JP2005345837A - Method of manufacturing reflection mirror and reflection mirror - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する技術に関するものであり、特に、その反射ミラーをウエットエッチングによって製作する技術に関するものである。 The present invention relates to a technique for manufacturing a plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident by etching, and particularly to a technique for manufacturing the reflecting mirror by wet etching.
例えば、光によって画像を形成する分野においては、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーが使用される場合がある。この種の反射ミラーは種々の用途に使用される。例えば、この種の反射ミラーの一形式は、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される。 For example, in the field of forming an image with light, a plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident may be used. This type of reflection mirror is used for various applications. For example, one type of reflection mirror of this type is used to scan the light by changing the reflection direction of the light incident on the reflection surface by being oscillated around an oscillation axis parallel to the reflection surface. used.
この形式の反射ミラーの一従来例が既に存在する(例えば、特許文献1参照。)。この従来の反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される。 One conventional example of this type of reflection mirror already exists (see, for example, Patent Document 1). This conventional reflecting mirror forms a vibrating body together with a plate-like spring that extends from the reflecting mirror along the swing axis and generates at least a torsional vibration around the swing axis. When at least a part is vibrated, it is used for changing the reflection direction of the light incident on the reflection surface and scanning the light.
この従来の反射ミラーは、特許文献1に開示されているように、反射ミラーの揺動軸線を対称中心線とする四角形を成す平面形状を有するように製作されていた。さらに、この従来の反射ミラーは、エッチングによって製作されていた。エッチングの種類には、ドライエッチングとウエットエッチングとがある。
この種の反射ミラーを利用する分野においては、反射ミラーを揺動軸線まわりに揺動させ得る最大揺動速度を高速化することが強く要望される場合がある。具体的には、例えば、この種の反射ミラーを用いて光の走査を行う走査部を備えた画像形成装置においては、画像の解像度を増すために光の走査速度を高速化することが強く要望され、その走査速度の高速化のために反射ミラーの揺動速度の高速化が要望される場合がある。 In the field of using this type of reflection mirror, there is a strong demand to increase the maximum swing speed at which the reflection mirror can be swung around the swing axis. Specifically, for example, in an image forming apparatus including a scanning unit that scans light using this type of reflecting mirror, it is strongly desired to increase the scanning speed of light in order to increase the resolution of the image. In order to increase the scanning speed, there is a case where it is desired to increase the rocking speed of the reflecting mirror.
一方、この種の反射ミラーの最大揺動速度を高速化するためには、反射ミラーの、揺動軸線まわりの慣性モーメントを低減させることが有効である。 On the other hand, in order to increase the maximum swing speed of this type of reflection mirror, it is effective to reduce the moment of inertia of the reflection mirror around the swing axis.
しかしながら、ウエットエッチングによって製作された従来の反射ミラーは、前述のように、反射ミラーの揺動軸線を対称中心線とする四角形を成す平面形状を有するように製作されていた。そのため、この従来の反射ミラーを使用せざるを得ない場合には、この従来の反射ミラーと同程度の反射領域を確保するためにそれと同じ横寸法を有する円形の反射ミラーに比較し、反射ミラーの慣性モーメントを低減させることが困難であった。 However, the conventional reflection mirror manufactured by wet etching has been manufactured so as to have a planar shape that forms a quadrangle with the oscillating axis of the reflection mirror as the center line of symmetry, as described above. For this reason, when this conventional reflecting mirror must be used, the reflecting mirror is compared with a circular reflecting mirror having the same lateral dimension to secure a reflecting area comparable to that of the conventional reflecting mirror. It was difficult to reduce the moment of inertia.
反射ミラーをドライエッチングによって製作する場合には、ウエットエッチングによって製作する場合より、マスクパターンの微細化が容易で、反射ミラーを任意の形状に高精度で製作することが容易である。しかし、ドライエッチングによる反射ミラーの製作は、多数枚の反射ミラーを製作するために使用される多数枚の被エッチング材に対してエッチングを一括して行うバッチ処理に十分には適していない。そのため、ドライエッチングによる反射ミラーの製作は、反射ミラーの生産効率を高めて生産コストを低減させることに十分には適していない。 When the reflecting mirror is manufactured by dry etching, the mask pattern can be easily miniaturized and the reflecting mirror can be easily manufactured in an arbitrary shape with high accuracy, compared with the case where the reflecting mirror is manufactured by wet etching. However, the production of reflection mirrors by dry etching is not sufficiently suitable for batch processing in which etching is collectively performed on a large number of materials to be etched that are used to produce a large number of reflection mirrors. Therefore, the production of the reflection mirror by dry etching is not sufficiently suitable for increasing the production efficiency of the reflection mirror and reducing the production cost.
以上説明した事情を背景として、本発明は、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する技術において、その反射ミラーをウエットエッチングによって製作する技術を提供することを課題としてなされたものである。 Against the background described above, the present invention has an object of providing a technique for manufacturing a reflection mirror by wet etching in a technique for manufacturing a plate-like reflection mirror having a reflection surface on which light is incident. It was made.
本発明によって下記の各態様が得られる。各態様は、項に区分し、各項には番号を付し、必要に応じて他の項の番号を引用する形式で記載する。これは、本発明が採用し得る技術的特徴の一部およびそれの組合せの理解を容易にするためであり、本発明が採用し得る技術的特徴およびそれの組合せが以下の態様に限定されると解釈すべきではない。すなわち、下記の態様には記載されていないが本明細書には記載されている技術的特徴を本発明の技術的特徴として適宜抽出して採用することは妨げられないと解釈すべきなのである。 The following aspects are obtained by the present invention. Each aspect is divided into sections, each section is given a number, and is described in a form that cites other section numbers as necessary. This is to facilitate understanding of some of the technical features that the present invention can employ and combinations thereof, and the technical features that can be employed by the present invention and combinations thereof are limited to the following embodiments. Should not be interpreted. That is, it should be construed that it is not impeded to appropriately extract and employ the technical features described in the present specification as technical features of the present invention although they are not described in the following embodiments.
さらに、各項を他の項の番号を引用する形式で記載することが必ずしも、各項に記載の技術的特徴を他の項に記載の技術的特徴から分離させて独立させることを妨げることを意味するわけではなく、各項に記載の技術的特徴をその性質に応じて適宜独立させることが可能であると解釈すべきである。 Further, describing each section in the form of quoting the numbers of the other sections does not necessarily prevent the technical features described in each section from being separated from the technical features described in the other sections. It should not be construed as meaning, but it should be construed that the technical features described in each section can be appropriately made independent depending on the nature.
(1) 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する反射ミラー製作方法であって、
単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程と、
前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程と
を含み、それにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように前記反射ミラーを製作する反射ミラー製作方法。
(1) A reflecting mirror manufacturing method for manufacturing a plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident by etching,
A coating step of coating a film-like etching mask material on at least one of both surfaces of a plate-like material to be etched composed of a single crystal;
A mask pattern forming step of forming a mask pattern having a planar shape closer to a circle than a quadrangle on at least one of the etching mask materials coated on the material to be etched;
A wet etching step of performing etching by immersing the material to be etched coated with the etching mask material in an etching solution having a set concentration under a set temperature, thereby making the reflection mirror A reflection mirror manufacturing method for manufacturing the reflection mirror so that a projection figure obtained by projecting in the normal direction of the above has a planar shape closer to a circle than a quadrangle.
この方法によれば、反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように反射ミラーが製作される。したがって、この方法によれば、必要な反射面積を有する円形状の反射領域が最低限要求される反射ミラーにおいて、四角形を投影図形とする反射ミラーより容易に、無駄な反射領域を省略可能となるため、四角形を投影図形とする反射ミラーより軽量で慣性モーメントが小さい反射ミラーが容易に製作される。 According to this method, the reflecting mirror is manufactured so that the projection figure obtained by projecting the reflecting mirror in the normal direction thereof has a planar shape that is closer to a circle than a quadrangle. Therefore, according to this method, in a reflection mirror that requires a circular reflection region having a required reflection area as a minimum, it is possible to omit a useless reflection region more easily than a reflection mirror having a quadrangular projection pattern. Therefore, a reflecting mirror that is lighter and has a smaller moment of inertia than a reflecting mirror that uses a quadrangle as a projected figure can be easily manufactured.
さらに、この方法によれば、反射ミラーがドライエッチングによってではなくウエットエッチングによって製作される。したがって、この方法によれば、反射ミラーをドライエッチングによって製作する場合より、高い生産効率で安価に製作することが容易となる。 Furthermore, according to this method, the reflecting mirror is manufactured not by dry etching but by wet etching. Therefore, according to this method, it becomes easier to manufacture the reflection mirror with higher production efficiency and at a lower cost than when the reflection mirror is manufactured by dry etching.
ところで、反射ミラーをドライエッチングによって製作する場合には、被エッチング材の表面にコーティングされたエッチングマスク材に形成されたマスクパターンと同じ形状を有するように反射ミラーが製作される。これに対し、反射ミラーをウエットエッチングによって製作する場合には、マスクパターンとは異なる形状を有するように反射ミラーが製作される。その理由は、被エッチング材の複数の結晶面間に存在するエッチング速度差である。 By the way, when the reflection mirror is manufactured by dry etching, the reflection mirror is manufactured so as to have the same shape as the mask pattern formed on the etching mask material coated on the surface of the material to be etched. On the other hand, when the reflecting mirror is manufactured by wet etching, the reflecting mirror is manufactured so as to have a shape different from the mask pattern. The reason is an etching rate difference existing between a plurality of crystal planes of the material to be etched.
したがって、本項に係る方法を実施する場合には、反射ミラーの目標形状に基づき、被エッチング材の複数の結晶面間に存在するエッチング速度差を見込んでマスクパターンが形成される。この方法においては、反射ミラーが最終的に、それの投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように製作されるため、マスクパターンも、四角形より円形に近い平面形状であって、反射ミラーの目標形状とは一致しない形状を有するように形成される。 Therefore, when the method according to this section is performed, a mask pattern is formed in consideration of an etching rate difference existing between a plurality of crystal planes of the material to be etched based on the target shape of the reflecting mirror. In this method, since the reflecting mirror is finally manufactured so that the projection figure thereof has a planar shape that is closer to a circle than a quadrangle, the mask pattern is also a planar shape that is closer to a circle than a quadrangle. It is formed to have a shape that does not match the target shape.
このように、反射ミラーをウエットエッチングによって製作する場合であっても、複数の結晶面間に存在するエッチング速度差を見込んでマスクパターンを決定すれば、反射ミラーを目標形状を有するように製作することが可能である。 As described above, even when the reflection mirror is manufactured by wet etching, if the mask pattern is determined in consideration of an etching rate difference existing between a plurality of crystal planes, the reflection mirror is manufactured to have a target shape. It is possible.
本項に係る方法は、コーティング工程が、被エッチング材の両面にそれぞれエッチングマスクをコーティングする態様で実施したり、片面のみにコーティングする態様で実施することが可能である。前者の態様で実施する場合、マスクパターン形成工程は、被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた2個のエッチングマスクのそれぞれにマスクパターンを形成したり、それら2個のエッチングマスクのうちのいずれかのみにマスクパターンを形成することが可能である。要するに、本項に係る方法は、被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方にマスクパターンが形成されるように実施すれば足りるのである。 The method according to this section can be performed in such a manner that the coating step is performed by coating the etching mask on both surfaces of the material to be etched, or by coating only on one surface. In the case of carrying out the former mode, the mask pattern forming step forms a mask pattern on each of two etching masks coated on both surfaces of the material to be etched, or any one of the two etching masks. Only a mask pattern can be formed. In short, it is sufficient that the method according to this section is performed so that the mask pattern is formed on at least one of both surfaces of the material to be etched.
(2) 前記反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される(1)項に記載の反射ミラー製作方法。 (2) The reflection mirror is used to scan the light by changing the reflection direction of the light incident on the reflection surface by being oscillated around a swing axis parallel to the reflection surface ( The method for producing a reflecting mirror as described in the item 1).
この方法によれば、光を走査するために使用される反射ミラーを、四角形より円形に近い投影図形を有するように、ウエットエッチングによって製作することが可能となる。 According to this method, the reflection mirror used for scanning light can be manufactured by wet etching so as to have a projected figure that is closer to a circle than a quadrangle.
(3) 前記反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される(2)項に記載の反射ミラー製作方法。 (3) The reflecting mirror constitutes a vibrating body together with a plate-like spring that extends from the reflecting mirror along the swing axis and generates at least torsional vibration around the swing axis. The method of manufacturing a reflecting mirror according to the item (2), which is used to change the reflection direction of the light incident on the reflecting surface by scanning at least a part of the light.
(4) 前記マスクパターンの平面形状は、概して凸の八角形である(1)ないし(3)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法。 (4) The reflective mirror manufacturing method according to any one of (1) to (3), wherein the planar shape of the mask pattern is generally a convex octagon.
この方法によれば、概して凸の八角形を投影図形とする反射ミラーを、四角形を投影図形とする反射ミラーより慣性モーメントを低減させることが容易な反射ミラーとして製作することが可能となる。 According to this method, it is possible to manufacture a reflecting mirror having a generally projected octagon as a projected figure as a reflecting mirror that can reduce the moment of inertia more easily than a reflecting mirror having a quadrangle as a projected figure.
(5) 前記マスクパターンの平面形状は、凸の八角形を基本形状として、その八角形における8個の角部において突出部を有する形状である(4)項に記載の反射ミラー製作方法。 (5) The reflective mirror manufacturing method according to (4), wherein the planar shape of the mask pattern is a shape having a convex octagon as a basic shape and having protruding portions at eight corners of the octagon.
この方法によれば、被エッチング材のウエットエッチング工程において、被エッチング材のうちマスクパターンの角部に対面する部分の侵食が、その角部が突出部を有しない場合より遅延される。この遅延が反映されるように反射ミラーが製作される。 According to this method, in the wet etching process of the material to be etched, the erosion of the portion of the material to be etched facing the corner portion of the mask pattern is delayed as compared with the case where the corner portion has no protrusion. A reflection mirror is manufactured to reflect this delay.
本項における「突出部」は、例えば、正規の八角形における各角部から、その各角部の外角に当たる領域に向かって延びる形状を有するものとすることが可能である。 The “protruding portion” in this section can have, for example, a shape extending from each corner portion in a regular octagon toward a region corresponding to the outer corner of each corner portion.
(6) 前記マスクパターンは、一基準線と平行な第1辺とその基準線と直交する第2辺とを有し、前記被エッチング材の(100)結晶面上において前記第1辺および第2辺が<110>結晶方向と直交するように前記被エッチング材に対して位置決めされ、
そのマスクパターンの外形線は、そのマスクパターンの中心点において互いに直交する2本の対称中心線によって前記被エッチング材を4つの領域に分割した場合の各領域ごとに、前記被エッチング材の(100)結晶面に相当する第1部分と、(111)結晶面に相当する第2部分とを有する(4)または(5)項に記載の反射ミラー製作方法。
(6) The mask pattern has a first side parallel to one reference line and a second side orthogonal to the reference line, and the first side and the first side on the (100) crystal plane of the material to be etched. The two sides are positioned with respect to the material to be etched so as to be orthogonal to the <110> crystal direction,
The outline of the mask pattern is (100) of the material to be etched for each region when the material to be etched is divided into four regions by two symmetrical center lines orthogonal to each other at the center point of the mask pattern. The method for producing a reflecting mirror according to (4) or (5), comprising: a first portion corresponding to a crystal plane; and a second portion corresponding to a (111) crystal plane.
本明細書においては、結晶面が(abc)というように表記されるが、この表記が意味する結晶面は、その表記中のa,b,cという各数字の符号を考慮した狭義の結晶面のみならず、それと等価な結晶面をも含んでいる。すなわち、(abc)結晶面は、該当する複数の結晶面を包含する包括的な定義に従って解釈すべきなのである。 In the present specification, the crystal plane is expressed as (abc). The crystal plane that is expressed by this notation is a narrowly defined crystal plane in consideration of the signs of the numbers a, b, and c in the description. It includes not only the equivalent crystal plane. That is, the (abc) crystal plane should be interpreted according to a comprehensive definition including a plurality of corresponding crystal planes.
そして、本項に係る方法を実施すれば、(100)結晶面と(111)結晶面とが露出するn角形(n:3以上の整数を4倍したもの)を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。 Then, if the method according to this section is implemented, a reflection mirror having a projected figure of an n-gon (n: an integer greater than or equal to 3) that exposes the (100) crystal plane and the (111) crystal plane is obtained. It becomes possible to produce.
(7) 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の(n11)結晶面(n:2以上の整数)に相当する第3部分を、前記第1部分と第2部分との間に有する(6)項に記載の反射ミラー製作方法。 (7) The outline of the mask pattern further includes, for each region, a third portion corresponding to the (n11) crystal plane (n: an integer of 2 or more) of the material to be etched, and the first portion. The reflecting mirror manufacturing method according to the item (6), which is provided between the second portion and the second portion.
この方法によれば、反射ミラーの投影図形の外形線が(100)結晶面および(111)結晶面のみで構成されると仮定した場合にその投影図形が示す八角形を、それに属する8個の角部においてそれぞれ、少なくとも1種類の別の結晶面が露出するように部分的に削り落として得られるn角形(n:8より大きい8の倍数)を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。 According to this method, when it is assumed that the outline of the projection figure of the reflecting mirror is composed only of the (100) crystal plane and the (111) crystal plane, the octagon indicated by the projection figure is represented by the eight octagons belonging to the octagon. It is possible to produce a reflection mirror having an n-gon shape (n: multiple of 8 greater than 8) as a projected figure obtained by partially scraping off at least one kind of another crystal plane at each corner. It becomes possible.
したがって、この方法によれば、八角形より円形に近い平面形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。さらに、この方法によれば、反射ミラーの投影図形を、四角形より円形に近似させることが容易となるため、必要な反射面積の確保(必要な横寸法の確保)が要求される反射ミラーにおいては、反射ミラーが四角形である場合より、無駄な反射領域が省略され、その結果、反射ミラーの軽量化および慣性モーメントの低減化が容易となる。 Therefore, according to this method, it is possible to manufacture a reflection mirror having a planar shape that is closer to a circle than an octagon. Furthermore, according to this method, it is easy to approximate the projection pattern of the reflection mirror to a circle rather than a quadrangle. Therefore, in a reflection mirror that requires a required reflection area (a required lateral dimension) is required. As compared with the case where the reflecting mirror is square, a useless reflecting area is omitted, and as a result, it is easy to reduce the weight of the reflecting mirror and reduce the moment of inertia.
反射ミラーの円形度は、上述の仮想形状である八角形の各角部において露出する結晶面が複数種類存在する場合には、1種類しか存在しない場合より改善される。例えば、その露出する結晶面が1種類しか存在しない場合には、反射ミラーの投影図形は16角形であるが、その露出する結晶面が2種類存在する場合には、反射ミラーの投影図形は24角形となる。露出する結晶面の種類が多いほど反射ミラーの円形度が増すという傾向は、その露出する結晶面の種類が多いほど強調され、本項に係る方法は、その露出する結晶面の種類を増加させることに適している。 The circularity of the reflection mirror is improved when there are a plurality of types of crystal planes exposed at each corner of the octagon, which is the virtual shape, as compared with the case where only one type is present. For example, when there is only one type of crystal plane to be exposed, the projection pattern of the reflection mirror is a hexagon, but when there are two types of crystal plane to be exposed, the projection pattern of the reflection mirror is 24. It becomes a square. The tendency that the degree of circularity of the reflecting mirror increases as the number of exposed crystal faces increases, the stress increases as the number of exposed crystal faces increases, and the method according to this section increases the number of exposed crystal faces. Suitable for that.
(8) 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の(520)結晶面に相当する第4部分を、前記第1部分と第2部分との間に有する(6)項に記載の反射ミラー製作方法。 (8) The outline of the mask pattern further includes, for each region, a fourth portion corresponding to the (520) crystal plane of the material to be etched between the first portion and the second portion. (6) The reflecting mirror manufacturing method according to item (6).
この方法によれば、反射ミラーの投影図形の外形線が(100)結晶面および(111)結晶面のみで構成されると仮定した場合にその投影図形が示す八角形が、それに属する8個の角部においてそれぞれ、主として(520)結晶面が露出するように部分的に削り落とされた形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。この方法によって製作され得る反射ミラーの投影図形は、16角形に近い形状である。 According to this method, when it is assumed that the outline of the projection figure of the reflection mirror is composed only of the (100) crystal plane and the (111) crystal plane, the octagon indicated by the projection figure has eight In each corner, it is possible to manufacture a reflecting mirror whose projected figure is a shape that is partially cut off so that the (520) crystal plane is mainly exposed. The projection pattern of the reflecting mirror that can be manufactured by this method has a shape close to a hexagon.
したがって、この方法によれば、八角形より円形に近い平面形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。さらに、この方法によれば、八角形がそれの各角部において削り落とされる際に主として露出する結晶面が必ず1種類のみであり、その結晶面の種類の数は変動しないため、製作される反射ミラーの最終形状が安定化させられる。 Therefore, according to this method, it is possible to manufacture a reflection mirror having a planar shape that is closer to a circle than an octagon. Furthermore, according to this method, since the octagon is only one type of crystal plane that is exposed when the octagon is scraped off at each corner of the octagon, the number of types of crystal planes does not vary. The final shape of the reflecting mirror is stabilized.
(9) 前記エッチング液は、KOHまたはTMAHである(1)ないし(8)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法。 (9) The reflecting mirror manufacturing method according to any one of (1) to (8), wherein the etching solution is KOH or TMAH.
(10) 前記設定濃度は、35wt%ないし45wt%の範囲内にある(8)項に記載の反射ミラー製作方法。 (10) The reflective mirror manufacturing method according to (8), wherein the set concentration is in a range of 35 wt% to 45 wt%.
(11) 前記設定温度は、60℃ないし80℃の範囲内にある(9)または(10)項に記載の反射ミラー製作方法。 (11) The reflecting mirror manufacturing method according to (9) or (10), wherein the set temperature is in a range of 60 ° C. to 80 ° C.
(12) 前記マスクパターン形成工程は、前記被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた2個のエッチングマスク材にそれぞれ前記マスクパターンを形成する工程を含む(1)ないし(11)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法。 (12) The mask pattern forming step includes a step of forming the mask pattern on two etching mask materials respectively coated on both surfaces of the material to be etched. The reflecting mirror manufacturing method of description.
前記(1)ないし(11)項のいずれかに係る方法を実施すれば、例えば、図14(b)および(c)に示すように、縦断面図において側面が傾斜面を有するように反射ミラーが製作される場合がある。 When the method according to any one of the above items (1) to (11) is carried out, for example, as shown in FIGS. May be produced.
この場合、被エッチング材の片面のみからウエットエッチングを行うと、例えば、図14(c)に縦断面図で示すように、被エッチング材400’の側面に連続的な傾斜面が形成される。その傾斜面は、被エッチング材400’の厚さ方向に関する中心線に関して非対称的に形成される。 In this case, when wet etching is performed only from one surface of the material to be etched, for example, a continuous inclined surface is formed on the side surface of the material to be etched 400 ′ as shown in a longitudinal sectional view in FIG. The inclined surface is formed asymmetrically with respect to the center line in the thickness direction of the material to be etched 400 ′.
これに対し、被エッチング材の両面からウエットエッチングを行うと、例えば、図14(b)に縦断面図で示すように、被エッチング材400の側面に不連続的な傾斜面が形成される。その傾斜面は、被エッチング材400の厚さ方向に関する中心線に関して対称的に形成される。 On the other hand, when wet etching is performed from both surfaces of the material to be etched, a discontinuous inclined surface is formed on the side surface of the material 400 to be etched, for example, as shown in a longitudinal sectional view in FIG. The inclined surface is formed symmetrically with respect to the center line in the thickness direction of the material 400 to be etched.
したがって、それら2種類のウエットエッチングの結果を、最終的に製作される反射ミラーの重量に関して互いに比較すれば、後者の両面ウエットエッチングを実施する場合の方が、前者の片面ウエットエッチングを実施する場合より、反射ミラーの軽量化が容易となる。反射ミラーの軽量化が容易となれば、反射ミラーの慣性モーメントの低減化も容易となる。 Therefore, if the results of these two types of wet etching are compared with each other with respect to the weight of the reflection mirror to be finally produced, the case where the latter double-side wet etching is performed is the case where the former single-side wet etching is performed. Thus, the weight of the reflecting mirror can be easily reduced. If the weight of the reflecting mirror is easily reduced, the moment of inertia of the reflecting mirror can be easily reduced.
以上説明した知見に基づき、本項に係る方法においては、被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた2個のエッチングマスク材にそれぞれマスクパターンが形成される。被エッチング材の両面にそれぞれマスクパターンが形成されるのであり、その結果、被エッチング材の両面からウエットエッチングが行われる。 Based on the knowledge described above, in the method according to this item, a mask pattern is formed on each of two etching mask materials coated on both surfaces of the material to be etched. Mask patterns are formed on both surfaces of the material to be etched, and as a result, wet etching is performed from both surfaces of the material to be etched.
(13) さらに、前記ウエットエッチングの終了後に、前記被エッチング材から前記エッチングマスク材を剥離する剥離工程を含む(1)ないし(12)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法。 (13) The reflecting mirror manufacturing method according to any one of (1) to (12), further including a peeling step of peeling the etching mask material from the material to be etched after the wet etching is finished.
(14) さらに、前記被エッチング材から前記エッチングマスク材が剥離された後に、その被エッチング材の両面のうちの少なくとも片面に反射膜を形成する反射膜形成工程を含む(13)項に記載の反射ミラー製作方法。 (14) The method according to (13), further including a reflective film forming step of forming a reflective film on at least one of both surfaces of the etched material after the etching mask material is peeled from the etched material. Reflective mirror manufacturing method.
(15) 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーであって、
単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程と、
前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程と
を実行することにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように製作された反射ミラー。
(15) A plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident,
A coating step of coating a film-like etching mask material on at least one of both surfaces of a plate-like material to be etched composed of a single crystal;
A mask pattern forming step of forming a mask pattern having a planar shape closer to a circle than a quadrangle on at least one of the etching mask materials coated on the material to be etched;
A wet etching step of performing etching by immersing the material to be etched, which is coated with the etching mask material, in an etching solution having a set concentration at a set temperature, thereby making the reflection mirror The reflecting mirror manufactured so that the projected figure obtained by projecting in the normal direction of the above has a planar shape closer to a circle than a quadrangle.
この反射ミラーにおいては、その反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有する。したがって、この反射ミラーによれば、必要な反射面積を有する円形状の反射領域が最低限要求される使用条件のもとにおいて、四角形を投影図形とする反射ミラーより容易に、無駄な反射領域を省略可能となる。よって、この反射ミラーによれば、四角形を投影図形とする反射ミラーより軽量化および慣性モーメントの低減化が容易となる。 In this reflection mirror, the projection figure obtained by projecting the reflection mirror in the normal direction thereof has a planar shape that is closer to a circle than a quadrangle. Therefore, according to this reflection mirror, a useless reflection area can be formed more easily than a reflection mirror having a quadrangle as a projected figure under the usage conditions in which a circular reflection area having a necessary reflection area is required at a minimum. It can be omitted. Therefore, according to this reflecting mirror, it is easier to reduce the weight and reduce the moment of inertia than the reflecting mirror having a quadrangular projection.
(16) 当該反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される(15)項に記載の反射ミラー。 (16) The reflection mirror is used to scan the light by changing the reflection direction of the light incident on the reflection surface by being oscillated around an oscillation axis parallel to the reflection surface ( The reflecting mirror according to item 15).
(17) 当該反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される(16)項に記載の反射ミラー。 (17) The reflecting mirror forms a vibrating body together with a plate-like spring that extends from the reflecting mirror along the swing axis and generates at least torsional vibration around the swing axis. The reflection mirror according to item (16), which is used to change the reflection direction of the light incident on the reflection surface by scanning at least a part of the light, and to scan the light.
以下、本発明のさらに具体的な実施の形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, some of more specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1には、本発明の第1実施形態に従う反射ミラー製作方法によって製作された反射ミラー部を光走査のために備えた網膜走査型ディスプレイが系統的に表されている。この網膜走査型ディスプレイ(以下、「RSD」と略称する。)は、レーザビームを、それの波面および強度を適宜変調しつつ、観察者の眼10の瞳孔12を経て網膜14の結像面上に入射させ、その結像面上においてレーザビームを2次元的に走査することにより、その網膜14上に画像を直接に投影する装置である。
FIG. 1 systematically shows a retinal scanning display provided with a reflecting mirror unit manufactured by the reflecting mirror manufacturing method according to the first embodiment of the present invention for optical scanning. This retinal scanning display (hereinafter abbreviated as “RSD”), on the image plane of the
このRSDは、光源ユニット20を備え、その光源ユニット20と観察者の眼10との間において波面変調光学系22と走査装置24とをそれらの順に備えている。
This RSD includes a
光源ユニット20は、3原色(RGB)を有する3つのレーザ光を1つのレーザ光に結合して任意色のレーザ光を生成するために、赤色のレーザ光を発するRレーザ30と、緑色のレーザ光を発するGレーザ32と、青色のレーザ光を発するBレーザ34とを備えている。各レーザ30,32,34は、例えば、半導体レーザとして構成することが可能である。
The
各レーザ30,32,34から出射したレーザ光は、それらを結合するために、各コリメート光学系40,42,44によって平行光化された後に、波長依存性を有する各ダイクロイックミラー50,52,54に入射させられ、それにより、各レーザ光が波長に関して選択的に反射・透過させられる。
The laser beams emitted from the
具体的には、Rレーザ30から出射した赤色レーザ光は、コリメート光学系40によって平行光化された後に、ダイクロイックミラー50に入射させられる。Gレーザ32から出射した緑色レーザ光は、コリメート光学系42を経てダイクロイックミラー52に入射させられる。Bレーザ34から出射した青色レーザ光は、コリメート光学系44を経てダイクロイックミラー54に入射させられる。
Specifically, red laser light emitted from the
それら3つのダイクロイックミラー50,52,54にそれぞれ入射した3原色のレーザ光は、それら3つのダイクロイックミラー50,52,54を代表する1つのダイクロイックミラー54に最終的に入射して結合され、その後、結合光学系56によって集光される。
The laser beams of the three primary colors incident on the three
以上、光源ユニット20のうち光学的な部分を説明したが、以下、電気的な部分を説明する。
Although the optical part of the
光源ユニット20は、コンピュータを主体とする信号処理回路60を備えている。信号処理回路60は、外部から供給された映像信号に基づき、各レーザ30,32,34を駆動するための信号処理と、レーザビームの走査を行うための信号処理とを行うように設計されている。
The
各レーザ30,32,34を駆動するため、信号処理回路60は、外部から供給された映像信号に基づき、網膜14上に投影すべき画像上の各画素ごとに、レーザ光にとって必要な色と強度とを実現するために必要な駆動信号を、各レーザドライバ70,72,74を介して各レーザ30,32,34に供給する。レーザビームの走査を行うための信号処理については後述する。
In order to drive each
以上説明した光源ユニット20は、結合光学系56においてレーザビームを集光し、光ファイバ82に入射させる。光ファイバ82に入射したレーザビームは、光伝送媒体としての光ファイバ82中を伝送され、その光ファイバ82の後端から放射させられるレーザビームを平行光化するコリメート光学系84を経て波面変調光学系22に入射する。
The
この波面変調光学系22は、光源ユニット20から出射したレーザビームの波面(波面曲率)を変調する光学系である。この波面変調光学系22は、波面曲率の変調を、網膜14上に投影すべき画像の各画素ごとに行う形式とすることが可能であるが、これは本発明を実施するために不可欠なことではなく、画像の1フレームごとに行う形式とすることが可能である。波面曲率を変調することは、表示画像の遠近感を変化させることや、表示画像のピント位置を変化させることを意味する。
The wavefront modulation
いずれにしても、この波面変調光学系22においては、信号処理回路60から入力された奥行き信号に基づき、波面変調光学系22に入射するレーザビームの波面を変調する。この波面変調光学系22においては、コリメート光学系84から平行光として入射するレーザビームが収束レンズ90によって収束光に変換され、その変換された収束光が可動ミラー92によって反射されて拡散光に変換される。その変換された拡散光は、収束レンズ90を通過し、目標の波面曲率を有するレーザビームとしてこの波面変調光学系22から出射する。
In any case, the wavefront modulation
図1に示すように、この波面変調光学系22は、外部から入射したレーザビームを反射または透過させるビームスプリッタ94と、そのビームスプリッタ94を経て入射したレーザビームを収束する収束レンズ90と、その収束レンズ90により収束されたレーザビームを反射する可動ミラー92とを備えている。
As shown in FIG. 1, the wavefront modulation
この波面変調光学系22は、さらに、可動ミラー92を、収束レンズ90に接近するかまたは収束レンズ90から離れる向きに変位させるアクチュエータ96を備えている。このアクチュエータ96の一例は、圧電素子である。アクチュエータ96は、信号処理回路60から入力された奥行き信号に応じて可動ミラー92の位置を移動させることにより、波面変調光学系22から出射するレーザビームの波面曲率を変調する。
The wavefront modulation
以上のように構成された波面変調光学系22においては、コリメート光学系84から入射したレーザビームがビームスプリッタ94で反射して収束レンズ90を通過した後、可動ミラー92で反射する。そして、再度、収束レンズ90を通過し、その後、ビームスプリッタ94を透過して走査装置24へ向かう。
In the wavefront modulation
走査装置24は、水平走査系100と垂直走査系102とを備えている。
The
水平走査系100は、表示すべき画像の1フレームごとに、レーザビームを水平な複数の走査線に沿って水平にラスタ走査する水平走査を行う光学系である。これに対し、垂直走査系102は、表示すべき画像の1フレームごとに、レーザビームを最初の走査線から最後の走査線に向かって垂直に走査する垂直走査を行う光学系である。水平走査系100は、垂直走査系102より高速にすなわち高周波数でレーザビームを走査するように設計されている。
The
具体的に説明するに、水平走査系100は、本実施形態においては、機械的偏向を行うミラーを備えた弾性体の振動によってそのミラーを揺動させる光スキャナ104を備えている。光スキャナ104は、信号処理回路60から供給される水平同期信号に基づいて制御される。
Specifically, in the present embodiment, the
図2には、光スキャナ104が分解斜視図で示されている。図2に示すように、光スキャナ104は、本体部110がベース112に装着されて構成されている。
FIG. 2 shows the
本体部110は、シリコン等、弾性を有する材料を用いて形成されている。本体部110は、図2の上部に示すように、概略的には、光が通過し得る貫通穴114を有して薄板長方形状を成している。本体部110は、外側には固定枠116を備え、一方、内側には、反射面120が形成された反射ミラー部122を有する振動体124を備えている。
The
このような本体部110の構成に対応して、ベース112は、図2の下部に示すように、本体部110との装着状態において固定枠116が装着されるべき支持部130と、振動体124と対向する凹部132とを有するように構成されている。凹部132は、本体部110をベース112に装着した状態において、振動体124が振動によって変位してもベース112と干渉しない形状を有するために形成されている。
Corresponding to the configuration of the
図2に示すように、反射ミラー部122の反射面120は、それの対称中心線でもある揺動軸線134を中心として揺動させられる。振動体124は、さらに、その反射ミラー部122からそれと同一面上に延びて、その反射ミラー部122を固定枠116に接合するはり部140を備えている。本実施形態においては、反射ミラー部122の両側から一対のはり部140がそれぞれ互いに逆向きに延び出している。
As shown in FIG. 2, the reflecting
各はり部140は、1個のミラー側板ばね部142と、一対の枠側板ばね部144と、それらミラー側板ばね部142と一対の枠側板ばね部144とを互いに接続する接続部146とを含むように構成されている。ミラー側板ばね部142は、反射ミラー部122のうち、揺動軸線134の方向において互いに対向する一対の縁のそれぞれから、対応する接続部146まで、揺動軸線134上において、揺動軸線134に沿って延びている。一対の枠側板ばね部144は、対応する接続部146から、揺動軸線134に対して互いに逆向きにオフセットする姿勢で、揺動軸線134に沿って延びている。
Each
各全体ばね部140においては、図2に示すように、駆動源150,152,154,156が一対の枠側板ばね部144,144のそれぞれに、固定枠116に及ぶ姿勢で取り付けられている。
In each of the
図3に示すように、各枠側板ばね部144が、固定枠116に近い側において局部的に薄板化され、それにより、凹部158が形成されている。この凹部158に連続する凹部159が固定枠116に形成されている。それら凹部158および159を利用することにより、各駆動源150,152,154,156が、各枠側板ばね部144と固定枠116とにそれらを跨ぐ姿勢で設置されている。
As shown in FIG. 3, each frame-side
各駆動源150,152,154,156は、図3に駆動源154が代表的に示されるように、圧電体160(「圧電振動子」または「圧電素子」ともいう。)を主体として構成されている。圧電体160は、薄板状を成して振動体124の片面に貼り付けられており、その貼付け面と直角な方向において上部電極162と下部電極164とによって挟まれている。図3に示すように、上部電極162と下部電極164とはそれぞれ、図示しない各リード線により、固定枠116に設置された一対の入力端子168に接続されている。これに対し、上部電極162と下部電極164とがそれぞれ、図示しない各リード線により、同じく図示しない外部端子に接続される態様で本発明を実施することが可能である。
Each of the
それら上部電極162と下部電極164とに電圧が印加されれば、その印加方向と直交する向きの変位が圧電体160に発生する。この変位により、図4に示すように、はり部140に屈曲すなわち反りが発生する。この屈曲は、はり部140のうち固定枠116との接続部を固定端とする一方、反射ミラー部122との接続部を自由端として行われる。その結果、その屈曲の向きが上向きであるか下向きであるかにより、自由端が上向きまたは下向きに変位する。
When a voltage is applied to the
図4から明らかなように、4個の枠側板ばね144にそれぞれ貼り付けられた4個の駆動源150,152,154,156のうち、揺動軸線134に関して一側に位置して反射ミラー部122を挟む一対の駆動源150および152と、他側に位置して反射ミラー部122を挟む一対の駆動源154および156とはそれぞれ、各対に属する2個の圧電体160の自由端が互いに同じ向きに変位するように屈曲させられる。
As is apparent from FIG. 4, the reflection mirror unit is located on one side with respect to the
それに対し、反射ミラー部122に関して一側に位置して揺動軸線134を挟む一対の駆動源150および154と、他側に位置して揺動軸線134を挟む一対の駆動源152および156とはそれぞれ、各対に属する2個の圧電体160の自由端が互いに逆向きに変位するように屈曲させられる。
On the other hand, a pair of
その結果、反射ミラー部122には、図4に示すように、その反射ミラー部122を同じ向きに回転させる変位が、揺動軸線134に関して一側に位置する一対の駆動源150および152の一方向の変位と、反対側に位置する一対の駆動源154および156の逆方向の変位との双方によって発生させられる。
As a result, as shown in FIG. 4, the
以上要するに、各枠側板ばね部144は、それに貼り付けられた圧電体160の直線変位(横変位)を屈曲運動(縦変位)に変換する機能を有し、接続部146は、各枠側板ばね部144の屈曲運動をミラー側板ばね部142の回転運動に変換する機能を有しているのである。そのミラー側板ばね部142の回転運動によって反射ミラー部122が回転させられる。
In short, each frame side
したがって、本実施形態においては、4個の駆動源150,152,154,156を制御するために、揺動軸線134に関して一側に位置する2個の駆動源150,152、すなわち、図2において右上の駆動源150と左上の駆動源152とが第1対を成し、反対側に位置する2個の駆動源154,156、すなわち、同図において右下の駆動源154と左下の駆動源156とが第2対を成している。
Therefore, in this embodiment, in order to control the four
本実施形態においては、第1対を成す2個の駆動源150,152と、第2対を成す2個の駆動源154,156とを互いに逆向きに変位させて、反射ミラー部122にそれの揺動軸線134まわりの往復回転運動すなわち揺動運動を発生させるために、第1対を成す2個の駆動源150,152に交番電圧が互いに同位相で印加されるのに対し、それとは逆位相の交番電圧が、第2対を成す2個の駆動源154,156に互いに同位相で印加される。その結果、第1対を成す2個の駆動源150,152がいずれも、図4において下向きに撓んだ場合には、第2対を成す2個の駆動源154,156はいずれも、同図において上向きに撓むこととなる。
In the present embodiment, the two
上述の制御を実現するために、水平走査系100は、図1に示す水平走査駆動回路180を備えている。この水平走査駆動回路180においては、図5に示すように、発振器182が、信号処理回路60から入力された水平同期信号に基づき、交番電圧信号を生成する。発振器182は、位相シフタ184およびアンプ186を経た第1経路を経て、第1対を成す2個の駆動源150,152に接続される一方、位相反転回路188、位相シフタ190およびアンプ192を経た第2経路を経て、第2対を成す2個の駆動源154,156に接続されている。
In order to realize the above-described control, the
位相反転回路188は、発振器182から入力された交番電圧信号を、それの位相を反転させて位相シフタ190に供給する。この位相反転回路188は、第2経路のみに設けられるため、第1対を成す2個の駆動源150,152と、第2対を成す2個の駆動源154,156とでは、対応するアンプ186,192から供給される交番電圧信号の位相が互いに逆となる。
The
いずれの経路においても、位相シフタ184,190は、前記映像信号と反射ミラー部122の振動とが互いに同期するように、駆動源150,152,154,156に供給されるべき交番電圧信号の位相を変化させるために設けられている。
In any of the paths, the
図6には、振動体124の具体的形状が斜視図で示されている。この振動体124においては、反射面120の法線方向に反射ミラー部122を投影して得られる投影図形が、概して円形を成すように、反射ミラー部122が製作される。この反射ミラー部122は前記(1)項における「反射ミラー」の一例を構成している。本実施形態においては、この反射ミラー部122の直径は1mm、その厚さは100μmであり、また、各全体ばね部140の長さは2mmである。この反射ミラー部122の製作方法は後に詳述する。
FIG. 6 is a perspective view showing a specific shape of the vibrating
図7には、光ファイバ82からの出射光がコリメート光学系84を経てこの光スキャナ104に入射する様子が斜視図で示されている。コリメート光学系84からの出射光は、概して円形を成す反射ミラー部122の反射面120に入射し、その反射ミラー部122が揺動軸線134まわりに揺動させられることにより、その反射面120からの反射光が水平方向に走査される。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which light emitted from the
図8には、光ファイバ82からの出射光がコリメート光学系84を経て従来の光スキャナ300に入射する様子が斜視図で示されている。この光スキャナ300においては、反射ミラー部302が四角形を成している。
FIG. 8 is a perspective view showing the light emitted from the
この反射ミラー部302と本実施形態における反射ミラー部122とを、材質の比重、厚さおよび最大幅寸法に関して互いに共通すると仮定したうえで、重量に関して互いに比較すれば、本実施形態における反射ミラー部122の方が軽く、よって、揺動軸線134,304まわりの慣性モーメントに関して互いに比較すれば、本実施形態における反射ミラー部122の方が小さい。
If it is assumed that the
したがって、本実施形態における反射ミラー部122も、従来の反射ミラー部302も、自身の共振を利用して光を走査する場合には、その共振周波数を増加させて光の走査周波数を増加させることにつき、本実施形態における反射ミラー部122の方が従来の反射ミラー部302より適している。
Therefore, when the
以上説明した光スキャナ104によって水平走査されたレーザビームは、図1に示すように、リレー光学系194によって垂直走査系102に伝送される。
The laser beam horizontally scanned by the
このRSDは、ビームディテクタ200を定位置に備えている。ビームディテクタ200は、光スキャナ104によって偏向されたレーザビームを検出することにより、そのレーザビームの主走査方向における位置を検出するために設けられている。ビームディテクタ200の一例は、ホトダイオードである。
This RSD has a
ビームディテクタ200は、レーザビームが所定の位置に到達したことを示す信号をBD信号として出力し、その出力されたBD信号は信号処理回路60に供給される。このビームディテクタ200から出力されたBD信号に応答し、信号処理回路60は、ビームディテクタ200がレーザビームを検出した時期から設定時間が経過するのを待って、必要な駆動信号を各レーザドライバ70,72,74に供給する。これにより、各走査線ごとに、画像表示開始タイミングが決定され、その決定された画像表示開始タイミングで画像表示が開始される。
The
以上、水平走査系100を説明したが、垂直走査系102は、図1に示すように、機械的偏向を行う揺動ミラーとしてのガルバノミラー210を備えている。ガルバノミラー210には、水平走査系100から出射したレーザビームがリレー光学系194によって集光されて入射するようになっている。このガルバノミラー210は、それに入射したレーザビームの光軸と交差する回転軸線まわりに揺動させられる。このガルバノミラー210の起動タイミングおよび回転速度は、信号処理回路60から供給される垂直同期信号に基づいて制御される。
Although the
以上説明した水平走査系100と垂直走査系102との共同により、レーザビームが2次元的に走査され、その走査されたレーザビームによって表現される画像が、リレー光学系214を経て観察者の眼10に照射される。
In cooperation with the
ここに、反射ミラー部122の製作方法を図9の工程図を参照して詳細に説明する。
Here, a manufacturing method of the
この製作方法においては、まず、ステップS1において、シリコン単結晶により構成された板状の素材(シリコンウエーハ)が、100μmの厚さを有するように、被エッチング材400(図11参照)として使用するために準備される。 In this manufacturing method, first, in step S1, a plate-shaped material (silicon wafer) made of silicon single crystal is used as an etching object 400 (see FIG. 11) so as to have a thickness of 100 μm. Be prepared for.
次に、ステップS2において、被エッチング材400の両面にエッチングマスク材410(図11参照)がコーティングされる。エッチングマスク材410は例えば、被エッチング材400を加熱することによってその被エッチング材400の両面に形成されたシリコン酸化膜である。すなわち、このステップS2がコーティング工程なのである。
Next, in step S2, an etching mask material 410 (see FIG. 11) is coated on both surfaces of the material 400 to be etched. For example, the
続いて、ステップS3において、被エッチング材400の両面にそれぞれコーティングされたエッチングマスク材410に所定のマスクパターンがリソグラフィによって形成される。各エッチングマスク材410に形成されたマスクパターンの形状は、被エッチング材400が図示しないエッチング槽に浸漬された場合に、そのエッチング槽内に収容されているエッチング液が最初に接触してエッチングされる部分の形状を決める。すなわち、このステップS3がマスクパターン形成工程なのである。
Subsequently, in step S <b> 3, a predetermined mask pattern is formed by lithography on the
図10には、マスクパターンの一例が平面図で示されている。 FIG. 10 is a plan view showing an example of the mask pattern.
ところで、本実施形態においては、被エッチング材400において最終的に露出させられる結晶面を説明するために、その被エッチング材400の最終形状の対称性に着目し、図13に示すように、被エッチング材400の表面に沿ってその表面の一中心点PC(Point of Center)まわりに4等分された4つの領域が想定されている。図13には、それら4つの領域のうちの一つが代表的に示されている。
By the way, in this embodiment, in order to explain the crystal plane finally exposed in the
本実施形態においては、マスクパターンが、図10に示すように、揺動軸線134(これが前記(6)項における「一基準線」の一例である。)と平行な第1辺と揺動軸線134と直交する第2辺とを有している。このマスクパターンは、図11に示す被エッチング材400の(100)結晶面上において第1辺および第2辺が<110>結晶方向と直交するように被エッチング材400に対して位置決めされる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the mask pattern has a first side parallel to the swing axis 134 (this is an example of “one reference line” in the item (6)) and the swing axis. 134 and a second side orthogonal to the second side. This mask pattern is positioned with respect to the material to be etched 400 such that the first side and the second side are orthogonal to the <110> crystal direction on the (100) crystal plane of the material to be etched 400 shown in FIG.
本実施形態においては、図10に示すように、第1辺が、後述の複数の第2部分422のうち、揺動軸線134と平行な第2部分422(図10において水平に延びる第2部分422)に相当し、一方、第2辺は、それら複数の第2部分422のうち、揺動軸線134と直交する第2部分422(図10において垂直に延びる第2部分422)に相当する。このマスクパターンの形状を定義するために、便宜上、被エッチング材400が、マスクパターンの中心点PCにおいて互いに直交する2本の対称中心線(揺動軸線134と、中心点PCにおいてその揺動軸線134と直交する一直線)によって4つの領域I,II,IIIおよびIVに分割される。
In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the second side 422 (second part extending horizontally in FIG. 10) whose first side is parallel to the
本実施形態においては、さらに、マスクパターンが、図10に示すように、それの両側であって揺動軸線134の方向において互いに対向するものにおいてそれぞれ、揺動軸線134に沿って外向きに延び出す延出部431を有している。この延出部431は、図4に示すはり部140を、反射ミラー部122と一緒にウエットエッチングによって製作するためにマスクパターンに設けられている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the mask pattern further extends outward along the
ここで、図13を参照しつつ、各領域の向きと、単結晶により構成された被エッチング材400の複数の結晶面を定義するためにその被エッチング材400に割り当てられるxyz座標系の向きとの関係を説明すれば、各領域の中心角(図13の例においては、当該領域が示す四角形の4つの角のうち図13において最上部に位置するもの)の二等分線と、x軸とが互いに一致するように、各領域の向きとxyz座標系の向きとが決定されている。換言すれば、各領域における(100)面に対する法線が、各領域の中心角の二等分線と一致するように、被エッチング材400が4等分されているのである。 Here, referring to FIG. 13, the orientation of each region and the orientation of the xyz coordinate system assigned to the material to be etched 400 in order to define a plurality of crystal planes of the material 400 to be etched composed of a single crystal. The bisector of the central angle of each region (in the example of FIG. 13, the one located at the top in FIG. 13 among the four corners of the square indicated by the region) and the x axis The direction of each region and the direction of the xyz coordinate system are determined so that they coincide with each other. In other words, the material to be etched 400 is divided into four equal parts so that the normal to the (100) plane in each region coincides with the bisector of the central angle of each region.
図10には、上述のxyz座標系が、被エッチング材400と共にではなく、エッチングマスク材410と共に示されている。図10においては、マスクパターンが、それの表面に沿ってその表面の一中心点PCまわりに4等分され、それにより、4つの領域I,II,IIIおよびIVが形成されている。各領域ごとにxyz座標系が割り当てられているが、図10には、このことが領域Iについてのみ代表的に示されている。
In FIG. 10, the above-described xyz coordinate system is shown not with the material to be etched 400 but with the
図10に示すように、マスクパターンは、凸の八角形を成している。具体的には、マスクパターンの外形線は、各領域ごとに、被エッチング材400の(100)結晶面に相当する第1部分420と、(111)結晶面(狭義の(111)結晶面およびそれと等価な結晶面を含む。)に相当する第2部分422とを有する。第2部分422は、第1部分420の両側にそれぞれ存在する。
As shown in FIG. 10, the mask pattern has a convex octagon. Specifically, the outline of the mask pattern includes, for each region, the
以上説明した形状を有するマスクパターンは、被エッチング材400の両面に互いにずれないように形成される。その後、図9に示すように、ステップS4において、被エッチング材400とエッチングマスク材410との積層体が、エッチング液を収容するエッチング槽に浸漬される。本実施形態においては、エッチング液の種類が水酸化カリウム溶液(KOH)に選定され、その濃度が40wt%に選定され、その温度が70℃に選定されている。この条件において、被エッチング材400に対してウエットエッチングが行われる。すなわち、このステップS4がウエットエッチング工程なのである。なお、エッチング液の種類を水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(TMAH)に変更することが可能であるが、この場合には、マスクパターンの形状が図10に示すものから変更される。
The mask pattern having the shape described above is formed on both surfaces of the material to be etched 400 so as not to be shifted from each other. Then, as shown in FIG. 9, in step S4, the laminated body of the to-
図11(a)および(b)ならびに図12(c)および(d)には、被エッチング材400がウエットエッチングされる様子が段階的に示されている。ただし、それら図には、被エッチング材400が、それの対称性に着目し、前述の4つの領域I,II,IIIおよびIVのうちのいずれかのみに関して代表的に示されている。
FIGS. 11A and 11B and FIGS. 12C and 12D show how the material to be etched 400 is wet-etched step by step. However, in these drawings, the
図11(a)においては、被エッチング材400のウエットエッチングが、エッチングマスク材410によってコーティングされていない部分から開始される。この段階においては、被エッチング材400に、(100)結晶面と(111)結晶面のみが現れる。
In FIG. 11A, the wet etching of the material to be etched 400 is started from a portion that is not coated with the
図11(a)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、同図(b)に示すように、被エッチング材400においては、最初に露出した(100)結晶面と(111)結晶面との間の部分、すなわち、図11(a)に示す段階においてエッチングマスク材410が示す八角形に属する各角部(以下、「もとの各角部」という。)に複数の別の結晶面が露出し始まり、これにより、もとの各角部が丸められる。
When wet etching is slightly advanced from the stage shown in FIG. 11A, as shown in FIG. 11B, in the material to be etched 400, the first exposed (100) crystal face and (111) crystal face are exposed. A plurality of different crystal planes are present in the intermediate portion, that is, in each corner portion (hereinafter referred to as “original corner portion”) belonging to the octagon indicated by the
図11(b)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、図12(c)に示すように、被エッチング材400においては、(100)結晶面と(111)結晶面との間の部分に図11(b)に示す段階において露出した複数の結晶面が成長し、さらに、別の結晶面も露出し始まり、これにより、もとの各角部がさらに丸められる。
When the wet etching slightly proceeds from the stage shown in FIG. 11B, as shown in FIG. 12C, in the
図12(c)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、同図(d)に示すように、被エッチング材400においては、(100)結晶面と(111)結晶面との間の部分に図12(c)に示す段階において露出した複数の結晶面が成長し、さらに、別の結晶面も露出し始まり、これにより、もとの各角部がさらに丸められる。図12(d)に示す段階は、ウエットエッチングの終了段階であり、被エッチング材400がエッチング液によって厚さ方向に貫通させられている。図12(d)には、被エッチング材400の最終形状が、マクスパターンと共に示されている。 When wet etching slightly proceeds from the stage shown in FIG. 12C, as shown in FIG. 12D, in the material to be etched 400, the portion between the (100) crystal plane and the (111) crystal plane is formed. A plurality of crystal planes exposed at the stage shown in FIG. 12C grow, and further, another crystal plane begins to be exposed, whereby the original corners are further rounded. The stage shown in FIG. 12D is an end stage of wet etching, and the material to be etched 400 is penetrated in the thickness direction by the etching solution. FIG. 12D shows the final shape of the material to be etched 400 together with the max pattern.
図13には、図12(d)に示す被エッチング材400が拡大して示されている。被エッチング材400のウエットエッチングが終了すると、(100)結晶面と(111)結晶面との間に、(211)結晶面と(311)結晶面と(411)結晶面と(511)結晶面とを含む複数の別の結晶面が露出する。それら(211)結晶面と(311)結晶面と(411)結晶面と(511)結晶面とはそれぞれ、(111)結晶面と同様に、括弧内の数字列によって表される狭義の結晶面およびそれと等価な結晶面を含むように定義されている。
In FIG. 13, the
すなわち、本実施形態においては、図10に示すように、エッチングマスク材410は、第1部分420と第2部分422との間に、(n11)結晶面(N:2以上の整数)に対応する第3部分424を有するのである。
That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 10, the
以上説明したウエットエッチングによって完成した反射ミラー部122は、それを法線方向に投影すれば、概して凸の八角形を成しており、正確には、n角形(n:16より大きい整数)を成している。図14(a)には、完成した反射ミラー部122の縦断面図であって、(100)面を通過する平面で切断した場合のものが示されている。同図(b)には、完成した反射ミラー部122の縦断面図であって、(111)面を通過する平面で切断した場合のものが示されている。
The
図14(c)には、被エッチング材400の一比較例として、被エッチング材400’を片面のみからウエットエッチングした場合に取得される反射ミラー部122’が、(111)面を通過する平面で切断した縦断面図で示されている。同図(b)に示すように、本実施形態によれば、被エッチング材400が両面からウエットエッチングされるため、それの側面に、被エッチング材400の厚さ方向の中心線に関して対称である不連続な傾斜面が形成されている。したがって、本実施形態によれば、上述の比較例より、軽量で慣性モーメントが小さい反射ミラー部122を製作することが容易である。
In FIG. 14C, as a comparative example of the material to be etched 400, a
本実施形態によれば、(100)結晶面と(111)結晶面との間に露出するそれらとは別の結晶面(以下、「介在結晶面」という。)の種類の数が複数個である。したがって、本実施形態によれば、その介在結晶面の種類の数が1個である場合の反射ミラー部122の形状である16角形より、反射ミラー部122の形状が円形化される。反射ミラー部122をそれの法線方向に投影して得られる投影図形の外形線を構成する直線セグメント(各結晶面に相当する。)の数が多いほど、その外形線は円に接近する傾向があるからである。
According to the present embodiment, there are a plurality of types of crystal planes (hereinafter referred to as “intervening crystal planes”) different from those exposed between the (100) crystal plane and the (111) crystal plane. is there. Therefore, according to the present embodiment, the shape of the
さらに、本実施形態によれば、(100)結晶面と(111)結晶面とがいずれも、ウエットエッチングによって侵食され、それぞれの長さ寸法が初期値より減少させられる。その減少分が、それら(100)結晶面と(111)結晶面との双方に対して斜めの向きを有する別の結晶面によって置換される。 Furthermore, according to this embodiment, both the (100) crystal plane and the (111) crystal plane are eroded by wet etching, and the respective length dimensions are reduced from the initial values. The decrease is replaced by another crystal plane having an oblique orientation with respect to both the (100) crystal plane and the (111) crystal plane.
したがって、本実施形態によれば、反射ミラー112の外周面を構成する複数の結晶面のそれぞれの長さが減少されて均等化させられ、このことによっても、反射ミラー部122の形状が円形化される。反射ミラー部122の投影図形の外形線を構成する複数の直線セグメント(各結晶面に相当する。)の数が同じである場合には、それら直線セグメントのうちの最長の直線セグメントの長さが短いほど、その外形線は円に接近する傾向があるからである。
Therefore, according to the present embodiment, the lengths of the plurality of crystal planes constituting the outer peripheral surface of the reflecting mirror 112 are reduced and equalized, and this also makes the shape of the reflecting
なお付言するに、図15には、マスクパターンの別の例が示されている。この例においては、前述の例と同様に、マスクパターンの外形線が、(100)結晶面に対応する第1部分430と、(111)結晶面に対応する第2部分432と、(n11)結晶面(N:2以上の整数)に対応する第3部分434を有している。
In addition, FIG. 15 shows another example of the mask pattern. In this example, as in the previous example, the outline of the mask pattern includes a
以上のようにしてウエットエッチング工程が終了すれば、図9に示すように、その後、ステップS5において、エッチングマスク材410が両面にそれぞれコーティングされた被エッチング材400がエッチング槽から取り出される。続いて、ステップS6において、エッチングマスク材410が被エッチング材400の両面から剥離される。その後、ステップS7において、被エッチング材400の両面のうちの少なくとも一方に、アルミニウムまたは銀を材料として、反射膜が形成される。
When the wet etching process is completed as described above, as shown in FIG. 9, thereafter, in step S5, the material to be etched 400 having the
以上で、この反射ミラー製作方法の一連の実施が終了する。 This is the end of the series of implementations of the reflecting mirror manufacturing method.
次に、本発明の第2実施形態を説明する。ただし、本実施形態は、第1実施形態に対し、マスクパターンの形状および反射ミラーの具体的形状が異なるのみで、他の要素については共通するため、異なる要素についてのみ詳細に説明し、共通する要素については、同一の符号または名称を使用して引用することにより、詳細な説明を省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. However, this embodiment differs from the first embodiment only in the shape of the mask pattern and the specific shape of the reflecting mirror, and is common to other elements. Therefore, only the different elements will be described in detail and common. Detailed description of elements is omitted by quoting using the same reference numerals or names.
図16に示すように、本実施形態においては、第1実施形態と同様に、マスクパターンが、揺動軸線134(これが前記(6)項における「一基準線」の一例である。)と平行な第1辺と揺動軸線134と直交する第2辺とを有している。このマスクパターンは、図17に示す被エッチング材480の(100)結晶面上において第1辺および第2辺が<110>結晶方向と直交するように被エッチング材480に対して位置決めされる。
As shown in FIG. 16, in this embodiment, the mask pattern is parallel to the swing axis 134 (this is an example of “one reference line” in the above section (6)), as in the first embodiment. A first side and a second side orthogonal to the
本実施形態においては、第1辺が、後述の複数の第2部分472のうち、揺動軸線134と平行な第2部分472(図16において水平に延びる第2部分422)に相当し、一方、第2辺は、それら複数の第2部分472のうち、揺動軸線134と直交する第2部分472(図16において垂直に延びる第2部分472)に相当する。このマスクパターンの形状を定義するために、便宜上、被エッチング材480が、マスクパターンの中心点PCにおいて互いに直交する2本の対称中心線(揺動軸線134と、中心点PCにおいてその揺動軸線134と直交する一直線)によって4つの領域I,II,IIIおよびIVに分割される。
In the present embodiment, the first side corresponds to a second portion 472 (
本実施形態においては、さらに、マスクパターンが、第1実施形態と同様に、図16に示すように、それの両側であって揺動軸線134の方向において互いに対向するものにおいてそれぞれ、揺動軸線134に沿って外向きに延び出す延出部431を有している。
In the present embodiment, as in the first embodiment, the mask patterns are arranged on both sides of the mask pattern facing each other in the direction of the
本実施形態においては、第1実施形態と同様に、マスクパターンが概して凸の八角形を成しており、マスクパターンの外形線が、(100)結晶面に対応する第1部分470と、(111)結晶面に対応する第2部分472とを有している。さらに、本実施形態においては、第4部分474が、第2部分472と同様に、第1部分470の両側にそれぞれ対称的に配置されている。
In the present embodiment, as in the first embodiment, the mask pattern has a generally convex octagon, and the outline of the mask pattern has a
以上の説明から明らかなように、本実施形態においては、マスクパターンの平面形状が、凸の八角形を基本形状として、その八角形における8個の角部において突出部として第4部分474を有する形状なのである。その第4部分474は、正規の八角形における各角部から、その各角部の外角に当たる領域に向かって延びる形状を有している。
As is clear from the above description, in this embodiment, the planar shape of the mask pattern has a convex octagon as a basic shape, and has
第4部分474は、この第4部分474が介在しないことによって第1部分470と第2部分472とによって本来であれば形成されるべき角部がウエットエッチングによって侵食されるタイミングを遅延させる機能を果たす。この機能により、最終的な反射ミラー部122の外周面の面構成が、第1実施形態より単純な面構成で済むことになる。
The
本実施形態においては、第1実施形態と同様に、被エッチング材480の両面にエッチングマスク材490がコーティングされ、それらコーティングされた2個のエッチングマスク材490にそれぞれ、上述の形状を有するマスクパターンが形成される。そのようにしてマスクパターンが割り当てられた被エッチング材480に対してウエットエッチングが実行される。
In the present embodiment, as in the first embodiment, the
図17(a)および(b)ならびに図18(c)および(d)には、被エッチング材480がウエットエッチングされる様子が段階的に示されている。図17(a)においては、被エッチング材480のウエットエッチングが、エッチングマスク材490によってコーティングされていない部分から開始される。
FIGS. 17A and 17B and FIGS. 18C and 18D show how the material to be etched 480 is wet-etched step by step. In FIG. 17A, wet etching of the material to be etched 480 is started from a portion not coated with the
この段階においては、被エッチング材480に主に、(100)結晶面と(111)結晶面とが現れる。さらに、被エッチング材480には、それら(100)結晶面と(111)結晶面との間に、別の結晶面も現れる。被エッチング材480のうち、その別の結晶面が現れる部分は、(100)結晶面および(111)結晶面から突出する突出部492を形成している。その突出部492は、マスクパターンのうちの第4部分474により、その周辺部より侵食が遅延された結果、形成される部分である。
At this stage, the (100) crystal plane and the (111) crystal plane mainly appear in the material to be etched 480. Furthermore, another crystal plane also appears in the material to be etched 480 between the (100) crystal plane and the (111) crystal plane. A portion of the material to be etched 480 where another crystal plane appears forms a (100) crystal plane and a protruding
図17(a)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、同図(b)に示すように、被エッチング材480においては、(100)結晶面と(111)結晶面との間に位置する突出部492がウエットエッチングによって侵食され、その突出部492の突出量が減少する。この段階においては、その突出部492の先端に、(520)結晶面が形成し始められる。
When wet etching slightly proceeds from the stage shown in FIG. 17A, as shown in FIG. 17B, the material to be etched 480 is located between the (100) crystal face and the (111) crystal face. The
図17(b)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、図18(c)に示すように、被エッチング材480においては、(100)結晶面と(111)結晶面との間に位置する突出部492がウエットエッチングによってさらに侵食され、その突出部492の突出量がさらに減少する。この段階においては、その突出部492の先端に形成された(520)結晶面が成長する。
When the wet etching is slightly advanced from the stage shown in FIG. 17B, as shown in FIG. 18C, the material to be etched 480 is located between the (100) crystal face and the (111) crystal face. The
図18(c)に示す段階からウエットエッチングが少し進行すると、同図(d)に示すように、被エッチング材480においては、(100)結晶面と(111)結晶面との間において(520)結晶面が成長し、この(520)結晶面により、(100)結晶面と(111)結晶面とが斜面によって互いに接続される。図18(d)に示す段階は、ウエットエッチングの終了段階であり、被エッチング材480がエッチング液によって厚さ方向に貫通させられている。図18(d)には、被エッチング材480の最終形状が、マクスパターンと共に示されている。 When wet etching is slightly advanced from the stage shown in FIG. 18C, as shown in FIG. 18D, in the material to be etched 480, (520) between the (100) crystal face and the (111) crystal face. ) A crystal plane grows, and the (100) crystal plane and the (111) crystal plane are connected to each other by a slope by the (520) crystal plane. The stage shown in FIG. 18D is an end stage of wet etching, and the material to be etched 480 is penetrated in the thickness direction by an etching solution. FIG. 18D shows the final shape of the material to be etched 480 together with the max pattern.
図19には、図18(d)に示す被エッチング材480が拡大して示されている。被エッチング材480のウエットエッチングが終了すると、(100)結晶面と(111)結晶面との間に(520)結晶面のみが露出し、その結果、本実施形態によれば、(100)結晶面と(111)結晶面とが、第1実施形態より単純な面構成によって互いに接続される。 In FIG. 19, the material to be etched 480 shown in FIG. When the wet etching of the material to be etched 480 is completed, only the (520) crystal plane is exposed between the (100) crystal plane and the (111) crystal plane. As a result, according to the present embodiment, the (100) crystal plane is exposed. The plane and the (111) crystal plane are connected to each other with a simpler plane configuration than in the first embodiment.
図20(a)には、完成した反射ミラー部122が斜視図で示され、同図(b)には平面図で示されている。その反射ミラー部122は、それを法線方向に投影すれば、概して凸の八角形を成しており、正確には、16角形を成しており、より正確には、16角形に近い形状を成している。
FIG. 20A shows the completed
本実施形態によれば、反射ミラー部122の外周面が、(100)結晶面と(111)結晶面との間に主として(520)結晶面が介在するように構成される。介在結晶面が主として1種類存在するようにウエットエッチングが実行されるのであり、その存在する介在結晶面の種類の数は変動しない。よって、本実施形態によれば、反射ミラー部122の外周面の形状が安定化し、その結果、その反射ミラー部122の慣性モーメントも安定化する。
According to the present embodiment, the outer peripheral surface of the
なお付言するに、図21には、マスクパターンの別の例が示されている。この例においては、前述の例と同様に、マスクパターンの外形線が、(100)結晶面に対応する第1部分500と、(111)結晶面に対応する第2部分502とを有している。
In addition, FIG. 21 shows another example of the mask pattern. In this example, the outline of the mask pattern has a
以上、本発明の実施の形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらは例示であり、前記[発明の開示]の欄に記載の態様を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。 As described above, some of the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, these are exemplifications, and are based on the knowledge of those skilled in the art including the aspects described in the section of [Disclosure of the Invention]. The present invention can be implemented in other forms with various modifications and improvements.
120 反射面
122 反射ミラー部
124 振動体
400,480 被エッチング材
410,490 エッチングマスク材
420,430,470,500 第1部分
422,432,472,502 第2部分
424,434 第3部分
474,504 第4部分
120 Reflecting
Claims (17)
単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程と、
前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程と
を含み、それにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように前記反射ミラーを製作する反射ミラー製作方法。 A reflecting mirror manufacturing method for manufacturing a plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident by etching,
A coating step of coating a film-like etching mask material on at least one of both surfaces of a plate-like material to be etched composed of a single crystal;
A mask pattern forming step of forming a mask pattern having a planar shape closer to a circle than a quadrangle on at least one of the etching mask materials coated on the material to be etched;
A wet etching step of performing etching by immersing the material to be etched coated with the etching mask material in an etching solution having a set concentration under a set temperature, whereby the reflection mirror is A reflection mirror manufacturing method of manufacturing the reflection mirror so that a projection figure obtained by projecting in the normal direction of the above has a planar shape closer to a circle than a quadrangle.
そのマスクパターンの外形線は、そのマスクパターンの中心点において互いに直交する2本の対称中心線によって前記被エッチング材を4つの領域に分割した場合の各領域ごとに、前記被エッチング材の(100)結晶面に相当する第1部分と、(111)結晶面に相当する第2部分とを有する請求項4または5に記載の反射ミラー製作方法。 The mask pattern has a first side parallel to one reference line and a second side orthogonal to the reference line, and the first side and the second side are on the (100) crystal plane of the material to be etched. <110> positioned with respect to the material to be etched so as to be orthogonal to the crystal direction,
The outline of the mask pattern is (100) of the material to be etched for each region when the material to be etched is divided into four regions by two symmetrical center lines orthogonal to each other at the center point of the mask pattern. 6. The reflection mirror manufacturing method according to claim 4, further comprising: a first portion corresponding to a crystal plane; and a second portion corresponding to a (111) crystal plane.
単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程と、
前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程と
を実行することにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように製作された反射ミラー。 A plate-like reflecting mirror having a reflecting surface on which light is incident,
A coating step of coating a film-like etching mask material on at least one of both surfaces of a plate-like material to be etched composed of a single crystal;
A mask pattern forming step of forming a mask pattern having a planar shape closer to a circle than a quadrangle on at least one of the etching mask materials coated on the material to be etched;
A wet etching step of performing etching by immersing the material to be etched coated with the etching mask material in an etching solution having a set concentration under a set temperature, thereby making the reflection mirror The reflecting mirror manufactured so that the projected figure obtained by projecting in the normal direction of the above has a planar shape closer to a circle than a quadrangle.
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