JP2008203996A - Base body, and confirmation system of frequency response characteristic and position thereof - Google Patents

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直美 村
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克彦 三島
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base body capable of reading a position and a frequency response characteristic of a chip by detecting variation in the resonant state of a tank circuit while combining the tank circuit having a specific resonance frequency and a modulated laser beam externally supplied. <P>SOLUTION: A powder chip (a base body) 11 includes a substrate 12, an inductance element formed thereon, a first upper electrode 16 disposed between both end electrodes of the inductance element, a first conductor film 17a facing the first end electrode of the inductance element via an insulating film, and a second conductor film 17b facing the second end electrode of the inductance element via an insulating film, wherein the first conductor film and the second conductor film include a second upper electrode disposed via a gap and a photoconductive film 20 formed on the upper face of the second upper electrode so as to cover a region including the gap. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、パウダーチップ等として利用できる基体、および当該基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムに関し、特に、成膜技術で作られた微小なタンク回路と光導電膜を有し、外部から照射されるレーザ光により共振周波数を変化させる基体、および当該基体の存在位置と周波数応答特性を確認するシステムに関する。   The present invention relates to a substrate that can be used as a powder chip and the like, and a system for confirming the existence position and frequency response characteristics of the substrate, and in particular, has a minute tank circuit and a photoconductive film made by a film forming technique, The present invention relates to a substrate whose resonance frequency is changed by irradiated laser light, and a system for confirming the existence position and frequency response characteristics of the substrate.

現在、無線ICタグまたは無線ICカード(以下で統一して表現するときは「無線ICタグ/カード」と記す)はユビキタス時代の入り口にある商品と考えられている。例えばRFID(無線識別)は、名札や商品の識別、工場における部品・材料や中間製品・完成品などの仕分けなどの管理といった用途に供され、また繰り返し使用可能なプリペイド方式の乗車券カード等に用いられている。無線ICタグ/カードは、一般的に、内部に電源を持たず、リーダ/ライタからの読取り信号用電波を受信・整流して制御回路やメモリを駆動する直流電源を生成している。またRFIDとして使用される場合は、数十cmから数mの読取り距離を確保するために、900MHzまたは2.45GHzの周波数を無線周波数として用いる。さらにRFIDではダイポールアンテナなどで電波を放射する。またカードは放射電波を受信するアンテナを内蔵している。リーダ/ライタにも同様に読取り/書込み信号用電波を放射するアンテナを用いている。放射電波を用いることにより、数十cm〜数m離れた距離からもRFIDに記憶されている情報を読み取り、商品などの貨物の仕分けをしたりすることができる。   At present, a wireless IC tag or a wireless IC card (hereinafter referred to as “wireless IC tag / card” when expressed in a unified manner) is considered as a product at the entrance of the ubiquitous era. For example, RFID (wireless identification) is used for applications such as identification of name tags and products, management of sorting parts / materials, intermediate products / finished products, etc. in factories, and for prepaid ticket cards that can be used repeatedly. It is used. In general, the wireless IC tag / card does not have a power source inside, and generates a direct current power source that drives a control circuit and a memory by receiving and rectifying a radio wave for a read signal from a reader / writer. When used as an RFID, a frequency of 900 MHz or 2.45 GHz is used as a radio frequency in order to secure a reading distance of several tens of centimeters to several meters. Furthermore, RFID radiates radio waves with a dipole antenna or the like. The card also has a built-in antenna that receives radiated radio waves. Similarly, an antenna that radiates radio waves for read / write signals is used for the reader / writer. By using the radiated radio wave, it is possible to read information stored in the RFID even from a distance of several tens of centimeters to several meters and sort cargo such as goods.

またプリペイド方式の乗車券カードは、簡単な制御によりレーン間の混信を避ける目的もあって、数cmの距離に近づけたときにのみ信号のやりとりができるように、13.5MHzといった低い周波数を無線周波数として用い、無線周波数における波長に比してはるかに小さいスパイラルコイルを、それに接続される無線ICと共に内蔵している。このスパイラルコイルにより、乗車券カードが接近した場合に、改札機の中のリーダ/ライタ用コイルと磁界結合して改札業務に必要な情報のやりとりを自動的に行えるようにしている。   In addition, the prepaid ticket card has a purpose of avoiding interference between lanes by simple control, so that a signal as low as 13.5 MHz is wirelessly transmitted so that signals can be exchanged only when the distance is several cm. A spiral coil that is used as a frequency and is much smaller than a wavelength at a radio frequency is incorporated together with a radio IC connected thereto. With this spiral coil, when the ticket card approaches, the reader / writer coil in the ticket checker is magnetically coupled to automatically exchange information necessary for ticket check work.

また無線ICタグの価格はICタグチップのサイズを小さくすることにより安くすることができる。それは、ICタグチップのサイズを小さくすれば、1枚のウェハから得られるICタグチップの数量を多くすることができるからである。現在までに例えば0.4mm角のICタグチップが開発されている。このICタグチップは、チップ内の128ビットのメモリデータを2.45GHzのマイクロ波で読み取ることができる(例えば非特許文献1参照)。しかし、無線ICタグは、その利便性にも拘わらず、応用市場は限定されている。それには価格と技術の課題がある。
宇佐美光雄、『超小型無線ICタグチップ「ミューチップ」』、応用物理、Vol.73、No.9、2004、p.1179−p.1183
The price of the wireless IC tag can be reduced by reducing the size of the IC tag chip. This is because if the size of the IC tag chip is reduced, the number of IC tag chips obtained from one wafer can be increased. To date, for example, a 0.4 mm square IC tag chip has been developed. This IC tag chip can read 128-bit memory data in the chip with a microwave of 2.45 GHz (for example, see Non-Patent Document 1). However, despite the convenience of wireless IC tags, the application market is limited. It has price and technology challenges.
Mitsuo Usami, “Ultra-miniature wireless IC tag chip“ Muchip ””, Applied Physics, Vol. 73, no. 9, 2004, p. 1179-p. 1183

例えば、紙幣に従来のICタグを適用する場合を考える。紙幣の偽造防止を行う場合、ICタグよりもより小さいサイズの微小な回路素子(チップ)が望ましい。ところがICタグを微小化することは、IC回路を内蔵しているので、大きな制約を受け、不可能である。   For example, consider the case where a conventional IC tag is applied to a bill. In order to prevent counterfeit bills, a small circuit element (chip) having a smaller size than the IC tag is desirable. However, miniaturization of the IC tag is impossible because it has a built-in IC circuit.

そこで本発明者らは、タンク回路のみを含むチップを提案する。このチップは、ICタグのサイズよりも相当に小さい素子として製作することが可能であり、パウダー粒子の程度の大きさを有する。他方、上記紙幣やこれに類似するカードに対してこのようなチップを付着または含有させる場合に、当該チップの存在と特性を確認する読取り技術が重要な技術となる。紙幣やカード等の基体シートにおいて上記チップの存在と特性を離れた所から検知する実用的な技術が必要とされている。チップの存在と特性の読取りには電磁結合が利用されるが、電磁結合の構成が技術的な課題となる。   Therefore, the present inventors propose a chip including only a tank circuit. This chip can be manufactured as an element that is considerably smaller than the size of the IC tag, and is about the size of a powder particle. On the other hand, when such a chip is attached to or contained in the bill or a similar card, a reading technique for confirming the presence and characteristics of the chip is an important technique. There is a need for a practical technique for detecting the presence and characteristics of the chip in a base sheet such as a bill or a card from a remote location. Electromagnetic coupling is used to read the presence and characteristics of the chip, but the configuration of electromagnetic coupling is a technical issue.

本発明の目的は、特定共振周波数を有するタンク回路と外部から与えられる変調レーザ光とを組み合わせて当該タンク回路の共振状態の変化を検知し、チップの存在位置と周波数応答特性の読取りを行うことができる基体を提供することにある。   An object of the present invention is to detect a change in a resonance state of a tank circuit by combining a tank circuit having a specific resonance frequency and a modulated laser beam given from the outside, and to read a position where the chip exists and a frequency response characteristic. An object of the present invention is to provide a substrate that can be used.

また本発明の他の目的は、基体シート上の1mm以下の微細なパウダーチップであっても、物理的な接触または接近関係を生じることなく、比較的に離れた距離であっても電磁波を利用して安定して結合関係を作ることができる基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムを提供することにある。   Another object of the present invention is to use electromagnetic waves even at a relatively distant distance without causing physical contact or proximity relations, even for fine powder chips of 1 mm or less on a base sheet. Another object of the present invention is to provide a system for confirming the existence position of a substrate and a frequency response characteristic that can stably form a coupling relationship.

本発明に係る基体および基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムは、上記の目的を達成するために、次のように構成される。   In order to achieve the above object, the substrate and the presence position of the substrate and the frequency response characteristic confirmation system according to the present invention are configured as follows.

本発明に係る基体は、インダクタンス要素とキャパシタンス要素の少なくとも一方が備えられ、インダクタンス要素とキャパシタンス要素の一部または全部を覆うように光導電膜が設けられ、光を光導電膜に照射することによりインダクタンス要素のインダクタンスおよび/またはキャパシタンス要素のキャパシタンスを変化させるように構成される。   The substrate according to the present invention includes at least one of an inductance element and a capacitance element, a photoconductive film is provided so as to cover part or all of the inductance element and the capacitance element, and light is applied to the photoconductive film. It is configured to change the inductance of the inductance element and / or the capacitance of the capacitance element.

上記の基体において、上記インダクタンス要素を成す電気回路素子と上記キャパシタンス要素を成す電気回路素子はタンク回路を形成し、光導電膜への光の照射でタンク回路の共振周波数を変化させるように構成される。光はレーザ光であることが好ましく、さらに当該レーザ光はオン・オフ信号で変調されたパルスレーザ光であることが好ましい。   In the above substrate, the electric circuit element forming the inductance element and the electric circuit element forming the capacitance element form a tank circuit, and are configured to change the resonance frequency of the tank circuit by irradiating the photoconductive film with light. The The light is preferably laser light, and the laser light is preferably pulsed laser light modulated by an on / off signal.

上記の基体は、全体の形態が接続端子を持たない粒子状のパウダーチップである。 The above-mentioned base is a particulate powder chip that does not have connection terminals as a whole.

上記の本発明に係る基体(またはパウダーチップ)では、基板の上にインダクタンス要素とキャパシタンス要素が備わっており、その一部または全部を覆うように光導電膜(またはホトコンダクティブ膜)が備えられている。当該光導電膜に光が当ることによりインダクタンスおよび/またはキャパシタンスが変化するタンク回路が形成される。好ましくは、上記光はレーザ光であることが、基体の配置位置を決めるために望ましい。インダクタンスまたはキャパシタンスを変化させるとタンク回路の共振周波数が変化するので、光の当った位置での共振特性の変化が、基体の存在場所と周波数応答特性という情報を提供する。   In the base body (or powder chip) according to the present invention, an inductance element and a capacitance element are provided on a substrate, and a photoconductive film (or a photoconductive film) is provided so as to cover a part or all of the element. Yes. A tank circuit in which inductance and / or capacitance changes when light strikes the photoconductive film is formed. Preferably, the light is a laser beam in order to determine the arrangement position of the substrate. Since the resonance frequency of the tank circuit changes when the inductance or capacitance is changed, the change in the resonance characteristic at the position where the light hits provides information on the location of the substrate and the frequency response characteristic.

上記の基体において、変化させるのはインダクタンスとキャパシタンスの両方でも良いが、インダクタンスとキャパシタンスのうちのいずれか一方が変化すれば、変化するという効果は同じであるので、いずれかの簡単な構成を選ぶことができる。 In the above substrate, both the inductance and the capacitance may be changed. However, if either one of the inductance and the capacitance is changed, the effect of the change is the same. Therefore, any simple configuration is selected. be able to.

以下では、基体におけるキャパシタンス要素のキャパシタンスを変化させる構成例について説明する。 Below, the structural example which changes the capacitance of the capacitance element in a base | substrate is demonstrated.

本発明に係る基体は、基板と、この基板上に形成されたインダクタンス要素と、インダクタンス要素の第1と第2の端部電極の間に配置される第1上側電極と、インダクタンス要素の第1端部電極に対向する第1導体部と第2端部電極に対向する第2導体部を有しかつ第1導体部と第2導体部は隙間を介して配置されている第2上側電極と、第2上側電極の上面で隙間を含む領域を覆うように形成された光導電膜とを備える。この構成に基づき、光導電膜にレーザ光が照射されないとき、インダクタンス要素と第1上側電極による第1キャパシタンス要素とによって第1のタンク回路が形成され、光導電膜にレーザ光が照射されるとき、第2上側電極はインダクタンス要素の第1および第2の端部電極の間に接続される第2キャパシタンス要素となり、インダクタンス要素と、第1キャパシタンス要素と、第2キャパシタンス要素とによって第2のタンク回路が形成される。   The substrate according to the present invention includes a substrate, an inductance element formed on the substrate, a first upper electrode disposed between the first and second end electrodes of the inductance element, and a first of the inductance element. A second upper electrode having a first conductor portion facing the end electrode and a second conductor portion facing the second end electrode, wherein the first conductor portion and the second conductor portion are arranged with a gap therebetween; And a photoconductive film formed to cover a region including a gap on the upper surface of the second upper electrode. Based on this configuration, when the photoconductive film is not irradiated with laser light, the first tank circuit is formed by the inductance element and the first capacitance element formed by the first upper electrode, and the photoconductive film is irradiated with laser light. The second upper electrode becomes a second capacitance element connected between the first and second end electrodes of the inductance element, and the second tank is formed by the inductance element, the first capacitance element, and the second capacitance element. A circuit is formed.

上記の構成で、基板上に形成されたインダクタンス要素はコイルである。このコイルの両端部を成す第1および第2の端部電極に誘電体を介して接続される第1のキャパシタンス要素としての第1コンデンサを形成する第1上側電極が設けられる。さらに、第1上側電極に追加して、第1コンデンサと並列してレーザ光が当ったときにのみ上記コイルと接続ができるように、コイルの両端部の第1および第2の端部電極の上に誘電体を介して2つの第1導体部と第2導体部から成る第2上側電極が設けられる。第2上側電極の上面には光導電膜が形成されている。光導電膜に光が照射されると、第2上側電極は、第2コンデンサが形成される。以上の構成に基づくと、外部からレーザ光が照射されないとき、インダクタンス要素と、第1コンデンサによる第1のキャパシタンス要素とによって第1のタンク回路が形成される。レーザ光が照射されるとき、第2コンデンサは第2のキャパシタンス要素となり、インダクタンス要素と、第1および第2のキャパシタンス要素とによって第2のタンク回路が形成される。   In the above configuration, the inductance element formed on the substrate is a coil. A first upper electrode is provided which forms a first capacitor as a first capacitance element connected to the first and second end electrodes constituting both ends of the coil via a dielectric. Further, in addition to the first upper electrode, the first and second end electrodes of both ends of the coil can be connected to the coil only when the laser beam hits in parallel with the first capacitor. A second upper electrode composed of two first conductor portions and a second conductor portion is provided on the top via a dielectric. A photoconductive film is formed on the upper surface of the second upper electrode. When the photoconductive film is irradiated with light, a second capacitor is formed on the second upper electrode. Based on the above configuration, when the laser beam is not irradiated from the outside, a first tank circuit is formed by the inductance element and the first capacitance element by the first capacitor. When the laser beam is irradiated, the second capacitor becomes a second capacitance element, and a second tank circuit is formed by the inductance element and the first and second capacitance elements.

上記構成の基体において、第1のタンク回路は第1の共振周波数(f)を有し、第2のタンク回路は異なる第2の共振周波数(f)を有し、この第2の共振周波数(f)はレーザ光の強度またはオン・オフに応じて変化する。 In the substrate configured as described above, the first tank circuit has a first resonance frequency (f 0 ), and the second tank circuit has a different second resonance frequency (f n ). The frequency (f n ) varies depending on the intensity of the laser beam or on / off.

上記構成の基体において、高周波のパルスレーザに応答できるためには、好ましくは光導電膜の材質はライフタイムの短い高抵抗のGaAsである。またはTiOまたはZnSも候補であるが、高速応答は望めない材料である。 In order to be able to respond to a high-frequency pulse laser in the substrate having the above structure, the material of the photoconductive film is preferably high-resistance GaAs with a short lifetime. Alternatively, TiO 2 or ZnS is also a candidate, but a material that cannot be expected to have a high-speed response.

上記構成の基体において、好ましくは、第2上側電極(第2コンデンサとなる電極)の第1および第2の導体部(第2コンデンサ電極)の対向縁部は櫛型形状を有している。この櫛型形状によれば、接続面を長くして微小な光で2つの第2コンデンサ電極が電気接続して機能を発現しやすくさせる。   In the substrate configured as described above, preferably, the opposing edge portions of the first and second conductor portions (second capacitor electrodes) of the second upper electrode (electrode serving as the second capacitor) have a comb shape. According to this comb shape, the connection surface is lengthened, and the two second capacitor electrodes are electrically connected with minute light to facilitate the function.

上記構成の基体において、基体の共振周波数特性を反射成分の周波数スペクトルで検出するとき、光を当てたときの反射スペクトルと当てないときの反射スペクトルの差として検出する方法がある。変化量が少ないときは、差スペクトルは微分スペクトルを与えるので共振周波数を正確に求める方法として使用できる。さらに好ましく信号対雑音比(SN比)を改善する方法としてレーザ光にパルス変調をかける方法がある。周波数(f)のオン・オフ信号で変調されたパルスレーザ光を用いると、反射RF電磁波はfで変調された反射波であるので、そのうちfの周波数成分のみを信号成分として検出すると、レーザ光が当った位置のみの信号であることを判別してかつSN比の良い周波数スペクトルを得ることが可能である。 In the substrate having the above-described configuration, when the resonance frequency characteristic of the substrate is detected by the frequency spectrum of the reflection component, there is a method of detecting the difference between the reflection spectrum when the light is applied and the reflection spectrum when the light is not applied. When the amount of change is small, the difference spectrum gives a differential spectrum and can be used as a method for accurately obtaining the resonance frequency. As a method for improving the signal-to-noise ratio (SN ratio), there is a method of applying pulse modulation to the laser light. When a pulsed laser beam modulated with an on / off signal having a frequency (f 1 ) is used, the reflected RF electromagnetic wave is a reflected wave modulated with f 1 , so that only the frequency component of f 1 is detected as a signal component. It is possible to determine that the signal is only at the position where the laser beam hits and to obtain a frequency spectrum with a good S / N ratio.

上記構成の基体において、好ましくは、インダクタンス要素は、基板の絶縁膜面上に形成された少なくとも1巻きのスパイラル状のコイルである。   In the substrate configured as described above, the inductance element is preferably a spiral coil of at least one turn formed on the insulating film surface of the substrate.

本発明に係る基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムは、基体シート上に配置される前述の基体(パウダーチップ)と、基体シート上に配置され、基体のインダクタンス要素と磁気結合するように設けられた周回導体線を有するアンテナ線と、基体シートから空間的に離れて配置され、アンテナ線と電磁結合されるプローブアンテナ、調べたい帯域の周波数の発振信号を出力する発振器、反射波等(透過波も含む)を検出するための検出装置(例えばサーキュレータを備える検出装置)であって、発振信号に係る電磁波をプローブアンテナを介してシート上アンテナ線に入射し、アンテナ線から反射波等に係る信号を検出してチップの存在位置と周波数応答特性(スペクトル)を知る。この構成に基づいて、基体シート上の基体に対してオン・オフ変調されたパルスレーザ光が照射されたとき、検出装置は、レーザ光のオン・オフに同期して反射波等に係る信号を検出する。   The system for confirming the presence position and frequency response characteristics of the substrate according to the present invention is arranged so that the substrate (powder chip) arranged on the substrate sheet and the substrate sheet are magnetically coupled to the inductance element of the substrate. An antenna wire having a circular conductor wire provided, a probe antenna that is spatially separated from the base sheet and electromagnetically coupled to the antenna wire, an oscillator that outputs an oscillation signal having a frequency in a band to be examined, a reflected wave, etc. A detecting device (including a circulator) for detecting a transmitted wave (including a circulator), in which an electromagnetic wave related to an oscillation signal is incident on an antenna line on a sheet via a probe antenna, and reflected from the antenna line to a reflected wave or the like Such a signal is detected to know the position of the chip and the frequency response characteristic (spectrum). Based on this configuration, when the on-off modulated pulsed laser light is irradiated to the base on the base sheet, the detection device outputs a signal related to the reflected wave or the like in synchronization with the on / off of the laser light. To detect.

上記の構成を有する基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムにおいて、検出装置は、反射波等に係る変調信号を抽出する抽出手段を備え、得られたタンク回路の周波数スペクトルより上記基体の周波数特性を確認し、位置情報と合わせて周波数を基体のIDデータして利用する。   In the system for confirming the presence position and frequency response characteristics of the base body having the above-described configuration, the detection apparatus includes an extraction unit that extracts a modulation signal related to a reflected wave or the like, and the frequency of the base body is determined from the frequency spectrum of the obtained tank circuit. The characteristics are confirmed, and the frequency is used as the ID data of the substrate together with the position information.

本発明に係る基体によれば、基体を検出する方法として、特定の共振周波数を有するタンク回路の周波数特性(スペクトル)を位置情報を正確に与える変調レーザ光とを組み合わせることにより基体(パウダーチップ)の存在位置と周波数特性の読取りを確実にかつ簡単に行うことができる。
本発明に係る基体の存在位置と周波数応答特性の確認システムによれば、基体シート上の微細なパウダーチップについて、プロバーを物理的に接触または接近させることなく、離れた距離であっても電磁波を用いて、電磁結合および磁気結合の作用を利用して安定して信号送受の結合関係を作ることができ、反射波等に係る信号を変調法で抽出することにより、所定の共振周波数特性を有する基体を正確にかつ確実に検出することができる。
According to the substrate of the present invention, as a method for detecting the substrate, the frequency characteristic (spectrum) of a tank circuit having a specific resonance frequency is combined with a modulated laser beam that accurately gives positional information to the substrate (powder chip). It is possible to reliably and easily read the existing position and frequency characteristic of the.
According to the system for confirming the presence position of the substrate and the frequency response characteristic according to the present invention, the fine powder chip on the substrate sheet can emit electromagnetic waves even at a long distance without physically contacting or approaching the prober. By using the electromagnetic coupling and the magnetic coupling, the signal transmission / reception coupling relationship can be made stably, and the signal related to the reflected wave or the like is extracted by the modulation method, thereby having a predetermined resonance frequency characteristic. The substrate can be detected accurately and reliably.

以下に、本発明の好適な実施形態(実施例)を添付図面に基づいて説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Preferred embodiments (examples) of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図1〜図3を参照して本発明に係る基体の実施形態を説明する。この実施形態では基体の例としてパウダーチップを示す。図1はパウダーチップの外観斜視図を示し、図2はパウダーチップの平面図を示し、図3は図2におけるA−A線で切った縦断面図を示す。図3のA−A線断面図においてパウダーチップの構成材料の厚みを誇張して示している。   An embodiment of a substrate according to the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, a powder chip is shown as an example of the substrate. 1 shows an external perspective view of the powder chip, FIG. 2 shows a plan view of the powder chip, and FIG. 3 shows a longitudinal sectional view taken along line AA in FIG. In the cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3, the thickness of the constituent material of the powder chip is exaggerated.

なおここで、「パウダーチップ」とは、電気的接続端子をもたず上下の区別なくパウダー(粉状体または粒状体)のように扱われる粒子であり、しかも粒子のおのおのは電気回路要素を有して機能するものを意味する。なお本発明に係る「基体」は「パウダーチップ」に限定されない。   Here, the “powder chip” is a particle that does not have an electrical connection terminal and is treated like powder (powder or granular material) without distinction between the upper and lower sides, and each particle is an electric circuit element. It means something that has and functions. The “substrate” according to the present invention is not limited to the “powder chip”.

パウダーチップ11は、好ましくは、立方体またはこれに類似した板状の直方体の形状を有し、外側表面での複数の矩形平面に関して、最長辺を含む矩形平面が好ましくは1mm角以下、より好ましくは0.15mm角以下の大きさを有する3次元的な形状を有している。この実施形態のパウダーチップ11は、図2に示すように、その平面形状が略正方形になるように形成されている。パウダーチップ11では、略正方形の平面形状において、例えば図2中に示した1つの辺の長さLが0.15mm(150μm)となっている。   The powder chip 11 preferably has a shape of a cube or a plate-like rectangular parallelepiped similar to this, and with respect to a plurality of rectangular planes on the outer surface, the rectangular plane including the longest side is preferably 1 mm square or less, more preferably It has a three-dimensional shape having a size of 0.15 mm square or less. As shown in FIG. 2, the powder chip 11 of this embodiment is formed so that its planar shape is substantially square. In the powder chip 11, in a substantially square planar shape, for example, the length L of one side shown in FIG. 2 is 0.15 mm (150 μm).

パウダーチップ11では、図1および図3に示されるようにP型シリコン(Si)等の基板12上に絶縁層(酸化膜SiO等)13を形成している。この絶縁層13の上面において、この上面を大きな領域に分けると、スパイラル状の複数巻きのコイル14が形成された領域と、コンデンサ(またはキャパシタ)15が形成された領域とが存在する。コイル14とコンデンサ15は、基板12の表面上に形成された絶縁層13の上に2つの電気回路要素の部分として分けることもできる。コイル14はインダクタンス要素として機能し、コンデンサ15はキャパシタンス要素として機能する。 In the powder chip 11, as shown in FIGS. 1 and 3, an insulating layer (oxide film SiO 2 or the like) 13 is formed on a substrate 12 such as P-type silicon (Si). When the upper surface of the insulating layer 13 is divided into large regions, there are a region where a spiral coil 14 is formed and a region where a capacitor (or capacitor) 15 is formed. The coil 14 and the capacitor 15 can be separated as two electric circuit element parts on the insulating layer 13 formed on the surface of the substrate 12. The coil 14 functions as an inductance element, and the capacitor 15 functions as a capacitance element.

コンデンサ15は、さらに、本来的に常にキャパシタンス要素として機能するコンデンサ要素15−1と、条件に応じてキャパシタンス要素として機能する疑似的コンデンサ要素15−2の2つの要素から構成されている。コンデンサ要素15−1と疑似的コンデンサ要素15−2とは、パウダーチップ11の上面において、幾何学的な位置関係ではその長手方向が並列的な位置関係になるように、配置されている。   The capacitor 15 further includes two elements, that is, a capacitor element 15-1 that always functions as a capacitance element and a pseudo capacitor element 15-2 that functions as a capacitance element depending on conditions. The capacitor element 15-1 and the pseudo capacitor element 15-2 are arranged on the upper surface of the powder chip 11 so that the geometrical positional relationship is parallel to the longitudinal direction.

コンデンサ要素15−1は、後述するごとく、コイル14の両端のそれぞれに形成された下側電極(電極パッド)14a,14bと、これに対向する上側電極16とから形成されている。上側電極16は、1つの電極膜で一体的なものとして形成され、常に、予め設計された容量を有するコンデンサ素子としての機能を有している。コンデンサ要素15−1の上側電極16は、その部分として、両端に位置するコンデンサ電極パッドの部分16a,16bと、両端に位置する2つのパッド部分16a,16bをつなぐホトコンダクティブな光導電配線16cとを有している。コンデンサ電極パッドをなす部分16a,16bは、上記の2つの下側電極14a,14bのそれぞれに対向している。コンデンサ要素15−1では、上側電極16の両端部のパッド部分16a,16bで、下側電極14a,14bとの対向関係に基づいて、2つのコンデンサ素子が作られることになる。   As will be described later, the capacitor element 15-1 is formed of lower electrodes (electrode pads) 14 a and 14 b formed on both ends of the coil 14, and an upper electrode 16 facing the lower electrodes (electrode pads) 14 a and 14 b. The upper electrode 16 is formed integrally with one electrode film, and always has a function as a capacitor element having a previously designed capacity. The upper electrode 16 of the capacitor element 15-1 includes, as its parts, capacitor electrode pad portions 16a and 16b located at both ends, and a photoconductive photoconductive wiring 16c connecting the two pad portions 16a and 16b located at both ends. have. The portions 16a and 16b forming the capacitor electrode pads face the two lower electrodes 14a and 14b, respectively. In the capacitor element 15-1, two capacitor elements are formed at the pad portions 16a and 16b at both ends of the upper electrode 16 based on the opposing relationship with the lower electrodes 14a and 14b.

疑似的コンデンサ要素15−2は、コイル14の両端のそれぞれに形成された下側電極14a,14bと、これに対向する上側電極(17a,17b)とから形成されている。疑似的コンデンサ要素15−2の上側電極は、図1および図2に示すように、その平面形状で見て、左右に分離された2つの電極部分17a,17bから構成される。2つの上側電極17a,17bはそれぞれ矩形の形状を有し、かつそれぞれの端部の一辺をなす縁部で対向した位置関係にあって、設計された狭い隙間Gをあけて、分離されて配置されている。疑似的コンデンサ要素15−2は、通常の状態では、2つの上側電極17a,17bが電気回路的に分離した状態にあってコンデンサとして機能せず、後述するような特定な状態が生じたときにのみ2つの上側電極17a,17bが電気回路的に接続された状態になり、コンデンサ素子としての機能を生じるという特性を有した要素である。   The pseudo capacitor element 15-2 is formed of lower electrodes 14a and 14b formed on both ends of the coil 14, and upper electrodes (17a and 17b) opposed to the lower electrodes 14a and 14b, respectively. As shown in FIGS. 1 and 2, the upper electrode of the pseudo capacitor element 15-2 includes two electrode portions 17a and 17b that are separated from each other in the plan view. The two upper electrodes 17a and 17b each have a rectangular shape, are in a positional relationship facing each other at one edge of each end, and are separated and arranged with a narrow gap G designed. Has been. In the normal state, the pseudo capacitor element 15-2 is in a state where the two upper electrodes 17a and 17b are separated from each other in an electric circuit, and does not function as a capacitor, and when a specific state as described later occurs. Only the two upper electrodes 17a and 17b are in an electric circuit-connected state, and are elements having a characteristic of generating a function as a capacitor element.

パウダーチップ11の上面で、絶縁層13の上に形成された絶縁層18(SiO,SiN等)内にコイル14(パッド14a,14bを含む)が形成されている。コイル14とコンデンサ要素15−1は、パウダーチップ11に応じて設定された特定の共振周波数(f)で共振する作用を生じる。より厳密には、コイル14はコンデンサ要素15−1と共にタンク回路を形成する。仮に、当該タンク回路で共振作用が生じる周波数の磁界と結合したときには、その反射係数が低減される。後述するが、アンテナ同士の電磁界結合を通して外部からタンク回路に磁界エネルギーが与えられたとき、入射電磁波の反射波は低下するという作用が生じる。 On the upper surface of the powder chip 11, a coil 14 (including pads 14 a and 14 b) is formed in an insulating layer 18 (SiO 2 , SiN, etc.) formed on the insulating layer 13. The coil 14 and the capacitor element 15-1 have an effect of resonating at a specific resonance frequency (f 0 ) set according to the powder chip 11. More precisely, the coil 14 forms a tank circuit with the capacitor element 15-1. If the tank circuit is coupled to a magnetic field having a frequency that causes resonance in the tank circuit, the reflection coefficient is reduced. As will be described later, when magnetic field energy is applied to the tank circuit from the outside through electromagnetic coupling between the antennas, the reflected wave of the incident electromagnetic wave is lowered.

コイル14は、図1または図2に示されるように、パウダーチップ11の略正方形の平面形状の各辺に沿って、1本の導体配線を例えば三重巻きにすることにより形成されている。コイル14を形成する導体配線の材質は例えば銅(Cu)である。   As shown in FIG. 1 or 2, the coil 14 is formed by, for example, triple winding a single conductor wiring along each side of the substantially square planar shape of the powder chip 11. The material of the conductor wiring that forms the coil 14 is, for example, copper (Cu).

コイル14の両端部は所要の面積を有する長方形のパッド14a,14bとなっている。これらのパッド14a,14bは前述した下側電極の機能を有する部分である。2つのパッド14a,14bは、それぞれ、ループ形状のコイル14の内周側と外周側に配置されている。パッド14a,14bのそれぞれは、コンデンサ要素15−1の上側電極16の両端部16a,16b、疑似的コンデンサ要素15−2の2つの上側電極17a,17bのそれぞれに対する下側電極として作用する。   Both ends of the coil 14 are rectangular pads 14a and 14b having a required area. These pads 14a and 14b are portions having the function of the lower electrode described above. The two pads 14a and 14b are disposed on the inner peripheral side and the outer peripheral side of the loop-shaped coil 14, respectively. Each of the pads 14a and 14b functions as a lower electrode for both ends 16a and 16b of the upper electrode 16 of the capacitor element 15-1 and each of the two upper electrodes 17a and 17b of the pseudo capacitor element 15-2.

上記において、目的の共振周波数設計に応じてコイル14の巻数と長さ、形状は任意に設定することができる。   In the above, the number of turns, the length, and the shape of the coil 14 can be arbitrarily set according to the target resonance frequency design.

コンデンサ要素15−1は、さらに2つのコンデンサ要素15−1a,15−1bから構成されている。コンデンサ要素15−1aは、上記の下側電極14aと上側電極16のパッド部分16a(アルミニウム(Al)等)とから形成される。コンデンサ15−1bは、上記の下側電極14bと上側電極16のパッド部分16bとから形成される。コンデンサ要素15−1a,15−1bの各々のパッド部分16a,16bは導体配線16cで接続されている。実際には、2つのパッド部分16a,16bと導体配線16cは一体物の導体金属層16すなわち前述した上側電極16として形成されている。下側電極14aと電極部分16aとの間、および下側電極14bと電極部分16bとの間には、それぞれ、図3に示すごとく誘電体としての絶縁膜19(SiO)が設けられる。この絶縁膜19によって、下側電極14aと上側電極16のパッド部分16a、下側電極14bと上側電極16のパッド部分16bは、それぞれ電気的に絶縁されている。なお図1および図2において、絶縁膜19は透明で示し、図示を省略している。 The capacitor element 15-1 further includes two capacitor elements 15-1a and 15-1b. The capacitor element 15-1a is formed from the lower electrode 14a and the pad portion 16a (aluminum (Al) or the like) of the upper electrode 16. The capacitor 15-1b is formed from the lower electrode 14b and the pad portion 16b of the upper electrode 16. The pad portions 16a and 16b of the capacitor elements 15-1a and 15-1b are connected by a conductor wiring 16c. Actually, the two pad portions 16a and 16b and the conductor wiring 16c are formed as an integral conductor metal layer 16, that is, the upper electrode 16 described above. As shown in FIG. 3, an insulating film 19 (SiO 2 ) as a dielectric is provided between the lower electrode 14a and the electrode portion 16a and between the lower electrode 14b and the electrode portion 16b. The insulating film 19 electrically insulates the pad portion 16a of the lower electrode 14a and the upper electrode 16 and the pad portion 16b of the lower electrode 14b and the upper electrode 16 from each other. In FIG. 1 and FIG. 2, the insulating film 19 is transparent and is not shown.

疑似的コンデンサ要素15−2を形成する2つの上側電極17a,17bの上面は、隙間Gの存在領域を含めてホトコンダクティブ膜(光導電膜)20によって覆われている。ホトコンダクティブ膜20で覆う領域は、2つの上側電極17a,17bの上面に接触し、両電極を電気的に接続可能とする領域であればよい。図1および図2ではホトコンダクティブ膜20の形成領域を斜線部として示している。ホトコンダクティブ膜20は、光が当たらない状態では非導電性を有し、光が当たると導電性を有する物質である。ホトコンダクティブ膜20の材質としては、例えばGaAsがある。この材料は赤色に対しても光導電特性が得られ、Asの成分を調整することで半絶縁にすることも可能であるので設計しやすい。分視線エピタキシー(MBE)などの低温成長も可能であり、クヤリアーライフタイムもナノ秒以下も可能であるので、パルス変調レーザの変調周波数の上限値にゆとりを与える。TiOまたはZnS等も使用可能である。ホトコンダクティブ膜20に対して外部からレーザ光等が照射されないときには、2つの上側電極17a,17bは電気的に接続されないので、疑似的コンデンサ要素15−2はコンデンサ素子としての機能を発揮しない。ホトコンダクティブ膜20に対して外部からレーザ光等が照射されるときには、2つの上側電極17a,17bは電気的に接続され、疑似的コンデンサ要素15−2はコンデンサとしての機能を発揮する。このとき電気抵抗は光の強さに応じて変化する。 The upper surfaces of the two upper electrodes 17a and 17b forming the pseudo capacitor element 15-2 are covered with a photoconductive film (photoconductive film) 20 including the region where the gap G exists. The region covered with the photoconductive film 20 may be a region that is in contact with the upper surfaces of the two upper electrodes 17a and 17b and is capable of electrically connecting both electrodes. In FIG. 1 and FIG. 2, the formation area of the photoconductive film 20 is shown as a hatched portion. The photoconductive film 20 is a non-conductive material when not exposed to light, and is conductive when exposed to light. As a material of the photoconductive film 20, for example, there is GaAs. This material is easy to design because it also has photoconductive properties for red and can be made semi-insulating by adjusting the As component. Low-temperature growth such as spectroscopic epitaxy (MBE) is also possible, and the carrier lifetime can be nanoseconds or less, so that the upper limit of the modulation frequency of the pulse-modulated laser is afforded. TiO 2 or ZnS can also be used. When the photoconductive film 20 is not irradiated with laser light or the like from the outside, the two upper electrodes 17a and 17b are not electrically connected, so that the pseudo capacitor element 15-2 does not function as a capacitor element. When the photoconductive film 20 is irradiated with laser light or the like from the outside, the two upper electrodes 17a and 17b are electrically connected, and the pseudo capacitor element 15-2 functions as a capacitor. At this time, the electrical resistance changes according to the intensity of light.

疑似的コンデンサ要素15−2は、コンデンサ素子として機能するときには、2つのコンデンサ要素15−2a,15−2bから構成される。コンデンサ要素15−2aは、上記の下側電極14aと上側電極17a(アルミニウム(Al)等)とから形成される。コンデンサ要素15−2bは、上記の下側電極14bと上側電極17bとから形成される。下側電極14aと上側電極17aとの間、および下側電極14bと上側電極17bとの間には、それぞれ、上記の誘電体としての絶縁膜19が設けられる。絶縁膜19によって、下側電極14aと上側電極17a、下側電極14bと上側電極17bは、それぞれ電気的に絶縁されている。   The pseudo capacitor element 15-2 is composed of two capacitor elements 15-2a and 15-2b when functioning as a capacitor element. The capacitor element 15-2a is formed of the lower electrode 14a and the upper electrode 17a (aluminum (Al) or the like). The capacitor element 15-2b is formed of the lower electrode 14b and the upper electrode 17b. Between the lower electrode 14a and the upper electrode 17a and between the lower electrode 14b and the upper electrode 17b, the insulating films 19 as the dielectric are provided. The insulating film 19 electrically insulates the lower electrode 14a and the upper electrode 17a, and the lower electrode 14b and the upper electrode 17b from each other.

また上側電極16のパッド部分16a,16bの間をつなげる導体配線16cとコイル14の交差部分は上記の絶縁膜19で電気的に絶縁されている。また上側電極17a,17bとコイル24の交差部分は上記の絶縁膜19で電気的に絶縁されている。   Further, the intersecting portion of the conductor wiring 16c connecting the pad portions 16a and 16b of the upper electrode 16 and the coil 14 is electrically insulated by the insulating film 19 described above. Further, the intersecting portions of the upper electrodes 17 a and 17 b and the coil 24 are electrically insulated by the insulating film 19.

上記の構成によって、コイル14の両端部の間には、ホトコンダクティブ膜20にレーザ光が照射されない通常の状態では、電気的に直列に接続された2つのコンデンサ要素15−1a,15−1bで作られるコンデンサ要素15−1が接続されることになる。ループを形成するように接続されたコイル14とコンデンサ要素15−1とによって第1のタンク回路(LC共振回路)が形成される。この場合には、当該タンク回路は鋭い共振特性を生じる。   With the above configuration, between the two end portions of the coil 14, in a normal state where the photoconductive film 20 is not irradiated with laser light, two capacitor elements 15-1a and 15-1b electrically connected in series are used. The capacitor element 15-1 to be made will be connected. A first tank circuit (LC resonance circuit) is formed by the coil 14 and the capacitor element 15-1 connected so as to form a loop. In this case, the tank circuit produces a sharp resonance characteristic.

ホトコンダクティブ膜20にレーザ光が照射される状態では、コイル14の両端部の間に、電気的に直列に接続された2つのコンデンサ要素15−1a,15−1bで作られるコンデンサ要素15−1と、電気的に直列に接続された2つのコンデンサ要素15−2a,15−2bで作られるコンデンサ要素15−2とが、並列接続の関係で接続されることになる。ループを形成するように接続されたコイル14とコンデンサ要素15−1,15−2の並列回路とによって第2のタンク回路(LC共振回路)が形成される。2つのコンデンサ要素15−1,15−2の並列回路による容量は大きくなる。この場合には、第2のタンク回路の共振周波数は、上記第1のタンク回路の共振周波数とは異なる周波数にシフトすると共に、Q値が低くなり、共振特性が緩やかになる。   In a state where the photoconductive film 20 is irradiated with laser light, a capacitor element 15-1 made of two capacitor elements 15-1a and 15-1b electrically connected in series between both ends of the coil 14 is used. Then, the capacitor element 15-2 made of two capacitor elements 15-2a and 15-2b electrically connected in series is connected in a parallel connection relationship. A second tank circuit (LC resonance circuit) is formed by the coil 14 connected to form a loop and the parallel circuit of the capacitor elements 15-1 and 15-2. The capacity due to the parallel circuit of the two capacitor elements 15-1 and 15-2 is increased. In this case, the resonance frequency of the second tank circuit is shifted to a frequency different from the resonance frequency of the first tank circuit, the Q value is lowered, and the resonance characteristics are moderated.

図4は、パウダーチップ11に設けられたインダクタンス要素とキャパシタンス要素とで作られるタンク回路を等価回路で示したものである。タンク回路21において、実線で示された回路(第1のタンク回路)について、符号Lは前述のコイル14によって実現されるインダクタンス要素を示し、符号C1はコンデンサ要素15−1によって実現されるキャパシタンス要素を示している。なお図4で、キャパシタンス要素C1は、2つのコンデンサ素子の直列回路で表現されている。2つのコンデンサ素子は、前述した2つのコンデンサ要素15−1a,15−1bのそれぞれに対応している。また図4中、二点鎖線で示された回路について、パウダーチップ11にレーザ光41が照射されてホトコンダクティブ膜20が導電性を有した場合において、疑似的コンデンサ要素15−2がコンデンサ素子としての機能を有し、キャパシタンス要素C1に対して並列に接続されたキャパシタンス要素C2が生じる回路状態を示している。この場合に、タンク回路21としてホトコンダクティブ膜の抵抗に応じた可変な抵抗成分Rも含まれることになる。タンク回路21において実線で示す回路と二点鎖線で示す回路で第2のタンク回路が作られる。レーザ光41がパウダーチップ11に照射されない場合には、二点鎖線で示された回路部分は生じない。第2のタンク回路の共振周波数はf であるとする。 FIG. 4 shows a tank circuit made up of an inductance element and a capacitance element provided in the powder chip 11 as an equivalent circuit. In the tank circuit 21, for the circuit indicated by the solid line (first tank circuit), the symbol L indicates an inductance element realized by the coil 14, and the symbol C1 is a capacitance element realized by the capacitor element 15-1. Is shown. In FIG. 4, the capacitance element C1 is represented by a series circuit of two capacitor elements. The two capacitor elements correspond to the two capacitor elements 15-1a and 15-1b described above. Further, in the circuit indicated by a two-dot chain line in FIG. 4, when the powder chip 11 is irradiated with the laser light 41 and the photoconductive film 20 has conductivity, the pseudo capacitor element 15-2 is used as a capacitor element. The circuit state in which the capacitance element C2 having the following functions and connected in parallel to the capacitance element C1 is generated is shown. In this case, the tank circuit 21 also includes a variable resistance component R corresponding to the resistance of the photoconductive film. In the tank circuit 21, a second tank circuit is formed by a circuit indicated by a solid line and a circuit indicated by a two-dot chain line. When the laser light 41 is not irradiated onto the powder chip 11, the circuit portion indicated by the two-dot chain line does not occur. Resonance frequency of the second tank circuit is assumed to be f n.

次に、図5〜図9を参照して、上記構造を有するパウダーチップ11を備えた基体シートに対してパウダーチップ11の存在位置と周波数応答特性を確認するシステムを説明する。   Next, with reference to FIGS. 5 to 9, a system for confirming the presence position and frequency response characteristics of the powder chip 11 with respect to the base sheet provided with the powder chip 11 having the above structure will be described.

図5において、基体シート31の表面または内部の適宜な箇所に上記のパウダーチップ11が設けられている。パウダーチップ11の表面に形成された構造は前述の通りである。実際上、パウダーチップ11は微細なものである。ただし、図5では誇張してパウダーチップ11は描かれている。また基体シート31は例えばプラスチックシートや紙、紙幣、カードなどである。パウダーチップ11に対して、基体シート31の表面には全体として閉じたループ状のアンテナ線32が設けられている。アンテナ線32は導体線で作られている。またアンテナ線32は、その一部に、上記パウダーチップ11の周囲を囲むように配置される周回導線部32aが形成されている。周回導線部32aは、パウダーチップ11の表面上の上記コイル14と磁気結合の作用を生じる部分である。   In FIG. 5, the powder chip 11 is provided at an appropriate location on the surface or inside of the base sheet 31. The structure formed on the surface of the powder chip 11 is as described above. In practice, the powder chip 11 is fine. However, in FIG. 5, the powder chip 11 is exaggerated. The base sheet 31 is, for example, a plastic sheet, paper, banknote, card or the like. With respect to the powder chip 11, a loop-shaped antenna wire 32 that is closed as a whole is provided on the surface of the base sheet 31. The antenna wire 32 is made of a conductor wire. In addition, the antenna wire 32 is formed with a part of the conductor wire portion 32 a disposed so as to surround the periphery of the powder chip 11. The circular conducting wire portion 32 a is a portion that produces a magnetic coupling action with the coil 14 on the surface of the powder chip 11.

図5で、さらに、符号33はプローブ装置を指している。プローブ装置33は、基体シート31がパウダーチップ11を有しているか否か、あるいは当該パウダーチップ11のタンク回路21の共振周波数特性がどのようなものであるかを検出するための装置である。換言すれば、基体シート31において所要の共振周波数(f)を有するパウダーチップ11の存在位置と周波数応答特性を確認するための装置である。プローブ装置33は、発振器34とサーキュレータ35と同軸線路(伝送線路)36とループ状導線で形成されるプローブアンテナ37とによって構成されている。発振器34は特性検出プローブのための周波数f を含む高周波信号を発生する。発振器34から出力された高周波信号はサーキュレータ35および同軸線路36を経由してプローブアンテナ37へ供給される。プローブアンテナ37は高周波信号を供給すると、電磁波を放射する。図5に示すようなプローブ装置33のプローブアンテナ37と基体シート21のアンテナ線32との位置関係によれば、プローブアンテナ37から放射された電磁波がアンテナ線32に受信される。さらに当該高周波信号は、アンテナ線32の周回導線部32aを介して、パウダーチップ11のコイル14に入射されることになる。 Further, in FIG. 5, reference numeral 33 indicates a probe device. The probe device 33 is a device for detecting whether the base sheet 31 has the powder chip 11 or what the resonance frequency characteristic of the tank circuit 21 of the powder chip 11 is. In other words, this is an apparatus for confirming the presence position and frequency response characteristics of the powder chip 11 having the required resonance frequency (f 0 ) in the base sheet 31. The probe device 33 includes an oscillator 34, a circulator 35, a coaxial line (transmission line) 36, and a probe antenna 37 formed of a looped conductor. The oscillator 34 generates a high frequency signal including the frequency f 0 for the characteristic detection probe. The high frequency signal output from the oscillator 34 is supplied to the probe antenna 37 via the circulator 35 and the coaxial line 36. When the probe antenna 37 supplies a high-frequency signal, it emits electromagnetic waves. According to the positional relationship between the probe antenna 37 of the probe device 33 and the antenna line 32 of the base sheet 21 as shown in FIG. 5, the electromagnetic wave radiated from the probe antenna 37 is received by the antenna line 32. Further, the high-frequency signal is incident on the coil 14 of the powder chip 11 through the circuit lead portion 32 a of the antenna wire 32.

また図5において、符号41は、オン・オフ(ON/OFF)信号で変調された可視のレーザ光であり、パルスレーザ光である。オン・オフの周波数はf であるとする。パルスレーザ光41は図4で説明したレーザ光41と同じである。図5では、説明の便宜上、パルスレーザ光41は基体シート31上のパウダーチップ11に集中して照射されるように描かれている。パルスレーザ光41においてオフ状態であるときにはパウダーチップ11にレーザ光が照射されず、前述のホトコンダクティブ膜20は導電性を有さず、タンク回路21の共振周波数はfに設定される。パルスレーザ光41においてオン状態であるときにはパウダーチップ11にレーザ光41が照射され、前述のホトコンダクティブ膜20は導電性を示し、タンク回路21ではコンデンサ素子C2が生じるので、タンク回路21で生じる振動周波数(f)は共振周波数fからシフトした状態になる。 In FIG. 5, reference numeral 41 denotes a visible laser beam modulated by an ON / OFF signal, which is a pulse laser beam. Frequency of the on-off is assumed to be f 1. The pulse laser beam 41 is the same as the laser beam 41 described in FIG. In FIG. 5, for convenience of explanation, the pulsed laser light 41 is drawn so as to be focused on the powder chip 11 on the base sheet 31. Not laser light irradiating the powder chip 11 when in the OFF state in the pulse laser light 41, photo-Conductive film 20 described above has no conductivity, the resonant frequency of the tank circuit 21 is set to f 0. When the pulse laser beam 41 is in the on state, the laser beam 41 is irradiated to the powder chip 11, the photoconductive film 20 described above exhibits conductivity, and the capacitor circuit C 2 is generated in the tank circuit 21. The frequency (f n ) is shifted from the resonance frequency f 0 .

パルスレーザ光41のオン状態(図中「ON」と表記)とオフ状態(図中「OFF」と表記)は、実際には明確に立ち上がりよく変化して切り替わるものではない。通常、切り替わりの状態では過渡的な変化を生じる。   In actuality, the pulsed laser light 41 is not switched between an ON state (denoted as “ON” in the figure) and an OFF state (denoted as “OFF” in the figure) that clearly changes with good rise. Usually, a transitional change occurs in the switching state.

次に、上記のパウダーチップ11およびアンテナ線32を有する基体シート31に対して、プローブ装置33か高周波電磁波が与えられている状態で、パルスレーザ光41が照射されたときの動作例を反射波の観点で説明する。この反射波の観点での動作例は、アンテナ線32がプローブアンテナ37から受信した電磁波をプローブアンテナ37に対して反射する動作の例である。   Next, an example of operation when the pulse laser beam 41 is irradiated to the base sheet 31 having the powder chip 11 and the antenna wire 32 in a state where the probe device 33 or the high-frequency electromagnetic wave is applied is reflected waves. From the viewpoint of The operation example in terms of the reflected wave is an example of an operation in which the antenna line 32 reflects the electromagnetic wave received from the probe antenna 37 to the probe antenna 37.

反射波に関する動作例の結果を図6と図7に示す。図6のグラフで、横軸は周波数を、縦軸は反射係数(dB)を示す。図7は反射波の波形例を示す。   The result of the operation example regarding a reflected wave is shown in FIG. 6 and FIG. In the graph of FIG. 6, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents reflection coefficient (dB). FIG. 7 shows a waveform example of the reflected wave.

パルスレーザ光41がオフ状態で基体シート31のパウダーチップ11に光が照射されていないときには、タンク回路21は第1のタンク回路の共振周波数f に設定される。プローブアンテナ37から供給されかつアンテナ線32および周回導線部32aを介してコイル14に入射された高周波は吸収され、アンテナ線32から反射波は減少する。反射波の大小は、プローブ装置33におけるサーキュレータ35の分岐出力端35aの出力状態で検知することができる。この動作状態は、図6のスペクトル特性51で示され、かつ図7の波形状態61で示されている。図6におけるfはアンテナ線32とパウダーチップ11の総合共振周波数であり、パウダーチップ11単独の周波数からずれる。 When the pulse laser beam 41 is off and the powder chip 11 of the base sheet 31 is not irradiated with light, the tank circuit 21 is set to the resonance frequency f 0 of the first tank circuit. The high frequency waves supplied from the probe antenna 37 and incident on the coil 14 via the antenna wire 32 and the winding conductor portion 32a are absorbed, and the reflected wave decreases from the antenna wire 32. The magnitude of the reflected wave can be detected in the output state of the branch output end 35 a of the circulator 35 in the probe device 33. This operating state is indicated by the spectral characteristic 51 of FIG. 6 and by the waveform state 61 of FIG. In FIG. 6, f 0 is the total resonance frequency of the antenna wire 32 and the powder chip 11, and deviates from the frequency of the powder chip 11 alone.

またパルスレーザ光41がオン状態で基体シート31のパウダーチップ11に光が照射されるときには、タンク回路21は第2のタンク回路となり、その共振周波数(振動周波数)は共振周波数f からシフトするので、プローブアンテナ37から供給されかつアンテナ線32および周回導線部32aを介してコイル14に入射された高周波の吸収量は減少し、アンテナ線32からの反射波が増加する。パルスレーザ光41の光の強度に応じて反射係数が変化するので、光の強度に応じて反射波のレベルも変化する。この動作状態は、図6の特性52,53で示され、かつ図7の波形状態62で示されている。図6の特性52、および図7の波形状態62は、強い光に対応してホトコンダクティブ膜が十分に低抵抗になりスイッチとして動作する場合の動作状態を示している。 Also when the pulse laser light 41 is light in powder chip 11 of the base sheet 31 in the on state is irradiated, the tank circuit 21 becomes the second tank circuit, the resonant frequency (vibration frequency) is shifted from the resonance frequency f 0 Therefore, the amount of high-frequency absorption supplied from the probe antenna 37 and incident on the coil 14 via the antenna wire 32 and the loop conductor portion 32a decreases, and the reflected wave from the antenna wire 32 increases. Since the reflection coefficient changes according to the intensity of the pulsed laser light 41, the level of the reflected wave also changes according to the intensity of the light. This operating state is indicated by the characteristics 52 and 53 in FIG. 6 and by the waveform state 62 in FIG. A characteristic 52 in FIG. 6 and a waveform state 62 in FIG. 7 show an operation state when the photoconductive film has a sufficiently low resistance corresponding to strong light and operates as a switch.

また光の強度が弱い場合の動作状態の一例は、図6では特性53で示され、図7では模式的に波形状態63で示される。   An example of the operation state when the light intensity is low is indicated by a characteristic 53 in FIG. 6 and schematically indicated by a waveform state 63 in FIG.

図7に示した反射波60の波形例において、波形部分60Aは、タンク回路21の共振に対応する被変調反射波の波形である。この被変調反射波60Aは、周波数fで変調されて60Bのエンベロープを生じる。このように、基体シート31に対して図6に示す周波数fの高周波を放射するプローブローブ装置33のプローブアンテナ37では、パウダーチップ11に照射されるパルスレーザ光41のオン・オフの状態に応じて反射波60を取り出すことができる。こうしてプローブ装置33のサーキュレータ35の分岐出力端35aから反射波に係る信号(反射波信号)を取り出すことができる。 In the waveform example of the reflected wave 60 shown in FIG. 7, the waveform portion 60 </ b> A is a waveform of the modulated reflected wave corresponding to the resonance of the tank circuit 21. This modulated reflected wave 60A produces an envelope of 60B is modulated at a frequency f 1. As described above, in the probe antenna 37 of the probe lobe device 33 that radiates the high frequency of the frequency f 0 shown in FIG. 6 with respect to the base sheet 31, the pulse laser light 41 irradiated on the powder chip 11 is turned on / off. Accordingly, the reflected wave 60 can be extracted. In this way, a signal (reflected wave signal) related to the reflected wave can be extracted from the branch output end 35a of the circulator 35 of the probe device 33.

上記の反射波60の周波数スペクトルを図8に示す。図8において横軸は周波数、縦軸は反射波の強度を示す。周波数fで変調された周波数fの高周波信号(反射波)は、搬送波として位置づけられるメインバンド71(周波数f)と、両側に位置する2つのサイドバンド72,73(周波数f−f,f+f)とが現れる。パルスレーザ光41のオン・オフさせる信号の周波数f を高くすると、メインバンドとサイドバンドの分離性が良好になり、周波数f の信号の取り出しが確実になる。 The frequency spectrum of the reflected wave 60 is shown in FIG. In FIG. 8, the horizontal axis indicates the frequency, and the vertical axis indicates the intensity of the reflected wave. A high-frequency signal (reflected wave) having a frequency f 0 modulated by the frequency f 1 includes a main band 71 (frequency f 0 ) positioned as a carrier wave and two side bands 72 and 73 (frequency f 0 -f) positioned on both sides. 1 , f 0 + f 1 ) appears. When the frequency f 1 of the signal for turning on / off the pulse laser beam 41 is increased, the separation between the main band and the side band is improved, and the extraction of the signal of the frequency f 1 is ensured.

プローブ装置33のサーキュレータ35の分岐出力端35aから出力される反射波60に係る信号に基づき、共振周波を検知することにより、基体シート31に含まれるパウダーチップ11の存在位置と周波数応答特性を知ることができる。こうして基体シート31に付加されたパウダーチップ11の有するタンク回路の共振特性(共振周波数等)の情報を得ることができる。   By detecting the resonance frequency based on the signal related to the reflected wave 60 output from the branch output end 35a of the circulator 35 of the probe device 33, the existence position and the frequency response characteristic of the powder chip 11 included in the base sheet 31 are known. be able to. Thus, information on the resonance characteristics (resonance frequency, etc.) of the tank circuit of the powder chip 11 added to the base sheet 31 can be obtained.

上記の周波数特性抽出装置の原理は、図9の(A)と(B)を参照して説明される。図9で(A)は反射波のスペクトルを示し、(B)は変調スペクトルを示している。   The principle of the above frequency characteristic extraction apparatus will be described with reference to FIGS. 9A and 9B. In FIG. 9, (A) shows the spectrum of the reflected wave, and (B) shows the modulation spectrum.

図9(A)で横軸は周波数を、縦軸は反射波の反射係数を示す。図9(A)に示された特性81では、共振周波数fはピーク位置で与えられる。 In FIG. 9A, the horizontal axis indicates the frequency, and the vertical axis indicates the reflection coefficient of the reflected wave. In the characteristics shown 81 in FIG. 9 (A), the resonance frequency f 0 is given by the peak position.

図9の(B)に示された変調スペクトル82は、周波数f1のパルスレーザ光41でパウダーチップ11のタンク回路の共振特性を変調したときに、反射高周波の片側サイドバンド(f−f)を復調して得た変調波の周波数スペクトルである。光を当てる変調は共振周波数特性をシフトさせるように動作するので、周波数スペクトル82はスペクトル81を周波数で微分した形のスペクトルとして得られる。f成分だけなので、このスペクトル82はパルスレーザ光41で変調されたパウダーチップ11からの信号である。変調法を採用しないと、プローブアンテナ37からの反射波には自身の大きな反射波が含まれるのでサーキュレータ35からの出力の絶対値からパウダーチップ11の共振特性による小さな反射成分を観察するのは困難である。しかし、変調法によればf成分を他の成分から分離できる。図9の(B)においてはパウダーチップ11の共振周波数はスペクトルがゼロを横切る周波数として定義できる。ピークの位置を決めるのは誤差を生じるがスペクトルがシャープにゼロを横切る周波数は格段に正確に読み取れる。これは異なる周波数のパウダーチップ11の共振周波数をデータして用いるとき、有効数字の大きさとして価値を高める。異なる周波数特性のパウダーチップ11を横に例えば3個並べて、周波数をIDとして用いるなら、2桁の有効数字なら100の3乗、即ち6桁の有効数字のIDになるが、3桁の有効数字なら1000の3乗、即ち9桁の数字のID表現になる。 The modulation spectrum 82 shown in FIG. 9B shows the one side band (f 0 −f 1) of the reflected high frequency when the resonance characteristic of the tank circuit of the powder chip 11 is modulated by the pulse laser beam 41 having the frequency f 1. ) Is a frequency spectrum of a modulated wave obtained by demodulating. Since the modulation applied with light operates to shift the resonance frequency characteristic, the frequency spectrum 82 is obtained as a spectrum obtained by differentiating the spectrum 81 with respect to the frequency. Since there is only f 1 component, this spectrum 82 is a signal from the powder chip 11 modulated by the pulse laser beam 41. If the modulation method is not employed, the reflected wave from the probe antenna 37 includes its own large reflected wave, so it is difficult to observe a small reflected component due to the resonance characteristics of the powder chip 11 from the absolute value of the output from the circulator 35. It is. However, according to the modulation method, the f 1 component can be separated from other components. In FIG. 9B, the resonance frequency of the powder chip 11 can be defined as the frequency at which the spectrum crosses zero. Determining the peak position causes an error, but the frequency at which the spectrum sharply crosses zero can be read much more accurately. This increases the value as the size of significant figures when using the resonance frequency of the powder chip 11 having a different frequency as data. If, for example, three powder chips 11 having different frequency characteristics are arranged side by side and the frequency is used as an ID, if it is a two-digit significant number, it will be the cube of 100, that is, a six-digit significant number ID, but a three-digit significant number Then, it becomes 1000 to the third power, that is, the 9-digit number ID expression.

次に図10を参照して本発明に係るパウダーチップの他の実施形態を説明する。図10は、図2と同様なパウダーチップ91の平面図を示す。図10において、図2で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付している。この実施形態に係るパウダーチップ91の疑似的コンデンサ要素15−2において、2つの上側電極92a,92bのそれぞれの対向辺の縁部形状は櫛型形状を有し、2つの上側電極92a,92bの間に蛇行形状のスリット隙間93が形成されている。スリット隙間93は平行な多数のスリットの部分を含んでいる。スリット隙間93は可能な限り狭く作られており、かつ蛇行形状によって全体として隙間の長さおよび面積を大きくしている。蛇行形状のスリット隙間93の各スリットの本数としては任意であり、例えば250本である。またスリット隙間93を形成する各スリットの長さは例えば100μmである。スリット隙間93の蛇行形状によって隙間の道のりを増すようにしている。   Next, another embodiment of the powder chip according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows a plan view of a powder tip 91 similar to FIG. 10, elements that are substantially the same as the elements described in FIG. In the pseudo capacitor element 15-2 of the powder chip 91 according to this embodiment, the edge shape of the opposing sides of the two upper electrodes 92a and 92b has a comb shape, and the two upper electrodes 92a and 92b have a comb shape. A meandering slit gap 93 is formed therebetween. The slit gap 93 includes a number of parallel slit portions. The slit gap 93 is made as narrow as possible, and the overall length and area of the gap are increased by the meandering shape. The number of each slit in the meandering slit gap 93 is arbitrary, for example, 250. The length of each slit forming the slit gap 93 is 100 μm, for example. The meandering shape of the slit gap 93 increases the distance of the gap.

なお、スリット隙間93が形成される領域は、上側電極92a,92bのそれぞれの対向部の辺の長さを大きくすることにより、広い面積を有する領域部として作ることも可能である。   The region where the slit gap 93 is formed can be made as a region portion having a wide area by increasing the length of the side of each of the opposing portions of the upper electrodes 92a and 92b.

さらに、本発明に係るパウダーチップの他の変更実施形態として、パウダーチップの表面における、コイル14と、コンデンサ要素15−1および疑似的コンデンサ要素15−2の各電極または電極パッドとの上下の位置関係を反対にすることもできる。   Furthermore, as another modified embodiment of the powder chip according to the present invention, the upper and lower positions of the coil 14 and each electrode or electrode pad of the capacitor element 15-1 and the pseudo capacitor element 15-2 on the surface of the powder chip You can also reverse the relationship.

上記の実施形態の説明では、パウダーチップ11に形成されたタンク回路21のキャパシタンス要素のキャパシタンスをホトコンダクティブ膜と光照射により変化させ、タンク回路周波数を変化させたが、コイルの長さを変えたり線間リークを生じさせる等してインダクタンス要素のインダクタンスを変化させてタンク回路の周波数を変化させることができる。   In the description of the above embodiment, the capacitance of the capacitance element of the tank circuit 21 formed on the powder chip 11 is changed by the photoconductive film and light irradiation, and the tank circuit frequency is changed. However, the length of the coil is changed. The frequency of the tank circuit can be changed by changing the inductance of the inductance element, for example, by causing a leak between lines.

以上の実施形態で説明された構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎない。従って本発明は、説明された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。   The configurations, shapes, sizes, and arrangement relationships described in the above embodiments are merely schematically shown to the extent that the present invention can be understood and implemented. Therefore, the present invention is not limited to the described embodiments, and can be variously modified without departing from the scope of the technical idea shown in the claims.

例えば、本実施形態では反射波に基づく検知の例を示したが、吸収率または透過率に基づく検知の例であっても同様な効果を奏することができる。   For example, in the present embodiment, an example of detection based on a reflected wave has been shown, but the same effect can be achieved even with an example of detection based on an absorptance or transmittance.

本発明に係る基体またはパウダーチップ等は、安価な方法で紙や薄いプラスチクス、または紙幣等に付加され、紙を特定したり紙幣偽造等を防止するのに利用される。   The substrate, powder chip, or the like according to the present invention is added to paper, thin plastics, bills, or the like by an inexpensive method, and is used to specify paper or prevent forgery of bills.

本発明の実施形態に係る基体(パウダーチップ)の斜視図である。It is a perspective view of a base (powder chip) according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係るパウダーチップの平面図である。It is a top view of the powder chip concerning this embodiment. 図2におけるA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line in FIG. 本実施形態に係るパウダーチップに形成されるタンク回路の等価回路を示す電気回路図である。It is an electric circuit diagram which shows the equivalent circuit of the tank circuit formed in the powder chip concerning this embodiment. パウダーチップを備えた基体シートの当該パウダーチップの存在位置と周波数応答特性を確認するシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the system which confirms the presence position and frequency response characteristic of the said powder chip | tip of the base material sheet provided with the powder chip | tip. パウアダーチップの反射波の発生状態を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the generation | occurrence | production state of the reflected wave of a powder chip. 変調反射波の変化状態を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the change state of a modulation | alteration reflected wave. 反射波に関する周波数スペクトルを示す特性図である。It is a characteristic view which shows the frequency spectrum regarding a reflected wave. 反射波の検出の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of a detection of a reflected wave. 本発明の他の実施形態に係るパウダーチップの平面図である。It is a top view of the powder chip concerning other embodiments of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 パウダーチップ(基体)
12 基板
13 絶縁層
14 コイル
15 コンデンサ(キャパシタ)
15−1 コンデンサ要素
15−2 疑似的コンデンサ要素
16 上側電極
17a,17b 上側電極
18 絶縁層
19 絶縁層
20 ホトコンダクティブ膜(光導電膜)
21 タンク回路
31 基体シート
32 アンテナ線
33 プローブ装置
37 プローブアンテナ
41 パルスレーザ光
11 Powder chip (base)
12 Substrate 13 Insulating layer 14 Coil 15 Capacitor
15-1 Capacitor element 15-2 Pseudo capacitor element 16 Upper electrode 17a, 17b Upper electrode 18 Insulating layer 19 Insulating layer 20 Photoconductive film (photoconductive film)
21 Tank circuit 31 Base sheet 32 Antenna wire 33 Probe device 37 Probe antenna 41 Pulse laser beam

Claims (14)

インダクタンス要素とキャパシタンス要素の少なくとも一方が備えられ、前記インダクタンス要素と前記キャパシタンス要素の一部または全部を覆うように光導電膜が設けられ、光を前記光導電膜に照射することにより前記インダクタンス要素のインダクタンスおよび/または前記キャパシタンス要素のキャパシタンスを変化させることを特徴とする基体。   At least one of an inductance element and a capacitance element is provided, a photoconductive film is provided so as to cover part or all of the inductance element and the capacitance element, and light of the photoconductive film is irradiated to emit light. Substrate characterized by varying inductance and / or capacitance of said capacitance element. 前記インダクタンス要素を成す電気回路素子と前記キャパシタンス要素を成す電気回路素子はタンク回路を形成し、前記光導電膜への前記光の照射で前記タンク回路の共振周波数を変化させることを特徴とする請求項1記載の基体。   The electrical circuit element forming the inductance element and the electrical circuit element forming the capacitance element form a tank circuit, and the resonance frequency of the tank circuit is changed by irradiating the photoconductive film with the light. Item 4. The substrate according to Item 1. 前記光はレーザ光であることを特徴とする請求項1または2記載の基体。   3. The substrate according to claim 1, wherein the light is a laser beam. 前記レーザ光はオン・オフ信号で変調されたパルスレーザ光であることを特徴とする請求項3記載の基体。   4. The substrate according to claim 3, wherein the laser beam is a pulsed laser beam modulated by an on / off signal. 全体の形態が接続端子を持たない粒子状のパウダーチップであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の基体。   The substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the whole form is a particulate powder chip having no connection terminal. 基板と、
前記基板上に形成されたインダクタンス要素と、
前記インダクタンス要素の第1と第2の端部電極の間に配置される第1上側電極と、
前記インダクタンス要素の前記第1端部電極に対向する第1導体部と前記第2端部電極に対向する第2導体部を有し、前記第1導体部と前記第2導体部は隙間を介して配置されている第2上側電極と、
前記第2上側電極の上面で前記隙間を含む領域を覆うように形成された光導電膜と、を備え、
前記光導電膜にレーザ光が照射されないとき、前記インダクタンス要素と前記第1上側電極による第1キャパシタンス要素とによって第1のタンク回路が形成され、
前記光導電膜にレーザ光が照射されるとき、前記第2上側電極は前記インダクタンス要素の前記第1および第2の端部電極の間に接続される第2キャパシタンス要素となり、前記インダクタンス要素と、前記第1キャパシタンス要素と、前記第2キャパシタンス要素とによって第2のタンク回路が形成されることを特徴とする基体。
A substrate,
An inductance element formed on the substrate;
A first upper electrode disposed between the first and second end electrodes of the inductance element;
The inductance element has a first conductor portion that faces the first end electrode and a second conductor portion that faces the second end electrode, and the first conductor portion and the second conductor portion have a gap therebetween. A second upper electrode arranged
A photoconductive film formed so as to cover a region including the gap on the upper surface of the second upper electrode,
When the photoconductive film is not irradiated with laser light, a first tank circuit is formed by the inductance element and a first capacitance element by the first upper electrode,
When the photoconductive film is irradiated with laser light, the second upper electrode becomes a second capacitance element connected between the first and second end electrodes of the inductance element, and the inductance element; A base body characterized in that a second tank circuit is formed by the first capacitance element and the second capacitance element.
前記第1のタンク回路は第1の共振周波数(f)を有し、前記第2のタンク回路は前記第1の共振周波数(f)とは異なる第2の共振周波数(f)を有し、この第2の共振周波数(f)は前記レーザ光のオン・オフに応じて変化することを特徴とする請求項6記載の基体。 The first tank circuit has a first resonance frequency (f 0 ), and the second tank circuit has a second resonance frequency (f n ) different from the first resonance frequency (f 0 ). The substrate according to claim 6, wherein the second resonance frequency (f n ) changes according to on / off of the laser beam. 前記光導電膜の材質はGaAsまたはTiOであることを特徴とする請求項6または7記載の基体。 Claim 6 or 7 substrate, wherein the material of the photoconductive layer is GaAs or TiO 2. 前記第2上側電極で前記第1導体膜と前記第2導体膜のそれぞれの対向する縁部は櫛型形状を有していることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の基体。   The edge part which each said 1st conductor film and said 2nd conductor film opposes in said 2nd upper side electrode has a comb shape, It is any one of Claims 6-8 characterized by the above-mentioned. Substrate. 前記レーザ光は、周波数(f)のオン・オフ信号で変調されたパルスレーザ光であることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の基体。 The substrate according to any one of claims 6 to 9, wherein the laser beam is a pulsed laser beam modulated by an on / off signal having a frequency (f 1 ). 前記インダクタンス要素は、前記基板の絶縁膜上に形成された少なくとも1巻きのスパイラル状のコイルであることを特徴とする請求項6記載の基体。   The base body according to claim 6, wherein the inductance element is at least one spiral coil formed on an insulating film of the substrate. 全体の形態が接続端子を持たない粒子状のパウダーチップであることを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載の基体。   The substrate according to any one of claims 6 to 11, wherein the whole form is a particulate powder chip having no connection terminal. 基体シート上に配置される請求項1または6に記載された基体と、
前記基体シート上に配置され、前記基体の前記インダクタンス要素と磁気結合するように設けられた周回導体線を有するアンテナ線と、
前記基体シートから空間的に離れて配置され、前記アンテナ線と電磁結合されるプローブアンテナと、このプローブアンテナにプローブ信号を出力する発振器とを備え、前記発振信号に基づく電磁波を前記プローブアンテナにより前記アンテナ線に入射し、前記アンテナ線から信号を検出する検出装置と、から構成され、
前記基体シート上の前記基体に対して前記レーザ光としてオン・オフ信号で変調されたパルスレーザ光が照射されたとき、前記検出装置は、レーザ光のオン・オフ時に相当する信号を検出することを特徴とする基体の存在位置と周波数応答特性の確認システム。
A substrate according to claim 1 or 6 disposed on a substrate sheet;
An antenna wire disposed on the base sheet and having a circular conductor wire provided to be magnetically coupled to the inductance element of the base;
A probe antenna that is spatially separated from the base sheet and electromagnetically coupled to the antenna line; and an oscillator that outputs a probe signal to the probe antenna, the electromagnetic wave based on the oscillation signal being transmitted by the probe antenna. A detector that is incident on an antenna line and detects a signal from the antenna line,
When the pulsed laser light modulated by the on / off signal is applied as the laser light to the base on the base sheet, the detection device detects a corresponding signal when the laser light is turned on / off. A system for checking the presence position and frequency response characteristics of a substrate characterized by
前記検出装置は、変調信号を抽出する抽出手段を備え、得られたタンク回路の周波数スペクトルより前記基体の周波数特性を確認し、前記基体の存在を確認することを特徴とする請求項13記載の基体の存在位置と周波数応答特性の確認システム。   The said detection apparatus is provided with the extraction means which extracts a modulation signal, The frequency characteristic of the said base | substrate is confirmed from the frequency spectrum of the obtained tank circuit, The presence of the said base | substrate is confirmed. A system for checking the position of the substrate and frequency response characteristics.
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