JP2006049462A - ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】クランプ部材によって電極に固定された半導体装置に用いる基板表面を、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマガ照射面から発生したエッチング副生成物が基板表面に付着することを容易に防止するドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】装置内３０ａに気体を導入してプラズマを発生させ、装置内３０ａに配設された一対の電極６，７の内、一方の電極７にクランプ部材５によって固定された基板２の表面２ａに前記プラズマを照射させて該基板表面２ａをドライエッチングするドライエッチング装置１において、クランプ部材５の基板２に対向する面５ｂａがテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面５ｂａが基板２の周縁２ａｅに線接触することで基板２が一方の電極７に固定されることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、ドライエッチング装置に関し、特にクランプ部材によって電極に固定された基板表面を、プラズマガスを用いてドライエッチングするドライエッチング装置に関する。

半導体装置の製造工程における石英（ＳｉＯ_２）等の基板または基板上に成膜された酸化膜等の各種薄膜のドライエッチング工程に、プラズマガスを用いて行う手法が周知である。詳しくは、ドライエッチング装置のチャンバ内の上側と下側に配設された一対の電極（以下、上側を上部電極、下側を下部電極と称す）の内、下部電極上に石英等の基板を戴置し、上部電極と下部電極との間に、フッ素（Ｆ）系のプラズマガスを導入して、前記電極間に真空破壊を起こさせることによりフッ素系のプラズマを発生させ、その結果生成されたイオンやラジカル等の活性種の放電により、基板または基板上に形成された薄膜をドライエッチングする手法が一般に知られている。

このフッ素系のプラズマを用いたドライエッチングにより、石英基板からエッチングされた混合物（Ｆ＋ＳｉＯ_２＝ＳｉＦ_４、以下、混合物をエッチング副生成物と称す）の一部は、Vapor（気体）状態となり、チャンバに設けられた排気口から、チャンバ外にポンプ等により排出される。

また、石英基板上に形成された薄膜と、フッ素系のプラズマとの反応により生成されたエッチング副生成物は、固体状態となりチャンバ内に堆積してしまう場合があるため、表面がドライエッチングされた基板をチャンバ外に搬出し、次いで別の基板をチャンバ内に搬入し、前記ドライエッチングに用いたフッ素系ガスとは、異なるハロゲン系のガスを用いて再度ドライエッチングを行うことにより、チャンバ内に付着したエッチング副生成物をチャンバ外に排出する技術が周知である。

しかしながら、活性種が石英と反応することなく再結合されると、フルオロカーボン系のエッチング副生成物が発生してしまい、該フルオロカーボン系のエッチング副生成物は、フッ素系のプラズマには反応しないため、チャンバ内に堆積してしまう場合がある。チャンバ内に、エッチング副生成物が堆積されると、該エッチング副生成物は、飛散して、基板上に付着してしまい、基板のパターン不良、歩留まり低下を招く場合がある。

この不具合に対処するために、例えば特許文献１には、基板または基板上に成膜された薄膜のプラズマに哂される表面の少なくとも一部に、アルミニウムを主成分とする弗化物の層を覆い、プラズマガスを用いてドライエッチングを行う技術の提案がなされている。

アルミニウムの主成分とする弗化物層は、エッチング副生成物であるフルオロカーボンの堆積を抑制するため、基板または基板上に成膜された薄膜のプラズマに少なくとも一部に哂される表面の少なくとも一部に、アルミニウムの主成分とする弗化物の層を覆い、プラズマを用いてドライエッチングを行うと、チャンバ内のフルオロカーボンの堆積を防ぐことができる。
特開平９−３２６３８４号公報

ところで、基板または基板上に成膜された各種薄膜のドライエッチング工程に、プラズマを用いて行う場合、プラズマにより、基板または基板上に成膜された各種薄膜のプラズマの照射面が焼き付いてしまうため、基板を戴置する下部電極に形成された複数の穴から、該基板に向かって冷却用のガス、例えばヘリウムガスを出射することにより基板の冷却を行う技術が知られている。

この際、ヘリウムガスにより、基板が下部電極上から飛ばされてしまうのを防ぐため、基板表面の少なくとも一部、例えば外周よりの周部に、クランプ部材を戴置し、該クランプ部材をエアシリンダの圧力を用いて、基板に対し押圧することにより、基板を下部電極に対して固定する技術も知られている。

図５に示すように、クランプ部材５００を用いて基板６００を下部電極７００に対して固定した場合、クランプ部材５００の表面は外部に晒されているため、フッ素系のプラズマ８００を用いてドライエッチングを行うと、クランプ部材５００の表面の一部にも、フッ素系のプラズマ８００が照射される。

クランプ部材５００は、フッ素系のプラズマ８００に対してエッチングされ難い部材、例えばアルミナセラミック等から形成されているが、多少はドライエッチングされてしまうため、クランプ部材５００のプラズマが照射される面（以下、プラズマ照射面と称す）５００ｈが、ドライエッチングされてしまう場合がある。

クランプ部材５００がエッチングされると、エッチング副生成物９００が発生する。このエッチング副生成物９００は、フッ素系のプラズマ８００によってエッチングされるよりも、エッチング副生成物９００が堆積する方が早い面である該クランプ部材５００のプラズマ照射面５００ｈ以外の面、例えばクランプ部材５００の基板６００の外周面に近接する面（以下、内周面と称す）５００ｎやチャンバ内に堆積してしまう場合がある。

クランプ部材５００の内周面５００ｎに堆積したエッチング副生成物９００ｎは、堆積量が増えると、基板６００をクランプ部材５００の固定から解放した際、エッチング副生成物９００ｎが基板６００に接触することにより該基板６００上に付着してしまい、基板６００のパターン不良、歩留まり低下を招くといった問題がある。

また、チャンバ内に堆積した及びクランプ部材５００のその他の照射面５００ｈ以外の面に堆積したエッチング副生成物９００ｔが、ドライエッチング中に飛散して、クランプ部材５００の内周面５００ｎに堆積してしまう場合もある。さらには、図６に示すように、下部電極７００に形成されたヘリウムガス送気用の複数の穴７００ａを塞いでしまい、基板６００の冷却が行えなくなってしまうといった問題もある。

このような問題に鑑み、図７に示すように、クランプ部材５００の内周面５００ｎであって、基板６００に近接する面に、段部５００ｄを、例えば研削により設け、内周面５００ｎに堆積したエッチング副生成物９００ｎが、基板６００に接触するのを防ぐ技術も知られている。

しかしながら、段部５００ｄの基板６００に近接する面に、エッチング副生成物９００ｄが付着してしまう可能性があるため、堆積量が増えると、エッチング副生成物９００ｎと同様、エッチング副生成物９００ｄは、基板６００上に付着してしまい、基板６００のパターン不良、歩留まり低下を招くといった問題がある。

本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、クランプ部材によって電極に固定された半導体装置に用いる基板表面を、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマが照射される面から発生したエッチング副生成物が基板表面に付着することを容易に防止するドライエッチング装置を提供するにある。

上記目的を達成するために本発明に係るドライエッチング装置は、装置内に気体を導入してプラズマを発生させ、前記装置内に配設された一対の電極の内、一方の電極にクランプ部材によって固定された基板の表面に前記プラズマを照射させて該基板表面をドライエッチングするドライエッチング装置において、前記クランプ部材の前記基板に対向する面がテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面が前記基板の周縁に線接触することで前記基板が前記一方の電極に固定されることを特徴とし、前記テーパの角度は、０．５°〜２．０°の範囲内の角度であることを特徴とする。

本発明のドライエッチング装置によれば、クランプ部材は、該クランプ部材の前記基板に対向する面が、前記基板に対して０．５°〜２．０°の範囲内の角度を有するテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面が前記基板の周縁に線接触されていることから、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマ照射面から発生したエッチング副生成物が前記クランプ部材の基板に近接する位置に付着し、該付着したエッチング副生成物が、前記クランプ部材による基板の固定を解除した際、基板表面に付着することを防止することができるという効果を有する。

また、前記クランプ部材の前記基板に対向する面と、前記基板の表面とは、略平坦な面から構成されており、前記クランプ部材の前記基板に対向する面と前記基板の表面との間に、空間が形成されていることを特徴とし、さらに、前記基板が固定された前記一方の電極に、前記基板に対し冷却ガスを出射する複数の穴が形成されており、該複数の穴から出射された冷却ガスの少なくとも一部が、前記空間を通過することを特徴とする。

本発明のドライエッチング装置によれば、クランプ部材の基板に対向する面と、前記基板の表面とは、略平坦な面から構成されており、前記クランプ部材の前記基板に対向する面と前記基板の表面との間に形成された空間を、前記基板を冷却するに用いる冷却ガスの少なくとも一部が通過することから、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマ照射面から発生したエッチング副生成物が、前記クランプ部材の前記基板に対向する面に付着することを防止することができ、その結果、基板表面にエッチング副生成物が付着することを防止することができるという効果を有する。また、前記クランプ部材の基板に対向する平坦な面は、研削加工により、容易に形成することができることから、基板表面にエッチング副生成物が付着することを容易に防止することができるという効果を有する。

本発明の半導体装置の製造方法は、装置内に気体を導入してプラズマを発生させ、前記装置内に配設された一対の電極の内、一方の電極にクランプ部材によって固定した基板の表面に前記プラズマを照射して該基板表面をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ドライエッチングする工程において、前記基板に対向する面がテーパ状に形成された前記クランプ部材を用い、該テーパ状に形成された面を前記基板の周縁に線接触させることで、前記基板を前記一方の電極に固定することを特徴とする。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマ照射面から発生したエッチング副生成物が前記クランプ部材の基板に近接する位置に付着し、該付着したエッチング副生成物が、前記クランプ部材による基板の固定を解除した際、基板表面に付着することを防止することができるという効果を有する。

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の一実施の形態を示すドライエッチング装置の構成の概略を示す断面図、図２は、図１のクランプ部材を下方から見た拡大斜視図、図３は、図１の基板とクランプ部材との当接を拡大して示す要部部分断面図である。尚、本実施の形態におけるドライエッチング装置１は、フッ素系のプラズマを用いて、装置内であるチャンバ３０の内部３０ａに配設された半導体装置に用いる基板（以下、単に基板と称す）２の表面２ａ及び表面に成膜された図示しない酸化膜等の各種薄膜をドライエッチングする装置である。

図１に示すように、ドライエッチング装置１のチャンバ３０に、該チャンバ３０の内部３０ａにプラズマガス、例えば気体であるフッ素（Ｆ）系のプラズマガスを導入する吸気口３０ｋと、ドライエッチング後の基板２から発生したエッチング副生成物とエッチャントとを、該チャンバ３０の内部３０ａからチャンバ３０外に排出する排気口３０ｈが形成されている。

また、チャンバ３０の内部３０ａであって、該内部３０ａの図中上側寄り及び下側寄りに、一対の電極（以下、上側に設けられたものを上部電極６、下側に設けられたものを下部電極７と称す）が配設されている。

一対の電極の内、一方の電極である下部電極７の上面７ａに、半導体装置に用いる、例えば石英（ＳｉＯ_２）等の円板状の基板２が戴置される。尚、基板２は円板状でなくともよく、板状部材であればどのような形状であっても良い。また、基板２は、石英（ＳｉＯ_２）に限らずシリコン（Ｓｉ）から形成されていても良い。

また、上面７ａに、例えば０．５ｍｍの径を有する複数の穴７ｂが形成されている。該複数の穴７ｂから、後述するフッ素系のプラズマ５０により、戴置された基板２の表面２ａのプラズマが照射される面（以下、プラズマ照射面と称す）が焼き付きいてしまうのを防ぐため、基板２に向かって冷却用のガスであるヘリウムガスが出射される。

下部電極７の上面７ａに基板２が戴置される。上面７ａに戴置された基板２の略平坦な面である表面２ａの外周縁２ａｅに、例えばリング状を有するクランプ部材であるクランプリング５の後述するテーパ状の平坦面（以下、テーパ面と称す）５ｂａが、線接触され戴置される。

クランプリング５は、フッ素系のプラズマに対して耐性のある物質、言い換えればフッ素系のプラズマによりドライエッチングされ難い物質、例えばアルミナセラミック（Ａｌ_２Ｏ_３）から、例えばリング状を有する板に形成されている。

また、図２、図３に示すように、クランプリング５の下面５ｂであって、内周面５ｎの内周縁近傍は、基板表面２ａに対して、例えばθ＝０．５°〜２．０°の範囲内のテーパ角度を有して、外周に向かう程クランプリング５が肉厚となるよう断面が略直角三角形状に研削盤等で切り取られ、該略直角三角形の斜辺にテーパ面５ｂａが形成されている。尚、以下の説明においては、θ＝１．５°として説明する。

テーパ面５ｂａは、クランプリング５を基板２の外周縁２ａｅに線接触させた際、基板２の表面２ａに対し、θ＝１．５°のテーパ角度を有して対向する。また、その結果、テーパ面５ｂａと、基板２の表面２ａとの間に、断面が略直角三角形状を有する空間７０が形成される。

尚、クランプ部材は、上述した形状に限らず、基板２の表面２ａの外周縁２ａｅに線接触でき、クランプ部材を基板２の外周縁２ａｅに線接触させた際、テーパ面５ｂａと、基板２の表面２ａとの間に、断面が略直角三角形状を有する空間７０が形成されれば、どのような形状であっても良い。また、クランプリング５は、アルミナセラミックに限らず、アルミアルマイトから形成されていても良く、さらには、フッ素系のプラズマによりドライエッチングされ難い物質であれば、どのようなものであってもよい。

図１に戻って、クランプリング５は、上面５ａがエアシリンダ３の圧力によって押圧されることにより、テーパ面５ｂａにおいて基板２を下部電極７に対して押圧して固定するものであり、該押圧により、上述したヘリウムガスによる基板２が下部電極７の上面７ａから飛ばされてしまうのを防ぐ。

次に、このように構成された本実施の形態におけるドライエッチング装置１の作用について、図１〜図４を用いて説明する。図４は、図２のクランプリングにより固定した基板にドライエッチングを行っている状態を示すエッチング装置の要部部分拡大断面図である。

ドライエッチング装置１を用いて、基板２または基板２上に成膜された図示しない各種薄膜のドライエッチングを行う際は、先ず、図１に示すように、基板２が、例えばロボットのアーム等により、チャンバ３０の内部３０ａに配設された下部電極７の上面７ａに戴置される。

次いで、戴置された基板２の表面２ａの外周縁２ａｅに、クランプリング５のテーパ面５ｂａが線接触するようクランプリング５が戴置される。その後、クランプリング５は、エアシリンダ３の圧力を受けて、基板２を下部電極７に対して押圧して固定する。

次いで、チャンバ３０の内部３０ａに、具体的には、上部電極６と下部電極７との間に、吸気口３０ｋからフッ素（Ｆ）系のプラズマガスが導入され、既知の手段により、両電極間に高周波の電力が供給されることにより、両電極間が真空破壊される。

その後、フッ素系のプラズマ５０が発生し、その結果生成されたイオンやラジカル等の活性種の放電により、基板２または基板２上に形成された薄膜、例えば酸化膜等のプラズマ照射面が任意の形状にドライエッチングされる。

尚、ドライエッチング中は、フッ素系のプラズマ５０により、戴置された基板２の表面２ａのプラズマ照射面が焼き付きいてしまうのを防ぐため、基板２に向かって、下部電極７の複数の穴７ｂから冷却用のヘリウムガスが出射される。

また、フッ素系のプラズマ５０は、基板２のプラズマ照射面に限らず、図３に示すように、クランプリング５の上面５ａにも照射される。クランプリング５は、フッ素系のプラズマによりドライエッチングされ難い物質、例えばアルミナセラミック（Ａｌ_２Ｏ_３）から、形成されていると示したが、多少はドライエッチングされてしまう為、クランプリング５のプラズマが照射される面（以下、プラズマ照射面と称す）５ａｈは、ドライエッチングされる。

その結果、図４に示すように、クランプリング５のプラズマ照射面５ａｈ以外の面、例えばクランプリング５の内周面５ｎにエッチング副生成物９が堆積されてしまう。尚、内周面５ｎは、エッチング副生成物９がフッ素系のプラズマ５０にエッチングされる速度よりも、堆積する速度の方が早い面である。

よって、従来では、クランプリング５の内周面５ｎの一部に堆積したエッチング副生成物９が、堆積量が増え一定量以上になると、上述した図５に示すように、基板２をクランプリング５の固定から解放した際、エッチング副生成物９が基板２と接触することにより該基板２上に付着してしまい、基板２のパターン不良、歩留まり低下を招く原因となっていた。

一例を挙げると、フッ素系のプラズマ５０を、アルミナセラミック（Ａｌ_２Ｏ_３）から形成されたクランプリング５の照射面５ａｈに２０時間照射させると、クランプリング５には、例えば３ミクロン以上のエッチング副生成物を１個とみなすとすると、略１５０個のエッチング副生成物が付着、堆積されていた。よって、使用後、エッチング副生成物９を除去するために、クランプリング５をクリーニングする間隔は、約２０時間おきに行う必要があった。

ところが、図４に示すように、クランプリング５のテーパ面５ｂａは、基板２に対して該基板２の外周縁部２ａｅに、θ＝１．５°のテーパ角度を有して線接触されているため、クランプリング５の内周面５ｎにエッチング副生成物が堆積したとしても、基板２をクランプリング５の固定から解放した際、エッチング副生成物９が基板２と接触することがない。

また、図４に示すように、クランプリング５のテーパ面５ｂａと、基板２の表面２ａとの間に形成された断面が略直角三角形状を有する空間７０に、基板２の下面から漏れた基板冷却用のヘリウム（Ｈｅ）ガスの少なくとも一部が通過されるため、該空間を構成するクランプリング５のテーパ面５ｂａにエッチング副生成物９が付着することが殆どない。

一例を挙げると、所定の角度、θ＝１．５°のとき、フッ素系のプラズマ５０を、アルミナセラミック（Ａｌ_２Ｏ_３）から形成されたクランプリング５の照射面５ａｈに５０時間照射させたとしても、使用後、内周面５０ｎのエッチング副生成物９を除去するために、クランプリング５をクリーニングする間隔は、約５０時間となる。

尚、θ＝１．１３°のときは、フッ素系のプラズマ５０を、アルミナセラミック（Ａｌ_２Ｏ_３）から形成されたクランプリング５の照射面５ａｈに５０時間照射させたとしても、使用後、内周面５０ｎのエッチング副生成物９を除去するために、クランプリング５をクリーニングする間隔は、約４５時間となる。

ここで、θを２°以上にしない理由は、θ＝２°以上にしてクランプリング５のテーパ面５ｂａを基板２の外周縁２ａｅに線接触させると、クランプリング５のテーパ面５ｂａに、エッチング副生成物９が付着してしまうためである。

図１に戻って、フッ素系のプラズマ５０を用いたドライエッチングにより、石英の基板２からエッチングされたエッチング副生成物（Ｆ＋ＳｉＯ_２＝ＳｉＦ_４）は、Vapor（気体）状態となり、チャンバ３０に設けられた排気口３０ｈ（図１参照）から、チャンバ３０外にポンプ等により排出される。このようにして、基板２または基板２上に成膜された各種薄膜は、ドライエッチング装置１によりドライエッチングされる。

このように、本発明の第１実施の形態を示すドライエッチング装置１においては、クランプリング５を基板２に戴置するに際し、クランプリング５のテーパ面５ｂａを、基板２の外周縁２ａｅに、線接触させると示した。具体的には、クランプリング５の下面５ｂであって、内周面５ｎの内周縁近傍が、θ＝１．５°のテーパ角度を有して、外周に向かう程クランプリング５が肉厚となるよう断面が略直角三角形状に切り取られていると示した。

よって、クランプリング５の内周面５ｎと、基板２の表面２ａとの間には、直角三角形の垂線に当たる間隔だけ空間が形成されていることから、内周面５ｎにエッチング副生成物が堆積したとしても、基板２をクランプリング５の固定から解放した際、エッチング副生成物９が基板２と接触することがない。

また、図４に示すように、クランプリング５のテーパ面５ｂａと、基板２の表面２ａとの間に形成された断面が略直角三角形状を有する空間７０に、基板２の下面から漏れた基板冷却用のヘリウムガスの少なくとも一部が通過されるため、該空間７０を構成するクランプリング５のテーパ面５ｂａにエッチング副生成物９が付着することが殆どない。

よって、クランプリング５のプラズマ照射面５ａｈから発生したエッチング副生成物９が基板２の表面２ａに付着することを防止することができることから、ドライエッチング後の基板２のパターン不良を改善することができ、基板２の製造における歩留まりを向上させることができる。

さらに、クランプリング５のテーパ面５ｂａは、研削盤等によりθ＝０．５°〜２．０°のテーパ角度となるようテーパ状に研削すればよいことから容易に加工することができるため、基板２の表面へのエッチング副生成物９の付着防止対策を容易に行うことができる。

以下、変形例を示す。本実施の形態においては、プラズマは、フッ素（Ｆ）系のプラズマガスを用いたフッ素系のプラズマを例に挙げて示したが。これに限らず、本実施の形態は、ハロゲン系のプラズマ、例えばＢｒ（臭素）、Ｉ（ヨウ素）、Ｃｌ（塩素）、Ａｔ（アスタチン）を適用しても本実施の形態と同様の効果を得るということは勿論である。

本発明のドライエッチング装置を用いてドライエッチングされる基板は、半導体装置に適用できる。例を挙げると、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種半導体装置に適用できる。

また、上述した半導体装置を用いた電子機器としては、例えば、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器に用いる半導体基板をドライエッチングするに際しても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。

本発明の一実施の形態を示すドライエッチング装置の構成の概略を示す断面図。 図１のクランプ部材を下方から見た拡大斜視図。 図１の基板とクランプ部材との当接を拡大して示す要部部分断面図。 図２のクランプリングにより固定した基板にドライエッチングを行っている状態を示すエッチング装置の要部部分拡大断面図。 クランプリングにより固定した基板にドライエッチングを行っている状態を示す従来のエッチング装置の要部部分拡大断面図。 下部電極に設けられた冷却用ガスが出射される穴が、エッチング副生成物に覆われてしまった状態を示す、下部電極の要部部分拡大断面図。 従来のクランプリングの形状の変形例を示すエッチング装置の要部部分拡大断面図。

符号の説明

１…ドライエッチング装置、２…基板、２ａ…基板表面、２ａｅ…外周縁、５…クランプリング、５ｂａ…テーパ面、６…上部電極、７…下部電極、７ｂ…複数の穴、３０…チャンバ、３０ａ…チャンバ内、７０…空間。

Claims (5)

1. 装置内に気体を導入してプラズマを発生させ、前記装置内に配設された一対の電極の内、一方の電極にクランプ部材によって固定された基板の表面に前記プラズマを照射させて該基板表面をドライエッチングするドライエッチング装置において、
   前記クランプ部材の前記基板に対向する面がテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面が前記基板の周縁に線接触することで前記基板が前記一方の電極に固定されることを特徴とするドライエッチング装置。
2. 前記テーパの角度は、０．５°〜２．０°の範囲内の角度であることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング装置。
3. 前記クランプ部材の前記基板に対向する面と、前記基板の表面とは、略平坦な面から構成されており、前記クランプ部材の前記基板に対向する面と前記基板の表面との間に、空間が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のドライエッチング装置。
4. 前記基板が固定された前記一方の電極に、前記基板に対し冷却ガスを出射する複数の穴が形成されており、該複数の穴から出射された冷却ガスの少なくとも一部が、前記空間を通過することを特徴とする請求項３に記載のドライエッチング装置。
5. 装置内に気体を導入してプラズマを発生させ、前記装置内に配設された一対の電極の内、一方の電極にクランプ部材によって固定した基板の表面に前記プラズマを照射して該基板表面をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
   前記ドライエッチングする工程において、
   前記基板に対向する面がテーパ状に形成された前記クランプ部材を用い、該テーパ状に形成された面を前記基板の周縁に線接触させることで、前記基板を前記一方の電極に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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