JP2007273847A - Design method of semiconductor integrated circuit device, and design equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路装置の設計方法及び設計装置に関するものである。
近年、半導体集積回路装置は、(LSI)は大規模化・高集積化が進められ、多くの配線層を利用して素子が接続されている。そして、半導体集積回路装置の作成後、仕様の変更等により、回路を修正する必要が生じる場合がある。この回路修正は、半導体集積回路装置の作成に用いられるマスクを改版することにより行なわれることが多い。そして、少ないマスク層の改版により回路修正を行なうことが求められている。
The present invention relates to a design method and design apparatus for a semiconductor integrated circuit device.
In recent years, semiconductor integrated circuit devices (LSIs) have been increased in scale and integration, and elements are connected using many wiring layers. After the semiconductor integrated circuit device is created, it may be necessary to modify the circuit due to a change in specifications or the like. This circuit correction is often performed by revising a mask used for producing a semiconductor integrated circuit device. And it is required to modify the circuit by revising a few mask layers.
従来、半導体集積回路装置の回路修正をマスクの改版により行なう方法として、迂回配線(ダミー配線)を所定の配線層に予め挿入し、該迂回配線を利用することで、少ないマスク層の改版にて回路修正を行なう方法が開示されている(例えば、特許文献1,特許文献2参照)。
ところが、上記の従来方法では、迂回配線の配置位置、長さを最適化する手段が開示されていないため、必ずしも配線修正に適した配線があるとは限らず、改版するマスクの数が増加する虞があった。 However, in the above-described conventional method, a means for optimizing the arrangement position and length of the bypass wiring is not disclosed. Therefore, there is not necessarily a wiring suitable for wiring correction, and the number of masks to be revised increases. There was a fear.
迂回配線の利用率を高めるために、空き領域に可能な限り迂回配線を挿入することが考えられる。しかしながら、利用した迂回配線において不要な配線部分が配線に付加されるため、その回路に対して大きな配線容量が付加されることになり、遅延が増大するため、迂回配線を利用することが難しいという問題があった。 In order to increase the utilization rate of the bypass wiring, it is conceivable to insert the bypass wiring as much as possible in the empty area. However, since unnecessary wiring portions are added to the wiring in the used bypass wiring, a large wiring capacity is added to the circuit, and the delay increases, so that it is difficult to use the bypass wiring. There was a problem.
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、利用可能性が高いブリッジ配線を作成することができる半導体集積回路装置の設計方法及び設計装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a design method and design apparatus for a semiconductor integrated circuit device capable of creating a bridge wiring with high availability. is there.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明によれば、前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線が空き領域間に作成される。従って、必要とされる空き領域間にブリッジ配線が作成されるため利用度が高く、空き領域の全てにブリッジ配線を作成する場合に比べて作成されるブリッジ配線の配線長が短いため余分な配線容量が付加することがない。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a vacant area where a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and a corresponding vacant area is selected. A number of bridge wires are created between the empty areas. Therefore, since the bridge wiring is created between the required empty areas, the utilization is high, and the length of the bridge wiring created is shorter than when creating the bridge wiring in all of the empty areas, so the extra wiring No capacity is added.
請求項2に記載の発明によれば、前記空き領域に接するネット数が抽出され、該ネット数に応じた本数の前記ブリッジ配線が作成される。従って、必要な本数のブリッジ配線を作成することができる。 According to the second aspect of the present invention, the number of nets in contact with the empty area is extracted, and the number of the bridge wirings corresponding to the number of nets is created. Therefore, the necessary number of bridge wires can be created.
請求項3に記載の発明によれば、前記ブリッジ配線は、前記第1の配線層に作成された配線と、該配線と前記第2の配線層の配線を接続するためのコンタクトと、から構成される。従って、第2の配線層に配線を形成する、つまり第2の配線層のみを改版することで、論理接続を変更した半導体集積回路装置を作成することができる。 According to a third aspect of the present invention, the bridge wiring includes a wiring created in the first wiring layer, and a contact for connecting the wiring and the wiring of the second wiring layer. Is done. Therefore, by forming a wiring in the second wiring layer, that is, by revising only the second wiring layer, a semiconductor integrated circuit device with a changed logical connection can be created.
請求項4に記載の発明によれば、前記空き領域の枠に隣接する配線グリッドを起点とし、各起点について他の空き領域との間の接続経路をそれぞれ探索する工程と、前記接続経路により接続される接続点の座標と配線長とを前記起点に対応づけてそれぞれ記憶する工程と、前記接続点の座標と配線長とを読み出し、所定の優先順位に従って前記接続点間のブリッジ配線を作成する工程と、が備えられる。 According to a fourth aspect of the present invention, a process of searching for a connection path between each starting point and another empty area, starting from a wiring grid adjacent to the frame of the empty area, and connected by the connection path Storing the coordinates and wiring lengths of the connection points to be associated with the starting points, reading the coordinates and wiring lengths of the connection points, and creating a bridge wiring between the connection points according to a predetermined priority order A process.
請求項5に記載の発明によれば、前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線が空き領域間に作成される。従って、必要とされる空き領域間にブリッジ配線が作成されるため利用度が高く、空き領域の全てにブリッジ配線を作成する場合に比べて作成されるブリッジ配線の配線長が短いため余分な配線容量が付加することがない。 According to the fifth aspect of the present invention, a vacant area where a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and the number of bridge wirings corresponding to each vacant area is a vacant area. Created in between. Therefore, since the bridge wiring is created between the required empty areas, the utilization is high, and the length of the bridge wiring created is shorter than when creating the bridge wiring in all of the empty areas, so the extra wiring No capacity is added.
本発明によれば、利用可能性が高いブリッジ配線を作成することが可能な半導体集積回路装置の設計方法及び設計装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the design method and design apparatus of a semiconductor integrated circuit device which can create bridge wiring with high availability can be provided.
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1は、半導体集積回路装置の配線処理,配線修正処理を実施するためのコンピュータシステムの概略構成図である。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a computer system for performing wiring processing and wiring correction processing of a semiconductor integrated circuit device.
このコンピュータ11は、一般的なCAD(Computer Aided Design )装置からなり、中央処理装置(以下、CPUという)12、メモリ13、磁気ディスク14、表示装置15、入力装置16、及び外部記憶装置17により構成され、それらはバス18を介して相互に接続されている。
The computer 11 includes a general CAD (Computer Aided Design) device, and includes a central processing unit (hereinafter referred to as a CPU) 12, a
CPU12は、メモリ13を利用してプログラムを実行し、半導体集積回路装置の配線処理,配線修正処理を実行する。メモリ13には、各種処理を実現するために必要なプログラムとデータが格納され、このメモリ13としては、通常、キャッシュ・メモリ,システム・メモリ,及びディスプレイ・メモリ等(図示略)を含む。
The
表示装置15は、レイアウト表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられ、これには通常、CRT,LCD,PDP等(図示略)が用いられる。入力装置16は、ユーザからの要求や指示、パラメータの入力に用いられ、これにはキーボード及びマウス装置等(図示略)が用いられる。
The
磁気ディスク14は、通常、磁気ディスク装置,光ディスク装置,光磁気ディスク装置等(図示略)を含む。この磁気ディスク14には、半導体集積回路装置の配線処理,配線修正処理のためのプログラムデータ、ネットリストやレイアウトデータ等の各種データが格納されている。CPU12は、入力装置16等による指示に応答して前記プログラム,データをメモリ13へ転送し、それを逐次実行する。
The
CPU12が実行するプログラムデータは、記録媒体19にて提供される。外部記憶装置17は、使用される記録媒体19に対応するものであり、記録媒体19を駆動し、その記憶内容にアクセスする。CPU12は、外部記憶装置17を介して記録媒体19からプログラムデータを読み出し、それを磁気ディスク14にインストールする。
Program data executed by the
記録媒体19はコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、例えば、CDROM,DVD等の光ディスク19a、磁気テープ(MT),フレキシブルディスク,光磁気ディスク(MO,MD,…)等の磁気媒体19bが用いられる。尚、半導体メモリや外部接続されるハードディスク装置等が用いられても良い。この記録媒体19に、上述のプログラムデータを格納しておき、必要に応じて、メモリ13にロードして使用することもできる。
The
尚、記録媒体19には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラムデータを記録した媒体、ディスク装置、通信媒体を介してコンピュータ11が接続されるサーバ装置の記憶装置、等を含む。更に、コンピュータによって直接実行可能なプログラムを記録した記録媒体だけでなく、いったん他の記録媒体(ハードディスク等)にインストールすることによって実行可能となるようなプログラムを記録した記録媒体や、暗号化されたり、圧縮されたりしたプログラムを記録した記録媒体も含む。
The
次に、半導体集積回路装置の配線処理,配線修正処理を説明する。
図2(a)は、半導体集積回路装置の初版レイアウトデータを作成する処理の一部フローチャートである。
Next, wiring processing and wiring correction processing of the semiconductor integrated circuit device will be described.
FIG. 2A is a partial flowchart of a process for creating the first layout data of the semiconductor integrated circuit device.
ステップ21において、図1のCPU12は、メモリ13又は磁気ディスク14に記憶されたネットリストとライブラリデータに基づいて、半導体集積回路装置を構成するセルなどを配置し、セル間等を配線にて接続し、作成したレイアウトデータをメモリ13又は磁気ディスク14に記憶する。
In
ステップ22において、CPU12は、半導体集積回路装置のレイアウトデータに対して、第1の配線層として所定の配線層に対してブリッジ配線を挿入し、挿入後のレイアウトデータを記憶する。半導体集積回路装置は多層配線構造であり、製造プロセスでは、アルミニウムや銅等の金属配線を形成するためのマスク、拡散層を形成するためのマスク、配線層間の絶縁層に開孔されたスルーホール(ビアとも呼ばれる)を介して配線層間等を接続するためのコンタクトを形成するためのマスク(スルーホールを形成するためのマスク)、等が使用される。ブリッジ配線は、所定の金属配線層に作成された未接続の配線、当該配線の配線層と他の配線層を接続するためのコンタクト、を含む。
In
CPU12は、第2の配線層として所定の改版対象層に対応する配線層にブリッジ配線を作成する。詳述すると、CPU12は、先ず、改版対象層において、配線が存在しない配線トラックを空き領域として抽出する。この時、空き領域に接するネット数と空き領域の面積がそれぞれ所定値を越える場合、その空き領域を複数の領域に分割し、分割数に応じた数のブリッジ配線を領域間に挿入する。そして、CPU12は、空き領域間の配線必要本数を、その空き領域に接するネットの種類数に基づいて決定する。
The
空き領域間の配線必要本数は、その領域に接する改版対象層の配線のネット全てを、他の空き領域を介して接続を変更したネットに接続するために必要な本数である。配線が存在しない配線トラック全てにブリッジ配線を作成した場合、その配線を利用したネットに対して、必要以上に配線容量が付加され、信号遅延時間、信号レベルが悪化する。また、メタルECOによる論理変更規模は、セルを実質的に追加・削除しない制限を考慮すると、回路全体の規模の0.01パーセント程度に限られる。このため、空き領域間にブリッジ配線を作成するとともに、ブリッジ配線の本数をその空き領域に隣接するネットの数とすることで十分に対応が可能である。 The necessary number of wirings between the empty areas is the number necessary to connect all the nets of the wiring of the revision target layer in contact with the areas to the nets whose connection is changed through the other empty areas. When bridge wiring is created for all wiring tracks in which no wiring exists, wiring capacity is added more than necessary to the net using the wiring, and signal delay time and signal level deteriorate. Further, the logic change scale by the metal ECO is limited to about 0.01% of the scale of the entire circuit in consideration of the restriction that the cells are not substantially added / deleted. For this reason, it is possible to cope with the problem by creating bridge wiring between the empty areas and setting the number of bridge wirings to the number of nets adjacent to the empty area.
次に、CPU12は、ブリッジ配線を挿入する配線層に存在する配線の座標値を、障害物データとして抽出する。
次に、CPU12は、空き領域の枠に隣接している配線グリッドを起点とし、他の空き領域との間の接続経路を探索する。この時、CPU12は、抽出した障害物データを用いて、最短な接続経路を探索する。そして、CPU12は、接続経路の配線により接続される配線トラックを接続点とし、最短な接続経路から配線長を決定し、テーブルに起点)に、接続点の座標値と配線長とを関連付けて格納する。テーブルは、例えばメモリ13に記憶されている。
Next, the
Next, the
空き領域の枠に隣接している全ての配線グリッドについて接続点の座標値及び配線長をテーブルに格納すると、CPU12は、テーブル内のデータを、配線長をキーとして配線長の昇順にてソーティングする。
When the coordinate values of the connection points and the wiring lengths are stored in the table for all wiring grids adjacent to the frame of the vacant area, the
上記テーブルを全ての空き領域について作成すると、CPU12は、所定の優先順位に従ってブリッジ配線を作成する。
優先順位は、以下の通りである。
1:空き領域間の接続点で、距離が最も短い箇所を接続点とする配線。
2:改版対象層の配線方向と直交する方向(Y軸)において、座標値が最大値・最小値となる箇所を接続点とする配線。
3:改版対象層の配線方向と平行な方向(X軸)において、座標値が最大値・最小値となる箇所を接続点とする配線。
4:配線長が短く、周囲に所定グリッド以上の配線トラックが存在する接続点に接続される配線。
When the above table is created for all free areas, the
The priority order is as follows.
1: Wiring with the connection point between the empty areas having the shortest distance as the connection point.
2: Wiring with a connection point at a point where the coordinate value is the maximum value / minimum value in a direction (Y axis) orthogonal to the wiring direction of the revision target layer.
3: Wiring with a connection point at a point where the coordinate value is the maximum value / minimum value in the direction parallel to the wiring direction of the revision target layer (X axis).
4: Wiring connected to a connection point having a short wiring length and wiring tracks of a predetermined grid or more around the wiring length.
ステップ23において、CPU12は、ステップ22において作成されたレイアウトデータに対して物理検証を実施する。物理検証において、CPU12は、配線幅、配線間隔、等の幾何的な設計ルールに従ってレイアウトデータの配線等が形成されているか否かをチェックする。
In
図2(b)は、半導体集積回路装置のレイアウトデータを改版する修正処理のフローチャートである。
ステップ31において、図1のCPU12は、金属配線層の改版のみで論理変更が可能か否かを検討する。この検討の条件として、論理変更時に不要となるセルの実質的な削除を行わないこと、ECセルの追加・変更・削除、それらを接続する配線を形成するメタル層の変更、がある。ECセルは、回路変更などを見越して予め半導体集積回路装置に作られた予備のセル(冗長なセル)である。回路変更に応じて、冗長セルをネット中に追加する、使用していた論理セルと異なる論理の冗長セルを使用する(変更)、ネットの論理セルを使用しないように配線を形成する(削除)、ことが可能である。CPU12は、金属配線層の改版のみによる論理変更が可能な場合に次のステップに移行し、論理変更が不可能な場合に本処理を終了する。
FIG. 2B is a flowchart of correction processing for revising the layout data of the semiconductor integrated circuit device.
In
ステップ32において、CPU12は、論理変更を実施する。この時、メタルECO(Engineering Change Order:ネットリストの変更に、金属配線のみの変更により対応すること)のためのネットリストを変更する。
In
ステップ33において、CPU12は、ステップ32にて作成したネットリストに基づいて、予め作成されたブリッジ配線を利用し、改版対象層においてメタルECOを実施する。改版対象層は、修正の内容に応じて設定される。この改版対象層が少なければ、回路修正した半導体集積回路装置を製造するために作成されるマスクの数が少なくなり、そのマスク作成に要する時間、コスト、等を削減することができる。
In
改版対象層は、予め作成されたブリッジ配線に応じて設定される。CPU12は、セルの追加・削除を行わない、つまり単なる結線のみ変更する場合、ブリッジ配線のコンタクトに接続可能な配線を形成する配線層を改版対象層に設定する。また、CPU12は、回路変更にECセルの追加・変更・削除が伴う場合、そのECセルを利用することにより修正が必要な配線層、及びそのECセルをブリッジ配線と接続するために修正が必要な配線層を改版対象層に設定する。
The revision target layer is set according to a bridge wiring created in advance. When the
例えば、ブリッジ配線がLC層(金属配線層であり、半導体基板から上方に向かって3つめの層)とそのLC層の配線と、その配線に接続されたコンタクトとから構成される場合、そのコンタクトによりLC層の配線と接続される配線層(例えばLB層)を改版対象層とする。ECセルを使用するために変更が必要な配線層NA,LA,NBと、ECセルをブリッジ配線と接続するために修正が必要な配線層LBとを、改版対象層とする。尚、配線層LAは複数の金属配線のうちの最下層であり、配線層NAは、配線層LAの配線と拡散層を接続するコンタクトを形成するための層であり、配線層NBは配線層LBの配線と配線層LAの配線とを接続するコンタクトを形成するための層である。 For example, when the bridge wiring is composed of an LC layer (a metal wiring layer, a third layer upward from the semiconductor substrate), a wiring of the LC layer, and a contact connected to the wiring, the contact The wiring layer (for example, LB layer) connected to the wiring of the LC layer is set as the revision target layer. The wiring layers NA, LA, and NB that need to be changed in order to use the EC cell and the wiring layer LB that needs to be corrected in order to connect the EC cell to the bridge wiring are defined as revision target layers. The wiring layer LA is the lowest layer among the plurality of metal wirings, the wiring layer NA is a layer for forming a contact for connecting the wiring of the wiring layer LA and the diffusion layer, and the wiring layer NB is a wiring layer. This is a layer for forming a contact for connecting the wiring of the LB and the wiring of the wiring layer LA.
CPU12は、ステップ32にて作成したネットリストに従って、設定した改版対象層について、配線やコンタクトなどの配線要素の追加・変更・削除をレイアウトデータに対して行い、改版後のレイアウトデータを記憶する。
The
次に、ステップ34において、CPU12は、ブリッジ配線を利用し、タイミングECOを実施する。論理セルの追加・変更・削除により、ゲート遅延や配線遅延の増加・減少等により、動作タイミングが変化する。このため、タイミングの調整が必要なネットに対して、ブリッジ配線を利用してタイミング調整のための回路修正を行い、その修正後のレイアウトデータを記憶する。
Next, in
ステップ35において、CPU12は、回路修正されたレイアウトデータに対して、半導体集積回路装置のタイミング検証、物理検証を実施する。この検証においてエラーがない場合、CPU12は、修正処理を終了する。検証においてエラーが発生する場合、ステップ31に移行し、修正処理を実行する。尚、発生するエラーに応じて、移行するステップを適宜変更してもよい。
In
次に、レイアウトの説明図を用いてステップ22のブリッジ配線の挿入処理を説明する。
図3は、配置・配線処理終了後、つまり図2(a)のステップ21において作成されたレイアウトデータ41の一部拡大図である。尚、図3には、素子、ブリッジ配線を挿入する配線層(LC層)と改版対象層(LB層)の配線、及び素子と配線又は配線間を接続するコンタクトを示している。更に、図3において、図面縦方向がLB層の配線方向であり、図面横方向がLC層の配線方向である。
Next, the bridge wiring insertion process in
FIG. 3 is a partially enlarged view of the
先ず、CPU12は、図4に示すように、LB層の配線に着目し、配線が存在していない配線トラックを空き領域として抽出する。尚、図4には、空き領域の配線トラックに黒丸を表示して領域を示している。そして、CPU12は、空き領域に接する配線のネットを抽出し、そのネットの種類に基づいて各空き領域間の配線必要本数を決定する。例えば、空き領域42には配線L1〜L8が接し、図3を参照すると、配線L1と配線L2は同じネットであり、配線L6と配線L8は同じネットである。従って、空き領域42に接するネットの種類は6種類となる。次に、CPU12は、図5に示すように、ブリッジ配線を挿入するLC層に存在する配線の座標値を、障害物データとして抽出する。
First, as shown in FIG. 4, the
次に、CPU12は、空き領域42の枠に隣接している配線グリッドに着目する。本実施形態において、配線トラックは、テクノロジなどによって設定される間隔でマトリックス状に設定された配線グリッドと、その間隔の1/2の間隔で設定されたサブグリッドに設定されている。図6(a)には、現在着目としている空き領域の配線トラックを丸で囲んで示すとともに、着目する配線グリッドに十字をつけて示している。
Next, the
そして、CPU12は、ブリッジ配線を配置するLC層において、着目した配線グリッドの配線トラックと他の空き領域との間の接続経路を探索する。この時、先に抽出した障害物データに基づいて、LC層に存在する配線を避けて経路探索を行う。図6(b)には、探索結果の接続経路R1〜R6を実線で示す。
Then, the
CPU12は、上記の処理を他の空き領域についても実施する。その実施結果を図7に示す。尚、配線グリッドの数が配線必要本数より少ない場合、CPU12は、サブグリッドも利用して配線必要本数の接続経路を探索する。各空き領域間の接続経路がブリッジ配線の接続候補である。
The
CPU12は、接続経路に対し、所定の優先順位に基づいて、図8に示すように、ブリッジ配線BDを作成す、このブリッジ配線を含むレイアウトデータ43を記憶する。ブリッジ配線BDは、LC層に作成された配線BLと、その配線の端点に作成されたコンタクトBCからなる。図8には、作成したブリッジ配線にハッチングを付して示し、コンタクトを配線より小さな四角形にて示している。
As shown in FIG. 8, the
上記のようにブリッジ配線が作成された半導体集積回路装置に対して、図9に示すように、セルC1の端子T1とセルC2の端子T2とを接続するメタルECOを行う。この時、CPU12は、ブリッジ配線を利用し、図9に実線で示す経路R11に従って、ブリッジ配線を接続するように改版対象層であるLB層に配線を作成する。
As shown in FIG. 9, metal ECO for connecting the terminal T1 of the cell C1 and the terminal T2 of the cell C2 is performed on the semiconductor integrated circuit device in which the bridge wiring is created as described above. At this time, the
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)改版対象層であるLB層において配線が作成されていない空き領域を抽出し、空き領域間を接続するブリッジ配線BDを作成するようにした。改版対象層であるLB層において、配線が作成されていない空き領域に論理変更のための配線が作成される。従って、必要とされる空き領域間にブリッジ配線を作成することで、ブリッジ配線の利用度が高い、つまり利用可能性が高いブリッジ配線を作成することができる。更に、空き領域間を接続するブリッジ配線BDは、配線長が短いため、余分な配線容量が付加することがない。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) An empty area in which no wiring is created in the LB layer that is the revision target layer is extracted, and a bridge wiring BD that connects the empty areas is created. In the LB layer that is the revision target layer, a wiring for logical change is created in an empty area where no wiring is created. Therefore, by creating a bridge wiring between the required empty areas, it is possible to create a bridge wiring with high utilization of the bridge wiring, that is, high availability. Furthermore, the bridge wiring BD connecting the empty areas has a short wiring length, so that no extra wiring capacity is added.
(2)空き領域に接するネット数を抽出し、該ネット数に応じた本数のブリッジ配線BDを作成するようにした。改版対象層であるLB層の空き領域に形成される配線は、その空き領域に隣接する配線に接続されることが多い。従って、ネット数に対応した本数のブリッジ配線BDを作成することで、必要な本数のブリッジ配線を作成することができる。 (2) The number of nets in contact with the free area is extracted, and the number of bridge wirings BD corresponding to the number of nets is created. In many cases, the wiring formed in the empty area of the LB layer that is the revision target layer is connected to the wiring adjacent to the empty area. Therefore, by creating the number of bridge wirings BD corresponding to the number of nets, the necessary number of bridge wirings can be created.
(3)ブリッジ配線BDは、LC層に作成された配線BLと、該配線BLとLB層の配線を接続するためのコンタクトBCと、から構成される。従って、LB層に配線を形成する、つまりLB層のみを改版することで、論理接続を変更した半導体集積回路装置を作成することができる。 (3) The bridge wiring BD includes a wiring BL created in the LC layer and a contact BC for connecting the wiring BL and the wiring in the LB layer. Therefore, a semiconductor integrated circuit device with a changed logical connection can be created by forming wiring in the LB layer, that is, by revising only the LB layer.
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態では、LB層を改版対象層、LC層をブリッジ配線を作成する配線層としたが、それぞれの配線層を適宜変更しても良い。
In addition, you may implement the said embodiment in the following aspects.
In the above embodiment, the LB layer is a revision target layer and the LC layer is a wiring layer for creating a bridge wiring, but each wiring layer may be appropriately changed.
・上記実施形態では、半導体集積回路装置の配線処理と修正処理とを同じコンピュータ11にて行うよう説明したが、異なるコンピュータにてそれぞれの処理を行うようにしてもよい。 In the above embodiment, the wiring process and the correction process of the semiconductor integrated circuit device have been described as being performed by the same computer 11, but each process may be performed by different computers.
上記各実施の形態から把握できる技術的思想を以下に記載する。
(付記1)
レイアウトデータの所定の第1の配線層にブリッジ配線を作成する半導体集積回路装置の設計方法であって、
前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線を空き領域間に作成したことを特徴とする半導体集積回路装置の設計方法。
(付記2)
前記空き領域に接するネット数を抽出し、該ネット数に応じた本数の前記ブリッジ配線を作成した、ことを特徴とする付記1記載の半導体集積回路装置の設計方法。
(付記3)
前記ブリッジ配線は、前記第1の配線層に作成された配線と、該配線と前記第2の配線層の配線を接続するためのコンタクトと、から構成されたことを特徴とする付記1又は2記載の半導体集積回路装置の設計方法。
(付記4)
前記空き領域の枠に隣接する配線グリッドを起点とし、各起点について他の空き領域との間の接続経路をそれぞれ探索する工程と、
前記接続経路により接続される接続点の座標と配線長とを前記起点に対応づけてそれぞれ記憶する工程と、
前記接続点の座標と配線長とを読み出し、所定の優先順位に従って前記接続点間のブリッジ配線を作成する工程と、
を備えたことを特徴とする付記1〜3のうちの何れか一に記載の半導体集積回路装置の設計方法。
(付記5)
レイアウトデータの所定の第1の配線層にブリッジ配線を作成する半導体集積回路装置の設計装置であって、
前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線を空き領域間に作成したことを特徴とする半導体集積回路装置の設計装置。
(付記6)
前記空き領域に接するネット数を抽出し、該ネット数に応じた本数の前記ブリッジ配線を作成した、ことを特徴とする付記5記載の半導体集積回路装置の設計装置。
(付記7)
前記ブリッジ配線は、前記第1の配線層に作成された配線と、該配線と前記第2の配線層の配線を接続するためのコンタクトと、から構成されたことを特徴とする付記5又は6記載の半導体集積回路装置の設計装置。
(付記8)
前記空き領域の枠に隣接する配線グリッドを起点とし、各起点について他の空き領域との間の接続経路をそれぞれ探索する工程と、
前記接続経路により接続される接続点の座標と配線長とを前記起点に対応づけてそれぞれ記憶する工程と、
前記接続点の座標と配線長とを読み出し、所定の優先順位に従って前記接続点間のブリッジ配線を作成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項5〜7のうちの何れか一に記載の半導体集積回路装置の設計装置。
The technical ideas that can be grasped from the above embodiments are described below.
(Appendix 1)
A design method of a semiconductor integrated circuit device for creating a bridge wiring in a predetermined first wiring layer of layout data,
A semiconductor integrated circuit characterized in that a free area in which a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and a number of bridge wirings corresponding to each free area are created between the free areas. Circuit device design method.
(Appendix 2)
2. The method of designing a semiconductor integrated circuit device according to
(Appendix 3)
The bridge line is composed of a line created in the first wiring layer and a contact for connecting the line and the line in the second wiring layer. 1 or 2 A method for designing a semiconductor integrated circuit device according to the description.
(Appendix 4)
Starting from a wiring grid adjacent to the frame of the empty area, and searching for a connection path between each empty area and another empty area;
Storing the coordinates of the connection points connected by the connection path and the wiring length in association with the starting points;
Reading the coordinates and wiring length of the connection point, and creating a bridge wiring between the connection points according to a predetermined priority,
The method for designing a semiconductor integrated circuit device according to any one of
(Appendix 5)
A design apparatus for a semiconductor integrated circuit device for creating a bridge wiring in a predetermined first wiring layer of layout data,
A semiconductor integrated circuit characterized in that a free area in which a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and a number of bridge wirings corresponding to each free area are created between the free areas. Circuit device design equipment.
(Appendix 6)
6. The semiconductor integrated circuit device design apparatus according to appendix 5, wherein the number of nets in contact with the empty area is extracted, and the number of the bridge wirings corresponding to the number of nets is created.
(Appendix 7)
The bridge wiring is composed of a wiring created in the first wiring layer and a contact for connecting the wiring and the wiring of the second wiring layer. The design apparatus of the semiconductor integrated circuit device of description.
(Appendix 8)
Starting from a wiring grid adjacent to the frame of the empty area, and searching for a connection path between each empty area and another empty area;
Storing the coordinates of the connection points connected by the connection path and the wiring length in association with the starting points;
Reading the coordinates and wiring length of the connection point, and creating a bridge wiring between the connection points according to a predetermined priority,
The design apparatus for a semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 5 to 7, further comprising:
BD ブリッジ配線
BL 配線
BC コンタクト
BD Bridge wiring BL wiring BC contact
Claims (5)
前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線を空き領域間に作成したことを特徴とする半導体集積回路装置の設計方法。 A design method of a semiconductor integrated circuit device for creating a bridge wiring in a predetermined first wiring layer of layout data,
A semiconductor integrated circuit characterized in that a free area in which a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and a number of bridge wirings corresponding to each free area are created between the free areas. Circuit device design method.
前記接続経路により接続される接続点の座標と配線長とを前記起点に対応づけてそれぞれ記憶する工程と、
前記接続点の座標と配線長とを読み出し、所定の優先順位に従って前記接続点間のブリッジ配線を作成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項1〜3のうちの何れか一項に記載の半導体集積回路装置の設計方法。 Starting from a wiring grid adjacent to the frame of the empty area, and searching for a connection path between each empty area and another empty area;
Storing the coordinates of the connection points connected by the connection path and the wiring length in association with the starting points;
Reading the coordinates and wiring length of the connection point, and creating a bridge wiring between the connection points according to a predetermined priority,
The method for designing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising:
前記第1の配線層と異なる第2の配線層の配線が作成されていない空き領域を抽出し、各空き領域に応じた本数のブリッジ配線を空き領域間に作成したことを特徴とする半導体集積回路装置の設計装置。 A design apparatus for a semiconductor integrated circuit device for creating a bridge wiring in a predetermined first wiring layer of layout data,
A semiconductor integrated circuit characterized in that a free area in which a wiring of a second wiring layer different from the first wiring layer is not created is extracted, and a number of bridge wirings corresponding to each free area are created between the free areas. Circuit device design equipment.
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JP2012243791A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Layout design method and layout design program |
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JPH05243535A (en) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor integrated circuit and its design method |
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