JP2006179352A - Manufacturing method of spontaneous light emitting panel - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify a process by the use of a solid sealing material and prevent generation of foam between the sealing material and a sealing base material. <P>SOLUTION: The manufacturing method includes a first sticking process of sticking a support substrate 104 supporting a spontaneous light emitting element 103 equipped with a light-emitting layer pinched between a pair of electrodes opposed to each other and a sheet-shaped sealing material 106 so as to seal the light-emitting element, a second sticking process of sticking the support substrate 104 stuck with the sealing material 106 to the sealing base material 105 in a decompressed state through the sealing material 106, and an integrating process of integrating the support substrate 104 and the sealing base material 105 stuck together through the sealing material. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、自発光パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a self-luminous panel.

従来、対向する一対の電極とこの電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、自発光素子を支持する支持基板と、支持基板に対し発光層を介して対向する封止基材と、支持基板と封止基材との間に設けられて自発光素子を封止するとともに支持基板と封止基板との間に充填される状態で支持基板と封止基板とを貼り合せる封止材と、を備える自発光パネルがある。   Conventionally, a self-luminous element comprising a pair of opposed electrodes and a light-emitting layer sandwiched between the electrodes, a support substrate that supports the self-light-emitting element, and a sealing substrate that faces the support substrate via the light-emitting layer And sealing the self-luminous element provided between the support substrate and the sealing substrate and bonding the support substrate and the sealing substrate in a state of being filled between the support substrate and the sealing substrate. And a self-luminous panel.

このような自発光パネルの封止としては、例えば、シート(フィルム)状の封止材を用いて自発光素子を封止する封止方法がある。該封止方法では、自発光素子を封止するようにシート状の封止材を支持基板に貼り合わせた後に、封止材が貼り合わせられた支持基板と、封止基材とを貼り合わせて一体化する。なお、封止材が貼り合わせられた封止基材と支持基板とを貼り合わせるようにしてもよい。   As sealing of such a self-light-emitting panel, for example, there is a sealing method in which a self-light-emitting element is sealed using a sheet (film) -like sealing material. In this sealing method, a sheet-like sealing material is bonded to a support substrate so as to seal the self-light emitting element, and then the support substrate to which the sealing material is bonded and the sealing base material are bonded together. And integrate. Note that the sealing base material to which the sealing material is bonded may be bonded to the support substrate.

自発光素子の封止にシート(フィルム)状の封止材を用いることにより、液体状の樹脂を用いて発光層を封止する封止法(例えば、特許文献1参照。)を用いた場合よりも工程を簡略化することができる。このシート(フィルム)状の封止材を用いた封止法では、例えば熱硬化型樹脂によって形成された封止材を用いて、この封止材を加熱することにより、自発光素子と封止基材とを封止材を介して一体化している。   When a sealing method (for example, refer to Patent Document 1) in which a light emitting layer is sealed with a liquid resin by using a sheet (film) -like sealing material for sealing a self-luminous element. As a result, the process can be simplified. In the sealing method using this sheet (film) -like sealing material, for example, the sealing material formed by thermosetting resin is used to heat the sealing material, thereby sealing the self-luminous element. The base material is integrated with the sealing material.

特開2002−216950号公報JP 2002-216950 A

しかしながら、シート(フィルム)状の封止材を用いて自発光素子を封止する場合、封止材がシート状やフィルム状といった一定の形状を保持する固体であるため、封止材あるいは支持基板の貼り合せ面に凹凸があると、貼り合わせられた封止材と支持基板との間に気泡ができるという問題が一例として挙げられる。   However, when sealing a self-luminous element using a sheet (film) -shaped sealing material, the sealing material is a solid that maintains a certain shape such as a sheet shape or a film shape. As an example, there is a problem in that bubbles are formed between the bonded sealing material and the support substrate when there are irregularities on the bonded surface.

また、一体化に際して封止材を硬化するために加熱すると、封止材を形成する材料中に混在する溶媒や水または反応生成ガスなどが気化し、封止材と、支持基板あるいは自発光素子との間で気泡が生じるという問題が一例として挙げられる。封止材を封止基材に貼り付ける場合も同様に、封止材と支持基板との間に気泡が残るという問題を生じる。更に、上記の気化した溶媒、水、反応生成ガスなどが自発光素子の劣化因子などとなる恐れがある。   Further, when heating is performed to cure the sealing material at the time of integration, the solvent, water, or reaction product gas mixed in the material forming the sealing material is vaporized, and the sealing material and the support substrate or the self-luminous element An example of the problem is that bubbles are generated between the two. Similarly, when the sealing material is affixed to the sealing substrate, there is a problem that bubbles remain between the sealing material and the support substrate. Furthermore, the above-mentioned vaporized solvent, water, reaction product gas, and the like may be a deterioration factor of the self-luminous element.

また、このような気泡が封止材と自発光素子との間に発生すると、気泡に含まれる溶媒や水分が発光層に悪影響を及ぼし、自発光パネルの発光性能を低下させるという問題が一例として挙げられる。上記各種の問題は、封止材を封止基材に貼り付ける場合も同様に生じる。   In addition, when such bubbles are generated between the sealing material and the self-light-emitting element, a problem that the solvent or moisture contained in the bubbles adversely affects the light-emitting layer and lowers the light-emitting performance of the self-light-emitting panel is an example. Can be mentioned. The various problems described above also occur when the sealing material is attached to the sealing substrate.

請求項1の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、支持基板と、支持基板上に対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、前記封止材と前記支持基板とを、前記自発光素子を封止するように貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、前記第1の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた支持基板と前記封止基材とを、前記封止材を介して減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、前記第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a self-luminous panel manufacturing method comprising: a support substrate; a self-luminous element including a pair of electrodes opposed to the support substrate; and a light-emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; A sealing base material facing the substrate via the self-light-emitting element; and a sealing material provided between the support substrate and the sealing base material for sealing the self-light-emitting element. In the method for manufacturing a light-emitting panel, in the first bonding step, the sealing material and the support substrate are bonded to seal the self-light-emitting element, and the sealing material is used in the first bonding step. A second bonding step of bonding the supporting substrate and the sealing base material bonded together in a reduced pressure state through the sealing material, and the support bonded in the second bonding step A substrate and the sealing substrate; Characterized in that it comprises a and a integration step of integrating through.

請求項2の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、支持基板と、支持基板上に対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、前記封止材と前記封止基材とを貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、前記第1の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた封止基材と前記支持基板とを、前記封止材を介して前記自発光素子を封止するように減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、前記第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a self-luminous panel manufacturing method comprising: a support substrate; a self-luminous element including a pair of electrodes opposed to the support substrate; and a light-emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; A sealing base material facing the substrate via the self-light-emitting element; and a sealing material provided between the support substrate and the sealing base material for sealing the self-light-emitting element. In the manufacturing method of a light emitting panel, the 1st bonding process which bonds the said sealing material and the said sealing base material, and the sealing base material on which the said sealing material was bonded together in the said 1st bonding process And the support substrate are bonded together in the second bonding step, a second bonding step in which the self-luminous element is sealed through the sealing material in a reduced pressure state. A supporting substrate and the sealing substrate, the sealing material Characterized in that it comprises a and a integration step of integrating over.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる自発光パネルの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。   Exemplary embodiments of a method for manufacturing a self-luminous panel according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

(実施の形態)
まず、この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成について説明する。図1は、この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成の一例を示す側面図である。図1に示すように、自発光パネル100は、一対の電極101(101a,101b)と発光層102とを備える自発光素子103と、支持基板104と、封止基材105と、封止材106と、を有している。
(Embodiment)
First, the configuration of the self-luminous panel according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a side view showing an example of the configuration of the self-luminous panel according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a self-luminous panel 100 includes a self-luminous element 103 including a pair of electrodes 101 (101a and 101b) and a light-emitting layer 102, a support substrate 104, a sealing substrate 105, and a sealing material. 106.

自発光素子103は、対向する一対の電極101と、一対の電極101間に挟持された発光層102とによって構成されている。一対の電極101および発光層102は、支持基板104上に設けられている。一対の電極101は、支持基板104の厚み方向に沿って対向するように設けられている。このため、一対の電極101および発光層102は、支持基板104の厚み方向に沿って積層された状態で支持基板104によって支持されている。封止基材105は、支持基板104の自発光素子103側に対向して配置される。   The self-light-emitting element 103 includes a pair of electrodes 101 facing each other and a light-emitting layer 102 sandwiched between the pair of electrodes 101. The pair of electrodes 101 and the light emitting layer 102 are provided on the support substrate 104. The pair of electrodes 101 are provided so as to face each other along the thickness direction of the support substrate 104. For this reason, the pair of electrodes 101 and the light emitting layer 102 are supported by the support substrate 104 in a state of being stacked along the thickness direction of the support substrate 104. The sealing substrate 105 is disposed to face the self-light emitting element 103 side of the support substrate 104.

封止材106は、支持基板104と封止基材105との間に設けられ、自発光素子103を封止する。例えば、自発光素子103として有機EL素子を用いた場合、大気中に含まれる酸素や水分から自発光素子103を保護するため、この自発光素子103を外気に対して封止する必要がある。本実施の形態においては、封止基材105および封止材106を用いて、全面に亘って貼り合せることで自発光素子103を封止している。   The sealing material 106 is provided between the support substrate 104 and the sealing base material 105 and seals the light emitting element 103. For example, when an organic EL element is used as the self light emitting element 103, it is necessary to seal the self light emitting element 103 from the outside air in order to protect the self light emitting element 103 from oxygen and moisture contained in the atmosphere. In this embodiment mode, the self-luminous element 103 is sealed by bonding over the entire surface using the sealing base material 105 and the sealing material 106.

固体の封止材を用いることにより、液体(形状の保持が困難なもの)を用いて自発光素子103を封止する封止法に比して工程を簡易化することができる。本実施の形態の封止材106は、シート(フィルム)状に成形されている。   By using a solid sealing material, the process can be simplified as compared with a sealing method in which the self-light-emitting element 103 is sealed using a liquid (which is difficult to maintain the shape). The sealing material 106 of the present embodiment is formed into a sheet (film) shape.

次に、この発明の実施の形態にかかる自発光パネル100の製造方法について説明する。図示を省略するが、自発光パネル100の製造に際しては、まず、支持基板104上に、一対の電極101のうちの一方の電極101aを形成する。この電極101aの上に発光層102を形成し、発光層102の上に一対の電極101のうちの他方の電極101bを形成して、自発光素子103を形成する。   Next, a method for manufacturing the self-luminous panel 100 according to the embodiment of the present invention will be described. Although illustration is omitted, when the self-luminous panel 100 is manufactured, first, one electrode 101 a of the pair of electrodes 101 is formed on the support substrate 104. A light-emitting layer 102 is formed over the electrode 101 a, and the other electrode 101 b of the pair of electrodes 101 is formed over the light-emitting layer 102 to form the self-light-emitting element 103.

図2−1は、この発明の実施の形態にかかる第1の貼り合わせ工程を示す側面図である。図2−1に示すように、自発光素子103が形成された支持基板104に対し、自発光素子103の上面からこの自発光素子103を覆うようにラミネータなどを用いて封止材106を貼り合わせる。   FIGS. 2-1 is a side view which shows the 1st bonding process concerning embodiment of this invention. FIGS. As illustrated in FIG. 2A, a sealing material 106 is attached to the support substrate 104 on which the self light emitting element 103 is formed using a laminator or the like so as to cover the self light emitting element 103 from the upper surface of the self light emitting element 103. Match.

図2−2は、この発明の実施の形態にかかる第2の貼り合わせ工程を示す側面図である。図2−2に示すように、第2の貼り合わせ工程では、第1の貼り合わせ工程において封止材106が貼り合わせられた支持基板104と封止基材105とを、封止材106を介して減圧状態で貼り合わせる。この第2の貼り合わせ工程では、支持基板104と封止基材105とを密着する方向に加圧する。また、第2の貼り合わせ工程では、互いに貼り合わせられる面201,202が平行になり、かつ対向するように支持基板104と封止基材105とを保持する。そして、対向する面201,202が近付く方向に支持基板104と封止基材105とを貼り合わせる。   FIGS. 2-2 is a side view which shows the 2nd bonding process concerning embodiment of this invention. FIGS. As shown in FIG. 2-2, in the second bonding step, the support substrate 104 and the sealing base material 105 to which the sealing material 106 is bonded in the first bonding step are replaced with the sealing material 106. Pasted together under reduced pressure. In the second bonding step, pressure is applied in a direction in which the support substrate 104 and the sealing base material 105 are in close contact with each other. In the second bonding step, the support substrate 104 and the sealing base material 105 are held so that the surfaces 201 and 202 to be bonded to each other are parallel and face each other. And the support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded together in the direction in which the opposing surfaces 201 and 202 approach.

図2−3は、この発明の実施の形態にかかる一体化工程を示す側面図である。図2−3に示すように、第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板104と封止基材105とを、封止材106を介して一体化する。この一体化工程は、減圧状態で行う。ここでいう減圧状態とは、真空状態を含んだ10〜10-6Paの範囲の気圧状態のことである。通常、約10〜10-2Paの範囲の気圧状態を陰圧状態、約10-2〜10-6Paの範囲の気圧状態を真空状態と呼称している。また、封止材106から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は、減圧状態から大気圧に変えることもできる。この一体化工程は、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つ、あるいは順次組み合わせた環境下で行う。さらに、一体化工程においては、支持基板104と封止基材105とを密着する方向に加圧してもよい。 FIG. 2-3 is a side view showing the integration process according to the embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 2C, the support substrate 104 and the sealing base material 105 that are bonded together in the second bonding step are integrated via the sealing material 106. This integration step is performed under reduced pressure. Here, the reduced pressure state is a pressure state in a range of 10 to 10 −6 Pa including a vacuum state. Usually, a pressure state in the range of about 10 −10 −2 Pa is called a negative pressure state, and a pressure state in the range of about 10 −2 to 10 −6 Pa is called a vacuum state. Moreover, after the specific gas component discharged | emitted from the sealing material 106 becomes below a regulation amount, it can also change from a pressure reduction state to atmospheric pressure. This integration step is performed in an inert gas set to a reduced pressure state or an atmospheric pressure, or an inert gas set to a reduced pressure state, or in an environment where they are sequentially combined. Furthermore, in the integration step, the support substrate 104 and the sealing base material 105 may be pressurized in a direction in close contact.

このように、上記の製造方法によれば、第2の貼り合わせ工程において、封止材106が貼り合わせられた支持基板104と封止基材105とを、封止材106を介して真空中で貼り合わせることにより、工程の簡易化を実現できる。また、封止材106と封止基材105との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材106と封止基材105との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。   As described above, according to the above manufacturing method, in the second bonding step, the support substrate 104 and the sealing base material 105 to which the sealing material 106 is bonded are placed in a vacuum via the sealing material 106. The process can be simplified by bonding together. Further, generation of bubbles between the sealing material 106 and the sealing base material 105 can be prevented. As a result, it is possible to prevent poor adhesion due to a decrease in the bonding area between the sealing material 106 and the sealing substrate 105 and a decrease in light transmission efficiency.

また、上記の製造方法によれば、第2の貼り合わせ工程において、支持基板104と封止基材105とを密着する方向に加圧した場合には、支持基板104と封止基材105とを封止材106を介してより良好に密着させることができる。また、第2の貼り合わせ工程において、互いに貼り合わせられる面201,202が平行になりかつ対向するように支持基板104と封止基材105とを保持しつつ、対向する面201,202が近付く方向に支持基板104と封止基材105とを貼り合わせた場合には、貼り合わせの途中で封止材106に歪みを生じさせることがない。これによって、封止材106が歪むことによって封止材106の表面に凹凸が生じることを防止し、封止材106と封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   Further, according to the manufacturing method described above, when the supporting substrate 104 and the sealing base material 105 are pressed in a close contact direction in the second bonding step, the supporting substrate 104 and the sealing base material 105 Can be adhered more favorably through the sealing material 106. Further, in the second bonding step, the facing surfaces 201 and 202 approach each other while holding the support substrate 104 and the sealing base material 105 so that the surfaces 201 and 202 to be bonded to each other are parallel and facing each other. When the supporting substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded in the direction, the sealing material 106 is not distorted during the bonding. Thereby, it is possible to prevent the surface of the sealing material 106 from being uneven due to distortion of the sealing material 106, and to more reliably prevent the generation of bubbles between the sealing material 106 and the sealing base material 105. Can do.

特に、大型の自発光パネル100を製造する場合、封止基材105を撓ませる方法では封止基材105が大型となるために大掛かりな貼り合わせ用の装置が必要となるが、上記のように支持基板104と封止基材105とを平行に貼り合わせる製造方法によれば、封止基材105を撓ませることなく支持基板104と封止基材105とを貼り合わせることができることから、このような大掛かりな貼り合わせ用の装置を不要にできる。   In particular, when manufacturing a large self-luminous panel 100, the method of bending the sealing base material 105 requires a large bonding apparatus because the sealing base material 105 is large, as described above. According to the manufacturing method in which the support substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded in parallel, the support substrate 104 and the sealing substrate 105 can be bonded without bending the sealing substrate 105. Such a large-scale bonding apparatus can be dispensed with.

ところで、封止基材105を撓ませて貼り合わせる方法では、自発光パネル100を大型化した場合に、封止基材105を撓ませること自体が封止基材105を破損させる恐れがあるが、上記の製造方法によれば、封止基材105を撓ませずに行えるため、例えば大型テレビなどのような大型の自発光パネル100であっても、封止材106と封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。なお、貼り合わせに関する方法としては、支持基板104と封止基材105とを平行に貼り合わせる製造方法に限るものではなく、封止基材105を撓ませて自発光パネル100を製造する方法も含め、公知の各種技術を用いることが可能である。   By the way, in the method in which the sealing substrate 105 is bent and pasted, when the self-luminous panel 100 is enlarged, the bending of the sealing substrate 105 itself may damage the sealing substrate 105. According to the above manufacturing method, since the sealing substrate 105 can be performed without being bent, the sealing material 106 and the sealing substrate 105 can be used even for a large self-luminous panel 100 such as a large TV. Generation of bubbles between the two can be prevented more reliably. Note that the method for bonding is not limited to the manufacturing method in which the support substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded in parallel, and a method for manufacturing the self-luminous panel 100 by bending the sealing substrate 105 is also possible. Various known techniques can be used.

以上説明したように、本実施の形態の自発光パネル100の製造方法によれば、一体化工程を減圧状態で行った場合には、熱硬化に際して封止材106を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間から外へ引き出すことができるので、封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   As described above, according to the method for manufacturing self-luminous panel 100 of the present embodiment, when the integration process is performed in a reduced pressure state, the heat is generated from the resin forming sealing material 106 during thermosetting. Since the specific gas component can be drawn out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105, air bubbles between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105 can be extracted. Occurrence can be prevented more reliably.

さらに、一体化工程において、封止材106から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降に、減圧状態から大気圧に変えた場合には、封止材106に対し熱を良好に伝達することができるようになる。すなわち、減圧状態では支持基板104や封止基材105に熱源を直接接触させなくてはならないが、大気圧とすることにより自発光パネル100の周囲の気体(空気や不活性ガス)を加熱することで封止材106を加熱することができ、効率よく加熱を行うことができる。さらには、加熱のためにエネルギーを過度に消費することを防止して、製造コスト上昇を抑制することができるようになる。   Further, in the integration process, when the specific gas component discharged from the sealing material 106 becomes equal to or less than the specified amount and then the pressure is changed from the reduced pressure state to the atmospheric pressure, the heat to the sealing material 106 is improved. Be able to communicate. That is, in the reduced pressure state, the heat source must be brought into direct contact with the support substrate 104 and the sealing base material 105, but the gas (air or inert gas) around the self-luminous panel 100 is heated by setting the atmospheric pressure. Thus, the sealing material 106 can be heated, and the heating can be performed efficiently. Furthermore, excessive consumption of energy for heating can be prevented, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.

ところで、本実施の形態においては、上記の一体化工程を減圧状態で行うようにしたが、これに限るものではない。例えば、大気圧に設定された不活性ガス中で一体化工程を行った場合には、自発光素子103が完全に封止される前に酸素や水などが入り込んで自発光素子103の発光性能を低下させることを防止することができる。また、本実施の形態においては、一体化工程を減圧状態で行うようにしたが、これに限るものではなく、例えば、陰圧状態に設定された不活性ガス中で一体化工程を行った場合には、熱硬化に際して封止材106を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間から外へ引き出すことができるので、封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   By the way, in this Embodiment, although said integration process was performed in the pressure-reduced state, it does not restrict to this. For example, in the case where the integration process is performed in an inert gas set to atmospheric pressure, oxygen or water enters before the self-light-emitting element 103 is completely sealed, and the light-emitting performance of the self-light-emitting element 103 Can be prevented. Further, in the present embodiment, the integration process is performed in a reduced pressure state, but is not limited to this, for example, when the integration process is performed in an inert gas set in a negative pressure state In particular, the specific gas component generated from the resin forming the sealing material 106 at the time of thermosetting can be drawn out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105. Generation of bubbles between the material 106 and the support substrate 104 or the sealing substrate 105 can be prevented more reliably.

なお、本発明は、上述したような支持基板104にシート状の封止材106を貼り合わせてから支持基材105を貼り合わせる工程とするに限らない。まず、シート状の封止材106を封止基材105に貼り合わせてもよい。すなわち、封止基材105にシート状の封止材106を貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、封止材106が貼り合わせられた封止基材105と、支持基板104とを封止材106を介して減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、貼り合わせられた支持基板104および封止基材105を封止材106を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする製造方法によって自発光パネル100を製造してもよい。   Note that the present invention is not limited to the step of bonding the support base material 105 after the sheet-like sealing material 106 is bonded to the support substrate 104 as described above. First, the sheet-like sealing material 106 may be bonded to the sealing substrate 105. That is, the first bonding step in which the sheet-like sealing material 106 is bonded to the sealing substrate 105, the sealing substrate 105 in which the sealing material 106 is bonded, and the support substrate 104 are used as the sealing material. A second bonding step of bonding in a reduced pressure state through 106, and an integration step of integrating the bonded support substrate 104 and sealing base material 105 through the sealing material 106. The self-luminous panel 100 may be manufactured by a manufacturing method that is characterized.

このように、第1の貼り合わせ工程において封止基材にシート状の封止材を貼り合わせ、第2の貼り合わせ工程においてこの封止基材と支持基板とを封止材を介して減圧状態で貼り合わせることにより、固体の封止材を用いることによる工程の簡易化を実現しつつ、封止材106と支持基板および自発光素子103との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材106と支持基板および自発光素子103との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。   Thus, in the first bonding step, a sheet-like sealing material is bonded to the sealing substrate, and in the second bonding step, the sealing substrate and the support substrate are decompressed via the sealing material. By bonding in a state, it is possible to prevent generation of bubbles between the sealing material 106 and the support substrate and the self-light emitting element 103 while realizing simplification of the process by using a solid sealing material. . Accordingly, it is possible to prevent adhesion failure due to a decrease in the bonding area between the sealing material 106 and the support substrate and the self-light-emitting element 103 and a decrease in light transmission efficiency.

以上説明したように、本発明の実施の形態の自発光パネル100の製造方法によれば、気泡が発生しやすい第2の貼り合わせ工程を減圧状態で行うことにより、固体の封止材を用いることによる工程の簡易化を実現できる。また、自発光素子103内における気泡の発生を防止することができる。そして、封止材106に対する各部材の接着不良や、気泡の存在による光伝達効率の低下を防止することができる。   As described above, according to the method for manufacturing self-luminous panel 100 of the embodiment of the present invention, a solid sealing material is used by performing the second bonding step in which bubbles are easily generated in a reduced pressure state. Simplification of the process can be realized. In addition, generation of bubbles in the self-light emitting element 103 can be prevented. Further, poor adhesion of each member to the sealing material 106 and a decrease in light transmission efficiency due to the presence of bubbles can be prevented.

(自発光パネルの構成)
次に、この発明の実施例にかかる自発光パネルの構成について説明する。なお、この発明の実施例にかかる自発光パネルの外観構成は上述した図1に示す自発光パネルと同様であるためここでは図示を省略し、図1にしたがった符号を用いて説明する。
(Configuration of self-luminous panel)
Next, the structure of the self-luminous panel according to the embodiment of the present invention will be described. Since the external configuration of the self-light-emitting panel according to the embodiment of the present invention is the same as that of the self-light-emitting panel shown in FIG. 1 described above, the illustration is omitted here, and description will be made using the reference numerals according to FIG.

まず、本実施例における自発光パネル100が有する自発光素子103について説明する。本実施例における自発光パネル100が有する自発光素子103は、例えば電圧を印加することによって発生する電界エネルギーが加えられることにより、加えられた電界エネルギーを光の形態で放出するEL(Electro Luminescence)素子などが挙げられる。EL素子には、無機EL素子と有機EL素子とがあるが、本実施例では、有機EL素子を自発光素子103とした例を示す。   First, the self-light-emitting element 103 included in the self-light-emitting panel 100 in this embodiment will be described. The self-light-emitting element 103 included in the self-light-emitting panel 100 according to the present embodiment has an EL (Electro Luminescence) that emits the applied electric field energy in the form of light when, for example, electric field energy generated by applying a voltage is applied. An element etc. are mentioned. The EL element includes an inorganic EL element and an organic EL element. In this embodiment, an example in which the organic EL element is a self-luminous element 103 is shown.

有機EL素子は、有機EL(OEL)デバイス、有機発光ダイオード(OLED)デバイス、電場発光光源とも呼ばれることもあるが、本実施例においては有機EL素子として説明する。有機EL素子には、高分子材料を用いて形成されたものと、低分子材料を用いて形成されたものとがある。以降、本実施例では、一例として、低分子材料を用いて形成された有機EL素子を自発光素子103として用いた例について説明する。本実施例においては、一対の電極101および一対の電極101間の発光層102によって構成される素子構造を「有機EL素子」とする。   The organic EL element may be referred to as an organic EL (OEL) device, an organic light emitting diode (OLED) device, or an electroluminescent light source, but will be described as an organic EL element in this embodiment. Organic EL elements include those formed using high molecular materials and those formed using low molecular materials. Hereinafter, in this example, an example in which an organic EL element formed using a low molecular material is used as the self-luminous element 103 will be described as an example. In this embodiment, an element structure including the pair of electrodes 101 and the light emitting layer 102 between the pair of electrodes 101 is referred to as an “organic EL element”.

一般的に、有機EL素子は、アノード(陽極、正孔注入電極)とカソード(陰極、電子注入電極)との間に有機層を挟み込んだ構造を有している。ここで、有機層とは、発光層を含んでいる。有機EL素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入・輸送された電子とを有機層内(発光層)にて再結合させ、この再結合に際して発生する光を得ている。現在は、材料開発および製造プロセスの開発進捗などの背景から、有機層に低分子材料を用いたものがフルカラーディスプレイとして製品化されているが、本実施例においては低分子、高分子は問わない。   In general, an organic EL element has a structure in which an organic layer is sandwiched between an anode (anode, hole injection electrode) and a cathode (cathode, electron injection electrode). Here, the organic layer includes a light emitting layer. In the organic EL element, by applying a voltage to both electrodes, holes injected / transported from the anode into the organic layer and electrons injected / transported from the cathode into the organic layer are transmitted in the organic layer (light emitting layer). ), And light generated upon this recombination is obtained. Currently, products using low molecular weight materials in the organic layer have been commercialized as full-color displays due to the progress of material development and manufacturing process development, etc. .

有機EL素子は、各種機能を有する層を複数積層した構造である。有機EL素子における各層の積層構造としては、「下部電極(陽極)/正孔注入層/正孔輸送層/有機EL発光層/電子輸送層/電子注入層/上部電極(陰極)」という順序で積層された構造が一般的である。なお、本実施例においては電極101aによって下部電極が実現され、電極101bによって上部電極が実現されている。   The organic EL element has a structure in which a plurality of layers having various functions are stacked. The laminated structure of each layer in the organic EL element is in the order of “lower electrode (anode) / hole injection layer / hole transport layer / organic EL light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / upper electrode (cathode)”. A laminated structure is common. In this embodiment, the lower electrode is realized by the electrode 101a, and the upper electrode is realized by the electrode 101b.

有機EL素子における各層は、いずれも、単一の有機材料で形成されてもよいし、複数の材料を混ぜ合わせることによって形成されていてもよいし(混合層)、高分子バインダーの中に有機系あるいは無機系の機能材料を分散させたものでもよい。なお、機能材料としては、電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能などが挙げられる。   Each layer in the organic EL element may be formed of a single organic material, may be formed by mixing a plurality of materials (mixed layer), or organic in a polymer binder. A material in which a functional material of inorganic type or inorganic type is dispersed may be used. Examples of the functional material include a charge transport function, a light emission function, a charge blocking function, and an optical function.

有機EL素子における各層には、スパッタ法によって発光層102の上側に電極101bを形成する際に発光層102がダメージを受けないようにするためのバッファ機能や、発光層102の成膜プロセスによって発生する発光層102表面の凹凸を防止するための平坦化機能を有する層や有機EL素子を保護する、例えばSiNやSiONの無機膜などの保護層、およびこれらからなる複数の層が含まれていてもよい。   Each layer in the organic EL element is generated by a buffer function for preventing the light emitting layer 102 from being damaged when the electrode 101b is formed on the upper side of the light emitting layer 102 by sputtering, or by a film forming process of the light emitting layer 102. A layer having a planarizing function for preventing irregularities on the surface of the light emitting layer 102 to be protected, a protective layer such as an inorganic film of SiN or SiON, for example, and a plurality of layers made of these layers are included. Also good.

この他に、有機EL素子は、発光層102の上側に位置する電極を陽極とし、発光層102の下側に位置する電極を陰極としたものや、複数の層によって発光層102を構成したもの、発光色の異なる複数の発光層102を積層させたもの(SOLED:Stacked OLED)、カソードとアノードの間に図示しない電荷発生層を介在させたもの(マルチフォトン素子)、正孔輸送層などの層を省略したものや複数積層させたもの、有機層1層のみの素子構成のもの(各機能層を連続的に形成させる、層境界をなくしたもの)などもある。なお、本発明は、有機EL素子の構成を限定するものではない。   In addition, the organic EL element has an electrode located above the light emitting layer 102 as an anode and an electrode located below the light emitting layer 102 as a cathode, or a light emitting layer 102 composed of a plurality of layers. A stack of a plurality of light emitting layers 102 having different emission colors (SOLED: Stacked OLED), a structure in which a charge generation layer (not shown) is interposed between a cathode and an anode (multiphoton element), a hole transport layer, etc. There are those in which the layers are omitted, those in which a plurality of layers are laminated, and those in which the element structure is composed of only one organic layer (each functional layer is formed continuously, in which the layer boundary is eliminated). In addition, this invention does not limit the structure of an organic EL element.

次に、封止基材105について説明する。封止基材105は、支持基板104の発光層102側に対向して配置される。封止基材105を形成する材料としては、ソーダガラス,鉛ガラス,硬質ガラスなどのガラス基材、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリエチレンテレフタレート,ポリメチルメタクリレートなどのプラスチック基材、アルミニウム,ステンレスなどの金属基材などの各種の材料を用いることができる。封止基材105を形成する材料は、自発光素子103の構成に応じて適宜好適な材料を選択することが可能である。   Next, the sealing substrate 105 will be described. The sealing substrate 105 is disposed to face the light emitting layer 102 side of the support substrate 104. As a material for forming the sealing substrate 105, glass substrates such as soda glass, lead glass, and hard glass, plastic substrates such as polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and polymethyl methacrylate, and metal substrates such as aluminum and stainless steel. Various materials such as can be used. As a material for forming the sealing substrate 105, a suitable material can be appropriately selected according to the configuration of the self-light-emitting element 103.

例えば、自発光素子103が、支持基板104側と反対側から光を取り出すTop Emission構造の有機EL素子である場合、あるいは、支持基板104側とその反対側との両側から光を取り出すTOLED構造の有機EL素子である場合には、封止基材105を形成する材料として透明性が高い材料を用いること、該封止基材の厚さとして高透過率を有する厚さであることが好適である。これに対し、例えば、自発光素子103が、支持基板104側から光を取り出すBottom Emission構造の有機EL素子である場合には、透明性にかける金属基材などを封止基材105を形成する材料として用いても構わない。   For example, when the light-emitting element 103 is an organic EL element having a top emission structure that extracts light from the side opposite to the support substrate 104 side, or a TOLED structure that extracts light from both sides of the support substrate 104 side and the opposite side thereof. In the case of an organic EL element, it is preferable to use a highly transparent material as a material for forming the sealing substrate 105 and to have a thickness having a high transmittance as the thickness of the sealing substrate. is there. On the other hand, for example, when the self-light-emitting element 103 is an organic EL element having a bottom emission structure that extracts light from the support substrate 104 side, the sealing base material 105 is formed of a metal base material that is subjected to transparency. It may be used as a material.

次に、封止材106について説明する。封止材106は、支持基板104と封止基材105との間に設けられる。封止材106は、樹脂をシート(フィルム)状に成形することによって形成されている。封止材106は、表面に凹凸がなく(または少なく)、平坦性に優れていることが好適である。平坦性に優れた封止材を用いることにより、封止材106を支持基板104または封止基材105に貼り合わせる際に、支持基板104または封止基材105に対して密着する密着面において、支持基板104または封止基材105と封止材106との間に気泡が混入することを防止することができる。   Next, the sealing material 106 will be described. The sealing material 106 is provided between the support substrate 104 and the sealing base material 105. The sealing material 106 is formed by molding a resin into a sheet (film) shape. The sealing material 106 preferably has no flatness (or less) on the surface and is excellent in flatness. By using a sealing material having excellent flatness, when the sealing material 106 is bonded to the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105, the adhesive surface is in close contact with the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105. In addition, bubbles can be prevented from being mixed between the support substrate 104 or the sealing base material 105 and the sealing material 106.

封止材106の厚さは、残存応力が極力小さくなるように設定されていることが好適である。例えば、封止材106の形成時に内部応力が多く残されていると、経時に伴って或る一部分が伸びたり縮んだりしてしまう。このような封止材106を用いた場合、封止材106が自発光素子(有機EL素子)103に対して応力を及ぼし、経時に伴う封止材106の変化によって自発光パネル100における各層の積層状態が崩れたり、支持基板104や封止基材105に対する封止材106の密着性が低下して封止不良が発生したりするといった各種の問題が発生することが懸念される。すなわち、封止材106の厚さを、残存応力が極力小さくなるような厚さに設定することにより、このような問題を回避することができる。さらに該封止材の厚さを決定する他の要因、例えば該封止材中に残存する水分量を極力低減するような厚さに設定することも可能である。   The thickness of the sealing material 106 is preferably set so that the residual stress is as small as possible. For example, if a large amount of internal stress is left when the sealing material 106 is formed, a part of the stress expands or contracts with time. When such a sealing material 106 is used, the sealing material 106 exerts stress on the self-luminous element (organic EL element) 103, and each layer of the self-luminous panel 100 is changed by the change of the sealing material 106 with time. There is a concern that various problems such as collapse of the laminated state, and poor sealing due to a decrease in the adhesion of the sealing material 106 to the support substrate 104 and the sealing substrate 105 may occur. That is, such a problem can be avoided by setting the thickness of the sealing material 106 so that the residual stress becomes as small as possible. Furthermore, it is also possible to set the thickness so as to reduce as much as possible other factors that determine the thickness of the sealing material, for example, the amount of water remaining in the sealing material.

封止材106を形成する樹脂としては、例えば、ポリエステルアクリレート,ポリエーテルアクリレート,エポキシアクリレート,ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ,ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリエチレンテレフタレート,ポリメチルメタクリレート,ポリスチレン,ポリエーテルスルホン,ポリアリレート,ポリカーボネート,ポリウレタン,アクリル樹脂,ポリアクリルニトリル,ポリビニルアセタール,ポリアミド,ポリイミド,ジアクリルフタレート樹脂,セルロース系プラスチック,ポリ酢酸ビニル,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの2つまたは3つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。   As the resin forming the sealing material 106, for example, a radically radically polymerizable resin mainly composed of various acrylates such as polyester acrylate, polyether acrylate, epoxy acrylate, polyurethane acrylate, or a resin mainly composed of epoxy, vinyl ether, or the like. Photo-curing polymerizable resin, photo-curing resin such as thiol / ene addition type resin, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyethersulfone, polyarylate, polycarbonate, polyurethane, acrylic resin, Polyacrylonitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, diacryl phthalate resin, cellulosic plastic, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride And the like den, and thermoplastic resins such as those of two or more copolymers, such as thermosetting resins.

封止材106を形成する樹脂は、自発光パネル100の作製途中で劣化原因となるガスを発生しない(または発生量が少ない)ことや、周囲の温度や経時的に変形・収縮・膨張などの変化がほとんどないものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、支持基板104および封止基材105への密着性および接着性が良好であるという点から、封止材106を形成する樹脂としては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂が好適である。以降、本実施例においては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成された封止材106を用いた場合について説明する。   The resin forming the sealing material 106 does not generate a gas that causes deterioration during the production of the self-luminous panel 100 (or generates a small amount), and is deformed / shrinked / expanded over time or at an ambient temperature. If there is almost no change, it will not be specifically limited. However, from the viewpoint of good adhesion and adhesion to the support substrate 104 and the sealing substrate 105, the resin forming the sealing material 106 is a thermosetting resin that cures when heated. Is preferred. Hereinafter, in this embodiment, a case where a sealing material 106 formed of a thermosetting resin that is cured by heating is used will be described.

(自発光パネルの製造方法)
次に、この発明の実施例にかかる自発光パネル100の製造方法の一例について説明する。図3−1は、この発明の実施例にかかる自発光素子形成工程を示す側面図である。自発光パネル100の製造に際しては、まず、支持基板104上に自発光素子103を形成する自発光素子形成工程を行う。自発光素子形成工程では、まず、支持基板104に電極101aを形成し、その上に発光層102、電極101bを順次積層する。支持基板104上への自発光素子103の形成については公知の技術であるためここでは説明を省略する。
(Self-luminous panel manufacturing method)
Next, an example of a method for manufacturing the self-luminous panel 100 according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3A is a side view showing the self-luminous element forming step according to the embodiment of the present invention. In manufacturing the self-light-emitting panel 100, first, a self-light-emitting element forming step for forming the self-light-emitting element 103 on the support substrate 104 is performed. In the self light emitting element forming step, first, the electrode 101a is formed on the support substrate 104, and the light emitting layer 102 and the electrode 101b are sequentially stacked thereon. Since the formation of the self-light-emitting element 103 on the support substrate 104 is a known technique, the description thereof is omitted here.

図3−2は、この発明の実施例にかかる第1の貼り合わせ工程を示す側面図である。次に、自発光素子103が形成された支持基板104に対して、シート状の封止材106を自発光素子103を封止するように貼り合わせる第1の貼り合わせ工程を行う。支持基板104において封止材106を貼り合わせる面は、自発光素子103が形成されている面である。第1の貼り合わせ工程は、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれかの状態で行う。本実施例では減圧状態で行うものとする。   FIG. 3-2 is a side view showing the first bonding step according to the embodiment of the present invention. Next, the 1st bonding process which bonds the sheet-like sealing material 106 so that the self-light-emitting element 103 may be sealed with respect to the support substrate 104 in which the self-light-emitting element 103 was formed is performed. The surface on which the sealing material 106 is bonded to the support substrate 104 is a surface on which the self-light emitting element 103 is formed. The first bonding step is performed in any state of an inert gas set to a reduced pressure state, an atmospheric pressure, or an inert gas set to a reduced pressure state. In this embodiment, the operation is performed under reduced pressure.

支持基板104と封止材106との貼り合わせは、例えば、支持基板104と封止材106とを重ね合わせ、重ね合わされた支持基板104と封止材106とに対して幅方向の中央部から周辺部に向かって圧力を加えることによって行う。このとき、加圧に加えて、重ね合わされた支持基板104と封止材106とを加熱するようにしてもよい。第1の貼り合わせ工程は、例えば特開2002−361742号公報に開示されている技術を用いて行うことが可能であるが、支持基板104と封止材106との密着面に気泡や異物の混入を防ぐことが可能な方法であれば、特にこの方法に限定はされるものではない。   The support substrate 104 and the sealing material 106 are bonded to each other, for example, by overlapping the support substrate 104 and the sealing material 106 and from the center in the width direction with respect to the overlapped support substrate 104 and the sealing material 106. This is done by applying pressure towards the periphery. At this time, in addition to pressurization, the overlapped support substrate 104 and sealing material 106 may be heated. The first bonding step can be performed using, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361742. However, bubbles and foreign substances are not formed on the contact surface between the support substrate 104 and the sealing material 106. The method is not particularly limited as long as it can prevent mixing.

第1の貼り合わせ工程では、支持基板104と封止材106とを各々が密着する方向に加圧する。例えば、第1の貼り合わせ工程では、対向する一対のローラ301を用いて、重ね合わされた支持基板104と封止材106とをこのローラ301間を通過させることで、各々が密着する方向に支持基板104と封止材106とを加圧する。本実施例における第1の貼り合わせ工程は、支持基板104と封止材106との貼り合わせを、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれかの状態で行う。   In the first bonding step, the support substrate 104 and the sealing material 106 are pressurized in a direction in which they are in close contact with each other. For example, in the first bonding step, a pair of rollers 301 facing each other is used to pass the overlapped support substrate 104 and sealing material 106 between the rollers 301, thereby supporting each of them in close contact with each other. The substrate 104 and the sealing material 106 are pressurized. In the first bonding step in this embodiment, the bonding between the support substrate 104 and the sealing material 106 is performed in an inert gas set to a reduced pressure state, an atmospheric pressure, or an inert gas set to a reduced pressure state. Perform in any state in gas.

図3−3は、この発明の実施例にかかる第2の貼り合わせ工程を示す側面図である。次に、第1の貼り合わせ工程において封止材106が貼り合わせられた支持基板104と、封止基材105とを減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程を行う。本実施例では、第2の貼り合わせ工程を減圧状態で行う。この第2の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面201,202が平行になりかつ対向するように支持基板104と封止基材105とを保持しつつ、対向する面201,202が近付く方向に支持基板104と封止基材105とを貼り合わせる。   FIG. 3C is a side view of the second bonding step according to the embodiment of the present invention. Next, a second bonding step is performed in which the support substrate 104 to which the sealing material 106 is bonded in the first bonding step and the sealing base material 105 are bonded in a reduced pressure state. In this embodiment, the second bonding process is performed under reduced pressure. In the second bonding step, the opposing surfaces 201 and 202 approach each other while holding the support substrate 104 and the sealing base material 105 so that the surfaces 201 and 202 to be bonded to each other are parallel and facing each other. The support substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded together in the direction.

第2の貼り合わせ工程における支持基板104と封止基材105との貼り合わせは、例えば特開2002−216958号公報に開示されている技術を用いて行うことが可能であるが、封止材106と封止基材105との密着面に気泡や異物の混入を防ぐことが可能な方法でれば、特にこの方法に限定はされるものではない。加えて、第2の貼り合わせ工程においては封止材106を加温する。この加温に際しての温度は、封止材106に対して熱硬化反応を生じさせる程高い温度ではなく、支持基板104と封止基材105とが封止材106によって見かけ上一体化される程度に封止材106を軟化させる程度の温度まで封止材106が加温されればよい。   The support substrate 104 and the sealing substrate 105 in the second bonding step can be bonded using, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-216958. The method is not particularly limited to this method as long as it is a method capable of preventing air bubbles and foreign matters from entering the contact surface between the sealing substrate 106 and the sealing substrate 105. In addition, the sealing material 106 is heated in the second bonding step. The temperature at the time of heating is not so high as to cause a thermosetting reaction to the sealing material 106, but to the extent that the support substrate 104 and the sealing base material 105 are apparently integrated by the sealing material 106. It is sufficient that the sealing material 106 is heated to a temperature at which the sealing material 106 is softened.

図3−4は、この発明の実施例にかかる一体化工程を示す側面図である。次に、第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板104と封止基材105とを封止材106を介して一体化する一体化工程を行う。   FIGS. 3-4 is a side view which shows the integration process concerning the Example of this invention. FIGS. Next, an integration process is performed in which the support substrate 104 and the sealing base material 105 bonded in the second bonding process are integrated via the sealing material 106.

本実施例の封止材106は熱硬化型の樹脂によって形成されているため、一体化工程において封止材106を加熱すると、封止材106を形成する樹脂が熱硬化反応を起こす。この熱硬化反応過程において、封止材106を形成する熱硬化型の樹脂が、支持基板104、自発光素子103および封止基材105に接着しながら硬化するので、これによって自発光素子103が設けられた支持基板104と封止基材105とが封止材106を介して一体化される。このように封止材106を硬化(本実施例では熱硬化)させることで、封止材106の経時変化をなくす(あるいは低減する)ことができる。本実施例においては、この一体化工程を減圧状態で行う。   Since the sealing material 106 of this embodiment is formed of a thermosetting resin, the resin forming the sealing material 106 undergoes a thermosetting reaction when the sealing material 106 is heated in the integration process. In this thermosetting reaction process, the thermosetting resin forming the sealing material 106 is cured while adhering to the support substrate 104, the self-light-emitting element 103, and the sealing base material 105. The provided support substrate 104 and the sealing base material 105 are integrated via the sealing material 106. By thus curing the sealing material 106 (in this embodiment, thermosetting), it is possible to eliminate (or reduce) the temporal change of the sealing material 106. In this embodiment, this integration step is performed under reduced pressure.

封止材106の加熱方法は、ホットプレートなどの熱源に接触させた封止基材105を介して封止材106を加熱したり、赤外線を封止基材105に照射して封止基材105を加温することで封止材106を加熱したり、一体化工程を行う室内をヒーターなどで暖気することで封止材106を加熱したりするなどが挙げられる。封止材106の加熱方法は、封止材106を加熱し熱硬化反応させ、封止材106を形成する材料から排出される残留揮発成分を除去できれば上述した加熱方法に特に限定されるものではないが、封止材106に対して最近接に熱を加えられるという点から、上述した方法のうちではホットプレートなどの熱源に接触させる方法が好適である。   The sealing material 106 is heated by heating the sealing material 106 through the sealing base material 105 brought into contact with a heat source such as a hot plate or by irradiating the sealing base material 105 with infrared rays. For example, the sealing material 106 is heated by heating 105, or the sealing material 106 is heated by warming the room in which the integration process is performed with a heater or the like. The heating method of the sealing material 106 is not particularly limited to the above-described heating method as long as the residual volatile components discharged from the material forming the sealing material 106 can be removed by heating and sealing reaction. However, among the methods described above, a method of contacting a heat source such as a hot plate is preferable because heat can be applied closest to the sealing material 106.

また、本実施例における一体化工程においては、封止材106から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は雰囲気を不活性ガスで大気圧とする。ここで、特定ガス成分とは、一体化工程において加熱することにより封止材106を形成する樹脂が熱硬化反応(架橋反応)する際に発生するガス成分のうち、封止材106を形成する樹脂の種類に応じて設定された特定分子量のガス成分である。熱硬化型樹脂の熱硬化反応に際して発生するガス成分は、封止材106を形成する樹脂の種類によって異なるが、主に、該樹脂の合成時に使用した残存溶媒や水分などが気化したものである。樹脂の熱硬化反応に際して発生するガス成分の具体的な例として、例えば、メチルエチルケトン,トルエン,水,樹脂や添加剤の分解物などが挙げられる。   Further, in the integration process in the present embodiment, the atmosphere is set to atmospheric pressure with an inert gas after the specific gas component discharged from the sealing material 106 becomes equal to or less than the specified amount. Here, the specific gas component forms the sealing material 106 among the gas components generated when the resin forming the sealing material 106 is subjected to a thermosetting reaction (crosslinking reaction) by heating in the integration step. It is a gas component having a specific molecular weight set according to the type of resin. The gas component generated during the thermosetting reaction of the thermosetting resin varies depending on the type of resin forming the sealing material 106, but is mainly a residual solvent or moisture used during the synthesis of the resin. . Specific examples of gas components generated during the thermosetting reaction of the resin include, for example, methyl ethyl ketone, toluene, water, decomposition products of resins and additives, and the like.

さらに、一体化工程においては、支持基板104と封止基材105とを密着する方向に加圧する(図3−4参照)。このとき、支持基板104および封止基板105の面方向に対して垂直に、支持基板104および封止基板105の面全体に亘って均一に加圧する。加圧時間、圧力値などは気泡の発生度合いなどによって適宜調整することが可能であり、特に限定されるものではない。   Furthermore, in the integration step, pressure is applied in a direction in which the support substrate 104 and the sealing base material 105 are in close contact with each other (see FIG. 3-4). At this time, pressure is applied uniformly over the entire surface of the support substrate 104 and the sealing substrate 105 perpendicular to the surface direction of the support substrate 104 and the sealing substrate 105. The pressurization time, pressure value, and the like can be appropriately adjusted depending on the degree of bubble generation and are not particularly limited.

本実施例においては一体化工程を減圧状態で開始するようにしたが、これに限るものではなく、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧に設定された不活性ガス中で行ってもよい。さらに、例えば、一体化工程を大気圧に設定された不活性ガス中で開始する場合、熱硬化温度到達以降は減圧状態としてもよい。一方、例えば、一体化工程を減圧状態に設定された不活性ガス中で開始する場合、さらに、特定ガス成分が規定量以下となった以降に真空状態としてもよい。陰圧状態や真空状態にするタイミングや時間などは気泡の発生度合いなどによって適宜調整することが可能であり、特に限定されるものではない。   In the present embodiment, the integration process is started in a reduced pressure state, but is not limited to this, and is performed in an inert gas set to atmospheric pressure or in an inert gas set to reduced pressure. May be. Furthermore, for example, when the integration step is started in an inert gas set to atmospheric pressure, the pressure may be reduced after reaching the thermosetting temperature. On the other hand, for example, when the integration step is started in an inert gas set in a reduced pressure state, the vacuum process may be performed after the specific gas component has fallen below a specified amount. The timing and time of the negative pressure state and the vacuum state can be appropriately adjusted depending on the degree of bubble generation and are not particularly limited.

図4は、本実施例の自発光パネル100の製造方法が採りうる複数の工程を示す工程図である。本実施例の自発光パネルの製造方法においては、第1の貼り合わせ工程を、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つの環境下で行うことができる。一方、本実施例の自発光パネル100の製造方法においては、第2の貼り合わせ工程は、減圧状態のみで行う。   FIG. 4 is a process diagram showing a plurality of steps that can be taken by the method for manufacturing the self-luminous panel 100 of the present embodiment. In the method for manufacturing the self-luminous panel of this embodiment, the first bonding step is performed either in a reduced pressure state, in an inert gas set at atmospheric pressure, or in an inert gas set in a reduced pressure state. It can be done in one environment. On the other hand, in the method for manufacturing the self-luminous panel 100 of the present embodiment, the second bonding step is performed only in a reduced pressure state.

本実施例の自発光パネル100の製造方法においては、一体化工程を、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つの環境下で行う。一体化工程を減圧状態で行った場合には、そのまま最後まで減圧状態で処理を行う場合と、途中から減圧状態に設定された不活性ガス雰囲気にする場合と、あるいは大気圧に設定された不活性ガス雰囲気にする場合と、という3通りの手順を採ることができる。一方、一体化工程を大気圧に設定された不活性ガス中で行った場合には、減圧状態を陰圧状態に設定するか、真空状態まで減圧するかの2通りの手順を採ることができる。また、一体化工程を減圧状態に設定された不活性ガス中で行った場合には、その後真空状態まで減圧するか、大気圧に設定された不活性ガス雰囲気にする手順を採ることができる。   In the method for manufacturing the self-luminous panel 100 according to the present embodiment, the integration step is performed by any one of an inert gas set to a reduced pressure state, an atmospheric pressure, or an inert gas set to a reduced pressure state. Perform in the environment. When the integration process is performed in a reduced pressure state, the process is performed in the reduced pressure state as it is until the end, the inert gas atmosphere set in the reduced pressure state from the middle, or the inert gas atmosphere set in the atmospheric pressure. There are three procedures that can be used: an active gas atmosphere. On the other hand, when the integration step is performed in an inert gas set to atmospheric pressure, two procedures can be taken: setting the reduced pressure state to a negative pressure state or reducing the pressure to a vacuum state. . In addition, when the integration process is performed in an inert gas set to a reduced pressure state, a procedure for reducing the pressure to a vacuum state or setting an inert gas atmosphere set to an atmospheric pressure can be taken.

このように、本実施例の自発光パネル100の製造方法によれば、第1の貼り合わせ工程により、シート状の封止材106と支持基板104とを、自発光素子103を封止するように貼り合わせ、第2の貼り合わせ工程により、封止材106が貼り合わせられた支持基板104と封止基材105とを、封止材106を介して減圧状態で貼り合わせ、一体化工程により、第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板104および封止基材105を、封止材106を介して一体化する。このような封止法を用いることにより、工程の簡易化を実現しつつ、封止材106と封止基材105との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材106と封止基材105との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。   Thus, according to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of the present embodiment, the self-luminous element 103 is encapsulated with the sheet-like encapsulant 106 and the support substrate 104 in the first bonding step. The supporting substrate 104 and the sealing base material 105 to which the sealing material 106 is bonded in the second bonding process are bonded together in a reduced pressure state through the sealing material 106, and the integration process is performed. The support substrate 104 and the sealing substrate 105 bonded in the second bonding step are integrated through the sealing material 106. By using such a sealing method, it is possible to prevent the generation of bubbles between the sealing material 106 and the sealing substrate 105 while realizing simplification of the process. As a result, it is possible to prevent poor adhesion due to a decrease in the bonding area between the sealing material 106 and the sealing substrate 105 and a decrease in light transmission efficiency.

そして、第2の貼り合わせ工程において、支持基板104と封止材106とを密着する方向に加圧することにより、封止材106と封止基材105とを貼り合わせた直後に封止材106と封止基材105との間に気泡ができていた場合にも、その気泡を封止材106と封止基材105との間から外へ押し出すことができる。   Then, in the second bonding step, the sealing material 106 is pressed immediately after the sealing material 106 and the sealing base material 105 are bonded together by applying pressure in a direction in which the support substrate 104 and the sealing material 106 are in close contact with each other. Even when bubbles are formed between the sealing member 105 and the sealing substrate 105, the bubbles can be pushed out from between the sealing material 106 and the sealing substrate 105.

図5−1は、支持基板に対して封止基材を傾けた状態で貼り合わせる際の側面図であり、図5−2は、支持基板に封止基材105を貼り合わせた状態を示す側面図である。図5−1に示すように、支持基板104に対して封止基材105を傾けた状態として端部から徐々に貼り合わせて行く場合、封止材106が一方側から他方側に向かって押されながら貼り合わせが行われる。このため、図5−2に示すように、封止材106が歪んで封止材106の表面に凹凸が生じ、気泡501が発生することがある。   FIG. 5-1 is a side view when the sealing substrate is bonded to the support substrate in an inclined state, and FIG. 5-2 illustrates a state where the sealing substrate 105 is bonded to the support substrate. It is a side view. As shown in FIG. 5A, when the sealing base material 105 is inclined with respect to the support substrate 104 and is gradually pasted from the end, the sealing material 106 is pushed from one side to the other side. Bonding is performed while being done. For this reason, as shown in FIG. 5B, the sealing material 106 may be distorted to form irregularities on the surface of the sealing material 106, and bubbles 501 may be generated.

これに対し、本実施例の第2の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面201,202が平行になりかつ対向するように支持基板104と封止基材105とを保持しつつ、対向する面201,202が近付く方向に支持基板104と封止基材105とを貼り合わせるようにしている。これにより、封止材106に歪みを生じさせることがないので、封止材106の表面に凹凸が生じることを防止し、減圧状態での貼り合わせにより封止材106と封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   On the other hand, in the second bonding step of the present embodiment, the supporting substrate 104 and the sealing base material 105 are held so that the surfaces 201 and 202 to be bonded are parallel to each other and facing each other. The support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded together in a direction in which the surfaces 201 and 202 to be approached. Thereby, since the sealing material 106 is not distorted, the surface of the sealing material 106 is prevented from being uneven, and the sealing material 106 and the sealing base material 105 are bonded together in a reduced pressure state. It is possible to more reliably prevent the generation of bubbles between the two.

図5−3は、支持基板に対して封止基材を貼り合わせた他の状態を示す側面図である。図5−1に示したように、支持基板104に対して封止基材105を傾けた状態として端部から徐々に貼り合わせて行くと、図5−3に示すように、封止材106の厚さがパネル端部と中央部とで異なることがある。一つの自発光パネル100で封止材106の厚さが場所によって異なっていると、発光性能が場所によって異なることとなり、ひいては自発光パネル100の品質低下の原因となる。   FIG. 5-3 is a side view illustrating another state in which the sealing base material is bonded to the support substrate. As illustrated in FIG. 5A, when the sealing base material 105 is inclined with respect to the support substrate 104 and is gradually pasted from the end portion, as illustrated in FIG. The thickness of the panel may be different between the panel end and the center. If the thickness of the sealing material 106 varies depending on the location of one self-luminous panel 100, the light-emitting performance varies depending on the location, which in turn causes the quality of the self-luminous panel 100 to deteriorate.

これに対し、本実施例の第2の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面201,202が平行になりかつ対向するように支持基板104と封止基材105とを保持しつつ、対向する面201,202が近付く方向に支持基板104と封止基材105とを貼り合わせることにより、封止材106の厚さを自発光パネル100全体に亘って均一にすることができる。   On the other hand, in the second bonding step of the present embodiment, the supporting substrate 104 and the sealing base material 105 are held so that the surfaces 201 and 202 to be bonded are parallel to each other and facing each other. By bonding the support substrate 104 and the sealing base material 105 in a direction in which the surfaces 201 and 202 to be approached, the thickness of the sealing material 106 can be made uniform over the entire self-luminous panel 100.

ところで、支持基板104に対して封止基材105を端部から徐々に貼り合わせるために、封止基材105を撓ませながら行う方法があるが、この方法を用いて大型の自発光パネル100を製造するためには、大型化した封止基材105を撓ませるための大掛かりな貼り合わせ用の装置が必要となったり、大型化した封止基材105を撓ませるために封止基材105が破損したりすることが懸念される。   By the way, there is a method in which the sealing base material 105 is gradually bonded to the support substrate 104 from the end, while the sealing base material 105 is bent. In order to manufacture a large-scale sealing base material 105, a large-scale laminating apparatus is required to bend, or the large-sized sealing base material 105 is bent to be sealed. There is a concern that 105 may be damaged.

これに対し、本実施例の製造方法は、封止基材105に撓みを生じさせることなく支持基板104と封止基材105とを貼り合わせることができるので、例えば大型テレビなどの大型の自発光パネル100を製造する場合にも、サイズの大きな封止基材105を撓ませるための大掛かりな貼り合わせ用の装置を不要にできる。また、サイズの大きな封止基材105を撓ませることによる封止基材105の破損を懸念することなく、品質の良好な自発光パネル100を製造することができる。   On the other hand, the manufacturing method of the present embodiment can bond the support substrate 104 and the sealing base material 105 without causing the sealing base material 105 to bend. Even in the case of manufacturing the light emitting panel 100, it is possible to eliminate the need for a large bonding apparatus for bending the sealing substrate 105 having a large size. In addition, the self-luminous panel 100 with good quality can be manufactured without worrying about the damage of the sealing substrate 105 caused by bending the large-sized sealing substrate 105.

すなわち、本実施例の自発光パネル100の製造方法によれば、製造する自発光パネル100のサイズに左右されることなく、封止材106と封止基材105との間における気泡の発生を防止し、品質の良好な自発光パネル100を得ることができる。なお、製造方法としては、支持基板104と封止基材105とを平行に貼り合わせる製造方法に限るものではなく、封止基材105を撓ませて自発光パネル100を製造する方法も含め、公知の各種技術を用いることが可能である。   That is, according to the method for manufacturing the self-luminous panel 100 of the present embodiment, the generation of bubbles between the sealing material 106 and the sealing substrate 105 is not affected by the size of the self-luminous panel 100 to be manufactured. Thus, the self-luminous panel 100 with good quality can be obtained. The manufacturing method is not limited to the manufacturing method in which the support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded in parallel, and includes a method of manufacturing the self-luminous panel 100 by bending the sealing base material 105. Various known techniques can be used.

本実施例では、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材106を用いるとともに、一体化工程においては減圧状態で封止材106を加熱している。これにより、熱硬化に際して封止材106を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間から外へ引き出すことができるので、封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   In this embodiment, the sealing material 106 formed of a thermosetting resin is used, and the sealing material 106 is heated in a reduced pressure state in the integration step. As a result, the specific gas component generated from the resin forming the sealing material 106 at the time of thermosetting can be drawn out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105. Generation of bubbles between the material 106 and the support substrate 104 or the sealing substrate 105 can be prevented more reliably.

そして、この一体化工程に際し、封止材106から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は大気圧とすることにより、封止材106に対し良好に伝熱することができる。すなわち、減圧状態では支持基板104や封止基材105に熱源を直接接触させなくてはならないが、大気圧とすることにより自発光パネル100の周囲の気体(空気や不活性ガス)を介して伝熱することで封止材106を加熱することができ、効率よく加熱を行うことができる。さらには、加熱のためにエネルギーを過度に消費することを防止して、製造コストの上昇を抑制することができる。   And in this integration process, after the specific gas component discharged | emitted from the sealing material 106 becomes below a regulation amount, it can be favorably transferred with respect to the sealing material 106 by setting it as atmospheric pressure. In other words, in the reduced pressure state, the heat source must be brought into direct contact with the support substrate 104 and the sealing base material 105. However, by setting the atmospheric pressure, the gas around the self-luminous panel 100 (air or inert gas) is passed. By transferring the heat, the sealing material 106 can be heated, and the heating can be performed efficiently. Furthermore, it is possible to prevent excessive consumption of energy for heating and suppress an increase in manufacturing cost.

図6は、特定成分ガス量の経時変化を示す図表である。支持基板104と封止基材105とを貼り合わせた後に熱源に接触させた場合に封止材106から排出される特定成分ガス量の経時変化を示している。特定成分ガス量の経時変化の測定に際しては、まず、40℃程度に設定された熱源に、自発光パネル100における支持基板104を接触させる。接触させた直後に排出されるガス量を1.0、時間を0と定義する。図6においては、時間0から熱源の温度を封止材の硬化温度100℃程度まで上げ、封止材の硬化温度に保持した時に検出されたガス量の経時変化を示している。図6から判るように、封止材106から排出される特定成分ガス量は、一定期間上昇しピーク点である10分を過ぎた後徐々に低下し、40分以降はほぼ一定量となる。   FIG. 6 is a chart showing a change with time of the specific component gas amount. The figure shows the change over time in the amount of the specific component gas discharged from the sealing material 106 when the support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded together and then brought into contact with a heat source. When measuring the change with time of the specific component gas amount, first, the support substrate 104 in the self-luminous panel 100 is brought into contact with a heat source set at about 40 ° C. The amount of gas discharged immediately after contact is defined as 1.0, and the time is defined as 0. FIG. 6 shows the change over time in the amount of gas detected when the temperature of the heat source is increased from time 0 to the curing temperature of the sealing material of about 100 ° C. and held at the curing temperature of the sealing material. As can be seen from FIG. 6, the amount of the specific component gas discharged from the sealing material 106 increases for a certain period and gradually decreases after the peak point of 10 minutes, and becomes substantially constant after 40 minutes.

本実施例の自発光パネル100の製造方法によれば、例えば特定成分ガス量がピークとなる10分あるいは10〜40分までの間は減圧状態とすることで熱硬化反応によって封止材106から発生する特定ガス成分を外部へ排出するとともに、それ以降は大気圧とすることにより熱源からの熱を自発光パネル100全体に効率よく伝導し、良好な熱硬化反応を行わせることができる。   According to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of the present embodiment, for example, from the sealing material 106 by the thermosetting reaction by maintaining the reduced pressure state for 10 minutes or 10 to 40 minutes when the specific component gas amount reaches the peak. While discharging | emitting the specific gas component to generate | occur | produce outside and making it atmospheric pressure after that, the heat | fever from a heat source can be efficiently conducted to the self-light-emitting panel 100 whole, and a favorable thermosetting reaction can be performed.

一体化工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材106を用いるとともに、一体化工程においては大気圧に設定された不活性ガス中で封止材106を加熱することにより、自発光素子103が完全に封止される前に酸素や水などが入り込んで自発光素子103の発光性能を低下させることを防止することができる。   The integration step is not limited to being performed in a reduced pressure state. For example, while using the sealing material 106 formed of a thermosetting resin, the integration step is performed in an inert gas set to atmospheric pressure. By heating the sealing material 106 in this manner, it is possible to prevent the light emitting performance of the self light emitting element 103 from being deteriorated by oxygen or water entering before the self light emitting element 103 is completely sealed.

同様に、一体化工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材106を用いるとともに、一体化工程においては減圧状態に設定された不活性ガス中で封止材106を加熱することにより、熱硬化に際して封止材106を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間から外へ引き出すことができるので、封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。   Similarly, the integration process is not limited to being performed in a reduced pressure state. For example, a sealing material 106 formed of a thermosetting resin is used, and in the integration process, an unset pressure state is set. By heating the sealing material 106 in the active gas, a specific gas component generated from the resin that forms the sealing material 106 during thermosetting is transferred between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing substrate 105. Therefore, the generation of bubbles between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105 can be more reliably prevented.

また、一体化工程において、支持基板104と封止基材105とを密着する方向に加圧することにより、熱硬化に際して封止材106を形成する樹脂中から発生した特定ガス成分が封止材106と支持基板104あるいは封止基材105との間から外へ逃げようとして通過した経路が硬化途中の封止材106に形成された場合にも、この経路を押しつぶすことができるので、封止材106に特定ガス成分が通過した経路(パス)が残ってしまうことを防止することができる。   Further, in the integration step, the specific gas component generated from the resin forming the sealing material 106 at the time of thermosetting is pressurized by pressing in the direction in which the support substrate 104 and the sealing base material 105 are in close contact with each other. When the path that has passed through to escape from between the support substrate 104 and the sealing substrate 105 is formed in the sealing material 106 that is being cured, the path can be crushed. It is possible to prevent a path (path) through which the specific gas component has passed through 106 from remaining.

加えて、本実施例の自発光パネル100の製造方法によれば、第1の貼り合わせ工程を減圧状態で行うことにより、支持基板104と封止材106との間における気泡の発生を防止することができる。第1の貼り合わせ工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば第1の貼り合わせ工程を大気圧に設定された不活性ガス中で行った場合には、支持基板104と封止材106との間に酸素や水などが入り込んで自発光素子103の発光性能を低下させることを防止することができる。   In addition, according to the method for manufacturing the self-luminous panel 100 of the present embodiment, the first bonding step is performed in a reduced pressure state, thereby preventing generation of bubbles between the support substrate 104 and the sealing material 106. be able to. The first bonding step is not limited to being performed in a reduced pressure state. For example, when the first bonding step is performed in an inert gas set at atmospheric pressure, the first substrate is sealed with the support substrate 104. It can be prevented that oxygen, water, or the like enters between the material 106 and the light emitting performance of the self light emitting element 103 is deteriorated.

この他、例えば第1の貼り合わせ工程を陰圧状態に設定された不活性ガス中で行った場合には、封止材106と支持基板104との間に酸素や水などを含む気泡の発生を防止することができ、気泡に含まれる酸素や水などによって自発光素子103の発光性能が劣化することを防止することができる。   In addition, for example, when the first bonding step is performed in an inert gas set in a negative pressure state, bubbles including oxygen, water, and the like are generated between the sealing material 106 and the support substrate 104. It is possible to prevent the light emitting performance of the self light emitting element 103 from being deteriorated by oxygen or water contained in the bubbles.

自発光パネル100の製造は、一貫して同一の作業空間内で行ってもよいし、工程毎に作業空間を異ならせてもよいが、作業空間を異ならせるために搬送することによって異物混入などが懸念されることから、第1および第2の貼り合わせ工程までは同一の作業空間で行い、一体化工程を別の作業空間で行うことが好ましい。自発光パネル100の製造に際しては、例えば、不活性ガスで満たされた大気圧下の室内で封止材106を支持基板104へ貼り合わせた後に、作業空間内を加圧して密着を強化するなどのように、同一の作業空間内の圧力を変えるようにしてもよい。   The self-luminous panel 100 may be manufactured consistently in the same work space, or the work space may be different for each process. Therefore, it is preferable that the first and second bonding processes are performed in the same work space, and the integration process is performed in another work space. In manufacturing the self-luminous panel 100, for example, after the sealing material 106 is bonded to the support substrate 104 in a room under an atmospheric pressure filled with an inert gas, the working space is pressurized to enhance the adhesion. As described above, the pressure in the same work space may be changed.

なお、本実施例では、自発光素子103が設けられた支持基板104に封止材を貼り合わせ、その後封止基材105を貼り合わせるようにしたが、自発光パネル100の製造方法はこの工程順序に限るものではなく、封止材106を封止基材105に貼り合わせた後に自発光素子103が設けられた支持基板104を貼り合わせるようにしてもよい。この場合、封止基材105と支持基板104とを減圧状態で貼り合わせることにより、上述と同様の効果を得ることができる。   In this embodiment, the sealing material is bonded to the support substrate 104 provided with the self-light-emitting element 103, and then the sealing base material 105 is bonded, but the manufacturing method of the self-light-emitting panel 100 is this step. The order is not limited, and the support substrate 104 provided with the self-light-emitting element 103 may be bonded after the sealing material 106 is bonded to the sealing base material 105. In this case, the same effect as described above can be obtained by bonding the sealing substrate 105 and the support substrate 104 together in a reduced pressure state.

(具体例)
以下に、この発明の具体例としての自発光パネル100の製造方法について説明する。なお、この発明の具体例にかかる自発光パネル100は上述した図1に示す自発光パネル100と同様の構造であるため図示を省略する。
(Concrete example)
Below, the manufacturing method of the self-luminous panel 100 as a specific example of this invention is demonstrated. The self light emitting panel 100 according to the specific example of the present invention has the same structure as the self light emitting panel 100 shown in FIG.

(具体例1)
本発明の具体例1においては、支持基板104としてガラス基板を用いた。以降、このガラス基板には符号104付して説明する。本具体例1における自発光パネル100の製造に際しては、まず、前処理工程を行う。前処理工程では、ガラス基板104上に透明かつ導電性を有するインジウム錫酸化膜(ITO)をスパッタ法を用いて成膜する。つづいて、成膜したITOに対し、フォトリソ法を用いてパターニングを施す。また、ポジ型のポリイミドを用いて、ITO上に発光領域を予めパターニングする。一方、ネガ型のレジストを用いて、絶縁膜上にスピンコート法を用いて成膜、パターニングし、リブを設ける。ついで、ITO付きガラス基板をUVオゾン洗浄する。これによって、ガラス基板104上に電極(陽極)101aが形成される。
(Specific example 1)
In Example 1 of the present invention, a glass substrate was used as the support substrate 104. Hereinafter, the glass substrate will be described with reference numeral 104. In manufacturing the self-luminous panel 100 according to the first specific example, first, a pretreatment process is performed. In the pretreatment step, a transparent and conductive indium tin oxide film (ITO) is formed on the glass substrate 104 by a sputtering method. Subsequently, patterning is performed on the deposited ITO using a photolithography method. In addition, a light emitting region is previously patterned on ITO using positive polyimide. On the other hand, using a negative resist, a film is formed on the insulating film using a spin coating method and patterned to provide a rib. Next, the glass substrate with ITO is subjected to UV ozone cleaning. As a result, an electrode (anode) 101 a is formed on the glass substrate 104.

つづいて、成膜工程を行う。成膜工程では、まず、10-4Paまで真空排気した真空成膜装置内に上述の前処理工程後のガラス基板104を搬入する。このガラス基板104に対して、正孔注入層としてCuPcを50nmの厚さで積層し、正孔輸送層としてNPDを50nmの厚さで積層し、さらに、白色有機EL層として青色発光層とオレンジ色発光層とを積層させた。 Subsequently, a film forming process is performed. In the film forming process, first, the glass substrate 104 after the above-described pretreatment process is carried into a vacuum film forming apparatus evacuated to 10 −4 Pa. On this glass substrate 104, CuPc is laminated with a thickness of 50 nm as a hole injection layer, NPD is laminated with a thickness of 50 nm as a hole transport layer, and further, a blue light emitting layer and an orange are laminated as a white organic EL layer. A color light emitting layer was laminated.

白色有機EL層の積層に際しては、まず、青色発光層を積層する。本具体例においては、ホスト材としてのDPVBiに対して、ドーパントとしてのBCzVBiを1重量%混合した青色発光層を共蒸着によって50nmの厚さに成膜した。また、本具体例においては、ホスト材としてのAlq3 に対して、ドーパントとしてのDCMを1重量%混合したオレンジ色発光層を共蒸着によって50nmの厚さに成膜した。 When laminating the white organic EL layer, first, a blue light emitting layer is laminated. In this specific example, a blue light emitting layer in which 1 wt% of BCzVBi as a dopant was mixed with DPVBi as a host material was formed to a thickness of 50 nm by co-evaporation. In this specific example, an orange light emitting layer in which 1 wt% of DCM as a dopant was mixed with Alq 3 as a host material was formed to a thickness of 50 nm by co-evaporation.

さらに、成膜工程では、白色有機EL層の上側に、電子輸送層としてAlq3 を20nmの厚さで積層し、陰極としてAlを150nmの厚さで蒸着によって積層した。これによって、電極(陽極)101a上に発光層103である有機EL層は形成される。 Further, in the film forming step, Alq 3 was laminated as an electron transport layer with a thickness of 20 nm on the white organic EL layer, and Al was deposited as a cathode with a thickness of 150 nm by vapor deposition. Thereby, an organic EL layer which is the light emitting layer 103 is formed on the electrode (anode) 101a.

成膜工程を経たガラス基板104を、真空とされたチャンバーから真空とされた封止室へ搬送する。なお、封止室を含む、自発光パネル100の製造に際して用いる各装置については公知の技術であるため、ここでは図示および説明を省略する。   The glass substrate 104 that has undergone the film formation process is transported from a vacuum chamber to a vacuum sealing chamber. In addition, since it is a well-known technique about each apparatus used when manufacturing the self-light-emitting panel 100 including a sealing chamber, illustration and description are abbreviate | omitted here.

また、ガラス基板104を封止室内に搬送するまでに、該封止室内には、封止材106と封止基材105とを搬入しておく。本具体例においては、封止材106としてエポキシ樹脂によって形成された35μm厚のフィルムを用い、封止基材105として0.7mmの厚さのガラス基板(封止用ガラス基板)を用いた。以降、封止用ガラス基板には符号105を付して説明する。   In addition, the sealing material 106 and the sealing base material 105 are carried into the sealing chamber before the glass substrate 104 is transferred into the sealing chamber. In this specific example, a 35 μm-thick film formed of an epoxy resin was used as the sealing material 106, and a 0.7 mm thick glass substrate (sealing glass substrate) was used as the sealing substrate 105. Hereinafter, the sealing glass substrate will be described with reference numeral 105.

そして、封止用ガラス基板105に対して、密着面に気泡が混入しないように封止材106としてのフィルムをラミネ−タを用いて貼り合わせる。以降、フィルムには符号106を付して説明する。なお、封止用ガラス基板105と封止材106との貼り合わせは、ラミネ−タのロール温度を90℃に設定して行った。フィルム106と封止用ガラス基板105とを貼り合わせた後は、基板温度が40℃になるように基板ステージ温度を設定して封止室内のN2 ガスを排気し、10-2Paまで減圧する。なお、減圧を終えた段階では、フィルム106と封止用ガラス基板105との密着面内には気泡がないことを目視にて確認した。 Then, a film as the sealing material 106 is bonded to the sealing glass substrate 105 by using a laminator so that bubbles are not mixed into the contact surface. Hereinafter, the film will be described with reference numeral 106. The glass substrate 105 for sealing and the sealing material 106 were bonded together by setting the laminator roll temperature to 90 ° C. After the film 106 and the sealing glass substrate 105 are bonded together, the substrate stage temperature is set so that the substrate temperature becomes 40 ° C., the N 2 gas in the sealing chamber is exhausted, and the pressure is reduced to 10 −2 Pa. To do. In addition, at the stage where pressure reduction was completed, it was confirmed visually that there was no bubble in the contact | adherence surface of the film 106 and the glass substrate 105 for sealing.

減圧状態でフィルム106と成膜面とが対向するように封止用ガラス基板105と成膜工程を経たガラス基板104と重ね合わせ一体化させる。なお、一体化に際しては、専用の貼り合わせ装置を用いた。この貼り合わせ装置は公知の各種貼り合わせ装置を使用することが可能であり、本具体例1においては説明を省略する。   The sealing glass substrate 105 and the glass substrate 104 that has undergone the film formation process are overlapped and integrated so that the film 106 and the film formation surface face each other in a reduced pressure state. For the integration, a dedicated bonding apparatus was used. As this bonding apparatus, various known bonding apparatuses can be used, and a description thereof is omitted in this specific example 1.

一体化させた後、真空から10Paまで圧力を上げて更に90℃まで昇温し、陰圧状態で両基板のみを加圧する。該加圧を終えた段階で、封止用ガラス基板105と成膜工程を経たガラス基板104との密着面内には気泡がないことを目視にて確認した。   After the integration, the pressure is increased from vacuum to 10 Pa, the temperature is further increased to 90 ° C., and only both the substrates are pressurized in a negative pressure state. When the pressurization was completed, it was visually confirmed that there were no bubbles in the contact surface between the sealing glass substrate 105 and the glass substrate 104 that had undergone the film formation process.

次に、一体化させた有機EL表示装置を、ホットプレートが設置される加熱用チャンバーへ搬送する。搬送後、加熱用チャンバー内を排気し10-4Paの真空状態まで減圧する。真空状態に到達したら、100℃に安定させたホットプレートへ封止用ガラス基板105を接触させフィルム106を加熱し、十分にフィルム106の脱気および硬化を行う。フィルム106の脱気および硬化が完了したら、ホットプレートから自発光パネル100を脱離させる。この自発光パネル100を十分に冷却し、その後、自発光パネル100を加熱用チャンバーから封止室へ搬送する。そして、封止室において封止不良がないことを確認した自発光パネル100を大気中へ取り出した。 Next, the integrated organic EL display device is transferred to a heating chamber in which a hot plate is installed. After the transfer, the inside of the heating chamber is evacuated and decompressed to a vacuum state of 10 −4 Pa. When the vacuum state is reached, the glass substrate 105 for sealing is brought into contact with a hot plate stabilized at 100 ° C., the film 106 is heated, and the film 106 is sufficiently deaerated and cured. When the film 106 is completely degassed and cured, the self-luminous panel 100 is detached from the hot plate. The self light emitting panel 100 is sufficiently cooled, and then the self light emitting panel 100 is transported from the heating chamber to the sealing chamber. And the self-luminous panel 100 which confirmed that there was no sealing defect in the sealing chamber was taken out in air | atmosphere.

本具体例1においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル100を得ることができた。   In the present specific example 1, by manufacturing as described above, it was possible to obtain a self-luminous panel 100 having no light bubbles and good luminous performance.

(具体例2)
本具体例2においてはアクティブパネルのうちのボトムエミッション構造を有する自発光パネル100について説明する。なお、上述した具体例1と同一部分については説明を省略する。以下の具体例についても同様とする。
(Specific example 2)
In the second specific example, a self-luminous panel 100 having a bottom emission structure among active panels will be described. In addition, description is abbreviate | omitted about the same part as the specific example 1 mentioned above. The same applies to the following specific examples.

本発明の具体例2においては、まず、ガラス基板104上に固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工して、シリコン活性層を形成した。このシリコン活性層の上に、SiO2 によって形成されるゲート絶縁膜と、Alによって形成されるゲート電極とを形成した。次に、シリコン活性層に不純物をドープしてソース領域、チャンネル形成領域、ドレイン領域を形成した。これらの上全面にSiO2 の層間絶縁膜を形成した。そして、層間絶縁膜に有機EL発光の開口部となる部分をエッチング処理にて開口し、ITOの画素電極(下部電極)をスパッタ法にて成膜した。 In Example 2 of the present invention, first, a polycrystalline silicon thin film was formed on a glass substrate 104 by solid phase growth, and this polycrystalline silicon thin film was processed into an island shape to form a silicon active layer. A gate insulating film formed of SiO 2 and a gate electrode formed of Al were formed on the silicon active layer. Next, the silicon active layer was doped with impurities to form a source region, a channel formation region, and a drain region. An interlayer insulating film of SiO 2 was formed on the entire upper surface of these. Then, an opening portion for organic EL light emission was opened in the interlayer insulating film by an etching process, and an ITO pixel electrode (lower electrode) was formed by sputtering.

次に、窒化チタン膜を100nmの厚さに成膜した。これをエッチング処理して、ソース領域とドレイン領域とのITOに接続する部分に、窒化チタン膜よりなるバリアメタルと密着用金属とを同時に形成した。つづいて、Al膜を600nmの厚さに成膜し、このAl膜に対してエッチング処理を施して、ソース電極およびドレイン電極のAl配線を形成した。その後、TFTを被覆するようにSiO2 の保護膜を形成した。以降、具体例1と同様の製造プロセスにより、ガラス基板104上の電極101a上面に有機EL素子を形成し、封止を行った。 Next, a titanium nitride film was formed to a thickness of 100 nm. This was etched, and a barrier metal made of a titanium nitride film and a metal for adhesion were formed at the same time in the portion of the source region and drain region connected to ITO. Subsequently, an Al film was formed to a thickness of 600 nm, and this Al film was etched to form Al wirings for the source electrode and the drain electrode. Thereafter, a protective film of SiO 2 was formed so as to cover the TFT. Thereafter, an organic EL element was formed on the upper surface of the electrode 101a on the glass substrate 104 by a manufacturing process similar to that of Example 1, and sealing was performed.

本具体例2においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル100を得ることができた。   In this specific example 2, by manufacturing as described above, it was possible to obtain a self-luminous panel 100 having no light bubbles and good light emitting performance.

(具体例3)
本具体例3においてはアクティブパネルのうちのトップエミッション構造を有する自発光パネル100について説明する。
(Specific example 3)
In the third specific example, a self-luminous panel 100 having a top emission structure among active panels will be described.

本発明の具体例3においては、層間絶縁膜上にCrによって形成される反射層とITOによって形成される陽極(画素電極)としての電極101aとを積層させたこと、および、陰極としての電極101bはAl膜厚を2nmとしスパッタ法によりIZOを積層した以外は、具体例2と同様に行った。   In Example 3 of the present invention, a reflective layer formed of Cr and an electrode 101a as an anode (pixel electrode) formed of ITO are laminated on an interlayer insulating film, and an electrode 101b as a cathode Was the same as Example 2 except that the Al film thickness was 2 nm and IZO was laminated by sputtering.

本具体例3においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネルを得ることができた。   In this specific example 3, by producing as described above, a self-luminous panel having no light bubbles and good luminous performance could be obtained.

(具体例4)
本具体例4においては、特定の時間、大気圧もしくは陰圧状態で加熱することで脱気し、さらに加熱温度を上げ、かつ真空状態にすることで完全に脱気し、かつ、硬化した。具体的に、本具体例4においては、成膜工程を経たガラス基板104と封止用ガラス基板105とを一体化させる工程までは、上述した具体例2と同様の方法で行い、一体化させたガラス基板104と封止用ガラス基板105とを加熱用チャンバーへ搬送し、チャンバーの雰囲気を不活性ガスで満たしかつチャンバー内圧を約10Paまで排気した後、90℃で安定化させたホットプレートに封止用ガラス基板105を面接触させることでフィルム106を加熱した。
(Specific example 4)
In this specific example 4, deaeration was carried out by heating at atmospheric pressure or negative pressure for a specific time, and further, the heating temperature was raised and the deaeration was completely carried out by making a vacuum state, followed by curing. Specifically, in this specific example 4, the processes up to the step of integrating the glass substrate 104 and the sealing glass substrate 105 that have undergone the film forming process are performed in the same manner as in the above-described specific example 2 and integrated. The heated glass substrate 104 and the sealing glass substrate 105 are transported to a heating chamber, the chamber atmosphere is filled with an inert gas, and the internal pressure of the chamber is exhausted to about 10 Pa. Then, the hot plate is stabilized at 90 ° C. The film 106 was heated by bringing the sealing glass substrate 105 into surface contact.

つづいて、ホットプレートの温度を120℃まで徐々に昇温させながら、チャンバー内の不活性ガスを排気し、内圧が10-4Paとなるまで減圧した。10-4Paの真空状態に到達し十分経過した後、ホットプレートから自発光パネル100を脱離させ、十分冷却した後に封止室へ搬送した。封止室で封止不良がないことを確認した後、この自発光パネル100を大気中へ取り出した。 Subsequently, while the temperature of the hot plate was gradually raised to 120 ° C., the inert gas in the chamber was exhausted, and the pressure was reduced until the internal pressure reached 10 −4 Pa. After sufficiently reaching a vacuum state of 10 −4 Pa, the self-luminous panel 100 was detached from the hot plate, sufficiently cooled, and then transferred to the sealing chamber. After confirming that there was no sealing failure in the sealing chamber, the self-luminous panel 100 was taken out into the atmosphere.

本具体例4においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル100を得ることができた。   In the present specific example 4, by producing as described above, it was possible to obtain the self-luminous panel 100 having no emission of bubbles and good light emitting performance.

この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of a structure of the self-light-emitting panel concerning embodiment of this invention. この発明の実施の形態にかかる第1の貼り合わせ工程を示す側面図である。It is a side view which shows the 1st bonding process concerning embodiment of this invention. この発明の実施の形態にかかる第2の貼り合わせ工程を示す側面図である。It is a side view which shows the 2nd bonding process concerning embodiment of this invention. この発明の実施の形態にかかる一体化工程を示す側面図である。It is a side view which shows the integration process concerning embodiment of this invention. この発明の実施例にかかる自発光素子形成工程を示す側面図である。It is a side view which shows the self-light-emitting element formation process concerning the Example of this invention. この発明の実施例にかかる第1の貼り合わせ工程を示す側面図である。It is a side view which shows the 1st bonding process concerning the Example of this invention. この発明の実施例にかかる第2の貼り合わせ工程を示す側面図である。It is a side view which shows the 2nd bonding process concerning the Example of this invention. この発明の実施例にかかる一体化工程を示す側面図である。It is a side view which shows the integration process concerning the Example of this invention. 本実施例の自発光パネルの製造方法が採りうる複数の工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the several process which the manufacturing method of the self-light-emitting panel of a present Example can take. 支持基板に対して封止基材を傾けた状態で貼り合わせる際の側面図である。It is a side view at the time of bonding together in the state which inclined the sealing base material with respect to the support substrate. 支持基板に対して封止基材を貼り合わせた状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which bonded the sealing base material with respect to the support substrate. 支持基板に対して封止基材を貼り合わせた他の状態を示す側面図である。It is a side view which shows the other state which bonded the sealing base material with respect to the support substrate. 特定成分ガス量の経時変化を示す図表である。It is a graph which shows the time-dependent change of specific component gas amount.

符号の説明Explanation of symbols

100 自発光パネル
101 一対の電極
102 発光層
103 自発光素子
104 支持基板
105 封止基材
106 封止材

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Self-light emitting panel 101 A pair of electrode 102 Light emitting layer 103 Self-light-emitting element 104 Support substrate 105 Sealing base material 106 Sealing material

Claims (13)

支持基板と、支持基板上に形成した対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、
前記封止材と前記支持基板とを、前記自発光素子を封止するように貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、
前記第1の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた支持基板と前記封止基材とを、前記封止材を介して減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、
前記第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、
を含むことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
A self-light-emitting element comprising a support substrate, a pair of opposing electrodes formed on the support substrate, and a light-emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; and a seal facing the support substrate via the self-light-emitting element In a method for manufacturing a self-luminous panel, comprising a stop base material, a sealing material provided between the support substrate and the sealing base material and sealing the self-luminous element,
A first laminating step of laminating the sealing material and the support substrate so as to seal the self-luminous element;
A second bonding step in which the support substrate to which the sealing material is bonded in the first bonding step and the sealing base material are bonded in a reduced pressure state through the sealing material;
An integration step of integrating the support substrate and the sealing base material bonded together in the second bonding step via the sealing material;
The manufacturing method of the self-light-emitting panel characterized by including this.
支持基板と、支持基板上に形成した対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、
前記封止材と前記封止基材とを貼り合わせる第1の貼り合わせ工程と、
前記第1の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた封止基材と前記支持基板とを、前記封止材を介して前記自発光素子を封止するように減圧状態で貼り合わせる第2の貼り合わせ工程と、
前記第2の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、
を含むことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
A self-light-emitting element comprising a support substrate, a pair of opposing electrodes formed on the support substrate, and a light-emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; and a seal facing the support substrate via the self-light-emitting element In a method for manufacturing a self-luminous panel, comprising a stop base material, a sealing material provided between the support substrate and the sealing base material and sealing the self-luminous element,
A first bonding step of bonding the sealing material and the sealing substrate;
The sealing substrate to which the sealing material is bonded in the first bonding step and the support substrate are bonded together in a reduced pressure state so as to seal the self-luminous element through the sealing material. A second bonding step;
An integration step of integrating the support substrate and the sealing base material bonded together in the second bonding step via the sealing material;
The manufacturing method of the self-light-emitting panel characterized by including this.
前記第2の貼り合わせ工程は、前記支持基板と前記封止基材とを密着する方向に加圧することを特徴とする請求項1または2に記載の自発光パネルの製造方法。   3. The method for manufacturing a self-luminous panel according to claim 1, wherein in the second bonding step, pressure is applied in a direction in which the support substrate and the sealing base material are in close contact with each other. 前記第2の貼り合わせ工程は、互いに貼り合わせられる面が平行になりかつ対向するように前記支持基板と前記封止基材とを保持しつつ、互いに貼り合わせられる前記面が近付く方向に前記支持基板と前記封止基材とを貼り合わせることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。   The second bonding step includes holding the support substrate and the sealing substrate so that the surfaces to be bonded to each other are parallel and facing each other, and the support in the direction in which the surfaces to be bonded to each other approach each other. The method for manufacturing a self-luminous panel according to any one of claims 1 to 3, wherein a substrate and the sealing base material are bonded together. 前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
前記一体化工程は、減圧状態で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
The sealing material is formed of a thermosetting resin that is cured by being heated,
The said integration process is performed in a pressure-reduced state, The manufacturing method of the self-light-emitting panel as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
前記一体化工程は、前記封止材から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は減圧状態から大気圧にすることを特徴とする請求項5に記載の自発光パネルの製造方法。   6. The method for manufacturing a self-luminous panel according to claim 5, wherein the integration step changes the reduced pressure state to the atmospheric pressure after the specific gas component discharged from the sealing material becomes a specified amount or less. . 前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
前記一体化工程は、大気圧に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
The sealing material is formed of a thermosetting resin that is cured by being heated,
The said integration process is performed in the inert gas set to atmospheric pressure, The manufacturing method of the self-light-emitting panel as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
前記一体化工程は、減圧状態に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
The sealing material is formed of a thermosetting resin that is cured by being heated,
The self-luminous panel manufacturing method according to claim 1, wherein the integration step is performed in an inert gas set in a reduced pressure state.
前記一体化工程は、前記支持基板と前記封止材とを密着する方向に加圧することを特徴とする請求項5〜8のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。   The method for manufacturing a self-luminous panel according to any one of claims 5 to 8, wherein in the integration step, pressure is applied in a direction in which the support substrate and the sealing material are in close contact with each other. 前記第1の貼り合わせ工程は、減圧状態で行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。   The method for manufacturing a self-luminous panel according to any one of claims 1 to 9, wherein the first bonding step is performed in a reduced pressure state. 前記第1の貼り合わせ工程は、大気圧に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。   The self-luminous panel manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein the first bonding step is performed in an inert gas set to atmospheric pressure. 前記第1の貼り合わせ工程は、減圧状態に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。   The self-luminous panel manufacturing method according to claim 1, wherein the first bonding step is performed in an inert gas set in a reduced pressure state. 前記自発光素子は、有機EL素子である請求項1〜12のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。

The method for manufacturing a self-luminous panel according to any one of claims 1 to 12, wherein the self-luminous element is an organic EL element.

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