JP2008107303A - Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device - Google Patents

Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device Download PDF

Info

Publication number
JP2008107303A
JP2008107303A JP2006292917A JP2006292917A JP2008107303A JP 2008107303 A JP2008107303 A JP 2008107303A JP 2006292917 A JP2006292917 A JP 2006292917A JP 2006292917 A JP2006292917 A JP 2006292917A JP 2008107303 A JP2008107303 A JP 2008107303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
pressure sensor
recess
resistor
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006292917A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiko Yoshida
満彦 吉田
Tomoaki Yamabayashi
智明 山林
Shinya Ichikawa
晋哉 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Priority to JP2006292917A priority Critical patent/JP2008107303A/en
Publication of JP2008107303A publication Critical patent/JP2008107303A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor pressure sensor capable of detecting a pressure applied to a diaphragm with high precision, on the basis of the difference in resistance values between first resistors and second resistors, and its manufacturing method, and to provide a semiconductor pressure sensor device. <P>SOLUTION: The semiconductor pressure sensor 100 is equipped with a recessed part 105 formed in the semiconductor substrate 31, a diaphragm 101, a support 12 for supporting the diaphragm 101, first resistors 13, 14 provided at approximately the center of the diaphragm 101, and second resistors 15, 16 provided in the circumference of the diaphragm 101, and thermal oxide films 102 are formed on the diaphragm 101 and the support 12 at their portions corresponding to the boundaries between the bottom face 105A of the recessed part 105 and the side faces 105B of the recessed part 105. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法、及び半導体圧力センサ装置に関し、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサ及びその製造方法、及び半導体圧力センサ装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor pressure sensor, a manufacturing method thereof, and a semiconductor pressure sensor device, and relates to a semiconductor pressure sensor that detects a pressure applied to a diaphragm based on a difference between resistance values of first and second resistors, and the semiconductor pressure sensor. The present invention relates to a manufacturing method and a semiconductor pressure sensor device.

図５９は、従来の半導体圧力センサの断面図である。   FIG. 59 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor pressure sensor.

図５９を参照するに、従来の半導体圧力センサ２００は、ダイアフラム２０１と、支持体２０２と、第１の抵抗体２０５と、第２の抵抗体２０６と、保護膜２０８と、配線パターン２１１，２１２とを有する。半導体圧力センサ２００は、第１及び第２の抵抗体２０５，２０６の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラム２０１に印加された圧力を検出するセンサである。   Referring to FIG. 59, a conventional semiconductor pressure sensor 200 includes a diaphragm 201, a support 202, a first resistor 205, a second resistor 206, a protective film 208, and wiring patterns 211 and 212. And have. The semiconductor pressure sensor 200 is a sensor that detects the pressure applied to the diaphragm 201 based on the difference between the resistance values of the first and second resistors 205 and 206.

ダイアフラム２０１は、外部から圧力が印加された際、変形可能なように薄板形状とされている。ダイアフラム２０１の外周部は、支持体２０２により支持されている。ダイアフラム２０１は、第１及び第２の抵抗体２０５，２０６を形成するためのものである。   The diaphragm 201 has a thin plate shape so that it can be deformed when pressure is applied from the outside. The outer peripheral portion of the diaphragm 201 is supported by a support body 202. The diaphragm 201 is for forming the first and second resistors 205 and 206.

支持体２０２は、ダイアフラム２０１を支持するためのものである。支持体２０２は、ダイアフラム２０１と一体に構成される。支持体２０２の厚さは、ダイアフラム２０１の厚さよりも厚くなるように構成されている。ダイアフラム２０１及び支持体２０２を形成する際の母材としては、例えば、半導体基板を用いることができる。   The support 202 is for supporting the diaphragm 201. The support 202 is configured integrally with the diaphragm 201. The thickness of the support 202 is configured to be thicker than the thickness of the diaphragm 201. As a base material for forming the diaphragm 201 and the support 202, for example, a semiconductor substrate can be used.

ダイアフラム２０１と支持体２０２との境界部分には、肉厚部２０３が設けられている。このように、ダイアフラム２０１と支持体２０２との境界部分に肉厚部２０３を設けたことにより、ダイアフラム２０１と支持体２０２との境界部分の強度が向上するため、ダイアフラム２０１と支持体２０２との境界部分が破損することを防止できる。   A thick portion 203 is provided at a boundary portion between the diaphragm 201 and the support body 202. As described above, by providing the thick portion 203 at the boundary portion between the diaphragm 201 and the support body 202, the strength of the boundary portion between the diaphragm 201 and the support body 202 is improved. It is possible to prevent the boundary portion from being damaged.

第１の抵抗体２０５は、ダイアフラム２０１の略中央に設けられている。第１の抵抗体２０５は、基準となる抵抗体であり、ダイアフラム２０１に圧力が印加された際、変形しないことが望まれる。第２の抵抗体２０６は、ダイアフラム２０１の外周縁に設けられている。第２の抵抗体２０６は、ダイアフラム２０１に圧力が印加された際、変形しやすいことが望まれる。半導体基板としてＮ型半導体基板を用いた場合、第１及び第２の抵抗体２０５，２０６は、例えば、ダイアフラム２０１にＰ型不純物を拡散させることで形成する。   The first resistor 205 is provided substantially at the center of the diaphragm 201. The first resistor 205 is a reference resistor, and is desirably not deformed when pressure is applied to the diaphragm 201. The second resistor 206 is provided on the outer peripheral edge of the diaphragm 201. The second resistor 206 is desired to be easily deformed when pressure is applied to the diaphragm 201. When an N-type semiconductor substrate is used as the semiconductor substrate, the first and second resistors 205 and 206 are formed by diffusing P-type impurities in the diaphragm 201, for example.

保護膜２０８は、第１及び第２の抵抗体２０５，２０６が形成されたダイアフラム２０１の上面と支持体２０２の上面とを覆うように設けられている。保護膜２０８は、第１及び第２の抵抗体２０５，２０６を保護するための膜である。保護膜２０８には、第１の抵抗体２０５を露出する開口部２０８Ａと、第２の抵抗体２０６を露出する開口部２０８Ｂとが形成されている。開口部２０８Ａ，２０８Ｂは、配線パターン２１１，２１２の一部を配設するためのものである。保護膜２０８としては、例えば、ＣＶＤ法により形成された酸化膜を用いることができる。   The protective film 208 is provided so as to cover the upper surface of the diaphragm 201 on which the first and second resistors 205 and 206 are formed and the upper surface of the support 202. The protective film 208 is a film for protecting the first and second resistors 205 and 206. In the protective film 208, an opening 208A that exposes the first resistor 205 and an opening 208B that exposes the second resistor 206 are formed. The openings 208A and 208B are for disposing a part of the wiring patterns 211 and 212. As the protective film 208, for example, an oxide film formed by a CVD method can be used.

配線パターン２１１は、開口部２０８Ａを充填すると共に、開口部２０８Ａ内から絶縁膜２０８上に亘るように設けられている。配線パターン２１１は、第１の抵抗体２０５及び配線パターン２１２と接続されている。   The wiring pattern 211 is provided so as to fill the opening 208 </ b> A and extend from the opening 208 </ b> A to the insulating film 208. The wiring pattern 211 is connected to the first resistor 205 and the wiring pattern 212.

配線パターン２１２は、開口部２０８Ｂを充填すると共に、開口部２０８Ｂ内から絶縁膜２０８上に亘るように設けられている。配線パターン２１２は、第２の抵抗体２０５及び配線パターン２１１と接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開平８−２９３６１７号公報 The wiring pattern 212 fills the opening 208B and is provided so as to extend from the opening 208B to the insulating film 208. The wiring pattern 212 is connected to the second resistor 205 and the wiring pattern 211 (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-8-293617

しかしながら、従来の半導体圧力センサ２００では、ダイアフラム２０１と支持体２０２との境界部分に肉厚部２０３を設けていたため、ダイアフラム２０１の外周縁に設けられた第２の抵抗体２０６の変形量が小さくなってしまう。これにより、半導体圧力センサ２００の圧力検出感度が低下して、ダイアフラム２０１に印加された圧力の検出精度が低下してしまうという問題があった。   However, in the conventional semiconductor pressure sensor 200, since the thick portion 203 is provided at the boundary portion between the diaphragm 201 and the support body 202, the deformation amount of the second resistor 206 provided on the outer peripheral edge of the diaphragm 201 is small. turn into. As a result, the pressure detection sensitivity of the semiconductor pressure sensor 200 is lowered, and the detection accuracy of the pressure applied to the diaphragm 201 is lowered.

また、圧力検出感度を向上させるためにダイアフラム２０１の厚さを薄くした場合には、基準となる第１の抵抗体２０５が変形しやすくなるため、ダイアフラム２０１に印加された圧力の検出精度が低下してしまうという問題があった。   In addition, when the thickness of the diaphragm 201 is reduced in order to improve the pressure detection sensitivity, the reference first resistor 205 is easily deformed, so that the detection accuracy of the pressure applied to the diaphragm 201 is lowered. There was a problem of doing.

なお、上記半導体圧力センサ２００と、半導体圧力センサ２００が検出する圧力検出信号に基づき、ダイアフラム２０１に印加された圧力を数値化する圧力数値化処理装置と、を備えた半導体圧力センサ装置においても同様な問題が発生する。   The same applies to a semiconductor pressure sensor device including the semiconductor pressure sensor 200 and a pressure digitizing apparatus that digitizes the pressure applied to the diaphragm 201 based on a pressure detection signal detected by the semiconductor pressure sensor 200. Problems occur.

そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ダイアフラムに印加された圧力を精度良く検出することのできる半導体圧力センサ及びその製造方法、及び半導体圧力センサ装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a semiconductor pressure sensor capable of accurately detecting the pressure applied to the diaphragm, a manufacturing method thereof, and a semiconductor pressure sensor device. And

本発明の一観点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、前記ダイアフラム（１０１）の略中央に設けられた第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１００）であって、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）と前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）との境界に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）に熱酸化膜（１０２）を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ（１００）が提供される。   According to one aspect of the present invention, the concave portion (105) provided in the semiconductor substrate (31) and the diaphragm provided in the semiconductor substrate (31) at a portion corresponding to the bottom surface (105A) of the concave portion (105). (101), a support (12) that is provided on the semiconductor substrate (31) at a portion corresponding to the side surface (105B) of the recess (105) and supports the diaphragm (101), and the diaphragm (101) Comprising a first resistor (13, 14) provided at substantially the center of the first resistor and a second resistor (15, 16) provided at a peripheral edge of the diaphragm (101), A semiconductor pressure sensor (100) for detecting a pressure applied to the diaphragm (101) based on a difference in resistance values of the second resistors (13 to 16), the bottom surface of the recess (105) ( 10 A semiconductor pressure characterized in that a thermal oxide film (102) is provided on the diaphragm (101) and the support (12) at a portion corresponding to the boundary between A) and the side surface (105B) of the recess (105). A sensor (100) is provided.

本発明によれば、凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）と凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）との境界に対応する部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）に熱酸化膜（１０２）を設けたことにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１０２−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the thermal oxide film (102) on the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the boundary between the bottom surface (105A) of the recess (105) and the side surface (105B) of the recess (105). Since a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) becomes a thermal oxide film (102-1) having a low mechanical strength, the second is provided. Therefore, the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected with high accuracy.

本発明の他の点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、前記ダイアフラム（１０１）の略中央に設けられた第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１３０）であって、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）及び前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ（１３０）が提供される。   According to another aspect of the present invention, a recess (105) provided in the semiconductor substrate (31) and a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the bottom surface (105A) of the recess (105) are provided. A diaphragm (101), a support (12) provided on a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the side surface (105B) of the recess (105), and supporting the diaphragm (101), and the diaphragm (101 ) And a second resistor (15, 16) provided at the peripheral edge of the diaphragm (101), the first resistor (13, 14) provided at the approximate center of And a semiconductor pressure sensor (130) for detecting the pressure applied to the diaphragm (101) based on the difference in resistance value between the second resistor (13-16) and the bottom surface of the recess (105). (10 A) and a semiconductor pressure characterized in that a thermal oxide film (131) is provided so as to cover the diaphragm (101) and the support (12) at a portion corresponding to the side surface (105B) of the recess (105). A sensor (130) is provided.

本発明によれば、凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）及び凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を設けたことにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１３１−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the thermal oxide film (131) covers the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the bottom surface (105 A) of the recess (105) and the side surface (105 B) of the recess (105). Since a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) becomes a thermal oxide film (131-1) having a low mechanical strength, the second is provided. Therefore, the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected with high accuracy.

本発明のその他の点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１７０）であって、前記第１の抵抗体（１３，１４）を前記支持体（１２）に設けると共に、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）と前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）との境界に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）に熱酸化膜（１０２）を設けたことを特徴とする半導体圧力センサが提供される。   According to another aspect of the present invention, the concave portion (105) provided in the semiconductor substrate (31) and the portion corresponding to the bottom surface (105A) of the concave portion (105) are provided in the semiconductor substrate (31). A diaphragm (101), a support (12) provided on a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the side surface (105B) of the recess (105), and supporting the diaphragm (101), and a first resistor A body (13, 14) and a second resistor (15, 16) provided at a peripheral edge of the diaphragm (101), and the first and second resistors (13-16) A semiconductor pressure sensor (170) for detecting a pressure applied to the diaphragm (101) based on a difference in resistance value, wherein the first resistor (13, 14) is attached to the support (12). And providing the recess A thermal oxide film (102) is provided on the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the boundary between the bottom surface (105A) of (105) and the side surface (105B) of the recess (105). A semiconductor pressure sensor is provided.

本発明によれば、凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）と凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）との境界に対応する部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）に熱酸化膜（１０２）を設けたことにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１０２−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the thermal oxide film (102) on the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the boundary between the bottom surface (105A) of the recess (105) and the side surface (105B) of the recess (105). Since a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) becomes a thermal oxide film (102-1) having a low mechanical strength, the second is provided. Therefore, the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected with high accuracy.

また、第１の抵抗体（１３，１４）を前記支持体（１２）に設けることにより、基準となる第１の抵抗体（１３，１４）が変形しにくくなるため、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   In addition, since the first resistor (13, 14) serving as a reference is hardly deformed by providing the first resistor (13, 14) on the support (12), the first resistor (13, 14) is applied to the diaphragm (101). The detected pressure can be detected with high accuracy.

本発明のその他の点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１８０）であって、前記第１の抵抗体（１３，１４）を前記支持体（１２）に設けると共に、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）及び側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ（１８０）が提供される。   According to another aspect of the present invention, the concave portion (105) provided in the semiconductor substrate (31) and the portion corresponding to the bottom surface (105A) of the concave portion (105) are provided in the semiconductor substrate (31). A diaphragm (101), a support (12) provided on a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the side surface (105B) of the recess (105), and supporting the diaphragm (101), and a first resistor A body (13, 14) and a second resistor (15, 16) provided at a peripheral edge of the diaphragm (101), and the first and second resistors (13-16) A semiconductor pressure sensor (180) for detecting a pressure applied to the diaphragm (101) based on a difference in resistance value, wherein the first resistor (13, 14) is attached to the support (12). And providing the recess A semiconductor pressure characterized in that a thermal oxide film (131) is provided so as to cover the diaphragm (101) and the support (12) at portions corresponding to the bottom surface (105A) and the side surface (105B) of (105). A sensor (180) is provided.

本発明によれば、凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）及び凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を設けたことにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１３１−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the thermal oxide film (131) covers the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the bottom surface (105 A) of the recess (105) and the side surface (105 B) of the recess (105). Since a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) becomes a thermal oxide film (131-1) having a low mechanical strength, the second is provided. Therefore, the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected with high accuracy.

また、第１の抵抗体（１３，１４）を前記支持体（１２）に設けることにより、基準となる第１の抵抗体（１３，１４）が変形しにくくなるため、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   In addition, since the first resistor (13, 14) serving as a reference is hardly deformed by providing the first resistor (13, 14) on the support (12), the first resistor (13, 14) is applied to the diaphragm (101). The detected pressure can be detected with high accuracy.

本発明のその他の点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、前記ダイアフラム（１０１）の略中央に設けられた第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１００）の製造方法であって、前記半導体基板（３１）に前記凹部（１０５）を形成して、前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を形成するダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）形成工程と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）及び底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を覆うように絶縁膜（１１６）を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜（１１６）に、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）と前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）との境界に対応する部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を露出する開口部（１１６Ａ）を形成する開口部形成工程と、前記開口部形成工程後に、熱酸化法により前記開口部（１１６Ａ）に露出された部分の前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）に熱酸化膜（１０２）を形成する熱酸化膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサ（１００）の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, the concave portion (105) provided in the semiconductor substrate (31) and the portion corresponding to the bottom surface (105A) of the concave portion (105) are provided in the semiconductor substrate (31). A diaphragm (101), a support (12) provided on a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the side surface (105B) of the recess (105), and supporting the diaphragm (101), and the diaphragm (101 ) And a second resistor (15, 16) provided at the peripheral edge of the diaphragm (101), the first resistor (13, 14) provided at the approximate center of And a method of manufacturing a semiconductor pressure sensor (100) for detecting a pressure applied to the diaphragm (101) based on a difference between resistance values of the second resistors (13 to 16), the semiconductor substrate ( The step of forming the diaphragm (101) and the support (12) by forming the recess (105) in 1) and forming the diaphragm (101) and the support (12), and the side surface of the recess (105) ( 105B) and an insulating film forming step of forming an insulating film (116) so as to cover the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the bottom surface (105A), and the insulating film (116) An opening (116A) for exposing the diaphragm (101) and the support (12) at a portion corresponding to the boundary between the side surface (105B) of the recess (105) and the bottom surface (105A) of the recess (105). The opening forming step to be formed, and the diaphragm (101) and the support in the portion exposed to the opening (116A) by a thermal oxidation method after the opening forming step (12) A method of manufacturing a semiconductor pressure sensor (100) for the thermal oxide film forming step of forming a thermal oxide film (102), characterized in that it comprises is provided.

本発明によれば、絶縁膜（１１６）に凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）と凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）との境界に対応する部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）を露出する開口部（１１６Ａ）を形成し、その後、熱酸化法により開口部（１１６Ａ）に露出された部分のダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）に熱酸化膜を形成することにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１０２−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the diaphragm (101) and the support (12) corresponding to the boundary between the side surface (105B) of the recess (105) and the bottom surface (105A) of the recess (105) are formed on the insulating film (116). An exposed opening (116A) is formed, and then a thermal oxide film is formed on the diaphragm (101) and the support (12) in the portion exposed to the opening (116A) by a thermal oxidation method. 101) and the support (12), a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary of the support (12) becomes a thermal oxide film (102-1) having a low mechanical strength, so that the second resistor (15, 16). Since it becomes easy to deform | transform, the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected accurately.

本発明のその他の点によれば、半導体基板（３１）に設けられた凹部（１０５）と、前記凹部（１０５）の底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられたダイアフラム（１０１）と、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）に対応する部分の前記半導体基板（３１）に設けられ、前記ダイアフラム（１０１）を支持する支持体（１２）と、前記ダイアフラム（１０１）の略中央に設けられた第１の抵抗体（１３，１４）と、前記ダイアフラム（１０１）の周縁部に設けられた第２の抵抗体（１５，１６）と、を備え、前記第１及び第２の抵抗体（１３〜１６）の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ（１３０）の製造方法であって、前記半導体基板（３１）に前記凹部（１０５）を形成して、前記ダイアフラム（１０１）及び前記支持体（１２）を形成するダイアフラム及び支持体形成工程と、熱酸化法により、前記凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）及び底面（１０５Ａ）に対応する部分の前記ダイアフラム（１０５）及び前記支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を形成する熱酸化膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサ（１３０）の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, the concave portion (105) provided in the semiconductor substrate (31) and the portion corresponding to the bottom surface (105A) of the concave portion (105) are provided in the semiconductor substrate (31). A diaphragm (101), a support (12) provided on a portion of the semiconductor substrate (31) corresponding to the side surface (105B) of the recess (105), and supporting the diaphragm (101), and the diaphragm (101 ) And a second resistor (15, 16) provided at the peripheral edge of the diaphragm (101), the first resistor (13, 14) provided at the approximate center of And a method of manufacturing a semiconductor pressure sensor (130) for detecting a pressure applied to the diaphragm (101) based on a difference in resistance value between the second resistors (13 to 16), the semiconductor substrate ( 1) forming the recess (105) to form the diaphragm (101) and the support (12); and a side surface (105B) of the recess (105) by a thermal oxidation method. And a thermal oxide film forming step of forming a thermal oxide film (131) so as to cover the diaphragm (105) and the support (12) corresponding to the bottom surface (105A). A method of manufacturing a semiconductor pressure sensor (130) is provided.

本発明によれば、ダイアフラム（１０１）及び支持体（１２）を形成後に、熱酸化法により、凹部（１０５）の側面（１０５Ｂ）及び底面（１０５Ａ）に対応する部分のダイアフラム（１０５）及び支持体（１２）を覆うように熱酸化膜（１３１）を形成することにより、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する半導体基板（３１）の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜（１３１−１）になるため、第２の抵抗体（１５，１６）が変形しやすくなるので、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, after the diaphragm (101) and the support (12) are formed, the diaphragm (105) and the support of the portion corresponding to the side surface (105B) and the bottom surface (105A) of the recess (105) are formed by thermal oxidation. By forming the thermal oxide film (131) so as to cover the body (12), a part of the semiconductor substrate (31) corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) has a low mechanical strength. Since it becomes a thermal oxide film (131-1), the second resistor (15, 16) is easily deformed, so that the pressure applied to the diaphragm (101) can be detected with high accuracy.

また、マスクを用いて、ダイアフラム（１０１）と支持体（１２）との境界に対応する部分のみに熱酸化膜（１０２）を形成する場合と比較して、製造工程が簡略化されるため、半導体圧力センサ（１３０）の製造コストを低減することができる。   In addition, since the manufacturing process is simplified compared to the case where the thermal oxide film (102) is formed only on the portion corresponding to the boundary between the diaphragm (101) and the support (12) using a mask, The manufacturing cost of the semiconductor pressure sensor (130) can be reduced.

本発明のその他の点によれば、請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の半導体圧力センサ（１００，１３０，１７０，１８０）と、前記半導体圧力センサ（１００，１３０，１７０，１８０）が検出する圧力検出信号に基づき、前記ダイアフラム（１０１）に印加された前記圧力を数値化する圧力数値化処理装置（１５３）と、を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ装置（１５０）が提供される。   According to another aspect of the present invention, the semiconductor pressure sensor (100, 130, 170, 180) according to any one of claims 1 to 6 and the semiconductor pressure sensor (100, 130, 170, 180). And a pressure digitizing device (153) for digitizing the pressure applied to the diaphragm (101) based on a pressure detection signal detected by the semiconductor pressure sensor device (150) Is provided.

本発明によれば、半導体圧力センサ装置（１５０）に請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の半導体圧力センサ（１００，１３０，１７０，１８０）を設けることにより、ダイアフラム（１０１）に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the present invention, the semiconductor pressure sensor device (150) is provided with the semiconductor pressure sensor (100, 130, 170, 180) according to any one of claims 1 to 6, whereby the diaphragm (101) is provided. The applied pressure can be detected with high accuracy.

なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。   In addition, the said reference code is a reference to the last, and this invention is not limited to the aspect of illustration by this.

本発明によれば、ダイアフラムに印加された圧力を精度よく検出することができる。   According to the present invention, it is possible to accurately detect the pressure applied to the diaphragm.

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図であり、図２は、第１及び第２の抵抗体の配設位置を説明するための図である。図２において、図１に示す半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図２に示すＢは、ダイアフラム１１の外周縁（以下、「外周縁Ｂ」とする）を示している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the arrangement positions of the first and second resistors. 2, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 shown in FIG. 2 indicates the outer peripheral edge of the diaphragm 11 (hereinafter referred to as “outer peripheral edge B”).

図１及び図２を参照するに、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０は、ダイアフラム１１と、支持体１２と、第１の抵抗体１３，１４と、第２の抵抗体１５，１６と、保護膜１８と、配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４とを有する。   Referring to FIGS. 1 and 2, the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment includes a diaphragm 11, a support 12, first resistors 13 and 14, and second resistors 15 and 16. And a protective film 18 and wiring patterns 21, 22 (not shown), 23, 24.

ダイアフラム１１は、外部から圧力が印加された際、変形可能なように薄板形状とされている。ダイアフラム１１の外周部は、支持体１２により支持されている。ダイアフラム１１は、第１の抵抗体１３，１４と、第２の抵抗体１５，１６の一部とを形成するためのものである。ダイアフラム１１は、平面視四角形とされている。ダイアフラム１１の幅Ｗ１，Ｗ２は、例えば、５００μｍとすることができる。   The diaphragm 11 is formed in a thin plate shape so that it can be deformed when pressure is applied from the outside. The outer peripheral portion of the diaphragm 11 is supported by the support 12. The diaphragm 11 is for forming the first resistors 13 and 14 and part of the second resistors 15 and 16. The diaphragm 11 is a square in plan view. The widths W1 and W2 of the diaphragm 11 can be set to 500 μm, for example.

第１の抵抗体１３，１４が形成される領域（以下、「第１の抵抗体形成領域Ａ」とする）以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ１（凸部２５が形成されていない部分のダイアフラム１１の厚さ）は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２よりも薄くなるように構成されている。   The thickness M1 of the diaphragm 11 corresponding to the region other than the region where the first resistors 13 and 14 are formed (hereinafter referred to as “first resistor forming region A”) (the convex portion 25 is formed). The thickness of the diaphragm 11 that is not part of the diaphragm 11 is configured to be thinner than the thickness M2 of the diaphragm 11 that corresponds to the first resistor forming region A.

これにより、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の下面側には、凸部２５が形成される。   Thereby, the convex part 25 is formed in the lower surface side of the diaphragm 11 of the part corresponding to the 1st resistor formation area A. As shown in FIG.

第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２が４０μｍの場合、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ１は、例えば、２０μｍとすることができる。突出部２５の面２５Ａ（突出部２５の下面）の幅Ｗ３は、例えば、２００μｍとすることができる。また、突出部２５の面２５Ａの幅Ｗ４は、例えば、２２０μｍとすることができる。凸部２５の側面２５Ｂは、傾斜面とされている。   When the thickness M2 of the diaphragm 11 corresponding to the first resistor forming region A is 40 μm, the thickness M1 of the diaphragm 11 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is, for example, It can be 20 μm. The width W3 of the surface 25A of the protrusion 25 (the lower surface of the protrusion 25) can be set to 200 μm, for example. Further, the width W4 of the surface 25A of the protruding portion 25 can be set to 220 μm, for example. The side surface 25B of the convex portion 25 is an inclined surface.

このように、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ１を、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２よりも薄くしたことにより、ダイアフラム１１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されると共に、ダイアフラム１１の外周縁Ｂに設けられた第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   Thus, the thickness M1 of the portion of the diaphragm 11 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is smaller than the thickness M2 of the portion of the diaphragm 11 corresponding to the first resistor forming region A. As a result, when pressure is applied to the diaphragm 11, the deformation of the first resistors 13 and 14 is suppressed, and the second resistors 15 and 16 provided on the outer peripheral edge B of the diaphragm 11 are deformed. Therefore, the pressure applied to the diaphragm 11 can be detected with high accuracy.

支持体１２は、ダイアフラム１１の外周部に設けられている。支持体１２は、ダイアフラム１１と一体的に構成されている。支持体１２は、ダイアフラム１１を支持するためのものである。支持体１２の厚さＭ３は、ダイアフラム１１の厚さＭ２よりも厚くなるように設定されている。ダイアフラム１１の厚さＭ２が４０μｍの場合、支持体１２の厚さＭ３は、例えば、４００μｍとすることができる。   The support 12 is provided on the outer periphery of the diaphragm 11. The support 12 is configured integrally with the diaphragm 11. The support 12 is for supporting the diaphragm 11. The thickness M3 of the support 12 is set to be thicker than the thickness M2 of the diaphragm 11. When the thickness M2 of the diaphragm 11 is 40 μm, the thickness M3 of the support 12 can be set to 400 μm, for example.

ダイアフラム１１及び支持体１２は、半導体基板をエッチングにより加工することで形成される。ダイアフラム１１及び支持体１２の母材となる半導体基板としては、例えば、Ｓｉウエハを用いることができる。   The diaphragm 11 and the support 12 are formed by processing a semiconductor substrate by etching. As a semiconductor substrate which becomes a base material of the diaphragm 11 and the support body 12, for example, a Si wafer can be used.

第１の抵抗体１３，１４は、ダイアフラム１１の略中央に設けられている。第１の抵抗体１３，１４は、基準となる抵抗体である。そのため、第１の抵抗体１３，１４は、ダイアフラム１１に圧力が印加されたときに、変形しないことが望ましい。平面視した状態において、第１の抵抗体１３，１４の幅Ｗ５，Ｗ６は、例えば、３０μｍとすることができ、第１の抵抗体１３，１４の長さＬ１，Ｌ２は、例えば、２００μｍとすることができる。   The first resistors 13 and 14 are provided substantially at the center of the diaphragm 11. The first resistors 13 and 14 are reference resistors. Therefore, it is desirable that the first resistors 13 and 14 do not deform when pressure is applied to the diaphragm 11. In a state in plan view, the widths W5 and W6 of the first resistors 13 and 14 can be set to, for example, 30 μm, and the lengths L1 and L2 of the first resistors 13 and 14 are set to, for example, 200 μm. can do.

ダイアフラム１１及び支持体１２の母材となる半導体基板としてＮ型半導体基板を用いた場合、第１の抵抗体１３，１４は、例えば、ダイアフラム１１にＰ型不純物を拡散させることで形成することができる。   When an N-type semiconductor substrate is used as a semiconductor substrate that is a base material for the diaphragm 11 and the support 12, the first resistors 13 and 14 can be formed, for example, by diffusing P-type impurities in the diaphragm 11. it can.

第２の抵抗体１５，１６は、ダイアフラム１１の外周縁Ｂに設けられている。第２の抵抗体１５，１６は、ダイアフラム１１に圧力が印加されてダイアフラム１１が変形した際、ダイアフラム１１と共に変形する抵抗体である。平面視した状態において、第２の抵抗体１５，１６の幅Ｗ７，Ｗ８は、例えば、３０μｍとすることができ、第２の抵抗体１５，１６の長さＬ３，Ｌ４は、例えば、２００μｍとすることができる。   The second resistors 15 and 16 are provided on the outer peripheral edge B of the diaphragm 11. The second resistors 15 and 16 are resistors that deform together with the diaphragm 11 when pressure is applied to the diaphragm 11 and the diaphragm 11 is deformed. In a state in plan view, the widths W7 and W8 of the second resistors 15 and 16 can be set to, for example, 30 μm, and the lengths L3 and L4 of the second resistors 15 and 16 are set to, for example, 200 μm. can do.

ダイアフラム１１及び支持体１２の母材となる半導体基板としてＮ型半導体基板を用いた場合、第２の抵抗体１５，１６は、例えば、ダイアフラム１１にＰ型不純物を拡散させることで形成することができる。   In the case where an N-type semiconductor substrate is used as a semiconductor substrate serving as a base material for the diaphragm 11 and the support 12, the second resistors 15 and 16 can be formed by diffusing P-type impurities in the diaphragm 11, for example. it can.

保護膜１８は、第１及び第２の抵抗体１３〜１６が形成されたダイアフラム１１の上面と支持体１２の上面とを覆うように設けられている。保護膜１８には、第１の抵抗体１３の上面を露出する開口部２６Ａ、第１の抵抗体１４の上面を露出する図示していない開口部２６Ｂ、第２の抵抗体１５の上面を露出する開口部２７Ａ、及び第２の抵抗体１６の上面を露出する開口部２７Ｂが形成されている。保護膜１８は、第１及び第２の抵抗体１３〜１６を保護するためのものである。保護膜１８としては、例えば、ＣＶＤ法により形成された酸化膜を用いることができる。保護膜１８の厚さＭ４は、例えば、０．２μｍとすることができる。   The protective film 18 is provided so as to cover the upper surface of the diaphragm 11 on which the first and second resistors 13 to 16 are formed and the upper surface of the support 12. In the protective film 18, an opening 26 A that exposes the upper surface of the first resistor 13, an opening 26 B (not shown) that exposes the upper surface of the first resistor 14, and the upper surface of the second resistor 15 are exposed. An opening 27 </ b> A that exposes the upper surface of the second resistor 16 is formed. The protective film 18 is for protecting the first and second resistors 13 to 16. As the protective film 18, for example, an oxide film formed by a CVD method can be used. The thickness M4 of the protective film 18 can be set to 0.2 μm, for example.

配線パターン２１は、開口部２６Ａを充填すると共に、開口部２６Ａ内から保護膜１８の上面に亘るように設けられている。配線パターン２１は、第１の抵抗体１３と接続されている。また、配線パターン２１は、配線パターン２３，２４と接続されている。   The wiring pattern 21 fills the opening 26A and is provided so as to extend from the opening 26A to the upper surface of the protective film 18. The wiring pattern 21 is connected to the first resistor 13. The wiring pattern 21 is connected to the wiring patterns 23 and 24.

配線パターン２２（図示せず）は、開口部２６Ｂ（図示せず）を充填すると共に、開口部２６Ｂ（図示せず）内から保護膜１８の上面に亘るように設けられている。配線パターン２２（図示せず）は、第１の抵抗体１４と接続されている。また、配線パターン２２（図示せず）は、配線パターン２３，２４と接続されている。   The wiring pattern 22 (not shown) fills the opening 26B (not shown) and is provided so as to extend from the inside of the opening 26B (not shown) to the upper surface of the protective film 18. The wiring pattern 22 (not shown) is connected to the first resistor 14. The wiring pattern 22 (not shown) is connected to the wiring patterns 23 and 24.

配線パターン２３は、開口部２７Ａを充填すると共に、開口部２７Ａ内から保護膜１８の上面に亘るように設けられている。配線パターン２３は、第２の抵抗体１５と接続されている。   The wiring pattern 23 fills the opening 27A and is provided so as to extend from the opening 27A to the upper surface of the protective film 18. The wiring pattern 23 is connected to the second resistor 15.

配線パターン２４は、開口部２７Ｂを充填すると共に、開口部２７Ｂ内から保護膜１８の上面に亘るように設けられている。配線パターン２４は、第２の抵抗体１６と接続されている。上記配線パターン２１〜２４間は、電気的に接続されている。   The wiring pattern 24 fills the opening 27B and is provided so as to extend from the opening 27B to the upper surface of the protective film 18. The wiring pattern 24 is connected to the second resistor 16. The wiring patterns 21 to 24 are electrically connected.

上記構成とされた半導体圧力センサ１０は、第１及び第２の抵抗体１３〜１６の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラム１１に印加された圧力を検出する。具体的には、例えば、第１の抵抗体１４の抵抗値をＲ１、第２の抵抗体１５の抵抗値をＲ２、第１の抵抗体１３の抵抗値をＲ３、第２の抵抗体１６の抵抗値をＲ４、駆動電流をＩとした場合、半導体圧力センサ１０は、下記（１）式により求められる出力電圧Ｖを圧力検出信号として出力する。   The semiconductor pressure sensor 10 configured as described above detects the pressure applied to the diaphragm 11 based on the difference between the resistance values of the first and second resistors 13 to 16. Specifically, for example, the resistance value of the first resistor 14 is R1, the resistance value of the second resistor 15 is R2, the resistance value of the first resistor 13 is R3, and the resistance value of the second resistor 16 is When the resistance value is R4 and the drive current is I, the semiconductor pressure sensor 10 outputs an output voltage V obtained by the following equation (1) as a pressure detection signal.

Figure 2008107303
本実施の形態の半導体圧力センサによれば、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ１を、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２よりも薄くしたことにより、ダイアフラム１１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されると共に、ダイアフラム１１の外周縁Ｂに設けられた第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力を精度良く検出することができる。
Figure 2008107303
 According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the thickness M1 of the portion of the diaphragm 11 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is set to the portion of the diaphragm corresponding to the first resistor forming region A. When the pressure is applied to the diaphragm 11, deformation of the first resistors 13 and 14 is suppressed, and the second provided on the outer peripheral edge B of the diaphragm 11 is reduced. Since the resistors 15 and 16 are easily deformed, the pressure applied to the diaphragm 11 can be accurately detected.

図３〜図６は、異なる厚さを有する他のダイアフラムを説明するための図である。図３〜図６において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図３〜図６において、Ｇ，Ｉ，Ｎ，Ｐは、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２よりも薄い厚さＭ１とされたダイアフラム１１部分（以下、「厚さの薄いダイアフラム部分Ｇ，Ｉ，Ｎ，Ｐ」とする）を示している。   3 to 6 are diagrams for explaining other diaphragms having different thicknesses. 3 to 6, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. 3 to 6, G, I, N, and P are diaphragm 11 portions (thickness M1 smaller than the thickness M2 of the diaphragm 11 corresponding to the first resistor forming region A). Hereinafter, “thin diaphragm portions G, I, N, and P” are shown.

本実施の形態では、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の全ての領域に対応するダイアフラム１１部分の厚さを薄くした場合を例に挙げて説明したが、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１よりも厚さを薄くするダイアフラム１１部分は本実施の形態の位置に限定されない。   In the present embodiment, the case where the thickness of the diaphragm 11 corresponding to all the regions other than the first resistor forming region A is reduced as an example has been described. The portion of the diaphragm 11 that is thinner than the corresponding portion of the diaphragm 11 is not limited to the position of the present embodiment.

例えば、図３に示すように、厚さの薄いダイアフラム部分Ｇを平面視四角形のダイアフラム１１の４つの角部に配置してもよい。例えば、厚さの薄いダイアフラム部分Ｇは、平面視３角形にすることができる。ダイアフラム１１の幅Ｗ１，Ｗ２が５００μｍの場合、厚さの薄いダイアフラム部分Ｇの２辺の長さＪ１，Ｊ２は、例えば、２００μｍとすることができる。   For example, as shown in FIG. 3, a thin diaphragm portion G may be arranged at four corners of a diaphragm 11 having a square shape in plan view. For example, the thin diaphragm portion G can be triangular in plan view. When the widths W1 and W2 of the diaphragm 11 are 500 μm, the lengths J1 and J2 of the two sides of the thin diaphragm portion G can be set to 200 μm, for example.

また、図４に示すように、厚さの薄いダイアフラム部分Ｉを平面視四角形のダイアフラム１１の２辺に亘るように複数（図４の場合は４つ）配置してもよい。また、厚さの薄いダイアフラム部分Ｉは、第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６を通過する平面に対して対称となるように配置するとよい。厚さの薄いダイアフラム部分Ｉの幅Ｋ１は、例えば、１００μｍとすることができる。   Further, as shown in FIG. 4, a plurality (four in the case of FIG. 4) of thin diaphragm portions I may be arranged so as to extend over two sides of the diaphragm 11 having a square shape in plan view. Further, the thin diaphragm portion I is preferably arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the second resistor 15 and the second resistor 16. The width K1 of the thin diaphragm portion I can be set to 100 μm, for example.

さらに、図５に示すように、厚さの薄いダイアフラム部分Ｎを平面視四角形のダイアフラム１１の対向する２辺に亘るように複数（図５の場合は２つ）配置してもよい。また、厚さの薄いダイアフラム部分Ｎは、第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６を通過する平面に対して対称となるように配置するとよい。厚さの薄いダイアフラム部分Ｎの幅Ｋ２は、例えば、１００μｍとすることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 5, a plurality (two in the case of FIG. 5) of thin diaphragm portions N may be arranged so as to cover two opposing sides of the diaphragm 11 having a square shape in plan view. The thin diaphragm portion N may be arranged so as to be symmetrical with respect to a plane passing through the second resistor 15 and the second resistor 16. The width K2 of the thin diaphragm portion N can be set to 100 μm, for example.

また、図６に示すように、厚さの薄いダイアフラム部分Ｐを平面視四角形のダイアフラム１１の３辺に亘るように２つ配置してもよい。また、厚さの薄いダイアフラム部分Ｐは、第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６を通過する平面に対して対称となるように配置するとよい。厚さの薄いダイアフラム部分Ｐの幅Ｋ３は、例えば、１５０μｍとすることができる。   Further, as shown in FIG. 6, two thin diaphragm portions P may be arranged so as to extend over three sides of the diaphragm 11 having a square shape in plan view. The thin diaphragm portion P is preferably arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the second resistor 15 and the second resistor 16. The width K3 of the thin diaphragm portion P can be set to 150 μm, for example.

図７〜図１４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図である。図７〜図１４において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図７〜図１４において、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。   7 to 14 are diagrams showing a manufacturing process of the semiconductor pressure sensor according to the first embodiment of the present invention. 7 to 14, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. 7 to 14, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 26B are not shown.

図７〜図１４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサ１０の製造方法について説明する。始めに、図７に示す工程では、ダイアフラム１１及び支持体１２を形成するための母材となる半導体基板３１を準備する。半導体基板３１としては、例えば、シリコンウエハを用いることができる。半導体基板３１の厚さＭ５は、支持体１２の厚さＭ３（図１参照）と略等しい。支持体１２の厚さＭ３が４００μｍの場合、半導体基板３１の厚さＭ５は、例えば、４００μｍとすることができる。   A method for manufacturing the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, in the process shown in FIG. 7, a semiconductor substrate 31 that is a base material for forming the diaphragm 11 and the support 12 is prepared. As the semiconductor substrate 31, for example, a silicon wafer can be used. The thickness M5 of the semiconductor substrate 31 is substantially equal to the thickness M3 of the support 12 (see FIG. 1). When the thickness M3 of the support 12 is 400 μm, the thickness M5 of the semiconductor substrate 31 can be set to 400 μm, for example.

次いで、図８に示す工程では、半導体基板３１の上面３１側に、周知の手法を用いて、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）、第２の抵抗体１５，１６、開口部２６Ａ，２６Ｂ（図示せず），２７Ａ，２７Ｂを有した保護膜１８、及び配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４を形成する。   Next, in the step shown in FIG. 8, the first resistors 13 and 14 (not shown), the second resistors 15 and 16, and the opening are formed on the upper surface 31 side of the semiconductor substrate 31 by using a known method. A protective film 18 having 26A, 26B (not shown), 27A, 27B, and wiring patterns 21, 22 (not shown), 23, 24 are formed.

次いで、図９に示す工程では、半導体基板３１の下面３１Ｂに開口部３３Ａを有したレジスト膜３３を形成する。   Next, in a step shown in FIG. 9, a resist film 33 having an opening 33 </ b> A is formed on the lower surface 31 </ b> B of the semiconductor substrate 31.

次いで、図１０に示す工程では、レジスト膜３３をマスクとして、半導体基板３１の下面３１Ｂ側から半導体基板３１をエッチングして、凹部３５を形成する。凹部３５を形成する際のエッチング方法としては、例えば、ウエットエッチング法を用いることができる。凹部３５の深さＤ１は、凹部３５の上方に位置する部分の半導体基板３１の厚さが凸部２５の厚さＭ２となるように設定する。厚さＭ２は、例えば、４０μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 10, the recess 35 is formed by etching the semiconductor substrate 31 from the lower surface 31 </ b> B side of the semiconductor substrate 31 using the resist film 33 as a mask. As an etching method for forming the recess 35, for example, a wet etching method can be used. The depth D1 of the recess 35 is set so that the thickness of the semiconductor substrate 31 in the portion located above the recess 35 becomes the thickness M2 of the protrusion 25. The thickness M2 can be set to 40 μm, for example.

凹部３５の底面３５Ａは、平坦な面とされている。凹部３５の底面３５Ａの一部は、突出部２５の面２５Ａ（図１参照）となる。また、凹部３５の側面３５Ｂは、半導体基板３１の下面３１Ｂから上面３１Ａに向かうにつれて、幅が狭くなるような傾斜面とされている。   A bottom surface 35A of the recess 35 is a flat surface. A part of the bottom surface 35 </ b> A of the recess 35 becomes a surface 25 </ b> A (see FIG. 1) of the protruding portion 25. In addition, the side surface 35B of the recess 35 is an inclined surface whose width becomes narrower from the lower surface 31B of the semiconductor substrate 31 toward the upper surface 31A.

次いで、図１１に示す工程では、図１０に示すレジスト膜３３を除去する。次いで、図１２に示す工程では、突出部２５の面２５Ａ（図１参照）に対応する部分の凹部３５の底面３５Ａと、半導体基板３１の下面３１Ｂとを覆うようにレジスト膜３７を形成する。   Next, in a step shown in FIG. 11, the resist film 33 shown in FIG. 10 is removed. Next, in a step shown in FIG. 12, a resist film 37 is formed so as to cover the bottom surface 35A of the concave portion 35 and the lower surface 31B of the semiconductor substrate 31 corresponding to the surface 25A (see FIG. 1) of the protruding portion 25.

次いで、図１３に示す工程では、レジスト膜３７をマスクとして、レジスト膜３７から露出された凹部３５の底面３５Ａに対応する部分の半導体基板３１を異方性エッチングして、第１の抵抗体形成領域Ａに凸部２５を形成する。これにより、凸部２５を有したダイアフラム１１と支持体１２とが同時に形成される。また、エッチングは、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１が厚さＭ１となるように行う。ダイアフラム１１の厚さＭ１は、例えば、２０μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 13, by using the resist film 37 as a mask, the portion of the semiconductor substrate 31 corresponding to the bottom surface 35A of the recess 35 exposed from the resist film 37 is anisotropically etched to form the first resistor. A convex portion 25 is formed in the region A. Thereby, the diaphragm 11 and the support body 12 which have the convex part 25 are formed simultaneously. Etching is performed so that the portion of the diaphragm 11 corresponding to the region other than the first resistor forming region A has the thickness M1. The thickness M1 of the diaphragm 11 can be set to 20 μm, for example.

次いで、図１４に示す工程では、図１３に示すレジスト膜３７を除去する。これにより、半導体装置１０が製造される。   Next, in a step shown in FIG. 14, the resist film 37 shown in FIG. 13 is removed. Thereby, the semiconductor device 10 is manufactured.

（第２の実施の形態）
図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図であり、図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサに設けられたダイアフラムを説明するための図である。図１５及び図１６において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図１５では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。 (Second Embodiment)
FIG. 15 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 16 illustrates a diaphragm provided in the semiconductor pressure sensor according to the second embodiment of the present invention. FIG. In FIG.15 and FIG.16, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the semiconductor pressure sensor 10 of 1st Embodiment. Further, in FIG. 15, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 26B are not shown.

図１５及び図１６を参照するに、第２の実施の形態の半導体圧力センサ４０は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられたダイアフラム１１の代わりにダイアフラム４１を設けた以外は半導体圧力センサ１０と同様な構成とされている。   Referring to FIGS. 15 and 16, the semiconductor pressure sensor 40 according to the second embodiment is different from the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment except that a diaphragm 41 is provided instead of the diaphragm 11 provided in the semiconductor pressure sensor 10. The configuration is the same as that of the semiconductor pressure sensor 10.

ダイアフラム４１は、第１の実施の形態で説明したダイアフラム１１に設けられた凸部２５の代わりに凸部４２を設けた以外はダイアフラム１１と同様な構成とされている。   The diaphragm 41 has the same configuration as that of the diaphragm 11 except that a convex portion 42 is provided instead of the convex portion 25 provided in the diaphragm 11 described in the first embodiment.

第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ７（凸部４２が形成されていない部分のダイアフラム４１の厚さ）は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ６よりも薄くなるように構成されている。   The thickness M7 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the region other than the first resistor formation region A (the thickness of the portion of the diaphragm 41 where the convex portion 42 is not formed) is equal to the first resistor formation region A. The corresponding portion of the diaphragm 41 is configured to be thinner than the thickness M6.

これにより、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の上面側には、凸部４２が形成される。   Thereby, the convex part 42 is formed in the upper surface side of the diaphragm 41 of the part corresponding to the 1st resistor formation area A. As shown in FIG.

第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ６が４０μｍの場合、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ７は、例えば、２０μｍとすることができる。突出部４２の上面２５Ａの幅Ｗ９は、例えば、２００μｍとすることができる。また、突出部４２の上面２５Ａの幅Ｗ１０は、例えば、２２０μｍとすることができる。凸部４２の側面４２Ｂは、傾斜面とされている。   When the thickness M6 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the first resistor forming region A is 40 μm, the thickness M7 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is, for example, It can be 20 μm. The width W9 of the upper surface 25A of the protrusion 42 can be set to 200 μm, for example. Further, the width W10 of the upper surface 25A of the protruding portion 42 can be set to 220 μm, for example. The side surface 42B of the convex portion 42 is an inclined surface.

このように、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ７を、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ６よりも薄くしたことにより、ダイアフラム４１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されると共に、ダイアフラム４１の外周縁Ｂに設けられた第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるため、ダイアフラム４１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   Thus, the thickness M7 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is smaller than the thickness M6 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the first resistor forming region A. As a result, when pressure is applied to the diaphragm 41, the deformation of the first resistors 13, 14 is suppressed, and the second resistors 15, 16 provided on the outer peripheral edge B of the diaphragm 41 are deformed. Therefore, the pressure applied to the diaphragm 41 can be detected with high accuracy.

また、凸部４２の側面４２Ｂを傾斜面とすることにより、凸部４２の側面４２Ｂが垂直面である場合と比較して、凸部４２の側面４２Ｂと保護膜１８との密着性を向上させることができる。   Further, by making the side surface 42B of the convex portion 42 an inclined surface, the adhesion between the side surface 42B of the convex portion 42 and the protective film 18 is improved as compared with the case where the side surface 42B of the convex portion 42 is a vertical surface. be able to.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ７を、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ６よりも薄くしたことにより、ダイアフラム４１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されると共に、ダイアフラム４１の外周縁Ｂに設けられた第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるため、ダイアフラム４１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the thickness M7 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is set to the portion of the diaphragm corresponding to the first resistor forming region A. When the pressure is applied to the diaphragm 41, the deformation of the first resistors 13 and 14 is suppressed and the second provided on the outer peripheral edge B of the diaphragm 41 is made thinner than the thickness M6 of 41. Therefore, the pressure applied to the diaphragm 41 can be detected with high accuracy.

図１７〜図２３は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図である。図１７〜図２３において、第２の実施の形態の半導体圧力センサ４０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図１７〜図２３において、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。   FIGS. 17-23 is a figure which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor based on the 2nd Embodiment of this invention. 17 to 23, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 40 according to the second embodiment are denoted by the same reference numerals. 17 to 23, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 26B are not shown.

図１７〜図２３を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサ４０の製造方法について説明する。始めに、図１７に示す工程では、第１の実施の形態の図７に示す半導体基板３１上に、レジスト膜４５を形成する。レジスト膜４５は、凸部４２（図１５参照）の形成領域に対応する部分の半導体基板３１上にのみ形成する。半導体基板３１としては、例えば、シリコンウエハを用いることができる。半導体基板３１の厚さＭ５は、例えば、４２０μｍとすることができる。   With reference to FIGS. 17-23, the manufacturing method of the semiconductor pressure sensor 40 which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. First, in a step shown in FIG. 17, a resist film 45 is formed on the semiconductor substrate 31 shown in FIG. 7 of the first embodiment. The resist film 45 is formed only on a portion of the semiconductor substrate 31 corresponding to the formation region of the convex portion 42 (see FIG. 15). As the semiconductor substrate 31, for example, a silicon wafer can be used. The thickness M5 of the semiconductor substrate 31 can be set to 420 μm, for example.

次いで、図１８に示す工程では、レジスト膜４５をマスクとして、半導体基板３１をエッチングして凸部４２を形成する。このとき、凸部４２の側面４２Ｂが傾斜面となるように半導体基板３１をエッチングする。凸部４２の高さＥ（エッチング後の半導体基板３１の上面３１Ｃを基準としたときの高さ）は、例えば、２０μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 18, the semiconductor substrate 31 is etched using the resist film 45 as a mask to form the convex portion 42. At this time, the semiconductor substrate 31 is etched so that the side surface 42B of the convex portion 42 becomes an inclined surface. The height E of the convex portion 42 (height with respect to the upper surface 31C of the semiconductor substrate 31 after etching) can be set to 20 μm, for example.

次いで、図１９に示す工程では、図１８に示すレジスト膜４５を除去する。次いで、図２０に示す工程では、図１９に示す構造体の上面側に、周知の手法を用いて、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）、第２の抵抗体１５，１６、開口部２６Ａ，２６Ｂ（図示せず），２７Ａ，２７Ｂを有した保護膜１８、及び配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４を形成する。次いで、図２１に示す工程では、半導体基板３１の下面３１Ｂに開口部４７Ａを有したレジスト膜４７を形成する。   Next, in a step shown in FIG. 19, the resist film 45 shown in FIG. 18 is removed. Next, in the step shown in FIG. 20, on the upper surface side of the structure shown in FIG. 19, the first resistors 13 and 14 (not shown), the second resistors 15 and 16, A protective film 18 having openings 26A, 26B (not shown), 27A, 27B, and wiring patterns 21, 22 (not shown), 23, 24 are formed. Next, in a step shown in FIG. 21, a resist film 47 having an opening 47 </ b> A is formed on the lower surface 31 </ b> B of the semiconductor substrate 31.

次いで、図２２に示す工程では、レジスト膜４７をマスクとして、半導体基板３１の下面３１Ｂ側から半導体基板３１をエッチングして、凹部４９を形成する。これにより、ダイアフラム４１と支持体１２とが形成される。凹部４９の深さＤ２は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１が厚さＭ６、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１が厚さＭ７となるように設定する。   Next, in the step shown in FIG. 22, the recess 49 is formed by etching the semiconductor substrate 31 from the lower surface 31B side of the semiconductor substrate 31 using the resist film 47 as a mask. Thereby, the diaphragm 41 and the support body 12 are formed. The depth D2 of the recess 49 is such that the portion of the diaphragm 41 corresponding to the first resistor forming region A has a thickness M6, and the portion of the diaphragm 41 corresponding to a region other than the first resistor forming region A has a thickness M7. Set to be.

第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ７は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム４１の厚さＭ６よりも薄くする。ダイアフラム４１の厚さＭ６が４０μｍの場合、薄い部分のダイアフラム４１の厚さＭ７は、例えば、２０μｍとすることができる。   The thickness M7 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is made thinner than the thickness M6 of the portion of the diaphragm 41 corresponding to the first resistor forming region A. When the thickness M6 of the diaphragm 41 is 40 μm, the thickness M7 of the diaphragm 41 in the thin portion can be set to 20 μm, for example.

次いで、図２３に示す工程では、図２２に示すレジスト膜４７を除去する。これにより、半導体圧力センサ４０が製造される。   Next, in a step shown in FIG. 23, the resist film 47 shown in FIG. 22 is removed. Thereby, the semiconductor pressure sensor 40 is manufactured.

（第３の実施の形態）
図２４は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。図２４において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図２４では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。 (Third embodiment)
FIG. 24 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 24, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In FIG. 24, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 26B are not shown.

図２４を参照するに、第３の実施の形態の半導体圧力センサ６０は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられたダイアフラム１１の代わりに、ダイアフラム６１を設けた以外は半導体圧力センサ１０と同様に構成される。   Referring to FIG. 24, the semiconductor pressure sensor 60 of the third embodiment is similar to the semiconductor pressure sensor except that a diaphragm 61 is provided instead of the diaphragm 11 provided in the semiconductor pressure sensor 10 of the first embodiment. The configuration is the same as the sensor 10.

ダイアフラム６１は、第１の実施の形態で説明したダイアフラム１１の構成に、第２の実施の形態で説明した凸部４２を設けた以外はダイアフラム１１と同様に構成される。ダイアフラム６１は、ダイアフラム６１の上面側に設けられた凸部４２と、ダイアフラム６１の下面側に設けられ、凸部４２の下方に配置された凸部２５とを有した構成とされている。凸部２５，４２は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム６１に設けられている。   The diaphragm 61 is configured in the same manner as the diaphragm 11 except that the convex portion 42 described in the second embodiment is provided in the configuration of the diaphragm 11 described in the first embodiment. The diaphragm 61 has a convex portion 42 provided on the upper surface side of the diaphragm 61 and a convex portion 25 provided on the lower surface side of the diaphragm 61 and disposed below the convex portion 42. The convex portions 25 and 42 are provided on the diaphragm 61 in a portion corresponding to the first resistor forming region A.

第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム６１の厚さＭ９は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分（凸部２５，４２が形成された部分）のダイアフラム６１の厚さＭ８よりも薄い。ダイアフラム６１の厚さＭ８が６０μｍの場合、薄い部分のダイアフラム６１の厚さＭ９は、例えば、２０μｍとすることができる。   The thickness M9 of the portion of the diaphragm 61 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is the portion of the diaphragm corresponding to the first resistor forming region A (the portion where the convex portions 25 and 42 are formed). It is thinner than 61 thickness M8. When the thickness M8 of the diaphragm 61 is 60 μm, the thickness M9 of the thin diaphragm 61 can be set to 20 μm, for example.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム６１の厚さＭ９を、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム６１の厚さＭ８よりも薄くしたことにより、ダイアフラム６１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されると共に、ダイアフラム６１の外周縁に設けられた第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるため、ダイアフラム６１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the thickness M9 of the portion of the diaphragm 61 corresponding to the region other than the first resistor forming region A is set to the portion of the diaphragm corresponding to the first resistor forming region A. When the pressure is applied to the diaphragm 61, the deformation of the first resistors 13, 14 is suppressed and the second edge provided on the outer peripheral edge of the diaphragm 61 is reduced by making the thickness smaller than the thickness M <b> 8 of 61. Since the resistors 15 and 16 are easily deformed, the pressure applied to the diaphragm 61 can be detected with high accuracy.

また、本実施の形態の半導体圧力センサ６０は、第２の実施の形態で説明した図１７〜２０に示す工程と同様な処理を行った後、第１の実施の形態で説明した図９〜図１４に示す工程と同様な処理を行うことにより製造することができる。   In addition, the semiconductor pressure sensor 60 of the present embodiment performs the same process as the process shown in FIGS. 17 to 20 described in the second embodiment, and then the processes in FIGS. 9 to 9 described in the first embodiment. It can manufacture by performing the process similar to the process shown in FIG.

（第４の実施の形態）
図２５は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。図２５において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図２５では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部７３Ｂの図示を省略する。 (Fourth embodiment)
FIG. 25 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 25, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In FIG. 25, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 73B are not shown.

図２５を参照するに、第４の実施の形態の半導体圧力センサ７０は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられたダイアフラム１１及び保護膜１８の代わりに、ダイアフラム７１及び保護膜７２を設けた以外は半導体圧力センサ１０と同様に構成される。   Referring to FIG. 25, a semiconductor pressure sensor 70 according to the fourth embodiment includes a diaphragm 71 and a protective film instead of the diaphragm 11 and the protective film 18 provided in the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment. The configuration is the same as that of the semiconductor pressure sensor 10 except that 72 is provided.

ダイアフラム７１は、薄板形状とされている。ダイアフラム７１の厚さＭ１０は、例えば、２０μｍとすることができる。   The diaphragm 71 has a thin plate shape. The thickness M10 of the diaphragm 71 can be set to 20 μm, for example.

保護膜７２は、第１及び第２の抵抗体１３，１４（図示せず），１５，１６が形成されたダイアフラム７１の上面、及び支持体１２の上面を覆うように設けられている。保護膜７２は、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分に設けられた保護膜７２−１と、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分に設けられた保護膜７２−２とから構成されている。保護膜７２−１には、第１の抵抗体１３の上面を露出する開口部７３Ａと、第１の抵抗体１４の上面を露出する開口部７３Ｂと（図示せず）が形成されている。保護膜７２−２には、第２の抵抗体１５の上面を露出する開口部７４Ａと、第２の抵抗体１６の上面を露出する開口部７４Ｂとが形成されている。   The protective film 72 is provided so as to cover the upper surface of the diaphragm 71 on which the first and second resistors 13, 14 (not shown), 15, 16 are formed, and the upper surface of the support 12. The protective film 72 includes a protective film 72-1 provided in a portion corresponding to the first resistor forming region A and a protective film 72 provided in a portion corresponding to a region other than the first resistor forming region A. -2. The protective film 72-1 is formed with an opening 73 </ b> A that exposes the upper surface of the first resistor 13 and an opening 73 </ b> B (not shown) that exposes the upper surface of the first resistor 14. In the protective film 72-2, an opening 74A that exposes the upper surface of the second resistor 15 and an opening 74B that exposes the upper surface of the second resistor 16 are formed.

第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分に設けられた保護膜７２−１の厚さＭ１２は、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分に設けられた保護膜７２−２の厚さＭ１１よりも厚くなるように構成されている。   The thickness M12 of the protective film 72-1 provided in the portion corresponding to the first resistor forming region A is the protective film 72- provided in the portion corresponding to the region other than the first resistor forming region A. It is comprised so that it may become thicker than thickness M11 of 2.

このように、第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分に設けられた保護膜７２−１の厚さＭ１２を、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分に設けられた保護膜７２−２の厚さＭ１１よりも厚くすることにより、ダイアフラム７１に圧力が印加された際、第１の抵抗体１３，１４が変形しにくくなる。これにより、基準となる第１の抵抗体１３，１４の変形が抑制されるので、ダイアフラム７１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   Thus, the thickness M12 of the protective film 72-1 provided in the portion corresponding to the first resistor forming region A is provided in the portion corresponding to the region other than the first resistor forming region A. By making it thicker than the thickness M11 of the protective film 72-2, when pressure is applied to the diaphragm 71, the first resistors 13 and 14 are not easily deformed. Thereby, since the deformation of the first resistor 13 and 14 serving as a reference is suppressed, the pressure applied to the diaphragm 71 can be detected with high accuracy.

保護膜７２−２の厚さＭ１１が０．２μｍの場合、保護膜７２−１の厚さＭ１２は、例えば、２μｍとすることができる。   When the thickness M11 of the protective film 72-2 is 0.2 μm, the thickness M12 of the protective film 72-1 can be set to 2 μm, for example.

図２６〜図３０は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図である。図２６〜図３０において、第４の実施の形態の半導体圧力センサ７０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図２６〜図３０では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部７３Ｂの図示を省略する。   26-30 is a figure which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor based on the 4th Embodiment of this invention. 26 to 30, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 70 according to the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals. 26 to 30, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 73B are not shown.

図２６〜図３０を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサ７０の製造方法について説明する。始めに、図２６に示す工程では、半導体基板３１の上面３１Ａ側に第１及び第２の抵抗体１３，１４（図示せず），１５，１６を形成し、その後、第１及び第２の抵抗体１３，１４（図示せず），１５，１６と半導体基板３１の上面３１Ａとを覆うように保護膜７６を形成する。半導体基板３１としては、例えば、シリコンウエハを用いることができる。半導体基板３１の厚さＭ５は、例えば、４００μｍとすることができる。保護膜７６は、後述する図２８に示す工程でエッチングされることにより、厚さの異なる保護膜７２−１，７２−２を有する保護膜７２（図２５参照）となる膜である。保護膜７６の厚さＭ１３は、保護膜７２−１の厚さＭ１２（図２５参照）と略等しい。保護膜７６の厚さＭ１３は、例えば、２μｍとすることができる。保護膜７６としては、例えば、ＣＶＤ法により形成された酸化膜を用いることができる。   With reference to FIGS. 26-30, the manufacturing method of the semiconductor pressure sensor 70 which concerns on the 4th Embodiment of this invention is demonstrated. First, in the step shown in FIG. 26, first and second resistors 13, 14 (not shown), 15, 16 are formed on the upper surface 31A side of the semiconductor substrate 31, and then the first and second resistors are formed. A protective film 76 is formed so as to cover the resistors 13, 14 (not shown), 15, 16 and the upper surface 31 </ b> A of the semiconductor substrate 31. As the semiconductor substrate 31, for example, a silicon wafer can be used. The thickness M5 of the semiconductor substrate 31 can be set to 400 μm, for example. The protective film 76 is a film that becomes a protective film 72 (see FIG. 25) having protective films 72-1 and 72-2 having different thicknesses by being etched in a process shown in FIG. The thickness M13 of the protective film 76 is substantially equal to the thickness M12 of the protective film 72-1 (see FIG. 25). The thickness M13 of the protective film 76 can be set to 2 μm, for example. As the protective film 76, for example, an oxide film formed by a CVD method can be used.

次いで、図２７に示す工程では、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）の形成領域Ａに対応する部分の半導体基板３１上に設けられた保護膜７６を覆うようにレジスト膜７８を形成する。   Next, in a step shown in FIG. 27, a resist film 78 is formed so as to cover a protective film 76 provided on a portion of the semiconductor substrate 31 corresponding to the formation region A of the first resistors 13 and 14 (not shown). Form.

次いで、図２８に示す工程では、レジスト膜７８をマスクとして、図２７に示す保護膜７６をエッチングすることにより、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）の形成領域Ａに対応する部分の半導体基板３１上に保護膜７２−２よりも厚さの厚い保護膜７２−１を形成し、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）の形成領域Ａ以外の領域に対応する部分の半導体基板３１上に保護膜７２−１よりも厚さの薄い保護膜７２−２を形成する。これにより、厚さの異なる保護膜７２−１，７２−２を有した保護膜７２が形成される。保護膜７２−１の厚さＭ１２は、図２７に示す保護膜７６の厚さＭ１３と略等しい。保護膜７２−１の厚さＭ１２は、例えば、２μｍとすることができる。また、保護膜７２−２の厚さＭ１１は、例えば、０．２μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 28, the protective film 76 shown in FIG. 27 is etched using the resist film 78 as a mask, thereby forming a portion corresponding to the formation region A of the first resistors 13 and 14 (not shown). A protective film 72-1 thicker than the protective film 72-2 is formed on the semiconductor substrate 31, and a portion corresponding to a region other than the formation region A of the first resistors 13 and 14 (not shown). A protective film 72-2 having a thickness smaller than that of the protective film 72-1 is formed on the semiconductor substrate 31. Thereby, the protective film 72 having the protective films 72-1 and 72-2 having different thicknesses is formed. The thickness M12 of the protective film 72-1 is substantially equal to the thickness M13 of the protective film 76 shown in FIG. The thickness M12 of the protective film 72-1 can be set to 2 μm, for example. Further, the thickness M11 of the protective film 72-2 can be set to 0.2 μm, for example.

次いで、図２９に示す工程では、図２８に示すレジスト膜７８を除去し、次いで、周知の手法により保護膜７２に開口部７３Ａ，７３Ｂ（図示せず），７４Ａ，７４Ｂを形成し、その後、周知の手法により配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４を形成する。   Next, in the step shown in FIG. 29, the resist film 78 shown in FIG. 28 is removed, and then openings 73A, 73B (not shown), 74A, 74B are formed in the protective film 72 by a well-known method. Wiring patterns 21, 22 (not shown), 23, 24 are formed by a well-known method.

次いで、図３０に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図９〜図１１に示す工程と同様な処理を行うことにより、ダイアフラム７１及び支持体１２を形成する。これにより、半導体圧力センサ７０が製造される。ダイアフラム７１の厚さＭ１０は、例えば、２０μｍとすることができる。また、支持体１２の厚さＭ３は、例えば、４００μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 30, the diaphragm 71 and the support 12 are formed by performing the same processing as the steps shown in FIGS. 9 to 11 described in the first embodiment. Thereby, the semiconductor pressure sensor 70 is manufactured. The thickness M10 of the diaphragm 71 can be set to 20 μm, for example. Further, the thickness M3 of the support 12 can be set to 400 μm, for example.

なお、本実施の形態では、厚さが略均一とされた板状のダイアフラム７１に、厚さの異なる保護膜７２−１，７２−２を有した保護膜７２を設けた場合を例に挙げて説明したが、先に説明した第１〜第３の実施の形態の半導体圧力センサ１０，４０，６０に設けられた保護膜１８の代わりに、本実施の形態で説明した保護膜７２を設けてもよい。   In the present embodiment, a case where a protective film 72 having protective films 72-1 and 72-2 having different thicknesses is provided on a plate-like diaphragm 71 having a substantially uniform thickness is taken as an example. As described above, the protective film 72 described in this embodiment is provided instead of the protective film 18 provided in the semiconductor pressure sensors 10, 40, 60 of the first to third embodiments described above. May be.

（第５の実施の形態）
図３１は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図であり、図３２は、第１及び第２の抵抗体が形成されたダイアフラム及び支持体の平面図である。図３１及び図３２において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図３１では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、開口部７３Ｂ、及び貫通部８２の図示を省略する。 (Fifth embodiment)
FIG. 31 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 32 is a plan view of a diaphragm and a support body on which first and second resistors are formed. In FIG.31 and FIG.32, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the semiconductor pressure sensor 10 of 1st Embodiment. In FIG. 31, the first resistor 14, the wiring pattern 22, the opening 73 </ b> B, and the through portion 82 are not shown.

図３１及び図３２を参照するに、第５の実施の形態の半導体圧力センサ８０は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられたダイアフラム１１の代わりにダイアフラム８１を設けた以外は半導体圧力センサ１０と同様に構成される。   Referring to FIGS. 31 and 32, the semiconductor pressure sensor 80 of the fifth embodiment is provided with a diaphragm 81 in place of the diaphragm 11 provided in the semiconductor pressure sensor 10 of the first embodiment. The configuration is the same as that of the semiconductor pressure sensor 10.

ダイアフラム８１は、薄板形状とされている。ダイアフラム８１は、平面視四角形の形状とされている。ダイアフラム８１は、４つの貫通部８２を有する。貫通部８２は、平面視四角形のダイアフラム８１の隣接する２辺に亘るように形成されている。４つの貫通部８２は、第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６とを通過する平面に対して対称となるように配置されている。ダイアフラム８１の幅Ｗ１，Ｗ２が５００μｍの場合、貫通部８２の幅Ｋ４は、例えば、５μｍとすることができる。また、ダイアフラム８１の厚さＭ１４は、例えば、２０μｍとすることができる。   The diaphragm 81 has a thin plate shape. The diaphragm 81 has a quadrangular shape in plan view. The diaphragm 81 has four through portions 82. The penetration part 82 is formed so as to extend over two adjacent sides of the diaphragm 81 having a square shape in plan view. The four penetrating portions 82 are arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the second resistor 15 and the second resistor 16. When the widths W1 and W2 of the diaphragm 81 are 500 μm, the width K4 of the penetrating portion 82 can be set to 5 μm, for example. The thickness M14 of the diaphragm 81 can be set to 20 μm, for example.

このように、平面視四角形のダイアフラム８１の隣接する２辺に亘るように４つの貫通部８２をダイアフラム８１に設けると共に、４つの貫通部８２を第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６とを通過する平面に対して対称となるように配置することにより、第２の抵抗体１５，１６が一様に変形しやすくなるため、ダイアフラム８１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   As described above, the four through portions 82 are provided in the diaphragm 81 so as to extend over two adjacent sides of the diaphragm 81 having a rectangular shape in plan view, and the four through portions 82 are provided in the second resistor 15 and the second resistor 16. Since the second resistors 15 and 16 are easily deformed uniformly by being arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the pressure, it is possible to accurately detect the pressure applied to the diaphragm 81. it can.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、平面視四角形のダイアフラム８１の隣接する２辺に亘るように４つの貫通部８２をダイアフラム８１に設けると共に、４つの貫通部８２を第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６とを通過する平面に対して対称となるように配置することにより、第２の抵抗体１５，１６が一様に変形しやすくなるため、ダイアフラム８１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the four through portions 82 are provided in the diaphragm 81 so as to extend over two adjacent sides of the diaphragm 81 having a square shape in plan view, and the four through portions 82 are provided as the second resistor. Since the second resistors 15 and 16 are easily deformed uniformly by being arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the first resistor 15 and the second resistor 16, the second resistor 15 and the second resistor 16 are applied to the diaphragm 81. The pressure can be detected with high accuracy.

本実施の形態の半導体圧力センサ８０は、第１の実施の形態で説明した図７〜図１１に示す工程と同様な処理を行って、貫通部８２が設けられていないダイアフラム８１を形成し、その後、ダイアフラム８１の下面側にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてダイアフラム８１をエッチングして４つの貫通部８２を形成することにより製造する。   The semiconductor pressure sensor 80 of the present embodiment performs the same process as the steps shown in FIGS. 7 to 11 described in the first embodiment to form a diaphragm 81 in which the through portion 82 is not provided. Thereafter, a resist film is formed on the lower surface side of the diaphragm 81, and the diaphragm 81 is etched using the resist film as a mask to form four through portions 82.

なお、本実施の形態では、４つの貫通部８２をダイアフラム８１に設けた場合を例に挙げて説明したが、貫通部８２の数はこれに限定されない。例えば、８つの貫通部８２をダイアフラム８１に設けてもよい。   In the present embodiment, the case where the four through portions 82 are provided in the diaphragm 81 has been described as an example, but the number of the through portions 82 is not limited thereto. For example, eight through portions 82 may be provided in the diaphragm 81.

図３３は、ダイアフラムに形成する貫通部の他の例を示す図である。図３３において、図３２に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。   FIG. 33 is a diagram illustrating another example of the through portion formed in the diaphragm. In FIG. 33, the same components as those in the structure shown in FIG.

また、ダイアフラム８１に設けられた４つの貫通部８２の代わりに、図３３に示す２つの貫通部８５をダイアフラム８１に設けてもよい。図３３を参照するに、貫通部８５は、平面視四角形とされたダイアフラム８１の対向する２辺に亘るように設けられている。２つの貫通部８５は、第２の抵抗体１５と第２の抵抗体１６とを通過する平面に対して対称となるように配置されている。ダイアフラム８１の幅Ｗ１，Ｗ２が５００μｍの場合、貫通部８５の幅Ｋ５は、例えば、５μｍとすることができる。   Further, instead of the four through portions 82 provided in the diaphragm 81, two through portions 85 shown in FIG. 33 may be provided in the diaphragm 81. Referring to FIG. 33, the penetrating portion 85 is provided so as to extend over two opposing sides of the diaphragm 81 that is square in plan view. The two penetrating portions 85 are arranged so as to be symmetric with respect to a plane passing through the second resistor 15 and the second resistor 16. When the widths W1 and W2 of the diaphragm 81 are 500 μm, the width K5 of the penetrating portion 85 can be set to 5 μm, for example.

上記２つの貫通部８５を有するダイアフラム８１を備えた半導体圧力センサは、第５の実施の形態の半導体圧力センサ８０と同様な効果を得ることができる。   The semiconductor pressure sensor provided with the diaphragm 81 having the two through portions 85 can obtain the same effect as the semiconductor pressure sensor 80 of the fifth embodiment.

また、本実施の形態で説明した貫通部８２及び／又は貫通部８５を第１〜第４の実施の形態で説明したダイアフラム１１，４１，６１，７１に設けてもよい。   Moreover, you may provide the penetration part 82 and / or the penetration part 85 which were demonstrated in this Embodiment in the diaphragm 11,41,61,71 demonstrated in the 1st-4th embodiment.

（第６の実施の形態）
図３４は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図であり、図３５は、第１及び第２の抵抗体が形成されたダイアフラム及び支持体の平面図である。図３４及び図３５において、第５の実施の形態の半導体圧力センサ８０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図３４では、貫通部８２の図示を省略する。 (Sixth embodiment)
FIG. 34 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 35 is a plan view of a diaphragm and a support body on which first and second resistors are formed. 34 and 35, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 80 according to the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals. Moreover, in FIG. 34, illustration of the penetration part 82 is abbreviate | omitted.

図３４及び図３５を参照するに、第６の実施の形態の半導体圧力センサ９０は、第５の実施の形態の半導体圧力センサ８０に設けられた第１の抵抗体１３，１４、保護膜１８に形成された開口部２６Ａ，２６Ｂ、及び配線パターン２１，２２の配設位置を変えた以外は半導体圧力センサ８０と同様に構成される。   Referring to FIGS. 34 and 35, the semiconductor pressure sensor 90 of the sixth embodiment includes the first resistors 13 and 14 and the protective film 18 provided in the semiconductor pressure sensor 80 of the fifth embodiment. The configuration is the same as that of the semiconductor pressure sensor 80 except that the arrangement positions of the openings 26A and 26B and the wiring patterns 21 and 22 are changed.

第１の抵抗体１３，１４は、支持体１２の上面側に設けられている。このように、薄板化されたダイアフラム８１よりも厚さの厚い支持体１２に、第１の抵抗体１３，１４を設けることにより、ダイアフラム８１が圧力を受けた際、第１の抵抗体１３，１４が変形しにくくなるため、ダイアフラム８１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   The first resistors 13 and 14 are provided on the upper surface side of the support 12. In this way, by providing the first resistors 13 and 14 on the support 12 that is thicker than the thinned diaphragm 81, when the diaphragm 81 receives pressure, the first resistor 13, Since 14 becomes difficult to deform | transform, the pressure applied to the diaphragm 81 can be detected accurately.

ダイアフラム８１の厚さＭ１４は、例えば、２０μｍとすることができる。また、支持体１２の厚さＭ３は、例えば、４００μｍとすることができる。   The thickness M14 of the diaphragm 81 can be set to 20 μm, for example. Further, the thickness M3 of the support 12 can be set to 400 μm, for example.

開口部２６Ａは、第１の抵抗体１３上に設けられた部分の保護膜１８に形成されている。開口部２６Ｂは、第１の抵抗体１４上に設けられた部分の保護膜１８に形成されている。   The opening 26 </ b> A is formed in a portion of the protective film 18 provided on the first resistor 13. The opening 26 </ b> B is formed in a portion of the protective film 18 provided on the first resistor 14.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、薄板化されたダイアフラム８１よりも厚さの厚い支持体１２に、第１の抵抗体１３，１４を設けることにより、ダイアフラム８１が圧力を受けた際、第１の抵抗体１３，１４が変形しにくくなるため、ダイアフラム８１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, when the first resistor 13, 14 is provided on the support 12 that is thicker than the thinned diaphragm 81, the diaphragm 81 receives pressure. Since the first resistors 13 and 14 are not easily deformed, the pressure applied to the diaphragm 81 can be detected with high accuracy.

本実施の形態の半導体圧力センサ９０は、第５の実施の形態の半導体圧力センサ８０と同様な手法により製造することができる。   The semiconductor pressure sensor 90 of this embodiment can be manufactured by the same method as the semiconductor pressure sensor 80 of the fifth embodiment.

なお、先に説明した第１〜第５の実施の形態の半導体圧力センサ１０，４０，６０，７０，８０に設けられた第１の抵抗体１３，１４を支持体１２上に配置してもよい。この場合、本実施の形態の半導体圧力センサ９０と同様な効果を得ることができる。   The first resistors 13 and 14 provided in the semiconductor pressure sensors 10, 40, 60, 70, and 80 of the first to fifth embodiments described above may be disposed on the support 12. Good. In this case, the same effect as the semiconductor pressure sensor 90 of the present embodiment can be obtained.

（第７の実施の形態）
図３６は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。図３６において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図３６では、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。 (Seventh embodiment)
FIG. 36 is a sectional view of a semiconductor pressure sensor according to the seventh embodiment of the present invention. In FIG. 36, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In FIG. 36, the first resistor 14, the wiring pattern 22, and the opening 26B are not shown.

図３６を参照するに、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられたダイアフラム１１の代わりにダイアフラム１０１を設けると共に、さらに熱酸化膜１０２及び保護膜１０３を設けた以外は半導体圧力センサ１０と同様に構成される。   Referring to FIG. 36, in the semiconductor pressure sensor 100 of the seventh embodiment, a diaphragm 101 is provided instead of the diaphragm 11 provided in the semiconductor pressure sensor 10 of the first embodiment, and a thermal oxide film is further provided. The configuration is the same as the semiconductor pressure sensor 10 except that the protective layer 103 and the protective film 103 are provided.

ダイアフラム１０１は、薄板形状とされている。ダイアフラム１０１の厚さＭ１５は、例えば、２０μｍとすることができる。ダイアフラム１０１の下方には、凹部１０５が形成されている。   The diaphragm 101 has a thin plate shape. The thickness M15 of the diaphragm 101 can be set to 20 μm, for example. A recess 105 is formed below the diaphragm 101.

凹部１０５は、図３６に示す半導体圧力センサ１００の下面側から上面側に向かうにつれて、幅が狭くなるような形状とされている。凹部１０５の底面１０５Ａは、ダイアフラム１０１の下面に相当する面である。凹部１０５の側面１０５Ｂは、傾斜面とされている。凹部１０５の側面１０５Ｂは、支持体１２の内壁に相当する面である。ダイアフラム１０１及び支持体１２の母材としては、例えば、半導体基板を用いることができる。ダイアフラム１０１及び支持体１２を形成する際の母材となる半導体基板としては、例えば、シリコンウエハを用いることができる。   The recess 105 is shaped so that the width becomes narrower from the lower surface side to the upper surface side of the semiconductor pressure sensor 100 shown in FIG. The bottom surface 105 </ b> A of the recess 105 is a surface corresponding to the lower surface of the diaphragm 101. A side surface 105B of the recess 105 is an inclined surface. The side surface 105 </ b> B of the recess 105 is a surface corresponding to the inner wall of the support 12. For example, a semiconductor substrate can be used as the base material of the diaphragm 101 and the support 12. For example, a silicon wafer can be used as a semiconductor substrate as a base material when the diaphragm 101 and the support 12 are formed.

図３７は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサに設けられた熱酸化膜を説明するための図である。   FIG. 37 is a view for explaining the thermal oxide film provided in the semiconductor pressure sensor according to the seventh embodiment of the present invention.

図３６及び図３７を参照するに、熱酸化膜１０２は、凹部１０５の底面１０５Ａと凹部１０５の側面１０５Ｂと境界に対応する部分（以下、「境界部分１０５Ｃ」とする）のダイアフラム１０１及び支持体１２に設けられている。熱酸化膜１０２は、平面視額縁形状とされている。熱酸化膜１０２は、境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２（具体的には、境界部分１０５Ｃに対応する半導体基板）を熱酸化することで形成する。熱酸化膜１０２は、ダイアフラム１０１及び支持体１２の母材となる半導体基板よりも機械的強度の弱い部材である。   Referring to FIGS. 36 and 37, the thermal oxide film 102 includes a diaphragm 101 and a support at a portion corresponding to the boundary (hereinafter referred to as “boundary portion 105C”) between the bottom surface 105A of the recess 105 and the side surface 105B of the recess 105. 12 is provided. The thermal oxide film 102 has a frame shape in plan view. The thermal oxide film 102 is formed by thermally oxidizing the diaphragm 101 and the support 12 (specifically, a semiconductor substrate corresponding to the boundary portion 105C) corresponding to the boundary portion 105C. The thermal oxide film 102 is a member having a mechanical strength weaker than that of the semiconductor substrate serving as a base material of the diaphragm 101 and the support 12.

熱酸化膜１０２は、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂよりも支持体１２側に設けられた熱酸化膜１０２−１と、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂよりも凹部１０５側に設けられた熱酸化膜１０２−２とを有する。   The thermal oxide film 102 includes a thermal oxide film 102-1 provided on the support 12 side with respect to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105, and a heat provided on the recess 105 side with respect to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. And an oxide film 102-2.

凹部１０５の角Ｐに設けられた熱酸化膜１０２の厚さＭ１６は、例えば、０．４μｍとすることができる。熱酸化膜１０２の幅Ｗ１１は、例えば、５μｍとすることができる。また、熱酸化膜１０２−１の厚さＭ１７は、例えば、０．２４μｍとすることができる。   The thickness M16 of the thermal oxide film 102 provided at the corner P of the recess 105 can be set to 0.4 μm, for example. The width W11 of the thermal oxide film 102 can be set to 5 μm, for example. Further, the thickness M17 of the thermal oxide film 102-1 can be set to 0.24 μm, for example.

このように、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２に熱酸化膜１０２を設けることにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１０２−１になるため、ダイアフラム１０１が圧力を受けた際、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   Thus, the semiconductor substrate corresponding to the boundary between the diaphragm 101 and the support 12 is provided by providing the thermal oxide film 102 on the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the boundary portion 105C between the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. Since the second resistor 15, 16 is easily deformed when the diaphragm 101 is subjected to pressure, a part of the thermal oxide film 102-1 having a low mechanical strength, the pressure applied to the diaphragm 101 Can be detected with high accuracy.

保護膜１０３は、支持体１２の下面に設けられている。保護膜１０３は、保護膜１８を形成する際に、支持体１２の下面に形成される膜である。保護膜１０３としては、例えば、ＣＶＤ法により形成された酸化膜を用いることができる。保護膜１０３の厚さは、保護膜１８の厚さＭ４と略等しい。保護膜１０３の厚さは、例えば、０．３μｍとすることができる。なお、保護膜１０３は設けても設けなくてもどちらでもよい。   The protective film 103 is provided on the lower surface of the support 12. The protective film 103 is a film formed on the lower surface of the support 12 when the protective film 18 is formed. As the protective film 103, for example, an oxide film formed by a CVD method can be used. The thickness of the protective film 103 is substantially equal to the thickness M4 of the protective film 18. The thickness of the protective film 103 can be set to 0.3 μm, for example. Note that the protective film 103 may or may not be provided.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２に熱酸化膜１０２を設けることにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１０２−１になるため、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the diaphragm 101 and the support 12 are provided by providing the thermal oxide film 102 on the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the boundary portion 105C between the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. Since a part of the semiconductor substrate corresponding to the boundary between the two becomes the thermal oxide film 102-1 having a low mechanical strength, the second resistors 15 and 16 are easily deformed. Therefore, the pressure applied to the diaphragm 101 is reduced. It can be detected with high accuracy.

図３８〜図４８は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図であり、図４９は、図４６に示すダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。図３８〜図４９において、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００と同一構成部分には同一符号を付す。また、図３８〜図４８において、第１の抵抗体１４、配線パターン２２、開口部７３Ｂ、及び開口部２６Ｂの図示を省略する。   38 to 48 are views showing the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 49 is an enlarged view of the boundary portion between the diaphragm and the support shown in FIG. It is. 38 to 49, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 100 according to the seventh embodiment are denoted by the same reference numerals. 38 to 48, the first resistor 14, the wiring pattern 22, the opening 73B, and the opening 26B are not shown.

図３８〜図４９を参照して、本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサ１００の製造方法について説明する。始めに、図３８に示す工程では、半導体基板３１の上面３１Ａ側に、第１及び第２の抵抗体１３，１４（図示せず），１５，１６を形成する。半導体基板３１としては、例えば、シリコンウエハを用いることができる。半導体基板３１がＰ型基板である場合、Ｎ型不純物を半導体基板３１に拡散させることで第１及び第２の抵抗体１３，１４（図示せず），１５，１６を形成する。半導体基板３１の厚さＭ５は、例えば、４００μｍとすることができる。   A method for manufacturing the semiconductor pressure sensor 100 according to the seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, in the step shown in FIG. 38, first and second resistors 13, 14 (not shown), 15, 16 are formed on the upper surface 31 </ b> A side of the semiconductor substrate 31. As the semiconductor substrate 31, for example, a silicon wafer can be used. When the semiconductor substrate 31 is a P-type substrate, first and second resistors 13, 14 (not shown), 15, 16 are formed by diffusing N-type impurities into the semiconductor substrate 31. The thickness M5 of the semiconductor substrate 31 can be set to 400 μm, for example.

次いで、図３９に示す工程では、半導体基板３１の上面３１Ａに保護膜１８を形成し、半導体基板３１の下面３１Ｂに保護膜１０３を形成する。保護膜１８，１０３は、同時に形成する。次いで、保護膜１８上にＳｉＮ膜１１１を形成し、保護膜１０３の下面にＳｉＮ膜１１２を形成する。ＳｉＮ膜１１１，１１２は、同時に形成する。   Next, in the step shown in FIG. 39, the protective film 18 is formed on the upper surface 31 </ b> A of the semiconductor substrate 31, and the protective film 103 is formed on the lower surface 31 </ b> B of the semiconductor substrate 31. The protective films 18 and 103 are formed simultaneously. Next, the SiN film 111 is formed on the protective film 18, and the SiN film 112 is formed on the lower surface of the protective film 103. The SiN films 111 and 112 are formed simultaneously.

保護膜１８，１０３としては、例えば、酸化膜を用いることができる。保護膜１８，１０３は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。保護膜１８，１０３の厚さは、例えば、０．３μｍとすることができる。ＳｉＮ膜１１１，１１２は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。また、ＳｉＮ膜１１１，１１２の厚さは、例えば、０．１４μｍとすることができる。   As the protective films 18 and 103, for example, an oxide film can be used. The protective films 18 and 103 can be formed by, for example, a CVD method. The thickness of the protective films 18 and 103 can be set to 0.3 μm, for example. The SiN films 111 and 112 can be formed by, for example, a CVD method. The thickness of the SiN films 111 and 112 can be set to 0.14 μm, for example.

次いで、図４０に示す工程では、ＳｉＮ膜１１２の下面に開口部１１４Ａを有したレジスト膜１１４を形成し、次いで、レジスト膜１１４をマスクとして開口部１１４Ａの形成領域に対応する部分のＳｉＮ膜１１２及び保護膜１０３をエッチングする。このエッチングにより、ＳｉＮ膜１１２及び保護膜１０３に半導体基板３１の下面３１Ｂを露出する開口部１１７が形成される。ＳｉＮ膜１１２及び保護膜１０３をエッチングする方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。   Next, in a step shown in FIG. 40, a resist film 114 having an opening 114A is formed on the lower surface of the SiN film 112, and then the SiN film 112 corresponding to the formation region of the opening 114A is formed using the resist film 114 as a mask. Then, the protective film 103 is etched. By this etching, an opening 117 exposing the lower surface 31B of the semiconductor substrate 31 is formed in the SiN film 112 and the protective film 103. As a method of etching the SiN film 112 and the protective film 103, for example, a dry etching method can be used.

次いで、図４１に示す工程では、図４０に示すレジスト膜１１４を除去する。次いで、図４２に示す工程では、半導体基板３１の下面３１Ｂに形成されたＳｉＮ膜１１２及び保護膜１０３をマスクとして、開口部１１７に露出された部分の半導体基板３１をエッチングして凹部１０５を形成する（ダイアフラム及び支持体形成工程）。これにより、ダイアフラム１０１及び支持体１２が同時に形成される。凹部１０５は、ダイアフラム１０１が厚さＭ１５となるように形成する。ダイアフラム１０１の厚さＭ１５は、例えば、２０μｍとすることができる。支持体１２の厚さＭ３は、半導体基板３１の厚さＭ５と略等しい。支持体１２の厚さＭ３は、例えば、４００μｍとすることができる。   Next, in a step shown in FIG. 41, the resist film 114 shown in FIG. 40 is removed. Next, in the process shown in FIG. 42, the recess 105 is formed by etching the portion of the semiconductor substrate 31 exposed in the opening 117 using the SiN film 112 and the protective film 103 formed on the lower surface 31B of the semiconductor substrate 31 as a mask. (Diaphragm and support forming step). Thereby, the diaphragm 101 and the support body 12 are formed simultaneously. The recess 105 is formed so that the diaphragm 101 has a thickness M15. The thickness M15 of the diaphragm 101 can be set to 20 μm, for example. The thickness M3 of the support 12 is substantially equal to the thickness M5 of the semiconductor substrate 31. The thickness M3 of the support 12 can be set to 400 μm, for example.

次いで、図４３に示す工程では、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂを覆うようにＳｉＮ膜１１６を形成する（絶縁膜形成工程）。このとき、ＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜１１６を形成する場合、図４３に示すように、図４２に示す構造体の上面側及び下面側を覆うようにＳｉＮ膜１１６が形成される。ＳｉＮ膜１１６の厚さＭ１８は、例えば、０．１４μｍとすることができる。   Next, in the step shown in FIG. 43, the SiN film 116 is formed so as to cover the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105 (insulating film forming step). At this time, when the SiN film 116 is formed by using the CVD method, as shown in FIG. 43, the SiN film 116 is formed so as to cover the upper surface side and the lower surface side of the structure shown in FIG. The thickness M18 of the SiN film 116 can be set to 0.14 μm, for example.

次いで、図４４に示す工程では、図４３に示す構造体の下面側に開口部１１８Ａを有したレジスト膜１１８を形成し、次いで、レジスト膜１１８をマスクとして、開口部１１８Ａに露出された部分のＳｉＮ膜１１６をエッチングして、ＳｉＮ膜１１６に開口部１１６Ａを形成する（開口部形成工程）。開口部１１６Ａは、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２を露出するように形成する。開口部１１６Ａは、例えば、平面視した状態において、額縁状に形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 44, a resist film 118 having an opening 118A is formed on the lower surface side of the structure shown in FIG. 43, and then the portion of the portion exposed to the opening 118A is exposed using the resist film 118 as a mask. The SiN film 116 is etched to form an opening 116A in the SiN film 116 (opening forming process). 116 A of opening parts are formed so that the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the boundary part 105C of the bottom face 105A of the recessed part 105 and the side surface 105B may be exposed. For example, the opening 116A can be formed in a frame shape in a plan view.

次いで、図４５に示す工程では、図４４に示すレジスト膜１１８を除去する。次いで、図４６に示す工程では、熱酸化法により、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２を酸化して、熱酸化膜１０２−１，１０２−２よりなる熱酸化膜１０２を形成する（熱酸化膜形成工程）。   Next, in a step shown in FIG. 45, the resist film 118 shown in FIG. 44 is removed. Next, in the step shown in FIG. 46, the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the boundary portion 105C between the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105 are oxidized by thermal oxidation, and the thermal oxide films 102-1, 102- are oxidized. 2 is formed (thermal oxide film forming step).

このように、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化して熱酸化膜１０２を形成することにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板３１の一部を機械的強度の弱い熱酸化膜１０２−１にして、第２の抵抗体１５，１６を変形させやすくすることができる。   In this manner, the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the boundary portion 105C between the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105 are thermally oxidized to form the thermal oxide film 102, whereby the boundary between the diaphragm 101 and the support 12 is obtained. A part of the semiconductor substrate 31 corresponding to the above can be made into a thermal oxide film 102-1 having a low mechanical strength, so that the second resistors 15 and 16 can be easily deformed.

熱酸化膜１０２の幅Ｗ１１は、例えば、５μｍとすることができる。また、図４９に示すように、熱酸化膜１０２の厚さＭ１６は、例えば、０．４μｍとすることができる。   The width W11 of the thermal oxide film 102 can be set to 5 μm, for example. As shown in FIG. 49, the thickness M16 of the thermal oxide film 102 can be set to 0.4 μm, for example.

また、凹部１０５の角Ｐよりも支持体１２側に設けられた熱酸化膜１０２−１の厚さＭ１７は、例えば、０．２４μｍとすることができる。   Further, the thickness M17 of the thermal oxide film 102-1 provided on the support 12 side with respect to the corner P of the recess 105 can be set to 0.24 μm, for example.

次いで、図４７に示す工程では、図４６に示すＳｉＮ膜１１１，１１２，１１６を除去する。次いで、図４８に示す工程では、周知の手法により、保護膜１８に開口部２６Ａ，２６Ｂ（図示せず），２７Ａ，２７Ｂを形成し、その後、配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４を形成する。これにより、半導体圧力センサ１００が製造される。   47, the SiN films 111, 112, and 116 shown in FIG. 46 are removed. 48, openings 26A, 26B (not shown), 27A, 27B are formed in the protective film 18 by a well-known method, and then wiring patterns 21, 22 (not shown), 23 are formed. , 24 are formed. Thereby, the semiconductor pressure sensor 100 is manufactured.

本実施の形態の半導体圧力センサの製造方法によれば、凹部１０５の底面１０５Ａと側面１０５Ｂとの境界部分１０５Ｃに対応するダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化して熱酸化膜１０２を形成することにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板３１の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１０２−１になるため、第２の抵抗体１５，１６を変形させやすくすることが可能となるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the method of manufacturing a semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the thermal oxidation film 102 is formed by thermally oxidizing the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the boundary portion 105C between the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. As a result, a part of the semiconductor substrate 31 corresponding to the boundary between the diaphragm 101 and the support 12 becomes the thermal oxide film 102-1 having a low mechanical strength, so that the second resistors 15 and 16 can be easily deformed. Therefore, the pressure applied to the diaphragm 101 can be detected with high accuracy.

図５０は、本発明の第７の実施の形態の変形例に係る半導体圧力センサを示す断面図である。図５０において、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００と同一構成部分には同一符号を付す。   FIG. 50 is a cross-sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to a modification of the seventh embodiment of the present invention. In FIG. 50, the same symbols are affixed to the same constituent portions as those of the semiconductor pressure sensor 100 of the seventh embodiment.

なお、本実施の形態では、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）をダイアフラム１０１の略中央に設けた場合を例に挙げて説明したが、図５０に示すように、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）を支持体１２に設けてもよい。   In the present embodiment, the case where the first resistors 13 and 14 (not shown) are provided in the approximate center of the diaphragm 101 has been described as an example. However, as shown in FIG. Resistors 13 and 14 (not shown) may be provided on the support 12.

また、本実施の形態の半導体圧力センサ１００に設けられた保護膜１８の代わりに、第４の実施の形態の半導体圧力センサ７０に設けられた保護膜７２を設けてもよい。   Further, instead of the protective film 18 provided in the semiconductor pressure sensor 100 of the present embodiment, a protective film 72 provided in the semiconductor pressure sensor 70 of the fourth embodiment may be provided.

（第８の実施の形態）
図５１は、本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図であり、図５２は、図５１に示す半導体圧力センサに設けられたダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。図５１及び図５２において、底面１０５Ａは熱酸化膜１３１が形成される前の凹部１０５の底面、側面１０５Ｂは熱酸化膜１３１が形成される前の凹部１０５の側面、底面１０５Ａ−１は熱酸化膜１３１形成後の凹部１０５の底面、側面１０５Ｂ−１は熱酸化膜１３１形成後の凹部１０５の側面をそれぞれ示している。 (Eighth embodiment)
51 is a cross-sectional view of a semiconductor pressure sensor according to the eighth embodiment of the present invention. FIG. 52 is an enlarged view of the boundary between the diaphragm and the support provided in the semiconductor pressure sensor shown in FIG. FIG. 51 and 52, the bottom surface 105A is the bottom surface of the recess 105 before the thermal oxide film 131 is formed, the side surface 105B is the side surface of the recess 105 before the thermal oxide film 131 is formed, and the bottom surface 105A-1 is the thermal oxidation. The bottom surface and the side surface 105B-1 of the recess 105 after the film 131 is formed indicate the side surfaces of the recess 105 after the thermal oxide film 131 is formed.

図５１及び図５２を参照するに、第８の実施の形態の半導体圧力センサ１３０は、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００に設けられた熱酸化膜１０２の代わりに、熱酸化膜１３１を設けた以外は半導体圧力センサ１００と同様に構成される。   51 and 52, in the semiconductor pressure sensor 130 of the eighth embodiment, a thermal oxide film 131 is used instead of the thermal oxide film 102 provided in the semiconductor pressure sensor 100 of the seventh embodiment. It is comprised similarly to the semiconductor pressure sensor 100 except having provided.

熱酸化膜１３１は、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を覆うように設けられている。熱酸化膜１３１は、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化することで形成される膜である。   The thermal oxide film 131 is provided so as to cover the diaphragm 101 and the support 12 at portions corresponding to the bottom surface 105 </ b> A and the side surface 105 </ b> B of the recess 105. The thermal oxide film 131 is a film formed by thermally oxidizing the diaphragm 101 and the support 12 at portions corresponding to the bottom surface 105 </ b> A and the side surface 105 </ b> B of the recess 105.

熱酸化膜１３１は、熱酸化膜１３１−１と、熱酸化膜１３１−２とを有する。熱酸化膜１３１−１は、凹部１０５の底面１０５Ａよりもダイアフラム１０１側に設けられている。また、熱酸化膜１３１−１は、凹部１０５の側面１０５Ｂよりも支持体１２側にも設けられている。熱酸化膜１３１−２は、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂよりも凹部１０５側に設けられている。   The thermal oxide film 131 includes a thermal oxide film 131-1 and a thermal oxide film 131-2. The thermal oxide film 131-1 is provided closer to the diaphragm 101 than the bottom surface 105A of the recess 105. Further, the thermal oxide film 131-1 is also provided on the support 12 side rather than the side surface 105B of the recess 105. The thermal oxide film 131-2 is provided closer to the recess 105 than the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105.

このように、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を覆う熱酸化膜１３１を設けることにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１３１−１になるため、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   As described above, by providing the thermal oxide film 131 that covers the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the bottom surface 105 </ b> A and the side surface 105 </ b> B of the recess 105, one of the semiconductor substrates corresponding to the boundary between the diaphragm 101 and the support body 12 is provided. Since the portion becomes the thermal oxide film 131-1 having a low mechanical strength, the second resistors 15 and 16 are easily deformed, so that the pressure applied to the diaphragm 101 can be accurately detected.

凹部１０５の角Ｐに対応する部分に設けられた熱酸化膜１０２の厚さＭ１９は、例えば、０．４μｍとすることができる。また、凹部１０５の角Ｐに対応する部分に設けられた熱酸化膜１３１−１の厚さＭ２０は、例えば、０．２４μｍとすることができる。   The thickness M19 of the thermal oxide film 102 provided in the portion corresponding to the corner P of the recess 105 can be set to 0.4 μm, for example. In addition, the thickness M20 of the thermal oxide film 131-1 provided in the portion corresponding to the corner P of the recess 105 can be set to 0.24 μm, for example.

本実施の形態の半導体圧力センサによれば、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を覆う熱酸化膜１３１を設けることにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１３１−１になるため、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, by providing the thermal oxide film 131 that covers the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105, the diaphragm 101 and the support body 12 are separated. Since the part of the semiconductor substrate corresponding to the boundary becomes the thermal oxide film 131-1 having a low mechanical strength, the second resistors 15 and 16 are easily deformed, so that the pressure applied to the diaphragm 101 can be accurately adjusted. Can be detected.

図５３〜図５５は、本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図であり、図５６は、図５３に示すダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。図５３〜図５６において、本実施の形態の半導体圧力センサ１３０と同一構成部分には同一符号を付す。   53 to 55 are views showing manufacturing steps of the semiconductor pressure sensor according to the eighth embodiment of the present invention, and FIG. 56 is an enlarged view of the boundary portion between the diaphragm and the support shown in FIG. It is. 53 to 56, the same components as those of the semiconductor pressure sensor 130 of the present embodiment are denoted by the same reference numerals.

図５３〜図５６を参照して、本発明の第８の実施の形態の半導体圧力センサ１３０の製造方法について説明する。   A method for manufacturing the semiconductor pressure sensor 130 according to the eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

始めに、第７の実施の形態で説明した図３８〜図４２に示す工程と同様な処理を行って、図４２に示す構造体を形成する。次いで、図５３に示す工程では、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化して、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂを覆うように、熱酸化膜１３１−１，１３１−２からなる熱酸化膜１３１を形成する（熱酸化膜形成工程）。   First, a process similar to the process shown in FIGS. 38 to 42 described in the seventh embodiment is performed to form the structure shown in FIG. Next, in the step shown in FIG. 53, the portions of the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105 are thermally oxidized to cover the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. A thermal oxide film 131 made of 131-1 and 131-2 is formed (thermal oxide film forming step).

このように、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化して、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂを覆うように熱酸化膜１３１を形成することにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１３１−１になるため、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   In this way, by thermally oxidizing the portions of the diaphragm 101 and the support 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105, the thermal oxide film 131 is formed so as to cover the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. Since a part of the semiconductor substrate corresponding to the boundary between the diaphragm 101 and the support 12 becomes the thermal oxide film 131-1 having a low mechanical strength, the second resistors 15 and 16 are easily deformed. The pressure applied to 101 can be detected with high accuracy.

また、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を覆うように熱酸化膜１３１を形成することにより、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００の製造方法において必要であった図４３〜図４５に示す工程が不要となるため、製造工程を簡略化して、半導体圧力センサ１３０の製造コストを低減することができる。   In the method of manufacturing the semiconductor pressure sensor 100 according to the seventh embodiment, the thermal oxide film 131 is formed so as to cover the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. Since the steps shown in FIGS. 43 to 45 which are necessary are not required, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost of the semiconductor pressure sensor 130 can be reduced.

凹部１０５の角Ｐに対応する部分に設けられた熱酸化膜１０２の厚さＭ１９は、例えば、０．４μｍとすることができる（図５６参照）。また、熱酸化膜１３１−１の厚さＭ２０は、例えば、０．２４μｍとすることができる（図５６参照）。   The thickness M19 of the thermal oxide film 102 provided in the portion corresponding to the corner P of the recess 105 can be set to 0.4 μm, for example (see FIG. 56). Further, the thickness M20 of the thermal oxide film 131-1 can be set to 0.24 μm, for example (see FIG. 56).

次いで、図５４に示す工程では、図５３に示すＳｉＮ膜１１１，１１２を除去する。次いで、図５５に示す工程では、周知の手法により、保護膜１８に開口部２６Ａ，２６Ｂ（図示せず），２７Ａ，２７Ｂを形成し、その後、配線パターン２１，２２（図示せず），２３，２４を形成する。これにより、半導体圧力センサ１３０が製造される。   Next, in a step shown in FIG. 54, the SiN films 111 and 112 shown in FIG. 53 are removed. Next, in the step shown in FIG. 55, openings 26A, 26B (not shown), 27A, 27B are formed in the protective film 18 by a well-known method, and then wiring patterns 21, 22 (not shown), 23 are formed. , 24 are formed. Thereby, the semiconductor pressure sensor 130 is manufactured.

本実施の形態の半導体圧力センサの製造方法によれば、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を熱酸化して、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂを覆うように熱酸化膜１３１を形成することにより、ダイアフラム１０１と支持体１２との境界に対応する半導体基板の一部が機械的強度の弱い熱酸化膜１３１−１になるため、第２の抵抗体１５，１６が変形しやすくなるので、ダイアフラム１０１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the manufacturing method of the semiconductor pressure sensor of the present embodiment, the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105 are thermally oxidized to cover the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. By forming the thermal oxide film 131 in this manner, a part of the semiconductor substrate corresponding to the boundary between the diaphragm 101 and the support 12 becomes the thermal oxide film 131-1 having a low mechanical strength. Since 15 and 16 are easily deformed, the pressure applied to the diaphragm 101 can be accurately detected.

また、凹部１０５の底面１０５Ａ及び側面１０５Ｂに対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２を覆うように熱酸化膜１３１を形成することにより、第７の実施の形態の半導体圧力センサ１００の製造方法において必要であった図４３〜図４５に示す工程が不要となるため、製造工程を簡略化して、半導体圧力センサ１３０の製造コストを低減することができる。   In the method of manufacturing the semiconductor pressure sensor 100 according to the seventh embodiment, the thermal oxide film 131 is formed so as to cover the diaphragm 101 and the support body 12 corresponding to the bottom surface 105A and the side surface 105B of the recess 105. Since the steps shown in FIGS. 43 to 45 which are necessary are not required, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost of the semiconductor pressure sensor 130 can be reduced.

図５７は、本発明の第８の実施の形態の変形例に係る半導体圧力センサを示す断面図である。図５７において、第８の実施の形態の半導体圧力センサ１３０と同一構成部分には同一符号を付す。   FIG. 57 is a cross-sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to a modification of the eighth embodiment of the present invention. In FIG. 57, the same symbols are affixed to the same constituent portions as those of the semiconductor pressure sensor 130 of the eighth embodiment.

なお、本実施の形態では、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）をダイアフラム１０１の略中央に設けた場合を例に挙げて説明したが、図５７に示すように、第１の抵抗体１３，１４（図示せず）を支持体１２に設けてもよい。   In the present embodiment, the case where the first resistors 13 and 14 (not shown) are provided in the approximate center of the diaphragm 101 has been described as an example. However, as shown in FIG. Resistors 13 and 14 (not shown) may be provided on the support 12.

また、本実施の形態の半導体圧力センサ１３０に設けられた保護膜１８の代わりに、第４の実施の形態の半導体圧力センサ７０に設けられた保護膜７２を設けてもよい。   Further, instead of the protective film 18 provided in the semiconductor pressure sensor 130 of the present embodiment, a protective film 72 provided in the semiconductor pressure sensor 70 of the fourth embodiment may be provided.

（第９の実施の形態）
図５８は、本発明の第９の実施の形態に係る半導体圧力センサ装置の概略構成図である。 (Ninth embodiment)
FIG. 58 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor device according to the ninth embodiment of the present invention.

図５８を参照するに、半導体圧力センサ装置１５０は、筐体１５１と、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と、配線１５２，１５４と、圧力数値化処理装置１５３と、表示装置１６１とを有する。   58, the semiconductor pressure sensor device 150 includes a housing 151, the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment, wirings 152 and 154, a pressure digitization processing device 153, and a display device 161. Have

筐体１５１は、半導体圧力センサ１０、配線１５２，１５４、及び圧力数値化処理装置１５３を収容するためのものである。筐体１５１は、半導体圧力センサ１０が検出する圧力を導入するための圧力導入部１６２と、配線１５４を筐体１５１の外部に引き出すための配線引き出し部１６３を有する。   The housing 151 is for housing the semiconductor pressure sensor 10, the wirings 152 and 154, and the pressure digitizing apparatus 153. The housing 151 includes a pressure introducing portion 162 for introducing pressure detected by the semiconductor pressure sensor 10 and a wiring drawing portion 163 for drawing the wiring 154 to the outside of the housing 151.

半導体圧力センサ１０は、筐体１５１内に設けられている。半導体圧力センサ１０は、ダイアフラム１１が圧力導入部１６２と対向するように配置されている。半導体圧力センサ１０は、ワイヤ１５６を介して、配線１５２と電気的に接続されている。半導体圧力センサ１０は、圧力導入部１６２から導入された圧力を検出した際、圧力検出信号を出力する。この圧力検出信号は、ワイヤ１５６，１５７及び配線１５２を介して、圧力数値化処理装置１５３に送信される。   The semiconductor pressure sensor 10 is provided in the housing 151. The semiconductor pressure sensor 10 is arranged so that the diaphragm 11 faces the pressure introducing portion 162. The semiconductor pressure sensor 10 is electrically connected to the wiring 152 via a wire 156. The semiconductor pressure sensor 10 outputs a pressure detection signal when the pressure introduced from the pressure introduction unit 162 is detected. This pressure detection signal is transmitted to the pressure digitization processing device 153 via the wires 156 and 157 and the wiring 152.

配線１５２は、筐体１５１内に設けられている。配線１５２は、ワイヤ１５６を介して、半導体圧力センサ１０と電気的に接続されている。また、配線１５２は、ワイヤ１５７を介して、圧力数値化処理装置１５３と電気的に接続されている。配線１５２は、半導体圧力センサ１０と圧力数値化処理装置１５３とを電気的に接続するためのものである。   The wiring 152 is provided in the housing 151. The wiring 152 is electrically connected to the semiconductor pressure sensor 10 via the wire 156. The wiring 152 is electrically connected to the pressure digitizing apparatus 153 via the wire 157. The wiring 152 is for electrically connecting the semiconductor pressure sensor 10 and the pressure digitizing apparatus 153.

圧力数値化処理装置１５３は、筐体１５１内に設けられている。圧力数値化処理装置１５３は、ワイヤ１５６，１５７及び配線１５２を介して、半導体圧力センサ１０と電気的に接続されている。また、圧力数値化処理装置１５３は、ワイヤ１５８及び配線１５４を介して、表示装置１６１と電気的に接続されている。圧力数値化処理装置１５３は、半導体圧力センサ１０の制御全般を行う機能を奏する。また、圧力数値化処理装置１５３は、半導体圧力センサ１０が検出した圧力検出信号に基づき、ダイアフラム１１に印加された圧力を数値化し、この数値化したデータをワイヤ１５８及び配線１５４を介して、表示装置１６１に送信する。   The pressure digitizing apparatus 153 is provided in the housing 151. The pressure digitizing apparatus 153 is electrically connected to the semiconductor pressure sensor 10 via wires 156 and 157 and a wiring 152. Further, the pressure digitization processing device 153 is electrically connected to the display device 161 via a wire 158 and a wiring 154. The pressure digitization processing device 153 has a function of performing overall control of the semiconductor pressure sensor 10. Further, the pressure digitization processing device 153 digitizes the pressure applied to the diaphragm 11 based on the pressure detection signal detected by the semiconductor pressure sensor 10, and displays the digitized data via the wire 158 and the wiring 154. Transmit to device 161.

表示装置１６１は、筐体１５１の外部に設けられており、配線１５４と接続されている。表示装置１６１は、配線１５４及びワイヤ１５８を介して、圧力数値化処理装置１５３と電気的に接続されている。表示装置１６１は、数値化された圧力を表示する表示部１６５を有する。表示装置１６１は、圧力数値化処理装置１５３により数値化された圧力を表示部１６５に表示する。   The display device 161 is provided outside the housing 151 and is connected to the wiring 154. The display device 161 is electrically connected to the pressure digitization processing device 153 via the wiring 154 and the wire 158. The display device 161 includes a display unit 165 that displays the digitized pressure. The display device 161 displays the pressure digitized by the pressure digitization processing device 153 on the display unit 165.

本実施の形態の半導体圧力センサ装置によれば、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０を備えることにより、ダイアフラム１１に印加された圧力を精度良く検出することができる。   According to the semiconductor pressure sensor device of the present embodiment, the pressure applied to the diaphragm 11 can be detected with high accuracy by including the semiconductor pressure sensor 10 of the first embodiment.

なお、本実施の形態の半導体圧力センサ装置１５０では、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０を設けた場合を例に挙げて説明したが、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０の代わりに、第２〜第８の実施の形態において説明した半導体圧力センサ４０，６０，７０，８０，９０，１００，１３０，１７０，１８０のいずれかを設けた場合についても同様な効果を得ることができる。   In the semiconductor pressure sensor device 150 according to the present embodiment, the case where the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment is provided has been described as an example, but the semiconductor pressure sensor 10 according to the first embodiment is described. Instead, the same effect can be obtained when any of the semiconductor pressure sensors 40, 60, 70, 80, 90, 100, 130, 170, 180 described in the second to eighth embodiments is provided. Can do.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and within the scope of the present invention described in the claims, Various modifications and changes are possible.

本発明は、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサ及びその製造方法、及び半導体圧力センサ装置に適用可能である。   The present invention can be applied to a semiconductor pressure sensor that detects the pressure applied to the diaphragm based on the difference between the resistance values of the first and second resistors, a manufacturing method thereof, and a semiconductor pressure sensor device.

本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 第１及び第２の抵抗体の配設位置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the arrangement position of the 1st and 2nd resistor. 異なる厚さを有する他のダイアフラムを説明するための図（その１）である。It is FIG. (1) for demonstrating the other diaphragm which has different thickness. 異なる厚さを有する他のダイアフラムを説明するための図（その２）である。It is FIG. (2) for demonstrating the other diaphragm which has different thickness. 異なる厚さを有する他のダイアフラムを説明するための図（その３）である。It is FIG. (3) for demonstrating the other diaphragm which has different thickness. 異なる厚さを有する他のダイアフラムを説明するための図（その４）である。It is FIG. (4) for demonstrating the other diaphragm which has different thickness. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。It is FIG. (1) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。It is FIG. (The 3) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。It is FIG. (4) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。It is FIG. (5) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その６）である。It is FIG. (6) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その７）である。It is FIG. (7) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その８）である。It is FIG. (8) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサに設けられたダイアフラムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the diaphragm provided in the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。It is FIG. (The 3) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。It is FIG. (4) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。It is FIG. (5) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その６）である。It is FIG. (6) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その７）である。It is FIG. (The 7) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。It is FIG. (1) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。It is FIG. (The 3) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。It is FIG. (The 4) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。It is FIG. (5) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 第１及び第２の抵抗体が形成されたダイアフラム及び支持体の平面図である。It is a top view of the diaphragm in which the 1st and 2nd resistor was formed, and a support body. ダイアフラムに形成する貫通部の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the penetration part formed in a diaphragm. 本発明の第６の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 第１及び第２の抵抗体が形成されたダイアフラム及び支持体の平面図である。It is a top view of the diaphragm in which the 1st and 2nd resistor was formed, and a support body. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサに設けられた熱酸化膜を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the thermal oxide film provided in the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。It is FIG. (1) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。It is FIG. (3) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。It is FIG. (4) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。It is FIG. (5) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その６）である。It is FIG. (6) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その７）である。It is FIG. (The 7) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その８）である。It is FIG. (The 8) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その９）である。It is FIG. (9) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１０）である。It is FIG. (10) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１１）である。It is FIG. (11) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 図４６に示すダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。It is the figure which expanded the boundary part of the diaphragm shown in FIG. 46, and a support body. 本発明の第７の実施の形態の変形例に係る半導体圧力センサを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor pressure sensor which concerns on the modification of the 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 図５１に示す半導体圧力センサに設けられたダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。It is the figure which expanded the boundary part of the diaphragm provided in the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 51, and a support body. 本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。It is FIG. (1) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第８の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。It is FIG. (3) which shows the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 図５３に示すダイアフラムと支持体との境界部分を拡大した図である。It is the figure which expanded the boundary part of the diaphragm shown in FIG. 53, and a support body. 本発明の第８の実施の形態の変形例に係る半導体圧力センサを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor pressure sensor which concerns on the modification of the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第９の実施の形態に係る半導体圧力センサ装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the semiconductor pressure sensor apparatus which concerns on the 9th Embodiment of this invention. 従来の半導体圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the conventional semiconductor pressure sensor.

符号の説明Explanation of symbols

１０，４０，６０，７０，８０，９０，１００，１３０，１７０，１８０ 半導体圧力センサ
１１，４１，６１，７１，８１，１０１ ダイアフラム
１２ 支持体
１３，１４ 第１の抵抗体
１５，１６ 第２の抵抗体
１８，７２，７２−１，７２−２，７６，１０３ 保護膜
２１，２２，２３，２４ 配線パターン
２５，４２ 凸部
２５Ａ 面
２５Ｂ，３５Ｂ，４２Ｂ，１０５Ｂ，１０５Ｂ−１ 側面
２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂ，３３Ａ，４７Ａ，７３Ａ，７３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂ，１１４Ａ，１１７，１１６Ａ，１１８Ａ 開口部
３１ 半導体基板
３１Ａ，３１Ｃ，４２Ａ 上面
３１Ｂ 下面
３３，３７，４５，４７，７８，１１４，１１８ レジスト膜
３５，４９，１０５ 凹部
３５Ａ，１０５Ａ，１０５Ａ−１ 底面
８２，８５ 貫通部
１０２，１０２−１，１０２−２，１３１，１３１−１，１３１−２ 熱酸化膜
１０５Ｃ 境界部分
１１１，１１２，１１６ ＳｉＮ膜
１５０ 半導体圧力センサ装置
１５１ 筐体
１５２，１５４ 配線
１５３ 圧力数値化処理装置
１５６〜１５８ ワイヤ
１６１ 表示装置
１６２ 圧力導入部
１６３ 配線引き出し部
１６５ 表示部
Ａ 第１の抵抗体形成領域
Ｂ 外周縁
Ｄ１，Ｄ２ 深さ
Ｅ 高さ
Ｇ，Ｉ，Ｎ，Ｐ 厚さの薄いダイアフラム部分
Ｋ１〜Ｋ５，Ｗ１〜Ｗ１１ 幅
Ｌ１〜Ｌ４，Ｊ１，Ｊ２ 長さ
Ｍ１〜Ｍ２０ 厚さ
Ｐ 角 10, 40, 60, 70, 80, 90, 100, 130, 170, 180 Semiconductor pressure sensor 11, 41, 61, 71, 81, 101 Diaphragm 12 Support body 13, 14 First resistor 15, 16 Second Resistors 18, 72, 72-1, 72-2, 76, 103 protective film 21, 22, 23, 24 wiring pattern 25, 42 convex portion 25A surface 25B, 35B, 42B, 105B, 105B-1 side surface 26A, 26B, 27A, 27B, 33A, 47A, 73A, 73B, 74A, 74B, 114A, 117, 116A, 118A Opening 31 Semiconductor substrate 31A, 31C, 42A Upper surface 31B Lower surface 33, 37, 45, 47, 78, 114, 118 Resist film 35, 49, 105 Recess 35A, 105A, 105A-1 Bottom face 82, 85 Through part 10 , 102-1, 102-2, 131, 131-1 and 131-2 Thermal oxide film 105C Boundary part 111, 112, 116 SiN film 150 Semiconductor pressure sensor device 151 Housing 152, 154 Wiring 153 Pressure digitization processing device 156 158 Wire 161 Display device 162 Pressure introducing portion 163 Wiring drawing portion 165 Display portion A First resistor formation region B Outer peripheral edge D1, D2 Depth E Height G, I, N, P Thin diaphragm portion K1 ~ K5, W1-W11 Width L1-L4, J1, J2 Length M1-M20 Thickness P Angle

Claims (9)

半導体基板に設けられた凹部と、
前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、
前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、
前記ダイアフラムの略中央に設けられた第１の抵抗体と、
前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサであって、
前記凹部の底面と前記凹部の側面との境界に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体に熱酸化膜を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 A recess provided in the semiconductor substrate;
A diaphragm provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to the bottom surface of the recess;
A support that is provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to a side surface of the recess and supports the diaphragm;
A first resistor provided substantially in the center of the diaphragm;
A second resistor provided on the peripheral edge of the diaphragm,
A semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors;
A semiconductor pressure sensor, wherein a thermal oxide film is provided on the diaphragm and the support at a portion corresponding to a boundary between a bottom surface of the recess and a side surface of the recess. 半導体基板に設けられた凹部と、
前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、
前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、
前記ダイアフラムの略中央に設けられた第１の抵抗体と、
前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサであって、
前記凹部の底面及び前記凹部の側面に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体を覆うように熱酸化膜を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 A recess provided in the semiconductor substrate;
A diaphragm provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to the bottom surface of the recess;
A support that is provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to a side surface of the recess and supports the diaphragm;
A first resistor provided substantially in the center of the diaphragm;
A second resistor provided on the peripheral edge of the diaphragm,
A semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors;
A semiconductor pressure sensor comprising a thermal oxide film so as to cover the diaphragm and the support at portions corresponding to the bottom surface of the recess and the side surface of the recess. 前記第１の抵抗体の形成領域以外の領域に対応する部分の前記ダイアフラムの厚さを、前記第１の抵抗体の形成領域に対応する部分の前記ダイアフラムの厚さよりも薄くしたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体圧力センサ。   The thickness of the diaphragm corresponding to the region other than the region where the first resistor is formed is made thinner than the thickness of the diaphragm corresponding to the region where the first resistor is formed. The semiconductor pressure sensor according to claim 1 or 2. 半導体基板に設けられた凹部と、
前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、
前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、
第１の抵抗体と、
前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサであって、
前記第１の抵抗体を前記支持体に設けると共に、前記凹部の底面と前記凹部の側面との境界に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体に熱酸化膜を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 A recess provided in the semiconductor substrate;
A diaphragm provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to the bottom surface of the recess;
A support that is provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to a side surface of the recess and supports the diaphragm;
A first resistor;
A second resistor provided on the peripheral edge of the diaphragm,
A semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors;
The first resistor is provided on the support, and a thermal oxide film is provided on the diaphragm and the support in a portion corresponding to a boundary between a bottom surface of the recess and a side surface of the recess. Pressure sensor. 半導体基板に設けられた凹部と、
前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、
前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、
第１の抵抗体と、
前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサであって、
前記第１の抵抗体を前記支持体に設けると共に、前記凹部の底面及び側面に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体を覆うように熱酸化膜を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 A recess provided in the semiconductor substrate;
A diaphragm provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to the bottom surface of the recess;
A support that is provided on a portion of the semiconductor substrate corresponding to a side surface of the recess and supports the diaphragm;
A first resistor;
A second resistor provided on the peripheral edge of the diaphragm,
A semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors;
A semiconductor pressure sensor characterized in that the first resistor is provided on the support, and a thermal oxide film is provided so as to cover the diaphragm and the support at portions corresponding to the bottom and side surfaces of the recess. 前記第１の抵抗体の形成領域以外の領域に対応する部分の前記ダイアフラムの厚さを、前記第１の抵抗体の形成領域に対応する部分の前記ダイアフラムの厚さよりも薄くしたことを特徴とする請求項４または５記載の半導体圧力センサ。   The thickness of the diaphragm corresponding to the region other than the region where the first resistor is formed is made thinner than the thickness of the diaphragm corresponding to the region where the first resistor is formed. The semiconductor pressure sensor according to claim 4 or 5. 半導体基板に設けられた凹部と、前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、前記ダイアフラムの略中央に設けられた第１の抵抗体と、前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサの製造方法であって、
前記半導体基板に前記凹部を形成して、前記ダイアフラム及び前記支持体を形成するダイアフラム及び支持体形成工程と、
前記凹部の側面及び底面に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に、前記凹部の側面と前記凹部の底面との境界に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部形成工程後に、熱酸化法により前記開口部に露出された部分の前記ダイアフラム及び前記支持体に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 A recess provided in the semiconductor substrate; a diaphragm provided in the semiconductor substrate at a portion corresponding to a bottom surface of the recess; and a support provided in the semiconductor substrate at a portion corresponding to a side surface of the recess and supporting the diaphragm. A body, a first resistor provided at substantially the center of the diaphragm, and a second resistor provided at a peripheral edge of the diaphragm,
A method of manufacturing a semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors,
Forming the recess in the semiconductor substrate, forming the diaphragm and the support, and a diaphragm and support forming step;
An insulating film forming step of forming an insulating film so as to cover the diaphragm and the support in a portion corresponding to a side surface and a bottom surface of the concave portion;
Forming an opening in the insulating film to expose the diaphragm and the support at a portion corresponding to a boundary between a side surface of the recess and a bottom surface of the recess;
A semiconductor pressure sensor comprising: a thermal oxide film forming step of forming a thermal oxide film on the diaphragm and the support at a portion exposed to the opening by a thermal oxidation method after the opening forming step. Manufacturing method. 半導体基板に設けられた凹部と、前記凹部の底面に対応する部分の前記半導体基板に設けられたダイアフラムと、前記凹部の側面に対応する部分の前記半導体基板に設けられ、前記ダイアフラムを支持する支持体と、前記ダイアフラムの略中央に設けられた第１の抵抗体と、前記ダイアフラムの周縁部に設けられた第２の抵抗体と、を備え、
前記第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、前記ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサの製造方法であって、
前記半導体基板に前記凹部を形成して、前記ダイアフラム及び前記支持体を形成するダイアフラム及び支持体形成工程と、
熱酸化法により、前記凹部の側面及び底面に対応する部分の前記ダイアフラム及び前記支持体を覆うように熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 A recess provided in the semiconductor substrate; a diaphragm provided in the semiconductor substrate at a portion corresponding to a bottom surface of the recess; and a support provided in the semiconductor substrate at a portion corresponding to a side surface of the recess and supporting the diaphragm. A body, a first resistor provided at substantially the center of the diaphragm, and a second resistor provided at a peripheral edge of the diaphragm,
A method of manufacturing a semiconductor pressure sensor for detecting a pressure applied to the diaphragm based on a difference between resistance values of the first and second resistors,
Forming the recess in the semiconductor substrate, forming the diaphragm and the support, and a diaphragm and support forming step;
A thermal oxide film forming step of forming a thermal oxide film so as to cover the diaphragm and the support at portions corresponding to the side and bottom surfaces of the concave portion by a thermal oxidation method. Production method. 請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の半導体圧力センサと、
前記半導体圧力センサが検出する圧力検出信号に基づき、前記ダイアフラムに印加された前記圧力を数値化する圧力数値化処理装置と、を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ装置。 A semiconductor pressure sensor according to any one of claims 1 to 6,
A semiconductor pressure sensor device comprising: a pressure digitization processing device that digitizes the pressure applied to the diaphragm based on a pressure detection signal detected by the semiconductor pressure sensor.
JP2006292917A 2006-10-27 2006-10-27 Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device Pending JP2008107303A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006292917A JP2008107303A (en) 2006-10-27 2006-10-27 Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006292917A JP2008107303A (en) 2006-10-27 2006-10-27 Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008107303A true JP2008107303A (en) 2008-05-08

Family

ID=39440757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006292917A Pending JP2008107303A (en) 2006-10-27 2006-10-27 Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008107303A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018037753A1 (en) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社デンソー Pressure sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018037753A1 (en) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社デンソー Pressure sensor
JP2018031692A (en) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社デンソー Pressure sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7555956B2 (en) Micromechanical device having two sensor patterns
TWI423450B (en) Semiconductor sensor and method for manufacturing the same
US7647832B2 (en) Micromechanical device and method for producing a micromechanical device
JP2008107302A (en) Semiconductor pressure sensor and semiconductor pressure sensor device
JP4168497B2 (en) Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor
JPWO2009041463A1 (en) Semiconductor pressure sensor
JP2008107303A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method, and semiconductor pressure sensor device
JPH11135804A (en) Semiconductor accelerometer and its manufacture
JP2010071799A (en) Acceleration sensor and method of manufacturing acceleration sensor
JP4967907B2 (en) Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof
JPH07306107A (en) Capacitance-type differential-pressure measuring pressure sensor and manufacture thereof
JP2006003100A (en) Piezoresistance type pressure sensor
JP2001044449A (en) Force detection sensor and manufacture of force detection sensor
JP2001304995A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method
JPH0727643A (en) Piezo resistance type semiconductor pressure sensor
JP6657049B2 (en) Pressure sensor
JP2002340714A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method
JP2007292559A (en) Method for manufacturing semiconductor pressure sensor
JPH10284737A (en) Manufacture of capacitive semiconductor sensor
JP4721497B2 (en) Silicon wafer processing method and semiconductor strain sensor manufacturing method
JPH1038726A (en) Semiconductor differential pressure detector
KR100655888B1 (en) Method for Manufacturing Humidity Sensor by using Porous Silicon Layer and Sensor Manufactured by it
JP2005061840A (en) Acceleration sensor and method for manufacturing the same
JP2002323395A (en) Capacitance-type sensor
JP2001013025A (en) Capacitance-type pressure sensor