JP2006117791A - Method for producing polyimide film - Google Patents

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Yuji Otsuka
祐二 大塚
Kazuaki Kaneko
和明 金子
Masahiko Takeuchi
正彦 竹内
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Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a polyimide film having high flatness and being free of appearance defects such as wrinkles, cracks, and tears by means of a simple apparatus. <P>SOLUTION: What is provided is a method for producing a polyimide film comprising directly applying an organic solvent solution of a polyamic acid as a precursor of a polyimide to a support having a polyimide layer (B) on a metallic foil, heat-treating this together with the support at 200°C or higher to imidize the polyamic acid, releasing the imidized polyimide film (A) by peeling it from the support, wherein the polyimide layer situated at the face where the polyimide layer (B) comes into contact with the polyimide film (A) is a polyimide resin layer obtained from a tetracarboxylic acid compound containing 30 to 100 mol% pyromellitic dianhydride and a diamine. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ポリイミドフィルムの製造方法に関し、詳しくは簡便な装置を用いて平坦性が高く、皺、割れ、裂け等の外観上の不良がないポリイミドフィルムを得ることが可能なポリイミドフィルムの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a polyimide film, and in particular, a method for producing a polyimide film capable of obtaining a polyimide film having a high flatness using a simple apparatus and free from defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears. It is about.

ポリイミドフィルムは、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性、機械的特性等について優れた特性を有することが知られており、電気絶縁フィルム、断熱性フィルム、フレキシブル配線板のベースフィルム等に広く利用されている。特に、フレキシブル配線板の用途においては、銅箔を代表とする金属箔又は金属薄膜が積層された電気配線板の支持体として使用されている。また、ポリイミドフィルムを支持体とするフレキシブル配線板は折り曲げが可能であるため、小型電子機器へ多用されるようになり、フレキシブル配線板として重要な位置を占めるに至った。近年、電気配線板の用途の多様化と共に配線数の高密度化の進展に伴って、フレキシブル配線板のベースフィルムとしての力学的性質及びその面内等方性や寸法安定性の改善がより求められるようになった。   Polyimide films are known to have excellent properties such as heat resistance, chemical resistance, electrical insulation, and mechanical properties, and are widely used for electrical insulation films, heat insulation films, base films for flexible wiring boards, etc. Has been. In particular, in the use of a flexible wiring board, it is used as a support for an electric wiring board in which a metal foil or a metal thin film represented by a copper foil is laminated. Moreover, since the flexible wiring board which uses a polyimide film as a support body can be bent, it has been frequently used for small electronic devices, and has come to occupy an important position as a flexible wiring board. In recent years, with the diversification of applications of electrical wiring boards and the progress of higher density of wiring, the mechanical properties as the base film of flexible wiring boards and the improvement of its in-plane isotropy and dimensional stability are further demanded. It came to be able to.

ところで、一般的にポリイミドフィルムは、ポリイミドの先駆体であるポリアミック酸の有機溶媒溶液を支持体上に流延塗布し、加熱して自己支持性フィルムとなるまで溶剤を蒸発させ、支持体から自己支持性のポリアミック酸フィルムを剥離し、フィルム両端を把持しながら更に加熱して残存する溶剤の除去及びポリアミック酸のイミド化を完結する方法により製造される。しかしながら、従来公知の方法は支持体から剥離した自己支持性フィルムを加熱する際に、フィルムの収縮による皺や、フィルムの剛性による割れ、裂け等を生じることがあった。また、フィルム両端を把持しながら更に加熱して残存する溶剤の除去及びポリアミック酸のイミド化の完結はクリップやピンタイプのテンターによる連続把持機構を有する設備で実施されているが、熱処理温度が300℃以上、好ましくは400℃以上であることから非常に高価な設備が要求されている。さらに自己支持性フィルムは溶剤が可塑剤として作用するため、張力下での加熱処理により、フィルムの延伸が容易に発生する。従って、面内の等方性を得るため、支持体から単離したフィルムを加熱処理する際、延伸比率制御による面内配向度の調整が施されるのが通常である。   By the way, in general, a polyimide film is obtained by applying an organic solvent solution of polyamic acid, which is a polyimide precursor, onto a support, evaporating the solvent until it becomes a self-supporting film, The support polyamic acid film is peeled off, and further heated while gripping both ends of the film to complete the removal of the remaining solvent and the imidization of the polyamic acid. However, in the conventionally known method, when heating the self-supporting film peeled from the support, wrinkles due to shrinkage of the film, cracks due to film rigidity, tearing, and the like may occur. In addition, removal of the remaining solvent by heating while holding both ends of the film and completion of imidation of the polyamic acid are carried out in an equipment having a continuous holding mechanism with a clip or pin type tenter, but the heat treatment temperature is 300. Since the temperature is higher than 400 ° C., preferably higher than 400 ° C., very expensive equipment is required. Furthermore, since the solvent acts as a plasticizer in the self-supporting film, the film is easily stretched by heat treatment under tension. Therefore, in order to obtain in-plane isotropic properties, when the film isolated from the support is subjected to heat treatment, the in-plane orientation is usually adjusted by controlling the stretching ratio.

特許文献1においては、少なくとも一方向に延伸した自己支持性フィルムを、フィルムに残存する溶媒量がポリマー重量に対して10%以下になるまで乾燥させることにより、非拘束下で熱処理を行う方法が記載されているが、自己支持性フィルムを支持体より剥離し、拘束下にて乾燥を行うため、乾燥のための両端把持機構を備えた設備がやはり必要となる。また、特許文献2においては溶解可能な支持体上にポリアミック酸溶液を流延塗布し、完全に硬化させた後、該支持体を溶解除去する方法が報告されているが、支持体の溶解除去工程が必要となる上、薬液処理によるフィルムへの不純物の混入が避けられず、フィルム特性の低下が懸念される。更に、特許文献3では、支持体としてシリコン樹脂、フッ素樹脂あるいはアルキルリン酸アンモニウム塩類等の剥離剤を被覆した金属を用いることが報告されている。
特開2003−268132号公報 特開平7−76024号公報 特開昭61−55177号公報
In Patent Document 1, there is a method in which a self-supporting film stretched in at least one direction is dried until the amount of the solvent remaining in the film is 10% or less with respect to the polymer weight, whereby heat treatment is performed without restraint. Although described, the self-supporting film is peeled off from the support and is dried under restraint, so that equipment with both-end gripping mechanisms for drying is still required. Further, Patent Document 2 reports a method in which a polyamic acid solution is cast-coated on a dissolvable support and completely cured, and then the support is dissolved and removed. In addition to the need for a process, mixing of impurities into the film due to chemical treatment is unavoidable, and there is a concern about deterioration in film characteristics. Further, in Patent Document 3, it is reported that a metal coated with a release agent such as a silicon resin, a fluororesin or an ammonium ammonium phosphate is used as a support.
JP 2003-268132 A JP-A-7-76024 JP-A-61-55177

しかしながら、特許文献3で使用する剥離剤はポリアミック酸のイミド化を完結させるに必要な300℃以上の耐熱性は有しておらず、従って支持体ごとポリアミック酸のイミド化を完結させる温度まで加熱した場合、剥離剤のフィルムへの融着あるいは剥離剤の流動によるフィルム表面の荒れ等が発生し、外観的に好ましいフィルムを得ることは困難である。   However, the release agent used in Patent Document 3 does not have a heat resistance of 300 ° C. or higher necessary for completing imidization of the polyamic acid, and is therefore heated to the temperature at which the imidation of the polyamic acid is completed together with the support. In such a case, the surface of the film is roughened due to the fusion of the release agent to the film or the flow of the release agent, and it is difficult to obtain a film that is favorable in appearance.

本発明は、ポリイミドフィルムの製造において、両端把持装置ならびに延伸比率制御による面内配向度調整の技術を必要とせず、より簡便な装置により、平坦性が高く、皺、割れ、裂け等の外観上の不良がないポリイミドフィルムを得ることを目的とする。   The present invention does not require a both-end gripping device and a technique for adjusting the in-plane orientation degree by controlling the stretching ratio in the production of a polyimide film, and has a higher flatness and a higher appearance such as wrinkles, cracks and tears by a simpler device. An object is to obtain a polyimide film free from defects.

上記課題に鑑み検討を重ねた結果、表面に特定組成からなるポリイミド層を有する支持体上にポリアミック酸を塗布、加熱処理することでポリアミック酸のイミド化を完結させた後、支持体より引き剥がしてポリイミドフィルムを単離することで上記課題が解決し得ることを見出し、本発明に至った。   As a result of repeated studies in view of the above problems, polyamic acid is applied on a support having a polyimide layer having a specific composition on the surface, and after heat treatment, polyamic acid is imidized and then peeled off from the support. The inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by isolating the polyimide film, and have reached the present invention.

すなわち、本発明は、金属箔上にポリイミド層(B)を有する支持体上に、直接ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸の有機溶媒溶液を塗布し、これを支持体ごと200℃以上に加熱処理することにより前記ポリアミック酸をイミド化させた後、前記支持体よりポリイミドフィルム(A)を引き剥がし単離するポリイミドフィルムの製造方法であって、ポリイミド層(B)のポリイミドフィルム(A)との接触面に位置するポリイミド層が、ピロメリット酸二無水物を30〜100モル%含有するテトラカルボン酸化合物とジアミンから得られるポリイミド樹脂であることを特徴とするポリイミドフィルムの製造方法である。   That is, the present invention directly applies an organic solvent solution of polyamic acid, which is a precursor of polyimide, on a support having a polyimide layer (B) on a metal foil, and heat-treats this with the support to 200 ° C. or more. After the imidization of the polyamic acid, the polyimide film (A) is peeled off from the support to isolate the polyimide film (A) and the polyimide film (A) with the polyimide film (A) The polyimide layer located on the contact surface is a polyimide resin obtained from a tetracarboxylic acid compound containing 30 to 100 mol% of pyromellitic dianhydride and a diamine.

以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する支持体は、表面にポリイミド層(B)を有する金属箔で構成される。ポリイミド層は1層のみでもよく複数層有していてもよい。金属箔には、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、金、コバルト、チタン、タンタル、亜鉛、鉛、錫、シリコン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金などから選択される金属を挙げることができるが、特に高温処理に安定なものが好ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The support used in the present invention is composed of a metal foil having a polyimide layer (B) on the surface. The polyimide layer may be a single layer or a plurality of layers. For metal foil, copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zirconium, gold, cobalt, titanium, tantalum, zinc, lead, tin, silicon, bismuth, indium or alloys thereof Examples thereof include metals selected from such as those that are stable to high-temperature treatment.

これらの金属箔についてはポリイミド層(B)との接着力向上などを目的として、その表面にサイジング、クロムメッキ、ニッケルメッキ、クロム−ニッケルメッキ、銅−亜鉛合金メッキ、酸化銅析出、又はアルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤、トリアジンチオール類、ベンゾトリアゾール類、アセチレンアルコール類、アセチルアセトン類、カテコール類、o−ベンゾキノン類、タンニン類、キノリロール類などによって化学的あるいは表層粗化処理などの機械的な表面処理を施してもよい。   For these metal foils, sizing, chrome plating, nickel plating, chromium-nickel plating, copper-zinc alloy plating, copper oxide precipitation, or aluminum alcoholate on the surface for the purpose of improving the adhesive strength with the polyimide layer (B), etc. , Chemical or surface roughening treatment with aluminum chelates, silane coupling agents, triazine thiols, benzotriazoles, acetylene alcohols, acetylacetones, catechols, o-benzoquinones, tannins, quinololols, etc. Surface treatment may be performed.

また、熱処理の際に生じる応力により、皺又は反りが発生するのを防ぐため、金属箔の厚みは厚いものが好まれるが、取り扱いの容易さの観点から、10〜100μmが好ましい。ポリイミド層(B)の厚みは、上記応力による影響を防ぐため、金属箔に対して1/10〜1/2程度の厚みが好ましく、すなわち1〜50μmが好ましく、より好ましくは10〜40μmである。得られるポリイミドフィルム(A)の厚みには制限はないが、5〜50μm、好ましくは10〜40μmの範囲が適する。   Moreover, in order to prevent wrinkles or warpage from occurring due to stress generated during heat treatment, a thick metal foil is preferred, but from the viewpoint of ease of handling, 10 to 100 μm is preferred. In order to prevent the influence of the stress, the thickness of the polyimide layer (B) is preferably about 1/10 to 1/2 of the metal foil, that is, preferably 1 to 50 μm, more preferably 10 to 40 μm. . Although there is no restriction | limiting in the thickness of the polyimide film (A) obtained, The range of 5-50 micrometers, Preferably 10-40 micrometers is suitable.

ポリイミド層(B)は、その表面層(単層からなる場合はそれ自体の層を、複数の層からなる場合は金属箔と接する層とは反対側の外層)が、ピロメリット酸二無水物 (PMDA)を30モル%以上、好ましくは40モル%以上含有するテトラカルボン酸化合物とジアミノ化合物とを反応させて得られるポリイミド樹脂からなるポリイミド層(C)とすることが必要である。本発明においては、ポリイミド層(B)の表面層をポリイミド層(C)とすれば、ポリイミドフィルム(A)の種類が変化しても剥離を容易にできるという利点がある。ここで、使用されるテトラカルボン酸化合物に占めるピロメリット酸二無水物(PMDA)の含有量が30モル%に満たないと、支持体上に形成したポリイミドフィルム(A)の引き剥がしが容易ではなく、引き剥がす際に強い力を要するか、又は剥離自体が困難となる。   The polyimide layer (B) has pyromellitic dianhydride as its surface layer (if it consists of a single layer, its own layer, if it consists of multiple layers, the outer layer on the side opposite to the layer in contact with the metal foil) It is necessary to form a polyimide layer (C) composed of a polyimide resin obtained by reacting a tetracarboxylic acid compound containing (PMDA) of 30 mol% or more, preferably 40 mol% or more with a diamino compound. In the present invention, if the surface layer of the polyimide layer (B) is a polyimide layer (C), there is an advantage that peeling can be easily performed even if the type of the polyimide film (A) changes. Here, if the content of pyromellitic dianhydride (PMDA) in the tetracarboxylic acid compound used is less than 30 mol%, the polyimide film (A) formed on the support cannot be easily peeled off. In addition, a strong force is required for peeling, or peeling itself becomes difficult.

本発明においてポリイミドフィルム(A)及びポリイミド層(B)は、単層又は複数の層からなることができる。ポリイミドフィルム(A)及びポリイミド層(B)を構成するポリイミド樹脂は、ポリイミド層(B)の表面層のポリイミド層(C)、すなわちポリイミドフィルム(A)との接触面にピロメリット酸二無水物 (PMDA)の含有量が一定量以上使用されること以外は格別の制限はないが、ポリイミド層(B)は300℃以上の耐熱性を有することが好ましい。なお、ポリイミド層(B)はポリイミド層(C)のみからなっている場合は、ポリイミド層(B)はポリイミド層(C)でもある。なお、意外にもポリイミドフィルム(A)、すなわちイミド化されるポリアミック酸の種類が変化しても、適切なポリイミド層(B)は上記条件を満たすものとなる。   In the present invention, the polyimide film (A) and the polyimide layer (B) can be composed of a single layer or a plurality of layers. Polyimide resin constituting the polyimide film (A) and the polyimide layer (B) is a polyimide layer (C) of the polyimide layer (B), that is, pyromellitic dianhydride on the contact surface with the polyimide film (A). The polyimide layer (B) preferably has a heat resistance of 300 ° C. or higher, although there is no particular limitation except that the content of (PMDA) is not less than a certain amount. When the polyimide layer (B) is composed only of the polyimide layer (C), the polyimide layer (B) is also the polyimide layer (C). Surprisingly, even if the type of the polyimide film (A), that is, the polyamic acid to be imidized, changes, the appropriate polyimide layer (B) satisfies the above conditions.

なお、本発明でいうポリイミド樹脂とは、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンを重縮合させてなるポリイミド樹脂や、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンを重縮合させてなるイミド部位とアミック酸部位とを持つポリイミドアミック酸樹脂や、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンを重縮合させてなるポリアミック酸樹脂が代表的であるが、硬化後に繰返し単位中にイミド結合を有する樹脂であればよい。しかし、ポリイミド層(C)を構成するポリイミドはPMDAから生じる単位を所定量有する。   The polyimide resin referred to in the present invention is a polyimide resin formed by polycondensation of tetracarboxylic dianhydride and diamine, an imide portion formed by polycondensation of tetracarboxylic dianhydride and diamine, and an amic acid portion. Typical examples thereof include a polyamic acid resin having a polyamic acid resin and a polyamic acid resin obtained by polycondensation of tetracarboxylic dianhydride and diamine, but any resin having an imide bond in a repeating unit after curing may be used. However, the polyimide constituting the polyimide layer (C) has a predetermined amount of units derived from PMDA.

本発明で使用されるポリイミド樹脂又はその前駆体(ポリイミド層(B)のポリイミド樹脂及びポリイミドフィルム(A)樹脂となるポリアミック酸をいい、これらを総称してポリイミド系樹脂という)は、公知の方法で製造することができる。例えば、ほぼ等モルのテトラカルボン酸二無水物とジアミンを原料として溶液中でポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸を合成する。ポリイミドは、これを、イミド化反応によりポリイミドを生成する2段階で製造される。   The polyimide resin or precursor thereof used in the present invention (refers to the polyimide resin of the polyimide layer (B) and the polyamic acid to be the polyimide film (A) resin, these are collectively referred to as polyimide resin)) is a known method Can be manufactured. For example, polyamic acid, which is a precursor of polyimide resin, is synthesized in a solution using approximately equimolar amounts of tetracarboxylic dianhydride and diamine as raw materials. The polyimide is produced in two stages in which polyimide is produced by an imidization reaction.

原料のジアミノ化合物の例を挙げると、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレン-ジアミン、p-フェニレン-ジアミン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエタン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルエタン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルメタン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルメタン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノ-ジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノ-ジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、3,3'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3'-ジアミノ-ビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-ビフェニル、3,3'-ジメトキシ-ベンジジン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3'-ジアミノ-p-テルフェニル、ビス(p-アミノ-シクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノ-ペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノ-ペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノ-ナフタレン、2,6-ジアミノ-ナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノ-トルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレン-ジアミン、p-キシリレン-ジアミン、2,6-ジアミノ-ピリジン、2,5-ジアミノ-ピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンなどが挙げられる。これらのジアミノ化合物は1又は2種以上を使用することができる。   Examples of raw diamino compounds include 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4-diaminomesitylene, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene- 2,6-diethylaniline, 2,4-toluenediamine, m-phenylene-diamine, p-phenylene-diamine, 4,4'-diamino-diphenylpropane, 3,3'-diamino-diphenylpropane, 4,4 ' -Diamino-diphenylethane, 3,3'-diamino-diphenylethane, 4,4'-diamino-diphenylmethane, 3,3'-diamino-diphenylmethane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Propane, 4,4'-diamino-diphenyl sulfide, 3,3'-diamino-diphenyl sulfide, 4,4'-diamino-diphenyl Sulfone, 3,3'-diamino-diphenylsulfone, 4,4'-diamino-diphenyl ether, 3,3'-diamino-diphenyl ether, benzidine, 3,3'-diamino-biphenyl, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diamino-biphenyl, 3,3'-dimethoxy-benzidine, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diamino-p-terphenyl, bis (p-amino-cyclohexyl) methane, Bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-amino-pentyl) benzene, p-bis ( 1,1-dimethyl-5-amino-pentyl) benzene, 1,5-diamino-naphthalene, 2,6-diamino-naphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4- Diamino-toluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylene-diamine, p-xylylene-diamine, 2,6-diamino-pi Lysine, 2,5-diamino-pyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-amino) And phenoxy) benzene. These diamino compounds can use 1 type, or 2 or more types.

また、テトラカルボン酸化合物としては、ポリイミド層(C)を構成するポリイミドがPMDAを必須とする以外は、特に限定されるものではない。ポリイミド層(C) を構成するポリイミドについては、PMDAを40モル%以上必要とし、その他は以下に述べるようなテトラカルボン酸化合物を使用することができる。なお、テトラカルボン酸化合物はジアミンと反応してポリイミドを生成するものであればよく、二無水物には限定されないが、二無水物で使用されることが多いので、二無水物で代表して説明する。したがって、PMDAはピロメリット酸化合物を代表する意味に解される。   The tetracarboxylic acid compound is not particularly limited except that the polyimide constituting the polyimide layer (C) requires PMDA. With respect to the polyimide constituting the polyimide layer (C), 40 mol% or more of PMDA is required, and other tetracarboxylic acid compounds as described below can be used. The tetracarboxylic acid compound only needs to react with diamine to form a polyimide, and is not limited to dianhydrides, but is often used in dianhydrides. explain. Therefore, PMDA is understood to represent a pyromellitic acid compound.

PMDAは、ポリイミド層(C)を構成するポリイミド以外のポリイミド層又はポリアミック酸にも使用することができるが、それ以外のテトラカルボン酸化合物の例を挙げると、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。   PMDA can also be used for polyimide layers other than the polyimide constituting the polyimide layer (C) or polyamic acid, but other examples of tetracarboxylic acid compounds include 3,3 ′, 4,4 ′. -Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-benzophenone tetra Carboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5,6 -Tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6, 7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4,8- Dimethyl-1,2,3,5,6,7 -Hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1 , 4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-tetra Chloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-diphenyltetracarboxylic acid Dianhydride, 2,3,3 ', 4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3``, 4,4' '-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2' ' , 3,3``-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 '', 4 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3 -Dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxy Phenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, Bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1 , 1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride Perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride Anhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3, 4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4 , 5-tetracarboxylic dianhydride and the like.

これらのポリイミド系樹脂の合成は、公知の方法が利用できる。例えば、溶媒中で、ジアミノ化合物及びカルボン酸二無水物をほぼ等モルの割合で混合し、反応温度0〜200℃の範囲で、好ましくは0〜100℃の範囲で反応させて、ポリイミド樹脂の前駆体を得て、更に、これをイミド化することによりポリイミド系樹脂を得る方法がある。   A known method can be used to synthesize these polyimide resins. For example, in a solvent, a diamino compound and a carboxylic dianhydride are mixed at an approximately equimolar ratio and reacted in a reaction temperature range of 0 to 200 ° C., preferably in a range of 0 to 100 ° C. There is a method for obtaining a polyimide resin by obtaining a precursor and further imidizing it.

ポリイミド樹脂の前駆体の製造において用いられる有機溶媒は特に限定されるものではないが、樹脂成分を均一に溶解可能なものならば、1種類又は2種類以上を併用した混合溶媒であっても差し支えない。例えば、フェノール系溶媒、アミド系溶媒(ピロリドン系溶媒、アセトアミド系溶媒など)、オキサン系溶媒(ジオキサン、トリオキサンなど)、ケトン系溶媒(シクロヘキサノンなど)、グライム系溶媒(メチルジグライム、メチルトリグライムなど)などがある。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒やヘキサン、デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒を適宜混合し使用することもできる。   The organic solvent used in the production of the polyimide resin precursor is not particularly limited, but may be a mixed solvent of one type or two or more types as long as the resin component can be uniformly dissolved. Absent. For example, phenol solvents, amide solvents (pyrrolidone solvents, acetamide solvents, etc.), oxane solvents (dioxane, trioxane, etc.), ketone solvents (cyclohexanone, etc.), glyme solvents (methyl diglyme, methyl triglyme, etc.) )and so on. If necessary, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene and aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane and decane can be appropriately mixed and used.

本発明で使用する支持体の製造は、ポリイミド又は前駆体樹脂溶液を金属箔上に塗布、乾燥、熱処理することにより行うこともでき、ポリイミド前駆体樹脂溶液をイミド化させポリイミド系樹脂溶液とした後、金属箔上に塗布、乾燥、熱処理することもできる。金属箔上へポリイミド前駆体樹脂溶液又はポリイミド系樹脂溶液を塗布して形成したポリイミド系樹脂層は、乾燥し、前駆体樹脂層の場合はこれを更に、200℃以上、好ましくは300℃以上の加熱処理をしてイミド化反応を行う。樹脂層を多層に設ける場合は、複数の樹脂溶液を金属箔上に塗布して乾燥する操作を繰り返すか、あるいは、多層ダイなどにより同時に多層塗布して乾燥することにより、単層形成と同様にして、金属箔上に多層構造のポリイミド系樹脂層を形成できる。なお、多層に設ける場合は、多層塗布して乾燥されたものをまとめてイミド化することがよい。   The support used in the present invention can also be produced by applying a polyimide or precursor resin solution onto a metal foil, drying, and heat-treating. The polyimide precursor resin solution is imidized to obtain a polyimide resin solution. Then, it can also apply | coat, dry, and heat-process on metal foil. A polyimide resin layer formed by applying a polyimide precursor resin solution or a polyimide resin solution onto a metal foil is dried. In the case of a precursor resin layer, this is further 200 ° C. or higher, preferably 300 ° C. or higher. It heat-processes and imidation reaction is performed. When the resin layer is provided in multiple layers, repeat the operation of applying a plurality of resin solutions on the metal foil and drying, or by applying multiple layers simultaneously with a multi-layer die and drying, as in the case of single layer formation. Thus, a polyimide resin layer having a multilayer structure can be formed on the metal foil. In addition, when providing in a multilayer, it is good to imidize collectively what was apply | coated and dried in multiple layers.

本発明のポリイミドフィルムの製造方法は、(1)ポリイミドの前駆体樹脂であるポリアミック酸の有機溶媒溶液を支持体上に塗布する工程(塗布工程)、(2)これを支持体ごと加熱により溶媒の乾燥及びイミド化させる工程(乾燥・熱処理工程)、並びに(3)ポリイミドフィルムを支持体より剥離する工程(剥離工程)を含み、原則としてこの順序で行われる。   The method for producing a polyimide film of the present invention includes (1) a step of applying an organic solvent solution of polyamic acid, which is a precursor resin of polyimide, onto a support (application step), and (2) a solvent by heating the whole support. And (3) a step of peeling the polyimide film from the support (peeling step), and in principle performed in this order.

多層構造のポリイミドフィルム(A)とする場合は、複数のポリアミック酸溶液樹脂溶液を支持体上に塗布して乾燥する操作を繰り返すか、あるいは、多層ダイなどにより同時に多層塗布して乾燥し、最後にイミド化することにより、単層形成と同様にして、支持体上に多層構造のポリイミド系樹脂層を形成できる。   When making a polyimide film (A) with a multilayer structure, repeat the operation of applying a plurality of polyamic acid solution resin solutions on the support and drying them, or simultaneously applying and drying with a multilayer die or the like, and finally By imidizing, a multi-layered polyimide resin layer can be formed on the support in the same manner as the single layer formation.

支持体上へポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布して形成したポリイミド系樹脂層は、支持体ごと乾燥し、これを更に、200℃以上、好ましくは300℃以上の加熱処理をしてイミド化反応を行う。   The polyimide resin layer formed by applying the polyimide precursor resin solution onto the support is dried together with the support, and further subjected to an imidization reaction by heating at 200 ° C. or higher, preferably 300 ° C. or higher. Do.

加熱・熱処理工程後、支持体のポリイミド層(B)との界面より剥離することにより、ポリイミドフィルム(A)が得られる。剥離の方法に特に限定はないが、ロール状の支持体を用いる場合は、ポリイミドフィルムをロール状に巻取りながら支持体より剥離することができる。   After the heating / heat treatment step, the polyimide film (A) is obtained by peeling from the interface with the polyimide layer (B) of the support. Although there is no limitation in particular in the peeling method, when using a roll-shaped support body, it can peel from a support body, winding a polyimide film in roll shape.

本発明は、ポリイミドフィルムの製造において、両端把持装置並びに延伸比率制御による面内配向度調整の技術を必要とせず、より簡便な装置により、平坦性が高く、皺、割れ、裂け等の外観上の不良がないポリイミドフィルムを得ることが可能である。   The present invention does not require a both-end gripping device and a technique for adjusting the degree of in-plane orientation by controlling the stretching ratio in the production of a polyimide film, and has a higher level of flatness and more appearance such as wrinkles, cracks, and tears by a simpler device. It is possible to obtain a polyimide film having no defects.

以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されないことは勿論である。
なお、本実施例に用いた略号は以下の化合物を示す。
1,3-BAB:1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DADMB:4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル
DPE:4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
BTDA:3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
DSDA:ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物
DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example and a comparative example, of course, this invention is not limited to this.
In addition, the symbol used for the present Example shows the following compounds.
1,3-BAB: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene
BAPP: 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane
DADMB: 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl
DPE: 4,4'-diamino-diphenyl ether
PMDA: pyromellitic dianhydride
BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
BTDA: 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride
DSDA: Diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride
DMAc: N, N-dimethylacetamide

合成例1
255gのDMAcに、DADMB19.11g(0.090モル)及び2.92gの1,3-BAB(0.010モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、5.79gのBPDA(0.020モル)及び17.17gのPMDA(0.079モル)を加えた。その後、約3時間撹拌を続けて重合反応を行い、固形分濃度15重量%、溶液粘度が200ポイズのポリアミック酸樹脂溶液aを得た。
Synthesis example 1
In 255 g of DMAc, 19.11 g (0.090 mol) of DADMB and 2.92 g of 1,3-BAB (0.010 mol) were dissolved in a vessel with stirring. Next, 5.79 g BPDA (0.020 mol) and 17.17 g PMDA (0.079 mol) were added. Thereafter, stirring was continued for about 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid resin solution a having a solid concentration of 15% by weight and a solution viscosity of 200 poise.

合成例2
255gのDMAcに、DADMB11.32g(0.053モル)及び10.68gのDPE(0.053モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、22.99gのPMDA(0.105モル)を加えた。その後、約3時間撹拌を続けて重合反応を行い、固形分濃度15重量%、溶液粘度が350ポイズのポリアミック酸樹脂溶液bを得た。
Synthesis example 2
In 255 g of DMAc, 11.32 g (0.053 mol) of DADMB and 10.68 g of DPE (0.053 mol) were dissolved in a vessel with stirring. Next, 22.99 g PMDA (0.105 mol) was added. Thereafter, stirring was continued for about 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid resin solution b having a solid concentration of 15% by weight and a solution viscosity of 350 poise.

合成例3
255gのDMAcに、28.9gのBAPP(0.070モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、1.07gのBPDA(0.004モル)及び15.03gのPMDA(0.069モル)を加えた。その後、約3時間撹拌を続けて重合反応を行い、固形分濃度15重量%、溶液粘度が50ポイズのポリアミック酸樹脂溶液cを得た。
Synthesis example 3
In 255 g DMAc, 28.9 g BAPP (0.070 mol) was dissolved in a container with stirring. Then 1.07 g BPDA (0.004 mol) and 15.03 g PMDA (0.069 mol) were added. Thereafter, stirring was continued for about 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid resin solution c having a solid concentration of 15% by weight and a solution viscosity of 50 poise.

合成例4
255gのDMAcに、17.37gのDAPE(0.088モル)を容器中で攪拌しながら溶解させた。次に27.62gのBTDA(0.086モル)を加えた。その後、約3時間攪拌を続けて硬化を行い、固形分濃度15重量%、溶液濃度が100ポイズのポリアミック酸樹脂溶液dを得た。
Synthesis example 4
In 255 g DMAc, 17.37 g DAPE (0.088 mol) was dissolved in a container with stirring. Then 27.62 g of BTDA (0.086 mol) was added. Thereafter, stirring was continued for about 3 hours to effect curing to obtain a polyamic acid resin solution d having a solid content concentration of 15% by weight and a solution concentration of 100 poise.

合成例5
255gのDMAcに、22.25gの1,3-BAB(0.076モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、16.18gのDSDA(0.045モル)及び6.57gのPMDA(0.030モル)を加えた。その後、約3時間撹拌を続けて重合反応を行い、固形分濃度15重量%、溶液粘度が80ポイズのポリアミック酸樹脂溶液eを得た。
Synthesis example 5
In 255 g of DMAc, 22.25 g of 1,3-BAB (0.076 mol) was dissolved in a container with stirring. Next, 16.18 g DSDA (0.045 mol) and 6.57 g PMDA (0.030 mol) were added. Thereafter, stirring was continued for about 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid resin solution e having a solid concentration of 15% by weight and a solution viscosity of 80 poise.

実施例1
厚み18μmの銅箔(BHY−22B−T、日鉱マテリアルズ株式会社製。以下、銅箔というときは、この銅箔をいう)上に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを180μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmのポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体1を得た。
得られた支持体1のポリイミド樹脂層上に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを180μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、その後常温まで冷却してから、支持体から引き剥がして厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 1
On the 18 μm thick copper foil (BHY-22B-T, manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., hereinafter referred to as the copper foil), the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 is 180 μm. After uniformly coating with a thickness, it was dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, heat treatment was performed from 160 ° C. to 360 ° C. at a temperature increase rate of about 15 ° C./min to imidize, thereby obtaining a support 1 having a polyimide resin layer having a thickness of 25 μm formed on a copper foil.
On the polyimide resin layer of the obtained support 1, the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied with a thickness of 180 μm and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, heat treatment was performed from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to imidize, and after cooling to room temperature, the film was peeled off from the support to obtain a polyimide film having a thickness of 25 μm. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例2
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液に合成例5で得られたポリアミック酸樹脂溶液eを使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 2
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid resin solution e obtained in Synthesis Example 5 was used for the polyamic acid resin solution applied on the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例3
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液に合成例4で得られたポリアミック酸樹脂溶液dを使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 3
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid resin solution d obtained in Synthesis Example 4 was used for the polyamic acid resin solution applied on the support. In the obtained film, no defects in appearance such as wrinkles, cracks, tears and contamination of the film peeling surface were observed.

実施例4
厚み18μmの銅箔上に、合成例5で得たポリアミック酸樹脂溶液eを180μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmのポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体2を得た。
支持体として、得られた支持体2を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 4
The polyamic acid resin solution e obtained in Synthesis Example 5 was uniformly applied to a thickness of 180 μm on a copper foil having a thickness of 18 μm, and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, heat treatment was performed from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to imidize to obtain a support 2 having a polyimide resin layer having a thickness of 25 μm formed on a copper foil.
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained support 2 was used as the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例5
厚み18μmの銅箔上に、合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを15μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを130μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。更に再び合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを30μmの厚さで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。その後160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmの3層ポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体3を得た。
支持体として、得られた支持体3を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 5
The polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied to a thickness of 15 μm on a copper foil having a thickness of 18 μm, and then heated and dried at 130 ° C. to remove the solvent. Next, the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied with a thickness of 130 μm and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Furthermore, after the polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied with a thickness of 30 μm, it was dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Thereafter, heat treatment was performed from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to imidize to obtain a support 3 having a three-layer polyimide resin layer having a thickness of 25 μm formed on a copper foil.
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained support 3 was used as the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例6
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液を合成例2で得たポリアミック酸樹脂溶液bを使用したこと以外は、実施例5と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 6
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 5 except that the polyamic acid resin solution b obtained in Synthesis Example 2 was used as the polyamic acid resin solution to be coated on the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例7
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液を合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを使用したこと以外は、実施例5と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 7
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 5 except that the polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was used as the polyamic acid resin solution to be coated on the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例8
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液を合成例4で得たポリアミック酸樹脂溶液dを使用したこと以外は、実施例5と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 8
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 5 except that the polyamic acid resin solution d obtained in Synthesis Example 4 was used as the polyamic acid resin solution to be coated on the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例9
支持体上に塗布するポリアミック酸樹脂溶液を合成例5で得たポリアミック酸樹脂溶液eを使用したこと以外は、実施例5と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 9
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 5 except that the polyamic acid resin solution e obtained in Synthesis Example 5 was used as the polyamic acid resin solution to be coated on the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例10
支持体に実施例5と同様にして厚さ18μmの銅箔上に3層のポリイミド樹脂層を形成した支持体3を使用した。支持体3のポリイミド樹脂層上に、合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを15μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを130μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。更に再び合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを30μmの厚さで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。その後160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、その後常温まで冷却してから支持体より引き剥がして厚み25μmの3層ポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 10
The support 3 in which three polyimide resin layers were formed on a copper foil having a thickness of 18 μm was used in the same manner as in Example 5. The polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied to a thickness of 15 μm on the polyimide resin layer of the support 3 and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied with a thickness of 130 μm and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Furthermore, after the polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied with a thickness of 30 μm, it was dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Thereafter, it was heat-treated from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min, imidized, then cooled to room temperature, and then peeled off from the support to obtain a three-layer polyimide film having a thickness of 25 μm. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

実施例11
厚み18μmの銅箔上に、合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを15μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを130μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。更に、合成例5で得たポリアミック酸樹脂溶液eを30μmの厚さで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。その後160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmの3層ポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体4を得た。
支持体として、得られた支持体4を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、皺、割れ、裂け等の外観上の不良、及びフィルム剥離表面の汚染は認められなかった。
Example 11
The polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied to a thickness of 15 μm on a copper foil having a thickness of 18 μm, and then heated and dried at 130 ° C. to remove the solvent. Next, the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied with a thickness of 130 μm and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Furthermore, after the polyamic acid resin solution e obtained in Synthesis Example 5 was uniformly applied with a thickness of 30 μm, it was dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Thereafter, heat treatment was carried out from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to imidize, thereby obtaining a support 4 having a three-layer polyimide resin layer having a thickness of 25 μm formed on a copper foil.
A polyimide film having a thickness of 25 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained support 4 was used as the support. The obtained film did not show defects in appearance such as wrinkles, cracks and tears, and contamination of the film peeling surface.

比較例1
厚み18μmの銅箔上に、合成例4で得たポリアミック酸樹脂溶液dを180μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmのポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体5を得た。
支持体として、得られた支持体5を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 1
The polyamic acid resin solution d obtained in Synthesis Example 4 was uniformly applied with a thickness of 180 μm on a copper foil having a thickness of 18 μm, and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, heat treatment was performed from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to imidize, thereby obtaining a support 5 having a polyimide resin layer having a thickness of 25 μm formed on a copper foil.
As the support, except that the obtained support 5 was used, coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 1, but the adhesive force between the polyimide film and the support interface was strong, and the polyimide film was removed from the support. It could not be peeled off.

比較例2
支持体として、支持体5を使用したこと以外は、実施例2と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 2
The coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 2 except that the support 5 was used as the support, but the adhesion between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例3
支持体として、支持体5を使用したこと以外は、実施例3と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 3
The coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 3 except that the support 5 was used as the support, but the adhesive strength between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例4
厚み18μmの銅箔上に、合成例3で得たポリアミック酸樹脂溶液cを15μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。次に、合成例1で得たポリアミック酸樹脂溶液aを130μmの厚みで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。更に、合成例4で得たポリアミック酸樹脂溶液dを30μmの厚さで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し、溶剤を除去した。その後160℃から360℃まで約15℃/分の昇温速度で熱処理しイミド化させ、厚み25μmの3層ポリイミド樹脂層が銅箔上に形成された支持体6を得た。
支持体として、得られた支持体6を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 4
The polyamic acid resin solution c obtained in Synthesis Example 3 was uniformly applied to a thickness of 15 μm on a copper foil having a thickness of 18 μm, and then heated and dried at 130 ° C. to remove the solvent. Next, the polyamic acid resin solution a obtained in Synthesis Example 1 was uniformly applied with a thickness of 130 μm and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Further, the polyamic acid resin solution d obtained in Synthesis Example 4 was uniformly applied with a thickness of 30 μm, and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Thereafter, the substrate 6 was heat-treated from 160 ° C. to 360 ° C. at a rate of temperature increase of about 15 ° C./min to be imidized to obtain a support 6 on which a three-layer polyimide resin layer having a thickness of 25 μm was formed on a copper foil.
As the support, except that the obtained support 6 was used, coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 1, but the adhesive force between the polyimide film and the support interface was strong, and the polyimide film was removed from the support. It could not be peeled off.

比較例5
支持体として、支持体6を使用したこと以外は、実施例6と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 5
Application and heat treatment were performed in the same manner as in Example 6 except that the support 6 was used as the support, but the adhesive strength between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例6
支持体として、支持体6を使用したこと以外は、実施例7と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 6
As the support, except that the support 6 was used, application and heat treatment were performed in the same manner as in Example 7, but the adhesive force between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例7
支持体として、支持体6を使用したこと以外は、実施例8と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 7
As the support, except that the support 6 was used, coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 8, but the adhesive force between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例8
支持体として、支持体6を使用したこと以外は、実施例10と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 8
The coating and heat treatment were performed in the same manner as in Example 10 except that the support 6 was used as the support, but the adhesive force between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was peeled off from the support. I could not.

比較例9
支持体としてポリイミド層を有しない銅箔を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、塗布及び熱処理をしたが、ポリイミドフィルムと支持体界面の接着力が強く、支持体からポリイミドフィルムを剥離することができなかった。
Comparative Example 9
Except for using a copper foil having no polyimide layer as a support, coating and heat treatment were carried out in the same manner as in Example 1, but the adhesion between the polyimide film and the support was strong, and the polyimide film was removed from the support. It could not be peeled off.

比較例10
支持体として、シリコーン系離型剤(東レダウコーニングシリコーン(株)製:SD7229)を塗布した厚み50μmのアルミニウム箔を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、厚み25μmのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムは、熱処理中に支持体からの自然剥離と一部融着が見られたため、皺を有し、かつフィルム剥離表面は、離型剤の転写が認められた。


Comparative Example 10
A 25 μm thick polyimide film was used in the same manner as in Example 1 except that a 50 μm thick aluminum foil coated with a silicone release agent (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd .: SD7229) was used as the support. Obtained. The obtained film had spontaneous peeling and partial fusion from the support during the heat treatment, and thus had wrinkles, and transfer of the release agent was observed on the film peeling surface.


Claims (3)

金属箔上にポリイミド層(B)を有する支持体上に、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸の有機溶媒溶液を直接塗布し、これを支持体ごと200℃以上に加熱処理することにより前記ポリアミック酸をイミド化させた後、前記支持体よりイミド化させたポリイミドフィルム(A)を引き剥がし単離するポリイミドフィルムの製造方法であって、ポリイミド層(B)のポリイミドフィルム(A)との接触面に位置するポリイミド層が、ピロメリット酸二無水物を30〜100モル%含有するテトラカルボン酸化合物とジアミンから得られるポリイミド樹脂であることを特徴とするポリイミドフィルムの製造方法。   A polyamic acid organic solvent solution, which is a polyimide precursor, is directly applied onto a support having a polyimide layer (B) on a metal foil, and the polyamic acid is heat-treated at 200 ° C. or more together with the support. After the imidization, the polyimide film (A) that has been imidized from the support is peeled off and isolated, and the polyimide layer (B) is contacted with the polyimide film (A). A method for producing a polyimide film, wherein the polyimide layer located in is a polyimide resin obtained from a tetracarboxylic acid compound containing 30 to 100 mol% of pyromellitic dianhydride and a diamine. 支持体の金属箔が10〜100μmの厚みであり、ポリイミド層(B)が1〜50μmの厚みであるポリイミドフィルムの製造方法。   The manufacturing method of the polyimide film whose metal foil of a support body is 10-100 micrometers in thickness, and whose polyimide layer (B) is 1-50 micrometers in thickness. ポリイミドフィルム(A)又はポリイミド層(B)が、単層又は複数層のポリイミド層からなる請求項1又は2に記載のポリイミドフィルムの製造方法。

The method for producing a polyimide film according to claim 1 or 2, wherein the polyimide film (A) or the polyimide layer (B) comprises a single layer or a plurality of polyimide layers.

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