JP2008060361A - 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体ウェハ加工用粘着シートを介して支持板と半導体ウェハとを貼り合わせた際に、両者の間に生じる隙間を塞いで、半導体ウェハの薄型加工を行う際に隙間から水等が浸入するのを抑制し、半導体ウェハの破損を防止可能な半導体ウェハの加工方法及び半導体ウェハ加工用粘着シートを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して前記半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた際に、該支持板の端部に於ける半導体ウェハ加工用粘着シートとの間に生じる隙間に端部層を形成することを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は各種半導体装置の製造工程における半導体ウェハ裏面の研削工程において、半導体ウェハのパターン形成面を保護するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法に関する。また、当該加工方法に用いる半導体ウェハ加工用粘着シートに関する。

半導体ウェハはＩＣカードや薄膜トランジスタ等の半導体集積回路の基板となるが、該半導体ウェハに対しては、デバイスの小型化・複雑化に伴い、該半導体ウェハの裏面に薄型加工をした後に、その裏面にスパッタリングや回路のパターンニングなど、加熱が必要なプロセスが行われる場合が多くなっている。この場合、薄型化された半導体ウェハは破損し易い状態にある。このため、半導体ウェハを薄型加工する前に両面粘着シートを介して貼り合せた支持板によって該半導体ウェハを補強し、半導体ウェハの表面保護と薄型加工や加熱処理による半導体ウェハの反りを抑制するプロセス（以下、Ｈ−ＷＳＳ（Ｈａｒｄ−Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｏｒｔ Ｓｙｓｔｅｍ）と言う。）が検討されている。

しかしながら、近年、半導体チップのデバイス形態は多様化している。また、デバイスの高性能化に伴い、シリコンやガリウム−ヒ素などの半導体ウェハ表面のパターン形成により凹凸差が大きくなっている。具体的には、バンプ高さが１０〜２００μｍ程度のバンプを備えたバンプウェハの検討が進められている。その生産方式によっては、バンプを設けた状態で半導体ウェハを薄型研削する場合もある。

表面の凹凸差が大きい半導体ウェハをＨ−ＷＳＳ方式にて薄型加工を行う場合、次の様な不都合がある。図７は、従来の両面粘着シートを用いて半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を示す断面模式図である。同図に示すように、半導体ウェハ１００１のパターン形成面には、バンプ１００２が設けられている。該半導体ウェハ１００１のパターン形成面上には、両面粘着シート１００３を介して支持板１００４が貼り合わされている。両面粘着シート１００３は、基材１００３ｂの両面にそれぞれ第１粘着層１００３ａと第２粘着層１００３ｃとが設けられた構成である。この様な構成であると、従来の両面粘着シート１００３は半導体ウェハ１００１表面の凹凸差を十分に吸収しきれない。このため、支持板１００４を貼り合せたときに、バンプ１００２が設けられていない外周部分では、両面粘着シート１００３と支持板１００４との間に、前記凹凸差に対応した分だけ隙間１００５が生じる。よって、この様な状態で裏面研削（バックグラインド）を行うと、隙間１００５から水等が浸入し、半導体ウェハ１００１が破損するという問題がある。

特開２００５−３０２９８２号公報

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハ加工用粘着シートを介して支持板と半導体ウェハとを貼り合わせた際に、該半導体ウェハ加工用粘着シートと支持板との間に生じる隙間を塞いで、半導体ウェハの薄型加工を行う際に該隙間から水等が浸入するのを抑制し、半導体ウェハの破損を防止することができる半導体ウェハの加工方法及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シートを提供することにある。

本願発明者は、上記従来の問題点を解決すべく、半導体ウェハの加工方法及び半導体ウェハ加工用粘着シートについて鋭意検討した。その結果、以下の方法または構成とすることにより、前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して前記半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた際に、該支持板の端部に於ける半導体ウェハ加工用粘着シートとの間に生じる隙間に端部層を形成することを特徴とする。

また、前記の課題を解決するために、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、かつ、前記半導体ウェハとして、パターン形成面のパターンが形成されていない所定領域に端部層が設けられたものを用意し、前記粘着シートの第１粘着層側に半導体ウェハを貼り合わせ、第２粘着層側に支持板を貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする。

半導体ウェハのパターン形成面には、例えばバンプ等が形成されているため、高低差の大きい凹凸が存在する。この様な半導体ウェハと支持板とを、半導体ウェハ加工用粘着シート（以下、単に「粘着シート）と称する。）を介して貼り合わせると、支持板の外周端部に於いて粘着シートとの間に隙間が生じる。半導体ウェハの端部にはバンプ等が形成されていない上に、粘着シートは半導体ウェハのパターン形成面が汚染されるのを防ぐという理由で該半導体ウェハに密着して形成されているからである。しかし、前記方法であると、バンプ等が形成されていない所定領域（例えば、半導体ウェハの外周端部）に端部層が設けられた半導体ウェハを用いるので、粘着シートと支持板との間の隙間を塞ぐことができる。即ち、半導体ウェハと支持板を、粘着シートを介して密着して貼り合わせることが可能になる。その結果、水等の異物の浸入を防止して異物浸入防止部としての機能を果たす。また、半導体ウェハを破損することなく薄型加工が可能となる。更に、粘着シートを介して半導体ウェハを支持板に固定しているため、薄型加工の際に半導体ウェハに反りが発生するのを抑制する。また、薄型加工やウェハキャリア等による搬送工程の際の取り扱いが容易となって、作業性を向上させることができる。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、かつ、前記支持板として、前記半導体ウェハに於けるパターン形成面のパターンが形成されていない領域に対応する領域に端部層が設けられたものを用意し、前記粘着シートの第１粘着層側に半導体ウェハを貼り合わせ、第２粘着層側に支持板を貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする。

前記支持板に於いて、半導体ウェハに於けるパターン形成面のパターンが形成されていない領域に対応する領域とは、例えば支持板の外周端部を意味する。前記方法では、かかる領域に端部層が設けられた支持板を使用するので、粘着シートと支持板との間に生じる隙間を塞いで、粘着シートと支持板との境界に異物が浸入するのを防ぎつつ半導体ウェハの薄型加工を行うことができる。これにより、前記の加工方法と同様に半導体ウェハの破損や反りを抑制しつつ薄型加工を行うことができる。また、半導体ウェハの取扱いや搬送工程も容易となって、良好な作業性を維持できる。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、前記半導体ウェハに於けるパターン形成面を接着面として、該支持板と半導体ウェハとを前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して貼り合わせる工程と、前記支持板と半導体ウェハ加工用粘着シートとの間に生じた隙間に充填材を充填して端部層を形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いて端部層は、支持板と粘着シートとの間に生じた隙間に充填材を充填することにより形成される。これにより、粘着シートと支持板との境界に異物が浸入するのを防ぎつつ半導体ウェハの薄型加工を行うので、前記の加工方法と同様に半導体ウェハの破損や反りを抑制しつつ半導体ウェハの加工が可能となる。また、予め端部層を半導体ウェハ等に設けておく場合と比べて、端部層が隙間に対し形状・サイズ等の点で不適合になることがない。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、前記第１粘着層及び第２粘着層の少なくとも一方に於いて、半導体ウェハに於けるパターン形成面のパターンが形成されていない領域に対応する領域に端部層を形成する工程と、前記半導体ウェハに於けるパターン形成面を接着面として、該支持板と半導体ウェハとを前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、粘着シートとして、第１粘着層及び／又は第２粘着層の接着面側に於ける所定領域、例えば外周端部に端部層が設けられているものを使用するので、粘着シートと支持板との境界に異物が浸入するのを防ぎつつ半導体ウェハの薄型加工を行うことができる。よって、前記の加工方法と同様に半導体ウェハの破損や反りを抑制しつつ半導体ウェハの加工が可能となる。

前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハ加工用粘着シートは、半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートであって、前記半導体ウェハ加工用粘着シートは、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられた構成であり、前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた場合に該支持板の端部に対応することになる、前記第１粘着層及び第２粘着層の少なくとも一方の接着面側に於ける所定領域に端部層が設けられていることを特徴とする。

前記構成であると、第１粘着層及び／又は第２粘着層の支持板の端部に相当する所定領域には端部層が設けられているので、粘着シートと支持板との境界に異物が浸入するのを防止することができる。その結果、例えばＨ−ＷＳＳ方式により薄型加工をした場合にも、半導体ウェハを破損させることなく、かつ半導体ウェハに反りが発生するのを抑制して加工することが可能な粘着シートを提供できる。

前記第１粘着層または第２粘着層に前記端部層が設けられている場合には、該端部層の高さは前記半導体ウェハのパターン形成面に於ける最も高い部分の高さと略同じであり、前記第１粘着層及び第２粘着層に前記端部層がそれぞれ設けられている場合には、第１粘着層に於ける端部層と第２粘着層に於ける端部層の高さの総和が前記半導体ウェハのパターン形成面に於ける最も高い部分の高さと略同じであることが好ましい。

前記構成とすることにより、粘着シートと支持板との間の隙間を端部層により確実に塞ぐことができる。さらに、粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた場合に、半導体ウェハのパターン形成面に於ける最も高い部分の高さと、端部層との高さ（第１粘着層及び第２粘着層にそれぞれ端部層を設ける場合には、それぞれの高さの総和）とが不均一となるのを防止できる。その結果、例えば半導体ウェハの裏面にバックグラインドをする際に、当該裏面に不均一に押圧力が加わるのを防止し、半導体ウェハの破損を予防することができる。尚、前記「略同じ」とは、例えば端部層がバンプ等と同じ材質の場合には、加工される半導体ウェハの最も高い部分に於ける目標厚みの±５％程度の範囲内を言う。

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べる効果を奏する。
即ち、本発明によれば、半導体ウェハの加工に於いて、粘着シートと支持板との境界に異物が浸入するのを防止し、半導体ウェハの反り抑制できるため歩留まりの向上が図れる。また、半導体ウェハの破損も防止できるため、取扱いや搬送工程も容易となって、作業性の向上が可能となる。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法について、図１を参照しながら説明する。図１は、半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は半導体ウェハ上に端部層を形成する工程を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせる工程を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハ１０１上に端部層１０５を形成する工程と、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程とを有する。尚、本実施の形態に於いては、予め端部層１０５を備えた半導体ウェハ１０１を用意してもよく、その意味では半導体ウェハ１０１上に端部層１０５を形成する工程は必須の構成要素ではない。

前記半導体ウェハ１０１上に端部層１０５を形成する工程（図１（ａ）参照）は、例えば半導体ウェハ１０１のパターン形成面側にバンプ（電極端子）１０２を形成する前、形成中、形成後の何れの段階でも行うことができる。但し、半導体チップの製造工程の簡略化の観点から、バンプ１０２の形成と同時に行ってもよい。バンプ１０２の形成は、電解メッキで形成するウェハバンプ、別基板に予めバンプを形成し、これを転写接合させる転写バンプ、フィルムテープのインナーリードの先端に形成させたメサバンプ、ワイヤボンダを用いてＡｕボールを形成させるボールバンプ等により行う。

端部層１０５の構成材料としては、その形成が容易で、かつ半導体ウェハ１０１の裏面研削の際に水浸入を防止できるものであれば特に限定されない。具体的には、例えば半田、金、または銅等の無機材料や、有機溶剤を溶媒として用いたアクリル系、ゴム系、またはシリコーン系の各種粘着剤などの非水溶性材料からなる有機材料が例示できる。

前記端部層１０５の高さは特に限定されるものではなく、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間に生じる隙間の大きさに応じて適宜設定すればよい。このとき、半導体ウェハ１０１のパターン形成面に設けられている凹凸の最も高い部分と端部層１０５の高さとがほぼ同一であることが好ましい。端部層１０５の高さが凹凸の最も高い部分よりも低すぎると、隙間を完全に埋めることができず、異物が浸入してしまう。その一方、端部層１０５の高さが凹凸の最も高い部分よりも高すぎると、薄型加工の際に半導体ウェハ１０１の裏面に不均一に押圧力が加わるので、該半導体ウェハ１０１の破損を招来する。端部層１０５の高さの制御は、前記有機材料を使用する場合には、非水溶性材料を塗布する際の塗布層の厚みを調節することにより可能である。また、無機材料を使用する場合は、研磨など機械的な加工方法等により高さ制御を行う。

端部層１０５の形成位置は、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせた場合に、支持板１０４の端部に対応する領域内であって、半導体ウェハ１０１に於いてバンプ等が形成されていない領域内である。即ち、該領域はパターン形成領域以外の領域である。よって、端部層１０５の形成のために、半導体ウェハ１０１の端部に前記領域を確保しておく必要がある。本実施の形態に係る端部層１０５は、半導体ウェハ１０１表面に於けるパターン形成領域１０７を除いた外周端部に円環状に設けられている（図２（ａ）参照）。但し、本発明はその様な場合に限定されるものではなく、例えば同図（ｂ）に示す複数の端部層１０５’を、円環状に配置した構成であってもよい。この場合、各端部層１０５’は等間隔に配置しても良く、或いは非等間隔に配置しても良い。端部層１０５’の形成は、例えば前記有機材料を用いる場合、非水溶性材料の塗布領域を不連続の円環状にすることにより可能である。尚、各端部層１０５’間の距離は、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間に隙間が生じない程度に設定する必要がある。

端部層１０５の平面形状は特に限定されるものではなく、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間に生じる隙間の形状に応じて適宜設定すればよい。

端部層１０５の形成は、前記有機材料を使用する場合には次の様にして行う。先ず、別基板に非水溶性材料を塗布して塗布層を形成し、これを乾燥させる。次に、乾燥後の塗布層を打ち抜き加工等によって所定の平面形状となる様に成形し、端部層１０５を形成する。最後に、端部層１０５を半導体ウェハ１０１のパターン形成面に転写する。また、無機材料を使用する場合には、研磨方法等が例示できる。

尚、前記半導体ウェハ１０１としては、例えばシリコン(Ｓｉ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはガリウム−ヒ素(Ｇａ−Ａｓ)等からなるウェハ表面（パターン形成面）に、所定の配線パターンやバンプ１０２等が形成されたものを使用する。パターン形成面に於ける凹凸の高低差は３〜２００μｍの範囲内である場合に、本実施の形態に係る加工方法は適用することができる。

前記半導体ウェハ１０１と支持板１０４との貼り合わせの工程は、例えば次の通りにして行う（図１（ｂ）参照）。先ず、両面粘着シートを半導体ウェハ１０１と同じ平面形状となる様に打ち抜いてラベル状にする。このラベル状の両面粘着シート１１０を離型支持シート上に支持されたものから剥がし、両面粘着シート１１０と半導体ウェハ１０１との位置合わせを行う。両面粘着シート１１０は、基材１１１の両側にそれぞれ第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３を設けた構成である。次いで、両面粘着シート１１０に於ける第１粘着層１１２が半導体ウェハ１０１のパターン形成面と対向する様にして、両者を貼り合わせる。このとき、半導体ウェハ１０１は、例えばテーブル表面の多孔質と負圧を利用したチャックテーブル上に載置して、該半導体ウェハ１０１を破損させることなく水平に保持して固定する。また、両面粘着シート１１０と半導体ウェハ１０１との貼り合わせは、両者が十分に密着する様に行う。後述の薄型加工の際に行われる、酸若しくはアルカリ等によるウェットエッチング又は半導体ウェハ１０１上へのパターン形成時に行われるレジスト除去工程において、エッチング液又はレジスト剥離液等が半導体ウェハ１０１と両面粘着シート１１０の間に浸入するのを防ぐためである。これにより、半導体ウェハ１０１のパターン形成面が汚染されるのを防止することができる。パターン形成面の汚染防止の観点からは、半導体ウェハ１０１を両面粘着シート１１０に埋め込む様にして貼り合わせるのが好ましい。

尚、貼り合わせの工程で用いる両面粘着シート１１０は、半導体ウェハ１０１と同じ平面形状に打ち抜かれたラベル状である必要はなく、所定幅のものが巻回されたシート状の形態のものを用いてもよい。その場合、両面粘着シート１１０は、半導体ウェハ１０１に貼付けた後に半導体ウェハ１０１の平面形状に適合する様にカットする。両面粘着シート１１０の詳細については後述する。

次に、両面粘着シート１１０に於ける第２粘着層１１３に剥離シートが設けられている場合にはこれを剥離し、第２粘着層１１３上に支持板１０４を貼り合わせて補強ウェハを作製する。尚、貼り合わせの際には、両面粘着シート１１０と支持板１０４との位置合わせを行う。補強ウェハは、両面粘着シート１１０を支持板１０４に貼り合わせた後、これを半導体ウェハ１０１表面に貼り合わせることにより作製することもできる。

前記支持板１０４としては、半導体ウェハ１０１を補強できる材料であれば特に制限なく使用できる。前記材料としては、半導体ウェハ１０１と同質の材料、または半導体ウェハ１０１よりも硬質の材料からなるものを使用するのが好ましい。具体的には、例えばシリコンウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ板、銅板、アクリル板等が例示できる。また支持板１０４の形状、大きさ等が、半導体ウェハ１０１裏面の薄型加工処理に適用できる範囲のものであれば、該支持板１０４としては特に制限されることなく使用できる。具体的には、半導体ウェハ１０１と同サイズの支持板１０４が好ましく用いられる。また、支持板１０４の厚さは、４００〜８００μｍの範囲内であることが好ましい。支持板１０４の厚さが前記範囲内であると一定の剛性を有しており、半導体ウェハ１０１の補強を十分に行うことができるからである。

尚、前記両面粘着シート１１０と半導体ウェハ１０１との位置合わせ、および半導体ウェハ１０１と支持板１０４との位置合わせは、例えばＣＣＤカメラ等による画像認識手段を用いて行うことができる。当該手段により両面粘着シート１１０の正確な位置を認識し、その位置情報と予め定めて於いた基準座標とを比較した結果、位置ズレが検出された場合には、その位置ズレを補正して位置合わせを行うことができる。

前記半導体ウェハ１０１の裏面の薄型加工をする工程は、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）またはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を行う工程である。薄型加工は、半導体ウェハ１０１が所望の厚さになるまで行われる。また、薄型加工に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。図１（ｃ）では、半導体ウェハ１０１の裏面の研削工程を行う場合を図示している。同図に示すように、研削工程では半導体ウェハ１０１の位置を上下反転して支持板１０４をチャッキングし、半導体ウェハ１０１の裏面を、研削機１１４を用いて研削する。

従来の粘着シートであると、支持板１０４と貼り合わせた際に、該支持板１０４の端部に於いて粘着シートとの間に隙間が生じる。しかし本発明に於いては、端部層１０５が設けられていることから、その様な隙間が生じることがない。この為、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間に水等が浸入するのを防止できる。更に、半導体ウェハ１０１を破損することなく行うことができる。また、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１を支持板に固定しているので、薄型加工の際に半導体ウェハ１０１に反りが発生するのも抑制できる。

尚、薄型加工された半導体ウェハ１０１は、該半導体ウェハ１０１に固定された支持板１０４と分離される。即ち、半導体ウェハ１０１の位置を上下反転して、支持板１０４側を上面にした姿勢で固定機構に保持される。固定機構としては、特に制限されないが、例えば真空または静電気等により吸着固定するチャックテーブルが用いられる。

ここで、第２粘着層１１３が後述するエネルギー線硬化型粘着剤または加熱剥離型粘着剤等を含み構成される場合には、第２粘着層１１３に紫外線の照射または加熱処理等を施して、第２粘着層１１３の支持板１０４に対する粘着力を容易に剥離可能な程度にまで低下させる。さらに、半導体ウェハ１０１からも両面粘着シート１１０を剥離し、該半導体ウェハ１０１の裏面にダイシングテープを貼り合わせてダイシング工程が行われる。このダイシング工程により、半導体ウェハ１０１はチップ状に分割される。但し、半導体ウェハ１０１を薄型加工した後、該半導体ウェハ１０１の裏面にダイシングテープを貼り合わせ、その後両面粘着シート１１０を剥離するマウント剥離を行ってもよい。この方式であると、半導体ウェハ１０１が薄く研削されてから半導体チップにダイシングされるまで、半導体ウェハ１０１のパターン形成面が空気中に曝されることがない。即ち、常に何らかのシートでパターン形成面が保護されていることになる。よって、強度のない極薄の半導体ウェハでも、例えば搬送中に破損するのを防止できる。

以上から本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法によれば、薄型加工の際に水浸入を抑制し、半導体ウェハ１０１の破損を防止することができる。更に、半導体ウェハ１０１の取扱いが容易になり、ウェハキャリアによる処理も可能になる。

次に、本実施の形態に於いて使用する両面粘着シート１１０について説明する。両面粘着シート１１０は、前述の通り基材１１１と、該基材１１１の両面にそれぞれ設けられた第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３とを有する構成である。

前記基材１１１は、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３等の支持母体となる。基材１１１を構成する材料としては、従来、両面粘着シートの基材として使用されているものを特に制限なく使用することができる。具体的には、プラスチックのフィルムやシートが一般に用いられるが、その他の材料としては紙、布、不織布、金属箔、それらのプラスチックラミネート体、またはプラスチック同士の積層体などの適宜な薄葉体を用い得る。

基材１１１の厚さは特に限定されるものではないが、５００μｍ以下であることが好ましく、１〜３００μｍの範囲内であることがより好ましく、５〜２５０μｍの範囲内であることが特に好ましい。

前記第１粘着層１１２は、半導体ウェハ１０１を固定する層である。第２粘着層１１３は支持板１０４を固定する層である。第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３を構成する粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が例示できる。これらの粘着剤のうち、エネルギー線硬化型粘着剤、または加熱剥離型粘着剤を用いるのが特に好ましい。これらの粘着剤を第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３に使用すると、半導体ウェハ１０１を破損せずに容易に剥離できる。これらの粘着剤は、本来的に粘着力が弱く、或いは粘着力を低下させる機能を有しているからである。尚、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３は同種の組成からなるものでもよく、異種の組成からなるものでもよい。

エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えばアクリル系やゴム系の樹脂等からなるものが挙げられる。エネルギー線としては、通常、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）など所定のエネルギー量を有する電磁波が利用される。紫外線等のエネルギー線は、硬化の程度及び剪断弾性率の調整が容易となる。また、可視光に対して硬化性を示す硬化型樹脂を用いる場合には、可視光が利用される。

加熱剥離型粘着剤としては、例えばアクリル系、イソプレン若しくはイソブチレン等のゴム系、またはシリコーン系の樹脂等からなるものが挙げられる。加熱温度は樹脂の種類によって異なるが、通常８０〜２００℃程度が好適である。

ここで、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３の双方に熱剥離型粘着剤を用いる場合には、第１粘着層１１２に使用する熱剥離型粘着剤として、第２粘着層１１３に使用する熱剥離型粘着剤よりも低温で熱剥離するものを用いるのが好ましい。第１粘着層１１２は、第２粘着層１１３よりも先に剥離させるからである。但し、第２粘着層１１３を第１粘着層１１２よりも先に剥離する場合には、第１粘着層１１２に使用する熱剥離型粘着剤は、第２粘着層１１３に使用する熱剥離型粘着剤よりも高温で熱剥離するものであることが好ましい。

第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３を形成するベースポリマーとしては、剪断弾性率の調整の容易さ等の観点から、アクリル系ポリマーを用いるのが好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどのアルキル基の炭素数が４〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。これらのアルキルエステルの中から、その１種または２種以上が用いられる。

前記アクリル系ポリマーは、接着性やせん断弾性率などの改質を目的として、必要に応じ、前記モノマーと共重合可能な他のモノマーを併用しても良い。

前記他のモノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、またはイソプロピル（メタ）アクリレートなどの炭素数１〜３のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、またはステアリル（メタ）アクリレートなどの炭素数１３〜１８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有モノマー；アミノエチル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能性モノマー；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートなどの多官能性モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリロイルモルホリン、シクロへキシルマレイミド、イソプロピルマレイミドなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用することができる。また、他のモノマー成分の使用量は、適宜調整することができるが、全モノマー成分の３０重量％未満であることが好ましい。

本発明に使用されるアクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合法、乳化重合法、塊状重合法、懸濁重合法、またはＵＶ重合法等の適宜な方式を適用して行うことができる。

重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系のものが挙げられる。重合開始剤は、単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤である。具体的には、例えば２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、前記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。

反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでは溶液重合法が好ましい。また、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては、一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。更に、溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。

第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３に用いるベースポリマーの数平均分子量は特に限定されるものではないが、１万〜２００万の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が１万未満であると、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３は高温状態で軟化しやすくなり、シート形状の保持が困難になる場合がある。その一方、数平均分子量が２００万を超えると、パターン形成面に於ける凹凸に対して追従性（密着性）が低下する傾向にある。

第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３に用いるベースポリマーには、上述の範囲でゲル分を含ませることができ、そのために架橋剤を添加することができる。該架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤等の周知のものが挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３の特性を考慮して適宜決定される。一般的には、ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度を配合するのが好ましい。また、紫外線、電子線などの放射線照射により架橋を起こし、ゲル分を持たせることもできる。

第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３を構成するベースポリマーは架橋構造を有していてもよい。このようなベースポリマーは、力ルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基などの官能基を有するモノマー（例えばアクリル系モノマー）を含むモノマー混合物を架橋剤の存在下で重合させることにより得られる。架橋構造を有するポリマーを第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３が含み構成される場合、両面粘着シート１１０の自己保持性は向上する。この為、両面粘着シート１１０の変形を防止でき、シートの平板状態を維持できる。よって、自動貼り付け装置などを用いて、両面粘着シート１１０を半導体ウェハ１０１に正確にかつ簡易に貼り付けることができる。

第１粘着層１１２の層厚は、半導体ウェハ１０１表面の凹凸の高さや、半導体ウェハ１０１に対する保持性・保護性を損なわず、また半導体ウェハ１０１から容易に剥離できる程度であれば特に限定されない。具体的には、５〜２００μｍ程度が好ましく、１０〜１００μｍ程度がより好ましい。層厚が５μｍ未満であると、半導体ウェハ１０１の表面の凹凸への追従性（密着性）が不十分となり、薄型加工等の際に半導体ウェハ１０１を確実に固定することができない。その結果、半導体ウェハ１０１と両面粘着シート１１０との間に水等の異物の浸入、チップ欠け、チップ飛び等が発生したり、半導体ウェハ１０１が破損する場合がある。その一方、層厚が２００μｍを超えると、剥離性が不十分となり剥離の際に半導体ウェハ１０１が破損する場合がある。

また、第２粘着層１１３の層厚は、支持板１０４から容易に剥離できる程度であれば特に限定されない。接着性と剥離性を両立させるという観点から、層厚は５μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。層厚が５μｍ未満であると、支持板１０４表面の凹凸への追従性が不十分となり、薄型加工等の際に確実に支持板１０４を固定することができない。その一方、層厚が２００μｍを超えると、剥離性が不十分となり剥離の際に支持板１０４を破損するという不都合がある。

（実施の形態２）
本実施の形態２に係る半導体ウェハの加工方法は、前記実施の形態１と比較して、半導体ウェハに端部層を形成する工程に代えて、支持板に端部層を形成する工程を有する点が異なる。尚、前記実施の形態１に於ける両面粘着シート等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は支持板上に端部層を形成する工程を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせる工程を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、支持板１０４の所定領域に端部層１０５を形成する工程と、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程とを有する。尚、本実施の形態に於いては、予め端部層１０５を備えた支持板１０４を用意してもよく、その意味では支持板１０４上に端部層１０５を形成する工程は必須の構成要素ではない。

支持板１０４に端部層１０５を形成する工程は、基本的には前記実施の形態１に於いて半導体ウェハ１０１上に形成する場合と同様にして行う。端部層１０５の形成位置は、前記実施の形態１に於いて述べたのと同様、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせた場合に、支持板１０４の外周端部に対応する領域である。

前記両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせる工程は、次の通りに行う。先ず、両面粘着シート１１０と半導体ウェハ１０１との位置合わせを行って両者を貼り合わせる。このとき、第１粘着層１１２と、半導体ウェハ１０１に於けるパターン形成面とが対向する様にして貼り合わせる。次に、半導体ウェハ１０１が貼り合わされた両面粘着シート１１０と、支持板１０４との位置合わせを行い、両者を貼り合わせる。このとき、両面粘着シート１１０の第２粘着層１１３と、支持板１０４に於ける端部層１０５が設けられた面とが対向する様にして貼り合わせる。

前記半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程は、前記実施の形態１に於いて述べたのと同様の方法により行うことができる。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法であると、支持板１０４に端部層１０５を形成してから両面粘着シート１１０と貼り合わせるので、支持板１０４に於ける外周端部に於いて両面粘着シート１１０との間に隙間が生じることがない。よって、本実施の形態に係る半導体ウェハ１０１の加工方法であると、半導体ウェハ１０１の破損や反りを抑制しつつ薄型加工を行うことができる。また、半導体ウェハ１０１の取扱いや搬送工程も容易となって、良好な作業性を維持できる。

（実施の形態３）
本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、前記実施の形態１と比較して、半導体ウェハに端部層を形成する工程に代えて、両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板を貼り合わせた場合に、両面粘着シートと支持板との間の隙間に充填材を充填する工程を有する点が異なる。尚、前記実施の形態１に於ける両面粘着シート等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法について、図４を参照しながら説明する。図４は、半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートと支持板との間の隙間に充填材を充填する様子を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせる工程と、支持板１０４と両面粘着シート１１０との間に生じた隙間に充填材を充填して端部層３０２を形成する工程と、半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程とを有する。

半導体ウェハ１０１と支持板１０４とを貼り合わせる工程は、前記実施の形態１で述べたのと同様の方法で行う。しかしながら、本実施の形態に於いては、予め半導体ウェハ１０１や支持板１０４に端部層を設けていないので、図４（ａ）に示すように、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間には隙間３０１が外周端部に生じる。これは、バンプ１０２が半導体ウェハ１０１のパターン形成面に於ける外周端部には設けられていないことに起因する。

隙間３０１に充填材を充填して端部層３０２を形成する工程は、該隙間３０１を埋める為に行う。充填材の注入は、隙間３０１の形状に束縛されることなく端部層３０２を形成できる方法であり、予め端部層を形成しておく場合と比較してその形状適合性が高い。充填材の充填方法としては、隙間３０１に充填材を十分に充填できるのであれば特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。具体的には、ディスペンサ等が例示できる。ディスペンサは充填量の制御が可能な為、隙間３０１が小さくても、即ち充填領域が狭くても十分に対応できる。充填材としては、例えば硬化前は液体形状の常温硬化性の接着剤や、シリコーンパッキンのような定型緩衝剤等が例示できる。常温硬化性の接着剤を用いた場合、充填後に所定条件下で充填材を硬化させる必要がある。前記常温硬化性の接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられる。また、シリコーンパッキンはシリコーン樹脂からなるが、該シリコーン樹脂は撥水性を有し、かつそれ自身吸湿性を有しない。この為、シリコーンパッキンを用いれば防水効果が一層向上する。尚、充填材の注入量は、隙間３０１の大きさに応じて適宜設定すればよい。

半導体ウェハ１０１の裏面の薄型加工をする工程は、前記実施の形態１と同様にして行うことができる。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法であると、半導体ウェハ１０１や支持板１０４に予め端部層を形成する場合と比較して、端部層が隙間に対し形状またはサイズ等の点で不適合になることがない。よって、本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法であると、防水効果に優れる。

（実施の形態４）
本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、前記実施の形態１と比較して、半導体ウェハに端部層を形成する工程に代えて、両面粘着シートに端部層を形成する工程を有する点が異なる。尚、前記実施の形態１に於ける両面粘着シート等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は両面粘着シートに端部層を形成する状態を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。

本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法は、両面粘着シート１１０に端部層４０１を形成する工程と、両面粘着シート１１０を介して支持板１０４と半導体ウェハ１０１とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程とを有する。

端部層４０１の形成は、例えば両面粘着シート１１０に於ける第１粘着層１１２の外周端部に対して行われる（図５（ａ）参照）。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図６（ａ）に示すように第２粘着層１１３に於ける外周端部に端部層４０２を形成しても良い。また、同図６（ｂ）に示すように、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３の両側に各々端部層４０３・４０４を形成しても良い。前記端部層４０１・４０２の高さは特に限定されるものではなく、両面粘着シート１１０と支持板１０４との間に生じる隙間の大きさに応じて適宜設定すればよい。このとき、半導体ウェハ１０１のパターン形成面に設けられている凹凸の最も高い部分と端部層４０１・４０２の高さとが同一であることが好ましい。また、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３の両側に各々端部層４０３・４０４を形成する場合は、端部層４０３及び端部層４０４の高さの総和が、前記凹凸の最も高い部分と同一であることが好ましい。これにより、隙間を完全に埋めることができずに異物の浸入を招来したり、薄型加工の際に半導体ウェハ１０１の裏面に不均一に押圧力が加わり該半導体ウェハ１０１を破損したりするのを防止することができる。尚、端部層４０１〜４０４の構成材料及び形成方法は、前記実施の形態１に於いて説明したのと同様の材料を用いることができる。

次に、図５（ｂ）に示すように、両面粘着シート１１０を介して半導体ウェハ１０１及び支持板１０４を貼り合わせる工程を行う。本工程は、前記実施の形態１に於いて説明したのと同様に行うことができる。

続いて、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０１の裏面を薄型加工する工程も、前記実施の形態１に於いて説明したのと同様に行うことができる。

以上の様に、本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法であると、両面粘着シートに於ける第１粘着層及び／又は第２粘着層の外周端部に端部層を形成してから半導体ウェハ及び支持板を貼り合わせるので、支持板に於ける外周端部に於いて両面粘着シートとの間に隙間が生じることがない。よって、本実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法であると、半導体ウェハの破損や反りを抑制しつつ薄型加工を行うことができる。また、半導体ウェハの取扱いや搬送工程も容易となって、良好な作業性を維持できる。

（その他の事項）
以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。

即ち、前記実施の形態４に於いては、両面粘着シートに端部層を設ける工程を含む半導体ウェハの加工方法について述べたが、予め該端部層を構成要素の一部として備えた両面粘着シートを用いて、半導体ウェハの加工を行ってもよい。即ち、前記実施の形態４に於いて述べたのと同様の方法により第１粘着層及び／又は第２粘着層に端部層を形成して両面粘着シートを作製し、この端部層を備えた両面粘着シートを用いて、支持板と半導体ウェハを貼り合わせる工程と、半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを行う。かかる態様の両面粘着シートを用いて半導体ウェハの加工を行った場合にも、前記実施の形態４と同様の効果を奏することができる。

更に、第１粘着層または第２粘着層に端部層を設ける場合、前記実施の形態４に於いて述べたのと同様に、半導体ウェハのパターン形成面に設けられている凹凸の最も高い部分と端部層の高さとがほぼ同一であることが好ましい。また、第１粘着層１１２及び第２粘着層１１３の両側に各々端部層を形成する場合は、第１粘着層及び第２粘着層に各々設けられた端部層の高さの総和が、前記凹凸の最も高い部分とほぼ同一であることが好ましい。

また、本発明に係る両面粘着シートは前記各実施の形態等に於いて説明した態様に限定されるものではなく、例えば基材１１１と第２粘着層１１３との間に中間層を設けたものも好ましく用いることができる。これにより、半導体ウェハのパターン形成面が高低差の大きい凹凸を有する場合であっても、該凹凸を両面粘着シートに埋め込むことができ十分に密着可能となる。ここで、前記中間層としては硬化前の弾性率が３０〜１０００ｋＰａの範囲内であることが好ましく、５０〜７００ｋＰａの範囲内であることがより好ましい。かつ、中間層のゲル分率は２０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。尚、前記「弾性率」とは、動的粘弾性測定装置『レオメトリックスＡＲＥＳ』（レオメトリック社製）で測定された２５℃での弾性率Ｇである。また、「ゲル分」とは、中間層をトルエン、酢酸エチル混合溶剤（１：１）中に２５℃で７日間浸漬させたときに溶解しないものの割合である。

中間層の層厚は、研削後に必要な半導体ウェハの厚さや、半導体ウェハの保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できる。具体的には、例えば４００μｍ以下であることが好ましく、２０〜４００μｍの範囲内であることがより好ましく、３０〜２００μｍの範囲内であることが特に好ましい。

中間層の材料としては特に限定されるものではないが、第２粘着層１１３との接着性（投錨性）が良好であり、また弾性率の調整が容易な点からエネルギー線の照射で硬化が可能な２重結合導入アクリルポリマーが好ましい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、以下において部とあるのは、重量部を意味するものとする。

（両面粘着シートの作製）
先ず、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル（重合比＝７８／１００／４０）共重合体（数平均分子量３０万）１００部に、４３部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。得られたポリマー１００部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤０．５部、アセトフェノン系光重合開始剤３部を配合し中間層組成物を調製した。この中間層組成物を厚さ１００μｍのポリエステルフィルム（基材）上に塗布し乾燥させた。これにより、厚さが１００μｍの中間層を形成した。この中間層の２５℃に於ける弾性率について動的粘弾性測定装置（レオメトリックスＡＲＥＳ、レオメトリック社製）を用いて測定したところ、５００ｋＰａであった。また中間層のゲル分についても測定したところ、５重量％であった。

次に、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸エチル及びメチルメタクリレートからなる共重合体系感圧接着剤１００部にポリウレタン系架橋剤２重量部を配合し、粘着剤を調製した。この粘着剤をセパレータ上に塗布し乾燥して、厚さ３０μｍのエネルギー線硬化型粘着層（第１粘着層）を形成した。続いて、このエネルギー線硬化型粘着層をポリエステルフィルム上に形成した中間層に貼り合わせた。

続いて、アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸エチル／メチルメタクリレート（重合比＝３０／７０／５）の共重合体からなる感圧接着剤１００部に、ポリウレタン系架橋剤１部を配合してなるトルエン溶液を、エネルギー線硬化型粘着層が形成されている側とは反対側の面に塗布して乾燥した。これにより、乾燥後の厚さが２０μｍのゴム状有機弾性層を形成した。

更に、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸エチル及びメチルメタクリレートからなる共重合体系感圧接着剤１００部にポリウレタン系架橋剤２重量部を配合し、更に熱膨張性微小球Ｆ−５０Ｄ（商品名；マツモトマイクロスフィア、マツモト油脂（株）製）を３０部配合してなるトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液をセパレータ上に塗布し乾燥して、厚さ３０μｍの熱剥離型粘着層（第２粘着層）を形成した。これにより、両面粘着シートを得た。

（実施例１）
表面に高さ１００μｍのバンプが設けられた半導体ウェハのパターン形成面に、前記両面粘着シートの中間層を介して設けられたエネルギー線硬化型粘着層側を貼り合せた。次いで、熱剥離型粘着層側には、ガラス製の支持ウェハ（支持板）を貼り合せた。その後、支持板と両面粘着シートとの間に生じた隙間に、ディスペンサーを用いてエポキシ系常温硬化系接着剤を充填した。これにより、本実施例１に係る補強ウェハＡを得た。

（実施例２）
先ず、ガラス製の支持ウェハの外周端部に端部層組成物を塗布し乾燥させて、高さ１００μｍの端部層を設けた。次に、表面に高さ１００μｍのバンプが設けられた半導体ウェハのパターン形成面に、前記エネルギー線硬化型粘着層側を接着面として両面粘着シートを貼り合せた。さらに、熱剥離型粘着層側を接着面として支持ウェハに両面粘着シートを貼り合わせた。これにより、本実施例２に係る補強ウェハＢを得た。

（比較例１）
表面に高さ１００μｍのバンプが設けられた半導体ウェハのパターン形成面に、前記エネルギー線硬化型粘着層側を接着面として両面粘着シートを貼り合せた。さらに、熱剥離型粘着層側を接着面として支持ウェハに両面粘着シートを貼り合わせた。これにより、比較例１に係る補強ウェハＣを得た。

（実施例３）
本実施例３に於いては、前記実施例２に於いて使用した高さ１００μｍの端部層に代えて、高さ２０μｍの端部層を用いた以外は実施例２と同様にして、本実施例３に係る補強ウェハＤを得た。

（実施例４）
先ず、半導体ウェハの外周端部に端部層組成物を塗布し乾燥させて、高さ１００μｍの端部層を設けた。次に、表面に高さ１００μｍのバンプが設けられた半導体ウェハのパターン形成面に、前記エネルギー線硬化型粘着層側を接着面として両面粘着シートを貼り合せた。さらに、熱剥離型粘着層側を接着面として支持ウェハに両面粘着シートを貼り合わせた。これにより、本実施例４に係る補強ウェハＥを得た。

（実施例５）
先ず、前記両面粘着シートに於けるエネルギー線硬化型粘着層の外周端部に端部層組成物を塗布し乾燥させて、高さ１００μｍの端部層を設けた。次に、表面に高さ１００μｍのバンプが設けられた半導体ウェハのパターン形成面に、前記エネルギー線硬化型粘着層側を接着面として両面粘着シートを貼り合せた。さらに、熱剥離型粘着層側を接着面として支持ウェハに両面粘着シートを貼り合わせた。これにより、本実施例５に係る補強ウェハＦを得た。

（評価）
前記各補強ウェハについて各々１０枚ずつ作製し、各補強ウェハＡ〜Ｆの裏面を研削した。研削は、ディスコ（株）製シリコンウェハ研削機を用いて行い、それぞれ厚さが５０μｍになるまで行った。そしてこのときに、両面粘着シートと支持ウェハとの間への水の浸入、及び半導体ウェハ割れを評価した。水浸入及び半導体ウェハの割れの有無は目視により確認し、１０枚中何枚の補強ウェハに水浸入及び半導体ウェハ割れが発生したかをカウントした。結果を下記表１に示す。

本発明の一実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は半導体ウェハ上に端部層を形成する工程を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせる工程を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。 前記粘着シートに係る第１粘着層側から粘着シートを視認した場合の平面図であって、同図（ａ）は端部層が円環状に設けられている場合を示し、同図（ｂ）は端部層が不連続の円環状に設けられている場合を示す。 本発明の他の実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は支持板上に端部層を形成する工程を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせる工程を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。 本発明の更に他の実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートと支持板との間の隙間に充填材を充填する様子を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。 本発明の更に他の実施の形態に係る半導体ウェハの加工方法を説明する為の工程図であって、同図（ａ）は両面粘着シートに端部層を形成する状態を表し、同図（ｂ）は両面粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を表し、同図（ｃ）は半導体ウェハの薄型加工の工程を表す。 前記半導体ウェハの加工方法に於いて両面粘着シートに端部層を形成する工程を説明するための断面模式図であって、同図（ａ）は第２粘着層に端部層を形成する場合を示し、同図（ｂ）は第１粘着層及び第２粘着層に端部層を形成する場合を示す。 従来の両面粘着シートを用いて半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた状態を示す断面模式図である。

符号の説明

１０１ 半導体ウェハ
１０２ バンプ
１０３、１０５、３０２、４０１〜４０４ 端部層
１０４ 支持板
１０７ パターン形成領域
１１０ 両面粘着シート（半導体ウェハ加工用粘着シート）
１１１ 基材
１１２ 第１粘着層
１１３ 第２粘着層
１１４ 薄型加工機
３０１ 隙間

Claims (7)

1. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して前記半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた際に、該支持板の端部に於ける半導体ウェハ加工用粘着シートとの間に生じる隙間に端部層を形成することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
2. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、
   かつ、前記半導体ウェハとして、パターン形成面のパターンが形成されていない所定領域に端部層が設けられたものを用意し、
   前記粘着シートの第１粘着層側に半導体ウェハを貼り合わせ、第２粘着層側に支持板を貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
3. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、
   かつ、前記支持板として、前記半導体ウェハに於けるパターン形成面のパターンが形成されていない領域に対応する領域に端部層が設けられたものを用意し、
   前記粘着シートの第１粘着層側に半導体ウェハを貼り合わせ、第２粘着層側に支持板を貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
4. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、
   前記半導体ウェハに於けるパターン形成面を接着面として、該支持板と半導体ウェハとを前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して貼り合わせる工程と、
   前記支持板と半導体ウェハ加工用粘着シートとの間に生じた隙間に充填材を充填して端部層を形成する工程と、
   前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
5. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートを用いた半導体ウェハの加工方法であって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられているものを用意し、
   前記第１粘着層及び第２粘着層の少なくとも一方に於いて、半導体ウェハに於けるパターン形成面のパターンが形成されていない領域に対応する領域に端部層を形成する工程と、
   前記半導体ウェハに於けるパターン形成面を接着面として、該支持板と半導体ウェハとを前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウェハの裏面を薄型加工する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
6. 半導体ウェハの裏面を薄型加工する際に、パターン形成された半導体ウェハ表面を保護すると共に、該半導体ウェハを支持板に固定するための半導体ウェハ加工用粘着シートであって、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートは、基材の両面にそれぞれ第１粘着層及び第２粘着層が設けられた構成であり、
   前記半導体ウェハ加工用粘着シートを介して半導体ウェハと支持板とを貼り合わせた場合に該支持板の端部に対応することになる、前記第１粘着層及び第２粘着層の少なくとも一方の接着面側に於ける所定領域に端部層が設けられていることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着シート。
7. 前記第１粘着層または第２粘着層に前記端部層が設けられている場合には、該端部層の高さは前記半導体ウェハのパターン形成面に於ける最も高い部分の高さと略同じであり、
   前記第１粘着層及び第２粘着層に前記端部層がそれぞれ設けられている場合には、第１粘着層に於ける端部層と第２粘着層に於ける端部層の高さの総和が前記半導体ウェハのパターン形成面に於ける最も高い部分の高さと略同じであることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェハ加工用粘着シート。
   

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