JP2006263771A - Laser beam machining device and laser beam machining method - Google Patents
Laser beam machining device and laser beam machining method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006263771A JP2006263771A JP2005085319A JP2005085319A JP2006263771A JP 2006263771 A JP2006263771 A JP 2006263771A JP 2005085319 A JP2005085319 A JP 2005085319A JP 2005085319 A JP2005085319 A JP 2005085319A JP 2006263771 A JP2006263771 A JP 2006263771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- condensing
- beams
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、レーザビームを用いて溶接、切断、表面処理等の熱加工を行う際に用いて好適なレーザ加工装置及びレーザ加工方法に関するものである。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method suitable for use in performing heat processing such as welding, cutting, and surface treatment using a laser beam.
被溶接部材である金属の母材を溶接する方法としてレーザ溶接がある。レーザ溶接では、レンズなどの光学的手段等を用いて、レーザビームを集光させ、高エネルギ密度化する。そして、この高エネルギ化されたレーザビームによって母材を溶融させて溶接を行う。レーザビームによる溶融能力は、ビームの種類、および集光されて母材の加工面に照射された際のビームスポット面積(レーザビームの径)等によって異なる。 Laser welding is a method for welding a metal base material to be welded. In laser welding, a laser beam is condensed using an optical means such as a lens to increase the energy density. Then, the base material is melted by this high energy laser beam for welding. The melting ability of the laser beam varies depending on the type of the beam, the beam spot area (laser beam diameter) when being focused and irradiated onto the processed surface of the base material, and the like.
レーザ溶接を行うにあたっては、図5に示すように、溶接しようとする被加工物100(母材110,120)の開先に対して、光学的手段等により集光されたレーザビーム130を照射する。このレーザビーム130を矢印方向に一定速度で移動させながら連続的に照射することにより、母材110,120の開先部分が瞬間的に溶融・蒸発する。そうすると、母材110,120の表面から内部まで一貫するキーホール150が得られる。このキーホール150は周囲を溶融金属140で取り囲まれている。溶融金属140は対流によりキーホール150から離れる方向(矢印と逆方向)に流れ、母材110,120の熱伝導によって冷却されて凝固する。そうすることによって、母材110と母材120とが溶接される。
In performing laser welding, as shown in FIG. 5, a
このように、レーザビーム130を集光することにより高エネルギ化してキーホール150を形成し、レーザビーム130を移動することにより溶接を行う過程で、キーホール150の先端部153、中間部152及び開口部151では、ポロシティ(またはブローホール)160と呼ばれる気泡状の空洞が取り残され、溶接欠陥となる問題があった(例えば非特許文献1参照)。
Thus, in the process of forming the
これは、レーザビーム130が移動するにつれてキーホール150として形成された穴も維持されながら移動するが、先端部153付近においてはキーホール150の中の雰囲気ガスを巻き込み易く、またレーザビーム130が移動するにつれて、キーホール150の中間部152の形状は真直な形状ではなく、くびれた形状となるためである。中間部152がくびれた形状となると、キーホール150中の雰囲気ガスを巻き込み易い。さらにレーザビーム130が移動する際に、溶融金属140は対流するので、開口部151を塞ぐようにして覆い被さる。
This is because the hole formed as the
このようにして、レーザ溶接を行う際に、キーホール150の形状が不安定になると、レーザ溶接を行った後の金属中には、ポロシティ160と呼ばれる気泡状の空洞が取り残され、これが溶接欠陥の要因となるのである。
Thus, when the shape of the
上述したようなレーザ溶接をはじめとしたレーザ加工を行う場合には、発振効率(電気から光への変換効率)、加工能率、加工品質の向上が望まれている。 When laser processing such as laser welding as described above is performed, improvement in oscillation efficiency (conversion efficiency from electricity to light), processing efficiency, and processing quality is desired.
現在産業界で広く用いられているレーザとしては、CO2レーザやYAGレーザがあるが、溶接加工には、光ファイバ伝送が可能なYAGレーザの適用が拡大している。
しかし、YAGレーザは発振効率が低く(例えばランプ励起方式では発振効率が3%、半導体レーザ励起方式では発振効率が15%程度)、ランニングコストが高くなってしまうという問題がある。
Currently, lasers widely used in the industry include a CO 2 laser and a YAG laser, but the application of a YAG laser capable of transmitting an optical fiber is expanding for welding.
However, the YAG laser has a problem that the oscillation efficiency is low (for example, the oscillation efficiency is about 3% in the lamp excitation method and the oscillation efficiency is about 15% in the semiconductor laser excitation method), and the running cost becomes high.
一方、発振効率が高いレーザとしては、半導体レーザ(LD:laser diode)やファイバレーザ等があり、これら発振効率の高い半導体レーザなどの出力は、近年では、金属の溶接・切断に用いることができるレベルまで高出力化してきた。
また半導体レーザから出力されるレーザビームは、他のタイプのレーザから出力されるレーザビームと比較して、その波長が短波長であるため金属等への吸収特性(即ち、材料吸収率)が良好である。
On the other hand, as lasers with high oscillation efficiency, there are semiconductor lasers (LD: laser diodes), fiber lasers, and the like. Outputs of these semiconductor lasers with high oscillation efficiency can be used for metal welding and cutting in recent years. The output has been increased to the level.
In addition, the laser beam output from the semiconductor laser has a shorter wavelength compared to the laser beam output from other types of lasers, so the absorption characteristics (ie, the material absorption rate) to metals are good. It is.
ただし、半導体レーザは、発振特性上、特に高出力機では集光性が悪く小スポットに
絞れないという問題がある。
However, the semiconductor laser has a problem that the light condensing property is not good and cannot be narrowed down to a small spot particularly in a high output machine due to oscillation characteristics.
そこで、発振効率が高く材料吸収特性はよいが集光性の悪い半導体レーザのレーザビームと、その他の集光性の良好なレーザ(YAGレーザ,ファイバレーザ等)のレーザビームとを重畳させて加工することにより、全体としての発振効率及び材料吸収性が良く、しかも集光性を改善してポロシティなどの溶接欠陥の発生を抑制したレーザ溶接技術を、本願発明者が開発して特許出願(特願2003−160301)した。 Therefore, processing is performed by superimposing a laser beam of a semiconductor laser with high oscillation efficiency and good material absorption characteristics but poor condensing performance and a laser beam of another laser with good condensing performance (YAG laser, fiber laser, etc.). As a result, the inventor of the present application developed and applied for a patent for a laser welding technique that improves oscillation efficiency and material absorbability as a whole, and improves the light condensing property and suppresses the occurrence of welding defects such as porosity. Application 2003-160301).
ここで本願発明者が発明して既に出願した、特願2003−160301に開示した技術の概要を説明する。 Here, the outline | summary of the technique disclosed by Japanese Patent Application No. 2003-160301 which the inventor of this application invented and has applied already is demonstrated.
特願2003−160301に開示した技術では、被加工物の厚さ方向において、より適正な分布のエネルギをレーザビームから付与し、より高い品質で溶接、切断、熱処理等のレーザ加工を行うものである。 In the technology disclosed in Japanese Patent Application No. 2003-160301, in the thickness direction of a workpiece, energy of a more appropriate distribution is applied from a laser beam, and laser processing such as welding, cutting, and heat treatment is performed with higher quality. is there.
図6は、特願2003−160301に開示した実施の形態におけるレーザ加工の概念を示す図である。同図に示すように、本レーザ加工は、主ビームBmと、複数の副ビームBs1,Bs2,Bs3を用い、被加工物である母材110と母材120を溶接する。
FIG. 6 is a diagram showing the concept of laser processing in the embodiment disclosed in Japanese Patent Application No. 2003-160301. As shown in the figure, this laser processing uses a main beam Bm and a plurality of sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 to weld a
主ビームBmは、ファイバレーザやYAGレーザやCO2レーザから出力された高輝度で集光性の高い(つまりエネルギ密度の高い)レーザビームである。この主ビームBmは、直径が0.01〜2.0mmのレーザビームであり、被加工物100に対し所定位置で焦点を結ぶように照射される。なお主ビームBmの集光角はθ0となっている。
The main beam Bm is a high-intensity, high-condensing (that is, high energy density) laser beam output from a fiber laser, YAG laser, or CO 2 laser. The main beam Bm is a laser beam having a diameter of 0.01 to 2.0 mm, and is irradiated so as to focus on the
副ビームBs1,Bs2,Bs3は、半導体レーザから出力された材料吸収率の高い(一般的には波長の短い)レーザビームである。この副ビームBs1,Bs2,Bs3は、それぞれの集光角θ1,θ2,θ3が、主ビームBmの集光角θ0よりも大きい。また副ビームBs1,Bs2,Bs3は、焦点を結ぶ位置(以下、「焦点位置」と称する)F1,F2,F3が、被加工物100の厚さ方向において互いに異なっている。より具体的には、θ1>θ2>θ3の順の場合、副ビームBs1の焦点位置F1は被加工物100の表面近傍に、副ビームBs2の焦点位置F2は被加工物100の厚さ方向中間部近傍に、副ビームBs3の焦点位置F3は被加工物100の厚さ方向下端近傍に位置するように設定される。
The sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 are laser beams with a high material absorption rate (generally having a short wavelength) output from the semiconductor laser. The sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 have respective condensing angles θ1, θ2, and θ3 larger than the condensing angle θ0 of the main beam Bm. The sub beams Bs 1, Bs 2, and Bs 3 are different from each other in positions where the focal points (hereinafter referred to as “focus positions”) F 1, F 2, and F 3 are in the thickness direction of the
溶接を行う場合、副ビームBs1,Bs2,Bs3を、キーホール150内での多重反射やエネルギ減衰を考慮した上で設定することで、キーホール150の深さ方向に対し、均等なあるいは任意(特定部分を強くする等)の分布を有したエネルギを副ビームBs1,Bs2,Bs3によって投入することができる。
その結果、例えば図7に示すように、副ビームBs1,Bs2,Bs3により、被加工物100に対し、深さ方向において従来よりも均一な分布のエネルギを付与することができる。
When welding is performed, the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 are set in consideration of multiple reflections and energy attenuation in the
As a result, for example, as shown in FIG. 7, the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 can impart energy with a more uniform distribution in the depth direction to the
このようにして被加工物100に主ビームBmおよび副ビームBs1,Bs2,Bs3からなる多焦点ビームが照射されると、高エネルギ化された主ビームBmにより被加工物100は瞬間的に溶融・蒸発する。そして、被加工物100の加工面から内部まで一貫するキーホール150が形成され、深い溶け込みが得られる。
In this way, when the
被加工物100が溶融することにより、キーホール150の周囲の溶融金属は対流し、この溶融金属の一部はキーホール150を塞ごうとする。このとき、キーホール150に対して副ビームBs1,Bs2,Bs3が照射されているため、キーホール150を塞ごうとする一部の溶融金属は、副ビームBs1,Bs2,Bs3が照射されて流動が促進されたり蒸発したりする。このため、キーホール150では、開口部151から先端部153に至る各深さにおいてその形状が安定して維持され、雰囲気ガスの巻き込みという事態が解消される結果、ポロシティの発生を防止することができる。
When the
既に出願した特願2003−160301では、主ビームBmと複数の副ビームBs1,Bs2,Bs3を合波部材により合波し、合波したビームを集光部材により集光して被加工物100に照射する光学系の簡単な構成を示した。
In already filed Japanese Patent Application No. 2003-160301, a main beam Bm and a plurality of sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 are combined by a combining member, and the combined beam is condensed by a condensing member to the
本願発明者は、更に鋭意研究を進めた結果、より現実的で構成が容易な光学系を備えたレーザ加工装置及びレーザ加工方法を案出するに至った。
そこで、本願発明は、より現実的で構成が容易な光学系を備えたレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを目的とする。
As a result of further earnest research, the inventor of the present application has come up with a laser processing apparatus and a laser processing method including an optical system that is more realistic and easy to configure.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and a laser processing method including an optical system that is more realistic and easy to configure.
上記課題を解決する本発明の構成は、
1つの波長の第1のレーザビームを出力する、もしくは複数の異なる波長の第1のレーザビームを出力する1つもしくは複数の第1のレーザ光源と、
第1のレーザビームよりも波長が短く、波長がそれぞれ異なる複数の第2のレーザビームを出力する第2のレーザ光源と、
第1のレーザビームと第2のレーザビームを重畳するビーム重畳部と、
前記ビーム重畳部にて重畳された第1のレーザビームと第2のレーザビームを集光して被加工物に向けて照射する色収差を有するレンズからなり、レンズの色収差により被加工物の厚さ方向に関して各レーザビームの焦点位置を異ならしめるズーム機構,レンズ差し替え機構または光ファイバ位置変更機構等のビーム集光特性調整部で構成されていることを特徴とする。
The configuration of the present invention for solving the above problems is as follows.
One or more first laser light sources for outputting a first laser beam of one wavelength or for outputting a first laser beam of a plurality of different wavelengths;
A second laser light source that outputs a plurality of second laser beams having a wavelength shorter than that of the first laser beam and different from each other;
A beam superimposing unit that superimposes the first laser beam and the second laser beam;
The lens includes a lens having chromatic aberration for condensing the first laser beam and the second laser beam superimposed by the beam superimposing unit and irradiating the laser beam toward the workpiece, and the thickness of the workpiece due to the chromatic aberration of the lens. It is characterized by comprising a beam condensing characteristic adjusting unit such as a zoom mechanism, a lens replacement mechanism, or an optical fiber position changing mechanism for making the focal position of each laser beam different with respect to the direction.
また本発明の構成は、
第1のレーザビームを出力する1つもしくは複数の第1のレーザ光源と、
第1のレーザビームよりも波長が短く、波長がそれぞれ異なる複数の第2のレーザビームを出力する第2のレーザ光源と、
第1のレーザ光源から出力された第1のレーザビームの径を調整する第1のズーム機構,レンズ差し替え機構または光ファイバ位置変更機構等のビーム集光特性調整部と、
第2のレーザ光源から出力された第2のレーザビームの径を調整する第2のズーム機構,レンズ差し替え機構または光ファイバ位置変更機構等のビーム集光特性調整部と、
第1のズーム機構を透過してきた第1のレーザビームと第2のズーム機構を透過してきた第2のレーザビームを重畳するビーム重畳部と、
前記ビーム重畳部にて重畳された第1のレーザビームと第2のレーザビームを集光して被加工物に向けて照射する色収差を有するレンズからなり、レンズの色収差とビーム集光特性(ズーム機構等)の調整により被加工物の厚さ方向に関して各レーザビームの焦点位置を異ならしめる集光部とで構成されていることを特徴とする。
The configuration of the present invention is as follows.
One or more first laser light sources for outputting a first laser beam;
A second laser light source that outputs a plurality of second laser beams having a wavelength shorter than that of the first laser beam and different from each other;
A beam condensing characteristic adjusting unit such as a first zoom mechanism, a lens replacement mechanism, or an optical fiber position changing mechanism for adjusting the diameter of the first laser beam output from the first laser light source;
A beam focusing characteristic adjusting unit such as a second zoom mechanism, a lens replacement mechanism, or an optical fiber position changing mechanism for adjusting the diameter of the second laser beam output from the second laser light source;
A beam superimposing unit that superimposes the first laser beam transmitted through the first zoom mechanism and the second laser beam transmitted through the second zoom mechanism;
The lens comprises a lens having chromatic aberration for condensing the first laser beam and the second laser beam superimposed by the beam superimposing unit and irradiating the processed laser beam toward the workpiece. And a condensing unit that makes the focal position of each laser beam different in the thickness direction of the workpiece by adjusting the mechanism or the like.
また本発明の構成は、
前記第1のレーザ光源は、1つもしくは複数の第1のレーザビームの強度をそれぞれ調整することができたり、
前記第1のレーザ光源は、YAGレーザやファイバレーザなど、半導体レーザより集光特性が良好なレーザで構成されていることを特徴とする。
前記第2のレーザ光源は、複数の第2のレーザビームの強度をそれぞれ調整することができたり、
前記第2のレーザ光源は、半導体レーザにより構成されていることを特徴とする。
The configuration of the present invention is as follows.
The first laser light source can each adjust the intensity of one or more first laser beams,
The first laser light source is constituted by a laser having better condensing characteristics than a semiconductor laser, such as a YAG laser or a fiber laser.
The second laser light source can adjust the intensity of each of the plurality of second laser beams,
The second laser light source is constituted by a semiconductor laser.
また本発明の構成は、
前記ビーム重畳部は、第1のレーザビームと第2のレーザビームのうちの一方を反射し他方を透過するダイクロイックミラーにより構成されていたり、
前記ビーム重畳部は、
第2のレーザビームを輪帯化(ドーナツ状ビームに)し前記集光部に送る円錐レンズと、
第1のレーザビームを反射し、前記輪帯化ビームの中心部分を通して前記集光部に送る全反射ミラーとで構成されていたり、
前記ビーム重畳部は、
第2のレーザビームを複数のビームに分岐して前記集光部に送る複数の反射ミラーと、
第1のレーザビームを反射し、分岐した第2のレーザビームの間の空間を通して前記集光部に送る全反射ミラーとで構成されていることを特徴とする。
The configuration of the present invention is as follows.
The beam superimposing unit is constituted by a dichroic mirror that reflects one of the first laser beam and the second laser beam and transmits the other,
The beam superimposing unit is
A conical lens that circulates the second laser beam into a donut-shaped beam and sends it to the condensing unit;
A total reflection mirror that reflects the first laser beam and sends it to the condensing unit through the central portion of the annular beam;
The beam superimposing unit is
A plurality of reflecting mirrors for branching the second laser beam into a plurality of beams and sending them to the condensing unit;
A total reflection mirror that reflects the first laser beam and sends the first laser beam to the condensing unit through a space between the branched second laser beams is characterized.
本発明では、第1の1つもしくは複数のレーザビームと複数の第2のレーザビームの波長が、それぞれ異なるので、集光部のレンズの色収差の影響により、被加工物の厚さ方向に関して、各レーザビームの焦点位置が異なる。
この結果、簡単な光学構造でありながら、第1のレーザビームでキーホール溶接をしつつ、第2のレーザビームでキーホールの深さ方向に関して、所定のプロファイルとなったエネルギを副ビームにより注入することができ、ポロシティなどの溶接欠陥の発生を防止することができる。
In the present invention, the wavelength of the first laser beam or the plurality of laser beams and the plurality of second laser beams are different from each other. The focal position of each laser beam is different.
As a result, while having a simple optical structure, keyhole welding is performed with the first laser beam, and energy having a predetermined profile is injected with the second laser beam in the depth direction of the keyhole by the sub beam. It is possible to prevent the occurrence of weld defects such as porosity.
更に本発明では、第1のレーザビームと第2のレーザビームの径をビーム集光特性調整部(ズーム機構,レンズ差し替え機構または光ファイバ位置変更機構等)により制御できるようにしたので、キーホールの深さや、キーホールに投入するエネルギ分布の調整を容易にすることができる。
また、第2のレーザビームの強度調整を可能とすることにより、キーホールに投入するエネルギ分布の調整を容易にすることができる。
この結果、ポロシティなどの溶接欠陥の発生をより確実に防止することができる。
Furthermore, in the present invention, the diameters of the first laser beam and the second laser beam can be controlled by a beam condensing characteristic adjusting unit (such as a zoom mechanism, a lens replacement mechanism, or an optical fiber position changing mechanism). It is possible to easily adjust the depth and the energy distribution input to the keyhole.
Further, by making it possible to adjust the intensity of the second laser beam, it is possible to easily adjust the energy distribution put into the keyhole.
As a result, the occurrence of weld defects such as porosity can be more reliably prevented.
以下に本発明の実施の形態を実施例に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on examples.
図1は本発明の実施例1にかかるレーザ加工装置200を示す。このレーザ加工装置200は、被加工物100にレーザビームを照射することによりキーホール150を形成しつつレーザ溶接を行う装置である。
FIG. 1 shows a laser processing apparatus 200 according to Embodiment 1 of the present invention. The laser processing apparatus 200 is an apparatus that performs laser welding while forming a
このレーザ加工装置200は、第1のレーザ光源210と、第2のレーザ光源220と、光学機構230を主要部材として構成されている。
レーザ溶接を行う際には、被加工物100の溶接線に沿い、光学機構230と被加工物100とが相対移動できるようになっている。この相対移動機構は、従来から使用されている周知のものであるので、ここでは説明を省略する。
The laser processing apparatus 200 includes a first
When performing laser welding, the optical mechanism 230 and the
第1のレーザ光源210は、例えばYAGレーザやファイバレーザ等の半導体レーザより集光性が良好なレーザで構成されている。このレーザ光源210は、高輝度で集光性が高く(つまりエネルギ密度が高く)、波長λ0が1.0μm程度となっている主ビームBmを出力する。この主ビームBmは、光ファイバ281を介して光学機構230に伝搬される。
The first
第2のレーザ光源220は、複数の半導体レーザ221〜223(本実施例では、3個の場合について例示した)、各半導体レーザを駆動する制御回路224〜226と、全反射ミラー227と、ダイクロイックミラー(ダイクロイックミラー)228,229により構成されている。
The second laser light source 220 includes a plurality of
半導体レーザ221は、制御回路224により駆動されることにより、波長λ1が808nmとなっているレーザビームである副ビームBs1を出力する。このとき、制御回路224による駆動電流を調整することにより、副ビームBs1の強さ(kW)を調整することができるようになっている。
半導体レーザ222は、制御回路225により駆動されることにより、波長λ2が940nmとなっているレーザビームである副ビームBs2を出力する。このとき、制御回路225による駆動電流を調整することにより、副ビームBs2の強さ(kW)を調整することができるようになっている。
半導体レーザ223は、制御回路226により駆動されることにより、波長λ3が980nmとなっているレーザビームである副ビームBs3を出力する。このとき、制御回路226による駆動電流を調整することにより、副ビームBs3の強さ(kW)を調整することができるようになっている。
The
The
The
各半導体レーザ221〜223から出力された副ビームBs1,Bs2,Bs3は、全反射ミラー227及びダイクロイックミラー228,229により光軸が一致した同軸状態で重畳されて出力される。この重畳された副ビームBs1,Bs2,Bs3は、光ファイバ282を介して光学機構230に伝搬される。
The sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 output from the
各半導体レーザ221〜223から出力された副ビームBs1,Bs2,Bs3は、その波長λ1,λ2,λ3が808nm,940nm,980nmとなっており、主ビームBmの波長λ0の1.0μm程度よりも短くなっている。このため副ビームBs1,Bs2,Bs3は主ビームBmに比べて、材料吸収率が高くなっている。
The sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 output from the
光学機構230は、ズーム機構部(ビーム集光特性調整部)240,250と、ビーム重畳部260と、集光部270を主要部材として構成されている。
なお、光学機構230の各部240,250,270に備えたレンズ系の実際のものは、図1に示すものよりもレンズ構成が複雑になっているが、ここでは理解を容易にするためレンズ系を簡略化して模式的に図示している。
The optical mechanism 230 includes zoom mechanism units (beam condensing characteristic adjusting units) 240 and 250, a
The actual lens system provided in each
ズーム機構部240では、レンズ系241のうちの所定のものが光軸方向(α方向)に沿い移動してズーム動作をすることができるようになっている。レーザ光源210から出力され光ファイバ281を伝搬されてきた主ビームBmは、このズーム機構部240のレンズ系241を透過してからビーム重畳部260に送られる。このとき、レンズ系241がズーム動作をすると、即ちレンズ系241のうち所要のものがα方向に移動すると、主ビームBmの径や絞り角を調整することができる。
なお、レンズ系241をズーム移動させるズーム移動機構は図示省略している。
In the
A zoom movement mechanism for zooming the lens system 241 is not shown.
ズーム機構部250では、レンズ系251のうちの所定のものが光軸方向(β方向)に沿い移動してズーム動作をすることができるようになっている。レーザ光源220から出力され光ファイバ282を伝搬されてきた副ビームBs1,Bs2,Bs3は、このズーム機構部250のレンズ系251を透過してからビーム重畳部260に送られる。このとき、レンズ系251がズーム動作をすると、即ちレンズ系251のうち所要のものがβ方向に移動すると、副ビームBs1,Bs2,Bs3の径や絞り角を調整することができる。
なお、レンズ系251をズーム移動させるズーム移動機構は図示省略している。
In the
A zoom movement mechanism for zooming the lens system 251 is not shown.
ビーム重畳部260は、ダイクロイックミラー261を主要部材として構成されている。このダイクロイックミラー261は、ズーム機構240の光軸方向(α方向)及びズーム機構250の光軸方向(β方向)に対して、それぞれ45°の傾きをもって斜めに配置されている。しかも、このダイクロイックミラー261は、図2に透過特性を示すように、例えば波長がλ0の光は反射するが、波長がλ1〜λ3の光は透過させるような、透過・反射特性を有し、しかも透過・反射特性の遷移域の変化が急峻なものを採用するのが望ましい。
The
したがって、α方向に沿い送られてきた波長がλ0の主ビームBmは、ダイクロイックミラー261にて反射して伝搬方向が45°変更され、集光部270に向かって伝搬される。一方、β方向に沿い送られてきた波長がλ1,λ2,λ3の副ビームBs1,Bs2,Bs3は、ダイクロイックミラー261を透過し、集光部270に向かって伝搬される。
結局、ダイクロイックミラー261の透過・反射機能により、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3が、光軸が一致した状態で重畳されて集光部270に伝搬される。
Therefore, the main beam Bm having a wavelength of λ 0 transmitted along the α direction is reflected by the
Eventually, due to the transmission / reflection function of the
図1の例では、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を同軸状態にして重畳しているが、ダイクロイックミラー261に対する主ビームBmまたは副ビームBs1,Bs2,Bs3の入射位置をずらすことにより、重畳された後の主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3の光軸をずらすこともできる(この場合、光軸はずれているが、主ビームBmの光軸と副ビームBs1,Bs2,Bs3の光軸は平行にする)。 In the example of FIG. 1, the main beam Bm and the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 are superimposed in a coaxial state. The optical axes of the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 after being superposed can be shifted (in this case, the optical axis is shifted, but the optical axis of the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3). The optical axis of the
集光部270は集光レンズ271を有している。この集光レンズ271は、ビーム重畳部260から伝搬されてくる、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を集光して被加工物100に向けて照射する。集光レンズ271は、球面の凹レンズ、球面の凸レンズ、非球面の凹レンズ、非球面の凸レンズ等を適宜組み合わせて構成する。
ここでは、集光レンズ271に用いるレンズとして色収差の大きいものを積極的に採用している。
The condensing
Here, a lens having a large chromatic aberration is positively employed as the lens used for the condenser lens 271.
主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3は集光レンズ271を透過後に被加工物100に向けて照射されるが、集光レンズ271の色収差の影響により、各ビームの焦点位置は異なっている。
つまり、
波長λ1が808nmとなっている副ビームBs1の焦点位置をF1、
波長λ2が940nmとなっている副ビームBs2の焦点位置をF2、
波長λ3が980nmとなっている副ビームBs3の焦点位置をF3、
波長λ0が1.0μm程度となっている主ビームBs0の焦点位置をF0とすると、
被加工物100の厚さ方向に関して、表面側から厚さ方向の奥に向かい、焦点位置F1,F2,F3,F0の順で位置ずれして並ぶ状態となる。
The main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 are irradiated toward the
That means
The focal position of the sub beam Bs1 having the wavelength λ1 of 808 nm is F1,
The focal position of the sub-beam Bs2 whose wavelength λ2 is 940 nm is F2,
The focal position of the sub beam Bs3 having the wavelength λ3 of 980 nm is F3,
When the focal position of the main beam Bs0 having a wavelength λ0 of about 1.0 μm is F0,
With respect to the thickness direction of the
このようにして被加工物100に主ビームBmおよび副ビームBs1,Bs2,Bs3からなる多焦点ビームが照射されると、高輝度で集光性が高い(つまりエネルギ密度が高い)主ビームBmにより被加工物100は瞬間的に溶融・蒸発する。そして、被加工物100の加工面から内部まで一貫するキーホール150が形成され、深い溶け込みが得られる。
In this way, when the
このとき、レーザ光源210から出力される主ビームBsmの強度(kW)を調整したり、ズーム機構240のレンズ系241でのズーム量を制御して主ビームBmの径や絞り角を調整したりすることにより、キーホール150の系や深さの調整をすることができる。
At this time, the intensity (kW) of the main beam Bsm output from the
半導体レーザ221〜223から出力された材料吸収率の良い(波長の短い)副ビームBs1,Bs2,Bs3がキーホール150内に照射され、キーホール150を塞ごうとする一部の溶融金属は、効率的に蒸発したり流動促進がされる。このためキーホール150では、開口部から先端部に至る各深さにおいてその形状が安定して維持され、雰囲気ガスの巻き込みという事態が解消される結果、ポロシティの発生を防止することができる。
A part of the molten metal that is irradiated with the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 with good material absorptance (short wavelength) output from the
溶接を行う場合、副ビームBs1,Bs2,Bs3を、キーホール150内での多重反射やエネルギ減衰を考慮した上で設定することで、キーホール150の深さ方向に対し、均等なあるいは任意(特定部分を強くする等)の分布を有したエネルギを副ビームBs1,Bs2,Bs3によって投入することができる。
When welding is performed, the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 are set in consideration of multiple reflections and energy attenuation in the
具体的にはレーザ光源220の制御回路224〜226により半導体レーザ221〜223から出力される各副ビームBs1,Bs2,Bs3の強度(kW)を調整したり、ズーム機構250のレンズ系251でのズーム量を制御して副ビームBs1,Bs2,Bs3の径や絞り角を調整したりすることにより、キーホール150内での副ビームBs1,Bs2,Bs3の照射位置及び照射エネルギを設定することができ、これにより、キーホール150の深さ方向に対し、均等なあるいは任意(特定部分を強くする等)の分布を有したエネルギを副ビームBs1,Bs2,Bs3によって投入することができる。つまり副ビームBs1,Bs2,Bs3によってキーホール150に投入するエネルギの分布状態を、任意かつ容易に調整することが可能となった。
Specifically, the
このように実施例1に係るレーザ加工装置200では、集光部270の集光レンズ271が持っている色収差を積極的に利用することにより、被加工物100の厚さ方向に関して、表面側から厚さ方向の奥に向かい、ビーム焦点位置を焦点位置F1,F2,F3,F0の順で位置ずれして並ばせることができる。
したがって、集光レンズ271には、ビーム焦点位置をずらすための特別な工夫を施す必要はなく、レンズが本来的に持っている色収差を利用して焦点位置をシフトさせているので、集光部270の光学構造は極めて簡単な構成でよい。
As described above, in the laser processing apparatus 200 according to the first embodiment, the chromatic aberration of the condensing lens 271 of the condensing
Therefore, the condensing lens 271 does not need to be specially devised to shift the beam focal position, and the focal position is shifted using chromatic aberration inherent in the lens. The optical structure of 270 may have a very simple configuration.
また、実施例1では、ビーム重畳部260をダイクロイックミラー261により構成したため、ビーム重畳部260の光学系の構造を簡単なものにすることができ、レーザ加工装置200全体としての小型化を図ることができる。なお、光ファイバ281,282の位置をずらすことにより軸をずらして重畳させることもできる。
また、ビーム集光特性調整部としては、ズーム機構,レンズ差し替え機構,光ファイバ位置変換機構等を使用することができる。
Further, in the first embodiment, since the
As the beam condensing characteristic adjusting unit, a zoom mechanism, a lens replacement mechanism, an optical fiber position conversion mechanism, or the like can be used.
図3は本発明の実施例2に係るレーザ加工装置200Aを示す。このレーザ加工装置200Aはビーム重畳部260Aの構造が、実施例1に係るレーザ加工装置200と異なり、他の部分は実施例1と同様である。このため、ビーム重畳部260Aを中心に説明をする。 FIG. 3 shows a laser processing apparatus 200A according to Embodiment 2 of the present invention. This laser processing apparatus 200A differs from the laser processing apparatus 200 according to the first embodiment in the structure of the beam superimposing portion 260A, and the other parts are the same as those in the first embodiment. For this reason, the description will be focused on the beam superimposing unit 260A.
実施例2に係るレーザ加工装置200Aのビーム重畳部260Aは、円錐レンズ262,263と全反射ミラー264により構成されている。 The beam superimposing portion 260A of the laser processing apparatus 200A according to the second embodiment includes conical lenses 262 and 263 and a total reflection mirror 264.
円錐レンズ262は、ズーム機構250から送られてくる副ビームBs1,Bs2,Bs3を円錐状に拡散していく輪帯化ビームにし、円錐レンズ263は副ビームBs1,Bs2,Bs3を平行状態の輪帯化ビームにして集光部270に送る。
一方、全反射ミラー264は、円錐レンズ263により平行状態となった輪帯化ビームの中心(副ビームが存在しない部分)に配置されており、ズーム機構部240から送られてくる主ビームBmを反射して伝搬方向を45°変更し、主ビームBmを集光部270に送る。
The conical lens 262 turns the sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 sent from the
On the other hand, the total reflection mirror 264 is disposed at the center (portion where the sub beam does not exist) of the zonal beam that is brought into a parallel state by the conical lens 263, and receives the main beam Bm sent from the
このようなビーム重畳部260Aにより、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を、光軸を一致した状態で重畳して集光部270に伝搬することができる。
なお、全反射ミラー264の位置をずらす、もしくは光ファイバ位置をずらすことにより、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を、光軸をずらした状態にして重畳することもできる。
With such a beam superimposing unit 260A, the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 can be superimposed and propagated to the
Note that the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 can be superimposed with the optical axis being shifted by shifting the position of the total reflection mirror 264 or by shifting the position of the optical fiber.
図4は本発明の実施例3に係るレーザ加工装置200Bを示す。このレーザ加工装置200Bはビーム重畳部260Bの構造が、実施例1に係るレーザ加工装置200と異なり、他の部分は実施例1と同様である。このため、ビーム重畳部260Bを中心に説明をする。
FIG. 4 shows a laser processing apparatus 200B according to Embodiment 3 of the present invention. This laser processing apparatus 200B is different from the laser processing apparatus 200 according to the first embodiment in the structure of the
実施例3に係るレーザ加工装置200Bのビーム重畳部260Bは、全反射ミラー265,266,267により構成されている。
The
全反射ミラー265は、ズーム機構250から送られてくる副ビームBs1,Bs2,Bs3の一部を反射して抜き出す。全反射ミラー266は、全反射ミラー265により抜き出した副ビームBs1,Bs2,Bs3を反射して集光部270Aに向けて送る。
Total reflection mirror 265 reflects and extracts a part of sub-beams Bs1, Bs2, and Bs3 sent from
全反射ミラー267は、全反射ミラー265にて副ビームBs1,Bs2,Bs3の一部を抜き出したため副ビームが存在しない部分に配置されており、ズーム機構部240から送られてくる主ビームBmを反射して伝搬方向を45°変更し、主ビームBmを集光部270に送る。
The
このようなビーム重畳部260Aにより、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を、光軸を一致した状態で重畳して集光部270に伝搬することができる。
なお、全反射ミラー267の位置をずらす、もしくは光ファイバ位置をずらすことにより、主ビームBmと副ビームBs1,Bs2,Bs3を、光軸をずらした状態にして重畳することもできる。
With such a beam superimposing unit 260A, the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 can be superimposed and propagated to the
Note that the main beam Bm and the sub beams Bs1, Bs2, and Bs3 can be superposed with their optical axes shifted by shifting the position of the
なお上記各実施例では、レーザ加工装置をレーザ溶接のために用いる装置として説明したが、上記各実施例のレーザ加工装置を用いてレーザ切断やレーザ表面処理等の各種の熱加工を行うことができることは言うまでもない。 In each of the above embodiments, the laser processing apparatus has been described as an apparatus used for laser welding. However, various kinds of thermal processing such as laser cutting and laser surface treatment can be performed using the laser processing apparatus of each of the above embodiments. Needless to say, you can.
200,200A,200B レーザ加工装置
210,220 レーザ光源
230 光学機構
240,250 ズーム機構
260,260A,260B ビーム重畳部
270 集光部
200, 200A, 200B
Claims (9)
第1のレーザビームよりも波長が短く、波長がそれぞれ異なる複数の第2のレーザビームを出力する第2のレーザ光源と、
第1のレーザビームと第2のレーザビームを重畳するビーム重畳部と、
前記ビーム重畳部にて重畳された第1のレーザビームと第2のレーザビームを集光して被加工物に向けて照射する色収差を有するレンズからなり、被加工物の厚さ方向に関して各レーザビームの焦点位置を異ならしめる集光部とで構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 A first laser light source that outputs a first laser beam;
A second laser light source that outputs a plurality of second laser beams having a wavelength shorter than that of the first laser beam and different from each other;
A beam superimposing unit that superimposes the first laser beam and the second laser beam;
Each of the lasers includes a lens having chromatic aberration for condensing the first laser beam and the second laser beam superimposed by the beam superimposing unit and irradiating the laser beam toward the workpiece, with respect to the thickness direction of the workpiece. A laser processing apparatus comprising a condensing unit that makes the focal position of a beam different.
第1のレーザビームよりも波長が短く、波長がそれぞれ異なる複数の第2のレーザビームを出力する第2のレーザ光源と、
第1のレーザ光源から出力された第1のレーザビームの径を調整する第1のビーム集光特性調整部と、
第2のレーザ光源から出力された第2のレーザビームの径を調整する第2のビーム集光特性調整部と、
第1のビーム集光特性調整部を透過してきた第1のレーザビームと第2のビーム集光特性調整部を透過してきた第2のレーザビームを重畳するビーム重畳部と、
前記ビーム重畳部にて重畳された第1のレーザビームと第2のレーザビームを集光して被加工物に向けて照射する色収差を有するレンズからなり、レンズの色収差とビーム集光特性の調整により被加工物の厚さ方向に関して各レーザビームの焦点位置を異ならしめる集光部とで構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 A first laser light source that outputs a first laser beam;
A second laser light source that outputs a plurality of second laser beams having a wavelength shorter than that of the first laser beam and different from each other;
A first beam focusing characteristic adjusting unit that adjusts a diameter of the first laser beam output from the first laser light source;
A second beam focusing characteristic adjusting unit that adjusts the diameter of the second laser beam output from the second laser light source;
A beam superimposing unit that superimposes the first laser beam transmitted through the first beam condensing characteristic adjusting unit and the second laser beam transmitted through the second beam condensing characteristic adjusting unit;
The lens comprises a lens having chromatic aberration for condensing the first laser beam and the second laser beam superimposed by the beam superimposing unit and irradiating the laser beam toward the workpiece, and adjusting the chromatic aberration and the beam condensing characteristic of the lens. And a condensing unit that makes the focal position of each laser beam different in the thickness direction of the workpiece.
前記第1,第2のレーザ光源は、複数のレーザビームの強度をそれぞれ調整することができることを特徴とするレーザ加工装置。 In claim 1 or claim 2,
The laser processing apparatus characterized in that the first and second laser light sources can respectively adjust the intensities of a plurality of laser beams.
前記第1のレーザ光源は、YAGレーザやファイバレーザ等の半導体レーザに比較して集光性が良好なレーザで構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 In any one of Claims 1 to 3,
The laser processing apparatus, wherein the first laser light source is composed of a laser having a better light condensing property than a semiconductor laser such as a YAG laser or a fiber laser.
前記第2のレーザ光源は、半導体レーザにより構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 In any one of Claims 1 to 3,
The laser processing apparatus, wherein the second laser light source is constituted by a semiconductor laser.
前記ビーム重畳部は、第1のレーザビームと第2のレーザビームのうちの一方を反射し他方を透過するダイクロイックミラーにより構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 In any one of Claims 1 to 5,
The laser beam processing unit is constituted by a dichroic mirror that reflects one of the first laser beam and the second laser beam and transmits the other.
前記ビーム重畳部は、
第2のレーザビームを輪帯化し前記集光部に送る円錐レンズと、
第1のレーザビームを反射し、前記輪帯化ビームの中心部分を通して前記集光部に送る全反射ミラーとで構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 In any one of Claims 1 to 5,
The beam superimposing unit is
A conical lens that circulates the second laser beam and sends it to the condensing unit;
A laser processing apparatus comprising: a total reflection mirror that reflects the first laser beam and sends the first laser beam to the condensing unit through a central portion of the zonal beam.
前記ビーム重畳部は、
第2のレーザビームを複数のビームに分岐して前記集光部に送る複数の反射ミラーと、
第1のレーザビームを反射し、分岐した第2のレーザビームの間の空間を通して前記集光部に送る全反射ミラーとで構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。 In any one of Claims 1 to 5,
The beam superimposing unit is
A plurality of reflecting mirrors for branching the second laser beam into a plurality of beams and sending them to the condensing unit;
A laser processing apparatus comprising: a total reflection mirror that reflects the first laser beam and sends the first laser beam to the condensing unit through a space between the branched second laser beams.
第1のレーザビームよりも波長が短く、波長がそれぞれ異なる複数の第2のレーザビームを出力する第2のレーザ光源と、
第1のレーザビームと第2のレーザビームを重畳するビーム重畳部と、
前記ビーム重畳部にて重畳された第1のレーザビームと第2のレーザビームを集光して被加工物に向けて照射する色収差を有するレンズからなり、被加工物の厚さ方向に関して各レーザビームの焦点位置を異ならしめる集光部とで構成されているレーザ加工装置によりレーザ加工することを特徴とするレーザ加工方法。
A first laser light source that outputs a first laser beam;
A second laser light source that outputs a plurality of second laser beams having a wavelength shorter than that of the first laser beam and different from each other;
A beam superimposing unit that superimposes the first laser beam and the second laser beam;
Each of the lasers includes a lens having chromatic aberration for condensing the first laser beam and the second laser beam superimposed by the beam superimposing unit and irradiating the laser beam toward the workpiece, with respect to the thickness direction of the workpiece. A laser processing method, characterized in that laser processing is performed by a laser processing apparatus including a condensing unit that makes the focal position of a beam different.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005085319A JP2006263771A (en) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | Laser beam machining device and laser beam machining method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005085319A JP2006263771A (en) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | Laser beam machining device and laser beam machining method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006263771A true JP2006263771A (en) | 2006-10-05 |
Family
ID=37200279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005085319A Withdrawn JP2006263771A (en) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | Laser beam machining device and laser beam machining method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006263771A (en) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008168333A (en) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Japan Unix Co Ltd | Laser soldering apparatus |
JP2008260035A (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Japan Unix Co Ltd | Laser soldering apparatus |
JP2010508149A (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-18 | オルセン,フレミング・オベ・エルホルム | Laser processing method and system |
JP2011121107A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | Laser cutting device |
US8097829B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-01-17 | Hitachi Zosen Corporation | Laser processing method and laser processing apparatus |
JP2012045570A (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Kobe Steel Ltd | Method for manufacturing aluminum joined body |
KR101208217B1 (en) | 2012-08-08 | 2012-12-04 | 유로비젼 (주) | Laser welding method and apparatus for automobile lamp |
US8334478B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-12-18 | Japan Unix Co., Ltd. | Laser type soldering apparatus |
CN104025251A (en) * | 2011-09-21 | 2014-09-03 | 雷蒂安斯公司 | Systems and processes that singulate materials |
WO2015029467A1 (en) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 三菱重工業株式会社 | Laser machining device |
WO2015029466A1 (en) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 三菱重工業株式会社 | Laser machining device |
WO2016059951A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and sheet metal processing method using same |
WO2016059949A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and sheet metal processing method using same |
JP2016087694A (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | エーエスエム・テクノロジー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド | Laser fiber array for dicing semiconductor wafer |
JP2016221579A (en) * | 2016-09-20 | 2016-12-28 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
DE102016222357A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | A method for deep welding a workpiece, with a laser beam into the capillary opening produced by another laser beam |
DE102017208979A1 (en) | 2017-05-29 | 2018-11-29 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Method for deep welding a workpiece, with distribution of the laser power to several foci |
US20180345404A1 (en) * | 2015-12-22 | 2018-12-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laser processing device, laser processing method, optical system, and cladded article |
US10239160B2 (en) | 2011-09-21 | 2019-03-26 | Coherent, Inc. | Systems and processes that singulate materials |
JP2020116640A (en) * | 2016-09-20 | 2020-08-06 | 株式会社アマダ | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
CN111896937A (en) * | 2020-08-24 | 2020-11-06 | 西安炬光科技股份有限公司 | Optical module for light beam superposition and laser system |
CN116079229A (en) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 长沙麓邦光电科技有限公司 | Point ring laser processing system and processing method thereof |
EP4282569A1 (en) * | 2022-05-24 | 2023-11-29 | Laserssel Co., Ltd | Turntable type probe pin bonding apparatus with a dual laser optic module |
JP7407828B2 (en) | 2019-02-14 | 2024-01-04 | プレシテック ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー | A laser processing system for processing a workpiece with a laser beam and a method for controlling the laser processing system |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085319A patent/JP2006263771A/en not_active Withdrawn
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8097829B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-01-17 | Hitachi Zosen Corporation | Laser processing method and laser processing apparatus |
US9044824B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-06-02 | Flemming Ove Olsen | Method and system for laser processing |
JP2010508149A (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-18 | オルセン,フレミング・オベ・エルホルム | Laser processing method and system |
JP2008168333A (en) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Japan Unix Co Ltd | Laser soldering apparatus |
US8334478B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-12-18 | Japan Unix Co., Ltd. | Laser type soldering apparatus |
JP2008260035A (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Japan Unix Co Ltd | Laser soldering apparatus |
JP2011121107A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | Laser cutting device |
JP2012045570A (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Kobe Steel Ltd | Method for manufacturing aluminum joined body |
US10239160B2 (en) | 2011-09-21 | 2019-03-26 | Coherent, Inc. | Systems and processes that singulate materials |
CN104025251A (en) * | 2011-09-21 | 2014-09-03 | 雷蒂安斯公司 | Systems and processes that singulate materials |
KR101208217B1 (en) | 2012-08-08 | 2012-12-04 | 유로비젼 (주) | Laser welding method and apparatus for automobile lamp |
WO2015029467A1 (en) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 三菱重工業株式会社 | Laser machining device |
EP3025819A4 (en) * | 2013-08-28 | 2016-09-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Laser machining device |
WO2015029466A1 (en) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 三菱重工業株式会社 | Laser machining device |
WO2016059949A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and sheet metal processing method using same |
JP2016078049A (en) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
JP2016078046A (en) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
WO2016059951A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and sheet metal processing method using same |
JP2016087694A (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | エーエスエム・テクノロジー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド | Laser fiber array for dicing semiconductor wafer |
US10307867B2 (en) | 2014-11-05 | 2019-06-04 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Laser fiber array for singulating semiconductor wafers |
US20180345404A1 (en) * | 2015-12-22 | 2018-12-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laser processing device, laser processing method, optical system, and cladded article |
JP2016221579A (en) * | 2016-09-20 | 2016-12-28 | 株式会社アマダホールディングス | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
JP2020116640A (en) * | 2016-09-20 | 2020-08-06 | 株式会社アマダ | Direct diode laser processing device and processing method for metal plate using the same |
US11400548B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-08-02 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Methods and laser welding devices for deep welding a workpiece |
EP3915715A1 (en) | 2016-11-15 | 2021-12-01 | Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH | Method for deep welding a workpiece involving emitting a laser beam into the capillary opening generated by another laser beam |
WO2018091417A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-24 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Method and laser welding device for deep welding a workpiece, injecting a laser beam into the capillary opening produced by another laser beam |
DE102016222357A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | A method for deep welding a workpiece, with a laser beam into the capillary opening produced by another laser beam |
DE102017208979A1 (en) | 2017-05-29 | 2018-11-29 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Method for deep welding a workpiece, with distribution of the laser power to several foci |
WO2018219710A1 (en) | 2017-05-29 | 2018-12-06 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Method for the deep welding of a workpiece, with distribution of the laser power over a number of focal points |
JP7407828B2 (en) | 2019-02-14 | 2024-01-04 | プレシテック ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー | A laser processing system for processing a workpiece with a laser beam and a method for controlling the laser processing system |
CN111896937A (en) * | 2020-08-24 | 2020-11-06 | 西安炬光科技股份有限公司 | Optical module for light beam superposition and laser system |
CN111896937B (en) * | 2020-08-24 | 2024-03-26 | 西安炬光科技股份有限公司 | Optical module for light beam superposition and laser system |
EP4282569A1 (en) * | 2022-05-24 | 2023-11-29 | Laserssel Co., Ltd | Turntable type probe pin bonding apparatus with a dual laser optic module |
CN116079229A (en) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 长沙麓邦光电科技有限公司 | Point ring laser processing system and processing method thereof |
CN116079229B (en) * | 2023-03-07 | 2023-07-21 | 长沙麓邦光电科技有限公司 | Point ring laser processing system and processing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006263771A (en) | Laser beam machining device and laser beam machining method | |
JP5361999B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JP5520819B2 (en) | Material processing method using laser irradiation and apparatus for performing the same | |
WO2018159857A1 (en) | Welding method and welding device | |
US10610962B2 (en) | Methods and apparatus for spot welding workpieces using laser pulses | |
TW201805100A (en) | Laser processing apparatus and method | |
JP5639046B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JP2021514841A (en) | Laser processing equipment and method | |
JP5832412B2 (en) | Optical system and laser processing apparatus | |
JP2004358521A (en) | Apparatus and method for thermal-working with laser beam | |
JP2014073526A (en) | Optical system and laser beam machining apparatus | |
JP2007319878A (en) | Laser beam machining apparatus and laser beam machining method | |
JP2009072789A (en) | Laser machining apparatus | |
JP2013180295A (en) | Machining apparatus and machining method | |
KR20130057450A (en) | Method and device for laser material processing of a workpiece | |
KR101416411B1 (en) | Laser welder | |
JP2009178720A (en) | Laser beam machining apparatus | |
JP2018034184A (en) | Laser oscillator and laser machining apparatus | |
CN113634769A (en) | Metal SLM printing system based on Gaussian beam and beam shaping composite beam | |
JP2003340582A (en) | Apparatus and method for laser welding | |
JP2008093706A (en) | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus | |
JP2005169395A (en) | Solid laser beam machining apparatus, and laser welding method | |
JP2007203330A (en) | Laser welding method | |
RU2383416C1 (en) | Device for laser processing of materials | |
De Lange et al. | Influence of intensity distribution on the meltpool and clad shape for laser cladding |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |