JP2006114757A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, having various types of reliabilities on which a semiconductor chip can be laminated, without using an adhesive by improving steps that include an adhesive application step having a defective workability in manufacturing an MCP (multi chip package) of a stacked structure. <P>SOLUTION: In a resin-sealed semiconductor device of a stacked structure as an MCP, a resin layer 3 as a set material of a photosensitive resin composition contains a cyclic olefin-based resin (A) having an acid group, a photo-oxidation agent (B), and a compound (C) having a reaction group combinable with the acid group of the olefin-based resin (A) at a temperature of 130°C or higher. The layer 3 is provided as a semiconductor element surface protecting film on the circuit component formation surface of a semiconductor chip 2, and the rear surface of another semiconductor chip 7 to be laminated on the chip 2 is in direct contact with the resin layer 3. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、感光性樹脂組成物を用いたスタックド構造のMCPを有する樹脂封止型半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device having an MCP having a stacked structure using a photosensitive resin composition.

近年、電子機器の高性能化、小型化に伴って電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。そこで、1つのパッケージ内に複数のチップを配置してマルチチップパッケージとすることにより、半導体装置の高機能化と小型化とが図られている。そして、マルチチップパッケージには複数の半導体チップを平面的に並べたものと、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものとがある。半導体チップを平面的に並べたマルチチップパッケージは広い実装面積を必要とするため、電子機器の小型化への寄与が小さい。このため、半導体チップを積層したスタックド構造のMCP(例えば、特許文献1参照)の開発が盛んに行われている。
しかしながら、従来のスタックド構造のMCPは、積層した半導体チップを接着剤によって相互に接合するようにしており、接着剤の塗布などを必要として工程が煩雑となる。
特開平6−37250号公報
In recent years, with the increase in performance and miniaturization of electronic devices, high-density integration and further high-density mounting of electronic components have been advanced. In view of this, a semiconductor device is improved in function and size by arranging a plurality of chips in one package to form a multichip package. The multichip package includes a plurality of semiconductor chips arranged in a plane and a plurality of semiconductor chips stacked in the thickness direction. A multi-chip package in which semiconductor chips are arranged in a plane requires a large mounting area, and thus contributes to miniaturization of electronic devices. For this reason, development of MCP (for example, refer patent document 1) of the stacked structure which laminated | stacked the semiconductor chip is performed actively.
However, conventional MCPs with a stacked structure are configured such that stacked semiconductor chips are bonded to each other with an adhesive, which necessitates application of an adhesive and the like, and the process becomes complicated.
JP-A-6-37250

本発明は、前述したスタックド構造のMCP製造時の作業性の欠点を改善し、かつ各種の信頼性に優れたスタックド構造のMCPの樹脂封止型半導体装置を提供するものである。   The present invention provides an MCP resin-encapsulated semiconductor device having a stacked structure that improves the above-described drawbacks of workability in manufacturing a stacked structure MCP and is excellent in various reliability.

[1] 半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と、光酸発生剤(B)と、130℃以上の温度で(A)の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物(C)、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCPの樹脂封止型半導体装置。
[2] 環状オレフィン系樹脂がポリノルボルネン系樹脂である[1]記載の樹脂封止型半導体装置。
[3] 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)が式(1)で示される繰り返し単位を含むものである[1]又は[2]記載の樹脂封止型半導体装置。
[1] A resin composition for a surface protection film of a semiconductor element, comprising a cyclic olefin resin (A) having an acidic group, a photoacid generator (B), and an acidic group of (A) at a temperature of 130 ° C. or higher. Another resin layer having a resin layer made of a cured product of a photosensitive resin composition containing a compound (C) having a reactive group capable of binding to a semiconductor chip on a circuit element forming surface of a semiconductor chip and laminated on the semiconductor chip A stacked-structure MCP resin-encapsulated semiconductor device, wherein a back surface of a semiconductor chip is in direct contact with the resin layer.
[2] The resin-encapsulated semiconductor device according to [1], wherein the cyclic olefin-based resin is a polynorbornene-based resin.
[3] The resin-encapsulated semiconductor device according to [1] or [2], wherein the cyclic olefin resin (A) having an acidic group contains a repeating unit represented by the formula (1).

Figure 2006114757
[式(1)中、XはO、CH2、(CH22のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3等の酸性基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R4は、単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1〜R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
Figure 2006114757
[In the formula (1), X is any one of O, CH 2 and (CH 2 ) 2 , and n is an integer from 0 to 5. R 1 to R 4 are each a functional group containing a hydrogen, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, aralkyl group, or ester group, a functional group containing a ketone group, a functional group containing an ether group, carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C (OH) - (CF 3) 2, may be any of the functional groups containing -N (H) -S (O) 2 -CF 3 such as acid groups . R 1 to R 4 may be different among the repeating monomers, but at least one of R 1 to R 4 of all repeating units has an acidic group. ]

[4] 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)が式(2)で示される繰り返し単位を含むものである[1]〜[2]記載の樹脂封止型半導体装置。   [4] The resin-encapsulated semiconductor device according to any one of [1] to [2], wherein the cyclic olefin resin (A) having an acidic group contains a repeating unit represented by the formula (2).

Figure 2006114757
[式(2)中、YはO、CH2、(CH22のいずれか、Zは−CH2−CH2−、−CH=CH−のいずれかであり、lは0〜5までの整数である。R5〜R8は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3等の酸性基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R5〜R8は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR5〜R8のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
Figure 2006114757
[In Formula (2), Y is any one of O, CH 2 , (CH 2 ) 2 , Z is any one of —CH 2 —CH 2 —, —CH═CH—, and l is 0 to 5. Is an integer. R 5 to R 8 are each a functional group containing hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an ester group, a functional group containing a ketone group, a functional group containing an ether group, carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C (OH) - (CF 3) 2, may be any of the functional groups containing -N (H) -S (O) 2 -CF 3 such as acid groups . R 5 to R 8 may be different among the repeating monomers, but at least one of R 5 to R 8 of all repeating units has an acidic group. ]

本発明によれば、複数の半導体チップが積層されてなる半導体パッケージにおいて、積層する半導体チップを効率よく製造することが可能となる半導体装置を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor device which can manufacture efficiently the semiconductor chip to laminate | stack in the semiconductor package by which a several semiconductor chip is laminated | stacked can be provided.

本発明で使用する環状オレフィンモノマーとしては、一般的には、シクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体が挙げられる。これらのモノマーに官能基が結合した置換体も用いることができる。   The cyclic olefin monomer used in the present invention is generally a monocyclic compound such as cyclohexene or cyclooctene, norbornene, norbornadiene, dicyclopentadiene, dihydrodicyclopentadiene, tetracyclododecene, tricyclopentadiene, dihydrotriene. Examples include polycyclic compounds such as cyclopentadiene, tetracyclopentadiene, dihydrotetracyclopentadiene and the like. Substitutes in which a functional group is bonded to these monomers can also be used.

本発明で用いられる環状オレフィン系樹脂を製造するために使用する環状オレフィンモノマーとしては、一般式(3)で表されるノルボルネン型モノマーが好ましい。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキシル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、1−ブチニル、2−ブチニル基等が、アリール基の具体例としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等が、酸性基を含有する官能基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3がそれぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。
エステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基を含有する官能基については、これらの基を有している官能基であれば特に構造は限定されない。エーテル基を含有する官能基には、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテルを含む官能基も含まれる。
As the cyclic olefin monomer used for producing the cyclic olefin-based resin used in the present invention, a norbornene-type monomer represented by the general formula (3) is preferable.
Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, dodecyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclooctyl groups, and the like. Specific examples of the alkenyl group include Specific examples of alkynyl groups such as vinyl, allyl, butynyl, cyclohexyl groups, etc. include ethynyl, 1-propynyl, 2-propynyl, 1-butynyl, 2-butynyl groups, etc., and specific examples of aryl groups include phenyl, Naphthyl, anthracenyl group and the like, benzyl, phenethyl group and the like as specific examples of the aralkyl group, functional groups containing an acidic group include a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, —C (OH) — (CF 3 ) 2 , Although -N (H) -S (O) 2 -CF 3 can be mentioned, the present invention is what But it is not limited to these.
Regarding the functional group containing an ester group and the functional group containing a functional group containing a ketone group, the structure is not particularly limited as long as it is a functional group having these groups. The functional group containing an ether group includes a functional group containing a cyclic ether such as an epoxy group or an oxetane group.

Figure 2006114757
[式(3)中、XはO、CH2、(CH22のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3等の酸性基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R4は、単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1〜R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
Figure 2006114757
[In the formula (3), X is any one of O, CH 2 and (CH 2 ) 2 , and n is an integer from 0 to 5. R 1 to R 4 are each a functional group containing a hydrogen, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, aralkyl group, or ester group, a functional group containing a ketone group, a functional group containing an ether group, carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C (OH) - (CF 3) 2, may be any of the functional groups containing -N (H) -S (O) 2 -CF 3 such as acid groups . R 1 to R 4 may be different among the repeating monomers, but at least one of R 1 to R 4 of all repeating units has an acidic group. ]

本発明で使用する環状オレフィン系樹脂としては、上記環状オレフィンモノマーの重合体が挙げられる。なお重合方法はランダム重合、ブロック重合など公知の方法が用いられる。具体例としては、ノルボルネン型モノマ−の(共)重合体、ノルボルネン型モノマ−とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがある。このうち、ノルボルネンモノマーを付加(共)重合することによって得られたポリマー、又はノルボルネンモノマーを開環重合させ、必要に応じて水素添加した重合体が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。   Examples of the cyclic olefin resin used in the present invention include polymers of the above cyclic olefin monomers. As the polymerization method, known methods such as random polymerization and block polymerization are used. Specific examples include (co) polymers of norbornene-type monomers, copolymers of norbornene-type monomers and other copolymerizable monomers such as α-olefins, and hydrogenation of these copolymers. A thing corresponds to a specific example. These cyclic olefin resins can be produced by a known polymerization method, and there are an addition polymerization method and a ring-opening polymerization method. Of these, polymers obtained by addition (co) polymerization of norbornene monomers, or polymers obtained by ring-opening polymerization of norbornene monomers and hydrogenated as necessary are preferred, but the present invention is not limited to these. It is not a thing.

環状オレフィン系樹脂の付加重合体としては、ポリノルボルネン系樹脂が挙げられる。具体的には、(1)ノルボルネン型モノマ−を付加(共)重合させて得られるノルボルネン型モノマ−の付加(共)重合体、(2)ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、(3)ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマ−との付加共重合体が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。化学式(1)で表されるタイプの環状オレフィン系樹脂は上記付加重合によって得ることができる。   Examples of the addition polymer of the cyclic olefin resin include polynorbornene resins. Specifically, (1) addition (co) polymer of norbornene type monomer obtained by addition (co) polymerization of norbornene type monomer, and (2) norbornene type monomer and ethylene or α-olefins. Addition copolymers, (3) addition copolymers of norbornene type monomers and non-conjugated dienes, and other monomers as required. These resins can be obtained by all known polymerization methods. The type of cyclic olefin resin represented by the chemical formula (1) can be obtained by the above addition polymerization.

環状オレフィン系樹脂の開環重合体としては、ポリノルボルネン系樹脂が挙げられる。具体的には、(4)ノルボルネン型モノマ−の開環(共)重合体、及び必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(5)ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、及び必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(6)ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、又は他のモノマ−との開環共重合体、及び必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。化学式(2)で表されるタイプの環状オレフィン系は上記開環重合によって得ることができる。
上記のうち、(1)ノルボルネン型モノマーを付加(共)重合させて得られる付加(共)重合体、(4)ノルボルネン型モノマ−の開環(共)重合体、及び必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
Examples of the ring-opening polymer of the cyclic olefin resin include polynorbornene resins. Specifically, (4) a ring-opening (co) polymer of a norbornene type monomer, and a resin obtained by hydrogenating the (co) polymer if necessary, (5) a norbornene type monomer and ethylene or α- Ring-opening copolymers with olefins, and resins obtained by hydrogenating the (co) polymers as required, (6) Ring-opening co-polymerization of norbornene-type monomers and non-conjugated dienes, or other monomers And a resin obtained by hydrogenating the (co) polymer if necessary. These resins can be obtained by all known polymerization methods. A cyclic olefin system of the type represented by the chemical formula (2) can be obtained by the ring-opening polymerization.
Among the above, (1) addition (co) polymer obtained by addition (co) polymerization of norbornene type monomer, (4) ring-opening (co) polymer of norbornene type monomer, and A resin obtained by hydrogenating a (co) polymer is preferred, but the present invention is not limited to these.

環状オレフィン系樹脂の付加重合体は、金属触媒による配位重合、又はラジカル重合によって得られる。このうち、配位重合においては、モノマーを、遷移金属触媒存在下、溶液中で重合することによってポリマーが得られる(NiCOLE R. GROVE et al. Journal of Polymer Science:part B,Polymer Physics, Vol.37, 3003−3010(1999))。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、PCT WO 9733198とPCT WO 00/20472に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、(トルエン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(メシレン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(ベンゼン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(テトラヒドロ)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(エチルアセテート)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(ジオキサン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。
The addition polymer of the cyclic olefin resin is obtained by coordination polymerization using a metal catalyst or radical polymerization. Among them, in coordination polymerization, a polymer is obtained by polymerizing monomers in a solution in the presence of a transition metal catalyst (NiCOLE R. GROVE et al. Journal of Polymer Science: part B, Polymer Physics, Vol. 1). 37, 3003-3010 (1999)).
Representative nickel and platinum catalysts as metal catalysts for coordination polymerization are described in PCT WO 9733198 and PCT WO 00/20472. Examples of metal catalysts for coordination polymerization include (toluene) bis (perfluorophenyl) nickel, (mesylene) bis (perfluorophenyl) nickel, (benzene) bis (perfluorophenyl) nickel, bis (tetrahydro) bis ( Known metal catalysts such as perfluorophenyl) nickel, bis (ethyl acetate) bis (perfluorophenyl) nickel, and bis (dioxane) bis (perfluorophenyl) nickel may be mentioned.

ラジカル重合技術については、Encyclopedia of Polymer Science,John Wiley&Sons, 13,708(1988)に述べられている。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を50℃〜150℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、t−ブチル過酸化水素などである。
The radical polymerization technique is described in Encyclopedia of Polymer Science, John Wiley & Sons, 13, 708 (1988).
Generally, in radical polymerization, the temperature is raised to 50 ° C. to 150 ° C. in the presence of a radical initiator, and the monomer is reacted in a solution. Examples of the radical initiator include azobisisobutyronitrile (AIBN), benzoyl peroxide, lauryl peroxide, azobisisocapronitrile, azobisisoleronitrile, and t-butyl hydrogen peroxide.

環状オレフィン系樹脂の開環重合体は、公知の開環重合法により、チタンやタングステン化合物を触媒として、少なくとも一種以上のノルボルネン型モノマ−を開環(共)重合して開環(共)重合体を製造し、次いで必要に応じて通常の水素添加方法により前記開環(共)重合体中の炭素−炭素二重結合を水素添加して熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を製造することによって得られる。   A ring-opening polymer of a cyclic olefin resin is obtained by ring-opening (co) polymerization of at least one norbornene-type monomer by a known ring-opening polymerization method using titanium or a tungsten compound as a catalyst. Obtained by producing a thermoplastic saturated norbornene-based resin by hydrogenating the carbon-carbon double bond in the ring-opening (co) polymer by a conventional hydrogenation method, if necessary. .

本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂は、酸性基を有するモノマーを直接上記方法で重合することによって得られる。しかし、重合系によっては、モノマーに酸性基が含まれていると触媒等が失活して重合が適当に進行しなくなることがある。この場合は、当該酸性基に保護基を導入して重合し、ポリマー生成後に脱保護することで本発明の酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得ることができる。またモノマーに、酸性基に化学反応しうる官能基を導入しておき、ポリマー合成後に高分子反応で当該官能基を酸性基に変換する手法を採ってもよい。   The cyclic olefin resin having an acidic group used in the present invention can be obtained by directly polymerizing a monomer having an acidic group by the above method. However, depending on the polymerization system, if the monomer contains an acidic group, the catalyst or the like may be deactivated and the polymerization may not proceed appropriately. In this case, the cyclic olefin-based resin having an acidic group of the present invention can be obtained by introducing a protective group into the acidic group, polymerizing, and deprotecting the polymer after production. Alternatively, a method may be adopted in which a functional group capable of chemically reacting with an acidic group is introduced into the monomer, and the functional group is converted into an acidic group by polymer reaction after polymer synthesis.

上述のように、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂は、環状オレフィンモノマー中の酸性基の電離しうる水素原子を他の構造で置換したモノマーを使用し、これを重合した後、脱保護して元の水素原子を導入することにより得ることができる。このとき水素原子と置換が可能な官能基としては、具体的には、3級ブチル基、3級ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラン−2−イル基、トリメチルシリル基などのトリアルキルシリル基、メトキシメチル基などを挙げることができる。脱保護、すなわちそれら保護基のモノマーからの脱離による酸性基の復元は、該官能基を酸性官能基の保護基として使用する場合の定法によって行うことができる。   As described above, the cyclic olefin-based resin having an acidic group uses a monomer obtained by substituting the ionizable hydrogen atom of the acidic group in the cyclic olefin monomer with another structure, polymerizes this, and then deprotects it. It can be obtained by introducing the original hydrogen atom. Specific examples of functional groups that can be substituted with hydrogen atoms at this time include tertiary butyl groups, tertiary butoxycarbonyl groups, tetrahydropyran-2-yl groups, trialkylsilyl groups such as trimethylsilyl groups, and methoxymethyl groups. And so on. Deprotection, that is, restoration of the acidic group by elimination of the protecting group from the monomer can be performed by a conventional method in the case of using the functional group as a protective group for the acidic functional group.

酸性基を有しない環状オレフィン系樹脂を高分子反応させて酸性基を導入する方法について述べる。酸性基を有しない環状オレフィン系樹脂を、ラジカル開始剤の存在下、アクリル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、メチル−エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸などの不飽和カルボン酸化合物、又はこれらのエステル又はアミド、或いは無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シトラコン酸などの不飽和カルボン酸無水物等の極性基含有化合物と混合して加熱することによって酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得ることができる。   A method for introducing an acidic group by polymerizing a cyclic olefin resin having no acidic group will be described. In the presence of a radical initiator, a cyclic olefin resin having no acidic group is converted into acrylic acid, methacrylic acid, α-ethylacrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, endocis. Unsaturation such as -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid, methyl-endocis-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Mixed with polar group-containing compounds such as carboxylic acid compounds, or esters or amides thereof, or unsaturated carboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, chloromaleic anhydride, butenyl succinic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, citraconic anhydride, etc. Then, a cyclic olefin resin having an acidic group can be obtained by heating.

共重合物中の酸性基を有するユニットの含有率は、露光後にアルカリ溶解性を発現可能か否かによって最適値を決定することが出来る。例えば、酸性基はポリマー1gあたり0.2〜0.1モルが好ましい。更に好ましくは0.03〜0.1モルである。当該値が上記範囲より大きくなると、モノマーの選択範囲が極めて狭まり、他特性の並立が困難になる。一方、当該値が上記範囲より小さくなると、アルカリ水溶液への溶解性を発現させることが困難になり、共に好ましくない。   The content of the unit having an acidic group in the copolymer can be determined optimally depending on whether or not alkali solubility can be exhibited after exposure. For example, the acidic group is preferably 0.2 to 0.1 mol per gram of polymer. More preferably, it is 0.03-0.1 mol. If the value is larger than the above range, the monomer selection range becomes extremely narrow, and it becomes difficult to align other characteristics. On the other hand, when the value is smaller than the above range, it becomes difficult to develop solubility in an alkaline aqueous solution, which is not preferable.

本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得るためのモノマーのうち、酸性基を含むモノマー、又は脱保護して酸性基になる官能基を有するモノマーには具体的には、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)酢酸、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)プロピオン酸、3−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)酪酸、3−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)吉草酸、3−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カプロン酸、コハク酸モノ−(2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシエチル)エステル、コハク酸モノ−(2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシプロピル)エステル、コハク酸モノ−(2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシブチル)エステル、フタル酸モノ−(2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシエチル)エステル、カプロン酸モノ−(2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシブチル)エステル、(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)カルボニルオキシ酢酸、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルフェノール、3−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルフェノール、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルフェノール、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)フェノール、4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルカテコール、3−メトキシ−4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルフェノール、3−メトキシ−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルフェノール、2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)メチルレゾルシン、1,1−ビストリフルオロメチル−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)エチルアルコール、1,1−ビストリフルオロメチル−3−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)プロピルアルコール、1,1−ビストリフルオロメチル−4−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)ブチルアルコール、1,1−ビストリフルオロメチル−5−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)ペンチルアルコール、1,1−ビストリフルオロメチル−6−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)ヘキシルアルコール、8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−プロピルカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−i−プロピルカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−i−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(2−メチルポロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(1−メチルポロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−アセトキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(メトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(エトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−プロポキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(i−プロポキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(t−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(シクロへキシロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(フェノキシロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(テトラヒドロフラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジ(テトラヒドロピラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、などが挙げられるが、本発明では何らこれらに限定されるものではない。 Among monomers for obtaining a cyclic olefin-based resin having an acidic group used in the present invention, a monomer having an acidic group or a monomer having a functional group that is deprotected to become an acidic group specifically includes bicyclo [ 2.2.1] hept-2-ene-5-carboxylic acid, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) acetic acid, 2- (bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene-5-yl) propionic acid, 3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) butyric acid, 3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-ene -5-yl) valeric acid, 3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) caproic acid, succinic acid mono- (2- (bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene-5-yl) carbonyloxyethyl) ester, succinic acid mono- (2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) carbonyloxypropyl) ester, succinic acid mono- (2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) carbonyloxybutyl) ester, Mono- (2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) carbonyloxyethyl) ester, caproic acid mono- (2- (bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene-5-yl) carbonyloxybutyl) ester, (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) carbonyloxyacetic acid, 2- (bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene-5-yl) methylphenol, 3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) methylphenol, 4- (bicyclo [2.2.1] hept-2- En-5-yl) methylphenol, 4- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) phenol, 4- (bicyclo [2.2.1] hept-2-ene-5 -Yl) methylcatechol, 3-methoxy-4- (bicyclo [2.2.1] Hept-2-en-5-yl) methylphenol, 3-methoxy-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) methylphenol, 2- (bicyclo [2.2. 1] hept-2-en-5-yl) methylresorcin, 1,1-bistrifluoromethyl-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) ethyl alcohol, 1,1 -Bistrifluoromethyl-3- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) propyl alcohol, 1,1-bistrifluoromethyl-4- (bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene-5-yl) butyl alcohol, 1,1-bistrifluoromethyl-5- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) pentyl alcohol, 1,1-bistrifluoromethyl -6- (bicyclo [ 2.2.1] hept-2-en-5-yl) hexyl alcohol, 8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-propylcarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-i-propylcarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-i-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-methyl-8-acetoxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (methoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (ethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (i-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (t-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (cyclohexyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (phenoxyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8,9-di (tetrahydropyranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7, 10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, and the like, but are not limited to these in the present invention.

本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得るためのモノマーのうち、上述以外のモノマーの具体例としては、次のものが挙げられる。アルキル基を有するものとして、5−メチル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−プロピル−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−ペンチル−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−2−ノルボルネン、5−ヘプチル−2−ノルボルネン、5−オクチル−2−ノルボルネン、5−ノニル−2−ノルボルネン、5−デシル−2−ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、5−アリル−2−ノルボルネン、5−メチリデン−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボルネン、5−(2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(2,3−ジメチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−エチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(3,4−ジメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(7−オクテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−メチル−6−ヘプテニル)−2−ノルボルネン、5−(1,2−ジメチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(5−エチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(1,2,3−トリメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、5−エチニル−2−ノルボルネンなど、シリル基を有するものとしては、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ジメチルビス((2−(5−ノルボルネン−2−イル)エチル)トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、5−フェニルー2−ノルボルネン、5−ナフチル−2−ノルボルネン、5−ペンタフルオロフェニル−2−ノルボルネンなど、アラルキル基を有するものとしては、5−ベンジル−2−ノルボルネン、5−フェネチル−2−ノルボルネン、5−ペンタフルオロフェニルメタン−2−ノルボルネン、5−(2−ペンタフルオロフェニルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−ペンタフルオロフェニルプロピル)−2−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチルビス((5−ノルボルネン−2−イル)メトキシ))シラン、5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン、5−トリエトキシシリル−2−ノルボルネン、5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(2−トリエトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−トリメトキシプロピル)−2−ノルボルネン、5−(4−トリメトキシブチル)−2−ノルボルネン、5ートリメチルシリルメチルエーテル−2−ノルボルネンなど、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、5−ノルボルネン−2−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、プロピオン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、酪酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、吉草酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプロン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ラウリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ステアリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、オレイン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、リノレン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸エチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸t−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸i−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリエチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸イソボニルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシエチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチル−2−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチルエチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルn−ブチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルt−ブチルカルボネート、5−メトキシ−2−ノルボルネン、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−エチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n―プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−オクチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−デシルエステルなど、エポキシ基を有するものとしては、5−[(2,3−エポキシプロポキシ)メチル]−2−ノルボルネンなど、またテトラシクロ環から成るものとして、8,9−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.01,6]ドデック−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,12]ドデック−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,101,6]ドデック−3−エン。しかし本発明は何らこれらに限定されるものではない。 Among the monomers for obtaining a cyclic olefin resin having an acidic group used in the present invention, specific examples of the monomers other than those described above include the following. As those having an alkyl group, 5-methyl-2-norbornene, 5-ethyl-2-norbornene, 5-propyl-2-norbornene, 5-butyl-2-norbornene, 5-pentyl-2-norbornene, 5-hexyl As those having an alkenyl group, such as 2-norbornene, 5-heptyl-2-norbornene, 5-octyl-2-norbornene, 5-nonyl-2-norbornene, 5-decyl-2-norbornene, 5-allyl- 2-norbornene, 5-methylidene-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-isopropylidene-2-norbornene, 5- (2-propenyl) -2-norbornene, 5- (3-butenyl) -2 -Norbornene, 5- (1-methyl-2-propenyl) -2-norbornene, 5- (4-pen Nyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (5-hexenyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl-4-pentenyl) -2-norbornene 5- (2,3-dimethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (2-ethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (3,4-dimethyl-4-pentenyl) -2 -Norbornene, 5- (7-octenyl) -2-norbornene, 5- (2-methyl-6-heptenyl) -2-norbornene, 5- (1,2-dimethyl-5-hexenyl) -2-norbornene, 5 Examples of those having an alkynyl group such as-(5-ethyl-5-hexenyl) -2-norbornene and 5- (1,2,3-trimethyl-4-pentenyl) -2-norbornene include 5- Examples of those having a silyl group such as nyl-2-norbornene include 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dimethylbis ((2- (5-norbornen-2-yl) ethyl) As those having an aryl group such as trisiloxane, those having an aralkyl group such as 5-phenyl-2-norbornene, 5-naphthyl-2-norbornene, and 5-pentafluorophenyl-2-norbornene are 5-benzyl- 2-norbornene, 5-phenethyl-2-norbornene, 5-pentafluorophenylmethane-2-norbornene, 5- (2-pentafluorophenylethyl) -2-norbornene, 5- (3-pentafluorophenylpropyl) -2 Examples of those having an alkoxysilyl group such as norbornene include dimethylbis ((5- Rubornen-2-yl) methoxy)) silane, 5-trimethoxysilyl-2-norbornene, 5-triethoxysilyl-2-norbornene, 5- (2-trimethoxysilylethyl) -2-norbornene, 5- (2 -Triethoxysilylethyl) -2-norbornene, 5- (3-trimethoxypropyl) -2-norbornene, 5- (4-trimethoxybutyl) -2-norbornene, 5-trimethylsilylmethyl ether-2-norbornene, etc. Examples of those having a hydroxyl group, an ether group, an ester group, an acryloyl group or a methacryloyl group include 5-norbornene-2-methanol and alkyl ethers thereof, acetic acid 5-norbornene-2-methyl ester, propionic acid 5-norbornene-2 -Methyl ester, 5-norbornene butyrate -2-methyl ester, valeric acid 5-norbornene-2-methyl ester, caproic acid 5-norbornene-2-methyl ester, caprylic acid 5-norbornene-2-methyl ester, capric acid 5-norbornene-2-methyl ester, Lauric acid 5-norbornene-2-methyl ester, stearic acid 5-norbornene-2-methyl ester, oleic acid 5-norbornene-2-methyl ester, linolenic acid 5-norbornene-2-methyl ester, 5-norbornene-2- Carboxylic acid, 5-norbornene-2-carboxylic acid methyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid ethyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid t-butyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid i-butyl ester , 5-norbornene-2-carbo Acid trimethylsilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid triethylsilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid isobornyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxyethyl ester, 5-norbornene-2-methyl 2-carboxylic acid methyl ester, cinnamic acid 5-norbornene-2-methyl ester, 5-norbornene-2-methylethyl carbonate, 5-norbornene-2-methyl n-butyl carbonate, 5-norbornene-2- Methyl t-butyl carbonate, 5-methoxy-2-norbornene, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-methyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-ethyl ester, (meth) acrylic acid 5- Norbornene-2-n-butyl ester, ( T) Acrylic acid 5-norbornene-2-n-propyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-i-butyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-i-propyl ester, (meth) Examples of those having an epoxy group such as 5-norbornene-2-hexyl acrylate, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-octyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-decyl ester, [(2,3-Epoxypropoxy) methyl] -2-norbornene and the like, and those composed of a tetracyclo ring include 8,9-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 0 1,6 ] dodec-3-ene, 8-ethylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,12] Dodekku-3-ene, 8-ethylidene tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 0 1,6 ] Dodec-3-ene. However, the present invention is not limited to these.

上述重合系の適当な重合溶媒としては炭化水素や芳香族溶媒が含まれる。炭化水素溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどであるがこれに限定されない。芳香族溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどであるがこれに限定されない。ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、エステル、ラクトン、ケトン、アミドも使用できる。これら溶剤を単独や混合しても重合溶媒として使用できる。   Suitable polymerization solvents for the above-described polymerization system include hydrocarbons and aromatic solvents. Examples of the hydrocarbon solvent include pentane, hexane, heptane, and cyclohexane, but are not limited thereto. Examples of the aromatic solvent include, but are not limited to, benzene, toluene, xylene and mesitylene. Diethyl ether, tetrahydrofuran, ethyl acetate, ester, lactone, ketone, amide can also be used. These solvents can be used alone or as a polymerization solvent.

本発明の環状オレフィン系樹脂の分子量は、開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。上記の配位重合が用いられる場合、米国特許No.6,136,499に開示されるように、分子量を連鎖移動触媒を使用することにより制御することができる。この発明においては、エチレン、プロピレン、1−ヘキサン、1−デセン、4−メチル−1−ペンテン、などα―オレフィンが分子量制御するのに適当である。   The molecular weight of the cyclic olefin resin of the present invention can be controlled by changing the ratio of the initiator and the monomer or changing the polymerization time. When the above coordination polymerization is used, US Pat. As disclosed in US Pat. No. 6,136,499, the molecular weight can be controlled by using a chain transfer catalyst. In this invention, α-olefins such as ethylene, propylene, 1-hexane, 1-decene, 4-methyl-1-pentene are suitable for controlling the molecular weight.

本発明において重量平均分子量は5,000〜500,000、好ましくは7,000〜200,000さらに好ましくは8,000〜100,000である。重量平均分子量は標準ポリノルボルネンを用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定することができる。(ASTMDS3536−91準拠)   In the present invention, the weight average molecular weight is 5,000 to 500,000, preferably 7,000 to 200,000, more preferably 8,000 to 100,000. The weight average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography (GPC) using standard polynorbornene. (Conforms to ASTM D3536-91)

本発明で用いる光酸発生剤(B)は、活性光線の照射によって、ブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成する物質であって、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α,α−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられる。本発明では、キノンジアジド化合物を用いることが好ましい。 The photoacid generator (B) used in the present invention is a substance that generates Bronsted acid or Lewis acid upon irradiation with actinic rays, and includes, for example, onium salts, halogenated organic compounds, quinonediazide compounds, α, α-bis. Examples include (sulfonyl) diazomethane compounds, α-carbonyl-α-sulfonyl-diazomethane compounds, sulfone compounds, organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds. In the present invention, it is preferable to use a quinonediazide compound.

本発明で用いる光酸発生剤(B)の好ましい具体例として、1,2−ベンゾキノンジアジド或いは1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物を挙げることができる。これらは米国特許明細書第2772975号、第2797213号、第3669658号により公知の物質である。これらのうち、特に小さい露光量で高い溶解性のコントラストを得るために、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸或いは1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物が好ましい。これらの光酸発生剤は、放射線照射による露光時の光反応でカルボキシル基を生成し、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性を増加させるポジ型の光酸発生剤として機能する。   Preferable specific examples of the photoacid generator (B) used in the present invention include compounds having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure. These are known substances from U.S. Pat. Nos. 2,729,975, 2,797,213 and 3,669,658. Of these, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid and phenol are used to obtain a high solubility contrast at a particularly small exposure amount. Ester compounds with compounds are preferred. These photoacid generators function as positive photoacid generators that generate a carboxyl group by a photoreaction during exposure by radiation irradiation and increase the solubility of an exposed portion in an alkaline developer.

本発明で用いる光酸発生剤(B)の含有量は、前記アルカリ可溶性の環状オレフィン系樹脂(A)100重量部に対し、1〜50重量部が好ましく、よりこのましくは5〜30重量部が望ましい。配合量が、1重量部未満だと感光性樹脂組成物の露光、現像特性が不良となり、逆に50重量部を超えると感度が大幅に低下するため好ましくない。   The content of the photoacid generator (B) used in the present invention is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble cyclic olefin resin (A). Part is desirable. If the blending amount is less than 1 part by weight, the exposure and development characteristics of the photosensitive resin composition will be poor, and conversely if it exceeds 50 parts by weight, the sensitivity will be greatly lowered, which is not preferable.

本発明で用いられる、130℃以上の温度で酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物(C)の具体例について述べる。化合物(C)に含まれる、酸性基と結合しうる反応基の具体例として、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基などのエポキシ基、2−オキサゾリン−2−イル基などのオキサゾリン基、N−ヒドロキシメチルアミノカルボニル基などのメチロール基、N−メトキシメチルアミノカルボニル基などのアルコキシメチル基等を挙げることができる。
化合物(C)としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、ポリメチル(グリシジロキシプロピル)シロキサン等のエポキシ基含有シリコーン、2−メチル−2−オキサゾリン、2−エチル−2−オキサゾリン、1,3−ビス(2−オキサゾリン−2−イル)ベンゼン、1,4−ビス(2−オキサゾリン−2−イル)ベンゼン、2,2’−ビス(2−オキサゾリン)、2,6−ビス(4−イソプロピル−2−オキサゾリン−2−イル)ピリジン、2,6−ビス(4−フェニル−2−オキサゾリン−2−イル)ピリジン、2,2’−イソプロピリデンビス(4−フェニル−2−オキサゾリン)、(S,S)−(−)−2,2’−イソプロピリデンビス(4−tert−ブチル−2−オキサゾリン)、ポリ(2−プロペニル−2−オキサゾリン)などのオキサゾリン環含有ポリマー、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、フルフリルアルコール、ベンジルアルコール、サリチルアルコール、1,2−ベンゼンジメタノール、1,3−ベンゼンジメタノール、1,4−ベンゼンジメタノール、レゾール型フェノール樹脂などを挙げることができるが、本発明は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、2種以上を混合して使用してもよい。
Specific examples of the compound (C) having a reactive group capable of binding to the acidic group of the cyclic olefin resin (A) having an acidic group at a temperature of 130 ° C. or higher used in the present invention are described. Specific examples of the reactive group capable of binding to an acidic group contained in the compound (C) include an epoxy group such as a glycidyl group and an epoxycyclohexyl group, an oxazoline group such as a 2-oxazolin-2-yl group, and N-hydroxymethylamino. Examples thereof include a methylol group such as a carbonyl group, and an alkoxymethyl group such as an N-methoxymethylaminocarbonyl group.
Examples of the compound (C) include phenyl glycidyl ether, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, propylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, glycidyloxypropyltrimethoxysilane, polymethyl (glycidyloxy) Epoxy group-containing silicone such as propyl) siloxane, 2-methyl-2-oxazoline, 2-ethyl-2-oxazoline, 1,3-bis (2-oxazolin-2-yl) benzene, 1,4-bis (2- Oxazolin-2-yl) benzene, 2,2′-bis (2-oxazoline), 2,6-bis (4-isopropyl-2-oxazolin-2-yl) pyridine, 2,6-bis (4-phenyl-) 2-Oxazolin-2-yl) pyridine, 2, 2'-isopropylidenebis (4-phenyl-2-oxazoline), (S, S)-(-)-2,2'-isopropylidenebis (4-tert-butyl-2-oxazoline), poly (2- Oxazoline ring-containing polymers such as propenyl-2-oxazoline), N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, furfuryl alcohol, benzyl alcohol, salicyl alcohol, 1,2-benzenedimethanol, 1,3-benzenedimethanol, Examples include 1,4-benzenedimethanol and resol type phenol resin, but the present invention is not limited thereto. These may be used alone or in admixture of two or more.

化合物(C)の含有量は、前記酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)100重量部に対し、1〜100重量部が好ましく、より好ましくは、5〜50重量部である。配合量が、1重量部未満だと感光性樹脂組成物の硬化後の物性が不良となり、逆に100重量部を超えるとパターン形成能が大幅に低下するため好ましくない。   As for content of a compound (C), 1-100 weight part is preferable with respect to 100 weight part of cyclic olefin resin (A) which has the said acidic group, More preferably, it is 5-50 weight part. If the blending amount is less than 1 part by weight, the physical properties after curing of the photosensitive resin composition will be poor.

本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
これらの中では、高い溶解性と揮散により後硬化時に除去しやすい点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノンの使用が好ましい。
In the present invention, these components are dissolved in a solvent and used in the form of a varnish. Solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol Monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl -3-methoxypropionate and the like, and these may be used alone or in combination. Good.
Among these, use of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, and cyclohexanone is preferable from the viewpoint of high solubility and easy removal during post-curing due to volatilization.

本発明で用いられる感光性樹脂組成物は、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と、光酸発生剤(B)と、130℃以上の温度で(A)の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物(C)、及び感度などの特性向上を目的として必要に応じて溶剤、フェノール樹脂、レベリング剤、酸化防止剤,難燃剤,可塑剤、シランカップリング剤、硬化促進剤等を単純に混合することによって得られる。   The photosensitive resin composition used in the present invention can bind to the cyclic olefin resin (A) having an acidic group, the photoacid generator (B), and the acidic group of (A) at a temperature of 130 ° C. or higher. A compound having a reactive group (C), and a solvent, a phenol resin, a leveling agent, an antioxidant, a flame retardant, a plasticizer, a silane coupling agent, a curing accelerator, etc. as necessary for the purpose of improving characteristics such as sensitivity. It is obtained by simply mixing.

次に本発明の半導体装置の作製方法について述べる。まず感光性樹脂組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウエハー、セラミック、アルミ基板、ガラス基板、フィルム基板等に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、90〜140℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜700nmの波長のものが好ましい。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention will be described. First, the photosensitive resin composition is applied to a suitable support such as a silicon wafer, ceramic, aluminum substrate, glass substrate, film substrate and the like. Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating, and the like. Next, after prebaking at 90 to 140 ° C. to dry the coating film, actinic radiation is applied to the desired pattern shape. As the actinic radiation, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays and the like can be used, but those having a wavelength of 200 to 700 nm are preferable.

次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、特に限定されないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、水酸化テトラメチルアンモニウムやエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、たとえば水やアルコールを使用することができる。
現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、アルコールを使用する。
リンス後、加熱硬化することにより樹脂層を完成させる。即ち、加熱によって樹脂中に存在し、光加工時にアルカリ可溶性の発現に寄与していた酸性基を、酸性基と反応可能な官能基を有する化合物中の該官能基と反応させることによって消失させ、加工後の樹脂層の誘電率や耐湿信頼性等の信頼性に酸性基由来の悪影響が残るのを防止するのとともに、樹脂中に強固な架橋構造を形成し、熱硬化後の樹脂の特性を向上させることが、本発明の特徴である。熱硬化温度は、最高200℃〜250℃で加熱処理を行い、現像液やリンス液を除去し、さらに上記反応が完了し耐熱性に富む最終パターンを得る。また、この熱硬化工程の一部または全部は、後述の、半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せて、加圧接着後に行うこともできる。
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion with a developer. The developer is not particularly limited, but includes inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and aqueous ammonia, aqueous solutions of organic alkalis such as tetramethylammonium hydroxide, ethylamine, triethylamine and triethanolamine, An aqueous solution to which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as alcohols such as methanol and ethanol and a surfactant are added can be preferably used. As a developing method, methods such as spraying, paddle, dipping, and ultrasonic waves are possible. Next, the relief pattern formed by development is rinsed. As the rinsing liquid, for example, water or alcohol can be used.
As a developing method, methods such as spraying, paddle, dipping, and ultrasonic waves are possible. Next, the relief pattern formed by development is rinsed. Alcohol is used as the rinse liquid.
After rinsing, the resin layer is completed by heat curing. That is, the acidic group present in the resin by heating and contributed to the expression of alkali solubility at the time of optical processing is eliminated by reacting with the functional group in the compound having a functional group capable of reacting with the acidic group, In addition to preventing adverse effects derived from acidic groups on the reliability of the resin layer after processing, such as the dielectric constant and moisture resistance reliability, a strong cross-linked structure is formed in the resin to improve the properties of the resin after thermosetting. Improvement is a feature of the present invention. Heat treatment is performed at a maximum temperature of 200 ° C. to 250 ° C. to remove the developer and the rinse solution, and the reaction is completed to obtain a final pattern rich in heat resistance. Moreover, a part or all of this thermosetting process can also be performed after pressurizing and bonding a semiconductor chip having a size smaller than the semiconductor chip on a semiconductor chip, which will be described later.

次に前記のシリコンウエハーをダイシングにより小片化し、得られた半導体チップをダイアタッチ用接着フィルムを用いて、ボンディングフィンガーとその裏面に半田ボール搭載用のランドを持つプリント配線板に搭載され、金線により半導体チップとプリント配線板を接続した。
その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せ、加圧接着した。金線により第2の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが2個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂により封止され、半田ボールを搭載し、BGAパッケージとした。
スタックド構造のMCPについては、複数個の半導体チップを積層することも可能であり、上記以外の公知の方法により作製することができる。また、上記方法に限定されるものではない。
Next, the silicon wafer is cut into small pieces by dicing, and the obtained semiconductor chip is mounted on a printed wiring board having bonding fingers and solder ball mounting lands on the back surface thereof using a die attach adhesive film, and a gold wire. Thus, the semiconductor chip and the printed wiring board were connected.
A semiconductor chip having a size smaller than that of the semiconductor chip was placed on the semiconductor chip and pressure bonded. The second semiconductor chip and the printed wiring board were connected by a gold wire. The printed wiring board on which two semiconductor chips were stacked and mounted in this way was sealed with a semiconductor sealing resin on the surface of the semiconductor chip and mounted with solder balls to form a BGA package.
The MCP having a stacked structure can be formed by stacking a plurality of semiconductor chips, and can be manufactured by a known method other than the above. Moreover, it is not limited to the said method.

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
ポリマーの合成
《合成例1》
1,1−ビストリフルオロメチル−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)エチルアルコール/5−ノルボルネン−2−カルボン酸=75/25コポリマーの共重合体(A−1)の例を挙げる。
すべてのガラス機器は60℃で0.1トル下で18時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ1%以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。酢酸エチル(1000g)、シクロヘキサン(1000g)、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン(65.9g、0.240mol)と5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル(43.3g、0.240mol)が反応フラスコに加えられた。反応フラスコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は30分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中でパラジウム触媒すなわち(アリル)パラジウム(トリシクロヘキシルホスフィン)トリフルオロアセテート0.058g(0.077mmol)が塩化メチレン16mlに溶解されて、25mlのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、リチウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート0.340gがトルエン1000gに溶解された助触媒溶液と共に反応フラスコに加えられた。さらに1−ヘキセン(25.9g、0.308mol)を添加し20℃にて5時間攪拌して反応を終了した。次にポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後77.5g(収率71%)のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=52,200 Mn=26,100、単分散性=2.00であった。TgはDMAによると180℃であった。ポリマー組成は1H−NMRから1,1−ビストリフルオロメチル−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)エチルアルコールが73モル%、5−ノルボルネン−2−カルボン酸が27モル%であった。また、この樹脂の酸性基は、ポリマー1gあたり0.0042モルであった。
Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
Polymer synthesis << Synthesis Example 1 >>
Copolymer of 1,1-bistrifluoromethyl-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) ethyl alcohol / 5-norbornene-2-carboxylic acid = 75/25 copolymer ( An example of A-1) is given.
All glass equipment is dried at 60 ° C. under 0.1 torr for 18 hours. Thereafter, the glass device is moved into a glove box in which the internal oxygen concentration and humidity are kept within 1%, respectively, and installed in the glove box. Ethyl acetate (1000 g), cyclohexane (1000 g), hydroxyhexafluoroisopropylnorbornene (65.9 g, 0.240 mol) and 5-norbornene-2-carboxylic acid trimethylsilyl ester (43.3 g, 0.240 mol) were added to the reaction flask. It was. The reaction flask was removed from the glow box and dry nitrogen gas was introduced. The reaction intermediate was degassed by passing nitrogen gas through the solution for 30 minutes. Palladium catalyst, ie (allyl) palladium (tricyclohexylphosphine) trifluoroacetate 0.058 g (0.077 mmol) was dissolved in 16 ml of methylene chloride in a glove box, placed in a 25 ml syringe, removed from the glow box, and lithium tetrakis ( Pentafluorophenyl) borate (0.340 g) was added to the reaction flask along with a cocatalyst solution dissolved in 1000 g of toluene. Further, 1-hexene (25.9 g, 0.308 mol) was added and stirred at 20 ° C. for 5 hours to complete the reaction. Next, the polymer was put into methanol, and the precipitate was collected by filtration, washed thoroughly with water, and then dried under vacuum. After drying, 77.5 g (yield 71%) of polymer was recovered. The molecular weight of the obtained polymer was Mw = 52,200 Mn = 26,100 and monodispersity = 2.00 by GPC. Tg was 180 ° C. according to DMA. From 1 H-NMR, the polymer composition was 73 mol% of 1,1-bistrifluoromethyl-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) ethyl alcohol, 5-norbornene-2- The carboxylic acid was 27 mol%. Moreover, the acidic group of this resin was 0.0042 mol per 1 g of polymer.

《合成例2》
1,1−ビストリフルオロメチル−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)エチルアルコール/5−ノルボルネン−2−カルボン酸=50/50コポリマーの開環メタセシス共重合体(A−2)の例を挙げる。
すべてのガラス機器は60℃で0.1トル下で18時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ1%以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。トルエン(917g)、シクロヘキサン(917g)、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン(151g、0.55mol)と5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル(99.1g、0.55mol)、1−ヘキセン(368g、2.2mol)が反応フラスコに加えられた。反応フラスコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は30分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中で五塩化タングステンのt−ブチルアルコール/メタノール(モル比0.35/0.3)溶液(0.05モル/l)を調製し、この3.78gをトリエチルアルミニウム0.011gがトルエン25gに溶解された助触媒溶液0.634gと共に反応フラスコに加えられた。20℃にて5時間攪拌して反応を終了した。
次にこの溶液をオートクレーブに入れ、RuHCl(CO)[P(C553340.02gを加え、内圧が100kg/cm2になるまで水素を導入し、165℃で3時間加熱攪拌を行った。加熱終了後室温まで放冷し、反応物をメタノール(975mmol)に加え18時間攪拌した。攪拌を止めると水層と溶媒層に分離した。水層を分離した後、1lの蒸留水を加え、20分間攪拌した。水層が分離するので取り除いた。1lの蒸留水で3回洗浄を行った。その後ポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後320g(収率85%)のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=16,000 Mn=8,400、単分散性=1.9であった。TgはDMAによると130℃であった。ポリマー組成は1H−NMRから1,1−ビストリフルオロメチル−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−イル)エチルアルコール48モル%、5−ノルボルネン−2−カルボン酸が52モル%であった。また、この樹脂の酸性基は、ポリマー1gあたり0.0049モルであった。
<< Synthesis Example 2 >>
Ring opening metathesis of 1,1-bistrifluoromethyl-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) ethyl alcohol / 5-norbornene-2-carboxylic acid = 50/50 copolymer The example of a polymer (A-2) is given.
All glass equipment is dried at 60 ° C. under 0.1 torr for 18 hours. Thereafter, the glass device is moved into a glove box in which the internal oxygen concentration and humidity are kept within 1%, respectively, and installed in the glove box. Toluene (917 g), cyclohexane (917 g), hydroxyhexafluoroisopropylnorbornene (151 g, 0.55 mol) and 5-norbornene-2-carboxylic acid trimethylsilyl ester (99.1 g, 0.55 mol), 1-hexene (368 g, 2 .2 mol) was added to the reaction flask. The reaction flask was removed from the glow box and dry nitrogen gas was introduced. The reaction intermediate was degassed by passing nitrogen gas through the solution for 30 minutes. In a glove box, a solution of tungsten pentachloride in t-butyl alcohol / methanol (molar ratio 0.35 / 0.3) (0.05 mol / l) was prepared. Added to the reaction flask along with 0.634 g of cocatalyst solution dissolved in 25 g. The reaction was terminated by stirring at 20 ° C. for 5 hours.
Next, this solution is put in an autoclave, 40.02 g of RuHCl (CO) [P (C 5 H 5 ) 3 ] 3 is added, hydrogen is introduced until the internal pressure becomes 100 kg / cm 2 , and the mixture is heated at 165 ° C. for 3 hours. Stirring was performed. After heating, the mixture was allowed to cool to room temperature, and the reaction product was added to methanol (975 mmol) and stirred for 18 hours. When the stirring was stopped, the aqueous layer and the solvent layer were separated. After separating the aqueous layer, 1 l of distilled water was added and stirred for 20 minutes. The aqueous layer separated and was removed. Washing was carried out 3 times with 1 l of distilled water. Thereafter, the polymer was put into methanol, and the precipitate was collected by filtration, washed thoroughly with water, and then dried under vacuum. After drying, 320 g (yield 85%) of polymer was recovered. The molecular weight of the obtained polymer was Mw = 16,000 Mn = 8,400 and monodispersity = 1.9 by GPC. Tg was 130 ° C. according to DMA. From 1 H-NMR, the polymer composition was 1,1-bistrifluoromethyl-2- (bicyclo [2.2.1] hept-2-en-5-yl) ethyl alcohol 48 mol%, 5-norbornene-2-carboxylic acid The acid was 52 mol%. Moreover, the acidic group of this resin was 0.0049 mol per 1 g of polymer.

《実施例1》
得られた樹脂(A−1)5g、プロピレングリコールモノエチルエーテル15g、ビスフェノールAタイプポリオール型エポキシ樹脂(YD−716、東都化成(株)製)0.8g、及びトリス(4−ヒドロキシフェニル)メタンの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル0.5gを混合し、均一な感光性樹脂組成物(1)を得た。
作製したこの感光性樹脂組成物(1)をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で5分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。この塗膜にi線ステッパー露光機NSR−4425i(ニコン(株)製)によりレチクルを通して300mJ/cm2で露光を行った。
その後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に樹脂層を30秒間浸漬現像し、次いでイオン交換水で20秒間リンスすることにより、露光部の樹脂層は溶解し、パターン化された樹脂層を得ることができた。この時の残膜率(現像後の膜厚/現像前の膜厚)は99.0%と非常に高い値を示した。また形成後のパターンにおいて、微細パターン剥がれは全く観察されず、現像時の密着性が優れていることが確認できた。その後160℃、60分で硬化し、架橋反応を完結させた。この硬化膜の吸水率は0.6%であった。
Example 1
5 g of the obtained resin (A-1), 15 g of propylene glycol monoethyl ether, 0.8 g of bisphenol A type polyol type epoxy resin (YD-716, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), and tris (4-hydroxyphenyl) methane 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid ester (0.5 g) was mixed to obtain a uniform photosensitive resin composition (1).
The produced photosensitive resin composition (1) was applied on a silicon wafer using a spin coater and then dried on a hot plate at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a coating film having a thickness of about 10 μm. This coating film was exposed at 300 mJ / cm 2 through a reticle by an i-line stepper exposure machine NSR-4425i (manufactured by Nikon Corporation).
Thereafter, the resin layer is immersed and developed in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 30 seconds, and then rinsed with ion-exchanged water for 20 seconds, whereby the exposed resin layer is dissolved and the patterned resin layer is formed. I was able to get it. The residual film ratio (film thickness after development / film thickness before development) at this time was a very high value of 99.0%. Moreover, in the pattern after formation, peeling of the fine pattern was not observed at all, and it was confirmed that the adhesion during development was excellent. Thereafter, curing was performed at 160 ° C. for 60 minutes to complete the crosslinking reaction. The water absorption rate of this cured film was 0.6%.

次に前記のシリコンウエハーをダイシングにより小片化し、得られた半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せ、1秒加圧(0.1MPa)接着し、密着強度試験片とし、1水準当たり10個成形した。その後、自動せん断強度測定装置(DAGE社製、PC2400)を用いて、チップとチップとのせん断強度を測定した。結果は、11MPaで、良好であった。
得られた半導体チップをダイアタッチ用接着フィルム(住友ベークライト(株)製 IBF−3021)を用いて、ボンディングフィンガーとその裏面に半田ボール搭載用のランドを持つプリント配線板に搭載され、金線により半導体チップとプリント配線板を接続した。
さらに、その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの第2の半導体チップを乗せ、1秒加圧(0.1MPa)接着した。金線により第2の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが2個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂(住友ベークライト(株)製 EME−7730L)により封止され、半田ボールを搭載し、BGAパッケージの半導体装置とした。
Next, the silicon wafer is cut into small pieces by dicing, a semiconductor chip having a size smaller than that of the semiconductor chip is placed on the obtained semiconductor chip, and bonded for 1 second under pressure (0.1 MPa) to obtain an adhesion strength test piece. Ten pieces were molded per level. Then, the shear strength of a chip | tip was measured using the automatic shear strength measuring apparatus (the product made by DAGE, PC2400). The result was good at 11 MPa.
The obtained semiconductor chip is mounted on a printed wiring board having bonding fingers and lands for mounting solder balls on the back surface thereof using an adhesive film for die attach (IBF-3021 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) The semiconductor chip and the printed wiring board were connected.
Further, a second semiconductor chip having a size smaller than that of the semiconductor chip was placed on the semiconductor chip and adhered for 1 second under pressure (0.1 MPa). The second semiconductor chip and the printed wiring board were connected by a gold wire. The printed wiring board on which two semiconductor chips are stacked and mounted in this manner is sealed on the semiconductor chip surface with a semiconductor sealing resin (EME-7730L manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), mounted with solder balls, and BGA. A package semiconductor device was obtained.

上記の半導体装置をもちいて半田リフロー試験を行った。この半導体装置を温度及び湿度がそれぞれ85℃、85%の条件に設定された恒温恒湿槽中で72時間吸湿させた。その後、240℃/10秒のリフロー条件で半田リフローを行い、半導体装置の外部クラックの発生数を顕微鏡(倍率:15倍)で観察した。5個のサンプルについてクラックの発生を確認し0/5であった。さらに、上記半田リフロー試験後の半導体装置を実際のプリント基板に実装し、半導体装置としての動作確認を行った結果、半導体装置として正常に動作することが確認された。
チップサイズ:8mm×10mm、6mm×8mm
A solder reflow test was performed using the semiconductor device described above. This semiconductor device was moisture-absorbed for 72 hours in a thermo-hygrostat set to a temperature and humidity of 85 ° C. and 85%, respectively. Thereafter, solder reflow was performed under a reflow condition of 240 ° C./10 seconds, and the number of external cracks generated in the semiconductor device was observed with a microscope (magnification: 15 times). The occurrence of cracks in 5 samples was confirmed and was 0/5. Further, as a result of mounting the semiconductor device after the solder reflow test on an actual printed board and confirming the operation as the semiconductor device, it was confirmed that the semiconductor device operates normally.
Chip size: 8mm x 10mm, 6mm x 8mm

《実施例2》
得られた樹脂(A−2)5g、プロピレングリコールモノエチルエーテル15g、ビスフェノールAタイプポリオール型エポキシ樹脂(YD−716、東都化成(株)製)0.8g、及びトリス(4−ヒドロキシフェニル)メタンの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル0.5gを混合し、均一な感光性樹脂組成物(2)を得た。
この感光性樹脂組成物(2)を用いて実施例1と同様にシリコンウエハー上に硬化膜を作製したところ、この硬化膜の吸水率は0.5%であった。実施例1と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、10MPaで、良好であった。半田リフロー試験では、5個のサンプルについてクラックの発生を確認し0/5であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。
Example 2
5 g of the obtained resin (A-2), 15 g of propylene glycol monoethyl ether, 0.8 g of bisphenol A type polyol type epoxy resin (YD-716, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), and tris (4-hydroxyphenyl) methane 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid ester (0.5 g) was mixed to obtain a uniform photosensitive resin composition (2).
When a cured film was produced on a silicon wafer using this photosensitive resin composition (2) in the same manner as in Example 1, the water absorption rate of this cured film was 0.5%. Similar to Example 1, shear strength, solder reflow test, and actual operation confirmation were performed. The shear strength was good at 10 MPa. In the solder reflow test, the occurrence of cracks was confirmed for 5 samples, which was 0/5. In the operation check, it was confirmed that the device was actually mounted on a printed circuit board and had no trouble in the operation as a semiconductor device.

《比較例1》
ポリイミド樹脂(住友ベークライト(株)製 CRC−6061)と接着剤(住友ベークライト(株)製 IBF−3021)をもちいた従来の構造の半導体装置での評価した。実施例1と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。
せん断強度については、8.0MPaで、良好であった。半田リフロー試験では、5個のサンプルについてクラックの発生を確認し0/5であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。結果は、良好であったが、接着剤や接着剤の半導体チップへの貼り付け工程が必要であり、実施例1よりも工程が多くなった。
《比較例2》
実施例1で環状オレフィン系樹脂をポリイミド樹脂(住友ベークライト(株)製 CRC−6061)に変更した半導体装置で評価した。実施例1と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、密着強度が弱すぎるため測定不可能であった。半田リフロー性試験では、5個のサンプルについてクラックの発生を確認し4/5であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置として正常に動作しないことが確認された。
<< Comparative Example 1 >>
Evaluation was performed with a semiconductor device having a conventional structure using a polyimide resin (CRC-6061 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) and an adhesive (IBF-3021 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). Similar to Example 1, shear strength, solder reflow test, and actual operation confirmation were performed.
The shear strength was good at 8.0 MPa. In the solder reflow test, the occurrence of cracks was confirmed for 5 samples, which was 0/5. In the operation check, it was confirmed that the device was actually mounted on a printed circuit board and had no trouble in the operation as a semiconductor device. Although the result was good, the process of attaching the adhesive or the adhesive to the semiconductor chip was necessary, and the number of processes was larger than that of Example 1.
<< Comparative Example 2 >>
In Example 1, the evaluation was performed using a semiconductor device in which the cyclic olefin-based resin was changed to a polyimide resin (CRC-6061 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). Similar to Example 1, shear strength, solder reflow test, and actual operation confirmation were performed. The shear strength could not be measured because the adhesion strength was too weak. In the solder reflow test, the occurrence of cracks was confirmed for 5 samples, which was 4/5. In the operation check, it was confirmed that the device was actually mounted on a printed circuit board and did not operate normally as a semiconductor device.

本発明は、低応力性、耐溶剤性、低吸水性、電気絶縁性、密着性等に優れたスタックド構造のMCPに好適に用いられる。   The present invention is suitably used for an MCP having a stacked structure excellent in low stress, solvent resistance, low water absorption, electrical insulation, adhesion and the like.

エポキシ基を含む環状オレフィン系樹脂を用いて半導体チップを積層した本発明の半導体装置の概略図Schematic of the semiconductor device of the present invention in which semiconductor chips are laminated using a cyclic olefin resin containing an epoxy group 半導体チップと半導体チップとを接着剤を用いて接着した従来の半導体装置の概略図Schematic of a conventional semiconductor device in which a semiconductor chip and a semiconductor chip are bonded using an adhesive

符号の説明Explanation of symbols

1 金線、
2 半導体チップ、
3 感光性樹脂組成物の硬化物
4 プリント配線板、
5 半田ボール、
6 ダイアタッチ用接着フィルム
7 積層した半導体チップ
8 封止樹脂
9 ポリイミド樹脂
10 接着剤
1 gold wire,
2 Semiconductor chip,
3 Cured product of photosensitive resin composition 4 Printed wiring board,
5 Solder balls,
6 Die attach adhesive film 7 Laminated semiconductor chip 8 Sealing resin 9 Polyimide resin 10 Adhesive

Claims (4)

半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と、光酸発生剤(B)と、130℃以上の温度で(A)の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物(C)、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCP(マルチチップパッケージ)の樹脂封止型半導体装置 A resin composition for a semiconductor device surface protective film, which is bonded to a cyclic olefin resin (A) having an acidic group, a photoacid generator (B), and an acidic group of (A) at a temperature of 130 ° C. or higher. Another semiconductor chip having a resin layer made of a cured product of a photosensitive resin composition containing a compound (C) having a reactive group on the circuit element forming surface of the semiconductor chip and laminated on the semiconductor chip Stacked structure MCP (multi-chip package) resin-encapsulated semiconductor device characterized in that the back surface is in direct contact with the resin layer 環状オレフィン系樹脂がポリノルボルネン系樹脂である請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。 The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the cyclic olefin-based resin is a polynorbornene-based resin. 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)が式(1)で示される繰り返し単位を含むものである請求項1又は2記載の樹脂封止型半導体装置。
Figure 2006114757
[式(1)中、XはO、CH2、(CH22のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3等の酸性基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R4は、単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1〜R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the cyclic olefin-based resin (A) having an acidic group contains a repeating unit represented by the formula (1).
Figure 2006114757
[In the formula (1), X is any one of O, CH 2 and (CH 2 ) 2 , and n is an integer from 0 to 5. R 1 to R 4 are each a functional group containing a hydrogen, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, aralkyl group, or ester group, a functional group containing a ketone group, a functional group containing an ether group, carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C (OH) - (CF 3) 2, may be any of the functional groups containing -N (H) -S (O) 2 -CF 3 such as acid groups . R 1 to R 4 may be different among the repeating monomers, but at least one of R 1 to R 4 of all repeating units has an acidic group. ]
酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)が式(2)で示される繰り返し単位を含むものである請求項1〜2記載の樹脂封止型半導体装置。
Figure 2006114757
[式(2)中、YはO、CH2、(CH22のいずれか、Zは−CH2−CH2−、−CH=CH−のいずれかであり、lは0〜5までの整数である。R5〜R8は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−C(OH)−(CF32、 −N(H)−S(O)2−CF3等の酸性基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R5〜R8は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR5〜R8のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the cyclic olefin-based resin (A) having an acidic group contains a repeating unit represented by the formula (2).
Figure 2006114757
[In Formula (2), Y is any one of O, CH 2 , (CH 2 ) 2 , Z is any one of —CH 2 —CH 2 —, —CH═CH—, and l is 0 to 5. Is an integer. R 5 to R 8 are each a functional group containing hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an ester group, a functional group containing a ketone group, a functional group containing an ether group, carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, -C (OH) - (CF 3) 2, may be any of the functional groups containing -N (H) -S (O) 2 -CF 3 such as acid groups . R 5 to R 8 may be different among the repeating monomers, but at least one of R 5 to R 8 of all repeating units has an acidic group. ]
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