JP2008197624A - 反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子 - Google Patents

反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子 Download PDF

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Abstract

【課題】光およびフォトレジスト自体の厚さによって生じる定常波を除去し、安定した超微細パターンを形成可能な有機反射防止重合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下記の一般式Ｉ等で表される重合体化合物。
Figure 2008197624

例えば、２４８ｎｍ（ＡｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）および１５７ｎｍ（Ｆ2）レ−ザ−を利用するリソグラフィー工程においては下部膜の反射を防止することができ、且つ光およびフォトレジスト自らの厚さの変化によって生じる定常波を除去することができる。
【選択図】なし

Description

本発明は半導体素子の製造工程中、２４８ｎｍ ＫｒＦ、１９３ｎｍ ＡｒＦおよび１５７ｎｍ Ｆ2レーザーによる、リソグラフィー用フォトレジストを使用した超微細パターン形成工程において、下部膜層の反射を防止して光およびフォトレジスト自体の厚さ変化によって生じる定在波を除去することができる反射防止用有機物質に関し、特に、６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇ ＤＲＡＭの超微細パターンの形成時に使用できる有機拡散反射防止重合体およびその製造方法に関する。また、本発明はこのような有機拡散反射防止重合体を含む拡散反射防止組成物と、これを用いた反射防止膜およびその製造方法に関する。
半導体の製造工程中、超微細パターン形成工程ではウェーハの下部膜層の光学的性質および減光膜厚さの変動による定在波（ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ）、反射ノッチ（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｎｏｔｃｈｉｎｇ）と下部膜からの回折光および反射光によるＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の変動が不可避に起こる。したがって、露光源で使用する光の波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入し、下部膜層で反射を防止できる膜層を導入することが提案されている。この膜が反射防止膜（ＡＲＣ、ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅｃｏａｔｉｎｇ）である。
反射防止膜は使用される物質の種類によって大きく無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分されるか、その機構（ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）によって吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分類される。３６５ｎｍ波長のＩ−線（Ｉ−ｌｉｎｅ）を用いた微細パターン形成工程では主に無機系反射防止膜が使用され、吸収系としてはＴｉＮおよび無定型カーボン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｃ）が、干渉系としては主にＳｉＯＮが使用されてきた。
ＫｒＦ光を用いた超微細パターン形成工程では主に無機系としてＳｉＯＮが使用されてきたが、近年の趨勢では、反射防止膜に有機系化合物が使用されるようになってきている。今までの動向に鑑みるとき、既存のＫｒＦ用有機反射防止膜の多くは次のような基本条件を要する。
第一に、工程適用の際、フォトレジストが溶媒によって溶解されて剥がれる現象が起こらないこと。このためには成形膜が架橋構造をなすように設計される必要があり、副産物として化学物質が生じてはならない。
第二に、反射防止膜への酸またはアミン合成物の出入りがあってはならない。酸が移行する場合はパターンの下面に「アンダーカッティング」が発生し、アミンのような塩基が移行する場合には「フッティング」現象が生ずる傾向があるからである。
第三に、フォトレジスト層をマスクとして利用してエッチングプロセスを効果的に行い得るために、反射防止膜はフォトレジスト層に比べて速いエッチング速度を持たなければならない。
第四に、反射防止膜は薄膜として機能すべきである。
ＡｒＦビームを用いる超微細パターン形成プロセスにおいてはまだ適切な反射防止膜が開発されていない。さらに、無機系反射防止膜の場合には１９３ｎｍ光源からの干渉を制御する物質が知られていないので、現在でも反射防止膜に有機系化合物を使用しようとする研究が進められている。
従って、すべての有機反射防止膜において、リソグラフィ・プロセスの際に発生する定在波および光反射を防止し、下部層からの回折および反射光の影響を除去するために、特定波長に対する光吸収度の大きい有機反射防止膜を使用および開発する必要がある。
特許文献１ではこのような有機系反射防止膜を開示しているが、これはフォトリソグラフィーのような感光層の下部に導入され、反射光の欠点を除去する役目を果たす。この反射防止膜は光吸収染料成分を含み、均一薄膜の形態を有するものであり、これを導入すれば、従来は基板から反射された光を吸収して鋭い減光膜パターンを製造することができると述べられている。しかし、従来のＤＵＶ用ＡＲＣはその構成が複雑でかつ材料の選定に制限が多く、これによって工程に容易に適用するのは難しいという問題点がある。従来の反射防止膜の組成物にはたとえば上記の米国特許に開示されている成分として、ポリアミン酸（ｐｏｌｙａｍｉｃａｃｉｄ）、クルクミン（ｃｕｒｃｕｍｉｎ）、ビキシン（ｂｉｘｉｎ）、スーダンオレンジＧ（ｓｕｄａｎ ｏｒａｎｇｅ Ｇ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）の６種類化合物の混合物からなるものであった。これは各成分が特定波長の光を吸収する染料系統の化合物４種類と、これらを溶解させるための溶媒２種類からなっているが、構成成分が複雑でかつ調剤が容易ではない上、多成分系という点等から、のちに反射防止膜の上部に塗布されるレジスト組成物と相互混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）されると望ましくない結果を招くという問題も有している。
米国特許第４，９１０，１２２号明細書
そこで、本発明の目的は半導体素子の製造の際、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）および２４８ｎｍ（ＫｒＦ）ビ−ムを用いて超微細パタ−ンを形成するフォトリソグラフィ工程における、反射防止膜に適宜に用いられる新規の化合物質を含有する反射防止膜用組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記反射防止用の化合物を含有する反射防止膜の製造方法を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、前記反射防止膜用組成物を使用して形成された半導体素子を提供することにある。
本発明のＡＲＣ樹脂は下記の一般式ＩとＩＩとで表される重合体から成るグル−プの中から選択されたいずれかである。
Figure 2008197624
Figure 2008197624
 上式中、RI、RII、RIIIはそれぞれ水素またはメチル基、
R1乃至R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ５のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカン、
ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比、
ｍ、nはそれぞれ１〜４の定数をそれぞれ示している。
一般式Ｉの好ましい化合物において、ｍは１または２、ｎは１乃至４の定数である。一般式ＩＩの好ましい化合物において、ｍは１または２、ｎは２乃至４の定数である。
一般式ＩとＩＩとを基本構造とする重合体に化学式1乃至1８のいずれかの一つまたは組合わせたものを添加することによって得られた本発明に係る反射防止膜は、反射防止膜として有するべき十分な吸光度を満たす発色団の置換基を含有する。これによって、本発明による重合体を、半導体製造の際の超微細パタ−ン形成工程における反射防止膜として使用することができる。例えば、２４８ｎｍ（ＡｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）および１５７ｎｍ（Ｆ2）レ−ザ−を利用するリソグラフィー工程においては下部膜の反射を防止することができると共に、光およびフォトレジスト自らの厚さの変化によって生じる定常波を除去することができる。それによって、６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇ、１６ＧＤＲＡＭの安定した超微細パタ−ンを形成することができるので、製品の歩留り率が増大する。
以下、発明の好適な実施形態についてより詳しく説明する。
一般式Ｉで表される重合体化合物は、９−アントラセンメチルアクリレート系又は９−アントラセンメチルメタクリレート系の単量体と、ヒドロキシアルキルアクリレート系又はヒドロキシアルキルメタクリレート系の単量体と、グリシジルアクリレート系又はグリシジルメタクリレート系の単量体とを開始剤と共に溶媒中で重合反応させることによって得られる。
これらの３種類の単量体のモル比は０．０１〜０．９９：０．０１〜０．９９：０．０１〜０．９９であり、好ましくは５：３：２である。
一般式IIで表される重合体化合物は、９−アントラセンメチルアクリレート系又は９−アントラセンメチルメタクリレート系の単量体と、ヒドロキシアルキルアクリレート系又はヒドロキシアルキルメタクリレート系の単量体と、グリシジルアクリレート系又はグリシジルメタクリレート系の単量体と、メチルメタクリレート系の単量体とを開始剤と共に溶媒中で重合反応させることによって得られる。
これらの４種類の単量体のモル比は０．０１〜０．９９：０．０１〜０．９９：０．０１〜０．９９：０．０１〜０．９９であり、好ましくは３：３：２：２である。
重合体ＩまたはＩＩのいずれの場合も、使用する開始剤は、２，２−アゾビスイソブチロニトリル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、ｔ−過酸化ブチルから成るグループから選択された少なくともいずれか１つである。また、使用する溶媒は、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトン、またはジオキサンから成るグループから選択された少なくともいずれか１つである。
重合反応は、５０〜９０℃の温度範囲で行われることが望ましい。
本発明には、重合体Ｉまたは重合体ＩＩを含有し、半導体製造工程に使われる反射防止膜が含まれ、更には、重合体Iまたは重合体IIに下記の表１の化学式１乃至１８で表される化合物から成るグループの中から選択された少なくとも１つの化合物を添加剤として加えたものを含有する反射防止膜も含まれる。
Figure 2008197624
 （ここで、R5、R6およびR7はそれぞれ水素またはメチル基、ヒドロキシメチル、または置換並びに非置換された直鎖並びに分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカンを示している。）
また、重合体Ｉまたは重合体ＩＩを有機溶媒に溶解させた後、あるいは重合体Ｉまたは重合体ＩＩを有機溶媒に溶解させてからさらに上記の表１の化合物からなるグループの中から選択された少なくとも１つの化合物を添加剤として完全に溶解させた後、この溶媒を濾過してウェーハに塗布し、かつハードベーキングすることにより半導体製造工程に用いる反射防止膜を製造することができる。
この製造方法において、特に有機溶媒は重合体の重量当たり２００〜５０００重量％が用いられ、ハードベーキング工程の温度は１００〜３００℃で行われることが望ましい。
有機溶媒は、エチル−３−エトキシプロピオネート、メチル−３−メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートから成るグループの中から選択されたいずれかであることが望ましい。
また、添加剤を加える場合には、０．１〜３０重量％の添加剤を使用することが望ましい。
この反射防止膜の製造方法および反射防止膜を用いて製造された半導体素子も、本発明に含まれる。
以下、本発明の好適な実施例について説明する。本実施例は本発明の権利範囲を限定するものではなく、ただ例示として提示されたものである。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレートの合成
９−アントラセンメタノール０．５モルとピリジン０．５モルとをテトラヒドロフランに溶解させた後、アクリロイルクロライド０．５モルを加える。反応の完了後、溶液を濾過して酢酸エチルで抽出する。この抽出物を蒸溜水で数回洗って、減圧下で蒸留器により乾燥すると、下記の化学式１９のような９−アントラセンメチルアクリレートが得られる(歩留り率８４％)。
Figure 2008197624
 ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
前記のように合成された９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
実施例１で合成された９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は７９％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルアクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、およびグリシジルアクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、4−ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルアクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレートの合成
９−アントラセンメタノール０．５モルとピリジン０．５モルとをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタクリロイルクロライド０．５モルを加える。反応の完了後、溶液を濾過して酢酸エチルで抽出する。この抽出物を蒸溜水で数回洗って、減圧下で蒸留器により乾燥すると、下記の化学式２０のような９−アントラセンメチルメタクリートが得られる(歩留り率８３％)。
Figure 2008197624
 ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８３％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、4−ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は７９％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、およびグリシジルアクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、4−ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルアクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、およびグリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は７９％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルアクリレート０．５モル、4−ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルアクリレート−(4−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は７９％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、３−ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(３−ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(４−ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、4−ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
ポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(4ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、4ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ[９−アントラセンメチルメタクリレート−(4ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８1％であった。
ポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体の合成
９−アントラセンメチルメタクリレート０．５モル、２−ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、およびメチルメタクリレート０．２モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２，２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．1ｇ〜３ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃乃至７０℃温度で５〜２０時間反応させる。反応終了後、その溶液をエチルエ−テルまたはノ−マル−ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、本実施例による重合体のポリ［９−アントラセンメチルメタクリレート−(２−ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート]共重合体が得られる。この時の歩留り率は８０％であった。
反射防止膜の製造方法
例えば、実施例１から２２にて得られたような前記一般式ＩまたＩＩの化学構造を有する重合体(樹脂)をプロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセタ−ト(ＰＧＭＥＡ)の２００〜５０００重量％の溶媒に溶解する。この溶液に、前述の表１の化学式１乃至1８の化合物から成るグル−プの中から選択された少なくとも一つまたは組合わせたもの０．1〜３０重量％を添加する。続いて、この合成物を濾過してワイパ−上に塗布し、コ−ティングされたワイパ−をハ−ドベ−キング(例えば、1００〜３００℃で1０〜1０００秒の間)する。その後、形成された反射防止膜の上に、通常の方法によって感光物質を加えたり、超微細パタ−ンを形成したりすることができる。

Claims (9)

  1. 下記の一般式ＩＩで表される重合体を含み、半導体製造工程に使われる反射防止膜用組成物。
    Figure 2008197624
     （上式中、R、RI、RII、RIIIはそれぞれ水素またはメチル基、
    R1乃至R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカン、
    ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比、
    ｍ、nはそれぞれ１〜４の定数を示している。）
  2. 下記の一般式ＩＩで表される重合体と、添加剤として下記の表１の化学式１乃至１８で表される化合物から成るグル−プの中から選択された少なくともいずれか１つの化合物とを含む反射防止膜用組成物。
    Figure 2008197624
     （上式中、R、RI、RII、RIIIはそれぞれ水素またはメチル基、
    R1乃至R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカン、
    ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比、
    ｍ、nはそれぞれ１〜４の定数を示している。）
    Figure 2008197624
     （ここで、R5、R6およびR7はそれぞれ水素またはメチル基、ヒドロキシメチル、または置換並びに非置換された直鎖並びに分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカンを示している。）
  3. 下記の一般式ＩＩで表される重合体を有機溶媒に溶解させた後、この溶液を濾過してウェーハに塗布し、かつハ−ドベ−キングすることからなる半導体製造工程に使用される反射防止膜の製造方法。
    Figure 2008197624
     （上式中、R、RI、RII、RIIIはそれぞれ水素またはメチル基、
    R1乃至R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカン、
    ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比、
    ｍ、nはそれぞれ１〜４の定数を示している。）
  4. 重合体の重量当たり２００〜５０００重量％の前記有機溶媒が用いられ、前記ハ−ドベ−キング工程の温度は１００〜３００℃で行われる請求項３に記載の方法。
  5. 下記の一般式ＩＩで表される重合体を有機溶媒に溶解させた後、下記の表２の化合物からなるグル−プの中で選択された一つまたは二つ以上の化合物を添加剤として添加して完全に溶解させ、濾過した溶液をウェーハに塗布し、かつハ−ドベ−キングすることからなる半導体製造工程に用いる反射防止膜の製造方法。
    Figure 2008197624
     （上式中、R、RI、RII、RIIIはそれぞれ水素またはメチル基、
    R1乃至R9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカン、
    ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比、
    ｍ、nはそれぞれ１〜４の定数を示している。）
    Figure 2008197624
     （ここで、R5、R6およびR7はそれぞれ水素またはメチル基、ヒドロキシメチル、または置換並びに非置換された直鎖並びに分岐鎖Ｃ1〜Ｃ5のアルキル、アルカン、アルコキシアルキルまたはアルコキシアルカンを示している。）
  6. 重合体の重量当たり２００〜５０００重量％の前記有機溶媒が用いられ、前記ハ−ドベ−キング工程の温度は１００〜３００℃で行われる請求項５に記載の方法。
  7. 前記有機溶媒はエチル−３−エトキシプロピオネート、メチ−３−メトキシプロピオネ−ト、シクロヘキサノン、プロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセタ−トから成るグル−プの中から選択されたいずれかである請求項３または請求項５に記載の製造方法。
  8. 前記添加剤は０．１〜３０重量％が用いられた請求項５に記載の製造方法。
  9. 前記請求項１または請求項２に記載の反射防止膜用組成物を用いて製造された半導体素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107185A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100395904B1 (ko) * 1999-04-23 2003-08-27 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100310252B1 (ko) * 1999-06-22 2001-11-14 박종섭 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
KR100427440B1 (ko) * 1999-12-23 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
KR100355604B1 (ko) * 1999-12-23 2002-10-12 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
KR100549574B1 (ko) * 1999-12-30 2006-02-08 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사 방지막용 중합체 및 그의 제조방법
US6444408B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-03 International Business Machines Corporation High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists
KR100574486B1 (ko) * 2000-06-30 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687851B1 (ko) * 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100721182B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100687850B1 (ko) * 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100721181B1 (ko) * 2000-06-30 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
KR100504436B1 (ko) * 2000-12-29 2005-07-29 주식회사 하이닉스반도체 포토 레지스트용 중합체 및 이의 제조 방법
KR20020090584A (ko) * 2001-05-28 2002-12-05 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사 방지막용 고분자 수지, 및 이를 이용하는ＫｒＦ 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물
KR100351459B1 (ko) * 2001-05-30 2002-09-05 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법
US6670425B2 (en) 2001-06-05 2003-12-30 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating of polymer with epoxide rings reacted with light attenuating compound and unreacted epoxide rings
US6893684B2 (en) * 2001-06-05 2005-05-17 Brewer Science Inc. Anti-reflective coating compositions for use with low k dielectric materials
KR20030059970A (ko) * 2002-01-04 2003-07-12 주식회사 몰커스 패턴 무너짐 현상을 극복하기 위한 유기 난반사 방지막조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR100480235B1 (ko) * 2002-07-18 2005-04-06 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
US7361447B2 (en) 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
TWI363251B (en) 2003-07-30 2012-05-01 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
JP2005059064A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Corp 加工方法及び半導体装置の製造方法
WO2005055248A2 (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers
KR101156973B1 (ko) * 2005-03-02 2012-06-20 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물
WO2008080201A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Francisco Mathieu Copolymer of methyl methacrylate and anthracenyl methacrylate
US7847013B2 (en) * 2007-06-19 2010-12-07 Cheil Industries Inc. Glycidyl-, OH-, COOH- and aryl-(meth)acrylate copolymer for color filter
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
KR100944227B1 (ko) 2007-12-17 2010-02-24 제일모직주식회사 방향족 산 분해성 기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물 및감광성 고분자 및 레지스트 조성물
KR100952465B1 (ko) * 2007-12-18 2010-04-13 제일모직주식회사 방향족 (메타)아크릴레이트 화합물 및 감광성 고분자, 및레지스트 조성물
US20100015550A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Weihong Liu Dual damascene via filling composition
KR101259001B1 (ko) 2009-12-01 2013-04-29 영창케미칼 주식회사 유기 반사방지막 형성용 조성물 및 이를 포함하는 유기 반사방지막
JP7297559B2 (ja) * 2019-06-28 2023-06-26 東京応化工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び硬化物
CN115725216B (zh) * 2022-10-26 2023-10-24 北京科华微电子材料有限公司 一种底部抗反射涂层组合物及其用途

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635201A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用下地材及びそれを用いたパターン形成方法
JPH07316268A (ja) * 1993-07-20 1995-12-05 Wako Pure Chem Ind Ltd 遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン形成方法
JPH10204328A (ja) * 1996-06-11 1998-08-04 Shipley Co Llc 反射防止コーティング組成物
JPH10330432A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Clariant Japan Kk 光吸収性ポリマー、光吸収膜形成性組成物及び光吸収膜とそれを用いた反射防止膜
JPH11133618A (ja) * 1997-02-07 1999-05-21 Shipley Co Llc 光酸発生剤をしてなる反射防止コーティング組成物
JPH11258814A (ja) * 1998-01-15 1999-09-24 Shipley Co Llc 高正角性抗反射コ―ティング組成物
JP2000143937A (ja) * 1998-11-16 2000-05-26 Jsr Corp 反射防止膜形成組成物
JP2000294504A (ja) * 1999-03-08 2000-10-20 Shipley Co Llc フォトレジストレリーフイメージの形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4413052A (en) * 1981-02-04 1983-11-01 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerization process employing compounds containing acryloyl group and anthryl group
JPS59231531A (ja) * 1983-06-13 1984-12-26 Agency Of Ind Science & Technol 感光性高分子材料
US6165697A (en) * 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
TW457403B (en) * 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom
KR100395904B1 (ko) * 1999-04-23 2003-08-27 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635201A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用下地材及びそれを用いたパターン形成方法
JPH07316268A (ja) * 1993-07-20 1995-12-05 Wako Pure Chem Ind Ltd 遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン形成方法
JPH10204328A (ja) * 1996-06-11 1998-08-04 Shipley Co Llc 反射防止コーティング組成物
JPH11133618A (ja) * 1997-02-07 1999-05-21 Shipley Co Llc 光酸発生剤をしてなる反射防止コーティング組成物
JPH10330432A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Clariant Japan Kk 光吸収性ポリマー、光吸収膜形成性組成物及び光吸収膜とそれを用いた反射防止膜
JPH11258814A (ja) * 1998-01-15 1999-09-24 Shipley Co Llc 高正角性抗反射コ―ティング組成物
JP2000143937A (ja) * 1998-11-16 2000-05-26 Jsr Corp 反射防止膜形成組成物
JP2000294504A (ja) * 1999-03-08 2000-10-20 Shipley Co Llc フォトレジストレリーフイメージの形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107185A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物

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