JP2006012251A - 記憶装置システム及び記憶装置システム用論理基板の冷却構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 ヒートシンクにより多くの空気を集めて、高温になりやすいNASボードのCPUを冷却する。
【解決手段】 ディスクアレイ装置１の制御部１Ｄには、複数の論理基板３が装着されている。NAS機能を実現するための回路部品４Ａは、高温になりやすいため、ヒートシンク５を設ける。主空気流入部（Ｗｂ）の開口面は、天板８で覆う。主空気流入部の両側には、導風部（Ｗａ，Ｗｃ）をそれぞれ設ける。各導風部は、そのフィンピッチが狭く設定されているため、主空気流入部よりも空気の流入抵抗（通風抵抗）が高い。この通風抵抗の差により、各導風部近傍の空気は、主空気流入部に誘導される。天板８は、主空気流入部に流入した空気がヒートシンク５の外部に流出するのを抑制する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば、ディスクアレイ装置等のような記憶装置システム及び記憶装置システム用論理基板の冷却構造に関する。

記憶装置システムは、例えば、ハードディスクドライブ等の記憶デバイスをアレイ状に配設して大容量の記憶ボリュームを形成し、この記憶ボリュームをメインフレームやサーバ等の上位装置に提供する。ある記憶装置システムは、例えば、ファイバチャネルプロトコルに基づいて、ブロックレベルでのデータ授受を行う。また、別の記憶装置システムでは、NAS（Network Attached Storage）サーバとの間でTCP/IP（Transmission Control Protocol/Internet Protocol）に基づき、ファイルレベルでのデータ授受を行う。さらに、別の記憶装置システムでは、ファイバチャネルプロトコルに基づくブロックレベルのデータ授受と、TCP/IPに基づくファイルレベルのデータ授受との両方を可能としている（特許文献１）。
米国特許出願公開第２００２／０１５２３３９号明細書

記憶装置システムは、上位装置とのデータ授受を制御する制御基板やハードディスクドライブとのデータ授受を制御する制御基板等のように、多数の論理基板を実装して構成されている。そして、記憶装置システムは、小型化や性能改善等の市場要求に応えるべく、実装密度を高め、回路の駆動周波数を高める。この結果、空冷に必要な空間は減少し、回路部品からの発熱量は増大する。従って、記憶装置システムでは、より効果的な冷却構造が求められている。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の一つの目的は、放熱フィンに空気を導くことにより、冷却性能を改善できるようにした記憶装置システム及び記憶装置システム用論理基板の冷却構造を提供することにある。本発明の一つの目的は、放熱フィン間の流路から空気が外部に流出するのを抑制することにより、冷却性能を改善できるようにした記憶装置システム及び記憶装置システム用論理基板の冷却構造を提供することにある。本発明の他の目的は、後述する実施形態の記載から明らかになるであろう。

上記課題を解決すべく、本発明に従う記憶装置システムは、上位装置との間のデータ授受をそれぞれ制御するための複数の上位インターフェース制御基板と、記憶デバイスとのデータ授受をそれぞれ制御するための複数の下位インターフェース制御基板と、各上位インターフェース制御基板及び各下位インターフェース制御基板によって共用されるメモリ基板と、を備えている。そして、各上位インターフェース制御基板のうち所定の上位インターフェース制御基板は、基板と、この基板に設けられた複数の回路部品と、これら各回路部品のうち所定の回路部品に設けられるヒートシンクとを備えている。さらに、ヒートシンクには、複数の放熱フィンと、これら各放熱フィンに向けて空気を導くための導風部とが設けられている。

所定の上位インターフェース制御基板としては、例えば、TCP/IPを用いてファイルレベルでのデータ授受を行う基板を挙げることができる。また、所定の回路部品としては、例えば、データ授受を制御する演算処理回路を挙げることができる。

導風部は、各放熱フィン間にそれぞれ形成される流路の空気流入側の近傍に設けられ、各流路の通風抵抗（例えば、各流路の入口側の通風抵抗）よりも相対的に高い通風抵抗を有する高通風抵抗部を含んで構成することができる。導風部は、少なくとも各流路の空気流入側を覆うようにして設けられる天板部を含んで構成することができる。ここで、通風抵抗とは、空気の流れやすさに影響を与える指標であり、通風抵抗が大きいほど空気は流れにくく、通風抵抗が小さいほど空気が流れやすい。従って、空気は、より通風抵抗の小さい方に流れ込もうとするため、通風抵抗の小さい流路には、通風抵抗が大きい流路よりも多くの空気が流入する。通風抵抗は、場合によっては、例えば、流路抵抗等と呼ぶこともできる。

所定の回路部品に対応する所定の領域に位置する各放熱フィンのピッチは、他の領域に位置する各放熱フィンのピッチよりも狭く設定することができる。

導風部は、各放熱フィンの配設方向に沿って、各放熱フィンの外側に設けてもよい。高通風抵抗部は、各放熱フィンのピッチよりも狭いピッチで他の放熱フィンを複数形成することにより構成可能である。高通風抵抗部の放熱フィンは、所定の回路部品の方向に向けて配設可能である。各放熱フィンから各他の放熱フィンに向けて、ピッチが段階的に狭くなるように設定することもできる。高通風抵抗部の空気流出側に、他の所定の回路部品を配置してもよい。また、高通風抵抗部は、空気の流入を遮断するように構成することもできる。放熱フィンの空気流出側に他の所定の回路部品を配置してもよい。

各放熱フィン間の空気流路から離間して対向する位置に、導風板を設けてもよい。ここで、導風板として、ヒートシンクの取付面に対向して所定の上位インターフェース制御基板に隣接して設けられる他の基板を用いることができる。または、導風板は、ヒートシンクの取付面に対向して所定の上位インターフェース制御基板に隣接して設けられるダミー基板であってもよい。さらに、導風板には、ヒートシンクに対向する面の反対側の面から外部に向けて突出する突部を設けてもよい。この突部により、突部が突出する空間の通風抵抗が増大するため、ヒートシンクが設けられている所定の上位インターフェース制御基板と導風板との間の通風抵抗が相対的に小さくなる。従って、ヒートシンクに、より多くの空気を導かせることができる。また、導風板は、ヒートシンクの全体を覆うようにして、ヒートシンクに取り付けてもよい。

ヒートシンクは、所定の回路部品に加えて、所定の上位インターフェース制御基板と向かい合わせ状態で設けられる別の所定の上位インターフェース制御基板に設けられた所定の回路部品も冷却できるように構成可能である。導風部は、その前面側が所定の部品に向けて傾斜するように形成してもよい。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態の記憶装置システムは、以下に述べるように、発熱体を冷却するためのヒートシンクに冷却用空気を導くための機構を備えている。

図１は、本実施形態の全体概念を示す説明図である。記憶装置システム１は、例えば、ディスクアレイ装置として構成される。記憶装置システム１の筐体１Ａ内には、ファン１Ｂと、記憶部１Ｃと、制御部１Ｄと、電源部１Ｅとが設けられている。なお、図１中では省略するが、制御部１Ｄと記憶部１Ｃとの間に、別のファンを設けることができる。

記憶部１Ｃは、例えば、多数のハードディスクドライブ２から構成されている。制御部１Ｄは、複数の論理基板３を備えている。論理基板３としては、例えば、サーバ等の上位装置との間のデータ授受を制御する上位インターフェース制御基板、ディスクドライブ２とのデータ授受を制御する下位インターフェース制御基板、メモリ基板等を挙げることができる。電源部１Ｅは、記憶部１Ｃ及び制御部１Ｄ等の各電力消費部に所定の電力を供給するものであり、AC/DC電源ボックス４等を備えている。

所定の論理基板３に着目すると、この論理基板３の基板本体３Ａには、複数の回路部品４と、ヒートシンク５とが設けられている。図１中の下側に示すように、ヒートシンク５は、回路部品４の中でも発熱量が大きく、かつ冷却の必要性がある回路部品４Ａを冷却するためのものである。このヒートシンク５は、ベース６と放熱フィン（以下、「フィン」と略記）７Ａ，７Ｂ，７Ｃを備えている。

ベース６は、例えば、前側ベース部６Ａと後側ベース部６Ｂとから略Ｔ字状に形成されている。前側ベース部６Ａは、長さ寸法Ｌａと幅寸法（Ｗａ＋Ｗｂ＋Ｗｃ）を有する細長い長方形状に形成することができる。後側ベース部６Ｂは、長さ寸法Ｌｂと幅寸法Ｗｂを有する長方形状に形成可能である。

上述のように、ベース６の形状に着目した場合は、ベース６を前側ベース部６Ａと後側ベース部６Ｂとに分けて考察可能であるが、冷却機能に着目した場合は、主冷却部と導風部とに分けて考えることができる。この場合、主冷却部は、後側ベース部６Ｂの全部及び前側ベース部６Ａの一部（長さ寸法（Ｌａ＋Ｌｂ）及び幅寸法Ｗｂの領域）と、各フィン７Ａとから構成される。導風部は、前側ベース部６Ａの両端側（幅寸法Ｗａ，Ｗｃの領域）と各フィン７Ｂとから構成される。冷却機能に着目した場合の作用は、後述する。

続いて、フィンの構成を説明する。後側ベース部６Ｂから前側ベース部６Ａにかけて、多数のフィン７Ａが所定ピッチで列設されている。各フィン７Ａは、回路部品４Ａからの熱を空気中に放出するためのものであり、各フィン７Ａ間には、冷却風が流れるための流路が形成されている。

前側ベース部６Ａに位置して、各フィン７Ａの両側には、各フィン７Ａのピッチよりも狭いピッチで、フィン７Ｂがそれぞれ複数設けられている。前側ベース部６Ａは、３つの領域Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃに分割して考えることができ、両端に位置する各領域Ｗａ及びＷｃには、フィン７Ｂが狭いピッチで形成されている。中央部に位置する領域Ｗｂには、広いピッチで形成されたフィン７Ａが設けられている。

後側ベース部６Ｂの略中央部には、各フィン７Ａのピッチよりも狭いピッチで、複数のフィン７Ｃが設けられている。後側ベース部６Ｂのうち、回路部品４Ａの実装位置に対応する領域（長さ寸法Ｌｃを有する領域）に、多数のフィン７Ｃが狭いピッチで設けられている。各フィン７Ｃは、各フィン７Ａと同様に、回路部品４Ａからの熱を空気中に放出するものである。

前側ベース部６Ａには、各フィン７Ｂの全部及び各フィン７Ａの一部を覆うようにして、天板８が設けられている。天板８は、各フィン７Ａ間及び７Ｂ間に流入した空気が、流入直後に外部に流出するのを防止している。

上述のように、ヒートシンク５の冷却機能は、主冷却部と導風部とに分けて考えることができる。主として後側ベース部６Ｂと各フィン７Ａ及び各フィン７Ｃから構成される主冷却部は、発熱量の大きな回路部品４Ａを冷却するためのものである。主として前側ベース部６Ａと各フィン７Ｂから構成される導風部は、主冷却部に外気を誘導するためのものである。なお、天板８は、主冷却部に流入した空気が外部に流出するのを抑制するための機能（流出防止機能または冷却風保持機能）を担っている。

次に、冷却風の流れについて説明する。ファン１Ｂの駆動により、筐体１Ａの内外で圧力差が発生する。この圧力差により、筐体１Ａの外気は、矢示Ｆａ，Ｆｂ，Ｆｃで示すように、ヒートシンク５に流入する。

導風部を構成する各フィン７Ｂは、その形成ピッチが各フィン７Ａよりも狭いため、各フィン７Ｂの流入側の通風抵抗は、各フィン７Ａの流入側のそれよりも大きい。従って、主冷却部を構成する各フィン７Ａ間に流れ込む空気量の方が、各フィン７Ｂ間に流入する空気量よりも多くなる。換言すれば、本実施形態では、導風部の通風抵抗を主冷却部のそれよりも相対的に高く設定することにより、主冷却部へ流れ込む空気量を相対的に増大させている。

各フィン７Ａ間に流入した空気は、天板８によって上方へ流出が阻止され、各フィン７Ａ間を後方に向けて流れていく。もしも、天板８が存在しない場合、各フィン７Ａ間に流入した空気の少なくとも一部は、抵抗の大きなフィン７Ａ間から外部に離脱する。天板８を設けることにより、流入直後の空気が各フィン７Ａ間から離脱するのを阻止して、フィン７Ａ間に止めることができる。離脱を阻止された空気は、フィン７Ａ間を流れる間に整流される。そして、この冷却風は、フィン７Ｃ間及びフィン７Ａ間を通過しつつ回路部品４Ａからの熱を奪い、筐体１Ａ内に排出される。筐体１Ａ内に排出された冷却風は、ファン１Ｂによって、筐体１Ａの上方に排気される。

このように、本実施形態によれば、主冷却部（範囲Ｗｂ）の両側に、主冷却部よりも通風抵抗の大きな導風部（範囲Ｗａ，Ｗｃ）をそれぞれ設けることにより、主冷却部に流れ込む空気量を増大させる。例えば、各フィン７Ｂと各フィン７Ａとの境界付近に位置する空気は、より抵抗の少ないフィン７Ａ間に流入しようとするため、導風部を設けない場合に比較して、主冷却部に流入する空気量を増大させることができる。なお、導風部にも、その通風抵抗に応じた分だけ冷却風が流れ込む。

主冷却部の流入口に流入した空気は、天板８によって外部への離脱が阻止されつつ、流れの方向が整えられる。完全に整流されるわけではないが、おおよその流れの方向は定まるであろう。後述の実施例に示すように、天板８は、前側ベース部６Ａのみならず、後側ベース部６Ｂの一部または全部を覆うようにして設けることもできる。天板８でフィン間の流路を覆う面積を増加させるほど、フィン間の空気が外部に流出するのを阻止することができる。この反面、天板８を設けることにより、ヒートシンク５全体の通風抵抗が増大するため、外部から取り込む空気の量が低下する可能性がある。従って、例えば、要求される冷却性能や製造コスト等を考慮しながら、天板８の設置位置及び面積を設定することができる。

回路部品４Ａに対応する領域には、各フィン７Ｃが狭いピッチで形成されている。各フィン７Ｃのピッチは狭いため、通風抵抗が増大する。従って、一部の冷却風は、各フィン７Ｃ間に流入せずにヒートシンク５の外部へ流出する。しかし、残りの大部分の冷却風は、フィン７Ｃ間を通過しながら、各フィン７Ｃとの間で熱を交換する。ヒートシンク５内に流入した冷却風は、前側ベース部６Ａ上を流れている間に、天板８によって整流されているため、各フィン７Ｃの手前で外部に離脱する空気量を少なくできる。そして、狭いピッチで列設された各フィン７Ｃにより、回路部品４Ａに対応する範囲内の放熱面積が増大する。従って、回路部品４Ａをより効果的に冷却することができる。

以下、本実施形態をより詳細に説明する。最初に、記憶装置システムの論理的構造や電気的構造等を説明した後、ヒートシンクの機械的構造等を説明する。

図２は、「記憶装置システム」の一例であるディスクアレイ装置１０の外観を示す概略図である。ディスクアレイ装置１０の筐体１１内には、ファン１２，１３と、記憶部２０と、制御部３０と、電源部４０とが設けられている。ファン１２は、制御部３０と記憶部２０との間に位置して、制御部３０の上側に設けられている。ファン１３は、記憶部２０の上側に設けられている。筐体１１の略中央部に位置するファン１２は、制御部３０内の空気を吸気して筐体１１内に排出させる。筐体１１内に排出された空気は、ファン１３によって筐体１１の上部から外部に排出される。

図３は、ディスクアレイ装置１０のハードウェア構成に着目したブロック図である。ディスクアレイ装置１０は、通信ネットワークＣＮ１Ａ，ＣＮ１Ｂ（以下、特に区別しない場合は「ＣＮ１」と略記）を介して、複数のサーバＨ１と双方向通信可能に接続することができる。

ここで、通信ネットワークＣＮ１としては、例えば、LAN（Local Area Network）、SAN（Storage Area Network）、インターネットまたは専用回線等を採用可能である。LANを用いる場合、サーバＨ１とディスクアレイ装置１０との間のデータ転送は、例えば、TCP/IPに従って行われる。SANを用いる場合、サーバＨ１とディスクアレイ装置１０とは、ファイバチャネルプロトコルに従ってデータ転送を行う。

サーバＨ１は、上位装置の一例である。上位装置としては、サーバのほかに、例えば、メインフレーム、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等を用いてもよい。メインフレームを用いる場合、例えば、FICON（Fibre Connection：登録商標）、ESCON（Enterprise System Connection：登録商標）、ACONARC（Advanced Connection Architecture：登録商標）、FIBARC（Fibre Connection Architecture：登録商標）等の通信プロトコルに従ってデータ転送が行われる。

各サーバＨ１は、図外に位置する複数のクライアント端末と別の通信ネットワーク（不図示）を介して接続されている。各サーバＨ１は、例えば、各クライアント端末からの要求に応じて、ディスクアレイ装置１０にデータの読み書きを行うことにより、各クライアント端末へのサービスを提供する。

ディスクアレイ装置１０には、例えば、LAN等の通信ネットワークＣＮ２を介して、管理端末Ｍ１が接続されている。管理端末Ｍ１は、ディスクアレイ装置１０の各種ステータス情報を取得して端末画面に表示させたり、ディスクアレイ装置１０の構成を設定等するために使用されるものである。なお、管理端末Ｍ１は、複数設けることができる。

ディスクアレイ装置１０は、それぞれ後述するように、複数のチャネルアダプタ（以下、CHAと略記）１１０と、複数のディスクアダプタ（以下、DKAと略記）１２０と、キャッシュメモリ１３０と、共有メモリ１４０と、スイッチ部１５０と、多数のディスクドライブ２１と、SVP１６０等を備えている。

ディスクアレイ装置１０には、例えば４個、８個等のように複数のCHA１１０を設けることができる。CHA１１０は、接続先の上位装置の種類（OSや通信プロトコルの種類等）に応じて、それぞれ用意することができる。例えば、図中では、一方のCHA１１０は、SANを利用してブロック単位のデータ授受を制御しており、他方のCHA１１０は、IP網を用いて、NASサーバとの間でファイル単位のデータ授受を制御する。即ち、後者のCHA１１０は、例えば、CIFS（Common Internet File System）やNFS（Network File System）等のようなネットワークを介してファイルを共有するプロトコルをサポートしており、NAS機能を実現している。このNAS機能を実現するCHA１１０は、CHNと表記することもできる。NAS機能を実現するCHAについては、さらに後述する。

各CHA１１０は、それぞれに接続されたサーバＨ１から、データの読み書きを要求するコマンド及びデータを受信し、サーバＨ１から受信したコマンドに従って動作する。DKA１２０の動作も含めて先に説明すると、例えば、CHA１１０は、サーバＨ１からデータの読出し要求を受信すると、読出しコマンドを共有メモリ１４０に記憶させる。DKA１２０は、共有メモリ１４０を随時参照しており、未処理の読出しコマンドを発見すると、ディスクドライブ２１からデータを読み出し、キャッシュメモリ１３０に記憶させる。CHA１１０は、キャッシュメモリ１３０に移されたデータを読み出し、コマンド発行元のサーバＨ１に送信する。

また例えば、CHA１１０は、サーバＨ１からデータの書込み要求を受信すると、書込みコマンドを共有メモリ１４０に記憶させると共に、受信したデータ（ユーザデータ）をキャッシュメモリ１３０に記憶させる。CHA１１０は、キャッシュメモリ１３０にデータを記憶した後、サーバＨ１に対して書込み完了を報告する。そして、DKA１２０は、共有メモリ１４０に記憶された書込みコマンドに従って、キャッシュメモリ１３０に記憶されたデータを読出し、所定のディスクドライブ２１に記憶させる。

ディスクアレイ装置１０には、例えば４個や８個等のように複数のDKA１２０を設けることができる。各DKA１２０は、各ディスクドライブ２１との間のデータ通信を制御するものである。各DKA１２０と各ディスクドライブ２１とは、例えば、SAN等の通信ネットワークＣＮ４を介して接続されており、ファイバチャネルプロトコルに従ってブロック単位のデータ転送を行う。

各DKA１２０は、ディスクドライブ２１の状態を随時監視しており、この監視結果は内部の通信ネットワークＣＮ３を介してSVP１６０に送信される。なお、各CHA１１０及び各DKA１２０は、例えば、プロセッサやメモリ等が実装されたプリント基板と、メモリに格納された制御プログラムとをそれぞれ備えており、これらのハードウェアとソフトウェアとの協働作業によって、所定の機能を実現する。

キャッシュメモリ１３０は、例えば、ユーザデータ等を記憶するものである。キャッシュメモリ１３０は、例えば、揮発または不揮発のメモリから構成される。キャッシュメモリ１３０は、複数のメモリから構成することができ、ユーザデータを多重で管理することができる。

共有メモリ（あるいは制御メモリ）１４０は、例えば、揮発または不揮発のメモリから構成される。共有メモリ１４０には、例えば、制御情報等が記憶される。なお、制御情報等の情報は、複数の共有メモリ１４０により多重管理することができる。共有メモリ１４０とキャッシュメモリ１３０は、それぞれ別々のメモリパッケージとして構成することもできるし、一つのメモリパッケージ内に収容することもできる。また、メモリの一部をキャッシュ領域として使用し、他の一部を制御情報領域として使用することもできる。

スイッチ部１５０は、各CHA１１０と、各DKA１２０と、キャッシュメモリ１３０と、共有メモリ１４０とをそれぞれ相互に接続するものである。これにより、全てのCHA１１０，DKA１２０は、キャッシュメモリ１３０及び共有メモリ１４０にそれぞれアクセス可能となっている。

SVP（Service Processor）１６０は、通信ネットワークＣＮ３を介して、各CHA１１０及び各DKA１２０から情報を収集するものである。SVP１６０が収集する情報としては、例えば、装置構成、電源アラーム、温度アラーム、入出力速度（IOPS）等が挙げられる。SVP１６０は、通信ネットワークＣＮ２を介して管理端末Ｍ１に接続されている。

ディスクアレイ装置１０は、多数のディスクドライブ２１を備えている。各ディスクドライブ２１は、例えば、ハードディスク装置、半導体メモリ装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置等として構成することができる。そして、例えば、４個等の所定数のディスクドライブ２１によって１つのRAIDグループ２２を構成可能である。このRAIDグループ２２の提供する物理的な記憶領域上に、論理的な記憶領域である論理ボリューム（Logical Unit）を少なくとも一つ以上設定することができる。

図３中に示す電源部４０は、各パッケージ１１０，１２０，１３０，１４０やファン１２，１３等にそれぞれ所定の電力を供給するものである。

図４は、ディスクアレイ装置１０の電力系統の概略を示すブロック図である。電源コモンバス５０には、AC／DC電源４１と、バッテリボックス４２と、各CHA１１０と、各DKA１２０と、キャッシュメモリ１３０と、共有メモリ１４０と、各ディスクドライブ２１とが、それぞれ接続されている。なお、AC／DC電源４１やバッテリボックス４２等は、それぞれ複数個ずつ設けられるが、図中では、それぞれ一つずつ示してある。また、電源コモンバス５０も複数系統用意することができるが、図中では説明の便宜のため、一つのみ示してある。

AC／DC電源４１は、ACボックス４３を介して、外部の交流電源に接続されている。ACボックス４３は、ブレーカー機能を備える。AC／DC電源４１は、入力された交流電圧を、例えば、１２Ｖや５６Ｖ等の直流電圧に変換して、電源コモンバス５０に供給する。バッテリボックス４２は、例えば、鉛バッテリとして構成可能である。バッテリボックス４２は、例えば、停電等によって、電源コモンバス５０の電圧が所定値以下に低下した場合に、非常用電力を供給する。この非常用電力を用いて、ディスクアレイ装置１０は、例えば、キャッシュメモリ１３０にのみ保持されているデータをディスクドライブ２１に退避させたり（ディステージ制御）、あるいは、キャッシュメモリ１３０及び共有メモリ１４０にのみ少ない電力を長時間にわたって供給する（メモリバックアップ制御）。

図５は、論理基板（CHA１１０やDKA１２０）内の電力供給系統を模式的に示す説明図である。以下、CHA１１０を例に挙げて説明するが、DKA１２０の場合も同様である。図５（ａ）に示すように、CHA１１０の電気回路は、例えば、DC／DCコンバータ１１１と、一般論理回路１１２と、CPU１１３と、メモリ１１４とに大別することができる。

ここで、例えば、一般論理回路１１２は電圧Ｖ１で作動し、CPU１１３は電圧Ｖ２で作動し、メモリ１１４は電圧Ｖ３で作動するものとする。DC／DCコンバータ１１１には、それぞれ異なるAC／DC電源からそれぞれ電圧Ｖ４，Ｖ５が供給されている。

DC／DCコンバータ１１１は、AC／DC電源から入力された電圧Ｖ４，Ｖ５から電圧Ｖ１、Ｖ２，Ｖ３をそれぞれ生成し、各部１１２，１１３，１１４に供給する。即ち、DC／DCコンバータ１１１は、マルチ出力型のコンバータであり、複数種類の電圧を出力する。

図５（ｂ）に示すように、複数種類のDC／DCコンバータ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃを用いてもよい。DC／DCコンバータ１１１Ａは、AC／DC電源から入力された電圧Ｖ６を電圧Ｖ１に変換し、一般論理回路１１２に供給する。同様に、DC／DCコンバータ１１１Ｂは、AC／DC電源からの電圧Ｖ６を電圧Ｖ２に変換し、CPU１１３に供給する。同様に、DC／DCコンバータ１１１Ｃは、AC／DC電源からの電圧Ｖ６を電圧Ｖ３に変換し、メモリ１１４に供給する。

このように、各CHA１１０には、それぞれDC／DCコンバータが搭載されており、各部１１２，１１３，１１４に所定の電力を供給する。図５（ａ）に示したように、一つのDC／DCコンバータ１１１から複数種類の電圧を出力させる構成でもよいし、図５（ｂ）に示したように、複数種類のDC／DCコンバータ１１１Ａ〜１１１Ｃからそれぞれ異なる電圧を出力させる構成でもよい。また、図５に示す以外の構成を採用することもできる。本実施例におけるCHA内の電力供給構造は、図６と共に後述する。

図６は、NAS機能を実現するCHA１１０の回路構成の一例を示す回路図である。NAS機能を実現するCHA１１０は、サーバＨ１からのファイルアクセス要求を受け付けて、NASとしてのサービスをサーバＨ１に提供する。

このCHA１１０は、例えば、ネットワークインターフェース部２１０（以下、インターフェースを「Ｉ／Ｆ」と略記）と、入出力制御部２２０と、ファイルサーバ部２３０と、バス２４０と、ボード接続用コネクタ２５０と、通信コネクタ２６０と、電源回路２７０とを含んで構成することができる。

NAS用のCHA１１０は、前記各部２１０〜２７０を単一のユニットにまとめて構成することができる。このユニット化されたNAS用のCHA１１０を、以下の説明では、NASボードと呼ぶ場合がある。NASボードは、少なくとも一つ以上の回路基板を含んで構成される。

ネットワークＩ／Ｆ部２１０は、サーバＨ１との間でデータ通信を行うものである。ネットワークＩ／Ｆ部２１０は、通信コネクタ２６０に接続されている。ネットワークＩ／Ｆ部２１０は、この通信コネクタ２６０からLANケーブルやスイッチ（いずれも不図示）等を介して、サーバＨ１に接続される。そして、ネットワークＩ／Ｆ部２１０は、例えば、TCP／IPやUDP/IP（User Datagram Protocol/Internet Protocol）等のプロトコルに基づいて、ファイルレベルのデータ通信を行う。

入出力制御部２２０は、各DKA１２０，キャッシュメモリ１３０，共有メモリ１４０及びSVP１６０との間で通信を行うものである。入出力制御部２２０は、例えば、Ｉ／Ｏ（Input/Output）プロセッサ２２１と、NVRAM（Non Volatile RAM）２２２とを備えて構成することができる。Ｉ／Ｏプロセッサ２２１は、例えば、１チップマイクロコンピュータ等から構成される。Ｉ／Ｏプロセッサ２２１は、論理ボリューム２３に対するデータの書込み要求及び読出し要求等を制御したり、後述のCPU２３１とDKA１２０との間の通信を中継するようになっている。NVRAM２２２は、Ｉ／Ｏプロセッサ２２１により実行されるプログラムコード等を記憶する。NVRAM２２２の記憶内容は、SVP１６０を介して、書き換えることができる。

ファイルサーバ部２３０は、例えば、CPU２３１と、メモリ２３２と、NVRAM２３３と、BIOS（Basic Input/Output System）２３４とを含んで構成可能である。CPU２３１は、CHA１１０をNASボードとして機能させるための制御を実行する。例えば、CPU２３１は、NFSやCIFS等のファイル共有プロトコルやTCP／IP等のプロトコルを制御する。また、CPU２３１は、サーバＨ１から指定されたファイルアクセス要求を解析し、指定されたファイルを論理ブロックアドレスに変換等する。

メモリ２３２は、例えば、DIMM（Dual In-line Memory Module）等から構成されるもので、例えば、ファイルアクセスを排他制御するためのロックテーブルや、ファイルシステムが管理する各ファイルに関するメタデータ等を記憶している。メタデータには、例えば、各ファイルのデータが記憶されている論理ボリューム２３上のブロックアドレスやデータサイズ、ファイルサイズ、ファイルの所有者等の情報を含めることができる。

BIOS２３４は、NASボードの起動時に最初にメモリ２３２にロードされて実行されるソフトウェアであり、例えば、フラッシュメモリ等の不揮発メモリに格納されて、NASボード上に実装されている。CPU２３１は、BIOS２３４によってメモリ２３２にロードされた各種プログラムを実行することにより、初期化処理や自己診断等を実行する。また、BIOS２３４は、Ｉ／Ｏプロセッサ２２１に対して所定の指示を発行することにより、所定のディスクドライブ２１に記憶されているＯＳのブート部等をメモリ２３２にロードさせる。メモリ２３２に読み込まれたブート部は、ＯＳの本体をディスクドライブ２１から読出して、メモリ２３２に読み込ませる。これにより、CPU２３１上でOSが起動され、ファイルサーバとしての機能が実現される。なお、ファイルサーバ部２３０は、例えば、PXE（Preboot eXecution Environment）等のネットワークブート規格に基づくネットワークブートを実現することもできる。

バス２４０は、ネットワークＩ／Ｆ部２１０，入出力制御部２２０，ファイルサーバ部２３０及び各ボード接続用コネクタ２５０を相互に接続する。なお、バス２４０に代えて、例えば、内部LANにより所定の各部を接続する構成としてもよい。

ボード接続用コネクタ２５０は、NASボード（NAS用CHA１１０）をスイッチ部１５０に接続させるためのものである。

電源回路２７０は、例えば、少なくとも一つ以上のDC／DCコンバータを含んで構成することができる。図示の例では、３種類のDC／DCコンバータ２７１，２７２，２７３を含んで電源回路２７０を構成している。

入力側に位置するDC／DCコンバータ２７１は、AC／DC電源から入力された電圧Ｖ１１（例えば、ＤＣ５６Ｖ）を電圧Ｖ１２（例えば、ＤＣ１２Ｖ）に変換して出力する。このDC／DCコンバータ２７１から出力される電圧Ｖ１２は、次段のDC／DCコンバータ２７２，２７３にそれぞれ入力されるほか、入出力制御部２２０にも供給される。

次段のDC／DCコンバータ２７２は、CPU２３１専用のコンバータであり、入力された電圧Ｖ１２を２種類の電圧Ｖ１３及びＶ１４に変換し、CPU２３１にそれぞれ供給する。ここで、電圧Ｖ１３は、例えば、ＤＣ１〜１．５Ｖ程度に設定可能であり、電圧Ｖ１４は、例えば、ＤＣ３．３Ｖ程度に設定可能である。CPU２３１は、要求される処理性能に応じて、作動電圧及び駆動周波数を調節可能に構成されており、そのために複数種類の電圧Ｖ１３，Ｖ１４を必要とする。

他のDC／DCコンバータ２７３は、DC／DCコンバータ２７１から入力された電圧Ｖ１２を、例えば、ＤＣ３．３Ｖ程度の電圧Ｖ１５に変換し、ネットワークＩ／Ｆ部２１０及び入出力制御部２２０に供給する。

各電圧Ｖ１１〜Ｖ１５の値は一例であって、他の値に設定可能である。要するに、補実施例のNASボードには、作動電圧がそれぞれ異なる複数種類の回路部品が実装されており、これら各回路部品が必要とする電圧を、複数のDC／DCコンバータ２７１〜２７３によって提供している。

図７は、NAS用CHA１１０（NASボード）の有するソフトウェア構造の概略を示すブロック図である。NASボードは、例えば、ネットワークプロトコル層３１０と、ファイルアクセスプロトコル層３２０，３３０と、ファイルシステム３４０と、論理ボリュームマネージャ（以下、「LVM」）３５０と、デバイスドライバ群３６０と、複数のＬＵ２３（一つのみ図示）等を備えて構成することができる。

ネットワークプロトコル層３１０は、例えば、TCP/IPやUDP/IP等のようなプロトコルをサポートしており、これらのプロトコルに従ってデータの送受信を行う。ファイルアクセスプロトコル層３２０，３３０は、ファイルアクセスのためのファイル共有プロトコルをサポートする。例えば、一方のファイルアクセスプロトコル３２０はNFSであり、他方のファイルアクセスプロトコル３３０はCIFSである。ここで、例えば、サーバＨ１上で稼働するクライアントＨ１ＡはNFSクライアントであり、他のサーバＨ１上で稼働するクライアントＨ１Ｂは、CIFSクライアントである。

ファイルシステム３４０は、各ＬＵ２３へのファイルの入出力等を制御するプログラムである。ファイルシステム３４０は、クライアントＨ１Ａ，Ｈ１Ｂからディレクトリ名及びファイル名を明示したコマンドを受領する。ファイルシステム３４０は、受領したコマンドに基づいて、各クライアントＨ１Ａ，Ｈ１Ｂから要求されたファイルをボリューム位置情報に変換し、LVM３５０にデータアクセスを要求する。

LVM３５０は、ＬＵ２３の管理機能を提供するプログラムである。LVM３５０は、例えば、複数のＬＵ２３を束ねて、ユーザが使用し易い容量のボリュームに分割等する。また、LVM３５０は、スナップショット機能を備えることもできる。スナップショットとは、ある時点におけるデータの静止化イメージである。LVM３５０は、ファイルシステム３４０からのアクセス要求を受領すると、ＬＵ２３上のブロックアドレスに変換し、デバイスドライバ群３６０に渡す。

デバイスドライバ群３６０は、ストレージアクセスの単位であるＬＵ２３を上位のLVM３５０にアクセスさせるために、スペシャルファイルの形式でデータを提供する。デバイスドライバ群３６０は、LVM３５０から受領したブロックアドレスに基づいてＬＵ２３にアクセスし、ファイルのデータを読み出す。読み出されたファイルデータは、クライアントＨ１Ａ，Ｈ１Ｂに送信される。

次に、図８を参照し、NASボード１１０の冷却構造について説明する。図８は、NASボード１１０の概略平面図である。NASボード１１０上には、図６と共に述べた各回路部品等が実装されている。図８中では、主な回路部品のみを示している。

NASボード１１０の前側には、CPU２３１、メモリ２３２、DC／DCコンバータ２７１〜２７３等が配置されており、NASボード１１０の後側には、入出力制御部２２０等が配置されている。また、NASボード１１０の最後部には、各コネクタ２５０，２６０がそれぞれ設けられている。

CPU２３１の上面には、ヒートシンク４００が取り付けられている。上述の通り、CPU２３１は、NAS機能を実現するための各種制御を実行するもので、処理負荷が大きい。従って、CPU２３１の発熱量は、例えば、いわゆるブレードサーバで使用されるようなCPUの発熱量よりも大きい。

ブレードサーバとは、例えば、３Ｕまたは４Ｕ（１Ｕは、44.45mm）等の高さ寸法を有するエンクロージャ内に、複数のサーバブレード（サーバ機能を実現する制御基板）を装着して構成されるものである。そして、例えば、１９インチ幅のラックに複数のエンクロージャを装着することにより、ラック全体としては、多数のサーバブレードを収容することができる。このように、ブレードサーバでは、限られた空間内に多数のサーバブレードを収容して、サーバ機能を集積化している。このように、ブレードサーバでは、個々のサーバブレードの性能よりも、その搭載数の方を重視する。これに対し、NASボード１１０を搭載するディスクアレイ装置１０では、NASボード１１０の搭載数も重要であるが、個々のNASボード１１０の性能も重視される。このような理由から、NASボード１１０には、高機能のCPU２３１が実装され、比較的高い周波数で駆動される。このため、CPU２３１の発熱量は特に大きくなりやすい。そこで、本実施例では、発熱量の多い発熱体であるCPU２３１を冷却するために、特徴的な構造を備えたヒートシンク４００を採用する。

図８に示すように、ヒートシンク４００を上から見下ろした場合、ヒートシンク４００の左側には、CPU２３１専用のDC／DCコンバータ２７２が配置されており、ヒートシンク４００の右側には、メモリ２３２が配置されている。また、ヒートシンク４００の下側には、CPU２３１の前方に位置して、他のDC／DCコンバータ２７１，２７３がそれぞれ配置されている。なお、後述の実施例からも明らかなように、図８に示す回路配置は一例であり、他の回路配置を採用することもできる。

ヒートシンク４００は、例えば、後側冷却部４１０と前側冷却部４２０とからＴ字状に形成可能であり、前側冷却部４２０の開口面を天板４３０で施蓋することができる。ヒートシンク４００は、例えば、複数のネジ４４０を介して、NASボード１１０上に取り付けることができる。

ここで、ヒートシンク４００は、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅またはこれらの合金等のような熱伝導性の比較的良い金属材料から構成可能である。または、例えば、セラミックスやエンジニアリングプラスチック等の他の材料であっても、所定の熱伝導性及び耐熱性を備えた材料であれば、ヒートシンク４００の素材として採用可することができる。本実施例では、特に材質を問わない。

ヒートシンク４００は、その全体を同一材料から構成することもできるし、複数種類の材料を用いて構成することもできる。例えば、各ベース部４１１，４２１を構成する材料と、各フィン４１２，４２２を構成する材料と、天板４３０を構成する材料とを、それぞれ違えることもできる。または、前側冷却部４２０及び天板４３０を構成する材料と、後側冷却部４１０を構成する材料とを、それぞれ違えることもできる。あるいは、後述の導風部４２５，４２６を構成する材料と主冷却部を構成する材料とを、それぞれ違えることもできる。少なくとも、CPU２３１からの熱が伝導されやすい後側冷却部４１０は、金属材料等の熱伝導性の高い材料から構成するのが望ましい。また、前側冷却部４２０及び天板４３０からの熱発散効果を低く設定する場合は、前側冷却部４２０及び天板４３０を合成樹脂やセラミックス等から構成してもよい。

後側冷却部４１０は、CPU２３１を冷却するための主冷却部として機能する。後側冷却部４１０は、例えば、略平板状の後側ベース部４１１と、後側ベース部４１１の一方の面に所定のピッチｐ１で形成された多数のフィン４１２と、これら各フィン４１２間にそれぞれ形成された流路４１３とを備えて構成することができる。

また、後側冷却部４１０の略中央部には、フィン４１２をピッチｐ１よりも狭いピッチｐ２で形成した主放熱部４１４が形成されている。即ち、後側ベース部４１１の全領域のうち、CPU２３１の実装位置に対応する領域では、フィン４１２のピッチを狭く設定してあり、これにより、主放熱部４１４の合計放熱面積を高めている。なお、比較的広いピッチｐ１で形成されたフィン４１２にもCPU２３１の熱は伝導するため、これら広いピッチｐ１で形成されたフィン４１２もCPU２３１の冷却に寄与する。

前側冷却部４２０は、後側冷却部４１０により多くの冷却風を供給するための導風部として機能する。前側冷却部４２０は、例えば、前側ベース部４２１と、前側ベース部４２１の一方の面にピッチｐ１で形成された多数のフィン４２２と、各フィン４２２間にそれぞれ形成された流路４２３とを備えて構成することができる。ここで、各ベース部４１１，４２１は一体的に形成することができ、フィン４１２に連なるフィン４２２は、フィン４１２と一体的に形成することができる。

前側ベース部４２１の下側には、DC／DCコンバータ２７１，２７３が、ヒートシンク４００の幅方向（図８中の左右方向）に離間して、それぞれ配置されている。

前側冷却部４２０は、２つの機能部分に分けることができる。第１の機能部分は、中央部に位置する主空気流入部４２４である。第２の機能部分は、主空気流入部４２４の左右両側にそれぞれ配置された導風部４２５，４２６である。

主空気流入部４２４は、前側ベース部４２１の中央部分と、この中央部分に広いピッチｐ１で形成された複数のフィン４２２とから構成可能である。主空気流入部４２４は、外気Ｆ１を取り込んで、後方の後側冷却部４１０に供給する。

各導風部４２５，４２６は、前側ベース部４２１の左右両側部分と、これら左右両側部分に狭いピッチｐ２で形成された複数のフィン４２２とから構成可能である。各導風部４２５，４２６は、そのフィンピッチが狭く設定されているため、主空気流入部４２４よりも通風抵抗が高くなっている。従って、各導風部４２５，４２６にそれぞれ流入する外気Ｆ２，Ｆ３の量は、主空気流入部４２４に流入する外気Ｆ１よりも相対的に少ない。

換言すれば、主空気流入部４２４の近傍に、通風抵抗が相対的に高い導風部４２５，４２６が設けられているため、導風部４２５，４２６の近傍に位置する空気は、より通風抵抗の少ない主空気流入部４２４に流入しようとする。この結果、主空気流入部４２４に流入する空気量が増大する。このように、各導風部４２５，４２６は、消極的に（または静的に）、主空気流入部４２４に向けて空気を誘導する。

前側冷却部４２０は、NASボード１１０への空気の侵入経路（外気Ｆ１〜Ｆ３の進行方向）を塞ぐようにして、NASボード１１０の幅方向の略全長にわたって形成されている。即ち、各導風部４２５，４２６は、後側冷却部４１０等から構成可能な主冷却部の左右両側から大きく張り出すようにして形成されている。従って、各導風部４２５，４２６をそれぞれ比較的大きく形成することができ、導風部４２５，４２６の放熱面積を増大させることができる。

各導風部４２５，４２６には、主冷却部よりも少ない空気がそれぞれ流入する。この空気は、導風部４２５，４２６のフィン４２２から熱を奪い、後方に流出する。導風部４２５から流出した空気は、DC／DCコンバータ２７２の熱を奪いながら通過して、入出力制御部２２０に到達し、入出力制御部２２０を冷却して筐体１１内に流入する。同様に、他方の導風部４２６から流出した空気は、メモリ２３２及び入出力制御部２２０を冷却した後、筐体１１内に流入する。各導風部４２５，４２６には、CPU２３１からの熱が伝導するため、各導風部４２５，４２６をそれぞれ通過する冷却風によっても、CPU２３１が冷却されることになる。

主空気流入部４２４に取り込まれた相対的に多量の空気は、前側冷却部４２０から後側冷却部４１０の各流路４２３内にそれぞれ流入し、各流路４２３を通過しながらCPU２３１の熱を奪って、後方に流出する。ヒートシンク４００の後方に流出した空気は、入出力制御部２２０を冷却した後、筐体１１内に流入する。

NASボード１１０の各部を冷却して筐体１１内に流れ込んだ空気は、制御部３０の近傍に設けられた冷却ファン１２を介して、筐体１１の上方に送り込まれる。そして、この空気は、筐体１１の上方に設けられた冷却ファン１３を介して、筐体１１の上面から外部に排出される。

図９は、ヒートシンク４００の斜視図である。上述の通り、ヒートシンク４００は、例えば、長さ寸法（奥行寸法）Ｌ２及び幅寸法Ｗ２を有する後側冷却部４１０と、長さ寸法Ｌ１及び幅寸法（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｗ３）を有する前側冷却部４２０とからＴ字状に形成されており、前側冷却部４２０の開口面（図９中の上側）は、天板４３０によって施蓋されている。

そして、後側冷却部４１０の中央部には、CPU２３１の実装位置に対応して、フィンピッチの狭い主放熱部４１４が設けられている。主放熱部４１４は、長さ寸法Ｌ３及び幅寸法Ｗ２の領域に形成することができる。もっとも、CPU２３１の熱は、主放熱部４１４のみから空気中に発散されるわけではない。CPU２３１の熱は、主として、主放熱部４１４及び各フィン４１２から空気中に放出される。これに加えて、CPU２３１の熱は、前側冷却部４２０にも伝導するので、前側冷却部４２０の各フィン４２２や天板４３０を介して、空気中に放出される。

前側冷却部４２０には、長さ寸法Ｌ１及び幅寸法Ｗ２を有する主空気流入部４２４と、主空気流入部４２４の左右両側には、導風部４２５，４２６がそれぞれ形成されている。他の回路部品の実装位置や大きさ等を考慮して、各導風部４２５，４２６の幅寸法をそれぞれ違えて設定することができる。なお、後述の実施例からも明らかなように、導風部４２５，４２６を主冷却部４１０の前方に設ける必要は必ずしもなく、必要に応じて、他の場所に設けることができる。

図１０は、図９中の矢示Ｘ−Ｘ方向から見たヒートシンク４００の断面図である。図１０を用いて、天板４３０の役割等を説明する。天板４３０は、例えば、フィン４２２よりも寸法Ｌ４だけ外部に突出するようにして設けることができる。逆に言えば、前側冷却部４２０の各フィン４２２は、天板４３０及び前側ベース部４２１よりも寸法Ｌ４だけ奥に位置するように設けることができる。但し、これに限らず、例えば、天板４３０の前端と、前側ベース部４２１の前端と、各フィン４２２の前端（ここで前方とは、図１０中の左方向をいう）とを揃えるように形成してもよい。または、各フィン４２２の前端を、天板４３０及び前側ベース部４２１よりも前方に突出させるように構成してもよい。

空気流の流れを概説すると、前側冷却部４２０内に流入した空気のうち一部の空気Ｆ１Ａは、天板４３０により、各流路４２３からの離脱を阻止されて、流路４２３を流通すると考えられる。他の空気Ｆ１Ｂは、流路４２３をそのまま直進すると考えられる。もし、天板４３０が存在しない場合、図１０中に二点鎖線矢印で示したように、一部の空気Ｆ１Ａは、抵抗の少ない外部に向けて流出するであろう。

しかし、本実施例では、天板４３０によって、流入直後の空気の離脱を未然に阻止するため、風量低下を抑制することができる。天板４３０により流路内に戻された空気Ｆ１Ａは、流路４２３及び流路４１３を通過する間に整流され、主放熱部４１４等を通過しながら熱を奪い、後方に流出する。

天板４３０の下面側を通過した後で、空気Ｆ１Ａの一部は、流路４２３，４１３から外部（図１０中の上方）に離脱するかも知れない。しかし、各流路４２３，４１３による整流効果により、離脱量は少なくなると考えられる。また、CPU２３１からの熱は、前側冷却部４２０及び天板４３０にも伝導しているので、前側冷却部４２０内においてCPU２３１の熱を奪うことができる。

後述の実施例にも示すように、天板４３０をヒートシンク４００の全体または過半部分を覆うようにして設けることもできる。この場合は、ヒートシンク４００内に流入した空気が熱を奪う前に外部に離脱するのを阻止可能である。但し、ヒートシンク４００内の抵抗が増大するため、天板４３０の面積を大きくするほど、流入空気量は低下すると考えられる。

なお、図１０中に示すように、本実施例では、CPU２３１の高さ寸法をＨ１、ヒートシンク４００の高さ寸法（厚さ）をＨ２としている。NASボード１１０からヒートシンク４００の上面までの高さ（Ｈ１＋Ｈ２）は、後述の実施例で注目される。

図１１は、ヒートシンク４００の正面図である。既に述べたように、ヒートシンク４００は、２種類のピッチを採用する。第１のピッチｐ１は、主冷却部に使用される。第２のピッチｐ２は、導風部４２５，４２６及び主放熱部４１４で採用される。主冷却部に連なる主空気流入部４２４のフィンピッチをｐ１に設定し、各導風部４２５，４２６のフィンピッチをｐ２に設定することで、主空気流入部４２４の通風抵抗を相対的に少なくすることができ、これにより流入空気量を相対的に増加させることができる。また、主放熱部４１４では、狭いピッチｐ２を採用することにより、フィン数を増加させて放熱面積を大きくすることができる。

本実施例は、上述のように構成されるので、以下の効果を奏する。本実施例では、ヒートシンク４００に導風部４２５，４２６を備えているので、主空気流入部４２４に空気を導くことができ、冷却空気の量を増加させて、冷却性能を高めることができる。即ち、本実施例では、主空気流入部４２４の近傍に導風部４２５，４２６をそれぞれ設け、導風部４２５，４２６の通風抵抗を主空気流入部４２４のそれよりも相対的に高く設定するため、主空気流入部４２４へ流入する空気量を増加させることができる。

本実施例では、主空気流入部４２４の開口面を天板４３０で施蓋するため、流入直後の空気が流路４２３から外部に向けて直ちに離脱するのを防止でき、また、流入した冷却風を整流することができる。これにより、ヒートシンク４００内を流れる冷却風の流量が低下するのを抑制し、冷却性能を維持することができる。

本実施例では、狭いピッチｐ２で主放熱部４１４を形成したため、CPU２３１近傍の放熱面積を増大させることができ、CPU２３１の熱をより効果的に空気中に発散させることができる。

本実施例では、各フィン４２２，４１２の配設方向に沿って、その外側に導風部４２５，４２６を設けるため、ヒートシンク４００の厚さ寸法を増加させることなく、冷却性能を向上させることができる。なお、ヒートシンク４００の厚さ寸法が増加しても構わない場合等には、主空気流入部４２４の周囲を導風部で取り囲むように構成してもよい。

本実施例では、導風部４２５，４２６のフィンピッチｐ２を主空気流入部４２４のフィンピッチｐ１よりも狭く設定することにより、導風部４２５，４２６の通風抵抗を相対的に高く設定する。即ち、導風部４２５，４２６は、空気の流入を遮断する構成ではなく、空気の流入を許可する構成のため、導風部４２５，４２６の後方に配置した回路部品を冷却することができる。例えば、発熱量が少なく、耐熱性のある回路部品であれば、少ない空気量で冷却することができる。このような回路部品を導風部４２５，４２６の後方に配置することにより、NASボード１１０の実装面を有効に利用することができる。

本実施例の変形例を以下に説明する。図１２の平面図に示すように、例えば、前側冷却部４２０の開口面を天板４３０で覆うだけでなく、後側冷却部４１０の一部まで天板４３１Ａで覆うこともできる。

図１３は、フィンピッチの設定方法を示す別の変形例である。図中の縦軸はフィンのピッチを、横軸は導風部４２５の最も外側（図中の左側）を原点としたときの距離を、それぞれ示す。

図１３（ａ）に示すように、相対的に広いピッチｐ１と相対的に狭いｐ２とを採用することができる。ピッチを広げるほどフィン間の隙間（即ち、流路）は広くなり、ピッチを狭めるほどフィン間の隙間は狭くなる。各導風部４２５，４２６は狭いピッチｐ２に設定し、主空気流入部４２４は広いピッチｐ１に設定する。これにより、前側冷却部４２０の前面には、開口部（各流路の流入口）に疎密が生じる。なお、図中のＣ１は、主空気流入部４２４の中心線を示し、Ｃ２は、CPU２３１の中心線を示す。Ｃ２は、Ｃ１よりも導風部４２５側にΔＷだけずれているが、両中心線Ｃ１，Ｃ２を一致させてもよい。

図１３（ｂ）に示すように、第３のピッチｐ３を採用することもできる。各導風部４２５，４２６には、最も狭いピッチｐ２と中間のピッチｐ３との２種類のピッチを設定することができる。そして、主空気流入部４２４の中心に向かうに連れて、開口部の面積を増加させることができる。

図１４（ａ）に示すように、いずれか一方の導風部のフィンピッチのみを複数段階で変化させることもできる。また、図１４（ｂ）に示すように、各導風部４２５，４２６のフィンピッチをそれぞれ異ならせることも可能である。例えば、導風部４２５には、フィンの位置に応じてピッチｐ２とピッチｐ４とを設定し、導風部４２６には、フィンの位置に応じてピッチｐ２とピッチＰ３とを設定する。ここで、各ピッチｐ１〜ｐ４は、ｐ１＞ｐ３＞ｐ４＞ｐ２の関係にある。

図１５に示すように、各導風部４２５，４２６からそれぞれ主空気流入部４２４に向かうに連れて、フィンピッチを段階的に変化させることもできる。

図１６は、別の変形例に係るヒートシンクの正面図である。この例では、主空気流入部４２４と各導風部４２５，４２６とのフィンピッチを全て一定値（例えば、ｐ１）に設定している。そして、各導風部４２５，４２６の前面に、メッシュ状の通風抵抗体４５０を設けることにより、主空気流入部４２４と各導風部４２５，４２６との間の通風抵抗に差を発生させている。通風抵抗体４５０は、例えば、金属材料、樹脂材料またはセラミックス材料等に多数の小さな孔を形成することにより、得ることができる。なお、例えば、孔を有さない金属板等から通風抵抗体４５０を形成し、空気の流入を遮断するように構成してもよい。導風部４２５，４２６への空気流入を遮断する場合、導風部４２５，４２６からは冷却風が流れ出ないので、導風部４２５，４２６の後方に配置されていたDC／DCコンバータ２７２及びメモリ２３２を、後側冷却部４１０の後方に移す構成としてもよい。

図１７は、CPU２３１の実装位置とヒートシンク４００との関係を模式的に示す説明図である。図１７（ａ）に示すように、CPU２３１を後側冷却部４１０の略中央部に設けることもできる。この場合は、CPU２３１の位置に合わせて、主空気流入部４２４及び主放熱部４１４の形成位置を設定する。同様に、図１７（ｂ）に示すように、CPU２３１が後側冷却部４１０の端部寄りに設けられる場合も、CPU２３１の位置に合わせて、主空気流入部４２４及び主放熱部４１４の形成位置を設定する。

図１８に基づいて第２実施例を説明する。本実施例の特徴は、導風部４２５，４２６のフィンを所定方向に傾けて配設した点にある。なお、以下の各実施例は、第１実施例の変形例に相当する。

図１８は、ヒートシンク４００の平面図である。各導風部４２５，４２６のフィン４２２Ａは、それぞれ後側冷却部４１０の中心を指向するように、傾けて形成される。導風部４２５，４２６の各フィン４２２Ａ間に流入した空気は、導風部４２５，４２６の後方に流出するのではなく、後側冷却部４１０の流路４１３にそれぞれ流入する。これにより、後側冷却部４１０に、より多くの冷却風を送り込むことができ、冷却性能を高めることができる。

図１９は、変形例である。第１実施例において、導風部４２５，４２６の後方に配置されていたDC／DCコンバータ２７２及びメモリ２３２は、後側冷却部４１０の後方にそれぞれ設けることができる。本実施例では、導風部４２５，４２６に流入した空気を後側冷却部４１０に集めるため、導風部４２５，４２６の後方に回路部品を配置せず、後側冷却部４１０の後方に回路部品を実装する。

図２０〜図２２に基づいて第３実施例を説明する。図２０は、本実施例を説明するための説明図である。図２０には、制御部３０の平面図が模式的に示されている。

NASボード１１０に進入する空気Ｆは、その一部がヒートシンク４００内に流入し、他の一部は、NASボード１１０に隣接する他の論理基板３１ＮとNASボード１１０との間の空気間に流入する。

ところで、制御部３０には、ディスクアレイ装置１０に要求される仕様（上位装置の接続数等）に応じて、必要な論理基板３１が必要なだけ装着される。従って、ヒートシンク４００の開口面側（図２０中の右側）に隣接する論理基板３１Ｎが、常に存在するとは限らない。

図２０（ｂ）に示すように、もしもヒートシンク４００に隣接する論理基板３１Ｎが存在しない場合、NASボード１１０と他の論理基板との間の空間が広くなる。そして、この基板間の空間は、ヒートシンク４００や回路部品が設けられたNASボード１１０よりも通風抵抗が小さい。従って、基板間の空間に多くの空気が流入し、CPU２３１の冷却に寄与しないまま、筐体１１内に吸い込まれることとなる。即ち、隣接基板３１Ｎは、ヒートシンク４００の第２の天板として機能している。

そこで、図２１（ａ）に示すように、要求仕様等の関係でヒートシンク４００の開口面側に論理基板３１Ｎが装着されない場合は、この論理基板３１Ｎに代えて、ダミー基板５００を取り付ける。なお、ダミー基板５００は、プリント基板から形成する必要はなく、例えば、金属材料や樹脂材料等から略平板状に形成するだけでよい。

図２１（ｂ）に示すように、ヒートシンク４００の高さ寸法をＨ、NASボード１１０とダミー基板５００との間の離間寸法をＢとすると、ヒートシンク４００の上面（開口側の面）とダミー基板５００との間の離間寸法は、Ｈ−Ｂとなる。

図２２は、ダミー基板５００の設定高さ寸法Ｂと熱伝達率との関係を模式的に示す特性図である。この特性図では、ヒートシンク４００の高さ寸法Ｈを１とした場合に、ダミー基板５００の設置高さ寸法Ｂをどのような値にすると、ヒートシンク４００の冷却性能がどのように変化するかを予測したものである。

この特性図によれば、ダミー基板５００の設置高さ寸法Ｂをヒートシンク４００の高さ寸法Ｈの１．５倍程度に設定した場合に、冷却性能が高くなると考えられる。従って、例えば、ＢをＨの１．３〜１．７倍程度の値に設定すれば、ヒートシンク４００側に多くの冷却風を集めることができるであろう。

ここで、開口比を（Ｂ−Ｈ）／Ｈと定義すると、例えば、開口比が０．３程度になるように、ダミー基板５００の位置を設定すれば、ダミー基板５００を第２の天板として機能させることができ、ヒートシンク４００により多くの冷却風を導くことができると考えられる。

図２３，図２４に基づいて第４実施例を説明する。本実施例では、ダミー基板５１０に突起部５１２を設けている。即ち、図２３に示すように、ダミー基板５１０は、例えば、平板部５１１と、平板部５１１の一方の端部寄りに設けられ、幅方向の全体にわたって外部に突出して形成された平板状の突起部５１２とから構成される。

図２４（ａ）の平面図に示すように、突起部５１２は、ヒートシンク４００に対向する空間（NASボード１１０とダミー基板５１０との間の空間）とは反対側の空間（ダミー基板５１０とダミー基板５１０に隣接する論理基板３１Ｎ２との間の空間）に突出するようにして、設けられる。そして、突起部５１２は、論理基板３１Ｎ２と干渉しなように、その突出寸法が設定されている。

図２４（ｂ）に示すように、突起部５１２は、ヒートシンク４００側とは反対側の空間に突出し、ダミー基板５１０と論理基板３１Ｎ２との間に形成される空間の通風抵抗を大きくする。このため、ダミー基板５１０と論理基板３１Ｎ２との間の隙間に流入する空気量は低下し、この分だけ、ヒートシンク４００側に流入する空気量が増大する。即ち、ダミー基板５１０の近傍に位置する空気Ｆ１Ｃは、その一部がダミー基板５１０とヒートシンク４００との間の空間に流入し、残りがヒートシンク内に流入する。

図２５に基づいて第５実施例を説明する。図２５は、制御部３０の平面図である。この実施例では、２枚のNASボード１１０，１１０Ｒを用い、これら各NASボード１１０，１１０Ｒを向かい合わせにして制御部３０に装着する。

ここで、NASボード１１０Ｒは、そのヒートシンク４００Ｒが相手方のヒートシンク４００と向き合うように、NASボード１１０と対称に構成されている。これにより、一方のヒートシンク４００にとっては、相手方のヒートシンク４００が第２の天板としての機能を果たし、他方のヒートシンク４００Ｒにとっては、相手方のヒートシンク４００が第２の天板としての機能を果たす。従って、冷却に寄与せずに筐体１１内に吸い込まれる空気量を低減し、冷却性能を高めることができる。

図２６に基づいて第６実施例を説明する。図２６（ａ）は、制御部３０の平面図を示し、本実施例では、ヒートシンク４００の上側に、シャッター部５２０を設けている。図２６（ｂ）の断面図に示すように、シャッター部５２０は、例えば、平板部５２１と、平板部５２１を複数箇所で支持する支持部５２２とを備えている。各支持部５２２の基端側はヒートシンク４００にそれぞれ固定され、各支持部５２２の先端側は平板部５２１にそれぞれ固定されている。なお、各支持部５２２は、シャッター部５２０とヒートシンク４００との間の空間を流れる冷却風を阻害しないように（大きな通風抵抗とならないように）、例えば、細径の棒等から構成される。また、各支持部５２２及びシャッター部５２０を熱伝導性の高い材料から構成することにより、ヒートシンク４００の熱をシャッター部５２０に伝導させることができる。これにより、シャッター部５２０を放熱板として作用させることができる。

シャッター部５２０をヒートシンク４００の開口面（図２３（ｂ）中の上側）に離間して設けることにより、NASボード１１０に隣接する論理基板３１Ｎが存在しない場合でも、ヒートシンク４００により多くの冷却風を誘導することができる。なお、シャッター部５２０とヒートシンク４００との間の空間を流れる冷却風も、少なくともその一部は、ヒートシンク４００の冷却に寄与する。

なお、図２７に示すように、ダミー基板５００とシャッター部５２０とを併用する構成でもよい。この場合は、ダミー基板５００によって論理基板間の空間に冷却風を導くことができると共に、シャッター部５２０によってヒートシンク４００側に冷却風を集めることができる。そして、天板４３０は、流路４２３から空気が剥離するのを抑制し、発熱部（CPU２３１の取付位置）に向けて冷却風を誘導する。

図２８〜図３１に基づいて第７実施例を説明する。図２８の平面図に示すように、本実施例では、２枚のNASボード１１０，１１０Ｒを一体化して１枚のNASボード１１０Ｄに構成する。そして、共通のヒートシンク４００Ｄにより、各NASボード１１０，１１０ＲのCPU２３１Ｆ，２３１Ｂを冷却するようになっている。

図２９は、２つのCPU２３１Ｆ，２３１Ｂを同時に冷却可能なヒートシンク４００Ｄの斜視図である。後側冷却部４１０Ｄの後方（通風方向の後側）には、ベース部４１１Ｆが設けられ、このベース部４１１ＦにCPU２３１Ｆが取り付けられる。

図３０の背面図及び図３１の側面図に示すように、ヒートシンク４００Ｄの裏側にも別のベース部４１１Ｂが設けられ、このベース部４１１Ｂに別のCPU２３１Ｂが取り付けられている。そして、これらCPU２３１Ｆは主放熱部４１４Ｂ等により、CPU２３１Ｂは主放熱部４１４Ｆ等により、それぞれ冷却される。

このように、２つのNASボード１１０，１１０Ｒを一つのNASボード１１０Ｄとして一体化し、一つのヒートシンク４００Ｄによって、２つのCPU２３１Ｆ，２３１Ｂをそれぞれ冷却することができる。これにより、互いの基板をそれぞれ第２の天板として利用しながら、全体構造を簡素化することができる。

図３２〜図３７に基づいて、フィンピッチの疎密と天板の有無等の組合せについて、簡単に説明する。図３２（ａ）に示すように、天板４３０によってヒートシンクの開口面の全体を覆うこともできる。図３２（ｂ）に示すように、天板４３０によって全体を覆うと共に、フィンピッチを一定にすることもできる。

図３３に示すように、導風部４２５，４２６をヒートシンクの両側に突出させて設けるのではなく、ヒートシンク内にそれぞれ形成してもよい。この場合、ヒートシンクの全体を天板４３０で覆ってもよい。

図３４に示すように、ヒートシンクから天板を取り除いてもよい。この場合、図３４（ａ）に示すように、フィンのピッチを違えることもできるし、図３４（ｂ）に示すようにピッチを一定にすることもできる。

図３５に示すように、ヒートシンクから天板を取り除くと共に、導風部４２５，４２６を外部に突出しないように構成することもできる。

図３６に示すように、前側冷却部４２０の一部にのみ設けることもできる。この場合は、通風方向の上流側寄りに天板４３０を部分的に設けることができる。そして、図３６（ａ）に示すように、フィンのピッチを違えることもできるし、図３６（ｂ）に示すように、ピッチを一定にすることもできる。

図３７に示すように、導風部４２５，４２６が突出しないように構成すると共に、天板４３０を通風方向の上流側寄りの部分にのみ設けることもできる。そして、図３７（ａ）に示すように、フィンのピッチを違えることもできるし、図３７（ｂ）に示すように、ピッチを一定にすることもできる。

図３８〜図４２に基づいて、導風部４２５，４２６の設置方法の変形例を幾つか簡単に説明する。図３８（ａ）に示すように、通風方向の上流側に位置して、主空気流入部４２４の左右両側にそれぞれ導風部４２５，４２６を設けることができる。この構成は、第１実施例で述べた。図３８（ｂ）に示すように、一方の導風部４２５の位置を下流側にずらし、ヒートシンクの略中央部に設けることもできる。図３８（ｃ）に示すように、他方の導風部４２６の位置を、さらに下流側にずらし、ヒートシンクの後側に設けてもよい。

図３９（ａ）に示すように、一方の導風部４２５を廃止し、他方の導風部４２６のみを設けることもできる。図３９（ｂ）に示すように、他方の導風部４２６を通風方向の下流側にずらし、ヒートシンクの略中央部に設けてもよい。図３９（ｃ）に示すように、各導風部４２５，４２６をヒートシンクの略中央部にそれぞれ設けることもできる。

図４０（ａ）に示すように、一方の導風部４２５を通風方向の下流側にずらしてヒートシンクの後側に設け、他方の導風部４２６をヒートシンクの略中央部に設けてもよい。図４０（ｂ）に示すように、一方の導風部４２５を廃止し、他方の導風部４２６をヒートシンクの略中央部に設けてもよい。図４０（ｃ）に示すように、一方の導風部４２５をヒートシンクの前側に設け、他方の導風部４２６をヒートシンクの後側に設けてもよい。

図４１（ａ）に示すように、一方の導風部４２５をヒートシンクの略中央部に設け、他方の導風部４２６をヒートシンクの後側に設けてもよい。図４１（ｂ）に示すように、各導風部４２５，４２６をヒートシンクの後側にそれぞれ設けることもできる。図４１（ｃ）に示すように、一方の導風部４２５を廃止し、他方の導風部４２６をヒートシンクの後側に設けることもできる。

図４３に基づいて第１０実施例を説明する。図４３（ａ）に示すように、本実施例では、導風部４２５，４２６を、その外側から内側に向かうに連れて後側冷却部４１０側に入り込むような湾曲形状に形成している。

各導風部４２５，４２６の通風方向上流側の面、つまり、空気が流入する面は、ヒートシンクの外側から中心部に向かうに連れて滑らかに湾曲しながら、後側冷却部４１０側に入り込むような形状を有する。そして、導風部４２５，４２６の各フィン４２２Ａは、後側冷却部４１０の略中央部を指向するようにそれぞれ傾けて形成されている。

また、後側冷却部４１０の各フィン４１２は、導風部４２５，４２６の空気流入面の形状に合わせて形成されている。即ち、各フィン４１２は、外側（平面図の左右両側）から中央部に向かうに連れて、流入側端部の形成位置が徐々に下流側にずれるようにして形成されている。

このように構成することにより、導風部４２５，４２６に衝突した空気を主空気流入部４２４に向けて誘導することができ、また、導風部４２５，４２６内に流入した空気をフィン４１２間の流路４１３に供給することができる。なお、主空気流入部４２４及び導風部４２５，４２６の空気流入面を円弧状、湾曲状に形成する場合に限らず、三角形状（平面図において）に形成してもよい。

図４３（ｂ）は、変形例を示す。この変形例では、後側冷却部４１０の各フィン４１２を、中央部から外側に向かうに連れて、流入側端部の形成位置が徐々に下流側にずれるようにして形成している。

以上のように、主空気流入部４２４の左右両側に設けられる導風部４２５，４２６の空気流入側の面を、主空気流入部４２４の略中央部に向かう湾曲面として形成することにより、導風部４２５，４２６の空気流入面に接触した空気の一部を、湾曲面を介して、主空気流入部４２４に誘導することができる。なお、後側冷却部４１０のフィン４１２は、第１実施例で述べたと同様に、同一位置同一長さに揃えて形成することもできる。また、導風部４２５，４２６または／及び主空気流入部４２４の全部または一部を覆う天板を設ける構成としてもよい。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。

本発明の実施形態の全体概念を示す説明図である。 ディスクアレイ装置の斜視図である。 ディスクアレイ装置のハードウェア構成に着目したブロック図である。 ディスクアレイ装置の電力供給系統を模式的に示す回路図である。 論理基板の電力供給系統を模式的に示す回路図である。 NAS機能を提供するCHA（NASボード）の概略回路図である。 NASボードのソフトウェア構造の概略を示す説明図である。 NASボードの平面図である。 ヒートシンクの斜視図である。 ヒートシンクの断面図である。 ヒートシンクの正面図である。 変形例に係るヒートシンクの平面図である。 変形例に係るヒートシンクのフィンピッチの設定方法を示す説明図である。 他の変形例に係るヒートシンクのフィンピッチの設定方法を示す説明図である。 更に他の変形例に係るヒートシンクのフィンピッチの設定方法を示す説明図である。 フィンピッチの疎密に代えて、フィルタ等により空気の流入抵抗（通風抵抗）を変化させるヒートシンクの正面図である。 発熱体と主空気流入部及び導風部との配置関係を模式的に示す説明図である。 第２実施例に係るヒートシンクの平面図である。 変形例に係るヒートシンクの平面図である。 第３実施例の構成を説明するために用いられる制御部の平面図である。 （ａ）は、第３実施例に係る制御部の平面図、（ｂ）はヒートシンク等を拡大して模式的に示す説明図である。 ヒートシンク側に冷却風を導くためのダミー基板の設置高さとヒートシンクの高さとの関係によって、冷却性能が変化する様子を模式的に示す特性図である。 第４実施例に係るダミー基板を示す説明図である。 （ａ）は、ダミー基板を取り付けた状態を示す制御部の平面図、（ｂ）は、ヒートシンク等の断面図である。 第５実施例に係る制御部の平面図である。 （ａ）は、第６実施例に係る制御部の平面図、（ｂ）は、ヒートシンク等の断面図である。 変形例に係る制御部の平面図である。 第７実施例に係る制御部の平面図である。 ヒートシンクの斜視図である。 ヒートシンクの底面図である。 ヒートシンクの側面図である。 第８実施例に係るヒートシンクの平面図である。 変形例を示すヒートシンクの平面図である。 他の変形例を示すヒートシンクの平面図である。 更に他の変形例を示すヒートシンクの平面図である。 他の変形例を示すヒートシンクの平面図である。 更に他の変形例を示すヒートシンクの平面図である。 第９実施例に係るヒートシンクを模式的に示す平面図である。 変形例に係るヒートシンクの模式的な平面図である。 他の変形例に係るヒートシンクの模式的な平面図である。 更に他の変形例に係るヒートシンクの模式的な平面図である。 他の変形例に係るヒートシンクの模式的な平面図である。 第１０実施例に係るヒートシンクを模式的に示す説明図である。

符号の説明

１…記憶装置システム、１Ａ…筐体、１Ｂ…ファン、１Ｃ…記憶部、１Ｄ…制御部、１Ｅ…電源部、２…ディスクドライブ、３…論理基板、３Ａ…基板本体、４…回路部品、 ４…電源ボックス、４…回路部品、４Ａ…発熱体（回路部品）、５…ヒートシンク、
６…ベース、６Ａ…前側ベース部、６Ｂ…後側ベース部、７Ａ，７Ｂ，７Ｃ…放熱フィン、８…天板、１０…ディスクアレイ装置、１１…筐体、１２，１３…冷却ファン、２０…記憶部、２１…ディスクドライブ、２２…RAIDグループ、２３…論理ボリューム、３０…制御部、３１…論理基板、３１Ｎ…NASボードに隣接する論理基板、４０…電源部、４１…AC／DC電源、４２…バッテリボックス、４３…ACボックス、５０…電源コモンバス、１１０…チャネルアダプタ、１１１…DC／DCコンバータ、１１１Ａ〜１１１Ｃ…DC／DCコンバータ、１１２…一般論理回路、１１３…CPU、１１４…メモリ、１２０…ディスクアダプタ、１３０…キャッシュメモリ、１４０…共有メモリ、１５０…スイッチ部、１６０…SVP、２１０…ネットワークＩ／Ｆ部、２２０…入出力制御部、２２１…Ｉ／Ｏプロセッサ、２２２…NVRAM、２３０…ファイルサーバ部、２３１…CPU、２３２…メモリ、２３３…NVRAM、２３４…BIOS、２４０…バス、２５０…ボード接続用コネクタ、２６０…通信コネクタ、２７０…電源回路、２７１〜２７３…DC／DCコンバータ、３１０…ネットワークプロトコル層、３２０，３３０…ファイルアクセスプロトコル層、３４０…ファイルシステム、３６０…デバイスドライバ群、４００，４００Ｄ，４００Ｒ…ヒートシンク、４１０，４１０Ｄ…後側冷却部、４１１，４１１Ｂ，４１１Ｆ…後側ベース部、４１２…放熱フィン、４１３…流路、４１４，４１４Ｂ，４１４Ｆ…主放熱部、４２０…前側冷却部、４２１…前側ベース部、４２２，４２２Ａ…放熱フィン、４２３…流路、４２４…主空気流入部、４２５，４２６…導風部、４３０，４３０Ａ…天板、４４０…ネジ、４５０…通風抵抗体、５００，５１０…ダミー基板、５１１…平板部、５１２…突起部、５２０…シャッター部、５２１…平板部、５２２…支持部、Ｆ…冷却風、ｐ１〜Ｐ４…フィンピッチ

Claims (20)

1. 上位装置との間のデータ授受をそれぞれ制御するための複数の上位インターフェース制御基板と、
   記憶デバイスとのデータ授受をそれぞれ制御するための複数の下位インターフェース制御基板と、
   前記各上位インターフェース制御基板及び前記各下位インターフェース制御基板によって共用されるメモリ基板と、を備え、
   前記各上位インターフェース制御基板のうち所定の上位インターフェース制御基板は、基板と、この基板に設けられた複数の回路部品と、これら各回路部品のうち所定の回路部品に設けられるヒートシンクとを備え、
   前記ヒートシンクには、複数の放熱フィンと、これら各放熱フィンに向けて空気を導くための導風部とを設けた記憶装置システム。
2. 前記導風部は、前記各放熱フィン間にそれぞれ形成される流路の空気流入側の近傍に設けられ、前記各流路の通風抵抗よりも相対的に高い通風抵抗を有する高通風抵抗部を含んで構成される請求項１に記載の記憶装置システム。
3. 前記導風部は、少なくとも前記各流路の空気流入側を覆うようにして設けられる天板部を含んで構成される請求項１に記載の記憶装置システム。
4. 前記所定の回路部品に対応する所定の領域に位置する各放熱フィンのピッチは、他の領域に位置する各放熱フィンのピッチよりも狭く設定されている請求項１に記載の記憶装置システム。
5. 前記導風部は、前記各放熱フィンの配設方向に沿って、前記各放熱フィンの外側に設けられる請求項１に記載の記憶装置システム。
6. 前記高通風抵抗部は、前記各放熱フィンのピッチよりも狭いピッチで他の放熱フィンを複数形成することにより構成される請求項２に記載の記憶装置システム。
7. 前記高通風抵抗部の放熱フィンは、前記所定の回路部品の方向に向けて配設されている請求項６に記載の記憶装置システム。
8. 前記各放熱フィンから前記各他の放熱フィンに向けて、ピッチが段階的に狭くなるように設定されている請求項６に記載の記憶装置システム。
9. 前記高通風抵抗部の空気流出側に、他の所定の回路部品を配置する請求項６に記載の記憶装置システム。
10. 前記高通風抵抗部は、空気の流入を遮断するように構成されている請求項２に記載の記憶装置システム。
11. 前記放熱フィンの空気流出側に他の所定の回路部品を配置する請求項２に記載の記憶装置システム。
12. 前記各放熱フィン間の流路から離間して対向する位置に、導風板を設ける請求項１に記載の記憶装置システム。
13. 前記導風板として、前記ヒートシンクの取付面に対向して前記所定の上位インターフェース制御基板に隣接して設けられる他の基板を用いる請求項１２に記載の記憶装置システム。
14. 前記導風板は、前記ヒートシンクの取付面に対向して前記所定の上位インターフェース制御基板に隣接して設けられるダミー基板である請求項１２に記載の記憶装置システム。
15. 前記導風板には、前記ヒートシンクに対向する面の反対側の面から外部に向けて突出する突部を設けた請求項１２に記載の記憶装置システム。
16. 前記導風板は、前記ヒートシンクの全体を覆うようにして、前記ヒートシンクに取り付けられている請求項１２に記載の記憶装置システム。
17. 前記ヒートシンクは、前記所定の回路部品に加えて、前記所定の上位インターフェース制御基板と向かい合わせ状態で設けられる別の所定の上位インターフェース制御基板に設けられた所定の回路部品も冷却するものである請求項１に記載の記憶装置システム。
18. 前記導風部は、その前面側が前記所定の部品に向けて傾斜するように形成されている請求項１に記載の記憶装置システム。
19. 前記所定の上位インターフェース制御基板は、TCP/IPを用いてファイルレベルでのデータ授受を行うものであり、前記所定の回路部品は、前記データ授受を制御する演算処理回路である請求項１に記載の記憶装置システム。
20. 記憶装置システム用論理基板に用いられる冷却構造であって、
    主冷却部と、この主冷却部に隣接して設けられる導風部とを備えており、
    前記主冷却部は、所定の回路部品に接触するベースと、このベースに第１のピッチで列設された複数の第１放熱フィンとを備えて構成され、
    前記導風部は、ベースと、このベースに第２のピッチで列設された複数の第２放熱フィンとを備えて構成され、
    前記第１のピッチよりも第２のピッチの方が狭くなるように設定されている記憶装置システム用論理基板の冷却構造。