JP2006267800A - Photosensitive polyimide resin composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子用保護絶縁膜、液晶素子用配向膜、多層プリント基板用絶縁膜等として有用な感光性ポリイミド樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photosensitive polyimide resin composition useful as a protective insulating film for semiconductor elements, an alignment film for liquid crystal elements, an insulating film for multilayer printed boards, and the like.
ポリイミド樹脂は耐熱性、機械的特性に優れ、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として広く利用されている。ポリイミド樹脂をこれらの用途に利用する場合、上下の導体層の導通部や外部リード線との接続のため、スルーホール等の形成工程が必要であり、この工程は一般にはフォトレジストを用いるエッチングプロセスによって行われている。しかし、工程にはフォトレジストの塗布や剥離が含まれ、工程が煩雑となる。そこで工程の簡略化を図るため、感光性を兼ね備えたポリイミド樹脂組成物の検討がなされてきた。 Polyimide resins are excellent in heat resistance and mechanical properties, and are widely used as surface protective films and interlayer insulating films for semiconductor elements. When using polyimide resin for these applications, a process for forming through holes is required to connect the conductive parts of the upper and lower conductor layers and external lead wires. This process is generally an etching process using photoresist. Has been done by. However, the process includes application and peeling of a photoresist, and the process becomes complicated. Therefore, in order to simplify the process, a polyimide resin composition having photosensitivity has been studied.
開発された感光性ポリイミド樹脂組成物は、当初は、有機溶媒を現像液とし、露光部を不溶化するネガ型が主流であった。しかし、最近では設備の高効率化や環境面から有機溶媒を用いず、アルカリ水溶液で現像可能なポジ型の感光性ポリイミド樹脂組成物の開発が進んでいる。 Initially, the developed photosensitive polyimide resin composition was mainly of a negative type using an organic solvent as a developer and insolubilizing an exposed portion. However, in recent years, positive photosensitive polyimide resin compositions that can be developed with an aqueous alkaline solution without using an organic solvent have been developed from the viewpoint of improving the efficiency of the equipment and the environment.
ポジ型の感光性ポリイミド樹脂組成物としては、芳香族系カルボン酸二無水物と芳香族系ジアミンとからなるポリイミド前駆体と、ジアゾナフトキノン系化合物とからなるものが提案されている（特許文献１）。しかし、該組成物は、未露光部の一部が現像液により溶解してしまい、溶解度のコントラストが十分なものではなく、精度が不十分であった。 As a positive photosensitive polyimide resin composition, a composition comprising a polyimide precursor composed of an aromatic carboxylic dianhydride and an aromatic diamine and a diazonaphthoquinone compound has been proposed (Patent Document 1). ). However, in the composition, a part of the unexposed part was dissolved by the developer, and the contrast of the solubility was not sufficient, and the accuracy was insufficient.
これを解決するものとして、ヒドロキシル基等を芳香環に導入したポリイミド前駆体とオルトキノンジアジドとからなる感光性ポリイミド樹脂組成物が提案されている（特許文献２）。しかし、該樹脂組成物は、硬化後の塗膜中に親水性のヒドロキシル基が残存するため、電気的特性や耐アルカリ性に問題があった。 As a solution to this problem, there has been proposed a photosensitive polyimide resin composition comprising a polyimide precursor in which a hydroxyl group or the like is introduced into an aromatic ring and orthoquinonediazide (Patent Document 2). However, the resin composition has a problem in electrical characteristics and alkali resistance because hydrophilic hydroxyl groups remain in the cured coating film.
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、高感度で高コントラストのパターンを得られるとともに、硬化後の塗膜の電気的特性などに優れた感光性ポリイミド樹脂組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides a photosensitive polyimide resin composition that can obtain a high-sensitivity and high-contrast pattern and is excellent in electrical characteristics of a cured coating film. Objective.
上記課題を解決する本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、カルボン酸二無水物およびジアミンから形成されるポリイミド前駆体と、ジアゾナフトキノン系化合物とを含有してなる感光性ポリイミド樹脂組成物において、前記カルボン酸二無水物として、一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物を用いてなることを特徴とするものである。
Ｒ7は同一または異なり、１から１３個の炭素原子を有するアルキル基、１から１３個の炭素原子を有するアルケニル基、１から１３個の炭素原子を有するアルキニル基、および１から１３個の炭素原子を有するアリール基よりなる群から選択され、これらの置換基は環式、非環式、直鎖および／または分枝鎖の基を含んでもよく、少なくとも１個の水素は官能基で交換されていてもよい。
ｎは１から２０００の整数である。
Ｚは、酸素原子、硫黄原子および一般式（２）から選択される。］
R 7 may be the same or different, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkynyl group having 1 to 13 carbon atoms, and 1 to 13 carbons Selected from the group consisting of aryl groups having atoms, these substituents may include cyclic, acyclic, straight chain and / or branched groups, at least one hydrogen being exchanged with a functional group It may be.
n is an integer of 1 to 2000.
Z is selected from an oxygen atom, a sulfur atom and the general formula (2). ]
好ましくは、前記カルボン酸二無水物として、さらに一般式（３）で示されるカルボン酸二無水物を用いてなることを特徴とするものである。
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、ポリイミド前駆体を形成するカルボン酸二無水物として特定のカルボン酸二無水物を用いてなることから、高感度で高コントラストのパターンを得ることができるとともに、硬化後の塗膜の電気的特性も優れたものとすることができる。 Since the photosensitive polyimide resin composition of the present invention uses a specific carboxylic dianhydride as the carboxylic dianhydride forming the polyimide precursor, it is possible to obtain a highly sensitive and high contrast pattern. The electrical properties of the cured coating film can also be made excellent.
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、カルボン酸二無水物およびジアミンから形成されるポリイミド前駆体と、ジアゾナフトキノン系化合物とを含有してなる感光性ポリイミド樹脂組成物において、前記カルボン酸二無水物として、一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物を用いてなることを特徴とするものである。
Ｒ7は同一または異なり１から１３個の炭素原子を有するアルキル基、１から１３個の炭素原子を有するアルケニル基、１から１３個の炭素原子を有するアルキニル基、および１から１３個の炭素原子を有するアリール基よりなる群から選択され、これらの置換基は環式、非環式、直鎖および／または分枝鎖の基を含んでもよく、少なくとも１個の水素は官能基で交換されていてもよい。
ｎは１から２０００の整数である。
Ｚは、酸素原子、硫黄原子および一般式（２）から選択される。］
R 7 is the same or different, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkynyl group having 1 to 13 carbon atoms, and 1 to 13 carbon atoms Selected from the group consisting of aryl groups having the following: these substituents may include cyclic, acyclic, straight chain and / or branched groups, wherein at least one hydrogen is exchanged with a functional group May be.
n is an integer of 1 to 2000.
Z is selected from an oxygen atom, a sulfur atom, and general formula (2). ]
以下、各構成要素の実施の形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of each component will be described.
ポリイミド前駆体を形成するカルボン酸二無水物としては、一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物を用いることができる。一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物は、脂環式炭化水素を骨格とし、かつケイ素を有する特殊な構造からなっていることから、後述するジアミンとから形成されるポリイミド前駆体（ポリアミック酸）をアルカリ現像液に溶解させづらくすることができる。したがって、ポリイミド前駆体にジアゾナフトキノン系化合物を加えて感光性ポリイミド樹脂組成物とした際も、ジアゾナフトキノン系化合物の溶解阻害効果に加え、ポリイミド前駆体自体がアルカリ現像液に溶解しづらくなっていることから、感光性ポリイミド樹脂組成物の未露光部がアルカリ現像液に溶解するのを効果的に抑制することができ、溶解度のコントラストを良好なものとすることができる。また、一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物は、透明性に優れており露光時間を短くすることができるとともに、半導体素子基板として用いるシリコンウエハとの接着性も良好なものとすることができる。さらに、骨格中にヒドロキシル基などの親水基を有さないことから、硬化後の途膜の電気的特性に問題を生じることもないものである。これら一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物の中でも、溶解度のコントラストに特に優れる一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物が好適に使用される。 As carboxylic dianhydride which forms a polyimide precursor, the carboxylic dianhydride shown by General formula (1) can be used. Since the carboxylic dianhydride represented by the general formula (1) has a alicyclic hydrocarbon as a skeleton and a special structure having silicon, a polyimide precursor formed from a diamine described later ( Polyamic acid) can be difficult to dissolve in an alkaline developer. Therefore, when a diazonaphthoquinone compound is added to the polyimide precursor to form a photosensitive polyimide resin composition, in addition to the dissolution inhibiting effect of the diazonaphthoquinone compound, the polyimide precursor itself is difficult to dissolve in the alkali developer. For this reason, it is possible to effectively suppress dissolution of the unexposed portion of the photosensitive polyimide resin composition in the alkali developer, and to improve the solubility contrast. Further, the carboxylic dianhydride represented by the general formula (1) is excellent in transparency, can shorten the exposure time, and has good adhesion to a silicon wafer used as a semiconductor element substrate. be able to. Furthermore, since there is no hydrophilic group such as a hydroxyl group in the skeleton, there is no problem in the electrical properties of the film after curing. Among these carboxylic dianhydrides represented by the general formula (1), the carboxylic dianhydrides represented by the general formula (5), which are particularly excellent in solubility contrast, are preferably used.
一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物は、特表昭５９−５０１２０８号公報に記載された方法に従い製造することができる。 The carboxylic dianhydride represented by the general formula (1) can be produced according to the method described in JP-A-59-501208.
また、カルボン酸二無水物としては、感光性ポリイミド樹脂組成物の被膜性を向上させるため、一般式（１）のカルボン酸二無水物に加え、さらに芳香族系のカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。芳香族系カルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物や一般式（３）で示されるものなどがあげられる。これらの中でも、アルカリ現像液に対する溶解性付与、被膜性向上の観点から、一般式（３）で示されるカルボン酸二無水物が好適に使用される。 In addition to the carboxylic acid dianhydride of the general formula (1), an aromatic carboxylic acid dianhydride is used as the carboxylic acid dianhydride in order to improve the film property of the photosensitive polyimide resin composition. It is preferable. Examples of the aromatic carboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride and those represented by the general formula (3). Among these, carboxylic dianhydrides represented by the general formula (3) are preferably used from the viewpoints of imparting solubility to an alkali developer and improving the film property.
一般式（１）のカルボン酸二無水物と芳香族系カルボン酸二無水物とを混合して使用する場合、一般式（１）のカルボン酸二無水物：芳香族系カルボン酸二無水物を、モル比で３：７から９：１の範囲で配合することが好ましく、４：６から８：２の範囲で配合することがより好ましい。一般式（１）のカルボン酸二無水物９に対し、芳香族系カルボン酸二無水物を１以上とすることにより、被膜性が低下しクラックなどが生じやすくなることを防止することができる。また、一般式（１）のカルボン酸二無水物３に対し、芳香族系カルボン酸二無水物を７以下とすることにより、ポリイミド前駆体のアルカリ現像液への溶解性が高くなりすぎることを防止し、感光性ポリイミド樹脂組成物とした際に、未露光部がアルカリ現像液により溶解することを防止し、溶解度のコントラストを良好なものとすることができる。 When the carboxylic dianhydride of the general formula (1) and the aromatic carboxylic dianhydride are mixed and used, the carboxylic dianhydride of the general formula (1): aromatic carboxylic dianhydride is used. The molar ratio is preferably in the range of 3: 7 to 9: 1, and more preferably in the range of 4: 6 to 8: 2. By setting the aromatic carboxylic dianhydride to 1 or more with respect to the carboxylic dianhydride 9 of the general formula (1), it is possible to prevent the film property from being lowered and cracks and the like from being easily generated. Further, by setting the aromatic carboxylic dianhydride to 7 or less with respect to the carboxylic dianhydride 3 of the general formula (1), the solubility of the polyimide precursor in the alkaline developer becomes too high. When the photosensitive polyimide resin composition is prevented, it is possible to prevent the unexposed portion from being dissolved by the alkali developer and to improve the solubility contrast.
カルボン酸二無水物と反応してポリイミド前駆体を形成するジアミンとしては、脂肪族系ジアミン、脂環式系ジアミン、芳香族系ジアミンなどの各種ジアミンを使用することができる。これらジアミンの中でも、被膜性を良好にすることができる一般式（６）、（８）、（９）で示されるジアミンが好適に使用される。 As diamine which reacts with carboxylic dianhydride to form a polyimide precursor, various diamines such as aliphatic diamine, alicyclic diamine, and aromatic diamine can be used. Among these diamines, diamines represented by general formulas (6), (8), and (9) that can improve the film property are preferably used.
カルボン酸二無水物とジアミンとは、両者が等モルとなるように混合することが好ましい。 Carboxylic dianhydride and diamine are preferably mixed so that both are equimolar.
上述したカルボン酸二無水物とジアミンとを、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの適当な溶媒に溶解させ、不活性ガス下で３０℃以下の温度で重合させることにより、本発明で用いるポリイミド前駆体（ポリアミック酸）を得ることができる。重合の際は必要に応じて触媒を加えてもよい。 The polyimide precursor used in the present invention is prepared by dissolving the above carboxylic dianhydride and diamine in a suitable solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and polymerizing it at a temperature of 30 ° C. or less under an inert gas. A body (polyamic acid) can be obtained. In the polymerization, a catalyst may be added as necessary.
ポリイミド前駆体の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、１０００〜２０００００が好ましく、１００００〜１０００００がより好ましい。ポリイミド前駆体の重量平均分子量が低すぎると、一般に、感光性樹脂組成物の被膜性が低下して問題となることがある。ポリイミド前駆体の重量平均分子量が高すぎると、一般に、感光性樹脂組成物として露光を受けた部分の現像液に対する溶解速度が低下し、解像度が低下して問題となることがある。 Although the weight average molecular weight of a polyimide precursor is not specifically limited, 1000-200000 are preferable and 10000-100000 are more preferable. If the weight average molecular weight of the polyimide precursor is too low, generally the film property of the photosensitive resin composition may be lowered, which may be a problem. If the weight average molecular weight of the polyimide precursor is too high, the dissolution rate of the exposed portion of the photosensitive resin composition in the developing solution generally decreases, which may cause a problem in that the resolution decreases.
ジアゾナフトキノン系化合物は、露光前はアルカリ現像液に対する溶解阻害効果を有し、露光後は窒素を放出してインデンカルボン酸となり、アルカリ現像液に対する溶解阻害効果を消失するものである。ジアゾナフトキノン系化合物としては、例えばナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルがあげられる。 The diazonaphthoquinone compound has an inhibitory effect on dissolution with an alkali developer before exposure, and after exposure, nitrogen is released to form indenecarboxylic acid, and the dissolution inhibitory effect on the alkali developer is lost. Examples of the diazonaphthoquinone compound include naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester and naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester.
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物を構成するポリイミド前駆体は、それ単独ではアルカリ現像液に対して溶解するものであるが、これと上記のような性質を有するジアゾナフトキノン系化合物とを混合してなる本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、ジアゾナフトキノン系化合物の溶解阻害効果により、露光前はアルカリ現像液に溶解することを防止できるようになる。そして、本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、ポリイミド前駆体を形成するカルボン酸二無水物として特定のカルボン酸二無水物を用いていることから、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性をさらに抑えることができ、溶解度のコントラストを良好なものとすることができる。 The polyimide precursor constituting the photosensitive polyimide resin composition of the present invention alone is soluble in an alkaline developer, but this is mixed with a diazonaphthoquinone compound having the above properties. The photosensitive polyimide resin composition of the present invention can be prevented from dissolving in an alkaline developer before exposure due to the dissolution inhibiting effect of the diazonaphthoquinone compound. And since the photosensitive polyimide resin composition of this invention uses specific carboxylic dianhydride as carboxylic dianhydride which forms a polyimide precursor, the solubility with respect to the alkali developing solution of an unexposed part is shown. Furthermore, it can suppress and can make the contrast of solubility favorable.
ポリイミド前駆体とジアゾナフトキノン系化合物との混合割合は、ポリイミド前駆体１００重量部に対し、ジアゾナフトキノン系化合物を１〜２００重量部含むことが好ましく、１〜１００重量部含むことがより好ましい。ジアゾナフトキノン系化合物を１重量部以上とすることにより、露光部と未露光部とのアルカリ現像液に対する溶解度差を広げることができ、溶解度のコントラストを良好なものとすることができる。また、ジアゾナフトキノン系化合物を２００重量部以下とすることにより、耐熱性や被膜性の低下などのポリイミド樹脂の性能が低下することを防止できる。 The mixing ratio of the polyimide precursor and the diazonaphthoquinone compound is preferably 1 to 200 parts by weight, more preferably 1 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide precursor. By setting the diazonaphthoquinone compound to 1 part by weight or more, it is possible to widen the solubility difference in the alkaline developer between the exposed area and the unexposed area, and to improve the solubility contrast. Moreover, it can prevent that the performance of polyimide resin, such as a heat resistant fall and a coating-film fall, falls by making a diazo naphthoquinone type compound into 200 weight part or less.
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、上述したポリイミド前駆体と、ジアゾナフトキノン系化合物とを含有してなり、必要に応じてこれらが適当な溶媒に溶解されてなるものである。 The photosensitive polyimide resin composition of the present invention contains the polyimide precursor described above and a diazonaphthoquinone compound, and these are dissolved in an appropriate solvent as necessary.
溶媒としては、ポリイミド前駆体およびジアゾナフトキノン系化合物を溶解できる種々のものを使用することができる。このような溶媒としては、フェノール、ｏ−クロロフェノール、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノールなどのフェノール系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホロトリアミドなどの非プロトン性アミド系溶媒、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、テトラヒドロフラン、ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エーテル、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ピリジン、キノリン、イソキノリン、α−ピコリン、イソホロン、ピペリジン、２，４−ルチジン、トリメチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン系溶媒などの他、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジフェニルエーテル、スルホラン、ジフェニルスルホン、テトラメチル尿素、アニソール、水、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−クロロトルエン、ｏ−ブロモトルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、フルオロベンゼン、酢酸メチル、酢酸エチルなどがあげられる。これらの溶媒は、単独または２種以上混合して用いても差し支えない。 As the solvent, various solvents that can dissolve the polyimide precursor and the diazonaphthoquinone compound can be used. Such solvents include phenolic solvents such as phenol, o-chlorophenol, o-cresol, 2,3-xylenol, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N -Aprotic amide solvents such as methylcaprolactam and hexamethylphosphorotriamide, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, tetrahydrofuran, bis Ether solvents such as [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] ether, 1,4-dioxane, amines such as pyridine, quinoline, isoquinoline, α-picoline, isophorone, piperidine, 2,4-lutidine, trimethylamine, triethylamine In addition to solvents such as dimethyl sulfoxide, Methyl sulfone, diphenyl ether, sulfolane, diphenyl sulfone, tetramethyl urea, anisole, water, benzene, toluene, o-xylene, chlorobenzene, bromobenzene, o-chlorotoluene, o-bromotoluene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methanol Ethanol, pentane, hexane, heptane, cyclohexane, dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, fluorobenzene, methyl acetate, ethyl acetate and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
感光性ポリイミド樹脂組成物中には、その組成成分としてポリイミド前駆体やジアゾナフトキノン系化合物に加えて、目的に応じて他のいかなる成分、例えば、増感剤、光重合開始剤、レベリング剤、カップリング剤、モノマー、オリゴマー、安定剤、湿潤剤、顔料、染料等を含有しても構わない。 In the photosensitive polyimide resin composition, in addition to the polyimide precursor and diazonaphthoquinone compound as the composition component, any other components such as a sensitizer, a photopolymerization initiator, a leveling agent, a cup are used depending on the purpose. You may contain a ring agent, a monomer, an oligomer, a stabilizer, a wetting agent, a pigment, dye, etc.
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物は、半導体素子用保護絶縁膜、液晶素子用配向膜、多層プリント基板用絶縁膜の製造に使用することができる。 The photosensitive polyimide resin composition of this invention can be used for manufacture of the protective insulating film for semiconductor elements, the alignment film for liquid crystal elements, and the insulating film for multilayer printed circuit boards.
具体的には、まず、基板上に、スピンコーティング法、バーコーティング法、ドクターブレード法などにより感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、乾燥することにより塗膜を形成する。 Specifically, first, a photosensitive polyimide resin composition is applied on a substrate by a spin coating method, a bar coating method, a doctor blade method, or the like, and dried to form a coating film.
用いる基板は板上、フィルム状などを問わない。材料はシリコンウエハ、金属基板、セラミック基板、高分子基板等があげられる。 The substrate to be used may be on a plate or in a film form. Examples of the material include a silicon wafer, a metal substrate, a ceramic substrate, and a polymer substrate.
次いで、塗膜上にフォトマスクを重ね、露光を行う。この露光により、露光部分のジアゾナフトキノン系化合物は溶解阻害効果を消失し、露光部分はアルカリ現像液に溶解するようになる。露光は、波長が２００〜５００ｎｍである可視光或いは紫外線を示す露光装置を利用すればよいが、望ましくは単色波長を示すフィルタを装着した露光器を使用することが解像力や作業性の側面で好ましい。 Next, a photomask is overlaid on the coating film, and exposure is performed. By this exposure, the diazonaphthoquinone compound in the exposed portion loses the dissolution inhibiting effect, and the exposed portion is dissolved in the alkaline developer. The exposure may be performed using an exposure device that shows visible light or ultraviolet light having a wavelength of 200 to 500 nm, but it is desirable to use an exposure device equipped with a filter showing a monochromatic wavelength in terms of resolution and workability. .
次いで、アルカリ現像液により露光部を溶解させ除去する。アルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第二アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩などがあげられる。 Next, the exposed portion is dissolved and removed with an alkali developer. Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and ammonia, primary amines such as ethylamine and propylamine, and secondary amines such as diethylamine and dipropylamine. , Tertiary amines such as trimethylamine and triethylamine, alcohol amines such as diethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethylhydroxymethylammonium hydroxide, triethylhydroxymethylammonium hydroxide, trimethyl And quaternary ammonium salts such as hydroxyethylammonium hydroxide.
次いで、加熱処理することにより、残存した未露光部のポリイミド前駆体をイミド化し、ポリイミドとする。このようにして、半導体素子用保護絶縁膜、液晶素子用配向膜、多層プリント基板用絶縁膜を得ることができる。加熱処理は２００℃〜５００℃の間で実施するのが好ましい。２００℃以下である場合イミド化しない場合があり、５００℃以上の場合劣化する場合がある。加熱時間は、０．１〜１０時間とすることが好ましい。加熱の雰囲気は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス下、あるいは真空下が好ましいが、空気中でもよい。 Next, the remaining unexposed polyimide precursor is imidized by heat treatment to obtain polyimide. In this way, a protective insulating film for a semiconductor element, an alignment film for a liquid crystal element, and an insulating film for a multilayer printed board can be obtained. The heat treatment is preferably performed between 200 ° C and 500 ° C. When it is 200 ° C. or lower, imidization may not occur, and when it is 500 ° C. or higher, deterioration may occur. The heating time is preferably 0.1 to 10 hours. The heating atmosphere is preferably an inert gas such as nitrogen, helium or argon, or a vacuum, but may be air.
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。なお、本実施例において「部」、「％」は、特に示さない限り重量基準である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. In this example, “parts” and “%” are based on weight unless otherwise specified.
一般式（１）で示されるカルボン酸二無水物として、一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物を以下のようにして合成した。 As the carboxylic dianhydride represented by the general formula (1), the carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) was synthesized as follows.
＜一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物の合成＞
69.4g（0.42モル）の5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物（東京化成社）、26.8g（0.2モル）の1,1,3,3,-テトラメチルジシロキサン（SIT-7546.0：Gelest社）及び100mlの乾燥クロロベンゼンの混合物に、かき混ぜながら、白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（SIP6830.0：Gelest社）を10滴加えた。得られた混合物をかき混ぜながら70〜80℃で4時間、次いで100〜110℃で２４時間加熱し、冷却後、カーボンブラックを加え、溶液を室温で30分間かき混ぜた。濾過し、100℃で減圧乾燥して溶剤を除去し、乾燥ジエチルエーテルを加えたところ、白色結晶質の固体が沈殿し、一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物である「5,5’-(1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジシロキサンジイル)-ビス-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸二無水物」を得た。
<Synthesis of carboxylic dianhydride represented by the general formula (5)>
69.4 g (0.42 mol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (Tokyo Kasei Co., Ltd.), 26.8 g (0.2 mol) of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (SIT-7546.0: 10 drops of platinum-divinyltetramethyldisiloxane complex (SIP6830.0: Gelest) was added to a mixture of Gelest) and 100 ml of dry chlorobenzene while stirring. The resulting mixture was heated with stirring at 70-80 ° C. for 4 hours and then at 100-110 ° C. for 24 hours. After cooling, carbon black was added and the solution was stirred at room temperature for 30 minutes. Filtration, drying under reduced pressure at 100 ° C. to remove the solvent, and addition of dry diethyl ether resulted in precipitation of a white crystalline solid, which is a carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) “5, 5 ′-(1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxanediyl) -bis-norbornene-2,3-dicarboxylic dianhydride ”was obtained.
［実施例１］
＜ポリイミド前駆体ａの合成＞
攪拌ばねを有する三口のセパラブルフラスコに窒素気流下で、N-メチル-2-ピロリドン275g中に、ジアミンとして1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンを29.2g（0.10mol）投入した後、反応容器を氷冷し、一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物を23.1g（0.05mol）、一般式（３）で示されるカルボン酸二無水物としてオキシジフタル酸二無水物を15.5g（0.05mol）添加した。反応温度を30℃以下に保ちながら、約4時間、その後室温で約48時間反応し粘調なポリイミド前駆体溶液を得た。この溶液を純水中に攪拌下で投入した後、析出した固体を濾取し、さらにメタノールで洗浄、真空乾燥しポリイミド前駆体ａの粉体を得た。
[Example 1]
<Synthesis of polyimide precursor a>
After charging 29.2 g (0.10 mol) of 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene as a diamine into 275 g of N-methyl-2-pyrrolidone in a three-necked separable flask with a stirring spring under a nitrogen stream The reaction vessel was ice-cooled, 23.1 g (0.05 mol) of the carboxylic dianhydride represented by the general formula (5), and 15.5 g of oxydiphthalic dianhydride as the carboxylic dianhydride represented by the general formula (3). g (0.05 mol) was added. While maintaining the reaction temperature at 30 ° C. or lower, the reaction was carried out for about 4 hours and then at room temperature for about 48 hours to obtain a viscous polyimide precursor solution. This solution was poured into pure water with stirring, and the precipitated solid was collected by filtration, further washed with methanol, and vacuum dried to obtain a powder of polyimide precursor a.
次いで、N-メチル-2-ピロリドン200gに、上記合成例で得たポリイミド前駆体ａを40g、ジアゾナフトキノン系化合物（o-ナフトキノジアジド-4-スルホン酸エステル）（ＮＱ
Ｎｏ.63：レスペケミカル社）を10g溶解し、実施例１の感光性ポリイミド樹脂組成物を得た。
Next, 40 g of the polyimide precursor a obtained in the above synthesis example, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone, diazonaphthoquinone compound (o-naphthoquinodiazide-4-sulfonic acid ester) (NQ
No. 63: Respe Chemical Co.) was dissolved to obtain a photosensitive polyimide resin composition of Example 1.
［実施例２］
＜ポリイミド前駆体ｂの合成＞
一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物の量を27.8g（0.06mol）、オキシジフタル酸二無水物の量を12.4g（0.04mol）に変更した以外は、ポリイミド前駆体ａと同様にしてポリイミド前駆体ｂを得た。
[Example 2]
<Synthesis of polyimide precursor b>
Except for changing the amount of carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) to 27.8 g (0.06 mol) and the amount of oxydiphthalic dianhydride to 12.4 g (0.04 mol), the same as for polyimide precursor a Thus, a polyimide precursor b was obtained.
次いで、N-メチル-2-ピロリドン200gに、上記合成例で得たポリイミド前駆体ｂを40g、ジアゾナフトキノン系化合物（o-ナフトキノジアジド-4-スルホン酸エステル）（ＮＱ
Ｎｏ.63：レスペケミカル社）を10g溶解し、実施例２の感光性ポリイミド樹脂組成物を得た。
Next, 40 g of the polyimide precursor b obtained in the above synthesis example, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone, diazonaphthoquinone compound (o-naphthoquinodiazide-4-sulfonic acid ester) (NQ
No. 63: Respe Chemical Co.) was dissolved to obtain a photosensitive polyimide resin composition of Example 2.
［実施例３］
＜ポリイミド前駆体ｃの合成＞
一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物の量を32.4g（0.07mol）、オキシジフタル酸二無水物の量を9.3g（0.03mol）に変更した以外は、ポリイミド前駆体ａと同様にしてポリイミド前駆体ｃを得た。
[Example 3]
<Synthesis of polyimide precursor c>
Except for changing the amount of carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) to 32.4 g (0.07 mol) and the amount of oxydiphthalic dianhydride to 9.3 g (0.03 mol), the same as for polyimide precursor a Thus, a polyimide precursor c was obtained.
次いで、N-メチル-2-ピロリドン200gに、上記合成例で得たポリイミド前駆体ｃを40g、ジアゾナフトキノン系化合物（o-ナフトキノジアジド-4-スルホン酸エステル）（ＮＱ
Ｎｏ.63：レスペケミカル社）を10g溶解し、実施例３の感光性ポリイミド樹脂組成物を得た。
Next, 40 g of the polyimide precursor c obtained in the above synthesis example, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone, diazonaphthoquinone compound (o-naphthoquinodiazide-4-sulfonic acid ester) (NQ
No. 63: Respe Chemical Co.) was dissolved to obtain a photosensitive polyimide resin composition of Example 3.
［実施例４］
＜ポリイミド前駆体ｄの合成＞
一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物の量を46.2g（0.10mol）に変更し、オキシジフタル酸二無水物を添加しなかった以外は、ポリイミド前駆体ａと同様にしてポリイミド前駆体ｄを得た。
[Example 4]
<Synthesis of polyimide precursor d>
The polyimide precursor was changed in the same manner as the polyimide precursor a except that the amount of the carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) was changed to 46.2 g (0.10 mol) and no oxydiphthalic dianhydride was added. d was obtained.
次いで、N-メチル-２-ピロリドン200gに、上記合成例で得たポリイミド前駆体ｄを40g、ジアゾナフトキノン系化合物（o-ナフトキノジアジド-4-スルホン酸エステル）（ＮＱ
Ｎｏ.63：レスペケミカル社）を10g溶解し、実施例４の感光性ポリイミド樹脂組成物を得た。
Next, 40 g of the polyimide precursor d obtained in the above synthesis example, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone, diazonaphthoquinone compound (o-naphthoquinodiazide-4-sulfonic acid ester) (NQ
No. 63: Respe Chemical Co.) was dissolved to obtain a photosensitive polyimide resin composition of Example 4.
［比較例１］
＜ポリイミド前駆体ｅの合成＞
オキシジフタル酸二無水物の量を31.0g（0.10mol）に変更し、一般式（５）で示されるカルボン酸二無水物を添加しなかった以外は、ポリイミド前駆体ａと同様にしてポリイミド前駆体ｅを得た。
[Comparative Example 1]
<Synthesis of polyimide precursor e>
The polyimide precursor was changed in the same manner as the polyimide precursor a except that the amount of oxydiphthalic dianhydride was changed to 31.0 g (0.10 mol) and the carboxylic dianhydride represented by the general formula (5) was not added. e was obtained.
次いで、N-メチル-2-ピロリドン200gに、上記合成例で得たポリイミド前駆体ｅを40g、ジアゾナフトキノン系化合物（o-ナフトキノジアジド-4-スルホン酸エステル）（ＮＱ
Ｎｏ.63：レスペケミカル社）を10g溶解し、比較例１の感光性ポリイミド樹脂組成物を得た。
Next, 40 g of the polyimide precursor e obtained in the above synthesis example, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone, diazonaphthoquinone compound (o-naphthoquinodiazide-4-sulfonic acid ester) (NQ
No. 63: Respe Chemical Co.) was dissolved to obtain a photosensitive polyimide resin composition of Comparative Example 1.
実施例１〜４、比較例１で調製されたポジ型の感光性ポリイミド樹脂組成物について、下記のように露光、現像、イミド化を行い、シリコンウエハ上にパターン形成を行った。 About the positive photosensitive polyimide resin composition prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, exposure, development, and imidization were performed as described below, and a pattern was formed on a silicon wafer.
＜露光、現像、イミド化＞
実施例１〜４、比較例１で調製されたポジ型の感光性ポリイミド樹脂組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、オーブンにて１００℃で２０分乾燥した。この塗膜にフォトマスクを通して、３６５ｎｍ（ｉ線）を３００ｍＪ／ｃｍ2照射した。次いで、２５℃の１．０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(アルカリ現像液)に浸漬することによって露光部を溶解除去した後、蒸留水でリンスし、乾燥した。次いで、２５０℃で２時間加熱を行い、残存した未露光部のポリイミド前駆体をイミド化した。
<Exposure, development, imidization>
The positive photosensitive polyimide resin compositions prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 were applied on a silicon wafer using a spin coater, and then dried in an oven at 100 ° C. for 20 minutes. This coating film was irradiated with 300 mJ / cm 2 at 365 nm (i-line) through a photomask. Next, the exposed portion was dissolved and removed by immersing in a 1.0 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (alkali developer) at 25 ° C., rinsed with distilled water, and dried. Next, heating was performed at 250 ° C. for 2 hours to imidize the remaining unexposed polyimide precursor.
＜特性評価＞
（１）溶解度のコントラスト
得られたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、実施例１〜４の感光性ポリイミド樹脂組成物から形成されたパターンは、露光部は溶出し、未露光部は残存しており、溶解度のコントラストに優れ、パターンの再現性が十分なものであった。また、得られたパターンからは１５μｍの解像度でパターンが形成されていることが確認できた。一方、比較例１の感光性ポリイミド樹脂組成物においては、露光部とともに未露光部の大部分が溶出してしまい、溶解度のコントラストが悪く、パターンの再現性が不十分なものであった。
<Characteristic evaluation>
(1) Contrast of solubility When the obtained pattern was observed with an electron microscope, the exposed part eluted from the pattern formed from the photosensitive polyimide resin composition of Examples 1 to 4, and the unexposed part remained. Thus, the contrast of the solubility was excellent, and the pattern reproducibility was sufficient. Further, it was confirmed that the pattern was formed with a resolution of 15 μm from the obtained pattern. On the other hand, in the photosensitive polyimide resin composition of Comparative Example 1, most of the unexposed part was eluted together with the exposed part, the solubility contrast was poor, and the pattern reproducibility was insufficient.
（２）被膜性
得られたパターンの被膜強度について、ＪＩＳ−Ｋ５４００における鉛筆引掻き試験に準じ、表面測定機（ＨＥＩＤＯＮ−14：新東科学社）を使用して、硬度Ｈの鉛筆を１０００ｇの荷重をかけながら０．５ｍｍ／秒の速度で動かした時に、パターンにクラックが生じるか否かを目視で評価した。その結果、実施例１〜３および比較例１のものは全くクラックが生じなかった。実施例４のものは、わずかにクラックが生じた。
(2) Coating properties About the coating strength of the obtained pattern, a pencil with hardness H of 1000 g was applied using a surface measuring machine (HEIDON-14: Shinto Kagaku Co.) according to the pencil scratch test in JIS-K5400. When moving at a speed of 0.5 mm / sec while applying a crack, it was visually evaluated whether or not cracks occurred in the pattern. As a result, no cracks occurred in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1. In Example 4, slight cracks occurred.
Claims (2)
Ｒ7は同一または異なり、１から１３個の炭素原子を有するアルキル基、１から１３個の炭素原子を有するアルケニル基、１から１３個の炭素原子を有するアルキニル基、および１から１３個の炭素原子を有するアリール基よりなる群から選択され、これらの置換基は環式、非環式、直鎖および／または分枝鎖の基を含んでもよく、少なくとも１個の水素は官能基で交換されていてもよい。
ｎは１から２０００の整数である。
Ｚは、酸素原子、硫黄原子および一般式（２）から選択される。］
R 7 may be the same or different, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 13 carbon atoms, an alkynyl group having 1 to 13 carbon atoms, and 1 to 13 carbons Selected from the group consisting of aryl groups having atoms, these substituents may include cyclic, acyclic, straight chain and / or branched groups, at least one hydrogen being exchanged with a functional group It may be.
n is an integer of 1 to 2000.
Z is selected from an oxygen atom, a sulfur atom, and general formula (2). ]
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006349852A (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Jsr Corp | Liquid crystal aligning agent and liquid crystal display element |
| JP2007302635A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Chisso Corp | Acid anhydride having silsesquioxane skeleton and polymer |
| WO2012020584A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 日立化成工業株式会社 | Novel silicon-containing alicyclic polyimide resin, polyamic acid resin, and manufacturing method for same |
| JP2013028801A (en) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | Modifying agent for adhesive, method for producing the same, and adhesive |
| WO2014115233A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | Resin composition, method for manufacturing pattern cured film, and semiconductor element |
| JP2015183187A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 達興材料股▲ふん▼有限公司 | Resin composition for forming heat resistant film, heat resistant film formed thereby, and battery having the heat resistant film |
| JP2019099516A (en) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | 信越化学工業株式会社 | Novel tetracarboxylic acid dianhydride, polyimide resin and method for producing the same, photosensitive resin composition, patterning method and cured coat forming method, interlayer insulation film, surface protection film, and electronic component |
| JP2020034888A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 国立大学法人横浜国立大学 | Photosensitive resin composition and method for producing fine pattern |
| KR20220079584A (en) | 2019-10-03 | 2022-06-13 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition, dry film, cured product and electronic component |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64950A (en) * | 1987-04-03 | 1989-01-05 | General Electric Co <Ge> | Silicon polyamic acid which enables optical pattern transfer, its production and its use method |
| JPH055996A (en) * | 1991-01-17 | 1993-01-14 | Toshiba Corp | Method of forming pattern |
| JPH06128375A (en) * | 1983-04-11 | 1994-05-10 | General Electric Co <Ge> | Polydiorganosiloxane for silicone-imide copolymer |
-
2005
- 2005-03-25 JP JP2005087945A patent/JP4541944B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06128375A (en) * | 1983-04-11 | 1994-05-10 | General Electric Co <Ge> | Polydiorganosiloxane for silicone-imide copolymer |
| JPS64950A (en) * | 1987-04-03 | 1989-01-05 | General Electric Co <Ge> | Silicon polyamic acid which enables optical pattern transfer, its production and its use method |
| JPH055996A (en) * | 1991-01-17 | 1993-01-14 | Toshiba Corp | Method of forming pattern |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006349852A (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Jsr Corp | Liquid crystal aligning agent and liquid crystal display element |
| JP4573039B2 (en) * | 2005-06-14 | 2010-11-04 | Ｊｓｒ株式会社 | Liquid crystal aligning agent and liquid crystal display element |
| JP2007302635A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Chisso Corp | Acid anhydride having silsesquioxane skeleton and polymer |
| WO2012020584A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 日立化成工業株式会社 | Novel silicon-containing alicyclic polyimide resin, polyamic acid resin, and manufacturing method for same |
| JP5099278B2 (en) * | 2010-08-09 | 2012-12-19 | 日立化成工業株式会社 | Novel silicon-containing alicyclic polyimide resin, polyamic acid resin, and production method thereof |
| US8592546B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-11-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Silicon-containing alicyclic polyimide resin, polyamic acid resin, and manufacturing method for same |
| JP2013028801A (en) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | Modifying agent for adhesive, method for producing the same, and adhesive |
| WO2014115233A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | Resin composition, method for manufacturing pattern cured film, and semiconductor element |
| JP2015183187A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 達興材料股▲ふん▼有限公司 | Resin composition for forming heat resistant film, heat resistant film formed thereby, and battery having the heat resistant film |
| JP2019099516A (en) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | 信越化学工業株式会社 | Novel tetracarboxylic acid dianhydride, polyimide resin and method for producing the same, photosensitive resin composition, patterning method and cured coat forming method, interlayer insulation film, surface protection film, and electronic component |
| JP2020034888A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 国立大学法人横浜国立大学 | Photosensitive resin composition and method for producing fine pattern |
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