JP2007205864A - 基盤検査装置、及び、基盤検査方法 - Google Patents

基盤検査装置、及び、基盤検査方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ウェハのエッジ部分の品質を検査する。
【解決手段】基盤検査装置1のコンピュータ10は、上部に膜が形成されたウェハ6の周縁部分を、膜の周縁を含むようにカメラ5が撮影した画像データを読み込み、読み込んだ画像データから、ウェハ6の径方向のライン毎にライン画像データを抽出する。そして、各ラインの画像データについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、ウェハ6のエッジ位置、膜の境界開始位置及び境界終了位置に対応するピクセルを検出して、エッジから境界開始位置の距離、エッジから境界終了位置の距離、境界開始位置から境界終了位置の距離を算出し、これらの算出した距離の最大値、最小値、または、標準偏差と、それぞれの閾値とを比較して異常を検出する。
【選択図】図1

Description

本発明は、基盤検査装置、及び、基盤検査方法に関するものである。
従来、半導体の製造工程には、ウェハが用いられている。この工程には、ウェハの担面に膜を形成したり、何重かに塗布された膜からその一部を剥がす工程などがが含まれる。一方、ウェハを撮影した画像から、ウェハの周縁に沿った加工膜下地面の露出幅を測定することにより、エッジの除去幅が分かる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−134575号公報
近年、半導体回路のパターンは微細化され、また、その製造方法も変化している。これに伴い、後の工程で不要となるために、従来は注目されていなかったウェハのエッジ部分についても加工精度を上げることが必要となってきている。そこで、ウェハのエッジ部分の加工精度を検査したいという要望が高まってきた。しかし、ウェハ上に形成される半導体パターンの検査とは異なり、エッジ部分では、パターンマッチングによる検査を用いることができないため、エッジ部分の品質を検査することは難しかった。また、特許文献1においては、エッジの除去幅を求めているが、ウェハの品質を判断するものではなかった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、ウェハのエッジ部分の品質を検査することのできる基盤検査装置、及び、基盤検査方法を提供することにある。
この発明は、上記の課題を解決すべくなされたもので、上部に膜が形成された基盤の周縁部分を、前記膜の周縁を含むように撮影した画像データを読み込む読込手段と、前記読込手段により読み込んだ画像データから前記基盤の径方向のライン毎にライン画像データを抽出する抽出手段と、前記抽出手段により抽出した各ライン画像データそれぞれについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、前記基盤のエッジ位置及び前記膜の境界開始位置、または、前記基盤のエッジ位置、前記膜の境界開始位置及び前記膜の境界終了位置に対応するピクセルを検出する検出手段と、前記検出手段により検出したピクセルを基に、各ライン毎に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離を算出する距離算出手段と、前記距離算出手段により算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離の最大値、最小値、または、標準偏差と、これらの閾値とを比較して異常を検出する評価手段と、を備えることを特徴とする基盤検査装置である。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記評価手段は、前記距離算出手段により算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離と、前記基盤の中心角との相関関係のグラフを出力させる、ことを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記評価手段は、所定の中心角の範囲内に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、または、前記エッジから前記境界終了位置の距離のピークが所定数以上発生している場合に異常を検出する、ことを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記評価手段は、前記基盤の中心角と、前記エッジから前記境界開始位置の距離、または、前記エッジから前記境界終了位置の距離との相関関係から、近似する基準波形を算出し、算出した基準波形の振幅または位相と、振幅または位相の閾値を超えている場合に異常を検出する、ことを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記画像データは、撮像手段が、当該撮影手段とは前記基盤を挟んだ対称位置から光を当てて撮影した画像のデータであることを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記検出手段は、前記ライン画像データを構成するピクセルを、ウェハの外側から中心方向に順に検査し、最初に輝度が所定以上暗くなったピクセルを前記ウェハのエッジに対応するピクセルとして検出する、ことを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記検出手段は、前記画像データから所定の中心角の範囲に対応した径方向の複数ラインのピクセルを抽出し、抽出した各ラインのピクセルの輝度を同じ周方向のピクセル毎に平均して前記ライン画像データとする、ことを特徴とする。
また、本発明は、上述する基盤検査装置であって、前記検出手段は、前記画像データから径方向の複数ラインのピクセルを抽出し、抽出した各ピクセルの輝度を同じ周方向のピクセル毎に平均し、その平均した輝度の変化のピーク位置に相当する径方向の範囲のピクセルにおいて、前記エッジ及び前記境界開始位置、または、前記エッジ、前記境界開始位置及び前記境界終了開始位置に対応するピクセルを検出する、ことを特徴とする。
また、本発明は、上部に膜が形成された基盤の周縁部分を、前記膜の周縁を含むように撮影した画像データを読み込む読込過程と、前記読込過程において読み込んだ画像データから前記基盤の径方向のライン毎にライン画像データを抽出する抽出過程と、前記抽出過程において抽出した各ライン画像データそれぞれについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、前記基盤のエッジ位置及び前記膜の境界開始位置、または、前記基盤のエッジ位置、前記膜の境界開始位置及び前記膜の境界終了位置に対応するピクセルを検出する検出過程と、前記検出過程において検出したピクセルを基に、各ライン毎に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離を算出する距離算出過程と、前記距離算出過程において算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離の最大値、最小値、または、標準偏差と、これらの閾値とを比較して異常を検出する評価過程と、からなることを特徴とする基盤検査方法である。
本発明によれば、上部に膜が形成されたウェハのエッジ部分を撮影した画像データから、ウェハのエッジから膜の境界開始位置の距離、ウェハのエッジから膜の境界終了位置の距離、境界開始位置から境界終了位置の距離を算出し、これらに異常がないかを検査することができる。また、算出したこれらの距離と、ウェハの中心角との相関関係をグラフ化して出力することができるため、ウェハの品質を視覚的に捉えることができる。また、カメラとウェハを挟んだ対象位置から光を当てて撮影することにより、実際のウェハの物理端から膜の境界までの距離を算出することができる。これにより、ウェハのエッジ部分の品質を精度よく評価することができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態を説明する。
図1は、本発明の一実施の形態による基盤検査装置1の全体構成を示す図である。基盤検査装置1は、基盤としてのウェハ6を載せて回転させる支持台2と、支持台2上のウェハ6の下部から光を当てるための光源3と、支持台2の回転及び光源3の点灯を制御する制御装置4と、ラインカメラ、エリアカメラなどのカメラ5と、カメラ5により撮影された画像からウェハ6上に形成された膜の境界を検出し、ウェハ6の品質を評価するコンピュータ10からなる。基盤検査装置1は、ウェハ6を支持台2に載せて回転させながら、ウェハ6の周縁部をカメラ5により連続撮影する。
図2及び図3は、ウェハ6の断面とカメラ5により撮影された画像との関係を示す図であり、図2は、光源3を使用しない場合、図3は、光源3を使用した場合を示す。
図2及び図3に示すウェハ6はシリコン性の円盤であり、ウェハ6の担面に形成された膜7からその一部を取り除いたものであるか、ウェハ6の担面に膜7を形成したものである。ウェハ6の周縁部分には、湾曲部、すなわち、べベル61がある。通常、撮影のためには、カメラ5と同軸の照明が利用されるため、ウェハ6の平坦部62からの反射光はカメラ5へ届くが、ベベル61の反射光はカメラ5へ到達しない。従って、光源3からの光が無い場合、図2に示すようにウェハ6の平坦部62は明るく、ベベル61の部分はウェハ6が無い部分と同様に非常に暗く撮影される。一方、図3に示すように、光源3からカメラ5と反対方向にウェハ6を挟むように光が照射される場合、撮影した画像は、ウェハ6がない部分は高輝度となる。従って、光源3からの光がある場合には、ウェハ6の実エッジE1を、光源3からの光がない場合には、平坦部62とベベル61の境界であるベベル端E2をエッジEとしてみなす。
また、図2及び図3に示すように、膜7の周縁部は、その膜厚が徐々に薄くなっており、境界部(Border)71を形成している。膜7の平坦部72からの反射光はカメラ5へ届くが、境界部71には傾斜があるため、ベベル61と同様、境界部71の反射光はカメラ5へ到達しない。よって、膜7の平坦部72は明るく、境界部71は暗く撮影される。境界部71がウェハ6に接している境界線を境界開始線B1、平坦部72の終端を境界終了線B2、境界開始線B1と境界終了線B2間を境界幅BWとする。
図4は、図1に示すコンピュータ10の内部構成を示すブロック図である。同図において、コンピュータ10は、制御手段11、入力手段12、指示手段13、記憶手段14、受信手段15、解析手段16、及び、出力手段17を備える。
制御手段11は、CPU(central processing unit)及び各種メモリから構成され、各部の制御や、データの一時的な格納や、データの転送等を行う。入力手段12は、キーボードやマウスなどによりユーザが入力した情報を受信する。指示手段13は、制御装置4及びカメラ5への制御指示を出力する。記憶手段14は、各種設定データ、ウェハ6を撮影した画像データ、及び、ウェハ6の品質評価結果のデータを記憶する。受信手段15は、ウェハ6の周縁部分を撮影した画像データをカメラ5から受信する。出力手段17は、CRT(cathode ray tube)やLCD(Liquid Crystal Display)などのディスプレイへの表示を行ったり、プリンタへの印刷を行う。
解析手段16は、画像データからウェハ6のエッジ部分の状態を検査する。解析手段16は、読込手段31、抽出手段32、検出手段33、距離算出手段34、及び、評価手段35を備える。読込手段31は、カメラ5により撮影されたウェハ6の画像データを記憶手段14から読み込む。抽出手段32は、読込手段31により読み込んだ画像データから、ウェハ6の円周方向の順に、ウェハ6の径方向にピクセルを抽出したライン画像データを取得する。検出手段33は、抽出手段32により取得した各ライン画像データについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの輝度値の変化から、ウェハ6のエッジE(実エッジE1またはベベル端E2)、膜7の境界開始線B1、及び、境界終了線B2の位置に対応するピクセルを検出する。距離算出手段34は、検出手段33により検出したピクセルを基に、各ライン画像データについて、エッジEから境界開始線B1の距離D1、エッジEから境界終了線B2の距離D2、及び、境界幅BWを算出する。評価手段35は、距離算出手段34により各径方向のラインについて算出された、エッジEから境界開始線B1の距離D1、エッジEから境界終了線B2の距離D2、及び、境界幅BWによりウェハ6の評価を行う。
図5は、基盤検査装置1における動作フローを示す図である。ここでは、カメラ5としてラインカメラが使用される場合について説明する。
まず、コンピュータ10の入力手段12により、操作者から検査開始の指示が入力される(ステップS110)。この指示の入力時、ウェハ製造ラインの番号や、半導体製造ラインの番号等も入力される。指示手段13は、撮影準備を各部に指示する(ステップS120)。すなわち、指示手段13は、カメラ5へ同軸照明をONにするよう指示する。指示を受けたカメラ5は同軸照明をONし、光源3を使用する場合には、それと同時に光源3がONになる。光源3を使用するか否かは、記憶手段14内に予め記憶されている光源使用有無を示す設定データを読み出して判断するか、ステップS1において操作者が入力する。さらに、指示手段13は、ウェハ6の周縁を1周撮影した画像データが何ピクセルかの設定数を示す画像取り込みライン数などの設定データを記憶手段14から読み出す。例えば、ラインカメラの場合、1ピクセル=12umとして、縦512ピクセル×縦7850ピクセルとする、などである。指示手段13は、支持台2の回転速度を制御装置4へ指示し、サンプリング待ち状態にする。
次に、基盤検査装置1は、ウェハ6を回転させる(ステップS130)。つまり、制御装置4は、ステップS120において指示された回転速度に従って、支持台2を回転させる。支持台2の回転が定速になったら、ステップS120において読み出した画像の取り込みライン数や指示台の回転速度に基づいた間隔での連続撮影をカメラ5へ指示する。カメラ5は、ウェハ6の周縁部分を、膜7の周縁を含むように連続撮影した画像データをコンピュータ10へ送信する。コンピュータ10の受信手段15は、受信した画像データと、ウェハ製造ラインの番号、半導体製造ラインの番号とを対応付けて記憶手段14へ書き込む。指示手段13は、ウェハ6の外周を1周撮影し終えると、カメラ5、制御装置4へ撮影終了を指示する(ステップS140)。指示手段13は、記憶手段14内に記憶した画像データを基に、各ウェハ6の各径方向についてエッジEと境界開始線B1及び境界終了線B2との距離、ならびに、境界幅BWを算出し、この算出値を基にウェハ6の品質評価のための解析処理を行う(ステップS150)。
なお、カメラ5がエリアカメラである場合、指示台2を回転、停止し、カメラ5で撮影する、という手順を繰り返すことにより静止画を撮影することでもよく、指示台2を停止させずに撮影することにより動画を撮影してもよい。
図7は、輝度の変化によりウェハ6の画像データからエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。
同図に示すウェハ6の画像データは、垂直方向がウェハ6の中心角0〜360度の円周方向に相当し、水平方向がウェハ6の中心から円周方向、すなわち、径方向に相当する。以下では、円周方向(垂直方向)をX方向、径方向(水平方向)をY方向とも記載する。
コンピュータ10の抽出手段32は、読込手段31が記憶手段14から読み込んだ画像データから、Y方向(径方向)のラインに相当する部分、すなわち、同じX位置のピクセルを抽出してライン画像データとする。具体的には、X方向がx(0〜n)位置、Y方向がy(0〜m)位置のピクセルをPxyとしたときに、抽出されるライン画像データは、(Pi1,Pi2,…,Pim)(i=0〜n)となる。検出手段33は、このライン画像データにより、エッジE上の位置に相当するピクセルPE、境界開始線B1上の位置に相当するピクセルPB1、及び、境界終了線B2上の位置に相当するピクセルPB2を検出する。
具体的には、検出手段33は、ライン画像データのピクセルの輝度値を、ウェハ6の外側から中心方向へ対応するピクセルへと順に検査する。光源3が使用されていない場合、検出手段33は、急激に輝度値が大きくなったピクセル、すなわち、ベベル端検出閾値より輝度値が大きくなったピクセルがベベル端E2上のピクセルPE2であると判断し、これをエッジE上のピクセルPEとする。一方、光源3が使用されている場合、検出手段33は、急激に輝度値が小さくなったピクセル、すなわち、実エッジ検出閾値より輝度値が小さくなったピクセルが実エッジE1上のピクセルPE1であると判断し、これをエッジE上のピクセルPEとする。検出手段33は、さらに、ライン画像データのピクセルをウェハ6の中心方向に対応する順に検査していったとき、急激に輝度値が小さくなったピクセル、すなわち、境界開始検出閾値より輝度値が小さくなったピクセルを境界開始線B1上のピクセルPB1と判断し、続いて、急激に輝度値が大きくなったピクセル、すなわち、境界終了検出閾値より輝度値が大きくなったピクセルが境界終了線B2上のピクセルPB2であると判断する。なお、ベベル端検出閾値、実エッジ検出閾値、境界開始検出閾値、境界終了検出閾値は、予め記憶手段14に記憶され、検出手段33により読み出されるものとする。
図8は、検出手段33において、微分によりエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。
同図においては、光源3を用いずに撮影したライン画像データの輝度値の変化を1次微分したグラフを示している。この微分のピークのある位置のピクセルが、急激に輝度値が変化しているピクセルであると判断することができる。従って、検出手段33は、ウェハ6の外側に対応するピークから順に、べベル端ピーク検出閾値よりピークが下回ったピクセルをベベル端E2上のピクセルPE2、境界開始線ピーク検出閾値よりピークが上回ったピクセルを境界開始線B1上のピクセルPB1、境界終了線ピーク検出閾値よりピークが下回ったピクセルを境界終了線B2上のピクセルPB2を検出する。光源3を用いて撮影した場合、ウェハ6の最も外側に位置し、実エッジピーク検出閾値よりピークが上回ったピクセルを実エッジE1上のピクセルPE1として検出し、このピクセルPE1よりウェハ6の中心方向へは、光源3を用いずに撮影したライン画像データと同様に、ベベル端E2上のピクセルPE2、境界開始線B1上のピクセルPB1、境界終了線B2上のピクセルPB2を検出する。これは、画像のコントラストが十分でない場合や、画像にムラが多い場合などに有効である。なお、ベベル端ピーク検出閾値、実エッジピーク検出閾値、境界開始ピーク検出閾値、境界終了ピーク検出閾値は、予め記憶手段14に記憶され、検出手段33により読み出されるものとする。
図9は、検出手段33において、処理範囲を限定してエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。
同図において、検出手段33は、予め、複数のY方向(径方向)の画像データを抽出して、同じX位置のピクセルの輝度値を平均化する。この平均化した輝度値のピーク、すなわち、所定の閾値を超える輝度値が現れたY方向の範囲に、実エッジE1(光源3を用いて撮影したライン画像データの場合のみ)、ベベル端E2、境界開始線B1、境界終了線B2に対応するピクセルが現れるものと想定される。同図においては、ライン(a)〜(c)の三箇所のY方向の画像データを平均化している。これにより、ウェハ6上に画像上で境界線が分岐、消失、再出するなど不安定な場合であっても、このピーク位置の示す検出範囲に限定して、上述する図7や図8に示す方法により輝度値の変化を調べ、実エッジE1上のピクセルPE1、ベベル端E2上のピクセルPE2、境界開始線B1上のピクセルPB1、境界終了線B2上のピクセルPB2を有効に検出することができる。また、輝度値の変化が検出できない場合は、このピーク範囲の所定の位置、例えば、ピークの端をエッジ、境界線として検出することにより、データが途切れるのを防ぐことができる。
図10は、上述する方法により検出したエッジE上のピクセルPE、境界開始線B1上のピクセルPB1、及び、境界終了線B2上のピクセルPB2を基に生成され、出力手段17に出力されるグラフを示す図である。同図においては、エッジEから境界開始線B1の距離D1、及び、境界幅BWをX方向、すなわち、エッジ6の中心角の方向に並べてグラフ化し、グラフ中には、さらに、エッジEから境界開始線B1の距離D1の近似sinカーブが表示されている。なお、エッジEから境界終了線B2の距離D2をX方向に並べてグラフ化して表示することもできる。エッジEから境界開始線B1の距離D1は、エッジE上のピクセルPEと、境界開始線B1上のピクセルPB1間が何ピクセル分離れているかを求め、そのピクセル数と1ピクセルあたりの長さを乗算して算出される。同様に、エッジEから境界終了線B2の距離D2は、エッジE上のピクセルPEと、境界終了線B2上のピクセルPB2間が何ピクセル分離れているかにより算出される。また、境界幅BWは、エッジEから境界終了線B2の距離D2からエッジEとエッジEから境界開始線B1の距離D1を減算して算出してもよく、境界開始線B1上のピクセルPB1と、境界終了線B2上のピクセルPB2間が何ピクセル分離れているかにより算出してもよい。
なお、上記において、抽出手段32は、同じX位置のY方向の1ラインについて画像データからピクセルを抽出してライン画像データとしているが、画像データから平均化ライン数L分のY方向のピクセルを抽出し、そのLライン分の画像データの輝度値を同じY位置について平均化してライン画像データとしてもよい。具体的に示すと、x=iの位置からLライン分抽出した画像データ(Pi1,Pi2,…,Pim)、(P(i+1)1,P(i+1)2,…,P(i+1)m)、…、(P(i+L-1)1,P(i+L-1)2,…,P(i+L-1)m)について、同じY位置のピクセルの輝度値を平均化して平均化データ(PL1,PL2,…,PLm)を作成する。このとき、ピクセルPLk(k=1〜m)の輝度値は、Pik,P(i+1)k,…,P(i+L-1)kの輝度値の平均である。この平均化データをライン画像データとして使用することにより、各Y方向のラインを個別に処理するのではなく、複数の水平性の平均を処理し、微小なごみの除去を行う。また、処理時間も短縮される。なお、平均化ライン数Lは、予め記憶手段14に記憶される。
図6は、図5のステップS150におけるコンピュータ10の処理フローを示す図である。
まず、コンピュータ10の読込手段31は、記憶手段14から解析対象の画像データ、ウェハ6の製造ラインの番号及び半導体製造ラインの番号などの情報を読み出す。抽出手段32は、記憶手段14から平均化ライン数L(Lは1以上)、画像データ内でどの方向がウェハ6の外側方向であるかなどの設定データを読み出す(ステップS210)。抽出手段32は、ウェハ6の中心角が0度に相当する径方向のラインから順に、平均化ライン数L分のラインのピクセルを抽出する。抽出手段32は、L=1の場合、読み出したラインのピクセルをそのままライン画像データとし、L>1の場合は、同じY位置のピクセルについて輝度値を平均化してライン画像データとする。
次に、検出手段33は、解析対象の画像データが、ボトムライトがONの状態で撮影されたものであるか否かを判断する(ステップS220)。検出手段33は、読込手段31が読み出した画像データから、ウェハ6の外側に相当する所定領域のピクセルを画像データから読み出し、このピクセルの平均輝度が所定の閾値、例えば、30以上である場合に、光源3によるボトムライトが使用されて撮影された画像データであると判断する。
ボトムライトがONであると判断した場合(ステップS220:YES)、検出手段33は、記憶手段14から実エッジ検出閾値を読み出す。検出手段33は、ライン画像データのピクセルの輝度値をウェハ6の外側から中心方向へ対応するピクセルへと順に検査し、実エッジ検出閾値より小さな輝度値のピクセルを検出する(ステップS230)。一方、ボトムライトがOFFであると判断した場合(ステップS220:NO)、検出手段33は、記憶手段14からベベル端検出閾値を読み出す。検出手段33は、ライン画像データのピクセルの輝度値をウェハ6の外側から中心方向へ対応するピクセルへと順に検査し、ベベル端検出閾値より大きな輝度値のピクセルを検出する(ステップS240)。
続いて、検出手段33は、記憶手段14から境界開始検出閾値を読み出し、ステップS230あるいはS240において検出したピクセルからさらに、ウェハ6の中心方向へに対応するピクセルへと順に検査し、境界開始検出閾値より小さな輝度値のピクセルを検出する(ステップS250)。検出手段33は、記憶手段14から境界終了検出閾値を読み出し、ステップS250において検出したピクセルからさらに、ウェハ6の中心方向へに対応するピクセルへと順に検査し、境界終了検出閾値より大きな輝度値のピクセルを検出する(ステップS260)。検出手段33は、ステップS230またはステップS240において検出したピクセルをエッジE上のピクセルPE、ステップS250で検出したピクセルを境界開始線B1上のピクセルPB1、ステップS260で検出したピクセルを境界終了線B2上のピクセルPB2とする。
検出手段33は、ステップS220の判断結果に基づいて、再び、ボトムライトがONであるか否かを判断し(ステップS280)、ONであると判断した場合(ステップS220:YES)、記憶手段14からベベル端検出閾値を読み出す。検出手段33は、ステップS230において検出したピクセルからさらに、ウェハ6の中心方向へに対応するピクセルへと順に検査し、ベベル端検出閾値より大きな輝度値のピクセルを検出し、これをベベル端E2上のピクセルPB2とする(ステップS290)。
続いて、距離算出手段34は、エッジEから境界開始線B1の距離D1を算出する(ステップS300)。すなわち、距離算出手段34は、記憶手段14から1ピクセルに相当する長さを示す設定データを読み出す。そして、ピクセルPEとピクセルPB1間が何ピクセル分離れているかを算出し、その算出したピクセル数と、1ピクセルに相当する長さを乗算して、距離D1を算出する。次に、距離算出手段34は、エッジEから境界終了線B2の距離D2を算出する(ステップS310)。すなわち、距離算出手段34は、ピクセルPEとピクセルPB2間が何ピクセル分離れているかを算出し、その算出したピクセル数と、1ピクセルに相当する長さを乗算して、距離D2を算出する。そして、距離D2から距離D1を減算して境界幅BWを算出する。また、さらに、光源3を使用して撮影した画像データである場合、距離算出手段34は、距離算出手段34は、ピクセルPB1とピクセルPB2間が何ピクセル分離れているかを算出し、その算出したピクセル数と、1ピクセルに相当する長さを乗算して、物理エッジE1からベベル端E2までの距離、すなわち、ベベル幅D3を算出する。
抽出手段32は、画像データからまだ抽出していない径方向のラインがあるか否かを判断する(ステップS320)。まだ抽出していない径方向のラインがある場合(ステップS320:NO)、次の径方向のラインから、平均化ライン数Lで示されるライン数分のラインのピクセルを抽出し(ステップS330)、ステップS220からの処理を繰り返す。一方、全てのラインについて抽出を終了したと判断した場合(ステップS320:YES)、評価手段35は、データ解析を実行する(ステップS340)。
評価手段35は、ステップS340の解析処理において以下を行う。
(1)評価手段35は、各ラインについて算出したエッジEから境界開始線B1の距離D1、エッジEから境界終了線B2の距離D2、及び、境界幅BWと、ウェハ6の中心角との相関関係、ならびに、距離D1を近似したsinカーブを示すグラフの出力データを生成し、出力手段17に出力させる。光源3を使用して撮影した画像データの場合、ベベル幅D3とウェハ6の中心角との相関関係もグラフ化して出力手段17に出力させる。
(2)評価手段35は、各ラインについて算出したエッジEから境界開始線B1の距離D1、エッジEから境界終了線B2の距離D2、境界幅BW、ベベル幅D3から、それぞれの最小値及び最大値を抽出するとともに、標準偏差、及び、ばらつき度合(標準偏差×3)を算出し、出力手段17に出力させる。さらに、評価手段35は、記憶手段14から距離D1、距離D2、境界幅BW、ベベル幅D3の最小値、最大値、標準偏差、ばらつき度合(標準偏差×3)のエラー検出閾値を読み出し、それぞれの算出値と比較する。算出値がエラー検出閾値を超えていものがある場合、どの項目がどれだけエラー検出閾値を超えているかを出力手段17へ出力させる。
(3)評価手段35は、記憶手段14から距離D1、距離D2、境界幅BW、ベベル幅D3のピーク検出閾値、及び、ピーク数閾値を読み出す。そして、(1)で出力したグラフにおいて、エッジEから境界開始線B1の距離D1、エッジEから境界終了線B2の距離D2、境界幅BW、ベベル幅D3について、それぞれのピーク検出閾値を超えている中心角を抽出する。評価手段35は、所定の中心角の範囲の中に、抽出したピーク数が、ピーク数閾値を超えている箇所がある場合には、どの項目がピーク数閾値を超えているかと、その中心角の範囲とを出力手段17に表示させる。
(4)評価手段35は、(1)に示すグラフにおいて、距離D1を近似したsinカーブの位相と振幅を出力手段17に表示させる。この位相と振幅により、膜7がウェハ6のセンタにどの程度片寄り無く形成されているか、また、膜7がどれだけ円に近いかを判断することができる。さらに、評価手段35は、記憶手段14から位相と振幅の閾値を読み出し、近似したsinカーブの位相または振幅が閾値を超えている場合に、エラーを出力する。
なお、評価手段35は、ウェハ製造ラインの番号、及び、半導体製造ラインの番号と、上記の(1)〜(4)における検査結果とを対応付けるデータを記憶手段14に書き込む。これにより、どの番号のウェハ製造ライン、半導体製造ラインの性能がよいか、あるいは、どのようなエラーが多いか等の傾向をみることができる。
なお、上記処理において、検出手段33は、輝度値の変化によるピクセルを検出しているが、図7に示す輝度値の微分を用いて検出することでもよい。また、検出手段33は、ステップS210の処理の前に、図9に示す方法を用いて処理範囲を限定し、上記処理、または、図7に示す輝度値の微分を用いた検出を行うことでもよい。また、予め記憶手段14内に、使用する検出方法の種別を記憶しておき、この種別に応じて検出方法を変えることでもよい。
なお、膜7の境界部71がウェハ6の担面に対して垂直に近いときや膜7の性質によっては、画像では、境界終了線B2が検出されず、境界開始線B1のみが1本の線として検出されたり、あるいは、線としては検出されない場合がある。1本の線として検出される場合、上記と同様の方法により線を検出し、境界開始線B1とみなす。また、線として検出されない場合であっても、境界部71からエッジE側と、境界部71からウェハ6の中心側とでは、輝度の変化が見られるため、この輝度の変化位置を検出して境界開始線B1とみなす。ただし、境界部71からウェハ6の中心側が、境界部71からエッジE側より暗い場合、明るい場合の両方がありうる。境界部71からウェハ6の中心側が、境界部71からエッジE側より暗い場合、及び、境界部71からウェハ6の中心側が、境界部71からエッジE側より明るい場合で、かつ、輝度値の微分によりピクセルを検出する場合は上記と同様の方法により境界開始線B1を検出することができる。一方、境界部71からウェハ6の中心側が、境界部71からエッジE側より明るい場合で、かつ、輝度値の変化によりピクセルを検出する場合は、ライン画像データのピクセルをウェハ6の中心方向に対応する順に検査していったとき、ベベル端E2上のピクセルPE2の検出後、境界開始検出閾値より輝度値が大きくなったピクセルを境界開始線B1上のピクセルPB1と判断すればよい。
また、このように、境界終了線B2が検出されないときには、上記処理のうち、境界終了線B2に関する処理は実行しない。
なお、上述のコンピュータ10は、内部にコンピュータシステムを有している。そして、上述したコンピュータ10の解析手段16内の各手段の動作の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータシステムが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでいうコンピュータシステムとは、OSや周辺機器等のハードウェアを含むものである。
また、「コンピュータシステム」は、WWWシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境(あるいは表示環境)も含むものとする。
また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリのように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良く、さらに前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるものであっても良い。
本発明の一実施の形態による基盤検査装置の全体構成を示す図である。 ウェハの断面とカメラにより撮影された画像との関係を示す図である。 ウェハの断面とカメラにより撮影された画像との関係を示す図である。 コンピュータの内部構成を示すブロック図である。 基盤検査装置における検査フローを示す図である。 コンピュータの処理フローを示す図である。 輝度の変化によりエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。 微分によりエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。 処理範囲を限定してエッジ及び境界線上のピクセルを検出する方法を説明するための図である。 基盤検査装置の出力するグラフを示す図である。
符号の説明
1…基盤検査装置、 2…支持台、 3…光源、 4…制御装置、 5…カメラ、 6…ウェハ、 7…膜、 10…コンピュータ、 11…制御手段、 12…入力手段、 13…指示手段、 14…記憶手段、 15…受信手段、 16…解析手段、 17…出力手段、 31…読込手段、 32…抽出手段、 33…検出手段、34…距離算出手段、 35…評価手段、 61…ベベル、 71…境界部

Claims (9)

  1. 上部に膜が形成された基盤の周縁部分を、前記膜の周縁を含むように撮影した画像データを読み込む読込手段と、
    前記読込手段により読み込んだ画像データから前記基盤の径方向のライン毎にライン画像データを抽出する抽出手段と、
    前記抽出手段により抽出した各ライン画像データそれぞれについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、前記基盤のエッジ位置及び前記膜の境界開始位置、または、前記基盤のエッジ位置、前記膜の境界開始位置及び前記膜の境界終了位置に対応するピクセルを検出する検出手段と、
    前記検出手段により検出したピクセルを基に、各ライン毎に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離を算出する距離算出手段と、
    前記距離算出手段により算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離の最大値、最小値、または、標準偏差と、これらの閾値とを比較して異常を検出する評価手段と、
    を備えることを特徴とする基盤検査装置。
  2. 前記評価手段は、前記距離算出手段により算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離と、前記基盤の中心角との相関関係のグラフを出力させる、
    ことを特徴とする請求項1に記載の基盤検査装置。
  3. 前記評価手段は、所定の中心角の範囲内に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、または、前記エッジから前記境界終了位置の距離のピークが所定数以上発生している場合に異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項2に記載の基盤検査装置。
  4. 前記評価手段は、前記基盤の中心角と、前記エッジから前記境界開始位置の距離、または、前記エッジから前記境界終了位置の距離との相関関係から、近似する基準波形を算出し、算出した基準波形の振幅または位相と、振幅または位相の閾値を超えている場合に異常を検出する、
    ことを特徴とする請求項2または請求項3のいずれかの項に記載の基盤検査装置。
  5. 前記画像データは、撮像手段が、当該撮影手段とは前記基盤を挟んだ対称位置から光を当てて撮影した画像のデータであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかの項に記載の基盤検査装置。
  6. 前記検出手段は、前記ライン画像データを構成するピクセルを、ウェハの外側から中心方向に順に検査し、最初に輝度が所定以上暗くなったピクセルを前記ウェハのエッジに対応するピクセルとして検出する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の基盤検査装置。
  7. 前記検出手段は、前記画像データから所定の中心角の範囲に対応した径方向の複数ラインのピクセルを抽出し、抽出した各ラインのピクセルの輝度を同じ周方向のピクセル毎に平均して前記ライン画像データとする、
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかの項に記載の基盤検査装置。
  8. 前記検出手段は、前記画像データから径方向の複数ラインのピクセルを抽出し、抽出した各ピクセルの輝度を同じ周方向のピクセル毎に平均し、その平均した輝度の変化のピーク位置に相当する径方向の範囲のピクセルにおいて、前記エッジ及び前記境界開始位置、または、前記エッジ、前記境界開始位置及び前記境界終了開始位置に対応するピクセルを検出する、
    ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかの項に記載の基盤検査装置。
  9. 上部に膜が形成された基盤の周縁部分を、前記膜の周縁を含むように撮影した画像データを読み込む読込過程と、
    前記読込過程において読み込んだ画像データから前記基盤の径方向のライン毎にライン画像データを抽出する抽出過程と、
    前記抽出過程において抽出した各ライン画像データそれぞれについて、当該ライン画像データを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、前記基盤のエッジ位置及び前記膜の境界開始位置、または、前記基盤のエッジ位置、前記膜の境界開始位置及び前記膜の境界終了位置に対応するピクセルを検出する検出過程と、
    前記検出過程において検出したピクセルを基に、各ライン毎に、前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離を算出する距離算出過程と、
    前記距離算出過程において算出された前記エッジから前記境界開始位置の距離、前記エッジから前記境界終了位置の距離、または、前記境界開始位置から前記境界終了位置の距離の最大値、最小値、または、標準偏差と、これらの閾値とを比較して異常を検出する評価過程と、
    からなることを特徴とする基盤検査方法。

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124132A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Shibaura Mechatronics Corp 円盤状基板の検査装置
JP2010010234A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Hitachi High-Technologies Corp 被検査物の検査装置及び検査方法
JP2010019671A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Mitsutoyo Corp 校正用治具、形状測定装置、及びオフセット算出方法
JP2011109142A (ja) * 2011-02-28 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 表示装置、及び検査装置
FR2971082A1 (fr) * 2011-01-31 2012-08-03 Soitec Silicon On Insulator Dispositif pour la mesure de la largeur de couronne d'une structure multicouche
KR101785790B1 (ko) * 2014-09-17 2017-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 얼라인먼트 장치
KR101809768B1 (ko) * 2010-02-08 2017-12-15 가부시키가이샤 니콘 검출 방법 및 검출 장치
JP2018181895A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 レーザーテック株式会社 測定装置及び測定方法
TWI695156B (zh) * 2018-04-13 2020-06-01 日商Sumco股份有限公司 半導體晶圓的評價方法及半導體晶圓的製造方法
JP2020107783A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社Sumco 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法
JP2021131331A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 東レエンジニアリング株式会社 基板エッジ検査装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002508081A (ja) * 1998-04-27 2002-03-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ サンプル・エッジの近傍の薄膜又は食刻タイプの構造体内の薄膜の厚さを計測するための方法及び装置
JP2002134575A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Sony Corp 基板周縁検査方法、電子基板の製造方法および基板周縁検査装置
JP2003207332A (ja) * 2002-01-09 2003-07-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 幅寸法測定装置および薄膜位置測定装置
JP2004518293A (ja) * 2001-01-26 2004-06-17 アプライド ビジョン テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体ウェーハ検査装置及びその方法
JP2006005360A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh ウエハ検査方法及びシステム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002508081A (ja) * 1998-04-27 2002-03-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ サンプル・エッジの近傍の薄膜又は食刻タイプの構造体内の薄膜の厚さを計測するための方法及び装置
JP2002134575A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Sony Corp 基板周縁検査方法、電子基板の製造方法および基板周縁検査装置
JP2004518293A (ja) * 2001-01-26 2004-06-17 アプライド ビジョン テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体ウェーハ検査装置及びその方法
JP2003207332A (ja) * 2002-01-09 2003-07-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 幅寸法測定装置および薄膜位置測定装置
JP2006005360A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh ウエハ検査方法及びシステム

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124132A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Shibaura Mechatronics Corp 円盤状基板の検査装置
JP2010010234A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Hitachi High-Technologies Corp 被検査物の検査装置及び検査方法
JP2010019671A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Mitsutoyo Corp 校正用治具、形状測定装置、及びオフセット算出方法
US8416426B2 (en) 2008-07-10 2013-04-09 Mitutoyo Corporation Calibrating jig, profile measuring device, and method of offset calculation
KR101809768B1 (ko) * 2010-02-08 2017-12-15 가부시키가이샤 니콘 검출 방법 및 검출 장치
FR2971082A1 (fr) * 2011-01-31 2012-08-03 Soitec Silicon On Insulator Dispositif pour la mesure de la largeur de couronne d'une structure multicouche
JP2011109142A (ja) * 2011-02-28 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 表示装置、及び検査装置
KR101785790B1 (ko) * 2014-09-17 2017-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 얼라인먼트 장치
JP2018181895A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 レーザーテック株式会社 測定装置及び測定方法
TWI695156B (zh) * 2018-04-13 2020-06-01 日商Sumco股份有限公司 半導體晶圓的評價方法及半導體晶圓的製造方法
JP2020107783A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社Sumco 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法
JP7003907B2 (ja) 2018-12-28 2022-01-21 株式会社Sumco 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法
JP2021131331A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 東レエンジニアリング株式会社 基板エッジ検査装置
JP7372173B2 (ja) 2020-02-20 2023-10-31 東レエンジニアリング株式会社 基板エッジ検査装置

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