JP2007005443A - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

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裕孝 西沢
Junichiro Osako
潤一郎 大迫
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a manufacturing cost of a multi-chip package. <P>SOLUTION: A flash memory chip 1M and a controller chip 1C are sealed in a resin package 2 of the multi-chip package (MCP1). Respective centers of opposed two long sides of the resin package 2 go back to the center side of the resin package 2 from opposite ends thereof. An outer lead 6o disposed along the two long sides of the resin package 2 among outer leads 6o connected to the controller chip 1C is taken out outward from the central part of the resin package 2, and tip ends thereof are located to the center side of the resin package 2 from the opposite ends. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、互いに異なる集積回路が形成された複数の半導体チップを搭載したマルチチップパッケージに適用して有効な技術に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing technique thereof, and more particularly to a technique that is effective when applied to a multichip package on which a plurality of semiconductor chips each having a different integrated circuit are mounted.

携帯電話機を始めとする各種携帯情報端末機器のデータ記憶媒体として、複数のフラッシュメモリチップを内蔵したメモリカードや、フラッシュメモリチップとその動作を制御するインタフェースコントローラとを内蔵したメモリカードが使用されている。   As data storage media for various portable information terminal devices such as cellular phones, memory cards incorporating a plurality of flash memory chips and memory cards incorporating a flash memory chip and an interface controller for controlling the operation thereof are used. Yes.

特開2004−13738号公報(特許文献1)には、安価な材料を用いて製造コストの低減を図ったメモリカードが開示されている。この公報に開示されたメモリカードは、合成樹脂からなる薄い板状のキャップと、このキャップの内部に装着された封止部とで構成されている。封止部内部には、金属製のリードフレームと、このリードフレームの一部(リード)の上に搭載された3個の半導体チップ(2個のメモリチップと1個のコントローラチップ)が封止されている。これらのチップは、Auワイヤを介してリードと電気的に接続されており、封止部の裏面には、リードフレームと一体に形成された接続端子が露出している。
特開2004−13738号公報
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-13738 (Patent Document 1) discloses a memory card that uses an inexpensive material to reduce the manufacturing cost. The memory card disclosed in this publication is composed of a thin plate-like cap made of synthetic resin and a sealing portion mounted inside the cap. Inside the sealing portion, a metal lead frame and three semiconductor chips (two memory chips and one controller chip) mounted on a part (lead) of the lead frame are sealed. Has been. These chips are electrically connected to leads via Au wires, and connection terminals formed integrally with the lead frame are exposed on the back surface of the sealing portion.
JP 2004-13738 A

近年、携帯情報端末機器の多機能化に伴って、メモリカードの種類やサイズも増加の一途を辿っている。特に、メモリチップとコントローラチップとを組み合わせたメモリカードのように、異種チップを混載したメモリカードの場合は、パッケージサイズが同一であっても外部接続端子の数が品種毎に異なっている。   In recent years, with the increase in the number of functions of portable information terminal devices, the types and sizes of memory cards have been steadily increasing. In particular, in the case of a memory card in which different types of chips are mixedly mounted, such as a memory card in which a memory chip and a controller chip are combined, the number of external connection terminals differs depending on the type even if the package size is the same.

そのため、メモリカードが良品であるか不良品であるかを判定するための電気テストを行う際、品種毎に異なるテストソケットを用意しなければならず、これがメモリカードの製造コストを引き上げる一因となっている。   Therefore, when performing an electrical test to determine whether a memory card is a good product or a defective product, a different test socket must be prepared for each product type, which is a factor that increases the manufacturing cost of the memory card. It has become.

本発明の目的は、異種チップを混載したマルチチップパッケージの製造コストを低減する技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique for reducing the manufacturing cost of a multichip package in which different types of chips are mixedly mounted.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

本発明の半導体装置は、リードフレームに設けられた複数のインナーリードと、前記リードフレームの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの一部と電気的に接続された第1の半導体チップと、前記リードフレームを介して、または直接に前記第1の半導体チップの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの他部と電気的に接続された第2の半導体チップとが樹脂パッケージに封止され、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに異なる集積回路が形成され、前記樹脂パッケージは、互いに対向する第1および第2の辺と、互いに対向する第3および第4の辺とを有し、前記第1および第2の辺は、それぞれの中央部が両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に後退し、前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記一部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3および第4の辺の少なくとも一方から外方に引き出されてアウターリードを構成し、前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記他部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの少なくとも前記第1および第2の辺のそれぞれの前記中央部から外方に引き出されてアウターリードを構成し、前記中央部から外方に突出した前記アウターリードのそれぞれの先端は、前記両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に位置しているものである。   The semiconductor device of the present invention includes a plurality of inner leads provided on a lead frame, and a first device mounted on one surface of the lead frame and electrically connected to a part of the plurality of inner leads via wires. A semiconductor chip and a second semiconductor chip mounted on one surface of the first semiconductor chip via the lead frame or directly connected to the other parts of the plurality of inner leads via wires Are sealed in a resin package, and the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are formed with different integrated circuits, and the resin package includes first and second sides facing each other; A third side and a fourth side opposite to each other, and the first and second sides have their center portions set back toward the center side of the resin package from both ends, The part of the inner leads electrically connected to one semiconductor chip is drawn outward from at least one of the third and fourth sides of the resin package to form an outer lead, and the second lead The inner lead of the other part electrically connected to the semiconductor chip is drawn outward from the central part of at least the first and second sides of the resin package to constitute an outer lead, Each of the outer leads projecting outward from the central portion is positioned closer to the center of the resin package than the both end portions.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。   Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

品種の異なるマルチチップパッケージの電気テストを共通のテストソケットを使って行うことが可能となるので、マルチチップパッケージの製造コストを低減することができる。   Since it is possible to perform an electrical test of different types of multi-chip packages using a common test socket, the manufacturing cost of the multi-chip package can be reduced.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

(実施の形態1)
本実施の形態の半導体装置は、例えば携帯電話などに装着して使用する小型メモリカード用マルチチップパッケージである。図1は、本実施の形態のマルチチップパッケージの外観を示す平面図、図2および図3は、図1に示すマルチチップパッケージの内部構造を示す図であり、図2は小型メモリカード用マルチチップパッケージの上面側から見た平面図、図3は小型メモリカード用マルチチップパッケージの下面側から見た平面図、図4は、図1のA−A線に沿った断面図、図5は、図1のB−B線に沿った断面図である。
(Embodiment 1)
The semiconductor device of the present embodiment is a multi-chip package for a small memory card that is used by being mounted on, for example, a mobile phone. FIG. 1 is a plan view showing the appearance of the multichip package of the present embodiment, FIGS. 2 and 3 are views showing the internal structure of the multichip package shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 3 is a plan view seen from the lower surface side of the multi-chip package for a small memory card, FIG. 4 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1.

マルチチップパッケージ(MCP1)は、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)が形成された第1の半導体チップ(以下、フラッシュメモリチップという)1Mと、このフラッシュメモリチップ1Mに対するメモリインタフェース動作を制御するインタフェースコントローラが形成された第2の半導体チップ(以下、コントローラチップという)1Cとが長方形の樹脂パッケージ2に封止されたSOP(Small-Outline Package)構造を有している。フラッシュメモリチップ1Mは、32メガバイト(Megabyte)〜16ギガバイト(Gigabyte)の記憶容量を有するチップであり、本実施の形態では、1ギガバイトの記憶容量を有しているチップを例示している。   The multi-chip package (MCP1) includes a first semiconductor chip (hereinafter referred to as a flash memory chip) 1M in which an electrically erasable and writable nonvolatile memory (flash memory) is formed, and a memory for the flash memory chip 1M A second semiconductor chip (hereinafter referred to as controller chip) 1C on which an interface controller for controlling the interface operation is formed has a SOP (Small-Outline Package) structure sealed in a rectangular resin package 2. The flash memory chip 1M is a chip having a storage capacity of 32 megabytes to 16 gigabytes. In the present embodiment, a chip having a storage capacity of 1 gigabyte is illustrated.

フラッシュメモリチップ1Mは、半導体基板(長方形の単結晶シリコン)上に半導体素子が形成されたチップであり、その主面(集積回路形成面)を下方に向けた状態で樹脂パッケージ2に封止されている。図3に示すように、フラッシュメモリチップ1Mの主面には、一対の短辺の一方に沿って複数(例えば24個)のボンディングパッド3が一列に配置されている。なお、図3では説明を簡略化するために、ボンディングパッド3の数を実際の数よりも少なく示している。ボンディングパッド3が配置された短辺の近傍には、複数本のインナーリード5iが配置されており、それぞれのインナーリード5iとそれに対応するボンディングパッド3とが、Auワイヤ7によって電気的に接続されている。また、それぞれのインナーリード5iの他端側は、樹脂パッケージ2の一対の短辺の一方から外方に引き出されてアウターリード5oを構成している。すなわち、アウターリード5oは、フラッシュメモリチップ1Mの外部接続端子として機能している。アウターリード5oの数は、例えば24本である。また、上記の樹脂パッケージ2は、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂またはビフェニール型エポキシ樹脂などのような熱硬化性樹脂からなり、フラッシュメモリチップ1Mおよびコントローラチップ1Cを良好に封止することを大きな目的の1つとして有している。   The flash memory chip 1M is a chip in which a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate (rectangular single crystal silicon), and is sealed in the resin package 2 with its main surface (integrated circuit formation surface) facing downward. ing. As shown in FIG. 3, on the main surface of the flash memory chip 1M, a plurality of (for example, 24) bonding pads 3 are arranged in a line along one of a pair of short sides. In FIG. 3, the number of bonding pads 3 is shown to be smaller than the actual number in order to simplify the description. In the vicinity of the short side where the bonding pads 3 are arranged, a plurality of inner leads 5 i are arranged, and the inner leads 5 i and the corresponding bonding pads 3 are electrically connected by Au wires 7. ing. The other end side of each inner lead 5 i is drawn outward from one of a pair of short sides of the resin package 2 to constitute an outer lead 5 o. That is, the outer lead 5o functions as an external connection terminal of the flash memory chip 1M. The number of outer leads 5o is, for example, 24. The resin package 2 is made of a thermosetting resin such as an ortho-cresol novolac type epoxy resin or a biphenyl type epoxy resin, and has a major purpose of sealing the flash memory chip 1M and the controller chip 1C satisfactorily. As one of them.

一方、コントローラチップ1Cは、フラッシュメモリチップ1Mよりも小型で、半導体基板(略正方形の単結晶シリコン)上に半導体素子が形成されたチップであり、その主面(集積回路形成面)を上方に向けた状態でフラッシュメモリチップ1Mの上面に搭載されている。フラッシュメモリチップ1Mの上面には、接着シートとして、両面に接着剤が塗布されたダイアタッチフィルム(Die Attach Film)8が貼り付けてあり、コントローラチップ1Cは、このダイアタッチフィルム8を介してフラッシュメモリチップ1Mの上面に接着されている。   On the other hand, the controller chip 1C is smaller than the flash memory chip 1M and is a chip in which a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate (substantially square single crystal silicon), and its main surface (integrated circuit formation surface) faces upward. It is mounted on the upper surface of the flash memory chip 1M. On the upper surface of the flash memory chip 1M, as an adhesive sheet, a die attach film (Die Attach Film) 8 coated with an adhesive on both sides is attached. The controller chip 1C is flashed via the die attach film 8. It is bonded to the upper surface of the memory chip 1M.

図2に示すように、コントローラチップ1Cの主面には、4つの辺に沿って複数(例えば64個)のボンディングパッド4が一列に配置されている。なお、図2では説明を簡略化するために、ボンディングパッド4の数を実際の数よりも少なく示している。また、コントローラチップ1Cの各辺の近傍には、複数本のインナーリード6iが配置されており、それぞれのインナーリード6iとそれに対応するボンディングパッド4とが、Auワイヤ7によって電気的に接続されている。これらのインナーリード6iは、前述したダイアタッチフィルム8を介してフラッシュメモリチップ1Mの上面に接着されている。   As shown in FIG. 2, a plurality of (for example, 64) bonding pads 4 are arranged in a row along the four sides on the main surface of the controller chip 1C. In FIG. 2, the number of bonding pads 4 is shown to be smaller than the actual number in order to simplify the description. Further, a plurality of inner leads 6i are arranged in the vicinity of each side of the controller chip 1C, and each inner lead 6i and the corresponding bonding pad 4 are electrically connected by Au wires 7. Yes. These inner leads 6i are bonded to the upper surface of the flash memory chip 1M via the die attach film 8 described above.

上記インナーリード6iの他端側は、樹脂パッケージ2の3辺(1つの短辺と2つの長辺)から外方に引き出されてアウターリード6oを構成している。すなわち、アウターリード6oは、コントローラチップ1Cの外部接続端子として機能している。   The other end side of the inner lead 6i is drawn outward from three sides (one short side and two long sides) of the resin package 2 to constitute an outer lead 6o. That is, the outer lead 6o functions as an external connection terminal of the controller chip 1C.

また、マルチチップパッケージMCP1の2つの長辺側のインナーリード6iのうちの一部は、長辺側の他のインナーリード6iの長さよりも長いものが存在する。この一部のインナーリード6iはマルチチップパッケージMCP1の中央部に配置されており、コントローラチップ1Cの4辺のうち、フラッシュメモリチップ1Mに電気的に接続されるインナーリード5iおよびアウターリード5oが配置されている側の1辺に沿うように配置され、コントローラチップ1Cの主面のボンディングパッド4と電気的に接続されている。この一部のインナーリード6iの長さはマルチチップパッケージMCP1の短辺の長さの半分よりも長くなるように、フラッシュメモリチップ1Mの短辺の長さの半分よりも長くなるように、または、コントローラチップ1Cの1辺の長さよりも長くなるように形成されているものも存在する。このように、この一部のインナーリード6iの長さを他のインナーリード6iの長さよりも長くすることで、コントローラチップ1Cの4辺に配置されたボンディングパッド4とワイヤ接続することが可能となる。   Also, some of the two long side inner leads 6i of the multichip package MCP1 are longer than the length of the other long side inner leads 6i. The partial inner leads 6i are arranged at the center of the multi-chip package MCP1, and among the four sides of the controller chip 1C, inner leads 5i and outer leads 5o that are electrically connected to the flash memory chip 1M are arranged. It is arrange | positioned along one side of the side by which it is carried out, and is electrically connected with the bonding pad 4 of the main surface of the controller chip 1C. The length of some of the inner leads 6i is longer than half of the short side length of the multichip package MCP1, so as to be longer than half of the short side length of the flash memory chip 1M, or There are some chips that are formed to be longer than the length of one side of the controller chip 1C. In this way, by making the length of some of the inner leads 6i longer than the length of the other inner leads 6i, it is possible to wire-connect with the bonding pads 4 arranged on the four sides of the controller chip 1C. Become.

また、本実施の形態におけるこの一部のインナーリード6iの配置位置は、フラッシュメモリチップ1Mに電気的に接続されるアウターリード5oおよびインナーリード5i、後述に説明するダミーのインナーリード6di、前述の一部のインナーリード6i、コントローラチップ1C、マルチチップパッケージMCP1の短辺側のインナーリード6iおよびアウターリード6oとなるように配置されている。   Further, in the present embodiment, the arrangement positions of some of the inner leads 6i are outer leads 5o and inner leads 5i that are electrically connected to the flash memory chip 1M, dummy inner leads 6di described later, The inner leads 6i, the controller chip 1C, and the inner leads 6i and outer leads 6o on the short side of the multichip package MCP1 are arranged.

また、これらのアウターリード6oのうち、樹脂パッケージ2の短辺から引き出されたアウターリード6oの数は、樹脂パッケージ2のもう一方の短辺から引き出された前記アウターリード5oの数と同じ(例えば24本)である。また、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出されたアウターリード6oの数は、コントローラチップ1Cのボンディングパッド4の数を64個とした場合、64−24=40個である。また、例えば電源(Vcc)端子を構成する複数のボンディングパッド4を1本のアウターリード5oに接続したり、GND端子を構成する複数のボンディングパッド4を1本のアウターリード5oに接続したりすることによって、2つの長辺から外方に引き出されるアウターリード5oの数を40本よりも少なくすることが可能である。   Of these outer leads 6o, the number of outer leads 6o drawn from the short side of the resin package 2 is the same as the number of outer leads 5o drawn from the other short side of the resin package 2 (for example, 24). Further, the number of outer leads 6o drawn outward from the two long sides of the resin package 2 is 64-24 = 40 when the number of bonding pads 4 of the controller chip 1C is 64. Further, for example, a plurality of bonding pads 4 constituting a power supply (Vcc) terminal are connected to one outer lead 5o, or a plurality of bonding pads 4 constituting a GND terminal are connected to one outer lead 5o. As a result, the number of outer leads 5o drawn outward from the two long sides can be reduced to less than 40.

本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)は、樹脂パッケージ2の対向する2つの長辺のそれぞれの中央部がその両端部よりも樹脂パッケージ2の中心側に後退している。そして、樹脂パッケージ2の2つの長辺に沿って配置された上記複数本のアウターリード6oは、樹脂パッケージ2の上記中央部から外方に引き出され、それらの先端は、上記両端部よりも樹脂パッケージ2の中心側に位置している。すなわち、図5に示すように、樹脂パッケージ2の長辺の中央部から外方に引き出されたアウターリード6oの先端は、樹脂パッケージ2の長辺の両端部よりも長さα(αは正数)だけ樹脂パッケージ2の内側に後退している。アウターリード5o、6oは、マルチチップパッケージ(MCP1)を小型メモリカードの配線基板に半田実装するために、ガルウィング状に曲げ加工されている。そのため、長さαを大きくするとアウターリード5oの長さが短くなって曲げ加工が困難になる。また、アウターリード5oの長さが短くなると、配線基板の電極と接触する面積も小さくなり、アウターリード5oと電極との接続信頼性が低下する。従って、長さαは、加工誤差の許容範囲内で出来るだけ0に近づけることが望ましい。   In the multichip package (MCP1) of the present embodiment, the central portions of the two opposing long sides of the resin package 2 are set back toward the center of the resin package 2 from both ends thereof. The plurality of outer leads 6o arranged along the two long sides of the resin package 2 are drawn outward from the center portion of the resin package 2, and their tips are more resin than the both end portions. It is located on the center side of the package 2. That is, as shown in FIG. 5, the tip of the outer lead 6o drawn outward from the center of the long side of the resin package 2 has a length α (α is a positive value) than both ends of the long side of the resin package 2. The number is set back inside the resin package 2. The outer leads 5o and 6o are bent into a gull wing shape so that the multi-chip package (MCP1) is solder-mounted on the wiring board of the small memory card. For this reason, when the length α is increased, the length of the outer lead 5o is shortened, making bending difficult. Further, when the length of the outer lead 5o is shortened, the area in contact with the electrode of the wiring board is also reduced, and the connection reliability between the outer lead 5o and the electrode is lowered. Therefore, it is desirable that the length α be as close to 0 as possible within the allowable range of processing errors.

上記樹脂パッケージ2は、例えば長辺=15.4mm、短辺=12.0mm、厚さ=0.62mmのエポキシ樹脂からなる。フラッシュメモリチップ1Mの厚さは、例えば0.08mm、コントローラチップ1Cの厚さは、例えば0.08〜0.16mmである。インナーリード5i、6iおよびアウターリード5o、6oは、例えば厚さ0.1mmの42アロイや銅からなる。   The resin package 2 is made of, for example, an epoxy resin having a long side = 15.4 mm, a short side = 12.0 mm, and a thickness = 0.62 mm. The flash memory chip 1M has a thickness of 0.08 mm, for example, and the controller chip 1C has a thickness of 0.08 to 0.16 mm, for example. The inner leads 5i and 6i and the outer leads 5o and 6o are made of, for example, 42 alloy having a thickness of 0.1 mm or copper.

図2に示すように、樹脂パッケージ2の長辺の中央部から外方に引き出されたアウターリード6oは、コントローラチップ1Cに接続されていないダミーのアウターリード6doを含んでいる。ダミーのアウターリード6doは、樹脂パッケージ2の内部に配置されたダミーのインナーリード6diと一体に構成されている。このダミーのインナーリード6diは、前述のフラッシュメモリチップ1Mおよびコントローラチップ1Cとは電気的に接続しないリードであり、従って、アウターリード6doも外部端子としては機能しない。これらのインナーリード6diおよびアウターリード6doは、樹脂パッケージ2に覆われて形成されており、アウターリード6doが外部から電圧を供給されることがないような構成になっている。   As shown in FIG. 2, the outer lead 6o drawn outward from the center of the long side of the resin package 2 includes a dummy outer lead 6do that is not connected to the controller chip 1C. The dummy outer lead 6do is configured integrally with a dummy inner lead 6di disposed inside the resin package 2. The dummy inner lead 6di is a lead that is not electrically connected to the flash memory chip 1M and the controller chip 1C, and therefore the outer lead 6do does not function as an external terminal. The inner lead 6di and the outer lead 6do are formed so as to be covered with the resin package 2, and the outer lead 6do is not supplied with a voltage from the outside.

ダミーのインナーリード6diは、厚さが極めて薄い(例えば0.08mm)フラッシュメモリチップ1Mの平坦度を確保し、樹脂パッケージ2をモールド成形する際にフラッシュメモリチップ1Mが変形するのを防ぐために、前述したダイアタッチフィルム8を介してフラッシュメモリチップ1Mの上面に接着されている。また、コントローラチップ1Cとその周囲に配置されたインナーリード6iも、ダミーのインナーリード6diと共にフラッシュメモリチップ1Mの平坦度を確保する機能を有している。従って、ダミーのインナーリード6diは、フラッシュメモリチップ1Mの上面のうち、コントローラチップ1Cおよびインナーリード6iが配置されていない領域を覆うように配置される。   The dummy inner lead 6di is extremely thin (for example, 0.08 mm) in order to ensure the flatness of the flash memory chip 1M and prevent the flash memory chip 1M from being deformed when the resin package 2 is molded. It is bonded to the upper surface of the flash memory chip 1M via the die attach film 8 described above. Further, the controller chip 1C and the inner leads 6i arranged around the controller chip 1C have a function of ensuring the flatness of the flash memory chip 1M together with the dummy inner leads 6di. Accordingly, the dummy inner lead 6di is disposed so as to cover a region where the controller chip 1C and the inner lead 6i are not disposed on the upper surface of the flash memory chip 1M.

本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)を組み立てるには、まず、前述したフラッシュメモリチップ1Mおよびコントローラチップ1Cと、図6に示すリードフレームLFとを用意する。リードフレームLFは、前述したインナーリード5i、6iおよびアウターリード5o、6o(ダミーのインナーリード6diおよびアウターリード6doを含む)とそれらを支持する枠体9とで構成されている。ただしアウターリード6doやインナーリード6diは絶縁性のダイボンドフィルムや接着剤の絶縁特性を生かして、必要に応じて電源のグランドや電源(Vcc)等の電位を与えることも可能である。図6は、リードフレームLFの一部(パッケージ2個分)を示したもので、実際のリードフレームLFは、例えば8個のパッケージを同時に成形できる多連構造を有している。   In order to assemble the multichip package (MCP1) of the present embodiment, first, the flash memory chip 1M and the controller chip 1C described above and the lead frame LF shown in FIG. 6 are prepared. The lead frame LF includes the above-described inner leads 5i and 6i and outer leads 5o and 6o (including dummy inner leads 6di and outer leads 6do) and a frame body 9 that supports them. However, the outer lead 6do and the inner lead 6di can take advantage of the insulating properties of the insulating die-bonding film and adhesive to apply a potential such as a power supply ground or a power supply (Vcc) as necessary. FIG. 6 shows a part of the lead frame LF (for two packages). The actual lead frame LF has, for example, a multiple structure capable of simultaneously molding eight packages.

フラッシュメモリチップ1Mは、周知の製造方法でフラッシュメモリを形成したシリコンウエハの裏面を研磨してその厚さを0.08mmまで薄くした後、このシリコンウエハをダイシングすることによって得られる。また、コントローラチップ1Cは、周知の製造方法でインタフェースコントローラを形成したシリコンウエハの裏面を研磨してその厚さを0.08〜0.16mmまで薄くした後、このシリコンウエハをダイシングすることによって得られる。フラッシュメモリが形成されたシリコンウエハをダイシングする際には、その裏面に前述したダイアタッチフィルム8とダイシングテープとを貼り付けておく。このようにすると、裏面にダイアタッチフィルム8が貼り付けられたコントローラチップ1Cが得られるので、フラッシュメモリチップ1MをリードフレームLFに搭載する際に接着剤を塗布する手間が不要となる。また必要に応じてチップ厚さを0.08mm以下の薄さに研磨する場合も同様である。   The flash memory chip 1M is obtained by polishing the back surface of a silicon wafer on which a flash memory is formed by a known manufacturing method to reduce the thickness to 0.08 mm, and then dicing the silicon wafer. The controller chip 1C is obtained by polishing the back surface of the silicon wafer on which the interface controller is formed by a well-known manufacturing method to reduce the thickness to 0.08 to 0.16 mm, and then dicing the silicon wafer. It is done. When dicing the silicon wafer on which the flash memory is formed, the above-described die attach film 8 and dicing tape are attached to the back surface thereof. In this way, since the controller chip 1C having the die attach film 8 attached to the back surface is obtained, it is not necessary to apply an adhesive when mounting the flash memory chip 1M on the lead frame LF. The same applies to the case where the chip thickness is polished to a thickness of 0.08 mm or less as required.

次に、図7に示すように、フラッシュメモリチップ1Mの裏面のダイアタッチフィルム8にインナーリード6iおよびダミーのインナーリード6diを貼り付けることによって、フラッシュメモリチップ1MをリードフレームLFの所定位置に固定した後、ダイアタッチフィルム8の所定位置にコントローラチップ1Cを貼り付ける。続いて、リードフレームLFを加熱し、ダイアタッチフィルム8に塗布された接着剤を熱硬化させることによって、フラッシュメモリチップ1Mとコントローラチップ1CとをリードフレームLFに同時に搭載する。   Next, as shown in FIG. 7, the flash memory chip 1M is fixed at a predetermined position of the lead frame LF by attaching the inner lead 6i and the dummy inner lead 6di to the die attach film 8 on the back surface of the flash memory chip 1M. After that, the controller chip 1 </ b> C is attached to a predetermined position of the die attach film 8. Subsequently, the flash memory chip 1M and the controller chip 1C are simultaneously mounted on the lead frame LF by heating the lead frame LF and thermosetting the adhesive applied to the die attach film 8.

フラッシュメモリチップ1Mとコントローラチップ1CをリードフレームLFに搭載する他の方法として、例えば周知の接着剤を使ってフラッシュメモリチップ1MをリードフレームLFに貼り付けた後、コントローラチップ1Cをフラッシュメモリチップ1Mに貼り付ける方法がある。また、予めインナーリード6iに貼り付けておいた接着テープを利用してフラッシュメモリチップ1MをリードフレームLFに貼り付けた後、周知の接着剤を使ってコントローラチップ1Cをフラッシュメモリチップ1Mに貼り付ける方法もある。しかし、前述したダイアタッチフィルム8を利用する方法は、これらの方法に比べて簡便であることから、マルチチップパッケージ(MCP1)の製造コストを低減するのに有効である。   As another method for mounting the flash memory chip 1M and the controller chip 1C on the lead frame LF, for example, after the flash memory chip 1M is attached to the lead frame LF using a known adhesive, the controller chip 1C is attached to the flash memory chip 1M. There is a method to paste. Further, after the flash memory chip 1M is attached to the lead frame LF using an adhesive tape previously attached to the inner lead 6i, the controller chip 1C is attached to the flash memory chip 1M using a known adhesive. There is also a method. However, since the method using the die attach film 8 described above is simpler than these methods, it is effective in reducing the manufacturing cost of the multichip package (MCP1).

次に、フラッシュメモリチップ1Mのボンディングパッド3とインナーリード5iとをAuワイヤ7で接続し、コントローラチップ1Cのボンディングパッド4とインナーリード6iとをAuワイヤ7で接続した後、リードフレームLFをモールド金型に装着し、フラッシュメモリチップ1M、コントローラチップ1C、インナーリード5i、6iおよびAuワイヤ7を樹脂パッケージ2に封止する。続いて、樹脂パッケージ2の外部に露出したリードフレームLFのタイバー領域などの不要部分を切断、除去した後、アウターリード5o、6oをガルウィング状に曲げ加工することにより、前記図1〜図5に示すマルチチップパッケージ(MCP1)が得られる。   Next, the bonding pad 3 of the flash memory chip 1M and the inner lead 5i are connected by the Au wire 7, the bonding pad 4 of the controller chip 1C and the inner lead 6i are connected by the Au wire 7, and then the lead frame LF is molded. The flash memory chip 1M, the controller chip 1C, the inner leads 5i and 6i, and the Au wire 7 are sealed in the resin package 2 after being mounted on the mold. Subsequently, after cutting and removing unnecessary portions such as a tie bar region of the lead frame LF exposed to the outside of the resin package 2, the outer leads 5o and 6o are bent into a gull wing shape to obtain the above-described FIGS. The multi-chip package (MCP1) shown is obtained.

なお、フラッシュメモリチップ1Mに接続されるインナーリード5iと、コントローラチップ1Cに接続されるインナーリード6iのうち、共通の機能を有するもの(例えばGND端子)は、共通のインナーリードで構成することもできる。このようにすると、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出すアウターリード6oの数を少なくすることができるので、リードフレームLFの設計が容易になる。   Of the inner leads 5i connected to the flash memory chip 1M and the inner leads 6i connected to the controller chip 1C, those having a common function (for example, a GND terminal) may be configured by a common inner lead. it can. In this way, since the number of outer leads 6o drawn outward from the two long sides of the resin package 2 can be reduced, the design of the lead frame LF is facilitated.

このように、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)は、フラッシュメモリチップ1Mとコントローラチップ1Cを安価な材料であるリードフレームLFに搭載して樹脂パッケージ2で封止しているので、フラッシュメモリチップ1Mとコントローラチップ1Cを配線基板に実装するマルチチップパッケージに比べて材料費が安価で済む利点がある。   As described above, the multi-chip package (MCP1) of the present embodiment has the flash memory chip 1M and the controller chip 1C mounted on the lead frame LF, which is an inexpensive material, and sealed with the resin package 2. There is an advantage that the material cost can be reduced compared with the multi-chip package in which the memory chip 1M and the controller chip 1C are mounted on the wiring board.

次に、上記の方法で製造されたマルチチップパッケージ(MCP1)が良品であるか不良品であるかを判定するための電気テストを行う。この電気テストは、テスタに接続されたテストソケットにマルチチップパッケージ(MCP1)を装着した状態で行う。   Next, an electrical test is performed to determine whether the multichip package (MCP1) manufactured by the above method is a good product or a defective product. This electrical test is performed with the multi-chip package (MCP1) mounted in a test socket connected to the tester.

マルチチップパッケージ(MCP1)の電気テストを行う際は、例えば図8および図9に示すような別種のマルチチップパッケージ(MCP2)の電気テストを行う際に使用するテストソケットと同一のテストソケットを使用する。   When performing the electrical test of the multi-chip package (MCP1), for example, the same test socket as that used when performing the electrical test of another type of multi-chip package (MCP2) as shown in FIGS. 8 and 9 is used. To do.

マルチチップパッケージ(MCP2)は、2個のフラッシュメモリチップ1Mを樹脂パッケージ2に封止したSOP構造を有している。樹脂パッケージ2の寸法は、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)と同一である。また、2個のフラッシュメモリチップ1Mは、いずれも本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)で使用しているフラッシュメモリチップ1Mと同一のものであり、その一方は、その主面を下に向けた状態でダイパッド部10の下面に接着され、もう一方は、その主面を上に向けた状態でダイパッド部10の上面に接着されている。   The multi-chip package (MCP2) has an SOP structure in which two flash memory chips 1M are sealed in a resin package 2. The dimensions of the resin package 2 are the same as those of the multichip package (MCP1) of the present embodiment. The two flash memory chips 1M are the same as the flash memory chip 1M used in the multi-chip package (MCP1) of the present embodiment, and one of the two flash memory chips 1M faces down. The other side is bonded to the lower surface of the die pad portion 10 and the other side is bonded to the upper surface of the die pad portion 10 with its main surface facing upward.

一方のフラッシュメモリチップ1Mの主面に形成されたボンディングパッド3とその近傍に配置されたインナーリード5iは、Auワイヤ7によって電気的に接続されている。インナーリード5iの他端側は、樹脂パッケージ2の一対の短辺の一方から外方に引き出されてアウターリード5oを構成している。また、もう一方のフラッシュメモリチップ1Mの主面に形成されたボンディングパッド3とその近傍に配置されたインナーリード5iは、Auワイヤ7によって電気的に接続されている。インナーリード5iの他端側は、樹脂パッケージ2の一対の短辺の他方から外方に引き出されてアウターリード5oを構成している。樹脂パッケージ2の一対の短辺から引き出されたアウターリード5oの数は、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)と同一(例えば24本+24本)である。   The bonding pad 3 formed on the main surface of one flash memory chip 1M and the inner lead 5i disposed in the vicinity thereof are electrically connected by an Au wire 7. The other end side of the inner lead 5i is drawn outward from one of a pair of short sides of the resin package 2 to constitute an outer lead 5o. Further, the bonding pad 3 formed on the main surface of the other flash memory chip 1M and the inner lead 5i disposed in the vicinity thereof are electrically connected by the Au wire 7. The other end side of the inner lead 5i is drawn outward from the other of the pair of short sides of the resin package 2 to constitute an outer lead 5o. The number of outer leads 5o drawn from the pair of short sides of the resin package 2 is the same as that of the multichip package (MCP1) of the present embodiment (for example, 24 + 24).

図10は、上記マルチチップパッケージ(MCP2)の電気テストを行う際に使用するテストソケットの要部断面図である。テストソケット20は、樹脂製のソケット本体21と、マルチチップパッケージ(MCP2)を収容するキャリア22とを備えている。ソケット本体21の内部には、マルチチップパッケージ(MCP2)のアウターリード5oと同数の端子23が埋め込まれており、それぞれの端子23の一端は、キャリア22の底部に露出している。また、それぞれの端子23の他端は図示しないテスタに接続され、所定のテスト信号が供給されるようになっている。   FIG. 10 is a cross-sectional view of an essential part of a test socket used when an electrical test of the multichip package (MCP2) is performed. The test socket 20 includes a resin socket body 21 and a carrier 22 that houses a multi-chip package (MCP2). The same number of terminals 23 as the outer leads 5o of the multi-chip package (MCP2) are embedded in the socket body 21, and one end of each terminal 23 is exposed at the bottom of the carrier 22. Further, the other end of each terminal 23 is connected to a tester (not shown) so that a predetermined test signal is supplied.

電気テストを行う際には、ピンセットなどを使ってマルチチップパッケージ(MCP2)をキャリア22内に収容する。すると、アウターリード5oのそれぞれが対応する端子23と接触するので、プッシャー24の下端をアウターリード5oに押しつけてアウターリード5oを端子23に密着、固定する。そして、テスタから端子23を通じてそれぞれのフラッシュメモリチップ1Mにテスト信号を供給し、電気テストを行う。   When performing an electrical test, the multichip package (MCP2) is accommodated in the carrier 22 using tweezers or the like. Then, since each of the outer leads 5o comes into contact with the corresponding terminal 23, the lower end of the pusher 24 is pressed against the outer lead 5o, and the outer lead 5o is adhered and fixed to the terminal 23. Then, a test signal is supplied from the tester to each flash memory chip 1M through the terminal 23 to perform an electrical test.

一方、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)を上記テストソケット20のキャリア22内に収容すると、フラッシュメモリチップ1Mに接続されたアウターリード5oのそれぞれが対応する端子23と接触する。また、コントローラチップ1Cに接続されたアウターリード6oのうち、樹脂パッケージ2の短辺から引き出されたアウターリード6oのそれぞれが対応する端子23と接触する。前述したように、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出されたアウターリード6oの先端は、長辺の両端部よりも樹脂パッケージ2の中心側に位置しているので、マルチチップパッケージ(MCP1)をテストソケット20のキャリア22内に収容する際にこれらのアウターリード6oが妨げとなることはない。そこで、フラッシュメモリチップ1Mに接続されたアウターリード5oと接触している端子23のみにテスト信号を供給し、フラッシュメモリチップ1Mの良、不良を判定する。一方、コントローラチップ1Cの良、不良は、コントローラチップ1Cに接続されたアウターリード6oに接触する端子を備えた別のテストソケットを用いた電気テストによって判定する。   On the other hand, when the multi-chip package (MCP1) of the present embodiment is accommodated in the carrier 22 of the test socket 20, each of the outer leads 5o connected to the flash memory chip 1M comes into contact with the corresponding terminal 23. In addition, among the outer leads 6o connected to the controller chip 1C, each of the outer leads 6o drawn from the short side of the resin package 2 comes into contact with the corresponding terminal 23. As described above, the tips of the outer leads 6o drawn outward from the two long sides of the resin package 2 are located closer to the center of the resin package 2 than both ends of the long side. When the (MCP1) is accommodated in the carrier 22 of the test socket 20, these outer leads 6o do not hinder. Therefore, a test signal is supplied only to the terminal 23 that is in contact with the outer lead 5o connected to the flash memory chip 1M to determine whether the flash memory chip 1M is good or bad. On the other hand, whether the controller chip 1C is good or bad is determined by an electrical test using another test socket having terminals that contact the outer leads 6o connected to the controller chip 1C.

このように、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)の電気テストを行う際には、コントローラチップ1Cの良、不良を判定するためのテストソケットのみを新たに作成するだけでよく、フラッシュメモリチップ1Mの良、不良を判定するためのテストソケット20は、別種のマルチチップパッケージ(MCP2)の電気テストを行う際に使用するものをそのまま使用する。これにより、テストソケットの作成費用を低減することができるので、マルチチップパッケージ(MCP1)の製造コストを低減することができる。   As described above, when the electrical test of the multi-chip package (MCP1) of the present embodiment is performed, it is only necessary to newly create a test socket for determining whether the controller chip 1C is good or bad. As the test socket 20 for determining whether the chip 1M is good or bad, the test socket 20 used when performing an electrical test of another type of multi-chip package (MCP2) is used as it is. As a result, the cost for creating the test socket can be reduced, and thus the manufacturing cost of the multichip package (MCP1) can be reduced.

また、本実施の形態のマルチチップパッケージ(MCP1)を搬送する際には、別種のマルチチップパッケージ(MCP2)用に作成した搬送トレイが利用可能であることから、搬送トレイの作成費用も低減することができる。   Further, when the multi-chip package (MCP1) of the present embodiment is transported, a transport tray created for another type of multi-chip package (MCP2) can be used, so that the cost for creating the transport tray is also reduced. be able to.

また、同一の樹脂パッケージ2に封止されたフラッシュメモリチップ1Mの良、不良とコントローラチップ1Cの良、不良を別個に判定することにより、フラッシュメモリチップ1Mとコントローラチップ1Cのいずれか一方が良品と判定されたマルチチップパッケージ(MCP1)の再生利用が可能となる。すなわち、フラッシュメモリチップ1Mのみが良品であるマルチチップパッケージ(MCP1)と、コントローラチップ1Cのみが良品であるマルチチップパッケージ(MCP1)と組み合わせて使用することにより、1個のマルチチップパッケージ(MCP1)と同等の機能を持つ製品が得られる。   In addition, by separately determining whether the flash memory chip 1M sealed in the same resin package 2 is good or bad and the controller chip 1C good or bad, one of the flash memory chip 1M and the controller chip 1C is good. The multi-chip package (MCP1) determined to be can be recycled. That is, by using a combination of a multi-chip package (MCP1) in which only the flash memory chip 1M is a non-defective product and a multi-chip package (MCP1) in which only the controller chip 1C is a non-defective product, one multi-chip package (MCP1) is used. A product with the same function can be obtained.

図11は上記のマルチチップパッケージ(MCP1)を配線基板31の上面に搭載した図である。このマルチチップパッケージ(MCP1)は、続く図13〜図15に記載されるキャップ(樹脂封止体)33によって覆われることによって、図16に示すようなメモリカード30aを構成する。このメモリカード30aの外形寸法は、例えば長辺が24mm程度、短辺が18mm程度、厚さが1.4mm程度である。この寸法は、マルチメディアカード協会で規格化された寸法であり、このメモリカード30aはリデューストサイズMMC(Reduced Size MMC:以下、RSMMCという)と呼称される。メモリカード30aは、上記の外形寸法であれば、例えば携帯電話やデジタル・カメラ等のような小型の電子装置に使用可能であるが、金属製のアダプタ(補助器具)34等を装着することにより、携帯型パーソナルコンピュータ等のような相対的に大型の電子装置にも使用可能な構造になっている。また、配線基板31上には、必要に応じてチップコンデンサ素子やチップ抵抗素子などの受動素子32を設けることができる。   FIG. 11 is a diagram in which the multi-chip package (MCP1) is mounted on the upper surface of the wiring board 31. FIG. This multi-chip package (MCP1) is covered with a cap (resin sealing body) 33 described in FIGS. 13 to 15 to constitute a memory card 30a as shown in FIG. The external dimensions of the memory card 30a are, for example, a long side of about 24 mm, a short side of about 18 mm, and a thickness of about 1.4 mm. This dimension is a dimension standardized by the Multimedia Card Association, and this memory card 30a is referred to as a reduced size MMC (hereinafter referred to as RSMMC). The memory card 30a can be used for a small electronic device such as a mobile phone or a digital camera, for example, as long as it has the above-mentioned outer dimensions, but by attaching a metal adapter (auxiliary device) 34 or the like. The structure can be used for relatively large electronic devices such as portable personal computers. Further, on the wiring substrate 31, a passive element 32 such as a chip capacitor element or a chip resistance element can be provided as necessary.

図12は、配線基板31の裏面を示した図であり、外部端子C1〜C7が設けられている。これら外部端子C1〜C7は、それぞれRSV(リザーブ)、CMD、Vss1(第1接地端子)、Vdd(電源端子)、CLK(クロック端子)、Vss2(第2接地端子)、DAT(データ端子)として機能する端子である。また、マルチチップパッケージ(MCP1)内に形成されているフラッシュメモリチップ1Mおよびコントローラチップ1Cの信号端子は、配線基板31上に形成された配線(図示せず)によって、上記の外部端子C1〜C7と電気的に接続されている。   FIG. 12 is a view showing the back surface of the wiring board 31, and external terminals C1 to C7 are provided. These external terminals C1 to C7 are RSV (reserve), CMD, Vss1 (first ground terminal), Vdd (power supply terminal), CLK (clock terminal), Vss2 (second ground terminal), and DAT (data terminal), respectively. It is a functioning terminal. The signal terminals of the flash memory chip 1M and the controller chip 1C formed in the multi-chip package (MCP1) are connected to the external terminals C1 to C7 by wiring (not shown) formed on the wiring board 31. And are electrically connected.

図13は、配線基板31の上面とマルチチップパッケージ(MCP1)とを覆うキャップ(樹脂封止体)33を示した図である。キャップ33には、図16で示したアダプタ34と接続するための部分である嵌合部35aと爪引っ掛け部35bが設けられている。キャップ33は、例えば軽量化、加工容易性および柔軟性を図る観点から、ポリカーボネート、ABS樹脂(acrylonitrile butadiene styrene resin)、PBT(ポリブチレンテレフタレート:polybutylene terephthalate)、PPE(Poly Phenylen Ether:ポリフェニレンエーテル)、ナイロン、LCP(液晶ポリマ:liquid crystal polymer)、PET(ポリエチレンテレフタレート:polyethylen terephtalate)またはこれらの混合物等のような熱可塑性樹脂からなる。   FIG. 13 is a view showing a cap (resin sealing body) 33 that covers the upper surface of the wiring substrate 31 and the multichip package (MCP1). The cap 33 is provided with a fitting part 35a and a claw hook part 35b which are parts for connecting to the adapter 34 shown in FIG. The cap 33 is made of, for example, polycarbonate, ABS resin (acrylonitrile butadiene styrene resin), PBT (polybutylene terephthalate), PPE (Poly Phenylen Ether), from the viewpoint of weight reduction, processability and flexibility. It is made of a thermoplastic resin such as nylon, LCP (liquid crystal polymer), PET (polyethylen terephtalate) or a mixture thereof.

図14は、図13のX−X線に沿った断面図、図15は、配線基板31上に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)をキャップ33の溝36内に接着材(図示せず)を介して搭載した状態を示す断面図である。   14 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 13, and FIG. 15 is an adhesive (not shown) for bonding the multichip package (MCP1) mounted on the wiring board 31 into the groove 36 of the cap 33. It is sectional drawing which shows the state mounted via.

図17は、前記図11および図12で示した配線基板31に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)を、別のタイプのキャップ(樹脂封止体)37で覆った場合のメモリカード30bを示した図、図18は、図17のY−Y線に沿った断面図である。このメモリカード30bの外形寸法は、例えば長辺が32mm程度、短辺が24mm程度、厚さが1.4mm程度である。この寸法は、マルチメディアカード協会で規格化されたマルチメディアカード(MMC)と同一寸法である。   FIG. 17 shows a memory card 30b when the multi-chip package (MCP1) mounted on the wiring board 31 shown in FIGS. 11 and 12 is covered with another type of cap (resin sealing body) 37. FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line YY of FIG. The external dimensions of the memory card 30b are, for example, a long side of about 32 mm, a short side of about 24 mm, and a thickness of about 1.4 mm. This dimension is the same as the multimedia card (MMC) standardized by the Multimedia Card Association.

図19は、配線基板31上に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)をキャップ37の溝36内に接着材(図示せず)を介して搭載した状態を示す断面図である。溝36は、上述のメモリカード30aのキャップ33に設けられた溝と同様であり、この溝36内に、図11の配線基板31上に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)が収められる形状である。図20は、メモリカード30bの裏面を示す外観図である。   FIG. 19 is a cross-sectional view showing a state in which the multichip package (MCP1) mounted on the wiring board 31 is mounted in the groove 36 of the cap 37 via an adhesive (not shown). The groove 36 is the same as the groove provided in the cap 33 of the memory card 30a described above, and the groove 36 has such a shape that the multichip package (MCP1) mounted on the wiring board 31 of FIG. is there. FIG. 20 is an external view showing the back surface of the memory card 30b.

図21〜図24は、前記図11および図12で示した配線基板31に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)を、SDカード協会で規格化されているSDカードの寸法を適用したメモリカード30cを示した図である。その外形寸法は、例えば長辺が32mm、幅が24mm、厚さが2.1mmである。メモリカード30cの外観形状は、第1および第2のケース38a、38bにより形成されている。   FIGS. 21 to 24 show a memory card 30c in which the multi-chip package (MCP1) mounted on the wiring board 31 shown in FIGS. 11 and 12 is applied with the SD card dimensions standardized by the SD card association. FIG. The external dimensions are, for example, a long side of 32 mm, a width of 24 mm, and a thickness of 2.1 mm. The external shape of the memory card 30c is formed by the first and second cases 38a and 38b.

図21〜図23に示すように、インデックス用の面取り部CF1は、規格化されているもので、メモリカード30cを所望の電子装置に装着する際の装着方向を認識し易くし、またメモリカードが逆向きにコネクタに挿入されることを防止する等の機能を有している。また、ケース38a、38bの両長辺の一部には、メモリカード30cの短方向に窪むような溝39a、39bが形成されている。片側の長辺の溝39aからはスイッチ40の表出部40aが露出されている。このスイッチ40は、データ書き込みの可否を切り換えるスイッチである。スイッチ40の表出部40aは、メモリカード30cの長手方向に移動可能になっている。ここでは、電子装置がスイッチ40の表出部40aの位置を光学的または機械的に読み取り、読み取った表出部40aの位置に応じてデータ書き込みの可否を自動的に判断するタイプのスイッチが例示されている。一方、ケース38a、38bのもう片側の長辺の溝39bは、メモリカード30cを所望の電子装置から不用意に抜けてしまう事を防止するラッチ機構を実現するための溝である。   As shown in FIGS. 21 to 23, the chamfered portion CF1 for index is standardized, makes it easy to recognize the mounting direction when the memory card 30c is mounted in a desired electronic device, and the memory card. Has a function of preventing the connector from being inserted into the connector in the opposite direction. In addition, grooves 39a and 39b that are recessed in the short direction of the memory card 30c are formed in a part of both long sides of the cases 38a and 38b. The exposed portion 40a of the switch 40 is exposed from the groove 39a on one long side. The switch 40 is a switch for switching whether data can be written. The exposed portion 40a of the switch 40 is movable in the longitudinal direction of the memory card 30c. In this example, the electronic device optically or mechanically reads the position of the exposed portion 40a of the switch 40 and automatically determines whether or not data can be written according to the read position of the exposed portion 40a. Has been. On the other hand, the long side groove 39b on the other side of the cases 38a, 38b is a groove for realizing a latch mechanism that prevents the memory card 30c from being inadvertently removed from a desired electronic device.

メモリカード30cの裏面側の第2のケース38bの前面側近傍には、例えば平面矩形状の複数の開口部41がメモリカード30cの前面側の短辺に沿って一列に所定の間隔毎に開口形成されている(図23)。上記開口部41からは、外部接続端子C1〜C9が露出されている。ここでは9個の外部接続端子C1〜C9が露出された状態が例示されている。図22の最も右端の開口部41からは2つの外部接続端子C8およびC9が露出されている。   In the vicinity of the front surface side of the second case 38b on the back surface side of the memory card 30c, for example, a plurality of planar rectangular openings 41 are opened at predetermined intervals in a line along the short side of the front surface side of the memory card 30c. It is formed (FIG. 23). The external connection terminals C1 to C9 are exposed from the opening 41. Here, a state in which nine external connection terminals C1 to C9 are exposed is illustrated. Two external connection terminals C8 and C9 are exposed from the rightmost opening 41 in FIG.

図24は、図21〜図23のメモリカード30cの分解斜視図を示している。このメモリカード30cは、第1のケース38a、第2のケース38b、スイッチ40および配線基板31に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)を有しており、そのスイッチ40および配線基板31に搭載されたマルチチップパッケージ(MCP1)が、ケース38a、38bによって挟まれるように保持される構成を有している。   FIG. 24 shows an exploded perspective view of the memory card 30c shown in FIGS. The memory card 30c has a first case 38a, a second case 38b, a switch 40 and a multichip package (MCP1) mounted on the wiring board 31, and is mounted on the switch 40 and the wiring board 31. The multi-chip package (MCP1) is held so as to be sandwiched between the cases 38a and 38b.

(実施の形態2)
図25は、本実施の形態のマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。例えば図25に示すように、フラッシュメモリチップ1Mの上面にダイパッド部10aを配置し、このダイパッド部10a上にコントローラチップ1Cを接着してもよい。この場合、ダイパッド部10aは、薄いフラッシュメモリチップ1Mの平坦度を確保するのに有効である。また、図26に示すように、枠状のダイパッド部10bの内側にコントローラチップ1Cを配置し、フラッシュメモリチップ1Mの裏面にコントローラチップ1Cを直接、またはダイアタッチフィルム8を介して接着してもよい。
(Embodiment 2)
FIG. 25 is a plan view showing the internal structure of the multichip package of the present embodiment. For example, as shown in FIG. 25, the die pad portion 10a may be disposed on the upper surface of the flash memory chip 1M, and the controller chip 1C may be bonded onto the die pad portion 10a. In this case, the die pad portion 10a is effective in ensuring the flatness of the thin flash memory chip 1M. In addition, as shown in FIG. 26, the controller chip 1C is arranged inside the frame-shaped die pad portion 10b, and the controller chip 1C is bonded directly or via the die attach film 8 to the back surface of the flash memory chip 1M. Good.

上記のようなダイパッド部10a、10bを使用することで、チップサイズが大きく厚さの薄いフラッシュメモリをモールド金型内で樹脂成形するときに、樹脂流動中の圧力でチップのたわみや曲がりの変形を抑制することができる。   By using the die pad portions 10a and 10b as described above, when a flash memory having a large chip size and a thin thickness is resin-molded in a mold, deformation of the chip is bent or bent due to pressure during resin flow. Can be suppressed.

(実施の形態3)
前記実施の形態で使用したフラッシュメモリチップ1Mは、一対の短辺の一方にボンディングパッド3が配置されていたが、一対の短辺のそれぞれにボンディングパッド3が配置されたフラッシュメモリチップを使用してもよい。この場合、フラッシュメモリチップ1Mの外部接続端子として機能するアウターリード5oは、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出され、コントローラチップ1Cの外部接続端子として機能するアウターリード6oは、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出される。このとき、フラッシュメモリ1Mでボンディングワイヤ接続していない未使用の短辺側のリードはコントローラへの接続に使用することもできる。特にI/O数の多いx16ビットバスのフラッシュメモリには有効であり、フラッシュメモリの高速動作に効果がある。
(Embodiment 3)
The flash memory chip 1M used in the above embodiment has the bonding pad 3 disposed on one of the pair of short sides, but uses a flash memory chip in which the bonding pad 3 is disposed on each of the pair of short sides. May be. In this case, the outer leads 5o that function as external connection terminals of the flash memory chip 1M are drawn outward from the two long sides of the resin package 2, and the outer leads 6o that function as external connection terminals of the controller chip 1C are resin. It is pulled out from the two long sides of the package 2. At this time, the unused short-side lead that is not connected to the bonding wire in the flash memory 1M can also be used for connection to the controller. In particular, this is effective for a flash memory having a large number of I / Os and a x16 bit bus, and is effective for high-speed operation of the flash memory.

また、本実施の形態では、コントローラチップ1Cの外部接続端子(アウターリード6o)を樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出すように配置したが、前記実施の形態1の図2と同様に、樹脂パッケージ2の3つの長辺、または4つの長辺から引き出すように配置することも勿論可能である。   In the present embodiment, the external connection terminals (outer leads 6o) of the controller chip 1C are arranged so as to be drawn outward from the two long sides of the resin package 2. However, as in FIG. 2 of the first embodiment. Of course, the resin package 2 may be arranged so as to be drawn out from three long sides or four long sides.

(実施の形態4)
図27は、本実施の形態のマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。前記実施の形態3ではフラッシュメモリチップ1Mを1個搭載した例を示したが、本実施の形態においては、図27に示すように、2個のフラッシュメモリチップ1M、1Mと1個のコントローラチップ1Cとを樹脂パッケージ2に封止したマルチチップパッケージに適用することもできる。
(Embodiment 4)
FIG. 27 is a plan view showing the internal structure of the multichip package of the present embodiment. In the third embodiment, an example in which one flash memory chip 1M is mounted is shown. However, in this embodiment, as shown in FIG. 27, two flash memory chips 1M and 1M and one controller chip are provided. It can also be applied to a multi-chip package in which 1C is sealed in a resin package 2.

この場合、一方のフラッシュメモリチップ1Mの外部接続端子として機能するアウターリード5oは、樹脂パッケージ2の一方の短辺から外方に引き出され、もう一方フラッシュメモリチップ1Mの外部接続端子として機能するアウターリード5oは、樹脂パッケージ2のもう一方の短辺から外方に引き出される。また、コントローラチップ1Cの外部接続端子として機能するアウターリード6oは、樹脂パッケージ2の2つの長辺から外方に引き出される。   In this case, the outer lead 5o that functions as an external connection terminal of one flash memory chip 1M is drawn outward from one short side of the resin package 2, and the outer lead 5o that functions as an external connection terminal of the other flash memory chip 1M. The lead 5o is drawn out from the other short side of the resin package 2. Further, the outer leads 6o functioning as external connection terminals of the controller chip 1C are drawn outward from the two long sides of the resin package 2.

いずれの場合も、樹脂パッケージ2の対向する2つの長辺のそれぞれの中央部は、その両端部よりも樹脂パッケージ2の中心側に後退させる。そして、樹脂パッケージ2の2つの長辺にから外方に引き出されたアウターリード6oの先端は、上記両端部よりも樹脂パッケージ2の中心側に位置させる。   In either case, the central portions of the two opposing long sides of the resin package 2 are set back toward the center of the resin package 2 from both ends thereof. And the front-end | tip of the outer lead 6o pulled out outward from two long sides of the resin package 2 is located in the center side of the resin package 2 rather than the said both ends.

このように、2つのフラッシュメモリチップ1M、1Mを搭載した場合は、メモリ容量の2倍化を可能にできるだけでなく、コントローラの制御方式を各フラッシュメモリに対してインターリーブ動作で高速化も可能になる。また、本実施の形態の構成を、前述の実施の形態2または3と組み合わせて使用することも勿論可能であり、同様の効果を得ることができる。   As described above, when two flash memory chips 1M and 1M are mounted, not only can the memory capacity be doubled, but also the controller control method can be increased for each flash memory by interleave operation. Become. Of course, the configuration of the present embodiment can be used in combination with the above-described second or third embodiment, and similar effects can be obtained.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発
明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

例えば、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性メモリが形成された第1の半導体チップとしてフラッシュメモリチップ1Mを例示したが、このような不揮発性メモリとしては、EEPROM(Electrically Erasable Programable Read Only Memory)、相変化メモリまたは強誘電体メモリ等を代わりに例示することもできる。   For example, the flash memory chip 1M is exemplified as the first semiconductor chip on which the electrically erasable and writable nonvolatile memory is formed. As such a nonvolatile memory, an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Lead Only Memory) is used. Alternatively, a phase change memory or a ferroelectric memory can be exemplified instead.

本発明は、異種チップを混載したマルチチップパッケージに適用することができる。   The present invention can be applied to a multi-chip package in which different types of chips are mixedly mounted.

本発明の一実施の形態であるマルチチップパッケージの外観を示す平面図である。It is a top view which shows the external appearance of the multichip package which is one embodiment of this invention. 図1に示すマルチチップパッケージの内部構造を示す上面側平面図である。FIG. 2 is a top plan view showing the internal structure of the multichip package shown in FIG. 1. 図1に示すマルチチップパッケージの内部構造を示す下面側平面図である。FIG. 2 is a bottom plan view showing the internal structure of the multichip package shown in FIG. 1. 図1のA−A線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA line of FIG. 図1のB−B線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the BB line of FIG. 本発明の一実施の形態であるマルチチップパッケージの製造に用いるリードフレームの要部平面図である。It is a principal part top view of the lead frame used for manufacture of the multichip package which is one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態であるマルチチップパッケージの製造工程を示すリードフレームの要部平面図である。It is a principal part top view of the lead frame which shows the manufacturing process of the multichip package which is one embodiment of this invention. 本発明と異なるマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。It is a top view which shows the internal structure of the multichip package different from this invention. 本発明と異なるマルチチップパッケージの断面図である。It is sectional drawing of the multichip package different from this invention. マルチチップパッケージの電気テストを行う際に使用するテストソケットの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the test socket used when performing the electrical test of a multichip package. 本発明のマルチチップパッケージを配線基板上に搭載した斜視図である。It is the perspective view which mounted the multichip package of this invention on the wiring board. 本発明のマルチチップパッケージが搭載された配線基板の裏面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the back surface of the wiring board by which the multichip package of this invention was mounted. 本発明のマルチチップパッケージを覆うキャップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cap which covers the multichip package of this invention. 図13のX−X線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XX line of FIG. RSMMCに適用した場合のメモリカードの断面図である。It is sectional drawing of a memory card at the time of applying to RSMMC. RSMMCに適用した場合のメモリカードの斜視図である。It is a perspective view of the memory card at the time of applying to RSMMC. 本発明のマルチチップパッケージを覆うキャップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cap which covers the multichip package of this invention. 図17のY−Y線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the YY line of FIG. MMCに適用した場合のメモリカードの断面図である。It is sectional drawing of a memory card at the time of applying to MMC. MMCに適用した場合のメモリカードの斜視図である。It is a perspective view of the memory card at the time of applying to MMC. SDカードに適用した場合のメモリカードの上面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the upper surface of a memory card at the time of applying to an SD card. SDカードに適用した場合のメモリカードの裏面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the back surface of a memory card at the time of applying to an SD card. 図22の開口部を拡大した要部斜視図である。It is the principal part perspective view which expanded the opening part of FIG. SDカードに適用した場合のメモリカードの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the memory card at the time of applying to an SD card. 本発明の他の実施の形態であるマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。It is a top view which shows the internal structure of the multichip package which is other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態であるマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。It is a top view which shows the internal structure of the multichip package which is other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態であるマルチチップパッケージの内部構造を示す平面図である。It is a top view which shows the internal structure of the multichip package which is other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1M フラッシュメモリチップ(第1の半導体チップ)
1C コントローラチップ(第2の半導体チップ)
2 樹脂パッケージ
3、4 ボンディングパッド
5i、6i インナーリード
5o、6o アウターリード
6di ダミーのインナーリード
6do ダミーのアウターリード
7 Auワイヤ
8 ダイアタッチフィルム
9 枠体
10、10a、10b ダイパッド部
20 テストソケット
21 ソケット本体
22 キャリア
23 端子
24 プッシャー
CF1 面取り部
LF リードフレーム
MCP1、MCP2 マルチチップパッケージ
30a、30b、30c メモリカード
31 配線基板
32 受動素子
33 キャップ
34 アダプタ
35 接合部
35a 嵌合部
35b 爪引っ掛け部
36 溝
37 キャップ
38a、38b ケース
39a、39b 溝
40 スイッチ
40a 表出部
41 開口部
1M flash memory chip (first semiconductor chip)
1C controller chip (second semiconductor chip)
2 Resin package 3, 4 Bonding pad 5 i, 6 i Inner lead 5 o, 6 o Outer lead 6 di Dummy inner lead 6 do Dummy outer lead 7 Au wire 8 Die attach film 9 Frame body 10, 10 a, 10 b Die pad portion 20 Test socket 21 Socket Main body 22 Carrier 23 Terminal 24 Pusher CF1 Chamfered portion LF Lead frame MCP1, MCP2 Multi-chip packages 30a, 30b, 30c Memory card 31 Wiring board 32 Passive element 33 Cap 34 Adapter 35 Joint portion 35a Fitting portion 35b Claw hook portion 36 Groove 37 Caps 38a, 38b Cases 39a, 39b Groove 40 Switch 40a Exposed portion 41 Opening portion

Claims (11)

リードフレームに設けられた複数のインナーリードと、
前記リードフレームの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの一部と電気的に接続された第1の半導体チップと、
前記リードフレームを介して、または直接に前記第1の半導体チップの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの他部と電気的に接続された第2の半導体チップとが樹脂パッケージに封止され、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに異なる集積回路が形成され、
前記樹脂パッケージは、互いに対向する第1および第2の辺と、互いに対向する第3および第4の辺とを有し、前記第1および第2の辺は、それぞれの中央部が両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に後退し、
前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記一部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3および第4の辺の少なくとも一方から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記他部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの少なくとも前記第1および第2の辺のそれぞれの前記中央部から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記中央部から外方に突出した前記アウターリードのそれぞれの先端は、前記両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に位置していることを特徴とする半導体装置。
A plurality of inner leads provided on the lead frame;
A first semiconductor chip mounted on one surface of the lead frame and electrically connected to a part of the plurality of inner leads via wires;
The second semiconductor chip mounted on one surface of the first semiconductor chip via the lead frame or directly and electrically connected to the other part of the plurality of inner leads via a wire is a resin package Sealed
The first semiconductor chip and the second semiconductor chip are formed with different integrated circuits,
The resin package has first and second sides facing each other and third and fourth sides facing each other, and each of the first and second sides has a central portion from both ends. Also retracted to the center side of the resin package,
The part of the inner leads electrically connected to the first semiconductor chip is drawn outward from at least one of the third and fourth sides of the resin package to constitute an outer lead,
The other inner lead electrically connected to the second semiconductor chip is drawn outwardly from the central portion of at least the first and second sides of the resin package to serve as an outer lead. Configure
Each of the tips of the outer leads protruding outward from the central portion is located closer to the center of the resin package than the both end portions.
前記第1の半導体チップに形成された前記集積回路は、主としてメモリ回路であり、前記第2の半導体チップに形成された前記集積回路は、主としてロジック回路であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。   2. The integrated circuit formed on the first semiconductor chip is mainly a memory circuit, and the integrated circuit formed on the second semiconductor chip is mainly a logic circuit. Semiconductor device. 前記メモリ回路は、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性メモリを含み、前記ロジック回路は、前記不揮発性メモリに対するメモリインタフェース動作を制御するインタフェースコントローラを含むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。   3. The semiconductor according to claim 2, wherein the memory circuit includes an electrically erasable and writable nonvolatile memory, and the logic circuit includes an interface controller that controls a memory interface operation with respect to the nonvolatile memory. apparatus. 前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記一部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記他部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第1、第2および第4の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
The part of the inner leads that are electrically connected to the first semiconductor chip are drawn outward from the third side of the resin package to form outer leads,
The other inner leads electrically connected to the second semiconductor chip are drawn outward from the first, second and fourth sides of the resin package to form outer leads. The semiconductor device according to claim 1.
前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記一部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3および第4の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記他部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第1および第2の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
The part of the inner leads electrically connected to the first semiconductor chip are drawn outward from the third and fourth sides of the resin package to form outer leads,
The other inner lead electrically connected to the second semiconductor chip is drawn outward from the first and second sides of the resin package to form an outer lead. The semiconductor device according to claim 1.
前記第2の半導体チップは、前記第1の半導体チップの裏面に形成された接着層を介して前記第1の半導体チップに実装されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the second semiconductor chip is mounted on the first semiconductor chip through an adhesive layer formed on the back surface of the first semiconductor chip. 前記第1の半導体チップの裏面に接着され、前記第1および第2の半導体チップと電気的に接続されておらず、前記第1および第2の辺の少なくとも一方から外方に引き出された構造のアウターリードをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。   A structure that is adhered to the back surface of the first semiconductor chip, is not electrically connected to the first and second semiconductor chips, and is drawn outward from at least one of the first and second sides. The semiconductor device according to claim 1, further comprising an outer lead. 前記樹脂パッケージに封止され、前記第1の半導体チップと同一の集積回路が形成された第3の半導体チップと、ワイヤを介して前記第3の半導体チップと電気的に接続されたインナーリードとをさらに有し、
前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記インナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記インナーリードは、少なくとも前記樹脂パッケージの前記第1および第2の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第3の半導体チップと電気的に接続された前記インナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第4の辺から外方に引き出されてアウターリードを構成していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
A third semiconductor chip sealed in the resin package and formed with the same integrated circuit as the first semiconductor chip; and an inner lead electrically connected to the third semiconductor chip via a wire; Further comprising
The inner lead electrically connected to the first semiconductor chip is drawn outward from the third side of the resin package to constitute an outer lead,
The inner leads electrically connected to the second semiconductor chip are drawn outward from at least the first and second sides of the resin package to form outer leads,
2. The inner lead electrically connected to the third semiconductor chip is drawn outward from the fourth side of the resin package to constitute an outer lead. Semiconductor device.
前記第1の半導体チップの厚さは、前記リードフレームの厚さよりも同じ、または薄いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a thickness of the first semiconductor chip is the same as or thinner than a thickness of the lead frame. リードフレームに設けられた複数のインナーリードと、
前記リードフレームの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの一部と電気的に接続された第1の半導体チップと、
前記リードフレームを介して、または直接に前記第1の半導体チップの一面に実装され、ワイヤを介して前記複数のインナーリードの他部と電気的に接続された第2の半導体チップとが樹脂パッケージに封止され、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに異なる集積回路が形成され、
前記樹脂パッケージは、互いに対向する第1および第2の辺と、互いに対向する第3および第4の辺とを有し、前記第1および第2の辺は、それぞれの中央部が両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に後退し、
前記第1の半導体チップと電気的に接続された前記一部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの前記第3および第4の辺の少なくとも一方から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記第2の半導体チップと電気的に接続された前記他部のインナーリードは、前記樹脂パッケージの少なくとも前記第1および第2の辺のそれぞれの前記中央部から外方に引き出されてアウターリードを構成し、
前記中央部から外方に突出した前記アウターリードのそれぞれの先端は、前記両端部よりも前記樹脂パッケージの中心側に位置している半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂パッケージの前記第3および第4の辺の少なくとも一方から外方に引き出された前記アウターリードと接触する端子を備えた第1のテスト手段を用いて前記第1の半導体チップの電気特性を検査する工程と、
前記樹脂パッケージの少なくとも前記第1および第2の辺から外方に引き出された前記アウターリードと接触する端子を備えた第2のテスト手段を用いて前記第2の半導体チップの電気特性を検査する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
A plurality of inner leads provided on the lead frame;
A first semiconductor chip mounted on one surface of the lead frame and electrically connected to a part of the plurality of inner leads via wires;
The second semiconductor chip mounted on one surface of the first semiconductor chip via the lead frame or directly and electrically connected to the other part of the plurality of inner leads via a wire is a resin package Sealed
The first semiconductor chip and the second semiconductor chip are formed with different integrated circuits,
The resin package has first and second sides facing each other and third and fourth sides facing each other, and each of the first and second sides has a central portion from both ends. Also retracted to the center side of the resin package,
The part of the inner leads electrically connected to the first semiconductor chip is drawn outward from at least one of the third and fourth sides of the resin package to constitute an outer lead,
The other inner lead electrically connected to the second semiconductor chip is drawn outwardly from the central portion of at least the first and second sides of the resin package to serve as an outer lead. Configure
Each of the tips of the outer leads protruding outward from the central portion is a method for manufacturing a semiconductor device located on the center side of the resin package with respect to the both ends,
The electrical characteristics of the first semiconductor chip are measured using first test means having terminals that contact the outer leads drawn outward from at least one of the third and fourth sides of the resin package. A process of inspecting;
The electrical characteristics of the second semiconductor chip are inspected using second test means having terminals that contact the outer leads drawn out from at least the first and second sides of the resin package. And a method of manufacturing a semiconductor device.
前記第1の半導体チップに形成された前記集積回路は、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性メモリを含み、前記第2の半導体チップに形成された前記集積回路は、前記不揮発性メモリに対するメモリインタフェース動作を制御するインタフェースコントローラを含むことを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。   The integrated circuit formed on the first semiconductor chip includes an electrically erasable and writable nonvolatile memory, and the integrated circuit formed on the second semiconductor chip is a memory for the nonvolatile memory. 11. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10, further comprising an interface controller for controlling an interface operation.
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