JP2007256728A - Display device and electronic equipment - Google Patents

Display device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2007256728A
JP2007256728A JP2006082248A JP2006082248A JP2007256728A JP 2007256728 A JP2007256728 A JP 2007256728A JP 2006082248 A JP2006082248 A JP 2006082248A JP 2006082248 A JP2006082248 A JP 2006082248A JP 2007256728 A JP2007256728 A JP 2007256728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
display device
tft
line
time constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006082248A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
成也 ▲高▼橋
Shigeya Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006082248A priority Critical patent/JP2007256728A/en
Publication of JP2007256728A publication Critical patent/JP2007256728A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device which is capable of reducing blurs of a moving image, without applying not so high driving voltage to pixel circuits. <P>SOLUTION: Each of a plurality of pixel circuits includes a first transistor (TFT 402), a capacitive element 410 for storing and holding charges that correspond to image data through the first transistor; a second transistor (TFT 401) which has the amount of conduction controlled by charges stored in the capacitive element; and a light-emitting element 420, to which a current corresponding to the amount of conduction of the second transistor is supplied from a power line L. A third transistor (TFT 405), connected in parallel with the capacity element, is provided in each pixel circuit to constitute a time-constant circuit having a time constant CR, which comprises a capacitance value C of the capacitive element and an off-resistance value R of the third transistor. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置に関し、特に動画ボケを解消して高画質の動画表示を可能とした表
示装置に関する。
The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device that can display moving image with high image quality by eliminating moving image blur.

液晶表示装置に代わる表示装置として、有機EL素子(以下、OLED素子と称する。
)を備えた装置が注目されている。OLED(Organic Light Emitting Diode)素子は、
電気的にはダイオードのように動作し、光学的には、順バイアス時に発光して順バイアス
電流の増加にともなって発光輝度が増加する。
As a display device that replaces a liquid crystal display device, an organic EL element (hereinafter referred to as an OLED element).
) Is attracting attention. OLED (Organic Light Emitting Diode) element
Electrically operates like a diode, and optically, light is emitted at the time of forward bias, and light emission luminance increases as the forward bias current increases.

OLED素子をマトリクス状に配列したアクティブマトリクス駆動方式の表示装置は、
複数の走査線と、複数のデータ線を備え、走査線とデータ線の交差部に対応して画素回路
が設けられている。すなわち、マトリクス状に配設した画素回路で表示部である画素領域
を形成している。ここで、画素回路は、データ線から供給される電流の値を記憶し、記憶
した電流値に対応する駆動電流をOLED素子に供給する機能を有する。
An active matrix driving type display device in which OLED elements are arranged in a matrix form,
A plurality of scanning lines and a plurality of data lines are provided, and pixel circuits are provided corresponding to the intersections of the scanning lines and the data lines. That is, a pixel region which is a display portion is formed by pixel circuits arranged in a matrix. Here, the pixel circuit has a function of storing a value of a current supplied from the data line and supplying a driving current corresponding to the stored current value to the OLED element.

アクティブマトリクス駆動方式の画素回路について説明する。図16はアクティブマト
リクス方式の画素回路の模式図である。図16に示すように、画素回路600は、2個の
TFT(Thin Film Transister)601、602と、容量素子610と、OLED素子6
20とを備えており、図示しない電源線から電源電圧Vddが供給されるようになっている
An active matrix pixel circuit will be described. FIG. 16 is a schematic diagram of an active matrix pixel circuit. As shown in FIG. 16, the pixel circuit 600 includes two TFTs (Thin Film Transistors) 601 and 602, a capacitor element 610, and an OLED element 6.
20, and a power supply voltage Vdd is supplied from a power supply line (not shown).

駆動トランジスタであるTFT601はpチャネル型、スイッチングトランジスタであ
るTFT602はnチャネル型である。TFT601のソース電極は図示しない電源線に
接続される一方、そのドレイン電極はOLED素子620の陽極に接続される。
A TFT 601 that is a driving transistor is a p-channel type, and a TFT 602 that is a switching transistor is an n-channel type. The source electrode of the TFT 601 is connected to a power supply line (not shown), while the drain electrode is connected to the anode of the OLED element 620.

容量素子610の一端は、図示しない電源線に接続されているが、他端は、TFT60
1のゲート電極及びTFT602のドレイン電極に接続される。TFT602のゲート電
極は図示しない走査線に接続されると共に、TFT602のソース電極は図示しないデー
タ線に接続される。なお、OLED素子620の陰極は、すべての画素回路に対して共通
の電極であり、GND電位となっている。
One end of the capacitive element 610 is connected to a power line (not shown), but the other end is connected to the TFT 60.
1 gate electrode and the drain electrode of the TFT 602. The gate electrode of the TFT 602 is connected to a scanning line (not shown), and the source electrode of the TFT 602 is connected to a data line (not shown). Note that the cathode of the OLED element 620 is a common electrode for all the pixel circuits and has a GND potential.

このような構成において、走査信号YiがHレベルになるとnチャネルのTFT602が
オン状態となるので、データ線とTFT601のゲート電極及び容量素子610の一端と
が接続される。すると、TFT601のゲート電極の電圧に応じた電荷が容量素子610
に蓄積されると共に、TFT601のソース・ドレイン間及びOLED素子620には、
そのゲート電極の電圧に応じた注入電流Ioledが流れることになる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes the H level, the n-channel TFT 602 is turned on, so that the data line is connected to the gate electrode of the TFT 601 and one end of the capacitor 610. Then, electric charge corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 601 is transferred to the capacitor 610.
And between the source and drain of the TFT 601 and the OLED element 620,
An injection current Ioled corresponding to the voltage of the gate electrode flows.

走査線YiがLレベルになるとTFT602がオフ状態となる。このとき、TFT601
のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、容量素子610の蓄積状態
は維持される。すなわち、TFT601のゲート電極の電圧は、走査線YiがHレベルであ
ったときの電圧のまま保持される。したがって、TFT601のソース・ドレイン間及び
OLED素子620には、そのゲート電極の電圧に応じた注入電流Ioledが流れつづける
ことになる。そして、これらの動作がフレームごとに行なわれることになる。すなわち、
このホールド駆動を行なう画素回路600では、フレームごとに一定の電流IoledがOL
ED素子620に流れつづけることになるので、図17に示すように、1フレームの間、
OLED素子620が一定の輝度で発光しつづけることになる。
When the scanning line Yi becomes L level, the TFT 602 is turned off. At this time, TFT 601
Since the input impedance at the gate electrode is extremely high, the accumulation state of the capacitor 610 is maintained. That is, the voltage of the gate electrode of the TFT 601 is maintained as the voltage when the scanning line Yi is at the H level. Therefore, the injection current Ioled corresponding to the voltage of the gate electrode continues to flow between the source and drain of the TFT 601 and the OLED element 620. These operations are performed for each frame. That is,
In the pixel circuit 600 that performs the hold driving, a constant current Ioled is OL for each frame.
Since the flow continues to the ED element 620, as shown in FIG.
The OLED element 620 continues to emit light with a constant luminance.

しかしながら、上述したように一定の輝度で発光する方式をホールド駆動というが、こ
の方式を行なう画素回路では、画素が常に発光しているので、動画を表示する際にその動
画の輪郭が不鮮明に表示される、いわゆる動画ボケが発生するという問題があった。
However, as described above, a method of emitting light at a constant luminance is called hold driving. In a pixel circuit that performs this method, pixels always emit light, so that when displaying a moving image, the outline of the moving image is displayed unclearly. There was a problem that so-called motion blur occurred.

それに対して、従来のCRTのように一瞬だけ高輝度を出す点灯方式をインパルス駆動と
いうが、この方式では動画ボケが発生しない。このインパルス駆動に近い発光を行なう画
素回路を用いると、以下に説明するように、スイッチング素子により発光期間を制御する
ことができるので、フレームとフレームとの間に黒を挿入し、動画ボケを低減させること
ができる。
On the other hand, a lighting method that produces high brightness for a moment like a conventional CRT is called impulse driving, but this method does not cause moving image blur. When using a pixel circuit that emits light close to impulse driving, the light emission period can be controlled by a switching element, as described below, so black is inserted between frames to reduce motion blur. Can be made.

図18はインパルス駆動的な動作を行なう画素回路の模式図である。図18に示すよう
に、この画素回路700は、3個のTFT701〜703と、容量素子710と、OLE
D素子720とを備えており、図示しない電源線から電源電圧Vddが供給されるようにな
っている。
FIG. 18 is a schematic diagram of a pixel circuit that performs an impulse-driven operation. As shown in FIG. 18, the pixel circuit 700 includes three TFTs 701 to 703, a capacitor element 710, and an OLE.
D power source voltage Vdd is supplied from a power source line (not shown).

駆動トランジスタであるTFT701はpチャネル型、スイッチングトランジスタであ
るTFT702、703はnチャネル型である。TFT701のソース電極は図示しない
電源線に接続される一方、そのドレイン電極はTFT703のドレイン電極にそれぞれ接
続される。
The driving transistor TFT 701 is a p-channel type, and the switching transistors TFTs 702 and 703 are n-channel type. The source electrode of the TFT 701 is connected to a power supply line (not shown), while the drain electrode thereof is connected to the drain electrode of the TFT 703.

容量素子710の一端は、図示しない電源線に接続されるが、他端はTFT701のゲ
ート電極及びTFT702のドレイン電極に接続される。TFT702のゲート電極は図
示しない走査線に接続されると共に、TFT702のソース電極は図示しないデータ線に
接続される。一方、TFT703のゲート電極は図示しない発光制御線に接続され、その
ソース電極はOLED素子720の陽極に接続される。そして、TFT703のゲート電
極には、図示しない発光制御線を介して発光制御信号Vgiが供給される。なお、OLED
素子720の陰極は、すべての画素回路に対して共通の電極であり、GND電位となって
いる。
One end of the capacitor 710 is connected to a power supply line (not shown), and the other end is connected to the gate electrode of the TFT 701 and the drain electrode of the TFT 702. The gate electrode of the TFT 702 is connected to a scanning line (not shown), and the source electrode of the TFT 702 is connected to a data line (not shown). On the other hand, the gate electrode of the TFT 703 is connected to a light emission control line (not shown), and its source electrode is connected to the anode of the OLED element 720. A light emission control signal Vgi is supplied to the gate electrode of the TFT 703 via a light emission control line (not shown). OLED
The cathode of the element 720 is a common electrode for all the pixel circuits and has a GND potential.

このような構成において、走査信号YiがHレベルになると、nチャネル型TFT702
がオン状態となるので、データ線とTFT701のゲート電極及び容量素子710の一端
とが接続される。すると、TFT701のゲート電極の電圧に応じた電荷が容量素子71
0に蓄積される。
In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes H level, the n-channel TFT 702 is used.
Is turned on, the data line is connected to the gate electrode of the TFT 701 and one end of the capacitor 710. Then, the electric charge according to the voltage of the gate electrode of the TFT 701 is transferred to the capacitor 71.
Accumulated to 0.

走査信号YiがLレベルになると、TFT702はオフ状態となる。このとき、TFT7
01のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、容量素子710におけ
る電荷の蓄積状態は維持される。すなわち、TFT701のゲート電極の電圧は、走査線
YiがHレベルであったときの電圧のまま保持される。そして、発光制御信号VgiがHレベ
ルになると、TFT703がオン状態となるので、TFT703のソース・ドレイン間及
びOLED素子720にそのゲート電圧に応じた注入電流Ioledが流れ、OLED素子7
20が発光することになる。それからVgiがLレベルになると、TFT703がオフ状態
となるので、TFT703のソース・ドレイン間及びOLED素子720に電流Ioledが
流れなくなり、OLED素子720は発光しなくなる。したがって、このようにTFT7
03を制御することにより、OLED素子720を瞬間的に発光させることができる。そ
して、これらの動作がフレームごとに行なわれることになる。すなわち、この駆動を行な
う画素回路700は、図19に示すように、フレームの初期に、瞬間的に高い輝度でOL
ED素子720を発光させた後、OLED素子720の発光を停止して黒を挿入すること
により、動画ボケを低減させることができる。
When the scanning signal Yi becomes L level, the TFT 702 is turned off. At this time, TFT7
Since the input impedance at the 01 gate electrode is extremely high, the charge accumulation state in the capacitor 710 is maintained. That is, the voltage of the gate electrode of the TFT 701 is the scanning line.
The voltage when Yi is at the H level is held as it is. When the light emission control signal Vgi becomes H level, the TFT 703 is turned on. Therefore, an injection current Ioled corresponding to the gate voltage flows between the source and drain of the TFT 703 and the OLED element 720, and the OLED element 7.
20 emits light. Then, when Vgi becomes L level, the TFT 703 is turned off, so that the current Ioled does not flow between the source and drain of the TFT 703 and the OLED element 720, and the OLED element 720 does not emit light. Therefore, in this way TFT7
By controlling 03, the OLED element 720 can emit light instantaneously. These operations are performed for each frame. That is, as shown in FIG. 19, the pixel circuit 700 that performs this driving is OL with instantaneously high luminance at the beginning of the frame.
After causing the ED element 720 to emit light, motion picture blur can be reduced by stopping the light emission of the OLED element 720 and inserting black.

なお、この種の技術を開示する公知文献として次の特許文献1を挙げることができる。   In addition, the following patent document 1 can be mentioned as a well-known document which discloses this kind of technique.

特開2001−60076号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-60076

しかしながら、動画ボケを低減させるためにインパルス駆動的な動作を行なう画素回路
は、従来の駆動を行なう画素回路と比較して発光期間が減少するため、輝度自体も低下し
てしまうので、輝度を維持するために発光輝度を上げていた。ちなみに、1フレーム内に
おける輝度×時間の積分値が人間に知覚される実際の輝度になる。したがって、瞬間的に
発光輝度を上げるために、より高い駆動電圧をOLED素子に印加する必要があり、画素
回路の回路的負荷が増大するという問題があった。
However, a pixel circuit that performs an impulse-driven operation in order to reduce moving image blurring has a reduced light emission period compared to a pixel circuit that performs conventional driving, and therefore the luminance itself is also reduced, so that the luminance is maintained. In order to do this, the luminance was increased. Incidentally, the integrated value of luminance × time within one frame is the actual luminance perceived by humans. Therefore, in order to instantaneously increase the light emission luminance, it is necessary to apply a higher drive voltage to the OLED element, which increases the circuit load of the pixel circuit.

本発明は、上述した事情に鑑み、画素回路に従来の動画ボケ対策駆動に必要となる高い
駆動電圧を印加することなく、動画ボケを低減することができる表示装置を提供すること
を目的とする。
In view of the circumstances described above, an object of the present invention is to provide a display device capable of reducing moving image blur without applying a high driving voltage necessary for conventional moving image blur countermeasure driving to a pixel circuit. .

上記課題を解決する本発明の第1の態様は、複数の走査線と、各々に画像データが供給
される複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設
けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路の各々に電源電位を供給する電源線と、
を備え、前記複数の画素回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ
を通して画像データに対応する電荷を蓄積して保持する容量素子と、前記容量素子に蓄積
された電荷で導通量が制御される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタの導通
量に応じた電流が前記電源線から供給される発光素子と、を有し、前記容量素子に並列に
接続された第3のトランジスタを前記画素回路のそれぞれに設け、前記容量素子の容量値
Cと前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rとからなる時定数CRの時定数回路を構成す
ることを特徴とする表示装置にある。
かかる第1の態様では、画素回路にそれ程高い駆動電圧を印加することなく、動画ボケ
を低減することができる。
The first aspect of the present invention that solves the above problem corresponds to a plurality of scanning lines, a plurality of data lines each supplied with image data, and an intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A plurality of pixel circuits provided, and a power supply line for supplying a power supply potential to each of the plurality of pixel circuits,
Each of the plurality of pixel circuits includes a first transistor, a capacitive element that accumulates and holds charge corresponding to image data through the first transistor, and conduction with the charge accumulated in the capacitive element A second transistor whose amount is controlled, and a light emitting element to which a current corresponding to the conduction amount of the second transistor is supplied from the power supply line, and is connected in parallel to the capacitor element The display device is provided with a time constant circuit having a time constant CR including a capacitance value C of the capacitor and an off-resistance value R of the third transistor. is there.
In the first aspect, it is possible to reduce moving image blur without applying a drive voltage so high to the pixel circuit.

本発明の第2の態様は、複数の走査線と、各々に画像データが供給される複数のデータ
線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素
回路と、前記複数の画素回路の各々に電源電位を供給する電源線と、を備え、前記複数の
画素回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを通して画像データ
に対応する電荷を蓄積して保持する容量素子と、前記容量素子に蓄積された電荷で導通量
が制御される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタの導通量に応じた電流が前
記電源線から供給される発光素子と、を有し、前記容量素子の一方の電極は前記電源線に
接続され、所定の参照電圧が印加される参照電圧線と、前記参照電圧線と前記容量素子の
他方の電極とに接続される第3のトランジスタとを前記画素回路のそれぞれに設け、前記
容量素子の容量値Cと前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rとからなる時定数CRの時
定数回路を構成すると共に前記発光素子の発光輝度を制御することを特徴とする表示装置
にある。
かかる第2の態様では、画素回路にそれ程高い駆動電圧を印加することなく、動画ボケ
を低減することができると共に、発光輝度を詳細に制御することができることができる。
The second aspect of the present invention is provided corresponding to a plurality of scanning lines, a plurality of data lines to which image data is supplied to each of the scanning lines, and an intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A plurality of pixel circuits; and a power supply line that supplies a power supply potential to each of the plurality of pixel circuits. Each of the plurality of pixel circuits converts image data into a first transistor and the first transistor. A capacitive element that accumulates and holds the corresponding charge; a second transistor whose conduction amount is controlled by the charge accumulated in the capacitive element; and a current corresponding to the conduction amount of the second transistor is the power supply line A reference voltage line to which a predetermined reference voltage is applied, and the other of the reference voltage line and the capacitive element. Connected to the electrode of the third A transistor is provided in each of the pixel circuits to form a time constant circuit having a time constant CR including a capacitance value C of the capacitive element and an off-resistance value R of the third transistor, and the light emission luminance of the light emitting element The display device is characterized by being controlled.
In the second aspect, moving image blur can be reduced and emission luminance can be controlled in detail without applying a drive voltage so high to the pixel circuit.

本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の表示装置において、前記参照電圧線に印加
される参照電圧は、所定のピーク輝度になるようにフレームの平均階調に関連して制御さ
れることを特徴とする表示装置にある。
かかる第3の態様では、フレームの平均階調に応じてピーク輝度を制御することができ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the second aspect, the reference voltage applied to the reference voltage line is controlled in relation to the average gradation of the frame so as to have a predetermined peak luminance. The display device is characterized by the above.
In the third aspect, the peak luminance can be controlled according to the average gradation of the frame.

本発明の第4の態様は、第1〜3の何れかの態様に記載の表示装置において、前記デー
タ線に供給される画像データに応じたデータが供給される補助データ線と、前記補助デー
タ線と前記第3のトランジスタのゲート電極との間に設けられてスイッチング手段として
機能する第4のトランジスタとをさらに有し、前記第4のトランジスタは前記第1のトラ
ンジスタに同期して駆動させるようにしたことを特徴とする表示装置にある。
かかる第4の態様では、発光素子の発光輝度をより正確に制御することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to third aspects, an auxiliary data line to which data corresponding to image data supplied to the data line is supplied, and the auxiliary data A fourth transistor provided between the line and the gate electrode of the third transistor and functioning as switching means, and the fourth transistor is driven in synchronization with the first transistor. The display device is characterized by the above.
In the fourth aspect, the light emission luminance of the light emitting element can be controlled more accurately.

本発明の第5の態様は、第1〜4の何れかの態様に記載の表示装置において、前記第3
のトランジスタは、前記第1のトランジスタよりもオフ抵抗値Rが低いことを特徴とする
表示装置。
かかる第5の態様では、発光輝度をさらに正確に制御することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to fourth aspects,
The display device is characterized in that the off-resistance R is lower than that of the first transistor.
In the fifth aspect, the light emission luminance can be controlled more accurately.

本発明の第6の態様は、第1〜5の何れかの態様に記載の表示装置において、前記第3
のトランジスタのオフ抵抗値Rは、前記時定数回路の時定数CRが1フレーム期間より短
い値となることを特徴とする表示装置にある。
かかる第6の態様では、動画ボケをより効果的に低減することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to fifth aspects, the third
The display device is characterized in that the off-resistance value R of the transistor is such that the time constant CR of the time constant circuit is shorter than one frame period.
In the sixth aspect, moving image blur can be reduced more effectively.

本発明の第7の態様は、第1〜6の何れかの態様に記載の表示装置において、前記第3
のトランジスタのオフ抵抗値Rは、前記時定数回路の時定数CRが1フレーム期間の1/
2〜1/4となることを特徴とする表示装置にある。
かかる第7の態様では、動画ボケをさらに効果的に低減することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to sixth aspects, the third aspect
The off-resistance value R of the transistor of FIG. 1 is such that the time constant CR of the time constant circuit is 1 / frame period.
The display device is characterized by being 2 to 1/4.
In the seventh aspect, moving image blur can be further effectively reduced.

本発明の第8の態様は、第1〜7の何れかの態様に記載の表示装置において、前記発光
素子は有機EL素子であることを特徴とする表示装置にある。
かかる第8の態様では、有機EL素子を用いて、上述した効果を有する表示装置を提供
することができる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to seventh aspects, the light-emitting element is an organic EL element.
In the eighth aspect, it is possible to provide a display device having the above-described effect using an organic EL element.

本発明の第9の態様では、第1〜8の何れかの態様に記載の表示装置を備えた電子機器
にある。
かかる第9の態様では、動画ボケのない良好な表示性能を有する電子機器を提供するこ
とができる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including the display device according to any one of the first to eighth aspects.
In the ninth aspect, it is possible to provide an electronic apparatus having a good display performance without moving image blur.

以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、本実施形態の説明
は例示であり、本発明は以下の説明に限定されない。
(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に
示すように、電気光学装置Iは、画素領域A、走査線駆動回路100、データ線駆動回路
200、制御回路300及び電源回路500を備える。これらのうち、画素領域Aには、
X方向と平行にm本の走査線101が形成され、X方向と直交するY方向と平行にn本の
データ線103が形成されている。そして、走査線101とデータ線103との各交差点
に対応してOLED素子を含む画素回路400が各々設けられている。各画素回路400
には、電源電圧Vddが電源線Lを介して供給される。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described. The description of the present embodiment is an exemplification, and the present invention is not limited to the following description.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a display device according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in the figure, the electro-optical device I includes a pixel region A, a scanning line driving circuit 100, a data line driving circuit 200, a control circuit 300, and a power supply circuit 500. Among these, the pixel region A has
M scanning lines 101 are formed in parallel with the X direction, and n data lines 103 are formed in parallel with the Y direction orthogonal to the X direction. A pixel circuit 400 including an OLED element is provided corresponding to each intersection of the scanning line 101 and the data line 103. Each pixel circuit 400
Is supplied with the power supply voltage Vdd via the power supply line L.

走査線駆動回路100は、複数の走査線101を順次選択するための走査信号Y1、Y
2、Y3、・・・、Ymを生成する。走査信号Y1〜YmはY転送開始パルスDYをYク
ロック信号YCLKに同期して順次転送することにより生成される。
The scanning line driving circuit 100 scans signals Y1 and Y for sequentially selecting a plurality of scanning lines 101.
2, Y3,..., Ym are generated. The scanning signals Y1 to Ym are generated by sequentially transferring the Y transfer start pulse DY in synchronization with the Y clock signal YCLK.

図2に走査信号Y1〜Ymのタイミングチャートの一例を示す。走査信号Y1は、1垂
直走査期間(1F)の最初のタイミングから、1水平走査期間(1H)に相当する幅のパ
ルスであって、1行目の走査線101に供給される。以降、このパルスを順次シフトして
、2、3、・・・、m行目の走査線101の各々に走査信号Y2、Y3、・・・、Ymと
して供給する。一般的にi(iは、1≦i≦mを満たす整数)行目の走査線101に供給
される走査信号YiがHレベルになると、当該走査線101が選択されたことを示す。
FIG. 2 shows an example of a timing chart of the scanning signals Y1 to Ym. The scanning signal Y1 is a pulse having a width corresponding to one horizontal scanning period (1H) from the first timing of one vertical scanning period (1F), and is supplied to the scanning line 101 in the first row. Thereafter, the pulses are sequentially shifted and supplied as scanning signals Y2, Y3,..., Ym to the scanning lines 101 in the 2, 3,. In general, when the scanning signal Yi supplied to the scanning line 101 in the i-th row (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) becomes H level, this indicates that the scanning line 101 is selected.

データ線駆動回路200は、出力階調データDoutに基づいて、選択された走査線101
に位置する画素回路400の各々に対しその階調を表す電流信号Idata1、Idata2、Idata3
、Idata4、・・・、Idatanを供給する。すなわち、本例においては、階調信号は階調輝度
を指示する電流信号Idata1、Idata2、Idata3、Idata4、・・・、Idatanとして与えられ、
j(jは、1≦j≦nを満たす整数)列目のデータ線にはIdatajが供給される。
The data line driving circuit 200 selects the scanning line 101 selected based on the output gradation data Dout.
Current signals Idata1, Idata2, and Idata3 representing the gray levels for each of the pixel circuits 400 positioned at
, Idata4,..., Idatan are supplied. That is, in this example, the gradation signal is given as current signals Idata1, Idata2, Idata3, Idata4,.
Idataj is supplied to the data line in the j-th column (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n).

制御回路300は、Yクロック信号YCLK、Xクロック信号XCLK、X転送開始パ
ルスDX、Y転送開始パルスDY等の各種の制御信号を生成してこれらを走査線駆動回路
100及びデータ線駆動回路200へ出力する。また、制御回路300は、外部から供給
される入力階調データDinにガンマ補正等の画像処理を施して出力階調データDoutを生成
する。この出力階調データDoutは、例えば8ビットの階調成分を所定の配列で並べたもの
である。
The control circuit 300 generates various control signals such as a Y clock signal YCLK, an X clock signal XCLK, an X transfer start pulse DX, and a Y transfer start pulse DY, and sends them to the scanning line drive circuit 100 and the data line drive circuit 200. Output. In addition, the control circuit 300 performs image processing such as gamma correction on the input gradation data Din supplied from the outside to generate output gradation data Dout. This output gradation data Dout is, for example, 8-bit gradation components arranged in a predetermined arrangement.

次に、画素回路400について説明する。図3に、画素回路の模式図を示す。同図に示
す画素回路400は、i行j列目に対応するものであり、電源線Lを介して電源電圧Vdd
が供給される。画素回路400は、3個のTFT401、402、405と、容量素子4
10と、OLED素子420とを備える。TFT401、402、405の製造プロセス
では、レーザーアニールショットを利用してガラス基板の上にポリシリコン層が形成され
る。すなわち、TFT401、402、405を同一製造プロセスで容易かつ高密度で形
成することができる。また、OLED素子420は、陽極と陰極との間に発光層が挟持さ
れている。そして、OLED素子420は、順方向電流に応じた輝度で発光する。発光層
には、発光色に応じた有機EL(Electroluminescence)材料が用いられる。発光層の製
造プロセスでは、インクジェット方式のヘッドから有機EL材料を液滴として吐出し、こ
れを乾燥させている。なお、OLED素子420の陰極は、画素回路400のすべてに対
して共通の電極であり、GND電位となっている。
Next, the pixel circuit 400 will be described. FIG. 3 shows a schematic diagram of a pixel circuit. The pixel circuit 400 shown in the figure corresponds to the i-th row and the j-th column, and the power source voltage Vdd is supplied via the power source line L.
Is supplied. The pixel circuit 400 includes three TFTs 401, 402, and 405 and a capacitor element 4.
10 and an OLED element 420. In the manufacturing process of the TFTs 401, 402, and 405, a polysilicon layer is formed on the glass substrate using laser annealing shot. That is, the TFTs 401, 402, and 405 can be formed easily and with high density by the same manufacturing process. In the OLED element 420, a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. The OLED element 420 emits light with a luminance corresponding to the forward current. An organic EL (Electroluminescence) material corresponding to the emission color is used for the light emitting layer. In the manufacturing process of the light emitting layer, the organic EL material is ejected as droplets from an inkjet head and dried. Note that the cathode of the OLED element 420 is a common electrode for all the pixel circuits 400 and has a GND potential.

駆動トランジスタであるTFT401はpチャネル型、スイッチングトランジスタであ
るTFT402及び抵抗として機能するTFT405はnチャネル型である。なお、TF
T401のソース電極は電源線Lに接続される一方、そのドレイン電極はOLED素子4
20に接続される。
The TFT 401 that is a driving transistor is a p-channel type, the TFT 402 that is a switching transistor, and the TFT 405 that functions as a resistor is an n-channel type. TF
The source electrode of T401 is connected to the power supply line L, while its drain electrode is connected to the OLED element 4
20.

容量素子410の一端はTFT401のソース電極に接続される一方、その他端は、T
FT401のゲート電極及びTFT402のドレイン電極にそれぞれ接続される。TFT
402のソース電極はデータ線103に接続され、そのゲート電極は走査線101に接続
される。
One end of the capacitive element 410 is connected to the source electrode of the TFT 401, while the other end is connected to the T
The gate electrode of FT 401 and the drain electrode of TFT 402 are connected to each other. TFT
A source electrode 402 is connected to the data line 103, and a gate electrode thereof is connected to the scanning line 101.

TFT405のドレイン電極は電源線Lに接続される一方、ソース電極はTFT401
のゲート電極及び容量素子410の他端に接続される。すなわち、TFT405は、容量
素子410と並列に配置されることになり、TFT405のオフ抵抗値Rと容量素子41
0の容量値Cとからなる時定数CRの時定数回路が構成されるようになっている。また、
TFT405のゲート電極は接地されており(上述した共通の電極に接続されている)、
オフ電位(GND電位)が印加される。すなわち、TFT405はオフ抵抗値Rの抵抗と
して機能することになる。なお、TFT405はTFT402のオフ抵抗値よりも小さな
オフ抵抗値Rを有するものであれば特に限定されないが、時定数回路の時定数CRが1フ
レーム期間の1/2〜1/4になるようなものが好ましい。すなわち、TFT405は、
TFT402と比較してオフ電流が大きなものが好ましい。TFT405のオフ電流(オ
フ抵抗値R)は、トランジスタのサイズ(W幅、L長)や成膜プロセスによってコントロ
ールすることができる。
The drain electrode of the TFT 405 is connected to the power line L, while the source electrode is the TFT 401.
And the other end of the capacitor 410 are connected. That is, the TFT 405 is arranged in parallel with the capacitor 410, and the off-resistance value R of the TFT 405 and the capacitor 41
A time constant circuit of time constant CR composed of a capacitance value C of 0 is configured. Also,
The gate electrode of the TFT 405 is grounded (connected to the common electrode described above),
An off potential (GND potential) is applied. That is, the TFT 405 functions as a resistance having an off-resistance value R. The TFT 405 is not particularly limited as long as it has an off-resistance value R smaller than the off-resistance value of the TFT 402, but the time constant CR of the time constant circuit is ½ to ¼ of one frame period. Those are preferred. That is, the TFT 405
A thing with a large off-state current compared with TFT402 is preferable. The off-current (off-resistance value R) of the TFT 405 can be controlled by the transistor size (W width, L length) and the film formation process.

このような構成において、走査信号YiがHレベルになると、nチャネル型TFT402
がオン状態となるので、TFT401のゲート電極の電圧に応じた電荷が容量素子410
に蓄積されると共に、TFT401のゲート電極の電圧に応じた電流IoledがOLED素
子420に流れる。したがって、TFT401のゲート電極の電圧に応じてOLED素子
420が発光することになる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes H level, the n-channel TFT 402
Is turned on, so that the charge corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is transferred to the capacitor 410.
And the current Ioled corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 flows to the OLED element 420. Therefore, the OLED element 420 emits light according to the voltage of the gate electrode of the TFT 401.

一方、TFT405は抵抗値Rの抵抗として機能するので、走査信号YiがHレベルにな
ると、TFT405のソース・ドレイン電極間の電圧とTFT405のオフ抵抗値Rとに
より決定されるリーク電流I405が流れる。
On the other hand, since the TFT 405 functions as a resistor having a resistance value R, when the scanning signal Yi becomes H level, a leak current I405 determined by the voltage between the source and drain electrodes of the TFT 405 and the off-resistance value R of the TFT 405 flows.

そして、走査信号YiがLレベルになると、TFT402はオフ状態となる。このとき、
TFT401のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、TFT402
がオフ状態となった瞬間の容量素子410における電荷の蓄積状態は変化しない。すなわ
ち、走査信号YiがLレベルになった瞬間のTFT401のゲート電極の電圧は、電流Idat
aが流れたときの電圧に保持される。しかしながら、容量素子410の一端は、TFT4
05のソース電極に接続されているので、容量素子410に蓄積された電荷はリーク電流
I405としてTFT405のソース・ドレイン電極間を流れ、次第に減少することになる。
すなわち、容量素子410とTFT405とは時定数CRの時定数回路を構成しているの
で、容量素子410に蓄積された電荷は、TFT405のソース・ドレイン電極間の電圧
が等しくなるまで、時定数回路の時定数CRに従って減少することになる。すると、容量
素子410における電荷の蓄積状態と共にTFT401のゲート電極の電圧も低下し、そ
れに応じてOLED素子420を流れる電流Ioledも減少することになる。したがって、
結果として、時定数回路の時定数CRに従ってOLED素子420の発光輝度も低下する
ことになる。
When the scanning signal Yi becomes L level, the TFT 402 is turned off. At this time,
Since the input impedance at the gate electrode of the TFT 401 is extremely high, the TFT 402
The charge accumulation state in the capacitor 410 at the moment when is turned off does not change. That is, the voltage of the gate electrode of the TFT 401 at the moment when the scanning signal Yi becomes L level is the current Idat.
It is held at the voltage when a flows. However, one end of the capacitive element 410 is connected to the TFT 4.
05, the charge accumulated in the capacitor 410 is leak current.
I405 flows between the source and drain electrodes of the TFT 405 and gradually decreases.
That is, since the capacitor element 410 and the TFT 405 constitute a time constant circuit with a time constant CR, the charge accumulated in the capacitor element 410 is a time constant circuit until the voltage between the source and drain electrodes of the TFT 405 becomes equal. It decreases according to the time constant CR. Then, the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is lowered together with the charge accumulation state in the capacitor element 410, and the current Ioled flowing through the OLED element 420 is accordingly reduced. Therefore,
As a result, the light emission luminance of the OLED element 420 also decreases according to the time constant CR of the time constant circuit.

図4に、本実施形態のOLED素子420に流れる電流Ioled、TFT405のソース
・ドレイン電極間を流れる電流I405、走査信号Yi、及び図3に示すVgにおける電圧の一
例をそれぞれ示す。図4に示すように、走査信号Yiが入力されると、電流Ioled及び電流I
405が流れると共に、Vgの電圧が低下する。そして、しばらくすると、Vgにおける電
圧が示すように、容量素子410に蓄積された電荷が減少すると共に、容量素子410に
蓄積された電荷の蓄積状態に応じて、TFT401のゲート電極の電圧が低下する。する
と、電流IoledはTFT401のゲート電極の電圧に応じて流れるので、電流Ioledはフレ
ームの初期に大量に流れ、その後指数関数的に減少していく。そして、電流Ioledが完全
に流れなくなる前に、新たな走査信号Yiが入力され、新たなフレームが始まる。このよう
に、OLED素子420は、発光輝度を充分に低下させながらもフレームの終期まで発光
しつづけることができる。ここで、人間に知覚される輝度は、1フレーム内における輝度
×時間の積分値であることから、本実施形態の画素回路は、フレームの途中で完全に発光
しなくなる従来のインパルス駆動する画素回路と比較して、それ程高い駆動電圧を印加す
ることなく、動画ボケを低減することができるという効果を奏する。すなわち、本実施形
態の画素回路のOLED素子420は、発光輝度を充分に低下させながらもフレームの終
期まで発光しつづけるので、従来のインパルス駆動する画素回路のOLED素子と比較し
て、フレームの初期にそれ程の高い駆動電圧を印加してOLED素子を高輝度で発光させ
ることなく、従来のインパルス駆動する画素回路のOLED素子が1フレーム間に発光す
る発光量と同量の発光量を得ることができる。したがって、本実施形態の表示装置Iは、
画素回路400に高電圧もしくは高電流を印加することなく、動画ボケのない良好な表示
性能を保つことができるという効果を奏する。また、本実施形態の表示装置Iは、発光輝
度を制御することができるので、輝度のダイナミックレンジを広くすることができ、より
高画質な表示をすることができるという効果を奏する。さらに、画素回路400にそれ程
高い駆動電圧を印加する必要がないので、回路負荷を低減することができ、結果として表
示装置Iの寿命を延長させることができるという効果を奏する。
FIG. 4 shows examples of the current Ioled flowing through the OLED element 420 of the present embodiment, the current I405 flowing between the source and drain electrodes of the TFT 405, the scanning signal Yi, and the voltage at Vg shown in FIG. As shown in FIG. 4, when the scanning signal Yi is input, the current Ioled and the current I
As 405 flows, the voltage of Vg decreases. After a while, as indicated by the voltage at Vg, the charge accumulated in the capacitor 410 decreases, and the voltage of the gate electrode of the TFT 401 decreases according to the accumulation state of the charge accumulated in the capacitor 410. . Then, since the current Ioled flows in accordance with the voltage of the gate electrode of the TFT 401, the current Ioled flows in a large amount at the beginning of the frame and then decreases exponentially. Then, before the current Ioled stops flowing completely, a new scanning signal Yi is input and a new frame starts. As described above, the OLED element 420 can continue to emit light until the end of the frame while sufficiently reducing the light emission luminance. Here, since the luminance perceived by humans is an integral value of luminance × time within one frame, the pixel circuit of the present embodiment is a conventional impulse-driven pixel circuit that does not emit light completely during the frame. As compared with the above, there is an effect that the moving image blur can be reduced without applying such a high driving voltage. That is, the OLED element 420 of the pixel circuit according to the present embodiment continues to emit light until the end of the frame while sufficiently reducing the light emission luminance. Therefore, compared with the conventional OLED element of the pixel circuit driven by impulse driving, Thus, without applying a high driving voltage to the OLED element to emit light with high luminance, the OLED element of the conventional pixel circuit driven by impulse driving can obtain a light emission amount equal to the light emission amount emitted during one frame. it can. Therefore, the display device I of this embodiment is
There is an effect that good display performance without moving image blur can be maintained without applying a high voltage or high current to the pixel circuit 400. In addition, since the display device I of the present embodiment can control the light emission luminance, the dynamic range of the luminance can be widened, and an effect that a higher image quality can be displayed can be achieved. Further, since it is not necessary to apply a drive voltage as high as the pixel circuit 400, the circuit load can be reduced, and as a result, the lifetime of the display device I can be extended.

(実施形態2)
実施形態1では、電源線Lを介してTFT405のドレイン電極に電源電圧Vddを供給
するように表示装置を構成したが、制御回路に参照電圧Vrefを生成する参照電圧生成部を
設け、参照電圧線を介してTFT405のドレイン電極に参照電圧Vrefを供給するように
表示装置を構成してもよい。このように表示装置を構成することにより、実施形態1で説
明した効果に加え、表示装置に表示される映像内容合わせて表示装置のピーク輝度を制御
することができることができるという効果を奏する。
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the display device is configured to supply the power supply voltage Vdd to the drain electrode of the TFT 405 via the power supply line L. However, the control circuit is provided with a reference voltage generation unit that generates the reference voltage Vref, and the reference voltage line The display device may be configured to supply the reference voltage Vref to the drain electrode of the TFT 405 via the TFT. By configuring the display device in this way, in addition to the effect described in the first embodiment, there is an effect that the peak luminance of the display device can be controlled in accordance with the video content displayed on the display device.

図5は本発明の実施形態2に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に
示すように、電気光学装置IAは、画素領域A、走査線駆動回路100、データ線駆動回
路200、制御回路300A及び電源回路500を備える。そして、実施形態1に係る表
示装置と異なり、制御回路300Aと、画素領域Aを構成する画素回路400Aとを接続
する参照電圧線L2がさらに設けられており、制御回路300Aから画素回路400Aに
参照電圧Vrefを供給することができるようになっている。
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a display device according to Embodiment 2 of the present invention. As shown in the figure, the electro-optical device IA includes a pixel region A, a scanning line driving circuit 100, a data line driving circuit 200, a control circuit 300A, and a power supply circuit 500. Unlike the display device according to the first embodiment, a reference voltage line L2 that connects the control circuit 300A and the pixel circuit 400A configuring the pixel region A is further provided, and the control circuit 300A refers to the pixel circuit 400A. The voltage Vref can be supplied.

図6は、制御回路を抽出して詳細に示すブロック図である。同図に示すように、制御回
路300Aは表示制御部301と参照電圧生成部302とからなる。
FIG. 6 is a block diagram showing details of the control circuit extracted. As shown in the figure, the control circuit 300A includes a display control unit 301 and a reference voltage generation unit 302.

表示制御部301は、外部から供給される入力階調データDinに所定の画像処理を施し
て出力階調データDoutを形成するとともに、Yクロック信号YCLK、Xクロック信号X
CLK、X転送開始パルスDX、Y転送開始パルスDY等の各種の制御信号を生成してこ
れらを走査線駆動回路100及びデータ線駆動回路200(図5参照。)へ出力する。
The display control unit 301 performs predetermined image processing on the input gradation data Din supplied from the outside to form output gradation data Dout, and outputs the Y clock signal YCLK and the X clock signal X.
Various control signals such as CLK, X transfer start pulse DX, and Y transfer start pulse DY are generated and output to the scanning line driving circuit 100 and the data line driving circuit 200 (see FIG. 5).

一方、参照電圧生成部302は、画像の平均階調に応じて最適な参照電圧Vrefを生成し
て画素回路400Aに供給する。参照電圧生成部302は、ヒストグラム検出部302a
と、平均階調値演算部302bと、電圧生成部302cとを有している。
On the other hand, the reference voltage generation unit 302 generates an optimal reference voltage Vref according to the average gradation of the image and supplies it to the pixel circuit 400A. The reference voltage generation unit 302 includes a histogram detection unit 302a.
And an average gradation value calculator 302b and a voltage generator 302c.

ヒストグラム検出部302aは入力画像信号に基づく所定フレーム(通常1フレーム)
分の入力階調データDinの各階調毎の度数分布を検出する。平均階調値演算部302bは
ヒストグラム検出部302aが検出した度数分布の平均値を演算する。電圧生成部302
cは、表示装置IAのピーク輝度が所定のピーク輝度になるように、平均階調値演算部3
02bにより算出された度数分布の平均値に応じて最適な参照電圧Vrefを出力する。ここ
で、その度数分布の平均値に応じて最適な参照電圧Vrefを出力する方法は特に限定されな
いが、LUT(Look Up Table)を用い、度数分布の平均値に対応して最適な参照電圧Vre
fを抽出し、その参照電圧Vrefを生成して出力する方法が好適である。これは最適な参照
電圧Vrefを予めテーブル化して記憶しておくものである。そして、その参照電圧Vrefが参
照電圧線L2を介して画素回路に供給される。
The histogram detection unit 302a is a predetermined frame (usually one frame) based on the input image signal.
The frequency distribution for each gradation of the input gradation data Din for the minute is detected. The average gradation value calculation unit 302b calculates the average value of the frequency distribution detected by the histogram detection unit 302a. Voltage generator 302
c represents an average gradation value calculation unit 3 so that the peak luminance of the display device IA becomes a predetermined peak luminance.
The optimum reference voltage Vref is output according to the average value of the frequency distribution calculated by 02b. Here, a method for outputting the optimum reference voltage Vref according to the average value of the frequency distribution is not particularly limited, but an optimum reference voltage Vre corresponding to the average value of the frequency distribution using an LUT (Look Up Table).
A method of extracting f and generating and outputting the reference voltage Vref is preferable. In this method, the optimum reference voltage Vref is stored in a table in advance. Then, the reference voltage Vref is supplied to the pixel circuit via the reference voltage line L2.

図7は、本実施形態の画素回路の模式図である。図7に示すように、本実施形態の画素
回路400Aは、TFT405のドレイン電極が参照電圧線L2に接続される点が実施形
態1の画素回路と異なっており、その他の構成は実施形態1の画素回路と同様である。参
照電圧線L2には、上述したように、電源電圧Vddと異なる参照電圧Vrefが供給されてい
る。
FIG. 7 is a schematic diagram of the pixel circuit of the present embodiment. As shown in FIG. 7, the pixel circuit 400A of the present embodiment is different from the pixel circuit of the first embodiment in that the drain electrode of the TFT 405 is connected to the reference voltage line L2, and other configurations are the same as those of the first embodiment. This is the same as the pixel circuit. As described above, the reference voltage Vref different from the power supply voltage Vdd is supplied to the reference voltage line L2.

このような構成において、走査信号YiがHレベルになると、実施形態1の画素回路と同
様に、nチャネル型TFT402がオン状態となるので、TFT401のゲート電極の電
圧に応じた電荷が容量素子410に蓄積されると共に、TFT401のゲート電極の電圧
に応じた電流IoledがOLED素子420に流れる。したがって、TFT401のゲート
電極の電圧に応じてOLED素子420が発光することになる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes the H level, the n-channel TFT 402 is turned on as in the pixel circuit of Embodiment 1, so that the charge corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is charged by the capacitor 410. And the current Ioled corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 flows to the OLED element 420. Therefore, the OLED element 420 emits light according to the voltage of the gate electrode of the TFT 401.

一方、TFT405は抵抗値Rの抵抗として機能するので、走査信号YiがHレベルにな
ると、TFT405のソース・ドレイン電極間の電圧とTFT405の抵抗値Rとにより
決定されるリーク電流I405が流れる。
On the other hand, since the TFT 405 functions as a resistor having a resistance value R, when the scanning signal Yi becomes H level, a leak current I405 determined by the voltage between the source and drain electrodes of the TFT 405 and the resistance value R of the TFT 405 flows.

そして、走査信号YiがLレベルになると、TFT402がオフ状態となるので、実施形
態1の画素回路と同様に、容量素子410における電荷の蓄積状態と共にTFT401の
ゲート電極の電圧が低下し、それに応じてOLED素子420を流れる電流Ioledも減少
し、結果として時定数回路の時定数CRに従ってOLED素子420の発光輝度も低下す
ることになる。
When the scanning signal Yi becomes the L level, the TFT 402 is turned off, so that the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is lowered together with the charge accumulation state in the capacitor 410 as in the pixel circuit of the first embodiment. As a result, the current Ioled flowing through the OLED element 420 also decreases, and as a result, the light emission luminance of the OLED element 420 also decreases according to the time constant CR of the time constant circuit.

ここで、TFT405のドレイン電極は参照電圧線L2に接続されているので、TFT
405のソース・ドレイン電極間の電圧は参照電圧VrefとTFT401のゲート電極の電
圧との差に該当する。したがって、参照電圧Vrefを制御することにより、リーク電流I405
を制御することができるので、上述したように、結果としてOLED素子420の発光量
を制御することができる。すなわち、制御回路300Aから表示装置IAのピーク輝度が
所定のピーク輝度になるような参照電圧Vrefをフレームごとに供給することにより、実施
形態1で説明した効果に加えて、表示装置IAのピーク輝度を動的に制御することができ
るという効果を奏する。
Here, since the drain electrode of the TFT 405 is connected to the reference voltage line L2, the TFT
The voltage between the source and drain electrodes 405 corresponds to the difference between the reference voltage Vref and the voltage of the gate electrode of the TFT 401. Therefore, by controlling the reference voltage Vref, the leakage current I405
Therefore, as described above, the light emission amount of the OLED element 420 can be controlled. That is, by supplying a reference voltage Vref from the control circuit 300A so that the peak luminance of the display device IA becomes a predetermined peak luminance for each frame, in addition to the effect described in the first embodiment, the peak luminance of the display device IA. There is an effect that can be controlled dynamically.

図8に、本実施形態において、電源電圧Vddに対して参照電圧Vrefの大きさを相対的に
変化させた際のOLED素子420に流れる電流Ioledと時間の関係を示す。図8に示す
ように、電源電圧Vddに対して参照電圧Vrefが小さくなると、TFT405のソース・ド
レイン電極間の電圧が大きくなるので、OLED素子420を流れる電流Ioledが大きく
なる。一方、電源電圧Vddに対して参照電圧Vrefが大きくなると、TFT405のソース
・ドレイン電極間の電圧が小さくなるので、OLED素子420を流れる電流Ioledが小
さくなる。したがって、参照電圧Vrefを制御することにより、OLED素子420の発光
量を制御することができる。
FIG. 8 shows the relationship between the current Ioled flowing through the OLED element 420 and time when the magnitude of the reference voltage Vref is changed relative to the power supply voltage Vdd in this embodiment. As shown in FIG. 8, when the reference voltage Vref decreases with respect to the power supply voltage Vdd, the voltage between the source and drain electrodes of the TFT 405 increases, so that the current Ioled flowing through the OLED element 420 increases. On the other hand, when the reference voltage Vref increases with respect to the power supply voltage Vdd, the voltage between the source and drain electrodes of the TFT 405 decreases, so that the current Ioled flowing through the OLED element 420 decreases. Therefore, the light emission amount of the OLED element 420 can be controlled by controlling the reference voltage Vref.

(実施形態3)
実施形態1及び2では、画素回路に設けられたTFT405のゲート電極は接地されて
おり、オフ電位(GND電位)が印加されていたが、階調データに応じてTFT405の
ゲート電極に印加される電圧を変化させるようにしてもよい。このように構成することに
より、OLED素子420の発光輝度をより正確に制御することができる。
(Embodiment 3)
In the first and second embodiments, the gate electrode of the TFT 405 provided in the pixel circuit is grounded, and the off potential (GND potential) is applied. However, the gate electrode is applied to the gate electrode of the TFT 405 according to the gradation data. The voltage may be changed. With this configuration, the light emission luminance of the OLED element 420 can be controlled more accurately.

図9は、本発明の実施形態3に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図
に示すように、電気光学装置IBは、画素領域A、走査線駆動回路100、データ線駆動
回路200B、制御回路300及び電源回路500を備える。そして、実施形態1に係る
表示装置とは異なり、画素領域Aには、データ線103に隣接する補助データ線103a
がY方向に複数形成されている。なお、表示装置IBを構成するその他の構成要素は、実
施形態1のものと同様であるので、同符号を付して説明を省略する。
FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of a display apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. As shown in the drawing, the electro-optical device IB includes a pixel region A, a scanning line driving circuit 100, a data line driving circuit 200B, a control circuit 300, and a power supply circuit 500. Unlike the display device according to the first embodiment, the auxiliary data line 103a adjacent to the data line 103 is provided in the pixel region A.
Are formed in the Y direction. Note that the other components constituting the display device IB are the same as those in the first embodiment, and thus the same reference numerals are given and description thereof is omitted.

そして、補助データ線103aには、データ線103に供給される電流信号に応じた補
助電流信号が供給されるようになっている。補助データ線103aに供給される補助電流
信号は、具体的には、電流信号をトランジスタのゲート電極に供給した際に、そのトラン
ジスタのゲート電極に印加される電圧よりも、所定の電圧分だけ高い電圧(例えば0.1
V高い)がトランジスタのゲート電極に印加されるようになるものである。
The auxiliary data line 103 a is supplied with an auxiliary current signal corresponding to the current signal supplied to the data line 103. Specifically, the auxiliary current signal supplied to the auxiliary data line 103a is higher by a predetermined voltage than the voltage applied to the gate electrode of the transistor when the current signal is supplied to the gate electrode of the transistor. Voltage (e.g. 0.1
(V high) is applied to the gate electrode of the transistor.

ここで、補助データ線103aに供給される補助電流信号は、例えば図10に示すよう
なデータ変換回路210により生成することができる。データ変換回路210は、データ
線103ごとに、データ線駆動回路200B内に複数設けられるものである。以下では、
J番目の補助データ線103aに対応するデータ変換回路210について説明する。
Here, the auxiliary current signal supplied to the auxiliary data line 103a can be generated by, for example, a data conversion circuit 210 as shown in FIG. A plurality of data conversion circuits 210 are provided for each data line 103 in the data line driving circuit 200B. Below,
The data conversion circuit 210 corresponding to the Jth auxiliary data line 103a will be described.

図10に示すように、データ変換回路210には、データ線103に接続されたDA変
換回路211Aと、補助データ線103aに接続された変換回路211Bとが設けられて
いる。そして、DA変換回路211Bは、演算回路215を介してDA変換回路211A
と接続されると共に、デジタル信号からなる階調データ信号Djが供給される階調データ
線Ldと接続されている。一方、DA変換回路211Aも同様に階調データ線Ldと直接
接続されている。
As shown in FIG. 10, the data conversion circuit 210 is provided with a DA conversion circuit 211A connected to the data line 103 and a conversion circuit 211B connected to the auxiliary data line 103a. The DA conversion circuit 211B is connected to the DA conversion circuit 211A via the arithmetic circuit 215.
And a gradation data line Ld to which a gradation data signal Dj made of a digital signal is supplied. On the other hand, the DA conversion circuit 211A is also directly connected to the gradation data line Ld.

ここで、DA変換回路211A及びDA変換回路211Bはデジタル‐アナログ変換器
(digital-to-analog converter)であり、入力されたデジタル信号からアナログ信号を生
成して出力することができるようになっている。そして、演算回路215は、階調データ
線Ldによって供給される階調データ信号Djから、階調データ信号Djによって指定さ
れる電流信号Idatajに応じた補助電流信号Idataj'を指定する階調データ信号Dj’を演
算して出力する回路である。すなわち、演算回路215は、階調データ信号Djに基づい
て、補助電流信号Idataj'を指定する階調データ信号Dj’をDA変換回路211Bに供
給することができるようになっている。ここで、補助電流信号Idataj'とは、上述したよ
うに、電流信号Idatajをトランジスタのゲート電極に供給した際に、そのトランジスタの
ゲート電極に印加される電圧よりも、所定の電圧分だけ高い電圧がトランジスタのゲート
電極に印加されるようになるものである。
Here, the DA conversion circuit 211A and the DA conversion circuit 211B are digital-analog converters.
(digital-to-analog converter), which can generate and output an analog signal from an input digital signal. Then, the arithmetic circuit 215 specifies a gradation data signal that specifies an auxiliary current signal Idataj ′ corresponding to the current signal Idataj specified by the gradation data signal Dj from the gradation data signal Dj supplied by the gradation data line Ld. This circuit calculates and outputs Dj ′. That is, the arithmetic circuit 215 can supply a grayscale data signal Dj ′ for designating the auxiliary current signal Idataj ′ to the DA conversion circuit 211B based on the grayscale data signal Dj. Here, as described above, the auxiliary current signal Idataj ′ is a voltage that is higher by a predetermined voltage than the voltage applied to the gate electrode of the transistor when the current signal Idataj is supplied to the gate electrode of the transistor. Is applied to the gate electrode of the transistor.

したがって、このデータ変換回路210によると、階調データ信号Djに基づいて、デ
ータ線103に電流信号Idatajを供給すると共に補助データ線103aに補助電流信号Id
ataj'を供給することができる。そして、その電流信号Idataj及び補助電流信号Idataj'が
画素回路400Bに供給される。
Therefore, according to the data conversion circuit 210, the current signal Idataj is supplied to the data line 103 and the auxiliary current signal Id is supplied to the auxiliary data line 103a based on the gradation data signal Dj.
can supply ataj '. Then, the current signal Idataj and the auxiliary current signal Idataj ′ are supplied to the pixel circuit 400B.

図11は、本実施形態の画素回路の模式図である。図11に示すように、本実施形態の
画素回路400Bは、補助データ線103aが設けられると共に、TFT406を介して
補助データ線103aとTFT405のゲート電極とが接続されており、さらにTFT4
06のゲート電極がTFT402のゲート電極と同様に走査線101に接続されている点
が実施形態1の画素回路と異なっており、その他の構成は実施形態1の画素回路と同様で
ある。
FIG. 11 is a schematic diagram of the pixel circuit of the present embodiment. As shown in FIG. 11, the pixel circuit 400B of this embodiment is provided with an auxiliary data line 103a, and the auxiliary data line 103a and the gate electrode of the TFT 405 are connected via the TFT 406.
The point that the gate electrode of 06 is connected to the scanning line 101 similarly to the gate electrode of the TFT 402 is different from the pixel circuit of the first embodiment, and the other configuration is the same as that of the pixel circuit of the first embodiment.

スイッチングトランジスタであるTFT406はnチャネル型であり、他のトランジス
タと同様に、製造プロセスではレーザーアニールショットを利用してガラス基板の上にポ
リシリコン層が形成される。
The TFT 406 which is a switching transistor is an n-channel type, and a polysilicon layer is formed on a glass substrate using a laser annealing shot in the manufacturing process, as in other transistors.

このような構成において、走査信号YiがHレベルになると、nチャネル型TFT402
及びnチャネル型TFT406が共にオン状態となるので、TFT401のゲート電極の
電圧に応じた電荷が容量素子410に蓄積されると共にTFT401のゲート電極の電圧
に応じた電流IoledがOLED素子420に流れ、さらに補助データ線103aに印加さ
れた電圧がTFT405のゲート電極に印加されることになる。したがって、TFT40
1のゲート電極の電圧に応じてOLED素子420が発光すると共に、TFT405のゲ
ート電極に印加された電圧に応じた電流I405がTFT405のソース・ドレイン電極間を
流れることになる。
In such a configuration, when the scanning signal Yi becomes H level, the n-channel TFT 402
Since both the n-channel TFT 406 and the n-channel TFT 406 are turned on, electric charge corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is accumulated in the capacitor element 410 and current Ioled corresponding to the voltage of the gate electrode of the TFT 401 flows to the OLED element 420. Further, the voltage applied to the auxiliary data line 103a is applied to the gate electrode of the TFT 405. Therefore, TFT40
The OLED element 420 emits light according to the voltage of one gate electrode, and a current I405 corresponding to the voltage applied to the gate electrode of the TFT 405 flows between the source and drain electrodes of the TFT 405.

そして、走査信号YiがLレベルになると、TFT402及びTFT406が共にオフ状
態となるので、TFT406のゲート電極に印加された電圧は保持されつつ、実施形態1
の画素回路と同様に、容量素子410における電荷の蓄積状態と共にTFT401のゲー
ト電極の電圧が低下し、それに応じてOLED素子420を流れる電流Ioledも減少し、
結果として時定数回路の時定数CRに従ってOLED素子420の発光輝度も低下するこ
とになる。
When the scanning signal Yi becomes the L level, both the TFT 402 and the TFT 406 are turned off, so that the voltage applied to the gate electrode of the TFT 406 is maintained, and the first embodiment is performed.
As in the pixel circuit of FIG. 5, the voltage of the gate electrode of the TFT 401 is lowered together with the charge accumulation state in the capacitor element 410, and the current Ioled flowing through the OLED element 420 is also reduced accordingly.
As a result, the light emission luminance of the OLED element 420 also decreases according to the time constant CR of the time constant circuit.

ここで、TFT406のゲート電極に供給される補助電流信号Idataj'は、電流信号Ida
tajをトランジスタのゲート電極に供給した際に、そのトランジスタのゲート電極に印加
される電圧よりも、所定の電圧分だけ高い電圧がトランジスタのゲート電極に印加される
ようになるものである。すなわち、TFT405のゲート電極には、TFT405のソー
ス電極に印加される電圧よりも所定の電圧分だけ高い電圧が印加されることになる。
Here, the auxiliary current signal Idataj ′ supplied to the gate electrode of the TFT 406 is the current signal Ida
When taj is supplied to the gate electrode of the transistor, a voltage higher than the voltage applied to the gate electrode of the transistor by a predetermined voltage is applied to the gate electrode of the transistor. That is, a voltage higher than the voltage applied to the source electrode of the TFT 405 by a predetermined voltage is applied to the gate electrode of the TFT 405.

図12に、TFT405のゲート・ソース電極間電圧Vgsと、TFT405のソース
・ドレイン電極間を流れる電流I405との関係を示す。図12に示すように、TFT405
のゲート・ソース電極間に印加される電圧が0V以上である場合には、TFT405のゲ
ート・ソース電極間の電圧Vgsが大きくなるにつれて電流I405が大きくなる。
FIG. 12 shows the relationship between the gate-source voltage Vgs of the TFT 405 and the current I405 flowing between the source-drain electrodes of the TFT 405. As shown in FIG. 12, TFT 405
When the voltage applied between the gate and source electrodes of the TFT 405 is 0 V or higher, the current I405 increases as the voltage Vgs between the gate and source electrodes of the TFT 405 increases.

そこで、本実施形態の画素回路400Bについて考えると、上述したように、TFT4
05のゲート電極には、TFT405のソース電極に印加される電圧よりも所定の電圧分
だけ高い電圧が印加されるので、電流信号の電圧に関わらずTFT405のゲート・ソー
ス電極間には常に所定の電圧が印加されることになる。したがって、階調データに関わら
ず、一定の電流I405がTFT405のソース・ドレイン電極間を流れることになるので、
結果としてOLED素子420の発光輝度をより正確に制御することができる。
Therefore, when considering the pixel circuit 400B of the present embodiment, as described above, the TFT 4
Since a voltage higher than the voltage applied to the source electrode of the TFT 405 by a predetermined voltage is applied to the gate electrode of 05, a predetermined voltage is always applied between the gate and source electrodes of the TFT 405 regardless of the voltage of the current signal. A voltage will be applied. Therefore, a constant current I405 flows between the source and drain electrodes of the TFT 405 regardless of the gradation data.
As a result, the light emission luminance of the OLED element 420 can be controlled more accurately.

なお、本実施形態では、データ変換回路210をデータ線駆動回路200B内に設けた
が、データ変換回路210を他の画素回路400の周辺回路部(周辺基板など)に設けて
もよい。
In the present embodiment, the data conversion circuit 210 is provided in the data line driving circuit 200B, but the data conversion circuit 210 may be provided in a peripheral circuit portion (peripheral substrate or the like) of another pixel circuit 400.

(他の実施形態)
実施形態1〜3では、TFT405にnチャネルのトランジスタを用いたが、TFT4
05にpチャネルのトランジスタを用いることができることはいうまでもない。
(Other embodiments)
In the first to third embodiments, an n-channel transistor is used as the TFT 405.
It goes without saying that a p-channel transistor can be used for 05.

また、TFT405はTFT401、402と同じトランジスタで構成されてもよいし
、異なるトランジスタで構成されていてもよい。さらに、TFT405としては、オフ抵
抗値RがTFT402のオフ抵抗値よりも小さいトランジスタが好適である。TFT40
5として、オフ抵抗値RがTFT402よりも小さいものを用いることにより、TFT4
02のソース・ドレイン電極間を流れる電流を無視することができるので、TFT405
と容量素子410とからなる時定数回路の時定数CRを容易に決定することができる。す
なわち、TFT405として、オフ抵抗値RがTFT402よりも小さいものを用いるこ
とにより、発光輝度をより正確に制御することができる。
Further, the TFT 405 may be composed of the same transistor as the TFTs 401 and 402, or may be composed of a different transistor. Further, as the TFT 405, a transistor having an off-resistance value R smaller than that of the TFT 402 is preferable. TFT40
5, TFT 4 having an off-resistance value R smaller than that of TFT 402 is used.
Since the current flowing between the source and drain electrodes of 02 can be ignored, the TFT 405
And the time constant CR of the time constant circuit composed of the capacitor element 410 can be easily determined. That is, by using a TFT 405 having an off-resistance value R smaller than that of the TFT 402, the light emission luminance can be controlled more accurately.

さらに、実施形態1及び2では、TFT405のゲート電極は接地されており、そのゲ
ート電極にGND電位が印加されるので好適であるが、そのゲート電極に0〜GND電位
が印加されるようになっていればその接続先は特に限定されない。
Further, in the first and second embodiments, the gate electrode of the TFT 405 is grounded, and it is preferable because the GND potential is applied to the gate electrode. However, the 0 to GND potential is applied to the gate electrode. If so, the connection destination is not particularly limited.

<応用例>
次に、上述した実施形態1〜3に係る表示装置を適用した電子機器について説明する。
図13に、上述した表示装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示
す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての表示装置Iと本体部20
10を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設
けられている。この表示装置はOLED素子420を用いるので、視野角が広く見易い画
面を表示できる。
<Application example>
Next, an electronic apparatus to which the display device according to Embodiments 1 to 3 described above is applied will be described.
FIG. 13 shows a configuration of a mobile personal computer to which the display device described above is applied. The personal computer 2000 includes a display device I as a display unit and a main body 20.
10 is provided. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002. Since this display device uses the OLED element 420, it is possible to display an easy-to-see screen with a wide viewing angle.

図14に、上述した表示装置を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000
は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとし
ての表示装置Iを備える。スクロールボタン3002を操作することによって、表示装置
Iに表示される画面がスクロールされる。
FIG. 14 shows a configuration of a mobile phone to which the display device described above is applied. Cell phone 3000
Includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and a display device I as a display unit. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the display device I is scrolled.

図15に、上述した表示装置を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Ass
istants)の構成を示す。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源
スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての表示装置Iを備える。電源スイッチ40
02を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示装置に表示される
FIG. 15 shows a personal digital assistant (PDA: Personal Digital Ass) to which the display device described above is applied.
istants). The portable information terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and a display device I as a display unit. Power switch 40
When 02 is operated, various kinds of information such as an address book and a schedule book are displayed on the display device.

なお、上述した表示装置が適用される電子機器としては、図13〜図15に示すものの
他、大画面テレビ、コンピュータモニター、表示兼用照明装置、携帯電話機、ゲーム機、
電子ペーパー、運転操作パネル、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ビューファイン
ダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチ
パネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として
、上述した表示装置が適用可能である。
Note that electronic devices to which the above-described display device is applied include, in addition to those illustrated in FIGS. 13 to 15, a large-screen television, a computer monitor, a display / lighting device, a mobile phone, a game machine,
Electronic paper, driving operation panel, video camera, digital still camera, viewfinder type, monitor direct-view type video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor, workstation, videophone, POS terminal, touch panel Examples include equipped equipment. And the display apparatus mentioned above is applicable as a display part of these various electronic devices.

実施形態1に係る表示装置を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a display device according to Embodiment 1. FIG. 図1における走査信号と発光制御信号のタイミングチャートである。2 is a timing chart of scanning signals and light emission control signals in FIG. 1. 図1に示す表示装置における画素回路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the pixel circuit in the display apparatus shown in FIG. 図3における時間と、電流Ioled、電流I405、走査信号Yi、及びVgにおける電圧との関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between time in FIG. 3 and voltage at current Ioled, current I405, scanning signal Yi, and Vg. 実施形態2に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。5 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to Embodiment 2. FIG. 図5における制御回路を抽出して詳細に示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing details of an extracted control circuit in FIG. 5. 図5に示す表示装置における画素回路を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a pixel circuit in the display device illustrated in FIG. 5. 図7における時間と電流との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between time and an electric current in FIG. 実施形態3に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to a third embodiment. データ変換回路の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a data conversion circuit. 図9に示す表示装置における画素回路を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a pixel circuit in the display device illustrated in FIG. 9. 図11におけるTFTのゲート・ソース電極間電圧と電流との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the voltage between the gate-source electrodes of TFT in FIG. 11, and an electric current. 表示装置を適用したモバイル型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。It is a perspective view showing a mobile personal computer to which a display device is applied. 表示装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone to which a display apparatus is applied. 表示装置を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the portable information terminal to which a display apparatus is applied. ホールド駆動を行なう画素回路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the pixel circuit which performs hold drive. 図16におけるフレームと発光輝度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the flame | frame in FIG. 16, and light emission luminance. インパルス駆動を行なう画素回路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the pixel circuit which performs an impulse drive. 図18におけるフレームと発光輝度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the flame | frame in FIG. 18, and light emission luminance.

符号の説明Explanation of symbols

100 走査線駆動回路、 101 走査線、 103 データ線、 103 補助デ
ータ線、 200 データ線駆動回路、 210 データ変換回路、 300,300A
制御回路、 301 表示制御部、 302a ヒストグラム検出部、 302 参照
電圧生成部、 302c 電圧生成部、 302b 平均階調値演算部、 400,40
0A,400B 画素回路、 401,402,405,406 TFT、 410 容
量素子、 420 OLED素子、 500 電源回路
100 scanning line driving circuit, 101 scanning line, 103 data line, 103 auxiliary data line, 200 data line driving circuit, 210 data conversion circuit, 300, 300A
Control circuit, 301 display control unit, 302a histogram detection unit, 302 reference voltage generation unit, 302c voltage generation unit, 302b average gradation value calculation unit, 400, 40
0A, 400B pixel circuit, 401, 402, 405, 406 TFT, 410 capacitive element, 420 OLED element, 500 power supply circuit

Claims (9)

複数の走査線と、
各々に画像データが供給される複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と

前記複数の画素回路の各々に電源電位を供給する電源線と、を備え、
前記複数の画素回路の各々は、
第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタを通して画像データに対応する電荷を蓄積して保持する容量素子
と、
前記容量素子に蓄積された電荷で導通量が制御される第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの導通量に応じた電流が前記電源線から供給される発光素子と、
を有し、
前記容量素子に並列に接続された第3のトランジスタを前記画素回路のそれぞれに設け、
前記容量素子の容量値Cと前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rとからなる時定数CR
の時定数回路を構成することを特徴とする表示装置。
A plurality of scan lines;
A plurality of data lines each supplied with image data;
A plurality of pixel circuits provided corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A power supply line for supplying a power supply potential to each of the plurality of pixel circuits,
Each of the plurality of pixel circuits is
A first transistor;
A capacitive element that accumulates and holds charges corresponding to image data through the first transistor;
A second transistor whose conduction amount is controlled by the charge accumulated in the capacitor;
A light emitting element to which a current corresponding to the conduction amount of the second transistor is supplied from the power line;
Have
A third transistor connected in parallel to the capacitive element is provided in each of the pixel circuits;
A time constant CR comprising a capacitance value C of the capacitive element and an off-resistance value R of the third transistor
A display device comprising a time constant circuit.
複数の走査線と、
各々に画像データが供給される複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と

前記複数の画素回路の各々に電源電位を供給する電源線と、を備え、
前記複数の画素回路の各々は、
第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタを通して画像データに対応する電荷を蓄積して保持する容量素子
と、
前記容量素子に蓄積された電荷で導通量が制御される第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの導通量に応じた電流が前記電源線から供給される発光素子と、
を有し、
前記容量素子の一方の電極は前記電源線に接続され、
所定の参照電圧が印加される参照電圧線と、
前記参照電圧線と前記容量素子の他方の電極とに接続される第3のトランジスタとを前記
画素回路のそれぞれに設け、
前記容量素子の容量値Cと前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rとからなる時定数CR
の時定数回路を構成すると共に前記発光素子の発光輝度を制御することを特徴とする表示
装置。
A plurality of scan lines;
A plurality of data lines each supplied with image data;
A plurality of pixel circuits provided corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A power supply line for supplying a power supply potential to each of the plurality of pixel circuits,
Each of the plurality of pixel circuits is
A first transistor;
A capacitive element that accumulates and holds charges corresponding to image data through the first transistor;
A second transistor whose conduction amount is controlled by the charge accumulated in the capacitor;
A light emitting element to which a current corresponding to the conduction amount of the second transistor is supplied from the power line;
Have
One electrode of the capacitive element is connected to the power line,
A reference voltage line to which a predetermined reference voltage is applied;
A third transistor connected to the reference voltage line and the other electrode of the capacitor is provided in each of the pixel circuits;
A time constant CR comprising a capacitance value C of the capacitive element and an off-resistance value R of the third transistor
A display device characterized in that the time constant circuit is configured and the light emission luminance of the light emitting element is controlled.
請求項2に記載の表示装置において、
前記参照電圧線に印加される参照電圧は、所定のピーク輝度になるようにフレームの平均
階調に関連して制御されることを特徴とする表示装置。
The display device according to claim 2,
The display device according to claim 1, wherein the reference voltage applied to the reference voltage line is controlled in relation to the average gradation of the frame so as to have a predetermined peak luminance.
請求項1〜3の何れかに記載の表示装置において、
前記データ線に供給される画像データに応じたデータが供給される補助データ線と、
前記補助データ線と前記第3のトランジスタのゲート電極との間に設けられてスイッチン
グ手段として機能する第4のトランジスタとをさらに有し、
前記第4のトランジスタは前記第1のトランジスタに同期して駆動させるようにしたこと
を特徴とする表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 3,
An auxiliary data line to which data corresponding to the image data supplied to the data line is supplied;
A fourth transistor provided between the auxiliary data line and the gate electrode of the third transistor and functioning as a switching means;
The display device, wherein the fourth transistor is driven in synchronization with the first transistor.
請求項1〜4の何れかに記載の表示装置において、
前記第3のトランジスタは、前記第1のトランジスタよりもオフ抵抗値Rが低いことを特
徴とする表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 4,
The display device, wherein the third transistor has an off-resistance value R lower than that of the first transistor.
請求項1〜5の何れかに記載の表示装置において、
前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rは、前記時定数回路の時定数CRが1フレーム期
間より短い値となることを特徴とする表示装置。
In the display device according to any one of claims 1 to 5,
The display device characterized in that the off-resistance value R of the third transistor is such that the time constant CR of the time constant circuit is shorter than one frame period.
請求項1〜6の何れかに記載の表示装置において、
前記第3のトランジスタのオフ抵抗値Rは、前記時定数回路の時定数CRが1フレーム期
間の1/2〜1/4となることを特徴とする表示装置。
The display device according to any one of claims 1 to 6,
The off resistance value R of the third transistor is such that the time constant CR of the time constant circuit is ½ to ¼ of one frame period.
請求項1〜7の何れかに記載の表示装置において、
前記発光素子は有機EL素子であることを特徴とする表示装置。
In the display device in any one of Claims 1-7,
The display device, wherein the light emitting element is an organic EL element.
請求項1〜8の何れかに記載の表示装置を備えた電子機器。

An electronic apparatus comprising the display device according to claim 1.

JP2006082248A 2006-03-24 2006-03-24 Display device and electronic equipment Withdrawn JP2007256728A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006082248A JP2007256728A (en) 2006-03-24 2006-03-24 Display device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006082248A JP2007256728A (en) 2006-03-24 2006-03-24 Display device and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007256728A true JP2007256728A (en) 2007-10-04

Family

ID=38631015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006082248A Withdrawn JP2007256728A (en) 2006-03-24 2006-03-24 Display device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007256728A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009098386A (en) * 2007-10-17 2009-05-07 Eastman Kodak Co Pixel circuit and display panel
JP2016062101A (en) * 2014-09-17 2016-04-25 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light-emitting display device
CN107977109A (en) * 2016-10-21 2018-05-01 三星显示有限公司 Display device
CN109830217A (en) * 2019-04-09 2019-05-31 上海中航光电子有限公司 Liquid crystal display panel, display device and driving method
JP2019144528A (en) * 2017-11-09 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device, operation method thereof, and electronic apparatus
US11869427B2 (en) 2019-10-17 2024-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009098386A (en) * 2007-10-17 2009-05-07 Eastman Kodak Co Pixel circuit and display panel
JP2016062101A (en) * 2014-09-17 2016-04-25 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light-emitting display device
CN107977109A (en) * 2016-10-21 2018-05-01 三星显示有限公司 Display device
JP2019144528A (en) * 2017-11-09 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device, operation method thereof, and electronic apparatus
US11475832B2 (en) 2017-11-09 2022-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, operation method thereof, and electronic device
JP7202145B2 (en) 2017-11-09 2023-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2023036819A (en) * 2017-11-09 2023-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP7491990B2 (en) 2017-11-09 2024-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
CN109830217A (en) * 2019-04-09 2019-05-31 上海中航光电子有限公司 Liquid crystal display panel, display device and driving method
US11869427B2 (en) 2019-10-17 2024-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4923447B2 (en) Image signal control device, electro-optical device, electronic apparatus having the same, and display method
JP4470960B2 (en) Display device, driving method thereof, and electronic apparatus
CN112992049B (en) Electroluminescent display device with pixel driving circuit
JP2020016905A (en) Display device
JP2006284716A (en) Display driving device and its driving control method, and display device and its driving control method
CN109727577B (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
JP4107240B2 (en) Driving circuit, electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
JP4036210B2 (en) Current supply circuit, current supply device, voltage supply circuit, voltage supply device, electro-optical device, and electronic apparatus
KR101497538B1 (en) display device and electronic equipment
JP4534169B2 (en) Display device, driving method thereof, and electronic apparatus
KR20190048735A (en) Display panel
JP2007256728A (en) Display device and electronic equipment
TWI444971B (en) Display apparatus and electronic instrument
JP4893207B2 (en) Electronic circuit, electro-optical device and electronic apparatus
JP2006292906A (en) Pixel circuit and its driving method, light emitting device, and electronic equipment
JP4534170B2 (en) Display device, driving method thereof, and electronic apparatus
JP2011022462A (en) Display device, driving method therefor, and electronics device
JP3915907B2 (en) Light emission drive circuit, display device, and drive control method thereof
JP2004361935A (en) Semiconductor device and driving method thereof
JP2005181975A (en) Pixel circuit, electro-optical device and electronic apparatus
JP4784050B2 (en) Electronic circuit, control method therefor, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2009098429A (en) Display device and electronic apparatus
JP4774726B2 (en) Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus
JP2009098430A (en) Display device and electronic apparatus
JP4467900B2 (en) Driving method of light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090120

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110125