JP2005336452A - Resin for resist composition, negative type resist composition and method for forming resist pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for suppressing swelling of a resist pattern. <P>SOLUTION: A negative type resist composition is obtained by using a resin for the resist composition having a constituent unit (a1) containing an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group and a constituent unit (a2) derived from an acrylic ester and containing a hydroxy group-containing alicyclic group. The resist pattern is formed by using the resist composition. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レジスト組成物用樹脂、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関するものである。   The present invention relates to a resist composition resin, a negative resist composition, and a resist pattern forming method.

従来、i線やKrFエキシマレーザー光(248nm)を光源とするプロセスに使用するネガ型レジスト組成物としては、酸発生剤とノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂とメラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂との組合せを含む化学増幅型のネガ型レジストが用いられている(例えば、特許文献1など)。   Conventional negative resist compositions used in processes using i-line or KrF excimer laser light (248 nm) as light sources include acid generators, alkali-soluble resins such as novolac resins and polyhydroxystyrene, melamine resins and urea resins, etc. A chemically amplified negative resist containing a combination with an amino resin is used (for example, Patent Document 1).

そして、さらに短波長のArFエキシマレーザーを用いるプロセスに適用するネガ型レジスト組成物としては、ArFエキシマレーザーに対する透明性を向上させたものとして、例えばカルボキシル基を有する樹脂成分、アルコール性水酸基を有する架橋剤、及び酸発生剤を含むネガ型レジスト組成物が提案されている。
これは、酸発生剤から発生する酸の作用によって、樹脂成分のカルボキシル基と架橋剤のアルコール性水酸基とが反応することにより、樹脂成分をアルカリ可溶性から不溶性に変化させるタイプである。
また、カルボキシル基またはカルボン酸エステル基とアルコール性水酸基とをそれぞれ有する樹脂成分と、酸発生剤を含むネガ型レジスト組成物であって、樹脂成分中のカルボキシル基またはカルボン酸エステル基とアルコール性水酸基とを酸発生剤から発生する酸の作用によって分子間で反応させることにより、当該樹脂成分をアルカリ可溶性から不溶性に変化させるタイプのものも提案されている(例えば、非特許文献1〜3、特許文献2等)。
特公平8−3635号公報 特開2000−206694号公報 ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー(J.Photopolym.Sci.Tech.),第10巻,第4号,第579〜584ページ(1997年) ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー(J.Photopolym.Sci.Tech.),第11巻,第3号,第507〜512ページ(1998年) SPIE Advances in Resist Technology and Processing XIV,Vol.3333,p417〜424(1998) SPIE Advances in Resist technology and Processing XIX,Vol.4690 p94−100(2002)
Further, as a negative resist composition applied to a process using an ArF excimer laser having a shorter wavelength, the resin composition having a carboxyl group, for example, a crosslink having an alcoholic hydroxyl group is improved in transparency to the ArF excimer laser. A negative resist composition containing an agent and an acid generator has been proposed.
This is a type in which the resin component is changed from alkali-soluble to insoluble by the reaction of the carboxyl group of the resin component and the alcoholic hydroxyl group of the crosslinking agent by the action of the acid generated from the acid generator.
A negative resist composition comprising a resin component having a carboxyl group or carboxylic acid ester group and an alcoholic hydroxyl group, respectively, and an acid generator, wherein the carboxyl group or carboxylic acid ester group and the alcoholic hydroxyl group in the resin component Have been proposed in which the resin component is changed from alkali-soluble to insoluble by reacting between the molecules by the action of an acid generated from an acid generator (for example, non-patent documents 1 to 3, patents). Literature 2 etc.).
Japanese Patent Publication No. 8-3635 JP 2000-206694 A Journal of Photopolymer Science and Technology (J. Photopolym. Sci. Tech.), Vol. 10, No. 4, 579-584 (1997) Journal of Photopolymer Science and Technology (J. Photopolym. Sci. Tech.), Vol. 11, No. 3, pp. 507-512 (1998) SPIE Advances in Resist Technology and Processing XIV, Vol. 3333, p417-424 (1998) SPIE Advances in Resist technology and Processing XIX, Vol. 4690 p94-100 (2002)

しかしながら、従来のArFエキシマレーザー用に開発されたネガ型レジスト組成物においては、いずれもレジストパターンの膨潤を充分に抑制できないという問題がある。レジストパターンの膨潤は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー等を用いる様な微細なパターンの形成を目的とするプロセスにおいては、非常に重要な問題である。   However, any of the negative resist compositions developed for conventional ArF excimer lasers has a problem that resist pattern swelling cannot be sufficiently suppressed. The swelling of the resist pattern is a very important problem in a process for forming a fine pattern such as using a KrF excimer laser, an ArF excimer laser or the like.

本発明は前記事情に鑑みてなされたものであって、レジストパターンの膨潤を抑制できる技術を提供することを課題とする。   This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at providing the technique which can suppress swelling of a resist pattern.

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明のレジスト組成物用樹脂は、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位(a2)とを有することを特徴とする。
本発明のネガ型レジスト組成物は、(A)本発明のレジスト組成物用樹脂、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分、および(C)架橋剤成分を含有することを特徴とする。
本発明のレジストパターン形成方法は、本発明のネガ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プリべークし、選択的に露光した後、PEB(露光後加熱)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とする。
なお、「構成単位」とは、重合体(樹脂)を構成するモノマー単位を示す。
「アクリル酸から誘導される構成単位」とは、アクリル酸のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレ性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」は、α位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。なお、「アクリル酸から誘導される構成単位」、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」において、「α位(α位の炭素原子)」という場合は、特に断りがない限り、カルボキシル基が結合している炭素原子のことである。
また、「アクリル酸から誘導される構成単位」は、α位の炭素原子に結合する水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換された構成単位や、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位等も含む概念とする。
また、本特許請求の範囲または明細書においは、「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、環状または分岐鎖状のアルキル基を包含するものとする。
また、「露光」とは光の照射のみならず、電子線の照射等の放射線の照射全体を包括する概念とする。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
The resin for resist compositions of the present invention is a structural unit (a1) containing an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group and a structural unit derived from an acrylate ester, the hydroxyl group-containing alicyclic ring And a structural unit (a2) containing a formula group.
The negative resist composition of the present invention comprises (A) a resin for a resist composition of the present invention, (B) an acid generator component that generates an acid upon exposure, and (C) a crosslinking agent component. To do.
In the resist pattern forming method of the present invention, the negative resist composition of the present invention is coated on a substrate, pre-baked, selectively exposed, subjected to PEB (post-exposure heating), and alkali-developed. A resist pattern is formed.
The “constituent unit” refers to a monomer unit constituting a polymer (resin).
“Structural unit derived from acrylic acid” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of acrylic acid.
The “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
The “structural unit derived from an acrylate ester” has a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position is substituted with another substituent such as an alkyl group. In the “structural unit derived from acrylic acid” and the “structural unit derived from acrylate ester”, the term “α-position (α-position carbon atom)” means that unless otherwise specified, the carboxyl group is It is a bonded carbon atom.
The “structural unit derived from acrylic acid” is a structural unit in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is substituted with another substituent such as an alkyl group, or a hydrogen atom in the α-position carbon atom. The concept includes a structural unit derived from a bonded acrylate ester.
In the claims or the specification, the “alkyl group” includes a linear, cyclic, or branched alkyl group unless otherwise specified.
In addition, “exposure” is a concept that encompasses not only light irradiation but also entire irradiation of radiation such as electron beam irradiation.

本発明においては、レジストパターンの膨潤を抑制できる技術を提供することができる。   In the present invention, a technique capable of suppressing swelling of a resist pattern can be provided.

[レジスト組成物用樹脂]
本発明のレジスト組成物用樹脂は、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位(a2)とを有することを特徴とする。
[Resist composition resin]
The resin for resist compositions of the present invention is a structural unit (a1) containing an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group and a structural unit derived from an acrylate ester, the hydroxyl group-containing alicyclic ring And a structural unit (a2) containing a formula group.

フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)
本発明のレジスト組成物用樹脂においては、構成単位(a1)を有することにより、膨潤抑制の効果が向上する。
Structural unit (a1) containing an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group
In the resin for resist compositions of the present invention, the swelling suppression effect is improved by having the structural unit (a1).

・フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基
構成単位(a1)において、脂環式基はフッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する。
フッ素化されたヒドロキシアルキル基は、ヒドロキシ基を有するアルキル基において、当該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素によって置換されているものである。当該基においては、フッ素化によって水酸基の水素原子が遊離しやすくなっている。
フッ素化されたヒドロキシアルキル基において、アルキル基は直鎖または分岐鎖状であり、炭素数は特に限定するものではないが、例えば1〜20、好ましくは4〜16とされる。水酸基の数は特に限定するものではないが、通常は1つとされる。
中でも、当該アルキル基において、ヒドロキシ基が結合したα位の炭素原子(ここではヒドロキシアルキル基のα位の炭素原子を指す)に、フッ素化されたアルキル基及び/またはフッ素原子が結合しているものが好ましい。そして、当該α位に結合するフッ素化されたアルキル基は、アルキル基の水素原子の全部がフッ素で置換されていることが好ましい。
-Alicyclic group which has a fluorinated hydroxyalkyl group In a structural unit (a1), an alicyclic group has a fluorinated hydroxyalkyl group.
The fluorinated hydroxyalkyl group is an alkyl group having a hydroxy group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine. In the group, the hydrogen atom of the hydroxyl group is easily liberated by fluorination.
In the fluorinated hydroxyalkyl group, the alkyl group is linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is, for example, 1 to 20, preferably 4 to 16. The number of hydroxyl groups is not particularly limited, but is usually one.
In particular, in the alkyl group, a fluorinated alkyl group and / or a fluorine atom is bonded to the α-position carbon atom to which the hydroxy group is bonded (in this case, the α-position carbon atom of the hydroxyalkyl group). Those are preferred. In the fluorinated alkyl group bonded to the α-position, it is preferable that all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine.

脂環式基は単環でも多環でもよいが、多環式基であることが好ましい。また、脂環式炭化水素基が好ましい。また、飽和であることが好ましい。また、脂環式基の炭素数は5〜15であることが好ましい。   The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic, but is preferably a polycyclic group. Moreover, an alicyclic hydrocarbon group is preferable. Moreover, it is preferable that it is saturated. Moreover, it is preferable that carbon number of an alicyclic group is 5-15.

脂環式基の具体例としては以下のものが挙げられる。
すなわち、単環式基としてはシクロアルカンから1個水素原子を除いた基などが挙げられる。多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから1個又は2個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
そして、さらに具体的には、単環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサンから1個又は2個の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキサンから2個の水素原子を除いたが好ましい。
多環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個又は2個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
なお、この様な多環式基は、例えばArFエキシマレーザープロセス用のポジ型ホトレジスト組成物用樹脂において、酸解離性溶解抑制基を構成するものとして多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
これらの中でもシクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカンから2個の水素原子を除いた基が工業上入手しやすく、好ましい。
これら例示した単環式基、多環式基の中でも、特にノルボルナンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。
Specific examples of the alicyclic group include the following.
That is, examples of the monocyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a cycloalkane. Examples of the polycyclic group include groups in which one or two hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane or the like.
More specifically, examples of the monocyclic group include groups in which one or two hydrogen atoms have been removed from cyclopentane or cyclohexane, and two hydrogen atoms have been removed from cyclohexane.
Examples of the polycyclic group include groups in which one or two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane.
Such a polycyclic group is appropriately selected from among many that have been proposed as constituting an acid dissociable, dissolution inhibiting group in a resin for a positive photoresist composition for ArF excimer laser process, for example. Can be used.
Of these, groups in which two hydrogen atoms have been removed from cyclohexane, adamantane, norbornane, and tetracyclododecane are preferred because they are readily available in the industry.
Of these exemplified monocyclic groups and polycyclic groups, groups in which two hydrogen atoms have been removed from norbornane are particularly preferred.

構成単位(a1)は、アクリル酸から誘導される構成単位であることが好ましく、アクリル酸エステルのエステル基[−C(O)O−]に上記脂環式基が結合した構造(カルボキシル基の水素原子が上記脂環式基で置換されている構造)が好ましい。   The structural unit (a1) is preferably a structural unit derived from acrylic acid, and has a structure (carboxyl group) in which the alicyclic group is bonded to the ester group [—C (O) O—] of the acrylate ester. A structure in which a hydrogen atom is substituted with the alicyclic group is preferred.

構成単位(a1)として、より具体的には以下の一般式(1)で表されるものが好ましい。   As the structural unit (a1), more specifically, those represented by the following general formula (1) are preferred.

Figure 2005336452
(式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基またはフッ素原子であり、m、n、pはそれぞれ独立して1〜5の整数である。)
Figure 2005336452
(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorine atom, and m, n and p are each independently an integer of 1 to 5).

Rは、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基またはフッ素原子である。
アルキル基としては、炭素数5以下の低級アルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
フッ素化アルキル基は、好ましくは炭素数5以下の低級アルキル基の水素原子の1つ以上がフッ素原子で置換された基である。アルキル基の具体例は上記の説明と同様である。フッ素原子で置換される水素原子は、アルキル基を構成する水素原子の一部でもよいし、全部でもよい。
Rにおいて、好ましいのは水素原子またはアルキル基であり、特に水素原子またはメチル基が好ましく、水素原子であることが最も好ましい。
また、n、m、pはそれぞれ1であることが好ましい。
R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorine atom.
The alkyl group is preferably a lower alkyl group having 5 or less carbon atoms. For example, a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group And a methyl group is preferable.
The fluorinated alkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms of a lower alkyl group having 5 or less carbon atoms are substituted with a fluorine atom. Specific examples of the alkyl group are the same as described above. The hydrogen atoms substituted with fluorine atoms may be part or all of the hydrogen atoms constituting the alkyl group.
In R, a hydrogen atom or an alkyl group is preferable, a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable, and a hydrogen atom is most preferable.
N, m, and p are each preferably 1.

一般式(1)で表されるものの中でも、α,α’−ビス−(トリフルオロメチル)−ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタ−5−エン−2−エタノールアクリレート(下記[化7]に示すモノマーから誘導される構成単位)は、効果の点、及び合成が容易で、かつ高エッチング耐性が得られる点からも好ましい。   Among those represented by the general formula (1), α, α′-bis- (trifluoromethyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2-ethanol acrylate (in the following [Chemical Formula 7] The structural unit derived from the monomer shown) is preferable from the standpoint of effects, easy synthesis, and high etching resistance.

構成単位(a1)は1種または2種以上を混合して用いることができる。   The structural unit (a1) can be used alone or in combination of two or more.

アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位(a2)
レジスト組成物用樹脂においては、構成単位(a2)を含むことにより、膨潤抑制の効果が向上する。また、エッチング耐性向上の効果が得られる。
本発明のレジスト組成物用樹脂をネガ型レジスト組成物に配合すると、当該構成単位(a2)の水酸基(アルコール性水酸基)が、(B)酸発生剤から発生する酸の作用によって、(C)架橋剤と反応し、これにより当該レジスト組成物用樹脂がアルカリ現像液に対して可溶性の性質から不溶性の性質に変化する。
A structural unit derived from an acrylate ester and containing a hydroxyl group-containing alicyclic group (a2)
In the resin for resist compositions, the effect of suppressing swelling is improved by including the structural unit (a2). Moreover, the effect of improving etching resistance can be obtained.
When the resin for a resist composition of the present invention is blended into a negative resist composition, the hydroxyl group (alcoholic hydroxyl group) of the structural unit (a2) is converted into (C) by the action of an acid generated from (B) an acid generator. It reacts with a cross-linking agent, whereby the resin for resist composition is changed from a property soluble in an alkali developer to an insoluble property.

構成単位(a2)において、水酸基含有脂環式基は、アクリル酸エステルのエステル基(−C(O)O−)に結合していることが好ましい。   In the structural unit (a2), the hydroxyl group-containing alicyclic group is preferably bonded to the ester group (—C (O) O—) of the acrylate ester.

なお、構成単位(a2)において、α位(α位の炭素原子)には、水素原子にかわって、他の置換基が結合していてもよい。置換基としては、好ましくはアルキル基、フッ素化アルキル基、またはフッ素原子が挙げられる。
これらの説明は上記構成単位(a1)の一般式(1)中のRの説明と同様であって、α位に結合可能なもののうち、好ましいのは水素原子またはアルキル基であって、特に水素原子またはメチル基が好ましく、最も好ましいのは水素原子である。
In the structural unit (a2), another substituent may be bonded to the α-position (α-position carbon atom) instead of a hydrogen atom. The substituent is preferably an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or a fluorine atom.
These explanations are the same as those of R in the general formula (1) of the structural unit (a1), and among those which can be bonded to the α-position, a hydrogen atom or an alkyl group is preferred, An atom or a methyl group is preferred, and a hydrogen atom is most preferred.

また、水酸基含有脂環式基とは、脂環式基に水酸基が結合している基である。
水酸基は例えば1〜3個結合していることが好ましく、さらに好ましくは1個である。
また、脂環式基には炭素数1〜4のアルキル基が結合していてもよい。
The hydroxyl group-containing alicyclic group is a group in which a hydroxyl group is bonded to the alicyclic group.
It is preferable that 1-3 hydroxyl groups are couple | bonded, for example, More preferably, it is one.
Moreover, the C1-C4 alkyl group may couple | bond with the alicyclic group.

ここで、脂環式基は単環でも多環でもよいが、多環式基であることが好ましい。また、脂環式炭化水素基が好ましい。また、飽和であることが好ましい。また、脂環式基の炭素数は5〜15であることが好ましい。   Here, the alicyclic group may be monocyclic or polycyclic, but is preferably a polycyclic group. Moreover, an alicyclic hydrocarbon group is preferable. Moreover, it is preferable that it is saturated. Moreover, it is preferable that carbon number of an alicyclic group is 5-15.

脂環式基の具体例としては以下のものが挙げられる。
すなわち、単環式基としてはシクロアルカンから1個水素原子を除いた基などが挙げられる。多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
そして、さらに具体的には、単環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサンから1個の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキシル基が好ましい。
多環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
なお、この様な多環式基は、例えばArFエキシマレーザープロセス用のポジ型ホトレジスト組成物用樹脂において、酸解離性溶解抑制基を構成するものとして多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
これらの中でもシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上入手しやすく、好ましい。
これら例示した単環式基、多環式基の中でも、シクロヘキシル基、アダマンチル基が好ましく、特にアダマンチル基が好ましい。
Specific examples of the alicyclic group include the following.
That is, examples of the monocyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a cycloalkane. Examples of the polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like.
More specifically, examples of the monocyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from cyclopentane or cyclohexane, and a cyclohexyl group is preferred.
Examples of the polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
Such a polycyclic group is appropriately selected from among many that have been proposed as constituting an acid dissociable, dissolution inhibiting group in a resin for a positive photoresist composition for ArF excimer laser process, for example. Can be used.
Among these, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and a tetracyclododecanyl group are preferable because they are easily available on the industry.
Among these exemplified monocyclic groups and polycyclic groups, a cyclohexyl group and an adamantyl group are preferable, and an adamantyl group is particularly preferable.

構成単位(a2)の具体例として、例えば下記一般式(2)で表される構成単位が好ましい。   As a specific example of the structural unit (a2), for example, a structural unit represented by the following general formula (2) is preferable.

Figure 2005336452
(Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基またはフッ素原子であり、qは1〜3の整数である。)
Figure 2005336452
(R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorine atom, and q is an integer of 1 to 3.)

Rは、α位に結合する水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、またはフッ素原子であり、上記一般式(1)の説明と同様である。一般式(2)において、Rは水素原子であることが最も好ましい。
また、qは1〜3の整数であるが、1であることが好ましい。
また、水酸基の結合位置は特に限定しないが、アダマンチル基の3位の位置に結合していることが好ましい。
R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or a fluorine atom bonded to the α-position, and is the same as described in the general formula (1). In the general formula (2), R is most preferably a hydrogen atom.
Moreover, q is an integer of 1 to 3, but is preferably 1.
Further, the bonding position of the hydroxyl group is not particularly limited, but it is preferably bonded to the position of the 3rd position of the adamantyl group.

構成単位(a2)は1種または2種以上を混合して用いることができる。   As the structural unit (a2), one type or a mixture of two or more types can be used.

アクリル酸から誘導され、かつ環式構造を有しない構成単位であって、側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位(a3)
本発明のレジスト組成物用樹脂においては、構成単位(a1)、構成単位(a2)に加えて、構成単位(a3)を有することが好ましい。
構成単位(a3)を有することにより、解像性向上の効果が得られる。また、膜減りが抑制できる。また、パターン形成時の架橋反応の制御性が良好となる。さらに、膜密度が向上する傾向がある。これにより、耐熱性が向上する傾向がある。さらにはエッチング耐性も向上する。
A structural unit derived from acrylic acid and having no cyclic structure, the structural unit having an alcoholic hydroxyl group in the side chain (a3)
The resin for a resist composition of the present invention preferably has a structural unit (a3) in addition to the structural unit (a1) and the structural unit (a2).
By having the structural unit (a3), the effect of improving the resolution can be obtained. Moreover, film loss can be suppressed. Moreover, the controllability of the crosslinking reaction during pattern formation is improved. Furthermore, the film density tends to improve. Thereby, there exists a tendency for heat resistance to improve. Furthermore, etching resistance is also improved.

「環式構造を有しない」とは、脂環式基や芳香族基を有しないことを意味する。
構成単位(a3)は、環式構造を有しないことにより、構成単位(a2)と明らかに区別される。構成単位(a3)を有するレジスト組成物用樹脂をネガ型レジスト組成物に配合すると、上述の構成単位(a2)の水酸基とともに、当該構成単位(a3)のヒドロキシアルキル基の水酸基が、(B)酸発生剤から発生する酸の作用によって、(C)架橋剤と反応し、これにより当該レジスト組成物用樹脂がアルカリ現像液に対して可溶性の性質から不溶性の性質に変化する。
“No cyclic structure” means having no alicyclic group or aromatic group.
The structural unit (a3) is clearly distinguished from the structural unit (a2) by not having a cyclic structure. When a resin for a resist composition having the structural unit (a3) is blended in a negative resist composition, the hydroxyl group of the hydroxyalkyl group of the structural unit (a3) together with the hydroxyl group of the structural unit (a2) becomes (B) By the action of the acid generated from the acid generator, it reacts with the (C) crosslinking agent, whereby the resin for a resist composition changes from a property soluble in an alkali developer to an insoluble property.

「側鎖にアルコール性水酸基を有する」とは、例えばヒドロキシアルキル基が結合している構成単位が挙げられる。
ヒドロキシアルキル基は、例えば主鎖(アクリル酸のエチレン性2重結合が開裂した部分)のα位の炭素原子に結合していてもよいし、アクリル酸のカルボキシル基の水素原子と置換してエステルを構成していてもよく、構成単位(a3)において、これらのうち少なくとも1方あるいは両方が存在していることが好ましい。
“Having an alcoholic hydroxyl group in the side chain” includes, for example, a structural unit to which a hydroxyalkyl group is bonded.
The hydroxyalkyl group may be bonded to the α-position carbon atom of the main chain (the portion where the ethylenic double bond of acrylic acid is cleaved), or substituted with a hydrogen atom of the carboxyl group of acrylic acid to form an ester. In the structural unit (a3), it is preferable that at least one or both of them be present.

なお、α位にヒドロキシアルキル基が結合していない場合、α位の炭素原子には、水素原子にかわって、アルキル基、フッ素化アルキル基、またはフッ素原子が結合していてもよい。これらについては一般式(1)中のRの説明と同様である。   When a hydroxyalkyl group is not bonded to the α-position, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or a fluorine atom may be bonded to the α-position carbon atom instead of a hydrogen atom. These are the same as the description of R in the general formula (1).

また、構成単位(a3)は、下記一般式(3)で表されるものであると好ましい。   The structural unit (a3) is preferably one represented by the following general formula (3).

Figure 2005336452
(式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、フッ素原子またはヒドロキシアルキル基であり、Rは、水素原子、アルキル基、またはヒドロキシアルキル基であり、かつR、Rの少なくとも一方はヒドロキシアルキル基である。)
Figure 2005336452
Wherein R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, a fluorine atom or a hydroxyalkyl group, R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group or a hydroxyalkyl group, and R 1 , R 2 At least one of them is a hydroxyalkyl group.)

において、ヒドロキシアルキル基は、好ましくは炭素数が10以下の低級ヒドロキシアルキル基であり、更に好ましくは炭素数2〜8の低級ヒドロキシアルキル基であり、最も好ましくはヒドロキシメチル基又はヒドロキシエチル基である。水酸基の数、結合位置は特に限定するものではないが、通常は1つであり、また、アルキル基の末端に結合していることが好ましい。
において、アルキル基は、好ましくは炭素数が10以下の低級アルキル基であり、更に好ましくは炭素数2〜8の低級アルキル基であり、最も好ましくはエチル基、メチル基である。
において、フッ素化アルキル基は、好ましくは炭素数が5以下の低級アルキル基(好ましくはエチル基、メチル基)において、その水素原子の一部または全部がフッ素で置換された基である。
において、アルキル基、ヒドロキシアルキル基は、Rと同様である。
In R 1 , the hydroxyalkyl group is preferably a lower hydroxyalkyl group having 10 or less carbon atoms, more preferably a lower hydroxyalkyl group having 2 to 8 carbon atoms, and most preferably a hydroxymethyl group or a hydroxyethyl group. It is. The number of hydroxyl groups and the bonding position are not particularly limited, but it is usually one and preferably bonded to the end of the alkyl group.
In R 1 , the alkyl group is preferably a lower alkyl group having 10 or less carbon atoms, more preferably a lower alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, and most preferably an ethyl group or a methyl group.
In R 1 , the fluorinated alkyl group is preferably a lower alkyl group having 5 or less carbon atoms (preferably an ethyl group or a methyl group) in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine.
In R 2 , the alkyl group and the hydroxyalkyl group are the same as R 1 .

具体的には、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸から誘導される構成単位、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステルから誘導される構成単位、(α−アルキル)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルから誘導される構成単位が挙げられる。
中でも、構成単位(a3)が、効果向上の点及び膜密度が向上の点から、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステルから誘導される構成単位を含むと好ましい。そして、中でもα−(ヒドロキシメチル)−アクリル酸エチルエステル又はα−(ヒドロキシメチル)−アクリル酸メチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
また、構成単位(a3)が、(α−アルキル)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルから誘導される構成単位を含むと好ましい。そして、中でも、α−メチル−アクリル酸ヒドロキシエチルエステル又はα−メチル−アクリル酸ヒドロキシメチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
Specifically, structural units derived from α- (hydroxyalkyl) acrylic acid, structural units derived from α- (hydroxyalkyl) acrylic acid alkyl ester, and (α-alkyl) acrylic acid hydroxyalkyl ester. Structural units.
Especially, it is preferable that a structural unit (a3) contains the structural unit induced | guided | derived from alpha- (hydroxyalkyl) acrylic acid alkyl ester from the point of an effect improvement and a film density improvement. Among them, a structural unit derived from α- (hydroxymethyl) -acrylic acid ethyl ester or α- (hydroxymethyl) -acrylic acid methyl ester is preferable.
Moreover, it is preferable that the structural unit (a3) includes a structural unit derived from (α-alkyl) acrylic acid hydroxyalkyl ester. Among them, a structural unit derived from α-methyl-acrylic acid hydroxyethyl ester or α-methyl-acrylic acid hydroxymethyl ester is preferable.

構成単位(a3)は1種または2種以上を混合して用いることができる。   The structural unit (a3) can be used alone or in combination of two or more.

ラクトン含有単環または多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)
本発明においては、構成単位(a1)、及び構成単位(a2)に加えて、さらに、ラクトン含有単環または多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)を有することが好ましい。
また、構成単位(a1)、構成単位(a2)、及び構成単位(a4)に加えて、さらに構成単位(a3)を組み合せて用いても良い。
Structural unit (a4) derived from an acrylate ester containing a lactone-containing monocyclic or polycyclic group
In the present invention, in addition to the structural unit (a1) and the structural unit (a2), the structural unit (a4) may be derived from an acrylate ester containing a lactone-containing monocyclic or polycyclic group. preferable.
In addition to the structural unit (a1), the structural unit (a2), and the structural unit (a4), the structural unit (a3) may be further combined.

構成単位(a4)のラクトン含有単環または多環式基は、レジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、現像液との親水性を高めたりするうえで有効なものである。また、膨潤抑制の効果が向上する。   When the lactone-containing monocyclic or polycyclic group of the structural unit (a4) is used for forming a resist film, it increases adhesion of the resist film to the substrate and increases hydrophilicity with the developer. It is effective. In addition, the effect of suppressing swelling is improved.

なお、ここでのラクトンとは、−O−C(O)−構造を含むひとつの環を示し、これをひとつの目の環として数える。したがって、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。   In addition, lactone here shows one ring containing -O-C (O)-structure, and this is counted as one ring. Therefore, when it has only a lactone ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure.

構成単位(a4)としては、このようなエステルの構造(−O−C(O)−)と環構造とを共に有するラクトン環を持てば、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。   As the structural unit (a4), any structural unit can be used without particular limitation as long as it has a lactone ring having both the ester structure (—O—C (O) —) and a ring structure. is there.

具体的には、ラクトン含有単環式基としては、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
特に、以下のような構造式を有するラクトン含有トリシクロアルカンから水素原子を1つを除いた基が、工業上入手し易いなどの点で有利である。
Specifically, examples of the lactone-containing monocyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from γ-butyrolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.
In particular, a group obtained by removing one hydrogen atom from a lactone-containing tricycloalkane having the following structural formula is advantageous in that it is easily available industrially.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

また、構成単位(a4)においては、ラクトン含有多環式基であるものが好ましく、中でもノルボルナンラクトンを有するものが好ましい。   In the structural unit (a4), those having a lactone-containing polycyclic group are preferred, and those having norbornane lactone are preferred.

構成単位(a4)において、α位(α位の炭素原子)には、水素原子にかわって、他の置換基が結合していてもよい。置換基としては、好ましくはアルキル基、フッ素化アルキル基、またはフッ素原子が挙げられる。
これらの説明は上記構成単位(a1)の一般式(1)中のRの説明と同様であって、α位に結合可能なもののうち、好ましいのは水素原子またはアルキル基であって、特に水素原子またはメチル基が好ましく、最も好ましいのは水素原子である。
In the structural unit (a4), another substituent group may be bonded to the α-position (α-position carbon atom) instead of a hydrogen atom. The substituent is preferably an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or a fluorine atom.
These explanations are the same as those of R in the general formula (1) of the structural unit (a1), and among those which can be bonded to the α-position, a hydrogen atom or an alkyl group is preferred, An atom or a methyl group is preferred, and a hydrogen atom is most preferred.

構成単位(a4)の例として、より具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−5)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a4) include structural units represented by general formulas (a4-1) to (a4-5) shown below.

Figure 2005336452
(式中、Rは前記と同じである。R’はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、または炭素数1〜5のアルコキシ基であり、mは0または1の整数である。)
Figure 2005336452
(In the formula, R is the same as described above. R ′ is independently a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and m is an integer of 0 or 1.)

一般式(a4−1)〜(a4−5)におけるR’のアルキル基としては、前記構成単位(a1)におけるRのアルキル基と同じである。一般式(a4−1)〜(a4−5)中、R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。   The alkyl group for R ′ in formulas (a4-1) to (a4-5) is the same as the alkyl group for R in the structural unit (a1). In general formulas (a4-1) to (a4-5), R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.

そして、構成単位(a4)としては、一般式(a4−2)〜(a4−3)で表される単位が最も好ましい。  And as a structural unit (a4), the unit represented by general formula (a4-2)-(a4-3) is the most preferable.

構成単位(a4)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As the structural unit (a4), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

構成単位(a1)乃至構成単位(a4)の組み合わせ
本発明においては、構成単位(a1)乃至構成単位(a4)は、例えば以下の様に4種類の組み合わせを選択する様にすると好ましい。
Combination of Structural Unit (a1) to Structural Unit (a4) In the present invention, the structural unit (a1) to structural unit (a4) are preferably selected from, for example, four types of combinations as follows.

(イ)構成単位(a1)と構成単位(a2)の組み合わせを含む様に選択する。
このとき、構成単位(a1)が一般式(1)で表される構成単位であり、かつ一般式(1)中のRが水素原子であることが好ましい。そして、これと同時に、構成単位(a2)のα位(カルボキシル基が結合した炭素原子)に水素原子が結合していることが好ましい。その理由は、溶解コントラストが良好となるためである。
(A) Select so as to include a combination of the structural unit (a1) and the structural unit (a2).
At this time, it is preferable that the structural unit (a1) is a structural unit represented by the general formula (1), and R in the general formula (1) is a hydrogen atom. At the same time, a hydrogen atom is preferably bonded to the α position (carbon atom to which the carboxyl group is bonded) of the structural unit (a2). The reason is that the dissolution contrast becomes good.

(ロ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、及び構成単位(a3)の組み合わせを含む様に選択する。
このとき、構成単位(a1)が一般式(1)で表される構成単位であり、かつ一般式(1)中のRが水素原子であることが好ましい。そして、これと同時に、構成単位(a2)のα位に水素原子が結合していることが好ましい。その理由は、溶解コントラストが良好となるためである。
(B) Selection is made so as to include a combination of the structural unit (a1), the structural unit (a2), and the structural unit (a3).
At this time, it is preferable that the structural unit (a1) is a structural unit represented by the general formula (1), and R in the general formula (1) is a hydrogen atom. At the same time, a hydrogen atom is preferably bonded to the α-position of the structural unit (a2). The reason is that the dissolution contrast becomes good.

(ハ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、及び構成単位(a4)の組み合わせを含む様に選択する。
このとき、構成単位(a1)が一般式(1)で表される構成単位であり、かつ一般式(1)中のRが水素原子であることが好ましい。そして、これと同時に、構成単位(a2)のα位に水素原子が結合しており、かつ構成単位(a4)のα位に水素原子が結合していることが好ましい。
その理由は、溶解コントラストが良好となるためである。
(C) Selection is made so as to include a combination of the structural unit (a1), the structural unit (a2), and the structural unit (a4).
At this time, it is preferable that the structural unit (a1) is a structural unit represented by the general formula (1), and R in the general formula (1) is a hydrogen atom. At the same time, it is preferable that a hydrogen atom is bonded to the α-position of the structural unit (a2) and a hydrogen atom is bonded to the α-position of the structural unit (a4).
The reason is that the dissolution contrast becomes good.

(ニ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、構成単位(a3)、及び構成単位(a4)の組み合わせを含む様に選択する。
このとき、構成単位(a1)が一般式(1)で表される構成単位であり、かつ一般式(1)中のRが水素原子であることが好ましい。そして、これと同時に、構成単位(a2)のα位に水素原子が結合しており、かつ構成単位(a4)のα位に水素原子が結合していることが好ましい。
その理由は、溶解コントラストが良好となるためである。
(D) Selection is made so as to include a combination of the structural unit (a1), the structural unit (a2), the structural unit (a3), and the structural unit (a4).
At this time, it is preferable that the structural unit (a1) is a structural unit represented by the general formula (1), and R in the general formula (1) is a hydrogen atom. At the same time, it is preferable that a hydrogen atom is bonded to the α-position of the structural unit (a2) and a hydrogen atom is bonded to the α-position of the structural unit (a4).
The reason is that the dissolution contrast becomes good.

構成単位(a1)〜構成単位(a4)の割合
本発明においては、構成単位(a1)乃至構成単位(a4)を組み合わせるにおいて、上述の様に(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)に分類される4種類の組み合わせを選択する様にすると好ましい。そこで、これらについて、以下にそれぞれ好ましい各構成単位の割合を示す。
(イ) 構成単位(a1)と構成単位(a2)の組み合わせ
少なくとも構成単位(a1)と構成単位(a2)の2つを必須とし、好ましくはこれら2つの構成単位からなる樹脂である場合、樹脂中の各構成単位の割合は以下の数値範囲を
満足することが好ましい。
すなわち、構成単位(a1)の割合は好ましくは20〜80モル%、さらに好ましくは
30〜70モル%であり、最も好ましくは35〜55モル%である。
構成単位(a2)の割合は、好ましくは20〜80モル%、さらに好ましくは30〜7
0モル%であり、最も好ましくは35〜55モル%である。
これらの範囲を満足することにより膨潤抑制の効果が向上する。
Ratio of Structural Unit (a1) to Structural Unit (a4) In the present invention, in combining the structural units (a1) to (a4), as described above, (A), (B), (C), (C) It is preferable to select four types of combinations classified into d). Then, about these, the ratio of each preferable structural unit is shown below, respectively.
(A) Combination of structural unit (a1) and structural unit (a2) At least two of structural unit (a1) and structural unit (a2) are essential, and preferably a resin comprising these two structural units, It is preferable that the ratio of each structural unit in it satisfies the following numerical ranges.
That is, the proportion of the structural unit (a1) is preferably 20 to 80 mol%, more preferably 30 to 70 mol%, and most preferably 35 to 55 mol%.
The proportion of the structural unit (a2) is preferably 20 to 80 mol%, more preferably 30 to 7
0 mol%, most preferably 35-55 mol%.
By satisfying these ranges, the effect of suppressing swelling is improved.

(ロ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、及び構成単位(a3)の組み合わせ
構成単位(a1)、構成単位(a2)、及び構成単位(a3)を有する樹脂であり、好ましくはこれらの構成単位からなる樹脂である場合、樹脂中の各構成単位の割合は以下の数値範囲を満足することが好ましい。
すなわち、構成単位(a1)の割合は、好ましくは20〜80モル%、さらに好ましく
は30〜70モル%であり、最も好ましくは35〜55モル%である。
構成単位(a2)の割合は好ましくは10〜70モル%、さらに好ましくは10〜50
モル%、さらに好ましくは20〜40モル%である。
構成単位(a3)の割合は、好ましくは10〜70モル%、さらに好ましくは10〜4
0モル%、最も好ましくは15〜35モル%である。
これらの範囲を満足することにより膨潤抑制の効果が向上する。そして、特に構成単位(a2)と構成単位(a3)とをバランスよく配合することによって、適度なコントラストが得られ、解像性が向上する。また、エッチング耐性が向上する。さらに良好な露光余裕度が得られる。
(B) Combination of structural unit (a1), structural unit (a2), and structural unit (a3) A resin having structural unit (a1), structural unit (a2), and structural unit (a3), preferably these In the case of a resin comprising the following structural units, the proportion of each structural unit in the resin preferably satisfies the following numerical range.
That is, the proportion of the structural unit (a1) is preferably 20 to 80 mol%, more preferably 30 to 70 mol%, and most preferably 35 to 55 mol%.
The proportion of the structural unit (a2) is preferably 10 to 70 mol%, more preferably 10 to 50 mol.
It is mol%, More preferably, it is 20-40 mol%.
The proportion of the structural unit (a3) is preferably 10 to 70 mol%, more preferably 10 to 4
0 mol%, most preferably 15-35 mol%.
By satisfying these ranges, the effect of suppressing swelling is improved. In particular, by blending the structural unit (a2) and the structural unit (a3) in a well-balanced manner, an appropriate contrast can be obtained and resolution can be improved. In addition, etching resistance is improved. Furthermore, a good exposure margin can be obtained.

(ハ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、構成単位(a4)の組み合わせ
構成単位(a1)、(a2)、(a4)を有する樹脂であり、好ましくはこれらの構成単位からなる樹脂である場合、樹脂中の各構成単位の割合は以下の数値範囲を満足することが好ましい。
すなわち、構成単位(a1)の割合は、好ましくは20〜85モル%、さらに好ましく
は30〜70モル%であり、最も好ましくは35〜50モル%である。
構成単位(a2)の割合は好ましくは14〜70モル%、さらに好ましくは15〜50
モル%であり、最も好ましくは30〜50モル%である。
構成単位(a4)の割合は、好ましくは1〜70モル%、さらに好ましくは3〜50モル%であり、最も好ましくは5〜20モル%である。
これらの範囲を満足することにより膨潤抑制の効果が向上する。また、レジストパターン形状が良好となる。
また、(a1)、(a2)及び(a4)をバランスよく配合することによって、適度なコントラストが得られ、解像性が向上する。また、エッチング耐性が向上する。さらに良好な露光余裕度が得られる。
(C) Combination of structural unit (a1), structural unit (a2), and structural unit (a4) A resin having structural units (a1), (a2), and (a4), and preferably a resin comprising these structural units In this case, the proportion of each structural unit in the resin preferably satisfies the following numerical range.
That is, the proportion of the structural unit (a1) is preferably 20 to 85 mol%, more preferably 30 to 70 mol%, and most preferably 35 to 50 mol%.
The proportion of the structural unit (a2) is preferably 14 to 70 mol%, more preferably 15 to 50.
It is mol%, Most preferably, it is 30-50 mol%.
The proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 70 mol%, more preferably 3 to 50 mol%, and most preferably 5 to 20 mol%.
By satisfying these ranges, the effect of suppressing swelling is improved. Further, the resist pattern shape is improved.
Further, by blending (a1), (a2), and (a4) in a balanced manner, an appropriate contrast can be obtained and the resolution is improved. In addition, etching resistance is improved. Furthermore, a good exposure margin can be obtained.

(ニ)構成単位(a1)、構成単位(a2)、構成単位(a3)、及び構成単位(a4)の組み合わせ
構成単位(a1)乃至構成単位(a4)を全て有する樹脂であり、好ましくはこれらの構成単位からなる樹脂である場合、樹脂中の各構成単位の割合は以下の数値範囲を満足することが好ましい。
すなわち、構成単位(a1)の割合は、好ましくは10〜85モル%、さらに好ましくは20〜70モル%であり、最も好ましくは25〜50モル%である。
構成単位(a2)の割合は好ましくは10〜80モル%、さらに好ましくは20〜70モル%であり、最も好ましくは30〜50モル%である。
構成単位(a3)の割合は、好ましくは4〜70モル%、さらに好ましくは7〜50モル%であり、最も好ましくは10〜30モル%である。
構成単位(a4)の割合は、好ましくは1〜70モル%、さらに好ましくは3〜50モル%であり、最も好ましくは5〜20モル%である。
これらの範囲を満足することにより膨潤抑制の効果がさらに向上する。また、レジストパターン形状が良好となる。
また、構成単位(a1)乃至構成単位(a4)をバランスよく配合することによって、適度なコントラストが得られ、解像性が向上する。また、エッチング耐性が向上する。さらに良好な露光余裕度が得られる。
(D) A combination of the structural unit (a1), the structural unit (a2), the structural unit (a3), and the structural unit (a4) is a resin having all of the structural units (a1) to (a4), preferably these In the case of a resin comprising the following structural units, the proportion of each structural unit in the resin preferably satisfies the following numerical range.
That is, the proportion of the structural unit (a1) is preferably 10 to 85 mol%, more preferably 20 to 70 mol%, and most preferably 25 to 50 mol%.
The proportion of the structural unit (a2) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 70 mol%, and most preferably 30 to 50 mol%.
The proportion of the structural unit (a3) is preferably 4 to 70 mol%, more preferably 7 to 50 mol%, and most preferably 10 to 30 mol%.
The proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 70 mol%, more preferably 3 to 50 mol%, and most preferably 5 to 20 mol%.
By satisfying these ranges, the effect of suppressing swelling is further improved. Further, the resist pattern shape is improved.
Further, by blending the structural unit (a1) to the structural unit (a4) in a balanced manner, an appropriate contrast can be obtained and resolution can be improved. In addition, etching resistance is improved. Furthermore, a good exposure margin can be obtained.

なお、レジスト組成物用樹脂は、構成単位(a1)乃至(a4)から選択される以外の他の共重合可能な構成単位を有していてもよいが、構成単位(a1)乃至構成単位(a4)から選択される構成単位を主成分とする樹脂であることが好ましい。
ここで主成分とは好ましくはこれらから選択される構成単位の合計が70モル%以上、好ましくは80モル%以上であり、中でも好ましいのは、100%である。
The resin for resist compositions may have other copolymerizable structural units other than those selected from the structural units (a1) to (a4), but the structural units (a1) to ( A resin having as a main component a structural unit selected from a4) is preferred.
Here, the main component is preferably a total of 70 mol% or more, preferably 80 mol% or more, preferably 100%, among the structural units selected from these.

なお、レジスト組成物用樹脂において、特に好ましいのは、構成単位(a1)及び構成単位(a2)からなる樹脂、または構成単位(a1)、構成単位(a2)及び構成単位(a3)からなる樹脂、または構成単位(a1)、構成単位(a2)及び構成単位(a4)からなる樹脂、または構成単位(a1)乃至構成単位(a4)からなる樹脂であり、より好ましくは構成単位(a1)、構成単位(a2)及び構成単位(a3)からなる樹脂である。   In the resist composition resin, particularly preferred is a resin comprising the structural unit (a1) and the structural unit (a2), or a resin comprising the structural unit (a1), the structural unit (a2) and the structural unit (a3). Or a resin comprising the structural unit (a1), the structural unit (a2) and the structural unit (a4), or a resin comprising the structural unit (a1) to the structural unit (a4), more preferably the structural unit (a1), It is a resin composed of the structural unit (a2) and the structural unit (a3).

質量平均分子量
レジスト組成物用樹脂の質量平均分子量(Mw;ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量)は、好ましくは2000〜30000、さらに好ましくは2000〜10000、最も好ましくは3000〜8000とされる。この範囲とすることにより、膨潤の抑制、これによるマイクロブリッジの抑制の点から好ましい。また、高解像性の点から好ましい。分子量は低い方が良好な特性が得られる傾向がある。
Mass average molecular weight The mass average molecular weight (Mw; polystyrene-converted mass average molecular weight by gel permeation chromatography) of the resin for resist compositions is preferably 2000 to 30000, more preferably 2000 to 10000, and most preferably 3000 to 8000. . By setting it as this range, it is preferable from the point of suppression of swelling and the suppression of microbridge by this. Moreover, it is preferable from the point of high resolution. When the molecular weight is low, good characteristics tend to be obtained.

前記レジスト組成物用樹脂は、例えば各構成単位を誘導するモノマーを常法によりラジカル重合することによって得ることができる。   The resin for resist composition can be obtained, for example, by radical polymerization of a monomer for deriving each structural unit by a conventional method.

また、本発明のレジスト組成物用樹脂は、ネガ型レジスト組成物に用いると好適である。   The resin for resist compositions of the present invention is suitable for use in negative resist compositions.

[ネガ型レジスト組成物]
本発明のネガ型レジスト組成物は、(A)本発明のレジスト組成物用樹脂、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分、および(C)架橋剤成分を含有する。
[Negative resist composition]
The negative resist composition of the present invention contains (A) a resin for a resist composition of the present invention, (B) an acid generator component that generates an acid upon exposure, and (C) a crosslinking agent component.

(A)本発明のレジスト組成物用樹脂
(A)成分については上記の通りである。
(A)成分は1種または2種以上混合して用いることができる。
(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚に応じて調整すればよい。
(A) Resin for Resist Composition of the Present Invention The component (A) is as described above.
(A) A component can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.
What is necessary is just to adjust content of (A) component according to the resist film thickness to form.

(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分
(B)成分は、従来の化学増幅型レジスト組成物において使用されている公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。
このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類、ニトロベンジルスルホネート類などのジアゾメタン系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロンメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。
(B) Acid generator component that generates acid by exposure The component (B) can be used without particular limitation from known acid generators used in conventional chemically amplified resist compositions.
Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, poly (bissulfonyl) diazomethanes, Various kinds of acid generators such as diazomethane acid generators such as nitrobenzyl sulfonates, imino sulfonate acid generators and disulfone acid generators are known.
Specific examples of the onium salt-based acid generator include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, and triphenylsulfonium trifluoromethane. Sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium trifluoromethane Sulfonate, its heptafluoropropane sulphonate or its Nafluorobutane sulfonate, trifluoromethane sulfonate of monophenyldimethylsulfonium, heptafluoropropane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate thereof, trifluoromethane sulfonate of diphenyl monomethylsulfonium, heptafluoropropane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate thereof, (4- Trifluoromethanesulfonate of methylphenyl) diphenylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, tri (4 -Tert-bu Le) trifluoromethanesulfonate triphenylsulfonium, its like heptafluoropropane sulfonate or nonafluorobutane sulfonates.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。これらの中で、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリルが好ましい。   Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino)- Phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (propylsulfonyloxyimino) -p-methylphenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-bromophenylacetonitrile and the like can be mentioned. Of these, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile is preferred.

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、以下に示す構造をもつ1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物A、分解点135℃)、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン(化合物B、分解点147℃)、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物C、融点132℃、分解点145℃)、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物D、分解点147℃)、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン(化合物E、分解点149℃)、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物F、分解点153℃)、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物G、融点109℃、分解点122℃)、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物H、分解点116℃)などを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane (Compound A, decomposition point 135 ° C.), 1,4-bis (phenyl) having the following structure. Sulfonyldiazomethylsulfonyl) butane (compound B, decomposition point 147 ° C.), 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane (compound C, melting point 132 ° C., decomposition point 145 ° C.), 1,10-bis (phenyl) Sulfonyldiazomethylsulfonyl) decane (compound D, decomposition point 147 ° C.), 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane (compound E, decomposition point 149 ° C.), 1,3-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ) Propane (Compound F, decomposition point 153 ° C.), , 6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane (Compound G, melting point 109 ° C., decomposition point 122 ° C.), 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane (Compound H, decomposition point 116 ° C.), etc. Can be mentioned.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

本発明においては、中でも、(A)成分と(C)成分との反応性の点から、(B)成分としてフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩を用いることが好ましい。   In the present invention, from the viewpoint of the reactivity between the component (A) and the component (C), it is preferable to use an onium salt having a fluorinated alkyl sulfonate ion as an anion as the component (B).

(B)成分としては、1種の酸発生剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜30質量部、好ましくは1〜10質量部とされる。上記範囲とすることで、パターン形成が十分に行うことできる。また、均一なレジスト溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
As the component (B), one type of acid generator may be used alone, or two or more types may be used in combination.
(B) Content of a component is 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, Preferably it is 1-10 mass parts. By setting it as the said range, pattern formation can fully be performed. Moreover, since a uniform resist solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

(C)架橋剤成分
(C)成分は、特に限定されず、これまでに知られている化学増幅型のネガ型レジスト組成物に用いられている架橋剤成分の中から任意に選択して用いることができる。
(C) Crosslinking agent component The (C) component is not particularly limited, and is arbitrarily selected from the crosslinking agent components used in the chemically amplified negative resist compositions known so far. be able to.

具体的には、例えば2,3−ジヒドロキシ−5−ヒドロキシメチルノルボルナン、2−ヒドロキシ−5,6−ビス(ヒドロキシメチル)ノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8(又は9)−トリヒドロキシトリシクロデカン、2−メチル−2−アダマンタノール、1,4−ジオキサン−2,3−ジオール、1,3,5−トリヒドロキシシクロヘキサンなどのヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。
また、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物が挙げられる。
これらのうち、メラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素を用いたものを尿素系架橋剤、エチレン尿素を用いたものをエチレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤という。
具体的にはヘキサメトキシメチルメラミン、ビスメトキシメチル尿素、ビスメトキシメチルビスメトキシエチレン尿素、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリルなどを挙げることができる。
Specifically, for example, 2,3-dihydroxy-5-hydroxymethylnorbornane, 2-hydroxy-5,6-bis (hydroxymethyl) norbornane, cyclohexanedimethanol, 3,4,8 (or 9) -trihydroxytri Aliphatic cyclic carbonization having a hydroxyl group or a hydroxyalkyl group or both such as cyclodecane, 2-methyl-2-adamantanol, 1,4-dioxane-2,3-diol, 1,3,5-trihydroxycyclohexane Examples thereof include hydrogen and oxygen-containing derivatives thereof.
In addition, amino group-containing compounds such as melamine, acetoguanamine, benzoguanamine, urea, ethylene urea, glycoluril are reacted with formaldehyde or formaldehyde and a lower alcohol, and the hydrogen atom of the amino group is replaced with a hydroxymethyl group or a lower alkoxymethyl group. Compounds.
Of these, those using melamine are melamine crosslinking agents, those using urea are urea crosslinking agents, those using ethylene urea are ethylene urea crosslinking agents, and those using glycoluril are glycoluril crosslinking agents It is called an agent.
Specific examples include hexamethoxymethylmelamine, bismethoxymethylurea, bismethoxymethylbismethoxyethyleneurea, tetramethoxymethylglycoluril, tetrabutoxymethylglycoluril and the like.

(C)成分として、特に好ましくは、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、エチレン尿素系架橋剤、及びグリコールウリル系架橋剤から選ばれる少なくとも1種である。特に好ましくはグリコールウリル系架橋剤である。   The component (C) is particularly preferably at least one selected from melamine crosslinking agents, urea crosslinking agents, ethyleneurea crosslinking agents, and glycoluril crosslinking agents. Particularly preferred is a glycoluril-based crosslinking agent.

グリコールウリル系架橋剤としては、N位が、架橋形成基であるヒドロキシアルキル基および/または低級アルコキシアルキル基で置換されたグリコールウリルが好ましい。
グリコールウリル系架橋剤としては、さらに具体的には例えばモノ,ジ,トリ又はテトラヒドロキシメチルグリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラエトキシメチルグリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラプロポキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラブトキシメチル化グリコールウリルなどがある。なお、「モノ,ジ,トリ及び/又はテトラ・・・」とはモノ体、ジ体、トリ体、及びテトラ体の1種または2種以上が含まれてればよいことを示し、特には、トリ体やテトラ体が好ましい。
また、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラブトキシメチル化グリコールウリルも好ましい。
そして、コントラスト、解像性の点から、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラメトキシメチル化グリコールウリルが最も好ましい。この架橋剤は、例えば市販品「Mx270」(製品名、三和ケミカル社製)として入手することができる。このものはトリ体、テトラ体がほとんどであり、また、単量体、二量体、三量体の混合物である。
As the glycoluril-based crosslinking agent, glycoluril substituted at the N-position with a hydroxyalkyl group and / or a lower alkoxyalkyl group which is a crosslinking group is preferable.
More specifically, examples of the glycoluril-based crosslinking agent include mono-, di-, tri- and tetrahydroxymethyl glycolurils, mono-, di-, tri- and / or tetramethoxymethylated glycolurils, mono-, di-, tri- and / or tetra- Examples include ethoxymethyl glycoluril, mono, di, tri and / or tetrapropoxymethylated glycoluril, mono, di, tri and / or tetrabutoxymethylated glycoluril. "Mono, di, tri and / or tetra ..." indicates that one or more of mono-, di-, tri-, and tetra-forms may be included, particularly A tri- or tetra-isomer is preferred.
Mono, di, tri and / or tetramethoxymethylated glycoluril and mono, di, tri and / or tetrabutoxymethylated glycoluril are also preferred.
From the viewpoint of contrast and resolution, mono, di, tri and / or tetramethoxymethylated glycoluril is most preferable. This crosslinking agent can be obtained, for example, as a commercial product “Mx270” (product name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.). These are mostly tri- and tetra-isomers, and are a mixture of monomers, dimers and trimers.

(C)成分の配合量は、(A)成分100質量部に対して3〜15質量部、好ましくは5〜10質量部とされる。下限値以上とすることにより、(A)成分をアルカリ不溶性とすることができる。上限値以下とすることにより、解像性の低下を防ぐことができる。架橋剤の添加量が少ない方が解像性が向上する傾向がある点は、本発明のネガ型レジスト組成物において特徴的であり、経済的にも好適な点である。   (C) The compounding quantity of a component shall be 3-15 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, Preferably it is 5-10 mass parts. By setting it to the lower limit value or more, the component (A) can be made insoluble in alkali. By setting the upper limit value or less, it is possible to prevent a decrease in resolution. The tendency that the resolution is improved when the addition amount of the crosslinking agent is small is characteristic in the negative resist composition of the present invention and is economically preferable.

(D)含窒素有機化合物
本発明のネガ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物(D)(以下、(D)成分という)を配合させることができる。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)が挙げられる。その具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。これらの中でも、アルキルアルコールアミン及びトリアルキルアミンが好ましく、アルキルアルコールアミンが最も好ましい。アルキルアルコールアミンの中でもトリエタノールアミンやトリイソプロパノールアミンのようなアルキルアルコールアミンが最も好ましい。
(D) Nitrogen-containing organic compound In the negative resist composition of the present invention, a nitrogen-containing organic compound (D) (hereinafter, referred to as “optional”) is further added as an optional component in order to improve the resist pattern shape, the stability over time. (Referred to as component (D)).
Since a wide variety of components (D) have been proposed, any known one may be used, but aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred. .
Examples of the aliphatic amine include amines (alkyl amines or alkyl alcohol amines) in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms. Specific examples thereof include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, Dialkylamines such as di-n-octylamine and dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-heptyl Trialkylamines such as amine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, tri-n-dodecylamine; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n -Ok Noruamin, alkyl alcohol amines such as tri -n- octanol amine.
These may be used alone or in combination of two or more.
(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. Among these, alkyl alcohol amines and trialkyl amines are preferable, and alkyl alcohol amines are most preferable. Of the alkyl alcohol amines, alkyl alcohol amines such as triethanolamine and triisopropanolamine are most preferred.

(E)成分
また、前記(D)成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(E)(以下、(E)成分という)を含有させることができる。なお、(D)成分と(E)成分は併用することもできるし、いずれか1種を用いることもできる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
Component (E) In addition, for the purpose of preventing sensitivity deterioration due to the blending with the component (D) and improving the resist pattern shape, retention stability, etc., an organic carboxylic acid or phosphorus oxoacid is further included as an optional component. Or its derivative (E) (henceforth (E) component) can be contained. In addition, (D) component and (E) component can also be used together, and any 1 type can also be used.
As the organic carboxylic acid, for example, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Phosphorus oxoacids or derivatives thereof include phosphoric acid, phosphoric acid di-n-butyl ester, phosphoric acid diphenyl ester and other phosphoric acid or derivatives thereof such as phosphonic acid, phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid- Like phosphonic acids such as di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, phosphonic acid dibenzyl ester and derivatives thereof, phosphinic acids such as phosphinic acid, phenylphosphinic acid and their esters Among these, phosphonic acid is particularly preferable.
(E) A component is used in the ratio of 0.01-5.0 mass parts per 100 mass parts of (A) component.

有機溶剤
本発明のネガ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤に溶解させて製造することができる。
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、またはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)と極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比が好ましくは2:8〜8:2、より好ましくは3:7〜7:3であると好ましい。
また、有機溶剤として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
また、有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)も好ましい。
有機溶剤の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
Organic Solvent The negative resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent.
Any organic solvent may be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution, and one or two kinds of conventionally known solvents for chemically amplified resists can be used. These can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, 2-heptanone, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate Polyhydric alcohols such as dipropylene glycol or dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether and derivatives thereof, cyclic ethers such as dioxane, Methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, pyruvate Le, methyl methoxypropionate, esters such as ethyl ethoxypropionate can be exemplified.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
A mixed solvent obtained by mixing propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and a polar solvent is preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range.
More specifically, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 2: 8 to 8: 2, more preferably 3: 7 to 7: 3.
In addition, as the organic solvent, a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
In addition, propylene glycol monomethyl ether (PGME) is also preferable as the organic solvent.
Although the amount of the organic solvent used is not particularly limited, it is a concentration that can be applied to a substrate and the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. Generally, the solid content concentration of the resist composition is 2 to 20 mass. %, Preferably 5-15% by mass.

その他の任意成分
本発明のネガ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。
Other optional components In the negative resist composition of the present invention, there are further miscible additives as desired, for example, additional resins for improving the performance of the resist film, surfactants for improving the coating properties, A dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, an antihalation agent, a dye, and the like can be appropriately added and contained.

本発明のネガ型レジスト組成物は、特に限定するものではないが、露光光源としてArFエキシマレーザーを用いるプロセス用として好適である。
当該プロセスには高い解像性が求められ、本発明のネガ型レジスト組成物においては、膨潤が抑制されることにより、解像性等の諸特性が向上しているため、この様な厳しい要求に対応することができるからである。
また、ArFエキシマレーザーに対して透明性の高い構造とすることができるためである。
The negative resist composition of the present invention is not particularly limited, but is suitable for a process using an ArF excimer laser as an exposure light source.
The process requires high resolution, and in the negative resist composition of the present invention, various properties such as resolution are improved by suppressing swelling, and thus such severe demands are made. It is because it can respond to.
Moreover, it is because it can be set as a highly transparent structure with respect to an ArF excimer laser.

[レジストパターン形成方法]
レジストパターン形成方法は、本発明のネガ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プリべーク(PAB)し、選択的に露光した後、PEB(露光後加熱)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とする。
本発明のレジストパターン形成方法は例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記ネガ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80〜150℃の温度条件下、プレベークを40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、これに例えばArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80〜150℃の温度条件下、PEB(露光後加熱)を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。
なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けることもできる。
[Resist pattern formation method]
In the resist pattern forming method, the negative resist composition of the present invention is applied on a substrate, pre-baked (PAB), selectively exposed, PEB (post-exposure heating) is applied, and alkali development is performed. A resist pattern is formed.
The resist pattern forming method of the present invention can be performed, for example, as follows.
That is, first, the negative resist composition is applied onto a substrate such as a silicon wafer with a spinner or the like, and prebaked at 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds. After selectively exposing ArF excimer laser light through a desired mask pattern using, for example, an ArF exposure apparatus or the like, PEB (post-exposure heating) is performed for 40 to 120 seconds at a temperature of 80 to 150 ° C., preferably Apply for 60-90 seconds. Subsequently, this is developed using an alkali developer, for example, an aqueous solution of 0.1 to 10% by mass of tetramethylammonium hydroxide. In this way, a resist pattern faithful to the mask pattern can be obtained.
An organic or inorganic antireflection film can be provided between the substrate and the coating layer of the resist composition.

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。特に、本発明にかかるレジスト組成物は、上述の様にArFエキシマレーザーに対して有効である。 The wavelength used for the exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. In particular, the resist composition according to the present invention is effective for an ArF excimer laser as described above.

本発明においてはレジストパターンの膨潤を防ぐことができる。これにより、マイクロブリッジを抑制できる。また、解像性が良好となる。また、焦点深度幅特性が向上する。また、LER(ライエッジラフネス)を抑制できる。なお、LERとは、ライン側壁の不均一な凹凸のことである。
また、経時安定性が向上するという効果も得られる。
In the present invention, swelling of the resist pattern can be prevented. Thereby, a microbridge can be suppressed. Also, the resolution is good. In addition, the depth-of-focus characteristic is improved. Moreover, LER (line edge roughness) can be suppressed. Note that LER is uneven unevenness of the line side wall.
Moreover, the effect that stability with time improves is also obtained.

[合成例で使用したモノマー]
合成例においては、以下のモノマーを用いた。
(i)下記化学式で表されるNBHFAA(ノルボルネンヘキサフルオロアルコールアク
リレート)、分子量340
[Monomer used in synthesis example]
In the synthesis examples, the following monomers were used.
(I) NBHFAA (norbornene hexafluoroalcohol acrylate) represented by the following chemical formula, molecular weight 340

Figure 2005336452
Figure 2005336452

(ii)下記化学式で表されるHEMA(ヒドロキシエチルメタクリレート)、分子量1
30
(Ii) HEMA (hydroxyethyl methacrylate) represented by the following chemical formula, molecular weight 1
30

Figure 2005336452
Figure 2005336452

(iii)下記化学式で表されるAdOHA(アダマンタノールアクリレート)、分子量2
22
(Iii) AdOHA (adamantanol acrylate) represented by the following chemical formula, molecular weight 2
22

Figure 2005336452
Figure 2005336452

(iv)下記化学式で表されるRHMA−E[(α−ヒドロキシメチル)エチルアクリレー
ト]、分子量130
(Iv) RHMA-E [(α-hydroxymethyl) ethyl acrylate] represented by the following chemical formula, molecular weight 130

Figure 2005336452
Figure 2005336452

(v)下記化学式で表されるRHMA−M[(α−ヒドロキシメチル)メチルアクリレー
ト]、分子量116
(V) RHMA-M [(α-hydroxymethyl) methyl acrylate] represented by the following chemical formula, molecular weight 116

Figure 2005336452
(vi)下記化学式で表されるGBLA(γ―ブチロラクトンアクリレート)、分子量116
Figure 2005336452
(Vi) GBLA (γ-butyrolactone acrylate) represented by the following chemical formula, molecular weight 116

Figure 2005336452
(vii)下記化学式で表されるNBLA(ノルボルナンラクトンアクリレート)、分子量222
Figure 2005336452
(Vii) NBLA (norbornane lactone acrylate) represented by the following chemical formula, molecular weight 222

Figure 2005336452
Figure 2005336452

[合成例]
本合成例において、NMRは日本電子株式会社製のJNM−AL400(製品名、分解能400MHz)を用いて測定した。
・合成例1
NBHFAA9.19g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.6gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体15.6gを得た(収率83.4%)。
得られた樹脂は下記化学式(4)で示す。その質量平均分子量(Mw)は14400、分散度(Mw/Mn;Mwは質量平均分子量、Mnは数平均分子量)は1.86であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=33/33/33であった。これを樹脂1とする。
[Synthesis example]
In this synthesis example, NMR was measured using JNM-AL400 (product name, resolution 400 MHz) manufactured by JEOL Ltd.
Synthesis example 1
9.19 g of NBHFAA, 3.51 g of HEMA, and 6.0 g of AdOHA and 0.6 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 15.6 g of a white solid (yield 83.4%).
The obtained resin is represented by the following chemical formula (4). The mass average molecular weight (Mw) was 14400, and dispersity (Mw / Mn; Mw was a mass average molecular weight, Mn was a number average molecular weight) was 1.86.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 33/33/33. This is Resin 1.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例2
NBHFAA13.58g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体21.1gを得た(収率91.4%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は18200、分散度(Mw/Mn)は2.20であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=42.5/28.75/28.75であった。これを樹脂2とする。
Synthesis example 2
NBHFAA 13.58 g, HEMA 3.51 g, AdOHA 6.0 g, and 0.7 g of azobisisoacetate dimethyl as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 21.1 g of a white solid (yield 91.4%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 18200, and dispersity (Mw / Mn) was 2.20. When confirmed with carbon NMR, composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 42.5 / 28.75 / 28.75. This is Resin 2.

・合成例3
NBHFAA17.58g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.87gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体23.9gを得た(収率88.2%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は17400、分散度(Mw/Mn)は2.40であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=49/25.5/25.5であった。これを樹脂3とする。
Synthesis example 3
NBHFAA 17.58 g, HEMA 3.51 g, AdOHA 6.0 g, and azobisisoacetate dimethyl 0.87 g were dissolved in THF (tetrahydrofuran) 200 ml. Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 23.9 g of a white solid (yield 88.2%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 17400, and dispersity (Mw / Mn) was 2.40. When confirmed with carbon NMR, composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 49 / 25.5 / 25.5. This is designated as resin 3.

・合成例4
NBHFAA13.58g、HEMA1.76g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.6gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体18.8gを得た(収率88.0%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は5900、分散度(Mw/Mn)は1.98であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=50/17/33であった。これを樹脂4とする。
Synthesis example 4
13.58 g of NBHFAA, 1.76 g of HEMA, and 6.0 g of AdOHA and 0.6 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 18.8 g of a white solid (yield 88.0%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 5900, and dispersity (Mw / Mn) was 1.98. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 50/17/33. This is designated as Resin 4.

・合成例5
NBHFAA13.58g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.5gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体14.1gを得た(収率72.0%)。
得られた樹脂の化学式は化学式(5)である。その質量平均分子量(Mw)は4000、分散度(Mw/Mn)は1.59であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/n=60/40であった。これを樹脂5とする(分解点:293℃、Tg:105℃)。
Synthesis example 5
13.58 g of NBHFAA and 6.0 g of AdOHA, and 0.5 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 14.1 g of a white solid (yield 72.0%).
The chemical formula of the obtained resin is chemical formula (5). The mass average molecular weight (Mw) was 4000, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.59. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / n = 60/40. This is designated as resin 5 (decomposition point: 293 ° C., Tg: 105 ° C.).

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例6
NBHFAA13.3g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。
得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体19.8gを得た(収率86.8%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は5500、分散度(Mw/Mn)は1.90であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=39.9/29.4/30.7であった。これを樹脂6とする。また、プロトン核磁気共鳴スペクトル(H−NMR)及び赤外吸収スペクトル(IR)の結果は以下の通りであった。
IR(cm-1):3350(−OH)、2951(-CH2CH3-)、1730(C=O)、1456(
-CH2-)、1072(C-OH)
1H−NMR(DMSO−d、内部標準:テトラメチルシラン)ppm:1〜2.3(
m、36H)、3.5(s、2H)、3.9(s、2H)、4.4〜4.8(m、3H)
、7.7(d、1H)
分解点:225℃
Tg:102℃
Synthesis example 6
13.3 g of NBHFAA, 3.51 g of HEMA, and 6.0 g of AdOHA, and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration.
The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 19.8 g of a white solid (yield 86.8%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). The mass mean molecular weight (Mw) was 5500, and dispersion degree (Mw / Mn) was 1.90. When confirmed with carbon NMR, composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 39.9 / 29.4 / 30.7. This is designated as Resin 6. The results of proton nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 H-NMR) and infrared absorption spectrum (IR) were as follows.
IR (cm −1 ): 3350 (—OH), 2951 (—CH 2 CH 3 —), 1730 (C═O), 1456 (
-CH 2- ), 1072 (C-OH)
1 H-NMR (DMSO-d 6 , internal standard: tetramethylsilane) ppm: 1 to 2.3 (
m, 36H), 3.5 (s, 2H), 3.9 (s, 2H), 4.4 to 4.8 (m, 3H)
7.7 (d, 1H)
Decomposition point: 225 ° C
Tg: 102 ° C

・合成例7
NBHFAA7.87g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.58gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体14.9gを得た(収率85.7%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は6500、分散度(Mw/Mn)は2.23であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=30/35/35であった。これを樹脂7とする。
Synthesis example 7
NBHFAA 7.87 g, HEMA 3.51 g and AdOHA 6.0 g, and azobisisoacetate dimethyl 0.58 g as a polymerization initiator were dissolved in THF (tetrahydrofuran) 200 ml. Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 14.9 g of a white solid (yield 85.7%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 6500, and dispersity (Mw / Mn) was 2.23. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 30/35/35. This is designated as Resin 7.

・合成例8
NBHFAA13.3g、RHMA−E3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体21.0gを得た(収率92.0%)。
得られた樹脂の化学式は下記化学式(6)である。その質量平均分子量(Mw)は5570、分散度(Mw/Mn)は2.02であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=35.8/26.3/37.9であった。これを樹脂8とする。
また、プロトン核磁気共鳴スペクトル(H−NMR)及び赤外吸収スペクトル(IR)の結果は以下の通りであった。
IR(cm-1):3388(−OH)、2948(-CH2CH3-)、1730(C=O)、1452(-CH2-)、1052(C-OH)
1H−NMR(DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)ppm:1〜2.3(m、36H)、3.5(Broad、2H)、4.0(s、2H)、4.4〜4.8(d、3H)、7.7(d、1H)
分解点:238℃
Tg:94℃
Synthesis example 8
13.3 g of NBHFAA, 3.51 g of RHMA-E and 6.0 g of AdOHA, and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 21.0 g of a white solid (yield 92.0%).
The chemical formula of the obtained resin is the following chemical formula (6). Its mass average molecular weight (Mw) was 5570 and dispersity (Mw / Mn) was 2.02. When confirmed with carbon NMR, composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 35.8 / 26.3 / 37.9. This is designated as Resin 8.
The results of proton nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 H-NMR) and infrared absorption spectrum (IR) were as follows.
IR (cm −1 ): 3388 (—OH), 2948 (—CH 2 CH 3 —), 1730 (C═O), 1452 (—CH 2 —), 1052 (C—OH)
1 H-NMR (DMSO, internal standard: tetramethylsilane) ppm: 1 to 2.3 (m, 36H), 3.5 (Broad, 2H), 4.0 (s, 2H), 4.4 to 4 .8 (d, 3H), 7.7 (d, 1H)
Decomposition point: 238 ° C
Tg: 94 ° C

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例9
NBHFAA9.50g、HEMA1.21g、及びAdOHA2.07gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.35gとをTHF(テトラヒドロフラン)100mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF60mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体11.5gを得た(収率90.0%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は6600、分散度(Mw/Mn)は2.15であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=60/20/20であった。これを樹脂9とする。
Synthesis example 9
9.50 g of NBHFAA, 1.21 g of HEMA, and 2.07 g of AdOHA, and 0.35 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 100 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 60 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 11.5 g of a white solid (yield 90.0%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 6600, and dispersity (Mw / Mn) was 2.15. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 60/20/20. This is designated as resin 9.

・合成例10
NBHFAA12.66g、HEMA0.6g、及びAdOHA1.03gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.35gとをTHF(テトラヒドロフラン)100mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF60mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体10.63gを得た(収率74.3%)。
得られた樹脂の化学式は上記化学式(4)と同様である。その質量平均分子量(Mw)は6100、分散度(Mw/Mn)は1.52であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=80/10/10であった。これを樹脂10とする。
Synthesis example 10
12.66 g of NBHFAA, 0.6 g of HEMA, and 1.03 g of AdOHA, and 0.35 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 100 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 60 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 10.63 g of a white solid (yield 74.3%).
The chemical formula of the obtained resin is the same as the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 6100, and dispersity (Mw / Mn) was 1.52. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 80/10/10. This is designated as resin 10.

・合成例11
NBHFAA30.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.70gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。 次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をジオキサン120mlに溶解し、純水4800mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体10.64gを得た(収率53.2%)。
得られた樹脂の化学式は下記化学式(7)の通りである。その質量平均分子量(Mw)
は3800、分散度(Mw/Mn)は1.37であった。これを樹脂11とする。
Synthesis example 11
30.0 g of NBHFAA and 0.70 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of dioxane, and poured into 4800 ml of pure water to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 10.64 g of a white solid (yield 53.2%).
The chemical formula of the obtained resin is as the following chemical formula (7). Its mass average molecular weight (Mw)
Was 3800, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.37. This is designated as resin 11.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例12
メタクリル酸2.73gとRHMA−E16.5gと重合開始剤であるアゾビスイソブチロニトリルを1.0gとをTHF(テトラヒドロフラン)300mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF150mlに溶解し、ヘプタン850mlとイソプロピルアルコール150mlとの混合溶剤に注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体11.75gを得た(収率63.2%)。
得られた樹脂の化学式は下記化学式(8)の通りである。その質量平均分子量(Mw)は9700、分散度(Mw/Mn)は1.76であった。これを樹脂12とする。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はm/n=20/80であった。
Synthesis example 12
2.73 g of methacrylic acid, 16.5 g of RHMA-E and 1.0 g of azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator were dissolved in 300 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 150 ml of THF and poured into a mixed solvent of 850 ml of heptane and 150 ml of isopropyl alcohol to precipitate a resin and filtered. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 11.75 g of a white solid (yield 63.2%).
The chemical formula of the obtained resin is as the following chemical formula (8). Its mass average molecular weight (Mw) was 9700, and dispersity (Mw / Mn) was 1.76. This is designated as resin 12.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was m / n = 20/80.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

合成例1〜12で得られた樹脂の組成(モル%)、質量平均分子量、分散度をまとめて表1に示した。   The compositions (mol%), mass average molecular weights, and dispersities of the resins obtained in Synthesis Examples 1 to 12 are collectively shown in Table 1.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

[レジスト組成物の製造]
表2に記載の材料を混合して、各実施例、比較例のネガ型レジスト組成物を製造した。なお、溶剤使用量はレジスト固形分濃度が約8質量%となるように調節した。
[Production of resist composition]
The negative resist composition of each Example and the comparative example was manufactured by mixing the material of Table 2. The amount of solvent used was adjusted so that the resist solid concentration was about 8% by mass.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

[評価]
実施例、比較例のレジスト組成物は以下の様にして評価した。
有機系反射防止膜組成物「AR−19」(商品名、シップレー社製)を、スピンナーを用いて8インチシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、表3に示す膜厚の有機系反射防止膜を形成した。
そして、ネガ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で表3に示す条件でプレベーク(PAB)し、乾燥することにより、表3に示す膜厚のレジスト層を形成した。
ついで、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクパターン(バイナリー)を介して選択的に照射した。
そして、表3に示す条件でPEB処理し、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間パドル現像し、その後20秒間水洗して乾燥してレジストパターンを形成した。
[Evaluation]
The resist compositions of Examples and Comparative Examples were evaluated as follows.
An organic antireflection coating composition “AR-19” (trade name, manufactured by Shipley) is applied onto an 8-inch silicon wafer using a spinner, and baked on a hot plate at 215 ° C. for 60 seconds to dry. Thus, an organic antireflection film having a film thickness shown in Table 3 was formed.
Then, the negative resist composition is applied onto the antireflection film using a spinner, pre-baked (PAB) on the hot plate under the conditions shown in Table 3, and dried to obtain resists having the thicknesses shown in Table 3. A layer was formed.
Next, an ArF excimer laser (193 nm) is selectively passed through a mask pattern (binary) using an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 0.60, 2/3 ring zone). Irradiated.
Then, PEB treatment was performed under the conditions shown in Table 3, followed by paddle development with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 60 seconds, followed by washing with water for 20 seconds and drying to form a resist pattern.

このとき、実施例については140nmのラインアンドスペースパターン(L&SまたはLSと示す)において、ラインとスペースの幅が1:1で形成される露光量(感度)を求めた。比較例については160nmのラインアンドスペースパターン(L&S)において、ラインとスペースの幅が1:1で形成される露光量(感度)を求めた。
そして、L&Sパターンのサイズを変更してこの露光量で解像できる限界解像度(解像性評価)を求めた。
さらに走査型電子顕微鏡で、パターンの断面形状を観察し、膨潤について評価した。
結果を表4に示した。
At this time, the exposure amount (sensitivity) formed with a line and space width of 1: 1 in a 140 nm line and space pattern (shown as L & S or LS) was determined. For the comparative example, the exposure amount (sensitivity) formed with a line and space width of 1: 1 in a 160 nm line and space pattern (L & S) was determined.
Then, the resolution of the L & S pattern was changed to obtain a limit resolution (resolution evaluation) that can be resolved with this exposure amount.
Furthermore, the cross-sectional shape of the pattern was observed with a scanning electron microscope, and the swelling was evaluated.
The results are shown in Table 4.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

Figure 2005336452
Figure 2005336452

表4に示した結果より、本発明に係る実施例では、膨潤を抑制し、かつ微細なレジスト
パターンを形成できることが確認できた。
From the results shown in Table 4, it was confirmed that in the examples according to the present invention, swelling can be suppressed and a fine resist pattern can be formed.

・合成例13
NBHFAA13.3g、RHMA−M3.13g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF120mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体14.9gを得た(収率66.5%)。
得られた樹脂の化学式は下記化学式(9)である。その質量平均分子量(Mw)は6300、分散度(Mw/Mn)は1.83であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=42/29/29であった。これを樹脂13とする。
Synthesis example 13
NBHFAA 13.3 g, RHMA-M 3.13 g, and AdOHA 6.0 g, and 0.7 g of azobisisoacetate dimethyl as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 120 ml of THF, and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 14.9 g of a white solid (yield 66.5%).
The chemical formula of the obtained resin is the following chemical formula (9). Its mass average molecular weight (Mw) was 6300, and dispersity (Mw / Mn) was 1.83. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 42/29/29. This is designated as resin 13.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例14
NBHFAA13.3g、HEMA3.51g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF150mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。次に、析出した樹脂を取り出し、THF150mlに溶解した後、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体19.8gを得た(収率86.8%)。
得られた樹脂は前記化学式(4)で示す。その質量平均分子量(Mw)は7500、分散度(Mw/Mn)は2.15であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=42/42/29であった。これを樹脂14とする。
Synthesis example 14
13.3 g of NBHFAA, 3.51 g of HEMA, and 6.0 g of AdOHA, and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 150 ml of THF and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. Next, the precipitated resin was taken out, dissolved in 150 ml of THF, and then poured into 2000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 19.8 g of a white solid (yield 86.8%).
The obtained resin is represented by the chemical formula (4). The mass mean molecular weight (Mw) was 7500, and dispersion degree (Mw / Mn) was 2.15.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 42/42/29. This is referred to as Resin 14.

・合成例15
NBHFAA13.3g、HEMA2.54g、及びAdOHA4.34gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF150mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。次に、析出した樹脂を取り出し、THF150mlに溶解した後、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体14.9gを得た(収率73.8%)。
得られた樹脂は前記化学式(4)で示す。その質量平均分子量(Mw)は6500、分散度(Mw/Mn)は1.92であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=50/25/25であった。これを樹脂15とする。
Synthesis example 15
13.3 g of NBHFAA, 2.54 g of HEMA, and 4.34 g of AdOHA and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 150 ml of THF and poured into 1000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. Next, the precipitated resin was taken out, dissolved in 150 ml of THF, and then poured into 2000 ml of heptane to precipitate the resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 14.9 g of a white solid (yield 73.8%).
The obtained resin is represented by the chemical formula (4). Its mass average molecular weight (Mw) was 6500, and dispersity (Mw / Mn) was 1.92.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 50/25/25. This is designated as resin 15.

・合成例16
NBHFAA9.19g、及びAdOHA6.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.5gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF100mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて白色固体11.4gを得た(収率75.0%)。
得られた樹脂の化学式は前記化学式(5)である。その質量平均分子量(Mw)は3100、分散度(Mw/Mn)は1.68であった。カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/n=60/40であった。これを樹脂16とする。
Synthesis Example 16
9.19 g of NBHFAA and 6.0 g of AdOHA and 0.5 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 100 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 11.4 g of a white solid (yield 75.0%).
The chemical formula of the obtained resin is the chemical formula (5). The mass mean molecular weight (Mw) was 3100, and dispersion degree (Mw / Mn) was 1.68. When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / n = 60/40. This is designated as resin 16.

・合成例17
NBHFAA12.25g、HEMA2.34g、AdOHA6.0g、及びGBLA1.40gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF200mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体10.9gを得た(収率49.6%)。
得られた樹脂は前下記化学式(10)で示す。その質量平均分子量(Mw)は6000、分散度(Mw/Mn)は2.23であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n/o=40/20/30/10であった。これを樹脂17とする。
Synthesis Example 17
NBHFAA 12.25 g, HEMA 2.34 g, AdOHA 6.0 g, and GBLA 1.40 g and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 200 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 10.9 g of a white solid (yield 49.6%).
The obtained resin is represented by the following chemical formula (10). Its mass average molecular weight (Mw) was 6000, and dispersity (Mw / Mn) was 2.23.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n / o = 40/20/30/10. This is designated as resin 17.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例18
NBHFAA12.25g、HEMA2.34g、AdOHA6.0g、及びNBLA2.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF200mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.9gを得た(収率61.5%)。
得られた樹脂は下記化学式(11)で示す。その質量平均分子量(Mw)は5600、分散度(Mw/Mn)は2.24であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n/o=40/20/30/10であった。これを樹脂18とする。
Synthesis Example 18
NBHFAA 12.25 g, HEMA 2.34 g, AdOHA 6.0 g, and NBLA 2.0 g and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 200 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 13.9 g of a white solid (yield 61.5%).
The obtained resin is represented by the following chemical formula (11). Its mass average molecular weight (Mw) was 5600, and dispersity (Mw / Mn) was 2.24.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n / o = 40/20/30/10. This is designated as resin 18.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例19
NBHFAA9.19g、AdOHA6.0g、及びNBLA1.33gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF200mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.3gを得た(収率80.5%)。
得られた樹脂は下記化学式(12)で示す。その質量平均分子量(Mw)は3100、分散度(Mw/Mn)は1.77であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=45/45/10であった。これを樹脂19とする。
Synthesis Example 19
9.19 g of NBHFAA, 6.0 g of AdOHA, and 1.33 g of NBLA and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 200 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 13.3 g of a white solid (yield 80.5%).
The obtained resin is represented by the following chemical formula (12). Its mass average molecular weight (Mw) was 3100, and dispersity (Mw / Mn) was 1.77.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 45/45/10. This is designated as resin 19.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

・合成例20
NBHFAA9.19g、AdOHA6.0g、及びGBLA0.93gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチルを0.7gとをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF200mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体12.4gを得た(収率76.9%)。
得られた樹脂は下記化学式(13)で示す。その質量平均分子量(Mw)は3000、分散度(Mw/Mn)は1.83であった。
カーボンNMRにより確認したところ、組成比(モル%)はl/m/n=45/45/10であった。これを樹脂20とする。
Synthesis example 20
9.19 g of NBHFAA, 6.0 g of AdOHA, and 0.93 g of GBLA and 0.7 g of dimethyl azobisisoacetate as a polymerization initiator were dissolved in 200 ml of THF (tetrahydrofuran). Nitrogen bubbling was performed for about 10 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while heating using an oil bath at 70 ° C., and then cooled to room temperature. Next, after concentrating the reaction solution with an evaporator, the concentrated solution was dissolved in 200 ml of THF, and poured into 2000 ml of heptane to precipitate a resin, followed by filtration. The obtained resin was dried in a dryer at 40 ° C. for 24 hours to obtain 12.4 g of a white solid (yield 76.9%).
The obtained resin is represented by the following chemical formula (13). Its mass average molecular weight (Mw) was 3000, and dispersity (Mw / Mn) was 1.83.
When confirmed by carbon NMR, the composition ratio (mol%) was 1 / m / n = 45/45/10. This is designated as resin 20.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

合成例13〜20で得られた樹脂の組成(モル%)、質量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)をまとめて表5に示した。   Table 5 shows the compositions (mol%), mass average molecular weights (Mw), and dispersities (Mw / Mn) of the resins obtained in Synthesis Examples 13 to 20.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

[レジスト組成物の製造]
表6に記載の材料を混合して、各実施例、比較例のネガ型レジスト組成物を製造した。
[Production of resist composition]
The negative resist composition of each Example and the comparative example was manufactured by mixing the material of Table 6.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

[評価]
レジストパターン形成時の条件を下記表7に示す条件に変更したこと以外は、前記実施例と同様にして、解像性、パターン形状、感度について評価した。その結果を表8に示した。
[Evaluation]
The resolution, pattern shape, and sensitivity were evaluated in the same manner as in the above example except that the conditions at the time of resist pattern formation were changed to the conditions shown in Table 7 below. The results are shown in Table 8.

Figure 2005336452
Figure 2005336452

Figure 2005336452
Figure 2005336452

表8に示した結果より、本発明に係る実施例では、膨潤を抑制し、かつ微細なレジストパターンを形成できることが確認できた。   From the results shown in Table 8, it was confirmed that in the examples according to the present invention, swelling can be suppressed and a fine resist pattern can be formed.

Claims (26)

フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位(a2)とを有することを特徴とするレジスト組成物用樹脂。   A structural unit (a1) containing an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group, a structural unit derived from an acrylate ester, and a structural unit (a2) containing a hydroxyl group-containing alicyclic group; Resin for resist composition characterized by having. 請求項1に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a1)が、下記一般式(1)で表されるレジスト組成物用樹脂。
Figure 2005336452
(式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基またはフッ素原子であり、m、n、pはそれぞれ独立して1〜5の整数である。)
Resin for resist compositions of Claim 1 WHEREIN: Resin for resist compositions whose structural unit (a1) is represented by following General formula (1).
Figure 2005336452
(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorine atom, and m, n and p are each independently an integer of 1 to 5).
請求項1または2に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a2)の脂環式基の炭素数が5〜15であるレジスト組成物用樹脂。  Resin for resist compositions of Claim 1 or 2 WHEREIN: Resin for resist compositions whose carbon number of the alicyclic group of a structural unit (a2) is 5-15. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a2)が下記一般式(2)で表されるレジスト組成物用樹脂。
Figure 2005336452
(Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基またはフッ素原子であり、qは1〜3の整数である。)
Resin for resist compositions as described in any one of Claims 1-3 WHEREIN: Resin for resist compositions whose structural unit (a2) is represented by following General formula (2).
Figure 2005336452
(R is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorine atom, and q is an integer of 1 to 3.)
請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a1)の割合が20〜80モル%、構成単位(a2)の割合が20〜80モル%であるレジスト組成物用樹脂。   The resin for resist compositions according to any one of claims 1 to 4, wherein the proportion of the structural unit (a1) is 20 to 80 mol% and the proportion of the structural unit (a2) is 20 to 80 mol%. Resin for composition. 請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、さらに、アクリル酸から誘導され、かつ環式構造を有しない構成単位であって、側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位(a3)を有するレジスト組成物用樹脂。   The resin for a resist composition according to any one of claims 1 to 5, further comprising a structural unit derived from acrylic acid and having no cyclic structure, the side chain having an alcoholic hydroxyl group. Resin for resist composition which has a unit (a3). 請求項6に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a3)が、下記一般式(3)で表されるレジスト組成物用樹脂。
Figure 2005336452
(式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、フッ素原子またはヒドロキシアルキル基であり、Rは、水素原子、アルキル基、またはヒドロキシアルキル基であり、かつR、Rの少なくとも一方はヒドロキシアルキル基である。)
Resin for resist compositions of Claim 6 WHEREIN: Resin for resist compositions whose structural unit (a3) is represented by following General formula (3).
Figure 2005336452
Wherein R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, a fluorine atom or a hydroxyalkyl group, R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group or a hydroxyalkyl group, and R 1 , R 2 At least one of them is a hydroxyalkyl group.)
請求項6または7に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a3)が、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステルから誘導される構成単位を含むレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions of Claim 6 or 7 WHEREIN: Resin for resist compositions in which a structural unit (a3) contains the structural unit induced | guided | derived from alpha- (hydroxyalkyl) acrylic acid alkylester. 請求項6〜8のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a3)が、(α−アルキル)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルから誘導される構成単位を含むレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions as described in any one of Claims 6-8 WHEREIN: Resin for resist compositions in which a structural unit (a3) contains the structural unit induced | guided | derived from the ((alpha) -alkyl) acrylic acid hydroxyalkyl ester. . 請求項6〜9のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a1)の割合が20〜80モル%、構成単位(a2)の割合が10〜70モル%、構成単位(a3)の割合が10〜70モル%であるレジスト組成物用樹脂。   The resin for a resist composition according to any one of claims 6 to 9, wherein the proportion of the structural unit (a1) is 20 to 80 mol%, the proportion of the structural unit (a2) is 10 to 70 mol%, and the structural unit. Resin for resist composition whose ratio of (a3) is 10-70 mol%. 請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、ラクトン含有単環または多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)を有するレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions as described in any one of Claims 1-5 WHEREIN: Resin for resist compositions which has the structural unit (a4) induced | guided | derived from the acrylate ester containing a lactone containing monocyclic or polycyclic group . 請求項11に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a4)が、ノルボルナンラクトンを含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を含むレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions of Claim 11 WHEREIN: Resin for resist compositions in which a structural unit (a4) contains the structural unit induced | guided | derived from the acrylate ester containing norbornane lactone. 請求項11または12に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a1)の割合が20〜80モル%、構成単位(a2)の割合が10〜70モル%、構成単位(a4)の割合が10〜70モル%であるレジスト組成物用樹脂。   The resin for a resist composition according to claim 11 or 12, wherein the proportion of the structural unit (a1) is 20 to 80 mol%, the proportion of the structural unit (a2) is 10 to 70 mol%, and the proportion of the structural unit (a4). Resin for resist composition whose is 10-70 mol%. 請求項6〜10のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、ラクトン含有単環または多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)を有するレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions as described in any one of Claims 6-10 WHEREIN: Resin for resist compositions which has the structural unit (a4) induced | guided | derived from the acrylate ester containing a lactone containing monocyclic or polycyclic group . 請求項14に記載のレジスト組成物用樹脂において、前記構成単位(a4)が、ノルボルナンラクトンを含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を含むレジスト組成物用樹脂。   Resin for resist compositions of Claim 14 WHEREIN: Resin for resist compositions in which the said structural unit (a4) contains the structural unit induced | guided | derived from the acrylate ester containing norbornane lactone. 請求項14または15に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a1)の割合が10〜85モル%、構成単位(a2)の割合が10〜80モル%、構成単位(a3)の割合が4〜70モル%、構成単位(a4)の割合が1〜70モル%であるレジスト組成物用樹脂。   The resin for a resist composition according to claim 14 or 15, wherein the proportion of the structural unit (a1) is 10 to 85 mol%, the proportion of the structural unit (a2) is 10 to 80 mol%, and the proportion of the structural unit (a3). Is a resin for a resist composition in which the proportion of the structural unit (a4) is 1 to 70 mol%. 請求項11〜16のいずれか1項に記載のレジスト組成物用樹脂において、構成単位(a4)は、α位に水素原子が結合している構成単位であるレジスト組成物用樹脂。   The resin for resist compositions according to any one of claims 11 to 16, wherein the structural unit (a4) is a structural unit in which a hydrogen atom is bonded to the α-position. 請求項2〜17のいずれか1項に記載のレジスト組成物用樹脂において、一般式(1)中のRが水素原子であるレジスト組成物用樹脂。     Resin for resist compositions of any one of Claims 2-17 WHEREIN: Resin for resist compositions whose R in General formula (1) is a hydrogen atom. 請求項1〜18のいずれか1項に記載のレジスト組成物用樹脂において、
構成単位(a2)は、α位に水素原子が結合している構成単位であるレジスト組成物用樹脂。
In the resin for resist compositions according to any one of claims 1 to 18,
The structural unit (a2) is a resin for a resist composition, which is a structural unit in which a hydrogen atom is bonded to the α-position.
請求項1〜19のいずれか一項に記載のレジスト組成物用樹脂において、質量平均分子量が2000〜30000の範囲であるレジスト組成物用樹脂。    Resin for resist compositions as described in any one of Claims 1-19 WHEREIN: Resin for resist compositions whose mass mean molecular weight is the range of 2000-30000. (A)請求項1〜20のいずれかに記載のレジスト組成物用樹脂、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分、および(C)架橋剤成分を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。   A negative containing the resin for a resist composition according to any one of claims 1 to 20, (B) an acid generator component that generates an acid upon exposure, and (C) a crosslinking agent component. Type resist composition. 請求項21に記載のネガ型レジスト組成物において、(B)成分が、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩であるネガ型レジスト組成物。   The negative resist composition according to claim 21, wherein the component (B) is an onium salt having a fluorinated alkyl sulfonate ion as an anion. 請求項21または22に記載のネガ型レジスト組成物において、(C)成分が、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、エチレン尿素系架橋剤、及びグリコールウリル系架橋剤から選ばれる少なくとも1種であるネガ型レジスト組成物。   The negative resist composition according to claim 21 or 22, wherein the component (C) is at least one selected from melamine-based crosslinking agents, urea-based crosslinking agents, ethyleneurea-based crosslinking agents, and glycoluril-based crosslinking agents. A negative resist composition. 請求項21〜23のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物において、さらに含窒素有機化合物を含有するネガ型レジスト組成物。   The negative resist composition according to any one of claims 21 to 23, further comprising a nitrogen-containing organic compound. 請求項21〜24のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物において、露光光源としてArFエキシマレーザーを用いるプロセス用であるネガ型レジスト組成物。   The negative resist composition according to any one of claims 21 to 24, wherein the negative resist composition is for a process using an ArF excimer laser as an exposure light source. 請求項21〜25のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プリべークし、選択的に露光した後、PEB(露光後加熱)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。

A negative resist composition according to any one of claims 21 to 25 is applied on a substrate, pre-baked, selectively exposed, subjected to PEB (post-exposure heating), and alkali-developed. And forming a resist pattern.

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