JP2008147275A - Conveyor for wafer - Google Patents

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Seiki Kizaki
清貴 木▲崎▼
Satoshi Yamanaka
聡 山中
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conveyor for a wafer, capable of conveying an adhesive film, fitted on the rear of the wafer, adhering to the rear of the wafer. <P>SOLUTION: The conveyor for the wafer has a holding pad for suction holding the wafer placed on a chuck table. In the conveyor for the wafer, the holding pad 2 has a holding plate 3, with a plurality of suction holes 36 opened to an underside and a suction-passage forming plate 4 laminating the underside on the top face of the holding plate and forming a suction passage communicating with a plurality of suction holes between the holding plate and the suction passage. The holding pad 2 further has a cooling-chamber forming plate 5, laminating the underside on the top face of the suction-passage forming plate and forming a cooling chamber 50 between the suction-passage forming plate and the cooling-chamber forming plate 5, the suction passage 41 for the holding pad 2 communicates with a suction means, and the cooling chamber 50 communicates with a refrigerant supply means. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハ、更に詳しくは裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着されたウエーハの搬送装置に関する。   The present invention relates to a wafer conveyance device in which a wafer such as a semiconductor wafer is mounted, and more particularly, a wafer having an adhesive film for die bonding mounted on the back surface.

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, devices such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by streets (planned cutting lines) formed in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, Individual semiconductor chips are manufactured by dividing each region in which the device is formed along a street. A dicing apparatus is generally used as a dividing apparatus for dividing a semiconductor wafer, and the dicing apparatus cuts the semiconductor wafer along the street with a cutting blade having a thickness of about 20 μm. The semiconductor chip thus divided is packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

個々に分割された半導体チップは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルム(DAF)と称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切断することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１８２９９５号公報 Individually divided semiconductor chips have an adhesive film for die bonding called a die attach film (DAF) having a thickness of 20 to 40 μm formed of polyimide resin, epoxy resin, acrylic resin fat or the like on the back surface thereof. It is mounted and bonded by heating to a die bonding frame that supports the semiconductor chip through this adhesive film. As a method of attaching the adhesive film for die bonding to the back surface of the semiconductor chip, the adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is attached to the dicing tape through the adhesive film, and then the semiconductor wafer By cutting along with the adhesive film with a cutting blade along the street formed on the front surface, a semiconductor chip having the adhesive film mounted on the back surface is formed. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2000-182959 A

ここで、上述したようにウエーハの裏面に接着フィルムを装着する工程について図７を参照して説明する。
ウエーハWを保持するチャックテーブルCT上に表面(下面)側を吸引保持し、ウエーハWの裏面(上面)に接着フィルムFを載置してチャックテーブルCTを２００℃程度に加熱するとともに接着フィルムFをローラーR等によって加圧することにより、ウエーハWの裏面に接着フィルムFを装着する。このようにしてチャックテーブルCT上で裏面に接着フィルムFが装着されたウエーハWは、環状のフレームに装着されるダイシングテープに貼着するために搬送装置によって接着フィルムＦ側を保持して搬送される。 Here, the process of mounting the adhesive film on the back surface of the wafer as described above will be described with reference to FIG.
The front surface (lower surface) side is sucked and held on the chuck table CT holding the wafer W, the adhesive film F is placed on the rear surface (upper surface) of the wafer W, and the chuck table CT is heated to about 200 ° C. and the adhesive film F The adhesive film F is attached to the back surface of the wafer W by pressurizing with a roller R or the like. In this way, the wafer W having the adhesive film F mounted on the back surface thereof on the chuck table CT is transported while holding the adhesive film F side by a transport device in order to adhere to the dicing tape mounted on the annular frame. The

しかるに、ウエーハWの裏面に装着された接着フィルムFは上述したように装着時に２００℃程度に加熱され粘着力が生じているために、搬送装置の保持パッドによって接着フィルムF側を保持すると、接着フィルムFが保持パッドに付着して保持パッドから離脱することができない場合がある。   However, since the adhesive film F attached to the back surface of the wafer W is heated to about 200 ° C. and has an adhesive force as described above, if the adhesive film F side is held by the holding pad of the transport device, the adhesive film F is bonded. The film F may adhere to the holding pad and cannot be detached from the holding pad.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの裏面に装着された接着フィルムが付着することなく搬送することができるウエーハの搬送装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a wafer transport apparatus that can transport an adhesive film attached to the back surface of the wafer without adhering. .

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルに載置されたウエーハを吸引保持する保持パッドを備えたウエーハの搬送装置において、
該保持パッドは、下面に開口する複数の吸引孔を備えた保持プレートと、該保持プレートの上面に下面が積層され該保持プレートとの間に該複数の吸引孔と連通する吸引通路形成する吸引通路形成プレートと、該吸引通路形成プレートの上面に下面が積層され該吸引通路形成プレートとの間に冷却室を形成する冷却室形成プレートとを具備しており、
該保持パッドの該吸引通路が吸引手段に連通され、該冷却室が冷却媒体供給手段に連通されている、
ことを特徴とするウエーハの搬送装置が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, in a wafer transfer apparatus provided with a holding pad for sucking and holding a wafer placed on a chuck table,
The holding pad includes a holding plate having a plurality of suction holes opened on a lower surface, and a suction path that forms a suction passage between the holding plate and a lower surface laminated on the upper surface of the holding plate. A passage forming plate, and a cooling chamber forming plate that forms a cooling chamber between the suction passage forming plate and a lower surface laminated on the upper surface of the suction passage forming plate,
The suction passage of the holding pad communicates with suction means, and the cooling chamber communicates with cooling medium supply means.
There is provided a wafer transfer apparatus characterized by the above.

上記保持プレートの下面には複数の細溝が形成されており、上記複数の吸引孔が複数の吸引溝の底面に開口している。
また、上記保持プレートの下面には、４フッ化エチレンが被覆されていることが望ましい。 A plurality of narrow grooves are formed on the lower surface of the holding plate, and the plurality of suction holes are open to the bottom surfaces of the plurality of suction grooves.
The lower surface of the holding plate is preferably covered with tetrafluoroethylene.

本発明によれば、保持パッドを構成する吸引通路形成プレートと冷却室形成プレートとの間に形成される冷却室に冷却媒体を導入することにより吸引通路形成プレートが冷却され、吸引通路形成プレートと密着している保持プレートが冷却される。従って、吸引手段を作動し保持プレートの下面に負圧を作用せしめ接着フィルムを介してウエーハWを吸引保持しても、ウエーハの裏面への装着時に加熱された接着フィルムは冷却されて粘着力が消失され、保持プレートの下面に付着することはない。従って、保持プレートの下面に接着フィルムを介してウエーハWを保持した状態で次工程に搬送し、吸引手段の作動を停止することにより、接着フィルムが装着されたウエーハは保持プレートの下面から容易に離脱される。   According to the present invention, the suction passage forming plate is cooled by introducing the cooling medium into the cooling chamber formed between the suction passage forming plate and the cooling chamber forming plate constituting the holding pad. The holding plate in close contact is cooled. Therefore, even if the suction means is actuated to apply a negative pressure to the lower surface of the holding plate and the wafer W is sucked and held via the adhesive film, the adhesive film heated at the time of mounting on the back surface of the wafer is cooled and has an adhesive force. It disappears and does not adhere to the lower surface of the holding plate. Therefore, the wafer W is held on the lower surface of the holding plate via the adhesive film and conveyed to the next process, and the operation of the suction means is stopped so that the wafer with the adhesive film attached can be easily removed from the lower surface of the holding plate. Will be withdrawn.

以下、本発明によるウエーハの搬送装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には本発明に従って構成された搬送装置の斜視図が示されており、図２には図１に示す搬送装置の断面図が示されている。
図１および図２に示すウエーハの搬送装置は、保持パッド２と、該保持パッド２を支持する作動アーム７を具備している。保持パッド２は、それぞれアルミニウムによって円盤状に形成された保持プレート３と吸引通路形成プレート４と冷却室形成プレート５が積層して構成されている。 Preferred embodiments of a wafer transfer device according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a perspective view of a transport apparatus constructed according to the present invention, and FIG. 2 shows a cross-sectional view of the transport apparatus shown in FIG.
The wafer transfer apparatus shown in FIGS. 1 and 2 includes a holding pad 2 and an operating arm 7 that supports the holding pad 2. The holding pad 2 is configured by laminating a holding plate 3, a suction passage forming plate 4, and a cooling chamber forming plate 5 each formed in a disc shape with aluminum.

保持パッド２を構成する保持プレート３は、図３の(a)および図２に示すように下面３aに外周に沿って環状の仕切り部３１が形成され、この環状の仕切り部３１の内側に幅が１mm程度の径が異なる環状の細溝３３a、３４a、３５aが形成されているとともに、この環状の溝３３a、３４a、３５aと交差するように複数の吸引溝３２が網目状に形成されている。なお、保持プレート３の下面３aには、４フッ化エチレンが被覆されていることが望ましい。保持プレート３の上面３bには、図３の(b)および図２に示すように幅が２mm程度の径が異なる環状の溝３３、３４、３５が上記環状の細溝３３a、３４a、３５aと対応する位置に形成されている。そして、保持プレート３には、環状の溝３３、３４、３５に沿って下面３aに形成された環状の細溝３３a、３４a、３５aに開口する複数の吸引孔３６が形成されている。この複数の吸引孔３６は、図示の実施形態においては直径が１mmに形成され、その下端は図２に示すように吸引溝３２に開口している。このように構成された保持プレート３には、外周部に４個のネジ穴３７が設けられている。   As shown in FIGS. 3A and 2, the holding plate 3 constituting the holding pad 2 is formed with an annular partition portion 31 along the outer periphery on the lower surface 3 a, and a width is formed inside the annular partition portion 31. Are formed with annular fine grooves 33a, 34a, 35a having different diameters of about 1 mm, and a plurality of suction grooves 32 are formed in a mesh shape so as to intersect the annular grooves 33a, 34a, 35a. . The lower surface 3a of the holding plate 3 is preferably covered with tetrafluoroethylene. On the upper surface 3b of the holding plate 3, as shown in FIG. 3B and FIG. 2, annular grooves 33, 34, 35 having a diameter of about 2 mm and different diameters are formed as the annular narrow grooves 33a, 34a, 35a. It is formed in the corresponding position. The holding plate 3 is formed with a plurality of suction holes 36 that open to the annular narrow grooves 33a, 34a, 35a formed in the lower surface 3a along the annular grooves 33, 34, 35. In the illustrated embodiment, the plurality of suction holes 36 are formed to have a diameter of 1 mm, and the lower ends thereof open to the suction grooves 32 as shown in FIG. The holding plate 3 thus configured is provided with four screw holes 37 on the outer peripheral portion.

保持パッド２を構成する吸引通路形成プレート４は、図４の(a)に示すように下面４aに直交する２条の吸引通路４１、４１が形成されている。この吸引通路４１、４１の長さは、上記保持プレート３の下面３aに形成された最も大きい環状の溝３５の直径より長い寸法に形成されている。従って、吸引通路形成プレート４の下面４aを保持プレート３の上面３bに積層すると、図２に示すように吸引通路４１は環状の溝３３、３４、３５と連通する。また、吸引通路形成プレート４には、上記吸引通路４１、４１の一部に連通する連通路４２が設けられている。この連通路４２は、図示しない吸引手段に連通されている。なお、保持パッド２を構成する吸引通路形成プレート４の上面４bは、図４の(b)に示すように平面に形成されている。このように構成された吸引通路形成プレート４には、外周部に上記保持プレート３に設けられた４個のネジ穴３７とそれぞれ対応する位置に４個のボルト挿通穴４３が設けられている。   As shown in FIG. 4A, the suction passage forming plate 4 constituting the holding pad 2 is formed with two suction passages 41, 41 orthogonal to the lower surface 4a. The lengths of the suction passages 41 and 41 are longer than the diameter of the largest annular groove 35 formed on the lower surface 3 a of the holding plate 3. Therefore, when the lower surface 4a of the suction passage forming plate 4 is laminated on the upper surface 3b of the holding plate 3, the suction passage 41 communicates with the annular grooves 33, 34, and 35 as shown in FIG. The suction passage forming plate 4 is provided with a communication passage 42 that communicates with a part of the suction passages 41, 41. The communication path 42 communicates with suction means (not shown). The upper surface 4b of the suction passage forming plate 4 constituting the holding pad 2 is formed in a plane as shown in FIG. 4 (b). The suction passage forming plate 4 configured in this manner is provided with four bolt insertion holes 43 at positions corresponding to the four screw holes 37 provided in the holding plate 3 on the outer peripheral portion.

保持パッド２を構成する冷却室形成プレート５は、図５の(a)および図２に示すように下面３aに円形状の凹部５１が形成されている。従って、冷却室形成プレート５の下面５aを上記吸引通路形成プレート４の上面４bに積層すると、図２に示すように凹部５１と吸引通路形成プレート４の上面４bとによって冷却室５０が形成される。また、冷却室形成プレート５には、冷却室５０にそれぞれ連通する冷却媒体導入通路５２と冷却媒体排出通路５３が設けられている。冷却媒体導入通路５２は、図示の実施形態においては冷却媒体供給手段としての図示しない空気供給手段に連通されている。また、冷却室形成プレート５の上面５bには、後述する作動アーム７を取付けるための３個のネジ穴５４が形成されている。このように構成された冷却室形成プレート５には、外周部に上記吸引通路形成プレート４に設けられた４個のボルト挿通穴４３とそれぞれ対応する位置に４個のボルト挿通穴５５が設けられている。   As shown in FIG. 5A and FIG. 2, the cooling chamber forming plate 5 constituting the holding pad 2 has a circular recess 51 formed on the lower surface 3a. Therefore, when the lower surface 5a of the cooling chamber forming plate 5 is laminated on the upper surface 4b of the suction passage forming plate 4, a cooling chamber 50 is formed by the recess 51 and the upper surface 4b of the suction passage forming plate 4 as shown in FIG. . The cooling chamber forming plate 5 is provided with a cooling medium introduction passage 52 and a cooling medium discharge passage 53 that communicate with the cooling chamber 50. The cooling medium introduction passage 52 communicates with an air supply means (not shown) as a cooling medium supply means in the illustrated embodiment. Further, on the upper surface 5b of the cooling chamber forming plate 5, three screw holes 54 for attaching an operating arm 7 to be described later are formed. The cooling chamber forming plate 5 thus configured is provided with four bolt insertion holes 55 at positions corresponding to the four bolt insertion holes 43 provided in the suction passage forming plate 4 on the outer periphery. ing.

以上のように構成された保持プレート３と吸引通路形成プレート４と冷却室形成プレート５は、図１に示すように保持プレート３を下層として順次積層され、冷却室形成プレート５に設けられた４個のボルト挿通穴５５および吸引通路形成プレート４に設けられた４個のボルト挿通穴４３にそれぞれ締結ボルト６を挿通し、保持プレート３に設けられた４個のネジ穴３７にそれぞれ螺合することにより結合され、保持パッド２が構成される。   The holding plate 3, the suction passage forming plate 4, and the cooling chamber forming plate 5 configured as described above are sequentially stacked with the holding plate 3 as a lower layer as shown in FIG. The fastening bolts 6 are respectively inserted into the four bolt insertion holes 55 and the four bolt insertion holes 43 provided in the suction passage forming plate 4, and are respectively screwed into the four screw holes 37 provided in the holding plate 3. Thus, the holding pad 2 is configured.

次に、上記保持パッド２を支持する作動アーム７の支持構造について、図１および図２を参照して説明する。
作動アーム７は、その先端に円形状の支持部７１を備えている。この支持部７１には、上記冷却室形成プレート５の上面５bに形成された３個のネジ穴５４と対応する位置に３個のボルト挿通穴７２が設けられている。この支持部７１に設けられた３個のボルト挿通穴７２にそれぞれ支持ボルト８を挿通し、この支持ボルト８にそれぞれ圧縮コイルばね９を嵌合した後、冷却室形成プレート５に形成された３個のネジ穴５４に螺合することにより、作動アーム７に保持パッド２を弾性支持する。 Next, a support structure of the operating arm 7 that supports the holding pad 2 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The operating arm 7 includes a circular support portion 71 at the tip thereof. The support portion 71 is provided with three bolt insertion holes 72 at positions corresponding to the three screw holes 54 formed on the upper surface 5 b of the cooling chamber forming plate 5. The support bolts 8 are respectively inserted into the three bolt insertion holes 72 provided in the support portion 71, and the compression coil springs 9 are fitted to the support bolts 8, respectively, and then formed on the cooling chamber forming plate 5. The holding pad 2 is elastically supported on the operating arm 7 by being screwed into the screw holes 54.

図示の実施形態におけるウエーハの搬送装置は以上のように構成されており、以下その作用について図６を参照して説明する。
図６に示すようにチャックテーブルCT上に吸引保持され裏面(上面)に接着フィルムFが装着されたウエーハWをチャックテーブルCT上から搬送するには、図示しない空気供給手段を作動して冷却空気（常温のエアーでよい）を冷却媒体導入通路５２を介して冷却室５０に導入する。この結果、冷却室５０に導入された冷却空気によって吸引通路形成プレート４が冷却され、吸引通路形成プレート４と密着している保持プレート３が冷却される。なお、冷却室５０に導入された冷却空気は、冷却媒体排出通路５３から排出される。このように保持プレート３が冷却された状態で、作動アーム７を作動して保持パッド２をチャックテーブルCTの上方に移動するとともに下降して、保持パッド２を構成する保持プレート３の下面３aをウエーハWの裏面(上面)に装着された接着フィルムFの上面に載置する。このとき、保持プレート３の下面３aは上述したように冷却室５０に導入された冷却空気によって冷却されているので、ウエーハWの裏面(上面)への装着時に加熱された接着フィルムFは冷却され粘着力が消失される。 The wafer transport apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below with reference to FIG.
As shown in FIG. 6, in order to transport the wafer W, which is sucked and held on the chuck table CT and the adhesive film F is attached to the back surface (upper surface), from the chuck table CT, an air supply means (not shown) is operated to (Air at normal temperature may be used) is introduced into the cooling chamber 50 through the cooling medium introduction passage 52. As a result, the suction passage forming plate 4 is cooled by the cooling air introduced into the cooling chamber 50, and the holding plate 3 in close contact with the suction passage forming plate 4 is cooled. The cooling air introduced into the cooling chamber 50 is discharged from the cooling medium discharge passage 53. With the holding plate 3 cooled in this way, the operating arm 7 is operated to move the holding pad 2 above the chuck table CT and descend to lower the lower surface 3a of the holding plate 3 constituting the holding pad 2. It is placed on the upper surface of the adhesive film F mounted on the back surface (upper surface) of the wafer W. At this time, since the lower surface 3a of the holding plate 3 is cooled by the cooling air introduced into the cooling chamber 50 as described above, the adhesive film F heated at the time of mounting on the back surface (upper surface) of the wafer W is cooled. The adhesive strength disappears.

次に、チャックテーブルCTの図示しない吸引手段の作動を停止して、チャックテーブルCTによるウエーハWの吸引保持を解除する。そして、ウエーハの搬送装置の図示しない吸引手段を作動すると、負圧が連通路４２、吸引通路４１、４１、環状の溝３３、３４、３５、複数の吸引孔３６、環状の細溝３３a、３４a、３５a、複数の吸引溝３２を介して保持プレート３の下面３aに作用する。この結果、保持プレート３の下面３aに接着フィルムFを介してウエーハWが吸引保持される。このようにして保持プレート３の下面３aに接着フィルムFを介してウエーハWを保持しても、接着フィルムFは上述したように冷却され粘着力が消失されているので、保持プレート３の下面３aに付着することはない。なお、図示の実施形態においては、保持プレート３の下面３aに４フッ化エチレンが被覆されているので、接着フィルムFがより付着し難い。従って、保持プレート３の下面３aに接着フィルムFを介してウエーハWを保持した状態で次工程に搬送し、図示しない吸引手段の作動を停止することにより、接着フィルムFが装着されたウエーハWは保持プレート３の下面３aから容易に離脱される。   Next, the operation of the suction means (not shown) of the chuck table CT is stopped, and the suction holding of the wafer W by the chuck table CT is released. When the suction means (not shown) of the wafer transport device is operated, the negative pressure is applied to the communication passage 42, the suction passages 41, 41, the annular grooves 33, 34, 35, the plurality of suction holes 36, and the annular narrow grooves 33a, 34a. 35a, acting on the lower surface 3a of the holding plate 3 via the plurality of suction grooves 32. As a result, the wafer W is sucked and held on the lower surface 3 a of the holding plate 3 via the adhesive film F. Even if the wafer W is held on the lower surface 3a of the holding plate 3 through the adhesive film F in this way, the adhesive film F is cooled as described above and the adhesive force is lost, so the lower surface 3a of the holding plate 3 is lost. It will not adhere to. In the illustrated embodiment, since the lower surface 3a of the holding plate 3 is coated with tetrafluoroethylene, the adhesive film F is less likely to adhere. Therefore, the wafer W to which the adhesive film F is mounted is transferred to the next process while holding the wafer W on the lower surface 3a of the holding plate 3 via the adhesive film F, and the suction means (not shown) is stopped. It is easily detached from the lower surface 3a of the holding plate 3.

本発明に従って構成されたウエーハの搬送装置の斜視図1 is a perspective view of a wafer conveyance device constructed according to the present invention. 図１に示すウエーハの搬送装置の断面図。Sectional drawing of the conveying apparatus of the wafer shown in FIG. (a)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する保持プレートの下面側からみた斜視図、(b)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する保持プレートの上面側からみた斜視図。(a) is the perspective view seen from the lower surface side of the holding plate which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. 1, (b) is the upper surface of the holding plate which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. The perspective view seen from the side. (a)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する吸引通路形成プレートの下面側からみた斜視図、(b)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する吸引通路形成プレートの上面側からみた斜視図。(a) is the perspective view seen from the lower surface side of the suction path formation plate which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. 1, (b) is the suction path which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. The perspective view seen from the upper surface side of the formation plate. (a)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する冷却室形成プレートの下面側からみた斜視図、(b)は図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドを構成する冷却室形成プレートの上面側からみた斜視図。(a) is the perspective view seen from the lower surface side of the cooling chamber formation plate which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. 1, (b) is the cooling chamber which comprises the holding pad of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. The perspective view seen from the upper surface side of the formation plate. 図１に示すウエーハの搬送装置の保持パッドによって裏面に接着フィルムが装着されたウエーハを吸引保持する工程の説明図。FIG. 2 is an explanatory view of a process of sucking and holding a wafer having an adhesive film attached to the back surface thereof by a holding pad of the wafer conveyance device shown in FIG. 1. ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する工程の説明図。Explanatory drawing of the process of mounting | wearing an adhesive film on the back surface of a wafer.

符号の説明Explanation of symbols

２：保持パッド
３：保持プレート
３１：環状の仕切り部
３２：複数の吸引溝
３３、３４、３５：径が異なる環状の溝
３６：複数の吸引孔
４：吸引通路形成プレート
４１：２条の吸引通路
４２：連通路
５：冷却室形成プレート
５０：冷却室
５１：凹部
５２：冷却媒体導入通路
５３：冷却媒体排出通路
７：作動アーム
８：支持ボルト
９：圧縮コイルばね 2: Holding pad 3: Holding plate 31: Annular partition 32: A plurality of suction grooves 33, 34, 35: Annular grooves having different diameters 36: A plurality of suction holes 4: Suction passage forming plate 41: Suction of two strips Passage 42: communication passage 5: cooling chamber forming plate 50: cooling chamber 51: recess 52: cooling medium introduction passage 53: cooling medium discharge passage 7: operating arm 8: support bolt 9: compression coil spring

Claims (3)

チャックテーブルに載置されたウエーハを吸引保持する保持パッドを備えたウエーハの搬送装置において、
該保持パッドは、下面に開口する複数の吸引孔を備えた保持プレートと、該保持プレートの上面に下面が積層され該保持プレートとの間に該複数の吸引孔と連通する吸引通路形成する吸引通路形成プレートと、該吸引通路形成プレートの上面に下面が積層され該吸引通路形成プレートとの間に冷却室を形成する冷却室形成プレートとを具備しており、
該保持パッドの該吸引通路が吸引手段に連通され、該冷却室が冷却媒体供給手段に連通されている、
ことを特徴とするウエーハの搬送装置。 In a wafer transport apparatus having a holding pad for sucking and holding a wafer placed on a chuck table,
The holding pad includes a holding plate having a plurality of suction holes opened on a lower surface, and a suction path that forms a suction passage between the holding plate and a lower surface laminated on the upper surface of the holding plate. A passage forming plate, and a cooling chamber forming plate that forms a cooling chamber between the suction passage forming plate and a lower surface laminated on the upper surface of the suction passage forming plate,
The suction passage of the holding pad communicates with suction means, and the cooling chamber communicates with cooling medium supply means.
A wafer transfer device characterized by the above. 該保持プレートの下面には複数の細溝が形成されており、該複数の吸引孔が該複数の吸引溝の底面に開口している、請求項１記載のウエーハの搬送装置。   2. The wafer transfer device according to claim 1, wherein a plurality of fine grooves are formed on a lower surface of the holding plate, and the plurality of suction holes are opened on the bottom surfaces of the plurality of suction grooves. 該保持プレートの下面には、４フッ化エチレンが被覆されている、請求項１又は２記載のウエーハの搬送装置。   The wafer conveyance device according to claim 1 or 2, wherein the lower surface of the holding plate is coated with tetrafluoroethylene.
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