JP2008241415A - Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method - Google Patents
Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008241415A JP2008241415A JP2007081323A JP2007081323A JP2008241415A JP 2008241415 A JP2008241415 A JP 2008241415A JP 2007081323 A JP2007081323 A JP 2007081323A JP 2007081323 A JP2007081323 A JP 2007081323A JP 2008241415 A JP2008241415 A JP 2008241415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever
- thin film
- sample
- probe
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
Description
本発明は、走査型プローブ顕微鏡及び局所薄膜密着性評価方法に関する。 The present invention relates to a scanning probe microscope and a local thin film adhesion evaluation method.
走査型プローブ顕微鏡とは、試料の表面状態や物性を原子スケールの空間分解能で調べることのできる顕微鏡であり、材料の結晶構造を調べることや半導体回路の検査等の様々な用途に用いられている。このような走査型プローブ顕微鏡の具体例としては、原子間力顕微鏡や走査型トンネル顕微鏡等が挙げられ、これらの構成や動作については特許文献1に開示されている。 A scanning probe microscope is a microscope that can investigate the surface state and physical properties of a sample with atomic-scale spatial resolution, and is used in various applications such as examining the crystal structure of materials and inspecting semiconductor circuits. . Specific examples of such a scanning probe microscope include an atomic force microscope and a scanning tunneling microscope, and the configuration and operation thereof are disclosed in Patent Document 1.
特許文献1によれば、原子間力顕微鏡とは、カンチレバー(片持ち梁)の先端部に設けられた探針を試料に接近させ、探針と試料との間の距離に応じて作用する原子間力を、カンチレバーのたわみを調べることで検出することができる。また、カンチレバーのたわみを調べる方法としては、光てこの原理を用いて、カンチレバーに照射したレーザー光がカンチレバーの背面で反射された反射光を検出する方法や、圧電素子で製作したカンチレバーを用いて、カンチレバーに取り付けた端子間の電圧を計測する方法等があり、これらの方法を用いると非常に高い感度でたわみを検出することができる。 According to Patent Document 1, an atomic force microscope is an atom that acts according to the distance between a probe and a sample by bringing a probe provided at the tip of a cantilever (cantilever) close to the sample. Interatomic force can be detected by examining the deflection of the cantilever. In addition, as a method of examining the deflection of the cantilever, a method of detecting reflected light reflected by the back surface of the cantilever using a light lever principle or a cantilever made of a piezoelectric element is used. There are methods for measuring the voltage between the terminals attached to the cantilever, and the deflection can be detected with very high sensitivity by using these methods.
ところで、電子機器の小型化が進められており、その半導体回路等はさらに高集積なものになってきている。このような半導体回路の性能や信頼性を向上させるためには、半導体回路の重要な構成要素である薄膜の強度等の物性を詳細に調べることが重要である。薄膜の強度を調べるためには、薄膜の密着性を評価することが必須となっている。
ところが、従来の装置や方法によれば、局所的な薄膜の密着性を評価することができないという課題がある。従来の走査型プローブ顕微鏡は、密着性を評価することを目的としていないので、そのための機能や機構自体が備わっていない。また、従来の薄膜密着性評価装置、例えばセバスチャン(商品名、Quad Group社)は、微小部分を計測することができないので、例えば実際の製品における薄膜の薄膜密着性評価をすることができない。 However, according to conventional apparatuses and methods, there is a problem that local thin film adhesion cannot be evaluated. Since the conventional scanning probe microscope is not intended to evaluate the adhesion, it does not have a function or mechanism for that purpose. In addition, since a conventional thin film adhesion evaluation apparatus, for example, Sebastian (trade name, Quad Group) cannot measure a minute portion, it cannot evaluate a thin film adhesion of a thin film in an actual product, for example.
セバスチャン等による薄膜密着性評価方法は、基体上に密着した薄膜にスタッドピンを接着し、基体とスタッドピンを引っ張ることで基体と薄膜とを剥離させ、その引張強度(密着強度)を計測する方法である。しかし、スタッドピンの径が数mmであるため、薄膜の微小部分(例えば、径が数十μm)にスタッドピンを取り付けることができず、局所的な薄膜密着性を評価することができなかった。したがって、セバスチャン等によれば大きな試料を用いて材料としての薄膜の密着性を評価することはできても、その薄膜が製品を製造する工程で熱等の影響を受けることや基板拘束力等の影響を受けることにより、その密着性が変化してもこれを評価することができなかった。 The thin film adhesion evaluation method by Sebastian etc. is a method in which a stud pin is bonded to a thin film adhered on a substrate, the substrate and the thin film are peeled by pulling the substrate and the stud pin, and the tensile strength (adhesion strength) is measured It is. However, since the diameter of the stud pin is several millimeters, the stud pin cannot be attached to a minute part of the thin film (for example, the diameter is several tens of μm), and local thin film adhesion cannot be evaluated. . Therefore, according to Sebastian et al., Although the adhesion of a thin film as a material can be evaluated using a large sample, the thin film is affected by heat or the like in the process of manufacturing a product, Even if the adhesiveness changed due to the influence, this could not be evaluated.
また、単に小径のスタッドピンを用いるだけでは、前記の課題を解決することは困難である。つまり、局所的な薄膜の密着性を評価しようとすれば、薄膜の評価位置にスタッドピンを正確に接着する必要があるが、セバスチャン等の従来の薄膜密着性評価装置は、試料表面状態を計測する機能が備わっていないので、評価位置を特定することができず、所望の位置にスタッドピンを取り付けることができない。 Moreover, it is difficult to solve the above-described problems simply by using a small-diameter stud pin. In other words, if it is intended to evaluate local thin film adhesion, stud pins need to be accurately bonded to the thin film evaluation position. However, conventional thin film adhesion evaluation devices such as Sebastian measure sample surface conditions. Since the function to perform is not provided, the evaluation position cannot be specified, and the stud pin cannot be attached at a desired position.
また、従来の走査型プローブ顕微鏡等を用いて、あらかじめ試料の表面状態を詳細に調べて所望の評価位置を特定しておき、ここにスタッドピンを取り付けようとしても、薄膜密着性評価装置に試料を取り付けた際の座標は、走査型プローブ顕微鏡で試料を走査した際の座標とアライメントのずれを生じてしまい、所望の位置にスタッドピンを取り付けることができない。また、試料にアライメントマークを設けたとしても、薄膜密着性評価装置では、微小なアライメントマークを検出することができないので、精度よくアライメントを一致させることができない。このようにして、薄膜の所望の評価位置にスタッドピンを正確に接着することができないという課題があった。 In addition, using a conventional scanning probe microscope or the like, the surface state of the sample is examined in advance to identify the desired evaluation position, and the stud pin is attached to the thin film adhesion evaluation device. The coordinates at the time of attaching the stud cause a misalignment with the coordinates at the time of scanning the sample with the scanning probe microscope, and the stud pin cannot be attached at a desired position. Even if an alignment mark is provided on the sample, the thin film adhesion evaluation apparatus cannot detect a minute alignment mark, and therefore cannot accurately align the alignment. Thus, the subject that a stud pin cannot be correctly adhere | attached on the desired evaluation position of the thin film occurred.
本発明は、前記課題に鑑み成されたものであって、微小部分(局所)の薄膜密着性を評価することができる走査型プローブ顕微鏡及びこれを用いた局所薄膜密着性評価方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a scanning probe microscope capable of evaluating the thin film adhesion of a minute part (local) and a local thin film adhesion evaluation method using the same. With the goal.
本発明の走査型プローブ顕微鏡は、
基体上に薄膜が密着してなる試料を固定するステージと
探針を先端部に有してなるカンチレバーと、
前記ステージと前記カンチレバーとの相対位置を変化させる位置制御手段と、
前記カンチレバーの探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着させるための接着剤と、
前記接着剤によって探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着した前記カンチレバーを、前記試料に対して所定の方向に離間させた際の、カンチレバーに働く力を検出する力検出手段と、
前記カンチレバーを前記試料に対して所定の方向に離間させたことにより、前記基体から前記薄膜が剥離した際の、前記カンチレバーに働いた力を前記力検出手段で検出した結果に基づき、前記基体に対する薄膜の密着強度を算出する密着強度算出手段と、を備えていることを特徴とする。
The scanning probe microscope of the present invention is
A stage for fixing a sample in which a thin film adheres to a substrate, a cantilever having a probe at the tip,
Position control means for changing the relative position of the stage and the cantilever;
An adhesive for adhering the cantilever probe to a predetermined position of the thin film of the sample;
Force detecting means for detecting a force acting on the cantilever when the cantilever having the probe bonded to a predetermined position of the thin film of the sample with the adhesive is separated from the sample in a predetermined direction;
Based on the result of detecting the force acting on the cantilever when the thin film is peeled from the substrate by separating the cantilever in a predetermined direction with respect to the sample, the force detection unit detects the force on the substrate. An adhesion strength calculating means for calculating the adhesion strength of the thin film.
このようにすれば、走査型プローブ顕微鏡の微小な探針を備えているので、試料の表面状態を詳細に調べることができ、所望の評価位置の座標を特定することができる。また、この座標をそのまま用いて、薄膜の所定位置に、前記接着剤を用いて前記カンチレバーの探針を接着することができる。したがって、薄膜の所望の評価位置に微小な探針を接着することができる。
また、前記移動手段によって前記ステージと前記カンチレバーとの相対位置を変化させることができるので、ステージに固定された試料の基体とカンチレバーの探針に接着した薄膜とを所定の方向に離間させて、前記試料の基体と薄膜とを剥離させることができる。このとき、力検出手段を備えているので、カンチレバーに働く力、すなわち基体と薄膜とを剥離させる引張力を検出することができ、密着強度算出手段を備えているので、この検出結果に基づいて前記基体に対する薄膜の密着性を評価することができる。すなわち、所望の評価位置において、薄膜の微小部分となる局所的な密着強度を正確に計測し、評価することができる。
In this way, since the microprobe of the scanning probe microscope is provided, the surface state of the sample can be examined in detail, and the coordinates of the desired evaluation position can be specified. Further, the cantilever probe can be adhered to the predetermined position of the thin film using the adhesive by using the coordinates as they are. Therefore, a minute probe can be adhered to a desired evaluation position of the thin film.
Further, since the relative position between the stage and the cantilever can be changed by the moving means, the base of the sample fixed to the stage and the thin film adhered to the probe of the cantilever are separated in a predetermined direction, The substrate of the sample and the thin film can be peeled off. At this time, since the force detecting means is provided, the force acting on the cantilever, that is, the tensile force for peeling the substrate and the thin film can be detected, and the adhesion strength calculating means is provided. The adhesion of the thin film to the substrate can be evaluated. That is, it is possible to accurately measure and evaluate the local adhesion strength that becomes a minute portion of the thin film at a desired evaluation position.
また、前記接着剤を硬化させる硬化手段を備えていることが好ましい。
このようにすれば、前記薄膜の所定位置と前記カンチレバーの探針とを短時間に接着することができ、作業性を向上させることができる。
Moreover, it is preferable to provide a curing means for curing the adhesive.
In this way, the predetermined position of the thin film and the probe of the cantilever can be bonded in a short time, and workability can be improved.
また、前記力検出手段は、前記カンチレバーにレーザー光を照射する光源と、前記光源から照射され、前記カンチレバー表面で反射したレーザー光を検出する光センサーと、前記光センサーで検出したレーザー光を解析してカンチレバーに働く力を算出する計算手段と、を備えている構成とすることもできる。
このようにすれば、光てこの原理を用いて微小な力を検出することができ、薄膜の密着性を精度よく評価することができる。
Further, the force detection means analyzes the light source that irradiates the cantilever with laser light, the optical sensor that detects the laser light irradiated from the light source and reflected from the surface of the cantilever, and the laser light detected by the optical sensor. And a calculation means for calculating the force acting on the cantilever.
In this way, a minute force can be detected using the principle of an optical lever, and the adhesion of the thin film can be accurately evaluated.
本発明の局所密着性評価方法は、試料を固定するステージと、探針を先端部に有してなるカンチレバーと、を備えた走査型プローブ顕微鏡を用いて、基体上に薄膜が密着してなる試料の、前記薄膜の前記基体に対する密着性を評価するための局所密着性評価方法であって、
前記試料の基体をステージ上に固定する工程と、
前記試料の薄膜の所定位置に、前記カンチレバーの探針を接着剤を用いて固定する工程と、
前記接着剤によって探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着した前記カンチレバーを、前記試料に対して所定の方向に離間させて、前記カンチレバーに働く力を検出する工程と、
前記カンチレバーを前記試料に対して所定の方向に離間させたことにより、前記基体から前記薄膜が剥離した際の、前記カンチレバーに働いた力を検出した結果に基づき、前記基体に対する薄膜の密着強度を算出する工程と、を有することを特徴とする。
The method for evaluating local adhesion according to the present invention uses a scanning probe microscope equipped with a stage for fixing a sample and a cantilever having a tip at a tip, and a thin film is adhered on a substrate. A local adhesion evaluation method for evaluating the adhesion of a sample to the substrate of the thin film,
Fixing the sample substrate on a stage;
Fixing the cantilever probe to a predetermined position of the thin film of the sample using an adhesive;
A step of detecting the force acting on the cantilever by separating the cantilever in which the probe is bonded to a predetermined position of the thin film of the sample with the adhesive in a predetermined direction;
Based on the result of detecting the force acting on the cantilever when the thin film was peeled from the substrate by separating the cantilever in a predetermined direction, the adhesion strength of the thin film to the substrate was determined. And a calculating step.
このようにすれば、前記カンチレバーの探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着して、前記カンチレバーを前記試料に対して所定の方向に離間させているので、カンチレバーの探針に接着した薄膜と前記試料の基体とを剥離させることができ、このときカンチレバーに働く力、すなわち基体と薄膜とを剥離させる引張力を検出して薄膜の密着強度を算出しているので、薄膜の基体に対する密着性を評価することができる。ここで、走査型プローブ顕微鏡の探針は、その径が非常に小さいのでこの径に対応した微小部分を評価することができ、従来の方法ではできなかった局所的な密着性評価をすることができる。したがって、例えば実際の製品における薄膜の密着性を評価することができ、半導体回路やMEMS等の薄膜を多用した製品における薄膜の強度や品質を評価することができる。よって、製品の寿命や性能を向上させる上で重要な情報を得ることができる。 In this case, the cantilever probe is adhered to a predetermined position of the thin film of the sample, and the cantilever is spaced apart from the sample in a predetermined direction. Therefore, the thin film adhered to the cantilever probe The adhesion strength of the thin film is calculated by detecting the force acting on the cantilever at this time, that is, the tensile force for peeling the substrate and the thin film, and the adhesion of the thin film to the substrate. Sex can be evaluated. Here, since the probe of the scanning probe microscope has a very small diameter, a minute portion corresponding to this diameter can be evaluated, and local adhesion evaluation that cannot be performed by the conventional method can be performed. it can. Therefore, for example, the adhesion of a thin film in an actual product can be evaluated, and the strength and quality of a thin film in a product using a lot of thin films such as semiconductor circuits and MEMS can be evaluated. Therefore, it is possible to obtain important information for improving the life and performance of the product.
また、前記試料の基体をステージ上に固定する工程と、前記試料の薄膜の所定位置に、前記カンチレバーの探針を接着剤を用いて固定する工程と、の間に前記探針を用いて前記試料の表面を走査し、前記試料の表面状態を調べる工程を有することが好ましい。
このようにすれば、前記試料の表面状態を得ることができ、所望の評価位置を特定することができる。また、表面状態を調べる工程で得られた評価位置の座標を用いて、この位置に正確に前記探針を接着することができる。したがって、所望の評価位置における薄膜の密着性を評価することができる。
Further, the step of fixing the substrate of the sample on a stage and the step of fixing the cantilever probe to a predetermined position of the thin film of the sample using an adhesive, the probe using the probe. It is preferable to have a step of scanning the surface of the sample and examining the surface state of the sample.
In this way, the surface state of the sample can be obtained, and a desired evaluation position can be specified. Further, the probe can be adhered accurately to this position using the coordinates of the evaluation position obtained in the step of examining the surface state. Therefore, the adhesion of the thin film at a desired evaluation position can be evaluated.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiment.
図1は、本発明に係る走査型プローブ顕微鏡の一実施形態の構成を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、走査型プローブ顕微鏡1は、試料80を固定するステージ10と、ステージ10を移動させるスキャナ20と、ステージ10上に設けられ、図示しない保持部材によってその後端部が片持状に保持されたカンチレバー30と、前記カンチレバー30の先端部に設けられた探針40と、前記ステージ10上に配置された接着剤50と、コンピュータ70とを備えている。
前記コンピュータ70には、前記スキャナ20に移動命令信号を送る移動制御プログラムが組み込まれており、走査型プローブ顕微鏡1は、前記移動制御プログラムと前記スキャナ20とを有する位置制御手段を備えている。
また、前記カンチレバー30の上方には、カンチレバー30にレーザー光を照射する光源61と、カンチレバー30の表面で反射された反射光63を検出する光センサー62と、が設けられており、検出された反射光63を解析する解析プログラムが前記コンピュータ70に組み込まれている。このように、走査型プローブ顕微鏡1は、前記光源61と、前記光センサー62と、前記解析プログラムと、を有する力検出手段を備えており、詳しくは後述するが、この力検出手段を用いることにより、カンチレバー30に働く力を検出することができるようになっている。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration of an embodiment of a scanning probe microscope according to the present invention. As shown in FIG. 1, a scanning probe microscope 1 is provided on a
The
Above the
本実施形態では、前記ステージ10は、その上面が水平となるように前記スキャナ20上に設けられている。また、前記ステージ10上には、図示しない断熱容器に入った接着剤50が所定の位置に載置されている。接着剤50は、薄膜81と基体82との密着力よりも接着力が強いものとする必要があり、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等を選択して用いることができ、本実施形態ではエポキシ樹脂を用いている。また、前記ステージ10には、例えばヒータ等からなる加熱手段が備えられており、詳しくは後述するが試料80と前記探針40との間に配した接着剤50を、前記加熱手段によって加熱して硬化させ、接着時間を短縮できるようになっている。この加熱手段は、前記コンピュータ70に組み込まれた温度制御プログラムに接続されており、コンピュータ70を用いて加熱温度や加熱時間を制御することができるようになっている。
In the present embodiment, the
前記スキャナ20は、例えばX軸、Y軸、Z軸の各方向に対応した圧電素子を備えており、前記コンピュータ70の移動制御プログラムからの移動命令を受けると、各方向に対応した圧電素子に所定の電圧を印加し、精度よく移動させることができるようになっている。すなわち、圧電素子に電圧を印加してこれを伸縮させることにより、微少な移動量の制御が可能になっている。また、各時間におけるステージ10の座標は、前記コンピュータ70の移動制御プログラムから評価プログラムに送られて保存され、評価に用いられる。また、前記ステージ10と前記スキャナ20との間には、断熱手段15が設けられており、前記加熱手段によってスキャナ20が加熱されて不具合を生じることがないようになっている。
The
図2は、試料80を固定したステージ10上を拡大して示す模式図である。図2に示すように、試料80は、例えば基体82とこの上に密着した薄膜81とからなるもので、前記基体82と前記ステージ10とは、例えばマグネットやネジ等の固定手段によって着脱可能に固定されている。なお、図2では、見やすくするために薄膜81の厚さを実際のものより拡大して示している。また、前記試料の具体例としては、例えばシリコン等の半導体基板(基体)82やガラス等の絶縁体基板82上に、導電性や絶縁性、半導体性の材料からなる薄膜81や、光学材料等の各種機能材料からなる薄膜81を形成したものである。ステージ10上には、細板状のカンチレバー30が、例えばその上面が水平となるように設けられている。カンチレバー30は、先述したようにその後端部がステージ10と独立して固定された片持ち梁となっている。カンチレバー30は、例えばシリコンや窒化シリコンからなるもので、その大きさとしては、例えば長さが数百μm程度である。
FIG. 2 is an enlarged schematic view showing the
また、前記カンチレバー30の底面側の先端部には探針40が設けられており、前記スキャナ20によってステージ10をX方向、Y方向に移動させることによって、探針40の先端(下端)をステージ10上の所望の位置と対応させることができるようになっている。したがって、探針40を試料80の所定位置(所望位置)と対応させることや、探針40の先端位置を前記接着剤50の載置位置と対応させて、探針40の先端に接着剤50を付着させること等ができるようになっている。前記探針40は、前記カンチレバー30の細板部分に一体に形成されたもので、その大きさとしては、例えば高さが数μm〜十数μm程度、その先端の局率半径が数nm〜十数nm程度である。このような探針40を備えたカンチレバー30は、公知の半導体製造プロセスを用いて製造することができるが、安価に市販されているので、所望の大きさと材質のものを選択して市販品を用いることもできる。
Further, a
このようなカンチレバー30の探針40に力が作用すると、カンチレバー30には上方あるいは下方に変位(たわみ)を生じるようになっている。例えば、前記スキャナ20によってステージ10を上方に移動させて、試料80を探針40に接近させると、探針40と試料80とにはその間の距離に対応した原子間力(斥力)F1が作用し、カンチレバー30は、その先端部に鉛直方向上向きの力を受けて、上方にたわみが生じるようになっている。また、例えば探針40と試料80の薄膜81とが接着剤50で接着された状態で、ステージ10を下方に移動させると、カンチレバー30は、その先端部に鉛直方向下向きの力を受けて、下方にたわみが生じるようになっている。
When a force acts on the
図3(a)、(b)は、前記力検出手段を説明する図である。前述したように、力検出手段は、カンチレバー30上面に所定位置からレーザー光を照射する光源61と、レーザー光を検出する光センサー62と、検出されたデータを解析してカンチレバー30に働く力を算出する解析プログラムと、を有している。本実施形態では、光源61の位置と光センサー62の位置とが調整可能になっており、これらの位置は、図3(a)に示すように、たわみが生じていないカンチレバー30の上面で反射した反射光63が、前記光センサー62の受光面に入射するように光源61と光センサー62の位置が調整されている。このように調整された後に、光源61及び光センサー62は、前記カンチレバー30の後端部(固定端)との相対位置が変化しないように固定されている。
FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining the force detection means. As described above, the force detection means analyzes the detected data and the force acting on the
また、光センサー62は、前記コンピュータ70(図1参照)の解析プログラムに接続されており、検出した反射光63の受光面での座標データを前記解析プログラムに送るようになっている。解析プログラムは、検出された反射光63の座標データを解析して前記カンチレバー30のたわみ量を求め、カンチレバー30に働く力とたわみ量との関係(バネ定数)等を用いて、カンチレバー30に働く力を検出することができるようになっている。
The
例えば、カンチレバー30の先端部に鉛直方向下向きの力を作用させて下方にたわませると、図3(b)に示すように、レーザー光はたわみを生じたカンチレバー30aの曲面で、その入射位置における曲面の接線方向とレーザー光の入射方向に応じた方向へ反射されるようになる。そのため、カンチレバー30aの鉛直下方へのたわみ量が増加すると、反射光63aが光センサー62で検出される位置は下方へ移動する。また、カンチレバー30aのたわみ量がある値以上になると、反射光63aが、光センサー62に入射しなくなるので、光センサー62では検出できなくなる。このように、反射光63aは、カンチレバー30aのたわみ量と対応して進行方向が変化するようになっている。
For example, when a vertical downward force is applied to the tip of the
ここで、カンチレバー30に所定のたわみ量を生じさせた際の、反射光63の光センサー62受光面での検出位置は、あらかじめ調べられておりこの検出位置とたわみ量との関係を用いて、解析プログラムは、反射光63の検出位置からカンチレバー30のたわみ量を計算できるようになっている。
また、カンチレバー30のたわみ量と力F1との関係(バネ定数)は、あらかじめカンチレバー30に所定の荷重をかけた際のたわみ量が調べられておりこれを用いて、解析プログラムは、カンチレバー30のたわみ量からカンチレバー30に働く力を計算することができるようになっている。
Here, the detection position of the reflected light 63 on the light receiving surface of the
The relationship between the amount of deflection of the
前記コンピュータ70(図1参照)には、本実施形態では、前記スキャナ20を制御する移動制御プログラムと、前記光センサー62で検出する反射光63の入射信号を受け取り、これを解析する解析プログラムと、前記ステージ10の加熱手段を制御する温度管理プログラムと、前記解析プログラムの解析結果に基づき、基体82に対する薄膜81の密着強度を算出する評価プログラム(密着強度算出手段)と、が組み込まれている。これらプログラムは相互にデータのやり取りができるようになっており、また連携して機能させることができるようになっている。
In the present embodiment, the computer 70 (see FIG. 1) receives a movement control program for controlling the
前記移動制御プログラムは、前記スキャナ20に移動命令信号を送ってスキャナ20を駆動してステージ10を所定の位置に移動させるとともに、このときのステージ10の位置(座標)を時間ごとに前記評価プログラムに送るようになっている。また、前記解析プログラムは、先述したように光センサー62で検出された反射光63の検出位置データに基づいてカンチレバー30に働く力を解析するとともに、これら反射光63の検出位置データや、カンチレバー30に働く力、たわみ量等のデータ、また反射光63が検出されない場合にその情報を、時間ごとに評価プログラムに送るようになっている。
The movement control program sends a movement command signal to the
また、前記評価プログラムは、薄膜81と基体82とを剥離させる引張力、すなわち薄膜81の密着力を求めて密着強度を評価することができるようになっている。詳しくは、カンチレバー30先端部の探針40と薄膜81とが接着された状態で、ステージ10を漸次下方に移動させると、カンチレバー30は下方に引っ張られてためにたわみを生じ、この弾性復帰力が探針40に接着された薄膜81を上方に引っ張る引張力となる。また、ステージ10に固定された基体82はステージ10とともに下方へ移動するが、基体82と薄膜81とは密着しているので、薄膜81と基体82とには、これらを離間させる方向に前記引張力が作用する。この引張力は、ステージ10が下方に移動するほど増加し、薄膜81と基体82との密着力よりも大きくなると、薄膜81と基体82とを剥離させる。そして、薄膜81と基体82とが剥離すると、薄膜81の剥離部分が上方に移動することにより、カンチレバー30のたわみが減少する。
The evaluation program can evaluate the adhesion strength by obtaining the tensile force for separating the
先述したように、カンチレバー30のたわみ量等のデータは、解析プログラムから評価プログラムへ逐次送られて保存されているので、評価プログラムは、たわみ量が増加から減少に転じた時間(剥離時刻)を求めることができるようになっている。
また、薄膜81の密着性が強くカンチレバー30aのたわみ量が多い場合には、光センサー62に反射光63aが入射しなくなり、光センサー62でたわみ量を検出できなくなるが、前記基体82と前記薄膜81とが剥離すると極めて短時間のうちにカンチレバー30のたわみが減少して、再び反射光63が光センサー62で検出されるようになる。この情報も解析プログラムから評価プログラムへ逐次送られて保存されているので、評価プログラムは、反射光63が再検出されるようになった時刻を剥離時間として求めることができるようになっている。
As described above, since the data such as the deflection amount of the
Further, when the adhesion of the
評価プログラムは、剥離時間が求まると前記移動制御プログラムから受け取ったステージ10の鉛直方向の位置データを参照して、前記剥離時刻におけるステージ10の鉛直方向の位置を求めることができるようになっている。そして、剥離が生じた際のステージ10の鉛直方向の位置と、ステージ10を移動させる前の鉛直方向の位置と、の差を求めることでカンチレバー30の最大たわみ量を求めることができ、この最大たわみ量を前記解析プログラムに解析させることによって、最大引張力を求めることができるようになっている。また、最大引張力やこの力が作用した面積等を用いて、引張強度を求めてこれに基づいて局所での密着強度を評価することができるようになっている。
When the peeling time is obtained, the evaluation program can obtain the vertical position of the
また、先述のように、コンピュータ70に組み込まれたプログラムは、連携させて機能させることができるようになっており、これによって本実施形態の走査型プローブ顕微鏡1は、一般の走査型プローブ顕微鏡と同様に、試料80の表面状態を調べることができるようになっている。具体的には、移動制御プログラムは、カンチレバー30に働く力を参照して、この力に応じてスキャナ20へ移動命令信号を送ることでステージ10を移動させ、前記探針40と前記試料との間の距離を調整して、カンチレバー30に働く力が所定の大きさとなるようにステージ10の位置を制御することができようになっている。ここで、カンチレバー30に働く力(原子間力)を一定に保ちながら、試料80を探針40で走査するようにすれば、前記原子間力は試料80と探針40との間の距離に対応しているので、試料80と探針40との間の鉛直方向の距離は一定となっている。探針40の先端(下端)位置は固定されているので、試料80の位置ごとの高さを求めることができ、試料80の表面状態、すなわち表面の凹凸等を調べることができるようになっている。
Further, as described above, the program incorporated in the
以上のように本実施形態の走査型プローブ顕微鏡1は、試料80の表面状態を調べることができるようになっているので、所望の評価位置を特定することができる。また、この評価位置の座標データを用いて、薄膜81の所定位置に微小な探針40を接着することができるので、薄膜の所望の位置に正確に探針40を接着することができる。また、スキャナ20によってステージ10を移動させて、探針40に接着した薄膜81と基体82とを剥離させることができ、このとき双方を剥離させる引張力(密着力)を求めることができるようになっている。したがって、薄膜81の所望の微小部分(局所)において、薄膜81の基体82に対する局所薄膜密着性評価を行うことができるようになっている。
As described above, since the scanning probe microscope 1 according to the present embodiment can check the surface state of the
次に、本発明の局所密着性評価方法の一実施形態を、先述の走査型プローブ顕微鏡1を用いて、基体82上に密着した薄膜81の密着性を評価する場合に適用した例を用いて説明する。例えば、基体82は半導体回路基板のようなものであり、薄膜81はこの基体82の上面に成膜されたものである。
Next, one embodiment of the local adhesion evaluation method of the present invention is used in the case where the above-described scanning probe microscope 1 is used to evaluate the adhesion of the
図4(a)〜(c)と図5(a)〜(d)は、局所密着性評価方法の一実施形態を説明する図である。
まず、基体82上に薄膜81が密着した試料80を用意し、基体82をステージ10に、例えばマグネットやネジ等の固定手段によって着脱可能に、また水平となるように固定する。なお、コンピュータ70に、スキャナ20を制御する移動制御プログラムと、光センサー62で検出する反射光63の入射位置データを受け取り、これを解析する解析プログラムと、ステージ10の加熱手段を制御する温度管理プログラムと、前記解析プログラムの解析結果に基づき、基体82に対する薄膜81の密着強度を算出する評価プログラム(密着強度算出手段)と、を予め組み込んでおく。
4 (a) to 4 (c) and FIGS. 5 (a) to 5 (d) are diagrams illustrating an embodiment of the local adhesion evaluation method.
First, a
次に、本実施形態では、図4(a)に示すように、試料80の表面状態の計測を行う。本実施形態では、カンチレバー30をその上面が水平になるように取り付けている。先述のように、光源61からカンチレバー30に照射され、カンチレバー30の表面で反射された反射光63を、光センサー62で検出してこれを解析プログラムで解析することによって、カンチレバー30のたわみ量を求めることができる。また、このたわみ量を一定に保つように、前記移動制御プログラムでステージ10の鉛直位置を調整しながらステージ10を水平方向に移動させることにより、探針40と試料80との間の距離を一定に保ちつつ、探針40で試料80の表面を走査することができる。このとき、ステージ10の位置データは前記移動制御プログラムによって保存されており、この位置データをから試料80の表面状態を原子スケールで求めることができる。このようにして、例えば評価対象の薄膜81が数十μm程度の大きさ(径)であっても、基体82上の薄膜81が形成された位置(座標)を正確に知ることができ、また薄膜81上の所望の評価位置(座標)を厳密に設定することができる。
Next, in this embodiment, as shown in FIG. 4A, the surface state of the
次に、図4(b)に示すように、ステージ10を移動させて、カンチレバー30の探針40の先端位置とステージ10上に載置されたエポキシ樹脂(接着剤)50とを対応させ、探針40の先端に所定量のエポキシ樹脂50を付着させる。ここで、本実施形態では、探針40とエポキシ樹脂50との水平方向の位置を対応させておき、次に、前記力検出手段でカンチレバー30に働く力を検出しながら、ステージ10を鉛直上方に漸次移動させてエポキシ樹脂50を探針40に接近させる。このようにすれば、カンチレバー30に働く力の変化を検出することで、エポキシ樹脂50表面の鉛直方向の位置を検出することができ、この位置から所望の深さまで探針40を沈めることによって、所定量のエポキシ樹脂50を探針40に付着させることができる。
Next, as shown in FIG. 4B, the
次に、図4(c)に示すように、ステージ10を移動させて、エポキシ樹脂50を付着させた探針40と薄膜81の評価位置との水平位置を対応させる。このとき、評価位置の座標は、試料80はその表面状態を調べた時からステージ10上に固定されたままであるので、試料80の表面状態を求めた際の座標データをそのまま使うことができる。したがって、薄膜81の所望の評価位置に極めて正確に探針40を対応させることができる。そして、図5(a)に示すように、ステージ10を鉛直方向に移動させて、薄膜81を探針40に接近させ、薄膜81と探針40の先端とが所定の距離となるようにして、ステージ10の鉛直方向(Z方向)の初期位置Z0をコンピュータ70に保存しておく。このようにすることで、探針40の先端に付着したエポキシ樹脂50と薄膜81との接触面積を制御することができる。なお、コンピュータ70に保存した初期位置Z0は、後述する密着力を評価するための解析に用いる。
Next, as shown in FIG. 4C, the
次に、図5(b)に示すように、ステージ10の加熱手段によってエポキシ樹脂50を加熱して硬化させ、探針40と薄膜81とを接着する。ステージ10とスキャナ20(図1参照)との間には、例えば真空断熱手段等の断熱手段15(図1参照)が設けられているので、加熱手段によってスキャナ20が加熱されて不具合等が生じることが防止されている。このように、加熱手段を用いることによって、エポキシ樹脂50を十分に硬化させることができ、探針40と薄膜81とを十分な強度で接着することができる。また、短時間に接着することができるので作業性を向上することができる。
Next, as shown in FIG. 5B, the
次に、図5(c)に示すように、ステージ10を例えば下方に漸次移動させて、試料80の引張試験を行う。ステージ10を下方に移動させる前のカンチレバー30にはたわみが生じていないが、ステージ10を下方に移動させるにしたがって、短針40が設けられた先端部が下方に引っ張られて下方にたわみを生じる。このとき、薄膜81と基体82とには、これらを離間させる方向に、たわみを生じたカンチレバー30aの弾性復帰力と同じ大きさの引張力F2が働いており、ステージ10を下方に移動させるほど引張力F2は大きくなる。
Next, as shown in FIG. 5C, the
また、薄膜81と基体82とに引張力F2を作用させるとともに、以下のようにして引張力F2を計測する。まず、所定位置の光源61からカンチレバー30aにレーザー光を照射して、その反射光63aを光センサー62で検出する。検出された反射光63aの受光面で位置データをコンピュータ70の解析プログラムで解析するとともに、このデータを時間ごとにコンピュータ70の評価プログラムに送り保存して、後に密着性評価に用いる。本実施形態では、薄膜81と基体82との密着力が強い場合の例であり、薄膜81と基体82とを離間させるために大きな引張力F2を作用させる必要がある。そのため、カンチレバー30aのたわみ量が大きくなり、この曲面で反射された反射光63aは光センサー62に入射しなくなっている。このような場合には、光センサー62で反射光63aが検出されていないという情報を評価プログラムに送って記録しておく。
Further, a tensile force F 2 is applied to the
ステージ10を下方に漸次移動させるにつれて引張力F2は大きくなり、この引張力F2が薄膜81と基体82との引張強度に達すると、薄膜81と基体82とが剥離する。薄膜81と基体82との剥離は、探針40と薄膜81とが接着された評価位置と対応する位置に生じ、例えば図5(d)に示すように薄膜81の局所に生じる。この他にも、薄膜81の材料によっては、薄膜81が局所的にちぎれて基体82から剥離する場合や、また薄膜81の大きさによっては、薄膜81の全体が基体82から剥離する場合等がある。
As the
ここで、先述のいずれの剥離状態であっても、薄膜81の剥離部分は前記引張力F2(弾性復帰力)により上方に移動し、ここに接着された探針40も上方に移動する。このようにして、カンチレバー30aはたわみ量が減少し、例えばたわみを生じてない状態(カンチレバー30)となる。またたわみ量が減少したことにより、反射光63aは、その進行方向が変化して再び光センサー62で検出される状態(反射光63)となる。
Here, in any of the above-described peeling states, the peeling portion of the
以上のようにして得られたデータを用いて、以下のようにして局所薄膜密着性を評価する。まず、前記コンピュータ70の評価プログラムは、反射光63aの検出位置の時間履歴を調べて、光センサー62で反射光63aが再検出された時刻、あるいはカンチレバー30aのたわみ量が増加から減少に転じた時刻、すなわち薄膜81と基体82とが剥離した時刻(剥離時刻)を求める。次に、評価プログラムは、ステージ10の時間ごとの位置データを参照して前記剥離時刻におけるステージ10の鉛直方向の位置Z1(図5(d)参照)を求める。また、ステージ10の鉛直方向の初期位置Z0を求め、初期位置Z0と位置Z1との差を求めることにより、剥離時刻におけるカンチレバー30aのたわみ量である最大たわみ量を求める。前記解析プログラムは、カンチレバー30のバネ定数等を用いることにより最大たわみ量に対応した最大引張力を計算し、これを評価プログラムに送る。評価プログラムは、最大引張力(密着力)を、例えば薄膜81と基体82とに引張力が作用した面積等を用いて、単位面積当たりの密着力、すなわち密着強度を求める。引張力が作用した面積としては、例えば薄膜81が基体82から剥離した部分の面積や、薄膜81が極めて薄い場合には薄膜81上面でのエポキシ樹脂(接着剤)50の接触面積等を用いることができる。このようにして、薄膜の局所的な密着性を評価することができる。
Using the data obtained as described above, local thin film adhesion is evaluated as follows. First, the evaluation program of the
以上のような本実施形態の局所密着性評価方法によれば、試料80の表面状態を原子スケールで調べているので、薄膜の密着性を評価する位置を正確に特定することができる。また、試料80をステージ10上に固定したまま、試料80の表面状態を調べて、エポキシ樹脂(接着剤)50を付着させた探針40を薄膜81の所定の位置に接着するようにしているので、所望の評価位置に探針40を接着することができる。また、走査型プローブ顕微鏡1の微小な探針40を用いているので、薄膜81の微小部分(評価位置)に探針40を接着することができる。このように、薄膜81の所望の微小部分に正確に探針40を接着し、カンチレバー30とステージ10とを離間させることによって、前記微小部分に引張力を作用させて引張試験を行い、薄膜81の基体82の密着力(最大引張力)を求めているので、薄膜81の微小部分(局所)の密着力を正確に求めることができる。また、この局所密着力を密着強度算出手段によって解析して、局所密着強度を求めて密着性評価をしているので、的確な密着性評価ができるようになっている。
According to the local adhesion evaluation method of the present embodiment as described above, since the surface state of the
よって、従来は評価することができなかった薄膜の局所密着性を、的確に評価することができる。したがって、例えば半導体回路等に形成された微小な薄膜の密着性を、実際の製品の状態で評価することができ、製品を製造する工程での熱処理や他の材料との化学反応、あるいは基板拘束力等の影響を含んで薄膜の密着性を評価することができる。また、例えば実際の製品においては凹凸面上に薄膜を形成する場合もあり、このような場合には薄膜材料を凹凸面の段差の隅に行き渡らせることが困難であるため、一般に密着性が低下すると考えられるが、本発明の局所密着性評価方法によれば極めて微小部分の密着性を評価することができるので、前記凹凸面の微小な平坦部において密着性を評価することができ、凹凸面上に薄膜を形成したことによる密着性の低下等を評価することもできる。また、ある程度大きな径の薄膜において、局所ごとの密着性を評価することによって、例えば薄膜の周縁部や中心部における密着性の違いを評価することや、空気等の不純物の混入等による局所密着性ばらつきを評価すること等もできる。
このようにして、実際の製品等において密着性を評価できるので、製品の製造プロセスの改善、あるいは製品の寿命や性能の向上等において、極めて重要な情報を得ることができる。
Therefore, the local adhesiveness of the thin film which could not be evaluated conventionally can be accurately evaluated. Therefore, for example, the adhesion of a minute thin film formed on a semiconductor circuit or the like can be evaluated in the state of an actual product, heat treatment in the process of manufacturing the product, chemical reaction with other materials, or substrate restraint. The adhesion of the thin film can be evaluated including the influence of force and the like. In addition, for example, in actual products, a thin film may be formed on the uneven surface, and in such a case, it is difficult to spread the thin film material to the stepped corners of the uneven surface, so that the adhesion generally decreases. However, according to the local adhesion evaluation method of the present invention, it is possible to evaluate the adhesion of a very small portion, it is possible to evaluate the adhesion in a minute flat portion of the uneven surface, the uneven surface It is also possible to evaluate a decrease in adhesion due to the formation of a thin film thereon. In addition, by evaluating local adhesion in a thin film with a certain large diameter, for example, it is possible to evaluate differences in adhesion at the periphery and center of the thin film, and local adhesion due to contamination of impurities such as air. Variations can be evaluated.
In this way, since adhesion can be evaluated in an actual product or the like, extremely important information can be obtained in improving the manufacturing process of the product or improving the life or performance of the product.
なお、本実施形態では、光てこの原理を用いたカンチレバー30の力検出手段を用いているが、例えば圧電素子で製作したカンチレバーを用いて、カンチレバーに取り付けた端子間の電圧を計測するような力検出手段としてもよい。また、本実施形態では、レーザー光の光源61と光センサー62を、カンチレバー30の固定端との相対位置が変化しないように設置して、反射光63を光センサーで検出するタイミングを利用しているが、例えば光センサー62を鉛直方向に移動させて、反射レーザー63光を常に検出するようにしてもよく、この場合には反射光63が検出される位置の時間変化を調べることによって、カンチレバー30のたわみ量の時間変化を調べることができる。また、カンチレバー30は、上面が水平となるように設置する必要はなく、たわみを生じた際の反射光63を検出しやすいように、傾けて設置してもよい。
また、接着剤50としては、エポキシ樹脂の他にも、薄膜の密着性よりも強い接着力のものであれば適宜選択して用いてよいし、例えば紫外線硬化性樹脂を用いて、これに紫外線を照射することにより硬化させ接着するようにしてもよい。
また、密着性を評価する部分の大きさ(径)としては、数十μm以下とすることもでき、探針40の先端の局率半径が数nmであることから、この大きさに対応した微小部分においても密着性を評価することができる。また、本実施形態では、薄膜81の局所を基体82から剥離させているが、薄膜81の径が極めて小さい場合には、薄膜の全面に接着剤50が接するようにして、薄膜81の全面を剥離させてもよい
In this embodiment, the force detection means of the
In addition to the epoxy resin, the adhesive 50 may be appropriately selected and used as long as it has an adhesive strength stronger than the adhesion of the thin film. For example, an ultraviolet curable resin is used, and an ultraviolet ray is used. You may make it harden | cure and adhere | attach by irradiating.
In addition, the size (diameter) of the portion for evaluating the adhesion can be several tens of μm or less, and the local radius of the tip of the
1・・・走査型プローブ顕微鏡、10・・・ステージ、20・・・スキャナ、30、30a・・・カンチレバー、40・・・探針、50・・・エポキシ樹脂(接着剤)、61・・・光源、62・・・光センサー、63、63a・・・反射光、70・・・コンピュータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scanning probe microscope, 10 ... Stage, 20 ... Scanner, 30, 30a ... Cantilever, 40 ... Probe, 50 ... Epoxy resin (adhesive), 61 ... · Light source, 62 ... optical sensor, 63, 63a ... reflected light, 70 ... computer
Claims (5)
探針を先端部に有してなるカンチレバーと、
前記ステージと前記カンチレバーとの相対位置を変化させる位置制御手段と、
前記カンチレバーの探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着させるための接着剤と、
前記接着剤によって探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着した前記カンチレバーを、前記試料に対して所定の方向に離間させた際の、カンチレバーに働く力を検出する力検出手段と、
前記カンチレバーを前記試料に対して所定の方向に離間させたことにより、前記基体から前記薄膜が剥離した際の、前記カンチレバーに働いた力を前記力検出手段で検出した結果に基づき、前記基体に対する薄膜の密着強度を算出する密着強度算出手段と、を備えていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。 A stage for fixing a sample in which a thin film adheres to a substrate, a cantilever having a probe at the tip,
Position control means for changing the relative position of the stage and the cantilever;
An adhesive for adhering the cantilever probe to a predetermined position of the thin film of the sample;
Force detecting means for detecting a force acting on the cantilever when the cantilever having the probe bonded to a predetermined position of the thin film of the sample with the adhesive is separated from the sample in a predetermined direction;
Based on the result of detecting the force acting on the cantilever when the thin film is peeled from the substrate by separating the cantilever in a predetermined direction with respect to the sample, the force detection unit detects the force on the substrate. A scanning probe microscope comprising: an adhesion strength calculating means for calculating an adhesion strength of the thin film.
前記試料の基体をステージ上に固定する工程と、
前記試料の薄膜の所定位置に、前記カンチレバーの探針を接着剤を用いて固定する工程と、
前記接着剤によって探針を前記試料の薄膜の所定位置に接着した前記カンチレバーを、前記試料に対して所定の方向に離間させて、前記カンチレバーに働く力を検出する工程と、
前記カンチレバーを前記試料に対して所定の方向に離間させたことにより、前記基体から前記薄膜が剥離した際の、前記カンチレバーに働いた力を検出した結果に基づき、前記基体に対する薄膜の密着強度を算出する工程と、を有することを特徴とする局所密着性評価方法。 Using a scanning probe microscope equipped with a stage for fixing a sample and a cantilever having a probe at the tip, a sample in which a thin film is in close contact with the substrate is adhered to the substrate. A local adhesion evaluation method for evaluating the properties,
Fixing the sample substrate on a stage;
Fixing the cantilever probe to a predetermined position of the thin film of the sample using an adhesive;
A step of detecting the force acting on the cantilever by separating the cantilever in which the probe is bonded to a predetermined position of the thin film of the sample with the adhesive in a predetermined direction;
Based on the result of detecting the force acting on the cantilever when the thin film was peeled from the substrate by separating the cantilever in a predetermined direction, the adhesion strength of the thin film to the substrate was determined. A local adhesion evaluation method comprising: a step of calculating.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007081323A JP2008241415A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007081323A JP2008241415A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008241415A true JP2008241415A (en) | 2008-10-09 |
Family
ID=39912957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007081323A Withdrawn JP2008241415A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008241415A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190388602A1 (en) * | 2018-06-26 | 2019-12-26 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Peritoneal Dialysis Systems and Related Methods |
WO2021120167A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Jiangsu Jitri Micro-Nano Automation Institute Co., Ltd. | Method and apparatus for manipulating micro-nanometer sized samples and uses thereof |
-
2007
- 2007-03-27 JP JP2007081323A patent/JP2008241415A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190388602A1 (en) * | 2018-06-26 | 2019-12-26 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Peritoneal Dialysis Systems and Related Methods |
US10960123B2 (en) * | 2018-06-26 | 2021-03-30 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Peritoneal dialysis systems and related methods |
WO2021120167A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Jiangsu Jitri Micro-Nano Automation Institute Co., Ltd. | Method and apparatus for manipulating micro-nanometer sized samples and uses thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7557933B2 (en) | Measuring probe, sample surface measuring apparatus and sample surface measuring method | |
US9316569B2 (en) | Micro electro-mechanical heater | |
JP4557773B2 (en) | Probe microscope and method for measuring physical properties | |
KR102484671B1 (en) | Heterodyne atomic force microscopy apparatus, method and lithography system | |
JPH09159681A (en) | Method and equipment for measuring physical properties using cantilever for introducing ultrasonic wave | |
US20080257024A1 (en) | Scanning probe microscope | |
JP5046039B2 (en) | Liquid observation sensor and liquid observation device | |
CN102200543A (en) | AFM (Atomic Force Microscope)-based device for performing nanoindentation measurement on surface of microparticle | |
JP2001188035A (en) | Scan probe microscope | |
JP2008175725A (en) | Poisson's ratio measuring method of thin-film-like material, and measuring device for it | |
US7926328B2 (en) | Sample manipulating apparatus | |
JP2008241415A (en) | Scanning probe microscope and local thin film adhesion evaluation method | |
JP2007101402A (en) | Tackiness and thickness measuring instrument and measuring method using it | |
JPWO2006073068A1 (en) | Surface position measuring method and surface position measuring device | |
US10802044B2 (en) | Scanning probe microscope | |
US20200307038A1 (en) | Molding method, molding apparatus, imprint method, method for manufacturing article, and article manufacturing system | |
US8152364B2 (en) | Method for measuring the creep of a thin film inserted between two rigid substrates, with one cantilever end | |
JPH06281446A (en) | Probe microscope | |
KR100797089B1 (en) | Apparatus and method for measuring micro interaction force | |
JP3574243B2 (en) | Micro-body adhesion measuring device and micro-body adhesion measuring method | |
JP4416171B2 (en) | Scanning probe microscope | |
CN110542768A (en) | method for processing micro-cantilever probe for measuring ultralow friction coefficient | |
JP2006208335A (en) | Near-field light probe unit producing device and its producing method | |
JPH0933424A (en) | Device for measuring adhesion of very small object | |
Park et al. | Capacitive Two-dimensional Force Sensing Microcantilever with a Conductive Tip for Characterization of Biological Samples |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100601 |