JP2006299000A - Surface treatment method, plasma discharge treatment apparatus, anti-glare film and anti-glare low-reflection film - Google Patents

Surface treatment method, plasma discharge treatment apparatus, anti-glare film and anti-glare low-reflection film Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment method for forming an anti-glare layer, which requires a short treatment time and no complex step, a plasma discharge treatment apparatus, and an anti-glare film and an anti-glare low-reflection film formed using the surface treatment method and the plasma discharge treatment apparatus. <P>SOLUTION: In the surface treatment method, an electric field with a non-uniform intensity distribution is generated in a region between the opposed electrodes under atmospheric pressure or under a pressure near atmospheric pressure, a mixed gas of a nitrogen gas and a reactive gas is converted into a non-uniform plasma state by the electric field with the non-uniform intensity distribution in the region between the opposed electrodes, and the surface of a substrate to be treated is subjected to the mixed gas in the plasma state to form irregularities and gaps on the surface of the subject to be treated. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、大気圧または大気圧近傍の圧力下において反応性ガスをプラズマ状態にし、基材に曝すことによって、基材表面に微細な形状の加工を施す表面処理方法及びプラズマ放電処理装置、また、これら表面処理方法及びプラズマ放電処理装置により形成された防眩性フィルム及び防眩性低反射フィルムに関するものである。   The present invention provides a surface treatment method and a plasma discharge treatment apparatus for processing a fine shape on the surface of a substrate by bringing a reactive gas into a plasma state under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure and exposing it to the substrate. The present invention relates to an antiglare film and an antiglare low-reflection film formed by these surface treatment methods and plasma discharge treatment apparatuses.

近年、薄型軽量ノートパソコンの開発が進んでいる。それに伴って、液晶表示装置等の表示装置で用いられる偏光板の保護フィルムもますます薄膜化、高性能化への要求が強くなってきている。最近、視認性向上のために反射防止層または防眩層を付与したディスプレイが多く使用されている。反射防止層や防眩層は用途に応じてさまざまな種類や性能の改良がなされ、これらの機能を有する種々の前面板を液晶ディスプレイの偏光子等に貼り合わせることで、ディスプレイに視認性向上のために反射防止機能または防眩機能等を付与する方法が用いられている。これら、前面板として用いる光学用フィルムには、塗布またはスパッタリング等で形成した反射防止層または防眩層が設けられている。   In recent years, development of thin and light notebook computers has been progressing. Along with this, the demand for thinner and higher performance protective films for polarizing plates used in display devices such as liquid crystal display devices is also increasing. Recently, many displays provided with an antireflection layer or an antiglare layer for improving visibility have been used. Various types and performance improvements have been made to the antireflection layer and antiglare layer depending on the application, and various front plates with these functions are attached to the polarizer of a liquid crystal display, etc., to improve visibility on the display. Therefore, a method of providing an antireflection function or an antiglare function is used. These optical films used as the front plate are provided with an antireflection layer or an antiglare layer formed by coating or sputtering.

防眩層は、表面に反射した像の輪郭をぼかすことによって反射像の視認性を低下させて、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイといった画像表示装置などの使用時に反射像の映り込みが気にならないようにするものである。表面に適切な凹凸を設けることによって、このような性質を持たせることができる。   The anti-glare layer reduces the visibility of the reflected image by blurring the outline of the image reflected on the surface, and reflection of the reflected image is noticeable when using an image display device such as a liquid crystal display, an organic EL display, or a plasma display. It is to prevent it from becoming. By providing appropriate unevenness on the surface, such a property can be provided.

従来、このような凹凸を形成する方法としては例えば微粒子を塗布液に添加する方法が用いられている(例えば特許文献1参照。)。このほか、エンボス加工する方法(例えば特許文献2参照。)。あらかじめ型を転写させる方法(例えば特許文献3参照。)。等が知られている。
特開昭59−58036号公報 特開平6−234175号公報 特開昭63−298201号公報
Conventionally, as a method of forming such irregularities, for example, a method of adding fine particles to a coating solution has been used (see, for example, Patent Document 1). In addition, the embossing method (for example, refer patent document 2). A method of transferring a mold in advance (for example, see Patent Document 3). Etc. are known.
JP 59-58036 A JP-A-6-234175 JP-A-63-298201

しかしながら、上述のエンボス加工や予め型を転写させる方法では、微細な凹凸を形成することが困難でぎらつきを防止するのには不十分であり、微細な凹凸を形成することが可能な微粒子を塗布液に添加する方法では、微粒子のみで必要な凹凸を形成するため、多量の微粒子を添加する必要があり、塗布層内部で表面の凹凸とは無関係な散乱が生じてしまい、この結果、透過画像もぼけてしまうと共に処理時間が長いという問題点があった。   However, the above-described embossing and the method of transferring a mold in advance are difficult to form fine irregularities and are insufficient to prevent glare, and fine particles capable of forming fine irregularities are obtained. In the method of adding to the coating solution, the necessary irregularities are formed only by the fine particles, so it is necessary to add a large amount of fine particles, and scattering is generated inside the coating layer regardless of the irregularities on the surface. The image is blurred and the processing time is long.

上記問題点に鑑み、本発明の目的は、処理時間が短い煩雑な工程を必要としない防眩性を有する層を生成する表面処理方法、及びプラズマ放電処理装置、また、これら表面処理方法及びプラズマ放電処理装置により形成された防眩性フィルム及び防眩性低反射フィルムを提供することである。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a surface treatment method and a plasma discharge treatment apparatus for producing an antiglare layer that does not require a complicated process with a short treatment time, as well as these surface treatment method and plasma. An object is to provide an antiglare film and an antiglare low-reflection film formed by an electric discharge treatment apparatus.

本発明の目的は下記手段により達成される。   The object of the present invention is achieved by the following means.

(1)大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域において不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを前記電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする表面処理方法。   (1) An electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in an opposing region of the opposing electrode under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, and a mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is generated by the non-uniform intensity distribution electric field. A surface treatment method characterized by forming a non-uniform plasma state in a region facing the electrode and exposing the surface of the object to be processed to the mixed gas in the plasma state to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed .

(2)対向する電極のうち少なくとも一方の電極の基材は、他の電極との対向面に不均一な凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。   (2) The substrate of at least one of the opposing electrodes has uneven unevenness on the surface facing the other electrode, and the uneven electric field intensity distribution is not present in the opposing region of the opposing electrode due to the unevenness. The surface treatment method according to claim 1, wherein an electric field is generated.

(3)前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記誘電体は他の電極との対向面に凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。   (3) At least one of the opposing electrodes has an electrode base material and a dielectric material deposited on the base material, and the dielectric material has unevenness on the surface facing the other electrode. 2. The surface treatment method according to claim 1, wherein an electric field having a non-uniform electric field intensity distribution is generated in an opposing region of the opposing electrodes due to the unevenness.

(4)前記被着された誘電体は他の電極との対向面に凹凸を有し、且つ前記誘電体と前記基材との被着面が凹凸を有し、2の凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。   (4) The deposited dielectric has projections and depressions on the surface facing the other electrode, and the deposition surface of the dielectric and the substrate has projections and depressions. The surface treatment method according to claim 1, wherein an electric field having a non-uniform electric field intensity distribution is generated in the opposite region of the surface.

(5)前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記被着された誘電体は他の電極との対向面が均一な平面をなし、且つ前記誘電体と前記基材との被着面が凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の記載の表面処理方法。   (5) At least one of the opposing electrodes has an electrode base material and a dielectric material deposited on the base material, and the deposited dielectric material faces the other electrode. The surface is a uniform plane, and the deposition surface of the dielectric and the substrate has irregularities, and the irregularities generate an electric field with a non-uniform electric field strength distribution in the opposing regions of the opposing electrodes. The surface treatment method according to claim 1, wherein the surface treatment method is characterized.

(6)前記凹凸はJIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上の凹凸であることを特徴とする請求項1〜5に記載の表面処理方法。   (6) The surface treatment method according to any one of claims 1 to 5, wherein the irregularities are irregularities having a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 μm or more.

(7)大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを前記電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成し、
前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記被着された該誘電体と前記対向する電極とで形成される静電容量の、前記電極の対向領域において微少な静電容量分布を不均一にすることにより、前記電極間に発生させる放電強度分布を不均一にすることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
(7) An electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, and a mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is generated by the non-uniform intensity distribution electric field. A non-uniform plasma state in the opposing region of the electrode, exposing the surface of the object to be processed to the mixed gas in the plasma state to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed,
At least one of the opposing electrodes has a base material of the electrode and a dielectric attached to the base material, and is formed by the applied dielectric and the opposing electrode. 2. The discharge intensity distribution generated between the electrodes is made non-uniform by making the minute electrostatic capacity distribution non-uniform in the opposing region of the electrodes. Surface treatment method.

(8)前記誘電体の厚さを不均一にすることで、前記微少な静電容量分布を不均一にすることを特徴とする請求項7に記載の表面処理方法。   (8) The surface treatment method according to claim 7, wherein the minute electrostatic capacity distribution is made non-uniform by making the thickness of the dielectric non-uniform.

(9)対向する電極の対向領域における、電極間の距離を不均一にすることで、前記電極間に不均一な強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (9) The electric field having a non-uniform intensity distribution is generated between the electrodes by making the distance between the electrodes non-uniform in the opposing region of the opposing electrodes. 2. The surface treatment method according to item 1.

(10)対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界によりプラズマ状態となった混合ガスに前記被処理物を晒し、前記プラズマ状態となった混合ガスにより前記被処理物の表面をエッチングすることで、該被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (10) An electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in an opposing region of the opposing electrode, and the object to be processed is exposed to a mixed gas that has become a plasma state due to the electric field having the non-uniform intensity distribution. The surface treatment method according to claim 1, wherein irregularities and voids are formed on the surface of the object to be processed by etching the surface of the object to be processed with a mixed gas.

(11)大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な電界強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを対向する電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を有する薄膜を形成することを特徴とする表面処理方法。   (11) An electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, and a mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is generated by the electric field having the non-uniform electric field intensity distribution. And forming a thin film having irregularities and voids on the surface of the object to be processed by exposing the surface of the object to be processed to the mixed gas in the plasma state. Surface treatment method.

(12)対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させる電源は、少なくとも一方の電極に接続された所定の周波数の電圧を出力する少なくとも1の電源であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (12) A power source that generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in an opposing region of opposing electrodes is at least one power source that outputs a voltage of a predetermined frequency connected to at least one of the electrodes. The surface treatment method according to claim 1.

(13)対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させる電源は、対向する電極にそれぞれ接続された異なる周波数の電圧を出力する2の電源であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (13) The power sources for generating an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrodes are two power sources that output voltages of different frequencies respectively connected to the opposing electrodes. The surface treatment method according to any one of 1 to 11.

(14)請求項1〜13のいずれか1項に記載の表面処理方法により形成された防眩層を有することを特徴とする防眩性フィルム。   (14) An antiglare film having an antiglare layer formed by the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13.

(15)請求項14記載の防眩性フィルムの上面に反射防止層を備えることを特徴とする防眩性低反射フィルム。   (15) An antiglare low reflection film comprising an antireflection layer on the top surface of the antiglare film according to claim 14.

(16)対向する少なくとも1対の電極と、前記電極の対向領域に窒素ガスと反応ガスの混合ガスを供給するガス供給手段と、前記電極の少なくとも一方に高周波電圧を印可する少なくとも1の電源とを有し、
前記電極の少なくとも一方の表面は凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、対向する電極の対向領域において前記不均一な強度分布の電界により前記混合ガスのプラズマを発生させ、前記プラズマ状態の混合ガスを被処理物の表面に晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
(16) At least one pair of electrodes facing each other, a gas supply means for supplying a mixed gas of nitrogen gas and a reactive gas to a region facing the electrodes, and at least one power source for applying a high-frequency voltage to at least one of the electrodes Have
At least one surface of the electrode has unevenness, and the unevenness generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrode, and the electric field having the non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrode. A plasma discharge treatment apparatus characterized by generating plasma of the mixed gas and exposing the mixed gas in the plasma state to the surface of the object to be processed to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed.

(17)前記電極表面の凹凸は、JIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上であることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ放電処理装置。   (17) The plasma discharge processing apparatus according to claim 16, wherein the unevenness of the electrode surface has a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 μm or more.

(18)対向する前記電極のうち少なくとも一方の電極の表面に誘電体を被着し、該誘電体の、少なくとも対向する電極との対向面が凹凸を有することを特徴とする請求項16または17に記載のプラズマ放電処理装置。   (18) A dielectric is deposited on a surface of at least one of the electrodes facing each other, and at least a surface of the dielectric facing the electrode facing each other has irregularities. 2. A plasma discharge treatment apparatus according to 1.

(19)前記誘電体表面の凹凸はJIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上であることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ放電処理装置。   (19) The plasma discharge processing apparatus according to claim 18, wherein the unevenness of the dielectric surface has a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 μm or more.

(20)前記電源は、少なくとも一方の電極に接続された所定の周波数の電圧を出力する少なくとも1の電源であることを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (20) The surface treatment method according to any one of claims 16 to 19, wherein the power supply is at least one power supply that outputs a voltage having a predetermined frequency connected to at least one of the electrodes. .

(21)前記電源は、対向する電極にそれぞれ接続された異なる周波数の電圧を出力する電源であることを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載の表面処理方法。   (21) The surface treatment method according to any one of claims 16 to 19, wherein the power supply is a power supply that outputs voltages of different frequencies respectively connected to opposing electrodes.

(1)に記載の、混合ガスに窒素を用いた対向する電極の対向領域において不均一な強度分布の電界を発生させるプラズマ放電により、窒素を用いない場合の表面処理方法に比し処理時間を略2/3〜1/2に短縮した表面処理方法の提供が可能となる。   The plasma discharge that generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrode using nitrogen as a mixed gas, as described in (1). A surface treatment method shortened to about 2/3 to 1/2 can be provided.

(2)、(3)、(4)、または(5)に記載の、電極基材の表面に凹凸を有し、または、誘電体の表面に凹凸を有し、または、電極の表面に凹凸を有し且つ電極基材への誘電体の被着面に凹凸を有し、または、電極の表面に均一な平面を有し且つ電極基材への誘電体の被着面に凹凸を形成することにより、電極の対向領域から放電が外部に広がらず、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   (2), (3), (4), or (5), the surface of the electrode substrate has irregularities, the dielectric surface has irregularities, or the electrode surface has irregularities And having an uneven surface on the dielectric substrate on the electrode substrate, or having an even surface on the electrode surface and forming an uneven surface on the dielectric substrate surface on the electrode substrate As a result, it is possible to provide a surface treatment method that exhibits the effect described in the item (1) without causing discharge to spread outside from the opposing region of the electrode.

(6)に記載の、凹凸の最大表面粗さを10μm以上にすることにより、電極の対向領域において特定の部分に放電が集中することもなく安定した放電が可能となり、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By setting the maximum surface roughness of the unevenness as described in (6) to 10 μm or more, stable discharge can be achieved without concentration of discharge in a specific portion in the opposing region of the electrode, and the description in (1) It is possible to provide a surface treatment method that exhibits an effect.

(7)及び(8)に記載の、基材に被着された不均一な厚さの誘電体と対向する電極とで形成される静電容量の、電極の対向領域において微少な静電容量分布を不均一にすることにより、電極間に発生させる放電強度分布を不均一とし、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   (7) and (8), the capacitance formed by the non-uniform thickness of the dielectric applied to the substrate and the facing electrode, and a very small capacitance in the facing region of the electrode By making the distribution non-uniform, it is possible to provide a surface treatment method that makes the discharge intensity distribution generated between the electrodes non-uniform and exhibits the effect described in the item (1).

(9)に記載の、電極間距離を不均一にすることにより、電極間に発生させる放電強度分布を不均一とし、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By making the interelectrode distance described in (9) non-uniform, it is possible to provide a surface treatment method that makes the discharge intensity distribution generated between the electrodes non-uniform and exhibits the effect described in (1).

(10)に記載の、電極の対向領域に不均一な強度分布の電界により、被処理物表面をエッチングすることにより被処理物表面に凹凸等を形成することが可能となり、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   It is possible to form unevenness on the surface of the object to be processed by etching the surface of the object to be processed by the electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the electrode described in (10), and the item (1) It is possible to provide a surface treatment method that exhibits the above effect.

(11)に記載の、混合ガスに少なくとも窒素ガスと薄膜を形成する薄膜形成ガスとを用いた対向する電極の対向領域において不均一な強度分布の電界を発生させるプラズマ放電により、凹凸等を有する薄膜を形成することが可能となり、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   (11) Asperities and the like are caused by plasma discharge that generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in a facing region of opposing electrodes using at least nitrogen gas and a thin film forming gas for forming a thin film as a mixed gas. It is possible to form a thin film, and it is possible to provide a surface treatment method that exhibits the effect described in item (1).

(12)に記載の、単一の周波数の電源を一方の電極に接続することにより、(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By connecting a single frequency power source described in (12) to one electrode, it is possible to provide a surface treatment method that exhibits the effect described in (1).

(13)に記載の、異なる周波数の電源をそれぞれ異なる電極に接続することにより、(12)項記載の単一電源の場合に比し更に処理時間の短い(1)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By connecting power supplies of different frequencies as described in (13) to different electrodes, the surface having the effect as described in (1), which has a shorter processing time compared to the case of the single power supply described in (12) A processing method can be provided.

(14)に記載の、(1)〜(13)に記載の表面処理方法を行うことにより、防眩性フィルムを得ることがが可能となる。   By performing the surface treatment method described in (1) to (13) described in (14), an antiglare film can be obtained.

(15)に記載の、(1)〜(13)に記載の表面処理方法を行うことにより、防眩性低反射フィルムを得ることがが可能となる。   By performing the surface treatment method described in (1) to (13) described in (15), an antiglare low reflection film can be obtained.

(16)に記載の、混合ガスに少なくとも窒素を用い、対向する少なくとも一方の電極の対向面は凹凸を有し、対向する電極の対向領域において不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界によるプラズマ放電を行わせ、該プラズマ放電に被処理物を晒す表面処理装置により、窒素を用いない表面処理装置に比し処理時間を略2/3〜1/2に短縮した表面処理装置の提供が可能となる。   According to (16), at least nitrogen is used for the mixed gas, and the opposing surface of at least one of the opposing electrodes has irregularities, and an electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode, resulting in non-uniformity. The surface treatment device that causes plasma discharge by an electric field having a strong intensity distribution and exposes the object to be treated to the plasma discharge reduces the treatment time to about 2/3 to 1/2 compared to a surface treatment device that does not use nitrogen. A surface treatment apparatus can be provided.

(17)、(18)、及び(19)に記載の、少なくとも一方の電極に誘電体を被着し、電極(誘電体)表面の最大表面粗さを10μm以上にすることにより、電極の対向領域から放電が外部に広がらず、電極の対向領域において特定の部分に放電が集中することもなく安定した放電が可能となる表面処理装置の提供が可能となる。   (17), (18), and (19), at least one of the electrodes is coated with a dielectric, and the maximum surface roughness of the electrode (dielectric) surface is set to 10 μm or more so that the electrodes face each other. It is possible to provide a surface treatment apparatus in which discharge does not spread from the region to the outside, and stable discharge is possible without causing the discharge to concentrate on a specific portion in the region facing the electrode.

(20)に記載の、単一の周波数の電源を一方の電極に接続することにより、(16)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By connecting a single frequency power source described in (20) to one electrode, it is possible to provide a surface treatment method that exhibits the effect described in (16).

(21)に記載の、異なる周波数の電源をそれぞれ異なる電極に接続することにより、(20)項記載の単一電源の場合に比し更に処理時間の短い(16)項記載の効果を奏する表面処理方法の提供が可能となる。   By connecting power sources having different frequencies described in (21) to different electrodes, a surface that achieves the effect described in (16), which has a shorter processing time than the case of the single power source described in (20). A processing method can be provided.

本発明は、大気圧プラズマによる表面処理加工を利用し、被処理物(基材)表面に防眩のための凹凸及び空隙を形成しようとするものである。   The present invention intends to form surface irregularities and voids for anti-glare on the surface of an object to be processed (base material) by utilizing surface treatment by atmospheric pressure plasma.

本発明者は、防眩の為の理想的な凹凸及び空隙を基材表面に形成するためには、放電電極の対向領域におけるミクロ的に不均一なプラズマ放電のばらつき(不均一性)を積極的に利用する、つまり放電電極間に印可する電界(放電)の不均一を生じせしめる電極表面の微少な凹凸、或いは電極に被着する誘電体の厚さの微少な凹凸、更に放電ギャップの微少な不均一さを利用することが効果的であることを見出した。   In order to form ideal irregularities and voids for anti-glare on the surface of the substrate, the present inventor actively promotes microscopic non-uniform plasma discharge variation (non-uniformity) in the opposing region of the discharge electrode. Use, that is, slight unevenness on the surface of the electrode that causes non-uniformity in the electric field (discharge) applied between the discharge electrodes, or small unevenness in the thickness of the dielectric deposited on the electrode, and further, the discharge gap is very small It has been found that it is effective to take advantage of non-uniformity.

そして、更に異なる周波数の電界を重畳した電界により窒素を含む混合ガスをプラズマ化することによって、より効果的に凹凸及び空隙を形成可能なことを見出し、これにより、処理速度の早い防眩性を備える表面処理の工程を可能とし、更に、防眩性フィルムや防眩性低反射フィルム製造に要する他の工程とインライン化することも可能とした。   Further, it has been found that unevenness and voids can be formed more effectively by converting the mixed gas containing nitrogen into plasma by an electric field in which electric fields of different frequencies are superimposed, thereby providing an antiglare property with a high processing speed. The surface treatment process can be provided, and further, it can be in-lined with other processes required for producing an antiglare film and an antiglare low-reflection film.

これによって、煩雑な工程を経ることなく連続的に一環した加工を可能とし、防眩性フィルムや防眩性低反射フィルムを製造でき、生産性を向上させることを可能とした。   As a result, it is possible to perform continuous processing without going through complicated steps, to manufacture an antiglare film and an antiglare low reflection film, and to improve productivity.

以下、本発明に係る表面処理方法、プラズマ放電処理装置、防眩性フィルム及び防眩性低反射フィルムの形成方法について、その好ましい実施の形態を図を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではなく、また、以下の説明では、用語等に対する断定的な表現があるが、本発明の好ましい例を示すものであり、本発明の用語の意義や技術的な範囲を限定するものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the surface treatment method, plasma discharge treatment apparatus, antiglare film, and antiglare low reflection film forming method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, there are assertive expressions for terms and the like. However, these are examples of preferred embodiments of the present invention and limit the meaning and technical scope of the terms of the present invention. It is not a thing.

なお、大気圧近傍とは、20kPa〜110kPaの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、93kPa〜104kPaが好ましい。   In addition, although the atmospheric pressure vicinity represents the pressure of 20 kPa-110 kPa, in order to acquire the effect as described in this invention preferably, 93 kPa-104 kPa are preferable.

図1は、プラズマ放電処理装置10の一例を示す概略図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a plasma discharge processing apparatus 10.

図1において、フィルム状の基材が巻き取られたロールRから長尺フィルム状の基材Fは搬送方向(図中、時計回り)に回転するロール電極21に巻回されながら搬送される。固定されている電極(固定電極)22は複数の角柱或いは角筒柱から構成され、ロール電極21に対向して設置される。ロール電極21に巻回された基材Fは、ニップローラ23a、23bで押圧され、また、ガイドローラ24で規制されて、プラズマ放電処理容器20によって確保された放電処理空間に搬送される。そして、放電処理空間内で放電プラズマ処理され、次いで、ガイドローラ25を介して次工程に搬送される。また、仕切板26はニップローラ23bに近接して配置され、基材Fに同伴する空気がプラズマ放電処理容器20内に進入するのを抑制する。   In FIG. 1, a long film-like substrate F is conveyed while being wound around a roll electrode 21 rotating in a conveying direction (clockwise in the drawing) from a roll R around which a film-like substrate is wound. The fixed electrode (fixed electrode) 22 is composed of a plurality of prisms or prismatic cylinders, and is installed facing the roll electrode 21. The substrate F wound around the roll electrode 21 is pressed by the nip rollers 23 a and 23 b, is regulated by the guide roller 24, and is conveyed to the discharge processing space secured by the plasma discharge processing container 20. Then, a discharge plasma treatment is performed in the discharge treatment space, and then conveyed to the next process via the guide roller 25. Further, the partition plate 26 is disposed in the vicinity of the nip roller 23 b and suppresses the air accompanying the base material F from entering the plasma discharge processing container 20.

プラズマ放電処理容器20には、混合ガスを生成するガス発生装置40、第1の電源50、電極冷却ユニット70等が配置されている。   In the plasma discharge processing vessel 20, a gas generator 40 that generates a mixed gas, a first power source 50, an electrode cooling unit 70, and the like are arranged.

なお、ガス発生装置40はプラズマ放電処理に用いられる、放電ガスである窒素ガスと、反応性ガスである有機フッ素化合物、チタン化合物または珪素化合物等を含有する有機ガスと、の混合ガスGを生成する。そして、混合ガスGは給気口27からプラズマ放電処理容器20に導入され、処理後の排ガスG’は排気口28から排気される。   The gas generator 40 generates a mixed gas G, which is used for the plasma discharge treatment, and is a mixture of a discharge gas such as nitrogen gas and a reactive gas such as an organic fluorine compound, a titanium compound, or a silicon compound. To do. The mixed gas G is introduced into the plasma discharge processing container 20 from the air supply port 27, and the exhaust gas G ′ after the processing is exhausted from the exhaust port 28.

また、第1の電源50としては、特に限定はないが、神鋼電機製高周波電源(3kHz)、神鋼電機製高周波電源(5kHz)、春日電機製高周波電源(15kHz)、神鋼電機製高周波電源(50kHz)、ハイデン研究所製高周波電源(100kHz)等が使用できる。   The first power supply 50 is not particularly limited, but is a Shinko electric high frequency power supply (3 kHz), a Shinko electric high frequency power supply (5 kHz), a Kasuga electric high frequency power supply (15 kHz), a Shinko electric high frequency power supply (50 kHz). ), A high-frequency power source (100 kHz) manufactured by HEIDEN Laboratory, etc. can be used.

ハイデン研究所製高周波電源(100kHz)はパルスモードと呼ばれる発振のON/OFFを断続的に行う断続発振モードを有しているが、各電源から供給する電圧波形は他の電源の様な連続的なサイン波形でも、ハイデン研究所製高周波電源のような断続発振波形でも良い。   The high-frequency power supply (100 kHz) manufactured by HEIDEN Laboratories has an intermittent oscillation mode called ON / OFF, which is called a pulse mode, but the voltage waveform supplied from each power supply is continuous like other power supplies. The sine waveform may be an intermittent oscillation waveform such as a high-frequency power source manufactured by HEIDEN Laboratory.

また、電極冷却ユニット70の冷却剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が用いられ、ロール電極21、固定電極22内部を循環して、ロール電極21、及び固定電極22表面を所定の温度に調整する。   Moreover, as a coolant for the electrode cooling unit 70, an insulating material such as distilled water or oil is used, and the surface of the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 is circulated through the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 with a predetermined surface. Adjust to temperature.

プラズマ放電処理装置10による大気圧プラズマ処理について説明すると、プラズマ放電処理容器20内の所定位置にロール電極21及び固定電極22が配置されており、ロール電極21には第1の電源50が接続され、固定電極22はアースに接続されている。   The atmospheric pressure plasma treatment by the plasma discharge treatment apparatus 10 will be described. A roll electrode 21 and a fixed electrode 22 are arranged at predetermined positions in the plasma discharge treatment vessel 20, and a first power supply 50 is connected to the roll electrode 21. The fixed electrode 22 is connected to the ground.

ガス発生装置40で発生させた混合ガスGは流量制御され、ガス充填手段41を介して給気口27よりプラズマ放電処理容器20内に供給され、プラズマ放電処理容器20内がプラズマ処理に用いる混合ガスGで充填される。   The flow rate of the mixed gas G generated by the gas generator 40 is controlled and supplied to the plasma discharge processing container 20 from the air supply port 27 via the gas filling means 41. The inside of the plasma discharge processing container 20 is used for the plasma processing. Filled with gas G.

第1の電源50によりロール電極21と固定電極22との対向領域301に高周波電界を印加し、放電させ混合ガスGのプラズマを発生させる。   A high-frequency electric field is applied to the facing region 301 between the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 by the first power supply 50 and discharged to generate plasma of the mixed gas G.

基材Fは、ロール電極21に捲着されながらロール電極21と固定電極22との間を搬送される。そして、ロール電極21と固定電極22との間を搬送中に、発生した放電プラズマにより基材Fの表面に凹凸及び空隙が形成される。また、混合ガス中の薄膜形成ガスに応じた薄膜が形成されると共に基材Fの表面に凹凸及び空隙が形成されるようにしても良い。   The substrate F is conveyed between the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 while being attached to the roll electrode 21. And while conveying between the roll electrode 21 and the fixed electrode 22, an unevenness | corrugation and a space | gap are formed in the surface of the base material F with the generated discharge plasma. Further, a thin film corresponding to the thin film forming gas in the mixed gas may be formed, and irregularities and voids may be formed on the surface of the substrate F.

なお、放電プラズマにより表面に凹凸が形成された(放電処理された)基材F’は、ガイドローラ25を介して、不図示の例えば防眩性フィルムや防眩性低反射フィルム製造に要する次工程に搬送される。   The base material F ′ having irregularities formed on the surface by the discharge plasma (discharge-treated) is required for manufacturing an anti-glare film or an anti-glare low reflection film (not shown) via the guide roller 25. It is conveyed to the process.

なお、第1の電源50よりロール電極21に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が0.5kV〜10kV程度で、1kHz以上で200kHz以下に調整される。ここで電源の電圧波形に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが、連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。   In addition, although the value of the voltage applied to the roll electrode 21 from the 1st power supply 50 is determined suitably, for example, a voltage is about 0.5 kV-10 kV, and is adjusted to 200 kHz or less at 1 kHz or more. Here, regarding the voltage waveform of the power supply, either a continuous sine wave continuous oscillation mode called a continuous mode or an intermittent oscillation mode called ON / OFF intermittently called a pulse mode may be adopted. This is preferable because a denser and better quality film can be obtained.

また、放電プラズマ処理時の基材への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理時の基材Fの温度を常温(15℃〜25℃)〜200℃未満の温度に調整することが好ましく、更に好ましくは常温〜100℃に調整することである。上記の温度範囲に調整する為、必要に応じてロール電極21と固定電極22とは電極の冷却手段である電極冷却ユニット70で冷却しながら放電プラズマ処理される。   Moreover, in order to suppress the influence on the base material at the time of the discharge plasma treatment to a minimum, the temperature of the base material F at the time of the discharge plasma treatment is adjusted to a temperature of room temperature (15 ° C. to 25 ° C.) to less than 200 ° C. It is preferable to adjust to room temperature to 100 ° C. In order to adjust to the above temperature range, if necessary, the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 are subjected to discharge plasma treatment while being cooled by an electrode cooling unit 70 which is an electrode cooling means.

なお、本実施の形態においては、凹凸及び空隙を基材上に形成するものとしたが、これに限らず、凹凸及び空隙を有する薄膜を形成しても良く、基材Fの表面、あるいは、基材Fの表面に塗布したクリアハードコート層の表面を、プラズマ放電処理装置10を用いて、プラズマ状態のガスによりエッチングすることで、基材Fの表面あるいはハードコート層に凹凸及び空隙を形成するものとしてもよい。   In the present embodiment, the irregularities and voids are formed on the substrate. However, the present invention is not limited to this, and a thin film having irregularities and voids may be formed. The surface of the clear hard coat layer applied to the surface of the substrate F is etched with a plasma state gas using the plasma discharge treatment apparatus 10 to form irregularities and voids on the surface of the substrate F or the hard coat layer. It is good also as what to do.

図2は、他のプラズマ放電処理装置30の一例を示す概略図である。   FIG. 2 is a schematic view showing an example of another plasma discharge treatment apparatus 30.

図1との違いは、基本的には固定電極22に第2の電源60を付加したのみなので、異なる部分のみ説明する。   The difference from FIG. 1 is basically only that the second power source 60 is added to the fixed electrode 22, so only the different parts will be described.

プラズマ放電処理容器20には、前述以外に第2の電源60が配置されている。   In addition to the above, a second power source 60 is disposed in the plasma discharge processing container 20.

第2の電源60としては、特に限定はないが、パール工業製高周波電源(200kHz)、パール工業製高周波電源(800kHz)、日本電子製高周波電源(13.56MHz)、パール工業製高周波電源(150MHz)等が使用できる。   Although there is no limitation in particular as the 2nd power supply 60, Pearl industrial high frequency power supply (200 kHz), Pearl industrial high frequency power supply (800 kHz), JEOL high frequency power supply (13.56 MHz), Pearl industrial high frequency power supply (150 MHz) ) Etc. can be used.

プラズマ放電処理装置30による大気圧プラズマ処理について説明すると、プラズマ放電処理容器20内の所定位置にロール電極21及び固定電極22が配置されており、固定電極22には第2の電源60が接続され、ロール電極21には第1の電源50が接続されている。   The atmospheric pressure plasma processing by the plasma discharge processing apparatus 30 will be described. A roll electrode 21 and a fixed electrode 22 are disposed at predetermined positions in the plasma discharge processing container 20, and a second power source 60 is connected to the fixed electrode 22. The first power supply 50 is connected to the roll electrode 21.

ロール電極21と固定電極22との対向領域301に、第1の電源50及び第2の電源60により周波数の異なる電圧が重畳された高周波電界を印加し、放電させ、混合ガスGのプラズマを発生させる。   A high-frequency electric field in which voltages having different frequencies are superimposed by the first power supply 50 and the second power supply 60 is applied to the facing region 301 between the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 to cause discharge to generate plasma of the mixed gas G Let

第2の電源60より固定電極22に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が0.1kV〜10kV程度で、電源周波数は電源周波数は100kHz以上150MHz以下に調整される。ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと前述したパルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良い。   The value of the voltage applied from the second power supply 60 to the fixed electrode 22 is appropriately determined. For example, the voltage is about 0.1 kV to 10 kV, and the power supply frequency is adjusted to 100 kHz or more and 150 MHz or less. Here, as a method of applying power, either a continuous sine wave continuous oscillation mode called a continuous mode or an intermittent oscillation mode that performs ON / OFF intermittently called the pulse mode described above may be employed.

なお、ロール電極21と第1電源50との間には、第1フィルタ51が設置されており、第1電源50からロール電極22への電流を通過しやすくし、第2電源60からの電流をアースして、第2電源60から第1電源50への電流が通過しにくくなるようになっており、
固定電極22と第2電源60との間には、第2フィルター61が設置されており、第2電源60から固定電極22への電流を通過しやすくし、第1電源50からの電流をアースして、第1電源50から第2電源60への電流を通過しにくくするようになっている。
Note that a first filter 51 is installed between the roll electrode 21 and the first power supply 50 to facilitate passage of current from the first power supply 50 to the roll electrode 22, and current from the second power supply 60. , The current from the second power source 60 to the first power source 50 becomes difficult to pass through,
A second filter 61 is installed between the fixed electrode 22 and the second power source 60 to facilitate passage of current from the second power source 60 to the fixed electrode 22 and to ground the current from the first power source 50. Thus, it is difficult to pass current from the first power supply 50 to the second power supply 60.

また、第1の高周波電源50は周波数ω1、電極の放電面の単位面積当たり出力電流I1、固定電極22とロール電極22との間に電界強度V1の印加を可能とし、第2の高周波電源60は周波数ω2、電極の放電面の単位面積当たり出力電流I2、固定電極22とロール電極22との間に電界強度V2の印加を可能としている。 The first high-frequency power supply 50 can apply the frequency ω 1 , the output current I 1 per unit area of the discharge surface of the electrode, and the electric field strength V 1 between the fixed electrode 22 and the roll electrode 22. The high frequency power supply 60 can apply a frequency ω 2 , an output current I 2 per unit area of the discharge surface of the electrode, and an electric field strength V 2 between the fixed electrode 22 and the roll electrode 22.

そして、両電源により固定電極22とロール電極21との対向領域301に周波数ω1と周波数ω2が重畳された高周波電界を発生させる。 Then, a high-frequency electric field in which the frequency ω 1 and the frequency ω 2 are superimposed is generated in the opposing region 301 between the fixed electrode 22 and the roll electrode 21 by both power sources.

放電ガスを窒素とした場合、窒素に対して放電を開始させる両電極間に印加する電界強度をIVとすると、安定して放電が開始し、放電開始後も薄膜形成ガス等を安定して励起できるように、
各電源の関係はω2>ω1、及び、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2の関係を有し、窒素の放電開始可能な電界強度は3.7kV/mmの為、窒素の放電開始可能な電界強度をIVとすると、少なくとも第1の高周波電源50から印可する電界強度V1 は3.7kV/mm、またはそれ以上とし、第2の高周波電源60から印可する電界強度V2は3.7kV/mm、またはそれ未満とすることが好ましい。
When the discharge gas is nitrogen, if the electric field strength applied between the electrodes for starting discharge with respect to nitrogen is IV, the discharge starts stably, and the thin film forming gas and the like are stably excited even after the discharge starts. to be able to do,
Each power source has a relationship of ω 2 > ω 1 and V 1 ≧ IV> V 2 or V 1 > IV ≧ V 2 , and the electric field intensity capable of starting the discharge of nitrogen is 3.7 kV / mm. When the electric field intensity at which nitrogen discharge can be started is IV, the electric field intensity V 1 applied from at least the first high-frequency power supply 50 is 3.7 kV / mm or more, and the electric field applied from the second high-frequency power supply 60 is The strength V 2 is preferably 3.7 kV / mm or less.

また、電流は電極の放電面の単位面積当たり、I1<I2となることが好ましい。電流I1は、好ましくは0.3mA/cm2〜20mA/cm2、さらに好ましくは1.0mA/cm2〜20mA/cm2である。また、電流I2は、好ましくは10mA/cm2〜100mA/cm2、さらに好ましくは20mA/cm2〜100mA/cm2である。 The current is preferably I 1 <I 2 per unit area of the discharge surface of the electrode. Current I 1 is preferably 0.3mA / cm 2 ~20mA / cm 2 , more preferably at 1.0mA / cm 2 ~20mA / cm 2 . The current I 2 is preferably 10mA / cm 2 ~100mA / cm 2 , more preferably 20mA / cm 2 ~100mA / cm 2 .

なお、第1の高周波電源50と第2の高周波電源60とに関する周波数ω1、ω2、印加する電界強度V1、V2、の関係はω1>ω2、及び、V1≦IV<V2またはV1<IV≦V2としても良い。 The relationship between the frequencies ω 1 and ω 2 and the applied electric field strengths V 1 and V 2 related to the first high frequency power supply 50 and the second high frequency power supply 60 is ω 1 > ω 2 and V 1 ≦ IV <. V 2 or V 1 <may IV ≦ V 2.

図3は、上述の円筒型のロール電極21の一例を示す概略図である。   FIG. 3 is a schematic view showing an example of the cylindrical roll electrode 21 described above.

ロール電極21の構成について説明すると、図3(a)において、ロール電極21は、金属等の導電性母材21a(以下、「電極母材」ともいう。)に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体21b(以下、単に「誘電体」ともいう。)を被覆した組み合わせで構成されている。
また、図3(b)に示すように、金属等の導電性母材21Aにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体21Bを被覆した組み合わせでロール電極21を構成してもよい。
The structure of the roll electrode 21 will be described. In FIG. 3A, the roll electrode 21 is an inorganic material after thermal spraying ceramics on a conductive base material 21a (hereinafter also referred to as “electrode base material”) such as metal. And a ceramic coating treated dielectric 21b (hereinafter, also simply referred to as “dielectric”) that has been subjected to sealing treatment.
Further, as shown in FIG. 3B, the roll electrode 21 may be configured by a combination in which a conductive base material 21A such as metal is covered with a lining dielectric 21B provided with an inorganic material by lining.

ロール電極21は、導電性母材21aをプラズマ放電処理装置10ではアースに接続し、プラズマ放電処理装置30ではフィルタを介して第2の高周波電源60に接続してある。   In the roll electrode 21, the conductive base material 21a is connected to the ground in the plasma discharge processing apparatus 10, and the plasma discharge processing apparatus 30 is connected to the second high-frequency power source 60 through a filter.

ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。金属等の導電性母材21a、21Aとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材21a、21Aは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している(不図示)。   As the lining material, silicate glass, borate glass, phosphate glass, germanate glass, tellurite glass, aluminate glass, vanadate glass and the like are preferably used. Of these, borate glass is more preferred because it is easy to process. Examples of the conductive base materials 21a and 21A such as metal include metals such as silver, platinum, stainless steel, aluminum, and iron. Stainless steel is preferable from the viewpoint of processing. As the ceramic material used for thermal spraying, alumina, silicon nitride, or the like is preferably used. Among these, alumina is more preferable because it is easily processed. In the present embodiment, the base material 21a, 21A of the roll electrode uses a stainless steel jacket roll base material having cooling means by cooling water (not shown).

図4は、角柱型の固定電極22の一例を示す概略図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a prismatic fixed electrode 22.

図4(a)において、角柱或いは角筒柱の固定電極22は上記記載のロール電極21と同様に、金属等の導電性母材22aに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体22bを被覆した組み合わせで構成されている。また、図4(b)に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極22は金属等の導電性母材22Aへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体22Bを被覆した組み合わせで構成してもよい。   In FIG. 4 (a), the fixed electrode 22 of a prism or a rectangular cylinder is sealed with an inorganic material after thermal spraying ceramics on a conductive base material 22a such as metal, like the roll electrode 21 described above. The ceramic coating treatment dielectric 22b is applied in combination. As shown in FIG. 4 (b), the prismatic or prismatic fixed electrode 22 is composed of a combination of a conductive base material 22A such as metal coated with a lining dielectric 22B provided with an inorganic material by lining. May be.

ロール電極21と固定電極22との対向領域301に不均一な強度分布の電界を発生させ、プラズマの放電強度を不均一にさせるため、以下に示すような処理が施されている。   In order to generate an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region 301 between the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 and to make the plasma discharge intensity non-uniform, the following process is performed.

図5は、表面に凹凸を設けた電極の概念図である。   FIG. 5 is a conceptual diagram of an electrode having an uneven surface.

図5はロール電極21及び固定電極22の、対向する電極との対向面211の部分断面斜視図であり、表面に凹凸を設けた電極(ロール電極21及び/又は固定電極22)の少なくとも放電部分に不均一な複数の凹凸29又は不均一な複数の凹凸29及び不図示の複数の空隙を有している。   FIG. 5 is a partial cross-sectional perspective view of the facing surface 211 of the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 facing the facing electrode, and at least the discharge portion of the electrode (roll electrode 21 and / or fixed electrode 22) provided with irregularities on the surface. Are provided with a plurality of uneven unevenness 29 or a plurality of uneven unevenness 29 and a plurality of gaps (not shown).

なお、不均一な複数の凹凸とは、凹凸の位置、高さ、及び形状が不定の複数の凹凸29を指し、特に凹凸の粗さがJIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さ(Rmax)が10μm以上であることを指し、不均一な面とは表面粗さの最大高さ(Rmax)が10μm以上である凹凸を有する面を指している。   The uneven unevenness means the unevenness 29 whose position, height, and shape of the unevenness are indefinite, and in particular, the maximum height of the surface roughness in which the roughness of the unevenness is defined by JIS B 0601. (Rmax) refers to 10 μm or more, and the non-uniform surface refers to a surface having irregularities with a maximum height (Rmax) of surface roughness of 10 μm or more.

均一、または、均一な平面とは、JIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さ(Rmax)が10μm未満の凹凸しか有しないこと、または、Rmaxが10μm未満の凹凸しか有しない平面を指している。   The uniform or uniform plane is a plane having a maximum roughness (Rmax) of the surface roughness specified by JIS B 0601 having only irregularities of less than 10 μm, or a plane having only irregularities having an Rmax of less than 10 μm. pointing.

本発明において、不均一な複数の凹凸はRmaxが10μm以上が好ましい。   In the present invention, Rmax is preferably 10 μm or more for the plurality of uneven unevenness.

また、後述する電極母材への誘電体の被着面の不均一な複数の凹凸も同様な形状を有している。   In addition, a plurality of non-uniformities on the non-uniform surface of the dielectric applied to the electrode base material to be described later have the same shape.

図6は、表面に凹凸を設けた電極の部分断面図である。図7は、誘電体のない表面に凹凸を設けた形態の電極の部分断面図である。図8は、表面が均一な平面の他の形態の電極の部分断面図である。   FIG. 6 is a partial cross-sectional view of an electrode having irregularities on the surface. FIG. 7 is a partial cross-sectional view of an electrode in which irregularities are provided on a surface without a dielectric. FIG. 8 is a partial cross-sectional view of another form of electrode having a uniform surface.

以下、電極の構造について説明するが不均一な複数の凹凸を、例えばロール電極21に設けた場合を例に取り説明する。   Hereinafter, the structure of the electrode will be described, but a description will be given by taking, as an example, a case where a plurality of uneven unevenness is provided on the roll electrode 21, for example.

先ず図6について説明すると、図6(a)において、ロール電極21の電極母材21aは均一な厚さを有し、電極母材21aへの誘電体21bの被着面212が均一な平面に形成され、誘電体21bは不均一な厚さである不均一な複数の凹凸を表面に有している。このため、ロール電極21の固定電極との対向面211は不均一な複数の凹凸を有している。   First, FIG. 6 will be described. In FIG. 6A, the electrode base material 21a of the roll electrode 21 has a uniform thickness, and the deposition surface 212 of the dielectric 21b on the electrode base material 21a is a uniform plane. The formed dielectric 21b has a plurality of non-uniform irregularities having a non-uniform thickness on the surface. For this reason, the opposed surface 211 of the roll electrode 21 to the fixed electrode has a plurality of unevenness.

図6(b)において、ロール電極21の電極母材21aは不均一な厚さである不均一な複数の凹凸を有し、電極母材21aへの誘電体21bの被着面212は不均一な複数の凹凸を形成し、誘電体21bは均一な厚さを有している。このため、ロール電極21の固定電極との対向面211は、電極母材21aの凹凸の影響を受けて不均一な複数の凹凸を有している。   In FIG. 6B, the electrode base material 21a of the roll electrode 21 has a plurality of non-uniform irregularities having a non-uniform thickness, and the surface 212 of the dielectric 21b applied to the electrode base material 21a is non-uniform. A plurality of irregularities are formed, and the dielectric 21b has a uniform thickness. For this reason, the surface 211 facing the fixed electrode of the roll electrode 21 has a plurality of unevenness due to the influence of the unevenness of the electrode base material 21a.

図6(c)において、ロール電極21の電極母材21aと誘電体21bとが不均一な厚さである不均一な複数の凹凸を有し、電極母材21aへの誘電体21bの被着面212は不均一な複数の凹凸を形成し、且つ、ロール電極21の固定電極との対向面211は不均一な複数の凹凸を有している。   In FIG. 6C, the electrode base material 21a and the dielectric 21b of the roll electrode 21 have a plurality of non-uniform irregularities having a non-uniform thickness, and the dielectric 21b is attached to the electrode base 21a. The surface 212 forms a plurality of uneven unevenness, and the surface 211 facing the fixed electrode of the roll electrode 21 has a plurality of uneven unevenness.

次に、図7について説明すると、ロール電極21は誘電体を被着せず、電極母材21aの固定電極との対向面211を不均一な複数の凹凸を有する面としている。   Next, with reference to FIG. 7, the roll electrode 21 does not deposit a dielectric, and the surface 211 facing the fixed electrode of the electrode base material 21a is a surface having a plurality of unevenness.

次に、図8について説明すると、ロール電極21の電極母材21a及び、誘電体21bは不均一な厚さである不均一な複数の凹凸を有し、電極母材21aへの誘電体21bの被着面212は不均一な複数の凹凸を形成し、ロール電極21の固定電極との対向面211は均一な平面となっている。   Next, referring to FIG. 8, the electrode base material 21a and the dielectric 21b of the roll electrode 21 have a plurality of non-uniform irregularities having a non-uniform thickness, and the dielectric 21b on the electrode base 21a The adherend surface 212 forms a plurality of uneven unevenness, and the facing surface 211 of the roll electrode 21 facing the fixed electrode is a uniform flat surface.

図6及び図7で説明したロール電極21と対向する不図示の固定電極との対向面211の不均一な複数の凹凸により、固定電極とロール電極間の距離、即ち放電ギャップが凹部と凸部とでは異なるため、凹部と凸部とでは電界強度も異なり、電極間に不均一な強度分布の電界を発生させることが可能となる。また、その結果電極間に不均一な放電強度分布の放電を発生させることが可能になると考えられる。   The distance between the fixed electrode and the roll electrode, that is, the discharge gap is a concave portion and a convex portion due to a plurality of non-uniform irregularities on the facing surface 211 of the fixed electrode (not shown) facing the roll electrode 21 described in FIGS. Therefore, it is possible to generate an electric field having a non-uniform intensity distribution between the electrodes. As a result, it is considered possible to generate a discharge having a non-uniform discharge intensity distribution between the electrodes.

また、固定電極の表面に凹凸を設けても同様なことが言える。   The same can be said even when unevenness is provided on the surface of the fixed electrode.

更に、図8、図6(a)、及び図6(c)で説明した不均一な凹凸を有する誘電体21bにおいて、ロール電極21と不図示の固定電極22とを、固定電極とロール電極との間に誘電体21bを挟んだコンデンサとして考えた場合、誘電体21bの不均一な厚さにより、誘電体21bの凹部と凸部で分布定数的な意味の容量が異なり、
その結果凹部と凸部には分布定数的な意味の容量(インピーダンス)に応じた放電電流が流れ、その結果電極間に不均一な放電を発生させることが可能となると考えられる。
Further, in the dielectric 21b having uneven unevenness described with reference to FIGS. 8, 6A, and 6C, the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 (not shown) are replaced with the fixed electrode and the roll electrode. When the capacitor is considered as a capacitor with a dielectric 21b sandwiched between them, the capacitance in a distributed constant sense differs between the concave and convex portions of the dielectric 21b due to the non-uniform thickness of the dielectric 21b.
As a result, it is considered that a discharge current corresponding to a capacity (impedance) in a distributed constant sense flows through the concave and convex portions, and as a result, non-uniform discharge can be generated between the electrodes.

また、固定電極22の表面に不均一な複数の凹凸を設けても同様なことが言える。   The same can be said even if a plurality of non-uniform irregularities are provided on the surface of the fixed electrode 22.

これらのため、不均一な複数の凹凸のRmaxが大きくなるとその部分に放電が集中してしまい基材に微細な凹凸を均一に形成することが困難となってしまいやすく、Rmaxが5μm以下となると放電強度分布が均一になってしまい不均一にすることが困難となってしまいやすくなる。   For these reasons, when Rmax of a plurality of uneven unevenness increases, discharge concentrates on that portion, and it becomes difficult to form fine unevenness uniformly on the substrate, and when Rmax is 5 μm or less. The discharge intensity distribution becomes uniform and it becomes difficult to make it non-uniform.

なお、図6及び図8において、誘電体21bの厚みについては、特に限定されるものではないが、例えば、前後方向の平均厚さ(本実施の形態においては約1mm)に対して、±20%程度の範囲内の厚さバラツキを有している。   6 and 8, the thickness of the dielectric 21b is not particularly limited, but for example, ± 20 with respect to the average thickness in the front-rear direction (about 1 mm in the present embodiment). It has a thickness variation in the range of about%.

そして、本発明に係るプラズマ放電処理装置10及び30においては、対向して配設されるロール電極21と固定電極22のうちの少なくともいずれか一方が、図6〜図8に示す構成のうちのいずれか一つの構成を備えていればよい。例えば、ロール電極21と固定電極22の両方が、図6〜図8に示す構成のうち一つの構成を備えていてもよく、あるいは、ロール電極21と固定電極22のうちのいずれか一方が、図6〜図8に示す構成のうち一つの構成を備えていれば良い。   In the plasma discharge treatment apparatuses 10 and 30 according to the present invention, at least one of the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 disposed to face each other is the one shown in FIGS. 6 to 8. Any one of the configurations may be provided. For example, both the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 may have one of the configurations shown in FIGS. 6 to 8, or either one of the roll electrode 21 and the fixed electrode 22 What is necessary is just to provide one structure among the structures shown in FIGS.

このような構成により、上述したように電極間に不均一な電界強度分布の電界を発生させ、また、電極間に不均一な放電強度分布の放電を発生させることを可能とすることができる。   With such a configuration, it is possible to generate an electric field having a non-uniform electric field intensity distribution between the electrodes as described above, and to generate a discharge having a non-uniform discharge intensity distribution between the electrodes.

図9は被処理物表面の凹凸及び空隙の概念図である。   FIG. 9 is a conceptual diagram of unevenness and voids on the surface of the workpiece.

図9は被処理物100表面の部分断面斜視図であり、表面に不均一な複数の凹凸101及び不図示の複数の空隙を有している。   FIG. 9 is a partial cross-sectional perspective view of the surface of the object 100 to be processed, and has a plurality of uneven portions 101 and a plurality of gaps (not shown) on the surface.

なお、不均一な複数の凹凸101とは、強い放電部分により深くエッチングされた部分の凹部101aと、浅くエッチングされた部分及びエッチングされなかった部分の凸部101bを指している。   The uneven unevenness 101 refers to a concave portion 101a that is deeply etched by a strong discharge portion, and a convex portion 101b that is a shallow etched portion and a portion that is not etched.

強い放電により深くエッチングされ、弱い放電によって浅くエッチングされる。   It is deeply etched by strong discharge and shallowly etched by weak discharge.

そして、不均一な強度分布の電界(強い放電/弱い放電)により凹凸101の位置、高さ(深さ)、及び形状が不定となっている。   And the position, height (depth), and shape of the unevenness | corrugation 101 are indefinite by the electric field (strong discharge / weak discharge) of non-uniform intensity distribution.

また、表面の凹凸の粗さがJIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さ(Rmax)が10μm以上である。   Moreover, the maximum height (Rmax) of the surface roughness defined by the roughness of the surface according to JIS B 0601 is 10 μm or more.

以下に、図1及び図2に示す本発明のプラズマ放電処理装置10及び30に用いるガスについて説明する。   Below, the gas used for the plasma discharge treatment apparatus 10 and 30 of this invention shown in FIG.1 and FIG.2 is demonstrated.

本発明においてガス発生装置40からプラズマ放電処理装置10及び30に供給するガスは、基材上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、放電を行わせる放電ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスである。   In the present invention, the gas supplied from the gas generator 40 to the plasma discharge treatment apparatuses 10 and 30 varies depending on the type of thin film desired to be provided on the substrate, but basically forms a discharge gas for performing discharge and a thin film. It is a mixed gas of reactive gas for.

上記放電ガスとは、窒素、また、周期表の第18属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明の処理速度を早くする効果を得るためには、特に窒素が好ましく用いられる。   Examples of the discharge gas include nitrogen and 18th group elements of the periodic table, specifically helium, neon, argon, krypton, xenon, radon, etc., but the effect of increasing the processing speed of the present invention. In order to obtain it, nitrogen is particularly preferably used.

反応性ガスは、混合ガスに対し、0.01〜10体積%含有させることが好ましく、薄膜の膜厚としては、0.1nm〜1000nmの範囲の薄膜が得られる。   The reactive gas is preferably contained in an amount of 0.01 to 10% by volume with respect to the mixed gas, and a thin film having a thickness in the range of 0.1 nm to 1000 nm is obtained.

例えば、反応性ガスとしてジンクアセチルアセトナート、トリエチルインジウム、トリメチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、エトラエチル錫、エトラメチル錫、二酢酸ジ−n−ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫などから選択された少なくとも1つの有機金属化合物を含む反応性ガスを用いて、導電性膜あるいは帯電防止膜、あるいは反射防止膜の中屈折率層として有用な金属酸化物層を形成することができる。   For example, at least selected from zinc acetylacetonate, triethylindium, trimethylindium, diethylzinc, dimethylzinc, etraethyltin, etramethyltin, di-n-butyltin diacetate, tetrabutyltin, tetraoctyltin and the like as the reactive gas A reactive gas containing one organometallic compound can be used to form a metal oxide layer useful as a middle refractive index layer of a conductive film, an antistatic film, or an antireflection film.

また、フッ素含有化合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含有基を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表面を得る撥水膜を得ることが出来る。フッ素元素含有化合物としては、6フッ化プロピレン(CF3CFCF2)、8フッ化シクロブタン(C4F8)等のフッ素・炭素化合物が挙げられる。安全上の観点から、有害ガスであるフッ化水素を生成しない6フッ化プロピレン、8フッ化シクロブタンを用いる。   Moreover, by using a fluorine-containing compound gas, a water-repellent film can be obtained in which a fluorine-containing group is formed on the surface of the substrate to reduce the surface energy and obtain a water-repellent surface. Examples of the fluorine element-containing compound include fluorine / carbon compounds such as hexafluoropropylene (CF3CFCF2) and octafluorocyclobutane (C4F8). From the viewpoint of safety, propylene hexafluoride and cyclobutane octafluoride that do not generate hydrogen fluoride, which is a harmful gas, are used.

また、分子内に親水性基と重合性不飽和結合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことにより、親水性の重合膜を堆積させることもできる。上記親水性基としては、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、1級若しくは2級又は3級アミノ基、アミド基、4級アンモニウム塩基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基等が挙げられる。又、ポリエチレングリコール鎖を有するモノマーを用いても同様に親水性重合膜の堆積が可能である。   Moreover, a hydrophilic polymer film can be deposited by performing the treatment in an atmosphere of a monomer having a hydrophilic group and a polymerizable unsaturated bond in the molecule. Examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a sulfonate group, a primary or secondary or tertiary amino group, an amide group, a quaternary ammonium base, a carboxylic acid group, and a carboxylic acid group. Can be mentioned. Similarly, a hydrophilic polymer film can be deposited using a monomer having a polyethylene glycol chain.

上記モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリエチレングリコールジアクリル酸エステルなどが挙げられ、これらの少なくとも1種が使用できる。   Examples of the monomer include acrylic acid, methacrylic acid, acrylamide, methacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, sodium acrylate, sodium methacrylate, potassium acrylate, potassium methacrylate, sodium styrenesulfonate, allyl alcohol, allylamine, polyethylene. Examples thereof include glycol dimethacrylic acid ester and polyethylene glycol diacrylic acid ester, and at least one of them can be used.

また、有機フッ素化合物、珪素化合物またはチタン化合物を含有する反応性ガスを用いることにより、反射防止膜の低屈折率層または高屈折率層を設けることが出来る。   Further, by using a reactive gas containing an organic fluorine compound, a silicon compound, or a titanium compound, the low refractive index layer or the high refractive index layer of the antireflection film can be provided.

有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、4フッ化炭素、6フッ化炭素、具体的には、4フッ化メタン、4フッ化エチレン、6フッ化プロピレン、8フッ化シクロブタン等が挙げられる。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、2フッ化メタン、4フッ化エタン、4フッ化プロピレン、3フッ化プロピレン等が挙げられる。   As the organic fluorine compound, a fluorocarbon gas, a fluorinated hydrocarbon gas, or the like is preferably used. Examples of the fluorocarbon gas include carbon tetrafluoride and carbon hexafluoride, specifically, tetrafluoromethane, tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, octafluorocyclobutane, and the like. Examples of the fluorinated hydrocarbon gas include difluoromethane, tetrafluoroethane, tetrafluoropropylene, and trifluoride propylene.

更に、1塩化3フッ化メタン、1塩化2フッ化メタン、2塩化4フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。前記の化合物は単独でも混合して用いても良い。   Furthermore, a halogenated fluoride compound such as trichloromethane monochloride, methane difluoride methane, or cyclobutane tetrachloride, or a fluorine-substituted product of an organic compound such as alcohol, acid, or ketone may be used. Yes, but not limited to these. Moreover, these compounds may have an ethylenically unsaturated group in the molecule. The above compounds may be used alone or in combination.

また、有機フッ素化合物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま使用できるので最も容易に本発明の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、また、又、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。   Further, when the organic fluorine compound is a gas at normal temperature and pressure, it can be used as it is as a component of the mixed gas, so that the method of the present invention can be performed most easily. However, when the organic fluorine compound is liquid or solid at normal temperature and normal pressure, it may be used after being vaporized by a method such as heating or decompression, or may be used after being dissolved in an appropriate solvent. .

また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを0.1〜10体積%含有させることにより薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。また、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素から選択される成分を0.01〜5体積%含有させることにより、反応を促進させることができる。   Moreover, the hardness of a thin film can be remarkably improved by containing 0.1-10 volume% of hydrogen gas in the said mixed gas. Moreover, reaction can be promoted by containing 0.01-5 volume% of components selected from oxygen, ozone, hydrogen peroxide, a carbon dioxide, carbon monoxide, and hydrogen in mixed gas.

上記記載の珪素化合物、チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。また、上記記載の珪素化合物、チタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液体で、沸点が200℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、n−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解される為、基材上への薄膜の形成、薄膜の組成などに対する影響は殆ど無視することが出来る。   As the silicon compounds and titanium compounds described above, metal hydrides and metal alkoxides are preferable from the viewpoint of handling, and metal alkoxides are preferably used because they are not corrosive, do not generate harmful gases, and have little contamination in the process. It is done. Further, in order to introduce the silicon compound and the titanium compound described above between the electrodes which are the discharge spaces, both of them may be in the state of gas, liquid or solid at normal temperature and pressure. In the case of gas, it can be introduced into the discharge space as it is, but in the case of liquid or solid, it is used after being vaporized by means such as heating, decompression or ultrasonic irradiation. When a silicon compound or a titanium compound is vaporized by heating, a metal alkoxide that is liquid at room temperature and has a boiling point of 200 ° C. or lower, such as tetraethoxysilane or tetraisopropoxytitanium, is preferably used for forming the antireflection film. The metal alkoxide may be used after being diluted with a solvent. As the solvent, an organic solvent such as methanol, ethanol, n-hexane, or a mixed solvent thereof can be used. Since these diluted solvents are decomposed into molecular and atomic forms during the plasma discharge treatment, the influence on the formation of the thin film on the substrate, the composition of the thin film, etc. can be almost ignored.

上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノシランなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。   Examples of the silicon compound described above include organic metal compounds such as dimethylsilane and tetramethylsilane, metal hydrogen compounds such as monosilane and disilane, metal halogen compounds such as silane dichloride and silane trichloride, tetramethoxysilane, and tetraethoxy. It is preferable to use alkoxysilane such as silane or dimethyldiethoxysilane, organosilane, or the like, but the invention is not limited to these. Moreover, these can be used in combination as appropriate.

チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。   Titanium compounds include organometallic compounds such as tetradimethylaminotitanium, metal hydrogen compounds such as monotitanium and dititanium, metal halogen compounds such as titanium dichloride, titanium trichloride, and titanium tetrachloride, tetraethoxy titanium, tetraisopropoxy titanium It is preferable to use a metal alkoxide such as tetrabutoxytitanium, but is not limited thereto.

反応性ガスに有機金属化合物を添加する場合、例えば、有機金属化合物としてLi,Be,B,Na,Mg,Al,Si,K,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Rb,Sr,Y,Zr,Nb,Mo,Cd,In,Ir,Sn,Sb,Cs,Ba,La,Hf,Ta,W,Tl,Pb,Bi,Ce,Pr,Nd,Pm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選択される金属を含むことができる。より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。   When adding an organometallic compound to the reactive gas, for example, Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, In, Ir, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Tl, Pb, Bi, A metal selected from Ce, Pr, Nd, Pm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu can be included. More preferably, those organometallic compounds are selected from metal alkoxides, alkylated metals, and metal complexes.

次に、本発明に用いることができる基材について説明する。本発明に用いることができる基材としては、フィルム状のもの、レンズ状等の立体形状のもの等、薄膜をその表面に形成できるものであれば特に限定はないが、生産性を向上するために図1、図2で示す工程を組むような場合には特にフィルム状のものが好ましい。   Next, the base material that can be used in the present invention will be described. The substrate that can be used in the present invention is not particularly limited as long as a thin film can be formed on the surface thereof, such as a film-like material or a three-dimensional shape such as a lens shape, but in order to improve productivity. In the case where the steps shown in FIGS. 1 and 2 are assembled, a film-like one is particularly preferable.

基材を構成する材料も特に限定はないが、大気圧または大気圧近傍の圧力下であることから、樹脂を好ましく用いることができる。好ましくは、フィルム状のセルローストリアセテート等のセルロースエステル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、更にこれらの上にゼラチン、ポリビニルアルコール(PVA)、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等を塗設したもの等を使用することが出来る。また、これら基材は、支持体上に防眩層やクリアハードコート層を塗設したり、バックコート層、帯電防止層を塗設したものを用いることが出来る。   The material constituting the substrate is not particularly limited, but a resin can be preferably used because it is under atmospheric pressure or pressure near atmospheric pressure. Preferably, cellulose esters such as film-like cellulose triacetate, polyester, polycarbonate, polystyrene, and those coated with gelatin, polyvinyl alcohol (PVA), acrylic resin, polyester resin, cellulose resin, etc. are used. I can do it. Moreover, these base materials can use what coated the anti-glare layer and the clear hard-coat layer on the support body, and coated the back-coat layer and the antistatic layer.

上記の支持体(基材としても用いられる)としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。   As the above support (also used as a base material), specifically, polyester films such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyethylene film, polypropylene film, cellophane, cellulose diacetate film, cellulose acetate butyrate film, Cellulose acetate propionate film, cellulose acetate phthalate film, cellulose triacetate, cellulose ester film such as cellulose nitrate, or derivatives thereof, polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene vinyl alcohol film, syndiotactic polystyrene series Film, polycarbonate film, norbornene resin film, polymethylpen Film, polyetherketone film, polyimide film, polyethersulfone film, polysulfone film, polyetherketoneimide film, polyamide film, fluororesin film, nylon film, polymethylmethacrylate film, acrylic film or polyarylate film Can be mentioned.

これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネックス(日本ゼオン(株)製)、ARTON(日本合成ゴム(株)製)などの市販品を好ましく使用することができる。更に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォンなどの固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流延、溶融押し出し等の条件、更には縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより得ることが出来る。また、支持体は、上記の記載に限定されない。膜厚としては10μm〜1000μmのフィルムが好ましく用いられる。   These materials can be used alone or in combination as appropriate. Among these, commercially available products such as ZEONEX (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and ARTON (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) can be preferably used. Furthermore, even for materials with a large intrinsic birefringence, such as polycarbonate, polyarylate, polysulfone, and polyethersulfone, conditions such as solution casting and melt extrusion, as well as stretching conditions in the longitudinal and lateral directions are set as appropriate. Can be obtained. Moreover, a support body is not limited to said description. A film thickness of 10 μm to 1000 μm is preferably used as the film thickness.

また、基材上に設ける薄膜が反射防止膜である場合には、支持体としては、中でもセルロースエステルフィルムを用いることが低い反射率の積層体が得られる為、好ましい。本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、セルロースエステルとしてはセルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく、中でもセルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく用いられる。   Moreover, when the thin film provided on a base material is an antireflection film, it is preferable to use a cellulose ester film as a support because a laminate having a low reflectance can be obtained. From the viewpoint of preferably obtaining the effects described in the present invention, as the cellulose ester, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate are preferable, and among them, cellulose acetate butyrate and cellulose acetate propionate are preferably used.

本発明において、反射防止膜を有する基材として上記セルロースエステルフィルムを用いる場合、このセルロースエステルフィルムには可塑剤を含有するのが好ましい。   In the present invention, when the cellulose ester film is used as a substrate having an antireflection film, the cellulose ester film preferably contains a plasticizer.

可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを好ましく用いることが出来る。リン酸エステル系では、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−2−エチルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等、トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等、グリコール酸エステル系では、トリアセチン、トリブチリン、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等、クエン酸エステル系可塑剤として、トリエチルシトレート、トリ−n−ブチルシトレート、アセチルトリエチルシトレート、アセチルトリ−n−ブチルシトレート、アセチルトリ−n−(2−エチルヘキシル)シトレート等を好ましく用いることができる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。   The plasticizer is not particularly limited, but is a phosphate ester plasticizer, a phthalate ester plasticizer, a trimellitic ester plasticizer, a pyromellitic acid plasticizer, a glycolate plasticizer, or a citrate ester plasticizer. An agent, a polyester plasticizer, or the like can be preferably used. For phosphate esters, triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, octyl diphenyl phosphate, diphenyl biphenyl phosphate, trioctyl phosphate, tributyl phosphate, etc.For phthalate esters, diethyl phthalate, dimethoxyethyl phthalate, dimethyl Trimellitic plasticizers such as phthalate, dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, di-2-ethylhexyl phthalate, butyl benzyl phthalate, etc. Tributyl trimellitate, triphenyl trimellitate, triethyl trimellitate, pyromellitic acid ester Examples of plasticizers include tetrabutyl pyromellitate, tetraphenyl pyromellitate, tetraethyl pyromellitate, In acid ester type, triacetin, tributyrin, ethyl phthalyl ethyl glycolate, methyl phthalyl ethyl glycolate, butyl phthalyl butyl glycolate, etc., citrate ester plasticizers such as triethyl citrate, tri-n-butyl citrate Acetyl triethyl citrate, acetyl tri-n-butyl citrate, acetyl tri-n- (2-ethylhexyl) citrate and the like can be preferably used. Examples of other carboxylic acid esters include butyl oleate, methylacetyl ricinoleate, dibutyl sebacate, and various trimellitic acid esters.

ポリエステル系可塑剤として脂肪族二塩基酸、脂環式二塩基酸、芳香族二塩基酸等の二塩基酸とグリコールの共重合体を用いることが出来る。脂肪族二塩基酸としては特に限定されないが、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、テレフタル酸、1,4−シクロヘキシルジカルボン酸などを用いることが出来る。グリコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,4−ブチレングリコール、1,3−ブチレングリコール、1,2−ブチレングリコールなどを用いることが出来る。これらの二塩基酸及びグリコールはそれぞれ単独で用いても良いし、二種以上混合して用いても良い。   A copolymer of a dibasic acid such as an aliphatic dibasic acid, an alicyclic dibasic acid, or an aromatic dibasic acid and a glycol can be used as the polyester plasticizer. The aliphatic dibasic acid is not particularly limited, and adipic acid, sebacic acid, phthalic acid, terephthalic acid, 1,4-cyclohexyl dicarboxylic acid and the like can be used. As the glycol, ethylene glycol, diethylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,4-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 1,2-butylene glycol and the like can be used. These dibasic acids and glycols may be used alone or in combination of two or more.

これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して1〜20質量%であることが好ましい。また、薄膜が反射防止膜である場合、基材(支持体単独の場合もある)としては、液晶等の劣化防止の観点から、紫外線吸収剤が好ましく用いられる。   It is preferable that the usage-amount of these plasticizers is 1-20 mass% with respect to a cellulose ester at points, such as film performance and workability. Further, when the thin film is an antireflection film, an ultraviolet absorber is preferably used as the base material (which may be a support alone) from the viewpoint of preventing deterioration of liquid crystals and the like.

紫外線吸収剤としては、波長370nm以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長400nm以上の可視光の吸収が少ないものが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。又、特開平6−148430号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。   As the ultraviolet absorber, those excellent in the ability to absorb ultraviolet rays having a wavelength of 370 nm or less and having little absorption of visible light having a wavelength of 400 nm or more are preferably used from the viewpoint of good liquid crystal display properties. Specific examples of preferably used ultraviolet absorbers include, but are not limited to, oxybenzophenone compounds, benzotriazole compounds, salicylic acid ester compounds, benzophenone compounds, cyanoacrylate compounds, nickel complex compounds, and the like. Not. Further, a polymeric ultraviolet absorber described in JP-A-6-148430 is also preferably used.

又、本発明の支持体に用いることのできる紫外線吸収剤は特願平11−225209号に記載されている分配係数が9.2以上の紫外線吸収剤を含むことが、プラズマ処理工程の汚染が少なく、また、各種塗布層の塗布性にも優れる為好ましく、特に分配係数が10.1以上の紫外線吸収剤を用いることが好ましい。   In addition, the ultraviolet absorber that can be used for the support of the present invention contains an ultraviolet absorber having a distribution coefficient of 9.2 or more described in Japanese Patent Application No. 11-225209, so that the contamination of the plasma treatment process is prevented. In addition, it is preferable because various coating layers have excellent coating properties, and it is particularly preferable to use an ultraviolet absorber having a distribution coefficient of 10.1 or more.

可塑剤や紫外線吸収剤吸収剤を含むセルロースエステルフィルムを基材として用いた場合、これらがブリードアウトするなどによって、プラズマ処理部に付着するなどして工程を汚染し、これがフィルムに付着する可能性が考えられる。この問題を解決するためには、支持体がセルロースエステルと可塑剤を有し、80℃、90%RHで時間処理した前後の質量変化が±2質量%未満である支持体を用いることが好ましい(保留性)。このようなセルロースエステルフィルムは特願2000−338883号記載のセルロースエステルフィルム等が好ましく用いられる。又、この目的のために特開平6−148430号、特願2000−156039号記載の高分子紫外線吸収剤(または紫外線吸収性ポリマー)が好ましく用いることができる。高分子紫外線吸収剤としては、PUVA−30M(大塚化学(株)製)などが市販されている。特開平6−148430号の一般式(1)あるいは一般式(2)あるいは特願2000−156039の一般式(3)(6)(7)記載の高分子紫外線吸収剤が特に好ましく用いられる。   When cellulose ester films containing plasticizers and UV absorber absorbers are used as the base material, they may contaminate the process by attaching to the plasma processing part due to bleed-out, etc., which may adhere to the film Can be considered. In order to solve this problem, it is preferable to use a support having a cellulose ester and a plasticizer and having a mass change of less than ± 2% by mass before and after the time treatment at 80 ° C. and 90% RH. (Holding). As such a cellulose ester film, a cellulose ester film described in Japanese Patent Application No. 2000-338883 is preferably used. For this purpose, high molecular weight ultraviolet absorbers (or ultraviolet absorbing polymers) described in JP-A-6-148430 and Japanese Patent Application No. 2000-156039 can be preferably used. As a polymer ultraviolet absorber, PUVA-30M (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.) and the like are commercially available. The polymer ultraviolet absorbers described in the general formula (1) or general formula (2) of JP-A-6-148430 or the general formulas (3), (6) and (7) of Japanese Patent Application No. 2000-156039 are particularly preferably used.

薄膜が反射防止膜である場合の基材の光学特性としては、面内リターデーションR0は0〜1000nmのものが好ましく用いられ、厚味方向のリターデーションRtは0〜300nmのものが用途に応じて好ましく用いられる。又、波長分散特性としてはR0(600)/R0(450)は0.7〜1.3であることが好ましく、特に1.0〜1.3であること好ましい。   As the optical properties of the substrate when the thin film is an antireflection film, the in-plane retardation R0 is preferably 0 to 1000 nm, and the thickness direction retardation Rt is 0 to 300 nm depending on the application. Are preferably used. Further, as wavelength dispersion characteristics, R0 (600) / R0 (450) is preferably 0.7 to 1.3, and more preferably 1.0 to 1.3.

ここで、R0(450)は波長450nmの光による3次元屈折率測定に基づいた面内リターデーション、R0(600)は波長600nmの光による3次元屈折率測定に基づいた面内リターデーションを表す。   Here, R0 (450) represents in-plane retardation based on three-dimensional refractive index measurement using light with a wavelength of 450 nm, and R0 (600) represents in-plane retardation based on three-dimensional refractive index measurement using light with a wavelength of 600 nm. .

薄膜が反射防止膜である場合、基材と放電プラズマ処理により形成される薄膜との密着性を向上させる観点から、1種以上のエチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した層に、上記記載の放電プラズマ処理をして形成されたものであることが好ましく、特に、前記エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した層をpH10以上の溶液で処理した後に放電プラズマ処理することにより、さらに密着性が改善されるため好ましい。pH10以上の溶液としては、0.1〜3mol/Lの水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム水溶液等が好ましく用いられる。   In the case where the thin film is an antireflection film, from the viewpoint of improving the adhesion between the substrate and the thin film formed by the discharge plasma treatment, a layer formed by polymerizing a component containing one or more ethylenically unsaturated monomers The discharge plasma treatment is preferably formed by the discharge plasma treatment described above, and in particular, the discharge plasma treatment is performed after treating the layer formed by polymerizing the component containing the ethylenically unsaturated monomer with a solution having a pH of 10 or more. This is preferable because the adhesion is further improved. As a solution having a pH of 10 or more, a 0.1 to 3 mol / L sodium hydroxide or potassium hydroxide aqueous solution is preferably used.

エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した樹脂層としては、活性線硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を構成成分として含有する層が好ましく用いられるが、特に好ましく用いられるのは活性線硬化樹脂層である。   As the resin layer formed by polymerizing a component containing an ethylenically unsaturated monomer, a layer containing an actinic ray curable resin or a thermosetting resin as a constituent component is preferably used, but an actinic ray curable resin is particularly preferably used. Is a layer.

ここで、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。   Here, the actinic radiation curable resin layer refers to a layer mainly composed of a resin that cures through a crosslinking reaction or the like by irradiation with actinic rays such as ultraviolet rays or electron beams. Typical examples of the actinic radiation curable resin include an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin, but a resin that is cured by irradiation with an actinic ray other than ultraviolet rays or an electron beam may be used. Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable acrylic urethane resin, an ultraviolet curable polyester acrylate resin, an ultraviolet curable epoxy acrylate resin, an ultraviolet curable polyol acrylate resin, and an ultraviolet curable epoxy resin. I can do it.

紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する)、2−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることが出来る(例えば、特開昭59−151110号等を参照)。   UV curable acrylic urethane resins generally include 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate (hereinafter referred to as acrylate) to products obtained by reacting polyester polyols with isocyanate monomers or prepolymers. It can be easily obtained by reacting an acrylate monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxypropyl acrylate (for example, see JP-A-59-151110).

紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステルポリオールに2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることが出来る(例えば、特開昭59−151112号を参照)。   The UV curable polyester acrylate resin can be easily obtained by reacting polyester polyol with 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy acrylate monomer (see, for example, JP-A-59-151112). .

紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させたものを挙げることが出来る(例えば、特開平1−105738号)。この光反応開始剤としては、ベンゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体等のうちから、1種もしくは2種以上を選択して使用することが出来る。   Specific examples of the ultraviolet curable epoxy acrylate resin include those obtained by reacting epoxy acrylate with an oligomer, a reactive diluent and a photoinitiator added thereto (for example, JP-A-1- No. 105738). As the photoreaction initiator, one or more kinds selected from benzoin derivatives, oxime ketone derivatives, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives and the like can be selected and used.

また、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることが出来る。   Specific examples of ultraviolet curable polyol acrylate resins include trimethylolpropane triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, alkyl-modified dipentaerythritol pentaacrylate. Etc. can be mentioned.

これらの樹脂は通常公知の光増感剤と共に使用される。また上記光反応開始剤も光増感剤としても使用出来る。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることが出来る。また、エポキシアクリレート系の光反応剤の使用の際、n−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることが出来る。塗布乾燥後に揮発する溶媒成分を除いた紫外線硬化性樹脂組成物に含まれる光反応開始剤又光増感剤は該組成物の2.5〜6質量%であることが好ましい。   These resins are usually used together with known photosensitizers. Moreover, the said photoinitiator can also be used as a photosensitizer. Specific examples include acetophenone, benzophenone, hydroxybenzophenone, Michler's ketone, α-amyloxime ester, thioxanthone, and the like. Further, when using an epoxy acrylate photoreactant, a sensitizer such as n-butylamine, triethylamine, or tri-n-butylphosphine can be used. It is preferable that the photoreaction initiator or photosensitizer contained in the ultraviolet curable resin composition excluding the solvent component that volatilizes after coating and drying is 2.5 to 6% by mass of the composition.

樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、酢酸ビニル、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることが出来る。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、1,4−シクロヘキサンジアクリレート、1,4−シクロヘキシルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリルエステル等を挙げることができる。   Examples of the resin monomer include general monomers such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, vinyl acetate, benzyl acrylate, cyclohexyl acrylate, and styrene as monomers having one unsaturated double bond. In addition, monomers having two or more unsaturated double bonds include ethylene glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, divinylbenzene, 1,4-cyclohexane diacrylate, 1,4-cyclohexyldimethyl adiacrylate, and the above trimethylolpropane. Examples thereof include triacrylate and pentaerythritol tetraacryl ester.

例えば、紫外線硬化樹脂としては、アデカオプトマーKR・BYシリーズ:KR−400、KR−410、KR−550、KR−566、KR−567、BY−320B(以上、旭電化工業株式会社製)、あるいはコーエイハードA−101−KK、A−101−WS、C−302、C−401−N、C−501、M−101、M−102、T−102、D−102、NS−101、FT−102Q8、MAG−1−P20、AG−106、M−101−C(以上、広栄化学工業株式会社製)、あるいはセイカビームPHC2210(S)、PHC X−9(K−3)、PHC2213、DP−10、DP−20、DP−30、P1000、P1100、P1200、P1300、P1400、P1500、P1600、SCR900(以上、大日精化工業株式会社製)、あるいはKRM7033、KRM7039、KRM7130、KRM7131、UVECRYL22201、UVECRYL22202(以上、ダイセル・ユーシービー株式会社)、あるいはRC−5015、RC−5016、RC−5020、RC−5031、RC−5100、RC−5102、RC−5120、RC−5122、RC−5152、RC−5171、RC−5180、RC−5181(以上、大日本インキ化学工業株式会社製)、あるいはオーレックスNo.340クリヤ(中国塗料株式会社製)、あるいはサンラッドH−601(三洋化成工業株式会社製)、あるいはSP−1509、SP−1507(昭和高分子株式会社製)、あるいはRCC−15C(グレース・ジャパン株式会社製)、アロニックスM−6100、M−8030、M−8060(以上、東亞合成株式会社製)あるいはこの他の市販のものから適宜選択して利用できる。   For example, as an ultraviolet curable resin, Adekaoptomer KR / BY series: KR-400, KR-410, KR-550, KR-566, KR-567, BY-320B (above, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) Or Koei hard A-101-KK, A-101-WS, C-302, C-401-N, C-501, M-101, M-102, T-102, D-102, NS-101, FT -102Q8, MAG-1-P20, AG-106, M-101-C (manufactured by Guangei Chemical Industry Co., Ltd.), Seika Beam PHC2210 (S), PHC X-9 (K-3), PHC2213, DP- 10, DP-20, DP-30, P1000, P1100, P1200, P1300, P1400, P1500, P1600, SCR900 (above Manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.), or KRM7033, KRM7039, KRM7130, KRM7131, UVECRYL22201, UVECRYL22202 (above, Daicel UCB), or RC-5015, RC-5016, RC-5020, RC-5031, RC -5100, RC-5102, RC-5120, RC-5122, RC-5152, RC-5171, RC-5180, RC-5181 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) or Aulex No. 340 clear (manufactured by China Paint Co., Ltd.), or Sun Rad H-601 (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.), SP-1509, SP-1507 (manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.), or RCC-15C (Grace Japan Co., Ltd.) (Manufactured by company), Aronix M-6100, M-8030, M-8060 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) or other commercially available ones can be used.

本発明に用いられる活性線硬化樹脂層は公知の方法で塗設することができる。活性線硬化性樹脂を光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であればいずれでも使用出来る。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることが出来る。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は20〜10000mJ/cm2程度あればよく、好ましくは、50〜2000mJ/cm2である。近紫外線領域〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増感剤を用いることによって使用出来る。 The actinic radiation curable resin layer used in the present invention can be applied by a known method. As the light source for forming the cured film layer of the actinic radiation curable resin by photocuring reaction, any light source that generates ultraviolet rays can be used. For example, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used. The irradiation conditions vary depending on individual lamps, but the amount of light irradiated may be any degree 20~10000mJ / cm 2, preferably from 50~2000mJ / cm 2. It can be used by using a sensitizer having an absorption maximum in the near ultraviolet region to the visible light region.

活性線硬化樹脂層を塗設する際の溶媒として前述のバックコート層や導電性微粒子を含有する樹脂層を塗設する溶媒、例えば、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用できる。好ましくは、プロピレングリコールモノ(炭素数1〜4のアルキル基)アルキルエーテルまたはプロピレングリコールモノ(炭素数1〜4のアルキル基)アルキルエーテルエステルを5質量%以上、さらに好ましくは5〜80質量%以上含有する溶媒が用いられる。   Solvents for coating the above-mentioned back coat layer or resin layer containing conductive fine particles as a solvent for coating an actinic radiation curable resin layer, such as hydrocarbons, alcohols, ketones, esters, glycol ethers In addition, the solvent can be appropriately selected from among other solvents or can be used by mixing them. Preferably, propylene glycol mono (alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) alkyl ether or propylene glycol mono (alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) alkyl ether ester is 5% by mass or more, more preferably 5 to 80% by mass or more. The containing solvent is used.

紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコーター、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知の方法を用いることが出来る。塗布量はウェット膜厚で0.1〜30μmが適当で、好ましくは、0.5〜15μmである。塗布速度は好ましくは10〜60m/分で行われる。   As a method for applying the ultraviolet curable resin composition coating solution, a known method such as a gravure coater, a spinner coater, a wire bar coater, a roll coater, a reverse coater, an extrusion coater, or an air doctor coater can be used. The coating amount is suitably 0.1 to 30 μm, preferably 0.5 to 15 μm in terms of wet film thickness. The coating speed is preferably 10 to 60 m / min.

紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥された後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は0.5秒〜5分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率とから3秒〜2分がより好ましい。   The UV curable resin composition is applied and dried, and then irradiated with UV light from a light source. The irradiation time is preferably 0.5 seconds to 5 minutes, and 3 seconds to 2 from the curing efficiency and work efficiency of the UV curable resin. Minutes are more preferred.

こうして得た硬化皮膜層に、ブロッキングを防止するため、また対擦り傷性等を高めるために無機あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例えば、無機微粒子としては酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙げることができ、紫外線硬化性樹脂組成物に加えることが出来る。これらの微粒子粉末の平均粒径としては、0.005μm〜1μmが好ましく0.01〜0.1μmであることが特に好ましい。紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割合は、樹脂組成物100質量部に対して、0.1〜10質量部となるように配合することが望ましい。   It is preferable to add inorganic or organic fine particles to the cured film layer thus obtained in order to prevent blocking and to improve scratch resistance. Examples of the inorganic fine particles include silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, tin oxide, zinc oxide, calcium carbonate, barium sulfate, talc, kaolin, calcium sulfate, and the like, and examples of the organic fine particles include polymethacrylic acid. Methyl acrylate resin powder, acrylic styrene resin powder, polymethyl methacrylate resin powder, silicon resin powder, polystyrene resin powder, polycarbonate resin powder, benzoguanamine resin powder, melamine resin powder, polyolefin resin powder, polyester resin powder , Polyamide resin powder, polyimide resin powder, polyfluoroethylene resin powder, and the like, and can be added to the ultraviolet curable resin composition. The average particle diameter of these fine particle powders is preferably 0.005 μm to 1 μm, and particularly preferably 0.01 to 0.1 μm. The proportion of the ultraviolet curable resin composition and the fine particle powder is desirably blended so as to be 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin composition.

このようにして形成された紫外線硬化樹脂を硬化させた層は中心線表面粗さRaが1〜50nmのクリアハードコート層であっても、中心線表面粗さRaが0.1〜1μm程度の防眩層であってもよい。以上のようにして、基材の表面に紫外線硬化樹脂を硬化させた層が塗布され、さらに、その上面に図1、2を参照して説明したプラズマ放電処理装置10または30によりプラズマ処理を施すことで紫外線硬化樹脂層に凹凸及び空隙を形成し、防眩層を形成することができる。   Even if the layer formed by curing the ultraviolet curable resin thus formed is a clear hard coat layer having a center line surface roughness Ra of 1 to 50 nm, the center line surface roughness Ra is about 0.1 to 1 μm. It may be an antiglare layer. As described above, a layer obtained by curing an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the substrate, and further, plasma treatment is performed on the upper surface by the plasma discharge treatment apparatus 10 or 30 described with reference to FIGS. Thus, irregularities and voids can be formed in the ultraviolet curable resin layer to form an antiglare layer.

ここで、処理時間の短縮のため放電ガスとして窒素ガスを用いることが好ましく、この場合はプラズマ放電処理装置30によりプラズマ処理を施すことが好ましい。   Here, it is preferable to use nitrogen gas as the discharge gas in order to shorten the processing time. In this case, it is preferable to perform plasma processing by the plasma discharge processing apparatus 30.

また、大気圧プラズマ処理により凹凸が形成された薄膜(防眩層フィルム)の表面に、低屈折率層や高屈折率層等の屈折率が異なる光学干渉層を積層して防眩性低反射フィルムを形成してもよい。以下に、防眩性低反射フィルムの好ましい構成例i)〜v)を示す。なお、/は積層されていることを示す。
i)バックコート層/支持体/防眩層/高屈折率層/低屈折率層、ii)バックコート層/支持体/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、iii)バックコート層/支持体/防眩層/高屈折率層/低屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、iv)バックコート層/支持体/帯電防止層/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、v)帯電防止層/支持体/防眩層/中屈折率層/高屈折率層/低屈折率層、なお、汚れや指紋のふき取りが容易となるように、最表面の低屈折率層の上に防汚層を設けることが好ましい。
In addition, an optical interference layer such as a low refractive index layer or a high refractive index layer is laminated on the surface of a thin film (antiglare layer film) on which irregularities are formed by atmospheric pressure plasma treatment, thereby providing antiglare and low reflection. A film may be formed. Below, the preferable structural example i)-v) of an anti-glare low reflection film is shown. In addition, / indicates that they are stacked.
i) Backcoat layer / support / antiglare layer / high refractive index layer / low refractive index layer, ii) backcoat layer / support / antiglare layer / medium refractive index layer / high refractive index layer / low refractive index layer Iii) Backcoat layer / support / antiglare layer / high refractive index layer / low refractive index layer / high refractive index layer / low refractive index layer, iv) backcoat layer / support / antistatic layer / antiglare layer / Medium refractive index layer / High refractive index layer / Low refractive index layer, v) Antistatic layer / Support / Anti-glare layer / Medium refractive index layer / High refractive index layer / Low refractive index layer In order to facilitate wiping, an antifouling layer is preferably provided on the outermost low refractive index layer.

防汚層は、例えば、図1に示したプラズマ放電処理装置10を用いて、下記の処理条件で大気圧プラズマ処理により製膜することもできる。   For example, the antifouling layer can be formed by atmospheric pressure plasma treatment under the following treatment conditions using the plasma discharge treatment apparatus 10 shown in FIG.

電源周波数とメーカー:13.56MHz(パール工業製)
放電出力密度:4W/cm2
ガス条件:ガス1:アルゴン 99.8体積%、ガス2:6フッ化プロピレン 0.2体積%
また、構成例iv及びv)に示した帯電防止層は、例えば、図1に示したプラズマ放電処理装置10を用いて、下記の処理条件で大気圧プラズマ処理にて製膜することもできる。
Power frequency and manufacturer: 13.56 MHz (made by Pearl Industry)
Discharge output density: 4 W / cm 2
Gas conditions: Gas 1: Argon 99.8% by volume, Gas 2: Propylene hexafluoride 0.2% by volume
Moreover, the antistatic layer shown in the structural examples iv and v) can also be formed by atmospheric pressure plasma treatment under the following treatment conditions using, for example, the plasma discharge treatment apparatus 10 shown in FIG.

電源周波数とメーカー:13.56MHz(パール工業製)
放電出力密度:4W/cm2
ガス条件:ガス1:アルゴン 9.5体積%、ガス2:テトラブチル錫にアルゴンをバブリング、トリエチルインジウムにアルゴンをバブリング、これら2つのバブリングにより含まれるテトラブチル錫とトリエチ ルインジウムの蒸気を混合したもの 0.5体積%
光学干渉層の塗布による製膜方法は、以下の手順による。
Power frequency and manufacturer: 13.56 MHz (made by Pearl Industry)
Discharge output density: 4 W / cm 2
Gas conditions: Gas 1: Argon 9.5% by volume, Gas 2: Bubbling argon into tetrabutyltin, Bubbling argon into triethylindium, and a mixture of tetrabutyltin and triethylindium vapor contained by these two bubblings 0 .5% by volume
The film formation method by application of the optical interference layer is according to the following procedure.

中屈折率層の塗設:上述の防眩膜上に、下記中屈折率層組成物を塗布し、100℃で5分間乾燥させた後、高圧水銀ランプ(80W)を用いて紫外線を180mJ/cm2照射して硬化させ、中屈折率層(厚さは77nm、屈折率は1.70)を設ける。 Coating of medium refractive index layer: The following medium refractive index layer composition was applied on the above-described antiglare film, dried at 100 ° C. for 5 minutes, and then irradiated with ultraviolet light at 180 mJ / hr using a high pressure mercury lamp (80 W). A medium refractive index layer (thickness: 77 nm, refractive index: 1.70) is provided by curing with cm 2 irradiation.

中屈折率層組成物:テトラ(n)ブトキシチタン 250質量部、末端反応性ジメチルシリコーンオイル(日本ユニカー社製 L−9000) 0.5質量部、アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製 KBE903) 22質量部、UV硬化性エポキシ樹脂(旭電化社製 KR500) 21質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル 4850質量部、イソプロピルアルコール 4900質量部
高屈折率層の塗設:上記形成した中屈折率層の上に、下記高屈折率層組成物を塗布し、100℃で5分間乾燥させた後、高圧水銀ランプ(80W)を用いて紫外線を180mJ/cm2照射して硬化させ、高屈折率層(厚さは65nmで、屈折率は1.85)を設けた。
Middle refractive index layer composition: Tetra (n) butoxytitanium 250 parts by mass, terminal-reactive dimethyl silicone oil (N-Unicar L-9000) 0.5 parts by mass, aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical KBE903) 22 parts by mass, UV curable epoxy resin (KR500, manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.) 21 parts by mass, 4850 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether, 4900 parts by mass of isopropyl alcohol: Coating of high refractive index layer: above formed middle refractive index layer The following high-refractive index layer composition was applied, dried at 100 ° C. for 5 minutes, and then cured by irradiating with UV light at 180 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp (80 W). The thickness was 65 nm and the refractive index was 1.85).

高屈折率層組成物:テトラ(n)ブトキシチタン 310質量部、末端反応性ジメチルシリコーンオイル(日本ユニカー社製 L−9000) 0.4質量部、アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製 KBE903) 4.8質量部、UV硬化性エポキシ樹脂(旭電化社製 KR500) 4.6質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル 4800質量部、イソプロピルアルコール 4900質量部
低屈折率層の塗設:上記形成した高屈折率層の上に、下記低屈折率層組成物を塗布し、100℃で5分間乾燥させた後、120℃で5分間熱硬化させ、更に高圧水銀ランプ(80W)を用いて紫外線を180mJ/cm2照射し、低屈折率層(厚さは95nmで、屈折率1.45)を設けた。
High refractive index layer composition: 310 parts by mass of tetra (n) butoxytitanium, terminal-reactive dimethyl silicone oil (L-9000, manufactured by Nihon Unicar Company) 0.4 parts by mass, aminopropyltrimethoxysilane (KBE903, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 4.8 parts by mass, UV curable epoxy resin (KR500 manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.) 4.6 parts by mass, propylene glycol monomethyl ether 4800 parts by mass, isopropyl alcohol 4900 parts by mass Application of low refractive index layer: high refractive index formed above On the refractive index layer, the following low refractive index layer composition is applied, dried at 100 ° C. for 5 minutes, thermally cured at 120 ° C. for 5 minutes, and further irradiated with ultraviolet rays at 180 mJ / hour using a high-pressure mercury lamp (80 W). Irradiated with cm 2 , a low refractive index layer (thickness is 95 nm and refractive index is 1.45) was provided.

低屈折率層組成物:テトラエトキシシラン加水分解物(*1) 1020質量部、末端反応性ジメチルシリコーンオイル(日本ユニカー社製 L−9000) 0.42質量部、 プロピレングリコールモノメチルエーテル 2700質量部、イソプロピルアルコール 6300質量部、*1:テトラエトキシシラン加水分解物の調製テトラエトキシシラン300gとエタノール455gを混合し、これに0.5質量%クエン酸水溶液225gを添加した後、室温にて1時間攪拌することでテトラエトキシシラン加水分解物を調製した。   Low refractive index layer composition: tetraethoxysilane hydrolyzate (* 1) 1020 parts by mass, terminal reactive dimethyl silicone oil (L-9000, manufactured by Nippon Unicar Company) 0.42 parts by mass, propylene glycol monomethyl ether 2700 parts by mass, 6300 parts by mass of isopropyl alcohol, * 1: Preparation of tetraethoxysilane hydrolyzate 300 g of tetraethoxysilane and 455 g of ethanol were mixed, and 225 g of a 0.5% by mass citric acid aqueous solution was added thereto, followed by stirring at room temperature for 1 hour. Thus, a tetraethoxysilane hydrolyzate was prepared.

また、光学干渉層のプラズマ処理による製膜方法は、上述の防眩層の上に、図1に示したプラズマ放電処理装置10を用い、以下の手順による。   Moreover, the film formation method by the plasma processing of an optical interference layer uses the plasma discharge processing apparatus 10 shown in FIG. 1 on the above-mentioned anti-glare layer, and follows the following procedures.

高屈折率層:放電ガス:アルゴン、水素ガス(アルゴンに対し1%)、反応ガス:テトライソプロポキシチタン蒸気(100℃に加熱後、アルゴンガスにてバブリング)
放電密度:450W・min/m2、処理速度:30m/min
低屈折率層:放電ガス:アルゴン、水素ガス(アルゴンに対し1%)、反応ガス:テトラエトキシシラン蒸気(アルゴンガスにてバブリング)
放電密度:400W・min/m2、処理速度:30m/min
なお、基材面に対して薄膜を設ける場合、平均膜厚に対する膜厚偏差を±10%になるように設けることが好ましく、更に好ましくは±5%以内であり、特に好ましくは±1%以内になるように設けることが好ましい。
High refractive index layer: discharge gas: argon, hydrogen gas (1% with respect to argon), reaction gas: tetraisopropoxy titanium vapor (heated to 100 ° C. and bubbled with argon gas)
Discharge density: 450 W · min / m 2 , processing speed: 30 m / min
Low refractive index layer: discharge gas: argon, hydrogen gas (1% with respect to argon), reaction gas: tetraethoxysilane vapor (bubbled with argon gas)
Discharge density: 400 W · min / m 2 , processing speed: 30 m / min
In addition, when providing a thin film with respect to a base-material surface, it is preferable to provide so that the film thickness deviation with respect to an average film thickness may be +/- 10%, More preferably, it is less than +/- 5%, Especially preferably, it is less than +/- 1% It is preferable to provide so that.

また、基材表面の薄膜をプラズマ処理する前に、プラズマ処理面に紫外線を照射することが形成される皮膜の密着性に優れるため好ましい。紫外線照射光量としては50〜2000mJ/cm2であることが好ましい。50mJ/cm2未満では、効果が十分ではなく、2000mJ/cm2を越えると基材の変形等が生じる恐れがあり好ましくない。紫外線照射後、1時間以内にプラズマ処理することが好ましく、特に紫外線照射後10分以内にプラズマ処理することが好ましい。プラズマ処理前の紫外線の照射は、前述の紫外線硬化樹脂の硬化のための紫外線照射と同時に行ってもよく、その場合、硬化のために最低限必要な紫外線照射量よりも多くすることが好ましい。また、プラズマ処理を行った後に紫外線照射することも、形成された皮膜を早期に安定化させるために有効である。 In addition, it is preferable to irradiate the plasma-treated surface with ultraviolet rays before plasma-treating the thin film on the surface of the substrate because the adhesion of the formed film is excellent. The amount of ultraviolet irradiation is preferably 50 to 2000 mJ / cm 2 . If it is less than 50 mJ / cm 2 , the effect is not sufficient, and if it exceeds 2000 mJ / cm 2 , deformation of the substrate may occur, which is not preferable. It is preferable to perform plasma treatment within 1 hour after ultraviolet irradiation, and it is particularly preferable to perform plasma treatment within 10 minutes after ultraviolet irradiation. The ultraviolet irradiation before the plasma treatment may be performed simultaneously with the ultraviolet irradiation for curing the above-described ultraviolet curable resin, and in that case, it is preferable to increase the ultraviolet irradiation amount necessary for the curing. In addition, irradiation with ultraviolet light after performing plasma treatment is also effective in stabilizing the formed film at an early stage.

このため、紫外線照射光量として50〜2000mJ/cm2をプラズマ処理後にプラズマ処理面に照射することが好ましい。これらの処理はプラズマ処理の後、巻き取り工程までの間に行うことが好ましい。また、プラズマ処理後の基材は50〜130℃に調整された乾燥ゾーンにおいて1〜30分処理されることが好ましい。 For this reason, it is preferable to irradiate a plasma processing surface after plasma processing as 50-2000 mJ / cm < 2 > as ultraviolet irradiation light quantity. These treatments are preferably performed after the plasma treatment and before the winding process. Moreover, it is preferable that the base material after a plasma process is processed for 1 to 30 minutes in the drying zone adjusted to 50-130 degreeC.

反射防止膜を有する基材は、両面にプラズマ処理が施されていることが処理後のカールが少なくなるため好ましい。裏面のプラズマ処理は別々に行ってもよいが、両面同時にプラズマ処理を行うことが好ましく、低反射加工側の裏面側には、プラズマ処理による裏面加工を行うことが好ましい。例えば、特願2000−273066号記載の易接着加工、特願2000−80043号記載の帯電防止加工があげられるが、特にこれらに限定されない。   A base material having an antireflection film is preferably subjected to plasma treatment on both surfaces because curling after treatment is reduced. Although the plasma treatment on the back surface may be performed separately, it is preferable to perform the plasma treatment on both sides simultaneously, and it is preferable to perform the back surface processing by plasma processing on the back surface side on the low reflection processing side. Examples thereof include easy adhesion processing described in Japanese Patent Application No. 2000-273066 and antistatic processing described in Japanese Patent Application No. 2000-80043, but are not particularly limited thereto.

反射防止膜を有する基材は、屈折率が1.6〜2.3の酸化チタンを主成分とする高屈折率層、屈折率が1.3〜1.5の酸化ケイ素を主成分とする低屈折率層を長尺フィルム状の基材表面に連続して設けることが好ましい。これにより各層の間の密着性が良好となる。好ましくは基材フィルム上に紫外線硬化樹脂層を設けた後、直ちにプラズマ処理によって高屈折率層及び低屈折率層を設けることがより好ましい。   The base material having the antireflection film is mainly composed of a high refractive index layer mainly composed of titanium oxide having a refractive index of 1.6 to 2.3 and silicon oxide having a refractive index of 1.3 to 1.5. It is preferable to continuously provide the low refractive index layer on the surface of the long film substrate. Thereby, the adhesiveness between each layer becomes favorable. Preferably, it is more preferable to provide the high refractive index layer and the low refractive index layer by plasma treatment immediately after providing the ultraviolet curable resin layer on the base film.

また、前記高屈折率層が酸化チタンを主成分とし、屈折率が2.2以上であることが特に好ましい。   The high refractive index layer is particularly preferably composed mainly of titanium oxide and having a refractive index of 2.2 or more.

反射防止膜の高屈折率層及び低屈折率層の炭素含有率は、ともに0.2〜5質量%であることが下層との密着性と膜の柔軟性のために好ましい。より好ましくは炭素含有率は0.3〜3質量%である。すなわち、プラズマ処理によって形成された層は有機物(炭素原子)を含んでいるため、その範囲が膜に柔軟性を与えるため、膜の密着性に優れ好ましい。炭素の比率が多くなりすぎると経時で屈折率が変動しやすくなる傾向があり、好ましくない。   The carbon content of the high-refractive index layer and the low-refractive index layer of the antireflection film is preferably 0.2 to 5% by mass for the adhesion to the lower layer and the flexibility of the film. More preferably, the carbon content is 0.3 to 3% by mass. That is, since the layer formed by the plasma treatment contains an organic substance (carbon atom), the range gives flexibility to the film, which is excellent in film adhesion. If the carbon ratio is too high, the refractive index tends to fluctuate with time, which is not preferable.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

1.基材フィルム(セルロースエステルフィルム)の作製
以下に示す方法に従って、基材であるセルロースエステルフィルムを作製した。
1. Production of Substrate Film (Cellulose Ester Film) A cellulose ester film as a substrate was produced according to the following method.

(1)ドープCの調製
(酸化ケイ素分散液Aの調製)
アエロジル200V(日本アエロジル(株)製) 1kg
エタノール 9kg
上記素材をディゾルバで30分間撹拌混合した後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。
(1) Preparation of dope C (Preparation of silicon oxide dispersion A)
Aerosil 200V (Nippon Aerosil Co., Ltd.) 1kg
Ethanol 9kg
The above material was stirred and mixed with a dissolver for 30 minutes, and then dispersed using a Manton Gorin type high-pressure dispersion device.

(添加液Bの調製)
セルローストリアセテート(アセチル置換度:2.65) 6kg
メチレンクロライド 140kg
上記素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶解、濾過した。これに10kgの上記酸化ケイ素分散液Aを撹拌しながら加えて、さらに30分間撹拌した後、濾過し、添加液Bを調製した。
(Preparation of additive solution B)
Cellulose triacetate (acetyl substitution degree: 2.65) 6kg
Methylene chloride 140kg
The material was put into a sealed container, heated, and completely dissolved and filtered while stirring. To this, 10 kg of the above silicon oxide dispersion A was added with stirring, followed by further stirring for 30 minutes, followed by filtration to prepare additive liquid B.

(ドープ原液Cの調製)
メチレンクロライド 440kg
エタノール 35kg
トリアセチルセルロース(アセチル置換度:2.65) 100kg
トリフェニルフォスフェート 8kg
エチルフタリルエチルグリコレート 3kg
チヌビン326(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.4kg
チヌビン109(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.9kg
チヌビン171(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.9kg
溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙(株)製の安積濾紙No.244を使用して濾過し、ドープ原液Cを調製した。
(Preparation of dope stock solution C)
440 kg of methylene chloride
Ethanol 35kg
Triacetyl cellulose (acetyl substitution degree: 2.65) 100 kg
Triphenyl phosphate 8kg
Ethyl phthalyl ethyl glycolate 3kg
Tinuvin 326 (Ciba Specialty Chemicals) 0.4kg
Tinuvin 109 (Ciba Specialty Chemicals) 0.9kg
Tinuvin 171 (Ciba Specialty Chemicals) 0.9kg
The solvent was put into an airtight container, the raw material was added while stirring, and completely dissolved and mixed while heating and stirring. The dope was lowered to the temperature at which the dope was cast and allowed to stand overnight, and after defoaming operation, the solution was added to Azumi Filter Paper No. 1 manufactured by Azumi Filter Paper Co., Ltd. A dope stock solution C was prepared by filtration using 244.

更に溶液100kgあたり添加液Bを2kgの割合で添加し、インラインミキサー(東レ静止型管内混合機H−Mixer、SWJ)で十分混合し、濾過し、ドープCを調製した。   Further, 2 kg of the additive solution B was added per 100 kg of the solution, sufficiently mixed with an in-line mixer (Toray static type in-pipe mixer H-Mixer, SWJ), and filtered to prepare a dope C.

(2)ドープEの調製
(酸化ケイ素分散液Aの調製)
アエロジルR972V(日本アエロジル(株)製) 1kg
(一次粒子の平均径16nm)
エタノール 9kg
上記素材をディゾルバで30分間撹拌混合した後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。
(2) Preparation of dope E (Preparation of silicon oxide dispersion A)
Aerosil R972V (Nippon Aerosil Co., Ltd.) 1kg
(Average diameter of primary particles 16 nm)
Ethanol 9kg
The above material was stirred and mixed with a dissolver for 30 minutes, and then dispersed using a Manton Gorin type high-pressure dispersion device.

(添加液Dの調製)
セルロースアセテートプロピオネート(アセチル置換度:2.0、プロピオニル基置換度:0.8) 6kg
酢酸メチル 100kg
エタノール 40kg
上記の素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶解、濾過した。これに10kgの上記酸化ケイ素分散液Aを撹拌しながら加えて、さらに30分間撹拌した後、濾過し、添加液Dを調製した。
(Preparation of additive solution D)
Cellulose acetate propionate (acetyl substitution degree: 2.0, propionyl group substitution degree: 0.8) 6 kg
100 kg of methyl acetate
40 kg of ethanol
The above materials were put into a sealed container, heated, and completely dissolved and filtered while stirring. To this, 10 kg of the above silicon oxide dispersion A was added with stirring, and the mixture was further stirred for 30 minutes, followed by filtration to prepare additive solution D.

(ドープ原液Eの調製)
セルロースアセテートプロピオネート(アセチル置換度:2.0、プロピオニル基置換度:0.8) 100kg
酢酸メチル 290kg
エタノール 85kg
KE−604(荒川化学工業) 15kg
PUVA−30M(大塚化学(株)製) 5kg
溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙(株)製の安積濾紙No.244を使用して濾過し、ドープ原液Eを調製した。
(Preparation of dope stock solution E)
Cellulose acetate propionate (acetyl substitution degree: 2.0, propionyl group substitution degree: 0.8) 100 kg
290 kg of methyl acetate
Ethanol 85kg
KE-604 (Arakawa Chemical Industries) 15kg
PUVA-30M (Otsuka Chemical Co., Ltd.) 5kg
The solvent was put into an airtight container, the raw material was added while stirring, and completely dissolved and mixed while heating and stirring. The dope was lowered to the temperature at which the dope was cast and allowed to stand overnight, and after defoaming operation, the solution was added to Azumi Filter Paper No. 1 manufactured by Azumi Filter Paper Co., Ltd. A dope stock solution E was prepared by filtration using 244.

更に溶液100kgあたり添加液Dを2kgの割合で添加し、インラインミキサー(東レ静止型管内混合機Hi−Mixer、SWJ)で十分混合し、濾過し、ドープEを調製した。   Further, 2 kg of the additive solution D was added per 100 kg of the solution, sufficiently mixed with an in-line mixer (Toray static type in-pipe mixer Hi-Mixer, SWJ), and filtered to prepare Dope E.

(3)ドープGの調製
(酸化ケイ素分散液Fの調製)
アエロジル200V(日本アエロジル(株)製) 1kg
エタノール 9kg
上記素材をディゾルバで30分間撹拌混合した後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。
(3) Preparation of dope G (Preparation of silicon oxide dispersion F)
Aerosil 200V (Nippon Aerosil Co., Ltd.) 1kg
Ethanol 9kg
The above material was stirred and mixed with a dissolver for 30 minutes, and then dispersed using a Manton Gorin type high-pressure dispersion device.

(添加液Eの調製)
セルローストリアセテート(アセチル置換度:2.88) 6kg
メチレンクロライド 140kg
上記素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶解、濾過した。これに10kgの上記酸化ケイ素分散液Fを撹拌しながら加えて、さらに30分間撹拌した後、濾過し、添加液Eを調製した。
(Preparation of additive solution E)
Cellulose triacetate (acetyl substitution degree: 2.88) 6kg
Methylene chloride 140kg
The material was put into a sealed container, heated, and completely dissolved and filtered while stirring. To this, 10 kg of the above silicon oxide dispersion F was added with stirring, and the mixture was further stirred for 30 minutes, followed by filtration to prepare additive E.

(ドープ原液Gの調製)
メチレンクロライド 440kg
エタノール 35kg
トリアセチルセルロース(アセチル置換度:2.88) 100kg
トリフェニルフォスフェート 9kg
エチルフタリルエチルグリコレート 4kg
チヌビン326(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.4kg
チヌビン109(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.9kg
チヌビン171(チバスペシャルティケミカルズ社製) 0.9kg
溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙(株)製の安積濾紙No.244を使用して濾過し、ドープ原液Gを調製した。
(Preparation of dope stock solution G)
440 kg of methylene chloride
Ethanol 35kg
Triacetyl cellulose (acetyl substitution degree: 2.88) 100 kg
9 kg of triphenyl phosphate
Ethyl phthalyl ethyl glycolate 4kg
Tinuvin 326 (Ciba Specialty Chemicals) 0.4kg
Tinuvin 109 (Ciba Specialty Chemicals) 0.9kg
Tinuvin 171 (Ciba Specialty Chemicals) 0.9kg
The solvent was put into an airtight container, the raw material was added while stirring, and completely dissolved and mixed while heating and stirring. The dope was lowered to the temperature at which the dope was cast and allowed to stand overnight, and after defoaming operation, the solution was added to Azumi Filter Paper No. 1 manufactured by Azumi Filter Paper Co., Ltd. A dope stock solution G was prepared by filtration using 244.

更に溶液100kgあたり添加液Eを2kgの割合で添加し、インラインミキサー(東レ静止型管内混合機Hi−Mixer、SWJ)で十分混合し、濾過し、ドープGを調製した。尚、上記記載のドープC、E、Gの各々の調製に用いたセルロースエステルの置換度の測定は、ASTM−D817−96に規定の方法に準じて行った。   Further, 2 kg of the additive solution E was added per 100 kg of the solution, sufficiently mixed with an in-line mixer (Toray static type in-pipe mixer Hi-Mixer, SWJ), and filtered to prepare a dope G. In addition, the measurement of the substitution degree of the cellulose ester used for preparation of each of said dope C, E, and G was performed according to the method prescribed | regulated to ASTM-D817-96.

(4)セルロースエステルフィルムの作製
上記で調製したドープC、E及びGを用いて下記のようにしてセルロースエステルフィルムを作製した。
(4) Production of Cellulose Ester Film A cellulose ester film was produced as follows using the dopes C, E, and G prepared above.

ドープEを濾過した後、ベルト流延装置を用い、ドープ温度35℃で30℃のステンレスバンド支持体上に均一に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた後、ステンレスバンド支持体上からウェブを剥離した。このときのウェブの残留溶媒量は35%であった。   After the dope E was filtered, it was uniformly cast on a stainless steel band support having a dope temperature of 35 ° C. and a temperature of 30 ° C. using a belt casting apparatus. Then, after drying to the peelable range, the web was peeled from the stainless steel band support body. At this time, the residual solvent amount of the web was 35%.

ステンレスバンド支持体から剥離した後、幅方向に保持しながら115℃で乾燥させた後、幅保持を解放して、ロール搬送しながら120℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、フィルム両端に幅10mm、高さ5μmのナーリング加工を施して、膜厚80μmのセルロースエステルフィルムを作製した。フィルム幅は1300mm、巻き取り長は1500mとした。   After peeling from the stainless steel band support, drying at 115 ° C while holding in the width direction, releasing the width holding, finishing drying in a 120 ° C drying zone while carrying the roll, and having a width of 10 mm at both ends of the film Then, a knurling process having a height of 5 μm was applied to produce a cellulose ester film having a thickness of 80 μm. The film width was 1300 mm, and the winding length was 1500 m.

上記で得られたセルロースエステルフィルムについては、下記の方法で保留性を測定した。その結果、80℃、90%RHの条件下で48時間放置した前後の質量変化から求められた保留性は0.4%であった。   About the cellulose-ester film obtained above, the retentivity was measured with the following method. As a result, the retentivity determined from the mass change before and after being left for 48 hours at 80 ° C. and 90% RH was 0.4%.

(5)保留性の測定方法
試料を10cm×10cmのサイズに断裁し、23℃、55%RHの雰囲気下で24時間放置後の質量を測定して、80℃、90%RHの条件下で48時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、23℃、55%RHで1日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性(質量%)を計算した。
(5) Measuring method of retentivity A sample is cut into a size of 10 cm × 10 cm, and the mass after being left for 24 hours in an atmosphere of 23 ° C. and 55% RH is measured. Under the conditions of 80 ° C. and 90% RH Left for 48 hours. The surface of the sample after the treatment was lightly wiped, the mass after standing for 1 day at 23 ° C. and 55% RH was measured, and the retention (mass%) was calculated by the following method.

保留性={(放置前の質量−放置後の質量)/放置前の質量}×100
2.クリアハードコート層の生成
膜厚80μmのセルロースエステルフィルム上に、下記のクリアハードコート層塗布組成物をウェット膜厚で13μmとなるように押し出しコーターでコーティングし、次いで80℃に設定された乾燥部で乾燥した後、120mJ/cm2で紫外線照射し、乾燥膜厚で4μm、算術平均粗さ(Ra)15nmのクリアハードコート層を作製した。
Retention property = {(mass before being left−mass after being left) / mass before being left} × 100
2. Formation of clear hard coat layer The following clear hard coat layer coating composition was coated on a cellulose ester film having a film thickness of 80 μm with an extrusion coater so as to have a wet film thickness of 13 μm, and then a drying section set at 80 ° C. After drying, the sample was irradiated with ultraviolet rays at 120 mJ / cm 2 to prepare a clear hard coat layer having a dry film thickness of 4 μm and an arithmetic average roughness (Ra) of 15 nm.

(クリアハードコート層塗布組成物)
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 60質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート2量体 20質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート3量体以上の成分 20質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤 4質量部
酢酸エチル 50質量部
メチルエチルケトン 50質量部
イソプロピルアルコール 50質量部
3.防眩性フィルム1〜20の形成
作製したクリアハードコート層に対して、図1または2に示すプラズマ放電処理装置10または30を用い、下記に示すプラズマ処理条件下により大気圧プラズマ処理(エッチング表面加工)を施し、防眩性フィルムを作製した。
(Clear hard coat layer coating composition)
Dipentaerythritol hexaacrylate monomer 60 mass parts Dipentaerythritol hexaacrylate dimer 20 mass parts Dipentaerythritol hexaacrylate trimer or higher component 20 mass parts Dimethoxybenzophenone photoinitiator 4 mass parts Ethyl acetate 50 mass parts 2. 50 parts by mass of methyl ethyl ketone 50 parts by mass of isopropyl alcohol Formation of antiglare films 1 to 20 Using the plasma discharge treatment apparatus 10 or 30 shown in FIG. 1 or 2 for the prepared clear hard coat layer, atmospheric pressure plasma treatment (etching surface) under the following plasma treatment conditions Processing) to produce an antiglare film.

プラズマ処理条件
作製した防眩性フィルムの処理条件および評価結果を表1に示す。
Plasma Treatment Conditions Table 1 shows the treatment conditions and evaluation results of the produced antiglare film.

(ガス条件)
ガス1:表1の条件欄に示すガス・・・98.00体積%
ガス2:CF4・・・混合ガス全体に対して1.0体積%
ガス3:酸素・・・混合ガス全体に対して1.0体積%
(電極)
固定電極22(棒状電極)として、図4〜8に示した構成を備えるものを用いた。
(Gas condition)
Gas 1: Gas shown in the condition column of Table 1 ... 98.00 vol%
Gas 2: CF4... 1.0% by volume with respect to the entire mixed gas
Gas 3: Oxygen: 1.0% by volume with respect to the entire mixed gas
(electrode)
As the fixed electrode 22 (rod-shaped electrode), one having the configuration shown in FIGS.

表1において、電極1とは従来の凹凸のない電極を指し、電極2とは、図6(a)に示した構成を備える電極を指し、電極3とは、図8に示した構成を備える電極を指し、電極4とは、図6(c)に示した構成を備える電極を指し、電極5とは、図7に示した構成を備える電極を指す。   In Table 1, the electrode 1 indicates a conventional electrode without unevenness, the electrode 2 indicates an electrode having the configuration shown in FIG. 6A, and the electrode 3 has the configuration shown in FIG. The electrode 4 is an electrode having the configuration shown in FIG. 6C, and the electrode 5 is an electrode having the configuration shown in FIG.

また放電ガスとしてアルゴンガスを用いた場合、また窒素ガスを用いても従来の凹凸のない電極1を用いた場合を比較例とした。   Further, a case where argon gas was used as the discharge gas, and a case where the conventional electrode 1 without unevenness was used even when nitrogen gas was used were used as comparative examples.

Figure 2006299000
Figure 2006299000

4.防眩性フィルム1〜20の評価
5秒間のプラズマ処理を行なった後に防眩性の評価を行ない、再び5秒間のプラズマ処理を行なった後に防眩性の評価を行なった。これを繰り返し、プラズマ処理時間が最長40秒までの防眩性を評価し、結果を表1の結果欄に示した。
4). Evaluation of anti-glare films 1 to 20 Anti-glare property was evaluated after performing plasma treatment for 5 seconds, and anti-glare property was evaluated after performing plasma treatment for 5 seconds again. This was repeated, and the antiglare property was evaluated until the plasma treatment time was up to 40 seconds. The results are shown in the result column of Table 1.

(防眩性の評価方法)
作製した試料面に、ルーバーなしのむき出し蛍光灯(8000cd/m2)を映し、その蛍光灯反射像のボケの程度を、以下に示す基準に従い、目視観察にて防眩性ランクを評価した。
(Anti-glare evaluation method)
An exposed fluorescent lamp (8000 cd / m 2 ) without a louver was projected on the prepared sample surface, and the degree of blur of the reflected image of the fluorescent lamp was evaluated by visual observation according to the criteria shown below.

◎:蛍光灯像の輪郭がまったくわからない。   A: The outline of the fluorescent lamp image is not known at all.

○:蛍光灯像の輪郭が僅かに見える。   ○: The outline of the fluorescent lamp image is slightly visible.

△:蛍光灯像はボケてはいるが、輪郭が識別できる。   Δ: The fluorescent lamp image is blurred, but the outline can be identified.

×:蛍光灯像がほとんどボケない。   X: The fluorescent lamp image is hardly blurred.

本発明による防眩性フィルムは、優れた防眩性が短時間に得られることが確認された。   It was confirmed that the antiglare film according to the present invention has excellent antiglare properties in a short time.

5.防眩性フィルム21〜40の形成
膜厚80μmのセルロースエステルフィルム上に、図1及び2に示すプラズマ放電処理装置10及び30を用い、下記に示すプラズマ処理条件下により大気圧プラズマ処理を施すことで、セルロースエステルフィルム上に直接防眩層を製膜し、防眩性フィルムを作製した。
5. Formation of antiglare films 21 to 40 On a cellulose ester film having a film thickness of 80 μm, plasma discharge treatment apparatuses 10 and 30 shown in FIGS. 1 and 2 are used to perform atmospheric pressure plasma treatment under the following plasma treatment conditions. Thus, an antiglare layer was directly formed on the cellulose ester film to produce an antiglare film.

プラズマ処理条件
作製した防眩性フィルムの処理条件及び評価結果を表2に示す。
Plasma treatment conditions Table 2 shows the treatment conditions and evaluation results of the produced antiglare film.

(ガス条件)
ガス1:表2の条件欄に示すガス・・・98.75体積%
ガス2:酸素・・・混合ガス全体に対して1体積%
ガス3:テトラエトキシシラン蒸気・・・混合ガス全体に対して0.25体積%
上記ガス1〜3を均一に混合させ、混合ガス(反応ガス)とした。
(Gas condition)
Gas 1: Gas shown in the condition column of Table 2 ... 98.75% by volume
Gas 2: Oxygen: 1% by volume with respect to the entire mixed gas
Gas 3: Tetraethoxysilane vapor: 0.25% by volume with respect to the total gas mixture
The above gases 1 to 3 were mixed uniformly to obtain a mixed gas (reactive gas).

(電極)
固定電極22(棒状電極)として、図4〜8に示した構成を備えるものを用いた。
(electrode)
As the fixed electrode 22 (rod-shaped electrode), one having the configuration shown in FIGS.

また放電ガスとしてアルゴンガスを用いた場合、また窒素ガスを用いても従来の凹凸のない電極1を用いた場合を比較例とした。   Further, a case where argon gas was used as the discharge gas, and a case where the conventional electrode 1 without unevenness was used even when nitrogen gas was used were used as comparative examples.

Figure 2006299000
Figure 2006299000

6.防眩性フィルム21〜40の評価
5秒間のプラズマ処理を行なった後に防眩性の評価を行ない、再び5秒間のプラズマ処理を行なった後に防眩性の評価を行なった。これを繰り返し、プラズマ処理時間が最長40秒までの防眩性を評価し、結果を表2の結果欄に示した。
6). Evaluation of anti-glare films 21-40 Anti-glare property was evaluated after performing plasma treatment for 5 seconds, and anti-glare property was evaluated after performing plasma treatment for 5 seconds again. This was repeated, and antiglare properties were evaluated until the plasma treatment time was up to 40 seconds. The results are shown in the result column of Table 2.

本発明による防眩性フィルムは、優れた防眩性が短時間に得られることが確認された。   It was confirmed that the antiglare film according to the present invention has excellent antiglare properties in a short time.

プラズマ放電処理装置10の一例を示す概略図である。1 is a schematic view showing an example of a plasma discharge treatment apparatus 10. 他のプラズマ放電処理装置30の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the other plasma discharge processing apparatus. 上述の円筒型のロール電極21の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the above-mentioned cylindrical roll electrode. 角柱型の固定電極22の一例を示す概略図である。3 is a schematic view showing an example of a prismatic fixed electrode 22. FIG. 表面に凹凸を設けた電極の概念図である。It is a conceptual diagram of the electrode which provided the unevenness | corrugation in the surface. 表面に凹凸を設けた電極の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the electrode which provided unevenness on the surface. 誘電体のない表面に凹凸を設けた形態の電極の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the electrode of the form which provided unevenness in the surface without a dielectric. 表面が均一な平面の他の形態の電極の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the electrode of other forms of a plane with a uniform surface. 被処理物表面の凹凸及び空隙の概念図である。It is a conceptual diagram of the unevenness | corrugation and space | gap of a to-be-processed object surface.

符号の説明Explanation of symbols

10 プラズマ放電処理装置
21 ロール電極
21a 電極母材
21b 誘電体
22 固定電極
29 凹凸
40 ガス発生装置
50 第1の電源
60 第2の電源
211 対向面
212 被着面
301 対向領域
F 基材
G 混合ガス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Plasma discharge processing apparatus 21 Roll electrode 21a Electrode base material 21b Dielectric 22 Fixed electrode 29 Concavity and convexity 40 Gas generator 50 First power supply 60 Second power supply 211 Opposing surface 212 Adhering surface 301 Opposing region F Substrate G Mixed gas

Claims (21)

大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域において不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを前記電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする表面処理方法。 Under an atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, an electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in an opposing region of the opposing electrode, and a mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is generated by the electric field having the non-uniform intensity distribution. A surface treatment method comprising forming a non-uniform plasma state in a facing region and exposing the surface of the object to be processed to the mixed gas in the plasma state to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed. 対向する電極のうち少なくとも一方の電極の基材は、他の電極との対向面に不均一な凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。 The substrate of at least one of the opposing electrodes has uneven unevenness on the surface facing the other electrode, and the unevenness generates an electric field with uneven electric field strength distribution in the opposing region of the opposing electrode. The surface treatment method according to claim 1, wherein: 前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記誘電体は他の電極との対向面に凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。 At least one of the opposing electrodes has an electrode base material and a dielectric attached to the base material, and the dielectric has irregularities on the surface facing the other electrode, 2. The surface treatment method according to claim 1, wherein an electric field having a non-uniform electric field intensity distribution is generated in an opposing region of the opposing electrodes due to the unevenness. 前記被着された誘電体は他の電極との対向面に凹凸を有し、且つ前記誘電体と前記基材との被着面が凹凸を有し、2の凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。 The deposited dielectric has irregularities on the surface facing the other electrode, and the deposition surface of the dielectric and the substrate has irregularities, and the opposing region of the electrode facing by the two irregularities The surface treatment method according to claim 1, wherein an electric field having a non-uniform electric field strength distribution is generated. 前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記被着された誘電体は他の電極との対向面が均一な平面をなし、且つ前記誘電体と前記基材との被着面が凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な電界強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1に記載の記載の表面処理方法。 At least one of the opposing electrodes has an electrode base material and a dielectric material applied to the base material, and the applied dielectric material has a uniform surface facing the other electrodes. And the dielectric and the substrate have irregularities, and the irregularities generate an electric field having a non-uniform electric field intensity distribution in the opposing region of the opposing electrodes. The surface treatment method according to claim 1. 前記凹凸はJIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上の凹凸であることを特徴とする請求項1〜5に記載の表面処理方法。 The surface treatment method according to claim 1, wherein the irregularities are irregularities having a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 μm or more. 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを前記電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成し、
前記対向する電極のうち少なくとも一方の電極は、電極の基材と、該基材に被着された誘電体とを有し、前記被着された該誘電体と前記対向する電極とで形成される静電容量の、前記電極の対向領域において微少な静電容量分布を不均一にすることにより、前記電極間に発生させる放電強度分布を不均一にすることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
Under an atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, an electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode, and the mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is generated by the electric field having the non-uniform intensity distribution. In the opposite region, the plasma state is non-uniform, the surface of the object to be processed is exposed to the mixed gas in the plasma state to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed,
At least one of the opposing electrodes has a base material of the electrode and a dielectric attached to the base material, and is formed by the applied dielectric and the opposing electrode. 2. The discharge intensity distribution generated between the electrodes is made non-uniform by making the minute electrostatic capacity distribution non-uniform in the opposing region of the electrodes. Surface treatment method.
前記誘電体の厚さを不均一にすることで、前記微少な静電容量分布を不均一にすることを特徴とする請求項7に記載の表面処理方法。 The surface treatment method according to claim 7, wherein the minute capacitance distribution is made non-uniform by making the thickness of the dielectric non-uniform. 対向する電極の対向領域における、電極間の距離を不均一にすることで、前記電極間に不均一な強度分布の電界を発生させることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面処理方法。 The electric field having a non-uniform intensity distribution is generated between the electrodes by making the distance between the electrodes non-uniform in the opposing region of the opposing electrodes. The surface treatment method as described. 対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な強度分布の電界によりプラズマ状態となった混合ガスに前記被処理物を晒し、前記プラズマ状態となった混合ガスにより前記被処理物の表面をエッチングすることで、該被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の表面処理方法。 An electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode, and the object to be processed is exposed to a mixed gas that has been brought into a plasma state by the electric field having a non-uniform intensity distribution. The surface treatment method according to claim 1, wherein irregularities and voids are formed on the surface of the object to be processed by etching the surface of the object to be processed. 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、不均一な電界強度分布の電界により窒素ガスと反応性ガスの混合ガスを対向する電極の対向領域において不均一なプラズマ状態とし、前記プラズマ状態となった前記混合ガスに被処理物の表面を晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を有する薄膜を形成することを特徴とする表面処理方法。 Under an atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, an electric field having a non-uniform intensity distribution is generated in the opposing region of the opposing electrode, and the mixed gas of nitrogen gas and reactive gas is opposed by the electric field of the non-uniform electric field intensity distribution. A surface having a non-uniform plasma state in a region facing an electrode, and exposing the surface of the object to be processed to the mixed gas in the plasma state to form a thin film having irregularities and voids on the surface of the object to be processed Processing method. 対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させる電源は、少なくとも一方の電極に接続された所定の周波数の電圧を出力する少なくとも1の電源であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の表面処理方法。 2. The power source that generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in an opposing region of opposing electrodes is at least one power source that outputs a voltage of a predetermined frequency connected to at least one of the electrodes. The surface treatment method of any one of -11. 対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させる電源は、対向する電極にそれぞれ接続された異なる周波数の電圧を出力する2の電源であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の表面処理方法。 12. The power source that generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrodes is two power sources that output voltages of different frequencies respectively connected to the opposing electrodes. The surface treatment method according to any one of the above. 請求項1〜13のいずれか1項に記載の表面処理方法により形成された防眩層を有することを特徴とする防眩性フィルム。 It has an anti-glare layer formed by the surface treatment method of any one of Claims 1-13, The anti-glare film characterized by the above-mentioned. 請求項14記載の防眩性フィルムの上面に反射防止層を備えることを特徴とする防眩性低反射フィルム。 An anti-glare low-reflection film comprising an anti-reflection layer on the upper surface of the anti-glare film according to claim 14. 対向する少なくとも1対の電極と、前記電極の対向領域に窒素ガスと反応ガスの混合ガスを供給するガス供給手段と、前記電極の少なくとも一方に高周波電圧を印可する少なくとも1の電源とを有し、
前記電極の少なくとも一方の表面は凹凸を有し、該凹凸により対向する電極の対向領域に不均一な強度分布の電界を発生させ、対向する電極の対向領域において前記不均一な強度分布の電界により前記混合ガスのプラズマを発生させ、前記プラズマ状態の混合ガスを被処理物の表面に晒して被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とするプラズマ放電処理装置。
At least one pair of electrodes opposed to each other, a gas supply means for supplying a mixed gas of nitrogen gas and a reactive gas to an opposed region of the electrodes, and at least one power source for applying a high frequency voltage to at least one of the electrodes. ,
At least one surface of the electrode has unevenness, and the unevenness generates an electric field having a non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrode, and the electric field having the non-uniform intensity distribution in the opposing region of the opposing electrode. A plasma discharge treatment apparatus characterized by generating plasma of the mixed gas and exposing the mixed gas in the plasma state to the surface of the object to be processed to form irregularities and voids on the surface of the object to be processed.
前記電極表面の凹凸は、JIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上であることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ放電処理装置。 The plasma discharge processing apparatus according to claim 16, wherein the unevenness of the electrode surface has a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 µm or more. 対向する前記電極のうち少なくとも一方の電極の表面に誘電体を被着し、該誘電体の、少なくとも対向する電極との対向面が凹凸を有することを特徴とする請求項16または17に記載のプラズマ放電処理装置。 The dielectric material is deposited on the surface of at least one of the electrodes facing each other, and at least a surface of the dielectric facing the electrode facing each other has irregularities. Plasma discharge treatment equipment. 前記誘電体表面の凹凸はJIS−B−0601で規定される最大表面粗さが10μm以上であることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ放電処理装置。 19. The plasma discharge processing apparatus according to claim 18, wherein the unevenness of the dielectric surface has a maximum surface roughness defined by JIS-B-0601 of 10 [mu] m or more. 前記電源は、少なくとも一方の電極に接続された所定の周波数の電圧を出力する少なくとも1の電源であることを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載の表面処理方法。 The surface treatment method according to claim 16, wherein the power source is at least one power source that outputs a voltage having a predetermined frequency connected to at least one of the electrodes. 前記電源は、対向する電極にそれぞれ接続された異なる周波数の電圧を出力する電源であることを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載の表面処理方法。 20. The surface treatment method according to claim 16, wherein the power source is a power source that outputs voltages having different frequencies respectively connected to opposing electrodes.
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