JP2006091708A - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a further miniaturization of application equipment by adding a function as an input device in addition to the function as an output device to an active matrix liquid crystal display device. <P>SOLUTION: The active matrix liquid crystal display device comprises: columns of scanning lines 2F, 2G, 2 H; columns of signal lines 2D, 2E; and pixels 1B which are arranged in the form of matrix at the portion where each scanning line intersect with each signal line. Each pixel 1B includes a liquid crystal cell, display circuit 2A consisting of a thin film transistor, and light receiving circuit consisting of the thin film transistor similarly. A display circuit 2A drives liquid crystal cells in response to video signals that are input from the signal line 2D when selected by the scanning line 2F, thereby displaying videos in the matrix of pixels 1B. The light receiving circuit including a photodetector 3D is selected when the display circuit 2A is not operated, and outputs the light receiving signals based on the light quantity incident on the pixels 1B to another signal line 2E. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。より詳しくは、各画素ごとに配された表示回路に加え、情報入力用の受光回路を各画素に備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素回路構成に関する。   The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a pixel circuit configuration of an active matrix liquid crystal display device in which each pixel includes a light receiving circuit for inputting information in addition to a display circuit arranged for each pixel.

アクティブマトリクス型の液晶表示装置は低消費電力であり小型化が可能である。これらの特徴から、アクティブマトリクス型の液晶表示装置(LCD)は従来の典型的なディスプレイであるCRTを凌駕しつつあり、多方面のディスプレイに用いられている。特に近年では、通信環境の発達などにより、低消費電力及び小型などの特長を生かしてLCDはモバイル端末のディスプレイとして広く普及している。   An active matrix liquid crystal display device has low power consumption and can be miniaturized. Because of these features, active matrix liquid crystal display devices (LCDs) are surpassing conventional CRTs, which are typical displays, and are used for various displays. Particularly in recent years, LCDs have been widely used as mobile terminal displays by taking advantage of low power consumption and small size due to the development of communication environments.

モバイル機器ではディスプレイなどの出力機器デバイスの他入力デバイスも必要である。入力デバイスとしては従来から抵抗薄膜型のタッチパネルが使われている。しかしながら、タッチパネルは接触点における電位変化を検出する方式のため、2箇所以上の接触点を同時に検出することは原理的に不可能である。このため、タッチパネルはゲーム用途などに対応しきれない場合がある。またディスプレイデバイスの表示面上にタッチパネルを設置するため必然的に機器の厚さの増加及びディスプレイの輝度低下を招く問題がある。   A mobile device requires an input device in addition to an output device device such as a display. Conventionally, a resistive thin film type touch panel has been used as an input device. However, since the touch panel detects a potential change at a contact point, it is impossible in principle to simultaneously detect two or more contact points. For this reason, the touch panel may not be compatible with game applications. Further, since the touch panel is installed on the display surface of the display device, there is a problem that the thickness of the device is inevitably increased and the luminance of the display is lowered.

また近年では、入力デバイスとしてCCDカメラあるいはCMOSカメラが付属している携帯電話機が広く普及している。さらには、個人認証用に指紋センサーを内蔵する携帯電話機も登場している。しかしながら、これら入力デバイスとしてのセンサーは画像表示部とは一体になっていないため、機器の実装密度の増加を招くという課題があった。   In recent years, mobile phones with a CCD camera or a CMOS camera as an input device are widely used. In addition, mobile phones with a built-in fingerprint sensor for personal authentication have also appeared. However, since these sensors as input devices are not integrated with the image display unit, there is a problem in that the mounting density of devices is increased.

上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に対し出力デバイスとしての機能に加え入力デバイスとしての機能を付加することで、応用機器の一層の小型化を達成することを目的とする。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、走査線の列と、信号線の列と、各走査線と各信号線が交差する部分にマトリクス状に配された画素とを備え、各画素は、液晶素子と、薄膜トランジスタで構成された表示回路と、同じく薄膜トランジスタで構成された受光回路とを含み、前記表示回路は、該走査線により選択された時該信号線から入力された映像信号に応じて該液晶素子を駆動し、以ってマトリクス状の画素に映像を表示し、前記受光回路は、該表示回路が動作していないときに選択され、画素に入射する光量に応じた受光信号を別の信号線に出力することを特徴とする。   In view of the above-described problems of the prior art, the present invention achieves further downsizing of applied devices by adding a function as an input device to an active matrix liquid crystal display device in addition to a function as an output device. With the goal. In order to achieve this purpose, the following measures were taken. That is, an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention includes a column of scanning lines, a column of signal lines, and pixels arranged in a matrix at a portion where each scanning line and each signal line intersect. Includes a liquid crystal element, a display circuit composed of a thin film transistor, and a light receiving circuit also composed of a thin film transistor, and the display circuit converts a video signal input from the signal line when selected by the scanning line. In response, the liquid crystal element is driven to display an image on a matrix pixel, and the light receiving circuit is selected when the display circuit is not operating, and a light receiving signal corresponding to the amount of light incident on the pixel Is output to another signal line.

好ましくは、前記受光回路は、該画素に形成された受光素子に入射する光量を検出して、対応する受光信号を出力する。又前記受光回路は、受光素子として薄膜トランジスタを用い、該薄膜トランジスタを逆バイアスの状態にセットするセット部と、逆バイアスの状態下入射する光量に応じて該受光素子に流れる光リーク電流を増幅して受光信号を生成する増幅部とを含む。又、前記受光回路は、入射する光量に応じて該受光素子に流れる光リーク電流を該増幅部に取り入れる入力スイッチと、取り入れた光リーク電流を増幅して得られた受光信号を該増幅部から信号線に読み出す出力スイッチとを含み、該入力スイッチと出力スイッチは互いに独立したタイミングでオンオフ制御する。この場合、前記受光回路は、該表示回路が動作している間該入力スイッチ及び出力スイッチをともにオフし、該表示回路が動作しなくなった時先ず該入力スイッチをオンして該増幅部に対する光リーク電流の供給を開始し、次に該光リーク電流の供給が安定した時点で該出力スイッチをオンする。一態様では、前記液晶素子は、光反射型である。他の態様では、前記液晶素子は、光透過型である。好ましくは、前記薄膜トランジスタは、多結晶シリコン薄膜を活性層とする。或いは、前記薄膜トランジスタは、非晶質シリコン薄膜を活性層としても良い。   Preferably, the light receiving circuit detects the amount of light incident on the light receiving element formed in the pixel and outputs a corresponding light receiving signal. The light receiving circuit uses a thin film transistor as a light receiving element, a set portion for setting the thin film transistor in a reverse bias state, and amplifies a light leak current flowing through the light receiving element in accordance with the amount of light incident in the reverse bias state. And an amplification unit that generates a light reception signal. In addition, the light receiving circuit includes an input switch for taking a light leakage current flowing through the light receiving element in accordance with the amount of incident light into the amplifying unit, and a light receiving signal obtained by amplifying the taken light leakage current from the amplifying unit. And an output switch for reading out to the signal line, and the input switch and the output switch are on / off controlled at timings independent of each other. In this case, the light receiving circuit turns off both the input switch and the output switch while the display circuit is in operation, and first turns on the input switch when the display circuit is not in operation. Supply of the leak current is started, and then the output switch is turned on when the supply of the optical leak current is stabilized. In one aspect, the liquid crystal element is a light reflection type. In another aspect, the liquid crystal element is a light transmission type. Preferably, the thin film transistor has a polycrystalline silicon thin film as an active layer. Alternatively, the thin film transistor may be an amorphous silicon thin film as an active layer.

本発明によれば、アクティブマトリクス型液晶表示装置の各画素内に表示回路と受光回路を薄膜トランジスタなどで集積形成している。表示回路は映像信号に応じて液晶素子を駆動することで、画像表示出力が可能になる。一方受光回路は、薄膜トランジスタに逆バイアス電圧を印加した状態で入射光量に応じた光リーク電流を流し、さらにこれを増幅することにより、画像情報の入力を可能にしている。本発明による液晶表示装置は、タッチパネルなどを用いなくとも光学的に座標位置検出が可能で、且つ2箇所以上の同時座標検出も原理的に可能である。また、座標検出用としてディスプレイ上に別途位置検出装置を設置する必要がないため、高輝度な画像表示を得ることができる。また、座標検出以外の応用として、画素単位の光検出に基づいたスキャナを実現できる。これにより、付加価値の高い液晶表示装置を提供することが可能である。特に本発明では、受光回路が受光電流制御と増幅出力制御を各々独立に行うことで、受光感度を改善している。なお、本発明は画素に液晶素子を用いているが、これに代えて有機EL素子などの自発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置にも応用可能である。   According to the present invention, a display circuit and a light receiving circuit are integrated and formed by thin film transistors or the like in each pixel of an active matrix liquid crystal display device. The display circuit can output an image display by driving the liquid crystal element in accordance with the video signal. On the other hand, the light receiving circuit allows the input of image information by flowing a light leakage current corresponding to the amount of incident light in a state where a reverse bias voltage is applied to the thin film transistor and further amplifying it. The liquid crystal display device according to the present invention can optically detect a coordinate position without using a touch panel or the like, and can also detect two or more simultaneous coordinates in principle. In addition, since it is not necessary to separately install a position detection device on the display for coordinate detection, a high-luminance image display can be obtained. Further, as an application other than coordinate detection, a scanner based on light detection in pixel units can be realized. Thereby, a liquid crystal display device with high added value can be provided. In particular, in the present invention, the light receiving circuit improves the light receiving sensitivity by independently performing the light receiving current control and the amplification output control. Although the present invention uses a liquid crystal element for a pixel, it can be applied to an active matrix display device using a self-luminous element such as an organic EL element instead.

以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す模式的な全体平面図である。図示するように、本液晶表示装置はパネル1Aとこれを駆動する周辺の回路とで構成されている。パネル1Aは画素1Bをマトリクス状に集積形成した画素アレイ1Kを備えている。これを周辺から囲むように配された回路群は、映像信号線駆動用集積回路1C、映像信号制御回路1D、走査線駆動集積回路1E、走査線制御回路1F、受光信号処理基板1G、受光信号伝達用フレキシブルケーブル1Hなどを含んでいる。本実施形態では、映像信号線駆動用集積回路1Cはフレキシブルケーブルに搭載されている。映像信号制御回路1Dはこの映像信号線駆動用集積回路1Cを搭載したフレキシブルケーブルを介してパネル1Aに接続されている。同様に走査線制御回路1Fは走査線駆動集積回路1Eを搭載したフレキシブルケーブルを介してパネル1Aに接続されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention. As shown in the figure, this liquid crystal display device includes a panel 1A and peripheral circuits for driving the panel 1A. The panel 1A includes a pixel array 1K in which pixels 1B are integrated and formed in a matrix. A circuit group arranged so as to surround this from the periphery includes a video signal line driving integrated circuit 1C, a video signal control circuit 1D, a scanning line driving integrated circuit 1E, a scanning line control circuit 1F, a light receiving signal processing substrate 1G, and a light receiving signal. A transmission flexible cable 1H and the like are included. In the present embodiment, the video signal line driving integrated circuit 1C is mounted on a flexible cable. The video signal control circuit 1D is connected to the panel 1A via a flexible cable on which the video signal line driving integrated circuit 1C is mounted. Similarly, the scanning line control circuit 1F is connected to the panel 1A via a flexible cable on which the scanning line driving integrated circuit 1E is mounted.

図2は、図1に示した画素1Bの構成を示す模式的な平面図である。図示するように、画素1Bは、走査線の列と信号線の列とが交差する部分に配されている。信号線は1画素当たり2本配されており、表示用信号線2Dと出力用信号線2Eがある。表示用信号線2Dは図1に示した映像信号線駆動用集積回路1Cに接続している。一方出力用信号線2Eは図1に示した受光信号処理基板1Gに接続されている。走査線の方は1画素当たり3本配されており、表示用走査線2F、入力用走査線2G、出力用走査線2Hがある。これらの走査線2F,2G,2Hは図1に示した走査線駆動集積回路1Eに接続されている。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the pixel 1B shown in FIG. As shown in the figure, the pixel 1B is arranged at a portion where the scanning line column and the signal line column intersect. Two signal lines are arranged per pixel, and there are a display signal line 2D and an output signal line 2E. The display signal line 2D is connected to the video signal line driving integrated circuit 1C shown in FIG. On the other hand, the output signal line 2E is connected to the received light signal processing substrate 1G shown in FIG. Three scanning lines are arranged per pixel, and there are a display scanning line 2F, an input scanning line 2G, and an output scanning line 2H. These scanning lines 2F, 2G, and 2H are connected to the scanning line driving integrated circuit 1E shown in FIG.

画素1Bは、液晶素子と、薄膜トランジスタで構成された表示回路2Aと、同じく薄膜トランジスタで構成された受光回路とを含んでいる。本実施形態は反射型であり、液晶素子は反射電極2Rとこれに対向する透明電極との間に挟まれた液晶で構成されている。表示回路2Aは、表示用走査線2Fにより選択されたとき表示用信号線2Dから入力された映像信号に応じて液晶素子を駆動し、以ってマトリクス状の画素に映像を表示する。一方受光回路は、表示回路2Aが動作していないときに選択され、画素1Bに入射する光量に応じた受光信号を出力用信号線2Eに出力する。   The pixel 1B includes a liquid crystal element, a display circuit 2A composed of a thin film transistor, and a light receiving circuit also composed of a thin film transistor. This embodiment is of a reflective type, and the liquid crystal element is composed of liquid crystal sandwiched between the reflective electrode 2R and a transparent electrode facing the reflective electrode 2R. When the display circuit 2A is selected by the display scanning line 2F, the display circuit 2A drives the liquid crystal element in accordance with the video signal input from the display signal line 2D, thereby displaying the video on the matrix pixels. On the other hand, the light receiving circuit is selected when the display circuit 2A is not operating, and outputs a light receiving signal corresponding to the amount of light incident on the pixel 1B to the output signal line 2E.

本実施形態では、受光回路は画素1Bに形成された受光素子3Dに入射する光量を検出して、対応する受光信号を出力する。本実施形態では受光素子3Dとして薄膜トランジスタを用いている。さらにこの薄膜トランジスタを逆バイアスの状態にセットするセット部と、逆バイアスの状態下入射する光量に応じて受光素子3Dに流れる光リーク電流を増幅して受光信号を生成する増幅部とを含む。受光回路は、入射する光量に応じて受光素子3Dに流れる光リーク電流を増幅部に取り入れる入力スイッチと、取り入れた光リーク電流を増幅して得られた受光信号を増幅部から出力用信号線2Eに読み出す出力スイッチとを含む。入力スイッチと出力スイッチは互いに独立したタイミングでそれぞれ入力用走査線2G及び出力用走査線2Hによりオンオフ制御される。受光回路は、表示回路2Aが動作しなくなったときまず入力スイッチをオンして増幅部に対する光リーク電流の供給を開始し、次に光リーク電流の供給が安定した時点で出力スイッチをオンする。なお、表示回路2Aは反射電極2Rの下部に配されている。一方受光素子3Dは外部からの光を取り込むため、反射電極2Rに形成された開口部と整合するように配されている。   In the present embodiment, the light receiving circuit detects the amount of light incident on the light receiving element 3D formed in the pixel 1B, and outputs a corresponding light receiving signal. In the present embodiment, a thin film transistor is used as the light receiving element 3D. Furthermore, a setting unit that sets the thin film transistor in a reverse bias state and an amplification unit that amplifies a light leakage current flowing through the light receiving element 3D according to the amount of light incident in the reverse bias state to generate a light reception signal. The light receiving circuit includes an input switch that takes in the light leakage current flowing through the light receiving element 3D in accordance with the amount of incident light, and an output signal line 2E that receives the light reception signal obtained by amplifying the taken light leakage current from the amplifier. Output switch. The input switch and the output switch are ON / OFF controlled by the input scanning line 2G and the output scanning line 2H, respectively, at timings independent of each other. When the display circuit 2A stops operating, the light receiving circuit first turns on the input switch to start supplying the light leakage current to the amplifier, and then turns on the output switch when the supply of the light leakage current is stabilized. The display circuit 2A is disposed below the reflective electrode 2R. On the other hand, the light receiving element 3D is arranged so as to be aligned with the opening formed in the reflective electrode 2R in order to take in light from the outside.

図3は、図2に示した画素1個分の液晶表示装置の断面構造を示す模式図である。図示するように、液晶表示装置は下側の基板41と上側の基板47との間に液晶44を挟持したフラットパネル構成となっている。下側の基板41には表示回路2Aや受光素子3Dが形成されている。図示するように表示回路2Aは薄膜トランジスタ3Aなどで構成されている。受光素子3Dも同様に下側の基板41に形成された薄膜トランジスタからなる。これらの薄膜トランジスタは例えば多結晶シリコン薄膜を活性層としている。場合によっては多結晶シリコン薄膜にかえて非晶質シリコン薄膜を活性層としてもよい。薄膜トランジスタで構成された表示回路2Aや受光素子3Dは平坦化膜42で被覆されており、その上に反射電極2Rが形成されている。この反射電極2Rは平坦化膜42に形成されたコンタクトホールを介して表示回路2Aに接続している。一方受光素子3Dの上方には反射電極2Rを切り欠いて開口部43が形成されている。   FIG. 3 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display device for one pixel shown in FIG. As shown in the figure, the liquid crystal display device has a flat panel structure in which a liquid crystal 44 is sandwiched between a lower substrate 41 and an upper substrate 47. On the lower substrate 41, a display circuit 2A and a light receiving element 3D are formed. As shown in the drawing, the display circuit 2A is composed of a thin film transistor 3A and the like. Similarly, the light receiving element 3D is formed of a thin film transistor formed on the lower substrate 41. These thin film transistors have, for example, a polycrystalline silicon thin film as an active layer. In some cases, an amorphous silicon thin film may be used as the active layer instead of the polycrystalline silicon thin film. The display circuit 2A and the light receiving element 3D formed of thin film transistors are covered with a planarizing film 42, and a reflective electrode 2R is formed thereon. The reflective electrode 2R is connected to the display circuit 2A through a contact hole formed in the planarizing film 42. On the other hand, an opening 43 is formed above the light receiving element 3D by notching the reflective electrode 2R.

一方上側の基板47の内面にはカラーフィルタ46や透明電極45が形成されており、外面には偏光板48が形成されている。上側の基板47に配された透明電極45と下側の基板41に配された反射電極2Rとの間に液晶44が保持されており、画素単位で光反射型の液晶素子を構成している。この液晶素子は表示回路2Aから反射電極2Rに書き込まれる映像信号のレベルに応じて、液晶44の透過率を変調する。これにより画素単位で反射光量を変調し、以って画像を表示する。   On the other hand, a color filter 46 and a transparent electrode 45 are formed on the inner surface of the upper substrate 47, and a polarizing plate 48 is formed on the outer surface. A liquid crystal 44 is held between the transparent electrode 45 disposed on the upper substrate 47 and the reflective electrode 2R disposed on the lower substrate 41, and constitutes a light reflection type liquid crystal element in units of pixels. . This liquid crystal element modulates the transmittance of the liquid crystal 44 in accordance with the level of the video signal written from the display circuit 2A to the reflective electrode 2R. As a result, the amount of reflected light is modulated in units of pixels, thereby displaying an image.

図4は、受光素子3Dとして用いる薄膜トランジスタの電流−電圧特性を示すグラフである。横軸に、ゲート・ソース間電圧を取り、縦軸にドレイン電流を対数で取ってある。ゲート・ソース間電圧が正の値を取る順バイアス状態では、薄膜トランジスタの閾値を超えた後ゲート・ソース間電圧に応じてドレイン電流Idが流れる。一方ゲート・ソース間電圧が負の値を取る逆バイアス状態では、基本的にドレイン電流Idは流れない。ただし、逆バイアス時には外部から入射した光の光励起により光リーク電流が流れる。この光リーク電流は外部から入射した光量が大きくなる程電流量が増大する。本発明は、この薄膜トランジスタの光励起によるドレイン電流の変化を利用して、光検出を行う。順バイアスにおけるドレイン電流に比べ、逆バイアスにおける光リーク電流は絶対量が少ない。そこで本発明は、光リーク電流を増幅して光検出を行っている。   FIG. 4 is a graph showing current-voltage characteristics of a thin film transistor used as the light receiving element 3D. The horizontal axis represents the gate-source voltage, and the vertical axis represents the drain current logarithmically. In the forward bias state in which the gate-source voltage takes a positive value, the drain current Id flows according to the gate-source voltage after exceeding the threshold value of the thin film transistor. On the other hand, in the reverse bias state where the gate-source voltage takes a negative value, the drain current Id basically does not flow. However, at the time of reverse bias, a light leakage current flows due to photoexcitation of light incident from the outside. The light leakage current increases as the amount of light incident from the outside increases. In the present invention, light detection is performed by utilizing a change in drain current caused by photoexcitation of the thin film transistor. The absolute amount of the light leakage current in the reverse bias is smaller than the drain current in the forward bias. Therefore, the present invention performs light detection by amplifying the light leakage current.

図5は、図2に示した画素の具体的な構成を示す回路図である。図示するように、画素1Bは表示回路2Aと受光回路2Bとで構成されている。表示回路2Aが表示用信号線2Dと表示用走査線2Fとが交差する部分に配されている。表示回路2Aは基本的にサンプリングトランジスタ3Aで構成されている。このサンプリングトランジスタ3AはN型の薄膜トランジスタである。サンプリングトランジスタ3Aのゲートは表示用走査線2Fに接続され、ドレインは表示用信号線2Dに接続されている。サンプリングトランジスタ3Aのソースには、液晶素子3Bと保持容量3Cの一端が接続されている。液晶素子3Bの他端は所定の電源電圧Vcomに接続されている。また保持容量3Cの他端は所定の電位Vcsに接続されている。図3を参照して説明したように、液晶素子3Bはトランジスタ3A側に接続した反射電極とこれに対向する透明電極と両者の間に保持された液晶層とで構成されている。   FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific configuration of the pixel shown in FIG. As shown in the drawing, the pixel 1B includes a display circuit 2A and a light receiving circuit 2B. The display circuit 2A is arranged at a portion where the display signal line 2D and the display scanning line 2F intersect. The display circuit 2A is basically composed of a sampling transistor 3A. The sampling transistor 3A is an N-type thin film transistor. The gate of the sampling transistor 3A is connected to the display scanning line 2F, and the drain is connected to the display signal line 2D. One end of a liquid crystal element 3B and a storage capacitor 3C is connected to the source of the sampling transistor 3A. The other end of the liquid crystal element 3B is connected to a predetermined power supply voltage Vcom. The other end of the storage capacitor 3C is connected to a predetermined potential Vcs. As described with reference to FIG. 3, the liquid crystal element 3B includes a reflective electrode connected to the transistor 3A side, a transparent electrode facing the reflective electrode, and a liquid crystal layer held between them.

一方受光回路2Bは、出力用信号線2Eと走査線2G,2Hとが交差する部分に配されている。一方の走査線2Gは入力用であり、他方の走査線2Hは出力用である。入力用走査線2Gは入力スイッチとなる入力トランジスタ3Eのゲートに接続されている。一方出力用走査線2Hは、出力スイッチとなるトランジスタ3Hのゲートに接続されている。入力トランジスタ3Eのドレインには受光素子となる受光トランジスタ3Dのドレインが接続されている。受光トランジスタ3Dのゲートには、逆バイアスゲート電圧源Vb4が接続されており、逆バイアスセット部を構成する。受光トランジスタ3Dのソースには、受光電流生成用電圧源Vb3が接続されている。   On the other hand, the light receiving circuit 2B is arranged at a portion where the output signal line 2E and the scanning lines 2G and 2H intersect. One scanning line 2G is for input, and the other scanning line 2H is for output. The input scanning line 2G is connected to the gate of the input transistor 3E serving as an input switch. On the other hand, the output scanning line 2H is connected to the gate of the transistor 3H serving as an output switch. The drain of the light receiving transistor 3D serving as a light receiving element is connected to the drain of the input transistor 3E. A reverse bias gate voltage source Vb4 is connected to the gate of the light receiving transistor 3D to constitute a reverse bias set unit. A light receiving current generating voltage source Vb3 is connected to the source of the light receiving transistor 3D.

一対のトランジスタ3F及び3Gでカレントミラー回路を構成しており、増幅部となっている。受光トランジスタ3Dにより生成された光リーク電流Ipは、入力トランジスタ3Eを介して、一方のトランジスタ3Fのドレインとゲートに入力され、そのソースを介してバイアス電源Vb1に流れ込む。他方のトランジスタ3Gのゲートは、トランジスタ3Fのドレインとゲートに接続され、そのソースはバイアス電源Vb2に接続され、そのドレインは出力トランジスタ3Hを介して出力用信号線2Eに接続される。出力用信号線2Eに流れる受光信号電流Ireadはカレントミラー回路を構成するトランジスタ3Fと3Gのサイズ比に応じて光リーク電流Ipを増幅した値となる。   A pair of transistors 3F and 3G constitute a current mirror circuit, which serves as an amplifying unit. The light leakage current Ip generated by the light receiving transistor 3D is input to the drain and gate of one transistor 3F through the input transistor 3E, and flows into the bias power supply Vb1 through the source. The other transistor 3G has a gate connected to the drain and gate of the transistor 3F, a source connected to the bias power supply Vb2, and a drain connected to the output signal line 2E via the output transistor 3H. The received light signal current Iread flowing through the output signal line 2E is a value obtained by amplifying the light leakage current Ip according to the size ratio of the transistors 3F and 3G constituting the current mirror circuit.

図6は、図5に示した画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。本実施形態では、1フレームの前半を表示動作期間(映像期間)とし、後半を受光動作期間として、時分割的な制御を行っている。タイミングチャートは、映像信号、表示用走査信号、出力用走査信号、入力用走査信号などの波形を表している。これと対応させて光リーク電流Ip及び受光信号電流Ireadの変化も表してある。なお映像信号は外部システムから入力用信号線2Dに供給され、表示用走査信号は表示用走査線2Fに供給され、出力用走査信号は出力用走査線2Hに供給され、入力用走査信号は入力用走査線2Gに供給される。   FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the pixel circuit shown in FIG. In the present embodiment, time-division control is performed with the first half of one frame as a display operation period (video period) and the second half as a light receiving operation period. The timing chart represents waveforms of a video signal, a display scanning signal, an output scanning signal, an input scanning signal, and the like. Correspondingly, changes in the light leakage current Ip and the light reception signal current Iread are also shown. The video signal is supplied from the external system to the input signal line 2D, the display scanning signal is supplied to the display scanning line 2F, the output scanning signal is supplied to the output scanning line 2H, and the input scanning signal is input. Is supplied to the scanning line 2G.

まず表示動作であるが、表示用走査信号をハイレベルにして、サンプリングトランジスタ3Aをオンする。これにより表示用信号線2Dから供給された映像信号がサンプリングトランジスタ3Aにより取り込まれ、対応する液晶素子3Bに書き込まれる。これにより、液晶素子3Bは書き込まれた映像信号のレベルに応じて液晶層の透過率を変調し、所望の画像を表示する。サンプリングトランジスタ3Aにより取り込まれた映像信号は、保持容量3Cにも保持される。これにより1フレームの2分の1に相当する映像表示期間中、安定して画像を表示することができる。   First, in the display operation, the scanning signal for display is set to the high level, and the sampling transistor 3A is turned on. As a result, the video signal supplied from the display signal line 2D is taken in by the sampling transistor 3A and written to the corresponding liquid crystal element 3B. Thereby, the liquid crystal element 3B modulates the transmittance of the liquid crystal layer according to the level of the written video signal, and displays a desired image. The video signal captured by the sampling transistor 3A is also held in the holding capacitor 3C. Thus, an image can be stably displayed during a video display period corresponding to a half of one frame.

後半の受光動作期間では、まず入力用走査信号をハイレベルにして光リーク電流Ipを入力トランジスタ3Eを介してカレントミラー回路の一方のトランジスタ3Fへと流し込む。このときトランジスタ3Fのゲート電圧Vgは、光リーク電流Ipによりゲート容量が充電されることにより上昇する。そして、ゲートに対する充電が完了しIpが飽和した所で、出力用走査信号をハイレベルにする。これにより出力トランジスタ3Hがオンし、出力用信号線2Eに受光信号Ireadを流し込む。この期間では、入力トランジスタ3Eと出力トランジスタ3Hが共にオン状態であるため、受光信号Ireadは、トランジスタ3Fと3Gにより構成されるカレントミラー回路により、光リーク電流Ipを増幅した値となる。   In the latter light receiving operation period, first, the input scanning signal is set to the high level, and the optical leakage current Ip is caused to flow to one transistor 3F of the current mirror circuit via the input transistor 3E. At this time, the gate voltage Vg of the transistor 3F rises when the gate capacitance is charged by the light leakage current Ip. Then, when the charging of the gate is completed and Ip is saturated, the output scanning signal is set to the high level. As a result, the output transistor 3H is turned on, and the light reception signal Iread is supplied to the output signal line 2E. During this period, since both the input transistor 3E and the output transistor 3H are in the on state, the light reception signal Iread has a value obtained by amplifying the light leakage current Ip by the current mirror circuit configured by the transistors 3F and 3G.

本発明では、受光期間中にカレントミラー回路の動作点を決定するため、常に光電流を流す構成となっており、受光感度が上昇する。またカレントミラー回路により光リーク電流をアナログ的に増幅するので、諧調表現も可能である。さらに、画素内で表示回路と受光回路が完全に分離されているので、実施形態で示した1フレームを均等に映像表示期間と受光検出期間に分離する方式だけでなく、例えば受光動作は垂直ブランキング期間に行う構成も可能であり、タイミング上の制約も少ない。   In the present invention, since the operating point of the current mirror circuit is determined during the light receiving period, the photocurrent is always supplied, and the light receiving sensitivity is increased. In addition, since the light leakage current is amplified in an analog manner by the current mirror circuit, gradation expression is also possible. Further, since the display circuit and the light receiving circuit are completely separated in the pixel, not only the method of equally separating one frame into the video display period and the light receiving detection period shown in the embodiment, but also, for example, the light receiving operation is performed vertically. A configuration performed during the ranking period is also possible, and there are few timing restrictions.

以上説明したように、本発明ではアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素内に表示回路と受光回路を形成している。受光期間中に受光トランジスタのゲートに逆バイアスを印加することで光励起電流を生成することができる。更にこの光励起電流をカレントミラー回路で増幅することにより、映像表示と画像検出の両方が可能な表示装置を形成することができる。本発明の表示パネルでは、タッチパネル等を別途用いなくとも座標位置検出が可能で、且つ複数点の同時座標検出が可能である。また座標検出用に表示パネルに重ねて位置検出デバイスを設置する必要がないため、高輝度な画像を得ることができる。また座標位置検出以外にも、光検出を応用したスキャナをパネルに一体形成できるので、高付加価値を有する液晶表示装置を提供することができる。   As described above, in the present invention, the display circuit and the light receiving circuit are formed in the pixel of the active matrix type liquid crystal display device. A photoexcitation current can be generated by applying a reverse bias to the gate of the light receiving transistor during the light receiving period. Further, a display device capable of both video display and image detection can be formed by amplifying the photoexcitation current with a current mirror circuit. The display panel of the present invention can detect the coordinate position without separately using a touch panel or the like, and can detect a plurality of points simultaneously. In addition, since it is not necessary to install a position detection device on the display panel for coordinate detection, a high-luminance image can be obtained. In addition to coordinate position detection, a scanner that applies light detection can be integrally formed on the panel, so that a liquid crystal display device having high added value can be provided.

図7は、本発明にかかる液晶表示装置の他の実施形態を示す模式図であり、1画素分の平面図となっている。理解を容易にするため、図2に示した先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる点は、図2に示した先の実施形態が光反射型の液晶素子を組み込んでいるのに対し、本実施形態は光透過型の液晶素子を用いていることである。図示するように、画素1Bは、信号線2D,2Eと走査線2F,2G,2Hとが交差する部分に配されており、表示回路2Aと受光素子3Dを含む受光回路とに分かれている。表示回路2Aと受光素子3Dを囲むように、液晶素子の透明電極2Tが形成されている。   FIG. 7 is a schematic view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and is a plan view for one pixel. For easy understanding, the parts corresponding to those of the previous embodiment shown in FIG. The difference is that the previous embodiment shown in FIG. 2 incorporates a light-reflective liquid crystal element, whereas this embodiment uses a light-transmissive liquid crystal element. As shown in the figure, the pixel 1B is arranged at a portion where the signal lines 2D, 2E and the scanning lines 2F, 2G, 2H intersect, and is divided into a display circuit 2A and a light receiving circuit including a light receiving element 3D. A transparent electrode 2T of a liquid crystal element is formed so as to surround the display circuit 2A and the light receiving element 3D.

図8は、図7に示した1画素分の液晶表示装置のA−A´線に沿った断面構造を示している。図示するように、本液晶表示装置は、下側の基板41と上側の基板47と両者の間に保持された液晶44とで構成されている。下側の基板41の外面には偏光板49が配されている一方、内面には表示回路2Aや受光素子3Dが集積形成されている。表示回路2Aや受光素子3Dは平坦化膜42で被覆されており、その上に透明電極2Tが形成されている。この透明電極2Tは表示回路2Aによって駆動される。   FIG. 8 shows a cross-sectional structure along the line AA ′ of the liquid crystal display device for one pixel shown in FIG. As shown in the figure, the present liquid crystal display device is composed of a lower substrate 41, an upper substrate 47, and a liquid crystal 44 held between them. A polarizing plate 49 is disposed on the outer surface of the lower substrate 41, and a display circuit 2A and a light receiving element 3D are integrated on the inner surface. The display circuit 2A and the light receiving element 3D are covered with a planarizing film 42, and a transparent electrode 2T is formed thereon. The transparent electrode 2T is driven by the display circuit 2A.

上側の基板47の外面には偏光板48が配されている一方、内面にはカラーフィルタ46や透明電極45が形成されている。下側の基板41に配された透明電極2Tと上側の基板47に配された透明電極45との間に保持された液晶44で透過型の液晶素子が構成されている。この液晶素子は表示回路2Aを介して透明電極2Tに印加される映像信号のレベルに応じて透過率が変化する。これに応じて下側の基板41から入射した光が変調され、透過光となって上側の基板47から出射される。一方、受光素子3Dの上から透明電極2Tが除かれており、外部から入射した光の検出を行うことができる。   A polarizing plate 48 is disposed on the outer surface of the upper substrate 47, while a color filter 46 and a transparent electrode 45 are formed on the inner surface. A transmissive liquid crystal element is constituted by the liquid crystal 44 held between the transparent electrode 2T disposed on the lower substrate 41 and the transparent electrode 45 disposed on the upper substrate 47. The transmittance of the liquid crystal element changes according to the level of the video signal applied to the transparent electrode 2T via the display circuit 2A. In response to this, light incident from the lower substrate 41 is modulated and emitted from the upper substrate 47 as transmitted light. On the other hand, the transparent electrode 2T is removed from above the light receiving element 3D, and light incident from the outside can be detected.

本発明にかかる液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an overall configuration of a liquid crystal display device according to the present invention. 図1に示した液晶表示装置の1画素分を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing one pixel of the liquid crystal display device shown in FIG. 1. 同じく1画素分を示す断面図である。It is sectional drawing which similarly shows one pixel. 本発明にかかる液晶表示装置に組み込まれる受光素子の電流電圧特性を示すグラフである。It is a graph which shows the current-voltage characteristic of the light receiving element integrated in the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明にかかる液晶表示装置に形成される画素回路の具体的な構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the specific structural example of the pixel circuit formed in the liquid crystal display device concerning this invention. 図5に示した画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the operation of the pixel circuit shown in FIG. 5. 本発明にかかる液晶表示装置の他の実施形態を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows other embodiment of the liquid crystal display device concerning this invention. 同じく他の実施形態の断面図である。Similarly it is sectional drawing of other embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1A・・・パネル、1B・・・画素、2A・・・表示回路、2B・・・受光回路、2D・・・表示用信号線、2E・・・出力用信号線、2F・・・表示用走査線、2G・・・入力用走査線、2H・・・出力用走査線、3A・・・サンプリングトランジスタ、3B・・・液晶素子、3D・・・受光素子、3E・・・入力トランジスタ、3F・・・カレントミラートランジスタ、3G・・・カレントミラートランジスタ、3H・・・出力トランジスタ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A ... Panel, 1B ... Pixel, 2A ... Display circuit, 2B ... Light receiving circuit, 2D ... Display signal line, 2E ... Output signal line, 2F ... Display Scanning line, 2G ... input scanning line, 2H ... output scanning line, 3A ... sampling transistor, 3B ... liquid crystal element, 3D ... light receiving element, 3E ... input transistor, 3F ... Current mirror transistor, 3G ... Current mirror transistor, 3H ... Output transistor

Claims (9)

走査線の列と、信号線の列と、各走査線と各信号線が交差する部分にマトリクス状に配された画素とを備え、
各画素は、液晶素子と、薄膜トランジスタで構成された表示回路と、同じく薄膜トランジスタで構成された受光回路とを含み、
前記表示回路は、該走査線により選択された時該信号線から入力された映像信号に応じて該液晶素子を駆動し、以ってマトリクス状の画素に映像を表示し、
前記受光回路は、該表示回路が動作していないときに選択され、画素に入射する光量に応じた受光信号を別の信号線に出力することを特徴とする
アクティブマトリクス型液晶表示装置。
A column of scanning lines, a column of signal lines, and pixels arranged in a matrix at a portion where each scanning line and each signal line intersect,
Each pixel includes a liquid crystal element, a display circuit composed of a thin film transistor, and a light receiving circuit also composed of a thin film transistor,
The display circuit drives the liquid crystal element according to a video signal input from the signal line when selected by the scanning line, thereby displaying an image on a matrix of pixels,
An active matrix liquid crystal display device, wherein the light receiving circuit is selected when the display circuit is not operating, and outputs a light receiving signal corresponding to the amount of light incident on the pixel to another signal line.
前記受光回路は、該画素に形成された受光素子に入射する光量を検出して、対応する受光信号を出力することを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light receiving circuit detects a light amount incident on a light receiving element formed in the pixel and outputs a corresponding light receiving signal. 前記受光回路は、受光素子として薄膜トランジスタを用い、該薄膜トランジスタを逆バイアスの状態にセットするセット部と、逆バイアスの状態下入射する光量に応じて該受光素子に流れる光リーク電流を増幅して受光信号を生成する増幅部とを含むことを特徴とする請求項2記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   The light receiving circuit uses a thin film transistor as a light receiving element, sets a thin film transistor in a reverse bias state, and amplifies a light leakage current flowing in the light receiving element in accordance with the amount of light incident in the reverse bias state to receive light. 3. The active matrix liquid crystal display device according to claim 2, further comprising an amplifying unit for generating a signal. 前記受光回路は、入射する光量に応じて該受光素子に流れる光リーク電流を該増幅部に取り入れる入力スイッチと、取り入れた光リーク電流を増幅して得られた受光信号を該増幅部から信号線に読み出す出力スイッチとを含み、該入力スイッチと出力スイッチは互いに独立したタイミングでオンオフ制御可能にしたことを特徴とする請求項3記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   The light receiving circuit includes an input switch for taking a light leakage current flowing through the light receiving element in accordance with the amount of incident light into the amplification unit, and a light reception signal obtained by amplifying the taken light leakage current from the amplification unit to the signal line. 4. An active matrix type liquid crystal display device according to claim 3, further comprising an output switch for reading out the data, wherein the input switch and the output switch can be turned on and off at independent timings. 前記受光回路は、該表示回路が動作している間該入力スイッチ及び出力スイッチをともにオフし、該表示回路が動作しなくなった時先ず該入力スイッチをオンして該増幅部に対する光リーク電流の供給を開始し、次に該光リーク電流の供給が安定した時点で該出力スイッチをオンすることを特徴とする請求項4記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   The light receiving circuit turns off both the input switch and the output switch while the display circuit is operating, and first turns on the input switch when the display circuit stops operating to reduce the light leakage current to the amplifying unit. 5. The active matrix liquid crystal display device according to claim 4, wherein the output switch is turned on when the supply is started and then the supply of the light leakage current is stabilized. 前記液晶素子は、光反射型であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal element is a light reflection type. 前記液晶素子は、光透過型であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal element is a light transmission type. 前記薄膜トランジスタは、多結晶シリコン薄膜を活性層とすることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the thin film transistor has a polycrystalline silicon thin film as an active layer. 前記薄膜トランジスタは、非晶質シリコン薄膜を活性層とすることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。   2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the thin film transistor includes an amorphous silicon thin film as an active layer.
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