150 comparison circuit, 200 amplitude detection circuit,
208 A / D conversion circuit, 210 Sample hold circuit, 212 Successive approximation register, 214 D / A conversion circuit

Claims (16)

1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて送電装置から受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の負荷に対して電力を供給する無接点電力伝送システムの前記送電装置に設けられる送電制御装置であって、
前記1次コイルの駆動周波数を規定する駆動クロックを生成して出力する駆動クロック生成回路と、
前記駆動クロックに基づいてドライバ制御信号を生成し、前記1次コイルを駆動する送電ドライバに対して出力するドライバ制御回路と、
前記1次コイルの誘起電圧信号の波形変化を検出する波形検出回路と、
前記波形検出回路での検出結果に基づいて、異物検出を行う制御回路とを含み、
前記駆動クロック生成回路は、
異物検出時には、通常送電用周波数とは異なる周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力することを特徴とする送電制御装置。
Provided in the power transmission device of the non-contact power transmission system that electromagnetically couples the primary coil and the secondary coil to transmit power from the power transmission device to the power reception device and supplies power to the load of the power reception device. A power transmission control device,
A drive clock generation circuit that generates and outputs a drive clock that defines the drive frequency of the primary coil;
A driver control circuit that generates a driver control signal based on the drive clock and outputs the driver control signal to a power transmission driver that drives the primary coil;
A waveform detection circuit for detecting a change in waveform of the induced voltage signal of the primary coil;
And a control circuit that performs foreign object detection based on the detection result in the waveform detection circuit,
The drive clock generation circuit includes:
A power transmission control device that outputs the drive clock set to a foreign object detection frequency that is different from a normal power transmission frequency when detecting a foreign object.
請求項1において、
前記駆動クロック生成回路は、
異物検出時には、前記通常送電用周波数とコイル共振周波数との間の周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力することを特徴とする送電制御装置。
In claim 1,
The drive clock generation circuit includes:
A power transmission control device that outputs the drive clock set to a foreign object detection frequency that is a frequency between the normal power transmission frequency and a coil resonance frequency when detecting a foreign object.
請求項1又は2において、
前記波形検出回路は、
誘起電圧信号のパルス幅情報を検出するパルス幅検出回路を含み、
前記制御回路は、
前記パルス幅情報に基づいて、異物検出を行うことを特徴とする送電制御装置。
In claim 1 or 2,
The waveform detection circuit includes:
Including a pulse width detection circuit for detecting pulse width information of the induced voltage signal;
The control circuit includes:
A power transmission control device that performs foreign object detection based on the pulse width information.
請求項1又は2において、
前記波形検出回路は、
前記1次コイルの第1の誘起電圧信号が低電位電源側から変化して第1のしきい値電圧を上回るタイミングを第1のタイミングとした場合に、前記駆動クロックの第1のエッジタイミングと前記第1のタイミングとの間の期間である第1のパルス幅期間を計測して、第1のパルス幅情報を検出する第1のパルス幅検出回路を含み、
前記制御回路は、
前記第1のパルス幅情報に基づいて、異物検出を行うことを特徴とする送電制御装置。
In claim 1 or 2,
The waveform detection circuit includes:
When the timing at which the first induced voltage signal of the primary coil changes from the low potential power supply side and exceeds the first threshold voltage is set as the first timing, A first pulse width detection circuit that measures a first pulse width period that is a period between the first timing and detects first pulse width information;
The control circuit includes:
A power transmission control device, wherein foreign matter detection is performed based on the first pulse width information.
請求項4において、
前記波形検出回路は、
前記第1の誘起電圧信号を波形整形して、第1の波形整形信号を出力する第1の波形整形回路を含み、
前記第1のパルス幅検出回路は、
前記第1の波形整形信号と前記駆動クロックに基づいて、前記第1のパルス幅期間を計測することを特徴とする送電制御装置。
In claim 4,
The waveform detection circuit includes:
Including a first waveform shaping circuit that shapes the first induced voltage signal and outputs a first waveform shaping signal;
The first pulse width detection circuit includes:
The power transmission control device characterized in that the first pulse width period is measured based on the first waveform shaping signal and the drive clock.
請求項5において、
前記第1のパルス幅検出回路は、
前記第1のパルス幅期間においてカウント値のインクリメント又はデクリメントを行い、得られたカウント値に基づいて前記第1のパルス幅期間の長さを計測する第1のカウンタを含むことを特徴とする送電制御装置。
In claim 5,
The first pulse width detection circuit includes:
And a first counter that increments or decrements a count value in the first pulse width period and measures a length of the first pulse width period based on the obtained count value. Control device.
請求項6において、
前記第1のパルス幅検出回路は、
前記第1の波形整形信号と前記駆動クロックを受け、前記第1のパルス幅期間においてアクティブになる第1のイネーブル信号を生成する第1のイネーブル信号生成回路を含み、
前記第1のカウンタは、
前記第1のイネーブル信号がアクティブである場合に、カウント値のインクリメント又はデクリメントを行うことを特徴とする送電制御装置。
In claim 6,
The first pulse width detection circuit includes:
A first enable signal generation circuit that receives the first waveform shaping signal and the drive clock and generates a first enable signal that becomes active in the first pulse width period;
The first counter is
A power transmission control device that increments or decrements a count value when the first enable signal is active.
請求項7において、
前記第1のイネーブル信号生成回路は、
そのクロック端子に前記駆動クロックが入力され、そのデータ端子に高電位電源電圧又は低電位電源電圧が入力され、そのリセット端子又はセット端子に前記第1の波形整形信号が入力される第1のフリップフロップ回路を含むことを特徴とする送電制御装置。
In claim 7,
The first enable signal generation circuit includes:
The first flip-flop in which the drive clock is input to the clock terminal, the high potential power supply voltage or the low potential power supply voltage is input to the data terminal, and the first waveform shaping signal is input to the reset terminal or the set terminal. A power transmission control device including a power circuit.
請求項4乃至8のいずれかにおいて、
前記制御回路は、
前記第1のパルス幅情報に基づいて、通常送電開始前の異物検出である1次異物検出を行うことを特徴とする送電制御装置。
In any of claims 4 to 8,
The control circuit includes:
A power transmission control device that performs primary foreign object detection, which is foreign object detection before starting normal power transmission, based on the first pulse width information.
請求項9において、
前記波形検出回路は、
前記1次コイルの第2の誘起電圧信号が高電位電源側から変化して第2のしきい値電圧を下回るタイミングを第2のタイミングとした場合に、前記駆動クロックの第2のエッジタイミングと前記第2のタイミングとの間の期間である第2のパルス幅期間を計測して、第2のパルス幅情報を検出する第2のパルス幅検出回路を含み、
前記制御回路は、
前記第2のパルス幅情報に基づいて、通常送電開始後の異物検出である2次異物検出を行うことを特徴とする送電制御装置。
In claim 9,
The waveform detection circuit includes:
When the timing at which the second induced voltage signal of the primary coil changes from the high potential power supply side and falls below the second threshold voltage is set as the second timing, A second pulse width detection circuit that measures a second pulse width period that is a period between the second timing and detects second pulse width information;
The control circuit includes:
A power transmission control device that performs secondary foreign object detection, which is foreign object detection after starting normal power transmission, based on the second pulse width information.
請求項10において、
前記波形検出回路は、
前記第2の誘起電圧信号を波形整形して、第2の波形整形信号を出力する第2の波形整形回路を含み、
前記第2のパルス幅検出回路は、
前記第2の波形整形信号と前記駆動クロックに基づいて、前記第2のパルス幅期間を計測することを特徴とする送電制御装置。
In claim 10,
The waveform detection circuit includes:
A second waveform shaping circuit for shaping the second induced voltage signal and outputting a second waveform shaping signal;
The second pulse width detection circuit includes:
The power transmission control device, wherein the second pulse width period is measured based on the second waveform shaping signal and the drive clock.
請求項11において、
前記第2のパルス幅検出回路は、
前記第2のパルス幅期間においてカウント値のインクリメント又はデクリメントを行い、得られたカウント値に基づいて前記第2のパルス幅期間の長さを計測する第2のカウンタを含むことを特徴とする送電制御装置。
In claim 11,
The second pulse width detection circuit includes:
And a second counter for incrementing or decrementing a count value in the second pulse width period and measuring a length of the second pulse width period based on the obtained count value. Control device.
請求項11又は12において、
前記波形検出回路は、
前記第1の誘起電圧信号を波形整形して、第1の波形整形信号を前記第1のパルス幅検出回路に出力する第1の波形整形回路を含み、
前記第2の波形整形回路は、
前記第1の誘起電圧信号とは異なる前記第2の誘起電圧信号を波形整形して、前記第2の波形整形信号を前記第2のパルス幅検出回路に出力することを特徴とする送電制御装置。
In claim 11 or 12,
The waveform detection circuit includes:
Including a first waveform shaping circuit for shaping the waveform of the first induced voltage signal and outputting the first waveform shaping signal to the first pulse width detection circuit;
The second waveform shaping circuit includes:
Waveform shaping of the second induced voltage signal different from the first induced voltage signal, and outputting the second waveform shaped signal to the second pulse width detection circuit .
請求項1乃至13のいずれかに記載の送電制御装置と、
交流電圧を生成して前記1次コイルに供給する送電部とを含むことを特徴とする送電装置。
A power transmission control device according to any one of claims 1 to 13,
And a power transmission unit that generates an AC voltage and supplies the AC voltage to the primary coil.
請求項14に記載の送電装置を含むことを特徴とする電子機器。   An electronic device comprising the power transmission device according to claim 14. 送電装置と受電装置を含み、1次コイルと2次コイルを電磁的に結合させて前記送電装置から前記受電装置に対して電力を伝送し、前記受電装置の負荷に対して電力を供給する無接点電力伝送システムであって、
前記受電装置は、
前記2次コイルの誘起電圧を直流電圧に変換する受電部を含み、
前記送電装置は、
前記1次コイルの駆動周波数を規定する駆動クロックを生成して出力する駆動クロック生成回路と、
前記駆動クロックに基づいてドライバ制御信号を生成し、前記1次コイルを駆動する送電ドライバに対して出力するドライバ制御回路と、
前記1次コイルの誘起電圧信号の波形変化を検出する波形検出回路と、
前記波形検出回路での検出結果に基づいて、異物検出を行う制御回路とを含み、
前記駆動クロック生成回路は、
異物検出時には、通常送電用周波数とは異なる周波数である異物検出用周波数に設定された前記駆動クロックを出力することを特徴とする無接点電力伝送システム。
A power transmission device and a power reception device are included, and a primary coil and a secondary coil are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmission device to the power reception device, and supply power to a load of the power reception device. A contact power transmission system,
The power receiving device is:
A power receiving unit that converts an induced voltage of the secondary coil into a DC voltage;
The power transmission device is:
A drive clock generation circuit that generates and outputs a drive clock that defines the drive frequency of the primary coil;
A driver control circuit that generates a driver control signal based on the drive clock and outputs the driver control signal to a power transmission driver that drives the primary coil;
A waveform detection circuit for detecting a change in waveform of the induced voltage signal of the primary coil;
And a control circuit that performs foreign object detection based on the detection result in the waveform detection circuit,
The drive clock generation circuit includes:
A contactless power transmission system that outputs the drive clock set to a foreign object detection frequency that is different from a normal power transmission frequency when detecting a foreign object.
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200571A (en) * 2009-02-27 2010-09-09 Toko Inc Noncontact power transmission circuit
WO2011121876A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 パナソニック株式会社 Power transmitting device, and waveform monitoring circuit used in same
JP2013027171A (en) * 2011-07-21 2013-02-04 Sony Corp Detection device, electricity receiver, electricity transmitter, contactless power transmission system, and detection method
JP2014007838A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Sony Corp Processing unit, processing method, and program
EP2937719A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-28 Panasonic Corporation Foreign-object detecting device, wireless electric-power transmitting device, and wireless electric-power transmission system
JP2015531213A (en) * 2012-08-17 2015-10-29 クアルコム,インコーポレイテッド Wireless power system using capacitive proximity sensing
EP2950418A1 (en) 2014-05-27 2015-12-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system
EP2950417A1 (en) 2014-05-27 2015-12-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wireless power transmission system and power transmission device
JP2017011954A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 ローム株式会社 Power transmission device and non-contact power supply system
JP2017022999A (en) * 2011-12-21 2017-01-26 ソニー株式会社 Detection device and power transmission device
JPWO2015097807A1 (en) * 2013-12-26 2017-03-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Resonant transmission power supply apparatus and resonant transmission power supply system
JPWO2015097810A1 (en) * 2013-12-26 2017-03-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Resonant power transmission system and resonant power transmitter
JP2017073951A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 キヤノン株式会社 Electronic apparatus and program
JP2017073975A (en) * 2013-08-08 2017-04-13 日立マクセル株式会社 Non-contact power transmission device
JPWO2016006441A1 (en) * 2014-07-09 2017-04-27 ソニー株式会社 Power receiving device, power feeding device, and electronic device
JP2017515424A (en) * 2014-05-15 2017-06-08 クアルコム,インコーポレイテッド System and method for measuring power and impedance in a wireless power charging system
US9997929B2 (en) 2015-05-15 2018-06-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Foreign object detecting device, wireless power transmitting apparatus, and wireless power transfer system
CN110474443A (en) * 2013-08-28 2019-11-19 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
CN110571949A (en) * 2018-11-13 2019-12-13 厦门新页微电子技术有限公司 Built-in crystal oscillator accurate frequency-fixing system applied to wireless charging
US10651658B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Foreign object detecting device, wireless power transmitting apparatus, and wireless power transfer system
WO2021220728A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 キヤノン株式会社 Power reception device, control method, and program
JP2022528288A (en) * 2019-05-28 2022-06-09 アイラ,インコーポレイテッド Adaptive passive ping

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011142559A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Sony Corp Power feeding device, power receiving device, and wireless feeding system
JP2011229265A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Panasonic Electric Works Co Ltd Non-contacting power transmitter
TWI642253B (en) * 2017-09-14 2018-11-21 富達通科技股份有限公司 Method and supplying-end module for detecting receiving-end module
EP2693235B1 (en) * 2011-03-31 2020-04-29 Sony Corporation Detector with a coil for detecting a conductor or another circuit with another coil
JP6067211B2 (en) 2011-05-27 2017-01-25 日産自動車株式会社 Non-contact power feeding device
JP5794056B2 (en) * 2011-09-12 2015-10-14 ソニー株式会社 Power supply device and power supply system
CN102904475B (en) * 2011-09-20 2015-01-21 富达通科技股份有限公司 Inductive power supply and detection method of metallic foreign body thereof
JP5966538B2 (en) * 2012-04-10 2016-08-10 ソニー株式会社 Power receiving device, power receiving device control method, and power feeding system
JP5872374B2 (en) * 2012-04-25 2016-03-01 三洋電機株式会社 Contactless power supply method
KR101950688B1 (en) 2012-07-09 2019-02-21 삼성전자주식회사 Wireless power transmitter and method for controlling thereof
KR102049118B1 (en) * 2013-02-20 2020-01-08 지이 하이브리드 테크놀로지스, 엘엘씨 Apparatus and method for detecting foreign object in wireless power transmitting system
JP2014187795A (en) * 2013-03-22 2014-10-02 Dexerials Corp Transmission apparatus, transmission and reception apparatus, reception apparatus detection method, reception apparatus detection program, and semiconductor device
JP6228499B2 (en) * 2014-03-28 2017-11-08 株式会社Soken Wireless power feeder for linear motion robot
CN105137489B (en) * 2014-06-09 2020-03-17 中兴通讯股份有限公司 Foreign matter detection method and device, and wireless charging control method and device
DE102014219964A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Robert Bosch Gmbh Foreign object recognition method for an induction charging device and induction charging device
KR102242819B1 (en) 2015-11-19 2021-04-22 애플 인크. Inductive power transmitter
CN106785832B (en) * 2016-11-25 2019-04-23 深圳市杰普特光电股份有限公司 Pulse optical fiber
CN112394244B (en) * 2019-08-19 2021-09-14 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 Detection circuit, electric appliance and control method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05300662A (en) * 1992-04-23 1993-11-12 Matsushita Electric Works Ltd Charger
JPH09103037A (en) * 1995-10-05 1997-04-15 Nippon Ido Tsushin Kk Power supply unit, unit to be supplied with power and power supply system
JPH10260209A (en) * 1997-03-18 1998-09-29 Mitsubishi Electric Corp Pulse signal classifying device
JPH11341711A (en) * 1998-05-21 1999-12-10 Sony Corp Noncontact power supply circuit
JP2000295796A (en) * 1999-04-02 2000-10-20 Tokin Corp Non-contact power supply
JP2005210800A (en) * 2004-01-21 2005-08-04 Riso Kagaku Corp Feeder apparatus
JP2006230129A (en) * 2005-02-18 2006-08-31 Nanao Corp Noncontact power supply

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247328B2 (en) * 1997-12-09 2002-01-15 浩 坂本 Non-contact power transmission device
EP1432097A1 (en) * 2003-10-06 2004-06-23 Siemens Aktiengesellschaft Charging apparatus and method for contactless charging of a mobile unit
WO2005096485A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Daifuku Co., Ltd. Noncontact power supply facility

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05300662A (en) * 1992-04-23 1993-11-12 Matsushita Electric Works Ltd Charger
JPH09103037A (en) * 1995-10-05 1997-04-15 Nippon Ido Tsushin Kk Power supply unit, unit to be supplied with power and power supply system
JPH10260209A (en) * 1997-03-18 1998-09-29 Mitsubishi Electric Corp Pulse signal classifying device
JPH11341711A (en) * 1998-05-21 1999-12-10 Sony Corp Noncontact power supply circuit
JP2000295796A (en) * 1999-04-02 2000-10-20 Tokin Corp Non-contact power supply
JP2005210800A (en) * 2004-01-21 2005-08-04 Riso Kagaku Corp Feeder apparatus
JP2006230129A (en) * 2005-02-18 2006-08-31 Nanao Corp Noncontact power supply

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200571A (en) * 2009-02-27 2010-09-09 Toko Inc Noncontact power transmission circuit
US9306400B2 (en) 2010-03-29 2016-04-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and waveform monitor circuit for use in power transmission device
WO2011121876A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 パナソニック株式会社 Power transmitting device, and waveform monitoring circuit used in same
JP2011211779A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Panasonic Corp Power transmitting device and waveform monitoring circuit used in same
JP2013027171A (en) * 2011-07-21 2013-02-04 Sony Corp Detection device, electricity receiver, electricity transmitter, contactless power transmission system, and detection method
JP2017022999A (en) * 2011-12-21 2017-01-26 ソニー株式会社 Detection device and power transmission device
JP2014007838A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Sony Corp Processing unit, processing method, and program
JP2018061431A (en) * 2012-08-17 2018-04-12 クアルコム,インコーポレイテッド Wireless power system with capacitive proximity sensing
JP2015531213A (en) * 2012-08-17 2015-10-29 クアルコム,インコーポレイテッド Wireless power system using capacitive proximity sensing
JP6285607B1 (en) * 2012-08-17 2018-02-28 クアルコム,インコーポレイテッド Wireless power system using capacitive proximity sensing
JP2017073975A (en) * 2013-08-08 2017-04-13 日立マクセル株式会社 Non-contact power transmission device
CN110474443A (en) * 2013-08-28 2019-11-19 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
CN110518714B (en) * 2013-08-28 2023-08-01 索尼公司 Power supply device, power receiving device, power supply system, and method of controlling power supply
CN110474444A (en) * 2013-08-28 2019-11-19 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
CN110474446B (en) * 2013-08-28 2024-01-09 索尼公司 Power supply device, power receiving device, power supply system, and method of controlling power supply
CN110474443B (en) * 2013-08-28 2023-08-01 索尼公司 Power supply device, power receiving device, power supply system, and method of controlling power supply
CN110474445B (en) * 2013-08-28 2024-01-09 索尼公司 Power supply device, power receiving device, power supply system, and method of controlling power supply
CN110474444B (en) * 2013-08-28 2023-08-01 索尼公司 Power supply device, power receiving device, power supply system, and method of controlling power supply
CN110474446A (en) * 2013-08-28 2019-11-19 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
CN110474445A (en) * 2013-08-28 2019-11-19 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
CN110518714A (en) * 2013-08-28 2019-11-29 索尼公司 Power supply unit, power receiving equipment, power supply system and the method for control power supply
JPWO2015097807A1 (en) * 2013-12-26 2017-03-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Resonant transmission power supply apparatus and resonant transmission power supply system
US10033227B2 (en) 2013-12-26 2018-07-24 Mitsubishi Electric Engineering Company, Limited Resonant type transmission power supply device and resonant type transmission power supply system
JPWO2015097810A1 (en) * 2013-12-26 2017-03-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Resonant power transmission system and resonant power transmitter
EP2937719A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-28 Panasonic Corporation Foreign-object detecting device, wireless electric-power transmitting device, and wireless electric-power transmission system
US9784878B2 (en) 2014-04-24 2017-10-10 Panasonic Corporation Foreign-object detecting device, wireless electric-power transmitting device, and wireless electric-power transmission system
US10274631B2 (en) 2014-04-24 2019-04-30 Panasonic Corporation Foreign-object detecting device, wireless electric-power transmitting device, and wireless electric-power transmission system
JP2017515424A (en) * 2014-05-15 2017-06-08 クアルコム,インコーポレイテッド System and method for measuring power and impedance in a wireless power charging system
US10978916B2 (en) 2014-05-27 2021-04-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system
US9843200B2 (en) 2014-05-27 2017-12-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system
US10432030B2 (en) 2014-05-27 2019-10-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system
EP2950417A1 (en) 2014-05-27 2015-12-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wireless power transmission system and power transmission device
EP2950418A1 (en) 2014-05-27 2015-12-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system
US9595834B2 (en) 2014-05-27 2017-03-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wireless power transmission system and power transmission device
US10523061B2 (en) 2014-07-09 2019-12-31 Sony Corporation Power receiving device, power feeding device, and electronic apparatus
JPWO2016006441A1 (en) * 2014-07-09 2017-04-27 ソニー株式会社 Power receiving device, power feeding device, and electronic device
US9997929B2 (en) 2015-05-15 2018-06-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Foreign object detecting device, wireless power transmitting apparatus, and wireless power transfer system
US10651658B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Foreign object detecting device, wireless power transmitting apparatus, and wireless power transfer system
JP2017011954A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 ローム株式会社 Power transmission device and non-contact power supply system
JP2017073951A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 キヤノン株式会社 Electronic apparatus and program
CN110571949A (en) * 2018-11-13 2019-12-13 厦门新页微电子技术有限公司 Built-in crystal oscillator accurate frequency-fixing system applied to wireless charging
JP2022141838A (en) * 2019-05-28 2022-09-29 アイラ,インコーポレイテッド Adaptive Passive PING
JP2022528288A (en) * 2019-05-28 2022-06-09 アイラ,インコーポレイテッド Adaptive passive ping
WO2021220728A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 キヤノン株式会社 Power reception device, control method, and program

Also Published As

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US7812481B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic instrument, and non-contact power transmission system
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JP4600464B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and non-contact power transmission system
US8204531B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic instrument, and non-contact power transmission system
US7847438B2 (en) Power transmission device, electronic instrument, and waveform monitoring circuit
JP4600462B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and non-contact power transmission system
JP4525747B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and non-contact power transmission system
US8060011B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic instrument, and non-contact power transmission system
US7804197B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic instrument, and non-contact power transmission system
JP4600470B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and non-contact power transmission system
JP4893755B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and load state detection circuit
JP4779991B2 (en) Power transmission control device, power transmission device, electronic device, and non-contact power transmission system
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