JP2007322755A - Photosensitive composition, method for preparing same, photosensitive film, photosensitive laminate, permanent pattern forming method, and printed circuit board - Google Patents

Photosensitive composition, method for preparing same, photosensitive film, photosensitive laminate, permanent pattern forming method, and printed circuit board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition having a long pot life, excellent in tackiness, plane trouble, surface shape and edge roughness, having high sensitivity, high resolution, excellent resistance to electroless gold plating and excellent property of filling via and through holes, and capable of efficiently forming high-definition permanent patterns (such as a protective film, an interlayer insulation film and a solder resist pattern), by specifying a binder and a heat crosslinking agent used together with the binder, and to provide a method for preparing the photosensitive composition, a photosensitive film, a photosensitive laminate, a permanent pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed circuit board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method. <P>SOLUTION: The photosensitive composition comprises a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a pigment and a heat crosslinking agent and has an average particle diameter of particles being ≤2 μm. There are also provided the method for preparing the photosensitive composition, the photosensitive film, the photosensitive laminate, the permanent pattern forming method using the photosensitive laminate, and the printed circuit board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポットライフが長く、フィルム化した際のタック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物及びその製造方法、感光性フィルム、感光性積層体、該感光性積層体を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板に関する。   The present invention has a long pot life, excellent tackiness when formed into a film, surface failure, surface shape, edge roughness, high sensitivity and high resolution, electroless gold plating resistance, and via and through hole embedding. Photosensitive composition capable of efficiently forming excellent and high-definition permanent patterns (protective film, interlayer insulating film, solder resist pattern, etc.) and manufacturing method thereof, photosensitive film, photosensitive laminate, and photosensitive laminate The present invention relates to a method for forming a permanent pattern using, and a printed circuit board on which a permanent pattern is formed by the method for forming a permanent pattern.

従来より、ソルダーレジストパターンなどの永久パターンを形成するに際して、支持体上に感光性組成物を塗布、乾燥することにより感光層を形成させた感光性フィルムが用いられている。前記永久パターンの製造方法としては、例えば、前記永久パターンが形成される銅張積層板等の基体上に、前記感光性フィルムを積層させて積層体を形成し、該積層体における前記感光層に対して露光を行い、該露光後、前記感光層を現像してパターンを形成させ、その後硬化処理等を行うことにより前記永久パターンが形成される。   Conventionally, when a permanent pattern such as a solder resist pattern is formed, a photosensitive film in which a photosensitive layer is formed by applying and drying a photosensitive composition on a support has been used. As the method for producing the permanent pattern, for example, a laminate is formed by laminating the photosensitive film on a substrate such as a copper-clad laminate on which the permanent pattern is formed, and the photosensitive layer in the laminate is formed on the photosensitive layer. The permanent pattern is formed by exposing to light, developing the photosensitive layer after the exposure to form a pattern, and then performing a curing process or the like.

前記感光性組成物としては、安定性等を向上させる目的で、炭素原子数1〜6個の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリルモノマーと、(メタ)アクリル酸との共重合体に、エポキシ基を有する(メタ)アクリレート化合物を付加させた高分子化合物を含む感光性組成物が提案されている(特許文献1参照)。また、前記提案とほぼ同様な目的で、側鎖にカルボキシル基を有する共重合体に、脂環式エポキシ基を有する不飽和化合物を付加させた高分子化合物を含む感光性組成物が提案されている(特許文献2参照)。更に、耐熱性や耐薬品性等の性能を向上させる目的で、不飽和二重結合を有し、かつ特定の範囲の酸価及び分子量のバインダーポリマーと、不飽和二重結合とを有し、かつ特定の酸価及びエポキシ当量のエポキシ化合物とを組成物中に含有させる感光性組成物が提案されている(特許文献3参照)。
しかし、これらの感光性組成物においても、感度及び保存安定性は不十分であり、特にレーザ走査露光によるパターン潜像形成において、露光部の硬化が不十分で、アルカリ現像工程で画像部が除去されてしまったり、感光性組成物をフィルム化して長尺ロール形態にした場合、経時で端面の融着が起こり、その融着部分がラミネート時に、積層体の露光面に落下することで、露光時に露光パターンの断線等の故障が起こる問題があった。更に、アルカリ可溶性のエポキシ樹脂を使用した場合には、金めっき処理プロセスで基板との密着が不良となり、感光性組成物の浮きが観られ、めっき潜りが認められる現象が起こるなどの問題があった。
As the photosensitive composition, for the purpose of improving stability and the like, a copolymer of a (meth) acrylic monomer having an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and (meth) acrylic acid is used. A photosensitive composition containing a polymer compound to which a (meth) acrylate compound having an epoxy group is added has been proposed (see Patent Document 1). In addition, a photosensitive composition comprising a polymer compound in which an unsaturated compound having an alicyclic epoxy group is added to a copolymer having a carboxyl group in a side chain has been proposed for the same purpose as the above proposal. (See Patent Document 2). Furthermore, for the purpose of improving performance such as heat resistance and chemical resistance, it has an unsaturated double bond, and has a binder polymer having an acid value and molecular weight within a specific range, and an unsaturated double bond, And the photosensitive composition which contains the epoxy compound of a specific acid value and an epoxy equivalent in a composition is proposed (refer patent document 3).
However, these photosensitive compositions also have insufficient sensitivity and storage stability. In particular, in the pattern latent image formation by laser scanning exposure, the exposed area is not sufficiently cured, and the image area is removed in the alkali development process. If the photosensitive composition is made into a long roll by forming the photosensitive composition into a long roll, the fusion of the end surface occurs over time, and the fused part falls to the exposed surface of the laminate during lamination, thereby exposing the film. There was a problem that failure such as disconnection of the exposure pattern sometimes occurred. In addition, when an alkali-soluble epoxy resin is used, there is a problem that adhesion to the substrate becomes poor in the gold plating process, the photosensitive composition is lifted, and a phenomenon in which plating submergence is observed occurs. It was.

この問題を解消するため、有機溶剤に難溶性の微粒状エポキシ化合物を用いた感光性組成物が開示されている(特許文献4及び5参照)。このような難溶性エポキシ化合物を用いた感光性組成物では、アルカリ性水溶液で現像した場合、露光部分が現像液に侵されることがなく、現像性や基板との密着性を向上させることができる。
しかし、特許文献4では、前記難溶性エポキシ化合物及びその他の成分を、三本ロールにより混練しているので、難溶性エポキシ化合物の粒子が粗く、該感光性組成物溶液を基板に塗布して感光層を形成した場合、感光層がざらついて平滑性に劣り、面状故障を生じて、形成される永久パターンの解像度が悪化する問題がある。一方、特許文献5では、難溶性エポキシ樹脂をサンドミルで数ミクロン単位に微粒子化して、溶剤中に分散させているが、タルクやシリカなどの顔料などは微粒子化することなく、混練しているので、やはり感光層の面状故障や永久パターンの表面形状の悪化は解消できなかった。更に、該感光性組成物の製造方法において、難溶性エポキシ樹脂を微粒子化する際に、該エポキシ樹脂の融点以上に加熱して溶融し、一定温度に冷却して再結晶化さた後、サンドミルなどで微粒子化して分散させるなど、複雑で手間のかかる工程を含み、効率的な製造ができない問題もあった。
また、レーザ光による直接描画に好適な光硬化性組成物(感光性組成物)として、粒子径5μm以下の粒子が全粒子の50%以上を占める微粒子状で、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤、不飽和基、及びカルボキシル基含有エポキシ樹脂を含むアルカリ可溶性樹脂、融点が50℃以上の結晶性エポキシ化合物を含むエポキシ化合物含有組成物中に分散していることを特徴とする光硬化性組成物が提案されている(特許文献6参照)。
しかし、この場合、エポキシ化合物の分散は3本ロールなどのミルロールで微粉砕しただけなので、粒子径3μm以下の粒子が全粒子の80%以上を占める微粒子状態になっているだけで、平均粒径が大きくかつ粗大粒子が存在し、さらにタルクや硫酸バリウムなどの無機微粒子は室温で添加、攪拌されるだけなので、やはり感光層の面状故障や永久パターンの表面形状の悪化は解消できなかった。
In order to solve this problem, a photosensitive composition using a finely divided epoxy compound hardly soluble in an organic solvent has been disclosed (see Patent Documents 4 and 5). In the photosensitive composition using such a hardly soluble epoxy compound, when it develops with alkaline aqueous solution, an exposed part is not attacked by a developing solution, but developability and adhesiveness with a board | substrate can be improved.
However, in Patent Document 4, since the hardly soluble epoxy compound and other components are kneaded by three rolls, the particles of the hardly soluble epoxy compound are coarse, and the photosensitive composition solution is applied to a substrate for photosensitivity. When the layer is formed, there is a problem that the photosensitive layer is rough and inferior in smoothness, causes a surface fault, and the resolution of the formed permanent pattern is deteriorated. On the other hand, in Patent Document 5, a hardly soluble epoxy resin is finely divided into units of several microns with a sand mill and dispersed in a solvent. However, pigments such as talc and silica are kneaded without being finely divided. Also, the surface failure of the photosensitive layer and the deterioration of the surface shape of the permanent pattern could not be solved. Further, in the method for producing the photosensitive composition, when the hardly soluble epoxy resin is made into fine particles, it is heated and melted to a temperature equal to or higher than the melting point of the epoxy resin, cooled to a constant temperature, recrystallized, and then sand mill There is also a problem that it cannot be efficiently manufactured, including complicated and time-consuming processes such as making the particles finely dispersed.
In addition, as a photocurable composition (photosensitive composition) suitable for direct drawing with laser light, particles having a particle diameter of 5 μm or less account for 50% or more of all particles, an ethylenically unsaturated compound, photopolymerization Photocurable, characterized by being dispersed in an epoxy-containing composition containing an initiator, an unsaturated group, and an alkali-soluble resin containing a carboxyl group-containing epoxy resin and a crystalline epoxy compound having a melting point of 50 ° C. or higher. A composition has been proposed (see Patent Document 6).
In this case, however, the dispersion of the epoxy compound is only finely pulverized with a mill roll such as a three-roll, so that the average particle diameter is only in a fine particle state in which particles having a particle diameter of 3 μm or less occupy 80% or more of all particles. However, since the inorganic fine particles such as talc and barium sulfate are only added and stirred at room temperature, the surface failure of the photosensitive layer and the deterioration of the surface shape of the permanent pattern cannot be solved.

したがって、感光性組成物中の粗大粒子が少なく、複雑で手間のかかる工程を必要としなくても、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物及びその製造方法、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いた永久パターン形成方法、及び前記永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。   Therefore, even if there are few coarse particles in the photosensitive composition and a complicated and laborious process is not required, the pot life is long, the tack property, the surface failure, the surface shape, the edge roughness are excellent, the high sensitivity and the high Photosensitive composition capable of efficiently forming high-definition permanent patterns (protective film, interlayer insulating film, solder resist pattern, etc.) with excellent resolution, electroless gold plating resistance, via and through-hole embedding characteristics, and the like A manufacturing method, a photosensitive film, a photosensitive laminate, a permanent pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed board on which a pattern is formed by the permanent pattern forming method have not yet been provided, and further improvements The current situation is that development is desired.

特開平3−172301号公報JP-A-3-172301 特開平10−10726号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-10726 特開平7−199457号公報JP 7-199457 A 特公平7−17737号公報Japanese Patent Publication No. 7-17737 特開平6−95384号公報JP-A-6-95384 特開2005−84114号公報JP 2005-84114 A

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、バインダー及び併用する熱架橋剤を規定することにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物及びその製造方法、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いた永久パターン形成方法、及び前記永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention specifies a binder and a thermal crosslinking agent to be used in combination, and has a long pot life, excellent tackiness, surface failure, surface shape, edge roughness, high sensitivity and high resolution, and resistance to electroless gold plating. , And a photosensitive composition excellent in embedding property of vias and through holes, and capable of efficiently forming a high-definition permanent pattern (such as a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern), a manufacturing method thereof, a photosensitive film, It is an object of the present invention to provide a photosensitive laminate, a permanent pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed board on which a pattern is formed by the permanent pattern forming method.

前記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を行った結果、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、顔料、及び熱架橋剤を含み、感光性組成物中の感光性組成物中の粒子の平均粒径が2μm以下とし、更に粒子として存在する顔料、及び熱架橋剤の平均粒径が2μm以下とすることにより、ポットライフ、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネス等の感光性組成物としての優れた特性と、無電解金メッキ耐性等の硬化物としての優れた特性とを両立することができ、また、高感度及び高解像度で、ビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であることを知見した。   As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above problems, the photosensitive composition in the photosensitive composition contains a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a pigment, and a thermal crosslinking agent. When the average particle size of the particles is 2 μm or less and the average particle size of the pigment and the thermal crosslinking agent is 2 μm or less, pot life, tackiness, surface failure, surface shape, edge roughness, etc. It is possible to achieve both excellent characteristics as a photosensitive composition and excellent characteristics as a cured product such as electroless gold plating resistance, and high sensitivity and high resolution for via and through hole embedding. It was found that an excellent and high-definition permanent pattern can be formed efficiently.

本発明は、本発明者の前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、顔料、及び熱架橋剤を含み、粒子の平均粒径が、2μm以下であることを特徴とする感光性組成物である。
<2> 顔料及び熱架橋剤が、分散物を含み、その平均粒径が、2μm以下である前記<1>に記載の感光性組成物である。
<3> 5μm以上の粗大粒子の含有量が、1%以下である前記<1>に記載の感光性組成物である。
<4> 熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される2種以上である前記<1>から<3>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<5> 熱架橋剤が、エポキシ化合物であり、該エポキシ化合物が、ノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、複素環含有エポキシ化合物、及び脂環式エポキシ化合物から選択されるいずれか2種である前記<4>に記載の感光性組成物である。
<6> 融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物である前記<4>から<5>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<7> 熱架橋剤が、エポキシ当量90〜9,000g/eq.のエポキシ化合物を含む<4>から<6>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<8> 熱架橋剤の少なくとも1種が、アルカリ不溶性である前記<1>から<7>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<9> 顔料が、有機顔料及び無機顔料から選択される少なくとも1種を含む前記<1>から<8>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<10> 有機顔料が、着色顔料、及び有機の架橋性微粒子から選択される少なくとも1種を含む前記<1>から<9>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<11> 顔料、及び熱架橋剤を少なくとも含み、平均粒径2μm以下に微粒子化して分散させた分散物と、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを混合してなる前記<1>から<10>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<12> 分散物が、バインダーを更に含む前記<11>に記載の感光性組成物である。
<13> 熱硬化促進剤を含む前記<1>から<12>のいずれかに記載の感光性組成物である。
The present invention is based on the above knowledge of the present inventor, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> A photosensitive composition comprising a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a pigment, and a thermal crosslinking agent, and having an average particle size of 2 μm or less.
<2> The photosensitive composition according to <1>, wherein the pigment and the thermal crosslinking agent include a dispersion, and an average particle diameter thereof is 2 μm or less.
<3> The photosensitive composition according to <1>, wherein the content of coarse particles of 5 μm or more is 1% or less.
<4> From the above <1>, wherein the thermal crosslinking agent is at least two selected from an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. 3>. The photosensitive composition according to any one of 3).
<5> The thermal crosslinking agent is an epoxy compound, and the epoxy compound is any two selected from a novolac type epoxy compound, a bisphenol type epoxy compound, a heterocyclic ring-containing epoxy compound, and an alicyclic epoxy compound. It is the photosensitive composition as described in said <4>.
<6> The photosensitive composition according to any one of <4> to <5>, which is a crystalline epoxy compound having a melting point of 60 ° C. or higher.
<7> The thermal crosslinking agent has an epoxy equivalent of 90 to 9,000 g / eq. <4> to the photosensitive composition in any one of <6> containing the epoxy compound of this.
<8> The photosensitive composition according to any one of <1> to <7>, wherein at least one of the thermal crosslinking agents is alkali-insoluble.
<9> The photosensitive composition according to any one of <1> to <8>, wherein the pigment contains at least one selected from organic pigments and inorganic pigments.
<10> The photosensitive composition according to any one of <1> to <9>, wherein the organic pigment contains at least one selected from a color pigment and organic crosslinkable fine particles.
<11> The above-mentioned <1 comprising at least a pigment and a thermal cross-linking agent, and a mixture of a finely dispersed dispersion having an average particle size of 2 μm or less, a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator. > To <10>.
<12> The photosensitive composition according to <11>, wherein the dispersion further includes a binder.
<13> The photosensitive composition according to any one of <1> to <12>, including a thermosetting accelerator.

<14> バインダーが、エポキシアクリレート化合物の少なくとも1種と、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種と、から選択される少なくとも1種の高分子化合物を含む前記<1>から<13>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<15> バインダーが、酸性基とエチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む前記<1>から<14>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<16> バインダーが、酸性基と、ヘテロ環を含んでもよい芳香族基と、エチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む前記<1>から<15>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<17> 高分子化合物が、エチレン性不飽和結合を0.5〜3.0meq/g含有する前記<14>から<16>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<18> 高分子化合物の酸性基が、カルボキシル基であり、前記カルボキシル基の前記高分子化合物における含有量が、1.0〜4.0meq/gである前記<14>から<17>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<19> 高分子化合物の質量平均分子量が、3,000以上100,000未満である前記<14>から<18>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<20> 高分子化合物が、下記構造式(I)で表される構造単位を20mol%以上含有する前記<14>から<19>のいずれかに記載の感光性組成物である。
ただし、前記構造式(I)中、R、R、及びRは水素原子又は1価の有機基を表す。Lは有機基を表し、なくてもよい。Arは芳香族基を表す。
<14> At least one polymer compound wherein the binder is selected from at least one epoxy acrylate compound and at least one vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acid group in the side chain. The photosensitive composition according to any one of <1> to <13>.
<15> The photosensitive composition according to any one of <1> to <14>, wherein the binder includes a polymer compound having an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in a side chain.
<16> The binder according to any one of <1> to <15>, wherein the binder includes a polymer compound having an acidic group, an aromatic group that may include a heterocyclic ring, and an ethylenically unsaturated bond in a side chain. Of the photosensitive composition.
<17> The photosensitive composition according to any one of <14> to <16>, wherein the polymer compound contains 0.5 to 3.0 meq / g of an ethylenically unsaturated bond.
<18> Any of <14> to <17>, wherein the acidic group of the polymer compound is a carboxyl group, and the content of the carboxyl group in the polymer compound is 1.0 to 4.0 meq / g. It is a photosensitive composition as described above.
<19> The photosensitive composition according to any one of <14> to <18>, wherein the polymer compound has a mass average molecular weight of 3,000 or more and less than 100,000.
<20> The photosensitive composition according to any one of <14> to <19>, wherein the polymer compound contains 20 mol% or more of a structural unit represented by the following structural formula (I).
However, in said structural formula (I), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a hydrogen atom or monovalent organic group. L represents an organic group and may not be present. Ar represents an aromatic group.

<21> 重合性化合物が、エチレン性不飽和結合を1つ以上有する化合物を含む<1>から<20>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<22> 重合性化合物が、(メタ)アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも1種を含む前記<1>から<20>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<23> 光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物から選択される少なくとも1種を含む前記<1>から<22>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<24> 増感剤を含む前記<1>から<23>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<25> 増感剤が、ヘテロ縮環系化合物である前記<24>に記載の感光性組成物である。
<21> The photosensitive composition according to any one of <1> to <20>, wherein the polymerizable compound includes a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds.
<22> The photosensitive composition according to any one of <1> to <20>, wherein the polymerizable compound includes at least one selected from monomers having a (meth) acryl group.
<23> The photopolymerization initiator is selected from halogenated hydrocarbon derivatives, hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, metallocenes, and acylphosphine oxide compounds. The photosensitive composition according to any one of <1> to <22>, including at least one of the above.
<24> The photosensitive composition according to any one of <1> to <23>, including a sensitizer.
<25> The photosensitive composition according to <24>, wherein the sensitizer is a hetero-fused ring compound.

<26> 前記<1>から<25>のいずれかに記載の感光性組成物の製造方法であって、
少なくとも顔料、及び熱架橋剤を微粒子化して分散させ分散物を形成する分散工程と、
該分散物と、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを混合する混合工程と、
を少なくとも有し、
粒子の平均粒径が、2μm以下である感光性組成物を得ることを特徴とする感光性組成物の製造方法である。
<27> 分散物に、更にバインダーを分散させた感光性組成物の製造方法である。
<26> The method for producing a photosensitive composition according to any one of <1> to <25>,
A dispersion step in which at least a pigment and a thermal cross-linking agent are finely divided and dispersed to form a dispersion;
A mixing step of mixing the dispersion, a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator;
Having at least
A method for producing a photosensitive composition, comprising obtaining a photosensitive composition having an average particle diameter of 2 μm or less.
<27> A method for producing a photosensitive composition in which a binder is further dispersed in a dispersion.

<28> 支持体と、該支持体上に前記<1>から<25>のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性フィルムである。
<29> 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記<28>に記載の感光性フィルムである。
<30> 支持体が、長尺状である前記<28>から<29>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<31> 長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記<28>から<30>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<32> 感光性フィルムにおける感光層上に、保護フィルムを有する前記<28>から<31>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<28> A photosensitive film comprising a support and a photosensitive layer comprising the photosensitive composition according to any one of <1> to <25> on the support.
<29> The photosensitive film according to <28>, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent.
<30> The photosensitive film according to any one of <28> to <29>, wherein the support has a long shape.
<31> The photosensitive film according to any one of <28> to <30>, which is long and wound in a roll shape.
<32> The photosensitive film according to any one of <28> to <31>, having a protective film on the photosensitive layer in the photosensitive film.

<33> 基体上に、前記<1>から<25>のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性積層体である。
<34> 感光層が、前記<28>から<32>のいずれかに記載の感光性フィルムにより形成された前記<33>に記載の感光性積層体である。
<35> 感光層の厚みが、1〜100μmである前記<33>から<34>のいずれかに記載の感光性積層体である。
<33> A photosensitive laminate comprising a photosensitive layer made of the photosensitive composition according to any one of <1> to <25> on a substrate.
<34> The photosensitive laminate according to <33>, wherein the photosensitive layer is formed of the photosensitive film according to any one of <28> to <32>.
<35> The photosensitive laminate according to any one of <33> to <34>, wherein the photosensitive layer has a thickness of 1 to 100 μm.

<36> 前記<33>から<35>のいずれかに記載の感光性積層体における感光層を備えており、
光を照射可能な光照射手段と、該光照射手段からの光を変調し、前記感光性フィルムにおける感光層に対して露光を行う光変調手段とを少なくとも有することを特徴とするパターン形成装置である。該<36>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記光変調手段に向けて光を照射する。前記光変調手段が、前記光照射手段から受けた光を変調する。前記光変調手段により変調した光が前記感光層に対して露光させる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。
<37> 光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記<36>に記載のパターン形成装置である。該<37>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。
<38> 光変調手段が、n個の描素部を有してなり、該n個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の前記描素部を、形成するパターン情報に応じて制御可能である前記<36>から<37>のいずれかに記載のパターン形成装置である。前記<38>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段におけるn個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の描素部をパターン情報に応じて制御することにより、前記光照射手段からの光が高速で変調される。
<39> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<36>から<38>のいずれかに記載のパターン形成装置である。
<40> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<39>に記載のパターン形成装置である。
<41> 描素部が、マイクロミラーである前記<38>から<40>のいずれかに記載のパターン形成装置である。
<42> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<36>から<41>のいずれかに記載のパターン形成装置である。該<42>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が2以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<43> 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記<36>から<42>のいずれかに記載のパターン形成装置である。該<43>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<36> A photosensitive layer in the photosensitive laminate according to any one of <33> to <35>,
A pattern forming apparatus comprising at least light irradiating means capable of irradiating light and light modulating means for modulating light from the light irradiating means and exposing the photosensitive layer of the photosensitive film. is there. In the pattern forming apparatus according to <36>, the light irradiation unit irradiates light toward the light modulation unit. The light modulation unit modulates light received from the light irradiation unit. The light modulated by the light modulator is exposed to the photosensitive layer. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, a high-definition pattern is formed.
<37> The light modulation means further includes pattern signal generation means for generating a control signal based on the pattern information to be formed, and the control signal generated by the pattern signal generation means is emitted from the light irradiation means. It is a pattern formation apparatus as described in said <36> modulated according to this. In the pattern forming apparatus according to <37>, since the light modulation unit includes the pattern signal generation unit, the light emitted from the light irradiation unit corresponds to the control signal generated by the pattern signal generation unit. Modulated.
<38> The light modulation means includes n pixel parts, and forms any less than n pixel parts arranged continuously from the n pixel parts. The pattern forming apparatus according to any one of <36> to <37>, which can be controlled according to pattern information. In the pattern forming apparatus according to <38>, any less than n pixel parts arranged continuously from n pixel parts in the light modulation unit are controlled according to pattern information. Thereby, the light from the light irradiation means is modulated at high speed.
<39> The pattern forming apparatus according to any one of <36> to <38>, wherein the light modulation unit is a spatial light modulation element.
<40> The pattern forming apparatus according to <39>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).
<41> The pattern forming apparatus according to any one of <38> to <40>, wherein the picture element portion is a micromirror.
<42> The pattern forming apparatus according to any one of <36> to <41>, wherein the light irradiation unit is capable of combining and irradiating two or more lights. In the pattern forming apparatus according to <42>, since the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure of the photosensitive layer is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.
<43> The light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that condenses the laser light irradiated from each of the plurality of lasers and couples the laser light to the multimode optical fiber. The pattern forming apparatus according to any one of <36> to <42>. In the pattern forming apparatus according to <43>, the light irradiation unit can condense the laser beams irradiated from the plurality of lasers by the collective optical system and couple the laser beams to the multimode optical fiber. Thus, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure of the photosensitive layer is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.

<44> 前記<33>から<35>のいずれかに記載の感光性積層体における感光層に対して、露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法である。
<45> 露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる前記<44>に記載の永久パターン形成方法である。
<46> 露光が、形成するパターン情報に基づいて像様に行われる前記<44>から<45>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<44> A method for forming a permanent pattern, comprising exposing the photosensitive layer in the photosensitive laminate according to any one of <33> to <35>.
<45> The method for forming a permanent pattern according to <44>, wherein the exposure is performed using a laser beam having a wavelength of 350 to 415 nm.
<46> The permanent pattern formation method according to any one of <44> to <45>, wherein the exposure is performed imagewise based on pattern information to be formed.

<47> 露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる前記<44>から<46>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<47>に記載の永久パターン形成方法においては、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部が指定され、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部が制御される。前記露光ヘッドを、前記感光層に対し走査方向に相対的に移動させて露光が行われることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<48> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記<47>に記載の永久パターン形成方法である。該<48>に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<49> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記<48>に記載の永久パターン形成方法である。該<49>に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域以外に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<50> 設定傾斜角度θが、N重露光数のN、描素部の列方向の個数s、前記描素部の列方向の間隔p、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、spsinθideal≧Nδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定される前記<47>から<49>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<51> N重露光のNが、3以上の自然数である前記<47>から<50>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<51>に記載の永久パターン形成方法においては、N重露光のNが、3以上の自然数であることにより、多重描画が行われる。この結果、埋め合わせの効果により、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが、より精密に均される。
<47> Exposure has light irradiation means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged pixel parts that receive and emit light from the light irradiation means, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling the picture element portion in accordance with pattern information, wherein the column direction of the picture element portion forms a predetermined set inclination angle θ with respect to the scanning direction of the exposure head. Using an exposure head arranged as follows:
With respect to the exposure head, the usable pixel part designating means designates the pixel part to be used for N double exposure (where N is a natural number of 2 or more) among the usable graphic elements.
For the exposure head, the pixel part control means controls the pixel part so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying means is involved in exposure,
The permanent pattern forming method according to any one of <44> to <46>, wherein the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in a scanning direction. In the method for forming a permanent pattern according to <47>, the exposure head is subjected to N multiple exposures (where N is a natural number of 2 or more) among the usable pixel parts by the used pixel part specifying means. The pixel part to be used is specified, and the pixel part is controlled by the pixel part control unit so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying unit is involved in exposure. . By performing exposure by moving the exposure head relative to the photosensitive layer in the scanning direction, the exposure head is formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position or mounting angle of the exposure head. Variations in the resolution of the pattern and unevenness in density are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.
<48> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the drawing element specifying means relates to the exposure of the joint area between the heads which is the overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. It is the permanent pattern forming method according to <47>, in which, among the element parts, the image element part to be used for realizing N double exposure in the inter-head connection region is designated. In the method for forming a permanent pattern according to <48>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used pixel portion designating means is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Of the picture element parts involved in the exposure of the connection area between the heads, by specifying the picture element part used for realizing the N-fold exposure in the connection area between the heads, the mounting position of the exposure head, Variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed in the connecting area between the heads on the exposed surface of the photosensitive layer due to the mounting angle deviation are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition. For example, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer thereafter.
<49> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used picture element designation means is involved in exposure other than the inter-head connection region, which is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. The permanent pattern forming method according to the above <48>, wherein among the picture element parts, the picture element part used for realizing N double exposure in an area other than the inter-head connection area is designated. In the method for forming a permanent pattern according to <49>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used pixel portion designating means is an overlapping exposure region on an exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Mounting of the exposure head by designating the picture element part used for realizing N double exposure in areas other than the inter-head connection area among the image element parts related to exposure other than the inter-head connection area Variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed in areas other than the joint area between the heads on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in position and mounting angle are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition. For example, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer thereafter.
<50> When the set inclination angle θ is N, the number N of the multiple exposures, the number s of the pixel portions in the column direction, the interval p in the column direction of the pixel portions, and the exposure head tilted. the relative row direction pitch δ of pixel parts in the direction perpendicular to the scanning direction, the following equation with respect to theta ideal satisfying spsinθ ideal ≧ Nδ, which is set so as to satisfy the relation of θ ≧ θ ideal <47> to <49>.
<51> The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <50>, wherein N in N-fold exposure is a natural number of 3 or more. In the method for forming a permanent pattern according to <51>, multiple drawing is performed when N in N double exposure is a natural number of 3 or more. As a result, due to the effect of filling, variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position and mounting angle of the exposure head are more precisely leveled.

<52> 使用描素部指定手段が、
描素部により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備える前記<47>から<51>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<53> 使用描素部指定手段が、N重露光を実現するために使用する使用描素部を、行単位で指定する前記<47>から<52>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<52> Use pixel part designation means,
A light spot position detecting means for detecting a light spot position as a pixel unit that is generated by the picture element unit and constitutes an exposure area on the exposed surface;
<47> to <51>, further comprising: a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for realizing the N-fold exposure based on a detection result by the light spot position detection unit. This is a permanent pattern forming method.
<53> The permanent pattern forming method according to any one of <47> to <52>, wherein the used pixel part specifying unit specifies, in line units, the used pixel part used for realizing N double exposure. It is.

<54> 光点位置検出手段が、検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす実傾斜角度θ´を特定し、描素部選択手段が、前記実傾斜角度θ´と設定傾斜角度θとの誤差を吸収するように使用描素部を選択する前記<52>から<53>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<55> 実傾斜角度θ´が、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度の平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかである前記<54>に記載の永久パターン形成方法である。
<56> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ttanθ´=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における1行目から前記T行目の前記描素部を、使用描素部として選択する前記<52>から<55>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<57> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ttanθ´=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における、(T+1)行目からm行目の前記描素部を、不使用描素部として特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する前記<52>から<56>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<54> The fact that the light spot position detector detects the row direction of the light spot on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted based on the detected at least two light spot positions. The inclination angle θ ′ is specified, and the picture element selection means selects the use picture element part so as to absorb an error between the actual inclination angle θ ′ and the set inclination angle θ. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<55> The actual inclination angle θ ′ is an average value, a median value, and a plurality of actual inclination angles formed by the row direction of the light spots on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is inclined. The permanent pattern forming method according to <54>, wherein the permanent pattern forming method is one of a maximum value and a minimum value.
<56> The pixel part selection means derives a natural number T close to t that satisfies the relationship of ttan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m <52> to <55> for selecting the pixel part from the first line to the T-th line as a used pixel part in a line element (where m represents a natural number of 2 or more). The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<57> The pixel part selection means derives a natural number T close to t satisfying a relationship of ttan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m In the picture element part arranged in a row (where m represents a natural number of 2 or more), the picture element part in the (T + 1) -th line to the m-th line is specified as an unused picture element part, and the unused picture element part is specified. The permanent pattern forming method according to any one of <52> to <56>, wherein the pixel part excluding the element part is selected as a use pixel part.

<58> 描素部選択手段が、複数の描素部列により形成される被露光面上の重複露光領域を少なくとも含む領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、使用描素部を選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、使用描素部を選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段、及び
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段
のいずれかである前記<52>から<57>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<59> 描素部選択手段が、複数の露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、及び、
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
のいずれかである前記<52>から<58>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<60> 不使用描素部が、行単位で特定される前記<59>に記載の永久パターン形成方法である。
<58> In a region including at least an overlapped exposure region on an exposed surface formed by a plurality of pixel part columns,
(1) Means for selecting a used pixel portion so that a total area of an overexposed region and an underexposed region is minimized with respect to an ideal N-fold exposure;
(2) Means for selecting a pixel part to be used so that the number of pixel units in an overexposed area and the number of pixel units in an underexposed area are equal to each other with respect to an ideal N double exposure;
(3) Means for selecting a pixel part to be used so that the area of an overexposed area is minimized and an underexposed area does not occur with respect to an ideal N double exposure, and (4) Ideal From the above <52>, which is one of means for selecting a pixel part to be used so that the area of an underexposed area is minimized and an overexposed area does not occur with respect to typical N double exposure <57> The method for forming a permanent pattern according to any one of the above.
<59> In the connection region between the heads, which is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads,
(1) With respect to the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connection region, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized. Means for identifying a used pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(2) Involvement in the exposure of the head-to-head connecting region so that the number of pixel units in the overexposed region and the number of pixel units in the underexposed region are equal to the ideal N-double exposure. Means for identifying an unused pixel part from the pixel part to be selected, and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(3) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the overexposed region is minimized and the underexposed region is not generated. A means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part; and
(4) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the underexposed region is minimized and the region that is overexposed is not generated. , Means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
The method for forming a permanent pattern according to any one of <52> to <58>.
<60> The permanent pattern forming method according to <59>, wherein the unused pixel parts are specified in units of rows.

<61> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記<47>から<60>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<61>に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
<62> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部行を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記<47>から<60>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<62>に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
<61> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying unit, among the usable pixel elements, N (N-1) pixel element columns for N multiple exposures. The permanent pattern forming method according to any one of <47> to <60>, wherein the reference exposure is performed using only the image element portion that constitutes. In the permanent pattern forming method according to <61>, in order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying unit, among the usable pixel parts, N-1) Reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for each column, and a simple pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.
<62> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying means, among the usable pixel parts, a pixel part row is formed every 1 / N lines for N of N multiple exposures. The permanent pattern forming method according to any one of <47> to <60>, wherein the reference exposure is performed using only the pixel part. In the permanent pattern forming method according to <62>, in order to designate the use pixel part in the use pixel part designating unit, among the usable picture element parts, N is one for N double exposure. / A reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for every N rows, and a simple pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.

<63> 使用描素部指定手段が、光点位置検出手段としてスリット及び光検出器、並びに描素部選択手段として前記光検出器と接続された演算装置を有する前記<47>から<62>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<64> N重露光のNが、3以上7以下の自然数である前記<47>から<63>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<63> From the above <47> to <62>, the used pixel part designation means includes a slit and a photodetector as the light spot position detection means, and an arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel part selection means. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<64> The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <63>, wherein N in N-fold exposure is a natural number of 3 or more and 7 or less.

<65> 光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記<47>から<64>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<65>に記載の永久パターン形成方法においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。
<66> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<47>から<65>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<67> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<65>に記載の永久パターン形成方法である。
<68> 描素部が、マイクロミラーである前記<47>から<67>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<69> パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換する変換手段を有する前記<47>から<68>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<65> The light modulation means further includes pattern signal generation means for generating a control signal based on the pattern information to be formed, and the control signal generated by the pattern signal generation means is emitted from the light irradiation means. The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <64>, wherein the modulation is performed according to. In the permanent pattern forming method according to <65>, since the light modulation unit includes the pattern signal generation unit, the light emitted from the light irradiation unit is included in the control signal generated by the pattern signal generation unit. Modulated accordingly.
<66> The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <65>, wherein the light modulator is a spatial light modulator.
<67> The method for forming a permanent pattern according to <65>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).
<68> The permanent pattern forming method according to any one of the items <47> to <67>, wherein the picture element portion is a micromirror.
<69> From <47> to <47> further including conversion means for converting the pattern information so that the dimension of the predetermined portion of the pattern represented by the pattern information matches the dimension of the corresponding portion that can be realized by the designated used pixel part. 68>.

<70> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<47>から<69>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<70>に記載の永久パターン形成方法においては、前記光照射手段が2以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記感光性フィルムへの露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<71> 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記<47>から<70>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<71>に記載の永久パターン形成方法においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光性フィルムへの露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<70> The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <69>, wherein the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights. In the method for forming a permanent pattern according to <70>, since the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure to the photosensitive film is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.
<71> The light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that condenses the laser beams irradiated from the plurality of lasers and couples the laser beams to the multimode optical fiber. <47> to the permanent pattern forming method according to any one of <70>. In the method for forming a permanent pattern according to <71>, the light irradiating means is configured such that laser light emitted from each of the plurality of lasers is collected by the collective optical system and can be coupled to the multimode optical fiber. As a result, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure to the photosensitive film is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.

<72> 露光が行われた後、感光層の現像を行う前記<44>から<71>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<72>に記載の永久パターン形成方法においては、前記露光が行われた後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<73> 現像が行われた後、永久パターンの形成を行う前記<72>に記載の永久パターン形成方法である。
<74> 現像が行われた後、感光層に対して硬化処理を行う前記<73>に記載の永久パターン形成方法である。
<75> 硬化処理が、全面露光処理及び120〜200℃で行われる全面加熱処理の少なくともいずれかである前記<74>に記載の永久パターン形成方法である。
<72> The method for forming a permanent pattern according to any one of <44> to <71>, wherein the photosensitive layer is developed after the exposure. In the method for forming a permanent pattern according to <72>, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer after the exposure.
<73> The method for forming a permanent pattern according to <72>, wherein the permanent pattern is formed after the development.
<74> The method for forming a permanent pattern according to <73>, wherein after the development, the photosensitive layer is cured.
<75> The method for forming a permanent pattern according to <74>, wherein the curing treatment is at least one of a whole surface exposure treatment and a whole surface heat treatment performed at 120 to 200 ° C.

<76> 前記<44>から<75>のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されることを特徴とする永久パターンである。該<72>に記載の永久パターンは、前記パターン形成方法により形成されるので、優れた耐薬品性、表面硬度、耐熱性などを有し、かつ高精細であり、半導体や部品の多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの高密度実装に有用である。
<77> 保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかである前記<76>に記載のパターンである。該<77>に記載の永久パターンは、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかであるので、該膜の有する絶縁性、耐熱性などにより、配線が外部からの衝撃や曲げなどから保護される。
<76> A permanent pattern formed by the pattern forming method according to any one of <44> to <75>. Since the permanent pattern according to <72> is formed by the pattern forming method, it has excellent chemical resistance, surface hardness, heat resistance and the like, and has high definition, and is a multilayer wiring board for semiconductors and components. This is useful for high-density mounting on PCBs and build-up wiring boards.
<77> The pattern according to <76>, which is at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern. Since the permanent pattern according to <77> is at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern, due to the insulation and heat resistance of the film, the wiring may be subjected to an impact or bending from the outside. Protected from.

<78> 前記<44>から<77>のいずれかに記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板である。   <78> A printed circuit board wherein a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method according to any one of <44> to <77>.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、バインダー及び併用する熱架橋剤を規定することにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物及びその製造方法、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いた永久パターン形成方法、及び前記永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板を提供することができる。   According to the present invention, conventional problems can be solved, and by specifying a binder and a thermal crosslinking agent to be used in combination, the pot life is long, the tackiness, surface failure, surface shape, edge roughness are excellent, and high sensitivity And high-resolution, electroless gold plating resistance, via and through-hole embedding, and high-definition permanent patterns (such as protective films, interlayer insulating films, and solder resist patterns) can be efficiently formed. And the manufacturing method, the photosensitive film, the photosensitive laminated body, the permanent pattern formation method using the said photosensitive laminated body, and the printed circuit board by which a pattern is formed by the said permanent pattern formation method can be provided.

(感光性組成物)
本発明の感光性組成物は、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、顔料、及び熱架橋剤を含み、好ましくは熱硬化促進剤を含み、必要に応じて、その他の成分を含んでなる。
本発明の前記感光性組成物としては、含有される粒子の平均粒径が、2μm以下であることが必要であり、前記顔料、及び熱架橋剤は少なくとも分散されて用いられ、その平均粒径が2μm以下であることが必要であり、1μm以下がより好ましく、0.8μm以下が更に好ましく、0.6μm以下が特に好ましく、0.35μm以下が最も好ましい。該平均粒径が、2μmを超えると、感光層の平面性が悪くなり、タック性、感度、解像度などが低下し、形成されたパターン表面に欠陥を生じることがある。
本発明の前記感光性組成物としては、5μm以上の粗大粒子の含有量が、1%以下であることが好ましく、0.1%以下が好ましい。該5μm以上の粗大粒子の含有量が、1%を超えると、感光層の平面性が悪く、タック性、感度、解像度などが低下し、形成されたパターン表面に欠陥を生じることがある。
前記粗大粒子の含有量としては、更に、2μm以上の粗大粒子の含有量が、1%以下であることが好ましく、1μm以上の粗大粒子の含有量が、1%以下であることがより好ましい。特に、1μm以上の粗大粒子の含有量が、0.1%以下であることが好ましい。
(Photosensitive composition)
The photosensitive composition of the present invention contains a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a pigment, and a thermal crosslinking agent, preferably contains a thermosetting accelerator, and optionally contains other components. .
As the photosensitive composition of the present invention, it is necessary that the average particle size of the contained particles is 2 μm or less, and the pigment and the thermal cross-linking agent are used at least dispersed, and the average particle size thereof Needs to be 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.8 μm or less, particularly preferably 0.6 μm or less, and most preferably 0.35 μm or less. When the average particle diameter exceeds 2 μm, the planarity of the photosensitive layer is deteriorated, tackiness, sensitivity, resolution and the like are lowered, and a defect may be generated on the formed pattern surface.
In the photosensitive composition of the present invention, the content of coarse particles of 5 μm or more is preferably 1% or less, and preferably 0.1% or less. When the content of coarse particles of 5 μm or more exceeds 1%, the planarity of the photosensitive layer is poor, tackiness, sensitivity, resolution and the like are lowered, and defects may be generated on the formed pattern surface.
As the content of the coarse particles, the content of coarse particles of 2 μm or more is preferably 1% or less, and the content of coarse particles of 1 μm or more is more preferably 1% or less. In particular, the content of coarse particles of 1 μm or more is preferably 0.1% or less.

〔顔料〕
前記顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機顔料(体質顔料)、有機顔料などが挙げられる。該有機顔料としては、着色顔料、有機架橋性微粒子、などが挙げられる。
なお、分散前の原料としての顔料の平均粒径としては、特に制限はなく、分散前に適度に砕いたり、あらかじめ数μm〜10μm程度に微粒化したものを使用しても良い。
[Pigment]
There is no restriction | limiting in particular as said pigment, According to the objective, it can select suitably, For example, an inorganic pigment (extreme pigment), an organic pigment, etc. are mentioned. Examples of the organic pigment include colored pigments and organic crosslinkable fine particles.
In addition, there is no restriction | limiting in particular as an average particle diameter of the pigment as a raw material before dispersion | distribution, You may use what was crushed moderately before dispersion | distribution or atomized to about several micrometers-about 10 micrometers previously.

<無機顔料(体質顔料)>
前記無機顔料は、永久パターンの表面硬度の向上、あるいは線膨張係数を低く抑えること、あるいは、硬化膜自体の誘電率や誘電正接を低く抑えることを目的として添加される。また、有機微粒子を添加することもできる。
前記無機顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
前記有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、吸油量100〜200m/g程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
<Inorganic pigment (external pigment)>
The inorganic pigment is added for the purpose of improving the surface hardness of the permanent pattern, suppressing the linear expansion coefficient, or suppressing the dielectric constant or dielectric loss tangent of the cured film itself. Organic fine particles can also be added.
The inorganic pigment is not particularly limited and may be appropriately selected from known ones. For example, kaolin, barium sulfate, barium titanate, silicon oxide powder, finely divided silicon oxide, vapor phase method silica, amorphous Examples thereof include silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica.
There is no restriction | limiting in particular as said organic fine particle, According to the objective, it can select suitably, For example, a melamine resin, a benzoguanamine resin, a crosslinked polystyrene resin etc. are mentioned. Further, silica having an oil absorption of about 100 to 200 m 2 / g, spherical porous fine particles made of a crosslinked resin, and the like can be used.

前記体質顔料の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量としては、5〜60質量%が好ましい。該添加量が、5質量%未満であると、十分に線膨張係数を低下させることができないことがあり、60質量%を超えると、感光層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、永久パターンを用いて配線を形成する場合において、配線の保護膜としての機能が損なわれることがある。   As solid content in the said photosensitive composition solid content of the said extender, 5-60 mass% is preferable. When the addition amount is less than 5% by mass, the linear expansion coefficient may not be sufficiently reduced. When the addition amount exceeds 60% by mass, the cured film is formed when a cured film is formed on the surface of the photosensitive layer. When the wiring is formed using a permanent pattern, the function as a protective film for the wiring may be impaired.

<着色顔料>
前記着色顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビクトリア・ピュアーブルーBO(C.I.42595)、オーラミン(C.I.41000)、ファット・ブラックHB(C.I.26150)、モノライト・エローGT(C.I.ピグメント・エロー12)、パーマネント・エローGR(C.I.ピグメント・エロー17)、パーマネント・エローHR(C.I.ピグメント・エロー83)、C.I.ピグメント・エロー110、C.I.ピグメント・エロー154、C.I.ピグメント・エロー185、パーマネント・カーミンFBB(C.I.ピグメント・レッド146)、ホスターバームレッドESB(C.I.ピグメント・バイオレット19)、パーマネント・ルビーFBH(C.I.ピグメント・レッド11)ファステル・ピンクBスプラ(C.I.ピグメント・レッド81)モナストラル・ファースト・ブルー(C.I.ピグメント・ブルー15)、モノライト・ファースト・ブラックB(C.I.ピグメント・ブラック1)、カーボン、C.I.ピグメント・レッド97、C.I.ピグメント・レッド122、C.I.ピグメント・レッド149、C.I.ピグメント・レッド168、C.I.ピグメント・レッド177、C.I.ピグメント・レッド180、C.I.ピグメント・レッド192、C.I.ピグメント・レッド215、C.I.ピグメント・グリーン7、C.I.ピグメント・グリーン36、C.I.ピグメント・ブルー15:1、C.I.ピグメント・ブルー15:3、C.I.ピグメント・ブルー15:4、C.I.ピグメント・ブルー15:6、C.I.ピグメント・ブルー22、C.I.ピグメント・ブルー60、C.I.ピグメント・ブルー64などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、必要に応じて、公知の染料の中から、適宜選択した染料を使用することができる。
<Coloring pigment>
There is no restriction | limiting in particular as said coloring pigment, According to the objective, it can select suitably, For example, Victoria pure blue BO (CI. 42595), auramine (CI. 41000), fat black HB (CI. 26150), Monolite Yellow GT (CI Pigment Yellow 12), Permanent Yellow GR (CI Pigment Yellow 17), Permanent Yellow HR (CI Pigment Yellow HR). Yellow 83), C.I. I. Pigment yellow 110, C.I. I. Pigment yellow 154, C.I. I. Pigment Yellow 185, Permanent Carmine FBB (CI Pigment Red 146), Hoster Balm Red ESB (CI Pigment Violet 19), Permanent Ruby FBH (CI Pigment Red 11) Fastel・ Pink B Supra (CI Pigment Red 81) Monastral First Blue (CI Pigment Blue 15), Monolite First Black B (CI Pigment Black 1), Carbon, C. I. Pigment red 97, C.I. I. Pigment red 122, C.I. I. Pigment red 149, C.I. I. Pigment red 168, C.I. I. Pigment red 177, C.I. I. Pigment red 180, C.I. I. Pigment red 192, C.I. I. Pigment red 215, C.I. I. Pigment green 7, C.I. I. Pigment green 36, C.I. I. Pigment blue 15: 1, C.I. I. Pigment blue 15: 3, C.I. I. Pigment blue 15: 4, C.I. I. Pigment blue 15: 6, C.I. I. Pigment blue 22, C.I. I. Pigment blue 60, C.I. I. Pigment blue 64 and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the dye suitably selected from well-known dye can be used as needed.

前記着色顔料の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量としては、永久パターン形成の際の感光層の露光感度、解像性などを考慮して決めることができ、前記着色顔料の種類により異なるが、一般的には0.01〜10質量%が好ましく、0.05〜5質量%がより好ましい。   The solid content of the color pigment in the solid content of the photosensitive composition can be determined in consideration of exposure sensitivity, resolution, etc. of the photosensitive layer during permanent pattern formation. Generally, 0.01 to 10% by mass is preferable, and 0.05 to 5% by mass is more preferable.

〔熱架橋剤〕
前記熱架橋剤としては、融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物や軟化点70℃以上のエポキシ化合物が好ましく、更に、融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物が好ましく、特に融点80℃以上の結晶性エポキシ化合物が好ましい。更に必要に応じて、低融点エポキシ化合物、液状エポキシ化合物、低軟化点を有するエポキシ化合物など、その他の熱架橋剤を併用してもよい。
(Thermal crosslinking agent)
The thermal crosslinking agent is preferably a crystalline epoxy compound having a melting point of 60 ° C. or higher or an epoxy compound having a softening point of 70 ° C. or higher, more preferably a crystalline epoxy compound having a melting point of 60 ° C. or higher. Epoxy compounds are preferred. Furthermore, you may use together other thermal crosslinking agents, such as a low melting point epoxy compound, a liquid epoxy compound, and the epoxy compound which has a low softening point, as needed.

<融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物>
融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物としては、具体的には、大日本インキ化学工業社製のエピクロンEXA−7035(融点127℃)、ジャパンエポキシレジン製のYX4000(融点105℃)などのビキシレノール型エポキシ化合物、日本化薬社製のGTR-1800(融点165〜175℃)などのテトラフェノール型エポキシ化合物、日産化学工業社製のTEPIC(90〜100℃)、東都化成社製のYDC−1312(融点138〜145℃)、YSLV−80XY(融点75〜85℃)、YSLV−120TE(融点115〜125℃)などのビスフェノール型エポキシ化合物、YSLV−90CR(融点85〜95℃)、ナガセケムテックスのEXシリーズ(EX−1010、融点60〜169℃)などのフルオレン型エポキシ化合物、などが好適に挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Crystalline epoxy compound with a melting point of 60 ° C. or higher>
Specific examples of crystalline epoxy compounds having a melting point of 60 ° C. or higher include bixylenols such as Epicron EXA-7035 (melting point 127 ° C.) manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, and YX4000 (melting point 105 ° C.) manufactured by Japan Epoxy Resin. Type epoxy compound, tetraphenol type epoxy compound such as GTR-1800 (melting point: 165 to 175 ° C.) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., TEPIC (90 to 100 ° C.) manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., YDC-1312 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. (Melting point: 138-145 ° C.), YSLV-80XY (melting point: 75-85 ° C.), YSLV-120TE (melting point: 115-125 ° C.) and other bisphenol type epoxy compounds, YSLV-90CR (melting point: 85-95 ° C.), Nagase Chemtex Fluorene type such as EX series (EX-1010, melting point 60-169 ° C) An epoxy compound etc. are mentioned suitably. These may be used alone or in combination of two or more.

融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物の前記感光性組成物中の固形分含有量としては、1〜40質量%が好ましく、2〜30質量%がより好ましい。該固形分含有量が、1質量%未満であると、硬化膜の吸湿性が高くなり絶縁性の劣化を生じたり、基板との密着性が悪化しめっき性が悪化したりすることがあり、40質量%を超えると、現像性の悪化や露光感度の低下が生ずることがある。   As solid content in the said photosensitive composition of the crystalline epoxy compound of melting | fusing point 60 degreeC or more, 1-40 mass% is preferable, and 2-30 mass% is more preferable. When the solid content is less than 1% by mass, the hygroscopicity of the cured film is increased, resulting in deterioration of the insulating property, the adhesiveness with the substrate may be deteriorated, and the plating property may be deteriorated. When it exceeds 40 mass%, developability may deteriorate and exposure sensitivity may decrease.

<その他の熱架橋剤>
前記融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物と併用可能なその他の熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、金メッキ耐性の観点から、アルカリ不溶性であることが好ましい。前記化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性組成物を用いて形成される感光層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性等に悪影響を与えない範囲で、例えば、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される2種以上を用いることができる。
<Other thermal crosslinking agents>
The other thermal crosslinking agent that can be used in combination with the crystalline epoxy compound having a melting point of 60 ° C. or higher is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. From the viewpoint of gold plating resistance, it may be insoluble in alkali. preferable. The compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. In order to improve the film strength after curing of the photosensitive layer formed using the photosensitive composition, it is suitable for developability and the like. For example, two or more selected from epoxy compounds, oxetane compounds, polyisocyanate compounds, compounds obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and melamine derivatives can be used as long as no adverse effects are exerted.

前記エポキシ化合物としては、例えば、1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも1分子中に2つ含むエポキシ化合物などが挙げられる。   Examples of the epoxy compound include an epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an epoxy compound having at least two epoxy groups having an alkyl group at the β-position in one molecule.

前記1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂(例えば低臭素化エポキシ樹脂、高ハロゲン化エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂など)、アリル基含有ビスフェノールA型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジフェニルジメタノール型エポキシ樹脂、フェノールビフェニレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業(株)製」等)、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジグリシジルアニリン、トリグリシジルアミノフェノール等)、グリジジルエステル型エポキシ樹脂(アジピン酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等)ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ジシクロペンタジエンジエポキシド、「GT−300、GT−400、ZEHPE3150;ダイセル化学工業製」等、)、イミド型脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、市販品としては「ESN−190、ESN−360;新日鉄化学(株)製」、「HP−4032、EXA−4750、EXA−4700;大日本インキ化学工業(株)製」等)、フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物、4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの、線状含リン構造を有するエポキシ樹脂、環状含リン構造を有するエポキシ樹脂、α−メチルスチルベン型液晶エポキシ樹脂、ジベンゾイルオキシベンゼン型液晶エポキシ樹脂、アゾフェニル型液晶エポキシ樹脂、アゾメチンフェニル型液晶エポキシ樹脂、ビナフチル型液晶エポキシ樹脂、アジン型エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S、CP−50M;日本油脂(株)製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule include bisphenol A type epoxy resin, novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, Cresol novolac type epoxy resin, halogenated epoxy resin (for example, low brominated epoxy resin, high halogenated epoxy resin, brominated phenol novolac type epoxy resin, etc.), allyl group-containing bisphenol A type epoxy resin, trisphenolmethane type epoxy resin, Diphenyldimethanol type epoxy resin, phenol biphenylene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.") ), Glycidylamine type epoxy resin (diaminodiphenylmethane type epoxy resin, diglycidylaniline, triglycidylaminophenol, etc.), glycidyl ester type epoxy resin (adipic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl) Ester etc.) Hydantoin type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin (3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, dicyclopentadiene diepoxide , “GT-300, GT-400, ZEHPE3150; manufactured by Daicel Chemical Industries”, etc.), imide type alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol Ru-A novolac type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, naphthalene group-containing epoxy resin (naphthol aralkyl type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, commercially available products such as “ESN-190, ESN-360; "Chemical Co., Ltd.", "HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd."), phenol compounds and diolefin compounds such as divinylbenzene and dicyclopentadiene Reaction product of polyphenol compound obtained by reaction and epichlorohydrin, ring-opening polymer of 4-vinylcyclohexene-1-oxide epoxidized with peracetic acid, epoxy resin having linear phosphorus-containing structure, cyclic phosphorus-containing An epoxy resin having a structure, α-methylstilbene type liquid crystal epoxy resin, dibenzoyloxybenzene type liquid crystal epoxy resin, azophenyl type liquid crystal epoxy resin, azomethine phenyl type liquid crystal epoxy resin, binaphthyl type liquid crystal epoxy resin, azine type epoxy resin, glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin (“CP-50S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation”, etc.), copolymerized epoxy resins of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate, bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resins, and the like. It is not limited to. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

また、1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有する前記エポキシ化合物以外に、β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも1分子中に2つ含むエポキシ化合物を用いることができ、β位がアルキル基で置換されたエポキシ基(より具体的には、β−アルキル置換グリシジル基など)を含む化合物が特に好ましい。
前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも含むエポキシ化合物は、1分子中に含まれる2個以上のエポキシ基のすべてがβ−アルキル置換グリシジル基であってもよく、少なくとも1個のエポキシ基がβ−アルキル置換グリシジル基であってもよい。
In addition to the epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule, an epoxy compound containing at least two epoxy groups having an alkyl group at the β-position can be used, and the β-position is an alkyl group. Particularly preferred are compounds containing an epoxy group (more specifically, a β-alkyl-substituted glycidyl group or the like) substituted with.
In the epoxy compound containing at least an epoxy group having an alkyl group at the β-position, all of two or more epoxy groups contained in one molecule may be a β-alkyl-substituted glycidyl group, and at least one epoxy group May be a β-alkyl-substituted glycidyl group.

前記β−アルキル置換グリシジル基としては、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルグリシジル基、β−エチルグリシジル基、β−プロピルグリシジル基、β−ブチルグリシジル基、などが挙げられ、これらの中でも、前記感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させる観点、及び合成の容易性の観点から、β−メチルグリシジル基が好ましい。   The β-alkyl-substituted glycidyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include β-methylglycidyl group, β-ethylglycidyl group, β-propylglycidyl group, β-butylglycidyl group. Among these, a β-methylglycidyl group is preferred from the viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition and the ease of synthesis.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、多価フェノール化合物とβ−アルキルエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ化合物が好ましい。   As the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position, for example, an epoxy compound derived from a polyhydric phenol compound and a β-alkylepihalohydrin is preferable.

前記β−アルキルエピハロヒドリンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルエピクロロヒドリン、β−メチルエピブロモヒドリン、β−メチルエピフロロヒドリン等のβ−メチルエピハロヒドリン;β−エチルエピクロロヒドリン、β−エチルエピブロモヒドリン、β−エチルエピフロロヒドリン等のβ−エチルエピハロヒドリン;β−プロピルエピクロロヒドリン、β−プロピルエピブロモヒドリン、β−プロピルエピフロロヒドリン等のβ−プロピルエピハロヒドリン;β−ブチルエピクロロヒドリン、β−ブチルエピブロモヒドリン、β−ブチルエピフロロヒドリン等のβ−ブチルエピハロヒドリン;などが挙げられる。これらの中でも、前記多価フェノールとの反応性及び流動性の観点から、β−メチルエピハロヒドリンが好ましい。   The β-alkylepihalohydrin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, β-methylepichlorohydrin, β-methylepibromohydrin, β-methylepifluorohydrin, etc. Β-methyl epihalohydrin, β-ethyl epichlorohydrin, β-ethyl epibromohydrin, β-ethyl epihalohydrin, such as β-ethyl epihalohydrin, β-propyl epichlorohydrin, β-propyl epibromohydrin Β-propyl epihalohydrin such as phosphorus and β-propyl epifluorohydrin; β-butyl epihalohydrin such as β-butyl epichlorohydrin, β-butyl epibromohydrin, β-butyl epifluorohydrin; . Among these, β-methylepihalohydrin is preferable from the viewpoint of reactivity with the polyhydric phenol and fluidity.

前記多価フェノール化合物としては、1分子中に2以上の芳香族性水酸基を含有する化合物であれば、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール等のビフェノール化合物、ジヒドロキシナフタレン、ビナフトール等のナフトール化合物、フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物等のフェノールノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物、フェノールと炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノールとホルムアルデヒドとの共重縮合物、フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物などが挙げられる。これらの中でも、例えば、流動性及び保存安定性を向上させる目的で選択する場合には、前記ビスフェノール化合物が好ましい。   The polyhydric phenol compound is not particularly limited as long as it is a compound containing two or more aromatic hydroxyl groups in one molecule, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, bisphenol A, bisphenol F Bisphenol compounds such as biphenols, biphenol compounds such as tetramethylbiphenol, naphthol compounds such as dihydroxynaphthalene and binaphthol, phenol novolac resins such as phenol-formaldehyde polycondensates, and C 1-10 carbon atoms such as cresol-formaldehyde polycondensates Bialkyl such as monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, xylenol-formaldehyde polycondensate, etc., dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, bisphenol A-formaldehyde polycondensate, etc. Phenolic compounds - formaldehyde polycondensates, phenol and copolycondensates of monoalkyl-substituted phenol and formaldehyde having 1 to 10 carbon atoms, and phenolic compounds and polyaddition products of divinylbenzene. Among these, when selecting for the purpose of improving fluidity | liquidity and storage stability, the said bisphenol compound is preferable, for example.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ジヒドロキシナフタレンのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビナフトールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のナフトール化合物のβ−アルキルグリシジルエーテル;フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;などが挙げられる。
これらの中でも、下記構造式(i)で表されるビスフェノール化合物、及びこれとエピクロロヒドリンなどから得られる重合体から誘導されるβ−アルキルグリシジルエーテル、及び下記構造式(ii)で表されるフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテルが好ましい。
ただし、前記構造式(i)中、Rは、水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、nは、0〜20の整数を表す。
ただし、前記構造式(ii)中、Rは、水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、R”は、水素原子、及びCHのいずれかを表し、nは、0〜20の整数を表す。
これらβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、及びβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物を併用することも可能である。
Examples of the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position include di-β-alkyl bisphenol compounds such as di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A and di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol F. Di-β-alkyl glycidyl ether of biphenol such as di-β-alkyl glycidyl ether of biphenol, di-β-alkyl glycidyl ether of tetramethylbiphenol; di-β-alkyl glycidyl ether of dihydroxynaphthalene, binaphthol Β-alkyl glycidyl ethers of naphthol compounds such as di-β-alkyl glycidyl ethers; poly-β-alkyl glycidyl ethers of phenol-formaldehyde polycondensates; cresol-formal C1-C10 monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ethers such as polyhydric polycondensates of dehydride polycondensates; poly-β-alkyls of xylenol-formaldehyde polycondensates Poly-β-alkyl glycidyl ethers of C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensates such as glycidyl ether; bisphenol compounds such as poly-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A-formaldehyde polycondensate-formaldehyde polycondensation Poly-β-alkyl glycidyl ether of a product; poly-β-alkyl glycidyl ether of a polyaddition product of a phenol compound and divinylbenzene;
Among these, a bisphenol compound represented by the following structural formula (i), a β-alkyl glycidyl ether derived from a polymer obtained from the bisphenol compound and epichlorohydrin, and the following structural formula (ii) Phenol compound-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether is preferred.
However, in said structural formula (i), R represents either a hydrogen atom or a C1-C6 alkyl group, and n represents the integer of 0-20.
In the Structural Formula (ii), R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R "represents any one of hydrogen atom, and CH 3, n is 0 Represents an integer of ~ 20.
These epoxy compounds containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position may be used alone or in combination of two or more. It is also possible to use an epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position.

更に、前記エポキシ化合物としては、特開2005−182004号公報〔0037〕に記載の市販品及びその混合物も、好適に用いることができる。   Furthermore, as the epoxy compound, commercially available products and mixtures thereof described in JP-A-2005-182004 [0037] can be suitably used.

前記オキセタン化合物としては、例えば、1分子内に少なくとも2つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物が挙げられる。
具体的には、例えば、ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、1,4−ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体等の多官能オキセタン類の他、オキセタン基を有する化合物と、ノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサン等の水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体なども挙げられる。
Examples of the oxetane compound include oxetane compounds having at least two oxetanyl groups in one molecule.
Specifically, for example, bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [(3-methyl- 3-Oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) In addition to polyfunctional oxetanes such as methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate or oligomers or copolymers thereof, compounds having an oxetane group; Novolac resin, poly (p-hydroxystyrene), cardo type bisphenol , Calixarenes, calixresorcinarenes, and ether compounds such as silsesquioxane and other hydroxyl group-containing resins. In addition to these, an unsaturated monomer having an oxetane ring and an alkyl (meth) acrylate A polymer etc. are also mentioned.

また、前記ポリイソシアネート化合物としては、特開平5−9407号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物は、少なくとも2つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。具体的には、2官能イソシアネート(例えば、1,3−フェニレンジイソシアネートと1,4−フェニレンジイソシアネートとの混合物、2,4−及び2,6−トルエンジイソシアネート、1,3−及び1,4−キシリレンジイソシアネート、ビス(4−イソシアネート−フェニル)メタン、ビス(4−イソシアネートシクロヘキシル)メタン、イソフォロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等)、該2官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリン等との多官能アルコール;該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記2官能イソシアネートとの付加体;ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート及びその誘導体等の環式三量体;などが挙げられる。   Moreover, as the polyisocyanate compound, a polyisocyanate compound described in JP-A-5-9407 can be used, and the polyisocyanate compound is an aliphatic, cycloaliphatic or aromatic group containing at least two isocyanate groups. It may be derived from a group-substituted aliphatic compound. Specifically, bifunctional isocyanate (for example, a mixture of 1,3-phenylene diisocyanate and 1,4-phenylene diisocyanate, 2,4- and 2,6-toluene diisocyanate, 1,3- and 1,4-xylylene). Diisocyanate, bis (4-isocyanate-phenyl) methane, bis (4-isocyanatocyclohexyl) methane, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, etc.), the bifunctional isocyanate, trimethylolpropane, pentalithol tol Polyfunctional alcohols such as glycerin; alkylene oxide adducts of the polyfunctional alcohols and adducts of the bifunctional isocyanates; hexamethylene diisocyanate, hexamethylene-1,6-di Isocyanate and cyclic trimers thereof derivatives; and the like.

前記ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、すなわちポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物における、ソシアネート基ブロック剤としては、アルコール類(例えば、イソプロパノール、tert−ブタノール等)、ラクタム類(例えば、ε−カプロラクタム等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、p−tert−ブチルフェノール、p−sec−ブチルフェノール、p−sec−アミルフェノール、p−オクチルフェノール、p−ノニルフェノール等)、複素環式ヒドロキシル化合物(例えば、3−ヒドロキシピリジン、8−ヒドロキシキノリン等)、活性メチレン化合物(例えば、ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等)などが挙げられる。これらの他、特開平6−295060号公報記載の分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合及び少なくとも1つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。   As a socyanate group blocking agent in a compound obtained by reacting a blocking agent with the polyisocyanate compound, that is, a compound obtained by reacting a blocking agent with an isocyanate group of polyisocyanate and its derivatives, alcohols (for example, isopropanol, tert-butanol etc.), lactams (eg ε-caprolactam etc.), phenols (eg phenol, cresol, p-tert-butylphenol, p-sec-butylphenol, p-sec-amylphenol, p-octylphenol, p -Nonylphenol, etc.), heterocyclic hydroxyl compounds (eg, 3-hydroxypyridine, 8-hydroxyquinoline, etc.), active methylene compounds (eg, dialkyl malonate, methyl ethyl ketoxime) Acetylacetone, alkyl acetoacetate oxime, acetoxime, cyclohexanone oxime, etc.) and the like. In addition to these, compounds having at least one polymerizable double bond and at least one blocked isocyanate group in the molecule described in JP-A-6-295060 can be used.

前記メラミン誘導体としては、例えば、メチロールメラミン、アルキル化メチロールメラミン(メチロール基を、メチル、エチル、ブチルなどでエーテル化した化合物)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、保存安定性が良好で、感光層の表面硬度あるいは硬化膜の膜強度自体の向上に有効である点で、アルキル化メチロールメラミンが好ましく、ヘキサメチル化メチロールメラミンが特に好ましい。   Examples of the melamine derivative include methylol melamine, alkylated methylol melamine (a compound obtained by etherifying a methylol group with methyl, ethyl, butyl, or the like). These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, alkylated methylol melamine is preferable and hexamethylated methylol melamine is particularly preferable in that it has good storage stability and is effective in improving the surface hardness of the photosensitive layer or the film strength itself of the cured film.

前記熱架橋剤を組み合わせて使用する場合は、例えば、2官能の化合物同士の組み合わせ、2官能の化合物と3官能以上の化合物との組み合わせ、単官能の化合物と多官能の化合物との組み合わせが挙げられる。これらの中でも、2官能の化合物同士の組み合わせ、2官能の化合物と3官能以上の化合物との組み合わせが特に好ましい。   When the thermal crosslinking agent is used in combination, for example, a combination of bifunctional compounds, a combination of a bifunctional compound and a trifunctional or higher compound, a combination of a monofunctional compound and a polyfunctional compound can be mentioned. It is done. Among these, the combination of bifunctional compounds and the combination of a bifunctional compound and a trifunctional or higher compound are particularly preferable.

前記熱架橋剤のエポキシ当量としては、90〜9,000g/eq.が好ましく、100〜5,000g/eq.がより好ましく、120〜3,000g/eq.が特に好ましい。なお、エポキシ当量は、JIS K 7236に基づいて測定することができる。   The epoxy equivalent of the thermal crosslinking agent is 90 to 9,000 g / eq. Is preferable, and 100 to 5,000 g / eq. Is more preferable, and 120-3,000 g / eq. Is particularly preferred. In addition, an epoxy equivalent can be measured based on JISK7236.

前記融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物を含む熱架橋剤の前記感光性組成物中の固形分含有量としては、1〜50質量%が好ましく、2〜30質量%がより好ましい。該固形分含有量が1質量%未満であると、硬化膜の膜強度の向上が認められず、50質量%を超えると、現像性の低下や露光感度の低下を生ずることがある。   As solid content in the said photosensitive composition of the thermal crosslinking agent containing the crystalline epoxy compound whose melting | fusing point is 60 degreeC or more, 1-50 mass% is preferable, and 2-30 mass% is more preferable. When the solid content is less than 1% by mass, improvement in the film strength of the cured film is not recognized, and when it exceeds 50% by mass, developability and exposure sensitivity may be deteriorated.

〔熱硬化促進剤〕
前記熱架橋剤としてのエポキシ化合物や前記オキセタン化合物の熱硬化を促進するため、熱硬化促進剤として、例えば、アミン化合物(例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等)、4級アンモニウム塩化合物(例えば、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等)、ブロックイソシアネート化合物(例えば、ジメチルアミン等)、イミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩(例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等)、リン化合物(例えば、トリフェニルホスフィン等)、グアナミン化合物(例えば、メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等)、S−トリアジン誘導体(例えば、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等)などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。
前記エポキシ化合物、前記オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な熱硬化促進剤の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、通常0.01〜15質量%である。
[Thermosetting accelerator]
In order to accelerate the thermal curing of the epoxy compound or the oxetane compound as the thermal crosslinking agent, for example, an amine compound (for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N- Dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, etc.), quaternary ammonium salt compounds (eg, triethylbenzylammonium chloride, etc.), blocked isocyanate compounds (eg, , Dimethylamine, etc.), imidazole derivative bicyclic amidine compounds and salts thereof (for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, -Cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, etc.), phosphorus compounds (eg triphenylphosphine etc.), guanamine compounds (eg melamine, guanamine, acetoguanamine, Benzoguanamine etc.), S-triazine derivatives (for example, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino -S-triazine / isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct, etc.) can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin compound or the oxetane compound is a curing catalyst, or any compound that can accelerate the reaction between the epoxy resin compound and the oxetane compound and a carboxyl group. May be.
Solid content in the said photosensitive composition solid content of the said epoxy compound, the said oxetane compound, and the thermosetting accelerator which can accelerate | stimulate thermosetting with these and carboxylic acid is 0.01-15 mass% normally. is there.

〔バインダー〕
前記バインダーとしては、酸性基とエチレン性不飽和結合を側鎖に含む高分子化合物、エポキシアクリレート化合物、などが好適に用いられ、これらの中でも、酸性基とエチレン性不飽和結合を側鎖に含む高分子化合物が特に好適に用いられる。
<酸性基とエチレン性不飽和結合を側鎖に含む高分子化合物>
前記酸性基としては、例えば、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基等が挙げられるが、原料入手の点からカルボキシル基が好ましい。
前記バインダーとしては、水に不溶で、かつ、アルカリ性水溶液により膨潤あるいは溶解する化合物が好ましい。
また、前記バインダーとしては、分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合、例えば、(メタ)アクリレート基又は(メタ)アクリルアミド基等のアクリル基、カルボン酸のビニルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル等の各種重合性二重結合を用いることができる。より具体的には、酸性基としてカルボキシル基を含有するアクリル樹脂に、環状エーテル基含有重合性化合物、たとえばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、桂皮酸等の不飽和脂肪酸のグリシジルエステルや、脂環式エポキシ基(たとえば同一分子中にシクロヘキセンオキシド等のエポキシ基)と(メタ)アクリロイル基を有する化合物等のエポキシ基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物などが挙げられる。また、酸性基及び水酸基を含有するアクリル樹脂に、イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物、無水物基を含有するアクリル樹脂に、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の水酸基を含有する重合性化合物を付加させて得られる化合物なども挙げられる。また、グリシジルメタクリレートなどの環状エーテル基含有重合性化合物と(メタ)アクリロイルアルキルエステルなどのビニルモノマーを共重合し、側鎖のエポキシ基に(メタ)アクリル酸を付加させて得られる化合物なども挙げられる。
これらの具体例としては、特許2763775号公報、特開平3−172301号公報、特開2000−232264号公報に記載の化合物などが挙げられる。
〔binder〕
As the binder, a polymer compound containing an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in the side chain, an epoxy acrylate compound, or the like is preferably used, and among these, an acidic group and an ethylenically unsaturated bond are included in the side chain. A polymer compound is particularly preferably used.
<Polymer compound containing acidic group and ethylenically unsaturated bond in side chain>
Examples of the acidic group include a carboxyl group, a phosphoric acid group, and a sulfonic acid group, and a carboxyl group is preferable from the viewpoint of obtaining raw materials.
The binder is preferably a compound that is insoluble in water and swells or dissolves in an alkaline aqueous solution.
In addition, as the binder, at least one polymerizable double bond in the molecule, for example, an acrylic group such as a (meth) acrylate group or a (meth) acrylamide group, a vinyl ester of carboxylic acid, a vinyl ether, an allyl ether, etc. Various polymerizable double bonds can be used. More specifically, an acrylic resin containing a carboxyl group as an acidic group, a cyclic ether group-containing polymerizable compound such as a glycidyl ester of an unsaturated fatty acid such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, cinnamic acid, or an alicyclic epoxy group. Examples include compounds obtained by adding an epoxy group-containing polymerizable compound such as a compound having a (meth) acryloyl group (for example, an epoxy group such as cyclohexene oxide in the same molecule). In addition, a compound obtained by adding an isocyanate group-containing polymerizable compound such as isocyanate ethyl (meth) acrylate to an acrylic resin containing an acidic group and a hydroxyl group, an acrylic resin containing an anhydride group, a hydroxyalkyl ( Examples thereof include compounds obtained by adding a polymerizable compound containing a hydroxyl group such as (meth) acrylate. Also included are compounds obtained by copolymerizing a cyclic ether group-containing polymerizable compound such as glycidyl methacrylate and a vinyl monomer such as (meth) acryloyl alkyl ester and adding (meth) acrylic acid to the side chain epoxy group. It is done.
Specific examples thereof include compounds described in Japanese Patent No. 2762775, Japanese Patent Laid-Open No. 3-172301, and Japanese Patent Laid-Open No. 2000-232264.

これらの中で、前記バインダーが、高分子化合物の酸性基の一部に環状エーテル基(たとえばエポキシ基、オキセタン基を部分構造に有する基)含有重合性化合物を付加させたもの、および高分子化合物の環状エーテル基の一部または全部にカルボキシル基含有重合性化合物を付加させたもののいずれかから選択された高分子化合物であることが、さらに好ましい。この際、酸性基と環状エーテル基を有する化合物との付加反応は触媒存在下で実施するのが好ましく、特に、その触媒が酸性化合物および中性化合物から選択されるものであることが好ましい。
その中でも、感光性組成物の経時での現像安定性の点から、バインダーは側鎖に、カルボキシル基とヘテロ環を含んでもよい芳香族基及び側鎖にエチレン性不飽和結合を含む高分子化合物が好ましい。
Among these, the binder is obtained by adding a cyclic ether group (for example, a group having an epoxy group or an oxetane group in a partial structure) -containing polymerizable compound to a part of the acidic group of the polymer compound, and the polymer compound More preferably, the polymer is selected from any of those obtained by adding a carboxyl group-containing polymerizable compound to a part or all of the cyclic ether group. In this case, the addition reaction between the acidic group and the compound having a cyclic ether group is preferably carried out in the presence of a catalyst. In particular, the catalyst is preferably selected from an acidic compound and a neutral compound.
Among them, from the viewpoint of development stability of the photosensitive composition over time, the binder is a polymer compound containing an aromatic group which may contain a carboxyl group and a heterocycle in the side chain, and an ethylenically unsaturated bond in the side chain. Is preferred.

−ヘテロ環を含んでもよい芳香族基−
前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基(以下、単に「芳香族基」と称することもある。)としては、例えば、ベンゼン環、2個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものをなどが挙げられる。
前記芳香族基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基などが挙げられる。これらの中では、炭化水素芳香族基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
-Aromatic group which may contain a heterocycle-
Examples of the aromatic group that may contain the heterocycle (hereinafter, also simply referred to as “aromatic group”) include, for example, a benzene ring, a group in which 2 to 3 benzene rings form a condensed ring, Examples include those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring.
Specific examples of the aromatic group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, indenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, benzopyrrole ring group, benzofuran ring group, benzothiophene ring group, pyrazole ring group, isoxazole. Ring group, isothiazole ring group, indazole ring group, benzisoxazole ring group, benzisothiazole ring group, imidazole ring group, oxazole ring group, thiazole ring group, benzimidazole ring group, benzoxazole ring group, benzothiazole ring Group, pyridine ring group, quinoline ring group, isoquinoline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinazoline ring group, quinoxaline ring group, acylidine ring group, phenanthridine ring group, carbazole ring Group, purine ring group, pyran ring group, Lysine ring group, a piperazine ring group, an indole ring group, an indolizine ring group, a chromene ring group, a cinnoline ring group, an acridine ring group, a phenothiazine ring group, a tetrazole ring group, such as a triazine ring group. In these, a hydrocarbon aromatic group is preferable and a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.

前記芳香族基は、置換基を有していてもよく、前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有してもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、などが挙げられる。   The aromatic group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an amino group which may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, A thioether group, a silyl group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, and the like, each of which may have a substituent, are exemplified.

前記アルキル基としては、例えば、炭素原子数が1から20までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基などが挙げられる。
前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基などが挙げられる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状のアルキル基、炭素原子数3から12までの分岐状のアルキル基、炭素原子数5から10までの環状のアルキル基が好ましい。
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, branched alkyl groups, and cyclic alkyl groups.
Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, hexadecyl group. , Octadecyl group, eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group , Cyclopentyl group, 2-norbornyl group and the like. Among these, a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkyl group having 5 to 10 carbon atoms are preferable.

前記アルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィイナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基(−PO)及びその共役塩基基(ホスホナト基と称す)、ジアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))(以下、「alkyl」はアルキル基を意味する。)、ジアリールホスホノ基(−PO(aryl))(以下、「aryl」はアリール基を意味する。)、アルキルアリールホスホノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナト基と称す)、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナト基と称す)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO(aryl))、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナトオキシ基と称す)、モノアリールホスホノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基(アリールホスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the alkyl group may have include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. Examples of such substituents include halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), hydroxyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, mercapto groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyldithio groups, aryldithio groups. Group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfo Xyl group, acylthio group, acylamino group, N-a Killacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N '-Alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N', N ' -Dialkyl-N-alkylureido group, N ', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N', N ' -Diaryl-N-alkylureido group, N ', N'-diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N '-Aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N- Alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl Group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group ( Referred to as -SO 3 H) and its conjugated base group (a sulfonato group), alkoxy sulfonyl group, aryloxy sulfonyl group, sulfinamoyl group, N- alkylsulfinamoyl group, N, N- dialkyl sulfide Inamo yl group, N- Arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N - arylsulfamoyl group, (referred to as phosphonato group) N, N- diaryl sulfamoyl group, N- alkyl -N- arylsulfamoyl group, a phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group, Dialkylphosphono group (—PO 3 (alkyl) 2 ) (hereinafter “alkyl” means an alkyl group) Taste. ), A diarylphosphono group (—PO 3 (aryl) 2 ) (hereinafter “aryl” means an aryl group), an alkylarylphosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphone Group (—PO 3 (alkyl)) and its conjugate base group (referred to as alkylphosphonate group), monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonate group) ), A phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), a dialkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (alkyl) 2 ), a diarylphosphonooxy group (—OPO 3 (aryl)) ) 2), alkylaryl phosphono group (-OPO 3 (alkyl) (aryl )), monoalkyl phosphonates Oxy group (-OPO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group (referred to as alkylphosphonato group), monoarylphosphono group (-OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base (aryl phosphite Hona preparative oxy Group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, heterocyclic group, silyl group and the like.

これら置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられる。
前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基などが挙げられる。
Specific examples of the alkyl group in these substituents include the aforementioned alkyl groups.
Specific examples of the aryl group in the substituent include phenyl, biphenyl, naphthyl, tolyl, xylyl, mesityl, cumenyl, chlorophenyl, bromophenyl, chloromethylphenyl, hydroxyphenyl, methoxy Phenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxy Carbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylphenyl group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulphonatophenyl group, phosphonopheny Groups, such as phosphate Hona preparative phenyl group.

前記置換基におけるアルケニル基の具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基などが挙げられる。
前記置換基におけるアルキニル基の具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基などが挙げられる。
前記置換基におけるアシル基(R01CO−)のR01としては、水素原子、前述のアルキル基、アリール基などが挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基などが好ましい。
また、前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基などが挙げられ、前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基などが挙げられる。
Specific examples of the alkenyl group in the substituent include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group and the like.
Specific examples of the alkynyl group in the substituent include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group and the like.
Examples of R 01 of the acyl group in the substituents (R 01 CO-), a hydrogen atom, an alkyl group described above, and aryl groups.
Among these substituents, halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N-dialkylamino groups, acyloxy groups Group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N- Dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-aryl Sulfamoyl group, N-alkyl N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphosphonato group, phosphonooxy group, phosphonatoxy Group, aryl group, alkenyl group and the like are preferable.
Examples of the heterocyclic group in the substituent include a pyridyl group and piperidinyl group, and examples of the silyl group in the substituent include a trimethylsilyl group.

一方、前記アルキル基における、アルキレン基としては、例えば、前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものが挙げられ、例えば、炭素原子数1から12までの直鎖状のアルキレン基、炭素原子数3から12までの分岐状のアルキレン基、炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基などが好ましい。
このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基などが挙げられる。
On the other hand, examples of the alkylene group in the alkyl group include a divalent organic residue obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. For example, a linear alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms are preferable.
Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining such a substituent and an alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, and an isopropoxymethyl group. , Butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetra Methylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chloro Phenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonov Nyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl Group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1- Examples include propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, and 3-butynyl group.

前記アリール基としては、例えば、ベンゼン環、2個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものなどが挙げられる。
前記アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基などが挙げられる。これらの中では、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
前記アルキル基は置換基を有してもよく、このような置換基を有するアリール基(以下、「置換アリール基」と称することもある。)としては、例えば、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子以外の一価の非金属原子団からなる基を有するものが挙げられる。
前記アリール基が有してもよい置換基としては、例えば、前述のアルキル基、置換アルキル基、前記アルキル基が有してもよい置換基として示したものが好ましい。
Examples of the aryl group include a benzene ring, a group in which 2 to 3 benzene rings form a condensed ring, and a group in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring.
Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. In these, a phenyl group and a naphthyl group are preferable.
The alkyl group may have a substituent, and examples of the aryl group having such a substituent (hereinafter sometimes referred to as “substituted aryl group”) include the ring-forming carbon of the above-described aryl group. Examples of the substituent on the atom include a group having a monovalent nonmetallic atomic group other than a hydrogen atom.
As the substituent that the aryl group may have, for example, the above-described alkyl group, substituted alkyl group, and the substituents that the alkyl group may have are preferable.

前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基などが挙げられる。   Preferred examples of the substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group, hydroxyphenyl. Group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl Group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, Nyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methyl Phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butenylphenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

前記アルケニル基(−C(R02)=C(R03)(R04))及びアルキニル基(−C≡C(R05))としては、例えば、R02、R03、R04、及びR05が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
前記R02、R03、R04、R05としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基などが挙げられる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1から10までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基が好ましい。
Examples of the alkenyl group (—C (R 02 ) ═C (R 03 ) (R 04 )) and the alkynyl group (—C≡C (R 05 )) include, for example, R 02 , R 03 , R 04 , and R Examples include a group in which 05 is a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of R 02 , R 03 , R 04 , and R 05 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group. Specific examples thereof include those shown as the above examples. Among these, a hydrogen atom, a halogen atom, a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a branched alkyl group, and a cyclic alkyl group are preferable.

前記アルケニル基及びアルキニル基の好ましい具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。
前記ヘテロ環基としては、例えば、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基などが挙げられる。
Preferable specific examples of the alkenyl group and alkynyl group include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, phenyl Examples include an ethynyl group.
As said heterocyclic group, the pyridyl group illustrated as a substituent of a substituted alkyl group etc. are mentioned, for example.

前記オキシ基(R06O−)としては、R06が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基であるものが挙げられる。
このようなオキシ基としては、例えば、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基などが好ましい。
これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R07CO−)としては、R07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。
好ましいオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基などが挙げられる。
Examples of the oxy group (R 06 O—) include those in which R 06 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom.
Examples of such oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N- A diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, phosphonooxy group, phosphonatoxy group and the like are preferable.
Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Examples of the acyl group (R 07 CO—) in the acyloxy group include those in which R 07 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group mentioned above. Among these substituents, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable.
Specific examples of preferred oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy, dodecyloxy, benzyloxy, allyloxy, phenethyloxy, carboxy Ethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, phenoxy Group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group, methoxyphenyloxy group, ethoxyphenyloxy group, chlorophenyloxy group Group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, a phosphonatooxy group.

アミド基を含んでもよいアミノ基(R08NH−、(R09)(R010)N−)としては、例えば、R08、R09、及びR010が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。なお、R09とR010とは結合して環を形成してもよい。
前記アミノ基としては、例えば、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N’−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。また、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基おけるアシル基(R07CO−)のR07は前述の通りである。これらのうち、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、アシルアミノ基がより好ましい。
好ましいアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基などが挙げられる。
As the amino group (R 08 NH—, (R 09 ) (R 010 ) N—) which may contain an amide group, for example, R 08 , R 09 , and R 010 are monovalent nonmetallic atoms excluding a hydrogen atom A group consisting of a group is mentioned. R 09 and R 010 may be bonded to form a ring.
Examples of the amino group include N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acylamino group, N -Alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N'-alkylureido group, N ', N'-dialkylureido group, N'-arylureido group, N', N'-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N-arylureido group, N ′, N '-Dialkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-arylureido group, N', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N ', N'- Alkyl-N′-arylureido group, N′-aryl-N-alkylureido group, N′-aryl-N-arylureido group, N ′, N′-diaryl-N-alkylureido group, N ′, N ′ -Diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino Group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group and the like. It is done. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Also, R 07 acylamino group, N- alkylacylamino group, N- arylacylamino group definitive acyl group (R 07 CO-) are as defined above. Of these, an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group are more preferable.
Specific examples of preferred amino groups include methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, morpholino group, piperidino group, pyrrolidino group, phenylamino group, benzoylamino group, acetylamino group and the like.

前記スルホニル基(R011−SO−)としては、例えば、R011が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルホニル基としては、例えば、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などが好ましい。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基などが挙げられる。
Examples of the sulfonyl group (R 011 —SO 2 —) include those in which R 011 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group.
As such a sulfonyl group, for example, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, and the like are preferable. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group.
Specific examples of the sulfonyl group include a butylsulfonyl group, a phenylsulfonyl group, and a chlorophenylsulfonyl group.

前記スルホナト基(−SO−)は、前述のとおり、スルホ基(−SOH)の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。
このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択して用いることができ、例えば、オニウム類(例えば、アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、金属イオン類(例えば、Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。
As described above, the sulfonate group (—SO 3 —) means a conjugated base anion group of a sulfo group (—SO 3 H), and is usually preferably used together with a counter cation.
As such counter cations, generally known ones can be appropriately selected and used. For example, oniums (for example, ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), metal ions (For example, Na + , K + , Ca 2+ , Zn 2+ and the like).

前記カルボニル基(R013−CO−)としては、例えば、R013が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなカルボニル基としては、例えば、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N’−アリールカルバモイル基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基が好ましく、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基がより好ましい。
前記カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基などが好適に挙げられる。
Examples of the carbonyl group (R 013 —CO—) include those in which R 013 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of such carbonyl group include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, and N-arylcarbamoyl group. N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N′-arylcarbamoyl group and the like. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group.
As the carbonyl group, a formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, and N-arylcarbamoyl group are preferable. A group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aryloxycarbonyl group are more preferable.
Specific examples of the carbonyl group include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, dimethylaminophenylethenylcarbonyl group, methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, N- Preferable examples include a methylcarbamoyl group, an N-phenylcarbamoyl group, an N, N-diethylcarbamoyl group, a morpholinocarbonyl group, and the like.

前記スルフィニル基(R014−SO−)としては、R014が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルフィニル基としては、例えば、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。これらの中でも、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が好ましい。
前記置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基などが好適に挙げられる。
Examples of the sulfinyl group (R 014 —SO—) include those in which R 014 is a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of such sulfinyl groups include alkylsulfinyl groups, arylsulfinyl groups, sulfinamoyl groups, N-alkylsulfinamoyl groups, N, N-dialkylsulfinamoyl groups, N-arylsulfinamoyl groups, N, N -Diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, etc. are mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Among these, an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group are preferable.
Specific examples of the substituted sulfinyl group include hexylsulfinyl group, benzylsulfinyl group, tolylsulfinyl group and the like.

前記ホスホノ基とは、ホスホノ基上の水酸基の一つ乃至二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、例えば、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基などが好ましい。これらの中では、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基がより好ましい。
前記ホスホノ基のより好ましい具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基などが挙げられる。
The phosphono group means a group in which one or two hydroxyl groups on the phosphono group are substituted with another organic oxo group. , Monoalkylphosphono group, monoarylphosphono group and the like are preferable. Of these, dialkylphosphono groups and diarylphosphono groups are more preferred.
More preferred specific examples of the phosphono group include a diethylphosphono group, a dibutylphosphono group, a diphenylphosphono group, and the like.

前記ホスホナト基(−PO−、−POH−)とは、前述のとおり、ホスホノ基(−PO)の、酸第一解離、又は酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択することができ、例えば、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 The phosphonato group (-PO 3 H 2 -, - PO 3 H-) and, as mentioned above, the phosphono group (-PO 3 H 2), coupled from the first dissociation acid, or the second dissociated acid bases An anionic group is meant. Usually, it is preferable to use it with a counter cation. As such a counter cation, generally known ones can be appropriately selected. For example, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), metal ions (Na + , K + , Ca 2+ , Zn 2+, etc.).

前記ホスホナト基は、ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であってもよく、このような具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基(−POH(alkyl))、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))の共役塩基が挙げられる。 The phosphonato group may be a conjugated base anion group obtained by substituting one organic oxo group in the phosphono group. Specific examples thereof include the monoalkylphosphono group (—PO 3 H (alkyl)) and a conjugate base of a monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)).

前記芳香族基は、芳香族基を含有するラジカル重合性化合物1種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物1種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することできる。
前記ラジカル重合法としては、例えば、一般的に懸濁重合法あるいは溶液重合法などが挙げられる。
The aromatic group can be produced by a normal radical polymerization method using at least one radical polymerizable compound containing an aromatic group and, if necessary, at least one other radical polymerizable compound as a copolymerization component. .
Examples of the radical polymerization method generally include a suspension polymerization method and a solution polymerization method.

前記芳香族基を含有するラジカル重合性化合物としては、例えば、構造式(A)で表される化合物、構造式(B)で表される化合物が好ましい。
ただし、前記構造式(A)中、R、R、及びRは水素原子又は1価の有機基を表す。Lは有機基を表し、なくてもよい。Arはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
ただし、前記構造式(B)中、R、R、及びR3、並びに、Arは前記構造式(A)と同じ意を表す。
As the radically polymerizable compound containing an aromatic group, for example, a compound represented by the structural formula (A) and a compound represented by the structural formula (B) are preferable.
However, in said structural formula (A), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a hydrogen atom or monovalent organic group. L represents an organic group and may not be present. Ar represents an aromatic group that may contain a heterocycle.
However, in said structural formula (B), R < 1 >, R < 2 >, R < 3 >, and Ar represent the same meaning as the said structural formula (A).

前記Lの有機基としては、例えば、非金属原子からなる多価の有機基であり、1から60個までの炭素原子、0個から10個までの窒素原子、0個から50個までの酸素原子、1個から100個までの水素原子、及び0個から20個までの硫黄原子から成り立つものが挙げられる。
より具体的には、前記Lの有機基としては、下記の構造単位が組み合わさって構成されるもの、多価ナフタレン、多価アントラセンなどを挙げることができる。
The organic group of L is, for example, a polyvalent organic group composed of non-metallic atoms, and includes 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, and 0 to 50 oxygen atoms. Those consisting of atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 20 sulfur atoms.
More specifically, examples of the organic group of L include those formed by combining the following structural units, polyvalent naphthalene, polyvalent anthracene and the like.

前記Lの連結基は置換基を有してもよく、前記置換基としては、前述のハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホナト基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アミノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換オキシ基、置換スルホニル基、置換カルボニル基、置換スルフィニル基、スルホ基、ホスホノ基、ホスホナト基、シリル基、ヘテロ環基が挙げられる。   The L linking group may have a substituent, and examples of the substituent include the aforementioned halogen atom, hydroxyl group, carboxyl group, sulfonate group, nitro group, cyano group, amide group, amino group, alkyl group, Examples include alkenyl groups, alkynyl groups, aryl groups, substituted oxy groups, substituted sulfonyl groups, substituted carbonyl groups, substituted sulfinyl groups, sulfo groups, phosphono groups, phosphonato groups, silyl groups, and heterocyclic groups.

前記構造式(A)で表される化合物、及び構造式(B)で表される化合物においては、構造式(A)の方が感度の点で好ましい。また、前記構造式(A)のうち、連結基を有しているものが安定性の点で好ましく、前記Lの有機基としては、炭素数1〜4のアルキレン基が非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
前記構造式(A)で表される化合物は、下記構造式(I)の構造単位を含む化合物となる。また、前記構造式(B)で表される化合物は、下記構造式(II)の構造単位を含む化合物となる。この内、構造式(I)の構造単位の方が、保存安定性の点で好ましい。
In the compound represented by the structural formula (A) and the compound represented by the structural formula (B), the structural formula (A) is preferable in terms of sensitivity. Among the structural formulas (A), those having a linking group are preferable from the viewpoint of stability, and the organic group of L is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms that can remove non-image areas. It is preferable in terms of (developability).
The compound represented by the structural formula (A) is a compound containing a structural unit of the following structural formula (I). The compound represented by the structural formula (B) is a compound containing a structural unit of the following structural formula (II). Among these, the structural unit of the structural formula (I) is preferable from the viewpoint of storage stability.

ただし、前記構造式(I)及び(II)中、R、R、及びR、並びに、Arは前記構造式(A)及び(B)と同じ意を表す。
前記構造式(I)及び(II)において、R及びRは水素原子、Rはメチル基である事が、非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
また、前記構造式(I)のLは、炭素数1〜4のアルキレン基が非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
However, in said structural formula (I) and (II), R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > and Ar represent the same meaning as said structural formula (A) and (B).
In the structural formulas (I) and (II), R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom, and R 3 is preferably a methyl group from the viewpoint of removability (developability) of a non-image area.
In addition, L in the structural formula (I) is preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms in terms of removability (developability) of non-image areas.

前記構造式(A)で表される化合物又は構造式(B)で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物(1)〜(30)が挙げられる。   Although there is no restriction | limiting in particular as a compound represented by the said structural formula (A) or a structural formula (B), For example, the following exemplary compounds (1)-(30) are mentioned.

前記例示化合物(1)〜(30)の中でも、(5)、(6)、(11)、(14)、及び(28)が好ましく、これらの中でも、(5)及び(6)が保存安定性及び現像性の点でより好ましい。   Among the exemplary compounds (1) to (30), (5), (6), (11), (14), and (28) are preferable, and among these, (5) and (6) are storage stable. Is more preferable from the viewpoints of colorability and developability.

前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基の前記バインダーにおける含有量は、特に制限はないが、高分子化合物の全構造単位を100mol%とした場合に、前記構造式(I)で表される構造単位を20mol%以上含有することが好ましく、30〜45mol%含有することがより好ましい。前記含有量が、20mol未満であると、保存安定性が低くなることがあり、45mol%を超えると現像性が低下することがある。   The content of the aromatic group that may contain a heterocycle in the binder is not particularly limited, but the structure represented by the structural formula (I) when the total structural unit of the polymer compound is 100 mol%. It is preferable to contain 20 mol% or more of a unit, and it is more preferable to contain 30-45 mol%. When the content is less than 20 mol, storage stability may be lowered, and when it exceeds 45 mol%, developability may be deteriorated.

−エチレン性不飽和結合−
前記エチレン性不飽和結合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記構造式(III)〜(V)で表されるものが好ましい。
-Ethylenically unsaturated bond-
There is no restriction | limiting in particular as said ethylenically unsaturated bond, Although it can select suitably according to the objective, For example, what is represented by following Structural formula (III)-(V) is preferable.

ただし、前記構造式(III)〜(V)中、R〜R11は、それぞれ独立して1価の有機基を表す。X及びYは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、又は−N−Rを表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、−N−R、又はフェニレン基を表す。Rは、水素原子、又は1価の有機基を表す。 However, in the structural formulas (III) to (V), R 1 to R 11 each independently represents a monovalent organic group. X and Y each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, or —N—R 4 . Z represents an oxygen atom, a sulfur atom, —N—R 4 , or a phenylene group. R 4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.

前記構造式(III)において、Rとしては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記R及びRとしては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが挙げられ、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基が、ラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記Rとしては、例えば、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などが挙げられる。
In the structural formula (III), each R 1 is independently preferably, for example, a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or the like, since the hydrogen atom or methyl group has high radical reactivity. More preferred.
R 2 and R 3 are each independently, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, or an alkyl which may have a substituent. Group, aryl group which may have a substituent, alkoxy group which may have a substituent, aryloxy group which may have a substituent, alkylamino group which may have a substituent, substituent An arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, and the like, such as a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a substituent An alkyl group that may have a substituent and an aryl group that may have a substituent are more preferable because of high radical reactivity.
As R 4 , for example, an alkyl group which may have a substituent is preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group are more preferable because of high radical reactivity.
Here, examples of the substituent that can be introduced include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a halogen atom, an amino group, an alkylamino group, an arylamino group, a carboxyl group, and an alkoxy group. Examples include carbonyl group, sulfo group, nitro group, cyano group, amide group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group and the like.

前記構造式(4)において、R〜Rとしては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がより好ましい。
導入しうる前記置換基としては、前記構造式(III)において挙げたものが例示される。
In the structural formula (4), examples of R 4 to R 8 include a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a dialkylamino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, and a substituent. An optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, an optionally substituted aryloxy group, and optionally having a substituent An alkylamino group, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent are preferable, and a hydrogen atom, a carboxyl group, alkoxy A carbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, and an aryl group which may have a substituent are more preferable.
Examples of the substituent that can be introduced include those listed in the structural formula (III).

前記構造式(5)において、Rとしては、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記R10、R11としては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、構造式(III)において挙げたものが例示される。
前記Zとしては、酸素原子、硫黄原子、−NR13−、又は置換基を有してもよいフェニレン基を表す。R13は、置換基を有してもよいアルキル基などを表し、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことから好ましい。
In the structural formula (5), as R 9 , for example, a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is more preferable because of high radical reactivity.
R 10 and R 11 each independently have, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a dialkylamino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, or a substituent. An alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino which may have a substituent Group, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, and the like, preferably a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group An alkyl group which may have a substituent and an aryl group which may have a substituent are more preferable because of high radical reactivity.
Here, examples of the substituent that can be introduced include those listed in the structural formula (III).
Z represents an oxygen atom, a sulfur atom, —NR 13 —, or a phenylene group which may have a substituent. R 13 represents an alkyl group which may have a substituent, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group are preferable because of high radical reactivity.

前記構造式(III)〜(V)で表される側鎖エチレン性不飽和結合の中でも、構造式(III)のものが、重合反応性が高く感度が高くなり、より好ましい。
前記エチレン性不飽和結合の前記高分子化合物における含有量としては、特に制限はないが、0.5〜3.0meq/gが好ましく、1.0〜3.0meq/gがより好ましく、1.5〜2.8meq/gが特に好ましい。前記含有量が0.5meq/g未満であると、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、3.0meq/gより多いと、保存安定性が劣化することがある。
ここで、前記含有量(meq/g)は、例えば、ヨウ素価滴定により測定することができる。
Among the side chain ethylenically unsaturated bonds represented by the structural formulas (III) to (V), those having the structural formula (III) are more preferable because of high polymerization reactivity and high sensitivity.
The content of the ethylenically unsaturated bond in the polymer compound is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 3.0 meq / g, more preferably 1.0 to 3.0 meq / g. 5 to 2.8 meq / g is particularly preferable. When the content is less than 0.5 meq / g, the curing reaction amount is small, so the sensitivity may be low. When the content is more than 3.0 meq / g, the storage stability may be deteriorated.
Here, the content (meq / g) can be measured by, for example, iodine value titration.

前記構造式(III)で表されエチレン性不飽和結合を側鎖に導入する方法としては、特に制限はないが、例えば、側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物とエチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物を付加反応させることで得ることができる。
前記側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物は、例えば、カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物1種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物1種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することでき、前記ラジカル重合法としては、例えば、懸濁重合法、溶液重合法などが挙げられる。
The method for introducing an ethylenically unsaturated bond represented by the structural formula (III) into the side chain is not particularly limited. For example, the polymer compound containing a carboxyl group in the side chain and the ethylenically unsaturated bond It can be obtained by addition reaction of a compound having an epoxy group.
The polymer compound containing a carboxyl group in the side chain is usually composed of, for example, one or more radical polymerizable compounds containing a carboxyl group and, if necessary, one or more other radical polymerizable compounds as a copolymerization component. The radical polymerization method includes, for example, suspension polymerization method, solution polymerization method and the like.

前記エチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物としては、これらを有すれば特に制限はないが、例えば、下記構造式(VI)で表される化合物及び(VII)で表される化合物が好ましい。特に、構造式(VI)で表される化合物を使用するほうが、高感度化の点で好ましい。
ただし、前記構造式(VI)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは有機基を表す。
ただし、前記構造式(VII)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは有機基を表す。Wは4〜7員環の脂肪族炭化水素基を表す。
前記構造式(VI)で表される化合物及び構造式(VII)で表される化合物の中でも、構造式(VI)で表される化合物が好ましく、前記構造式(VI)においても、Lが炭素数1〜4のアルキレン基のものがより好ましい。
The compound having an ethylenically unsaturated bond and an epoxy group is not particularly limited as long as it has these, but, for example, a compound represented by the following structural formula (VI) and a compound represented by (VII) are preferable. . In particular, the use of the compound represented by the structural formula (VI) is preferable in terms of increasing sensitivity.
However, in the structural formula (VI), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 1 represents an organic group.
However, in the structural formula (VII), R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 2 represents an organic group. W represents a 4- to 7-membered aliphatic hydrocarbon group.
Of the compound represented by the structural formula (VI) and the compound represented by the structural formula (VII), the compound represented by the structural formula (VI) is preferable. In the structural formula (VI), L 1 is The thing of a C1-C4 alkylene group is more preferable.

前記構造式(VI)で表される化合物又は構造式(VII)で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物(31)〜(40)が挙げられる。
The compound represented by the structural formula (VI) or the compound represented by the structural formula (VII) is not particularly limited, and examples thereof include the following exemplified compounds (31) to (40).

前記カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物しては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、p−カルボキシルスチレンなどがあり、特に好ましいものは、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。   Examples of the radical polymerizable compound containing a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, incrotonic acid, maleic acid, p-carboxyl styrene, and particularly preferred is acrylic acid. And methacrylic acid.

前記側鎖への導入反応としては、例えば、トリエチルアミン、ベンジルメチルアミン等の3級アミン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩、ピリジン、トリフェニルフォスフィンなどを触媒として有機溶剤中、反応温度50〜150℃で数時間〜数十時間反応させることにより行うことができる。   Examples of the introduction reaction to the side chain include tertiary amines such as triethylamine and benzylmethylamine, quaternary ammonium salts such as dodecyltrimethylammonium chloride, tetramethylammonium chloride, and tetraethylammonium chloride, pyridine, triphenylphosphine, and the like. Can be carried out by reacting in an organic solvent at a reaction temperature of 50 to 150 ° C. for several hours to several tens of hours.

前記側鎖にエチレン性不飽和結合を有する構造単位としては、特に制限はないが、例えば、下記構造式(iii)で表される構造、構造式(iv)で表される構造、及びこれらの混合により表されるものが好ましい。
ただし、前記構造式(iii)及び(iv)中、Ra〜Rcは水素原子又は1価の有機基を表す。Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは連結基を有してもよい有機基を表す。
The structural unit having an ethylenically unsaturated bond in the side chain is not particularly limited. For example, the structure represented by the following structural formula (iii), the structure represented by the structural formula (iv), and these Those represented by mixing are preferred.
However, in the structural formulas (iii) and (iv), Ra to Rc represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 1 represents an organic group that may have a linking group.

前記構造式(iii)で表される構造乃至構造式(iv)で表される構造の高分子化合物における含有量は、20mol%以上が好ましく、20〜50mol%がより好ましく、25〜45mol%が特に好ましい。前記含有量が20mol%未満では、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、50mol%より多いと、保存安定性が劣化することがある。   The content in the polymer compound having the structure represented by the structural formula (iii) to the structure represented by the structural formula (iv) is preferably 20 mol% or more, more preferably 20 to 50 mol%, and more preferably 25 to 45 mol%. Particularly preferred. When the content is less than 20 mol%, the curing reaction amount is small, so that the sensitivity may be low. When the content is more than 50 mol%, the storage stability may be deteriorated.

−カルボキシル基−
前記高分子化合物においては、非画像部除去性などの諸性能を向上させるために、カルボキシル基を有していてもよい。
前記カルボキシル基は、酸基を有するラジカル重合性化合物を共重合させることにより、前記高分子化合物に付与することができる。
このようなラジカル重合性が有する酸基としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、リン酸基などが挙げられ、カルボン酸が特に好ましい。
前記カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、p−カルボキシルスチレンなどが挙げられ、これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、p−カルボキシルスチレンが好ましい。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
-Carboxyl group-
The polymer compound may have a carboxyl group in order to improve various performances such as non-image area removability.
The carboxyl group can be imparted to the polymer compound by copolymerizing a radical polymerizable compound having an acid group.
Examples of the acid group having such radical polymerizability include carboxylic acid, sulfonic acid, and phosphoric acid group, and carboxylic acid is particularly preferable.
The radical polymerizable compound having a carboxyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, incrotonic acid, maleic acid, p -Carboxylstyrene etc. are mentioned, Among these, acrylic acid, methacrylic acid, and p-carboxylstyrene are preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

前記カルボキシル基のバインダーにおける含有量は、1.0〜4.0meq/gであり、1.5〜3.0meq/gが好ましい。前記含有量が1.0meq/g未満では現像性が不十分となることがあり、4.0meq/gを越えるとアルカリ水現像による画像強度ダメージを受けやすくなることがある。   Content in the binder of the said carboxyl group is 1.0-4.0 meq / g, and 1.5-3.0 meq / g is preferable. If the content is less than 1.0 meq / g, the developability may be insufficient, and if it exceeds 4.0 meq / g, the image strength may be easily damaged by alkaline water development.

前記高分子化合物は、画像強度などの諸性能を向上する目的で、前述のラジカル重合性化合物の他に、更に他のラジカル重合性化合物を共重合させることが好ましい。
前記他のラジカル重合性化合物としては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、スチレン類などから選ばれるラジカル重合性化合物などが挙げられる。
In order to improve various performances such as image strength, the polymer compound is preferably copolymerized with another radical polymerizable compound in addition to the above-described radical polymerizable compound.
Examples of the other radical polymerizable compound include radical polymerizable compounds selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, styrenes, and the like.

具体的には、アルキルアクリレート等のアクリル酸エステル類、アリールアクリレート、アルキルメタクリレート等のメタクリル酸エステル類、アリールメタクリレート、スチレン、アルキルスチレン等のスチレン類、アルコキシスチレン、ハロゲンスチレンなどが挙げられる。
前記アクリル酸エステル類としては、アルキル基の炭素原子数は1〜20のものが好ましく、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸エチルへキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2,2−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートなどが挙げられる。
前記アリールアクリレートとしては、例えば、フェニルアクリレートなどが挙げられる。
Specific examples include acrylic acid esters such as alkyl acrylate, methacrylic acid esters such as aryl acrylate and alkyl methacrylate, styrenes such as aryl methacrylate, styrene and alkyl styrene, alkoxy styrene, and halogen styrene.
As the acrylate esters, alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms are preferable. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, ethyl hexyl acrylate Octyl acrylate, tert-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl Examples thereof include acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, and the like.
Examples of the aryl acrylate include phenyl acrylate.

前記メタクリル酸エステル類としては、アルキル基の炭素原子は1〜20のものが好ましく、例えば、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー卜、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどが挙げられる。
前記アリールメタクリレートとしては、例えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレートなどが挙げられる。
As the methacrylic acid esters, those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group are preferable. For example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl. Methacrylate, octyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydro And furfuryl methacrylate.
Examples of the aryl methacrylate include phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, and naphthyl methacrylate.

前記スチレン類としては、例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロへキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレンなどが挙げられる。
前記アルコキシスチレンとしては、例えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルスチレン、ジメトキシスチレンなどが挙げられる。
前記ハロゲンスチレンとしては、例えばクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレンなどが挙げられる。
これらのラジカル重合性化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the styrenes include methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, diethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hexyl styrene, cyclohexyl styrene, decyl styrene, benzyl styrene, chloromethyl styrene, and trifluoromethyl. Examples thereof include styrene, ethoxymethyl styrene, acetoxymethyl styrene and the like.
Examples of the alkoxystyrene include methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, and the like.
Examples of the halogen styrene include chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, and 2-bromo-4-trifluoro. Examples include rumethylstyrene and 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene.
These radically polymerizable compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記高分子化合物を合成する際に用いられる溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エチレンジクロリド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。   The solvent used for synthesizing the polymer compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetone, methanol, ethanol, propanol, butanol, Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propanol, 1-methoxy-2-propyl acetate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide , Toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

前記高分子化合物の分子量としては、質量平均分子量で、3,000〜100,000が好ましく、5,000〜80,000がより好ましく、10,000〜50,000が特に好ましい。前記質量平均分子量が、3,000未満であると硬化膜強度が不足することがあり、100,000を超えると現像性が低下することがある。
また、前記高分子化合物中には、未反応の単量体を含んでいてもよい。この場合、前記単量体の前記高分子化合物における含有量としては、15質量%以下が好ましい。
The molecular weight of the polymer compound is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 80,000, and particularly preferably 10,000 to 50,000 in terms of mass average molecular weight. When the mass average molecular weight is less than 3,000, the cured film strength may be insufficient, and when it exceeds 100,000, developability may be deteriorated.
The polymer compound may contain an unreacted monomer. In this case, the content of the monomer in the polymer compound is preferably 15% by mass or less.

前記高分子化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。また、他の高分子化合物を混合して用いてもよい。この場合、前記他の高分子化合物の前記高分子化合物における含有量としては、50質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましい。   The said high molecular compound may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it. Moreover, you may mix and use another high molecular compound. In this case, the content of the other polymer compound in the polymer compound is preferably 50% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less.

<エポキシアクリレート化合物>
前記エポキシアクリレート化合物とは、エポキシ化合物由来の骨格を有し、かつ分子中にエチレン性不飽和二重結合とカルボキシル基を含有する化合物である。このような化合物は、例えば、多官能エポキシ化合物とカルボキシル基含有モノマーとを反応させ、更に多塩基酸無水物を付加させる方法などで得られる。
<Epoxy acrylate compound>
The epoxy acrylate compound is a compound having a skeleton derived from an epoxy compound and containing an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group in the molecule. Such a compound can be obtained, for example, by a method of reacting a polyfunctional epoxy compound with a carboxyl group-containing monomer and further adding a polybasic acid anhydride.

前記多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビスフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000;ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(例えば、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等)、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等);フェノール、o−クレゾール、ナフトール等のフェノール化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合反応により得られるポリフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応物;フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物;4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの;トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環を有するエポキシ樹脂;グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂;フェノール及びクレゾールから選択される1種とp−ヒドロキシベンズアルデヒド縮合体をグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂;ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the polyfunctional epoxy compound include a bixylenol type or bisphenol type epoxy resin (“YX4000; manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.”) or a mixture thereof, a heterocyclic epoxy resin (“TEPIC; NISSAN CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD. “ALALDITE PT810; Ciba Specialty Chemicals”, etc.), bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated phenol novolac type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin (for example, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane), hydantoy Type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin (“ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.”, “HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals”, etc.), epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton (“ HP-7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., etc.); a polyphenol compound obtained by a condensation reaction of a phenol compound such as phenol, o-cresol, naphthol and an aromatic aldehyde having a phenolic hydroxyl group; D Reaction product with chlorohydrin; Reaction product of polyphenol compound obtained by addition reaction of phenol compound with diolefin compound such as divinylbenzene and dicyclopentadiene and epichlorohydrin; Ring-opening polymerization product of 4-vinylcyclohexene-1-oxide Epoxidized with peracetic acid, etc .; epoxy resin having a heterocyclic ring such as triglycidyl isocyanurate; glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin (“CP-50S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation”), cyclohexyl Copolymerized epoxy resin of maleimide and glycidyl methacrylate; epoxy resin obtained by glycidyl etherification of one kind selected from phenol and cresol and p-hydroxybenzaldehyde condensate; bis (glycidyloxyphenyl) fluore Bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resin, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

またカルボキシル基含有モノマーの例としては、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、ソルビン酸、α−シアノ桂皮酸、アクリル酸ダイマー;この他、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する単量体と無水マレイン酸、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物等の環状酸無水物との付加反応物;ハロゲン含有カルボン酸化合物との反応生成物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、などが挙げられる。さらに、市販品としては、東亜合成化学工業(株)製のアロニックスM−5300、M−5400、M−5500およびM−5600、新中村化学工業(株)製のNKエステルCB−1およびCBX−1、共栄社油脂化学工業(株)製のHOA−MPおよびHOA−MS、大阪有機化学工業(株)製のビスコート#2100などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of carboxyl group-containing monomers include (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, sorbic acid, α-cyanocinnamic acid, Acrylic acid dimer; in addition, addition reaction product of a monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and a cyclic acid anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride or cyclohexanedicarboxylic anhydride; halogen Examples thereof include reaction products with carboxylic acid compounds, ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like. Furthermore, commercially available products include Aronix M-5300, M-5400, M-5500 and M-5600 manufactured by Toa Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., NK Esters CB-1 and CBX- manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 1. Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd. HOA-MP and HOA-MS, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. biscoat # 2100, etc. can be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水メチルコハク酸、無水2,3−ジメチルコハク酸、無水2,2−ジメチルコハク酸、無水エチルコハク酸、無水ドデセニルコハク酸、無水ノネニルコハク酸、無水マレイン酸、無水メチルマレイン酸、無水2,3−ジメチルマレイン酸、無水2−クロロマレイン酸、無水2,3−ジクロロマレイン酸、無水ブロモマレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水シスアコット酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸および5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物などの二塩基酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の多塩基酸無水物なども使用できる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
それぞれを順次反応させて、エポキシアクリレートを得るが、それらを反応させる比率は、多官能エポキシ化合物のエポキシ基1当量に対して、カルボキシル基含有モノマーのカルボキシル基0.8〜1.2当量、好ましくは、0.9〜1.1当量であり、多塩基酸無水物0.1〜1.0当量、好ましくは、0.3〜1.0当量である。
Examples of the polybasic acid anhydride include succinic anhydride, methyl succinic anhydride, 2,3-dimethyl succinic anhydride, 2,2-dimethyl succinic anhydride, ethyl succinic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, nonenyl succinic anhydride, Maleic anhydride, methylmaleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, 2-chloromaleic anhydride, 2,3-dichloromaleic anhydride, bromomaleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, cisaccot anhydride , Phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydro Phthalic anhydride , Dibasic acid anhydrides such as chlorendic anhydride and 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride Acids, polybasic acid anhydrides such as 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid and the like can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Each of them is reacted in order to obtain an epoxy acrylate, and the ratio of reacting them is preferably 0.8 to 1.2 equivalents of carboxyl groups of the carboxyl group-containing monomer with respect to 1 equivalent of epoxy groups of the polyfunctional epoxy compound. Is 0.9-1.1 equivalent, 0.1-1.0 equivalent of polybasic acid anhydride, preferably 0.3-1.0 equivalent.

また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート(カルボキシル基を有してはいない化合物)に酸無水物を付加させて得られる化合物なども本発明のエポキシアクリレートとして利用できる。   Also, compounds obtained by adding an acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton (a compound having no carboxyl group) described in JP-A-5-70528 can be used as the epoxy acrylate of the present invention.

前記エポキシアクリレート化合物の分子量は、1,000〜100,000が好ましく、2,000〜50,000がより好ましい。該分子量が1,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、100,000を超えると、現像性が劣化することがある。また樹脂の合成も困難となる。   The molecular weight of the epoxy acrylate compound is preferably 1,000 to 100,000, and more preferably 2,000 to 50,000. When the molecular weight is less than 1,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and the film quality may become brittle or the surface hardness may deteriorate after curing of the photosensitive layer described later. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate. Also, synthesis of the resin becomes difficult.

前記バインダーの前記感光性組成物中の固形分含有量は、5〜80質量%が好ましく、10〜70質量%がより好ましい。   5-80 mass% is preferable and, as for solid content content in the said photosensitive composition of the said binder, 10-70 mass% is more preferable.

〔重合性化合物〕
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、エチレン性不飽和結合を1つ以上有する化合物が好ましい。
[Polymerizable compound]
There is no restriction | limiting in particular as said polymeric compound, Although it can select suitably according to the objective, For example, the compound which has one or more ethylenically unsaturated bonds is preferable.

前記エチレン性不飽和結合としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基、などが挙げられる。   Examples of the ethylenically unsaturated bond include (meth) acryloyl group, (meth) acrylamide group, styryl group, vinyl group such as vinyl ester and vinyl ether, allyl group such as allyl ether and allyl ester, and the like.

前記エチレン性不飽和結合を1つ以上有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも1種が好適に挙げられる。   The compound having one or more ethylenically unsaturated bonds is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, at least one selected from monomers having a (meth) acryl group is Preferably mentioned.

前記(メタ)アクリル基を有するモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能アクリレートや単官能メタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)シアヌレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンやグリセリン、ビスフェノール等の多官能アルコールに、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加反応した後で(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号等の各公報に記載されているウレタンアクリレート類;特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号等の各公報に記載されているポリエステルアクリレート類;エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能アクリレートやメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレートが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a monomer which has the said (meth) acryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) ) Monofunctional acrylates and monofunctional methacrylates such as acrylates; polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane diacrylate, neopentylglycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, tri (acryloyloxyethyl) cyanurate, glycerin Poly (functional) alcohols such as tri (meth) acrylate, trimethylolpropane, glycerin, bisphenol, etc., which are subjected to addition reaction with ethylene oxide and propylene oxide, and converted to (meth) acrylate, Japanese Patent Publication No. 48-41708, Japanese Patent Publication No. 50- Urethane acrylates described in JP-A-6034, JP-A-51-37193, etc .; JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, JP-B-52-30 Polyester acrylates described in each publication of such 90 No.; and epoxy resin and (meth) polyfunctional acrylates or methacrylates such as epoxy acrylates which are reaction products of acrylic acid. Among these, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and dipentaerythritol penta (meth) acrylate are particularly preferable.

前記重合性化合物の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、5〜50質量%が好ましく、10〜40質量%がより好ましい。該固形分含有量が5質量%未満であると、現像性の悪化、露光感度の低下などの問題を生ずることがあり、50質量%を超えると、感光層の粘着性が強くなりすぎることがある。   5-50 mass% is preferable and, as for solid content in the said photosensitive composition solid content of the said polymeric compound, 10-40 mass% is more preferable. If the solid content is less than 5% by mass, problems such as deterioration of developability and reduction in exposure sensitivity may occur, and if it exceeds 50% by mass, the adhesiveness of the photosensitive layer may become too strong. is there.

〔光重合開始剤〕
前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができるが、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記光重合開始剤は、約300〜800nm(より好ましくは330〜500nm)の範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する成分を少なくとも1種含有していることが好ましい。
(Photopolymerization initiator)
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound, and can be appropriately selected from known photopolymerization initiators. For example, it is visible from the ultraviolet region. It is preferable to have photosensitivity to the light, and it may be an activator that produces some kind of action with a photoexcited sensitizer and generates active radicals, and initiates cationic polymerization depending on the type of monomer. Initiator may be used.
The photopolymerization initiator preferably contains at least one component having a molecular extinction coefficient of at least about 50 within a range of about 300 to 800 nm (more preferably 330 to 500 nm).

前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等)、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物(ベンジルメチルケタール系化合物、α−ヒドロキシアルキルフェノン系化合物、α−アミノアルキルフェノン系化合物など)、芳香族オニウム塩、メタロセン類などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、ホスフィンオキシド化合物、オキシム誘導体、ケトン化合物が好ましく、これらの中でも、ホスフィンオキシド化合物、オキシム誘導体が特に好ましい。
具体的には、例えば、特開2005−258431号公報の〔0288〕〜〔0309〕に記載されている化合物などが挙げられる。前記光重合開始剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the photopolymerization initiator include halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton), hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, Examples include ketone compounds (benzylmethyl ketal compounds, α-hydroxyalkylphenone compounds, α-aminoalkylphenone compounds, etc.), aromatic onium salts, metallocenes, and the like. Of these, phosphine oxide compounds, oxime derivatives, and ketone compounds are preferred from the viewpoints of sensitivity of the photosensitive layer, storage stability, and adhesion between the photosensitive layer and the printed wiring board forming substrate. Among these, phosphine oxide compounds are preferred. Particularly preferred are oxime derivatives.
Specifically, for example, compounds described in [0288] to [0309] of JP-A-2005-258431 can be mentioned. The said photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記光重合開始剤の前記感光性組成物における含有量は、0.1〜30質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が特に好ましい。   The content of the photopolymerization initiator in the photosensitive composition is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.5 to 20% by mass, and particularly preferably 0.5 to 15% by mass.

〔その他の成分〕
前記その他の成分としては、例えば、増感剤、熱重合禁止剤、可塑剤、などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など)を併用してもよい。
これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする感光性組成物の安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
[Other ingredients]
Examples of the other components include sensitizers, thermal polymerization inhibitors, plasticizers, and the like, and further adhesion promoters and other auxiliaries (for example, conductive particles, fillers) on the substrate surface. , Antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, surface tension modifiers, chain transfer agents, etc.) may be used in combination.
By appropriately containing these components, properties such as stability, photographic properties, and film properties of the intended photosensitive composition can be adjusted.

<増感剤>
感光層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、前記光重合開始剤に加えて、増感剤を添加することが可能である。
前記増感剤は、後述する光照射手段としての可視光線や紫外光レーザ及び可視光レーザなどにより適宜選択することができる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質(例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等)と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
<Sensitizer>
In order to adjust the exposure sensitivity and the photosensitive wavelength in exposure to the photosensitive layer, it is possible to add a sensitizer in addition to the photopolymerization initiator.
The sensitizer can be appropriately selected by a visible light, an ultraviolet laser, a visible light laser, or the like as a light irradiation means described later.
The sensitizer is excited by active energy rays and interacts with other substances (for example, radical generator, acid generator, etc.) (for example, energy transfer, electron transfer, etc.), thereby generating radicals, acids, etc. It is possible to generate a useful group of

前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。   Examples of the combination of the photopolymerization initiator and the sensitizer include, for example, an electron transfer start system described in JP-A-2001-305734 [(1) an electron donating initiator and a sensitizing dye, (2) A combination of an electron-accepting initiator and a sensitizing dye, (3) an electron-donating initiator, a sensitizing dye and an electron-accepting initiator (ternary initiation system)], and the like.

前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン(例えば、2−クロロ−10−ブチルアクリドン等)など)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)、及びチオキサントン化合物(チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン、QuantacureQTX等)などがあげられ、が挙げられ、これらの中でも、芳香族環や複素環が縮環した化合物(縮環系化合物)、並びに、少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物が好ましい。   The sensitizer is not particularly limited and may be appropriately selected from known sensitizers. For example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene), xanthenes (for example, , Fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), cyanines (eg, indocarbocyanine, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, Methylene blue, toluidine blue), acridines (eg acridine orange, chloroflavin, acriflavine, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane), anthraquinones (eg anthraquinone), squalium (Eg, squalium), acridones (eg, acridone, chloroacridone, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl-chloroacridone (eg, 2-chloro-10-butylacridone) Etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- ( 2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3 ′ -Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxyc Phosphorus, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5 7-dipropoxycoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206, JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208, JP-A-2002-363209, etc. And the like, and thioxanthone compounds (thioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propyloxythioxanthone, Quantacure QTX, etc.) and the like. , Aromatic rings and compounds A compound in which an elemental ring is condensed (condensed compound), and an amine compound substituted with at least two aromatic hydrocarbon rings or aromatic heterocyclic rings are preferred.

前記縮環系化合物の中でも、ヘテロ縮環系ケトン化合物(アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物、クマリン系化合物等)、及びアクリジン系化合物がより好ましい。前記ヘテロ縮環系ケトン化合物の中でも、アクリドン化合物及びチオキサントン化合物が特に好ましい。   Among the condensed ring compounds, hetero-fused ketone compounds (acridone compounds, thioxanthone compounds, coumarin compounds, etc.) and acridine compounds are more preferable. Among the hetero-fused ketone compounds, an acridone compound and a thioxanthone compound are particularly preferable.

前記少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物は、330〜450nmの波長域の光に対して吸収極大を有する増感剤であることが好ましく、例えば、ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、及びカルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、並びに、少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等のジ置換アミノ−ベンゼンを部分構造として有する化合物が挙げられる。   The amine compound substituted with any one of the at least two aromatic hydrocarbon rings and the aromatic heterocyclic ring is preferably a sensitizer having an absorption maximum with respect to light in a wavelength region of 330 to 450 nm, For example, a disubstituted aminobenzophenone compound, a disubstituted amino-benzene compound having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom at the para position relative to an amino group on the benzene ring, Disubstituted amino-benzene compounds having a substituent containing a sulfonylimino group at the carbon atom at the position, disubstituted amino-benzene compounds having a carbostyryl skeleton, and at least two aromatic rings on the nitrogen atom Examples thereof include compounds having a di-substituted amino-benzene as a partial structure, such as a compound having a bonded structure.

前記増感剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記増感剤の含有量は、前記感光性組成物全固形分中0.01〜4質量%が好ましく、0.02〜2質量%がより好ましく、0.05〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.01質量%未満となると、感度が低下することがあり、4質量%を超えると、パターンの形状が悪化することがある。
The said sensitizer may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The content of the sensitizer is preferably 0.01 to 4% by mass, more preferably 0.02 to 2% by mass, and particularly preferably 0.05 to 1% by mass in the total solid content of the photosensitive composition.
When the content is less than 0.01% by mass, the sensitivity may decrease, and when the content exceeds 4% by mass, the shape of the pattern may be deteriorated.

<熱重合禁止剤>
前記熱重合禁止剤は、前記感光層における前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加してもよい。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、4−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、4−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とAlとのキレート、などが挙げられる。
<Thermal polymerization inhibitor>
The thermal polymerization inhibitor may be added to prevent thermal polymerization or temporal polymerization of the polymerizable compound in the photosensitive layer.
Examples of the thermal polymerization inhibitor include 4-methoxyphenol, hydroquinone, alkyl or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine. , Chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-tert-butyl-4-cresol, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene, picric acid 4-toluidine, methylene blue, copper and organic chelating agent reactant, methyl salicylate, and phenothiazine, nitroso compound, chelate of nitroso compound and Al, and the like.

前記熱重合禁止剤の含有量は、前記感光層の前記重合性化合物に対して、0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜2質量%がより好ましく、0.01〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.001質量%未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、5質量%を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。
The content of the thermal polymerization inhibitor is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 1% by mass with respect to the polymerizable compound of the photosensitive layer. Is particularly preferred.
When the content is less than 0.001% by mass, stability during storage may be reduced, and when it exceeds 5% by mass, sensitivity to active energy rays may be reduced.

<可塑剤>
前記可塑剤は、前記感光層の膜物性(可撓性)をコントロールするために添加してもよい。
前記可塑剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジフェニルフタレート、ジアリルフタレート、オクチルカプリールフタレート等のフタル酸エステル類;トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、ジメチルグリコースフタレート、エチルフタリールエチルグリコレート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフタリールブチルグリコレート、トリエチレングリコールジカブリル酸エステル等のグリコールエステル類;トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類;4−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルベンゼンスルホンアミド、N−n−ブチルアセトアミド等のアミド類;ジイソブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセパケート、ジオクチルセパケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等の脂肪族二塩基酸エステル類;クエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、ラウリン酸ブチル、4,5−ジエポキシシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸ジオクチル等、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類が挙げられる。
<Plasticizer>
The plasticizer may be added to control film physical properties (flexibility) of the photosensitive layer.
Examples of the plasticizer include dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, diisobutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate, dicyclohexyl phthalate, ditridecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, diisodecyl phthalate, diphenyl phthalate, diallyl phthalate, octyl capryl phthalate, and the like. Phthalic acid esters: Triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate, dimethylglycol phthalate, ethyl phthalyl ethyl glycolate, methyl phthalyl ethyl glycolate, butyl phthalyl butyl glycolate, triethylene glycol dicabrylate, etc. Glycol esters of tricresyl phosphate, triphenyl phosphate, etc. Acid esters; Amides such as 4-toluenesulfonamide, benzenesulfonamide, Nn-butylbenzenesulfonamide, Nn-butylacetamide; diisobutyl adipate, dioctyl adipate, dimethyl sebacate, dibutyl sepacate, dioctyl Aliphatic dibasic acid esters such as sepacate, dioctyl azelate, dibutyl malate; triethyl citrate, tributyl citrate, glycerin triacetyl ester, butyl laurate, 4,5-diepoxycyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Examples include glycols such as dioctyl acid, polyethylene glycol, and polypropylene glycol.

前記可塑剤の含有量は、前記感光層の全成分に対して、0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜40質量%がより好ましく、1〜30質量%が特に好ましい。   The content of the plasticizer is preferably from 0.1 to 50 mass%, more preferably from 0.5 to 40 mass%, particularly preferably from 1 to 30 mass%, based on all components of the photosensitive layer.

<密着促進剤>
本発明の感光性組成物を用いて形成される感光層を含む感光性フィルムの、各層間の密着性、又は前記感光性フィルムと基体との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。
<Adhesion promoter>
In order to improve the adhesion between the layers of the photosensitive film including the photosensitive layer formed using the photosensitive composition of the present invention or the adhesion between the photosensitive film and the substrate, a so-called known layer is known for each layer. An adhesion promoter can be used.

前記密着促進剤としては、例えば、特開平5−11439号公報、特開平5−341532号公報、及び特開平6−43638号公報等に記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、3−モルホリノメチル−1−フェニル−トリアゾール−2−チオン、3−モルホリノメチル−5−フェニル−オキサジアゾール−2−チオン、5−アミノ−3−モルホリノメチル−チアジアゾール−2−チオン、及び2−メルカプト−5−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。   Preferable examples of the adhesion promoter include adhesion promoters described in JP-A Nos. 5-11439, 5-341532, and 6-43638. Specifically, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzthiazole, 3-morpholinomethyl-1-phenyl-triazole-2-thione, 3-morpholino Methyl-5-phenyl-oxadiazole-2-thione, 5-amino-3-morpholinomethyl-thiadiazole-2-thione, and 2-mercapto-5-methylthio-thiadiazole, triazole, tetrazole, benzotriazole, carboxybenzotriazole Amino group-containing benzotriazole, silane coupling agents, and the like.

前記密着促進剤の含有量は、前記感光層の全成分に対して、0.001質量%〜20質量%が好ましく、0.01〜10質量%がより好ましく、0.1質量%〜5質量%が特に好ましい。   The content of the adhesion promoter is preferably 0.001% by mass to 20% by mass, more preferably 0.01% by mass to 10% by mass, and 0.1% by mass to 5% by mass with respect to all components of the photosensitive layer. % Is particularly preferred.

本発明の感光性組成物は、粒子の平均粒径が2μm以下であることにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンを効率よく形成可能である。このため、プリント配線板、カラーフィルタや柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの永久パターン形成用として広く用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。   Since the photosensitive composition of the present invention has an average particle diameter of 2 μm or less, it has a long pot life, excellent tackiness, surface failure, surface shape and edge roughness, high sensitivity and high resolution, It has excellent resistance to electrolytic gold plating and fillability of vias and through holes, and can efficiently form a high-definition permanent pattern. For this reason, it can be widely used for the formation of permanent patterns such as printed wiring boards, display members such as color filters, pillars, ribs, spacers, partition walls, holograms, micromachines, proofs, etc. It can be suitably used for forming.

(感光性組成物の製造方法)
本発明の前記感光性組成物の製造方法は、分散工程と、混合工程とを有し、必要に応じて、その他の工程を有する。
〔分散工程〕
前記分散工程は、少なくとも顔料及び熱架橋剤を微粒子化して分散させ、分散物を形成する工程である。
前記分散方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、例えば、ビーズ分散機(分散メディアとしてジルコンビーズ,ジルコニアビーズ,スチールボールなどを利用したビーズ分散装置など。ビーズの粒径は0.1mmΦ〜3.0mmΦなどを目的の粒径にあわせて使用すればよい。)、高速撹拌分散機(超高圧ホモジナイザーなど)、超音波分散機などの分散手段により粉砕混合し、水又は溶剤中などに分散させる方法、などが挙げられる。
また、前記分散物を形成する際には、前記顔料及び熱架橋剤に、更にバインダーを添加し、前記分散手段により、これらを分散させてもよい。このように、分散物にバインダーを添加することにより、含前記顔料や熱架橋剤の凝集を防止することができる。また、バインダー以外に高分子、顔料構造類似体などの分散剤や、顔料表面処理剤、例えば、シランカップリング剤などを利用して分散性を向上させても良い。
前記分散物としては、平均粒径が、2μm以下とであるのが好ましく、1μm以下がより好ましく、0.8μm以下が更に好ましく、0.6μm以下が特に好ましく、0.35μm以下が最も好ましい。該平均粒径が、2μmを超えると、感光層の平面性が悪くなり、タック性、感度、解像度などが低下し、形成された永久パターン表面に欠陥を生じることがある。
前記溶剤としては、有機溶剤が好ましく、該有機溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
(Method for producing photosensitive composition)
The manufacturing method of the said photosensitive composition of this invention has a dispersion | distribution process and a mixing process, and has another process as needed.
[Dispersing process]
The dispersion step is a step of forming a dispersion by finely dispersing at least a pigment and a thermal crosslinking agent.
The dispersion method is not particularly limited, and a known method can be appropriately selected depending on the purpose. The particle diameter of the beads may be 0.1 mmΦ to 3.0 mmΦ depending on the target particle diameter.) By a dispersing means such as a high-speed stirring disperser (such as an ultra-high pressure homogenizer) Examples thereof include a method of pulverizing and mixing, and dispersing in water or a solvent.
Further, when forming the dispersion, a binder may be further added to the pigment and the thermal crosslinking agent, and these may be dispersed by the dispersing means. In this way, by adding a binder to the dispersion, aggregation of the pigment-containing pigment and the thermal crosslinking agent can be prevented. In addition to the binder, the dispersibility may be improved by using a dispersant such as a polymer or a pigment structure analog, or a pigment surface treatment agent such as a silane coupling agent.
The dispersion preferably has an average particle size of 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.8 μm or less, particularly preferably 0.6 μm or less, and most preferably 0.35 μm or less. When the average particle diameter exceeds 2 μm, the planarity of the photosensitive layer is deteriorated, tackiness, sensitivity, resolution and the like are lowered, and defects may be generated on the formed permanent pattern surface.
The solvent is preferably an organic solvent, and examples of the organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, and n-hexanol; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, Ketones such as cyclohexanone and diisobutyl ketone; esters such as ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, and methoxypropyl acetate; toluene, Aromatic hydrocarbons such as xylene, benzene, ethylbenzene; halogenated hydrocarbons such as carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, monochlorobenzene Tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 1-ethers such as methoxy-2-propanol; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and sulfolane. These may be used alone or in combination of two or more.

〔混合工程〕
前記混合工程は、前記分散工程で得られた分散物と、他の成分とを混合する工程である。
前記混合方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができ、前記分散物及びその他の組成物を、水又は前記分散工程と同様の溶剤中に溶解、乳化又は分散させる方法などが挙げられる。
[Mixing process]
The mixing step is a step of mixing the dispersion obtained in the dispersing step and other components.
The mixing method is not particularly limited, and a known method can be appropriately selected according to the purpose. The dispersion and other compositions are dissolved and emulsified in water or a solvent similar to the dispersion step. Or the method of dispersing is mentioned.

本発明の前記感光性組成物の製造方法により、粒子の平均粒径が、2μm以下である本発明の前記感光性組成物が調製される。   By the method for producing the photosensitive composition of the present invention, the photosensitive composition of the present invention having an average particle size of 2 μm or less is prepared.

本発明の感光性組成物の製造方法においては、粒子の平均粒径が、2μm以下であることにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンが得られる感光性組成物を効率よく製造可能である。このため、プリント配線板、カラーフィルタや柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの永久パターン形成用の感光性組成物の製造方法として広く用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用の感光性組成物の製造方法に好適に用いることができる。   In the method for producing a photosensitive composition of the present invention, when the average particle size of the particles is 2 μm or less, the pot life is long, the tack property, the surface failure, the surface shape, the edge roughness are excellent, the high sensitivity and It is possible to efficiently produce a photosensitive composition having high resolution, excellent electroless gold plating resistance, via and through-hole embedding properties, and capable of obtaining a high-definition permanent pattern. For this reason, it can be widely used as a method for producing photosensitive components for forming permanent patterns such as printed wiring boards, color filters, pillar materials, rib materials, spacers, partition members, display members, holograms, micromachines, proofs, etc. In particular, it can be used suitably for the manufacturing method of the photosensitive composition for permanent pattern formation of a printed circuit board.

(感光性フィルム)
本発明の感光性フィルムは、支持体と、該支持体上に本発明の前記感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて、熱可塑性樹脂層等の適宜選択されるその他の層を積層してなる。
(Photosensitive film)
The photosensitive film of the present invention has at least a support and a photosensitive layer made of the above-described photosensitive composition of the present invention on the support. These layers are laminated.

<支持体>
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるものが好ましく、更に表面の平滑性が良好であることがより好ましい。
<Support>
The support is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, it is preferable that the photosensitive layer is peelable and has good light transmittance, and further has a smooth surface. Is more preferable.

前記支持体としては、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The support is preferably made of synthetic resin and transparent, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly (meth) acrylic acid alkyl ester, poly (Meth) acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, polytri Various plastic films such as fluoroethylene, cellulose-based film, nylon film and the like can be mentioned, and among these, polyethylene terephthalate is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、2〜150μmが好ましく、5〜100μmがより好ましく、8〜50μmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, For example, 2-150 micrometers is preferable, 5-100 micrometers is more preferable, and 8-50 micrometers is especially preferable.

前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの長さのものが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, A long shape is preferable. There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate support body, For example, the thing of 10-20,000m length is mentioned.

<感光層>
前記感光層は、本発明の感光性組成物を用いて形成される。
また、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギーは、0.1〜400mJ/cmであることが好ましく、0.2〜200mJ/cmであることがより好ましく、0.5〜100mJ/cmであることが更に好ましく、1〜50mJ/cmであることが特に好ましい。
前記最小エネルギーが、0.1mJ/cm未満であると、処理工程にてカブリが発生することがあり、400mJ/cmを超えると、露光に必要な時間が長くなり、処理スピードが遅くなることがある。
<Photosensitive layer>
The photosensitive layer is formed using the photosensitive composition of the present invention.
In the case where the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy of light used for the exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after the exposure and development is 0.1 to 400 mJ / cm 2 . Preferably, it is 0.2 to 200 mJ / cm 2 , more preferably 0.5 to 100 mJ / cm 2 , and particularly preferably 1 to 50 mJ / cm 2 .
The minimum energy is less than 0.1 mJ / cm 2, may fogging in process step occurs, it exceeds 400 mJ / cm 2, increases the time necessary for exposure, processing speed is slow Sometimes.

ここで、「該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー」とは、いわゆる現像感度であり、例えば、前記感光層を露光したときの前記露光に用いた光のエネルギー量(露光量)と、前記露光に続く前記現像処理により生成した前記硬化層の厚みとの関係を示すグラフ(感度曲線)から求めることができる。
前記硬化層の厚みは、前記露光量が増えるに従い増加していき、その後、前記露光前の前記感光層の厚みと略同一かつ略一定となる。前記現像感度は、前記硬化層の厚みが略一定となったときの最小露光量を読み取ることにより求められる値である。
ここで、前記硬化層の厚みと前記露光前の前記感光層の厚みとの差が±1μm以内であるとき、前記硬化層の厚みが露光及び現像により変化していないとみなす。
前記硬化層及び前記露光前の前記感光層の厚みの測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、膜厚測定装置、表面粗さ測定機(例えば、サーフコム1400D(東京精密社製))などを用いて測定する方法が挙げられる。
Here, “the minimum energy of light used for the exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after the exposure and development” is so-called development sensitivity, for example, when the photosensitive layer is exposed. It can be determined from a graph (sensitivity curve) showing the relationship between the amount of light energy (exposure amount) used for the exposure and the thickness of the cured layer generated by the development process following the exposure.
The thickness of the cured layer increases as the amount of exposure increases, and then becomes substantially the same and substantially constant as the thickness of the photosensitive layer before the exposure. The development sensitivity is a value obtained by reading the minimum exposure when the thickness of the cured layer becomes substantially constant.
Here, when the difference between the thickness of the cured layer and the thickness of the photosensitive layer before the exposure is within ± 1 μm, it is considered that the thickness of the cured layer is not changed by exposure and development.
A method for measuring the thickness of the cured layer and the photosensitive layer before exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, a film thickness measuring device, a surface roughness measuring machine (for example, Surfcom) 1400D (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)) and the like.

前記感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1〜100μmが好ましく、2〜80μmがより好ましく、4〜50μmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 1-100 micrometers is preferable, 2-80 micrometers is more preferable, and 4-50 micrometers is especially preferable.

<保護フィルム>
前記感光性フィルムは、前記感光層上に保護フィルムを形成してもよい。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜100μmが好ましく、8〜50μmがより好ましく、10〜30μmが特に好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ(支持体/保護フィルム)としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、層間接着力を調整することができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
<Protective film>
The photosensitive film may form a protective film on the photosensitive layer.
Examples of the protective film include those used for the support, paper, paper laminated with polyethylene, polypropylene, and the like. Among these, polyethylene film and polypropylene film are preferable.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-100 micrometers is preferable, 8-50 micrometers is more preferable, 10-30 micrometers is especially preferable.
Examples of the combination of the support and the protective film (support / protective film) include polyethylene terephthalate / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene, polyvinyl chloride / cellophane, polyimide / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene terephthalate, and the like. . Moreover, interlayer adhesion can be adjusted by surface-treating at least one of the support and the protective film. The surface treatment of the support may be performed in order to increase the adhesive force with the photosensitive layer. For example, coating of a primer layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, high frequency irradiation treatment, glow treatment Examples thereof include discharge irradiation treatment, active plasma irradiation treatment, and laser beam irradiation treatment.

また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、0.3〜1.4が好ましく、0.5〜1.2がより好ましい。
前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
Moreover, as a static friction coefficient of the said support body and the said protective film, 0.3-1.4 are preferable and 0.5-1.2 are more preferable.
When the coefficient of static friction is less than 0.3, slipping is excessive, so that winding deviation may occur when the roll is formed, and when it exceeds 1.4, it is difficult to wind into a good roll. Sometimes.

前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されることが好ましい。前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られることが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーターを設置することが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いる事が好ましい。前記セパレーターとしては、防湿性のもの、乾燥剤入りのものが特に好ましい。   For example, the photosensitive film is preferably wound around a cylindrical core, wound into a long roll, and stored. There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate photosensitive film, For example, it can select suitably from the range of 10-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. Moreover, you may slit the said roll-shaped photosensitive film in a sheet form. From the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion during storage, it is preferable to install a separator on the end face, and it is also preferable to use a material with low moisture permeability for packaging. As the separator, those having moisture resistance and those containing a desiccant are particularly preferable.

前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30〜150℃で1〜30分間乾燥させることにより形成させることができる。前記乾燥における温度は50〜120℃が特に好ましい。   The protective film may be surface-treated in order to adjust the adhesion between the protective film and the photosensitive layer. In the surface treatment, for example, an undercoat layer made of a polymer such as polyorganosiloxane, fluorinated polyolefin, polyfluoroethylene, or polyvinyl alcohol is formed on the surface of the protective film. The undercoat layer can be formed by applying the polymer coating solution to the surface of the protective film and then drying at 30 to 150 ° C. for 1 to 30 minutes. The temperature in the drying is particularly preferably 50 to 120 ° C.

<その他の層>
前記感光性フィルムにおけるその他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、酸素遮断層(PC層)、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。これらの層を1種単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。また、前記感光層上に保護フィルムを有していてもよい。
<Other layers>
The other layers in the photosensitive film are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Examples thereof include a cushion layer, an oxygen blocking layer (PC layer), a release layer, an adhesive layer, a light absorption layer, You may have layers, such as a surface protective layer. These layers may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may have a protective film on the said photosensitive layer.

〔感光性フィルムの製造方法〕
前記感光性フィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、前記感光性組成物に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、感光性フィルム用の感光性樹脂組成物溶液を調製する。
[Method for producing photosensitive film]
The said photosensitive film can be manufactured as follows, for example.
First, the material contained in the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent to prepare a photosensitive resin composition solution for a photosensitive film.

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as said solvent, According to the objective, it can select suitably, For example, alcohols, such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, n-hexanol; acetone , Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, and methoxypropyl acetate Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, and ethylbenzene; halogenated carbonization such as carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, and monochlorobenzene Motorui; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as 1-methoxy-2-propanol; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and sulfolane. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

次に、前記支持体上に前記感光性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、感光性フィルムを製造することができる。   Next, the photosensitive resin composition solution is applied on the support and dried to form a photosensitive layer, whereby a photosensitive film can be produced.

前記感光性組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60〜110℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
The method for applying the photosensitive composition solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit coating method, and an extrusion coating method. And various coating methods such as a curtain coating method, a die coating method, a gravure coating method, a wire bar coating method, and a knife coating method.
The drying conditions vary depending on each component, the type of solvent, the use ratio, and the like, but are usually about 60 to 110 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.

前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。
前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
The photosensitive film is preferably stored, for example, wound around a cylindrical core, wound in a long roll shape.
There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate photosensitive film, For example, it can select suitably from the range of 10-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. Moreover, you may slit the said roll-shaped photosensitive film in a sheet form. From the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion during storage, it is preferable to install a separator (especially moisture-proof and desiccant-containing) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Is preferred.

(感光性積層体)
本発明の感光性積層体は、基体上に、前記本発明の感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて適宜選択されるその他の層を積層してなる。
(Photosensitive laminate)
The photosensitive laminate of the present invention is formed by laminating at least a photosensitive layer made of the photosensitive composition of the present invention on a substrate and other layers appropriately selected according to the purpose.

<基体>
前記基体は、感光層が形成される被処理基体、又は本発明の感光性フィルムの少なくとも感光層が転写される被転写体となるもので、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を持つものまで任意に選択できる。板状の基体が好ましく、いわゆる基板が使用される。具体的には、公知のプリント配線用の基板(プリント基板)、ガラス板(ソーダガラス板など)、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
<Substrate>
The substrate is a substrate to be processed on which a photosensitive layer is formed, or a member to be transferred onto which at least the photosensitive layer of the photosensitive film of the present invention is transferred. For example, it can be arbitrarily selected from those having high surface smoothness to those having an uneven surface. A plate-like substrate is preferable, and a so-called substrate is used. Specific examples include a known printed wiring board (printed board), a glass plate (soda glass plate, etc.), a synthetic resin film, paper, and a metal plate.

〔感光性積層体の製造方法〕
前記感光性積層体の製造方法としては、第1の態様として、前記感光性組成物を前記基体の表面に塗布し乾燥する方法が挙げられ、第2の態様として、本発明の感光性フィルムにおける少なくとも感光層を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら転写して積層する方法が挙げられる。
[Method for producing photosensitive laminate]
As a manufacturing method of the said photosensitive laminated body, the method of apply | coating the said photosensitive composition to the surface of the said base | substrate and drying as a 1st aspect is mentioned, In the photosensitive film of this invention as a 2nd aspect. Examples include a method of transferring and laminating at least one of the photosensitive layer while performing at least one of heating and pressurization.

前記第1の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基体の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
In the method for producing a photosensitive laminate of the first aspect, a photosensitive layer is formed by applying and drying the photosensitive composition on the substrate.
The method for applying and drying is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent on the surface of the substrate. And a method of laminating by preparing a photosensitive composition solution, applying the solution directly, and drying the solution.

前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ溶剤が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a solvent of the said photosensitive composition solution, According to the objective, it can select suitably, The same solvent as what was used for the said photosensitive film is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

前記塗布方法及び乾燥条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ方法及び条件で行う。   There is no restriction | limiting in particular as said coating method and drying conditions, According to the objective, it can select suitably, It carries out by the same method and conditions as what was used for the said photosensitive film.

前記第2の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体の表面に本発明の感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記感光性フィルムが前記保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基体に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。
前記加熱温度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、15〜180℃が好ましく、60〜140℃がより好ましい。
前記加圧の圧力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0.1〜1.0MPaが好ましく、0.2〜0.8MPaがより好ましい。
In the method for producing a photosensitive laminate according to the second aspect, the photosensitive film of the present invention is laminated on the surface of the substrate while performing at least one of heating and pressing. In addition, when the said photosensitive film has the said protective film, it is preferable to peel this protective film and to laminate | stack so that the said photosensitive layer may overlap with the said base | substrate.
There is no restriction | limiting in particular in the said heating temperature, According to the objective, it can select suitably, For example, 15-180 degreeC is preferable and 60-140 degreeC is more preferable.
There is no restriction | limiting in particular in the pressure of the said pressurization, According to the objective, it can select suitably, For example, 0.1-1.0 MPa is preferable and 0.2-0.8 MPa is more preferable.

前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター(例えば、大成ラミネータ社製 VP−II、ニチゴーモートン(株)製 V130)などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs at least one of the said heating, According to the objective, it can select suitably, For example, Laminator (For example, Taisei Laminator VP-II, Nichigo Morton Co., Ltd. V130) Etc. are preferable.

本発明の感光性フィルム及び感光性積層体は、本発明の感光性組成物を用いることにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造用、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどのパターン形成用などに好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
特に、本発明の感光性フィルムは、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、該フィルムの厚みが均一であるため、永久パターンの形成に際し、永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストなど)を薄層化しても、高加速度試験(HAST)においてイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱性、耐湿性に優れた高精細な永久パターンが得られるため、基材への積層がより精細に行われる。
By using the photosensitive composition of the present invention, the photosensitive film and the photosensitive laminate of the present invention have a long pot life, excellent tackiness, surface failure, surface shape, and edge roughness, high sensitivity and high resolution. Because it is excellent in electroless gold plating resistance and via and through-hole embedding, and high-definition permanent patterns can be efficiently formed, such as permanent patterns such as protective films, interlayer insulating films, and solder resist patterns, etc. It can be suitably used for various pattern formation, for manufacturing liquid crystal structural members such as color filters, pillar materials, rib materials, spacers, partition walls, and for pattern formation for holograms, micromachines, proofs, etc. It can be suitably used for forming a permanent pattern.
In particular, the photosensitive film of the present invention is excellent in tackiness, surface failure, surface shape and edge roughness, and has a uniform thickness. Therefore, when forming a permanent pattern, a permanent pattern (protective film, interlayer insulating film) Even if the solder resist is thinned, ion migration does not occur in the high acceleration test (HAST), and a high-definition permanent pattern with excellent heat resistance and moisture resistance can be obtained. It is done more finely.

(パターン形成装置及び永久パターン形成方法)
前記パターン形成装置は、前記感光層を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。
(Pattern forming apparatus and permanent pattern forming method)
The pattern forming apparatus includes the photosensitive layer and includes at least light irradiation means and light modulation means.

本発明の永久パターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程等のその他の工程を含む。
なお、前記パターン形成装置は、本発明の前記永久パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。
The permanent pattern forming method of the present invention includes at least an exposure step, and includes other steps such as an appropriately selected development step.
In addition, the said pattern formation apparatus is clarified through description of the said permanent pattern formation method of this invention.

〔露光工程〕
前記露光工程は、本発明の感光性積層体における感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の前記感光性フィルム、及び基材の材料については上述の通りである。
[Exposure process]
The said exposure process is a process of exposing with respect to the photosensitive layer in the photosensitive laminated body of this invention. The photosensitive film and the base material of the present invention are as described above.

前記露光の対象としては、前記感光性フィルムにおける感光層である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、上述のように、基材上に感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層して形成した積層体に対して行われることが好ましい。   The subject of the exposure is not particularly limited as long as it is a photosensitive layer in the photosensitive film, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, as described above, the photosensitive film is heated on the substrate. It is preferably performed on a laminate formed by laminating while performing at least one of pressurization and pressurization.

前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as said exposure, According to the objective, it can select suitably, Digital exposure, analog exposure, etc. are mentioned, Among these, digital exposure is preferable.

前記アナログ露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所定のパターンを有するネガマスクを介して、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプなどで露光を行なう方法が挙げられる。   The analog exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.For example, a method of performing exposure with a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like through a negative mask having a predetermined pattern. Can be mentioned.

前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましく、例えば、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行う方法が好ましい。   The digital exposure is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, a control signal is generated based on pattern formation information to be formed, and light modulated in accordance with the control signal is used. For example, the photosensitive layer is arranged in a two-dimensional array of n (where n is a natural number of 2 or more) that receives and emits light from the light irradiation means and the light irradiation means. An exposure head provided with a light modulation unit capable of controlling the drawing unit according to pattern information, wherein the column direction of the drawing unit is relative to the scanning direction of the exposure head. An exposure head arranged so as to form a predetermined set inclination angle θ is used, and the exposure head is subjected to N double exposure (where N is 2) among the usable pixel parts by the use pixel part specifying means. The natural number above) Designate the element part, and control the element part for the exposure head so that only the element part specified by the element part for specifying the used element part is involved in the exposure by the element part controlling unit. A method is preferred in which the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in the scanning direction.

本発明において「N重露光」とは、前記感光層の被露光面上の露光領域の略すべての領域において、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線が、前記被露光面上に照射されたN本の光点列(画素列)と交わるような設定による露光を指す。ここで、「光点列(画素列)」とは、前記描素部により生成された描素単位としての光点(画素)の並びうち、前記露光ヘッドの走査方向となす角度がより小さい方向の並びを指すものとする。なお、前記描素部の配置は、必ずしも矩形格子状でなくてもよく、たとえば平行四辺形状の配置等であってもよい。 ここで、露光領域の「略すべての領域」と述べたのは、各描素部の両側縁部では、描素部列を傾斜させたことにより、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が減るため、かかる場合に複数の露光ヘッドをつなぎ合わせるように使用したとしても、該露光ヘッドの取付角度や配置等の誤差により、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数がわずかに増減することがあるため、また、各使用描素部の描素部列間のつなぎの、解像度分以下のごくわずかな部分では、取付角度や描素部配置等の誤差により、走査方向と直交する方向に沿った描素部のピッチが他の部分の描素部のピッチと厳密に一致せず、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が±1の範囲で増減することがあるためである。なお、以下の説明では、Nが2以上の自然数であるN重露光を総称して「多重露光」という。さらに、以下の説明では、本発明の露光装置又は露光方法を、描画装置又は描画方法として実施した形態について、「N重露光」及び「多重露光」に対応する用語として、「N重描画」及び「多重描画」という用語を用いるものとする。
前記N重露光のNとしては、2以上の自然数であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3以上の自然数が好ましく、3以上7以下の自然数がより好ましい。
In the present invention, “N double exposure” means that the exposed surface is irradiated with a straight line parallel to the scanning direction of the exposure head in almost all of the exposed region on the exposed surface of the photosensitive layer. This means exposure by setting that intersects N light spot rows (pixel rows). Here, the “light spot array (pixel array)” is a direction in which the angle formed with the scanning direction of the exposure head is smaller in the array of light spots (pixels) as pixel units generated by the pixel unit. Refers to a sequence of Note that the arrangement of the picture element portions is not necessarily a rectangular lattice shape, and may be, for example, an arrangement of parallelograms. Here, “substantially all areas” of the exposure area is described as a straight line parallel to the scanning direction of the exposure head by tilting the pixel part rows at both side edges of each picture element part. Since the number of drawing element rows of the used drawing element parts to be crossed decreases, even if it is used to connect a plurality of exposure heads in such a case, it is parallel to the scanning direction due to errors in the mounting angle and arrangement of the exposure heads. The number of pixel parts in the used pixel part that intersect with a straight line may slightly increase or decrease, and the connection between the pixel parts in each used pixel part is only a fraction of the resolution. However, due to errors such as the mounting angle and the arrangement of the picture element parts, the pitch of the picture element parts along the direction orthogonal to the scanning direction does not exactly match the pitch of the picture element parts of other parts, and is parallel to the scanning direction. The number of used pixel parts that intersect with the straight line may increase or decrease within a range of ± 1. It is an order. In the following description, N multiple exposures where N is a natural number of 2 or more are collectively referred to as “multiple exposure”. Further, in the following description, “N multiple drawing” and “multiple exposure” are used as terms corresponding to “N double exposure” and “multiple exposure” for an embodiment in which the exposure apparatus or exposure method of the present invention is implemented as a drawing apparatus or drawing method. The term “multiple drawing” shall be used.
N in the N-fold exposure is not particularly limited as long as it is a natural number of 2 or more, and can be appropriately selected according to the purpose. However, a natural number of 3 or more is preferable, and a natural number of 3 or more and 7 or less is more preferable. .

本発明の永久パターン形成方法に係るパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。
前記パターン形成装置としては、いわゆるフラットベッドタイプの露光装置とされており、図1に示すように、前記感光性フィルムにおける少なくとも前記感光層が積層されてなるシート状の感光性積層体12(以下、「感光材料12」、「感光層12」ということがある)を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ14を備えている。4本の脚部16に支持された厚い板状の設置台18の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド20が設置されている。ステージ14は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド20によって往復移動可能に支持されている。なお、このパターン形成装置10には、ステージ14をガイド20に沿って駆動するステージ駆動装置(図示せず)が設けられている。
An example of a pattern forming apparatus according to the permanent pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings.
The pattern forming apparatus is a so-called flatbed type exposure apparatus, and as shown in FIG. 1, a sheet-like photosensitive laminate 12 (hereinafter referred to as a laminate) in which at least the photosensitive layer in the photosensitive film is laminated. , “Photosensitive material 12” or “photosensitive layer 12”) is provided. Two guides 20 extending along the stage moving direction are installed on the upper surface of the thick plate-shaped installation table 18 supported by the four legs 16. The stage 14 is arranged so that the longitudinal direction thereof faces the stage moving direction, and is supported by the guide 20 so as to be reciprocally movable. The pattern forming apparatus 10 is provided with a stage driving device (not shown) that drives the stage 14 along the guide 20.

設置台18の中央部には、ステージ14の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート22が設けられている。コの字状のゲート22の端部の各々は、設置台18の両側面に固定されている。このゲート22を挟んで一方の側にはスキャナ24が設けられ、他方の側には感光材料12の先端及び後端を検知する複数(たとえば2個)のセンサ26が設けられている。スキャナ24及びセンサ26はゲート22に各々取り付けられて、ステージ14の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ24及びセンサ26は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。   A U-shaped gate 22 is provided at the center of the installation base 18 so as to straddle the movement path of the stage 14. Each end of the U-shaped gate 22 is fixed to both side surfaces of the installation base 18. A scanner 24 is provided on one side across the gate 22, and a plurality of (for example, two) sensors 26 that detect the front and rear ends of the photosensitive material 12 are provided on the other side. The scanner 24 and the sensor 26 are respectively attached to the gate 22 and fixedly arranged above the moving path of the stage 14. The scanner 24 and the sensor 26 are connected to a controller (not shown) that controls them.

ここで、説明のため、ステージ14の表面と平行な平面内に、図1に示すように、互いに直交するX軸及びY軸を規定する。   Here, for explanation, an X axis and a Y axis orthogonal to each other are defined in a plane parallel to the surface of the stage 14 as shown in FIG.

ステージ14の走査方向に沿って上流側(以下、単に「上流側」ということがある。)の端縁部には、X軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット28が、等間隔で10本形成されている。各スリット28は、上流側に位置するスリット28aと下流側に位置するスリット28bとからなっている。スリット28aとスリット28bとは互いに直交するとともに、X軸に対してスリット28aは−45度、スリット28bは+45度の角度を有している。   A slit formed in a “<” shape that opens in the direction of the X-axis at the upstream edge (hereinafter sometimes simply referred to as “upstream”) along the scanning direction of the stage 14. 10 are formed at equal intervals. Each slit 28 includes a slit 28 a located on the upstream side and a slit 28 b located on the downstream side. The slit 28a and the slit 28b are orthogonal to each other, and the slit 28a has an angle of −45 degrees and the slit 28b has an angle of +45 degrees with respect to the X axis.

スリット28の位置は、前記露光ヘッド30の中心と略一致させられている。また、各スリット28の大きさは、対応する露光ヘッド30による露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。また、スリット28の位置としては、隣接する露光済み領域34間の重複部分の中心位置と略一致させてもよい。この場合、各スリット28の大きさは、露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさとする。   The position of the slit 28 is substantially coincident with the center of the exposure head 30. In addition, the size of each slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32 by the corresponding exposure head 30. Further, the position of the slit 28 may be substantially coincident with the center position of the overlapping portion between the adjacent exposed regions 34. In this case, the size of each slit 28 is set so as to sufficiently cover the width of the overlapping portion between the exposed regions 34.

ステージ14内部の各スリット28の下方の位置には、それぞれ、後述する使用描素部指定処理において、描素単位としての光点を検出する光点位置検出手段としての単一セル型の光検出器(図示せず)が組み込まれている。また、各光検出器は、後述する使用描素部指定処理において、前記描素部の選択を行う描素部選択手段としての演算装置(図示せず)に接続されている。   In the position below each slit 28 inside the stage 14, single cell type light detection as a light spot position detecting means for detecting a light spot as a pixel unit in a used pixel part designation process described later. A vessel (not shown) is incorporated. In addition, each photodetector is connected to an arithmetic unit (not shown) as a pixel part selection means for selecting the pixel part in the used pixel part specifying process described later.

露光時における前記パターン形成装置の動作形態はとしては、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。   The operation form of the pattern forming apparatus at the time of exposure may be a form in which exposure is continuously performed while constantly moving the exposure head, or each movement destination position while the exposure head is moved stepwise. The exposure head may be stationary to perform the exposure operation.

<<露光ヘッド>>
各露光ヘッド30は、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36の各描素部(マイクロミラー)列方向が、走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ24に取り付けられている。このため、各露光ヘッド30による露光エリア32は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。ステージ14の移動に伴い、感光層12には露光ヘッド30ごとに帯状の露光済み領域34が形成される。図2及び図3Bに示す例では、2行5列の略マトリックス状に配列された10個の露光ヘッドが、スキャナ24に備えられている。
なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド30mnと表記し、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア32mnと表記する。
<< Exposure head >>
Each exposure head 30 is connected to the scanner 24 so that each pixel portion (micromirror) row direction of an internal digital micromirror device (DMD) 36 described later forms a predetermined set inclination angle θ with the scanning direction. It is attached. For this reason, the exposure area 32 by each exposure head 30 is a rectangular area inclined with respect to the scanning direction. As the stage 14 moves, a strip-shaped exposed region 34 is formed in the photosensitive layer 12 for each exposure head 30. In the example shown in FIGS. 2 and 3B, the scanner 24 includes ten exposure heads arranged in a substantially matrix of 2 rows and 5 columns.
In the following description, when the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column are indicated, the exposure head 30 mn is indicated, and exposure by the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column is performed. When an area is indicated, it is expressed as an exposure area 32 mn .

また、図3A及び図3Bに示すように、帯状の露光済み領域34のそれぞれが、隣接する露光済み領域34と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド30の各々は、その配列方向に所定間隔(露光エリアの長辺の自然数倍、本実施形態では2倍)ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア3211と露光エリア3212との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア3221により露光することができる。 Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, each of the exposure heads 30 in each row arranged in a line so that each of the strip-shaped exposed regions 34 partially overlaps the adjacent exposed region 34 is In the arrangement direction, they are shifted by a predetermined interval (a natural number times the long side of the exposure area, twice in this embodiment). Therefore, can not be exposed portion between the exposure area 32 11 in the first row and the exposure area 32 12, it can be exposed by the second row of the exposure area 32 21.

露光ヘッド30の各々は、図4、図5A及び図5Bに示すように、入射された光を画像データに応じて描素部ごとに変調する光変調手段(描素部ごとに変調する空間光変調素子)として、DMD36(米国テキサス・インスツルメンツ社製)を備えている。このDMD36は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた描素部制御手段としてのコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、露光ヘッド30ごとに、DMD36上の使用領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド30ごとに、DMD36の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。   As shown in FIGS. 4, 5A, and 5B, each of the exposure heads 30 includes a light modulation unit that modulates incident light for each pixel part according to image data (spatial light that modulates each pixel part). As a modulation element, a DMD 36 (manufactured by Texas Instruments Inc., USA) is provided. The DMD 36 is connected to a controller serving as a pixel part control unit including a data processing unit and a mirror drive control unit. The data processing unit of this controller generates a control signal for driving and controlling each micromirror in the use area on the DMD 36 for each exposure head 30 based on the input image data. The mirror drive control unit controls the angle of the reflection surface of each micromirror of the DMD 36 for each exposure head 30 based on the control signal generated by the image data processing unit.

図4に示すように、DMD36の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア32の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源38、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系40、このレンズ系40を透過したレーザ光をDMD36に向けて反射するミラー42がこの順に配置されている。なお図4では、レンズ系40を概略的に示してある。   As shown in FIG. 4, on the light incident side of the DMD 36, there is provided a laser emitting portion in which the emission end portion (light emitting point) of the optical fiber is arranged in a line along the direction that coincides with the long side direction of the exposure area 32. A fiber array light source 38, a lens system 40 for correcting the laser light emitted from the fiber array light source 38 and condensing it on the DMD, and a mirror 42 for reflecting the laser light transmitted through the lens system 40 toward the DMD 36 Arranged in order. In FIG. 4, the lens system 40 is schematically shown.

上記レンズ系40は、図5A及び図5Bに詳しく示すように、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を平行光化する1対の組合せレンズ44、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する1対の組合せレンズ46、及び光量分布が補正されたレーザ光をDMD36上に集光する集光レンズ48で構成されている。   As shown in detail in FIGS. 5A and 5B, the lens system 40 includes a pair of combination lenses 44 that convert the laser light emitted from the fiber array light source 38 into parallel light, and a light quantity distribution of the parallel laser light. A pair of combination lenses 46 that are corrected so as to be uniform, and a condensing lens 48 that condenses the laser light whose light quantity distribution has been corrected on the DMD 36 are configured.

また、DMD36の光反射側には、DMD36で反射されたレーザ光を感光層12の被露光面上に結像するレンズ系50が配置されている。レンズ系50は、DMD36と感光層12の被露光面とが共役な関係となるように配置された、2枚のレンズ52及び54からなる。   Further, on the light reflection side of the DMD 36, a lens system 50 that images the laser light reflected by the DMD 36 on the exposed surface of the photosensitive layer 12 is disposed. The lens system 50 includes two lenses 52 and 54 arranged so that the DMD 36 and the exposed surface of the photosensitive layer 12 have a conjugate relationship.

本実施形態では、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光は、実質的に5倍に拡大された後、DMD36上の各マイクロミラーからの光線が上記のレンズ系50によって約5μmに絞られるように設定されている。   In the present embodiment, the laser light emitted from the fiber array light source 38 is substantially magnified five times, and then the light from each micromirror on the DMD 36 is reduced to about 5 μm by the lens system 50. Is set to

−光変調手段−
前記光変調手段としては、n個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された前記描素部を有し、前記パターン情報に応じて前記描素部を制御可能なものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間光変調素子が好ましい。
-Light modulation means-
The light modulating means has n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged image elements, and can control the image elements according to the pattern information. If it is, there will be no restriction | limiting in particular, According to the objective, it can select suitably, For example, a spatial light modulation element is preferable.

前記空間光変調素子としては、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM;Special Light Modulator)、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)、液晶光シャッタ(FLC)などが挙げられ、これらの中でもDMDが好適に挙げられる。   Examples of the spatial light modulator include a digital micromirror device (DMD), a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulator (SLM), and modulates transmitted light by an electro-optic effect. An optical element (PLZT element), a liquid crystal optical shutter (FLC), etc. are mentioned, Among these, DMD is mentioned suitably.

また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。
Moreover, it is preferable that the said light modulation means has a pattern signal generation means which produces | generates a control signal based on the pattern information to form. In this case, the light modulation unit modulates light according to the control signal generated by the pattern signal generation unit.
There is no restriction | limiting in particular as said control signal, According to the objective, it can select suitably, For example, a digital signal is mentioned suitably.

以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。
DMD36は図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)56上に、各々描素(ピクセル)を構成する描素部として、多数のマイクロミラー58が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。本実施形態では、1,024列×768行のマイクロミラー58が配されてなるDMD36を使用するが、このうちDMD36に接続されたコントローラにより駆動可能すなわち使用可能なマイクロミラー58は、1,024列×256行のみであるとする。DMD36のデータ処理速度には限界があり、使用するマイクロミラー数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、このように一部のマイクロミラーのみを使用することにより1ライン当りの変調速度が速くなる。各マイクロミラー58は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー58の反射率は90%以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに13.7μmである。SRAMセル56は、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのものであり、全体はモノリシック(一体型)に構成されている。
Hereinafter, an example of the light modulation means will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 6, the DMD 36 is a mirror device in which a large number of micromirrors 58 are arranged in a lattice pattern on a SRAM cell (memory cell) 56 as a pixel portion constituting each pixel (pixel). . In this embodiment, the DMD 36 in which the micromirrors 58 of 1,024 columns × 768 rows are arranged is used. Of these, the micromirrors 58 that can be driven by the controller connected to the DMD 36, that is, usable, are 1,024. It is assumed that there are only columns × 256 rows. The data processing speed of the DMD 36 is limited, and the modulation speed per line is determined in proportion to the number of micromirrors to be used. Thus, by using only some of the micromirrors in this way, Modulation speed increases. Each micromirror 58 is supported by a support column, and a material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface thereof. In the present embodiment, the reflectance of each micromirror 58 is 90% or more, and the arrangement pitch thereof is 13.7 μm in both the vertical direction and the horizontal direction. The SRAM cell 56 is of a silicon gate CMOS manufactured in a normal semiconductor memory manufacturing line via a support including a hinge and a yoke, and the whole is configured monolithically (integrated).

DMD36のSRAMセル(メモリセル)56に、所望の2次元パターンを構成する各点の濃度を2値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー58が、対角線を中心としてDMD36が配置された基板側に対して±α度(たとえば±10度)のいずれかに傾く。図7Aは、マイクロミラー58がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7Bは、マイクロミラー58がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。このように、画像信号に応じて、DMD36の各ピクセルにおけるマイクロミラー58の傾きを、図6に示すように制御することによって、DMD36に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー58の傾き方向へ反射される。   When an image signal representing the density of each point constituting a desired two-dimensional pattern in binary is written in the SRAM cell (memory cell) 56 of the DMD 36, each micromirror 58 supported by the column is centered on the diagonal line. As shown in FIG. 1, the inclination is inclined to ± α degrees (for example, ± 10 degrees) with respect to the substrate side on which the DMD 36 is disposed. FIG. 7A shows a state in which the micromirror 58 is tilted to + α degrees in the on state, and FIG. 7B shows a state in which the micromirror 58 is tilted to −α degrees in the off state. In this way, by controlling the inclination of the micromirror 58 in each pixel of the DMD 36 as shown in FIG. 6 in accordance with the image signal, the laser light B incident on the DMD 36 moves in the inclination direction of each micromirror 58. Reflected.

図6には、DMD36の一部を拡大し、各マイクロミラー58が+α度又はα度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー58のオンオフ制御は、DMD36に接続された上記のコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー58で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。   FIG. 6 shows an example in which a part of the DMD 36 is enlarged and each micromirror 58 is controlled to + α degrees or α degrees. The on / off control of each micromirror 58 is performed by the controller connected to the DMD 36. Further, a light absorber (not shown) is arranged in the direction in which the laser beam B reflected by the off-state micromirror 58 travels.

−光照射手段−
前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(超)高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、LED、半導体レーザ等の公知光源、又は2以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも2以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。
前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始剤や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、X線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、2以上の光を合成したレーザ(以下、「合波レーザ」と称することがある)がより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。
-Light irradiation means-
The light irradiation means is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, (ultra) high pressure mercury lamp, xenon lamp, carbon arc lamp, halogen lamp, copier, fluorescent tube, LED, etc. , A known light source such as a semiconductor laser, or a means capable of synthesizing and irradiating two or more lights. Among these, a means capable of synthesizing and irradiating two or more lights is preferable.
The light emitted from the light irradiation means is, for example, an electromagnetic wave that passes through the support and activates the photopolymerization initiator and sensitizer used when the light is irradiated through the support. In particular, ultraviolet to visible light, electron beam, X-ray, laser beam, and the like are mentioned. Of these, laser beam is preferable, and a laser combining two or more lights (hereinafter, referred to as “combined laser”). More preferred. Even when light irradiation is performed after the support is peeled off, the same light can be used.

前記紫外から可視光線の波長は、例えば、300〜1,500nmが好ましく、320〜800nmがより好ましく、330〜650nmが特に好ましい。
前記レーザ光の波長は、例えば、200〜1,500nmが好ましく、300〜800nmがより好ましく、330〜500nmが更に好ましく、400〜450nmが特に好ましい。
For example, the wavelength of ultraviolet to visible light is preferably 300 to 1,500 nm, more preferably 320 to 800 nm, and particularly preferably 330 to 650 nm.
For example, the wavelength of the laser beam is preferably 200 to 1,500 nm, more preferably 300 to 800 nm, still more preferably 330 to 500 nm, and particularly preferably 400 to 450 nm.

前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。   Examples of means capable of irradiating the combined laser include, for example, a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and collective optics for condensing the laser beams respectively emitted from the plurality of lasers and coupling them to the multimode optical fiber. Means having a system are preferred.

前記合波レーザを照射可能な手段(ファイバアレイ光源)としては、例えば、特開2005−258431号公報〔0109〕〜〔0146〕に記載の手段が挙げられる。   Examples of means (fiber array light source) capable of irradiating the combined laser include means described in JP-A-2005-258431 [0109] to [0146].

<<使用描素部指定手段>>
前記使用描素部指定手段としては、描素単位としての光点の位置を被露光面上において検出する光点位置検出手段と、前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段とを少なくとも備えることが好ましい。
以下、前記使用描素部指定手段による、N重露光に使用する描素部の指定方法の例について説明する。
<< Used pixel part designation means >>
The used pixel part specifying means includes a light spot position detecting means for detecting the position of a light spot on a surface to be exposed as a pixel unit, and N-fold exposure based on a detection result by the light spot position detecting means. It is preferable to include at least a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for the realization.
Hereinafter, an example of a method for designating a pixel part used for N-exposure by the used pixel part designation unit will be described.

(1)単一露光ヘッド内における使用描素部の指定方法
本実施形態(1)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、各露光ヘッド30の取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(1) Method for Specifying Picture Element Portions Used in Single Exposure Head In the present embodiment (1), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12, and each exposure head 30. A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing the variation in resolution and density unevenness caused by the mounting angle error and realizing ideal double exposure.

露光ヘッド30の走査方向に対する描素部(マイクロミラー58)の列方向の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも、若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
となる。本実施形態(1)では、上記のとおりs=256、N=2であるので、前記式3より、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θは、たとえば0.50度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
The set inclination angle θ in the column direction of the image element (micromirror 58) with respect to the scanning direction of the exposure head 30 can be used as long as there is no mounting angle error of the exposure head 30 and the like. It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal, which is a double exposure using 256 lines of pixel parts, is adopted.
This angle θ ideal is equal to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p of usable micromirrors 58 in the column direction, and the microscopic exposure head 30 in a tilted state. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsinθ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcosθ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
It becomes. In the present embodiment (1), since s = 256 and N = 2 as described above, the angle θ ideal is about 0.45 degrees according to Equation 3. Therefore, the set inclination angle θ may be an angle of about 0.50 degrees, for example. It is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図10は、上記のように初期調整されたパターン形成装置10において、1つの露光ヘッド30の取付角度誤差、及びパターン歪みの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。以下の図面及び説明においては、各描素部(マイクロミラー)により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点について、第m行目の光点をr(m)、第n列目の光点をc(n)、第m行第n列の光点をP(m,n)とそれぞれ表記するものとする。   FIG. 10 illustrates an example of unevenness in a pattern on an exposed surface due to the influence of an attachment angle error of one exposure head 30 and pattern distortion in the pattern forming apparatus 10 that is initially adjusted as described above. FIG. In the following drawings and description, the light spot in the m-th row is represented by r (m) with respect to the light spot generated by each pixel part (micromirror) and constituting the exposure area on the exposed surface. ), The light spot in the nth column is denoted as c (n), and the light spot in the mth row and the nth column is denoted as P (m, n).

図10の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光材料12の被露光面上に投影される、使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示し、下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を示したものである。
なお、図10では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンを分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
The upper part of FIG. 10 shows a pattern of light spot groups from the usable micromirrors 58 projected onto the exposed surface of the photosensitive material 12 with the stage 14 being stationary, and the lower part is the upper part. 2 shows the state of the exposure pattern formed on the surface to be exposed when the stage 14 is moved and continuous exposure is performed in the state where the pattern of light spots as shown in FIG.
In FIG. 10, for convenience of explanation, the exposure pattern of the odd-numbered columns of the usable micromirrors 58 and the exposure pattern of the even-numbered columns are shown separately. However, the actual exposure patterns on the exposed surface are shown in FIG. Two exposure patterns are superimposed.

図10の例では、設定傾斜角度θを上記の角度θidealよりも若干大きい角度を採用した結果として、また露光ヘッド30の取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度と上記の設定傾斜角度θとが誤差を有する結果として、被露光面上のいずれの領域においても濃度むらが生じている。具体的には、奇数列のマイクロミラーによる露光パターン及び偶数列のマイクロミラーによる露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となり、描画が冗長となる領域が生じ、濃度むらが生じている。 In the example of FIG. 10, as a result of adopting the set inclination angle θ slightly larger than the angle θ ideal , and because it is difficult to finely adjust the mounting angle of the exposure head 30, the actual mounting angle and the above As a result of the error in the set inclination angle θ, density unevenness occurs in any region on the exposed surface. Specifically, in both the exposure pattern by the odd-numbered micromirrors and the exposure pattern by the even-numbered micromirrors, it is ideal in the overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows. Overexposure occurs with respect to double exposure, resulting in a redundant drawing area and uneven density.

さらに、図10の例では、被露光面上に現れるパターン歪みの一例であって、被露光面上に投影された各画素列の傾斜角度が均一ではなくなる「角度歪み」が生じている。このような角度歪みが生じる原因としては、DMD36と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれ、及びDMD36自体の歪みやマイクロミラーの配置誤差等が挙げられる。
図10の例に現れている角度歪みは、走査方向に対する傾斜角度が、図の左方の列ほど小さく、図の右方の列ほど大きくなっている形態の歪みである。この角度歪みの結果として、露光過多となっている領域は、図の左方に示した被露光面上ほど小さく、図の右方に示した被露光面上ほど大きくなっている。
Furthermore, the example of FIG. 10 is an example of pattern distortion appearing on the surface to be exposed, and “angular distortion” occurs in which the inclination angle of each pixel row projected on the surface to be exposed is not uniform. Causes of such angular distortion include various aberrations and alignment deviations of the optical system between the DMD 36 and the exposed surface, distortion of the DMD 36 itself, micromirror placement errors, and the like.
The angular distortion appearing in the example of FIG. 10 is a distortion in which the tilt angle with respect to the scanning direction is smaller in the left column of the figure and larger in the right column of the figure. As a result of this angular distortion, the overexposed area is smaller on the exposed surface shown on the left side of the figure and larger on the exposed surface shown on the right side of the figure.

上記したような、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域における濃度むらを軽減するために、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド30ごとに実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された前記演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
実傾斜角度θ´は、光点位置検出手段が検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす角度により特定される。
以下、図11及び12を用いて、前記実傾斜角度θ´の特定、及び使用画素選択処理について説明する。
In order to reduce the density unevenness in the overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows as described above, a set of the slit 28 and the photodetector is used as the light spot position detecting means. The actual inclination angle θ ′ is specified for each exposure head 30, and based on the actual inclination angle θ ′, the arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection unit is used for actual exposure. A process of selecting a micromirror to be used is performed.
The actual inclination angle θ ′ is based on at least two light spot positions detected by the light spot position detection means, and the light spot column direction on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted. It is specified by the angle formed by.
Hereinafter, the specification of the actual inclination angle θ ′ and the used pixel selection process will be described with reference to FIGS.

−実傾斜角度θ´の特定−
図11は、1つのDMD36による露光エリア32と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。
本実施形態(1)の例では、露光エリア32の略中心に位置する第512列目の光点列と露光ヘッド30の走査方向とがなす角度を、上記の実傾斜角度θ´として測定する。具体的には、DMD36上の第1行目第512列目のマイクロミラー58、及び第256行目第512列目のマイクロミラー58をオン状態とし、それぞれに対応する被露光面上の光点P(1,512)及びP(256,512)の位置を検出し、それらを結ぶ直線と露光ヘッドの走査方向とがなす角度を実傾斜角度θ´として特定する。
-Specification of actual inclination angle θ'-
FIG. 11 is a top view showing the positional relationship between the exposure area 32 by one DMD 36 and the corresponding slit 28. The size of the slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32.
In the example of the present embodiment (1), the angle formed by the 512th light spot row positioned substantially at the center of the exposure area 32 and the scanning direction of the exposure head 30 is measured as the actual inclination angle θ ′. . Specifically, the micromirror 58 in the first row and the 512th column and the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column on the DMD 36 are turned on, and the light spots on the exposure surface corresponding to each of the micromirrors 58 are turned on. The positions of P (1,512) and P (256,512) are detected, and the angle formed by the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is specified as the actual inclination angle θ ′.

図12は、光点P(256,512)の位置の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第512列目のマイクロミラー58を点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256,512)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y0)とする。この座標(X0,Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
FIG. 12 is a top view illustrating a method for detecting the position of the light spot P (256, 512).
First, in a state where the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column is turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 512) is changed. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the upstream slit 28a and the downstream slit 28b. At this time, the coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b are (X0, Y0). The value of this coordinate (X0, Y0) is determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図12における右方に相対移動させる。そして、図12において二点鎖線で示すように、光点P(256,512)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y1)を、光点P(256,512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved to the right in FIG. 12 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 12, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図12における左方に相対移動させる。そして、図12において二点鎖線で示すように、光点P(256,512)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y2)を光点P(256,512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 12 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 12, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

以上の測定結果から、光点P(256,512)の被露光面上における位置を示す座標(X,Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。同様の測定により、P(1,512)の位置を示す座標も決定し、それぞれの座標を結ぶ直線と、露光ヘッド30の走査方向とがなす傾斜角度を導出し、これを実傾斜角度θ´として特定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 512) on the surface to be exposed are X = X0 + (Y1-Y2) / 2, Y = (Y1 + Y2) / 2. Determine by calculation. By the same measurement, coordinates indicating the position of P (1,512) are also determined, an inclination angle formed by a straight line connecting the respective coordinates and the scanning direction of the exposure head 30 is derived, and this is obtained as an actual inclination angle θ ′. As specified.

−使用描素部の選択−
このようにして特定された実傾斜角度θ´を用い、前記光検出器に接続された前記演算装置は、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを導出し、DMD36上の1行目からT行目のマイクロミラーを、本露光時に実際に使用するマイクロミラーとして選択する処理を行う。これにより、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域と、露光不足となる領域との面積合計が最小となるようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
−Selection of used pixel part−
Using the actual inclination angle θ ′ thus specified, the arithmetic unit connected to the photodetector is expressed by the following equation 4
ttanθ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived, and the first to T-th row micromirrors on the DMD 36 are selected as micromirrors that are actually used during the main exposure. In this way, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the total area of the overexposed region and the underexposed region with respect to the ideal double exposure is actually obtained. It can be selected as a micromirror to be used for.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the overexposed region and does not produce an underexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.
It is also possible to derive the maximum natural number equal to or less than the value t. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the underexposed region and does not produce an overexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.

図13は、上記のようにして実際に使用するマイクロミラーとして選択されたマイクロミラーが生成した光点のみを用いて行った露光において、図10に示した被露光面上のむらがどのように改善されるかを示した説明図である。
この例では、上記の自然数TとしてT=253が導出され、第1行目から第253行目のマイクロミラーが選択されたものとする。選択されなかった第254行目から第256行目のマイクロミラーに対しては、前記描素部制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。図13に示すとおり、第512列目付近の露光領域では、露光過多及び露光不足は、ほぼ完全に解消され、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光が実現される。
FIG. 13 shows how the unevenness on the exposed surface shown in FIG. 10 is improved in the exposure performed using only the light spot generated by the micromirror selected as the micromirror to be actually used as described above. It is explanatory drawing which showed what was done.
In this example, it is assumed that T = 253 is derived as the natural number T and the micromirrors in the first row to the 253rd row are selected. For the micromirrors in the 254th to 256th rows that are not selected, the pixel part control means sends a signal to set the angle of the always-off state, and these micromirrors are substantially Not involved in exposure. As shown in FIG. 13, in the exposure region near the 512th column, overexposure and underexposure are almost completely eliminated, and uniform exposure very close to ideal double exposure is realized.

一方、図13の左方の領域(図中のc(1)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光点列の傾斜角度が中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも小さくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーのみによる露光では、偶数列による露光パターン及び奇数列による露光パターンのそれぞれにおいて、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光量不足となる領域が互いに補完され、前記角度歪みによる露光むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
On the other hand, in the left region of FIG. 13 (near c (1) in the figure), the inclination angle of the light spot sequence on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. This is smaller than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure using only the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, the ideal double pattern is used for each of the even-numbered exposure pattern and the odd-numbered exposure pattern. An area that is underexposed with respect to the exposure is slightly generated.
However, in the actual exposure pattern formed by overlaying the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the regions where the exposure amount is insufficient are complemented with each other, and the exposure unevenness due to the angular distortion is double-exposed. The effect of offsetting can be minimized.

また、図13の右方の領域(図中のc(1024)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光線列の傾斜角度が、中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも大きくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーによる露光では、図に示すように、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光過多となる領域が互いに補完され、前記角度歪による濃度むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
Further, in the region on the right side of FIG. 13 (near c (1024) in the figure), the inclination angle of the light beam on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. It is larger than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure with the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, as shown in the figure, there is an overexposed region with respect to the ideal double exposure. It will occur slightly.
However, in the actual exposure pattern formed by superimposing the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the overexposed regions are complemented with each other, and the density unevenness due to the angular distortion is caused by the double exposure. The effect of offsetting can be minimized.

本実施形態(1)では、上述のとおり、第512列目の光線列の実傾斜角度θ´が測定され、該実傾斜角度θ´を用い、前記式(4)により導出されたTに基づいて使用するマイクロミラー58を選択したが、前記実傾斜角度θ´の特定方法としては、複数の描素部の列方向(光点列)と、前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度をそれぞれ測定し、それらの平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかを実傾斜角度θ´として特定し、前記式4等によって実際の露光時に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としてもよい。
前記平均値又は前記中央値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域と露光不足となる領域とのバランスがよい露光を実現することができる。例えば、露光過多となる領域と、露光量不足となる領域との合計面積が最小に抑えられ、かつ、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるような露光を実現することが可能である。
また、前記最大値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光不足となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光過多となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
さらに、前記最小値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光不足となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光過多となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光不足となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
In the present embodiment (1), as described above, the actual inclination angle θ ′ of the 512th ray array is measured, and based on the T derived from the equation (4) using the actual inclination angle θ ′. The micro-mirror 58 to be used is selected. However, as a method of specifying the actual inclination angle θ ′, a plurality of actual directions formed by the column direction (light spot column) of the plurality of image elements and the scanning direction of the exposure head are used. Each of the tilt angles is measured, and any one of the average value, median value, maximum value, and minimum value is specified as an actual tilt angle θ ′. It is good also as a form to select.
When the average value or the median value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure with a good balance between an overexposed area and an underexposed area with respect to an ideal N-fold exposure. For example, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized, and the number of pixel units (number of light spots) in the overexposed region and the underexposed region are drawn. It is possible to realize exposure such that the number of prime units (number of light spots) is equal.
Further, if the maximum value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize an exposure that places more importance on eliminating an overexposed region with respect to an ideal N double exposure, for example, an underexposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not generate an overexposed region.
Further, if the minimum value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure that places more importance on eliminating underexposed areas with respect to ideal N-fold exposure, for example, overexposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not cause a region that is underexposed.

一方、前記実傾斜角度θ´の特定は、同一の描素部の列(光点列)中の少なくとも2つの光点の位置に基づく方法に限定されない。例えば、同一描素部列c(n)中の1つ又は複数の光点の位置と、該c(n)近傍の列中の1つ又は複数の光点の位置とから求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
具体的には、c(n)中の1つの光点位置と、露光ヘッドの走査方向に沿って直線上かつ近傍の光点列に含まれる1つ又は複数の光点位置とを検出し、これらの位置情報から、実傾斜角度θ´を求めることができる。さらに、c(n)列近傍の光点列中の少なくとも2つの光点(たとえば、c(n)を跨ぐように配置された2つの光点)の位置に基づいて求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
On the other hand, the specification of the actual inclination angle θ ′ is not limited to the method based on the positions of at least two light spots in the same pixel part row (light spot row). For example, the angle obtained from the position of one or more light spots in the same pixel part sequence c (n) and the position of one or more light spots in the row near the c (n), The actual inclination angle θ ′ may be specified.
Specifically, one light spot position in c (n) and one or a plurality of light spot positions included in a light spot row on a straight line and in the vicinity along the scanning direction of the exposure head are detected. The actual inclination angle θ ′ can be obtained from the position information. Further, the angle obtained based on the positions of at least two light spots (for example, two light spots arranged so as to straddle c (n)) in the light spot array in the vicinity of the c (n) line is an actual inclination. The angle θ ′ may be specified.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(1)の使用描素部の指定方法によれば、各露光ヘッドの取付角度誤差やパターン歪みの影響による解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the specification method of the used picture element portion of the present embodiment (1) using the pattern forming apparatus 10, resolution variation and density unevenness due to the influence of the mounting angle error of each exposure head and pattern distortion are eliminated. It is possible to reduce and realize an ideal N double exposure.

(2)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<1>
本実施形態(2)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(2) Method for designating used pixel parts between a plurality of exposure heads <1>
In the present embodiment (2), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12 and is a head that is an overlapped exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads 30. In the intermittent region, the variation in resolution and density unevenness due to the deviation from the ideal state of the relative position of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction are reduced; A description will be given of a method for designating a used pixel portion for realizing ideal double exposure.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部マイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealを採用するものとする。
この角度θidealは、上記の実施形態(1)と同様にして前記式1〜3から求められる。本実施形態(2)において、パターン形成装置10は、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの角度θidealとなるように、初期調整されているものとする。
As the set inclination angle θ of each exposure head 30, that is, each DMD 36, the usable pixel portion micromirror 58 of 1024 columns × 256 rows is used if there is no ideal mounting angle error of the exposure head 30. Then, it is assumed that an angle θ ideal that is exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is obtained from the above equations 1 to 3 in the same manner as in the above embodiment (1). In the present embodiment (2), it is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 becomes this angle θ ideal .

図14は、上記のように初期調整されたパターン形成装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、被露光面上のパターンに生じる濃度むらの例を示した説明図である。各露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。 FIG. 14 shows the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state in the pattern forming apparatus 10 initially adjusted as described above. It is explanatory drawing which showed the example of the density nonuniformity which arises in the pattern on a to-be-exposed surface by the influence. The displacement of the relative position of each exposure head in the X-axis direction can occur because it is difficult to finely adjust the relative position between the exposure heads.

図14の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光材料12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した図である。図14の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示したものである。
なお、図14では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
14 is projected onto the exposed surface of the photosensitive material 12 in a state where the stage 14 is stationary, the light spot group from the usable micromirror 58 of the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21. It is the figure which showed these patterns. The lower part of FIG. 14 shows the exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and the continuous exposure is performed with the light spot group pattern as shown in the upper part appearing. The state is shown for exposure areas 32 12 and 32 21 .
In FIG. 14, for convenience of explanation, every other exposure pattern of the micromirrors 58 that can be used is divided into an exposure pattern based on the pixel column group A and an exposure pattern based on the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図14の例では、上記したX軸方向に関する露光ヘッド3012と3021との間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な部分が生じてしまっている。 In the example of FIG. 14, the exposure pattern by the pixel column group A and the pixel column group B as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 in the X-axis direction from the ideal state. In both of the above exposure patterns, a portion where the exposure amount is larger than the ideal double exposure state occurs in the connection area between the heads in the exposure areas 32 12 and 32 21 .

上記したような、複数の前記露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域に現れる濃度むらを軽減するために、本実施形態(2)では、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021からの光点群のうち、被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その位置(座標)を検出する。該位置(座標)に基づいて、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。 In order to reduce density unevenness appearing in the inter-head connecting region formed on the exposed surface by the plurality of exposure heads as described above, in this embodiment (2), a slit is used as the light spot position detecting means. 28 and a set of photodetectors, the positions of some of the light spots constituting the connecting area between the heads formed on the exposed surface among the light spot groups from the exposure heads 30 12 and 30 21. Detect (coordinates). Based on the position (coordinates), processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection means.

−位置(座標)の検出−
図15は、図14と同様の露光エリア3212及び3221と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光ヘッド3012と3021による露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、すなわち、露光ヘッド3012と3021により被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を十分覆う大きさとされている。
-Detection of position (coordinates)-
FIG. 15 is a top view showing the positional relationship between the exposure areas 32 12 and 32 21 similar to those in FIG. 14 and the corresponding slits 28. The size of the slit 28 is large enough to cover the width of the overlapping portion between the exposed areas 34 by the exposure heads 30 12 and 30 21 , that is, the slit 28 is formed on the exposed surface by the exposure heads 30 12 and 30 21. The size is sufficient to cover the connection area between the heads.

図16は、一例として露光エリア3221の光点P(256,1024)の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第1024列目のマイクロミラーを点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256,1024)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y0)とする。この座標(X0,Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
Figure 16 is a top view for explaining a detection method of detecting the position of a point P of the exposure area 32 21 as an example (256, 1024).
First, with the micromirror in the 256th row and the 1024th column turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 1024) is upstream. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the slit 28a on the side and the slit 28b on the downstream side. At this time, the coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b are (X0, Y0). The value of this coordinate (X0, Y0) is determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図16における右方に相対移動させる。そして、図16において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y1)を、光点P(256,1024)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved to the right in FIG. 16 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 16, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 1024).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図16における左方に相対移動させる。そして、図16において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y2)を、光点P(256,1024)として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 16 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 16, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the light spot P (256, 1024).

以上の測定結果から、光点P(256,1024)の被露光面における位置を示す座標(X,Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 1024) on the exposed surface are calculated as X = X0 + (Y1−Y2) / 2, Y = (Y1 + Y2) / 2. Determined by

−不使用描素部の特定−
図14の例では、まず、露光エリア3212の光点P(256,1)の位置を、上記の光点位置検出手段としてスリット28と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア3221の第256行目の光点行r(256)上の各光点の位置を、P(256,1024)、P(256,1023)・・・と順番に検出していき、露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示す露光エリア3221の光点P(256,n)が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア3221の光点列c(n+1)からc(1024)を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラー(不使用描素部)として特定する。
例えば、図14において、露光エリア3221の光点P(256,1020)が、露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示し、その露光エリア3221の光点P(256,1020)が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図17において斜線で覆われた部分70に相当する露光エリア3221の第1021行から第1024行を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
-Identification of unused pixel parts-
In the example of FIG. 14, first, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256,1) is detected by a set of slits 28 and a photodetector as the light spot position detecting unit. Subsequently, the position of each light spot on the 256 line of light spots row r of the exposure area 32 21 (256), P ( 256,1024), to detect the P (256,1023) ··· and order periodically, where the exposure area 32 21 of point P indicating the exposure area 32 12 point P (256,1) larger X coordinate than the (256, n) is detected, and terminates the detecting operation. Then, the micro mirrors corresponding to light spots constituting the c (1024) from the light spot column c of the exposure area 32 21 (n + 1), specifies as a micro-mirror is not used during the exposure (unused pixel parts).
For example, in FIG. 14, the exposure area 32 21 point P (256,1020) is shows a larger X coordinate than the point P of the exposure area 32 12 (256,1) of the exposure area 32 21 spot If P (256,1020) is that the detection operation at the detected ended, the light spots constituting the first 1024 lines from the 1021 line of exposure area 32 21, corresponding to the portion 70 covered with hatched in FIG. 17 The corresponding micromirror is identified as a micromirror that is not used during the main exposure.

次に、N重露光の数Nに対して、露光エリア3212の光点P(256,N)の位置が検出される。本実施形態(2)では、N=2であるので、光点P(256,2)の位置が検出される。
続いて、露光エリア3221の光点列のうち、上記で本露光時に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除き、最も右側の第1020列を構成する光点の位置を、P(1,1020)から順番にP(1,1020)、P(2,1020)・・・と検出していき、露光エリア3212の光点P(256,2)よりも大きいX座標を示す光点P(m,1020)が検出されたところで、検出動作を終了する。
その後、前記光検出器に接続された演算装置において、露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)及びP(m−1,1020)のX座標とが比較され、露光エリア3221の光点P(m,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーが本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
また、露光エリア3221の光点P(m−1,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
さらに、露光エリア3212の光点P(256,N−1)すなわち光点P(256,1)の位置と、露光エリア3221の次列である第1019列を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理及び使用しないマイクロミラーの特定が行われる。
Next, the number N of the N multiple exposure, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N) is detected. In this embodiment (2), since N = 2, the position of the light spot P (256, 2) is detected.
Then, among the light spot columns of the exposure area 32 21, except those identified as light spots string corresponding to the micromirrors is not used during the exposure in the above, the position of the light spot constituting the rightmost 1020 column a, P (1,1020) in order from P (1,1020), P (2,1020 ) ··· and continue to detection, greater than the point P of the exposure area 32 12 (256,2) X When the light spot P (m, 1020) indicating the coordinates is detected, the detection operation is terminated.
Thereafter, the connected operational devices to said light detector, and X-coordinate of the exposure area 32 12 of the light spot P (256, two), point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) and P (m- and X-coordinate of 1,1020) are compared, if the direction of the X coordinate of the point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) is closer to the X coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2) a micro mirror corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 32 21 (1,1020) is identified as a micro-mirror is not used during the exposure.
Also, if the direction of the X coordinate of the point P of the exposure area 32 21 (m-1,1020) is close to the X-coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2), the light of the exposure area 32 21 Micromirrors corresponding to points P (1, 1020) to P (m−2, 1020) are specified as micromirrors that are not used for the main exposure.
Furthermore, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N-1 ) That point P (256,1), the position of each point constituting the first 1019 column is the next row of the exposure area 32 21 The same detection process and identification of micromirrors that are not used are also performed.

その結果、たとえば、図17において網掛けで覆われた領域72を構成する光点に対応するマイクロミラーが、実際の露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。これらのマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に使用されない。   As a result, for example, micromirrors corresponding to the light spots that form the shaded area 72 in FIG. 17 are added as micromirrors that are not used during actual exposure. These micromirrors are always signaled to set the micromirror angle to the off-state angle, and these micromirrors are substantially not used for exposure.

このように、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定し、該使用しないマイクロミラーを除いたものを、実際の露光時に使用するマイクロミラーとして選択することにより、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができ、図17の下段に示すように、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光を実現することができる。 As described above, the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are identified, and the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are selected as the micromirrors that are used at the time of actual exposure, whereby the exposure areas 32 12 and 32 21 In the connecting area between the heads, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure can be minimized. As shown in the lower part of FIG. Uniform exposure extremely close to double exposure can be realized.

なお、上記の例においては、図17において網掛けで覆われた領域72を構成する光点の特定に際し、露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)及びP(m−1,1020)のX座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
さらに、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重描画に対して露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。
In the above example, upon the particular light spots constituting the regions 72 covered with hatched in FIG. 17, the X coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2), the exposure area 32 21 of the light spot P (m, 1020) and P (m-1,1020) without comparison of the X-coordinate of the immediately, P from point P of the exposure area 32 21 (1,1020) (m- 2 , 1020) may be specified as a micromirror that is not used during the main exposure. In that case, in the connecting area between the heads, a micromirror is actually used that minimizes the area of an overexposed area with respect to an ideal double exposure and does not cause an underexposed area. It can be selected as a micromirror.
Further, the micro-mirrors corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 32 21 (1,1020), it may be specified as micro mirrors not used in this exposure. In that case, in the connecting region between the heads, a micromirror is actually used in which the area of the region that is underexposed with respect to the ideal double exposure is minimized and the region that is not overexposed does not occur. It can be selected as a micromirror.
Further, in the connecting area between the heads, the number of pixel units (the number of light spots) in an area that is overexposed with respect to an ideal double drawing and the number of pixel units (the number of light spots) in an area that is underexposed. It is good also as selecting the micromirror actually used so that it may become equal.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(2)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the specification method of the used pixel part of the present embodiment (2) using the pattern forming apparatus 10, the resolution variation caused by the relative position shift in the X-axis direction of the plurality of exposure heads Density unevenness can be reduced, and ideal N-fold exposure can be realized.

(3)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<2>
本実施形態(3)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の理想的な状態からのずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び2つの露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(3) Specification method of used pixel parts between a plurality of exposure heads <2>
In this embodiment (3), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12 and is a head that is an overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads 30. In the intermittent region, the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state, the mounting angle error of each exposure head, and the two exposure heads A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing the variation in resolution and density unevenness caused by the relative mounting angle error between them and realizing ideal double exposure.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部(マイクロミラー58)を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、前記式1〜3を用いて上記(1)の実施形態と同様にして求められる値であり、本実施形態では、上記のとおりs=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θは、たとえば0.50度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
As the set tilt angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, in an ideal state where there is no mounting angle error of the exposure head 30, a usable 1024 column × 256 row pixel element (micromirror 58) is provided. It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal that is used for exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is a value obtained in the same manner as the above embodiment (1) using the above equations 1 to 3, and in this embodiment, s = 256 and N = 2 as described above. The angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, the set inclination angle θ may be an angle of about 0.50 degrees, for example. It is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図18は、上記のように各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度が初期調整されたパターン形成装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の取付角度誤差、並びに各露光ヘッド3012と3021間の相対取付角度誤差及び相対位置のずれの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。 FIG. 18 shows a mounting angle error of two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the pattern forming apparatus 10 in which the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is initially adjusted as described above, the influence of the deviation of the relative mounting angle error and the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 is an explanatory view showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface.

図18の例では、図14の例と同様の、X軸方向に関する露光ヘッド3012と3021の相対位置のずれの結果として、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、露光エリア3212と3221の被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な領域74が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。
さらに、図18の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを前記式(1)を満たす角度θidealよりも若干大きくしたことによる結果、及び各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからずれてしまったことの結果として、被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域以外の領域でも、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域である描素部列間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多となる領域76が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。
In the example of FIG. 18, as in the example of FIG. 14, as a result of the shift of the relative positions of the exposure heads 30 12 and 30 21 in the X-axis direction, exposure by every other light spot group (pixel column groups A and B) is performed. In both exposure patterns 32 12 and 32 21 , the exposure amount overlaps on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface of the exposure areas 32 12 and 32 21 , which is more than the ideal double exposure state. A region 74 is generated, which causes uneven density.
Furthermore, in the example of FIG. 18, it is difficult to finely adjust the result of setting the tilt angle θ of each exposure head to be slightly larger than the angle θ ideal satisfying the formula (1) and the mounting angle of each exposure head. Therefore, as a result of the actual mounting angle deviating from the set inclination angle θ, even in regions other than the exposure region overlapping on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface, In the connection region between the pixel part columns, which is an overlapped exposure region on the exposed surface, formed by a plurality of pixel part columns, both in the exposure pattern by every other light spot group (pixel column group A and B). A region 76 that is overexposed than the ideal double exposure state is generated, and this causes further density unevenness.

本実施形態(3)では、まず、各露光ヘッド3012と3021の取付角度誤差及び相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。
具体的には、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて、実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
In this embodiment (3), first, the use pixel selection process for reducing the uneven density due to the influence of the deviation of the mounting angle error and relative mounting angle of the exposure heads 30 12 and 30 21.
Specifically, a set of a slit 28 and a photodetector is used as the light spot position detecting means, and an actual inclination angle θ ′ is specified for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the actual inclination angle θ ′ is set. Based on this, it is assumed that processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to a photodetector as the pixel part selection means.

−実傾斜角度θ´の特定−
実傾斜角度θ´の特定は、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を、それぞれ上述した実施形態(2)で用いたスリット28と光検出器の組により検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定することにより行われる。
-Specification of actual inclination angle θ'-
The actual inclination angle θ ′ is specified with respect to the positions of the light spots P (1, 1) and P (256, 1) in the exposure area 32 12 for the exposure head 30 12 and in the exposure area 32 21 for the exposure head 30 21 . The positions of the light spots P (1,1024) and P (256,1024) are detected by the combination of the slit 28 and the photodetector used in the above-described embodiment (2), and the inclination angle of the straight line connecting them. And the angle formed by the scanning direction of the exposure head.

−不使用描素部の特定−
そのようにして特定された実傾斜角度θ´を用いて、光検出器に接続された演算装置は、上述した実施形態(1)における演算装置と同様、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出し、DMD36上の第(T+1)行目から第256行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。
例えば、露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255が導出されたとすると、図19において斜線で覆われた部分78及び80を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア3212と3221のうちヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
-Identification of unused pixel parts-
The arithmetic device connected to the photodetector using the actual inclination angle θ ′ thus specified is similar to the following equation 4 similar to the arithmetic device in the embodiment (1) described above.
ttanθ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the micromirrors in the (T + 1) th to 256th rows on the DMD 36 are not used for the main exposure. Processing to identify as a micromirror is performed.
For example, T = 254 for the exposure head 30 12, when T = 255 was derived for the exposure head 3O21, micro mirrors corresponding to light spots constituting the parts 78 and 80 covered with hatched in FIG. 19 These are specified as micromirrors that are not used for the main exposure. As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure is minimized. be able to.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光量過多となる面積が最小になり、かつ露光量不足となる面積が生じないようになすことができる。
あるいは、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようになすことができる。
複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、本露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area where the amount is excessive and to prevent an area where the exposure amount is insufficient.
Or it is good also as deriving the maximum natural number below value t. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area of the insufficient region and prevent the region from being overexposed.
In each area other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads, the number of pixel units (light It is also possible to identify micromirrors that are not used during the main exposure so that the number of pixel units (the number of light points) in the underexposed region is equal to the number of points.

その後、図19において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図14から図17を用いて説明した本実施形態(3)と同様の処理がなされ、図19において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。
Thereafter, with respect to the micromirror corresponding to the light spot other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered with diagonal lines in FIG. In FIG. 19, the micromirrors corresponding to the light spots constituting the shaded area 82 and the shaded area 84 are specified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. Not involved.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(3)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the method for designating the used picture element portion of the present embodiment (3) using the pattern forming apparatus 10, the relative position shift in the X-axis direction of the plurality of exposure heads and the attachment of each exposure head Variations in resolution and density unevenness due to angle errors and relative mounting angle errors between exposure heads can be reduced, and ideal N-fold exposure can be realized.

以上、パターン形成装置10による使用描素部指定方法ついて詳細に説明したが、上記実施形態(1)〜(3)は一例に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。   As described above, the method for designating the used pixel portion by the pattern forming apparatus 10 has been described in detail. However, the above-described embodiments (1) to (3) are merely examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. It is.

また、上記の実施形態(1)〜(3)では、被露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット28と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、たとえば2次元検出器等を用いてもよい。   In the above embodiments (1) to (3), as a means for detecting the position of the light spot on the exposed surface, a set of the slit 28 and the single cell type photodetector is used. The present invention is not limited to this, and any form may be used. For example, a two-dimensional detector may be used.

さらに、上記の実施形態(1)〜(3)では、スリット28と光検出器の組による被露光面上の光点の位置検出結果から実傾斜角度θ´を求め、その実傾斜角度θ´に基づいて使用するマイクロミラーを選択したが、実傾斜角度θ´の導出を介さずに使用可能なマイクロミラーを選択する形態としてもよい。さらには、たとえばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像度や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。   Further, in the above embodiments (1) to (3), the actual inclination angle θ ′ is obtained from the position detection result of the light spot on the exposed surface by the combination of the slit 28 and the photodetector, and the actual inclination angle θ ′ is obtained. The micromirrors to be used are selected based on the above, but a usable micromirror may be selected without the derivation of the actual inclination angle θ ′. Furthermore, for example, the reference exposure using all available micromirrors is performed, and the micromirror used by the operator is manually specified by checking the resolution and density unevenness by visual observation of the reference exposure results. It is included in the scope of the invention.

なお、被露光面上に生じ得るパターン歪みには、上記の例で説明した角度歪みの他にも、種々の形態が存在する。
一例としては、図20Aに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる倍率で露光面上の露光エリア32に到達してしまう倍率歪みの形態がある。
また、別の例として、図20Bに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なるビーム径で被露光面上の露光エリア32に到達してしまうビーム径歪みの形態もある。これらの倍率歪み及びビーム径歪みは、主として、DMD36と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれに起因して生じる。
さらに別の例として、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる光量で被露光面上の露光エリア32に到達してしまう光量歪みの形態もある。この光量歪みは、各種収差やアラインメントずれのほか、DMD36と被露光面間の光学要素(例えば、1枚レンズである図5A及び図5Bのレンズ52及び54)の透過率の位置依存性や、DMD36自体による光量むらに起因して生じる。これらの形態のパターン歪みも、被露光面上に形成されるパターンに解像度や濃度のむらを生じさせる。
In addition to the angular distortion described in the above example, there are various forms of pattern distortion that can occur on the exposed surface.
As an example, as shown in FIG. 20A, there is a form of magnification distortion in which light rays from each micromirror 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposure surface at different magnifications.
As another example, as shown in FIG. 20B, there is a form of beam diameter distortion in which the light from each micromirror 58 on the DMD 36 reaches the exposure area 32 on the exposed surface with a different beam diameter. . These magnification distortion and beam diameter distortion are mainly caused by various aberrations and alignment deviation of the optical system between the DMD 36 and the exposed surface.
As yet another example, there is a form of light amount distortion in which light beams from the micromirrors 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposed surface with different light amounts. In addition to various aberrations and misalignment, the light amount distortion includes the positional dependence of the transmittance of optical elements between the DMD 36 and the exposed surface (for example, the lenses 52 and 54 in FIGS. 5A and 5B which are single lenses) This is caused by unevenness in the amount of light due to the DMD 36 itself. These forms of pattern distortion also cause unevenness in resolution and density in the pattern formed on the exposed surface.

上記の実施形態(1)〜(3)によれば、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択した後の、これらの形態のパターン歪みの残留要素も、上記の角度歪みの残留要素と同様、多重露光による埋め合わせの効果で均すことができ、解像度や濃度のむらを、各露光ヘッドの露光領域全体にわたって軽減することができる。   According to the above embodiments (1) to (3), the residual elements of pattern distortion in these forms after selecting the micromirrors actually used for the main exposure are the same as the residual elements of angular distortion described above. It is possible to level out by the effect of filling by multiple exposure, and the unevenness of resolution and density can be reduced over the entire exposure area of each exposure head.

<<参照露光>>
上記の実施形態(1)〜(3)の変更例として、使用可能なマイクロミラーのうち、(N−1)列おきのマイクロミラー列、又は全光点行のうち1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行い、均一な露光を実現できるように、前記参照露光に使用されたマイクロミラー中、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
前記参照露光手段による参照露光の結果をサンプル出力し、該出力された参照露光結果に対し、解像度のばらつきや濃度のむらを確認し、実傾斜角度を推定するなどの分析を行う。前記参照露光の結果の分析は、操作者の目視による分析であってもよい。
<< Reference exposure >>
As a modified example of the above embodiments (1) to (3), among available micromirrors, it corresponds to (N-1) every micromirror column or 1 / N rows of all light spot rows. A reference exposure is performed using only a group of micromirrors constituting an adjacent row, and among the micromirrors used for the reference exposure, micromirrors that are not used at the time of actual exposure are specified so that uniform exposure can be realized. It is good as well.
The result of the reference exposure by the reference exposure means is output as a sample, and the output reference exposure result is analyzed to confirm resolution variation and density unevenness and to estimate the actual inclination angle. The analysis of the result of the reference exposure may be a visual analysis by an operator.

図21A及び図21Bは、単一露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図21Aに実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図21Bに斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列の光点列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 21A and FIG. 21B are explanatory views showing an example of a form in which reference exposure is performed using only (N-1) rows of micromirrors using a single exposure head.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only the micromirrors corresponding to the odd-numbered light spot arrays indicated by the solid lines in FIG. 21A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to specify a micromirror to be used in the main exposure by confirming variations in resolution and density unevenness, or estimating an actual inclination angle.
For example, micromirrors other than the micromirror corresponding to the light spot array shown by hatching in FIG. 21B are designated as actually used in the main exposure among the micromirrors constituting the odd light spot array. . For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and the micromirror used during the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered light spot arrays may be applied. Good.
By specifying the micromirrors used in the main exposure as described above, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors, a state close to ideal double exposure can be realized.

図22は、複数の露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図22に実線で示した、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図22に斜線で覆って示す領域86及び網掛けで示す領域88内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点を構成するマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に実際に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 22 is an explanatory diagram showing an example of a form in which reference exposure is performed using only a plurality of (N-1) rows of micromirrors using a plurality of exposure heads.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference is made using only the micromirrors corresponding to the odd-numbered light spot rows of two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) adjacent to each other in the X-axis direction, which are indicated by solid lines in FIG. Exposure is performed, and a reference exposure result is output as a sample. Based on the output reference exposure result, the variation in resolution and density unevenness in the area other than the joint area between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are confirmed, or the actual inclination angle is estimated. Thus, the micromirror to be used at the time of the main exposure can be designated.
For example, the micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot rows in the area 86 shown by hatching in FIG. 22 and the shaded area 88 are among the micromirrors constituting the odd-numbered light spots, during the main exposure. Specified as actually used. For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and a micromirror used in the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered pixel columns may be applied. Good.
In this way, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors by designating the micromirrors that are actually used during the main exposure, the two exposure heads form the surface to be exposed. A state close to ideal double exposure can be realized in a region other than the head-to-head connection region.

図23A及び図23Bは、単一露光ヘッドを用い、全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図23Aに実線で示した1行目から128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図23Bに斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 23A and FIG. 23B show an example of a form in which reference exposure is performed using a single exposure head and using only micromirror groups constituting adjacent rows corresponding to 1 / N rows of the total number of light spot rows. FIG.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128 (= 256/2) rows indicated by the solid line in FIG. 23A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, a micromirror to be used in the main exposure can be designated.
For example, a micromirror other than the micromirror corresponding to the light spot group indicated by hatching in FIG. 23B is designated as actually used in the main exposure among the micromirrors in the first to 128th rows. Can be done. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used in the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
By designating the micromirror to be used at the time of the main exposure in this way, a state close to an ideal double exposure can be realized in the main exposure using the entire micromirror.

図24は、複数の露光ヘッドを用い、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)について、それぞれ全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図24に実線で示した第1行目から第128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図24に斜線で覆って示す領域90及び網掛けで示す領域92内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 24 uses a plurality of exposure heads, and two adjacent exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) adjacent to each other in the X-axis direction are adjacent to each other corresponding to 1 / N rows of the total number of light spots. It is explanatory drawing which showed an example of the form which performs reference exposure using only the micromirror group which comprises a line.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only the micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128th (= 256/2) rows indicated by solid lines in FIG. 24, and the reference exposure results are output as samples. . Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to realize the main exposure in which the variation in resolution and the density unevenness in the region other than the joint region between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are minimized. In addition, it is possible to designate a micromirror to be used during the main exposure.
For example, micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot arrays in the region 90 shown by hatching in FIG. 24 and the region 92 shown by shading are included in the micromirrors in the first to 128th rows. Designated as actually used at the time of exposure. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used for the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
In this way, by specifying the micromirror to be used during the main exposure, a state close to ideal double exposure is realized in an area other than the inter-head connecting area formed on the exposed surface by two exposure heads. it can.

以上の実施形態(1)〜(3)及び変更例においては、いずれも本露光を2重露光とする場合について説明したが、これに限定されず、2重露光以上のいかなる多重露光としてもよい。特に3重露光から7重露光程度とすることにより、高解像度を確保し、解像度のばらつき及び濃度むらが軽減された露光を実現することができる。   In the above embodiments (1) to (3) and the modified examples, the case where the main exposure is the double exposure has been described. However, the present invention is not limited to this, and any multiple exposure more than the double exposure may be used. . In particular, by setting the exposure to about 3 to 7 exposures, high resolution can be secured, and exposure with reduced variations in resolution and density unevenness can be realized.

また、上記の実施形態及び変更例に係る露光装置には、さらに、画像データが表す2次元パターンの所定部分の寸法が、選択された使用画素により実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていることが好ましい。そのように画像データを変換することによって、所望の2次元パターンどおりの高精細なパターンを被露光面上に形成することができる。   Further, in the exposure apparatus according to the embodiment and the modified example, the dimension of the predetermined part of the two-dimensional pattern represented by the image data is matched with the dimension of the corresponding part that can be realized by the selected use pixel. A mechanism for converting image data is preferably provided. By converting the image data in this way, a high-definition pattern according to a desired two-dimensional pattern can be formed on the exposed surface.

〔現像工程〕
前記現像工程は、前記感光層の未露光部分を除去することにより行われる。
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
[Development process]
The development step is performed by removing an unexposed portion of the photosensitive layer.
There is no restriction | limiting in particular as the removal method of the said unhardened area | region, According to the objective, it can select suitably, For example, the method etc. which remove using a developing solution are mentioned.

前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ水溶液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said developing solution, Although it can select suitably according to the objective, For example, alkaline aqueous solution, an aqueous developing solution, an organic solvent etc. are mentioned, Among these, weakly alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the basic component of the weak alkaline aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium phosphate, phosphorus Examples include potassium acid, sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, and borax.

前記弱アルカリ性の水溶液のpHとしては、例えば、約8〜12が好ましく、約9〜11がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、0.1〜5質量%の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度は、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約25〜40℃が好ましい。
The pH of the weak alkaline aqueous solution is, for example, preferably about 8 to 12, and more preferably about 9 to 11. Examples of the weak alkaline aqueous solution include a 0.1 to 5% by mass aqueous sodium carbonate solution or an aqueous potassium carbonate solution.
The temperature of the developer can be appropriately selected according to the developability of the photosensitive layer, and is preferably about 25 to 40 ° C., for example.

前記現像液としては、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等)や、現像を促進させるため有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等)などと併用してもよい。また、前記現像液としては、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。   As the developer, a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, ethylenediamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.) and development are accelerated. For this purpose, an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.) may be used in combination. The developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an alkaline aqueous solution and an organic solvent, or an organic solvent alone.

〔硬化処理工程〕
前記硬化処理工程は、前記現像工程が行われた後、形成されたパターンにおける感光層に対して硬化処理を行う工程である。
前記硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。
[Curing process]
The curing treatment step is a step of performing a curing treatment on the photosensitive layer in the formed pattern after the development step is performed.
There is no restriction | limiting in particular as said hardening process, Although it can select suitably according to the objective, For example, a whole surface exposure process, a whole surface heat processing, etc. are mentioned suitably.

前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのUV露光機、キセノンランプ使用の露光機、レーザ露光機などが好適に挙げられる。露光量は、通常10〜2,000mJ/cmである。
Examples of the entire surface exposure processing method include a method of exposing the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the development. The entire surface exposure accelerates the curing of the resin in the photosensitive composition forming the photosensitive layer, and the surface of the permanent pattern is cured.
An apparatus for performing the entire surface exposure is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. It is mentioned in. The exposure amount is usually 10 to 2,000 mJ / cm 2 .

前記全面加熱処理の方法としては、前記現像の後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度はとして、120〜250℃が好ましく、120〜200℃がより好ましい。該加熱温度が120℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、250℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間はとして、10〜120分間が好ましく、15〜60分間がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーターなどが挙げられる。
Examples of the entire surface heat treatment method include a method of heating the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the development. By heating the entire surface, the film strength of the surface of the permanent pattern is increased.
As heating temperature in the said whole surface heating, 120-250 degreeC is preferable and 120-200 degreeC is more preferable. When the heating temperature is less than 120 ° C., the film strength may not be improved by heat treatment. When the heating temperature exceeds 250 ° C., the resin in the photosensitive composition is decomposed, and the film quality is weak and brittle. Sometimes.
The heating time in the entire surface heating is preferably 10 to 120 minutes, and more preferably 15 to 60 minutes.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface heating, According to the objective, it can select suitably from well-known apparatuses, For example, a dry oven, a hot plate, IR heater etc. are mentioned.

−保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターン形成方法−
前記パターンの形成方法が、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する永久パターン形成方法である場合には、プリント配線板上に前記永久パターン形成方法により、永久パターンを形成し、更に、以下のように半田付けを行うことができる。
即ち、前記現像により、前記永久パターンである硬化層が形成され、前記プリント配線板の表面に金属層が露出される。該プリント配線板の表面に露出した金属層の部位に対して金メッキを行った後、半田付けを行う。そして、半田付けを行った部位に、半導体や部品などを実装する。このとき、前記硬化層による永久パターンが、保護膜あるいは絶縁膜(層間絶縁膜)、ソルダーレジストとしての機能を発揮し、外部からの衝撃や隣同士の電極の導通が防止される。
-Protective film, interlayer insulation film, solder resist pattern formation method-
When the pattern forming method is a permanent pattern forming method for forming at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern, a permanent pattern is formed on a printed wiring board by the permanent pattern forming method. Then, soldering can be performed as follows.
That is, by the development, a hardened layer that is the permanent pattern is formed, and the metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board. Gold plating is performed on the portion of the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board, and then soldering is performed. Then, a semiconductor or a component is mounted on the soldered portion. At this time, the permanent pattern of the hardened layer functions as a protective film, an insulating film (interlayer insulating film), or a solder resist, and prevents external impact and conduction between adjacent electrodes.

前記パターン形成装置及び永久パターン形成方法においては、前記永久パターン形成方法により形成される永久パターンが、前記保護膜又は前記層間絶縁膜であると、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、特に、前記層間絶縁膜である場合には、例えば、多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの半導体や部品の高密度実装に有用である。   In the pattern forming apparatus and the permanent pattern forming method, when the permanent pattern formed by the permanent pattern forming method is the protective film or the interlayer insulating film, the wiring can be protected from external impact or bending. In particular, the interlayer insulating film is useful for high-density mounting of semiconductors and components on, for example, a multilayer wiring board or a build-up wiring board.

本発明の前記永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性積層体を用いるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に、プリント基板の永久パターン形成に好適に使用することができる。   Since the method for forming a permanent pattern of the present invention uses the photosensitive laminate of the present invention, it is used for forming various patterns such as a protective film, an interlayer insulating film, and a permanent pattern such as a solder resist pattern, a color filter, and a pillar material. It can be suitably used for the production of liquid crystal structural members such as rib members, spacers, partition walls, etc., and the production of holograms, micromachines, proofs, etc., and in particular, it can be suitably used for the formation of permanent patterns on printed boards.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

<バインダー合成例>
(高分子化合物1)
1,000mL三口フラスコに1−メトキシ−2−プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、ベンジルメタクリレート63.4g、メタクリル酸72.3g、V−601(和光純薬製)4.15gの1−メトキシ−2−プロパノール159g溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。次いで、加熱を止め、ベンジルメタクリレート/メタクリル酸(30/70mol%比)の共重合体を得た。
次に、前記共重合体溶液の内、120.0gを300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p−メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、テトラエチルアンモニウムクロリド2.4gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。1−メトキシ−2−プロパノールを加え、固形分30質量%の下記構造式で表される高分子化合物1の溶液を調製した。
得られた高分子化合物の質量平均分子量(Mw)は、ポリスチレンを標準物質としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定した結果、15,000であった。
また、水酸化ナトリウムを用いた滴定から、固形分あたりの酸価(カルボキシル基の含有量)は、2.2meq/gであった。
更に、ヨウ素価滴定により求めた固形分あたりのエチレン性不飽和結合の含有量(C=C価)は、2.1meq/gであった。
*1は下記構造式(a)で表される構造、及び下記構造式(b)で表される構造の混合を表す。
<Example of binder synthesis>
(Polymer Compound 1)
In a 1,000 mL three-necked flask, 159 g of 1-methoxy-2-propanol was placed and heated to 85 ° C. under a nitrogen stream. To this, a solution of 159 g of 1-methoxy-2-propanol containing 63.4 g of benzyl methacrylate, 72.3 g of methacrylic acid, and 4.15 g of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dropped over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was further continued by heating for 5 hours. Subsequently, the heating was stopped to obtain a copolymer of benzyl methacrylate / methacrylic acid (ratio of 30/70 mol%).
Next, 120.0 g of the copolymer solution was transferred to a 300 mL three-necked flask, and 16.6 g of glycidyl methacrylate and 0.16 g of p-methoxyphenol were added and stirred to dissolve. After dissolution, 2.4 g of tetraethylammonium chloride was added and heated to 100 ° C. to carry out an addition reaction. The disappearance of glycidyl methacrylate was confirmed by gas chromatography, and heating was stopped. 1-Methoxy-2-propanol was added to prepare a solution of polymer compound 1 represented by the following structural formula having a solid content of 30% by mass.
The mass average molecular weight (Mw) of the obtained polymer compound was 15,000 as a result of measurement by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard substance.
From the titration with sodium hydroxide, the acid value (carboxyl group content) per solid content was 2.2 meq / g.
Furthermore, the content of ethylenically unsaturated bonds per solid (C = C value) determined by iodine value titration was 2.1 meq / g.
* 1 represents a mixture of a structure represented by the following structural formula (a) and a structure represented by the following structural formula (b).

(高分子化合物2)
1,000mL三口フラスコに、1−メトキシ−2−プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、メチルメタクリレート36g、メタクリル酸72.3g、V−601(和光純薬製)4.15gの1−メトキシ−2−プロパノール159g溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。次いで、加熱を止め、メチルメタクリレート/メタクリル酸(30/70mol%比)の共重合体を得た。
次に、前記共重合体溶液の内、120.0gを300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p−メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、テトラエチルアンモニウムクロリド2.4gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。1−メトキシ−2−プロパノールを加え、固形分30質量%の下記構造式で表される高分子化合物2の溶液を調製した。
得られた高分子化合物の質量平均分子量(Mw)は、ポリスチレンを標準物質としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定した結果、15,000であった。
また、水酸化ナトリウムを用いた滴定から、固形分あたりの酸価は、2.3meq/g
であった。
更に、ヨウ素価滴定により求めた固形分あたりのエチレン性不飽和結合の含有量(C=C価)は、2.6meq/gであった。
*1は、前記構造式(a)で表される構造、及び前記構造式(b)で表される構造の混合を表す。
(Polymer Compound 2)
In a 1,000 mL three-necked flask, 159 g of 1-methoxy-2-propanol was added and heated to 85 ° C. under a nitrogen stream. To this was added dropwise a solution of 1-methoxy-2-propanol 159 g of methyl methacrylate 36 g, methacrylic acid 72.3 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 4.15 g over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was further continued by heating for 5 hours. Subsequently, the heating was stopped to obtain a copolymer of methyl methacrylate / methacrylic acid (ratio of 30/70 mol%).
Next, 120.0 g of the copolymer solution was transferred to a 300 mL three-necked flask, and 16.6 g of glycidyl methacrylate and 0.16 g of p-methoxyphenol were added and stirred to dissolve. After dissolution, 2.4 g of tetraethylammonium chloride was added and heated to 100 ° C. to carry out an addition reaction. The disappearance of glycidyl methacrylate was confirmed by gas chromatography, and heating was stopped. 1-Methoxy-2-propanol was added to prepare a solution of polymer compound 2 represented by the following structural formula having a solid content of 30% by mass.
The mass average molecular weight (Mw) of the obtained polymer compound was 15,000 as a result of measurement by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard substance.
Moreover, from the titration using sodium hydroxide, the acid value per solid content is 2.3 meq / g.
Met.
Furthermore, the content (C = C value) of ethylenically unsaturated bonds per solid content determined by iodine value titration was 2.6 meq / g.
* 1 represents a mixture of the structure represented by the structural formula (a) and the structure represented by the structural formula (b).

(高分子化合物3)
フェノールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成社製、YDPN−702)110質量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150質量部に加熱しながら溶解し、次いでアクリル酸34質量部及びベンジルジメチルアミン0.8質量部を加え、100〜120℃で8時間反応を続けた後、テトラヒドロ無水フタル酸35質量部を加え、100℃で8時間反応させて酸価70mgKOH/gのエポキシアクリレート化合物を得た。
(Polymer Compound 3)
110 parts by mass of phenol novolac type epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YDPN-702) was dissolved in 150 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate, and then 34 parts by mass of acrylic acid and 0.8 parts by mass of benzyldimethylamine were dissolved. In addition, after continuing the reaction at 100 to 120 ° C. for 8 hours, 35 parts by mass of tetrahydrophthalic anhydride was added and reacted at 100 ° C. for 8 hours to obtain an epoxy acrylate compound having an acid value of 70 mgKOH / g.

(高分子化合物4)
スチレン/無水マレイン酸共重合体(出光石油化学社製アドマスト1000、無水マレイン酸含有率50mol%)130.9g、セロソルブアセテート162.5g、トリエチルアミン1.5g、ハイドロキノン0.28gをフラスコに仕込み、90℃に昇温し、無水マレイン酸残基に対して0.55当量の2−ヒドロキシエチルメタクリレート(46.4g)を30分かけて滴下し、その後6時間反応させた。反応中空気を吹き込み続けた。さらに、無水マレイン酸残基に対して0.45当量のエタノール(13.5g)を添加し、4時間反応させて、固形分54質量%、酸価160mgKOH/gの光重合性樹脂溶液(a1)を得た。
(Polymer Compound 4)
Styrene / maleic anhydride copolymer (Admast 1000 manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd., maleic anhydride content 50 mol%) 130.9 g, cellosolve acetate 162.5 g, triethylamine 1.5 g and hydroquinone 0.28 g were charged into a flask. The temperature was raised to 0 ° C., 0.55 equivalents of 2-hydroxyethyl methacrylate (46.4 g) was added dropwise over 30 minutes with respect to the maleic anhydride residue, and then reacted for 6 hours. Air was kept blowing during the reaction. Furthermore, 0.45 equivalent of ethanol (13.5 g) was added to the maleic anhydride residue and reacted for 4 hours to give a photopolymerizable resin solution (a1 having a solid content of 54% by mass and an acid value of 160 mgKOH / g). )

(実施例1)
−感光性組成物の調製−
下記工程により、各成分を下記の量で配合して、感光性組成物溶液を調製した。
〔感光性組成物溶液の各成分量〕
・前記高分子化合物1(バインダー、前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)・・・87.4質量部
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(重合性化合物)・・・12質量部
・光重合開始剤I−1(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア819(アシルホスフィンオキシド化合物))・・・6質量部
・下記式S−1で表される増感剤(チオキサントン系化合物)・・・0.6質量部
・フッ素系界面活性剤(メガファックF−176,大日本インキ化学工業(株)製、30質量%2−ブタノン溶液)・・・0.2質量部
・分散液・・・40質量部
・メチルエチルケトン・・・15質量部
Example 1
-Preparation of photosensitive composition-
By the following process, each component was mix | blended with the following quantity, and the photosensitive composition solution was prepared.
[Each component amount of photosensitive composition solution]
-High molecular compound 1 (binder, 30 mass% solid content in the 1-methoxy-2-propanol solution) ... 87.4 parts by mass-Dipentaerythritol hexaacrylate (polymerizable compound) ... 12 Mass parts / photopolymerization initiator I-1 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 819 (acylphosphine oxide compound))... 6 parts by mass Sensitizer represented by the following formula S-1 (thioxanthone series) Compound) ... 0.6 parts by mass Fluorosurfactant (Megafac F-176, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, 30 mass% 2-butanone solution) ... 0.2 parts by mass Dispersion: 40 parts by mass / methyl ethyl ketone: 15 parts by mass

−−分散工程−−
前記分散液として、硫酸バリウム(堺化学工業(株)製、B30)30質量部、前記高分子化合物1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)溶液29.2質量部、TEPIC−S(日産化学工業社製の熱架橋剤、エポキシ当量100g/eq.)15質量部、C.I.ピグメント・ブルー15:3 0.2質量部、C.I.ピグメント・イエロー185 0.05質量部、及びメチルエチルケトン40.55質量部を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径0.6mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3.5時間分散して調製した。
前記分散液の粒度分布を粒度分布計(UPA−9340、日機装社製)を用いて測定したところ、平均粒径は、0.2μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.02%であった。
-Dispersion process-
As the dispersion, 30 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30), the polymer compound 1 (solid content of 30% by mass in the 1-methoxy-2-propanol solution) solution 29.2 Parts by mass, TEPIC-S (thermal crosslinking agent manufactured by Nissan Chemical Industries, epoxy equivalent 100 g / eq.) 15 parts by mass, C.I. I. Pigment Blue 15: 3 0.2 parts by mass, C.I. I. After mixing 0.05 parts by mass of Pigment Yellow 185 and 40.55 parts by mass of methyl ethyl ketone, the motor speed was 9 m / s using a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) with zirconia beads having a diameter of 0.6 mm. For 3.5 hours.
When the particle size distribution of the dispersion was measured using a particle size distribution meter (UPA-9340, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), the average particle size was 0.2 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.02%. there were.

−−混合工程−−
前記で得られた分散液と、前記他の組成物とを混合し、実施例1の感光性組成物を調製した。前記実施例1の感光性組成物中の平均粒径は、0.2μmで混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
--Mixing process--
The dispersion obtained above and the other composition were mixed to prepare a photosensitive composition of Example 1. The average particle diameter in the photosensitive composition of Example 1 was not aggregated by mixing at 0.2 μm, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

−感光性積層体の調製−
次に、前記基体として、配線形成済みの銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性組成物をスクリーン印刷法により、120メッシュのテトロンスクリーンを用いて、乾燥後厚みが30μmとなるように塗布し、80℃で15分間熱風循環式乾燥機で乾燥させて感光層を形成し、前記銅張積層板と、前記感光層とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
-Preparation of photosensitive laminate-
Next, the substrate was prepared by subjecting the surface of a copper-clad laminate (no through-hole, copper thickness 12 μm) on which wiring had been formed to chemical polishing treatment. On the copper-clad laminate, the photosensitive composition was applied by a screen printing method using a 120 mesh Tetron screen so that the thickness after drying was 30 μm, and a hot air circulating dryer at 80 ° C. for 15 minutes. Was dried to form a photosensitive layer, and a photosensitive laminate in which the copper-clad laminate and the photosensitive layer were laminated in this order was prepared.

前記感光性積層体について、それぞれ以下の方法により、面状故障、タック性、最短現像時間、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、ポットライフ(保存安定性)、永久パターン表面形状、及びエッジラフネスの評価を行った。最短現像時間以外の結果を表2に示す。   About the photosensitive laminate, surface failure, tackiness, shortest development time, sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, pot life (storage stability), permanent pattern surface are respectively obtained by the following methods. The shape and edge roughness were evaluated. The results other than the shortest development time are shown in Table 2.

<面状故障の評価>
上記で得られた感光層の塗布面状を目視で観察し、塗布面状の面状故障を評価した。前記面状故障の評価方法としては、感光層の表面1m当たりにおける、40μm未満の面状故障(異物や顔料の凝集物など)の個数と、40μm以上の面状故障の個数をカウントした。該個数に基づき、下記評価基準により面状故障性を評価した。実施例1では、40μm未満の面状故障は12個、40μm以上の面状故障は1個であり、優れた塗布面状を示した。結果を表2に示す。なお、着色顔料の添加により、面状の視認性に優れ、面状故障の個数のカウントが行い易いものであった。
−評価基準−
○ ・・・40μm未満の面状故障が20個未満、かつ40μm以上の面状故障が3個未満であり、優れた塗布面状を示した。
△ ・・・40μm未満の面状故障が20個以上、50個未満、または40μm以上の面状故障が3個以上、30個未満であり、塗布面状にやや劣るが、実用上問題とはならない。
× ・・・40μm未満の面状故障が50個以上、または40μm以上の面状故障が30個以上であり、塗布面状に極めて劣る。
<Evaluation of sheet failure>
The coated surface of the photosensitive layer obtained above was visually observed to evaluate the surface failure of the coated surface. As the evaluation method of the surface failure, the number of surface failures (foreign matter, pigment aggregates, etc.) of less than 40 μm and the number of surface failures of 40 μm or more per 1 m 2 of the surface of the photosensitive layer were counted. Based on the number, the planar faultiness was evaluated according to the following evaluation criteria. In Example 1, there were 12 surface faults of less than 40 μm and 1 surface fault of 40 μm or more, indicating an excellent coated surface state. The results are shown in Table 2. Incidentally, the addition of the color pigment was excellent in the visibility of the surface, and it was easy to count the number of surface failures.
-Evaluation criteria-
◯: Less than 20 surface faults of less than 40 μm and less than 3 surface defects of 40 μm or more showed excellent coated surface conditions.
△ ... 20 or less, less than 50 surface defects of less than 40 μm, or 3 or more and less than 30 surface defects of 40 μm or more, which is slightly inferior to the coated surface, but is practically problematic Don't be.
X: 50 or more surface failures of less than 40 μm, or 30 or more surface failures of 40 μm or more, which is extremely inferior to the coated surface.

<タック性の評価>
前述のようにして得られた積層体における感光層の表面のタック性についても下記基準に基づいて評価した。結果を表2に示す。
〔評価基準〕
○:感光層の表面に強いタック性が認められなかった
△:感光層の表面にややタック性が認められた
×:感光層の表面に強いタック性が認められた
<Evaluation of tackiness>
The tackiness of the surface of the photosensitive layer in the laminate obtained as described above was also evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 2.
〔Evaluation criteria〕
○: Strong tackiness was not observed on the surface of the photosensitive layer. Δ: Slight tackiness was observed on the surface of the photosensitive layer. ×: Strong tackiness was observed on the surface of the photosensitive layer.

<最短現像時間の評価>
前記銅張積層板上の前記感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を0.15MPaの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。なお、前記最短現像時間は14秒であった。
<Evaluation of the shortest development time>
A 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed on the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a pressure of 0.15 MPa, and the photosensitive layer on the copper clad laminate is dissolved from the start of spraying of the sodium carbonate aqueous solution. The time required for removal was measured and this was taken as the shortest development time. The shortest development time was 14 seconds.

<感度の評価>
前記調製した感光性積層体における感光層に対し、以下に説明するパターン形成装置を用いて、0.1mJ/cmから21/2倍間隔で100mJ/cmまでの光エネルギー量の異なる光を照射して2重露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、銅張積層板上の感光層の全面に、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。該感度曲線から、硬化領域の厚みが露光前の感光層と同じ30μmとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量とした。
<Evaluation of sensitivity>
The photosensitive layer in the photosensitive laminate prepared above by using a pattern forming apparatus described below, the light energy different light from 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 at 2 1/2 times the interval Were exposed twice to cure a part of the photosensitive layer. After standing at room temperature for 10 minutes, a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed over the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time. The uncured area was dissolved and removed, and the thickness of the remaining cured area was measured. Subsequently, the relationship between the light irradiation amount and the thickness of the cured layer was plotted to obtain a sensitivity curve. From the sensitivity curve, the amount of light energy when the thickness of the cured region was the same 30 μm as that of the photosensitive layer before exposure was determined as the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer.

<<パターン形成装置>>
前記光照射手段として特開2005−258431号公報に記載の合波レーザ光源と、前記光変調手段として図6に概略図を示した主走査方向にマイクロミラー58が1,024個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に768組配列された内、1,024個×256列のみを駆動するように制御したDMD36と、図5A及び図5Bに示した光を前記感光性フィルムに結像する光学系とを有する露光ヘッド30を備えたパターン形成装置10を用いた。
<< Pattern Forming Apparatus >>
A combined laser light source described in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-258431 as the light irradiating means, and a micro-array in which 1,024 micromirrors 58 are arranged in the main scanning direction schematically shown in FIG. 6 as the light modulating means. The DMD 36 controlled to drive only 1,024 × 256 rows among 768 pairs of mirror rows arranged in the sub-scanning direction and the light shown in FIGS. 5A and 5B are imaged on the photosensitive film. The pattern forming apparatus 10 provided with the exposure head 30 having an optical system to be used was used.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、使用可能な1,024列×256行のマイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用した。この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
であり、s=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば0.50度を採用した。
As the set inclination angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, an angle slightly larger than the angle θ ideal at which double exposure is performed using a usable 1,024 columns × 256 rows of micromirrors 58 was adopted. This angle θ ideal corresponds to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p in the column direction of the usable micromirrors 58, and the microscopic state when the exposure head 30 is tilted. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsin θ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcos θ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
Since s = 256 and N = 2, the angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, for example, 0.50 degrees is adopted as the set inclination angle θ.

まず、2重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正するため、被露光面の露光パターンの状態を調べた。結果を図16に示した。図16においては、ステージ14を静止させた状態で感光層12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した。また、下段部分に、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示した。なお、図16では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示したが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。 First, the state of the exposure pattern on the exposed surface was examined in order to correct the variation in resolution and uneven exposure in double exposure. The results are shown in FIG. In FIG. 16, the pattern of light spots from the micromirror 58 usable by the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21 projected onto the exposed surface of the photosensitive layer 12 with the stage 14 being stationary. showed that. The state of the exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and the continuous exposure is performed with the light spot group pattern as shown in the upper part appearing in the lower part. Are shown for exposure areas 32 12 and 32 21 . In FIG. 16, for convenience of explanation, every other column exposure pattern of the micromirror 58 that can be used is divided into an exposure pattern by the pixel column group A and an exposure pattern by the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図16に示したとおり、露光ヘッド3012と3021の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多な領域が生じていることが判る。 As shown in FIG. 16, as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 from the ideal state, both the exposure pattern by the pixel column group A and the exposure pattern by the pixel column group B are both. Thus, it can be seen that, in the exposure areas overlapping on the coordinate axes orthogonal to the scanning direction of the exposure head in the exposure areas 32 12 and 32 21 , an overexposed area is generated as compared with the ideal double exposure state.

前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定した。 The use of a set of slits 28 and a photodetector as a light spot position detection means, the position of the point P of the exposure head 30 12 For the exposure area 32 12 (1,1) and P (256,1), the exposure head For 30 21 , the positions of the light spots P (1,1024) and P (256, 1024) in the exposure area 32 21 are detected, and the angle formed by the inclination angle of the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is determined. It was measured.

実傾斜角度θ´を用いて、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出した。露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255がそれぞれ導出された。その結果、図17において斜線で覆われた部分78及び80を構成するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定された。
Using the actual inclination angle θ ′, the following equation 4
t tan θ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 . T = 254 for the exposure head 30 12, the exposure head 30 21 T = 255 was derived respectively. As a result, the micromirrors constituting the portions 78 and 80 covered with diagonal lines in FIG. 17 were identified as micromirrors that are not used during the main exposure.

その後、図17において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、同様にして図17において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加された。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しないように制御した。
これにより、露光エリア3212と3221のうち、複数の前記露光ヘッドで形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
Thereafter, the micromirrors corresponding to the light spots other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered with the oblique lines in FIG. 17 were similarly covered with the shaded areas 82 and the shaded areas in FIG. Micromirrors corresponding to the light spots constituting the region 84 were identified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. It was controlled not to be involved.
As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 , an ideal double exposure is performed in each area other than the inter-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Thus, the total area of the overexposed region and the underexposed region can be minimized.

<解像度の評価>
前記最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記感光性積層体を作製し、室温(23℃、55%RH)にて10分間静置した。得られた感光性積層体の感光層上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン/スペース=1/1でライン幅10〜100μmまで1μm刻みで各線幅の露光を行う。この際の露光量は、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。室温にて10分間静置した後、銅張積層板上の感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去する。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常が無く、かつスペース形成可能な最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
<Evaluation of resolution>
The photosensitive laminate was prepared under the same method and conditions as the evaluation method for the shortest development time and allowed to stand at room temperature (23 ° C., 55% RH) for 10 minutes. From the photosensitive layer of the obtained photosensitive laminate, exposure of each line width is performed in increments of 1 μm from line / space = 1/1 to a line width of 10 to 100 μm using the pattern forming apparatus. The exposure amount at this time is the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer. After standing at room temperature for 10 minutes, the photosensitive layer on the copper-clad laminate was sprayed with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time, Dissolve and remove uncured areas. The surface of the copper-clad laminate with a cured resin pattern obtained in this way is observed with an optical microscope, and the cured resin pattern line is free of irregularities such as lumps and twists, and the minimum line width that allows space formation is measured. This is the resolution. The smaller the numerical value, the better the resolution.

<永久パターン表面形状>
前記解像度の測定において形成した永久パターン面(50μm×50μm)について走査型電子顕微鏡(SEM)により撮影し、形成した永久パターン表面の形状について、以下の評価基準に従って評価を行った。結果を表2に示す。
−評価基準−
A・・・・・欠陥が全くないか、又は1〜5個の欠陥があり、形成した永久パターンの形状に影響が無いもの。
B・・・・・6〜10個の欠陥があるが、形成した永久パターンの形状に影響が無いもの。
C・・・・・11〜20個の欠陥があり、該欠陥が永久パターンの端面において形状異常を生じさせ得るもの。
D・・・・・21個以上の欠陥があり、該欠陥が永久パターンの端面において形状異常を生じさせるもの。
<Permanent pattern surface shape>
The permanent pattern surface (50 μm × 50 μm) formed in the resolution measurement was photographed with a scanning electron microscope (SEM), and the shape of the formed permanent pattern surface was evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 2.
-Evaluation criteria-
A: There are no defects or 1 to 5 defects, and the shape of the formed permanent pattern is not affected.
B: There are 6-10 defects, but the shape of the formed permanent pattern is not affected.
C: There are 11 to 20 defects, and the defects can cause a shape abnormality on the end face of the permanent pattern.
D: There are 21 or more defects, and the defects cause a shape abnormality on the end face of the permanent pattern.

<無電解金めっき耐性の評価>
後述する工程に従って前記試験基板に無電解金めっきを行ない、その試験基板について外観の変化及びセロハン粘着テープを用いたピーリング試験を行ない、レジスト皮膜の剥離状態を以下の基準で評価した。
−評価基準−
○:外観変化もなく、レジスト皮膜の剥離も全くない。
△:外観の変化はないが、レジスト皮膜にわずかに剥れがある。
×:レジスト皮膜の浮きが見られ、めっき潜りが認められ、ピーリング試験でレジスト皮膜の剥れが大きい。
−−無電解金めっき工程−−
前記感光性積層体について、前記レーザ露光によるパターニング、及び現像後、超高圧水銀灯により100mJ/cmで全面露光(ポスト露光)を行い、かつ150℃60分の加熱処理(ポストベーク処理)をしてソルダーレジストパターン(永久パターン)を形成したプリント基板としての試験基板を、30℃の酸性脱脂液(日本マクダーミット社製、Metex L−5Bの20質量%水溶液)に3分間浸漬した後、流水中に3分間浸漬して水洗した。
次いで、14.3質量%過硫酸アンチモン水溶液に室温で3分間浸漬した後、流水中に3分間浸漬して水洗し、更に、10質量%硫酸水溶液に室温で試験基板を1分間浸漬した後、流水中に30秒〜1分間浸漬して水洗した。
次に、この基板を30℃の触媒液(メルテックス社製、メタルプレートアクチベーター350の10質量%水溶液)に7分間浸漬後、流水中に3分間浸漬して水洗し、次いで85℃のニッケルめっき液(メルテックス社製、メルプレートNi−865M、20容量%水溶液、pH4.6)に20分間浸漬し、無電解ニッケルめっきを行った後、10質量%硫酸水溶液に室温で1分間浸漬後、流水中に30秒〜1分間浸漬して水洗した。
次いで、試験基板を75℃の金めっき液(奥野製薬工業社製、OPCムデンゴールド、pH12〜13、厚付け金めっき0.3μm)に4分間浸漬し、無電解金めっきを行った後、流水中に3分間浸漬して水洗し後、更に、60℃の温水で3分間浸漬して十分に水洗後、乾燥し、無電解金めっきした試験基板を得た。
<Evaluation of electroless gold plating resistance>
The test substrate was subjected to electroless gold plating according to the steps described below, and the test substrate was subjected to a change in appearance and a peeling test using a cellophane adhesive tape, and the peeling state of the resist film was evaluated according to the following criteria.
-Evaluation criteria-
○: No change in appearance and no peeling of resist film.
Δ: Although there is no change in appearance, the resist film is slightly peeled off.
X: Lifting of the resist film was observed, plating stagnation was observed, and peeling of the resist film was large in the peeling test.
--- Electroless gold plating process--
About the said photosensitive laminated body, after the patterning by the said laser exposure and image development, the whole surface exposure (post exposure) is carried out at 100 mJ / cm < 2 > with an ultrahigh pressure mercury lamp, and the heat processing (post baking process) for 150 degreeC are performed. A test substrate as a printed circuit board on which a solder resist pattern (permanent pattern) is formed is immersed in an acidic degreasing solution (manufactured by Nihon McDermitt, 20% by mass aqueous solution of Metex L-5B) for 3 minutes, followed by running water. For 3 minutes and washed with water.
Next, after immersing in a 14.3% by mass antimony persulfate aqueous solution for 3 minutes at room temperature, after immersing in running water for 3 minutes and washing with water, and further immersing the test substrate in a 10% by mass sulfuric acid aqueous solution at room temperature for 1 minute, It was immersed in running water for 30 seconds to 1 minute and washed with water.
Next, the substrate was immersed in a 30 ° C. catalyst solution (Meltex, 10% by weight aqueous solution of metal plate activator 350) for 7 minutes, then immersed in running water for 3 minutes, and then washed at 85 ° C. with nickel. After dipping in a plating solution (Meltex, Melplate Ni-865M, 20 vol% aqueous solution, pH 4.6) for 20 minutes and performing electroless nickel plating, after dipping in a 10 wt% sulfuric acid aqueous solution at room temperature for 1 minute Then, it was immersed in running water for 30 seconds to 1 minute and washed with water.
Next, the test substrate was immersed in a gold plating solution at 75 ° C. (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., OPC Muden Gold, pH 12-13, thick gold plating 0.3 μm) for 4 minutes, and after electroless gold plating, After immersing in running water for 3 minutes and washing with water, further immersing in warm water at 60 ° C. for 3 minutes, washing thoroughly with water, drying, and electroless gold-plated test substrate was obtained.

<スルーホールの埋め込み性>
前記基体として、絶縁層の厚み200μm、銅厚18μmで、5mmピッチに直径100μmのスルーホールを有する銅張積層板を、表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性組成物をスクリーン印刷法により、120メッシュのテトロンスクリーンを用いて、乾燥後厚みが30μmとなるように塗布し、80℃15分間熱風循環式乾燥機で乾燥させて感光層を形成し、更に前記感光層を形成したのと反対側の面にも同様に、乾燥後厚みが30μmとなるように塗布及び乾燥して感光層を形成することにより、前記銅張積層板の両面に感光層が形成された感光性積層体を調製した。その後、スルーホール部近傍をはさみでカットし、紙やすり(荒削り:#600及び本削り:#1200)でスルーホール部の断面が観察できるまで研磨した。スルーホール断面を観察し、埋め込み性について下記基準に基づいて評価した。
〔評価基準〕
○:スルーホールが完全に埋め込まれていた。
△:スルーホールにわずかにボイドが認められたが、観察した断面積の90%以上埋め込まれていた。
×:スルーホールに明らかにボイドが認められ、埋め込まれた面積が、観察した断面積の90%未満であった。
<Through hole fillability>
As the substrate, a copper-clad laminate having an insulating layer thickness of 200 μm and a copper thickness of 18 μm and through-holes having a diameter of 100 μm at a pitch of 5 mm was prepared by subjecting the surface to chemical polishing treatment. On the copper-clad laminate, the photosensitive composition was applied by screen printing using a 120 mesh Tetron screen so that the thickness after drying was 30 μm, and then heated at 80 ° C. for 15 minutes with a hot air circulating dryer. The photosensitive layer is formed by drying, and the photosensitive layer is formed on the surface opposite to the side where the photosensitive layer is further formed by applying and drying the dried layer to a thickness of 30 μm. A photosensitive laminate in which a photosensitive layer was formed on both sides of a copper clad laminate was prepared. Thereafter, the vicinity of the through-hole portion was cut with scissors and polished with a sandpaper (roughing: # 600 and main cutting: # 1200) until the cross-section of the through-hole portion could be observed. The through-hole cross section was observed, and the embedding property was evaluated based on the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: The through hole was completely embedded.
Δ: Slight voids were observed in the through hole, but 90% or more of the observed cross-sectional area was embedded.
X: A void was clearly recognized in the through hole, and the embedded area was less than 90% of the observed cross-sectional area.

<エッジラフネスの評価>
前記感光性積層体に、前記パターン形成装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように照射して2重露光し、前記感光層の一部の領域を前記解像度の測定における(3)と同様にしてパターンを形成した。得られたパターンのうち、ライン幅50μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、視野内のエッジ位置のうち、最も膨らんだ箇所(山頂部)と、最もくびれた箇所(谷底部)との差を絶対値として求め、観察した5箇所の平均値を算出し、これをエッジラフネスとした。該エッジラフネスは、値が小さい程、良好な性能を示すため好ましい。
<Evaluation of edge roughness>
Using the pattern forming apparatus, the photosensitive laminate is irradiated with double exposure so that a horizontal line pattern in a direction perpendicular to the scanning direction of the exposure head is formed, and a partial region of the photosensitive layer A pattern was formed in the same manner as (3) in the resolution measurement. Among the obtained patterns, arbitrary five points of a line having a line width of 50 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×), and among the edge positions in the field of view Then, the difference between the most swollen portion (mountain peak portion) and the most constricted portion (valley bottom portion) was obtained as an absolute value, and an average value of five observed positions was calculated, and this was defined as edge roughness. The edge roughness is preferably as the value is small because it exhibits good performance.

<ポットライフの評価>
前記感光性組成物溶液の調製直後の25℃での粘度、25℃で保管72時間後の粘度を、B型粘度計(東京計器社製)を用いて測定した。該粘度に基づき、ポットライフは、下記基準に基づいて評価した。
〔評価基準〕
○:72時間後の粘度が調製直後の粘度に比べて、1.5倍未満の粘度である。
△:72時間後の粘度が調製直後の粘度に比べて、2倍未満の粘度である。
×:72時間後の粘度が調製直後の粘度に比べて、2倍以上の粘度である。
<Evaluation of pot life>
The viscosity at 25 ° C. immediately after the preparation of the photosensitive composition solution and the viscosity after storage for 72 hours at 25 ° C. were measured using a B-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.). Based on the viscosity, pot life was evaluated based on the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
A: The viscosity after 72 hours is less than 1.5 times the viscosity immediately after preparation.
Δ: The viscosity after 72 hours is less than twice the viscosity immediately after preparation.
X: The viscosity after 72 hours is twice or more the viscosity immediately after the preparation.

(実施例2)
−感光性フィルムの製造−
実施例1で得られた感光性組成物溶液を、前記支持体としての厚み16μm、幅300mm、長さ200mのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、バーコーターで塗布し、80℃熱風循環式乾燥機中で乾燥して、厚み30μmの感光層を形成した。次いで、該感光層の上に、保護フィルムとして、膜厚20μm、幅310mm、長さ210mのポリプロピレンフィルムをラミネーションにより積層し、前記感光性フィルムを製造した。
(Example 2)
-Production of photosensitive film-
The photosensitive composition solution obtained in Example 1 was applied to a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 16 μm, a width of 300 mm, and a length of 200 m as the support with a bar coater, and dried at 80 ° C. with hot air circulation. It was dried in the machine to form a photosensitive layer having a thickness of 30 μm. Next, a polypropylene film having a thickness of 20 μm, a width of 310 mm, and a length of 210 m was laminated on the photosensitive layer as a protective film by lamination to produce the photosensitive film.

−感光性積層体の調製−
次に、前記基体として実施例1と同じ銅張積層板上に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)社製、V130)を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引きの時間40秒、圧着温度70℃、圧着圧力0.2MPa、加圧時間10秒とした。
-Preparation of photosensitive laminate-
Next, on the same copper clad laminate as that of Example 1 as the substrate, the photosensitive film of the photosensitive film was in contact with the copper clad laminate, and the protective film on the photosensitive film was peeled off, and a vacuum laminator ( Nichigo Morton Co., Ltd., V130) was used to prepare a photosensitive laminate in which the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) were laminated in this order. .
The pressure bonding conditions were a vacuum drawing time of 40 seconds, a pressure bonding temperature of 70 ° C., a pressure bonding pressure of 0.2 MPa, and a pressure application time of 10 seconds.

前記感光性積層体について、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。なお、解像度、無電解金メッキ耐性、及びエッジラフネスについては、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表2に示す。   The photosensitive laminate was evaluated for sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness. The resolution, electroless gold plating resistance, and edge roughness were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

<感度の評価>
前記調製した感光性積層体における感光性フィルムの感光層に対し、前記支持体側から、実施例1で説明したパターン形成装置により実施例1と同様にして前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、前記感光性積層体から前記支持体を剥がし取り、実施例1と同様にして感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量を測定した。
<Evaluation of sensitivity>
For the photosensitive layer of the photosensitive film in the prepared photosensitive laminate, a part of the photosensitive layer is cured from the support side in the same manner as in Example 1 by the pattern forming apparatus described in Example 1. It was. After leaving still at room temperature for 10 minutes, the said support body was peeled off from the said photosensitive laminated body, and it carried out similarly to Example 1, and measured the amount of light energy required in order to harden a photosensitive layer.

<スルーホールの埋め込み性>
前記基体として、絶縁層の厚み200μm、銅厚18μmで、5mmピッチに直径100μmのスルーホールを有する銅張積層板の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上両面に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)社製、V130)を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引きの時間40秒、圧着温度70℃、圧着圧力0.2MPa、加圧時間10秒とした。
その後、実施例1と同様にして埋め込み性について評価した。
<Through hole fillability>
The substrate was prepared by subjecting a surface of a copper-clad laminate having an insulating layer thickness of 200 μm and a copper thickness of 18 μm and a through hole having a diameter of 100 μm to a pitch of 5 mm to a chemical polishing treatment. While peeling the protective film on the photosensitive film so that the photosensitive layer of the photosensitive film is in contact with the copper-clad laminate on both surfaces of the copper-clad laminate, a vacuum laminator (Nichigo Morton Co., Ltd., V130 ) To prepare a photosensitive laminate in which the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) were laminated in this order.
The pressure bonding conditions were a vacuum drawing time of 40 seconds, a pressure bonding temperature of 70 ° C., a pressure bonding pressure of 0.2 MPa, and a pressure application time of 10 seconds.
Thereafter, the embedding property was evaluated in the same manner as in Example 1.

(実施例3)
実施例2において、感光性組成物中のTEPIC−S(熱架橋剤)を、表1に示すように、YX4000K(ジャパンエポキシレジン社製の熱架橋剤、エポキシ当量187g/eq.)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例3における分散液の平均粒径は、0.22μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.02%であった。
また、実施例3における感光性組成物中の平均粒径は、0.22μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 3)
In Example 2, as shown in Table 1, TEPIC-S (thermal crosslinking agent) in the photosensitive composition was replaced with YX4000K (thermal crosslinking agent manufactured by Japan Epoxy Resin, epoxy equivalent of 187 g / eq.). Except for the above, in the same manner as in Example 2, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion liquid in Example 3 was 0.22 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.02%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 3 was 0.22 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例4)
実施例2において、感光性組成物中のTEPIC−S(熱架橋剤)を、表1に示すように、YDC−1312(東都化成社製の熱架橋剤、エポキシ等量175g/eq.)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例4における分散液の平均粒径は、0.25μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は0.03%であった。
また、実施例4における感光性組成物中の平均粒径は、0.25μmで混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
Example 4
In Example 2, as shown in Table 1, TEPIC-S (thermal crosslinking agent) in the photosensitive composition was changed to YDC-1312 (thermal crosslinking agent manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent 175 g / eq.). Except for the change, the evaluation of sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness was performed in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 4 was 0.25 μm, and the proportion of coarse particles of 1 μm or more was 0.03%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 4 was not aggregated by mixing at 0.25 μm, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例5)
実施例2において、感光性組成物中のTEPIC−S(熱架橋剤)を、表1に示すように、YSLV−120TE(東都化成社製の熱架橋剤、エポキシ等量240g/eq.)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例5における分散液の平均粒径は、0.24μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.02%であった。
また、実施例5における感光性組成物中の平均粒径は、0.24μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 5)
In Example 2, as shown in Table 1, TEPIC-S (thermal crosslinking agent) in the photosensitive composition was changed to YSLV-120TE (thermal crosslinking agent manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent 240 g / eq.). Except for the change, the evaluation of sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness was performed in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 5 was 0.24 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.02%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 5 was 0.24 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例6)
実施例2において、前記感光性組成物中の前記高分子化合物1を、表1に示すように、前記で得られた高分子化合物2(87.4質量部)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例6における分散液の平均粒径は、0.21μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.02%であった。
また、実施例6における感光性組成物中の平均粒径は0.21μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 6)
In Example 2, except that the polymer compound 1 in the photosensitive composition was replaced with the polymer compound 2 (87.4 parts by mass) obtained above as shown in Table 1. In the same manner as in Example 2, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
In addition, the average particle diameter of the dispersion liquid in Example 6 was 0.21 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.02%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 6 was 0.21 micrometer, it did not aggregate by mixing, and content of the coarse particle of 5 micrometers or more was 0%.

(実施例7)
実施例2において、前記感光性組成物中の前記高分子化合物1を、表1に示すように、前記で得られた高分子化合物3(50質量部)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例7における分散液の平均粒径は、0.32μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.05%であった。
また、実施例7における感光性組成物中の平均粒径は、0.32μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.01%であった。
(Example 7)
In Example 2, except that the polymer compound 1 in the photosensitive composition was replaced with the polymer compound 3 (50 parts by mass) obtained above as shown in Table 1, Example 2 and Similarly, sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 7 was 0.32 μm, and the proportion of coarse particles of 1 μm or more was 0.05%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 7 was 0.32 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.01%.

(実施例8)
実施例2において、前記感光性組成物中の光重合開始剤I−1を、下記式I−2で表される化合物2質量部に、増感剤をN−メチルアクリドン0.6質量部に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
また、実施例8における感光性組成物中の平均粒径は、0.2μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 8)
In Example 2, the photopolymerization initiator I-1 in the photosensitive composition was added to 2 parts by mass of a compound represented by the following formula I-2, and the sensitizer was 0.6 parts by mass of N-methylacridone. Except for substituting, sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 2.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 8 was 0.2 micrometer, it did not aggregate by mixing, and content of the coarse particle of 5 micrometers or more was 0%.

(実施例9)
実施例3において、前記感光性組成物中の光重合開始剤を、表1に示すように、前記式I−2で表される化合物2質量部に代えた以外は、実施例3と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
また、実施例9における感光性組成物中の平均粒径は、0.22μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
Example 9
In Example 3, as shown in Table 1, the photopolymerization initiator in the photosensitive composition was changed to 2 parts by mass of the compound represented by the formula I-2, as in Example 3. The sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 9 was 0.22 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例10)
実施例4において、前記感光性組成物中の光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−3で表される化合物2質量部に代えた以外は、実施例4と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
また、実施例10における感光性組成物中の平均粒径は、0.25μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 10)
In Example 4, as shown in Table 1, the photopolymerization initiator in the photosensitive composition was changed to 2 parts by mass of the compound represented by the following formula I-3, and was the same as Example 4. The sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 10 was 0.25 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例11)
実施例5において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−4で表される化合物2質量部に代えた以外は、実施例5と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
また、実施例11における感光性組成物中の平均粒径は、0.24μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0%であった。
(Example 11)
In Example 5, the photopolymerization initiator was replaced with 2 parts by mass of the compound represented by the following formula I-4 as shown in Table 1. Electrolytic gold plating resistance, through-hole embedding, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 11 was 0.24 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0%.

(実施例12)
実施例2において、前記パターン形成装置の代わりに、これと同様なパターンを有するガラス製ネガマスクを別途作製し、このネガマスクを感光性積層体上に接触させて超高圧水銀灯で40mJ/cmの露光量で露光した。その後、実施例2と同様な方法で現像し、解像度を測定した以外は、実施例2と同様にして感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 12)
In Example 2, instead of the pattern forming apparatus, a glass negative mask having the same pattern as this was separately prepared, and this negative mask was brought into contact with the photosensitive laminate, and exposure was performed at 40 mJ / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp. Exposed in quantity. Thereafter, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole embedding property, and edge roughness were evaluated in the same manner as in Example 2 except that development was performed in the same manner as in Example 2 and the resolution was measured. . The results are shown in Table 2.

(実施例13)
実施例12において、実施例3と同様の感光性フィルムを用いた以外は、実施例12と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 13)
In Example 12, except for using the same photosensitive film as in Example 3, evaluation of sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness was performed in the same manner as in Example 12. It was. The results are shown in Table 2.

(実施例14)
実施例2において、感光性組成物溶液中に、表1に示すように、液状のエポキシ化合物であるビスフェノールA系エポキシ化合物とビスフェノールF系エポキシ化合物との混合物(東都化成社製、エポトートZX−1059、エポキシ当量165g/eq.)5質量部を添加し、更に、分散物溶液を以下のように変更したこと以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
−−分散工程−−
前記分散液として、硫酸バリウム(堺化学工業(株)製、B30)30質量部、シリカ(日本アエロジル社製R974)2質量部、前記高分子化合物1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)溶液29.2質量部、YX4000K(ジャパンエポキシレジン社製の熱架橋剤、エポキシ当量187g/eq.)10質量部、C.I.ピグメント・ブルー15:3 0.2質量部、C.I.ピグメント・イエロー185 0.05質量部、及びメチルエチルケトン40.55質量部を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径0.9mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて5時間分散して調製した。
前記分散液の粒度分布を粒度分布計(UPA−9340、日機装社製)を用いて測定したところ、平均粒径が0.45μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は0.12%であった。
また、実施例14における感光性組成物中の平均粒径は、0.45μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.03%であった。
(Example 14)
In Example 2, in the photosensitive composition solution, as shown in Table 1, a mixture of a bisphenol A-based epoxy compound and a bisphenol F-based epoxy compound, which are liquid epoxy compounds (Epototo ZX-1059, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) , Epoxy equivalent 165 g / eq.) 5 parts by mass, and the dispersion solution was changed as follows, and the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole were the same as in Example 2. The embedding property and edge roughness of the film were evaluated. The results are shown in Table 2.
-Dispersion process-
As the dispersion, 30 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30), 2 parts by mass of silica (R974 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), the polymer compound 1 (in the 1-methoxy-2-propanol solution) 29.2 parts by mass of a solid content of 30% by mass), 10 parts by mass of YX4000K (thermal crosslinking agent manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., epoxy equivalent of 187 g / eq.), C.I. I. Pigment Blue 15: 3 0.2 parts by mass, C.I. I. After mixing 0.05 parts by weight of Pigment Yellow 185 and 40.55 parts by weight of methyl ethyl ketone in advance, a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) was used to use zirconia beads having a diameter of 0.9 mm and a peripheral speed of 9 m / s. For 5 hours.
When the particle size distribution of the dispersion was measured using a particle size distribution meter (UPA-9340, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), the average particle size was 0.45 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.12%. .
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 14 was 0.45 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.03%.

(実施例15)
実施例2において、感光性組成物溶液中に、表1に示すように、溶液状のエポキシ化合物のエポキシ化合物であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、エピクロンN−695、エポキシ当量210g/eq.)2質量部を添加し、更に、分散物溶液を以下のように変更したこと以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
−−分散工程−−
前記分散液として、硫酸バリウム(堺化学工業(株)製、B30)30質量部、前記高分子化合物1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)溶液29.2質量部、YX4000K(ジャパンエポキシレジン社製の熱架橋剤、エポキシ当量187g/eq.)15質量部、C.I.ピグメント・ブルー15:3 0.2質量部、C.I.ピグメント・イエロー185 0.05質量部、及びメチルエチルケトン40.55質量部を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径0.9mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて1時間分散して調製した。
前記分散液の粒度分布を粒度分布計(UPA−9340、日機装社製)を用いて測定したところ、平均粒径は、0.43μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は、0.13%であった。
また、実施例15における感光性組成物中の平均粒径は、0.43μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.03%であった。
(Example 15)
In Example 2, in the photosensitive composition solution, as shown in Table 1, a cresol novolak type epoxy resin (Dainippon Ink & Chemicals, Epicron N-695, epoxy) which is an epoxy compound of a solution-like epoxy compound, as shown in Table 1. (Equivalent 210 g / eq.) 2 parts by weight were added, and the dispersion solution was changed as follows, and the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding were the same as in Example 2. The properties and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
-Dispersion process-
As the dispersion, 30 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30), the polymer compound 1 (solid content of 30% by mass in the 1-methoxy-2-propanol solution) solution 29.2 Parts by mass, 15 parts by mass of YX4000K (thermal crosslinking agent manufactured by Japan Epoxy Resin, epoxy equivalent of 187 g / eq.), C.I. I. Pigment Blue 15: 3 0.2 parts by mass, C.I. I. After mixing 0.05 parts by weight of Pigment Yellow 185 and 40.55 parts by weight of methyl ethyl ketone in advance, a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) was used to use zirconia beads having a diameter of 0.9 mm and a peripheral speed of 9 m / s. And dispersed for 1 hour.
When the particle size distribution of the dispersion was measured using a particle size distribution meter (UPA-9340, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), the average particle size was 0.43 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.13%. there were.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 15 was 0.43 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.03%.

(実施例16)
実施例2において、感光性組成物溶液中に、表1に示すように、溶液状のエポキシ化合物であるビスフェノールA系エポキシ化合物とビスフェノールF系エポキシ化合物との混合物(東都化成社製、エポトートZX−1059、エポキシ当量165g/eq.)5質量部を添加し、更に、分散物溶液を以下のように変更したこと以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
−−分散工程−−
前記分散液として、硫酸バリウム(堺化学工業(株)製、B30)30質量部、高分子化合物1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)溶液29.2質量部、YX4000K(ジャパンエポキシレジン社製の熱架橋剤、エポキシ当量187g/eq.)10質量部、C.I.ピグメント・ブルー15:3 0.5質量部、ジシアンジアミド0.2質量部、及び酢酸プロピル40.55質量部を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径0.9mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて1時間分散して調製した。
前記分散液の粒度分布を粒度分布計(UPA−9340、日機装社製)を用いて測定したところ、平均粒径が0.41μmで、1μm以上の粗大粒子の割合は0.11%であった。
また、実施例16における感光性組成物中の平均粒径は、0.41μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.05%であった。
(Example 16)
In Example 2, as shown in Table 1, in the photosensitive composition solution, a mixture of a bisphenol A-based epoxy compound and a bisphenol F-based epoxy compound, which are solution-like epoxy compounds (Etototo ZX-, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.). 1059, epoxy equivalent of 165 g / eq.) 5 parts by mass were added, and the dispersion solution was changed as follows. In the same manner as in Example 2, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through The hole embeddability and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
-Dispersion process-
As the dispersion, 30 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30), polymer compound 1 (solid content of 30% by mass in the 1-methoxy-2-propanol solution) 29.2 masses of solution Part, YX4000K (thermal crosslinking agent manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., epoxy equivalent 187 g / eq.) 10 parts by mass, C.I. I. Pigment Blue 15: 3 0.5 parts by mass, 0.2% by mass of dicyandiamide, and 40.55 parts by mass of propyl acetate were mixed in advance, and then a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) was used. Using zirconia beads, it was prepared by dispersing for 1 hour at a peripheral speed of 9 m / s.
When the particle size distribution of the dispersion was measured using a particle size distribution meter (UPA-9340, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), the average particle size was 0.41 μm, and the ratio of coarse particles of 1 μm or more was 0.11%. .
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 16 was 0.41 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.05%.

(実施例17)
実施例2において、前記式3に基づきN=1として設定傾斜角度θを算出し、前記式4に基づきttanθ´=1の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを導出し、N重露光(N=1)を行ったこと以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 17)
In the second embodiment, the set inclination angle θ is calculated with N = 1 based on the equation 3, the natural number T closest to the value t satisfying the relationship of t tan θ ′ = 1 is derived based on the equation 4, and N double exposure ( Except for performing N = 1), the evaluation of sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness was performed in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 2.

(実施例18)
実施例2において、分散を直径3mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて2時間分散して調製した以外は、実施例2と同様にして感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例18における分散液の平均粒径は、1.61μmで、5μm以上の粗大粒子の割合は、0.8%であった。
また、実施例18における感光性組成物中の平均粒径は、1.6μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.8%であった。
(Example 18)
In Example 2, except that the dispersion was prepared by using zirconia beads having a diameter of 3 mm and dispersing for 2 hours at a peripheral speed of 9 m / s, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole were the same as in Example 2. The embedding property and edge roughness of the film were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 18 was 1.61 μm, and the ratio of coarse particles of 5 μm or more was 0.8%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 18 was 1.6 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.8%.

(実施例19)
実施例2において、分散を直径2mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて2時間分散して調製した以外は、実施例2と同様にして感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例19における分散液の平均粒径は0.92μmで、5μm以上の粗大粒子の割合は0.1%であった。
また、実施例19における感光性組成物中の平均粒径は、0.92μmで、混合することで凝集することはなく、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.1%であった。
Example 19
In Example 2, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through hole were the same as in Example 2 except that the dispersion was prepared by using zirconia beads having a diameter of 2 mm and dispersing for 2 hours at a peripheral speed of 9 m / s. The embedding property and edge roughness of the film were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 19 was 0.92 μm, and the ratio of coarse particles of 5 μm or more was 0.1%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 19 was 0.92 μm, and it did not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 5 μm or more was 0.1%.

(実施例20)
実施例2において、分散を直径1.5mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて2時間分散して調製した以外は、実施例2と同様にして感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例19における分散液の平均粒径は0.76μmで、2μm以上の粗大粒子の割合は0.7%で、5μm以上の粗大粒子の割合は0.09%であった。
また、実施例19における感光性組成物中の平均粒径は、0.76μmで、混合することで凝集することはなく、2μm以上の粗大粒子の含有量は、0.7%で、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.09%であった。
(Example 20)
In Example 2, except that the dispersion was prepared by using zirconia beads having a diameter of 1.5 mm for 2 hours at a peripheral speed of 9 m / s, sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, Through hole embedding and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 19 was 0.76 μm, the ratio of coarse particles of 2 μm or more was 0.7%, and the ratio of coarse particles of 5 μm or more was 0.09%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 19 is 0.76 μm and does not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 2 μm or more is 0.7%, which is 5 μm or more. The content of coarse particles was 0.09%.

(実施例21)
実施例2において、分散を直径1.2mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて2時間分散して調製した以外は、実施例2と同様にして感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、実施例19における分散液の平均粒径は、0.58μmで、2μm以上の粗大粒子の割合は0.2%で、5μm以上の粗大粒子の割合は、0.05%であった。
また、実施例19における感光性組成物中の平均粒径は、0.58μmで、混合することで凝集することはなく、2μm以上の粗大粒子の含有量は、0.2%で、5μm以上の粗大粒子の含有量は、0.05%であった。
(Example 21)
In Example 2, except that the dispersion was prepared by using zirconia beads having a diameter of 1.2 mm for 2 hours at a peripheral speed of 9 m / s, sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, Through hole embedding and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 2.
The average particle size of the dispersion in Example 19 was 0.58 μm, the ratio of coarse particles of 2 μm or more was 0.2%, and the ratio of coarse particles of 5 μm or more was 0.05%.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Example 19 is 0.58 μm and does not aggregate when mixed, and the content of coarse particles of 2 μm or more is 0.2%, which is 5 μm or more. The content of coarse particles was 0.05%.

(比較例1)
実施例1において、分散工程を行わず、混合工程において、全ての成分を混合してその後3本ロールで4時間混練し、感光性組成物を調整した。得られた感光性組成物を用いて、実施例2と同様にして感光性フィルムを製造し、感光性積層体を調製した。
得られた感光性積層体を用いて、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
なお、比較例1における熱架橋剤と顔料の平均粒径は、3.2μmであった。
また、比較例1における感光性組成物中の平均粒径は、3.2μmで、混合することで凝集することはなかったが、5μm以上の粗大粒子の含有量は、5%であった。
(Comparative Example 1)
In Example 1, the dispersing step was not performed, and in the mixing step, all the components were mixed and then kneaded with three rolls for 4 hours to prepare a photosensitive composition. Using the resulting photosensitive composition, a photosensitive film was produced in the same manner as in Example 2 to prepare a photosensitive laminate.
Using the obtained photosensitive laminate, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness were evaluated in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 2.
The average particle diameter of the thermal crosslinking agent and the pigment in Comparative Example 1 was 3.2 μm.
Moreover, the average particle diameter in the photosensitive composition in Comparative Example 1 was 3.2 μm, and it did not aggregate when mixed, but the content of coarse particles of 5 μm or more was 5%.

(比較例2)
実施例2において、感光性組成物の調製を、下記のようにして行ったこと以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、無電解金メッキ耐性、スルーホールの埋め込み性、及びエッジラフネスの評価を行った。結果を表2に示す。
(Comparative Example 2)
In Example 2, the sensitivity, resolution, electroless gold plating resistance, through-hole embedding property, and edge roughness were the same as in Example 2 except that the photosensitive composition was prepared as follows. Was evaluated. The results are shown in Table 2.

−感光性組成物の調製−
下記工程により、各成分を下記の量で配合して、感光性組成物溶液を調製した。
〔樹脂組成物の各成分量〕
・前記高分子化合物4・・・500質量部
・2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−プロパン−1−オン(光重合開始剤、チバ・ガイギー社製イルイガキュア907)・・・40質量部
・2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製DETX−S)・・・4質量部
・熱硬化促進剤(ジシアンジアミド)・・・3質量部
・フタロシアニングリーン(着色顔料、東洋インキ製造社製シアニングリーンTK)・・・5質量部
・微粉シリカ(チクソトロープ剤、日本シリカ工業社製ニップシールE−220)・・・20質量部
・タルク(体質顔料)・・・80質量部
・消泡剤(シリコン系)・・・15質量部
-Preparation of photosensitive composition-
By the following process, each component was mix | blended with the following quantity, and the photosensitive composition solution was prepared.
[Amount of each component of the resin composition]
-High molecular compound 4 ... 500 parts by mass-2-Methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one (photopolymerization initiator, Iruigure 907 manufactured by Ciba-Geigy) ) ... 40 parts by mass. 2,4-diethylthioxanthone (DETX-S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) .. 4 parts by mass. Thermosetting accelerator (dicyandiamide) .. 3 parts by mass. Phthalocyanine green (color pigment) , Cyanine Green TK manufactured by Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) 5 parts by mass, fine silica (thixotropic agent, nip seal E-220 manufactured by Nippon Silica Kogyo Co., Ltd.) 20 parts by mass, talc (extreme pigment) ... 80 parts by mass Parts / antifoaming agent (silicone): 15 parts by mass

前記組成物において、エポキシ化合物と消泡剤以外の成分を、予備混合してから三本ロールミルで十分に混練した。次に、該混練物と、前記消泡剤とを小型プラネタリーミキサーで混合し、樹脂組成物を得た。   In the composition, components other than the epoxy compound and the antifoaming agent were premixed and then sufficiently kneaded with a three-roll mill. Next, the kneaded product and the antifoaming agent were mixed with a small planetary mixer to obtain a resin composition.

〔エポキシ分散物の各成分量〕
・エポキシ化合物1;トリグリシジルイソシアヌレート(日産化学工業社製、TEPIC−S、エポキシ当量100g/eq.)・・・100質量部
・エポキシ化合物2;フェノールノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、エピクロンN−730)・・・30質量部
・NKエステルA−TMPT(新中村化学社製、エチレン不飽和トリメチロールプロパントリアクリレート)・・・140質量部
・セロソルブアセテート(有機溶剤)・・・60質量部
前記エポキシ化合物1(TEPIC−S)100質量部と、前記エポキシ化合物2(エピクロンN−730)30質量部と、前記セロソルブアセテート(有機溶剤)60質量部をフラスコに取り、 120℃に加熱昇温し完全に溶解した。次に、これを80℃に冷却した後、前記NKエステルA−TMPT140質量部を、空気を吹き込みながら所定量加えて更に冷却し、再結晶化させたものを、サンドミルを用いて分散し、エポキシ分散物を得た。
このエポキシ分散物の平均粒径は、粒度分布を光散乱式粒度分布計を用いて測定したところ、平均粒径は、1μmであった。
[Each component amount of epoxy dispersion]
Epoxy compound 1; triglycidyl isocyanurate (manufactured by Nissan Chemical Industries, TEPIC-S, epoxy equivalent 100 g / eq.) 100 parts by mass Epoxy compound 2; phenol novolac type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Manufactured, Epicron N-730) ... 30 parts by mass NK ester A-TMPT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., ethylenically unsaturated trimethylolpropane triacrylate) ... 140 parts by mass Cellosolve acetate (organic solvent) 60 parts by mass Take 100 parts by mass of the epoxy compound 1 (TEPIC-S), 30 parts by mass of the epoxy compound 2 (Epiclon N-730), and 60 parts by mass of the cellosolve acetate (organic solvent) in a flask. The solution was heated to a temperature and completely dissolved. Next, after cooling to 80 ° C., 140 parts by mass of the NK ester A-TMPT was added with a predetermined amount while blowing air, further cooled and recrystallized, and dispersed using a sand mill, A dispersion was obtained.
The average particle size of the epoxy dispersion was 1 μm when the particle size distribution was measured using a light scattering particle size distribution meter.

前記で得られた樹脂組成物と、前記エポキシ分散物とを充分に混合し、比較例2の感光性組成物を調製した。
前記比較例2の感光性組成物中の平均粒径は、4.1μmで、混合することで、顔料が十分微粒子化できていなことがわかった。また、5μm以上の粗大粒子の含有量は、11%であった。
The resin composition obtained above and the epoxy dispersion were sufficiently mixed to prepare a photosensitive composition of Comparative Example 2.
The average particle size in the photosensitive composition of Comparative Example 2 was 4.1 μm, and it was found that the pigment was not sufficiently finely divided by mixing. The content of coarse particles of 5 μm or more was 11%.

表2の結果から、実施例1〜21では、粒子の平均粒径が2μm以下である本発明の感光性組成物を用いるため、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネス、無電解金メッキ耐性及びスルーホールの埋め込み性に優れることが判った。特に、感光性フィルムを作製した実施例2〜21では、感度に優れ、解像度も高いことが判った。また、レーザ露光を行なった実施例1〜11び14〜21では、エッジラフネスに優れることが判った。
一方、2重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正した実施例1〜11、18〜21のパターンは、エッジラフネスも小さいことが判った。
From the result of Table 2, in Examples 1-21, since the photosensitive composition of this invention whose average particle diameter of particle | grains is 2 micrometers or less is used, pot life is long, tack property, surface failure, surface shape, edge It was found to be excellent in roughness, electroless gold plating resistance and through hole embedding. In particular, in Examples 2 to 21 in which photosensitive films were produced, it was found that the sensitivity was excellent and the resolution was high. Moreover, in Examples 1-11 and 14-21 which performed laser exposure, it turned out that it is excellent in edge roughness.
On the other hand, it was found that the patterns of Examples 1 to 11 and 18 to 21 in which the variation in resolution and the exposure unevenness in the double exposure were corrected also had small edge roughness.

本発明の感光性組成物、及びこれを用いた感光性フィルム、感光性積層体は、含有される粒子の平均粒径が2μm以下であることにより、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特にプリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
本発明の感光性組成物の製造方法は、感光性組成物中の粒子の平均粒径が2μm以下とすることができ、ポットライフが長く、タック性、面状故障、表面形状、エッジラフネスに優れ、高感度及び高解像度で、無電解金メッキ耐性、及びビアやスルーホールの埋め込み性に優れ、高精細な永久パターンを形成可能な感光性組成物を、簡易に効率よく製造できるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特にプリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
本発明の永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性積層体を用いるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特にプリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
The photosensitive composition of the present invention, and the photosensitive film and photosensitive laminate using the same, have an average particle size of 2 μm or less, and thus have a long pot life, tackiness, and surface failure. Excellent surface shape, edge roughness, high sensitivity and high resolution, excellent electroless gold plating resistance, via and through-hole embedding, and can efficiently form high-definition permanent patterns. Suitable for various pattern formation such as insulating film and permanent pattern such as solder resist pattern, manufacturing of liquid crystal structural members such as color filters, pillar materials, rib materials, spacers, partition walls, holograms, micromachines, proofs, etc. In particular, it can be suitably used for forming a permanent pattern on a printed circuit board.
In the method for producing a photosensitive composition of the present invention, the average particle size of the particles in the photosensitive composition can be 2 μm or less, the pot life is long, and tackiness, surface failure, surface shape, and edge roughness are reduced. Protective film because it can easily and efficiently produce a photosensitive composition with excellent, high sensitivity, high resolution, electroless gold plating resistance, via and through hole embedding, and capable of forming high-definition permanent patterns. Suitable for various pattern formation such as permanent pattern such as interlayer insulation film and solder resist pattern, manufacture of liquid crystal structure members such as color filter, pillar material, rib material, spacer, partition wall, hologram, micromachine, proof In particular, it can be suitably used for forming a permanent pattern on a printed circuit board.
Since the permanent pattern forming method of the present invention uses the photosensitive laminate of the present invention, it is used for forming various patterns such as a protective film, an interlayer insulating film, a permanent pattern such as a solder resist pattern, a color filter, a column material, It can be suitably used for the production of liquid crystal structural members such as ribs, spacers and partition walls, the production of holograms, micromachines, and proofs, and can be particularly suitably used for the formation of permanent patterns on printed boards.

図1は、パターン形成装置の一例の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an example of a pattern forming apparatus. 図2は、パターン形成装置のスキャナの構成の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of the configuration of the scanner of the pattern forming apparatus. 図3Aは、感光層の被露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図である。FIG. 3A is a plan view showing an exposed region formed on the exposed surface of the photosensitive layer. 図3Bは、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図である。FIG. 3B is a plan view showing an arrangement of exposure areas by each exposure head. 図4は、露光ヘッドの概略構成の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a schematic configuration of the exposure head. 図5Aは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す上面図である。FIG. 5A is a top view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図5Bは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す側面図である。FIG. 5B is a side view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図6は、図1のパターン形成装置のDMDの一例を示す部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view showing an example of the DMD of the pattern forming apparatus of FIG. 図7Aは、DMDの動作を説明するための斜視図である。FIG. 7A is a perspective view for explaining the operation of the DMD. 図7Bは、DMDの動作を説明するための斜視図である。FIG. 7B is a perspective view for explaining the operation of the DMD. 図8は、露光ヘッドの取付角度誤差及びパターン歪みがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is an exposure head mounting angle error and pattern distortion. 図9は、1つのDMDによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 9 is a top view showing a positional relationship between an exposure area by one DMD and a corresponding slit. 図10は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposed surface using a slit. 図11は、選択されたマイクロミラーのみが露光に使用された結果、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a state in which unevenness generated in a pattern on an exposed surface is improved as a result of using only selected micromirrors for exposure. 図12は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is a relative position shift between adjacent exposure heads. 図13は、隣接する2つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 13 is a top view showing a positional relationship between an exposure area by two adjacent exposure heads and a corresponding slit. 図14は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 14 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposed surface using a slit. 図15は、図12の例において選択された使用画素のみが実動され、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a state in which only the used pixels selected in the example of FIG. 12 are actually moved and the unevenness in the pattern on the exposed surface is improved. 図16は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれ及び取付角度誤差がある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is a relative position shift and a mounting angle error between adjacent exposure heads. 図17は、図16の例において選択された使用描素部のみを用いた露光を示す説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing exposure using only the used pixel portion selected in the example of FIG. 図18Aは、倍率歪みの例を示した説明図である。FIG. 18A is an explanatory diagram showing an example of magnification distortion. 図18Bは、ビーム径歪みの例を示した説明図である。FIG. 18B is an explanatory diagram showing an example of beam diameter distortion. 図19Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 19A is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a single exposure head. 図19Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 19B is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a single exposure head. 図20は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a plurality of exposure heads. 図21Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 21A is an explanatory diagram showing a second example of reference exposure using a single exposure head. 図21Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 21B is an explanatory diagram showing a second example of reference exposure using a single exposure head. 図22は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 22 is an explanatory view showing a second example of reference exposure using a plurality of exposure heads.

符号の説明Explanation of symbols

10 パターン形成装置
12 感光性積層体(感光層、感光材料)
14 移動ステージ
18 設置台
20 ガイド
22 ゲート
24 スキャナ
26 センサ
28 スリット
30 露光ヘッド
32 露光エリア
36 デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)
38 ファイバアレイ光源
58 マイクロミラー(描素部)
111 マルチキャビティレーザ
113 ロッドレンズ
114 レンズアレイ
140 レーザアレイ
10 pattern forming device 12 photosensitive laminate (photosensitive layer, photosensitive material)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Moving stage 18 Installation stand 20 Guide 22 Gate 24 Scanner 26 Sensor 28 Slit 30 Exposure head 32 Exposure area 36 Digital micromirror device (DMD)
38 Fiber array light source 58 Micro mirror (picture element)
111 Multicavity laser 113 Rod lens 114 Lens array 140 Laser array

Claims (13)

バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、顔料、及び熱架橋剤を含み、粒子の平均粒径が、2μm以下であることを特徴とする感光性組成物。   A photosensitive composition comprising a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a pigment, and a thermal crosslinking agent, and having an average particle diameter of 2 μm or less. 顔料及び熱架橋剤が、分散物を含み、その平均粒径が、2μm以下である請求項1に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 1, wherein the pigment and the thermal crosslinking agent include a dispersion, and an average particle diameter thereof is 2 μm or less. 5μm以上の粗大粒子の含有量が、1%以下である請求項1から2のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 1, wherein the content of coarse particles of 5 μm or more is 1% or less. 熱架橋剤が、エポキシ化合物であり、該エポキシ化合物が、ノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、複素環含有エポキシ化合物、及び脂環式エポキシ化合物から選択される少なくとも1種である請求項1から3のいずれかに記載の感光性組成物。   The thermal crosslinking agent is an epoxy compound, and the epoxy compound is at least one selected from a novolac type epoxy compound, a bisphenol type epoxy compound, a heterocyclic ring-containing epoxy compound, and an alicyclic epoxy compound. 4. The photosensitive composition according to any one of 3. 熱架橋剤が、融点60℃以上の結晶性エポキシ化合物である請求項4に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 4, wherein the thermal crosslinking agent is a crystalline epoxy compound having a melting point of 60 ° C. or higher. 顔料が、有機顔料及び無機顔料から選択される少なくとも1種を含む請求項1から5のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 5 in which a pigment contains at least 1 sort (s) selected from an organic pigment and an inorganic pigment. 顔料、及び熱架橋剤を少なくとも含み、平均粒径2μm以下に微粒子化して分散させた分散物と、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを混合してなる請求項1から6のいずれかに記載の感光性組成物。   The mixture of a dispersion containing at least a pigment and a thermal cross-linking agent, finely dispersed to have an average particle size of 2 μm or less, a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator. The photosensitive composition in any one. 熱硬化促進剤を含む請求項1から7のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 7 containing a thermosetting accelerator. バインダーが、エポキシアクリレート化合物の少なくとも1種と、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種と、から選択される少なくとも1種の高分子化合物を含む請求項1から8のいずれかに記載の感光性組成物。   The binder comprises at least one polymer compound selected from at least one epoxy acrylate compound and at least one vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acid group in the side chain. Item 9. The photosensitive composition according to any one of Items 1 to 8. 請求項1から9のいずれかに記載の感光性組成物の製造方法であって、
少なくとも顔料、及び熱架橋剤を微粒子化して分散させ分散物を形成する分散工程と、
該分散物と、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤とを混合する混合工程と、
を少なくとも有し、
粒子の平均粒径が、2μm以下である感光性組成物を得ることを特徴とする感光性組成物の製造方法。
It is a manufacturing method of the photosensitive composition in any one of Claim 1 to 9, Comprising:
A dispersion step in which at least a pigment and a thermal cross-linking agent are finely divided and dispersed to form a dispersion;
A mixing step of mixing the dispersion, a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator;
Having at least
A method for producing a photosensitive composition, comprising obtaining a photosensitive composition having an average particle diameter of 2 μm or less.
支持体と、該支持体上に請求項1から9のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性フィルム。   A photosensitive film comprising a support and a photosensitive layer comprising the photosensitive composition according to claim 1 on the support. 基体上に、請求項1から9のいずれかに記載の感光性組成物及び請求項11に記載の感光性フィルムのいずれかにより形成された感光層を有する感光性積層体における感光層に対して、露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法。   The photosensitive layer in the photosensitive laminated body which has a photosensitive layer formed with either the photosensitive composition in any one of Claims 1-9, and the photosensitive film of Claim 11 on a base | substrate. A method of forming a permanent pattern, comprising performing exposure. 請求項12に記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
A printed circuit board, wherein a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method according to claim 12.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266556A (en) * 2009-05-13 2010-11-25 Tamura Seisakusho Co Ltd Photosensitive resin composition, solder resist composition for printed wiring board, and printed wiring board
JP2013068867A (en) * 2011-09-26 2013-04-18 Tamura Seisakusho Co Ltd Photosensitive resin composition, and printed wiring board and reflection sheet having cured coating of photosensitive resin composition
JP2015011265A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive film, permanent resist and method for producing permanent resist using the composition
JP2016513268A (en) * 2013-01-31 2016-05-12 太陽油墨(蘇州)有限公司 Alkali-developable photosensitive resin composition, dry film and cured product thereof, and printed wiring board formed using them
JP2017161811A (en) * 2016-03-11 2017-09-14 互応化学工業株式会社 Solder resist composition, coating film, coated printed wiring board, production method of coating film, and method for manufacturing coated printed wiring board
JP2017167336A (en) * 2016-03-16 2017-09-21 互応化学工業株式会社 Liquid solder resist composition and printed wiring board
KR101836309B1 (en) 2016-03-16 2018-03-08 고오 가가쿠고교 가부시키가이샤 Liquid solder resist composition and printed wiring board
JP2018045154A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 互応化学工業株式会社 Photosensitive resin composition and printed wiring board
JP2019066510A (en) * 2017-09-28 2019-04-25 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive element, method for forming resist pattern, solder resist, interlayer insulation film, method for forming interlayer insulation film, method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126159A (en) * 2002-10-01 2004-04-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Photosensitive resin composition and printed wiring board using the same
JP2004133060A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for forming resist pattern and printed wiring board
JP2005157311A (en) * 2003-10-27 2005-06-16 Sumitomo Chemical Co Ltd Colored photosensitive resin composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126159A (en) * 2002-10-01 2004-04-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Photosensitive resin composition and printed wiring board using the same
JP2004133060A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for forming resist pattern and printed wiring board
JP2005157311A (en) * 2003-10-27 2005-06-16 Sumitomo Chemical Co Ltd Colored photosensitive resin composition

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266556A (en) * 2009-05-13 2010-11-25 Tamura Seisakusho Co Ltd Photosensitive resin composition, solder resist composition for printed wiring board, and printed wiring board
JP2013068867A (en) * 2011-09-26 2013-04-18 Tamura Seisakusho Co Ltd Photosensitive resin composition, and printed wiring board and reflection sheet having cured coating of photosensitive resin composition
JP2016513268A (en) * 2013-01-31 2016-05-12 太陽油墨(蘇州)有限公司 Alkali-developable photosensitive resin composition, dry film and cured product thereof, and printed wiring board formed using them
JP2015011265A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive film, permanent resist and method for producing permanent resist using the composition
JP2017161811A (en) * 2016-03-11 2017-09-14 互応化学工業株式会社 Solder resist composition, coating film, coated printed wiring board, production method of coating film, and method for manufacturing coated printed wiring board
JP2017167336A (en) * 2016-03-16 2017-09-21 互応化学工業株式会社 Liquid solder resist composition and printed wiring board
KR101836309B1 (en) 2016-03-16 2018-03-08 고오 가가쿠고교 가부시키가이샤 Liquid solder resist composition and printed wiring board
US10254647B2 (en) 2016-03-16 2019-04-09 Goo Chemical Co., Ltd. Liquid solder resist composition and printed wiring board
US10261414B2 (en) 2016-03-16 2019-04-16 Goo Chemical Co., Ltd. Liquid solder resist composition and printed wiring board
JP2018045154A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 互応化学工業株式会社 Photosensitive resin composition and printed wiring board
JP7072819B2 (en) 2016-09-15 2022-05-23 互応化学工業株式会社 Photosensitive resin composition and printed wiring board
JP2019066510A (en) * 2017-09-28 2019-04-25 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive element, method for forming resist pattern, solder resist, interlayer insulation film, method for forming interlayer insulation film, method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board using the same

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