JP2007192944A - Liquid crystal display device and manufacturing method therefor - Google Patents

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Hiroyuki Osada
洋之 長田
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device permitting to raise a yield without occurrence of display unevenness such as tone reversal even if colored layer is polished. <P>SOLUTION: Auxiliary capacitance lines 20 are formed on a glass substrate 14, and hexagonal holes of a plane form are formed in the auxiliary capacitance lines 20 at the portions scheduled to cross signal lines 18 so that the auxiliary capacitance lines 20 are not disconnected. Next, after forming an interlayer insulating film 32, the signal lines 18 are formed and a colored layer 26 is formed thereon, then, the colored layer 26 in the hole forming areas is formed with a base 27 relatively lower than wall parts 34 in the peripheral parts. Since the base 27 is not polished even when the colored layer 26 is polished, spacers 28 are erected on this base 27. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、アレイ基板上に着色層が設けられた液晶表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a colored layer is provided on an array substrate and a method for manufacturing the same.

現在の液晶表示装置は、電極を有する2枚のガラス基板の間に液晶層を挟持し、2枚のガラス基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で固定されていて、液晶封入口が封止材で封止された構成を成している。この2枚のガラス基板の間の距離を一定に保つためのスペーサが基板上に設置されている。   In the current liquid crystal display device, a liquid crystal layer is sandwiched between two glass substrates having electrodes, and the periphery of the two glass substrates is fixed with an adhesive except for the liquid crystal sealing port. The structure sealed with the sealing material is comprised. A spacer for keeping the distance between the two glass substrates constant is installed on the substrate.

この中で、カラー表示用の液晶表示装置は、2枚のガラス基板の内1枚にRGBの着色層の付いたカラーフィルタが形成されている。例えば、カラー型アクティブマトリックス駆動方法を用いた液晶表示装置においては、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどの半導体からなる薄膜トランジスタ(以下、単にTFTという)よりなる半導体層と、この半導体層に接続された画素電極とソース電極、ゲート電極が形成されたアレイ基板と、それに対向設置された対向電極を有し、RGBの着色層をアレイ基板上に形成したものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−171784公報
Among these, in a liquid crystal display device for color display, a color filter having an RGB colored layer is formed on one of two glass substrates. For example, in a liquid crystal display device using a color type active matrix driving method, a semiconductor layer made of a thin film transistor (hereinafter simply referred to as TFT) made of a semiconductor such as polysilicon or amorphous silicon, and a pixel electrode connected to the semiconductor layer And an array substrate on which a source electrode and a gate electrode are formed, and a counter electrode disposed opposite to the array substrate, and an RGB colored layer is formed on the array substrate (for example, see Patent Document 1). .
JP 2000-171784 A

上記のようなアレイ基板にカラーフィルタの機能を有する着色層を有した液晶表示装置において、各色の両端部分は、それ以外の部分に比べ硬化時の収縮および信号線の段差の影響で盛り上がっている。この盛り上がりの影響で黒表示した際にこの部分から光抜けしコントラストが低下する。そのためこのコントラストの低下を防止するために、盛り上がり部分を研磨剤で研磨して除去している。   In the liquid crystal display device having a colored layer having a color filter function on the array substrate as described above, both end portions of each color are raised due to shrinkage at the time of curing and the step of the signal line compared to the other portions. . Due to the rise, when black is displayed, light is lost from this portion and the contrast is lowered. Therefore, in order to prevent this decrease in contrast, the raised portion is removed by polishing with an abrasive.

しかしながら、このような着色層の盛り上がり部分を除去すると、階調反転などの表示ムラが起きて歩留りが低下するという問題点があった。   However, if such a raised portion of the colored layer is removed, there is a problem that display unevenness such as gradation inversion occurs and the yield decreases.

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、着色層を研磨しても、階調反転などの表示ムラが起きず歩留りが向上する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。   In view of the above problems, the present invention provides a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, in which display unevenness such as gradation inversion does not occur even when a colored layer is polished, and the yield is improved.

請求項1の発明は、アレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを備え、前記アレイ基板には、マトリックス状に配線された複数のゲート線及び複数の信号線と、前記ゲート線と前記信号線との交差部における画素毎に設けられ、前記ゲート線と前記信号線との各々に接続されたスイッチング半導体層と、前記スイッチング半導体層に接続された画素電極と、前記画素毎に色が異なるように形成されたカラーフィルタの機能を有する着色層と、前記複数のゲート線と平行に配線された複数の補助容量線と、を有し、前記対向基板は対向電極を有する液晶表示装置において、前記信号線と前記ゲート線、または、前記補助容量線の交点部分における着色層を相対的に周辺部分より低くし、前記低くした着色層にスペーサの機能を有する突起を形成することを特徴とする液晶表示装置である。   The invention of claim 1 includes an array substrate, a counter substrate disposed opposite to the array substrate, and a liquid crystal layer disposed between the two substrates, and a plurality of wirings arranged in a matrix on the array substrate. A gate line and a plurality of signal lines, a switching semiconductor layer provided for each pixel at an intersection of the gate line and the signal line, and connected to each of the gate line and the signal line, and the switching semiconductor A pixel electrode connected to the layer, a colored layer having a function of a color filter formed to have a different color for each pixel, and a plurality of auxiliary capacitance lines wired in parallel with the plurality of gate lines. In the liquid crystal display device in which the counter substrate has a counter electrode, the colored layer at the intersection of the signal line and the gate line or the auxiliary capacitance line is relatively lower than the peripheral part, A liquid crystal display device, which comprises forming a projection having a spacer function to the lower color layer.

請求項6の発明は、アレイ基板を形成する工程と、前記アレイ基板に対向する対向基板を形成する工程と、前記両基板間に配置された液晶層とを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、前記アレイ基板を形成する工程が、絶縁基板上に複数のゲート線と、前記複数のゲート線と略平行に複数の補助容量線と、前記ゲート線とつながる複数のスイッチング素子とを形成する第1工程と、前記ゲート線及び前記補助容量線の上層に層間絶縁膜を形成する第2工程と、前記層間絶縁膜の上層に、前記ゲート線及び前記補助容量線と略直交させて複数の信号線を形成する第3工程と、前記複数の信号線の上層に着色層を形成する第4工程と、前記着色層を研磨する第5工程と、前記着色層の上層に画素電極を形成する第6工程と、前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点にスペーサの機能を有する突起を形成する第7工程と、を有し、前記第1工程が、前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点に穴部を設ける工程を含み、前記第7工程が、前記交点に設けた穴部にスペーサを形成する工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a step of forming an array substrate; a step of forming a counter substrate facing the array substrate; and a step of forming a liquid crystal layer disposed between the substrates. In the manufacturing method of the apparatus, the step of forming the array substrate includes a plurality of gate lines on the insulating substrate, a plurality of auxiliary capacitance lines substantially parallel to the plurality of gate lines, and a plurality of gate lines connected to the gate lines. A first step of forming a switching element; a second step of forming an interlayer insulating film above the gate line and the auxiliary capacitance line; and the gate line and the auxiliary capacitance line above the interlayer insulating film; A third step of forming a plurality of signal lines substantially orthogonal to each other; a fourth step of forming a colored layer on an upper layer of the plurality of signal lines; a fifth step of polishing the colored layer; and an upper layer of the colored layer A sixth step of forming pixel electrodes on the substrate; Forming a projection having a function of a spacer at an intersection of the gate line, the auxiliary capacitance line, and the signal line, and the first step includes the gate line, the auxiliary capacitance line, and the signal line. A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the step of providing a hole at an intersection with a signal line, wherein the seventh step is a step of forming a spacer in the hole provided at the intersection.

請求項7の発明は、アレイ基板を形成する工程と、前記アレイ基板に対向する対向基板を形成する工程と、前記両基板間に配置された液晶層とを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、前記アレイ基板を形成する工程が、絶縁基板上に複数のゲート線と複数の補助容量線とを略平行に形成する第1工程と、前記ゲート線及び前記補助容量線の上層に層間絶縁膜を形成する第2工程と、前記層間絶縁膜の上層に、前記ゲート線及び前記補助容量線と略直交させて複数の信号線と、前記ゲート線とつながる複数のスイッチング素子と、を形成する第3工程と、前記複数の信号線の上層に着色層を形成する第4工程と、前記着色層を研磨する第5工程と、前記着色層の上層に画素電極を形成する第6工程と、前記交点部分にスペーサを形成する第7工程と、を有し、前記第3工程が、前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点に穴部を設ける工程を含有し、前記第7工程が、前記交点に設けた穴部にスペーサの機能を有する突起を形成する工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。   The invention of claim 7 includes a step of forming an array substrate, a step of forming a counter substrate opposite to the array substrate, and a step of forming a liquid crystal layer disposed between the substrates. In the manufacturing method of the device, the step of forming the array substrate includes a first step of forming a plurality of gate lines and a plurality of auxiliary capacitance lines on the insulating substrate substantially in parallel, and the gate lines and the auxiliary capacitance. A second step of forming an interlayer insulating film on the upper layer of the line; a plurality of signal lines on the upper layer of the interlayer insulating film substantially orthogonal to the gate line and the auxiliary capacitance line; and a plurality of switching connected to the gate line A third step of forming an element; a fourth step of forming a colored layer on the plurality of signal lines; a fifth step of polishing the colored layer; and forming a pixel electrode on the colored layer. The sixth step and A seventh step of forming a sensor, wherein the third step includes a step of providing a hole at the intersection of the gate line, the auxiliary capacitance line, and the signal line, and the seventh step A method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized by being a step of forming a protrusion having a spacer function in a hole provided at the intersection.

本発明者は、着色層を研磨すると階調反転などの表示ムラが起きる理由を調査した結果、セルギャップにばらつきができることが原因であるということが明らかになった。そして、このようなセルギャップにばらつきができる原因としては、着色層の研磨によりスペーサの下地の高さが変動していることも見出した。   As a result of investigating the reason why display unevenness such as gradation inversion occurs when the colored layer is polished, the present inventor has revealed that the cause is that the cell gap varies. The inventors have also found that the reason why the cell gap can vary is that the height of the base of the spacer varies due to the polishing of the colored layer.

そこで、本発明は、このスペーサの下地の高さの変動を防止するために、信号線とゲート線または補助容量線の交点部分における着色層を相対的に周辺部分より低くし、研磨による下地の削れを防止し、この低くした着色層にスペーサを立設させることにより、常に同じ高さのスペーサを配するようにした。   Therefore, in the present invention, in order to prevent the fluctuation of the height of the base of the spacer, the colored layer at the intersection of the signal line and the gate line or the auxiliary capacitance line is relatively lower than the peripheral part, By preventing the scraping and allowing the spacer to stand upright on the colored layer thus lowered, the spacer having the same height was always arranged.

以下に理由を説明する。スペーサはスペーサ自体からの光抜けの影響を防止するために、アレイ基板上の遮光部分、例えば、補助容量線またはゲート線の上に設置する必要がある。この際、スペーサの下地は配線の上となるため、配線の厚みに相当する分、周辺より高くなり、その上に形成する着色層も周辺より高くなる。研磨の際に周辺より高いと着色層の削れ量が大きくなるため、研磨条件の面内分布が変動した際に、研磨後の高さの変動が平坦部や周辺より低い部分に比べて大きくなる。そのため、従来においてはセルギャップの変動が大きくなっていた。   The reason will be described below. In order to prevent the influence of light leakage from the spacer itself, the spacer needs to be installed on a light shielding portion on the array substrate, for example, an auxiliary capacitance line or a gate line. At this time, since the base of the spacer is on the wiring, it is higher than the periphery by an amount corresponding to the thickness of the wiring, and the colored layer formed thereon is also higher than the periphery. If the polishing layer is higher than the periphery, the amount of scraping of the colored layer increases, so when the in-plane distribution of the polishing conditions changes, the height fluctuation after polishing becomes larger than the flat part or the part lower than the periphery. . For this reason, conventionally, the fluctuation of the cell gap has become large.

そこで、本発明はスペーサの下地を相対的に周囲の部分よりも低くすることにより、着色層の研磨の条件が変化してもスペーサの下地の高さの変動を小さくした。   Therefore, in the present invention, by making the base of the spacer relatively lower than the surrounding part, the variation in the height of the base of the spacer is reduced even if the polishing condition of the colored layer changes.

これにより、研磨により着色層の盛り上がり部分を除去してもギャップ変動を防止することができ、安価で表示性能の優れた液晶表示装置を得ることができる。   Thereby, even if the raised portion of the colored layer is removed by polishing, gap fluctuation can be prevented, and a liquid crystal display device that is inexpensive and excellent in display performance can be obtained.

(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態の液晶表示装置10について、図1〜図7に基づいて説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a liquid crystal display device 10 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態の液晶表示装置は、縦640ピクセル、横480x3(R,G,B)ピクセルを有したアレイ基板12を有している。   The liquid crystal display device of the present embodiment has an array substrate 12 having 640 vertical pixels and 480 × 3 (R, G, B) horizontal pixels.

アレイ基板12は、ガラス基板14の横方向に640本のゲート線16が配線され、また、このゲート線16と直交するようにマトリックス状に480x3本の信号線18が配線されている。また、ゲート線16と平行に640本の補助容量線20も配線されている。   In the array substrate 12, 640 gate lines 16 are wired in the horizontal direction of the glass substrate 14, and 480 × 3 signal lines 18 are wired in a matrix so as to be orthogonal to the gate lines 16. In addition, 640 auxiliary capacitance lines 20 are also wired in parallel with the gate lines 16.

ゲート線16と信号線18の交差部近傍には、ポリシリコン半導体よりなるスイッチング素子であるTFT22が形成されている。TFT22のゲート電極にはゲート線16が接続され、TFT22のソース電極には信号線18が接続され、TFT22のドレイン電極には画素電極24が接続されている。   A TFT 22 which is a switching element made of a polysilicon semiconductor is formed in the vicinity of the intersection of the gate line 16 and the signal line 18. A gate line 16 is connected to the gate electrode of the TFT 22, a signal line 18 is connected to the source electrode of the TFT 22, and a pixel electrode 24 is connected to the drain electrode of the TFT 22.

各画素毎には異なる色のカラーフィルタ(R,G,B)を形成する着色層26R,26G,26Bが形成されている。   Colored layers 26R, 26G, and 26B that form color filters (R, G, and B) of different colors are formed for each pixel.

図7に本実施形態における液晶表示装置の概略断面図を示す。アレイ基板12と対向して対向基板が配置される。この対向基板とアレイ基板12との間には液晶層が挟持され、このセルギャップを保持するためにスペーサ28が前記した着色層26の上に突起状に形成されている。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device according to this embodiment. A counter substrate is disposed to face the array substrate 12. A liquid crystal layer is sandwiched between the counter substrate and the array substrate 12, and a spacer 28 is formed in a protruding shape on the colored layer 26 in order to maintain this cell gap.

以下、このアレイ基板12の製造方法について順番に説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the array substrate 12 will be described in order.

(2)アレイ基板12の製造方法
以下の工程では、大型ガラス基板上に4枚のアレイ基板12を加工するものである。
(2) Manufacturing method of array substrate 12 In the following steps, four array substrates 12 are processed on a large glass substrate.

(2−1)第1工程
第1工程においては、大型ガラス基板を構成するガラス基板14の上に横方向に640本のゲート線16と640本の補助容量線20を形成する。この補助容量線20の幅を80μmで形成し、信号線18との交点部分において平面形状が略六角形の穴部30を形成する。この穴部30によって補助容量線20が断線されないように一部を接続する。穴部30の幅は20μmである。なお、TFT22を形成する工程は、この工程と以下の工程で同時に行うものである。
(2-1) First Step In the first step, 640 gate lines 16 and 640 auxiliary capacitance lines 20 are formed laterally on the glass substrate 14 constituting the large glass substrate. The auxiliary capacitance line 20 is formed with a width of 80 μm, and a hole 30 having a substantially hexagonal planar shape is formed at the intersection with the signal line 18. A part of the auxiliary capacitance line 20 is connected by the hole 30 so as not to be disconnected. The width of the hole 30 is 20 μm. The process of forming the TFT 22 is performed simultaneously with this process and the following processes.

(2−2)第2工程
第2工程においては、ゲート線16及び補助容量線20を形成した上の層に、層間絶縁膜32を形成する。
(2-2) Second Step In the second step, an interlayer insulating film 32 is formed on the layer on which the gate line 16 and the auxiliary capacitance line 20 are formed.

(2−3)第3工程
第3工程においては、480x3本の信号線18を形成する。信号線18の幅は26μmであり、補助容量線20との重なり部分は図2に示すように、穴部60の上層では平面形状が略六角形であり、他の信号線18の部分より太くなっている。
(2-3) Third Step In the third step, 480 × 3 signal lines 18 are formed. The width of the signal line 18 is 26 μm, and the overlapping portion with the auxiliary capacitance line 20 has a substantially hexagonal planar shape in the upper layer of the hole 60 as shown in FIG. 2, and is thicker than other signal line 18 portions. It has become.

(2−4)第4工程
第4工程においては、信号線18を形成した上に、緑色(G)の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストをスピナーによって全面に塗布し、いったん30Paに減圧した後、常圧に戻し80℃のホットプレートで3分間加熱して、溶剤を除去する。次いで、緑色に着色したい部分に光が照射されるようなフォトマスクを介し365nmの波長で100mJ/cmを照射する。その後、界面活性剤を含むKOHの0.05%水溶液で30秒間現像し、220℃で60分間焼成して、その部分に3.0μm厚さの緑色の着色層26Gを形成する。
(2-4) Fourth Step In the fourth step, after the signal line 18 is formed, an ultraviolet curable acrylic resin resist in which a green (G) pigment is dispersed is applied to the entire surface by a spinner, and once reaches 30 Pa. After depressurization, the pressure is returned to normal pressure and heated on a hot plate at 80 ° C. for 3 minutes to remove the solvent. Subsequently, 100 mJ / cm < 2 > is irradiated with the wavelength of 365 nm through the photomask which irradiates light to the part which wants to be colored green. Thereafter, development is performed with a 0.05% aqueous solution of KOH containing a surfactant for 30 seconds, and baking is performed at 220 ° C. for 60 minutes to form a green colored layer 26G having a thickness of 3.0 μm in that portion.

(2−5)第5工程
第5工程においては、青色(B)の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを用いて、第4工程と同様に3.0μm厚さの青色の着色層26Bを形成する。
(2-5) Fifth Step In the fifth step, a blue colored layer having a thickness of 3.0 μm is used in the same manner as in the fourth step, using an ultraviolet curable acrylic resin resist in which a blue (B) pigment is dispersed. 26B is formed.

(2−6)第6工程
第6工程においては、赤色(R)の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを用いて、第4工程と同様に3.0μm厚さの赤色の着色層26Rを形成する。
(2-6) Sixth Step In the sixth step, a red colored layer having a thickness of 3.0 μm is used in the same manner as in the fourth step, using an ultraviolet curable acrylic resin resist in which a red (R) pigment is dispersed. 26R is formed.

(2−7)第7工程
第7工程においては、シリカを主成分とする研磨剤と発泡ウレタン樹脂の研磨パッドを用いて研磨して着色層26G、26B、26Rの盛り上がり部分を除去し、ポリビニルアルコール製のスポンジで擦り洗いした後、純水でメガソニック洗浄し、エアナイフ乾燥でアレイ基板12を乾燥させる。
(2-7) Seventh Step In the seventh step, polishing is performed using a polishing pad mainly composed of silica and a foamed urethane resin polishing pad to remove the raised portions of the colored layers 26G, 26B, 26R, and polyvinyl chloride. After scrubbing with an alcohol sponge, megasonic cleaning is performed with pure water, and the array substrate 12 is dried by air knife drying.

(2−8)第8工程
第8工程においては、透明な画素電極24としてITO膜をスパッタ法にて150nm成膜し、画素電極形状にパターニングする。
(2-8) Eighth Step In the eighth step, an ITO film having a thickness of 150 nm is formed as the transparent pixel electrode 24 by sputtering and patterned into a pixel electrode shape.

(2−9)第9工程
第9工程においては、感光性のカーボンレス黒色樹脂をスピナーを用いて3.0μmの厚みに塗布し、90℃、10分の乾燥後、フォトマスクを用いて365nmの波長で、500mJ/cmの露光量で露光した後、界面活性剤を含む0.05%のKOH水溶液にて60秒間現像し、220℃、60分の焼成にて額縁部を形成する。
(2-9) Ninth Step In the ninth step, a photosensitive carbonless black resin is applied to a thickness of 3.0 μm using a spinner, dried at 90 ° C. for 10 minutes, and then 365 nm using a photomask. After being exposed at an exposure amount of 500 mJ / cm 2 at a wavelength of, the film is developed with a 0.05% KOH aqueous solution containing a surfactant for 60 seconds, and a frame portion is formed by baking at 220 ° C. for 60 minutes.

(2−9)第9工程
第9工程においては、感光性透明アクリル樹脂をスピナーで5.5μmの厚みに塗布し、90℃、10分の乾燥後フォトマスクを用いて365nmの波長で、500mJ/cmで露光し、0.05%のKOH水溶液で30秒間現像し、220℃、60分の焼成にてスペーサ28を下地27に形成する。このスペーサ28は、図6に示すように突起形状となっている。スペーサ28は、直径8μmで、穴部30の上方に立設している。
(2-9) Ninth Step In the ninth step, a photosensitive transparent acrylic resin is applied to a thickness of 5.5 μm with a spinner, dried at 90 ° C. for 10 minutes, and at a wavelength of 365 nm using a photomask, 500 mJ The substrate 28 is exposed at / cm 2 , developed with 0.05% KOH aqueous solution for 30 seconds, and the spacer 28 is formed on the base 27 by baking at 220 ° C. for 60 minutes. The spacer 28 has a protruding shape as shown in FIG. The spacer 28 has a diameter of 8 μm and stands above the hole 30.

(2−10)第10工程
第10工程においては、配向膜材料としてAL−1051(JSR株式会社製)をアレイ基板12のアレイ形成面表示領域部に50nm厚に印刷し、ラビング処理を行い、不図示の配向膜を形成する。
(2-10) Tenth Step In the tenth step, AL-1051 (manufactured by JSR Corporation) is printed as an alignment film material on the array formation surface display region of the array substrate 12 to a thickness of 50 nm, and a rubbing treatment is performed. An alignment film (not shown) is formed.

(2−11)第11工程
第11工程においては、対向基板に透明電極36としてITO膜をスパッタ法にて150nm成膜し、その後に配向膜材料として上記と同様のものを印刷しラビング処理を行い配向膜を形成する。
(2-11) Eleventh Step In the eleventh step, an ITO film is formed as a transparent electrode 36 on the counter substrate by a sputtering method to a thickness of 150 nm, and then the same alignment film material as described above is printed and rubbed. Then, an alignment film is formed.

(2−12)第12工程
第12工程においては、アレイ基板12の配向膜の周辺に沿って接着剤を液晶注入口以外に印刷し、対向基板の透明電極36に電圧を印加するための電極転位材を接着剤の周辺の電極転位電極上に形成する。
(2-12) Twelfth Step In the twelfth step, an electrode is printed along the periphery of the alignment film of the array substrate 12 other than the liquid crystal injection port, and a voltage is applied to the transparent electrode 36 of the counter substrate. A dislocation material is formed on the electrode dislocation electrode around the adhesive.

(2−13)第13工程
第13工程においては、配向膜が対向し、またそれぞれのラビング方向が90度となるように対向基板13を配置し、加熱して接着剤を硬化させアレイ基板12と対向基板を貼り合わせる。このときに、アレイ基板12と対向基板とのセルギャップは、スペーサ28によって決まる。
(2-13) Thirteenth Step In the thirteenth step, the counter substrate 13 is arranged so that the alignment films face each other and the respective rubbing directions are 90 degrees, and the adhesive is cured by heating to cure the array substrate 12. And the counter substrate are bonded together. At this time, the cell gap between the array substrate 12 and the counter substrate is determined by the spacer 28.

(2−14)第14工程
第14工程においては、液晶注入口より液晶組成物15を注入し、その後に液晶注入口を紫外線硬化樹脂で封止する。
(2-14) Fourteenth Step In the fourteenth step, the liquid crystal composition 15 is injected from the liquid crystal injection port, and then the liquid crystal injection port is sealed with an ultraviolet curable resin.

(2−15)第15工程
第15工程においては、大型ガラス基板を分断して、4枚の液晶セルを形成する。
(2-15) Fifteenth Step In the fifteenth step, the large glass substrate is divided to form four liquid crystal cells.

(3)本実施形態の効果
上記のようにして着色層26の下地27にスペーサ28を形成すると、図6に示すように、穴部30の影響で、スペーサ28の下地27である着色層26の部分が相対的に他の着色層26の部分より低くなる。すなわち、穴部30によって、着色層26の交点部分における上面には壁部34が形成されることとなる。そのため、着色層26を研磨する場合でも、この壁部34の上端部に研磨部分が当たり、この壁34に囲まれた着色層26の下地27は研磨されず、設計通りの高さを有することとなる。そのため、この部分に突起状のスペーサ28を形成しても従来のようにその高さにばらつきがなく、対向基板を設置した場合であってもセルギャップにばらつきが発生せず、良好な表示状態を維持することができる。
(3) Effects of the present embodiment When the spacer 28 is formed on the base 27 of the colored layer 26 as described above, the colored layer 26 that is the base 27 of the spacer 28 is affected by the hole 30 as shown in FIG. Is relatively lower than other colored layer 26 portions. That is, the wall portion 34 is formed on the upper surface of the intersection portion of the colored layer 26 by the hole portion 30. Therefore, even when the colored layer 26 is polished, the polishing portion hits the upper end portion of the wall portion 34, and the base 27 of the colored layer 26 surrounded by the wall 34 is not polished, and has a designed height. It becomes. Therefore, even if the protruding spacers 28 are formed in this portion, there is no variation in the height as in the prior art, and even when the counter substrate is installed, there is no variation in the cell gap, and a good display state Can be maintained.

また、この穴部30の製造は、補助容量線20に設けるだけでよく、その製造方法が容易である。   Further, the hole 30 may be manufactured only by providing the auxiliary capacitance line 20 and the manufacturing method thereof is easy.

(第2の実施形態)
第1の実施形態では、穴部30を補助容量線20に設けたが、これに代えて、ゲート線16に設け、信号線18とゲート線16の交点部分にスペーサ28を立設してもよい。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the hole 30 is provided in the storage capacitor line 20. Alternatively, the hole 30 may be provided in the gate line 16 and the spacer 28 may be provided upright at the intersection of the signal line 18 and the gate line 16. Good.

(第3の実施形態)
第1の実施形態では、補助容量線20に穴部30を設けたが、これに代えて信号線18に穴部30を設け、着色層26に相対的な低い部分を形成してもよい。この場合であっても、スペーサ28の高さのばらつきを防止することができる。
(Third embodiment)
In the first embodiment, the hole 30 is provided in the auxiliary capacitance line 20, but instead, the hole 30 may be provided in the signal line 18 to form a relatively low portion in the colored layer 26. Even in this case, variations in the height of the spacers 28 can be prevented.

(第4の実施形態)
第1の実施形態は、Twisted Nematic型表示モードの液晶表示装置であったが、これに変えてOCB型表示モードの液晶表示装置でもよい。
(Fourth embodiment)
Although the first embodiment is a liquid crystal display device in a Twisted Nematic display mode, an OCB display mode liquid crystal display device may be used instead.

例えば、第9工程の感光性アクリル樹脂は4.6μmの厚みに塗布し、第11の配向膜は高プレチルト角を得られるものを印刷し、ラビング方向はアレイ・対向基板側ともパネルの上から下方向への平行ラビングとする。液晶材料はOCB用液晶材料を注入する。この場合であっても、スペーサ28の高さのばらつきを防止することができる。   For example, the photosensitive acrylic resin in the ninth step is applied to a thickness of 4.6 μm, the eleventh alignment film is printed with a high pretilt angle, and the rubbing direction is from the top of the panel on both the array and the counter substrate side. Parallel rubbing downward. As the liquid crystal material, a liquid crystal material for OCB is injected. Even in this case, variations in the height of the spacers 28 can be prevented.

本発明の一実施形態を示すアレイ基板において、補助容量線、ゲート線及び信号線を配線した状態の平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state in which auxiliary capacitance lines, gate lines, and signal lines are wired in the array substrate according to the embodiment of the present invention. 図1におけるA部分の拡大図である。It is an enlarged view of A part in FIG. 図2におけるB−B線断面図である。It is the BB sectional view taken on the line in FIG. アレイ基板の平面図である。It is a top view of an array substrate. 図4におけるB部分の拡大図である。It is an enlarged view of the B part in FIG. 図5におけるD−D線断面図である。It is the DD sectional view taken on the line in FIG. 本実施形態における液晶表示装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the liquid crystal display device in this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 液晶表示装置
12 アレイ基板
14 ガラス基板
16 ゲート線
18 信号線
20 補助容量線
22 TFT
24 画素電極
26 着色層
28 スペーサ
30 穴部
32 層間絶縁膜
34 壁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid crystal display device 12 Array substrate 14 Glass substrate 16 Gate line 18 Signal line 20 Auxiliary capacity line 22 TFT
24 pixel electrode 26 colored layer 28 spacer 30 hole 32 interlayer insulating film 34 wall

Claims (7)

アレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを備え、
前記アレイ基板には、
マトリックス状に配線された複数のゲート線及び複数の信号線と、
前記ゲート線と前記信号線との交差部における画素毎に設けられ、前記ゲート線と前記信号線との各々に接続されたスイッチング半導体層と、
前記スイッチング半導体層に接続された画素電極と、
前記画素毎に色が異なるように形成された着色層と、
前記複数のゲート線と平行に配線された複数の補助容量線と、
を有し、
前記対向基板は対向電極を有する液晶表示装置において、
前記信号線と前記ゲート線、または、前記補助容量線の交点部分における着色層を相対的に周辺部分より低くし、前記低くした着色層にスペーサの機能を有する突起を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。
An array substrate; a counter substrate disposed opposite to the array substrate; and a liquid crystal layer disposed between the substrates.
In the array substrate,
A plurality of gate lines and a plurality of signal lines wired in a matrix;
A switching semiconductor layer provided for each pixel at an intersection of the gate line and the signal line, and connected to each of the gate line and the signal line;
A pixel electrode connected to the switching semiconductor layer;
A colored layer formed to have a different color for each pixel;
A plurality of auxiliary capacitance lines wired in parallel with the plurality of gate lines;
Have
In the liquid crystal display device in which the counter substrate has a counter electrode,
The colored layer at the intersection of the signal line and the gate line or the auxiliary capacitance line is relatively lower than the peripheral portion, and a protrusion having a spacer function is formed on the lowered colored layer. Liquid crystal display device.
前記複数のゲート線と前記複数の補助容量線との上層に前記複数の信号線が配線され、
前記複数の信号線の上層に前記着色層が設けられ、
前記突起が形成される交点部分における前記ゲート線、または、前記補助容量線に穴部を形成して、前記交点部分における着色層を相対的に周辺部分より低くした
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
The plurality of signal lines are wired above the plurality of gate lines and the plurality of auxiliary capacitance lines,
The colored layer is provided on an upper layer of the plurality of signal lines,
2. The gate line or the auxiliary capacitance line in the intersection portion where the protrusion is formed has a hole, so that the colored layer in the intersection portion is relatively lower than the peripheral portion. The liquid crystal display device described.
前記複数のゲート線と前記複数の補助容量線の上層に前記複数の信号線が配線され、
前記複数の信号線の上層に前記着色層が設けられ、
前記突起が形成される交点部分における前記信号線に穴部を形成して、前記交点部分における着色層を相対的に周辺部分より低くした
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
The plurality of signal lines are wired above the plurality of gate lines and the plurality of auxiliary capacitance lines,
The colored layer is provided on an upper layer of the plurality of signal lines,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a hole is formed in the signal line at the intersection portion where the protrusion is formed, and the colored layer at the intersection portion is relatively lower than the peripheral portion.
前記突起が形成される交点部分における前記着色層の周囲には、壁部が立設されている
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a wall portion is erected around the colored layer at an intersection portion where the protrusion is formed.
前記着色層がR,G,B色から形成された
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the colored layer is formed of R, G, and B colors.
アレイ基板を形成する工程と、前記アレイ基板に対向する対向基板を形成する工程と、前記両基板間に配置された液晶層とを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板を形成する工程が、
絶縁基板上に複数のゲート線と、前記複数のゲート線と略平行に複数の補助容量線と、前記ゲート線とつながる複数のスイッチング素子とを形成する第1工程と、
前記ゲート線及び前記補助容量線の上層に層間絶縁膜を形成する第2工程と、
前記層間絶縁膜の上層に、前記ゲート線及び前記補助容量線と略直交させて複数の信号線を形成する第3工程と、
前記複数の信号線の上層に着色層を形成する第4工程と、
前記着色層を研磨する第5工程と、
前記着色層の上層に画素電極を形成する第6工程と、
前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点にスペーサの機能を有する突起を形成する第7工程と、
を有し、
前記第1工程が、前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点に穴部を設ける工程を含み、
前記第7工程が、前記交点に設けた穴部にスペーサの機能を有する突起を形成する工程である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of forming an array substrate; a step of forming a counter substrate facing the array substrate; and a step of forming a liquid crystal layer disposed between the substrates. ,
Forming the array substrate comprises:
Forming a plurality of gate lines on the insulating substrate, a plurality of auxiliary capacitance lines substantially parallel to the plurality of gate lines, and a plurality of switching elements connected to the gate lines;
A second step of forming an interlayer insulating film above the gate line and the auxiliary capacitance line;
A third step of forming a plurality of signal lines on the interlayer insulating film so as to be substantially orthogonal to the gate line and the auxiliary capacitance line;
A fourth step of forming a colored layer on an upper layer of the plurality of signal lines;
A fifth step of polishing the colored layer;
A sixth step of forming a pixel electrode on the colored layer;
A seventh step of forming a protrusion having a function of a spacer at an intersection of the gate line and the auxiliary capacitance line and the signal line;
Have
The first step includes a step of providing a hole at the intersection of the gate line and the auxiliary capacitance line and the signal line,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the seventh step is a step of forming a protrusion having a spacer function in a hole provided at the intersection.
アレイ基板を形成する工程と、前記アレイ基板に対向する対向基板を形成する工程と、前記両基板間に配置された液晶層とを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板を形成する工程が、
絶縁基板上に複数のゲート線と複数の補助容量線とを略平行に形成する第1工程と、
前記ゲート線及び前記補助容量線の上層に層間絶縁膜を形成する第2工程と、
前記層間絶縁膜の上層に、前記ゲート線及び前記補助容量線と略直交させて複数の信号線と、前記ゲート線とつながる複数のスイッチング素子と、を形成する第3工程と、
前記複数の信号線の上層に着色層を形成する第4工程と、
前記着色層を研磨する第5工程と、
前記着色層の上層に画素電極を形成する第6工程と、
前記交点部分にスペーサの機能を有する突起を形成する第7工程と、
を有し、
前記第3工程が、前記ゲート線及び前記補助容量線と前記信号線との交点に穴部を設ける工程を含有し、
前記第7工程が、前記交点に設けた穴部にスペーサの機能を有する突起を形成する工程である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of forming an array substrate; a step of forming a counter substrate facing the array substrate; and a step of forming a liquid crystal layer disposed between the substrates. ,
Forming the array substrate comprises:
A first step of forming a plurality of gate lines and a plurality of auxiliary capacitance lines substantially in parallel on an insulating substrate;
A second step of forming an interlayer insulating film above the gate line and the auxiliary capacitance line;
A third step of forming a plurality of signal lines and a plurality of switching elements connected to the gate lines on the interlayer insulating film substantially orthogonal to the gate lines and the auxiliary capacitance lines;
A fourth step of forming a colored layer on an upper layer of the plurality of signal lines;
A fifth step of polishing the colored layer;
A sixth step of forming a pixel electrode on the colored layer;
A seventh step of forming a protrusion having a spacer function at the intersection portion;
Have
The third step includes a step of providing a hole at the intersection of the gate line and the auxiliary capacitance line and the signal line;
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the seventh step is a step of forming a protrusion having a spacer function in a hole provided at the intersection.
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