JP2006294915A - Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体用接着剤フィルムと該接着剤フィルムを備えた半導体チップ搭載用基板およびこれを用いた半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor adhesive film, a semiconductor chip mounting substrate provided with the adhesive film, and a semiconductor device using the same.
従来、半導体素子と半導体素子搭載用基板（支持部材）の接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。 Conventionally, a silver paste has been mainly used for joining a semiconductor element and a semiconductor element mounting substrate (support member). However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine. In response to these requirements, silver paste meets the above requirements due to occurrence of defects during wire bonding due to protrusion and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer, and generation of voids in the adhesive layer. It has become impossible to deal with.
そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、ウエハ裏面貼付け方式あるいは個片貼付け方式において使用されている。前者のウエハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウエハの裏面にフィルム状接着剤を貼付けさらにフィルム状接着剤の他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後上記ウエハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化したフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合（ダイボンド）し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。近年においては、フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合わせたダイボンドダイシングシートも開発されている。 For this reason, film adhesives have been used in recent years to meet the above requirements. This film-like adhesive is used in a wafer back surface attaching method or an individual piece attaching method. When manufacturing a semiconductor device using the film adhesive of the former wafer back surface application method, first a film adhesive is applied to the back surface of the semiconductor wafer, and then a dicing tape is attached to the other surface of the film adhesive, and then the above The semiconductor element is separated from the wafer by dicing, and the separated semiconductor element with a film adhesive is picked up and bonded to a support member (die bond), and then subjected to processes such as heating, curing, and wire bonding. Thus, a semiconductor device is obtained. In recent years, a die bond dicing sheet in which a film adhesive and a dicing tape are bonded together has also been developed.
後者の個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、リールのフィルム状接着剤をカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し、半導体素子を接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。 When manufacturing a semiconductor device using the film adhesive of the latter individual sticking method, the film adhesive of the reel is cut into individual pieces by cutting or punching, and then the individual pieces are bonded to a support member to form a semiconductor element. These are bonded (die-bonded) to produce a support member with a semiconductor element, and then a semiconductor device is obtained through a wire bonding step, a sealing step, and the like as necessary.
フィルム状接着剤をパンチングによって個片に切り出す場合、目的とするサイズよりも大きなフィルム状接着剤が必要となり、歩留まりが非常に落ちる。また、金型を用いてパンチングするため、必要とする形状が変化するたびに金型が必要となるため、コストが非常にかかっていた。
一方、カッティングする方法の場合、予め必要とする幅に接着剤フィルムをスリットし、リール状にしたのち、所定の長さに刃物によってカットするため、歩留まりが非常によく、専用の金型も必要ではないというメリットがある。
When the film adhesive is cut into individual pieces by punching, a film adhesive larger than the target size is required, and the yield is greatly reduced. In addition, since punching is performed using a mold, the mold is required every time the required shape changes, which is very expensive.
On the other hand, in the case of the cutting method, the adhesive film is slit to the required width in advance, and after making it into a reel shape, it is cut with a blade to a predetermined length, so the yield is very good and a dedicated die is also required There is a merit that it is not.
通常、フィルム状接着剤は剥離基材上に接着剤層を設けているものが多く、剥離基材はキャリアフィルムとしての役割もしている。フィルム状接着剤はカッティング方式で用いられる場合、パッケージの小型化などにより非常に細幅のものがあり、細幅へスリットする場合や、所定のサイズにカットする際に剥離基材が剥がれてしまうことがあった。個片としたフィルムを支持部材に接着する前に剥離基材が剥がれてしまうと、接着位置がずれてしまうなどの不具合が起きてしまうことがあった。また、個片としたフィルムを支持部材に接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離するが、そのときに剥離できないという不具合を発生してしまうことがあった。 Usually, many film adhesives are provided with an adhesive layer on a release substrate, and the release substrate also serves as a carrier film. When a film adhesive is used in a cutting method, it has a very narrow width due to downsizing of the package, etc., and when peeling to a narrow width or cutting to a predetermined size, the peeling substrate will be peeled off There was a thing. If the release substrate is peeled off before the individual film is bonded to the support member, there may be a problem that the bonding position is shifted. Moreover, after bonding the film made into a piece to a supporting member, the peeling base material is peeled off with an adhesive tape or the like.
本発明は上記した従来技術の問題に鑑み、細幅フィルム状接着剤の剥離基材とフィルム状接着剤との剥離強度を設定し、細幅リール状接着剤フィルムの作製時および個片としたフィルムを支持部材に接着する前に剥離基材が剥がれず、個片としたフィルムを支持部材に接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離ができる半導体用接着フィルム、及びそれを用いた半導体チップ搭載用基板と半導体装置を提供することを目的とする。 In view of the problems of the prior art described above, the present invention sets the peel strength between the release substrate of the narrow film adhesive and the film adhesive, and is used when producing the narrow reel adhesive film and as an individual piece. An adhesive film for a semiconductor that can be peeled off with an adhesive tape or the like after the film is bonded to the supporting member after the film is bonded to the supporting member, and the film is not peeled off before the film is bonded to the supporting member, and the same An object is to provide a semiconductor chip mounting substrate and a semiconductor device.
本発明は、［１］ 剥離基材上に接着剤層を備えた、幅が０．５ｍｍ〜４ｍｍである半導体用接着剤フィルムに関する。
また、本発明は、［２］ 剥離基材と接着剤層の剥離力が１５〜５０Ｎ／ｍである上記［１］に記載の半導体用接着フィルムに関する。
また、本発明は、［３］ 剥離基材が、プラスチックフィルムである上記［１］または上記［２］に記載の半導体用接着フィルムに関する。
また、本発明は、［４］ 剥離基材のプラスチックフィルムが、ポリエステル系フィルムまたはポリオレフィン系フィルムである上記［３］に記載の半導体用接着フィルムに関する。
また、本発明は、［５］ 接着剤層と接する剥離基材面が離型処理されていることを特徴とする上記［１］ないし上記［４］のいずれかに記載の半導体用接着フィルムに関する。
また、本発明は、［６］ 接着剤層が、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系、ポリイミド系、ポリアミド系、ポリアミドイミド系よりなる群より選ばれる少なくとも１種類以上の樹脂系からなることを特徴とする上記［１］ないし上記［５］のいずれかに記載の半導体用接着フィルムに関する。
また、本発明は、［７］ 上記［１］ないし上記［６］のいずれかに記載の半導体用接着剤フィルムを接着してなる半導体チップ搭載用基板に関する。
また、本発明は、［８］ 上記［１］ないし上記［７］のいずれかに記載の半導体用接着剤フィルムを用いて製造された半導体装置に関する。
The present invention relates to [1] an adhesive film for a semiconductor having an adhesive layer on a release substrate and having a width of 0.5 mm to 4 mm.
Moreover, this invention relates to the adhesive film for semiconductors as described in said [1] whose peeling force of a peeling base material and an adhesive bond layer is 15-50 N / m.
Moreover, this invention relates to the adhesive film for semiconductors as described in said [1] or said [2] whose peeling base material is a plastic film.
Moreover, this invention relates to the adhesive film for semiconductors as described in said [3] whose plastic film of a [4] peeling base material is a polyester-type film or a polyolefin-type film.
The present invention also relates to [5] the adhesive film for a semiconductor according to any one of [1] to [4] above, wherein the release substrate surface in contact with the adhesive layer is subjected to a release treatment. .
In the present invention, [6] the adhesive layer is composed of at least one resin system selected from the group consisting of an epoxy system, an acrylic system, a silicone system, a polyimide system, a polyamide system, and a polyamideimide system. The semiconductor adhesive film according to any one of [1] to [5].
The present invention also relates to [7] a semiconductor chip mounting substrate formed by bonding the semiconductor adhesive film described in any one of [1] to [6] above.
[8] The present invention also relates to a semiconductor device manufactured using the semiconductor adhesive film according to any one of [1] to [7].
本発明の半導体用接着フィルムにより、細幅リール状接着剤フィルムの作製時および個片としたフィルムを半導体チップ搭載用基板（支持部材）に接着する前に剥離基材が剥がれず、個片としたフィルムを支持部材に接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離ができるようになり、作業性が大幅に向上する。また、この半導体用接着フィルムを用いることにより、その効果を有する半導体チップ搭載用基板と半導体装置を提供することができる。 With the adhesive film for semiconductor of the present invention, the peeling base material is not peeled off when the thin reel adhesive film is produced and before the individual film is bonded to the semiconductor chip mounting substrate (support member). After bonding the film to the support member, the release substrate can be peeled off with an adhesive tape or the like, and workability is greatly improved. Further, by using this adhesive film for a semiconductor, it is possible to provide a semiconductor chip mounting substrate and a semiconductor device having the effect.
本発明の半導体用接着剤フィルムは、剥離基材上に接着剤層を備えている接着剤フィルムであり、接着剤フィルムの幅としては０．５ｍｍ〜４ｍｍである。
上記のフィルム幅にするためには、４ｍｍ以上の接着剤フィルムを所定の幅に刃を用いてスリットをすることによって得ることが出来る。
剥離基材と接着剤層の剥離力（密着力）は、１５〜５０Ｎ／ｍであり、好ましくは２０〜４５Ｎ／ｍであり、さらに好ましくは２５〜４０Ｎ／ｍである。１５Ｎ／ｍ未満では、接着剤フィルムを細幅にスリットを行う際、細幅リール品を所定の長さにカットする際、または、基板もしくは半導体素子上に接着する際などに剥離基材と接着剤層間で剥離しやすくなる。また、５０Ｎ／ｍを超えて大きくなると、基板もしくは半導体素子上に接着フィルムの接着層を接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離するが、その際に剥がれないという不具合、剥離する際に接着剤層を変形させてしまうなどの不具合を生じやすくなる。
ここでの剥離力は９０°ピール強度で表され、測定速度は５０ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度は２５℃前後である。測定サンプルは幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍで、剥離基材を固定し接着剤層を９０°に引き上げて測定を行った。
The adhesive film for semiconductors of the present invention is an adhesive film having an adhesive layer on a release substrate, and the width of the adhesive film is 0.5 mm to 4 mm.
In order to obtain the above film width, an adhesive film of 4 mm or more can be obtained by slitting with a blade to a predetermined width.
The peeling force (adhesion force) between the peeling substrate and the adhesive layer is 15 to 50 N / m, preferably 20 to 45 N / m, and more preferably 25 to 40 N / m. If it is less than 15 N / m, it adheres to the peeling substrate when slitting the adhesive film into a narrow width, when cutting a narrow reel product into a predetermined length, or when bonding on a substrate or a semiconductor element. It becomes easy to peel between the agent layers. Also, if it exceeds 50 N / m, after bonding the adhesive layer of the adhesive film on the substrate or semiconductor element, the release substrate is peeled off with an adhesive tape, etc. Inconveniences such as deforming the adhesive layer easily occur.
The peeling force here is represented by 90 ° peel strength, the measurement speed is 50 mm / min, and the measurement temperature is around 25 ° C. The measurement sample had a width of 10 mm and a length of 80 mm, and was measured by fixing the release substrate and pulling up the adhesive layer to 90 °.
本発明の半導体用接着剤フィルムに用いる剥離基材の材質としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等より選択することができる。この中では、ポリエステル系フィルムまたはポリオレフィン系フィルムが好適である。
剥離基材の弾性率は、２５℃において１０００ＭＰａ以上が好ましい。剥離基材は接着フィルムを使用する際、キャリアフィルムとしての役割をするため、１０００ＭＰａ未満であるとキャリア時のテンションによりフィルムが伸びてしまう等の不具合が出る可能性がある。
ここでの２５℃の弾性率は引張弾性率であり、ＪＩＳ Ｋ７１１３号に準じて測定されたものである。
剥離基材の厚みは３〜１００μｍであり、好ましくは５〜７５μｍであり、より好ましくは１０〜５０μｍである。剥離基材の厚みが１００μｍを超えるとフィルムの剛性が強くなり、リール状にした場合に巻きが大きくなりすぎたり、巻きづらくなるなど不具合を生じやすくなる。また、３μｍを下回ると剥離基材自体の強度が低下して取り扱いが困難となる等の問題が出てくる。
剥離基材は接着剤層との剥離力を制御する為に、表面処理を施すことができる。このような表面処理としては、離型処理、カップリング剤処理、エッチング処理等の化学処理とエッチング、蒸着、スパッタリング等の物理的表面処理がある。
これらのうち、離型剤を塗布する離型処理が最も一般的であり、シリコーン系、脂肪酸エステル系、リン酸エステル系、アルコール系、フッ素系などの離型剤を使用することができる。
剥離基材に離型処理を施す場合は、接着剤層と接する面のみに施すことが好ましい。接着剤層に接しない面に離型処理を施すと、基板もしくは半導体素子上に接着フィルムの接着剤層を接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離するが、剥離基材と粘着テープ間の密着力の低下に繋がり、剥離基材が剥がれなくなる等の不良の原因となる。
The material of the release substrate used for the semiconductor adhesive film of the present invention is a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polyolefin such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, or a polyvinyl acetate film. It can be selected from plastic films, such as plastic films, polyvinyl chloride films, and polyimide films. Among these, a polyester film or a polyolefin film is suitable.
The elastic modulus of the release substrate is preferably 1000 MPa or more at 25 ° C. Since the release substrate serves as a carrier film when an adhesive film is used, if it is less than 1000 MPa, there is a possibility that the film may be stretched due to tension during carrier.
The elastic modulus at 25 ° C. here is a tensile elastic modulus, which is measured according to JIS K7113.
The thickness of a peeling base material is 3-100 micrometers, Preferably it is 5-75 micrometers, More preferably, it is 10-50 micrometers. When the thickness of the peeling substrate exceeds 100 μm, the rigidity of the film becomes strong, and when it is formed into a reel, problems such as excessive winding or difficulty in winding occur. On the other hand, when the thickness is less than 3 μm, there arises a problem that the strength of the peeling substrate itself is lowered and the handling becomes difficult.
The release substrate can be subjected to a surface treatment in order to control the peel force with the adhesive layer. Such surface treatment includes chemical treatment such as mold release treatment, coupling agent treatment and etching treatment, and physical surface treatment such as etching, vapor deposition and sputtering.
Among these, a mold release treatment in which a mold release agent is applied is the most general, and silicone, fatty acid ester, phosphate ester, alcohol, fluorine, and other mold release agents can be used.
When the release substrate is subjected to a release treatment, it is preferably applied only to the surface in contact with the adhesive layer. When a release treatment is applied to the surface not in contact with the adhesive layer, the adhesive layer of the adhesive film is adhered onto the substrate or semiconductor element, and then the release substrate is peeled off with an adhesive tape or the like. This leads to a decrease in the adhesive force between them and causes a failure such as the peeling substrate not being peeled off.
上記接着剤層としては、熱により硬化する、いわゆる熱硬化型の接着剤層が好ましく、具体的には、耐熱性と熱硬化後の接着力の点で、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを少なくとも含有してなるものが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に問題はないが、（ａ）Ｔｇが１０〜１００℃でかつ重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は、（ｂ）Ｔｇ（ガラス転移温度）が−５０℃〜１０℃で重量平均分子量が１０００００〜１００００００ことが好ましい。
（ａ）の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などが挙げられ、なかでもポリイミド樹脂の使用が好ましい。
As the adhesive layer, a so-called thermosetting adhesive layer that is cured by heat is preferable. Specifically, in terms of heat resistance and adhesive strength after thermosetting, a thermoplastic resin and a thermosetting resin are used. What contains at least is preferable.
As the thermoplastic resin, there is no particular problem as long as it is a resin having thermoplasticity, or at least a resin that has thermoplasticity in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating, but (a) Tg is 10 to 100 ° C. And a weight average molecular weight of 5,000 to 200,000, or (b) Tg (glass transition temperature) of −50 ° C. to 10 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 1,000,000 are preferable.
Examples of the thermoplastic resin (a) include polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, and polyphenylene sulfide resin. Examples include ether ketone resins, and the use of polyimide resins is particularly preferable.
（ｂ）の熱可塑性樹脂としては官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基などが挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能基モノマーを含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。
上記官能性モノマーを含む重合体としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、そのうちでもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス（株）製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３等が挙げられる。
As the thermoplastic resin of (b), it is preferable to use a polymer containing a functional monomer. The functional group of the functional monomer of this polymer is glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanate. Examples thereof include a nurate group, an amino group, and an amide group. Among them, a glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional group monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable, and is more preferably incompatible with a thermosetting resin such as an epoxy resin. .
Examples of the polymer containing the functional monomer include a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. Of these, those incompatible with the epoxy resin are preferred. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer include HTR-860P-3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation.
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有反復単位の量は、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。グリシジル基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。
As the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.
The amount of the epoxy resin-containing repeating unit such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferably 0.5 to 6.0% by weight, more preferably 0.5 to 5.0% by weight, and 0.8 to 5.0% by weight. % Is particularly preferred. When the amount of the glycidyl group-containing repeating unit is within this range, the adhesive force can be secured and gelation can be prevented.
Examples of the functional monomer other than glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and these may be used alone or in combination of two or more. In the present invention, ethyl (meth) acrylate refers to both ethyl acrylate and ethyl methacrylate. The mixing ratio in the case of using a combination of functional monomers is determined in consideration of Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, and Tg is preferably −10 ° C. or higher. This is because when the Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer in the B-stage state is appropriate, and there is no problem in handling properties.
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。
官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上が好ましく、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、フィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００重量部に対して、１０〜４００重量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性も充分に得られる。高分子量成分の使用量は、１５〜３５０重量部がより好ましく、２０〜３００重量部が特に好ましい。
When the above monomer is polymerized to produce a high molecular weight component having a functional monomer-containing weight average molecular weight of 100,000 or more, the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include methods such as pearl polymerization and solution polymerization. Can be used.
The weight average molecular weight of the high molecular weight component containing the functional monomer is preferably 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the strength, flexibility, and tackiness when film-like are appropriate, and the circuit fillability of wiring can be ensured because the flow property is appropriate. In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.
Moreover, the usage-amount of the high molecular weight component whose weight average molecular weight containing a functional monomer is 100,000 or more is preferable 10-400 weight part with respect to 100 weight part of thermopolymerizable components. When it is in this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handleability at high temperatures can be sufficiently obtained. The amount of the high molecular weight component used is more preferably 15 to 350 parts by weight, and particularly preferably 20 to 300 parts by weight.
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、ダイボンドダイシングシートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。 The thermopolymerizable component is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, functional groups such as glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide group, etc. A compound having a group can be used, and these can be used singly or in combination of two or more, but in consideration of heat resistance as a die bond dicing sheet, it is cured by heat and has a bonding effect. It is preferable to use a functional resin. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin, and in particular, heat resistance, workability, and reliability. It is most preferable to use an epoxy resin in that a die-bonded dicing sheet excellent in the above can be obtained. When using an epoxy resin as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent together.
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。エポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin, and the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied. Epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。 When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups per molecule such as S, phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin. Phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin are particularly preferable in terms of excellent electric corrosion resistance during moisture absorption. These epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more.
さらに硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００重量部に対して５重量部以下が好ましく、３重量部以下がより好ましい。添加量が５重量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
また、接着剤層の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えばエポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、フィラーを添加することによって、増加させることができる。
Further, a curing accelerator can be added. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or in combination of two or more.
The addition amount of the curing accelerator is preferably 5 parts by weight or less, and more preferably 3 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the total amount of the thermally polymerizable components. When the addition amount exceeds 5 parts by weight, the storage stability tends to decrease.
In addition, as a method for increasing the storage elastic modulus of the adhesive layer, for example, increasing the amount of epoxy resin used, using an epoxy resin with a high glycidyl group concentration or a phenol resin with a high hydroxyl group concentration, etc. Can be increased by increasing the viscosity or adding a filler.
本発明で用いる接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、熱重合性成分の総量１００重量部に対して、４０重量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、熱重合性成分層のＴｇを確保できる。
In the adhesive layer used in the present invention, a high molecular weight resin having compatibility with the thermopolymerizable component can be added for the purpose of improving flexibility and reflow crack resistance. Such a high molecular weight resin is not particularly limited, and examples thereof include a phenoxy resin, a high molecular weight thermopolymerizable component, and an ultrahigh molecular weight thermopolymerizable component. These can be used alone or in combination of two or more.
The amount of the high molecular weight resin compatible with the thermally polymerizable component is preferably 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the total amount of the thermally polymerizable component. Within this range, the Tg of the thermally polymerizable component layer can be secured.
また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
無機フィラーの使用量は、接着剤層の総量１００重量部に対して１〜２０重量部が好ましい。１重量部未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０重量部を超えると、接着剤層の接着性の低下や接着性の低下によってボイド残存し電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
Moreover, an inorganic filler can also be added to the adhesive layer for the purpose of improving its handleability, improving thermal conductivity, adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties. The inorganic filler is not particularly limited. For example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, Examples thereof include boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, and the like, and the shape of the filler is not particularly limited. These fillers can be used alone or in combination of two or more.
Among these, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable for improving thermal conductivity. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica, amorphous silica and the like are preferable.
As for the usage-amount of an inorganic filler, 1-20 weight part is preferable with respect to 100 weight part of total amounts of an adhesive bond layer. If the amount is less than 1 part by weight, the effect of addition tends not to be obtained. If the amount exceeds 20 parts by weight, voids remain due to a decrease in the adhesiveness or adhesiveness of the adhesive layer, causing problems such as a decrease in electrical characteristics. There is.
また、接着剤層には異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましく、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、熱重合性成分の総量１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部とするのが好ましい。
Also, various coupling agents can be added to the adhesive layer in order to improve the interfacial bond between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based. Among them, a silane-based coupling agent is preferable because of its high effect, and these can be used alone or in combination of two or more.
It is preferable that the usage-amount of a coupling agent shall be 0.01-10 weight part with respect to 100 weight part of total amounts of a thermopolymerizable component from the surface of the effect, heat resistance, and cost.
また接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、熱重合性成分の総量１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましい。
Further, an ion scavenger can be further added to the adhesive layer in order to adsorb ionic impurities and improve the insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited, for example, triazine thiol compound, bisphenol-based reducing agent, etc., a compound known as a copper damage preventing agent for preventing copper ionization and dissolution, zirconium-based And inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds.
The amount of the ion scavenger used is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of the thermopolymerizable component from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, cost and the like.
本発明の半導体用接着剤フィルムは、接着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、剥離基材上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
ワニス化するための溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、たとえば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
The adhesive film for a semiconductor of the present invention can be obtained by dissolving or dispersing the composition forming the adhesive layer in a solvent to form a varnish, applying the composition on a release substrate, heating the composition, and removing the solvent.
Although it does not specifically limit as a solvent for varnishing, In consideration of the volatility at the time of film preparation, for example, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methyl isobutyl ketone, toluene and xylene. In addition, for the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
For the production of the varnish when the inorganic filler is added, it is preferable to use a raking machine, a three-roll, a ball mill, a bead mill or the like in consideration of the dispersibility of the inorganic filler, or a combination thereof. You can also. Moreover, after mixing an inorganic filler and a low molecular weight raw material beforehand, the mixing time can also be shortened by mix | blending a high molecular weight raw material. Further, after the varnish is formed, the bubbles in the varnish can be removed by vacuum degassing or the like.
剥離基材へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。接着剤層は上記の方法で塗布されたワニスを加熱し溶剤を除去する方法によって得るこうとができる。 As a method for applying the varnish to the release substrate, a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. . The adhesive layer can be obtained by heating the varnish applied by the above method and removing the solvent.
接着剤層は５〜２５０μｍが好ましい。５μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。
剥離基材と接着剤層の密着力は、１５〜５０Ｎ／ｍであるが、この範囲から外れた場合、接着剤層の剥離基材へ接する面のタック性を変える、もしくは剥離基材の表面状態を変えることによって、所望の密着力を得ることができる。
剥離基材と接着剤層の密着力が１５Ｎ／ｍ未満の場合、接着剤層のタック性を強くする、もしくは剥離基材の離型剤の種類の変更、離型剤中のシリコーン量等の剥離に依存する成分量を減らす、もしくは離型剤の濃度を低下させることにより密着力を上げることができる。
また、剥離基材と接着剤層の密着力が５０Ｎ／ｍ以上の場合、接着剤層のタック性を低くする、もしくは剥離基材の離型剤の種類の変更、離型剤中のシリコーン量等の剥離に依存する成分量を増やす、もしくは離型剤の濃度を上げることにより密着力を下げることができる。
接着剤層のタック性を強くするもしくは低くする方法としては、接着剤組成中の高分子量成分のＴｇの調整や液状成分の比率を調整する方法が特に有効である。
The adhesive layer is preferably 5 to 250 μm. If the thickness is less than 5 μm, the stress relaxation effect tends to be poor. If the thickness is more than 250 μm, it is not economical and the demand for miniaturization of the semiconductor device cannot be met.
The adhesion between the release substrate and the adhesive layer is 15 to 50 N / m, but if it is out of this range, the tackiness of the surface of the adhesive layer contacting the release substrate is changed, or the surface of the release substrate By changing the state, a desired adhesion can be obtained.
When the adhesion between the release substrate and the adhesive layer is less than 15 N / m, the tackiness of the adhesive layer is strengthened, or the type of release agent of the release substrate is changed, the amount of silicone in the release agent, etc. Adhesion can be increased by reducing the amount of the component that depends on peeling or reducing the concentration of the release agent.
Moreover, when the adhesive force between the release substrate and the adhesive layer is 50 N / m or more, the tackiness of the adhesive layer is lowered, or the type of the release agent of the release substrate is changed, the amount of silicone in the release agent The adhesion force can be lowered by increasing the amount of the component depending on the peeling or the like or increasing the concentration of the release agent.
As a method for increasing or decreasing the tackiness of the adhesive layer, a method for adjusting the Tg of the high molecular weight component or the ratio of the liquid component in the adhesive composition is particularly effective.
以下本発明を実施例より具体的に説明する。本発明は、これらに限定されるものではない。
（実施例１）
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製商品名、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２２０）１５重量部、ＹＤ−８１２５（東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００）４６重量部、硬化剤としてＬＦ−２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製商品名、フェノールノボラック樹脂）３９重量部にシクロヘキサノンを加え、攪拌混合したワニスに、カップリング剤としてＮＵＣ Ａ−１８９（日本ユニカ−株式会社製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．８重量部、ＮＣＵ Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．８重量部及びＨＴＲ−８６０−３ＤＲ（ナガセケムテックス株式会社製商品名、エポキシ基含有アクリル系共重合体）を１５０重量部、硬化促進剤としてキュアゾ−ル２ＰＺ−ＣＮ（四国化成株式会社製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）を０．８重量部加えて攪拌混合し、接着剤の組成物ワニスを得た。このワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ６３５）上に塗布し、１２０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. The present invention is not limited to these.
Example 1
15 parts by weight of YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent 220, epoxy equivalent 220) as an epoxy resin, YD-8125 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent) 200) 46 parts by weight, LF-2882 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., phenol novolac resin) as a curing agent, cyclohexanone was added to 39 parts by weight, and the mixture was stirred and mixed with NUC A-189 as a coupling agent. (Nippon Unicar Co., Ltd. trade name, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 0.8 parts by weight, NCU A-1160 (Nippon Unicar Corporation trade name, γ-ureidopropyltriethoxysilane) 0.8 Parts by weight and HTR-860-3DR (Nagase ChemteX Corporation) Product name, epoxy group-containing acrylic copolymer) 150 parts by weight, and cure accelerator 2PZ-CN (trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. as 0.8. Part by weight was added and mixed by stirring to obtain an adhesive composition varnish. This varnish was applied on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film Co., Ltd., Teijin Purex: A635) having a thickness of 50 μm, and heat-dried at 120 ° C. for 5 minutes to provide a release substrate film A film-like adhesive layer in a B-stage state having a thickness of 50 μm was obtained.
（実施例２）
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製商品名、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２２０）６０重量部、硬化剤としてＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製商品名、フェノ−ルキシレングリコ−ルジメチルエ−テル縮合物）４０重量部にシクロヘキサノン及び、Ｒ９７２Ｖ（日本アエロジル株式会社製商品名、シリカフィラー）１０体積％、カップリング剤としてＮＵＣ Ａ−１８９（日本ユニカ−株式会社製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）１重量部、ＮＣＵ Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）１重量部及び、ＨＴＲ−８６０−３ＤＲ（ナガセケムテックス株式会社製商品名、エポキシ基含有アクリル系共重合体）を２５０重量部、硬化促進剤としてキュアゾ−ル２ＰＺ−ＣＮ（四国化成株式会社製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）を０．５重量部加えて攪拌混合し、接着剤の組成物ワニスを得た。このワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ５２，Ａ５３混合系）上に塗布し、１５０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Example 2)
60 parts by weight of YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent 220, epoxy equivalent 220) as an epoxy resin, XLC-LL (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol xylene glyco) as a curing agent -Rudimethyl ether condensate) 40 parts by weight of cyclohexanone and R972V (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica filler) 10% by volume, NUC A-189 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) as a coupling agent -1 part by weight of glycidoxypropyltrimethoxysilane), 1 part by weight of NCU A-1160 (trade name, γ-ureidopropyltriethoxysilane, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) and HTR-860-3DR (Nagase ChemteX Corporation) Product name, epoxy group-containing acrylic copolymer) 25 0.5 parts by weight of cuazol 2PZ-CN (trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) as a curing accelerator is added and mixed with stirring to obtain a composition varnish for the adhesive. Obtained. This varnish was coated on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films, Teijin Purex: A52, A53 mixed system) having a thickness of 50 μm, which was heat-dried at 150 ° C. for 5 minutes. A film-like adhesive layer in a B stage state having a film thickness of 50 μm provided with the material film was obtained.
（実施例３）
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製商品名、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２２０）１０重量部、ＹＤＦ−８１７０Ｃ（東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０）３０重量部、硬化剤としてＬＦ−２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製商品名、フェノールノボラック樹脂）２７重量部、シクロヘキサノンを加え、カップリング剤としてＮＵＣ Ａ−１８９（日本ユニカ−株式会社製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．２５重量部、ＮＣＵ Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．５重量部、ＨＴＲ−８６０−３ＤＲ（ナガセケムテックス株式会社製商品名、エポキシ基含有アクリル系共重合体）を２８重量部、硬化促進剤としてキュアゾ−ル２ＰＺ−ＣＮ（四国化成株式会社製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）を０．１重量部、シリカフィラーＳＯ−Ｃ２（アドマファイン株式会社製商品名、比重２．２ｇ／ｃｍ３）９５重量部を加えて攪拌混合し、接着剤の組成物ワニスを得た。このワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ６３５）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Example 3)
10 parts by weight of YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent 220, epoxy equivalent) as an epoxy resin, YDF-8170C (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent) 160) 30 parts by weight, LF-2882 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., phenol novolac resin) as a curing agent, cyclohexanone and NUC A-189 (Nippon Unicar Co., Ltd.) as a coupling agent Product name, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 0.25 parts by weight, NCU A-1160 (Nippon Unicar Co., Ltd. product name, γ-ureidopropyltriethoxysilane) 0.5 parts by weight, HTR-860 -3DR (trade name, Epoxy, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 28 parts by weight of a group-containing acrylic copolymer), 0.1 part by weight of cuazol 2PZ-CN (trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) as a curing accelerator, silica filler 95 parts by weight of SO-C2 (trade name, specific gravity 2.2 g / cm 3 , manufactured by Admafine Co., Ltd.) was added and mixed by stirring to obtain an adhesive composition varnish. This varnish was applied on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Purex: A635) having a thickness of 50 μm, and heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes to provide a release substrate film A film-like adhesive layer in a B-stage state having a thickness of 50 μm was obtained.
（比較例１）
実施例１と同様に作製した接着剤の組成物ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ５２）上に塗布し、１２０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Comparative Example 1)
The adhesive composition varnish produced in the same manner as in Example 1 was applied onto a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Purex: A52) having a thickness of 50 μm and subjected to release treatment. The film-like adhesive layer of the B stage state whose film thickness provided with the peeling base film was 50 micrometers was obtained by heat-drying for minutes.
（比較例２）
実施例２と同様に作製した接着剤の組成物ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ５２）上に塗布し、１５０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Comparative Example 2)
The adhesive composition varnish produced in the same manner as in Example 2 was applied onto a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film Co., Ltd., Teijin Purex: A52) having a thickness of 50 μm and subjected to release treatment. The film-like adhesive layer of the B stage state whose film thickness provided with the peeling base film was 50 micrometers was obtained by heat-drying for minutes.
（比較例３）
実施例１と同様に作製した接着剤の組成物ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ７１）上に塗布し、１２０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Comparative Example 3)
The adhesive composition varnish produced in the same manner as in Example 1 was applied onto a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film Co., Ltd., Teijin Purex: A71) having a thickness of 50 μm and treated at 120 ° C. The film-like adhesive layer of the B stage state whose film thickness provided with the peeling base film was 50 micrometers was obtained by heat-drying for minutes.
（比較例４）
実施例２と同様に作製した接着剤の組成物ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックス：Ａ７１）上に塗布し、１５０℃で５分間加熱乾燥して、剥離基材フィルムを備えた膜厚が５０μｍのＢステージ状態のフィルム状接着剤層を得た。
(Comparative Example 4)
The adhesive composition varnish produced in the same manner as in Example 2 was applied onto a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film Co., Ltd., Teijin Purex: A71) having a thickness of 50 μm and treated at 150 ° C. The film-like adhesive layer of the B stage state whose film thickness provided with the peeling base film was 50 micrometers was obtained by heat-drying for minutes.
（評価項目）
（１）剥離基材と接着剤層との剥離力
フィルム状接着剤を２０ｍｍ×８０ｍｍに切り出し、剥離基材側を固定し、接着剤層を島津製作所製 オートグラフＡＧＳ−Ｇにて測定速度５０ｍｍ／分、測定温度２５℃で９０°に引き上げたときの強度を剥離基材と接着剤層との剥離力とした。
（２）スリット時の剥離性
フィルム状接着剤４０ｍｍ幅×１０ｍをゴトーキコー株式会社製 スリッターを用い、シアーカットにて幅２ｍｍにスリットした時の剥離基材と接着剤層の剥離を観察した。
剥離基材と接着剤層間に剥がれがない場合をＯＫ、剥離基材と接着剤層間が剥離した場合をＮＧとした。測定数を１０個とし測定数を分母に、また、その内のＮＧ数を分子で、分数の形式で示した。
（３）カット時の剥離性
カットアンドラミネート装置を用い、フィルムを３ｍｍの長さにカットしたときの、剥離基材と接着剤層間の剥離を観察した。
剥離基材と接着剤層間に剥がれがない場合をＯＫ、剥離基材と接着剤層間が剥離した場合をＮＧとした。測定数を２０個とし測定数を分母に、また、その内のＮＧ数を分子で、分数の形式で示した。
（４）粘着テープによる剥離性
フィルム状接着剤 ２ｍｍ×３ｍｍを接着剤層側を下にして固定し、１０ｍｍ×５０ｍｍの日東電工株式会社製 粘着テープ Ｎｏ．３３６ を剥離基材側にローラーにて貼付け、粘着テープを５０ｍｍ／分で９０°に引き上げた時の剥離基材と接着剤層間の剥離性を観察した。
剥離基材が完全に剥がれた時をＯＫ、剥がれないもしくは接着剤の変形が見られた場合をＮＧとした。測定数を２０個とし測定数を分母に、また、その内のＮＧ数を分子で、分数の形式で示した。
これらの例より得られた評価結果を表１に示した。
表１から、本発明からなる半導体用接着剤フィルムは、細幅へスリット時、および所定の長さにカットするときには、剥離基材と接着剤層での剥離がなく、粘着テープで剥離する場合には剥離することが出来ることが確認された。
(Evaluation item)
(1) Peeling force between the peeling substrate and the adhesive layer The film adhesive was cut into 20 mm x 80 mm, the peeling substrate side was fixed, and the adhesive layer was measured by Autograph AGS-G manufactured by Shimadzu Corporation. / Min, the strength when pulled up to 90 ° at a measurement temperature of 25 ° C. was defined as the peel strength between the release substrate and the adhesive layer.
(2) Peeling property at the time of slitting Using a slitter made of Goto Kiko Co., Ltd., 40 mm wide × 10 m film-like adhesive, peeling of the peeling base material and the adhesive layer when slitting to a width of 2 mm was observed.
The case where there was no peeling between the peeling substrate and the adhesive layer was OK, and the case where the peeling substrate and the adhesive layer were peeled was judged as NG. The number of measurements is 10 and the number of measurements is shown in the denominator, and the number of NG in the number is shown in the numerator in the form of fraction.
(3) Peelability at the time of cutting Using a cut-and-laminate device, peeling between the peeling substrate and the adhesive layer was observed when the film was cut to a length of 3 mm.
The case where there was no peeling between the peeling substrate and the adhesive layer was OK, and the case where the peeling substrate and the adhesive layer were peeled was judged as NG. The number of measurements was 20, and the number of measurements was shown in the denominator, and the number of NG in the number was shown in the numerator in the form of fraction.
(4) Peelability by adhesive tape Film adhesive 2mm x 3mm is fixed with the adhesive layer side down, and adhesive tape made by Nitto Denko Corporation with a thickness of 10mm x 50mm. 336 was attached to the peeling substrate side with a roller, and the peelability between the peeling substrate and the adhesive layer when the adhesive tape was pulled up to 90 ° at 50 mm / min was observed.
The case where the peeling substrate was completely peeled off was judged as OK, and the case where the peeling substrate was not peeled off or the adhesive was deformed was judged as NG. The number of measurements was 20, and the number of measurements was shown in the denominator, and the number of NG in the number was shown in the numerator in the form of fraction.
The evaluation results obtained from these examples are shown in Table 1.
From Table 1, when the adhesive film for semiconductors according to the present invention is slit to a narrow width and cut to a predetermined length, there is no peeling between the peeling substrate and the adhesive layer, and peeling with an adhesive tape. It was confirmed that it can be peeled off.
幅が０．５ｍｍ〜４ｍｍで接着剤層の剥離力が１５〜５０Ｎ／ｍである本発明の実施例１〜３は、スリット時の剥離がなく、また、フィルムカット時の剥離がなく良好である。さらに、粘着テープによる剥離に際しては、容易に剥離することができる。これに対して、比較例１、２では、剥離力が５０Ｎ／ｍを超えており、粘着テープによる剥離が困難である。また、剥離力が１５Ｎ／ｍ未満の比較例３、４は、スリット時やカット時に剥離を生じてしまい好ましくない。
Examples 1 to 3 of the present invention having a width of 0.5 mm to 4 mm and a peel strength of the adhesive layer of 15 to 50 N / m are good with no peeling at the time of slitting and no peeling at the time of film cutting. is there. Furthermore, when peeling with an adhesive tape, it can peel easily. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the peeling force exceeds 50 N / m, and peeling with an adhesive tape is difficult. Further, Comparative Examples 3 and 4 having a peeling force of less than 15 N / m are not preferable because peeling occurs at the time of slitting or cutting.
Claims (8)
A semiconductor device manufactured using the adhesive film for a semiconductor according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=37415151
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2006294915A (en) |
Cited By (1)
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-
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- 2005-04-12 JP JP2005114557A patent/JP2006294915A/en active Pending
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