JP2008159309A - Light emitting device, its manufacturing method, and display device - Google Patents
Light emitting device, its manufacturing method, and display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008159309A JP2008159309A JP2006344525A JP2006344525A JP2008159309A JP 2008159309 A JP2008159309 A JP 2008159309A JP 2006344525 A JP2006344525 A JP 2006344525A JP 2006344525 A JP2006344525 A JP 2006344525A JP 2008159309 A JP2008159309 A JP 2008159309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- emitting device
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、特に液晶表示装置のバックライトとして用いられる発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置に関する。 The present invention particularly relates to a light emitting device used as a backlight of a liquid crystal display device, a manufacturing method thereof, and a display device.
近年、液晶テレビやノート型パソコン、カーナビゲーション等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ(LCD;Liquid Crystal Display)が多く用いられている。液晶ディスプレイは、パネル基板間に液晶層を封止したものであり、画像データに基づいて液晶層内を透過する光を変調させることにより、様々な表示を行うものである。ところが、このような液晶ディスプレイは、自発光ではないため、画像表示に際しては、バックライト等の外部光源を必要とする。 In recent years, a liquid crystal display (LCD) is often used as a display monitor for liquid crystal televisions, notebook computers, car navigation systems, and the like. The liquid crystal display has a liquid crystal layer sealed between panel substrates, and performs various displays by modulating light transmitted through the liquid crystal layer based on image data. However, since such a liquid crystal display is not self-luminous, an external light source such as a backlight is required for image display.
バックライトは、主に直下型、エッジライト型、平面光源型に大別され、特に薄型ディスプレイ用途の場合には、平面光源型が理想的である。直下型は、LCDパネルの真後ろに蛍光灯と反射フィルムを置くことにより面光源とするため、発光効率が良く高輝度を得ることができるが、TVモニタが大型になるにつれて、光源である蛍光灯の本数が増え重量も増大する。また、蛍光灯の配置を隠して均一な面光源にするためには20〜40mm程の十分な奥行きが必要であり、薄型化を阻害する最大の要因となっている。エッジライト型は、導光板の側面に蛍光灯を置くことにより面光源とするため、薄型ではあるものの輝度が比較的小さく、導光板を用いるために装置全体が非常に重くなってしまう。 Backlights are mainly classified into direct type, edge light type, and flat light source type, and the flat light source type is ideal particularly for thin display applications. The direct type is a surface light source by placing a fluorescent lamp and a reflective film directly behind the LCD panel, so that high luminance can be obtained with high luminous efficiency. However, as the TV monitor becomes larger, the fluorescent lamp is the light source. This increases the number of pieces and increases the weight. Further, in order to conceal the arrangement of the fluorescent lamps and make a uniform surface light source, a sufficient depth of about 20 to 40 mm is necessary, which is the biggest factor that hinders the reduction in thickness. Since the edge light type is a surface light source by placing a fluorescent lamp on the side surface of the light guide plate, although it is thin, the luminance is relatively small, and the entire device becomes very heavy because the light guide plate is used.
平面光源型のバックライトとしては、有機EL(EL;Electro Luminescence)素子を用いた有機ELバックライトや平面型蛍光ランプ等が用いられる。中でも、有機ELバックライトは、消費電力を大幅に低減すると共に、部材が少なく、インバータを必要としないため、薄型化、軽量化に有利となる。ところが、この有機ELバックライトは、実際には低輝度であるため、特にテレビ用途において、実用化に向けて輝度の向上が望まれている。 As the planar light source type backlight, an organic EL backlight using an organic EL (EL) element, a planar fluorescent lamp, or the like is used. Among them, the organic EL backlight greatly reduces power consumption, has few members, and does not require an inverter, and thus is advantageous for reduction in thickness and weight. However, since this organic EL backlight actually has a low luminance, improvement in luminance is desired for practical use particularly in television applications.
そこで、特許文献1,2には、凹凸形状を有する基板上に有機EL素子を形成することにより、発光面積を増大させて表示輝度を向上させた有機ELバックライトが開示されている。この有機ELバックライトは、例えば、図9に示したように、波形の凹凸形状を有する基板200の上に、発光層を含む有機EL層201を積層したものであり、基板200の表面をフォトリソグラフィ等により凹凸形状としたのち、この上に、蒸着等により有機EL層201を形成することにより作製される。
しかしながら、上記特許文献1,2では、有機EL層201を蒸着する基板200の表面が平坦ではないため、有機EL層201を均一な厚みで形成することが難しい。有機EL層201は、数10nmと非常に薄い層であるため、その厚みが不均一になると、電極の短絡あるいは電界集中によるダークスポットが生じ易くなるという問題がある。
However, in
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極の短絡や電界集中によるダークスポットの発生を抑制しつつ、輝度を向上させることが可能な発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and the object thereof is to provide a light-emitting device capable of improving luminance while suppressing the occurrence of dark spots due to short-circuiting of electrodes or electric field concentration, and a method for manufacturing the same, and It is to provide a display device.
本発明による発光装置は、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板と、基板の一の面側に、基板の波型形状に沿って設けられた発光素子とを備えたものである。 A light emitting device according to the present invention includes a substrate bent so that a cross section thereof has a corrugated shape, and a light emitting element provided on one surface side of the substrate along the corrugated shape of the substrate. .
本発明による発光装置の製造方法は、柔軟性を有する基板の一面に発光素子を形成する工程と、この発光素子を形成した基板を波状に折り曲げる工程と、波状に折り曲げた基板の形状を、その折り曲げた状態で固定する工程とを含むものである。 A method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a step of forming a light emitting element on one surface of a flexible substrate, a step of bending the substrate on which the light emitting element is formed, and a shape of the substrate bent in a wave shape. And a step of fixing in a bent state.
本発明による表示装置は、画像データに基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルの表示面とは反対側に設けられた発光装置とを備えた表示装置であって、発光装置は、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板と、この基板の一面に、波型形状に沿って設けられた発光素子とを有するものである。 A display device according to the present invention is a display device that includes a display panel that is driven based on image data, and a light-emitting device that is provided on the opposite side of the display surface of the display panel. The substrate includes a substrate bent so as to have a corrugated shape, and a light emitting element provided on one surface of the substrate along the corrugated shape.
ただし、本発明において、「波型形状」とは、凸部と凹部とを交互に配列させて構成される波のような形状であるものとし、周期や振幅が厳密に定められた周期構造に限定されるものではない。同様に、「波状」とは、凸部と凹部とを交互に配列させて構成される波のような状態であるものとする。また、「周期相当間隔」は波の周期に相当するものとし、具体的には、波型形状において隣接する凸部(あるいは、凹部)の頂点同士の波の進行方向における間隔をいうものとする。また、「振幅相当間隔」は波の振幅に相当するものとし、具体的には、波型形状において隣接する凸部の頂点と凹部の頂点との波の進行方向に直交する方向における間隔をいうものとする。 However, in the present invention, the “wave shape” is a wave-like shape formed by alternately arranging convex portions and concave portions, and has a periodic structure in which the period and amplitude are strictly defined. It is not limited. Similarly, the “wavy” is a wave-like state formed by alternately arranging convex portions and concave portions. Further, the “period equivalent interval” corresponds to a wave period, and specifically refers to an interval in the wave traveling direction between the apexes of adjacent convex portions (or concave portions) in the corrugated shape. . The “amplitude-corresponding interval” corresponds to the amplitude of the wave, and specifically refers to the interval in the direction perpendicular to the wave traveling direction between the apex of the adjacent convex portion and the apex of the concave portion in the corrugated shape. Shall.
本発明による発光装置では、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板の一面に、この波型形状に沿って、発光素子が設けられていることにより、発光面積が増大すると共に、発光素子の厚みが不均一である場合に生じる電極の短絡や電界集中が抑制される。 In the light emitting device according to the present invention, a light emitting element is provided along the corrugated shape on one surface of the substrate bent so that the cross section has a corrugated shape. Short-circuiting of electrodes and electric field concentration that occur when the thickness of the element is not uniform are suppressed.
本発明による発光装置の製造方法では、柔軟性を有する基板に発光素子を形成したのち、波状に折り曲げ、その折り曲げた状態で形状を固定することにより、凸部と凹部とを交互に配列させてなる基板の波状に沿って、発光素子が一定の厚みで形成される。これにより、発光面積が増大すると共に、発光素子の厚みが不均一である場合に生じる電極の短絡や電界集中が抑制される。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, after forming a light emitting element on a flexible substrate, it is bent into a wave shape, and the shape is fixed in the bent state, whereby convex portions and concave portions are alternately arranged. A light emitting element is formed with a constant thickness along the wave shape of the substrate. As a result, the light emitting area is increased, and the short circuit of the electrode and the electric field concentration that occur when the thickness of the light emitting element is not uniform are suppressed.
本発明による表示装置では、表示パネルの表示面とは反対側に設けられた発光装置が、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板の一面に、この波型形状に沿って、発光素子が設けられていることにより、局部的な暗視野が抑制されると共に、表示輝度が向上する。 In the display device according to the present invention, the light emitting device provided on the opposite side of the display surface of the display panel emits light along the corrugated shape on one surface of the substrate bent so that the cross section has the corrugated shape. By providing the element, a local dark field is suppressed and display luminance is improved.
本発明による発光装置によれば、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板と、基板の一の面側に、基板の波型形状に沿って設けられた発光素子とを備えるようにしたので、電極の短絡や電界集中によるダークスポットの発生を抑制しつつ、輝度を向上させることができる。 According to the light emitting device of the present invention, the substrate is bent so that the cross section has a corrugated shape, and the light emitting element provided along the corrugated shape of the substrate on one surface side of the substrate. Therefore, it is possible to improve the luminance while suppressing the generation of dark spots due to the short circuit of the electrodes and the electric field concentration.
本発明による発光装置の製造方法によれば、柔軟性を有する基板に発光素子を形成する工程と、この発光素子を形成した基板を波状に折り曲げる工程と、波状に折り曲げた基板の形状を、その折り曲げた状態で固定する工程とを含むようにしたので、電極の短絡や電界集中によるダークスポットの発生を抑制しつつ、輝度を向上させることが可能な発光装置を作製することができる。 According to the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, a step of forming a light emitting element on a flexible substrate, a step of bending the substrate on which the light emitting element is formed, and a shape of the substrate bent in a wave shape are And the step of fixing in a bent state. Therefore, it is possible to manufacture a light-emitting device capable of improving luminance while suppressing generation of dark spots due to short-circuiting of electrodes or concentration of electric field.
本発明による表示装置によれば、画像データに基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルの表示面とは反対側に設けられた発光装置とを備えた表示装置であって、発光装置が、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板と、この基板の一面に、波型形状に沿って設けられた発光素子とを有するようにしたので、表示むらを抑制すると共に、明るい画像表示を行うことができる。 According to the display device of the present invention, the display device includes a display panel that is driven based on image data, and a light emitting device that is provided on the opposite side of the display surface of the display panel. Since the substrate is bent so that the cross section has a corrugated shape and the light emitting element provided along the corrugated shape is provided on one surface of the substrate, display unevenness is suppressed and a bright image display is provided. It can be performed.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施の形態に係る発光装置(以下、発光装置1という。)の斜視図である。発光装置1は、装置全体が波型形状となっており、基板10の一面に素子形成層11が設けられた積層構造を有している。また、図2には、この発光装置1の断面の拡大図を示す。この発光装置1は、素子形成層11において発光した光を、光Lとして基板10側から出射するものであり、基板10の素子形成層11に対向しない面が、発光面Iとなっている。
FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device (hereinafter referred to as a light emitting device 1) according to an embodiment of the present invention. The
発光装置1の波型形状は、凸部と凹部とが、基板面内の一方向に交互に配列してなるものである。図3に、この波型形状の模式図を示す。この波型形状は、隣接する凸部100の頂点Tどうし、もしくは隣接する凹部101の頂点Bどうしの波の進行方向における間隔(以下、波の「周期相当間隔」とする)wと、凸部100と凹部101との波の進行方向に垂直な方向における間隔(以下、波の「振幅相当間隔」とする)dとにより、その形状が決定されるものである。なお、以下では、周期相当間隔wおよび振幅相当間隔dの単位は、mm(ミリメートル)とする。
The wave shape of the
周期相当間隔wは、基板面における凸部100(もしくは凹部101)の配置密度を決定するものであり、好ましくは、w>2.0である。この周期相当間隔wは、基板面内で一定であってもよく、領域ごとに異なっていてもよい。 The period-equivalent interval w determines the arrangement density of the convex portions 100 (or the concave portions 101) on the substrate surface, and preferably w> 2.0. This period-equivalent interval w may be constant within the substrate surface or may be different for each region.
振幅相当間隔dは、発光装置1の厚みに寄与するものであり、好ましくは、d>0.5、さらに好ましくは、0.5<d<30である。
The amplitude-corresponding interval d contributes to the thickness of the light-
基板10は、透明性を有する基板、例えばポリイミド等のプラスチック基板からなり、一定の厚み、例えば200μmで構成されている。この基板10は、素子形成層11を支持すると共に発光面Iを有し、発光光を透過させて光Lを射出するものである。
The
素子形成層11は、発光素子、例えば、有機EL素子や無機EL素子、半導体発光素子等が形成される層である。図4に、その断面構成の一例を示す。素子形成層11は、例えば、バリア層13上に、有機EL素子12と、この有機EL素子12を覆うように設けられたバリア層20とを有するものである。有機EL素子12は、アノード電極層14上に、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17、電子輸送層18、およびカソード電極層19をこの順に積層したものである。
The
発光層17は、赤(R;Red )、緑(G;Green )青(B;Blue)の3色の光をそれぞれ有機EL現象を利用して放出する層(図示せず)を積層したものであり、これら3色の光を合成(重畳)させることにより、全体として白色光を発生させるものである。この発光層17は、例えば金属錯体、低分子蛍光色素、蛍光性高分子等の有機材料により構成されている。 The light emitting layer 17 is formed by laminating layers (not shown) that emit light of three colors of red (R), green (G), and blue (B) using an organic EL phenomenon. By combining (superimposing) these three colors of light, white light is generated as a whole. The light emitting layer 17 is made of an organic material such as a metal complex, a low molecular fluorescent dye, or a fluorescent polymer.
アノード電極層14は、発光層17を駆動させると共に、発光層17において発光した光を基板10側へ透過させる機能を有しており、透明性を有する電極、例えばITO(インジウム錫酸化物)等により構成されている。
The anode electrode layer 14 has a function of driving the light emitting layer 17 and transmitting light emitted from the light emitting layer 17 to the
カソード電極層19は、発光層17を駆動させると共に、発光層17において発光した光を反射する機能を有しており、可視光に対する反射率が高い金属、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)あるいは、これらの合金等により構成されている。 The cathode electrode layer 19 has a function of driving the light emitting layer 17 and reflecting light emitted from the light emitting layer 17, and has a high reflectivity for visible light, such as aluminum (Al), silver (Ag). ) Or an alloy of these.
ホール注入層15は、ホール輸送層16にホール(正孔)を注入するものである。ホール輸送層16は、ホール注入層15から注入されたホールを発光層17へ輸送するものである。電子輸送層18は、発光層17へ電子を輸送するものである。これらの層は、発光層17における発光効率を向上させるために設けられるものであり、いずれも有機材料により構成されている。 The hole injection layer 15 injects holes into the hole transport layer 16. The hole transport layer 16 transports holes injected from the hole injection layer 15 to the light emitting layer 17. The electron transport layer 18 transports electrons to the light emitting layer 17. These layers are provided in order to improve the light emission efficiency in the light emitting layer 17, and both are made of an organic material.
バリア層13,20は、有機EL素子12、特に、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17および電子輸送層18等の有機材料で構成された層を封止することにより、これらを湿気や酸素等から保護する機能を有している。なお、基板10側にもバリア層13が設けられているのは、基板10の材料として用いられるポリイミド等が多孔質であり、湿気を吸着しやすい性質を有しているためである。このバリア層13,20は、例えば窒化ケイ素(SiN)や一酸化ケイ素(SiO)等の無機材料により構成されている。
The barrier layers 13 and 20 are formed by sealing the
また、波型形状の振幅相当間隔dの中間部、すなわち、波型形状の隣り合う凸部の頂点と凹部の頂点との間の中間領域には、連結部30が設けられている。この連結部30は、複数のサブ基板どうしを連結するものである。連結部30は、例えば、透明接着剤や透明粘着テープ等により構成されている。また、サブ基板と同素材の大判のプラスチック基板上に、連結部30により連結された複数のサブ基板が設けられた構成であってもよい。
In addition, a connecting
さらに、図5に示したように、発光装置1の表裏に、樹脂層40が設けられた構成としてもよい。樹脂層40は、透明性を有する樹脂によって構成され、例えばエポキシ樹脂、フッ素樹脂等の吸湿性の低いものが好ましい。また、樹脂層40の表面には、容器100が設けられていてもよい。容器100は、透明性を有する材料、例えばガラスやアクリル等により構成されている。樹脂層40は、発光装置1の表面と裏面のどちらか一方の面にのみ設けられていてもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 5, the
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法としての発光装置1の作製方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the light-emitting
まず、基板10の一面にバリア層13を形成したのち、このバリア層13上に、アノード電極層14、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17、電子輸送層18、およびカソード電極層19をこの順に、例えば蒸着法等を用いて設けることにより、有機EL素子12を形成する。このとき、基板10には、柔軟性を有するフレキシブル基板を用いるようにし、この基板10を平坦にした状態で、有機EL素子12の各層の蒸着を行うようにする。次いで、これらの層を、バリア層20で封止することにより、図4に示した素子構造を有するフレキシブルデバイスを、複数個形成する。
First, after forming the
次に、このようにして形成した複数のフレキシブルデバイスを、所望の周期相当間隔wおよび振幅相当間隔dの波型形状となるように、それぞれ折り曲げる。続いて、この折り曲げた状態で、フレキシブルデバイスを固定することにより、複数のサブ基板を形成する。こののち、連結部30を介して、複数のサブ基板同士を連結する。あるいは、複数のフレキシブルデバイスを、平坦な状態で連結したのち、波型形状に折り曲げて固定するようにしてもよい。例えば、サブ基板と同素材の大判の基板上に透明接着剤でサブ基板を隙間のできないように並べて貼り付けたのち、波型形状に折り曲げるようにしてもよい。このとき、連結部30が、波型形状の振幅相当間隔dの中間部に配置されるようにすることが好ましい。これにより、図1に示した発光装置1を完成する。
Next, the plurality of flexible devices formed in this way are each bent so as to have a wave shape with a desired period-equivalent interval w and amplitude-equivalent interval d. Subsequently, a plurality of sub-substrates are formed by fixing the flexible device in the bent state. Thereafter, the plurality of sub-boards are connected to each other through the connecting
フレキシブルデバイスを波型形状に固定する際には、例えば、波型形状に折り曲げたフレキシブルデバイスを容器100の中に入れて、フレキシブルデバイスと容器100との隙間に硬化性樹脂を充填したのち、この硬化性樹脂を硬化させて樹脂層40を形成するようにする(図5)。なお、有機EL素子12は紫外光に弱いため、硬化性樹脂には、光硬化性よりも熱硬化性を有するものを用いることが好ましい。また、硬化性樹脂を容器100内でフレキシブルデバイスの片側のみに充填し、フレキシブルデバイスの表面あるいは裏面のどちらか一方にのみ樹脂層40を形成して固定するようにしてもよい。また、容器100は、樹脂層40を形成したのち、取り外すようにしてもよい。
When the flexible device is fixed to the corrugated shape, for example, the flexible device bent into the corrugated shape is put into the
図6は、本実施の形態に係る表示装置の断面模式図である。この表示装置は、液晶表示パネル2と、液晶表示パネル2の表示面と反対側には、液晶表示パネル2に光を照射する本実施の形態に係る発光装置(発光装置1)を備えている。液晶表示パネル2は、例えば、画素電極やTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)スイッチング素子等(図示せず)が設けられたTFT基板50と、このTFT基板50に対向するように配置され、対向電極やカラーフィルタ等(図示せず)が設けられたCF基板52と、これらTFT基板50とCF基板52との間に設けられた液晶層51とを有している。また、液晶表示パネル2の表裏には、一定の方向に振動する光のみを通過させる偏光板53a,53bが設けられている。この表示装置では、発光装置1が平面型バックライトとして機能し、発光装置1から発せられた光Lを用いて、CF基板52の表面側において画像データに基づいた液晶表示が行われる。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the display device according to the present embodiment. This display device includes a liquid
次に、上記のような発光装置および発光装置の製造方法、ならびに表示装置の作用・効果について説明する。 Next, operations and effects of the light emitting device and the light emitting device as described above, and the display device will be described.
本実施の形態の発光装置では、アノード電極層14とカソード電極層19との間に駆動電圧が印加されると、有機EL素子12の発光層17において、ホール注入層15およびホール輸送層16を経由して供給された正孔と、電子輸送層18から供給された電子とが再結合することにより白色光が発生する。この白色光は、カソード電極層19において反射されたのち、あるいは直接的に、バリア層13、基板10を透過して、基板10の裏面(発光面I)より光Lとして出射する。
In the light emitting device of the present embodiment, when a driving voltage is applied between the anode electrode layer 14 and the cathode electrode layer 19, the hole injection layer 15 and the hole transport layer 16 are formed in the light emitting layer 17 of the
このとき、発光面Iが、凸部と凹部とを交互に配置してなる波型形状を有していることにより、発光面がフラットな面となっている場合に比べて、同一の平面積でも、発光面積を大きくとることができる。これにより、輝度を向上させることができる。また、素子形成層11における有機EL素子12が、波型形状に沿って、一定の厚みで設けられていることにより、局部的に素子層の厚みが異なる場合に生じる電極の短絡や電界集中によるダークスポットの発生を抑制することができる。
At this time, the light emitting surface I has a corrugated shape in which convex portions and concave portions are alternately arranged, so that the same plane area is obtained as compared with the case where the light emitting surface is a flat surface. However, the emission area can be increased. Thereby, a brightness | luminance can be improved. Further, since the
ここで、従来例(特許文献1)において、その発光面積Sを算出する。この際、図9に示した一つの凸部202の断面を、頂点A,B,Cを有し、頂点Cが直角となる三角形と近似して、辺CAの長さと辺BCの長さの合計(CA+BC)を求める。これを、凹凸形状を全く有していないフラットな面における発光面積(辺ABの長さ)を1とした場合の、特許文献1の発光面積S’とする。
Here, in the conventional example (Patent Document 1), the light emission area S is calculated. At this time, the cross section of one
具体的には、三平方の定理、式(1)を用いて算出する。また、式(1)は、式(2)のように変形することができる。さらに、∠CABをα、∠CBAをβとしたとき、CA=ABcosα、BC=ABcosβとなり、式(3)のように表すことができる。これより、式(4)が導かれる。
CA2+BC2=AB2 ………(1)
AB2=(CA+BC)2−2CA・BC ………(2)
CA+BC=(AB2+2ABcosα・ABcosβ)1/2 ………(3)
S’=AB(1+2cosα・cosβ)1/2 ………(4)
Specifically, it is calculated using the three-square theorem, equation (1). Moreover, Formula (1) can be deform | transformed like Formula (2). Furthermore, when ∠CAB is α and ∠CBA is β, CA = ABcosα and BC = ABcosβ, which can be expressed as shown in Expression (3). This leads to equation (4).
CA 2 + BC 2 = AB 2 (1)
AB 2 = (CA + BC) 2 −2 CA · BC (2)
CA + BC = (AB 2 + 2ABcos α · ABcos β) 1/2 (3)
S ′ = AB (1 + 2 cos α · cos β) 1/2 (4)
以上より、図10に示したように、従来例における発光面積S’は、α=45°(β=45°)の場合に最大となり、最大値は1.4となる。 As described above, as shown in FIG. 10, the light emission area S ′ in the conventional example is the maximum when α = 45 ° (β = 45 °), and the maximum value is 1.4.
これに対し、本実施の形態の発光装置では、波型形状の周期相当間隔wと、振幅相当間隔dの大きさの比率によって、発光面積Sが決定される。例えば、w:d=1:0.5のとき、発光面積はπ/2、w:d=1:1のとき、発光面積Sはπ/2+1、w:d=1:1.5のとき、発光面積Sはπ/2+2と近似できる。これより、発光面積Sは、式(5)のように表すことができる。ただし、w:d=1:yとする。
S=π/2+2・(y−1/2) ………(5)
On the other hand, in the light emitting device of the present embodiment, the light emitting area S is determined by the ratio of the size of the corrugated period equivalent interval w and the amplitude equivalent interval d. For example, when w: d = 1: 0.5, the emission area is π / 2, when w: d = 1: 1, when the emission area S is π / 2 + 1, and w: d = 1: 1.5. The light emission area S can be approximated to π / 2 + 2. Thus, the light emission area S can be expressed as in Expression (5). However, w: d = 1: y.
S = π / 2 + 2 · (y−1 / 2) (5)
従って、例えば、周期相当間隔wが5.0mm、振幅相当間隔dが5.0mmの場合、発光面積は2.57となる。また、周期相当間隔wが5.0mm、振幅相当間隔dが20mmの場合、発光面積は8.57となる。従って、従来の構成に比較しても、より大きな発光面積を確保することができる。 Therefore, for example, when the period equivalent interval w is 5.0 mm and the amplitude equivalent interval d is 5.0 mm, the light emission area is 2.57. When the period equivalent interval w is 5.0 mm and the amplitude equivalent interval d is 20 mm, the light emission area is 8.57. Therefore, a larger light emitting area can be ensured as compared with the conventional configuration.
また、周期相当間隔wを小さく、振幅相当間隔dを大きくすることにより、発光面積をいくらでも増大させることが可能である。ただし、製造性の観点から、周期相当間隔wは2.0mmより大きく、振幅相当間隔dは0.5mmより大きいことが好ましい。また、振幅相当間隔dについては、30mm以下とすることにより、装置の薄型化に有利となる。 Further, the light emission area can be increased as much as possible by reducing the period equivalent interval w and increasing the amplitude equivalent interval d. However, from the viewpoint of manufacturability, it is preferable that the period equivalent interval w is larger than 2.0 mm and the amplitude equivalent interval d is larger than 0.5 mm. Further, the amplitude equivalent interval d is set to 30 mm or less, which is advantageous for thinning the apparatus.
また、有機EL現象を利用した有機EL素子12を発光素子として用いることにより、通常多用されている蛍光ランプ等を用いる場合と比べて、消費電力を大幅に削減することができる。
Further, by using the
さらに、サブ基板同士を連結する連結部30が、波型形状の振幅相当間隔dの中間部に設けられていることにより、連結部30が波型形状の凸部あるいは凹部の頂点付近に設けられている場合に比べて、輝度むらを抑制することができる。連結部30では、発光素子が形成されていないため、その直上付近で輝度が低下する。ここで、波型形状では、その凸部(あるいは凹部)の頂点付近から射出した光は、反射したり、拡散されたりすることなく、そのまま装置上方に出射される。これに対して、振幅相当間隔dの中間部から射出した光は、凸部や凹部の側壁において反射、拡散されたのち、装置上方に出射される。このため、連結部30が波型形状の凸部あるいは凹部の頂点付近に設けられている場合、連結部30に起因して局部的に暗い部分が生じてしまう。これに対して、凸部や凹部の頂点付近から離れた振幅相当間隔dの中間部に連結部30が設けられている場合、輝度が分散されるため、装置全体として輝度むらの発生を抑制することができる。
Further, since the connecting
本実施の形態の発光装置の製造方法では、平坦にした状態のフレキシブルな基板10上に、有機EL素子12を形成、封止したのち、所望の周期相当間隔wおよび振幅相当間隔dの波型形状となるように、折り曲げて固定することにより、発光面積が増大する。また同時に、従来のように、基板の凹凸面に対して素子を形成する場合に比べて、有機EL素子12の厚みを均一に形成することができる。従って、電極の短絡や電界集中によるダークスポットの発生を抑制しつつ、輝度を向上させることが可能な発光装置を作製することができる。
In the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, after forming and sealing the
また、波型形状を固定する際に、樹脂層40によって装置の表裏を固めることにより、所望の波型形状を保持し易くなると共に、有機EL素子12を湿気等から保護することができる。
Further, when fixing the corrugated shape, the front and back of the apparatus are hardened by the
本実施の形態の表示装置では、画像データに基づいて、TFT50基板とCF基板52との間に駆動電圧が印加されると、発光装置1から表示パネル2側に照射された光Lが、液晶層51において透過、変調されることにより、様々な表示が行われる。このとき、発光装置1が、波型形状となるように折り曲げられた基板10と、この基板10の波型形状に沿って設けられた発光素子とを有していることにより、暗視野を抑制すると共に、明るい画像表示を行うことができる。
In the display device of the present embodiment, when a driving voltage is applied between the TFT 50 substrate and the CF substrate 52 based on the image data, the light L emitted from the
また、発光装置1では、波型形状の波の進行方向において、光Lが拡散反射するため、この方向における視野角特性が向上する。従って、表示パネル2内の視野角が求められる方向と、波型形状の波の進行方向とが同一になるように、発光装置1を設置することにより、所望の方向で視野角特性を向上させることができる。例えば、表示パネル2の左右方向において、視野角特性を向上させたい場合には、この左右方向と波型形状の波の進行方向とが一致するように発光装置1を設置するようにすればよい。
Further, in the
以下、本実施の形態の変形例について説明する。 Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described.
(変形例1)
図7は、本実施の形態の変形例1に係る発光装置について説明するための波型形状の模式図である。変形例1の発光装置は、波型形状を決定する周期相当間隔w以外の構成については、上記実施の形態と同様である。従って、上記実施の形態と異なる構成、作用および効果についてのみ説明する。
(Modification 1)
FIG. 7 is a schematic diagram of a corrugated shape for explaining a light-emitting device according to
この発光装置の波型形状は、基板面内の領域によって、その周期相当間隔wが異なっているものである。具体的には、基板面内における中央部Aの周期相当間隔w(w1)が、周辺部Bの周期相当間隔w(w2)よりも小さくなっている(w1<w2)。すなわち、中央部Aにおいて波型形状の凸部(凹部)が「密」となり、周辺部Bにおいて波型形状の凸部(凹部)が「疎」となっている。通常、中央部Aでは、電圧降下が生じ易いため、周辺部Bに比べて輝度が低下してしまうという問題がある。これに対し、本変形例のような構成とすることにより、周辺部Bよりも中央部Aにおいて、発光面積を広くとることができるため、中央部Aにおいて発生する電圧降下による輝度の低下が補填され、装置全体として、均一な輝度を保持することができる。 The corrugated shape of this light-emitting device has a period-equivalent interval w that varies depending on the region in the substrate surface. Specifically, the period equivalent interval w (w 1 ) of the central portion A in the substrate surface is smaller than the period equivalent interval w (w 2 ) of the peripheral portion B (w 1 <w 2 ). That is, the corrugated convex portion (concave portion) is “dense” in the central portion A, and the corrugated convex portion (concave portion) is “sparse” in the peripheral portion B. In general, a voltage drop is likely to occur in the central part A, so that there is a problem that the luminance is reduced as compared with the peripheral part B. On the other hand, since the light emitting area can be made larger in the central portion A than in the peripheral portion B by adopting the configuration as in the present modification, the reduction in luminance due to the voltage drop generated in the central portion A is compensated. As a result, the entire apparatus can maintain uniform brightness.
(変形例2)
図8は、本実施の形態の変形例2に係る発光装置の素子構造を表す断面図である。変形例に係る発光装置は、基板10の一面に設けられた素子形成層21において、有機EL素子12を封止する構成が異なること以外は、上記と同様の構成となっている。従って、上記と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
(Modification 2)
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an element structure of a light emitting device according to
素子形成層21では、有機EL素子12が、基板10上のバリア層13と、これに対向するように設けられたバリア層22と、バリア層13およびバリア層22の間に設けられたシール部24とによって、封止されている。バリア層22上には、基板23が設けられている。バリア層22は、バリア層13と同様の材料により構成されている。基板23は、例えば、アルミニウム(Al)等の金属により構成され、厚みは例えば100μmである。シール部24は、エポキシ樹脂等の吸湿性の低い接着材料により構成されている。
In the
このような素子形成層21は、例えば次のようにして作製する。まず、基板10上にバリア層13および有機EL素子12を形成する一方で、基板23上にバリア層22を形成する。次いで、有機EL素子12とバリア層22とが対向するように、基板10と基板23とを、シール部24を介して貼り合わせたのち、シール部24を硬化させることにより、有機EL素子12を封止する。このとき、基板23には、折り曲げることが可能な程度の厚みを有する金属基板を用いる。これにより、図8に示した素子構造を有するフレキシブルデバイスを形成することができる。
Such an
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更が可能である。例えば、上記実施の形態では、素子形成層11に形成される発光素子として、有機EL素子12を用いているが、これに限定されず、無機EL素子や半導体発光素子等にも適用可能である。また、有機EL素子12の積層構造についても、発光層17において白色光を発生可能な構成であれば、上記構成に限定されるものではない。
While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the
また、波型形状としては、半円状の凸部および凹部が配列した形状としているが、このような形状に限定されず、凸部と凹部を交互に配列してなる形状であれば、凸部あるいは凹部の形状が矩形状や三角形状等の断面となっていても、上記とほぼ同様の効果を得ることができる。加えて、波型形状の側面の領域に、連結部30が設けられた構成としているが、連結部30が設けられていない構成であってもよく、一枚の基板10上に素子形成層11を形成したのち、波型形状に折り曲げて固定したものを、発光装置としてもよい。
The corrugated shape is a shape in which semicircular convex portions and concave portions are arranged. However, the shape is not limited to such a shape. Even if the shape of the portion or the recess is a cross section such as a rectangular shape or a triangular shape, the same effect as described above can be obtained. In addition, although the
1…発光装置、2…表示パネル、10、23…基板、11…素子形成層、12…有機EL素子、14…アノード電極層、15…ホール注入層、16…ホール輸送層、17…発光層、18…電子輸送層、19…カソード電極層、13,20,22…バリア層、24…シール部、30…連結部、40…樹脂層40…TFT基板、51…液晶層、52…CF基板、53a,53b…偏光板、100…凸部、101…凹部。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板の一の面に、前記基板の波型形状に沿って設けられた発光素子と
を備えたことを特徴とする発光装置。 A substrate bent so that the cross section has a corrugated shape;
A light emitting device comprising: a light emitting element provided on one surface of the substrate along a corrugated shape of the substrate.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein a resin layer is provided on at least one side of the substrate.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the interval corresponding to the period of the corrugated shape is different for each region in the substrate surface.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the interval corresponding to the period of the corrugated shape is smaller in the central portion than in the peripheral portion in the substrate surface.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the interval corresponding to the period of the corrugated shape is greater than 2.0 mm.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein an interval corresponding to an amplitude of the corrugated shape is greater than 0.5 mm.
隣り合うサブ基板同士を連結する連結部が、前記波型形状の振幅相当間隔の中間部に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The substrate includes a plurality of sub-substrates connected along a traveling direction of the corrugated wave;
The light emitting device according to claim 1, wherein a connecting portion that connects adjacent sub-boards is provided at an intermediate portion of the corrugated shape corresponding to an amplitude.
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is an organic EL (EL) element.
前記発光素子を形成した基板を、波状に折り曲げる工程と、
前記波状に折り曲げた基板の形状を、その折り曲げた状態で固定する工程と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 Forming a light emitting element on one surface of a flexible substrate;
Bending the substrate on which the light emitting element is formed into a wave shape;
And a step of fixing the bent shape of the substrate in the bent state.
ことを特徴とする請求項8記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 8, wherein the shape of the substrate bent in a wave shape is fixed by forming a resin layer on at least one surface side of the substrate.
前記発光装置は、断面が波型形状となるように折り曲げられた基板と、この基板の一面側に、前記波型形状に沿って設けられた発光素子とを有する
ことを特徴とする表示装置。
A display device comprising: a display panel driven based on image data; and a light emitting device provided on the opposite side of the display surface of the display panel,
The light-emitting device includes a substrate bent so that a cross-section has a corrugated shape, and a light-emitting element provided along the corrugated shape on one surface side of the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006344525A JP2008159309A (en) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | Light emitting device, its manufacturing method, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006344525A JP2008159309A (en) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | Light emitting device, its manufacturing method, and display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159309A true JP2008159309A (en) | 2008-07-10 |
Family
ID=39659996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006344525A Pending JP2008159309A (en) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | Light emitting device, its manufacturing method, and display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008159309A (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010104184A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 三菱化学株式会社 | Process for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting |
JP2011003537A (en) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device |
WO2014208455A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | Electronic device |
US9041284B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device utilizing a flexible substrate configured to be folded |
JP2015156371A (en) * | 2014-01-14 | 2015-08-27 | パナソニック株式会社 | Layer substrate, light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device |
WO2016043255A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | Electroluminescence device, electronic device, and method for manufacturing electroluminescence device |
JP2016075917A (en) * | 2009-09-16 | 2016-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
EP3255691A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-13 | Valeo Vision | Lighting module with flexible organic light emitting diode |
US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN114935853A (en) * | 2022-06-30 | 2022-08-23 | 苏州华星光电技术有限公司 | Backlight module, preparation method thereof and display device |
US11997859B2 (en) | 2009-09-16 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006344525A patent/JP2008159309A/en active Pending
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010104184A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 三菱化学株式会社 | Process for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting |
US11906826B2 (en) | 2009-04-07 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US11243420B2 (en) | 2009-04-07 | 2022-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US11005071B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
US10910597B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2015181115A (en) * | 2009-05-21 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light emitting device |
JP2011003537A (en) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device |
US11690245B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module |
US11637267B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2022066306A (en) * | 2009-05-21 | 2022-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2017195192A (en) * | 2009-05-21 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Electronic apparatus |
US8911653B2 (en) | 2009-05-21 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2020129552A (en) * | 2009-05-21 | 2020-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light-emitting module |
JP2020202187A (en) * | 2009-05-21 | 2020-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method for light-emitting device |
US10804489B2 (en) | 2009-05-21 | 2020-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2018181854A (en) * | 2009-05-21 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Electronic apparatus |
JP2019009143A (en) * | 2009-05-21 | 2019-01-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2019032561A (en) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Electronic apparatus |
JP2019032562A (en) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing electronic apparatus |
JP2019032560A (en) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Electronic apparatus |
JP2019067776A (en) * | 2009-05-21 | 2019-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing electronic apparatus |
US11171298B2 (en) | 2009-09-16 | 2021-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2016075917A (en) * | 2009-09-16 | 2016-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
US11997859B2 (en) | 2009-09-16 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US10374184B2 (en) | 2009-09-16 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US9666820B2 (en) | 2009-09-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US11469387B2 (en) | 2009-09-16 | 2022-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2017146608A (en) * | 2009-09-16 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Electronic equipment |
US9041284B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device utilizing a flexible substrate configured to be folded |
WO2014208455A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | Electronic device |
JP2015156371A (en) * | 2014-01-14 | 2015-08-27 | パナソニック株式会社 | Layer substrate, light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device |
WO2016043255A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | Electroluminescence device, electronic device, and method for manufacturing electroluminescence device |
EP3255691A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-13 | Valeo Vision | Lighting module with flexible organic light emitting diode |
CN107489957A (en) * | 2016-06-10 | 2017-12-19 | 法雷奥照明公司 | Light emitting module with flexible Organic Light Emitting Diode |
FR3053839A1 (en) * | 2016-06-10 | 2018-01-12 | Valeo Vision | LIGHT-EMITTING MODULE WITH FLEXIBLE ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE |
US9985247B2 (en) | 2016-06-10 | 2018-05-29 | Valeo Vision | Luminous module with flexible organic light-emitting diode |
CN114935853A (en) * | 2022-06-30 | 2022-08-23 | 苏州华星光电技术有限公司 | Backlight module, preparation method thereof and display device |
CN114935853B (en) * | 2022-06-30 | 2023-12-29 | 苏州华星光电技术有限公司 | Backlight module, preparation method thereof and display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008159309A (en) | Light emitting device, its manufacturing method, and display device | |
JP6556431B2 (en) | Display device | |
JP2018081815A (en) | Display device | |
JP2006164808A (en) | Light emitting element, lighting system and display device having it | |
US20150185410A1 (en) | Backlight assembly and display including the same | |
US8350987B2 (en) | Backlight unit and liquid crystal display device having the same | |
KR101323454B1 (en) | Backlight unit and liquid crystal display device having the same | |
US20190035872A1 (en) | Display device | |
KR20080043541A (en) | Display device | |
TW201533510A (en) | Backlight assembly and liquid crystal display including the same | |
JP2006114504A (en) | Organic electroluminescence display device and its manufacturing method | |
US20080266490A1 (en) | Lighting apparatus and liquid crystal display apparatus | |
JP2007227275A (en) | Organic light-emitting display device | |
WO2020103349A1 (en) | Oled display device and manufacturing method therefor | |
JP2002006776A (en) | Image display device | |
JP3199406U (en) | Touch display device | |
JP2006031021A (en) | Liquid crystal display and manufacturing method therefor | |
JP6477493B2 (en) | Surface emitting unit | |
JP2010049955A (en) | Illuminating apparatus, liquid crystal display unit and electronic device | |
US10094534B2 (en) | Surface-emitting unit having dimming regions | |
WO2009147909A1 (en) | Lighting device and liquid crystal display device | |
JP5136844B2 (en) | Backlight and liquid crystal display device | |
JP4525007B2 (en) | Display device | |
US8169134B2 (en) | Field emission device | |
KR102434387B1 (en) | Organic light emitting display device including organic light emitting diode and method for manufacturing the same |