JP2008185670A - Organic electroluminescence display device, control method of organic electroluminescence display device, and electronic equipment - Google Patents

Organic electroluminescence display device, control method of organic electroluminescence display device, and electronic equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To attain smooth image display by suppressing an image persistence phenomenon induced by difference in luminance degradation caused by the temperature in an organic EL element. <P>SOLUTION: A degradation amount in the emission luminance of each display pixel is detected by an emission luminance change detection unit 508 based on the detection output of each light receiving element in a light receiving element group 38, as well as a change amount in temperature in each pixel is detected by a temperature change detection unit 511 based on the detection output of a temperature detection unit 40 that uses the same organic EL element as in the pixel as a detection element. The emission luminance of the organic EL element is controlled so that the degradation amount of the luminance caused by the temperature of the organic EL element is fixed by reflecting the degradation amount in luminance of each display pixel on the change amount in temperature in each pixel by a data normalization processing unit 512. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL(Electro Luminescence)表示装置、有機EL表示装置の制御方法および電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL (Electro Luminescence) display device, a control method for an organic EL display device, and an electronic apparatus.

近年、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、有機EL素子などの自発光素子を表示素子として用いたパネル型の表示装置(ディスプレイ)の開発が為されている。この種の表示装置は、一般に、自発光素子をマトリクス状に多数配置することによって画面部(表示パネル)が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像の表示が行われる。   In recent years, panel-type display devices (displays) using self-luminous elements such as light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LD), and organic EL elements as display elements have been developed. In this type of display device, generally, a screen portion (display panel) is configured by arranging a large number of self-light-emitting elements in a matrix, and each element is selectively made to emit light according to a video signal, thereby displaying an image. Is done.

表示媒体として、テレビジョン受像機、コンピュータモニター、携帯情報端末などに代表されるように、我々の日常生活の中でディスプレイは大きな役割を担っている。インターネットの進展に伴い、ヒューマンインターフェイスとしてのディスプレイの重要性は益々大きくなっている。このような状況下で、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画に遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度、高速応答のディスプレイが要求されている。   As a display medium, a display plays a big role in our daily life, as represented by a television receiver, a computer monitor, a portable information terminal, and the like. With the development of the Internet, the importance of displays as human interfaces is increasing. Under such circumstances, there is a demand for a high-resolution, high-speed display that is easy on the eyes, easy to see on a high-definition screen, and can be clearly displayed without delay in moving images.

自発光素子を用いた表示装置は、非自発光素子を用いた表示装置、例えば液晶を用いた液晶表示装置(LCD;(Liquid Crystal Display)に比べて、バックライトが不要なために、薄型化、軽量化を実現でき、消費電力の点でも有利であるなどの利点がある。特に、有機EL素子を用いた有機EL表示装置は、視野角が広く、視認性が高いこと、素子の応答速度が速いことなどから、近年注目されている。   A display device using a self-light emitting element is thinner than a display device using a non-self light emitting element, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal (LCD; (Liquid Crystal Display), because a backlight is unnecessary. The organic EL display device using an organic EL element has a wide viewing angle, high visibility, and a response speed of the element. Has been attracting attention in recent years.

これに対して、有機EL素子には、発光に伴う発熱などによって各有機層が劣化し、発光輝度が低下するとともに、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の問題がある。また、有機EL素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流が比例して大きくなり、結果的に発光輝度と比例関係にあるために、デバイスの劣化を促進する傾向にある。   On the other hand, the organic EL element has a problem of deterioration over time such that each organic layer is deteriorated due to heat generated by light emission, the light emission luminance is lowered, and light emission itself is unstable. In addition, organic EL elements exhibit light-emitting diode characteristics, and the current flowing through the device increases proportionally with increasing temperature. As a result, the organic EL element has a proportional relationship with the emission luminance, and thus tends to promote device degradation. .

その対策のために、従来は、電流量と発光輝度との比例関係を利用して、デバイスに流れる電流量を抑制することによって温度上昇による輝度劣化を抑えるようにしていた(例えば、特許文献1参照)。   As a countermeasure, conventionally, a luminance relationship due to a rise in temperature is suppressed by suppressing the amount of current flowing through the device by using a proportional relationship between the amount of current and light emission luminance (for example, Patent Document 1). reference).

また、走査線とデータ線との交差点の画素近傍に温度センサを配置し、当該温度センサが検出する周囲温度の変化に応じて走査線を駆動する駆動電圧の電圧レベルを制御することにより、周囲温度が変化しても均一で明るい表示を行うようにしていた(例えば、特許文献2参照)。   In addition, a temperature sensor is arranged near the pixel at the intersection of the scanning line and the data line, and the voltage level of the driving voltage for driving the scanning line is controlled in accordance with the change in the ambient temperature detected by the temperature sensor. Even when the temperature changes, uniform and bright display is performed (for example, see Patent Document 2).

特開2003−323152号公報JP 2003-323152 A 特開2003−157050号公報JP 2003-157050 A

しかしながら、特許文献1記載の従来技術では、デバイスに流れる電流量を抑制するようにしているために、電流量の制御によって発光輝度が低下し、良好な画像表示を提供できないなどの問題があった。   However, in the conventional technique described in Patent Document 1, since the amount of current flowing through the device is suppressed, there is a problem in that light emission luminance decreases due to control of the amount of current and a good image display cannot be provided. .

一方、有機EL素子は発光輝度-印加電圧特性の温度依存性がデバイスごとに異なる。したがって、特許文献2記載の従来技術のように、温度センサの検出出力だけを用いて発光輝度の制御を行うと、デバイス(有機EL素子)個々の発光輝度-印加電圧特性の温度に起因する変化の違いに対応できないなどの問題がある。   On the other hand, the temperature dependence of light emission luminance-applied voltage characteristics varies depending on the device. Therefore, when the emission luminance is controlled using only the detection output of the temperature sensor as in the prior art described in Patent Document 2, the change caused by the temperature of the emission luminance-applied voltage characteristics of each device (organic EL element). There are problems such as not being able to cope with the difference.

また、先述したように、有機EL素子は、発光ダイオード特性を示し、温度によって発光輝度が変化する温度特性を持っている。そして、ある一定輝度で発光させたとき、有機EL素子の温度が高ければ高い程相対輝度が劣化し易くなる。具体的には、図22に示すように、横軸を駆動時間、縦軸を相対輝度とし、駆動時間が0のときの相対輝度を1とすると、駆動時間が長くなるに連れて相対輝度が劣化するとともに、その輝度劣化曲線が温度によって異なる。   In addition, as described above, the organic EL element exhibits a light emitting diode characteristic, and has a temperature characteristic in which the light emission luminance varies depending on the temperature. When light is emitted with a certain luminance, the higher the temperature of the organic EL element, the more easily the relative luminance is degraded. Specifically, as shown in FIG. 22, if the horizontal axis is the driving time, the vertical axis is the relative luminance, and the relative luminance when the driving time is 0 is 1, the relative luminance increases as the driving time increases. In addition to deterioration, the luminance deterioration curve varies depending on the temperature.

表示エリア全域において、温度が異なる箇所で相対輝度に差があると、この相対輝度の差が人間の目にいわゆる焼付き現象として見える。すなわち、デバイスの温度起因による輝度劣化の違いによって焼付き現象が発生する。   If there is a difference in relative luminance at different temperatures throughout the display area, this difference in relative luminance appears as a so-called burn-in phenomenon to the human eye. That is, a burn-in phenomenon occurs due to a difference in luminance deterioration due to the temperature of the device.

このような温度起因による相対輝度の劣化の違いに対しては、単にデバイスに流れる電流量を抑制したり、温度センサの検出出力だけを用いて制御したりするだけでは補正することが困難であり、上記特許文献1,2記載の従来技術を用いたとしても、有機EL素子の温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することはできない。   It is difficult to correct the difference in relative luminance degradation caused by temperature by simply suppressing the amount of current flowing through the device or controlling it using only the detection output of the temperature sensor. Even if the conventional techniques described in Patent Documents 1 and 2 are used, it is not possible to suppress the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in relative luminance degradation caused by the temperature of the organic EL element.

そこで、本発明は、有機EL素子の温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制し、滑らかな画像表示を実現可能な表示装置、当該表示装置の制御方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has a display device capable of suppressing a burn-in phenomenon caused by a difference in luminance deterioration due to temperature of the organic EL element and realizing a smooth image display, a control method for the display device, and the display device. An object is to provide electronic equipment.

上記目的を達成するために、本発明では、一対の基板間に形成された有機EL素子を含む画素が複数配置されてなる有機EL表示装置において、一対の基板のうちの一方の基板に、有機EL素子の各々に対応して受光素子を配置し、当該受光素子によって有機EL素子の漏れ光を検出することによって有機EL素子個々の輝度を検出するとともに、有機EL素子の相対輝度の劣化分を検出する一方、機EL素子と同じ素子からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に有機EL素子の温度を検出し、この検出結果に相対輝度の劣化分を反映させて、有機EL素子の温度起因による輝度劣化量が一定になるように有機EL素子の発光輝度を制御する構成を採っている。   In order to achieve the above object, according to the present invention, in an organic EL display device in which a plurality of pixels including an organic EL element formed between a pair of substrates are arranged, one of the pair of substrates has an organic A light receiving element is arranged corresponding to each EL element, and the light receiving element detects leakage light of the organic EL element to detect the luminance of each organic EL element, and the deterioration of the relative luminance of the organic EL element is reduced. On the other hand, the temperature of the organic EL element is detected on the basis of the generated current-applied voltage characteristics of the detection element using a detection element composed of the same element as the EL element, and the deterioration of the relative luminance is reflected in the detection result. Thus, the light emission luminance of the organic EL element is controlled so that the luminance deterioration amount due to the temperature of the organic EL element becomes constant.

上記構成の有機EL表示装置および当該表示装置を用いた電子機器において、有機EL素子と同じ素子からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に有機EL素子個々の温度を検出するとともに、有機EL素子個々の輝度情報を用いて有機EL素子の相対輝度の劣化分を検出し、有機EL素子個々の温度情報のみならず、有機EL素子の相対輝度の劣化情報をも用いて、有機EL素子個々の発光輝度の制御を行うことで、有機EL素子の温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制できる。   In the organic EL display device having the above-described configuration and the electronic device using the display device, the temperature of each organic EL element is determined based on the generated current-applied voltage characteristics of the detection element using a detection element made of the same element as the organic EL element. And the deterioration of relative luminance of the organic EL element is detected using the luminance information of each organic EL element, and not only the temperature information of each organic EL element but also the deterioration information of the relative luminance of the organic EL element is obtained. By using and controlling the light emission luminance of each organic EL element, it is possible to suppress the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in luminance deterioration due to the temperature of the organic EL element.

本発明によれば、有機EL素子個々の温度情報のみならず、有機EL素子の相対輝度の劣化情報をも用いて有機EL素子の発光輝度を制御することにより、有機EL素子の温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制できるために、滑らかな画像表示を実現できる。   According to the present invention, the luminance due to the temperature of the organic EL element is controlled by controlling the light emission luminance of the organic EL element using not only the temperature information of each organic EL element but also the deterioration information of the relative luminance of the organic EL element. Since the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in deterioration can be suppressed, a smooth image display can be realized.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(パネル構成)
図1は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置のパネル構成を示すブロック図である。
(Panel configuration)
FIG. 1 is a block diagram showing a panel configuration of an active matrix organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、画素(PXLC)20が行列状(マトリクス状)に2次元配置されてなる画素アレイ部11と、当該画素アレイ部11の周辺に配置され、各画素20を発光駆動する駆動回路、例えば書き込み走査回路12、電源供給走査回路13および水平駆動回路14とを有する構成となっている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 10 according to the present embodiment includes a pixel array unit 11 in which pixels (PXLC) 20 are two-dimensionally arranged in a matrix (matrix shape), and the pixel array unit 11. A driving circuit that is arranged in the periphery and drives each pixel 20 to emit light, such as a writing scanning circuit 12, a power supply scanning circuit 13, and a horizontal driving circuit 14, is provided.

画素アレイ部11には、m行n列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線15−1〜15−mと電源供給線16−1〜16−mとが配線され、画素列ごとに信号線17−1〜17−nが配線されている。   The pixel array unit 11 is provided with scanning lines 15-1 to 15-m and power supply lines 16-1 to 16-m for each pixel row with respect to the pixel array of m rows and n columns, and for each pixel column. In addition, signal lines 17-1 to 17-n are wired.

画素アレイ部11は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型(フラット型)のパネル構造となっている。画素アレイ部11の各画素20は、アモルファスシリコンTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンTFTを用いて形成することができる。   The pixel array unit 11 is usually formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate, and has a flat (flat) panel structure. Each pixel 20 of the pixel array unit 11 can be formed using an amorphous silicon TFT (Thin Film Transistor) or a low-temperature polysilicon TFT.

低温ポリシリコンTFTを用いて画素20を形成する場合は、書き込み走査回路12、電源供給走査回路13および水平駆動回路14についても、画素アレイ部11を形成する表示パネル(基板)18上に実装することができる。   When the pixel 20 is formed using the low-temperature polysilicon TFT, the writing scanning circuit 12, the power supply scanning circuit 13, and the horizontal driving circuit 14 are also mounted on the display panel (substrate) 18 that forms the pixel array unit 11. be able to.

書き込み走査回路12は、シフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部11の各画素20への映像信号の書き込みに際して、走査線15−1〜15−mに順次走査信号WS1〜WSmを供給して画素20を行単位で線順次走査する。   The writing scanning circuit 12 includes a shift register or the like, and sequentially supplies scanning signals WS1 to WSm to the scanning lines 15-1 to 15-m when writing video signals to the respective pixels 20 of the pixel array unit 11. 20 is line-sequentially scanned line by line.

電源供給走査回路13は、シフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路12による線順次走査に同期して、第1電位Vccpと当該第1電位Vccpよりも低い第2電位Viniで切り替わる電源供給線電位DS1〜DSmを電源供給線16−1〜16−mに供給する。ここで、第2電位Viniは、水平駆動回路14から与えられるオフセット電圧Vofsよりも十分に低い電位である。   The power supply scanning circuit 13 is configured by a shift register or the like, and is synchronized with the line sequential scanning by the write scanning circuit 12 and switched between a first potential Vccp and a second potential Vini lower than the first potential Vccp. DS1 to DSm are supplied to the power supply lines 16-1 to 16-m. Here, the second potential Vini is a potential sufficiently lower than the offset voltage Vofs given from the horizontal drive circuit 14.

水平駆動回路14は、信号供給源(図示せず)から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Vsigとオフセット電圧Vofsのいずれか一方を適宜選択し、信号線17−1〜17−nを介して画素アレイ部11の各画素20に対して例えば行単位で一斉に書き込む。すなわち、水平駆動回路14は、入力信号電圧Vsigを行(ライン)単位で一斉に書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。   The horizontal drive circuit 14 appropriately selects one of the signal voltage Vsig and the offset voltage Vofs of the video signal according to the luminance information supplied from a signal supply source (not shown), and the signal lines 17-1 to 17-. For example, data is written all at once to each pixel 20 of the pixel array unit 11 via n. That is, the horizontal drive circuit 14 employs a line-sequential writing drive mode in which the input signal voltage Vsig is written all at once in a row (line) unit.

(画素回路)
図2は、画素(画素回路)20の具体的な構成例を示す回路図である。図2に示すように、画素20は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子21を発光素子として有し、当該有機EL素子21に加えて、駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23、保持容量24および補助容量25を有する構成となっている。
(Pixel circuit)
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of the pixel (pixel circuit) 20. As shown in FIG. 2, the pixel 20 includes a current-driven electro-optical element, for example, an organic EL element 21, whose light emission luminance changes according to a current value flowing through the device, and the organic EL element 21 includes In addition, the driving transistor 22, the writing transistor 23, the storage capacitor 24, and the auxiliary capacitor 25 are provided.

ここで、駆動トランジスタ22および書き込みトランジスタ23としてNチャネル型のTFTが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ22および書き込みトランジスタ23の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。   Here, N-channel TFTs are used as the drive transistor 22 and the write transistor 23. However, the combination of the conductivity types of the driving transistor 22 and the writing transistor 23 here is only an example, and is not limited to these combinations.

有機EL素子21は、全ての画素20に対して共通に配線された共通電源供給線19にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ22は、ソースが有機EL素子21のアノード電極に接続され、ドレインが電源供給線16(16−1〜16−m)に接続されている。   The organic EL element 21 has a cathode electrode connected to a common power supply line 19 wired in common to all the pixels 20. The drive transistor 22 has a source connected to the anode electrode of the organic EL element 21 and a drain connected to the power supply line 16 (16-1 to 16-m).

書き込みトランジスタ23は、ゲートが走査線15(15−1〜15−m)に接続され、ソースが信号線17(17−1〜17−n)に接続され、ドレインが駆動トランジスタ22のゲートに接続されている。保持容量24は、一端が駆動トランジスタ22のゲートに接続され、他端が駆動トランジスタ22のソース(有機EL素子21のアノード電極)に接続されている。   The writing transistor 23 has a gate connected to the scanning line 15 (15-1 to 15-m), a source connected to the signal line 17 (17-1 to 17-n), and a drain connected to the gate of the driving transistor 22. Has been. The storage capacitor 24 has one end connected to the gate of the drive transistor 22 and the other end connected to the source of the drive transistor 22 (the anode electrode of the organic EL element 21).

補助容量25は、一端が駆動トランジスタ22のソースに接続され、他端が有機EL素子21のカソード電極(共通電位供給線19)に接続されている。この補助容量25は、有機EL素子21に対して並列に接続されることで、当該有機EL素子21の容量不足を補う作用をなす。すなわち、補助容量25は必須の構成要素ではなく、有機EL素子21の容量が十分である場合は補助容量25を省略することが可能である。   The auxiliary capacitor 25 has one end connected to the source of the driving transistor 22 and the other end connected to the cathode electrode (common potential supply line 19) of the organic EL element 21. The auxiliary capacitor 25 is connected in parallel to the organic EL element 21 to compensate for the capacity shortage of the organic EL element 21. That is, the auxiliary capacitor 25 is not an essential component, and the auxiliary capacitor 25 can be omitted when the capacity of the organic EL element 21 is sufficient.

かかる構成の画素20において、書き込みトランジスタ23は、書き込み走査回路12から走査線15を通してゲートに印加される走査信号WSに応答して導通状態となることにより、信号線17を通して水平駆動回路14から供給される輝度情報に応じた映像信号の入力信号電圧Vsigまたはオフセット電圧Vofsをサンプリングして画素20内に書き込む。この書き込まれた入力信号電圧Vsigまたはオフセット電圧Vofsは保持容量24に保持される。   In the pixel 20 having such a configuration, the writing transistor 23 is supplied from the horizontal driving circuit 14 through the signal line 17 by being turned on in response to the scanning signal WS applied from the writing scanning circuit 12 to the gate through the scanning line 15. The input signal voltage Vsig or the offset voltage Vofs of the video signal corresponding to the luminance information is sampled and written into the pixel 20. The written input signal voltage Vsig or offset voltage Vofs is held in the holding capacitor 24.

駆動トランジスタ22は、電源供給線16(16−1〜16−m)の電位DSが第1電位Vccpにあるときに、電源供給線16から電流の供給を受けて、保持容量24に保持された入力信号電圧Vsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給することによって当該有機EL素子21を電流駆動する。   When the potential DS of the power supply line 16 (16-1 to 16-m) is at the first potential Vccp, the drive transistor 22 is supplied with current from the power supply line 16 and is held in the storage capacitor 24. By supplying the organic EL element 21 with a drive current having a current value corresponding to the voltage value of the input signal voltage Vsig, the organic EL element 21 is driven by current.

(回路動作)
次に、本実施形態に係る有機EL表示装置10の回路動作について、図3のタイミングチャートを用いて説明する。
(Circuit operation)
Next, the circuit operation of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.

図3のタイミングチャートでは、時間軸を共通にして、1H(Hは水平走査時間)における走査線15(15−1〜15−m)の電位(走査信号)WSの変化、電源供給線16(16−1〜16−m)の電位DSの変化、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびソース電位Vsの変化を表している。また、時刻t2までは、走査線15の電位(走査信号)WSの波形を一点鎖線で示し、電源供給線16の電位DSを点線で示すことで、両者を識別できるようにしている。時刻t3以降については両者共実線で示している。   In the timing chart of FIG. 3, with a common time axis, the change in potential (scanning signal) WS of the scanning line 15 (15-1 to 15-m) at 1H (H is the horizontal scanning time), the power supply line 16 ( 16-1 to 16-m), and changes in the gate potential Vg and the source potential Vs of the driving transistor 22 are shown. Until time t2, the waveform of the potential (scanning signal) WS of the scanning line 15 is indicated by a one-dot chain line, and the potential DS of the power supply line 16 is indicated by a dotted line so that the two can be identified. After time t3, both are indicated by solid lines.

<発光期間>
図3のタイミングチャートにおいて、時刻t1以前は有機EL素子21が発光状態にある(発光期間)。この発光期間では、電源供給線16の電位DSが高電位Vccp(第1電位)にあり、電源供給線16から駆動トランジスタ22を通して有機EL素子21に駆動電流(ドレイン・ソース間電流)Idsが供給されるため、有機EL素子21が駆動電流Idsに応じた輝度で発光する。
<Light emission period>
In the timing chart of FIG. 3, before the time t1, the organic EL element 21 is in a light emission state (light emission period). In this light emission period, the potential DS of the power supply line 16 is at the high potential Vccp (first potential), and the drive current (drain-source current) Ids is supplied from the power supply line 16 to the organic EL element 21 through the drive transistor 22. Therefore, the organic EL element 21 emits light with a luminance corresponding to the drive current Ids.

<閾値補正準備期間>
そして、時刻t1になると線順次走査の新しいフィールドに入り、電源供給線16の電位DSが高電位Vccpから信号線17のオフセット電圧Vofsよりも十分に低い電位Vini(第2電位)に遷移すると、駆動トランジスタ22のソース電位Vsも低電位Viniに向けて下降を開始する。
<Threshold correction preparation period>
Then, at time t1, a new field of line sequential scanning is entered, and the potential DS of the power supply line 16 transitions from the high potential Vccp to a potential Vini (second potential) that is sufficiently lower than the offset voltage Vofs of the signal line 17. The source potential Vs of the drive transistor 22 also starts to decrease toward the low potential Vini.

次に、時刻t2で書き込み走査回路12から走査信号WSが出力され、走査線15の電位WSが高電位側に遷移することで、書き込みトランジスタ23が導通状態となる。このとき、水平駆動回路14から信号線17に対してオフセット電圧Vofsが供給されているために、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgがオフセット電圧Vofsになる。また、駆動トランジスタ22のソース電位Vsは、オフセット電圧Vofsよりも十分に低い電位Viniにある。   Next, at time t2, the scanning signal WS is output from the writing scanning circuit 12, and the potential WS of the scanning line 15 shifts to the high potential side, so that the writing transistor 23 becomes conductive. At this time, since the offset voltage Vofs is supplied from the horizontal drive circuit 14 to the signal line 17, the gate potential Vg of the drive transistor 22 becomes the offset voltage Vofs. Further, the source potential Vs of the drive transistor 22 is at a potential Vini that is sufficiently lower than the offset voltage Vofs.

ここで、低電位Viniについては、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが、当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthよりも大きくなるように設定しておくこととする。このように、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgをオフセット電圧Vofs、ソース電位Vsを低電位Viniにそれぞれ初期化することにより、閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきを補正(キャンセル)するための閾値補正動作の準備が完了する。   Here, the low potential Vini is set so that the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 is larger than the threshold voltage Vth of the drive transistor 22. As described above, the threshold potential correcting operation for correcting (cancelling) the variation of the threshold voltage Vth for each pixel by initializing the gate potential Vg of the driving transistor 22 to the offset voltage Vofs and the source potential Vs to the low potential Vini, respectively. Is ready.

<閾値補正期間>
次に、時刻t3で、電源供給線16の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthになり、当該閾値電圧Vthに相当する電圧が保持容量24に書き込まれる。
<Threshold correction period>
Next, when the potential DS of the power supply line 16 is switched from the low potential Vini to the high potential Vccp at time t3, the source potential Vs of the drive transistor 22 starts to rise. Eventually, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 becomes the threshold voltage Vth of the drive transistor 22, and a voltage corresponding to the threshold voltage Vth is written into the storage capacitor 24.

ここでは、便宜上、閾値電圧Vthに相当する電圧を保持容量24に書き込む期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、駆動トランジスタ22から供給される電流が専ら保持容量24側に流れ、有機EL素子21側には流れないようにするために、有機EL素子21がカットオフ状態となるように共通電源供給線34の電位Vcathを設定しておくこととする。   Here, for convenience, a period during which a voltage corresponding to the threshold voltage Vth is written to the storage capacitor 24 is referred to as a threshold correction period. In this threshold value correction period, the organic EL element 21 is cut off so that the current supplied from the drive transistor 22 flows exclusively to the storage capacitor 24 side and not to the organic EL element 21 side. As described above, the potential Vcath of the common power supply line 34 is set.

次に、時刻t4で走査線15の電位WSが低電位側に遷移することで、書き込みトランジスタ23が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲートがフローティング状態になるが、ゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに等しいために、当該駆動トランジスタ22はカットオフ状態にある。したがって、ドレイン−ソース間電流Idsは流れない。   Next, at time t4, the potential WS of the scanning line 15 shifts to the low potential side, so that the writing transistor 23 is turned off. At this time, the gate of the driving transistor 22 is in a floating state, but the driving transistor 22 is in a cutoff state because the gate-source voltage Vgs is equal to the threshold voltage Vth of the driving transistor 22. Therefore, the drain-source current Ids does not flow.

<書き込み期間/移動度補正期間>
次に、時刻t5で、信号線17の電位がオフセット電圧Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t6で、走査線15の電位WSが高電位側に遷移することで、書き込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングする。
<Writing period / mobility correction period>
Next, at time t5, the potential of the signal line 17 is switched from the offset voltage Vofs to the signal voltage Vsig of the video signal. Subsequently, at time t6, the potential WS of the scanning line 15 transitions to the high potential side, whereby the writing transistor 23 becomes conductive and the signal voltage Vsig of the video signal is sampled.

この書き込みトランジスタ23による入力信号電圧Vsigのサンプリングにより、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが入力信号電圧Vsigとなる。このとき、有機EL素子21は始めカットオフ状態(ハイインピーダンス状態)にあるために、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsは有機EL素子21の容量成分と補助容量25との合成容量に流れ込み、よって当該合成容量の充電が開始される。   By sampling the input signal voltage Vsig by the write transistor 23, the gate potential Vg of the drive transistor 22 becomes the input signal voltage Vsig. At this time, since the organic EL element 21 is initially in a cut-off state (high impedance state), the drain-source current Ids of the drive transistor 22 flows into the combined capacitance of the capacitance component of the organic EL element 21 and the auxiliary capacitor 25. Thus, charging of the combined capacity is started.

この合成容量の充電により、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇を開始し、やがて駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig+Vth−ΔVとなる。すなわち、ソース電位Vsの上昇分ΔVは、保持容量24に保持された電圧(Vsig+Vth)から差し引かれるように、換言すれば、保持容量24の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Vsの上昇分ΔVは負帰還の帰還量となる。   Due to the charging of the combined capacitance, the source potential Vs of the drive transistor 22 starts to rise, and the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 eventually becomes Vsig + Vth−ΔV. That is, the increase ΔV of the source potential Vs is subtracted from the voltage (Vsig + Vth) held in the holding capacitor 24, in other words, acts to discharge the charged charge of the holding capacitor 24, and negative feedback is applied. It will be. Therefore, the increase ΔV of the source potential Vs becomes a feedback amount of negative feedback.

このように、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsを当該駆動トランジスタ22のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Vgsに負帰還することにより、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。   As described above, the drain-source current Ids flowing through the drive transistor 22 is negatively fed back to the gate input of the drive transistor 22, that is, the gate-source voltage Vgs, so that the drain-source current Ids of the drive transistor 22 is reduced. Mobility correction is performed to cancel the dependence on the mobility μ, that is, to correct the variation of the mobility μ for each pixel.

より具体的には、映像信号の信号電圧Vsigが高いほどドレイン−ソース間電流Idsが大きくなるために、負帰還の帰還量(補正量)ΔVの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Vsigを一定とした場合、駆動トランジスタ22の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔVの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。   More specifically, since the drain-source current Ids increases as the signal voltage Vsig of the video signal increases, the absolute value of the feedback amount (correction amount) ΔV of negative feedback also increases. Therefore, the mobility correction according to the light emission luminance level is performed. Further, when the signal voltage Vsig of the video signal is constant, the absolute value of the feedback amount ΔV of the negative feedback increases as the mobility μ of the driving transistor 22 increases, so that variation in the mobility μ for each pixel is removed. Can do.

<発光期間>
次に、時刻t7で走査線15の電位WSが低電位側に遷移することで、書き込みトランジスタ23が非導通(オフ)状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲートは信号線17から切り離される。これと同時に、ドレイン−ソース間電流Idsが有機EL素子21に流れ始めることにより、有機EL素子21のアノード電位はドレイン−ソース間電流Idsに応じて上昇する。
<Light emission period>
Next, at time t7, the potential WS of the scanning line 15 transitions to the low potential side, so that the writing transistor 23 is turned off (off). As a result, the gate of the drive transistor 22 is disconnected from the signal line 17. At the same time, the drain-source current Ids starts to flow through the organic EL element 21, whereby the anode potential of the organic EL element 21 rises according to the drain-source current Ids.

有機EL素子21のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇に他ならない。駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇すると、保持容量24のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgも連動して上昇する。   The increase in the anode potential of the organic EL element 21 is nothing but the increase in the source potential Vs of the drive transistor 22. When the source potential Vs of the drive transistor 22 rises, the gate potential Vg of the drive transistor 22 also rises in conjunction with the bootstrap operation of the storage capacitor 24.

このとき、ゲート電位Vgの上昇量はソース電位Vsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig+Vth−ΔVで一定に保持される。そして、時刻t8で信号線17の電位が映像信号の信号電圧Vsigからオフセット電圧Vofsに切り替わる。   At this time, the increase amount of the gate potential Vg is equal to the increase amount of the source potential Vs. Therefore, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 is kept constant at Vsig + Vth−ΔV during the light emission period. At time t8, the potential of the signal line 17 is switched from the signal voltage Vsig of the video signal to the offset voltage Vofs.

(パネル構造)
続いて、本実施形態に係る有機EL表示装置10における表示パネル18のパネル構造について説明する。
(Panel structure)
Next, the panel structure of the display panel 18 in the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described.

<上面発光型有機EL表示装置のパネル構造>
図4は、上面発光型有機EL表示装置のパネル構造の概略を示す要部断面図である。
<Panel structure of top emission type organic EL display device>
FIG. 4 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of the panel structure of the top emission type organic EL display device.

図4に示すように、上面発光型有機EL表示装置10Aは、支持基板31と対向基板32とを有し、これら基板31,32間に挟持される形で有機EL素子21が設けられた構成となっている。支持基板31は、石英、ガラス等の透明基板やシリコン基板などの中から適宜選択されて用いられる。   As shown in FIG. 4, the top emission organic EL display device 10 </ b> A includes a support substrate 31 and a counter substrate 32, and the organic EL element 21 is provided so as to be sandwiched between the substrates 31 and 32. It has become. The support substrate 31 is appropriately selected from a transparent substrate such as quartz or glass, a silicon substrate, or the like.

ここでは、有機EL表示装置10Aの駆動方式として、先述したアクティブマトリクス方式を採用するものとする。ただし、有機EL表示装置10Aの駆動方式としては、アクティブマトリクス方式に限られるものではなく、パッシブマトリクス方式を採用した場合であっても、本発明は適用可能である。   Here, the above-described active matrix method is adopted as the driving method of the organic EL display device 10A. However, the driving method of the organic EL display device 10A is not limited to the active matrix method, and the present invention can be applied even when the passive matrix method is adopted.

支持基板31上には、有機EL素子21を含む画素20ごとに、有機EL素子21を駆動する回路素子、具体的には、先述した駆動トランジスタ22、書き込みトランジスタ23、保持容量24および補助容量25が形成される。   On the support substrate 31, for each pixel 20 including the organic EL element 21, a circuit element that drives the organic EL element 21, specifically, the drive transistor 22, the write transistor 23, the storage capacitor 24, and the auxiliary capacitor 25 described above. Is formed.

支持基板11上にはさらに、画素アレイ部11の周辺に配置され、各画素20を発光駆動する駆動回路、具体的には、先述した書き込み走査回路12、電源供給走査回路13および水平駆動回路14などが形成される。   Further, on the support substrate 11, a drive circuit that is disposed around the pixel array unit 11 and drives each pixel 20 to emit light, specifically, the above-described write scanning circuit 12, power supply scanning circuit 13, and horizontal drive circuit 14. Etc. are formed.

有機EL素子21は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子であり、支持基板31の一主面側中央部の表示領域にマトリクス状(行列状)に2次元配置されている。これら有機EL素子21は、それぞれが例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に発光するものであり、所定の配列形式に従って表示領域に配列されている。   The organic EL element 21 is a current-driven electro-optical element whose emission luminance changes according to the value of a current flowing through the device. The organic EL element 21 is arranged in a matrix (matrix) in the display area at the center of the main surface of the support substrate 31. Two-dimensional arrangement. Each of these organic EL elements 21 emits light of, for example, each of R (red), G (green), and B (blue), and is arranged in a display area according to a predetermined arrangement format.

また、有機EL素子21の相互間には、各有機EL素子21を分離する素子分離絶縁層33が形成されている。この素子分離絶縁層33の部分に、先述した走査線15や電源供給線16が画素行ごとに配線されることになる。   An element isolation insulating layer 33 that separates the organic EL elements 21 is formed between the organic EL elements 21. The scanning lines 15 and the power supply lines 16 described above are wired in the element isolation insulating layer 33 for each pixel row.

有機EL素子21は、支持基板31上に有機EL素子21ごとに配列形成される下部電極(アノード電極)34と、下部電極34上に形成され、各色に発光する発光層を含む有機層(電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層)35と、各有機層35および素子分離絶縁層33を覆う状態でベタ膜状に形成され、各有機EL素子21の共通電極となる上部電極(カソード電極)36とが順次積層されている。   The organic EL element 21 is an organic layer (electron layer) including a lower electrode (anode electrode) 34 arranged on the support substrate 31 for each organic EL element 21 and a light emitting layer that is formed on the lower electrode 34 and emits light of each color. Transport layer, light-emitting layer, hole transport layer / hole injection layer) 35, an upper electrode that is formed in a solid film shape so as to cover each organic layer 35 and element isolation insulating layer 33 and serves as a common electrode for each organic EL element 21 (Cathode electrode) 36 are sequentially stacked.

なお、ここでは、下部電極34をアノード電極、上部電極36をカソード電極としているが、下部電極34がカソード電極で、上部電極36がアノード電極であってもよい。また、上部電極36と対向基板32との間には、例えば窒化シリコンからなる透明材料膜37が設けられている。   Although the lower electrode 34 is an anode electrode and the upper electrode 36 is a cathode electrode here, the lower electrode 34 may be a cathode electrode and the upper electrode 36 may be an anode electrode. Further, a transparent material film 37 made of, for example, silicon nitride is provided between the upper electrode 36 and the counter substrate 32.

対向基板32の表面側には、各有機EL素子21の間となる位置、即ち走査線15や電源供給線16が配線される素子分離絶縁層33の部位と対向する位置に、受光素子38が有機EL素子21に対応した数だけ配置されている。具体的には、受光素子38は、対向基板32の表面側に形成された凹部32aを埋め込む状態で設けられている。この凹部32aは、支持基板31と対向基板32とを対向配置させる前に、エッチング等によって形成されることとする。   On the surface side of the counter substrate 32, a light receiving element 38 is located at a position between the organic EL elements 21, that is, a position facing the element isolation insulating layer 33 where the scanning lines 15 and the power supply lines 16 are wired. The number corresponding to the organic EL elements 21 is arranged. Specifically, the light receiving element 38 is provided in a state of embedding a recess 32 a formed on the surface side of the counter substrate 32. The recess 32a is formed by etching or the like before the support substrate 31 and the counter substrate 32 are arranged to face each other.

なお、ここでは、受光素子38を対向基板32の表面側に形成された凹部32aに埋め込んだ配置構造を採っているが、対向基板32における有機EL素子21側に凹部を形成し、当該凹部に受光素子38を埋め込む配置構造や、透明材料膜37の対向基板32側に凹部を形成し、当該凹部に受光素子38を埋め込む配置構造を採ることも可能である。   Here, an arrangement structure is adopted in which the light receiving element 38 is embedded in a recess 32a formed on the surface side of the counter substrate 32. However, a recess is formed on the organic EL element 21 side of the counter substrate 32, and the recess is formed in the recess. It is also possible to adopt an arrangement structure in which the light receiving element 38 is embedded, or an arrangement structure in which a recess is formed on the counter substrate 32 side of the transparent material film 37 and the light receiving element 38 is embedded in the recess.

受光素子38は、例えばアモルファスシリコン半導体によって形成された高感度受光センサ(可視光センサ)であり、対応関係にある有機EL素子21の漏れ光を検出して光電変換し、受光量に応じた電気信号を発生する。有機EL素子21と受光素子38との対応関係については後述する。   The light receiving element 38 is a high-sensitivity light receiving sensor (visible light sensor) formed of, for example, an amorphous silicon semiconductor, detects the leaked light of the organic EL element 21 in a corresponding relationship, performs photoelectric conversion, and performs electricity according to the amount of light received. Generate a signal. The correspondence relationship between the organic EL element 21 and the light receiving element 38 will be described later.

受光素子38としては、アモルファスシリコン半導体によって形成された高感度受光センサに限られるものではなく、受光量に応じて電気信号を発生させることができる周知の受光センサを用いることができる。ただし、受光素子38として高感度受光センサを用いることで、後述するように、有機EL素子21の発光強度に対して20%程度の光量の漏れ光を検出できる利点がある。   The light receiving element 38 is not limited to a high sensitivity light receiving sensor formed of an amorphous silicon semiconductor, and a known light receiving sensor capable of generating an electric signal according to the amount of received light can be used. However, by using a highly sensitive light receiving sensor as the light receiving element 38, there is an advantage that leakage light having a light amount of about 20% with respect to the light emission intensity of the organic EL element 21 can be detected as described later.

また、有機EL素子には、その構造上受光素子としての機能を持たせることも可能であることから、有機EL素子を受光素子38として用いることも可能である。有機EL素子を受光素子38として用いることで、有機EL素子21と受光素子38とを同じプロセスで形成することができるために、製造プロセス上有利であるという利点がある。   In addition, since the organic EL element can have a function as a light receiving element because of its structure, the organic EL element can also be used as the light receiving element 38. By using the organic EL element as the light receiving element 38, the organic EL element 21 and the light receiving element 38 can be formed by the same process, which is advantageous in terms of the manufacturing process.

受光素子38は、画素の配列ピッチや上部電極36および透明材料膜37の膜厚などで決まる有機EL素子21に対する配置関係から、有機EL素子21の発光強度に対して20%程度の光量の漏れ光を検出することができる。このように、受光素子38が有機EL素子21の発光強度の20%程度を受光できれば、当該受光素子38の受光出力に基づく後述する制御を十分に実現できる。   The light receiving element 38 has a light amount leakage of about 20% with respect to the emission intensity of the organic EL element 21 due to the arrangement relationship with respect to the organic EL element 21 determined by the pixel arrangement pitch and the film thickness of the upper electrode 36 and the transparent material film 37. Light can be detected. As described above, if the light receiving element 38 can receive about 20% of the light emission intensity of the organic EL element 21, control described later based on the light reception output of the light receiving element 38 can be sufficiently realized.

また、図5の平面図に示すように、受光素子38はスキャン方向において平面視的に隣接する各有機EL素子21の間に配置されている。そして、先述した書き込み走査回路12による画素行の走査の際に、ある画素行の有機EL素子21が選択されたときに、この選択行の有機EL素子21に隣接する一方の受光素子38が当該有機EL素子21の漏れ光をモニタリングする対応関係となっている。この対応関係が先述した有機EL素子21と受光素子38との対応関係である。   Further, as shown in the plan view of FIG. 5, the light receiving elements 38 are arranged between the organic EL elements 21 adjacent in plan view in the scanning direction. Then, when scanning the pixel row by the writing scanning circuit 12 described above, when the organic EL element 21 in a certain pixel row is selected, one light receiving element 38 adjacent to the organic EL element 21 in the selected row is This corresponds to monitoring leakage light of the organic EL element 21. This correspondence is the correspondence between the organic EL element 21 and the light receiving element 38 described above.

具体的には、ある画素行の有機EL素子21とこれにスキャン方向に隣接する一方の受光素子38とが対となり、有機EL素子21のスキャン周期と同周期で当該有機EL素子21と対応関係にある受光素子38が有機EL素子21の漏れ光をモニタリングすることになる。   Specifically, the organic EL element 21 in a certain pixel row and one light receiving element 38 adjacent to the organic EL element 21 in the scanning direction are paired and correspond to the organic EL element 21 in the same period as the scanning period of the organic EL element 21. The light receiving element 38 in the monitoring area monitors the leaked light of the organic EL element 21.

このタイミング関係により、1つの受光素子38に対してスキャン方向における前後両側に隣接して有機EL素子21が2個存在していても、受光素子38が一方の有機EL素子21からの光漏れ量のみを受光し、他方の有機EL素子21からの漏れ光の受光を防止することができる。ここで、図5のA−A′線に沿った矢視断面図が図4の断面構成図となる。   Due to this timing relationship, even if there are two organic EL elements 21 adjacent to both the front and rear sides in the scanning direction with respect to one light receiving element 38, the light receiving element 38 has a light leakage amount from one organic EL element 21. Can be received, and leakage of light from the other organic EL element 21 can be prevented. Here, the cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 5 is the cross-sectional configuration diagram of FIG. 4.

以上により、有機EL素子21の有機層35からの発光光を対向基板32側から取り出すいわゆる上面発光型有機EL表示装置10Aのパネルモジュール(図1の表示パネル18に相当)が構成されている。   As described above, a panel module (corresponding to the display panel 18 in FIG. 1) of the so-called top emission type organic EL display device 10A that extracts light emitted from the organic layer 35 of the organic EL element 21 from the counter substrate 32 side is configured.

ここでは、上面発光型有機EL表示装置10Aを例に挙げたが、本発明は上面発光型有機EL表示装置10Aへの適用に限られるものではなく、有機EL素子21の有機層35からの発光光を支持基板31側から取り出すいわゆる下面(ボトム)発光型有機EL表示装置に対しても適用可能である。以下に、下面発光型有機EL表示装置のパネルモジュールの構造について説明する。   Here, the top emission organic EL display device 10A has been described as an example, but the present invention is not limited to application to the top emission organic EL display device 10A, and light emission from the organic layer 35 of the organic EL element 21 is performed. The present invention can also be applied to a so-called bottom emission organic EL display device that extracts light from the support substrate 31 side. The structure of the panel module of the bottom emission type organic EL display device will be described below.

<下面発光型有機EL表示装置のパネル構造>
図6は、下面発光型有機EL表示装置のパネル構造の概略を示す要部断面図であり、図中、図4と同等部分には同一符号を付して示している。
<Panel structure of bottom emission type organic EL display device>
FIG. 6 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of the panel structure of the bottom emission type organic EL display device. In FIG. 6, the same parts as those in FIG.

図6に示すように、下面発光型の有機EL表示装置10Bの場合は、有機層35からの発光光が支持基板31側から取り出されるため、上部電極36は反射性材料で形成され、下部電極34は透明性材料で形成される。ここで、下部電極34は、支持基板31に配置されたTFTを覆う状態で設けられた平坦化絶縁膜(図示省略)上に、各有機EL素子21に対応する状態で配置されている。   As shown in FIG. 6, in the case of the bottom emission type organic EL display device 10B, since the emitted light from the organic layer 35 is extracted from the support substrate 31 side, the upper electrode 36 is formed of a reflective material, and the lower electrode 34 is formed of a transparent material. Here, the lower electrode 34 is disposed in a state corresponding to each organic EL element 21 on a planarization insulating film (not shown) provided in a state of covering the TFT disposed on the support substrate 31.

そして、受光素子38は、下部電極34間の平坦化絶縁膜上に、隣接する下部電極34とは離間する状態で配置されている。また、この受光素子38で有機EL素子21の漏れ光を検出するため、上記受光素子38を覆う状態で配置される素子分離絶縁層33は、透明材料によって生成される。   The light receiving element 38 is disposed on the planarization insulating film between the lower electrodes 34 so as to be separated from the adjacent lower electrodes 34. Further, in order to detect leakage light of the organic EL element 21 by the light receiving element 38, the element isolation insulating layer 33 arranged so as to cover the light receiving element 38 is made of a transparent material.

以上の点が、下面発光型有機EL表示装置10Bのパネルモジュールが上面発光型有機EL表示装置10Aのパネルモジュールと構造上相違する点であり、それ以外の構造については上面発光型有機EL表示装置10Aのパネルモジュールと基本的に同じである。   The above point is that the panel module of the bottom emission type organic EL display device 10B is structurally different from the panel module of the top emission type organic EL display device 10A. It is basically the same as the 10A panel module.

(温度検出部)
以上説明した、本実施形態に係る上面発光型有機EL表示装置10Aあるいは下面発光型有機EL表示装置10Bのパネルモジュールは、有機EL素子21の漏れ光を検出する受光素子38に加えて、画素20の有機EL素子21と同じ素子(即ち、有機EL素子)を検出素子として用いて、有機EL素子21の温度を検出する温度検出部を有している。
(Temperature detector)
The panel module of the top emission organic EL display device 10A or the bottom emission organic EL display device 10B according to the present embodiment described above includes the pixel 20 in addition to the light receiving element 38 that detects leakage light of the organic EL element 21. Using the same element as the organic EL element 21 (that is, the organic EL element) as a detection element, a temperature detection unit that detects the temperature of the organic EL element 21 is provided.

温度検出部のパネル上における配置位置としては、画素20内や画素アレイ部11の周辺部(表示領域外)などが考えられる。画素アレイ部11の周辺部に設ける場合は、有機EL素子21の温度をより正確に検出する上では、画素アレイ部11の画素行や画素列の少なくとも一方に対応して設けるのが好ましい。ただし、この配置例に限られるものではない。   As an arrangement position of the temperature detection unit on the panel, the inside of the pixel 20 or the peripheral part of the pixel array unit 11 (outside the display area) can be considered. When provided in the periphery of the pixel array unit 11, it is preferably provided corresponding to at least one of the pixel row and the pixel column of the pixel array unit 11 in order to more accurately detect the temperature of the organic EL element 21. However, the arrangement is not limited to this example.

本温度検出部は、検出素子として画素20の有機EL素子21と同じ有機EL素子を用い、当該有機EL素子の発生電流−印加電圧特性(I−V特性)の温度依存性を利用することで、画素20の有機EL素子21の温度を検出する構成となっている。   This temperature detection unit uses the same organic EL element as the organic EL element 21 of the pixel 20 as a detection element, and utilizes the temperature dependency of the generated current-applied voltage characteristic (IV characteristic) of the organic EL element. The temperature of the organic EL element 21 of the pixel 20 is detected.

図7に、有機EL素子の発生電流−印加電圧特性(A)および発光輝度−印加電圧特性(B)の温度依存性を示す。同図から明らかなように、ある電圧値の印加電圧を有機EL素子に印加し、当該有機EL素子の温度が30℃のときに発生電流I1で発光している状態において、有機EL素子の温度が45℃へ、さらに60℃へ上昇すると、この温度の上昇に伴って発生電流IがI1からI2(I1<I2)へ、さらにI3(I2<I3)へと変化する。換言すれば、有機EL素子は、温度の上昇に伴って発生電流−印加電圧特性が低電圧側にシフトするダイオード特性を持っている。   FIG. 7 shows the temperature dependence of the generated current-applied voltage characteristic (A) and the emission luminance-applied voltage characteristic (B) of the organic EL element. As is clear from the figure, the temperature of the organic EL element in a state where an applied voltage having a certain voltage value is applied to the organic EL element and the generated current I1 emits light when the temperature of the organic EL element is 30 ° C. When the temperature rises to 45 ° C. and further to 60 ° C., the generated current I changes from I1 to I2 (I1 <I2) and further to I3 (I2 <I3) as the temperature rises. In other words, the organic EL element has a diode characteristic in which the generated current-applied voltage characteristic shifts to the low voltage side as the temperature rises.

一方、有機EL素子を定電流にて駆動した場合に、有機EL素子の温度変化分ΔTと電圧シフト量ΔVは、図8に示すように、相関を持った関数で表される。したがって、有機EL素子の電圧シフト量ΔVを検出することにより、温度変化分ΔTを検出することができる。   On the other hand, when the organic EL element is driven at a constant current, the temperature change ΔT and the voltage shift amount ΔV of the organic EL element are expressed as a correlated function as shown in FIG. Accordingly, the temperature change ΔT can be detected by detecting the voltage shift amount ΔV of the organic EL element.

そして、温度検出部の検出素子が画素20の有機EL素子21と同じ有機EL素子であり、同じ発生電流−印加電圧特性の温度依存性を示すことから、当該温度検出部によって画素20の有機EL素子21の温度を検出できる。   And since the detection element of a temperature detection part is the same organic EL element as the organic EL element 21 of the pixel 20, and shows the temperature dependence of the same generated current-applied voltage characteristic, the organic EL of the pixel 20 is detected by the temperature detection part. The temperature of the element 21 can be detected.

温度検出部によって検出された有機EL素子21の温度情報は、後述するように、有機EL素子21個々の温度に起因する発生電流-印加電圧特性の変化の違いの影響を受けることなく、有機EL素子21個々に対して最適な輝度制御を行うのに用いられる。その詳細については後述する。   As will be described later, the temperature information of the organic EL element 21 detected by the temperature detection unit is not affected by the difference in the generated current-applied voltage characteristics caused by the temperature of each organic EL element 21, and the organic EL element 21 is not affected by the difference. This is used for optimal brightness control for each element 21. Details thereof will be described later.

<画素内の配置例>
図9は、画素20内に配置する場合の温度検出部の回路例を示す回路図である。図9に示すように、本回路例に係る温度検出部40Aは、温度情報検出部41とレベル調整部42によって構成されている。
<Example of arrangement in a pixel>
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a circuit example of the temperature detection unit in the case of being arranged in the pixel 20. As shown in FIG. 9, the temperature detection unit 40 </ b> A according to this circuit example includes a temperature information detection unit 41 and a level adjustment unit 42.

温度情報検出部41は、画素20の有機EL素子21と同じ構成で、カソード電極が接地された有機EL素子411と、有機EL素子411と電源Vddの間に接続された負荷抵抗412によって構成されている。   The temperature information detection unit 41 has the same configuration as that of the organic EL element 21 of the pixel 20 and includes an organic EL element 411 having a cathode electrode grounded, and a load resistor 412 connected between the organic EL element 411 and the power source Vdd. ing.

ここでは、負荷抵抗412として、例えば、ソースが電源Vddに、ドレインが有機EL素子411のアノード電極にそれぞれ接続され、ゲートに一定の電圧Vbが印加されたTFTを用いている。   Here, as the load resistor 412, for example, a TFT in which the source is connected to the power supply Vdd, the drain is connected to the anode electrode of the organic EL element 411, and a constant voltage Vb is applied to the gate is used.

レベル調整部42は、有機EL素子411のアノード電極(TFTのドレイン)に一端が接続された抵抗421と、この抵抗421の他端に非反転(+)入力端が接続されたオペアンプ422と、オペアンプ422の反転(−)入力端とグランドの間に接続された抵抗423と、オペアンプ422の出力端と反転入力端の間に接続された抵抗424からなる差動アンプ構成となっている。   The level adjustment unit 42 includes a resistor 421 having one end connected to the anode electrode (the drain of the TFT) of the organic EL element 411, an operational amplifier 422 having a non-inverting (+) input end connected to the other end of the resistor 421, The differential amplifier has a resistor 423 connected between the inverting (−) input terminal of the operational amplifier 422 and the ground, and a resistor 424 connected between the output terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier 422.

上記構成の温度検出部40Aにおいて、温度情報検出部41は、有機EL素子411の両端電圧V−ELを、当該有機EL素子411の温度情報、ひいては画素20の有機EL素子21の温度情報として検出する。レベル調整部42は、温度情報検出部41の検出電圧V−ELを所定の倍率で増幅して、有機EL素子21の温度情報として出力する。   In the temperature detection unit 40A having the above-described configuration, the temperature information detection unit 41 detects the voltage V-EL across the organic EL element 411 as the temperature information of the organic EL element 411 and thus the temperature information of the organic EL element 21 of the pixel 20. To do. The level adjustment unit 42 amplifies the detection voltage V-EL of the temperature information detection unit 41 by a predetermined magnification and outputs the amplified voltage as temperature information of the organic EL element 21.

このように、画素アレイ部11の画素20の各々に温度検出部40Aを配置することにより、画素20の開口率は低下するものの、画素20個々の有機EL素子21の温度をより正確に検出することができる。   As described above, by arranging the temperature detection unit 40A in each of the pixels 20 of the pixel array unit 11, the aperture ratio of the pixel 20 is reduced, but the temperature of the organic EL element 21 of each pixel 20 is detected more accurately. be able to.

<表示領域外の配置例>
図10は、表示領域外(画素アレイ部11の周辺部)に配置する場合の温度検出部の回路例を示す回路図であり、図中、図9と同等部分には同一符号を付して示している。本回路例に係る温度検出部40Bは、温度情報検出部41に加えて、レベル調整部42とは異なる構成のレベル調整部43を有する構成となっている。
<Example of arrangement outside the display area>
FIG. 10 is a circuit diagram showing a circuit example of the temperature detection unit when arranged outside the display area (peripheral part of the pixel array unit 11). In FIG. 10, the same parts as those in FIG. Show. The temperature detection unit 40B according to this circuit example includes a level adjustment unit 43 having a configuration different from that of the level adjustment unit 42 in addition to the temperature information detection unit 41.

レベル調整部43は、ADC(アナログ−デジタルコンバータ)431、ROM等のメモリー432およびDAC(デジタル−アナログコンバータ)433によって構成されている。メモリー432には、例えば、レベル調整部42の増幅率に相当する線形データがあらかじめ格納されている。   The level adjustment unit 43 includes an ADC (analog-digital converter) 431, a memory 432 such as a ROM, and a DAC (digital-analog converter) 433. In the memory 432, for example, linear data corresponding to the amplification factor of the level adjustment unit 42 is stored in advance.

上記構成の温度検出部40Bにおいて、レベル調整部43は、温度情報検出部41の検出電圧V−ELをADC431でデジタルデータに変換し、メモリー432に格納されている線形データを基に所定の倍率で増幅されたデジタルデータに変換した後、DAC433を介して有機EL素子21の温度情報として出力する。   In the temperature detection unit 40B having the above configuration, the level adjustment unit 43 converts the detection voltage V-EL of the temperature information detection unit 41 into digital data by the ADC 431, and a predetermined magnification based on the linear data stored in the memory 432. After being converted into the digital data amplified in step (3), it is output as temperature information of the organic EL element 21 via the DAC 433.

このように、表示領域外(画素アレイ部11の周辺部)に温度検出部40Bを配置することにより、画素20の各々に配置する場合に比べて、有機EL素子21の温度の検出精度が落ちるものの、画素20の開口率を低下させることなく、かつ、画素アレイ部11の構成を変更することなく、低コストにてスマートに配置できる。   As described above, by arranging the temperature detection unit 40B outside the display area (peripheral part of the pixel array unit 11), the temperature detection accuracy of the organic EL element 21 is lowered as compared with the case where each pixel 20 is arranged. However, it can be arranged smartly at low cost without reducing the aperture ratio of the pixel 20 and without changing the configuration of the pixel array unit 11.

(制御部)
上述した温度検出部40(40A/40B)が配置されてなる表示パネル(パネルモジュール)18を備えた有機EL表示装置10は、当該表示パネル18に加えて、以下に説明する制御部を備えており、当該制御部による制御の下に、表示パネル18の表示駆動制御を行う構成となっている。
(Control part)
The organic EL display device 10 including the display panel (panel module) 18 in which the temperature detection unit 40 (40A / 40B) described above is disposed includes a control unit described below in addition to the display panel 18. Thus, the display drive control of the display panel 18 is performed under the control of the control unit.

図11は、表示パネル18の表示駆動制御を行う制御部の構成の一例を示すブロック図である。   FIG. 11 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a control unit that performs display drive control of the display panel 18.

図11に示すように、制御部50は、レベル制御部501、相対レベル調整部502、メモリー部503、除算部504、A/D(アナログ/デジタル)変換部505、メモリー部506、乗算部507、相対輝度劣化検出部508、A/D変換部509、メモリー部510、温度変化検出部511、データ規格化処理部512、電圧除算演算部513、電圧除算結果比較演算部514、電圧除算比率制御部515および演算選択制御部516を有する構成となっている。   As shown in FIG. 11, the control unit 50 includes a level control unit 501, a relative level adjustment unit 502, a memory unit 503, a division unit 504, an A / D (analog / digital) conversion unit 505, a memory unit 506, and a multiplication unit 507. , Relative luminance deterioration detection unit 508, A / D conversion unit 509, memory unit 510, temperature change detection unit 511, data normalization processing unit 512, voltage division calculation unit 513, voltage division result comparison calculation unit 514, voltage division ratio control The configuration includes a unit 515 and a calculation selection control unit 516.

本制御部50は、入力されるデジタル映像信号に応じて表示パネル18内の画素アレイ部11の各画素20の表示駆動制御(有機EL素子21の発光駆動制御)を行う一方、表示パネル18に設けられた受光素子群38の各受光素子の検出信号に基づいて相対輝度劣化量をモニタリングするとともに、表示パネル18に設けられた温度検出部40の検出信号に基づいて各画素の温度変化をモニタリングし、これらモニタリング結果を基に有機EL素子21の温度特性に起因する輝度劣化量が一定に(均一に)なるように有機EL素子21の駆動制御(発光輝度の制御)を行う。   The control unit 50 performs display drive control (emission drive control of the organic EL element 21) of each pixel 20 of the pixel array unit 11 in the display panel 18 according to the input digital video signal, while the display panel 18 The relative luminance deterioration amount is monitored based on the detection signal of each light receiving element of the provided light receiving element group 38, and the temperature change of each pixel is monitored based on the detection signal of the temperature detecting unit 40 provided in the display panel 18. Based on these monitoring results, drive control (emission luminance control) of the organic EL element 21 is performed so that the luminance deterioration amount due to the temperature characteristics of the organic EL element 21 is constant (uniform).

制御部50において、デジタル映像信号は、レベル制御部501および相対レベル調整部502を介してメモリー部503に供給され、当該メモリー部503に各表示画素の階調値が保存された後表示パネル18に供給される。レベル制御部501および相対レベル調整部502の各機能については後述する。   In the control unit 50, the digital video signal is supplied to the memory unit 503 via the level control unit 501 and the relative level adjustment unit 502, and after the gradation value of each display pixel is stored in the memory unit 503, the display panel 18. To be supplied. The functions of the level control unit 501 and the relative level adjustment unit 502 will be described later.

表示パネル18においては、先述したように、画素20が行列状に2次元配置されてなる画素アレイ部(表示部)11の各画素20を、書き込み走査回路12および電源供給走査回路13によって行単位で選択走査するとともに、この選択行の各画素にデジタル映像信号に応じた表示データを水平駆動回路14から書き込むことにより、デジタル映像信号に応じた階調にて各画素20の有機EL素子21の発光駆動が行われる。   In the display panel 18, as described above, each pixel 20 of the pixel array unit (display unit) 11 in which the pixels 20 are two-dimensionally arranged in a matrix is placed in row units by the write scanning circuit 12 and the power supply scanning circuit 13. And the display data corresponding to the digital video signal is written to each pixel of the selected row from the horizontal drive circuit 14, so that the organic EL element 21 of each pixel 20 has a gradation corresponding to the digital video signal. Light emission driving is performed.

この行走査による表示駆動により、各画素20の有機EL素子21が行単位で順に発光すると、各受光素子38が対応関係にある各有機EL素子21の漏れ光を受光し、光電変換して受光量に応じた電圧値として出力する。受光素子38から出力される電圧値は除算部504に供給される。   When the organic EL element 21 of each pixel 20 emits light in order by this row scanning display drive, each light receiving element 38 receives the leaked light of each organic EL element 21 in a corresponding relationship, photoelectrically converts it, and receives the light. Output as a voltage value according to the amount. The voltage value output from the light receiving element 38 is supplied to the division unit 504.

除算部504は、乗算部507を介してメモリー部503から与えられる階調値で、受光素子38から出力される電圧値を除算する演算処理を行う。ここで、表示画素の発光強度(発光輝度)が強ければ(明るければ)階調が高く、逆に発光強度が弱ければ(暗ければ)階調が低いということであるため、除算部504による除算結果から表示画素の輝度の状態(高輝度であるか低輝度であるか)を認識することができる。この除算結果は、A/D変換部505でデジタルデータに変換され、メモリー部506に保存される。   The division unit 504 performs arithmetic processing for dividing the voltage value output from the light receiving element 38 by the gradation value given from the memory unit 503 via the multiplication unit 507. Here, if the light emission intensity (light emission luminance) of the display pixel is strong (if it is bright), the gradation is high, and conversely if the light emission intensity is low (if it is dark), the gradation is low. From the division result, the state of luminance of the display pixel (whether it is high luminance or low luminance) can be recognized. The division result is converted into digital data by the A / D conversion unit 505 and stored in the memory unit 506.

乗算部507は、メモリー部503に保存されている各表示画素の階調値に対して20%の乗算処理を行う。ここで、表示画素の階調値に対して20%の乗算処理を行うのは、先述したように、受光素子38が受光する漏れ光の受光量が有機EL素子21の発光量の20%程度であることから、除算演算の対象となる受光素子38からの電圧値とメモリー部503からの階調値とを対応させる(揃える)ためである。   The multiplication unit 507 performs a 20% multiplication process on the gradation value of each display pixel stored in the memory unit 503. Here, the multiplication process of 20% is performed on the gradation value of the display pixel, as described above, the amount of the leaked light received by the light receiving element 38 is about 20% of the light emitting amount of the organic EL element 21. Therefore, the voltage value from the light receiving element 38 to be subjected to the division operation and the gradation value from the memory unit 503 are made to correspond to (align).

なお、ここでは、メモリー部503からの階調値に対して乗算部507で20%の乗算処理を行うとしたが、受光素子38からの電圧値に対して5倍の乗算処理を行うことによっても、除算部504での除算演算の対象となる受光素子38からの電圧値とメモリー部503からの階調値とを対応させることができる。   Here, the multiplication unit 507 performs the multiplication process of 20% on the gradation value from the memory unit 503, but by performing the multiplication process five times on the voltage value from the light receiving element 38. In addition, the voltage value from the light receiving element 38 to be subjected to the division operation in the division unit 504 can be associated with the gradation value from the memory unit 503.

相対輝度劣化検出部508は、メモリー部506の保存データから、1表示画面における最高輝度もしくはその近傍の輝度で発光する画素を高輝度表示画素、最低輝度もしくはその近傍の輝度で発光する画素を低輝度表示画素として認識し、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について、乗算部507を介してメモリー部503から与えられる階調値を基に、所定の駆動期間における相対輝度の劣化分を検出する。   The relative luminance deterioration detection unit 508 determines, from the data stored in the memory unit 506, a pixel that emits light at the highest luminance on one display screen or a luminance near the high luminance display pixel, and a pixel that emits light at the lowest luminance or a luminance near the low luminance. Recognized as a luminance display pixel, for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, the amount of deterioration in relative luminance in a predetermined driving period is determined based on the gradation value provided from the memory unit 503 via the multiplication unit 507. To detect.

先述したように、有機EL素子21は、発光ダイオード特性を示し、温度によって発光輝度が変化する温度特性を持っている。そして、ある一定輝度で発光させたとき、温度が高ければ高い程発光輝度(明るさ)が劣化していく。具体的には、駆動時間が長くなるに連れて相対輝度が劣化するとともに、その輝度劣化曲線が温度によって異なる。また、高輝度表示画素と低輝度表示画素とで温度起因による相対輝度の劣化特性が違い、図12から明らかなように、高輝度表示画素の特性(A)の方が、低輝度表示画素の特性(B)よりも劣化が顕著である。   As described above, the organic EL element 21 exhibits a light emitting diode characteristic and has a temperature characteristic in which the light emission luminance varies depending on the temperature. When the light is emitted at a certain luminance, the light emission luminance (brightness) deteriorates as the temperature increases. Specifically, as the driving time becomes longer, the relative luminance deteriorates and the luminance deterioration curve varies depending on the temperature. In addition, the deterioration characteristic of the relative luminance due to temperature is different between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and as is apparent from FIG. 12, the characteristic (A) of the high luminance display pixel is higher than that of the low luminance display pixel. Deterioration is more remarkable than characteristic (B).

表示パネル18内の温度検出部40(40A/40B)は、表示画素の非表示期間において有機EL素子21個々の温度を検出して電圧値として出力する。温度検出部40から出力される電圧値は、A/D変換部509でデジタルデータに変換され、メモリー部510に保存される。   The temperature detector 40 (40A / 40B) in the display panel 18 detects the temperature of each organic EL element 21 during the non-display period of the display pixel and outputs it as a voltage value. The voltage value output from the temperature detection unit 40 is converted into digital data by the A / D conversion unit 509 and stored in the memory unit 510.

温度変化検出部511は、特性シフト検出部5111、シフト量演算部5112および温度変化演算部5113によって構成され、メモリー部510に格納されている検出温度についての保存データに基づいて、所定期間(例えば、1フレーム期間)における温度変化分を有機EL素子21個々について検出する。   The temperature change detection unit 511 includes a characteristic shift detection unit 5111, a shift amount calculation unit 5112, and a temperature change calculation unit 5113. The temperature change detection unit 511 is based on saved data about the detected temperature stored in the memory unit 510 (for example, a predetermined period (for example, A temperature change in one frame period) is detected for each organic EL element 21.

この温度変化検出部511において、特性シフト検出部5111は、温度検出部40で検出された温度情報、即ちメモリー部510に格納されている検出温度についての保存データを基に、図8に示す温度変化分ΔTと電圧シフト量ΔVの関係から、温度依存性を示す有機EL素子の発生電流−印加電圧特性(図7(A)参照)の特性シフトの有無を検出する。   In this temperature change detection unit 511, the characteristic shift detection unit 5111 is based on the temperature information detected by the temperature detection unit 40, that is, based on the stored data regarding the detected temperature stored in the memory unit 510, as shown in FIG. From the relationship between the change ΔT and the voltage shift amount ΔV, the presence or absence of a characteristic shift of the generated current-applied voltage characteristic (see FIG. 7A) of the organic EL element exhibiting temperature dependence is detected.

シフト量演算部5112は、特性シフト検出部5111が特性シフトを検出したとき、メモリー部510の保存データから所定期間(例えば、1フレーム期間)におけるシフト量、即ちシフト電圧値を演算する。温度変化演算部5113は、シフト量演算部5112で算出されたシフト電圧値から、有機EL素子21の温度変化分(温度変化推定値)を演算する。   When the characteristic shift detector 5111 detects a characteristic shift, the shift amount calculator 5112 calculates a shift amount in a predetermined period (for example, one frame period), that is, a shift voltage value, from the data stored in the memory unit 510. The temperature change calculation unit 5113 calculates the temperature change amount (temperature change estimated value) of the organic EL element 21 from the shift voltage value calculated by the shift amount calculation unit 5112.

データ規格化処理部512は、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを有し、温度変化検出部511で検出された画素(有機EL素子21)個々の温度変化分に対して、相対輝度劣化検出部508で検出された高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分を反映させ、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された温度変化分に応じた第1の電圧値(以下、「高輝度表示画素の相対輝度劣化分」と記述する)ΔLaと、低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された温度変化分に応じた第2の電圧値(以下、「低輝度表示画素の相対輝度劣化分」と記述する)ΔLbとに規格化する(換算する)。   The data normalization processing unit 512 has a numerical correlation data table indicating the correspondence between luminance and temperature, and for each temperature change of each pixel (organic EL element 21) detected by the temperature change detection unit 511, The relative luminance deterioration for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel detected by the relative luminance deterioration detection unit 508 is reflected, and the temperature change corresponding to the relative luminance deterioration of the high luminance display pixel is reflected. The first voltage value (hereinafter referred to as “the relative luminance deterioration amount of the high luminance display pixel”) ΔLa and the second voltage value corresponding to the temperature change amount reflecting the relative luminance deterioration amount of the low luminance display pixel It is normalized (converted) to ΔLb (hereinafter referred to as “relative luminance degradation of low luminance display pixel”).

電圧除算演算部513は、画素個々について、データ規格化処理部512で規格化された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbで除算する。この除算比率(除算係数)ΔLa/ΔLbは、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された温度変化分と低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された温度変化分との比であることから、温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を表すことになる。以下、除算結果ΔLa/ΔLbを温度特性焼付き相関係数と呼ぶこととする。   The voltage division calculation unit 513 divides the relative luminance degradation amount ΔLa of the high luminance display pixel normalized by the data normalization processing unit 512 by the relative luminance degradation amount ΔLb of the low luminance display pixel for each pixel. This division ratio (division coefficient) ΔLa / ΔLb is a ratio between the temperature change reflecting the relative luminance deterioration of the high luminance display pixel and the temperature change reflecting the relative luminance deterioration of the low luminance display pixel. Therefore, it represents the degree of image sticking phenomenon that occurs due to the difference in luminance degradation due to temperature. Hereinafter, the division result ΔLa / ΔLb is referred to as a temperature characteristic image sticking correlation coefficient.

電圧除算結果比較演算部514は、画素個々について、電圧除算演算部513での除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbに基づいて、温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を判定する。   The voltage division result comparison operation unit 514 performs image sticking that occurs due to a difference in luminance degradation due to temperature based on the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb that is a result of division by the voltage division operation unit 513 for each pixel. Determine the extent of the phenomenon.

ここで、高輝度表示画素と低輝度表示画素の温度差ΔTと焼付き現象が発生する臨界点(以下、「焼付き発生臨界点」と記述する)との対応関係について説明する。なお、焼付き発生臨界点(数値)は、特許請求の範囲の所定の基準値に相当する。   Here, a correspondence relationship between the temperature difference ΔT between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel and a critical point at which a seizure phenomenon occurs (hereinafter, referred to as a “seizure critical point”) will be described. Note that the seizure critical point (numerical value) corresponds to a predetermined reference value in the claims.

一例として、図13に示すように、温度差ΔTが5℃のときは、焼付き発生臨界点が1.53となる。これは、温度差5℃のときに焼付き現象が発生する臨界点が1.53であることを表しており、温度差5℃では温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが臨界点未満(ΔLa/ΔLb<1.53)であれば焼付き現象が発生しないことを意味している。   As an example, as shown in FIG. 13, when the temperature difference ΔT is 5 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.53. This indicates that the critical point at which the seizure phenomenon occurs at a temperature difference of 5 ° C. is 1.53, and at the temperature difference of 5 ° C., the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb is less than the critical point ( If ΔLa / ΔLb <1.53), it means that no seizure phenomenon occurs.

同様に、ΔT=10℃のときは焼付き発生臨界点が1.45、ΔT=15℃のときは焼付き発生臨界点が1.40、ΔT=20℃のときは焼付き発生臨界点が1.36、ΔT=25℃のときは焼付き発生臨界点が1.31、ΔT=30℃のときは焼付き発生臨界点が1.24、ΔT=35℃のときは焼付き発生臨界点が1.19、ΔT=40℃のときは焼付き発生臨界点が1.12となる。   Similarly, the seizure critical point is 1.45 when ΔT = 10 ° C., the seizure critical point is 1.40 when ΔT = 15 ° C., and the seizure critical point is when ΔT = 20 ° C. 1.36, the critical point of seizure generation is 1.31 when ΔT = 25 ° C., the critical point of seizure generation is 1.24 when ΔT = 30 ° C., and the critical point of seizure generation when ΔT = 35 ° C. Is 1.19 and ΔT = 40 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.12.

すなわち、温度差10℃ではΔLa/ΔLb<1.45、温度差15℃ではΔLa/ΔLb<1.40、温度差29℃ではΔLa/ΔLb<1.36、温度差25℃ではΔLa/ΔLb<1.31、温度差30℃ではΔLa/ΔLb<1.24、温度差35℃ではΔLa/ΔLb<1.19、温度差40℃ではΔLa/ΔLb<1.12であれば焼付き現象が発生しないことになる。   That is, ΔLa / ΔLb <1.45 at a temperature difference of 10 ° C., ΔLa / ΔLb <1.40 at a temperature difference of 15 ° C., ΔLa / ΔLb <1.36 at a temperature difference of 29 ° C., and ΔLa / ΔLb <at a temperature difference of 25 ° C. 1.31, ΔLa / ΔLb <1.24 at a temperature difference of 30 ° C., ΔLa / ΔLb <1.19 at a temperature difference of 35 ° C., and seizure phenomenon at ΔLa / ΔLb <1.12 at a temperature difference of 40 ° C. Will not.

したがって、電圧除算結果比較演算部514では次のような比較演算処理が行われる。すなわち、ある画素において、有機EL素子21の温度変化分が例えば15℃のときを例に挙げると、上述した温度差ΔTと焼付き発生臨界点との対応関係から、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが1.40以上あるか否か、即ち焼付き現象が発生するか否か、また1.40以上であれば、焼付き現象の発生程度、即ち焼付き発生臨界点(1.40)に対する差分を演算する処理が行われる。   Therefore, the voltage division result comparison calculation unit 514 performs the following comparison calculation process. That is, in a certain pixel, when the temperature change of the organic EL element 21 is, for example, 15 ° C., the temperature characteristic seizure correlation coefficient is obtained from the correspondence relationship between the temperature difference ΔT and the seizure critical point. If ΔLa / ΔLb is 1.40 or more, that is, whether or not seizure occurs, and if it is 1.40 or more, the extent of seizure, that is, the seizure critical point (1.40). ) Is calculated.

電圧除算比率制御部515は、電圧除算結果比較演算部514による焼付き現象の発生程度の判定結果を基に、焼付き現象が発生しないようにするための制御値を画素個々について算出する。具体的には、電圧除算結果比較演算部514で焼付き現象が発生すると判定され、焼付き発生臨界点に対する差分の演算が行われた場合に、その差分に対応した制御値を算出する。この制御値は、有機EL素子21の温度特性に起因する相対輝度の劣化が一定(均一)になるように、入力デジタル信号の信号レベルを補正する輝度補正値となる。   The voltage division ratio control unit 515 calculates, for each pixel, a control value for preventing the image sticking phenomenon from occurring based on the determination result of the degree of the image sticking phenomenon occurring by the voltage division result comparison operation unit 514. Specifically, when it is determined that the seizure phenomenon occurs in the voltage division result comparison operation unit 514 and a difference is calculated with respect to the seizure critical point, a control value corresponding to the difference is calculated. This control value is a luminance correction value for correcting the signal level of the input digital signal so that the deterioration of the relative luminance due to the temperature characteristics of the organic EL element 21 is constant (uniform).

ここで、電圧除算演算部513、電圧除算結果比較演算部514および電圧除算比率制御部515には、演算される電圧値と輝度との対応関係を示す対応表が組み込まれていることとする。これにより、輝度補正を行う上で、演算される電圧値がどれくらいの輝度値に相当するかを各回路部ごとに照会できるためにスムーズな補正が可能となる。   Here, it is assumed that the voltage division calculation unit 513, the voltage division result comparison calculation unit 514, and the voltage division ratio control unit 515 incorporate a correspondence table indicating the correspondence relationship between the calculated voltage value and the luminance. Thus, when performing luminance correction, it is possible to inquire for each circuit unit how much luminance value the calculated voltage value corresponds to, so that smooth correction is possible.

演算選択制御部516は、電圧除算比率制御部515で算出された画素個々の輝度補正値(制御値)を基にして、補正処理の対象画素が高輝度表示画素であるときに、当該高輝度表示画素に対して信号レベル(輝度レベル)の補正を行うか否かの選択制御を行う。そして、演算選択制御部516による選択結果を基に、レベル制御部501は、高輝度表示画素の信号レベルに対して、電圧除算比率制御部515で算出された輝度補正値に応じた補正制御を行う。   Based on the brightness correction value (control value) of each pixel calculated by the voltage division ratio control unit 515, the calculation selection control unit 516 performs high brightness when the correction target pixel is a high brightness display pixel. Selection control is performed to determine whether or not to correct the signal level (luminance level) for the display pixel. Based on the selection result by the calculation selection control unit 516, the level control unit 501 performs correction control according to the luminance correction value calculated by the voltage division ratio control unit 515 with respect to the signal level of the high luminance display pixel. Do.

ここで、電圧除算演算部513、電圧除算結果比較演算部514および電圧除算比率制御部515には、演算される電圧値と輝度との対応関係を示す対応表が組み込まれていることとする。これにより、輝度補正を行う上で、演算される電圧値がどれくらいの輝度値に相当するかを各回路部ごとに照会できるためにスムーズな補正が可能となる。   Here, it is assumed that the voltage division calculation unit 513, the voltage division result comparison calculation unit 514, and the voltage division ratio control unit 515 incorporate a correspondence table indicating the correspondence relationship between the calculated voltage value and the luminance. Thus, when performing luminance correction, it is possible to inquire for each circuit unit how much luminance value the calculated voltage value corresponds to, so that smooth correction is possible.

演算選択制御部516は、電圧除算比率制御部515で算出された画素個々の輝度補正値(制御値)を基にして、補正処理の対象画素が高輝度表示画素であるときに、当該高輝度表示画素に対して信号レベル(輝度レベル)の補正を行うか否かの選択制御を行う。そして、演算選択制御部516による選択結果を基に、レベル制御部501は、高輝度表示画素の信号レベルに対して、電圧除算比率制御部515で算出された輝度補正値に応じた補正制御を行う。   Based on the brightness correction value (control value) of each pixel calculated by the voltage division ratio control unit 515, the calculation selection control unit 516 performs high brightness when the correction target pixel is a high brightness display pixel. Selection control is performed to determine whether or not to correct the signal level (luminance level) for the display pixel. Based on the selection result by the calculation selection control unit 516, the level control unit 501 performs correction control according to the luminance correction value calculated by the voltage division ratio control unit 515 with respect to the signal level of the high luminance display pixel. Do.

<相対レベル調整部>
続いて、相対レベル調整部502の具体的な構成について説明する。相対レベル調整部502は、静止画判定部5021、切り替えスイッチ5022およびレベル調整部5023によって構成されている。
<Relative level adjustment unit>
Next, a specific configuration of the relative level adjustment unit 502 will be described. The relative level adjustment unit 502 includes a still image determination unit 5021, a changeover switch 5022, and a level adjustment unit 5023.

静止画判定部5021は、例えば図14に示すように、フレームメモリ50211、演算回路50212および判定回路50213からなり、Nフレーム目の映像信号レベルV1Nと、フレームメモリ50211に格納された1フレーム前のN−1フレーム目の映像信号レベルV1(N−1)とを用いて、演算回路50212で
[{V1N−V1(N−1)}/V1(N−1)]×100
なる演算処理を行い、その演算結果がN−1フレーム目の映像信号レベルV1(N−1)の例えば70%以下であるか否かを判定回路50113で判定し、70%以下であるときに静止画であると判定する。当然のことながら、70%を越えるときは動画となる。
As shown in FIG. 14, for example, the still image determination unit 5021 includes a frame memory 50211, an arithmetic circuit 50212, and a determination circuit 50213. The still image determination unit 5021 includes the video signal level V1N of the Nth frame and the previous frame stored in the frame memory 50211. Using the video signal level V1 (N-1) of the (N-1) th frame, the arithmetic circuit 50212 [{V1N-V1 (N-1)} / V1 (N-1)] * 100
The calculation circuit determines whether or not the calculation result is 70% or less of the video signal level V1 (N-1) of the (N-1) th frame. Judged as a still image. Naturally, when it exceeds 70%, it becomes a moving image.

切り替えスイッチ5022は、通常は、入力されるデジタル映像信号を直接メモリー部503へ供給し、静止画判定部5021の判定結果が静止画であるときは入力されるデジタル映像信号を、レベル調整部5023を介してメモリー部503へ供給する。レベル調整部5023は、静止画と判定されたときの映像信号の信号レベルを例えば100倍に乗算処理を行う。   The changeover switch 5022 normally supplies the input digital video signal directly to the memory unit 503, and when the determination result of the still image determination unit 5021 is a still image, the input digital video signal is converted to the level adjustment unit 5023. To the memory unit 503. The level adjustment unit 5023 multiplies the signal level of the video signal when it is determined as a still image by, for example, 100 times.

ここで、静止画と判定されたときに映像信号の信号レベルを100倍するのは次の理由による。すなわち、先述したように、相対輝度劣化検出部508において所定の駆動期間における相対輝度の劣化分の検出が行われるが、静止画であっても、デバイスの温度変化などに起因してフレーム間において輝度レベルに変動が生じる。そして、1フレーム期間における静止画の輝度レベルの変化分は、1フレーム期間における動画の輝度レベルの変化分に比べて1/100程度と極めて微小である。   Here, the reason why the signal level of the video signal is multiplied by 100 when it is determined as a still image is as follows. In other words, as described above, the relative luminance deterioration detection unit 508 detects the amount of deterioration of the relative luminance during a predetermined driving period. The brightness level varies. The change in the luminance level of the still image in one frame period is as extremely small as about 1/100 compared to the change in the luminance level of the moving image in one frame period.

したがって、静止画と判定したときに、映像信号の信号レベルに対して100倍程度の乗算処理を施すことにより、相対輝度劣化検出部508において、前後のフレーム間での微弱な信号レベルの推移(輝度変化)の検出処理を容易に行うことができる。ただし、100倍という数値は一例に過ぎず、これに限られるものではなく、少なくとも、前後のフレーム間での微弱な信号レベルの推移を検出できる程度の倍率であれば良い。   Therefore, when it is determined that the image is a still image, the relative luminance deterioration detection unit 508 performs a weak signal level transition between the previous and next frames by performing a multiplication process of about 100 times on the signal level of the video signal. (Brightness change) can be easily detected. However, the numerical value of 100 is merely an example, and is not limited to this, and it is sufficient that the magnification is at least enough to detect a weak signal level transition between the preceding and succeeding frames.

なお、静止画時の信号レベルの調整については、静止画時の信号レベルとそれに対応した輝度値との対応表をレベル調整部5023にあらかじめ組み込んでおき、この対応表を用いて静止画時の信号レベルをそれに対応した輝度値に設定する構成を採ることも可能である。   Regarding the adjustment of the signal level at the time of still image, a correspondence table between the signal level at the time of still image and the corresponding luminance value is built in the level adjustment unit 5023 in advance, and this correspondence table is used to adjust the signal level at the time of still image. It is also possible to adopt a configuration in which the signal level is set to a luminance value corresponding to the signal level.

上記構成の本実施形態に係る有機EL表示装置10において、発光素子として用いられる有機EL素子21は、発光に伴う発熱などによって有機層35(図4、図6参照)が劣化し、発光輝度が低下するとともに、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の問題を抱えている。また、先述したように、有機EL素子は発光ダイオード特性を示し(図7参照)、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流が比例して大きくなり、結果的に発光輝度と比例関係にある。   In the organic EL display device 10 according to the present embodiment having the above-described configuration, the organic EL element 21 used as the light emitting element has a deterioration in the organic layer 35 (see FIGS. 4 and 6) due to heat generated by light emission and the like. It has a problem of deterioration over time such as a decrease in light emission and unstable light emission. Further, as described above, the organic EL element exhibits light emitting diode characteristics (see FIG. 7), and the current flowing through the device increases in proportion to the temperature rise, and as a result, is proportional to the light emission luminance.

このように、有機EL素子を発光素子として用いた有機EL表示装置では、有機EL素子が自発光素子であるが故に、特に同じ表示状態が長く続けばそれだけ温度が上昇する。そして、デバイスの温度の上昇に伴って発光輝度が変化し、しかもその変化の仕方がデバイスごとに異なるという現状において、本実施形態に係る有機EL表示装置10では次のような構成を採ることを特徴としている。   As described above, in an organic EL display device using an organic EL element as a light emitting element, the organic EL element is a self-luminous element. And in the present condition that the light emission luminance changes as the temperature of the device rises and the method of the change differs for each device, the organic EL display device 10 according to the present embodiment adopts the following configuration. It is a feature.

すなわち、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、一対の基板31,32のうちの一方の基板、具体的には光取り出し側の対向基板32側に、有機EL素子21の各々に対応して受光素子38を配置し、当該受光素子38によって有機EL素子21の漏れ光を検出することによって有機EL素子21個々の輝度を検出するとともに、有機EL素子21と同じ素子(有機EL素子)からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に有機EL素子21個々の温度変化分を検出し、この温度変化分に相対輝度の劣化分を反映させて、有機EL素子21の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように有機EL素子21の発光輝度を制御する構成を採っている。   That is, the organic EL display device 10 according to the present embodiment corresponds to each of the organic EL elements 21 on one of the pair of substrates 31 and 32, specifically, on the counter substrate 32 side on the light extraction side. The light receiving element 38 is arranged, and the light receiving element 38 detects leakage light of the organic EL element 21 to detect the luminance of each organic EL element 21, and from the same element (organic EL element) as the organic EL element 21. The temperature change of each organic EL element 21 is detected on the basis of the generated current-applied voltage characteristic of the detection element, and the deterioration of relative luminance is reflected in the temperature change to thereby detect the organic EL element. The light emission luminance of the organic EL element 21 is controlled so that the deterioration of the relative luminance due to the temperature 21 is constant.

本実施形態に係る制御部50による輝度制御では、その具体的な制御として、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度劣化分を相対輝度劣化検出部508で検出するとともに、有機EL素子21個々の温度変化分を温度変化検出部511で検出し、この検出した温度変化分を、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分が反映された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとにデータ規格化処理部512で規格化(換算)することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLaと相対輝度劣化分ΔLbとの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを基に輝度補正の制御を行うようにしている。   In the luminance control by the control unit 50 according to the present embodiment, as specific control, relative luminance deterioration is detected by the relative luminance deterioration detection unit 508 for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and the organic EL The temperature change detection unit 511 detects the temperature change of each element 21, and the detected temperature change is a high-brightness display pixel that reflects the relative brightness deterioration of each of the high-brightness display pixel and the low-brightness display pixel. Is normalized (converted) by the data normalization processing unit 512 to the relative luminance degradation amount ΔLa and the relative luminance degradation amount ΔLb of the low luminance display pixel, and the relative luminance degradation amount obtained by the temperature correction is performed. Luminance correction is controlled based on the temperature characteristic burn-in correlation coefficient ΔLa / ΔLb, which is the result of dividing ΔLa and the relative luminance degradation ΔLb.

このように、有機EL素子21個々の輝度情報を用いて有機EL素子21の相対輝度の劣化分を検出し、有機EL素子21個々の温度情報のみならず、有機EL素子21の相対輝度の劣化情報を基に有機EL素子21個々の発光輝度の制御を行うことにより、有機EL素子21の温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制できるために、滑らかな画像表示を実現できる。   In this way, the deterioration of relative luminance of the organic EL element 21 is detected using the luminance information of each organic EL element 21, and not only the temperature information of each organic EL element 21 but also the deterioration of the relative luminance of the organic EL element 21 is detected. By controlling the light emission luminance of each organic EL element 21 based on the information, it is possible to suppress the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in luminance deterioration due to the temperature of the organic EL element 21, thereby realizing a smooth image display. .

特に、有機EL素子21の温度を検出する温度検出部40の検出素子として、有機EL素子21と同じ温度依存性を示す発生電流−印加電圧特性(図7参照)を持つ素子、即ち有機EL素子411を用いることで、これら有機EL素子21,411の発光輝度−印加電圧特性が温度変化に応じて同じように電圧シフトするために、有機EL素子411の電圧シフト量から有機EL素子21の温度変化分を正確に検出して有機EL素子21の輝度制御に反映させ、温度変化による輝度変化を高精度にて補正することができる。しかも、温度検出用の有機EL素子411を、画素20の有機EL素子21と同じプロセスで形成することができる。   In particular, an element having a generated current-applied voltage characteristic (see FIG. 7) showing the same temperature dependence as the organic EL element 21 as a detection element of the temperature detection unit 40 that detects the temperature of the organic EL element 21, that is, an organic EL element By using 411, the light emission luminance-applied voltage characteristics of these organic EL elements 21 and 411 are similarly voltage-shifted according to the temperature change, so that the temperature of the organic EL element 21 is changed from the voltage shift amount of the organic EL element 411. The amount of change can be accurately detected and reflected in the luminance control of the organic EL element 21, and the luminance change due to the temperature change can be corrected with high accuracy. In addition, the temperature detection organic EL element 411 can be formed by the same process as the organic EL element 21 of the pixel 20.

なお、上記構成の制御部50については、画素20が行列状に配置されてなる画素アレイ部(表示部)11や、その周辺の駆動回路(書き込み走査回路12、電源供給走査回路13および水平駆動回路14)と共に、表示パネル18上に搭載する構成を採っても良いし、あるいは、表示パネル18外に設ける構成を採っても良い。   Note that the control unit 50 configured as described above includes a pixel array unit (display unit) 11 in which the pixels 20 are arranged in a matrix, and peripheral drive circuits (a write scanning circuit 12, a power supply scanning circuit 13, and a horizontal drive). The circuit 14) may be mounted on the display panel 18 or may be provided outside the display panel 18.

ここで、本実施形態に係る有機EL表示装置10における制御部50の各構成要素、即ちレベル制御部501、相対レベル調整部502、メモリー部503、除算部504、A/D変換部505、メモリー部506、乗算部507、相対輝度劣化検出部508、A/D変換部509、メモリー部510、温度変化検出部511、データ規格化処理部512、電圧除算演算部513、電圧除算結果比較演算部514、電圧除算比率制御部515および演算選択制御部516については、パーソナルコンピュータのように、所定プログラムを実行することによって情報記憶処理、信号処理、演算処理等の各機能を実行するコンピュータ機器を利用してソフトウェア構成によって実現することが考えられる。   Here, each component of the control unit 50 in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, that is, a level control unit 501, a relative level adjustment unit 502, a memory unit 503, a division unit 504, an A / D conversion unit 505, a memory Unit 506, multiplication unit 507, relative luminance deterioration detection unit 508, A / D conversion unit 509, memory unit 510, temperature change detection unit 511, data normalization processing unit 512, voltage division calculation unit 513, voltage division result comparison calculation unit As for 514, voltage division ratio control unit 515 and calculation selection control unit 516, a computer device that performs each function such as information storage processing, signal processing, and calculation processing by executing a predetermined program is used like a personal computer. It can be realized by software configuration.

ただし、ソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成、あるいはハードウェアとソフトウェアの複合構成によって実現することも可能である。   However, the present invention is not limited to the implementation by software configuration, and can also be implemented by a hardware configuration or a combined configuration of hardware and software.

(制御方法)
次に、上記構成の本実施形態に係る有機EL表示装置10の制御方法(本発明による有機EL表示装置の制御方法)の処理手順について、図15のフローチャートを用いて具体的に説明する。この制御方法による処理は、図11の制御部50による制御の下に実行される処理に相当する。なお、この一連の処理は、スキャン周期に同期して画素単位で実行されることとする。
(Control method)
Next, a processing procedure of the control method of the organic EL display device 10 according to the present embodiment having the above-described configuration (the control method of the organic EL display device according to the present invention) will be specifically described with reference to the flowchart of FIG. The process by this control method is corresponded to the process performed under control by the control part 50 of FIG. Note that this series of processing is executed in units of pixels in synchronization with the scan cycle.

ここでは、一例として、図16に示すように、有機EL素子21の初期温度が30℃であったときに、高輝度表示画素(A)の相対輝度をLa(=1.0)、低輝度表示画素(B)の相対輝度をLb(=1.0)とし、所定の駆動期間tが経過した後の表示状態での高輝度表示画素の温度が60℃に上昇し、このときの高輝度表示画素の相対輝度が初期値Laよりも6%劣化(ΔLa=La×6%)し、低輝度表示画素の温度が45℃に上昇し、このときの低輝度表示画素の相対輝度が初期値Lbよりも4%劣化(ΔLa=La×4%)している場合の輝度補正制御を例に挙げて説明する。   Here, as an example, as shown in FIG. 16, when the initial temperature of the organic EL element 21 is 30 ° C., the relative luminance of the high luminance display pixel (A) is La (= 1.0), and the low luminance. The relative luminance of the display pixel (B) is set to Lb (= 1.0), and the temperature of the high luminance display pixel in the display state after the elapse of a predetermined driving period t rises to 60 ° C., and the high luminance at this time The relative luminance of the display pixel deteriorates by 6% from the initial value La (ΔLa = La × 6%), the temperature of the low luminance display pixel rises to 45 ° C., and the relative luminance of the low luminance display pixel at this time is the initial value. The brightness correction control in the case of 4% deterioration (ΔLa = La × 4%) as compared with Lb will be described as an example.

なお、静止画の場合も動画の場合も制御方法は同じであるために、ここでは、静止画/動画の共通の制御として説明する。   Note that the control method is the same for both still images and moving images, and therefore, here, a description will be given of common control for still images / moving images.

先ず、画像表示のためのデジタル映像信号を取り込み(ステップS11)、当該映像信号の信号レベルで示される階調値を保存し(ステップS12)、しかる後デジタル映像信号を表示パネル18に対して入力する(ステップS13)。これにより、表示パネル18では、デジタル入力信号に基づいて画素の表示駆動が行われ、各画素20の有機EL素子21が発光する。   First, a digital video signal for image display is captured (step S11), the gradation value indicated by the signal level of the video signal is stored (step S12), and then the digital video signal is input to the display panel 18. (Step S13). Thereby, in the display panel 18, display driving of pixels is performed based on the digital input signal, and the organic EL elements 21 of the respective pixels 20 emit light.

有機EL素子21が発光することにより、対応関係にある受光素子19が当該有機EL素子21の漏れ光を受光し、その受光量に応じた電気信号、即ち発光輝度に応じた電圧値を出力するとともに、表示パネル18内に設けられた温度検出部40が有機EL素子21の温度を検出してその検出温度に応じた電圧値を出力する。   When the organic EL element 21 emits light, the corresponding light receiving element 19 receives the leaked light from the organic EL element 21, and outputs an electric signal corresponding to the amount of received light, that is, a voltage value corresponding to the light emission luminance. At the same time, the temperature detector 40 provided in the display panel 18 detects the temperature of the organic EL element 21 and outputs a voltage value corresponding to the detected temperature.

このように、表示パネル18が表示駆動状態にあるときに、受光素子19から出力される発光輝度に応じた電圧値(輝度電圧値)を取り込み(ステップS14)、この輝度電圧値をステップS12で保存した階調値で除算し(ステップS15)、デジタルデータ化した後保存する(ステップS16)。   Thus, when the display panel 18 is in the display driving state, a voltage value (luminance voltage value) corresponding to the light emission luminance output from the light receiving element 19 is captured (step S14), and this luminance voltage value is obtained in step S12. Divide by the stored gradation value (step S15), convert to digital data, and store (step S16).

次いで、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について、ステップS12で保存した階調値を基に、所定の駆動期間における発光輝度の劣化分を検出する(ステップS17)。   Next, for each of the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel, the deterioration of the light emission luminance during a predetermined driving period is detected based on the gradation value stored in step S12 (step S17).

なお、ステップS15での除算処理や、ステップS17での輝度劣化分の検出に用いられる階調値は、実際には、受光素子19が受光する漏れ光の受光量が発光素子13の発光量の20%程度であり、受光素子19からの電圧値に対応させるために、20%の除算処理が行われたものとなる。   Note that the gradation value used for the division process in step S15 and the detection of the luminance degradation in step S17 is actually the amount of light received by the light receiving element 19 is equal to the amount of light emitted by the light emitting element 13. It is about 20%, and in order to correspond to the voltage value from the light receiving element 19, 20% division processing is performed.

次いで、温度検出部40から出力される、有機EL素子21を含む画素20の温度に応じた電圧値(温度電圧値)を取り込み(ステップS18)、画素個々について温度変化分を検出する(ステップS19)。   Next, a voltage value (temperature voltage value) corresponding to the temperature of the pixel 20 including the organic EL element 21 output from the temperature detection unit 40 is captured (step S18), and a temperature change is detected for each pixel (step S19). ).

なお、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について輝度変化分を検出するためのステップS14〜S17の各処理と、画素個々についての温度変化分を検出するためのステップS18,S19の各処理については、その処理の順番が逆であっても良く、また双方の検出処理を並行して行うようにしても良い。   In addition, each process of steps S14 to S17 for detecting the luminance change amount for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and each process of steps S18 and S19 for detecting the temperature change amount for each pixel. The processing order may be reversed, and both detection processes may be performed in parallel.

次に、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを基に、画素個々の温度変化分を、ステップS17で検出した高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての輝度劣化分に対応した電圧値(高輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLaと、低輝度表示画素の温度変化分に応じた電圧値(低輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLbとに規格化(換算)する(ステップS20)。   Next, based on the numerical correlation data table indicating the correspondence between the brightness and the temperature, the temperature change of each pixel is converted into the brightness deterioration for each of the high brightness display pixel and the low brightness display pixel detected in step S17. Normalized (converted) to the corresponding voltage value (relative luminance degradation of the high luminance display pixel) ΔLa and voltage value (relative luminance degradation of the low luminance display pixel) ΔLb corresponding to the temperature change of the low luminance display pixel. (Step S20).

ここで、所定の駆動期間tが経過した後の30℃から60℃への温度変化に伴う高輝度表示画素の相対輝度の劣化が6%のとき、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaは例えば4.8Vの電圧値に規格化され、所定の駆動期間経過後の30℃から45℃への温度変化に伴う低輝度表示画素の相対輝度の劣化が4%のとき、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbは例えば3.2Vの電圧値として規格化されるものとする。   Here, when the relative luminance deterioration of the high luminance display pixel due to the temperature change from 30 ° C. to 60 ° C. after the elapse of the predetermined driving period t is 6%, the relative luminance deterioration ΔLa of the high luminance display pixel is For example, when the relative luminance deterioration of the low-luminance display pixel is 4%, which is normalized to a voltage value of 4.8 V and the temperature change from 30 ° C. to 45 ° C. after a predetermined driving period has elapsed, It is assumed that the relative luminance degradation ΔLb is standardized as a voltage value of 3.2 V, for example.

次に、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaで除算し(ステップS21)、次いで、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTがΔT≧15℃(=60℃−45℃)であるときの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを基に、図13に示す温度差と焼付き発生臨界点との対応関係から、温度起因による相対輝度の劣化の違いによる焼付き現象の発生程度を判定する(ステップS22)。   Next, the relative luminance degradation ΔLa of the high luminance display pixel is divided by the relative luminance degradation ΔLa of the low luminance display pixel (step S21), and then the temperature difference ΔT between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel is ΔT. Based on the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb, which is a division result when ≧ 15 ° C. (= 60 ° C.−45 ° C.), the correspondence between the temperature difference and seizure critical point shown in FIG. Then, the degree of occurrence of the image sticking phenomenon due to the difference in deterioration of the relative luminance due to temperature is determined (step S22).

ここでの例では、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが、ΔLa/ΔLb=4.8V/3.2V=1.50であり、図13の対応関係から、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTが15℃のときの焼付き発生臨界点(1.40)以上であるために、温度起因による相対輝度の劣化の違いによる焼付き現象が発生すると判定される。そして、焼付き現象の発生程度、即ち温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbの焼付き発生臨界点に対する差を算出する処理が行われる。   In this example, the temperature characteristic burn-in correlation coefficient ΔLa / ΔLb is ΔLa / ΔLb = 4.8 V / 3.2 V = 1.50. From the correspondence relationship in FIG. Since the temperature difference ΔT with respect to the display pixel is equal to or higher than the critical point (1.40) at which image sticking occurs when the temperature difference is 15 ° C., it is determined that the image sticking phenomenon occurs due to the difference in relative luminance degradation due to temperature. Then, a process for calculating the degree of occurrence of seizure phenomenon, that is, the difference between the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb and the seizure critical point is performed.

ここで、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.40未満にするためには、即ち0.10を越える値だけ減少させるためには、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbを約3.43V以上にするか、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを約4.48V以下にすれば良いことになる。   Here, in order to reduce the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb to less than 1.40, that is, to decrease it by a value exceeding 0.10, the relative luminance degradation amount ΔLb of the low-luminance display pixel is reduced to about It may be set to 3.43 V or higher, or the relative luminance degradation ΔLa of the high luminance display pixel may be set to about 4.48 V or lower.

そのためには、低輝度表示画素の信号レベルを約0.23V(=3.43V−3.2V)以上増幅させるか、高輝度表示画素の信号レベルを約0.32V(=4.48V−4.8V)以上減衰させるかのいずれか一方を選択することになる。   For this purpose, the signal level of the low luminance display pixel is amplified by about 0.23 V (= 3.43 V-3.2 V) or more, or the signal level of the high luminance display pixel is about 0.32 V (= 4.48 V-4). .8V) or more is selected.

このような処理をステップS23〜S25の各処理ステップで実行することになる。すなわち、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.0〜1.4の範囲に収めるための輝度補正値(上記の例では、低輝度表示画素に対して0.23V/高輝度表示画素に対して0.32V)を画素個々について算出し(ステップS23)、次いで、低輝度表示画素に対して信号レベルの増幅による補正を行うのか、高輝度表示画素に対して信号レベルの減衰による補正を行うのかを選択し(ステップS24)、次いで、この選択結果に基づいてデジタル映像信号の画素単位の信号レベル(輝度レベル)に対して増幅制御または減衰制御することによって輝度補正を行う(ステップS25)。   Such processing is executed in each processing step of steps S23 to S25. That is, the luminance correction value for keeping the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb in the range of 1.0 to 1.4 (in the above example, 0.23 V / high luminance display pixel with respect to the low luminance display pixel). 0.32V) is calculated for each pixel (step S23), and then correction by signal level amplification is performed on the low luminance display pixel or correction by attenuation of the signal level on the high luminance display pixel (Step S24), and then, based on the selection result, the luminance correction is performed by performing amplification control or attenuation control on the signal level (luminance level) of each pixel of the digital video signal (step S25). ).

上述した一連の処理により、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度の劣化分を検出し、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTを高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分に対応した高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとに換算することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLa,ΔLbの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが焼付き発生臨界点未満になるように輝度補正が行われる。   Through the series of processes described above, the deterioration of relative luminance is detected for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and the temperature difference ΔT between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel is detected. The temperature correction is performed by converting the relative luminance deterioration amount ΔLa of the high luminance display pixel corresponding to the deterioration amount of the relative luminance for each display pixel and the relative luminance deterioration amount ΔLb of the low luminance display pixel. Luminance correction is performed so that the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb, which is the result of dividing the obtained relative luminance deterioration ΔLa, ΔLb, is less than the critical point for image sticking.

この輝度補正制御では、有機EL素子21の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるような制御が行われることになるために、有機EL素子21の温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができる。その結果、滑らかな画像表示を実現できる。   In this luminance correction control, control is performed such that the deterioration of relative luminance due to the temperature of the organic EL element 21 becomes constant. Therefore, the luminance correction control occurs due to the difference in deterioration of the relative luminance due to the temperature of the organic EL element 21. The seizure phenomenon can be suppressed. As a result, smooth image display can be realized.

なお、上記実施形態では、RGB各色を発光する有機EL素子21を備えた有機EL表示装置10を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、白色光を発光する発光素子を備えた有機EL表示装置にも適用可能である。   In the above embodiment, the organic EL display device 10 including the organic EL elements 21 that emit RGB colors has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and emits white light. The present invention can also be applied to an organic EL display device including a light emitting element.

また、上記実施形態では、有機EL素子21の各々の光漏れ量を、それぞれ対応する受光素子38によって一様にモニタリングすることを前提として説明を行ったが、赤色光、緑色光、青色光あるいは白色光を発光する発光素子ごとに発光強度(発光輝度)が異なることから、各発光色ごとにレベル制御を行って相対的なレベルを揃えるようにしたり、あるいは、光漏れ量をモニタリングする対象となる発光色の種類を初期設定で限定したりすることも可能である。   Further, in the above embodiment, the description has been made on the assumption that the light leakage amount of each of the organic EL elements 21 is uniformly monitored by the corresponding light receiving elements 38, but red light, green light, blue light or Since the light emission intensity (light emission brightness) differs for each light emitting element that emits white light, level control is performed for each emission color so that the relative levels are aligned, or the amount of light leakage is monitored. It is also possible to limit the types of luminescent colors to be limited by the initial setting.

また、上記実施形態では、画素20として、駆動トランジスタ22と書き込みトランジスタ23の2つのトランジスタを有し、電源供給線16の電位DSを切り替えることによって有機EL素子21の発光期間を制御する回路構成のものを例に挙げて説明したが、これに限られるものではない。   In the above embodiment, the pixel 20 has two transistors, that is, the drive transistor 22 and the write transistor 23, and has a circuit configuration that controls the light emission period of the organic EL element 21 by switching the potential DS of the power supply line 16. Although an example has been described, the present invention is not limited to this.

[適用例]
以上説明した本発明に係る有機EL表示装置10は、図17〜図21に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
[Application example]
The organic EL display device 10 according to the present invention described above includes various electronic devices shown in FIGS. 17 to 21, for example, electronic devices such as digital cameras, notebook personal computers, mobile terminal devices such as mobile phones, and video cameras. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display video signals input to the video signal or video signals generated in the electronic device as images or videos. An example of an electronic device to which the present invention is applied will be described below.

なお、本発明に係る有機EL表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部(表示部)に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やFPC(フレキシブルプリントサーキット)等が設けられていてもよい。   The organic EL display device according to the present invention includes a module-shaped one with a sealed configuration. For example, a display module formed by being attached to a facing portion such as transparent glass on the pixel array portion (display portion) is applicable. The transparent facing portion may be provided with a color filter, a protective film, and the like, and further, the above-described light shielding film. Note that the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting a signal and the like from the outside to the pixel array unit, an FPC (flexible printed circuit), and the like.

図17は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。   FIG. 17 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied. The television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102, a filter glass 103, and the like, and is created by using the display device according to the present invention as the video display screen unit 101.

図18は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   18A and 18B are perspective views showing a digital camera to which the present invention is applied. FIG. 18A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 18B is a perspective view seen from the back side. The digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and is manufactured by using the display device according to the present invention as the display unit 112.

図19は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 19 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. A notebook personal computer according to this application example includes a main body 121 including a keyboard 122 that is operated when characters and the like are input, a display unit 123 that displays an image, and the like. It is produced by using.

図20は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 20 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied. The video camera according to this application example includes a main body 131, a lens 132 for shooting an object on a side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like. It is manufactured by using such a display device.

図21は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 21 is a perspective view showing a mobile terminal device to which the present invention is applied, for example, a mobile phone, in which (A) is a front view in an opened state, (B) is a side view thereof, and (C) is closed. (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. The mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, and the like. And the sub display 145 is manufactured by using the display device according to the present invention.

本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置のパネル構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the panel structure of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 画素(画素回路)20の具体的な構成例を示す回路図である。3 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of a pixel (pixel circuit) 20. FIG. 本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。It is a timing chart with which it uses for operation | movement description of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 上面発光型有機EL表示装置のパネル構造の概略を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the outline of the panel structure of a top emission type organic electroluminescence display. 有機EL素子と受光素子との位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of an organic EL element and a light receiving element. 下面発光型有機EL表示装置のパネル構造の概略を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the outline of the panel structure of a bottom emission type organic electroluminescence display. 有機EL素子の発生電流−印加電圧特性および発光輝度−印加電圧特性の温度依存性を示す図である。It is a figure which shows the temperature dependence of the generation electric current-applied voltage characteristic and light emission brightness-applied voltage characteristic of an organic EL element. 有機EL素子の温度変化分ΔTと電圧シフト量ΔVの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature variation (DELTA) T of an organic EL element, and voltage shift amount (DELTA) V. 画素内に配置する場合の温度検出部の回路例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit example of the temperature detection part in the case of arrange | positioning in a pixel. 表示領域外に配置する場合の温度検出部の回路例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit example of the temperature detection part in the case of arrange | positioning outside a display area. 制御部の構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a structure of a control part. 高輝度表示画素(A)と低輝度表示画素(B)での温度起因による相対輝度の劣化の違いを示す図である。It is a figure which shows the difference of deterioration of the relative luminance by the temperature cause in a high-intensity display pixel (A) and a low-intensity display pixel (B). 温度変化分(温度差)ΔTと焼付き発生臨界点との対応関係についての説明図である。It is explanatory drawing about the correspondence of temperature change (temperature difference) (DELTA) T and a seizure critical point. 静止画判定部の構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a structure of a still image determination part. 本発明による有機EL表示装置の制御方法の処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence of the control method of the organic electroluminescent display apparatus by this invention. 高輝度表示画素と低輝度表示画素との相対輝度劣化量を示す図である。It is a figure which shows the relative luminance degradation amount of a high-intensity display pixel and a low-intensity display pixel. 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the television to which this invention is applied. 本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。It is the perspective view which shows the digital camera to which this invention is applied, (A) is the perspective view seen from the front side, (B) is the perspective view seen from the back side. 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the video camera to which this invention is applied. 本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。It is a perspective view showing a cellular phone to which the present invention is applied, (A) is a front view in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) Is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. 有機EL素子の温度起因による輝度劣化を示す図である。It is a figure which shows the luminance degradation by the temperature origin of an organic EL element.

符号の説明Explanation of symbols

10,10A,10B…有機EL表示装置、11…画素アレイ部、12…書き込み走査回路、13…電源供給走査回路、14…水平駆動回路、15−1〜15−m…走査線、16−1〜16−m…電源供給線、17−1〜17−n…信号線、18…表示パネル(パネルモジュール)、20…画素、21,411…有機EL素子、22…駆動トランジスタ、23…書き込みトランジスタ、24…保持容量、25…補助容量、31…支持基板、32…対向基板、33…素子分離絶縁層、34…下部電極、35…有機層、36…上部電極、37…透明材料膜、38…受光素子、40,40A,40B…温度検出部、41…温度情報検出部、42,43…レベル調整部、50…制御部、501…レベル制御部、502…相対レベル調整部、503,506,510…メモリー部、504…除算部、505,509…A/D変換部、507…乗算部、508…相対輝度劣化検出部、511…温度変化検出部、512…データ規格化処理部、513…電圧除算演算部、514…電圧除算結果比較演算部、515…電圧除算比率制御部、516…演算選択制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10A, 10B ... Organic EL display device, 11 ... Pixel array part, 12 ... Write scanning circuit, 13 ... Power supply scanning circuit, 14 ... Horizontal drive circuit, 15-1 to 15-m ... Scanning line, 16-1 -16-m: power supply line, 17-1 to 17-n: signal line, 18: display panel (panel module), 20: pixel, 21,411: organic EL element, 22: drive transistor, 23: write transistor , 24 ... holding capacity, 25 ... auxiliary capacity, 31 ... support substrate, 32 ... counter substrate, 33 ... element isolation insulating layer, 34 ... lower electrode, 35 ... organic layer, 36 ... upper electrode, 37 ... transparent material film, 38 Light receiving element 40, 40A, 40B Temperature detection unit 41 Temperature information detection unit 42, 43 Level adjustment unit 50 Control unit 501, Level control unit 502 Relative level adjustment unit 503, 5 6, 510 ... memory unit, 504 ... division unit, 505, 509 ... A / D conversion unit, 507 ... multiplication unit, 508 ... relative luminance degradation detection unit, 511 ... temperature change detection unit, 512 ... data normalization processing unit, 513: Voltage division calculation unit, 514 ... Voltage division result comparison calculation unit, 515 ... Voltage division ratio control unit, 516 ... Calculation selection control unit

Claims (7)

一対の基板間に形成された有機EL素子を含む画素が複数配置されてなる画素アレイ部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記有機EL素子の各々に対応して配置され、当該有機EL素子の漏れ光を検出して光電変換する受光素子群と、
前記有機EL素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記有機EL素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出部と、
前記有機EL素子と同じ素子からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に前記有機EL素子の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部の検出結果に対して前記相対輝度劣化検出部が検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記有機EL素子の温度起因による輝度劣化量が一定になるように前記有機EL素子の発光輝度を制御する制御部と
を備えたことを特徴とする有機EL表示装置。
A pixel array unit in which a plurality of pixels including an organic EL element formed between a pair of substrates are disposed;
A light receiving element group disposed on one of the pair of substrates corresponding to each of the organic EL elements, and detecting and photoelectrically converting leakage light of the organic EL elements;
A relative luminance deterioration detection unit that detects a deterioration in relative luminance of the organic EL element based on an input signal to the organic EL element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature detection unit that detects a temperature of the organic EL element based on a generated current-applied voltage characteristic of the detection element using a detection element made of the same element as the organic EL element;
The amount of luminance deterioration due to the temperature of the organic EL element is made constant by reflecting the amount of deterioration of the relative luminance detected by the relative luminance deterioration detection unit in the detection result of the temperature detection unit. An organic EL display device comprising: a control unit that controls emission luminance.
前記温度検出部は、前記画素の各々に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 1, wherein the temperature detection unit is disposed in each of the pixels.
前記温度検出部は、前記画素アレイ部の周辺部に配置されている
ことを特徴とする請求項2記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 2, wherein the temperature detection unit is disposed in a peripheral portion of the pixel array unit.
前記制御部は、
前記受光素子群の各受光素子の検出信号に基づいて高輝度表示画素と低輝度表示画素とを識別し、前記高輝度表示画素および前記低輝度表示画素の各々について所定の駆動期間における相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出部と、
前記温度検出部の検出信号に基づいて前記有機EL素子個々の所定期間における温度変化分を検出する温度変化検出部と、
前記温度変化検出部が検出した前記有機EL素子個々についての温度変化分に対して前記相対輝度劣化検出部が検出した前記高輝度表示画素および前記低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分を反映させる規格化処理部とを有し、
前記規格化処理部の処理結果に基づいて前記有機EL素子の温度起因による輝度劣化量が一定になるように前記有機EL素子の発光輝度を制御する
ことを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
The controller is
Based on the detection signal of each light receiving element of the light receiving element group, the high luminance display pixel and the low luminance display pixel are identified, and the relative luminance in a predetermined driving period is determined for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. A relative luminance deterioration detection unit for detecting deterioration,
A temperature change detection unit for detecting a temperature change in a predetermined period of each organic EL element based on a detection signal of the temperature detection unit;
The relative luminance degradation for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel detected by the relative luminance degradation detection unit with respect to the temperature variation for each of the organic EL elements detected by the temperature variation detection unit. And a standardization processing unit that reflects
2. The organic EL device according to claim 1, wherein the light emission luminance of the organic EL element is controlled based on a processing result of the normalization processing unit so that a luminance deterioration amount due to temperature of the organic EL device becomes constant. Display device.
前記制御部は、
前記規格化処理部で前記高輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度変化分に応じた第1の電圧値を前記低輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度変化分に応じた第2の電圧値で除算する除算演算部と、
前記除算演算部の除算結果を所定の基準値と比較する比較演算部と、
前記比較演算部の比較結果に基づいて輝度補正値を算出する除算比率制御部と、
前記除算比率制御部が算出した前記有機EL素子個々の輝度補正値を基に前記入力信号の信号レベルを制御するレベル制御部とをさらに有する
ことを特徴とする請求項4記載の表示装置。
The controller is
The normalization processing unit uses the first voltage value corresponding to the temperature change reflecting the luminance change of the high luminance display pixel as the temperature change corresponding to the luminance change of the low luminance display pixel. A division operation unit for dividing by the second voltage value;
A comparison operation unit that compares the division result of the division operation unit with a predetermined reference value;
A division ratio control unit that calculates a luminance correction value based on a comparison result of the comparison operation unit;
The display device according to claim 4, further comprising: a level control unit that controls a signal level of the input signal based on a luminance correction value of each of the organic EL elements calculated by the division ratio control unit.
一対の基板間に形成された有機EL素子を含む画素が複数配置されてなる有機EL表示装置の制御方法であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記有機EL素子の各々に対応して配置された受光素子群の各受光素子によって前記有機EL素子の漏れ光を検出する漏れ光検出ステップと、
前記有機EL素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記有機EL素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出ステップと、
前記有機EL素子と同じ素子からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に前記有機EL素子の温度を検出する温度検出ステップと、
前記温度検出ステップでの検出結果に対して前記相対輝度劣化検出ステップで検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記有機EL素子の温度起因による輝度劣化量が一定になるように前記有機EL素子の発光輝度を制御する制御ステップと
を有することを特徴とする有機EL表示装置の制御方法。
A method for controlling an organic EL display device in which a plurality of pixels including an organic EL element formed between a pair of substrates are arranged,
A leakage light detection step of detecting leakage light of the organic EL element by each light receiving element of the light receiving element group arranged corresponding to each of the organic EL elements on one of the pair of substrates;
A relative luminance deterioration detecting step for detecting a deterioration in relative luminance of the organic EL element based on an input signal to the organic EL element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature detection step of detecting a temperature of the organic EL element based on a generated current-applied voltage characteristic of the detection element using a detection element made of the same element as the organic EL element;
The organic EL element so that the amount of luminance deterioration due to the temperature of the organic EL element is constant by reflecting the amount of deterioration of the relative luminance detected in the relative luminance deterioration detecting step with respect to the detection result in the temperature detecting step. And a control step for controlling the light emission luminance of the organic EL display device.
一対の基板間に形成された有機EL素子を含む画素が複数配置されてなる画素アレイ部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記有機EL素子の各々に対応して配置され、当該有機EL素子の漏れ光を検出して光電変換する受光素子群と、
前記有機EL素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記有機EL素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出部と、
前記有機EL素子と同じ素子からなる検出素子を用いて当該検出素子の発生電流−印加電圧特性を基に前記有機EL素子の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部の検出結果に対して前記相対輝度劣化検出部が検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記有機EL素子の温度起因による輝度劣化量が一定になるように前記有機EL素子の発光輝度を制御する制御部と
を備えた有機EL表示装置を有することを特徴とする電子機器。
A pixel array unit in which a plurality of pixels including an organic EL element formed between a pair of substrates are disposed;
A light receiving element group disposed on one of the pair of substrates corresponding to each of the organic EL elements, and detecting and photoelectrically converting leakage light of the organic EL elements;
A relative luminance deterioration detection unit that detects a deterioration in relative luminance of the organic EL element based on an input signal to the organic EL element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature detection unit that detects a temperature of the organic EL element based on a generated current-applied voltage characteristic of the detection element using a detection element made of the same element as the organic EL element;
The amount of luminance deterioration due to the temperature of the organic EL element is made constant by reflecting the amount of deterioration of the relative luminance detected by the relative luminance deterioration detection unit in the detection result of the temperature detection unit. An electronic apparatus comprising: an organic EL display device including a control unit that controls light emission luminance.
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