JP2007073575A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device for effectively dissipating heat produced from a semiconductor light emitting element using a lead frame. <P>SOLUTION: The semiconductor light emitting device 1 comprises the semiconductor light emitting element 10, a phosphor layer 11 that covers a main light emission surface side of the semiconductor light emitting element 10, a housing 12 for accommodating the semiconductor light emitting element 10, a sub mount 14 for mounting the semiconductor light emitting element 10 which has a through hole 13 therein, two lead frames 15 each electrically connected with the sub mount 14, a heat dissipation member 17, and sealing resin 18. Part of the heat dissipated from the semiconductor light emitting element 10 is transmitted to the heat dissipation member 17 via the sub mount 14 and the lead frame 15, and is dissipated to the outside. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光素子をリードフレームに実装した半導体発光装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device in which a semiconductor light emitting element is mounted on a lead frame.

半導体発光装置の高輝度化、高出力化に伴い、半導体発光素子で発生する多量の熱を効率よく放散することが問題となっている。このような半導体発光装置において、半導体発光素子を載置する載置部材の一部の面をハウジングから露出させ、ヒートシンクを、その載置部材の露出させた面と接触させ、熱を効率よく放散する技術的思想が、一般的に知られている（例えば特許文献１）。
特表２００４−５２１５０６号公報 With the increase in brightness and output of semiconductor light emitting devices, there is a problem of efficiently dissipating a large amount of heat generated in the semiconductor light emitting element. In such a semiconductor light emitting device, a part of the surface of the mounting member on which the semiconductor light emitting element is mounted is exposed from the housing, and the heat sink is brought into contact with the exposed surface of the mounting member to efficiently dissipate heat. The technical idea to do is generally known (for example, Patent Document 1).
Special table 2004-521506 gazette

しかしながら、２つのリードフレーム上に半導体発光素子を載置する半導体発光装置において、２つのリードフレームをハウジングから露出させる為に、それぞれのリードフレームの厚さを厚くした場合、プレスによってリードフレームとリードフレームの隙間を設ける際に精密加工ができず、この隙間が広くなってしまう。その結果、導通ができなくなることや、サブマウントまたはバンプとの接触面積が著しく減少し、放熱性が下がるという課題があった。   However, in the semiconductor light emitting device in which the semiconductor light emitting elements are mounted on the two lead frames, when the thickness of each lead frame is increased in order to expose the two lead frames from the housing, the lead frame and the lead are pressed by pressing. Precise machining cannot be performed when providing a gap in the frame, and this gap becomes wide. As a result, there is a problem that conduction cannot be achieved, and the contact area with the submount or the bump is remarkably reduced, resulting in a decrease in heat dissipation.

本発明は、このような課題を解決したもので、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を得ることを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves such a problem, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor light emitting device that efficiently dissipates heat generated from a semiconductor light emitting element using a lead frame.

本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子の主発光面側を覆っている蛍光体層と、前記半導体発光素子を収容しているハウジングと、前記半導体発光素子の前記主発光面側と反対側に配置されており、前記半導体発光素子とそれぞれ電気的に接続されている複数のリードフレームとを備え、前記リードフレームの少なくとも一つは、ハウジングから露出している露出面を有する厚肉部と、前記厚肉部の前記露出面の反対の面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第１の薄肉部とを有している。これにより、他の一つのリードフレームを、厚さの薄い第１の薄肉部を有する一つのリードフレームに近接して設けることができる。   The semiconductor light emitting device of the present invention includes a semiconductor light emitting element, a phosphor layer covering the main light emitting surface side of the semiconductor light emitting element, a housing that houses the semiconductor light emitting element, and the main light emitting element of the semiconductor light emitting element. A plurality of lead frames that are disposed on the side opposite to the light emitting surface and electrically connected to the semiconductor light emitting element, and at least one of the lead frames is exposed from the housing. And a first thin portion that extends from a surface opposite to the exposed surface of the thick portion toward another lead frame and is thinner than the thick portion. ing. Thereby, another one lead frame can be provided close to one lead frame having the first thin portion having a small thickness.

本発明によれば、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor light-emitting device which dissipates efficiently the heat | fever emitted from the semiconductor light-emitting element using a lead frame can be provided.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の以下に示す実施の形態及び各図面は、例示を目的とし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、各図面においては、説明の便宜のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示すこととする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the following embodiments and drawings of the present invention are for illustrative purposes, and the present invention is not limited thereto. In the drawings, components having substantially the same function are denoted by the same reference numerals for convenience of explanation.

（実施の形態１）
１．（全体の構成）
図１は、本発明の実装後の半導体発光装置１の断面図（半導体発光装置を主発光面に垂直な面で切った面を表す図）である。なお、主発光面側とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の正の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。また、主発光面側と反対側とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の負の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。 (Embodiment 1)
1. (Overall configuration)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device 1 after mounting according to the present invention (a view showing a surface of the semiconductor light emitting device cut by a plane perpendicular to the main light emitting surface). The main light emitting surface side refers to the positive direction of the X axis in FIG. 1 with respect to the semiconductor light emitting element 10 (hereinafter the same in the present specification). Further, the side opposite to the main light emitting surface side refers to the negative direction of the X axis in FIG. 1 with respect to the semiconductor light emitting element 10 (the same applies hereinafter).

半導体発光装置１の各部の詳細な説明に先立ち、この半導体発光装置１の概要を示す。
半導体発光装置１は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の主発光面側を覆っている蛍光体層１１と、半導体発光素子１０を収容しているハウジング１２と、半導体発光素子１０を搭載し、内部にスルーホール１３を有するサブマウント１４と、サブマウント１４と各々電気的に接続されている２つのリードフレーム１５と、放熱部材１７と、封止樹脂１８とを備えている。この構成により、半導体発光素子１０から放出された熱の一部は、サブマウント１４、リードフレーム１５を介して放熱部材１７に伝達され、外部に放散される。 Prior to detailed description of each part of the semiconductor light emitting device 1, an outline of the semiconductor light emitting device 1 is shown.
The semiconductor light emitting device 1 includes a semiconductor light emitting element 10, a phosphor layer 11 that covers the main light emitting surface side of the semiconductor light emitting element 10, a housing 12 that houses the semiconductor light emitting element 10, and the semiconductor light emitting element 10. In addition, a submount 14 having a through hole 13 therein, two lead frames 15 each electrically connected to the submount 14, a heat radiating member 17, and a sealing resin 18 are provided. With this configuration, a part of the heat released from the semiconductor light emitting element 10 is transmitted to the heat radiating member 17 through the submount 14 and the lead frame 15 and dissipated to the outside.

ここで、リードフレーム１５は、図２に示すように構成されている。すなわち、厚肉部１５０より厚さの薄い第１の薄肉部１５１が、厚肉部１５０の内側に配置され、他の一方のリードフレーム１５と対向するように配置されている。この構成により、厚肉部１５０をリードフレーム１５のハウジング１２の下面から露出できる厚さにしながらも、２つのリードフレーム１５間の隙間部１６を狭くすることができ、２つのリードフレーム１５を近接して設けることができる。   Here, the lead frame 15 is configured as shown in FIG. That is, the first thin portion 151 having a thickness smaller than that of the thick portion 150 is disposed inside the thick portion 150 and is disposed so as to face the other one of the lead frames 15. With this configuration, the gap portion 16 between the two lead frames 15 can be narrowed while the thick portion 150 can be exposed from the lower surface of the housing 12 of the lead frame 15, and the two lead frames 15 can be close to each other. Can be provided.

なお、上とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の正の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。また、下とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の負の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。   Note that “above” refers to the positive direction of the X axis in FIG. 1 with respect to the semiconductor light emitting element 10 (hereinafter the same in this specification). Further, “below” refers to the negative direction of the X axis in FIG. 1 with respect to the semiconductor light emitting element 10 (hereinafter the same in this specification).

したがって、サブマウント１４が小型化された場合（スルーホール１３の間の距離が狭くなった場合）でも、半導体発光素子１０と２つのリードフレーム１５とをそれぞれ電気的に接続することが可能となる。その結果、本実施の形態の半導体発光装置１を小型化することができる。また、リードフレーム１５とサブマウント１４との接触面積を著しく増加させることができ、本実施の形態の半導体発光装置１の放熱性を向上することができる。   Therefore, even when the submount 14 is downsized (when the distance between the through holes 13 is reduced), the semiconductor light emitting element 10 and the two lead frames 15 can be electrically connected to each other. . As a result, the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment can be reduced in size. Further, the contact area between the lead frame 15 and the submount 14 can be remarkably increased, and the heat dissipation of the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment can be improved.

２．（各部の構成）
以下、半導体発光装置１の各構成について、より具体的に説明する。 2. (Configuration of each part)
Hereinafter, each configuration of the semiconductor light emitting device 1 will be described more specifically.

（半導体発光素子１０）
半導体発光素子１０は、窒化ガリウム系化合物からなる半導体を利用した青色ＬＥＤである。この半導体発光素子１０は、図３に示すように、例えば、ＧａＮを素材とした素子基板１００の一方の面上に、ＧａＮのｎ型窒化物半導体層１０１、ＩｎＧａＮの活性層１０２及びＧａＮのｐ型窒化物半導体層１０３をこの順で積層したものである。 (Semiconductor light emitting element 10)
The semiconductor light emitting device 10 is a blue LED using a semiconductor made of a gallium nitride compound. As shown in FIG. 3, the semiconductor light emitting device 10 includes, for example, a GaN n-type nitride semiconductor layer 101, an InGaN active layer 102, and a GaN p layer on one surface of an element substrate 100 made of GaN. The type nitride semiconductor layer 103 is laminated in this order.

そして、ｐ型窒化物半導体層１０３の一部を、例えばエッチングによりｎ型窒化物半導体層１０１を露出させる。この露出したｎ型窒化物半導体層１０１の表面にｎ型電極１０４を形成している。ｐ型窒化物半導体層１０３の表面にはｐ型電極１０５が形成されている。この半導体発光素子１０は、ｐ型電極とｎ型電極の双方を一方の面に有する、いわゆる、片面電極タイプである。   Then, the n-type nitride semiconductor layer 101 is exposed from a part of the p-type nitride semiconductor layer 103, for example, by etching. An n-type electrode 104 is formed on the exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer 101. A p-type electrode 105 is formed on the surface of the p-type nitride semiconductor layer 103. The semiconductor light emitting device 10 is a so-called single-sided electrode type having both a p-type electrode and an n-type electrode on one surface.

さらに、これらのｎ型電極１０４及びｐ型電極１０５は、それぞれバンプ１０６を介し、内部にスルーホール１３を有するサブマウント１４と電気的に接続されている。バンプ１０６の材料は、例えばＡｕを用いることができるが、導電性の材料であればよい。バンプ１０６を用いて接続する方法は、発光光源の照射方向に光出力を遮るものがないので好ましいが、半導体発光素子１０とスルーホール１３を有するサブマウント１４との接続は他の方法を用いても良い。   Further, the n-type electrode 104 and the p-type electrode 105 are electrically connected to the submount 14 having the through hole 13 inside through the bump 106, respectively. As the material of the bump 106, for example, Au can be used, but any conductive material may be used. The connection method using the bumps 106 is preferable because there is nothing to block the light output in the irradiation direction of the light emitting light source, but the connection between the semiconductor light emitting element 10 and the submount 14 having the through holes 13 is performed using other methods. Also good.

素子基板１００が、主発光面側に配置され、半導体発光素子１０は、スルーホール１３を有するサブマウント１４に対して、フリップチップ接続される。この構成により、ボンディングワイヤーが不要となる。   An element substrate 100 is disposed on the main light emitting surface side, and the semiconductor light emitting element 10 is flip-chip connected to a submount 14 having a through hole 13. This configuration eliminates the need for a bonding wire.

なお、青色ＬＥＤの構成としては、ここで挙げた例に限定されるものではない。例えば、素子基板１００としては、ＳｉＣを用いても良いし、絶縁性のサファイアを用いても良い。また例えば、ｎ型窒化物半導体層１０１やｐ型窒化物半導体層１０３としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型窒化物半導体層１０１と、素子基板１００との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また例えば、活性層１０２は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。   In addition, as a structure of blue LED, it is not limited to the example given here. For example, as the element substrate 100, SiC or insulating sapphire may be used. Further, for example, as the n-type nitride semiconductor layer 101 and the p-type nitride semiconductor layer 103, AlGaN or InGaN may be used, or GaN or InGaN may be used between the n-type nitride semiconductor layer 101 and the element substrate 100. It is also possible to use a buffer layer made of InGaN. For example, the active layer 102 may have a multilayer structure (quantum well structure) in which InGaN and GaN are alternately stacked.

（蛍光体層１１）
図１に戻り、蛍光体層１１について詳述する。蛍光体層１１は、半導体発光素子１０の少なくとも上に配置されている。なお、光の変換効率の観点から、半導体発光素子１０の側面にも配置されていればさらによい。この構成により、上述した青色ＬＥＤから発せられた青色光の一部を、内部に含む蛍光体１１０により、黄色光（５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピークを持つ光）に変換している。青色光と黄色光との混色により、半導体発光装置１全体としては、白色光を得ている。 (Phosphor layer 11)
Returning to FIG. 1, the phosphor layer 11 will be described in detail. The phosphor layer 11 is disposed on at least the semiconductor light emitting element 10. In addition, from the viewpoint of light conversion efficiency, it is better if it is also disposed on the side surface of the semiconductor light emitting device 10. With this configuration, part of the blue light emitted from the blue LED described above is converted into yellow light (light having a peak in the range of 540 nm to 600 nm) by the phosphor 110 included therein. Due to the color mixture of blue light and yellow light, the semiconductor light emitting device 1 as a whole obtains white light.

ここで蛍光体層１１は、半導体発光素子１０の対角線長よりも長い直径をもち、半導体発光素子１０の高さよりも大きな高さを有する。そして、蛍光体層１１の中心軸は略一致している。蛍光体層１１は、図１に示すように、半導体発光素子１０の側面を取り囲んで構成されている。蛍光体層１１の側面は、ハウジング１２から離間している。すなわち、蛍光体層１１は、その側面形状がハウジング１２の反射面などの形状によって拘束されない。これにより、この側面を自由に設計することができる。   Here, the phosphor layer 11 has a diameter longer than the diagonal length of the semiconductor light emitting element 10 and has a height larger than the height of the semiconductor light emitting element 10. The central axes of the phosphor layers 11 are substantially coincident. As shown in FIG. 1, the phosphor layer 11 is configured to surround the side surface of the semiconductor light emitting element 10. The side surface of the phosphor layer 11 is separated from the housing 12. That is, the side surface of the phosphor layer 11 is not constrained by the shape of the reflecting surface of the housing 12 or the like. Thereby, this side surface can be designed freely.

本実施の形態の蛍光体層１１の側面は、サブマウント１４の側面と略同一平面上にある。この構成により、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面との距離が一定に保てるため、蛍光体層１１の形状ムラが存在しない。これにより、本発明の発光装置は、取り出される光の色むらを抑えることができる。   The side surface of the phosphor layer 11 of the present embodiment is substantially on the same plane as the side surface of the submount 14. With this configuration, since the distance between the side surface of the phosphor layer 11 and the side surface of the submount 14 can be kept constant, there is no shape unevenness of the phosphor layer 11. Thereby, the light-emitting device of this invention can suppress the color nonuniformity of the taken-out light.

蛍光体層１１の内部に分散して配置されている蛍光体１１０の平均粒形は、例えば、３μｍから１５μｍであり、略球状である。この蛍光体１１０は、半導体発光素子１０から放射された青色光を吸収し、励起された後、黄色光を発する黄色蛍光体である。このような黄色蛍光体としては、（Ｙ・Ｓｍ）3（Ａｌ・Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12やアルカリ土類金属オルト珪酸塩等を好適に用いることができる。 The average particle shape of the phosphor 110 dispersed and arranged in the phosphor layer 11 is, for example, 3 μm to 15 μm and is substantially spherical. The phosphor 110 is a yellow phosphor that absorbs blue light emitted from the semiconductor light emitting element 10 and emits yellow light after being excited. Examples of such a yellow phosphor include (Y · Sm) 3 (Al · Ga) 5 O 12 : Ce, (Y 0.39 Gd 0.57 Ce 0.03 Sm 0.01 ) 3 Al 5 O 12 , alkaline earth metal orthosilicate, and the like. Can be suitably used.

（ハウジング１２）
半導体発光素子１０およびこの半導体発光素子１０を搭載したサブマウント１４が、ハウジング１２に内包されている。また、ハウジング１２は、蛍光体層１１を離間して囲んでいる。すなわち、蛍光体層１１とハウジング１２は接していない。蛍光体層１１とハウジング１２は、中心軸は半導体発光素子１０と一致し、かつハウジング１２の最小径は、蛍光体層１１の最大径よりも大きい。これにより、ハウジング１２は、半導体発光素子１０、蛍光体層１１およびサブマウント１４を収容するようになっている。 (Housing 12)
A semiconductor light emitting device 10 and a submount 14 on which the semiconductor light emitting device 10 is mounted are enclosed in a housing 12. Further, the housing 12 surrounds the phosphor layer 11 in a spaced manner. That is, the phosphor layer 11 and the housing 12 are not in contact with each other. The phosphor layer 11 and the housing 12 have a central axis that coincides with the semiconductor light emitting element 10, and the minimum diameter of the housing 12 is larger than the maximum diameter of the phosphor layer 11. Thereby, the housing 12 accommodates the semiconductor light emitting element 10, the phosphor layer 11, and the submount 14.

また、ハウジング１２は、リードフレーム１５と一体形成されている。なお、リードフレーム１５の厚肉部１５０は、ハウジング１２の下面から露出している。また、リードフレーム１５の第３の薄肉部１５３は、厚肉部１５０からハウジング１２の側面に向かって延出している。   The housing 12 is formed integrally with the lead frame 15. The thick portion 150 of the lead frame 15 is exposed from the lower surface of the housing 12. Further, the third thin portion 153 of the lead frame 15 extends from the thick portion 150 toward the side surface of the housing 12.

このハウジング１２の部材としては、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアシド樹脂等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いることができる。また、ハウジング１２は、上記の樹脂の表面をメッキすることで蛍光体層１１から出た光を反射する「反射板」としての役割も有する。   As a member of the housing 12, for example, a thermoplastic resin such as LCP (Liquid Crystal Polymer) or polyphthalacid resin, a thermosetting resin, or the like can be used. The housing 12 also serves as a “reflector” that reflects light emitted from the phosphor layer 11 by plating the surface of the resin.

（サブマウント１４）
サブマウント１４は、上面に半導体発光素子１０と蛍光体層１１を載置し、内部にスルーホール１３を有する構成をとる。そして、半導体発光素子１０とリードフレーム１５とは、スルーホール１３を介して電気的に接続される。この構成により、半導体発光素子１０の上方には光を遮るものがないため、輝度を向上させることができる。また、半導体発光素子１０の電極を大きくすることができるので、光の反射量が大きくなると同時に、接合の信頼性を向上することができる作用を有する。 (Submount 14)
The submount 14 has a configuration in which the semiconductor light emitting element 10 and the phosphor layer 11 are mounted on the upper surface and the through hole 13 is provided inside. The semiconductor light emitting element 10 and the lead frame 15 are electrically connected through the through hole 13. With this configuration, since there is nothing to block light above the semiconductor light emitting element 10, the luminance can be improved. Further, since the electrode of the semiconductor light emitting device 10 can be enlarged, the amount of reflected light is increased, and at the same time, the reliability of bonding can be improved.

なお、サブマウント１４に、ツェナーダイオード、Ｓｉダイオード、セラミック等を用いることもできる。スルーホール１３は、内部に、例えば銅、アルミニウム、金等からなる導電材料を含む。   Note that a Zener diode, Si diode, ceramic, or the like can be used for the submount 14. The through hole 13 includes a conductive material made of, for example, copper, aluminum, gold, or the like.

また、スルーホール１３は、サブマウント１４の内部であればどのように形成されていてもよい。たとえば、サブマウント１４の端面に沿って形成されていてもよい。この場合、対になるスルーホール１３間の距離を大きくとることができるため、サブマウント１４を小型化した場合であっても、リードフレーム１５との導通を確保することができる。   Further, the through hole 13 may be formed in any manner as long as it is inside the submount 14. For example, it may be formed along the end surface of the submount 14. In this case, since the distance between the paired through holes 13 can be increased, even when the submount 14 is downsized, conduction with the lead frame 15 can be ensured.

上述のように半導体発光素子１０は、ボンディングワイヤーを使用しないので、サブマウント１４上にボンディングワイヤー配置するための領域を省くことができる。したがって、ボンディングワイヤーを使用して導通を行っていた従来タイプのサブマウントと比べ、サブマウント１４の図１に示すＹ軸方向の幅Ｗを小さくできる。   As described above, since the semiconductor light emitting device 10 does not use bonding wires, an area for arranging bonding wires on the submount 14 can be omitted. Therefore, the width W in the Y-axis direction shown in FIG. 1 of the submount 14 can be reduced as compared with the conventional type submount in which conduction is performed using a bonding wire.

（リードフレーム１５）
リードフレーム１５は、図２に示すように各々厚肉部１５０、第１の薄肉部１５１、第３の薄肉部１５３とから構成され、一方と他方のリードフレームは左右対称の形状をとる。このリードフレーム１５の部材としては、放熱性に優れた金属、例えば、銅合金からできている。 (Lead frame 15)
As shown in FIG. 2, each lead frame 15 is composed of a thick portion 150, a first thin portion 151, and a third thin portion 153, and one and the other lead frames are symmetrical. The member of the lead frame 15 is made of a metal excellent in heat dissipation, for example, a copper alloy.

厚肉部１５０は、ハウジング１２（ハウジング１２は、所定の容積が規定されている。）の外部に配置される放熱部材１７に、半導体発光素子１０から放出された熱を伝えるために十分な厚みを有している。   The thick portion 150 has a sufficient thickness to transmit heat released from the semiconductor light emitting element 10 to the heat radiating member 17 disposed outside the housing 12 (the housing 12 has a predetermined volume). have.

なお、本明細書でいう厚さとは、図１におけるＸ軸の負の方向の厚みをいう。したがって、厚肉部１５０は、ハウジング１２の内側からハウジング１２の外側に向かって配置されている。このとき、厚肉部１５０の下面（厚肉部１５０が半導体発光素子に対向している面を上面とした場合、その上面の反対側の面をいう、以下本明細書において同じ。）は、ハウジング１２から露出している（この下面を本明細書においては、以下「露出面」ともいう）。   In addition, the thickness as used in this specification means the thickness of the negative direction of the X-axis in FIG. Therefore, the thick portion 150 is disposed from the inside of the housing 12 toward the outside of the housing 12. At this time, the lower surface of the thick portion 150 (when the surface where the thick portion 150 faces the semiconductor light emitting element is the upper surface, the surface opposite to the upper surface, which is the same in the present specification hereinafter), It is exposed from the housing 12 (this lower surface is also referred to as an “exposed surface” hereinafter).

第１の薄肉部１５１とは、厚肉部１５０より厚さが薄く、厚肉部１５０の露出面の反対の面から他の一方のリードフレーム１５に向かって延出している部分をいう。なお、厚肉部１５０と第１の薄肉部１５１は異なる材料であってもかまわない。ただし、下記に示すリードフレーム１５の製造上の理由により、同じ材料であることが望ましい。   The first thin portion 151 is a portion that is thinner than the thick portion 150 and extends from the surface opposite to the exposed surface of the thick portion 150 toward the other lead frame 15. The thick part 150 and the first thin part 151 may be made of different materials. However, the same material is desirable for reasons of manufacturing the lead frame 15 described below.

第３の薄肉部１５３は、厚肉部１５０より厚さが薄く、厚肉部１５０からハウジング１２の外部に向かって延出している。   The third thin portion 153 is thinner than the thick portion 150 and extends from the thick portion 150 toward the outside of the housing 12.

なお、リードフレーム１５の各部分は、半導体発光装置１の内側から、第１の薄肉部１５１、厚肉部１５０、第３の薄肉部１５３の順に配置されている。   Each part of the lead frame 15 is arranged in order of the first thin part 151, the thick part 150, and the third thin part 153 from the inside of the semiconductor light emitting device 1.

以下、本発明の効果を説明する為に、図４（ａ）もしくは図４（ｂ）に示す第１の薄肉部１５１を設けない形状のリードフレーム４５ａもしくは４５ｂを用いた半導体発光素子４と本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた半導体発光素子１とを比較する。   Hereinafter, in order to explain the effect of the present invention, the semiconductor light-emitting element 4 using the lead frame 45a or 45b having the shape without the first thin portion 151 shown in FIG. 4A or FIG. The semiconductor light emitting device 1 using the lead frame 15 according to the first embodiment of the invention will be compared.

図４（ａ）に示す第１の薄肉部１５１形状を設けないリードフレーム４５ａを用いた場合、後述の製造方法上の理由により、２つのリードフレーム４５ａの隙間部４６ａが格段に広がってしまう。したがって、リードフレーム４５ａの端部でしか、サブマウント４４と接触できない。その結果、リードフレーム４５ａ上面とサブマウント４４下面との接触面積が著しく小さくなる。   When the lead frame 45a not provided with the first thin portion 151 shape shown in FIG. 4A is used, the gap portion 46a between the two lead frames 45a is remarkably expanded due to a manufacturing method described later. Therefore, the submount 44 can be contacted only at the end of the lead frame 45a. As a result, the contact area between the upper surface of the lead frame 45a and the lower surface of the submount 44 is remarkably reduced.

一方、本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた場合、後述の製造方法上の理由により、２つのリードフレーム１５の隙間部１６を狭くすることができる。したがって、他の一方のリードフレーム１５を、一方のリードフレーム１５に近接して設けることができ、リードフレーム１５上面とサブマウント１４下面との接触面積が著しく増大する。その結果、サブマウント１４からリードフレーム１５へ伝熱される量が増え、放熱性が著しく向上する。   On the other hand, when the lead frame 15 according to the first embodiment of the present invention is used, the gap portion 16 between the two lead frames 15 can be narrowed due to a manufacturing method described later. Therefore, the other one lead frame 15 can be provided close to the one lead frame 15, and the contact area between the upper surface of the lead frame 15 and the lower surface of the submount 14 is remarkably increased. As a result, the amount of heat transferred from the submount 14 to the lead frame 15 increases, and the heat dissipation is remarkably improved.

また、図４（ｂ）に示すように、隙間部４６ｂが更に広くなってしまうと、例えば図１に示すＹ軸方向の幅Ｗが小さいサブマウント４４を搭載する場合では、リードフレーム４５ｂとの電気的な接続が不可能となる。   Further, as shown in FIG. 4B, when the gap 46b is further widened, for example, when the submount 44 having a small width W in the Y-axis direction shown in FIG. Electrical connection becomes impossible.

一方、本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた場合、隙間部１６を狭くすることができ、他の一方のリードフレーム１５を、一方のリードフレーム１５に近接して設けることができる。したがって、半導体発光素子１０と蛍光体層１１とを搭載する、図１に示すＹ軸方向の幅Ｗが小さいサブマウント１４と接続する場合でも、サブマウント１４とリードフレーム１５との導通が可能となる。その結果、従来の半導体発光装置と比べて、半導体発光装置１の小型化が可能となる。   On the other hand, when the lead frame 15 according to Embodiment 1 of the present invention is used, the gap portion 16 can be narrowed, and the other one of the lead frames 15 is provided close to the one lead frame 15. it can. Therefore, even when the semiconductor light emitting element 10 and the phosphor layer 11 are mounted and connected to the submount 14 having a small width W in the Y-axis direction shown in FIG. 1, the submount 14 and the lead frame 15 can be electrically connected. Become. As a result, the semiconductor light emitting device 1 can be downsized as compared with the conventional semiconductor light emitting device.

また、半導体発光装置１は、特に、水によって電気的に劣化しやすいという性質を有しているが、リードフレーム１５を上記の構成とすることで、外部から半導体発光素子１０への水の浸入を抑制できる。図４（ａ）、図４（ｂ）に示す第１の薄肉部１５１が無いリードフレームを用いた場合と比較して、外部から半導体発光装置１内部への浸入に要する経路が長くなるからである。なお、ハウジングに熱硬化性樹脂を用いた場合、さらに水の浸入を抑制する効果が向上される。   In addition, the semiconductor light emitting device 1 has a property that it is particularly susceptible to electrical deterioration due to water. However, the lead frame 15 having the above-described configuration allows water to enter the semiconductor light emitting element 10 from the outside. Can be suppressed. Compared to the case where the lead frame without the first thin portion 151 shown in FIGS. 4A and 4B is used, the path required for entering the semiconductor light emitting device 1 from the outside becomes longer. is there. In addition, when a thermosetting resin is used for the housing, the effect of suppressing the entry of water is further improved.

なお、隙間部１６には、熱可塑性樹脂等が充填されている。   The gap 16 is filled with a thermoplastic resin or the like.

（放熱部材１７）
放熱部材１７は、リードフレーム１５の露出面と接触しており、リードフレーム１５から伝達された熱を外部に放散する。この放熱部材１７は、放熱性に優れた部材からなることが好ましく、例えば、ヒートシンク、冷却体、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｄ、プリント配線板）等が該当する。 (Heat dissipation member 17)
The heat radiating member 17 is in contact with the exposed surface of the lead frame 15 and dissipates heat transmitted from the lead frame 15 to the outside. The heat radiating member 17 is preferably made of a member having excellent heat radiating properties, and corresponds to, for example, a heat sink, a cooling body, a PCB (Printed Circuit Board, printed wiring board), or the like.

（封止樹脂１８）
封止樹脂１８は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂から選択される１種または２種以上の組み合わせからできている。特に、シリコーン樹脂は、弾性が大きく、半導体発光素子を外力から保護でき、また耐熱性及び耐光性に優れているので、より好ましい。また製造時においても、シリコーン樹脂は、熱硬化時の粘土低下が小さく、熱硬化時に蛍光体層１１が沈降を防止するために好ましい。したがって、２種以上の樹脂を組み合わせる場合でもシリコーン樹脂を主成分として選択することが好ましい。 (Sealing resin 18)
The sealing resin 18 is made of one or a combination of two or more selected from silicone resins, epoxy resins, and fluororesins. In particular, a silicone resin is more preferable because it has high elasticity, can protect the semiconductor light emitting element from external force, and is excellent in heat resistance and light resistance. Also during production, the silicone resin is preferable because the decrease in clay during thermosetting is small, and the phosphor layer 11 prevents sedimentation during thermosetting. Therefore, even when two or more kinds of resins are combined, it is preferable to select a silicone resin as a main component.

３．（使用状態）
以上のように構成した本実施の形態に係る半導体発光装置１の使用状態を説明する。はじめに、リードフレーム１５に電力を供給する。すると、リードフレーム１５から、サブマウント１４のスルーホール１３を介して、半導体発光素子１０のｎ型電極とｐ型電極間とが導通し、活性層１０２から青色光が放射される。特に素子基板１００面を主発光面として外部に放出される。この青色光の一部は、蛍光体層１１中の蛍光体１１０により黄色光に変換される。青色光と黄色光との混色により、白色光として、外部から認知される。 3. (Use state)
The usage state of the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment configured as described above will be described. First, power is supplied to the lead frame 15. Then, the n-type electrode and the p-type electrode of the semiconductor light emitting element 10 are electrically connected from the lead frame 15 through the through hole 13 of the submount 14, and blue light is emitted from the active layer 102. In particular, the element substrate 100 surface is emitted to the outside as a main light emitting surface. Part of this blue light is converted into yellow light by the phosphor 110 in the phosphor layer 11. It is recognized from the outside as white light by the mixed color of blue light and yellow light.

半導体発光素子１０において、白色光を発光する際に放出される熱の一部は、サブマウント１４を通じて、リードフレーム１５に伝達される。リードフレーム１５に伝達された熱の一部は、第１の薄肉部、厚肉部を通じて、放熱部材１７に伝達され、放熱される。また、リードフレーム１５に伝達された熱の一部は、第１の薄肉部、厚肉部、第３の薄肉部に移動し、ハウジング１２外部に伝達され、放熱される。   In the semiconductor light emitting element 10, a part of heat released when emitting white light is transmitted to the lead frame 15 through the submount 14. Part of the heat transmitted to the lead frame 15 is transmitted to the heat radiating member 17 through the first thin portion and the thick portion, and is radiated. Further, a part of the heat transmitted to the lead frame 15 moves to the first thin part, the thick part, and the third thin part, and is transmitted to the outside of the housing 12 to be radiated.

上述したように、蛍光体層１１の側面は、サブマウント１４の側面と同一平面上にあるので、半導体発光装置１全体として色ムラが抑制される。   As described above, since the side surface of the phosphor layer 11 is on the same plane as the side surface of the submount 14, color unevenness is suppressed as a whole of the semiconductor light emitting device 1.

また、上述したように、半導体発光素子１０と蛍光体層１１とを搭載し、横方向の幅Ｗが小さいサブマウント１４と接続する場合でも、サブマウント１４とリードフレーム１５との導通が可能となる。その結果、従来の半導体発光装置と比べて、半導体発光装置１の小型化が可能となる。さらに、サブマウント１４とリードフレーム１５との接触面積が、著しく増大し、放熱性が向上する。   Further, as described above, even when the semiconductor light emitting element 10 and the phosphor layer 11 are mounted and connected to the submount 14 having a small lateral width W, the submount 14 and the lead frame 15 can be electrically connected. Become. As a result, the semiconductor light emitting device 1 can be downsized as compared with the conventional semiconductor light emitting device. Furthermore, the contact area between the submount 14 and the lead frame 15 is remarkably increased, and heat dissipation is improved.

４．（製造方法）
次に、上述した半導体発光装置１の製造方法について述べる。 4). (Production method)
Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1 described above will be described.

（リードフレーム１５）
リードフレーム１５を次のように作製する。図５（ａ）はフラットなリードフレーム１５を示している。次に、図５（ｂ）に示すようにリードフレーム１５の厚肉部１５０以外の領域を薄くする。薄くする方法として、金型でプレスする方法や部材をエッチングする方法あるいは部材を削る方法がある。どの方法にしても精度よくリードフレーム１５を薄くできる。次に、図５（ｃ）に示すように隙間部１６を設けるために、薄くした部分を精密プレス等で打ち抜く。このようにして、図１に示す、リードフレーム１５が得られる。 (Lead frame 15)
The lead frame 15 is manufactured as follows. FIG. 5A shows a flat lead frame 15. Next, as shown in FIG. 5B, the region other than the thick portion 150 of the lead frame 15 is thinned. As a thinning method, there are a method of pressing with a mold, a method of etching a member, and a method of cutting a member. In any method, the lead frame 15 can be thinned with high accuracy. Next, as shown in FIG. 5C, in order to provide the gap portion 16, the thinned portion is punched out with a precision press or the like. In this way, the lead frame 15 shown in FIG. 1 is obtained.

一般的に、精密プレス等で打ち抜く場合、隙間部１６の広さは、打ち抜く箇所の厚さに比例する。厚さが薄いと、プレスする際に必要な負荷を小さくすることができるため、隙間部１６を狭くするための精密加工が可能になるからである。すなわち、薄肉部１５１を設けることで、この薄肉部１５１がない従来のリードフレーム（例えば、図４のリードフレーム４５）に比べて、隙間部１６の幅を狭くすることができる。また、打ち抜く箇所の周辺部分への負荷も軽減できるため、リードフレーム１５の変形を防止できる。   Generally, when punching with a precision press or the like, the width of the gap portion 16 is proportional to the thickness of the punched portion. This is because if the thickness is small, the load required for pressing can be reduced, and precision processing for narrowing the gap portion 16 becomes possible. That is, by providing the thin portion 151, the width of the gap portion 16 can be made narrower than a conventional lead frame without the thin portion 151 (for example, the lead frame 45 in FIG. 4). In addition, since the load on the peripheral portion of the punched portion can be reduced, deformation of the lead frame 15 can be prevented.

（ハウジング１２）
ハウジング１２をリードフレーム１５と次のように一体形成する。リードフレーム１５に金型を挟み込み、その金型に、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）を流し込む。なお、ハウジング１２は、隙間部１６にも充填されることにより、半導体発光素子１０を搭載したサブマウント１４、リードフレーム１５がパッケージされる。このようにして、図１に示すハウジング１２が得られる。 (Housing 12)
The housing 12 is integrally formed with the lead frame 15 as follows. A mold is sandwiched between the lead frames 15 and, for example, LCP (Liquid Crystal Polymer) is poured into the mold. The housing 12 is also filled in the gap 16 so that the submount 14 on which the semiconductor light emitting element 10 is mounted and the lead frame 15 are packaged. In this way, the housing 12 shown in FIG. 1 is obtained.

（半導体発光素子１０、蛍光体層１１、サブマウント１４）
蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面とを次のような手順で略同一平面状にする。サブマウント１４の電極パターン上に、例えば金からなるバンプを形成し、半導体発光素子１０を実装する。 (Semiconductor light emitting element 10, phosphor layer 11, submount 14)
The side surface of the phosphor layer 11 and the side surface of the submount 14 are made substantially coplanar by the following procedure. A bump made of, for example, gold is formed on the electrode pattern of the submount 14 and the semiconductor light emitting element 10 is mounted.

次に、サブマウント１４上に、半導体発光素子１０を覆うようにして、蛍光体層１１をスクリーン印刷法にて形成する。そして、蛍光体層１１の上面を回転式研磨機等によって研磨する。その後、蛍光体層１１とサブマウント１４とを、例えば回転式ブレード等によって同時に切り抜く。このようにして、図１に示すように、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面とを略同一平面状にする。   Next, the phosphor layer 11 is formed on the submount 14 by a screen printing method so as to cover the semiconductor light emitting element 10. Then, the upper surface of the phosphor layer 11 is polished by a rotary polishing machine or the like. Thereafter, the phosphor layer 11 and the submount 14 are simultaneously cut out by, for example, a rotary blade. In this way, as shown in FIG. 1, the side surface of the phosphor layer 11 and the side surface of the submount 14 are made substantially coplanar.

（半導体発光装置１）
半導体発光装置１を次のように作製する。リードフレーム１５上にＡｇペーストを塗布し、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面が略同一平面状にある発光体をリードフレーム１５上に実装する。次に、このＡｇペーストを硬化させる。そして、封止樹脂を流し込み、樹脂パッケージによって蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面が略同一平面状にある発光体を包み込む。そして、リードフレーム１５の足を切断することによって、個体の半導体発光装置１が分離される。そして、リードフレームの足を曲げる。このようにして、図１に示す、半導体発光装置１が得られる。 (Semiconductor light emitting device 1)
The semiconductor light emitting device 1 is manufactured as follows. An Ag paste is applied on the lead frame 15, and a light emitting body in which the side surface of the phosphor layer 11 and the side surface of the submount 14 are substantially flush is mounted on the lead frame 15. Next, this Ag paste is cured. Then, a sealing resin is poured, and a light emitting body in which the side surface of the phosphor layer 11 and the side surface of the submount 14 are substantially in the same plane is wrapped by the resin package. The individual semiconductor light emitting device 1 is separated by cutting the legs of the lead frame 15. Then bend the legs of the lead frame. In this way, the semiconductor light emitting device 1 shown in FIG. 1 is obtained.

（変形例１）
以上、本発明を好適な実施形態により説明したが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。例えば、以下、本実施の形態にかかる半導体発光装置１の変形例１について述べる。 (Modification 1)
As mentioned above, although this invention was demonstrated by suitable embodiment, such description is not a limitation matter and, of course, various modifications are possible. For example, Modification 1 of the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment will be described below.

図６は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置１ａを示す概略図である。半導体発光装置１ａは、リードフレーム１５ａが、厚肉部１５０の露出面から他の一方のリードフレーム１５ａに向かって延出し、厚肉部１５０より厚さの薄い第２の薄肉部１５２をさらに有している点で、第２の薄肉部１５２が存在しない半導体発光装置１とは異なる。この点以外は、半導体発光装置１ａは、図１に示した半導体発光装置１と同様の構成であり、同様の効果を有する（半導体発光装置１と同様の構成は、同一の符号を付して、説明は省略する。以下、本明細書中で同じ）。   FIG. 6 is a schematic diagram showing a semiconductor light emitting device 1a according to the first modification of the first embodiment. In the semiconductor light emitting device 1a, the lead frame 15a extends from the exposed surface of the thick portion 150 toward the other lead frame 15a, and further includes a second thin portion 152 that is thinner than the thick portion 150. This is different from the semiconductor light emitting device 1 in which the second thin portion 152 does not exist. Except for this point, the semiconductor light emitting device 1a has the same configuration as the semiconductor light emitting device 1 shown in FIG. 1 and has the same effect (the same configuration as the semiconductor light emitting device 1 is denoted by the same reference numeral). The description will be omitted, and the same applies hereinafter).

以下、半導体発光装置１と異なる部分について詳述する。リードフレーム１５ａは、厚肉部１５０の露出面から他の一方のリードフレーム１５ａに向かって延出し、厚肉部１５０より厚さの薄い第２の薄肉部１５２をさらに有している。なお、厚肉部１５０と第２の薄肉部１５２は異なる材料であってもかまわない。   Hereinafter, parts different from the semiconductor light emitting device 1 will be described in detail. The lead frame 15 a further includes a second thin portion 152 that extends from the exposed surface of the thick portion 150 toward the other lead frame 15 a and is thinner than the thick portion 150. The thick portion 150 and the second thin portion 152 may be made of different materials.

したがって、リードフレーム１５ａと放熱部材１７との接触面積が、実施の形態１の場合と比較して増大し、さらに放熱性を向上することができる。   Therefore, the contact area between the lead frame 15a and the heat radiating member 17 is increased as compared with the case of the first embodiment, and the heat dissipation can be further improved.

なお、第２の薄肉部１５２のＹ軸方向の長さは、第１の薄肉部のＹ軸方向の長さと比べて、長くても、短くてもよい。ただし、他の一つのリードフレーム１５ａとさえ接触しなければ、放熱部材１７との接触面積との観点から、できるだけ長い方が好ましい。   The length of the second thin portion 152 in the Y-axis direction may be longer or shorter than the length of the first thin portion in the Y-axis direction. However, as long as it is not in contact with the other one lead frame 15a, it is preferable that it is as long as possible from the viewpoint of the contact area with the heat radiating member 17.

（変形例２）
以下、本実施の形態にかかる半導体発光装置１の変形例２について述べる。図７は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光装置１ｂを示す概略図である。半導体発光装置１ｂは、一方のリードフレーム１５ｂの厚さが、他の一方のリードフレーム１５ｂの厚肉部１５０よりも薄い点で、２つのリードフレームが左右対称である半導体発光装置１とは異なる。この点以外は、半導体発光装置１ｂは、図１に示した半導体発光装置１と同様の構成であり、同様の効果を有する。 (Modification 2)
Hereinafter, Modification 2 of the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing a semiconductor light emitting device 1b according to the second modification of the first embodiment. The semiconductor light emitting device 1b is different from the semiconductor light emitting device 1 in which the two lead frames are symmetric in that the thickness of one lead frame 15b is thinner than the thick portion 150 of the other one lead frame 15b. . Except for this point, the semiconductor light emitting device 1b has the same configuration as the semiconductor light emitting device 1 shown in FIG. 1 and has the same effects.

以下、半導体発光装置１と異なる部分について詳述する。リードフレーム１５ｂは、一方のリードフレーム１５ｂの厚さが、他の一方のリードフレーム１５ｂの厚肉部１５０よりも薄く、対向するリードフレーム１５ｂ同士の形状が非対称である。なお、一方のリードフレーム１５ｂの厚さは、他の一方の厚肉部の厚さよりも薄ければ、どの厚さでも構わない。   Hereinafter, parts different from the semiconductor light emitting device 1 will be described in detail. In the lead frame 15b, the thickness of one lead frame 15b is thinner than the thick portion 150 of the other lead frame 15b, and the shapes of the opposing lead frames 15b are asymmetric. The thickness of one lead frame 15b may be any thickness as long as it is thinner than the thickness of the other thick portion.

また、一方のリードフレーム１５ｂの下面は、ハウジング１２から露出しておらず、放熱部材１７と接触していなくてもよい。このとき、放熱部材１７と接触しているリードフレーム１５ｂは、放熱部材と接触していないリードフレーム１５ｂに比べて、サブマウント１４との接触面積を大きくするように、サブマウント１４の中心をずらして配置することが、放熱性の観点から好ましい。   Further, the lower surface of one lead frame 15 b is not exposed from the housing 12 and may not be in contact with the heat dissipation member 17. At this time, the center of the submount 14 is shifted so that the lead frame 15b in contact with the heat radiating member 17 has a larger contact area with the submount 14 than the lead frame 15b not in contact with the heat radiating member. From the viewpoint of heat dissipation.

上記の構成より、図４（ａ）に示す第１の薄肉部１５１形状を設けないリードフレーム４５ａを用いた場合と比較して、隙間部１６を狭く設けることができる。したがって、他の一方のリードフレーム１５ｂを、一方のリードフレーム１５ｂに近接して設けることができ、リードフレーム１５ｂ上面とサブマウント１４下面との接触面積が著しく増大する。その結果、サブマウント１４からリードフレーム１５ｂへ伝熱される量が増え、放熱性が著しく向上する。   With the above configuration, the gap portion 16 can be provided narrower than in the case of using the lead frame 45a that does not have the first thin portion 151 shape shown in FIG. Therefore, the other one lead frame 15b can be provided close to the one lead frame 15b, and the contact area between the upper surface of the lead frame 15b and the lower surface of the submount 14 is remarkably increased. As a result, the amount of heat transferred from the submount 14 to the lead frame 15b increases, and the heat dissipation is remarkably improved.

（製造方法）
以下、本発明の変形例２に係るリードフレーム１５ｂの製造方法について簡潔に説明する。基本的には、前述のリードフレーム１５の製造方法と同じであるが、図５（ｃ）のリードフレーム１５の厚肉部１５０以外の領域を薄くする際に、本変形例における所望する形状（厚み）に応じて、薄くする箇所を設ければよい。 (Production method)
Hereinafter, a method for manufacturing the lead frame 15b according to the second modification of the present invention will be briefly described. Basically, the manufacturing method of the lead frame 15 is the same as that described above. However, when a region other than the thick portion 150 of the lead frame 15 in FIG. According to (thickness), a portion to be thinned may be provided.

（変形例３）
図８は、本発明の変形例３に係る本発明の実装後の半導体発光装置の断面図（半導体発光装置を主発光面に垂直な面で切った面を表す図）である。変形例３に係る半導体発光装置１ｃは、実施の形態１に係る半導体発光素子１をリードフレーム１５に基板側が主発光面になるように直接実装したものである。 (Modification 3)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device after mounting according to the present invention according to Modification 3 of the present invention (a view showing a surface of the semiconductor light emitting device cut by a plane perpendicular to the main light emitting surface). A semiconductor light emitting device 1c according to Modification 3 is obtained by directly mounting the semiconductor light emitting element 1 according to Embodiment 1 on a lead frame 15 so that the substrate side is the main light emitting surface.

（各部の構成）
以下、半導体発光装置１ｃの各構成について、より具体的に説明する。実施の形態１で説明した構成については、説明を省略する。半導体発光素子１０は、リードフレーム１５ｃとバンプ１９を介して機械的・電気的に接続されている。なお、バンプ１９はＡｕバンプが好ましい。 (Configuration of each part)
Hereinafter, each configuration of the semiconductor light emitting device 1c will be described more specifically. The description of the configuration described in Embodiment 1 is omitted. The semiconductor light emitting element 10 is mechanically and electrically connected via a lead frame 15 c and bumps 19. The bump 19 is preferably an Au bump.

（製造方法）
以下、本発明の変形例３に係る半導体発光装置１ｃの製造方法について簡潔に説明する。実施の形態１で示した基板側が主発光面にある半導体発光素子１をリードフレーム１５ｃにバンプ１９により接着させ、半導体発光装置１ｃとした。 (Production method)
Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1c according to the third modification of the present invention will be briefly described. The semiconductor light emitting device 1 having the main light emitting surface on the substrate side shown in the first embodiment is bonded to the lead frame 15c by the bumps 19 to obtain the semiconductor light emitting device 1c.

なお、実施の形態１は、リードフレームが２つの場合であるが、異なる極性さえ持てばよく、リードフレームは複数の場合であってもよい。   Although the first embodiment is a case where there are two lead frames, it is sufficient that they have different polarities, and there may be a plurality of lead frames.

以上のように、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を提供することができる。   As described above, the semiconductor light-emitting device of the present invention can provide a semiconductor light-emitting device that efficiently dissipates heat generated from a semiconductor light-emitting element using a lead frame.

本発明における実施の形態１の半導体発光装置の断面図Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of Embodiment 1 in this invention 本発明における実施の形態１のリードフレームの断面図Sectional drawing of the lead frame of Embodiment 1 in this invention 本発明における実施の形態１の半導体発光素子の断面図Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of Embodiment 1 in this invention 本発明における実施の形態１の半導体発光装置と比較例に係る半導体発光装置の断面図で（ａ）は薄肉部を設けない図、（ｂ）は隙間が広くなった図BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1A is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention and a semiconductor light emitting device according to a comparative example. FIG. 本発明における実施の形態１のリードフレームの製造工程を表す概略図Schematic showing the manufacturing process of the lead frame of Embodiment 1 in this invention. 本発明における実施の形態１の変形例１の半導体発光装置の断面図Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of the modification 1 of Embodiment 1 in this invention 本発明における実施の形態１の変形例２の半導体発光装置の断面図Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of the modification 2 of Embodiment 1 in this invention 本発明における実施の形態１の変形例３の半導体発光装置の断面図Sectional drawing of the semiconductor light-emitting device of the modification 3 of Embodiment 1 in this invention

符号の説明Explanation of symbols

１、１ａ、１ｂ、１ｃ 半導体発光装置
１０ 半導体発光素子
１１ 蛍光体層
１２ ハウジング
１３ スルーホール
１４、４４ サブマウント
１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ リードフレーム
１６、４６ａ、４６ｂ 隙間部
１７ 放熱部材
１８ 封止樹脂
１９ バンプ
４５ａ、４５ｂ リードフレーム
１００ 素子基板
１０１ ｎ型窒化物半導体層
１０２ 活性層
１０３ ｐ型窒化物半導体層
１０４ ｎ型電極
１０５ ｐ型電極
１０６ バンプ
１１０ 蛍光体
１５０ 厚肉部
１５１ 第１の薄肉部
１５２ 第２の薄肉部
１５３ 第３の薄肉部 1, 1a, 1b, 1c Semiconductor light emitting device 10 Semiconductor light emitting element 11 Phosphor layer 12 Housing 13 Through hole 14, 44 Submount 15, 15a, 15b, 15c Lead frame 16, 46a, 46b Clearance 17 Heat dissipation member 18 Sealing Resin 19 Bump 45a, 45b Lead frame 100 Element substrate 101 N-type nitride semiconductor layer 102 Active layer 103 P-type nitride semiconductor layer 104 N-type electrode 105 P-type electrode 106 Bump 110 Phosphor 150 Thick part 151 First thin-walled Part 152 Second thin part 153 Third thin part

Claims (14)

半導体発光素子と、前記半導体発光素子の主発光面側を覆っている蛍光体層と、前記半導体発光素子を収容しているハウジングと、前記半導体発光素子の前記主発光面側と反対側に配置されており、前記半導体発光素子とそれぞれ電気的に接続されている複数のリードフレームとを備え、前記リードフレームの少なくとも一つは、ハウジングから露出している露出面を有する厚肉部と、前記厚肉部の前記露出面の反対の面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第１の薄肉部とを有している半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device, a phosphor layer covering the main light emitting surface side of the semiconductor light emitting device, a housing accommodating the semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device disposed on the opposite side of the main light emitting surface side A plurality of lead frames each electrically connected to the semiconductor light emitting element, wherein at least one of the lead frames has a thick portion having an exposed surface exposed from a housing; A semiconductor light emitting device having a first thin portion that extends from a surface of the thick portion opposite to the exposed surface toward another lead frame and is thinner than the thick portion. 前記複数のリードフレームは、互いに極性の異なる電流が流れる２つのリードフレームである請求項１に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the plurality of lead frames are two lead frames through which currents having different polarities flow. 前記他の一つのリードフレームは、前記一つのリードフレームの形状と左右対称の形状である請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the other one lead frame has a shape symmetrical to the shape of the one lead frame. 4. 前記他の一つのリードフレームは、厚さが前記厚肉部よりも薄い請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the other one lead frame is thinner than the thick portion. 前記少なくとも一つのリードフレームは、前記厚肉部の露出面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記薄肉部より厚さの薄い第２の薄肉部を有している請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The at least one lead frame has a second thin part that extends from the exposed surface of the thick part toward another lead frame and is thinner than the thin part. The semiconductor light-emitting device according to claim 4. 前記少なくとも一つのリードフレームは、前記露出面において、放熱部材と接触している請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the at least one lead frame is in contact with a heat radiating member on the exposed surface. 前記半導体発光素子と前記複数のリードフレームとの間にサブマウントを備え、前記半導体発光素子と前記リードフレームとが、前記サブマウントを貫通するスルーホールを介して各々電気的に接続されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 A submount is provided between the semiconductor light emitting element and the plurality of lead frames, and the semiconductor light emitting element and the lead frame are electrically connected to each other through a through hole penetrating the submount. The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 6. 前記サブマウントは、前記少なくとも一つのリードフレームの露出面と反対側の面で、前記リードフレームと接触している請求項７に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to claim 7, wherein the submount is in contact with the lead frame on a surface opposite to an exposed surface of the at least one lead frame. 前記サブマウントと前記少なくとも一つのリードフレームとが、Ａｇペーストを介して接続されている請求項７または請求項８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to claim 7, wherein the submount and the at least one lead frame are connected to each other via an Ag paste. 前記放熱部材と接触しているリードフレームは、前記放熱部材と接触していないリードフレームに比べて、前記サブマウントとの接触面積が大きい請求項８または請求項９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 10. The lead frame according to claim 8, wherein the lead frame in contact with the heat dissipation member has a larger contact area with the submount than a lead frame not in contact with the heat dissipation member. Semiconductor light emitting device. 前記半導体発光素子の２つの電極と前記複数のリードフレームとが、バンプを介して各々電気的に接続されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the two electrodes of the semiconductor light-emitting element and the plurality of lead frames are electrically connected to each other through bumps. 前記バンプは、前記少なくとも一つのリードフレームの露出面と反対側の面で、前記リードフレームと接触している請求項１１に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to claim 11, wherein the bump is in contact with the lead frame on a surface opposite to an exposed surface of the at least one lead frame. 前記蛍光体層の側面は、前記サブマウントの側面と略同一平面上にある請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein a side surface of the phosphor layer is substantially flush with a side surface of the submount. 前記少なくとも一つのリードフレームは、前記厚肉部からハウジングの外部に向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第３の薄肉部を有している請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。 The at least one lead frame has a third thin portion that extends from the thick portion toward the outside of the housing and is thinner than the thick portion. 2. A semiconductor light emitting device according to claim 1.
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