JP2006261058A - Organic el element, display device, and manufacturing method of organic el element - Google Patents

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徹生 中山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element realizing the suppression of voltage drop and maintenance and improvement in image quality. <P>SOLUTION: Protection films 6, 7 are formed on a second electrode 5 which is an upper electrode, and a third electrode 8, that is, an auxiliary electrode which is electrically connected to the second electrode 5 is formed on the protection films. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機EL(Electro Luminescence;電界発光)素子と、この有機EL素子を用いた表示装置、ならびに有機EL素子の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL (Electro Luminescence) element, a display device using the organic EL element, and a method for manufacturing the organic EL element.

有機EL素子は、色再現性や応答速度の観点から優れたフラットパネルとして注目され、大画面化に向けて開発が進んでいる。有機EL素子は、二つの電極(上部電極と下部電極)とそれらの二つの電極に挟まれた有機膜から構成され、二つの電極間に電圧を掛けると有機膜が発光する。   Organic EL elements are attracting attention as an excellent flat panel from the viewpoint of color reproducibility and response speed, and development is progressing toward a larger screen. The organic EL element is composed of two electrodes (an upper electrode and a lower electrode) and an organic film sandwiched between the two electrodes. When a voltage is applied between the two electrodes, the organic film emits light.

一般的な有機EL素子の製造においては、まず、第1電極を、赤・緑・青(RGB)の各色に対応して、画素ごとに分離してガラスなどの支持基板上に作製する。
次に、少なくとも有機発光材料からなる有機膜を蒸着法などによって作製する。通常、RGBの各色に対応する有機膜の蒸着は、それぞれの色に対応する部分だけ開口しているメタルマスクを用いて行う。
次に、有機膜の上に、蒸着法などによって第2電極を作製する。
In the manufacture of a general organic EL element, first, the first electrode is separated on a pixel-by-pixel basis on a supporting substrate such as glass corresponding to each color of red, green, and blue (RGB).
Next, an organic film made of at least an organic light emitting material is prepared by a vapor deposition method or the like. Usually, the organic film corresponding to each color of RGB is deposited by using a metal mask having openings corresponding to the respective colors.
Next, a second electrode is formed on the organic film by vapor deposition or the like.

第2電極の作製後、保護膜、接着層などを介して封止基板を備え付けることにより、目的とする有機EL素子を得る。   After the production of the second electrode, a target organic EL element is obtained by providing a sealing substrate via a protective film, an adhesive layer, or the like.

ここで、支持基板側から光を取り出す素子(ボトムエミッション型)の場合、支持基板側の第1電極は光透過材料で構成し、支持基板と反対側の第2電極は光反射材料(例えば金属膜)で構成する。
また、支持基板とは反対側から光を取り出す素子(トップエミッション型)の場合には、第1電極を光反射材料で構成し、第2電極を光透過材料で構成する。
Here, in the case of an element that extracts light from the support substrate side (bottom emission type), the first electrode on the support substrate side is made of a light transmissive material, and the second electrode on the side opposite to the support substrate is a light reflective material (for example, a metal). Film).
In the case of an element that extracts light from the side opposite to the support substrate (top emission type), the first electrode is made of a light reflecting material, and the second electrode is made of a light transmitting material.

有機EL素子の駆動方式には、パッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式があるが、アクティブマトリックス方式は、応答時間も短く、解像度も高いなどの優れた特徴を有する。
このアクティブマトリクス方式による場合、第1電極と基板との間にTFT素子が形成されることから、素子構造としてはトップエミッション型であるほうが開口率を大きくでき、より大画面化に適している。
There are a passive matrix method and an active matrix method for driving organic EL elements. The active matrix method has excellent characteristics such as a short response time and high resolution.
In the case of this active matrix method, since the TFT element is formed between the first electrode and the substrate, the element structure of the top emission type can increase the aperture ratio and is suitable for a larger screen.

一方、表示画面が大きくなり、画素サイズが小さくなるにつれて、有機膜作成時に使用されるメタルマスクの作製が困難となり、加工精度の限界も指摘されている。そのため、有機膜の蒸着がマスクレスで行われる、いわゆるベタ膜で有機膜が形成される傾向がある。
さらに、トップエミッション型の場合には、上述したように、第2電極を、透明もしくは半透明の光透過性材料で構成する必要があるが、通常用いられる光透過性電極であるITO(Indium Tin Oxide)などの酸化膜や金属薄膜は、スパッタによる作製時に有機膜が損傷を受け有機EL素子の表示品質の低下が起きることや、抵抗値が高くなるために大画面化したときに電圧降下が起き、画面の中央部と周辺部で発光強度が異なり画質低下が生じることが問題となる。
On the other hand, as the display screen becomes larger and the pixel size becomes smaller, it becomes difficult to produce a metal mask used for producing an organic film, and the limit of processing accuracy is pointed out. Therefore, there is a tendency that the organic film is formed by a so-called solid film in which the organic film is deposited without a mask.
Further, in the case of the top emission type, as described above, the second electrode needs to be made of a transparent or translucent light transmissive material. However, ITO (Indium Tin), which is a commonly used light transmissive electrode, is required. Oxide and other oxide films and metal thin films may cause damage to the organic film during fabrication by sputtering, resulting in deterioration of the display quality of the organic EL element, and voltage drop when the screen is enlarged due to high resistance. The problem arises that the image intensity is lowered due to the difference in the light emission intensity between the central portion and the peripheral portion of the screen.

したがって、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗を低減することが要求されている。
これに対し、下部電極すなわち第1電極と同一平面上に、最終的に上部電極が形成される位置と同程度の高さを有するように補助電極となる第3電極を形成し、この第3電極の側面で上部電極すなわち第2電極とのコンタクトをとる方法(例えば特許文献1参照)や、上部電極上に補助配線を直接積層させる方法(例えば特許文献2参照)などが提案されている。
特開2001-230086号公報 特開2004-281402号公報
Therefore, it is required to form the upper electrode without damaging the organic film and reduce the substantial resistance of the upper electrode.
On the other hand, a third electrode serving as an auxiliary electrode is formed on the same plane as the lower electrode, that is, the first electrode so as to have the same height as the position where the upper electrode is finally formed. A method of making contact with the upper electrode, that is, the second electrode on the side surface of the electrode (see, for example, Patent Document 1), a method of directly stacking auxiliary wiring on the upper electrode (see, for example, Patent Document 2), and the like have been proposed.
JP 2001-230086 JP 2004-281402 A

しかしながら、下部電極と同一平面上に作製された補助電極の側面でコンタクトを取る方法は、上述したマスクレス法により有機膜が蒸着された場合、有機膜を構成する材料が補助電極の表面に付着もしくは被覆してしまうので、上部電極と補助電極とのコンタクトが不可能もしくは不安定になる。
また、この方法において、例えば補助電極をオーバーハング状に形成した場合にも、補助電極の形成後に有機膜の蒸着を行う限り、補助電極に対する有機膜の付着を抑制することは難しく、上部電極とのコンタクトすなわち電気的連結に支障をきたすおそれがあり、オーバーハング形状を極端に幅広に形成することも、電極の付着が困難になるほか、素子の高精細化を図る上で問題となる。
However, the method of making contact with the side surface of the auxiliary electrode fabricated on the same plane as the lower electrode is that the organic film is deposited on the surface of the auxiliary electrode when the organic film is deposited by the maskless method described above. Or, since it is covered, the contact between the upper electrode and the auxiliary electrode becomes impossible or unstable.
In this method, for example, even when the auxiliary electrode is formed in an overhang shape, it is difficult to suppress the adhesion of the organic film to the auxiliary electrode as long as the organic film is deposited after the auxiliary electrode is formed. There is a risk that the contact, that is, electrical connection, may be hindered, and forming the overhang shape to be extremely wide also makes it difficult to attach the electrodes and also causes a problem in achieving high definition of the element.

一方、補助電極を上部電極上に直接積層させる方法は、大画面・高精細化が進むにつれ、上述した有機膜と同様に蒸着マスクの精度が限界になり、補助電極のパターニングが不可能となる。
さらに、リソグラフィーなどの手法によって上部電極や有機膜をパターニングすることは、溶剤・水分などにより、有機層がダメージを受けるため、好ましくない。
On the other hand, as the method of laminating the auxiliary electrode directly on the upper electrode, as the large screen and high definition progress, the accuracy of the vapor deposition mask becomes the same as the organic film described above, and the patterning of the auxiliary electrode becomes impossible. .
Furthermore, patterning the upper electrode or the organic film by a technique such as lithography is not preferable because the organic layer is damaged by a solvent, moisture, or the like.

本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、表示品質の良好な、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗の低減が図られた有機EL素子ならびに表示装置と、その上部電極の実質的な抵抗を有機膜の損傷を回避して行う有機EL素子の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to form an upper electrode with good display quality without damaging the organic film, and to substantially form the upper electrode. Another object of the present invention is to provide an organic EL element and a display device in which a significant reduction in resistance is achieved, and a method for manufacturing an organic EL element in which substantial resistance of an upper electrode thereof is avoided while avoiding damage to an organic film.

本発明に係る有機EL素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機EL素子であって、前記第2電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有することを特徴とする。   An organic EL device according to the present invention is an organic EL device having a first electrode, a second electrode, and an organic film made of at least an organic light-emitting material provided between the first and second electrodes, A protective film is formed on the second electrode, and a third electrode electrically connected to the second electrode is formed on the protective film.

本発明に係る表示装置は、有機EL素子を有する表示装置であって、前記有機EL素子が、第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、前記第2電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有することを特徴とする。   The display device according to the present invention is a display device having an organic EL element, wherein the organic EL element is provided between a first electrode, a second electrode, and the first and second electrodes, and is at least organic. A protective film is formed on the second electrode, and a third electrode electrically connected to the second electrode is formed on the protective film. It is characterized by having.

本発明に係る有機EL素子の製造方法は、基板上に、第1電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第2電極とを積層形成する工程と、前記第2電極上に、保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、前記第2電極に連結される第3電極を形成する工程とを有することを特徴とする。   The organic EL device manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a first electrode, an organic film made of at least an organic light-emitting material, and a second electrode on a substrate, and protecting the second electrode. The method includes a step of forming a film and a step of forming a third electrode connected to the second electrode on the protective film.

本発明に係る有機EL素子によれば、上部電極となる第2電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第2電極に電気的に連結される第3電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第2電極と第3電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制と画質の維持ないし向上が図られた有機EL素子を提供することができる。   According to the organic EL device of the present invention, the protective film is formed on the second electrode serving as the upper electrode, and the third electrode, that is, the auxiliary electrode electrically connected to the second electrode is formed on the protective film. Since it has the formed configuration, it is possible to provide an organic EL element in which the second electrode and the third electrode can be satisfactorily contacted, and the voltage drop is suppressed and the image quality is maintained or improved.

また、本発明に係る有機EL素子においては、第3電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成や、画素全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。   In the organic EL device according to the present invention, at least a part of the third electrode is formed corresponding to the peripheral edge of the pixel, or formed on the entire surface of the pixel but made of a light transmitting material. Thus, characteristics such as the brightness and contrast of the light extracted to the outside can be secured, and a display device having better display quality and display quality can be configured.

本発明に係る有機EL素子の製造方法によれば、基板上に、第1電極と、有機膜と、第2電極とを積層形成する工程と、第2電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第2電極に連結される第3電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第2電極の実質抵抗の低減が図られた有機EL素子を製造することができる。   According to the method for manufacturing an organic EL element according to the present invention, a step of forming a first electrode, an organic film, and a second electrode on a substrate, and a step of forming a protective film on the second electrode; And forming a third electrode connected to the second electrode on the protective film, so that the organic EL element in which the substantial resistance of the second electrode is reduced without damaging the organic film. Can be manufactured.

本発明に係る有機EL素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる2つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第3電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第2電極と第3電極に良好なコンタクトを形成することができる。   In the method for manufacturing an organic EL element according to the present invention, the protective film is formed as a multilayer film including two or more layers having different etching resistances, and a part of the protective film is formed prior to the formation of the third electrode. By selectively etching to form a contact hole, it is possible to form a good contact between the second electrode and the third electrode while avoiding damage to the organic film.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本発明に係る有機EL素子及び表示装置の実施の形態を説明する。
本実施の形態に係る有機EL素子1は、図1A及び図1Bに示すように、例えばガラスよりなる基板2上に、少なくとも、第1電極3と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜4と、第2電極5とを有し、第2電極5上に、第1及び第2の保護膜6及び7が積層膜として形成され、その上に、第2電極5に電気的に連結される第3電極8が形成された構成を有する。
なお、図示しないが、第3電極8とその開口に露出する第2保護膜7の上に、これらと有機EL素子1の側面とを覆うように、接着樹脂と封止基板が形成されることが好ましい。
First, embodiments of an organic EL element and a display device according to the present invention will be described.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the organic EL element 1 according to the present embodiment includes, on a substrate 2 made of glass, for example, at least a first electrode 3 and an organic film 4 made of at least an organic light emitting material, The first and second protective films 6 and 7 are formed as a laminated film on the second electrode 5, and the second electrode 5 is electrically connected to the second electrode 5. It has a configuration in which three electrodes 8 are formed.
Although not shown, an adhesive resin and a sealing substrate are formed on the third electrode 8 and the second protective film 7 exposed in the opening so as to cover these and the side surface of the organic EL element 1. Is preferred.

本実施形態に係る有機EL素子1は、第1電極3が陽極、第2電極5が陰極とされ、更に有機膜4における発光が第2電極5の側から外部に取り出される、上面発光すなわちトップエミッション型の構成を有する。
また、本実施形態に係る有機EL素子1は、基板2と第1電極3との間に、図示しないTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が設けられ、このTFT素子によって第1電極が駆動されるアクティブマトリクス型とされる。
In the organic EL element 1 according to this embodiment, the first electrode 3 is an anode, the second electrode 5 is a cathode, and light emission from the organic film 4 is taken out from the second electrode 5 side to the outside. It has an emission type configuration.
Further, in the organic EL element 1 according to this embodiment, a TFT (Thin Film Transistor) (not shown) is provided between the substrate 2 and the first electrode 3, and the first electrode is driven by this TFT element. Active matrix type.

第1電極3は、TFT配線11との間に絶縁膜12を介し、かつ隣り合う画素を構成する第1電極との間に絶縁膜13を介して、有機EL素子1を構成する複数の画素10ごとに対応して、有機膜4で生じる発光を反射する光反射材料、例えばアルミニウム(Al)により構成することができる。   The first electrode 3 includes a plurality of pixels constituting the organic EL element 1 via the insulating film 12 between the TFT wiring 11 and the first electrode constituting adjacent pixels. Corresponding to every 10, it can be made of a light reflecting material that reflects light emitted from the organic film 4, for example, aluminum (Al).

有機膜4は、少なくとも有機発光材料からなり、例えば図示しないが、有機発光材料による発光層を中心に、第1電極側に正孔輸送層、第2電極側に電子輸送層を有する構成とすることができる。また、正孔輸送層と電子輸送層の一方が発光層を兼ねる構成とすることもできる。
また、本実施形態においては、有機膜4は、隣り合う画素10について共通に所謂ベタ膜として形成されている。
The organic film 4 is made of at least an organic light emitting material. For example, although not shown, the organic film 4 has a hole transport layer on the first electrode side and an electron transport layer on the second electrode side with a light emitting layer made of the organic light emitting material as the center. be able to. Further, one of the hole transport layer and the electron transport layer can also serve as the light emitting layer.
In the present embodiment, the organic film 4 is formed as a so-called solid film in common for adjacent pixels 10.

第2電極5は、有機膜4上に、隣り合う画素10について共通に形成されるが、有機膜4で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば上述のMg−Ag混合膜によって構成される光透過性薄膜とされる。   The second electrode 5 is formed on the organic film 4 in common for the adjacent pixels 10, but is composed of a light-transmitting material that transmits light emitted from the organic film 4, for example, the above-described Mg—Ag mixed film. A light transmissive thin film is used.

第1及び第2の保護膜6及び7は、後述するように、第1保護膜6に比して高い耐エッチング性を有する材料によって第2保護膜7を構成することが好ましく、また、有機膜4で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば例えばそれぞれSiN及びSiOにより構成される。 As will be described later, the first and second protective films 6 and 7 preferably constitute the second protective film 7 with a material having higher etching resistance than the first protective film 6. A light transmissive material that transmits light emitted from the film 4 is formed of, for example, SiN X and SiO X, respectively.

第3電極8は、例えばAlからなり、第1及び第2の保護膜に形成されたコンタクトホールにコンタクト部9を有し、このコンタクト部9で第2電極と電気的に連結される。
また、第3電極は主に複数の画素10の周縁に対応して形成されており、各画素10において有機膜4で生じる発光を阻害しない位置形状とされる。すなわち、第3電極8は、単位画素10ごと或いは複数の画素10を取り囲むように形成される。
The third electrode 8 is made of, for example, Al, and has a contact portion 9 in a contact hole formed in the first and second protective films, and is electrically connected to the second electrode by the contact portion 9.
The third electrode is mainly formed corresponding to the peripheral edges of the plurality of pixels 10 and has a position shape that does not inhibit light emission generated in the organic film 4 in each pixel 10. That is, the third electrode 8 is formed so as to surround each unit pixel 10 or a plurality of pixels 10.

コンタクト部9は、第3電極8の全形成部に設けることもできるが、複数の画素10の周縁部すなわち画素間部内で、所望の位置形状を選定して形成することができる。
例えば、図2Aに示すように、格子状に設けられた複数の画素10の画素間部に形成される、水平方向に延在する第3電極8と垂直方向に延在する第3電極8の全ての交点に設けることもできるし、図2Bに示すように、コンタクトホールを間引いて1つおきの交点に設けることもできる。また、図2Cに示すように、画素10の1つの対角線上に位置する交点のみに、所謂千鳥格子状に設けることもできる。
The contact portion 9 can be provided in the entire formation portion of the third electrode 8, but can be formed by selecting a desired position shape in the peripheral portion of the plurality of pixels 10, that is, in the inter-pixel portion.
For example, as shown in FIG. 2A, the third electrode 8 extending in the horizontal direction and the third electrode 8 extending in the vertical direction are formed in the inter-pixel portions of the plurality of pixels 10 provided in a lattice shape. It can be provided at all intersections, or as shown in FIG. 2B, contact holes can be thinned out and provided at every other intersection. Further, as shown in FIG. 2C, the pixel 10 may be provided in a so-called staggered pattern only at the intersection located on one diagonal.

また、第3電極8についても、必ずしも全ての画素10を網羅して形成される必要はなく、第2電極5の実質抵抗を十分に低減して電圧降下を抑制できる程度の密度で、例えば図2Dに示すように1つおきの画素間部に形成された構成とすることもできる。
第2電極5の補助電極となる第3電極8は、第2電極に比して高い導電性を有することが好ましい。第2電極に比して導電性を高くするには、第2電極に比して小さな比抵抗を有する材料を用いても良いし、第2電極と同等または大きな比抵抗を有する材料を用いながらも第2電極よりも厚く形成するなどして実質抵抗の低減を図っても良い。
Further, the third electrode 8 does not necessarily need to be formed to cover all the pixels 10, and has a density that can sufficiently reduce the substantial resistance of the second electrode 5 and suppress the voltage drop, for example, as shown in FIG. As shown in 2D, it may be formed in every other inter-pixel portion.
It is preferable that the 3rd electrode 8 used as the auxiliary electrode of the 2nd electrode 5 has high electroconductivity compared with a 2nd electrode. In order to make the conductivity higher than that of the second electrode, a material having a specific resistance smaller than that of the second electrode may be used, or while using a material having a specific resistance equal to or larger than that of the second electrode. Alternatively, the substantial resistance may be reduced by forming it thicker than the second electrode.

本実施の形態に係る有機EL素子によれば、上部電極となる第2電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第2電極に電気的に連結される第3電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第2電極と第3電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制が図られた有機EL素子を提供することができる。   According to the organic EL element according to the present embodiment, the protective film is formed on the second electrode serving as the upper electrode, and the third electrode that is electrically connected to the second electrode, that is, the auxiliary electrode, is formed on the protective film. Since it has the structure in which the electrode was formed, the 2nd electrode and the 3rd electrode can be satisfactorily contacted, and an organic EL element in which the voltage drop is suppressed can be provided.

また、本実施の形態に係る有機EL素子においては、第3電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。   Further, in the organic EL element according to the present embodiment, characteristics such as brightness and contrast of light extracted outside are obtained by forming at least part of the third electrode corresponding to the periphery of the pixel. Can be ensured, and a display device having better display quality and display quality can be configured.

なお、本実施の形態において、上述の光反射材料は、少なくとも光透過材料に比して、有機膜で発生する光の波長に関する反射率が高い材料であれば良いし、光透過材料も、必ずしも透明でなくとも、例えば半透明であれば良い。
また、周縁とは、例えば複数並んだ画素間の少なくとも一部を指称し、必ずしも画素の周囲を完全に囲む形状でなくとも良い。
In the present embodiment, the light reflecting material described above may be a material having a higher reflectance with respect to the wavelength of light generated in the organic film than at least the light transmitting material. Even if it is not transparent, it may be translucent, for example.
Further, the peripheral edge refers to, for example, at least a part between a plurality of arranged pixels and does not necessarily have a shape that completely surrounds the periphery of the pixels.

次に、本発明に係る有機EL素子の製造方法の実施の形態を説明する。   Next, an embodiment of a method for producing an organic EL element according to the present invention will be described.

まず、図3Aに示すように、ガラスよりなる基板2を用意し、その上にTFTのゲート電極となる配線11と、ゲート絶縁膜21と、半導体薄膜20とからなるTFT素子15を形成し、その上部に例えばポリイミド(PI)による絶縁膜12を介して例えばPIによる平坦化絶縁膜を形成し、リソグラフィ法によって形成したレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁膜の所定部にTFT素子15に通じるコンタクトホールを含む凹部を形成した後、最終的に第1電極(画素電極、いわゆる下部電極)3を構成する電極材料例えばAlを、スパッタにより例えば100nmの厚さで形成し、この電極材料をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、混酸(硝酸、酢酸及び燐酸)や塩素ガスなどによるエッチングによって各画素を構成する第1電極3を形成した後、隣り合う画素を構成する第1電極3の短絡防止のために、第1電極3の端部と絶縁膜12の露出部とに渡って例えばPIによる絶縁膜を形成して、層間絶縁膜13を形成する。   First, as shown in FIG. 3A, a substrate 2 made of glass is prepared, and a TFT element 15 made of a wiring 11 that becomes a TFT gate electrode, a gate insulating film 21, and a semiconductor thin film 20 is formed thereon, A flattened insulating film made of, for example, PI is formed thereon via an insulating film 12 made of, for example, polyimide (PI), and the TFT element 15 is formed on a predetermined portion of the flattened insulating film using a resist pattern formed by lithography as a mask. After forming the concave portion including the contact hole that communicates, an electrode material, such as Al, that finally forms the first electrode (pixel electrode, so-called lower electrode) 3 is formed by sputtering to a thickness of, for example, 100 nm. Each pixel is patterned by photolithography and etched by mixed acid (nitric acid, acetic acid and phosphoric acid) or chlorine gas. After forming the first electrode 3 to be configured, in order to prevent a short circuit between the first electrodes 3 configuring adjacent pixels, insulation is performed by, for example, PI across the end portion of the first electrode 3 and the exposed portion of the insulating film 12. An interlayer insulating film 13 is formed by forming a film.

続いて、図3Bに示すように、例えば蒸着法によって、第1電極3と層間絶縁膜13の露出部とに渡って、複数の画素について共通すなわちベタ膜として、例えば50nm〜100nmの厚さで有機膜4を形成する。なお、図示しないが、有機膜4は少なくとも有機発光材料による発光層を有し、必要に応じて、第1電極3側に正孔輸送層が、後に形成する第2電極5側に電子輸送層が設けられるなど、適宜変更が可能である。材料は、目的とする発光波長などに応じて種々のものを用いることができる。   Subsequently, as shown in FIG. 3B, for example, by a vapor deposition method, a common film, that is, a solid film for a plurality of pixels across the first electrode 3 and the exposed portion of the interlayer insulating film 13, for example, with a thickness of 50 nm to 100 nm. An organic film 4 is formed. Although not shown, the organic film 4 has at least a light emitting layer made of an organic light emitting material. If necessary, a hole transport layer is formed on the first electrode 3 side, and an electron transport layer is formed on the second electrode 5 side to be formed later. Can be appropriately changed. Various materials can be used according to the target emission wavelength.

続いて、図3Cに示すように、蒸着法によって、有機膜4の上面に全面的に例えばMg−Ag混合膜による第2電極(対向電極、いわゆる上部電極)5を、例えば10nmの厚さで形成することにより、第1電極3と、有機膜4と、第2電極5とを積層形成する工程を行う。   Subsequently, as shown in FIG. 3C, a second electrode (opposite electrode, so-called upper electrode) 5 made of, for example, a Mg—Ag mixed film is entirely formed on the upper surface of the organic film 4 by a vapor deposition method, for example, with a thickness of 10 nm. By forming the first electrode 3, the organic film 4, and the second electrode 5 are stacked.

続いて、図4Aに示すように、例えばSiNによる第1保護膜6と、例えばSiOによる第2保護膜7とを、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition;化学気相蒸着)法によって、例えばそれぞれ3μmと1μmの厚さで積層形成した後、素子間部の所定の位置、すなわち最終的にコンタクト部9の形成位置となる箇所に、リソグラフィー法によって開口を有するレジスト14を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 4A, for example, a first protective film 6 made of, for example, SiN X and a second protective film 7 made of, for example, SiO X are formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition), for example, respectively. After the layers are formed with a thickness of 3 μm and 1 μm, a resist 14 having an opening is formed by a lithography method at a predetermined position between the elements, that is, at a position where the contact portion 9 is finally formed.

続いて、図4Bに示すように、レジスト14の開口部に露出した第2保護膜7のエッチングを行う。ここでのエッチングは、例えばドライエッチング法及びウエットエッチング法を適用することができ、例えばHF(フッ化水素もしくはフッ酸)とNHFの混合液や、CFガスとHガスの混合ガスを用いて行うことができる。 Subsequently, as shown in FIG. 4B, the second protective film 7 exposed in the opening of the resist 14 is etched. For example, a dry etching method and a wet etching method can be applied to the etching here. For example, a mixed liquid of HF (hydrogen fluoride or hydrofluoric acid) and NH 4 F, or a mixed gas of CF 4 gas and H 2 gas is used. Can be used.

続いて、図4Cに示すように、第2保護膜7をマスクとして第1保護膜6のエッチングを行う。エッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、第2電極5が薄膜状に形成されていることから、有機膜4の損傷をより確実に回避するために、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。ここでのエッチングは、例えばHF(フッ化水素もしくはフッ酸)やCFガスを用いて行うことができる。
なおここで、第2保護膜7は、この第1保護膜6に対するエッチングにおけるマスクとなることから、第1保護膜6に比して高い耐エッチング性を有する材料で構成することが好ましい。
Subsequently, as shown in FIG. 4C, the first protective film 6 is etched using the second protective film 7 as a mask. As the etching method, either a dry etching method or a wet etching method can be applied. However, since the second electrode 5 is formed in a thin film shape, in order to avoid damage to the organic film 4 more reliably, moisture can be used. It is preferable to use a dry etching method that does not use the above. The etching here can be performed using, for example, HF (hydrogen fluoride or hydrofluoric acid) or CF 4 gas.
Here, since the second protective film 7 serves as a mask for etching the first protective film 6, the second protective film 7 is preferably made of a material having higher etching resistance than the first protective film 6.

続いて、図5Aに示すように、第2電極5の補助電極となる、例えばAlによる第3電極8を、第2電極5とのコンタクト部9を含めて全面的に形成した後、この第3電極8の、各画素の周縁部上すなわち画素間部上に、リソグラフィー法によりレジスト17を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 5A, the third electrode 8 made of, for example, Al serving as the auxiliary electrode of the second electrode 5 is formed over the entire surface including the contact portion 9 with the second electrode 5, and then the second electrode 5 is formed. A resist 17 is formed by lithography on the peripheral edge of each pixel of the three electrodes 8, that is, between the pixels.

続いて、図5Bに示すように、第3電極8のレジスト17の開口に露出する部分を、各画素の周縁部すなわち画素間部を残して、エッチングにより除去した後、レジスト17を剥離除去することにより、図1A及び図1Bに示すような有機EL素子1を得る。
第3電極8のエッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。
Subsequently, as shown in FIG. 5B, the portion exposed to the opening of the resist 17 of the third electrode 8 is removed by etching, leaving the peripheral portion of each pixel, that is, the inter-pixel portion, and then the resist 17 is peeled off. Thus, an organic EL element 1 as shown in FIGS. 1A and 1B is obtained.
As the etching method of the third electrode 8, either a dry etching method or a wet etching method can be applied, but it is preferable to use a dry etching method that does not use moisture or the like.

なお、図6に示すように、レジスト17の除去後、第3電極8とその開口に露出する第2保護膜7に渡って、これらと有機EL素子1の側面とを覆うように、接着樹脂18と封止基板19を形成することもできる。   As shown in FIG. 6, after removing the resist 17, the adhesive resin is formed so as to cover the third electrode 8 and the second protective film 7 exposed in the opening so as to cover these and the side surface of the organic EL element 1. 18 and the sealing substrate 19 can also be formed.

本実施形態に係る有機EL素子の製造方法によれば、基板上に、第1電極と、有機膜と、第2電極とを積層形成する工程と、第2電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第2電極に連結される第3電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第2電極の実質抵抗の低減が図られた有機EL素子を製造することができる。   According to the method for manufacturing an organic EL element according to the present embodiment, a step of forming a first electrode, an organic film, and a second electrode on a substrate, and a step of forming a protective film on the second electrode. And a step of forming a third electrode connected to the second electrode on the protective film, and thus the organic EL element in which the substantial resistance of the second electrode is reduced without damaging the organic film Can be manufactured.

本実施形態に係る有機EL素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる2つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第3電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第2電極と第3電極に良好なコンタクトを形成することができる。   In the method of manufacturing the organic EL element according to the present embodiment, the protective film is formed as a multilayer film including two or more layers having different etching resistances, for example, and a part of the protective film is used for forming the third electrode. By selectively etching in advance to form a contact hole, a good contact can be formed between the second electrode and the third electrode while avoiding damage to the organic film.

なお、本発明に係る有機EL素子、表示装置、有機EL素子の製造方法は、この実施形態に限られるものではない。   In addition, the manufacturing method of the organic EL element which concerns on this invention, a display apparatus, and an organic EL element is not restricted to this embodiment.

例えば、第3電極8すなわち補助電極を構成する材料は、Alに限られず、銀(Ag)や銅(Cu)、タングステン(W)などの低抵抗材料であれば適用できる。
また、例えば、図7に示すように、第3電極が各画素10全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、有機EL素子の外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。この場合の光透過材料としては、ITOなどを用いることができる。
For example, the material constituting the third electrode 8, that is, the auxiliary electrode is not limited to Al, and any material having a low resistance such as silver (Ag), copper (Cu), tungsten (W) can be applied.
Further, for example, as shown in FIG. 7, the third electrode is formed on the entire surface of each pixel 10, but is made of a light transmitting material, so that the brightness, contrast, etc. of the light extracted outside the organic EL element are increased. The characteristics can be ensured, and a display device having better display quality and display quality can be configured. In this case, ITO or the like can be used as the light transmitting material.

また、例えば、本実施形態では上面発光型すなわちトップエミッション型の有機EL素子の例を説明したが、本発明は、TFT側から光を取り出す所謂ボトムエミッション型の有機EL素子にも適用できるし、アクティブマトリクス方式による場合に限らず、パッシブマトリクス方式による構成とすることも可能である。   In addition, for example, in the present embodiment, an example of a top emission type, that is, a top emission type organic EL element has been described. Not only the active matrix system but also a passive matrix system can be used.

また、第1電極すなわち下部電極を構成する材料は、Alに限られず、Agなどの高反射金属であれば適用可能である。
また、絶縁膜を構成する材料も、PIに限られず、他の有機材料やSiOなどの酸化膜でも適用可能である。
また、第2電極すなわち上部電極を構成する材料も、Mg−Ag混合膜に限られず、例えばごく薄いAlやITOによる光透過性材料が適用可能である。
また、第1及び第2の保護膜を構成する材料も、SiO、SiNに限られず、逆の組み合わせ、もしくはAlのような材料でも適用可能である。また、第1保護膜、第2保護膜が同一の材料であっても、例えば組成比を互いに異なる構成とすることによるなどして、エッチング耐性が異なる構成とすれば、同一材料による構成とすることも可能である。
Moreover, the material which comprises a 1st electrode, ie, a lower electrode, is not restricted to Al, It is applicable if it is highly reflective metals, such as Ag.
Further, the material constituting the insulating film is not limited to PI, and other organic materials and oxide films such as SiO 2 can also be applied.
Further, the material constituting the second electrode, that is, the upper electrode is not limited to the Mg—Ag mixed film, and for example, a very thin light-transmitting material such as Al or ITO is applicable.
Further, the material constituting the first and second protective films is not limited to SiO X and SiN X , and a reverse combination or a material such as Al 2 O 3 is also applicable. Further, even if the first protective film and the second protective film are made of the same material, if the etching resistance is different, for example, by making the composition ratios different from each other, the structure is made of the same material. It is also possible.

また、本実施形態では、第1電極を陽極、第2電極を陰極としたが、これらを逆とした構成も可能であるなど、本発明は、種々の変更及び変形をなされうる。   In the present embodiment, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. However, the present invention can be modified and modified in various ways, such as a configuration in which these are reversed.

A,B 本発明に係る有機EL素子の一例の構成を示す概略斜視図と、一部を断面とする概略斜視図である。1A and 1B are a schematic perspective view showing a configuration of an example of an organic EL element according to the present invention, and a schematic perspective view with a part in cross section. A〜D それぞれ、本発明に係る有機EL素子の、第3電極及びコンタクト部と画素との構成例を示す模式図である。A to D are schematic views illustrating configuration examples of a third electrode, a contact portion, and a pixel, respectively, of the organic EL element according to the present invention. A〜C 本発明に係る有機EL素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。It is process drawing with which it uses for description of an example of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on AC. A〜C 本発明に係る有機EL素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。It is process drawing with which it uses for description of an example of the manufacturing method of the organic EL element which concerns on AC. A,B 本発明に係る有機EL素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。It is process drawing with which it uses for description of an example of the manufacturing method of the organic EL element concerning this invention. 本発明に係る有機EL素子の他の例の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the other example of the organic EL element which concerns on this invention. 本発明に係る有機EL素子の他の例の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the other example of the organic EL element which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・有機EL素子、2・・・基板、3・・・第1電極(下部電極、画素電極)、4・・・有機膜、5・・・第2電極、6・・・第1保護膜、7・・・第2保護膜、8・・・第3電極、9・・・コンタクト部、10・・・画素、11・・・TFT配線、12・・・絶縁膜、13・・・層間絶縁膜、14・・・レジスト、15・・・TFT素子、16・・・コンタクトホール、17・・・レジスト、18・・・樹脂、19・・・封止基板、20・・・半導体薄膜、21・・・ゲート絶縁膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL element, 2 ... Substrate, 3 ... 1st electrode (lower electrode, pixel electrode), 4 ... Organic film, 5 ... 2nd electrode, 6 ... 1st Protective film, 7 ... 2nd protective film, 8 ... 3rd electrode, 9 ... Contact part, 10 ... Pixel, 11 ... TFT wiring, 12 ... Insulating film, 13 ... Interlayer insulating film, 14 ... resist, 15 ... TFT element, 16 ... contact hole, 17 ... resist, 18 ... resin, 19 ... sealing substrate, 20 ... semiconductor Thin film, 21 ... gate insulating film

Claims (16)

第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機EL素子であって、
前記第2電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする有機EL素子。
An organic EL device having a first electrode, a second electrode, and an organic film provided between at least the first and second electrodes and made of at least an organic light-emitting material,
A protective film is formed on the second electrode;
An organic EL element, characterized in that a third electrode electrically connected to the second electrode is formed on the protective film.
前記第3電極と前記第2電極との連結が、画素の周縁部で選択的になされる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the connection between the third electrode and the second electrode is selectively performed at a peripheral portion of the pixel.
前記第3電極と前記第2電極との連結が、前記保護膜内に形成されたコンタクトホールにおいてなされる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the third electrode and the second electrode are connected in a contact hole formed in the protective film.
前記第3電極が、少なくとも一部、画素の周縁に対応して形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the third electrode is formed at least partially corresponding to the periphery of the pixel.
前記第3電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the third electrode is made of a light transmitting material.
前記第3電極が、前記第2電極に比して高い導電性を示す
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the third electrode exhibits higher conductivity than the second electrode.
前記保護膜が、少なくとも2層以上の多層膜である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the protective film is a multilayer film having at least two layers.
前記有機膜が、少なくとも一部、隣り合う画素間で共通に形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the organic film is formed at least partially in common between adjacent pixels.
前記第1電極が、光反射材料よりなり、前記第2電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
The organic EL element according to claim 1, wherein the first electrode is made of a light reflecting material, and the second electrode is made of a light transmitting material.
有機EL素子を有する表示装置であって、
前記有機EL素子が、
第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、
前記第2電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする表示装置。
A display device having an organic EL element,
The organic EL element is
A first electrode, a second electrode, and an organic film provided between the first and second electrodes and made of at least an organic light-emitting material;
A protective film is formed on the second electrode;
A display device having a configuration in which a third electrode electrically connected to the second electrode is formed on the protective film.
基板上に、第1電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第2電極とを積層形成する工程と、
前記第2電極上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に、前記第2電極に連結される第3電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Forming a first electrode, an organic film made of at least an organic light emitting material, and a second electrode on the substrate;
Forming a protective film on the second electrode;
Forming a third electrode connected to the second electrode on the protective film. A method of manufacturing an organic EL element, comprising:
前記第3電極の形成に先立って、前記保護膜の一部を選択的にエッチングする
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
The method of manufacturing an organic EL element according to claim 11, wherein a part of the protective film is selectively etched prior to the formation of the third electrode.
前記第3電極を、少なくとも一部、画素の周縁に対応させて形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
The method of manufacturing an organic EL element according to claim 11, wherein the third electrode is formed at least partially corresponding to the periphery of the pixel.
前記第3電極を、光透過材料により構成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
The method for manufacturing an organic EL element according to claim 11, wherein the third electrode is made of a light transmitting material.
前記保護膜を、少なくとも2層以上の多層膜として形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
The method for producing an organic EL element according to claim 11, wherein the protective film is formed as a multilayer film having at least two layers.
前記有機膜を、少なくとも一部、隣り合う画素について共通に形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。


The method of manufacturing an organic EL element according to claim 11, wherein the organic film is formed in common for at least a part of adjacent pixels.


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