JP2005243428A - Manufacturing method of electroluminescent display panel - Google Patents

Manufacturing method of electroluminescent display panel Download PDF

Info

Publication number
JP2005243428A
JP2005243428A JP2004051594A JP2004051594A JP2005243428A JP 2005243428 A JP2005243428 A JP 2005243428A JP 2004051594 A JP2004051594 A JP 2004051594A JP 2004051594 A JP2004051594 A JP 2004051594A JP 2005243428 A JP2005243428 A JP 2005243428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
upper electrode
protective film
electrode
ions
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004051594A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadahisa Toyama
忠久 当山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP2004051594A priority Critical patent/JP2005243428A/en
Publication of JP2005243428A publication Critical patent/JP2005243428A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress damages of a pixel electrode in manufacturing a display panel using electroluminescence. <P>SOLUTION: Patterning is applied to color filters 3R, 3G, 3B in a lattice shape on a transparent substrate 2, the lower part electrode 4 is film-formed on the color filters 3R, 3G, 3B, an electroluminescent layer 5 is film-formed on the lower part electrode 4, the upper part electrode 6 is film-formed on the electroluminescent layer 5, and a conductive protection film 7 is film-formed on the upper part electrode 6. Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8. A conductive spacer 14 is pinched between obtained electroluminescent element array substrate 1 and a transistor array substrate 10, and the electroluminescent element array substrate 1 is pasted to the transistor array substrate 10. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、自発光するエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence)素子を用いたエレクトロルミネッセンス表示パネルを製造する方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescence display panel using an electroluminescence element that emits light.

自発光するエレクトロルミネッセンス素子は表示装置に用いられている。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子はアノード、エレクトロルミネッセンス層、カソードの順に積層された積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されるとエレクトロルミネッセンス層において発光する。このような有機エレクトロルミネッセンス素子を画素として基板上にマトリクス状に配列して、各有機エレクトロルミネッセンス素子を所定の階調輝度で発光させることによって画像表示を行うエレクトロルミネッセンス表示パネルが実現化されている。   Self-luminous electroluminescent elements are used in display devices. In particular, the organic electroluminescence element has a laminated structure in which an anode, an electroluminescence layer, and a cathode are laminated in this order. When a forward bias voltage is applied between the anode and the cathode, light is emitted from the electroluminescence layer. An electroluminescence display panel that displays images by arranging such organic electroluminescence elements as pixels in a matrix on a substrate and causing each organic electroluminescence element to emit light at a predetermined gradation luminance is realized. .

エレクトロルミネッセンス表示パネルでは、アノード又はカソードのうち、少なくとも一方の電極をパターニングする必要がある。このとき、カソードは、電子注入性のために仕事関数が低い材料から選択されているため、フォトリソグラフィではエッチャントによって酸化されてしまうために利用困難である。このため、カソードをパターニングする場合はメタルマスクを用いて蒸着していたが高精細に形成することができない。
また発光領域をカソードのパターニング以外で行う方法として、基板に成膜された発光層上にマスクを配置させてから紫外線を照射してマスクのスリットから入射された発光層の発光性を失わせてマスクで遮光された領域にパターニングするものがある(例えば、特許文献1参照。)。
特開平4−255692号公報
In the electroluminescence display panel, it is necessary to pattern at least one of the anode and the cathode. At this time, since the cathode is selected from a material having a low work function for electron injection, it is difficult to use the cathode because it is oxidized by the etchant in photolithography. For this reason, in the case of patterning the cathode, vapor deposition was performed using a metal mask, but it cannot be formed with high definition.
Also, as a method of performing the light emitting region other than the patterning of the cathode, a light emitting layer incident on the slit of the mask is lost by irradiating ultraviolet rays after placing a mask on the light emitting layer formed on the substrate. Some patterning is performed on an area shielded by a mask (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 4-255692

しかしながら、上記紫外線のパターニングは、フォトリソグラフィ以外のマスクによって行われているため高精細にパターニングできなかった。   However, since the patterning of the ultraviolet rays is performed using a mask other than photolithography, it cannot be patterned with high definition.

そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、エレクトロルミネッセンスを用いた表示パネルを製造するに際して、高精細な画素にパターニングすることを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to pattern high-definition pixels when manufacturing a display panel using electroluminescence.

以上の課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法は、基板上に形成された下部電極上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッセンス層成膜工程と、前記エレクトロルミネッセンス層上に上部電極を成膜する上部電極成膜工程と、前記上部電極に対して所定パターンでイオンをドープするイオンドープ工程と、を含む。   In order to solve the above problems, an electroluminescent display panel manufacturing method of the present invention includes an electroluminescent layer forming step of forming an electroluminescent layer on a lower electrode formed on a substrate, and the electroluminescent layer. An upper electrode film forming step for forming an upper electrode on the upper electrode and an ion doping step for doping ions in a predetermined pattern with respect to the upper electrode are included.

以上のように、上部電極のうちイオンをドープした部分の導電性が低下し、イオンをドープしていない部分の導電性が維持される。そのため、エレクトロルミネッセンス層はイオンをドープした部分に重なった領域において発光し、イオンをドープしていない部分に重なった領域において発光しない。従って、上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。   As described above, the conductivity of the portion of the upper electrode doped with ions is lowered, and the conductivity of the portion not doped with ions is maintained. Therefore, the electroluminescence layer emits light in a region that overlaps with a portion doped with ions, and does not emit light in a region that overlaps with a portion not doped with ions. Therefore, the upper electrode can be patterned for each pixel.

好ましくは、前記基板として、二次元アレイ状に配列された複数色のカラーフィルタによって被覆された透明基板を用い、前記下部電極として、前記複数色のカラーフィルタ全体を被覆した透明電極を用い、前記イオンドープ工程では、前記複数色のカラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで前記上部電極に対してイオンをドープする。   Preferably, as the substrate, a transparent substrate covered with a plurality of color filters arranged in a two-dimensional array is used, and as the lower electrode, a transparent electrode covering the whole of the plurality of color filters is used, In the ion doping process, ions are doped into the upper electrode in a pattern corresponding to each of the color filters of the plurality of colors.

基板及び下部電極が透明であり、基板と下部電極との間にカラーフィルタが形成されているので、エレクトロルミネッセンス層で発した光は下部電極、カラーフィルタ及び基板を透過して、基板の反対面から出射する。
ここで、エレクトロルミネッセンス層はイオンをドープした部分に重なった領域において発光せず、イオンをドープしていない部分に重なった領域において発光する上、カラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで上部電極に対してイオンをドープするので、画素ごとにカラーフィルタを配置させたエレクトロルミネッセンス表示パネルを提供することができる。
また、下部電極及びエレクトロルミネッセンス層を画素ごとにパターニングしていないので、エレクトロルミネッセンス表示パネルを短時間且つ簡単に製造することができる。
Since the substrate and the lower electrode are transparent, and the color filter is formed between the substrate and the lower electrode, the light emitted from the electroluminescence layer passes through the lower electrode, the color filter and the substrate, and is opposite to the substrate. Emanates from.
Here, the electroluminescence layer does not emit light in the region overlapping the ion-doped portion, emits light in the region overlapping the non-ion-doped portion, and has a pattern corresponding to each of the color filters with respect to the upper electrode. Therefore, it is possible to provide an electroluminescence display panel in which a color filter is arranged for each pixel.
Moreover, since the lower electrode and the electroluminescence layer are not patterned for each pixel, the electroluminescence display panel can be manufactured in a short time and easily.

好ましくは、前記上部電極成膜工程と前記イオンドープ工程との間において、前記上部電極上に導電性保護膜を成膜する導電性保護膜成膜工程を更に含み、前記イオンドープ工程において、前記上部電極とともに前記導電性保護膜に対して所定パターンでイオンをドープする。   Preferably, the method further includes a conductive protective film forming step of forming a conductive protective film on the upper electrode between the upper electrode film forming step and the ion doping step. Along with the upper electrode, the conductive protective film is doped with ions in a predetermined pattern.

以上のように、上部電極上に導電性保護膜を成膜することによって、上部電極が劣化しやすくても上部電極を保護することができる。   As described above, by forming a conductive protective film on the upper electrode, the upper electrode can be protected even if the upper electrode is easily deteriorated.

好ましくは、前記イオンドープ工程では、前記上部電極上に複数のマスクを離間した状態に配置して、前記複数のマスクの間を通じて前記上部電極にイオンをドープする。   Preferably, in the ion doping step, a plurality of masks are arranged on the upper electrode so as to be spaced apart, and ions are doped into the upper electrode through the plurality of masks.

以上のように、上部電極のうちマスクに重なった部分にはイオンがドープされないので、導電性が維持され、上部電極のうちマスクに重なっていない部分にはイオンがドープされるので、導電性が低下する。従って、上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。   As described above, since the portion of the upper electrode that overlaps the mask is not doped with ions, the conductivity is maintained, and the portion of the upper electrode that does not overlap with the mask is doped with ions, so that the conductivity is reduced. descend. Therefore, the upper electrode can be patterned for each pixel.

好ましくは、前記複数のマスクを格子状に配置する。   Preferably, the plurality of masks are arranged in a grid pattern.

以上のように、マスクを格子状に配置することによって、画素が格子状に配列されたエレクトロルミネッセンス表示パネルを製造することができる。   As described above, an electroluminescence display panel in which pixels are arranged in a grid can be manufactured by arranging the masks in a grid.

本発明によれば、イオンを上部電極に部分的にドープすることによって、エッチャントを用いずに上部電極を画素ごとにパターニングすることができる。エッチャントを用いずに上部電極をパターニングしているので、上部電極のうちイオンをドープしていない部分がエッチャントにより損傷することなく高精細に画素をパターニングできる。   According to the present invention, the upper electrode can be patterned for each pixel without using an etchant by partially doping the upper electrode with ions. Since the upper electrode is patterned without using the etchant, the pixel can be patterned with high definition without damaging the portion of the upper electrode that is not doped with ions by the etchant.

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, although various technically preferable limitations for implementing the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples.

図1〜図7は、本発明を適用した実施形態におけるエレクトロルミネッセンス表示パネルの各工程を順に示したものである。なお、図1〜図7は何れも、透明基板2に直交する面に沿った断面図である。   FIGS. 1-7 shows in order each process of the electroluminescent display panel in embodiment to which this invention is applied. 1 to 7 are cross-sectional views along a plane orthogonal to the transparent substrate 2.

まず、図1に示すように、絶縁性の透明基板2を準備する。透明基板2は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、PMMA(ポリメタクリ酸メチル)、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料で板状又はシート状に形成されたものである。   First, as shown in FIG. 1, an insulating transparent substrate 2 is prepared. The transparent substrate 2 is formed in a plate shape or a sheet shape with a transparent material such as borosilicate glass, quartz glass, other glass, PMMA (polymethyl methacrylate), polycarbonate, and other resins.

透明基板2の一方の面に、赤のカラーフィルタ3R、緑のカラーフィルタ3G及び青のカラーフィルタ3Bを二次元アレイ状にパターニングする。例えば、透明基板2を平面視した場合、透明基板2の縦方向には同一色のカラーフィルタを一列に配列させ、透明基板2の横方向には赤、緑、青の順に繰り返すようにカラーフィルタを一列に配列させ、全体としてカラーフィルタ3R,3G,3Bを格子状にパターニングする。なお、カラーフィルタ3R,3G,3Bをデルタ配列やストライプ配列にパターニングしても良い。また互いに隣接する画素に対応するカラーフィルタ3R,3G,3B同士の間にブラックマスクを設けてもよい。   On one surface of the transparent substrate 2, a red color filter 3R, a green color filter 3G, and a blue color filter 3B are patterned in a two-dimensional array. For example, when the transparent substrate 2 is viewed in plan, color filters of the same color are arranged in a row in the vertical direction of the transparent substrate 2, and the color filters are repeated in the order of red, green, and blue in the horizontal direction of the transparent substrate 2. Are arranged in a row, and the color filters 3R, 3G, and 3B are patterned in a lattice shape as a whole. The color filters 3R, 3G, 3B may be patterned in a delta arrangement or a stripe arrangement. Further, a black mask may be provided between the color filters 3R, 3G, 3B corresponding to adjacent pixels.

次に、図2に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によってカラーフィルタ3R,3G,3B上に図示しない保護膜を介して下部電極4をべた一面に成膜し、透明な金属酸化物からなる下部電極4でカラーフィルタ3R,3G,3Bの全体を被覆する。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物(CTO))からなる膜を下部電極4として成膜する。ここで、下部電極4は、全ての画素に共通した電極であり、アノードとして機能する。   Next, as shown in FIG. 2, the lower electrode 4 is formed on the entire surface of the color filters 3R, 3G, and 3B through a protective film (not shown) by the PVD method, the CVD method, the sputtering method, and other vapor deposition methods. The entire color filters 3R, 3G, and 3B are covered with a lower electrode 4 made of a transparent metal oxide. Specifically, from indium oxide, zinc oxide or tin oxide or a mixture containing at least one of these (eg, tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide, cadmium-tin oxide (CTO)). This film is formed as the lower electrode 4. Here, the lower electrode 4 is an electrode common to all the pixels, and functions as an anode.

次に、図3に示すように、有機化合物である白色発光材料からなるエレクトロルミネッセンス層5を下部電極4上にべた一面に成膜する。ここで、エレクトロルミネッセンス層5の有機化合物が低分子有機化合物である場合には、蒸着法によりエレクトロルミネッセンス層5を成膜し、エレクトロルミネッセンス層5の有機化合物が高分子有機化合物である場合には、湿式塗布法(例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法(液滴吐出法))によりエレクトロルミネッセンス層5を成膜する。また、エレクトロルミネッセンス層5を積層構造(例えば、下部電極4から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造、下部電極4から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造)として形成する場合には、各層を順に成膜することによってエレクトロルミネッセンス層5を形成する。例えば、エレクトロルミネッセンス層5は、導電性高分子であるPEDOT(ポリチオフェン)及びドーパントであるPSS(ポリスチレンスルホン酸)からなる正孔注入層、ポリフルオレン系発光材料からなる狭義の発光層の順に積層した二層構造として形成する場合には、PEDOT及びPSSを含有した有機溶液を下部電極4上に塗布することによって正孔輸送層を成膜し、次に、ポリフルオレン系発光材料を含有した有機溶液を正孔輸送層上に塗布することによって狭義の発光層を成膜する。なお、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法ではインクジェット法よりもエレクトロルミネッセンス層5を短時間に成膜することができ、更にスピンコート法では蒸着法の場合よりも大きな透明基板2に対してエレクトロルミネッセンス層5を成膜することができる。   Next, as shown in FIG. 3, an electroluminescence layer 5 made of a white light emitting material that is an organic compound is formed on the entire surface of the lower electrode 4. Here, when the organic compound of the electroluminescent layer 5 is a low molecular organic compound, the electroluminescent layer 5 is formed by vapor deposition, and when the organic compound of the electroluminescent layer 5 is a high molecular organic compound. The electroluminescence layer 5 is formed by a wet coating method (for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, ink jet method (droplet discharge method)). In addition, the electroluminescent layer 5 has a laminated structure (for example, a hole transport layer, a narrowly-defined light emitting layer, a three-layer structure serving as an electron transport layer in order from the lower electrode 4, a hole transport layer, and a narrowly defined light-emitting layer sequentially from the lower electrode 4 In the case of forming the two-layer structure, the electroluminescent layer 5 is formed by sequentially forming each layer. For example, the electroluminescence layer 5 is laminated in the order of a hole injection layer made of PEDOT (polythiophene) which is a conductive polymer and PSS (polystyrene sulfonic acid) which is a dopant, and a light emitting layer in a narrow sense made of a polyfluorene-based light emitting material. In the case of forming a two-layer structure, a hole transport layer is formed by coating an organic solution containing PEDOT and PSS on the lower electrode 4, and then an organic solution containing a polyfluorene-based luminescent material. Is applied on the hole transport layer to form a light-emitting layer in a narrow sense. The spin coating method, the dip coating method, and the die coating method can form the electroluminescent layer 5 in a shorter time than the ink jet method, and the spin coating method can be applied to the transparent substrate 2 that is larger than the vapor deposition method. The electroluminescence layer 5 can be formed.

次に、図4に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によって、低仕事関数の材料からなる上部電極6をエレクトロルミネッセンス層5上にべた一面に成膜する。具体的には、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウムや希土類からなる金属又はこれらの金属を少なくとも一種を含む合金で形成されている。ここで、上部電極6はカソードとして機能する。以上のように、エレクトロルミネッセンス層5を成膜した後、エレクトロルミネッセンス層5をフォトリソグラフィ法によるエッチングを行うことなく上部電極6を成膜したので、エレクトロルミネッセンス層5が劣化しない。   Next, as shown in FIG. 4, an upper electrode 6 made of a material having a low work function is formed on the entire surface of the electroluminescence layer 5 by PVD, CVD, sputtering, or other vapor deposition methods. . Specifically, it is formed of a metal made of magnesium, calcium, lithium, barium or rare earth, or an alloy containing at least one of these metals. Here, the upper electrode 6 functions as a cathode. As described above, after the electroluminescence layer 5 is formed, the upper electrode 6 is formed without etching the electroluminescence layer 5 by the photolithography method, so that the electroluminescence layer 5 does not deteriorate.

次に、図5に示すように、PVD法、CVD法、スパッタリング法、その他の気相成長法によって、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン等の導電性高分子からなる導電性保護膜7を上部電極6上にべた一面に成膜する。以上のように、上部電極6を成膜した後、上部電極6をフォトリソグラフィ法によるエッチングを行うことなく導電性保護膜7を成膜したので、上部電極6が損傷しない。   Next, as shown in FIG. 5, a conductive protective film 7 made of a conductive polymer such as polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyphenylene vinylene, etc. A film is formed on the entire surface of the electrode 6. As described above, after the upper electrode 6 is formed, the conductive protective film 7 is formed without etching the upper electrode 6 by photolithography, so that the upper electrode 6 is not damaged.

次に、図6に示すように、感光性樹脂を導電性保護膜7上に塗布し、塗布した感光性樹脂を露光・現像すること(フォトレジスト法)によって、互いに離間配列した複数のレジストマスク8に感光性樹脂を形状加工する。特に、カラーフィルタ3R,3G,3Bに対応させた状態に複数のレジストマスク8を配置させるように、塗布した感光性樹脂を露光・現像する。カラーフィルタ3R,3G,3Bが格子状に配列されている場合には、レジストマスク8を格子状に配置させ、カラーフィルタ3R,3G,3B間の境界に対応させてレジストマスク8間の開口部8aを網目状に形成する。このようにレジストマスク8を形成するときには、導電性保護膜7が成膜されているので上部電極6の劣化を抑えることができる。   Next, as shown in FIG. 6, a plurality of resist masks arranged apart from each other by applying a photosensitive resin on the conductive protective film 7 and exposing and developing the applied photosensitive resin (photoresist method). 8 forms the photosensitive resin. In particular, the applied photosensitive resin is exposed and developed so that the plurality of resist masks 8 are arranged in a state corresponding to the color filters 3R, 3G, and 3B. In the case where the color filters 3R, 3G, 3B are arranged in a grid pattern, the resist mask 8 is arranged in a grid pattern, and an opening between the resist masks 8 corresponding to the boundary between the color filters 3R, 3G, 3B. 8a is formed in a mesh shape. Thus, when forming the resist mask 8, since the conductive protective film 7 is formed, deterioration of the upper electrode 6 can be suppressed.

次に、レジストマスク8で導電性保護膜7をマスキングした状態で、導電性保護膜7に対してイオンをドープする。導電性保護膜7はレジストマスク8によってマスクされているので、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われていない領域7a(開口部8aにおいて露出した領域)がドーピングしたイオンによって変質して高抵抗になる。一方、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われている領域7bにはイオンがドーピングされないので、導電性を維持する。更に、イオンは上部電極6にまで拡散し、上部電極6のうち平面視してレジストマスク8と重なっていない領域6aがイオンによって変質して電子注入性が低下し、平面視してレジストマスク8と重なる領域6bは電子注入性を維持する。   Next, the conductive protective film 7 is doped with ions while the conductive protective film 7 is masked with the resist mask 8. Since the conductive protective film 7 is masked by the resist mask 8, the region 7a (the region exposed in the opening 8a) of the conductive protective film 7 that is not covered with the resist mask 8 is altered by the doped ions. High resistance. On the other hand, since the region 7b covered with the resist mask 8 in the conductive protective film 7 is not doped with ions, the conductivity is maintained. Further, the ions diffuse to the upper electrode 6, and the region 6 a of the upper electrode 6 that does not overlap with the resist mask 8 in plan view is altered by the ions to deteriorate the electron injectability, and the resist mask 8 in plan view. The region 6b that overlaps maintains the electron injection property.

以上のように、上部電極6をイオンドープ法によって領域6aと領域6bに区分することによって、領域6bはカソードとしての機能を維持するが、領域6aはカソードとして機能しなくなり、これにより、上部電極6を画素ごとに分割することができる。導電性保護膜7もイオンドープ法によって領域7aと領域7bに区分され、領域7bは導電性を維持するが、領域7aは高抵抗になる。   As described above, by dividing the upper electrode 6 into the region 6a and the region 6b by the ion doping method, the region 6b maintains the function as a cathode, but the region 6a does not function as a cathode. 6 can be divided for each pixel. The conductive protective film 7 is also divided into a region 7a and a region 7b by ion doping, and the region 7b maintains conductivity, but the region 7a has a high resistance.

また、イオンを導電性保護膜7にドープする代わりに、エキシマレーザー等のレーザーを用いても良い。すなわち、レジストマスク8で導電性保護膜7をマスキングした状態で導電性保護膜7及び上部電極6に対してレーザーを照射することによって、導電性保護膜7のうちレジストマスク8に覆われていない領域7aが溶融し、更に、上部電極6のうち平面視してレジストマスク8と重なっていない領域6aが溶融する。領域6a及び領域7aの溶融により、導電性保護膜7及び上部電極6が切断されて画素ごとに分割される。   Further, instead of doping the conductive protective film 7 with ions, a laser such as an excimer laser may be used. That is, the conductive protective film 7 is not covered with the resist mask 8 by irradiating the conductive protective film 7 and the upper electrode 6 with laser while the conductive protective film 7 is masked with the resist mask 8. The region 7a is melted, and the region 6a of the upper electrode 6 that does not overlap the resist mask 8 in plan view is melted. By melting the region 6a and the region 7a, the conductive protective film 7 and the upper electrode 6 are cut and divided for each pixel.

なお、イオンをドープする場合であっても、レーザーを照射する場合であっても、導電性保護膜7を成膜せずに、上部電極6上に直接レジストマスク8を形成しても良い。レジストマスク8で上部電極6をマスキングした状態で、上部電極6にイオンドープ又はレーザー照射を行うことで、上部電極6を領域6aと領域6bに区分することができる。   It should be noted that the resist mask 8 may be formed directly on the upper electrode 6 without forming the conductive protective film 7 whether ion doping or laser irradiation is performed. In a state where the upper electrode 6 is masked with the resist mask 8, the upper electrode 6 can be divided into the region 6a and the region 6b by ion doping or laser irradiation.

イオンドープ又はレーザー照射によって上部電極6を区分した後、除去液でレジストマスク8を除去し、導電性保護膜7(又は上部電極6)の表面を洗浄液(例えば、水)で洗浄する。導電性保護膜7が成膜した場合には、除去液や洗浄液から上部電極6を保護することができる。
以上のようにして、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1が完成する。
After the upper electrode 6 is separated by ion doping or laser irradiation, the resist mask 8 is removed with a removing liquid, and the surface of the conductive protective film 7 (or the upper electrode 6) is washed with a cleaning liquid (for example, water). When the conductive protective film 7 is formed, the upper electrode 6 can be protected from the removal liquid or the cleaning liquid.
As described above, the electroluminescence element array substrate 1 is completed.

一方、図7に示すように、トランジスタアレイ基板10を準備する。このトランジスタアレイ基板10は、基板13と、基板13上に形成された複数の信号線と、信号線に対してねじれの位置となるように基板13上に形成されるとともに平面視して信号線に直交する複数の走査線と、画素ごとに形成され、走査線及び信号線から信号を入力することによりスイッチング等を行う複数の薄膜トランジスタ11と、画素ごとに薄膜トランジスタ11に接続され、露出した状態に形成された複数の接触電極12とからなる。ここで、接触電極12は、上部電極6の領域6b(導電性保護膜7の領域7b)に対応するように配列されている。上部電極6の領域6bが格子状に形成されていれば、接触電極12が格子状に配列されている。   On the other hand, as shown in FIG. 7, a transistor array substrate 10 is prepared. The transistor array substrate 10 is formed on the substrate 13 so as to be twisted with respect to the substrate 13, the plurality of signal lines formed on the substrate 13, and the signal lines in plan view. And a plurality of thin film transistors 11 that are formed for each pixel and are switched by inputting signals from the scan lines and the signal lines, and are connected to the thin film transistor 11 for each pixel and exposed. It consists of a plurality of contact electrodes 12 formed. Here, the contact electrodes 12 are arranged so as to correspond to the region 6 b of the upper electrode 6 (region 7 b of the conductive protective film 7). If the region 6b of the upper electrode 6 is formed in a grid pattern, the contact electrodes 12 are arranged in a grid pattern.

そして、導電性スペーサ14を導電性保護膜7又は接触電極12に散布する。次に、トランジスタアレイ基板10の両面のうち接触電極12が露出した側の面を透明基板2に向け、エレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の導電性保護膜7をトランジスタアレイ基板10に向け、導電性スペーサ14をエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1とトランジスタアレイ基板10との間に挟持する。ここで、一領域6b(一領域7b)につき一つの接触電極12が重なるように、トランジスタアレイ基板10とエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の位置決めをし、導電性スペーサ14を相対向した接触電極12及び領域7bに接触させ、導電性スペーサ14によって接触電極12を領域7bに導電させる。以上のように導電性スペーサ14を挟持する時に荷重が導電性保護膜7に作用するが、この導電性保護膜7が変形することによって導電性保護膜7が緩衝材として機能し、上部電極6やエレクトロルミネッセンス層5に大きな荷重が作用しなくなる。
なお、導電性スペーサ14を塗布する代わりに、接触電極12上に導電性の凸部を形成し、その凸部によって接触電極12と領域7bを導電させても良い。
Then, the conductive spacer 14 is dispersed on the conductive protective film 7 or the contact electrode 12. Next, of the both surfaces of the transistor array substrate 10, the surface on which the contact electrode 12 is exposed is directed to the transparent substrate 2, the conductive protective film 7 of the electroluminescence element array substrate 1 is directed to the transistor array substrate 10, and the conductive spacer 14 is sandwiched between the electroluminescence element array substrate 1 and the transistor array substrate 10. Here, the transistor array substrate 10 and the electroluminescence element array substrate 1 are positioned so that one contact electrode 12 overlaps one region 6b (one region 7b), and the contact electrode 12 and the conductive spacer 14 are opposed to each other. The contact electrode 12 is made to conduct to the region 7b by the conductive spacer 14 in contact with the region 7b. As described above, a load acts on the conductive protective film 7 when the conductive spacer 14 is sandwiched. When the conductive protective film 7 is deformed, the conductive protective film 7 functions as a buffer material, and the upper electrode 6 And a large load does not act on the electroluminescence layer 5.
Instead of applying the conductive spacer 14, a conductive projection may be formed on the contact electrode 12, and the contact electrode 12 and the region 7b may be made conductive by the projection.

そして、トランジスタアレイ基板10及びエレクトロルミネッセンス素子アレイ基板1の周囲を封止する。以上により、エレクトロルミネッセンス表示パネルが完成する。   Then, the periphery of the transistor array substrate 10 and the electroluminescence element array substrate 1 is sealed. Thus, the electroluminescence display panel is completed.

以上のように製造されたエレクトロルミネッセンス表示パネルでは、上部電極6の領域6aの導電性が低下して、領域6aの電子注入性がなくなるから、エレクトロルミネッセンス層5は領域6bと重なった部分において発光し、領域6aと重なった部分においては発光しない。エレクトロルミネッセンス層5で発した光は、下部電極4、カラーフィルタ3R,3G,3B、透明基板2を透過して、透明基板2の裏面から出射する。   In the electroluminescence display panel manufactured as described above, the conductivity of the region 6a of the upper electrode 6 is lowered, and the electron injection property of the region 6a is lost. Therefore, the electroluminescence layer 5 emits light at the portion overlapping the region 6b. However, no light is emitted in the portion overlapping the region 6a. The light emitted from the electroluminescence layer 5 passes through the lower electrode 4, the color filters 3 R, 3 G, 3 B and the transparent substrate 2 and is emitted from the back surface of the transparent substrate 2.

本実施形態の製造方法では、エレクトロルミネッセンス層5をべた一面に成膜しているため、画素ごとにエレクトロルミネッセンス層をパターニングする場合よりも工程数が減り、更にエレクトロルミネッセンス層5を容易に成膜することができる。更に、エレクトロルミネッセンス層5をパターニングしていないので、エレクトロルミネッセンス層5がレジスト、レジストの除去液、残留レジストの洗浄液等によって劣化することがない。   In the manufacturing method of this embodiment, since the electroluminescent layer 5 is formed on the entire surface, the number of processes is reduced as compared with the case where the electroluminescent layer is patterned for each pixel, and the electroluminescent layer 5 is easily formed. can do. Furthermore, since the electroluminescence layer 5 is not patterned, the electroluminescence layer 5 is not deteriorated by a resist, a resist removing solution, a residual resist washing solution, or the like.

また、上部電極6にイオンをドープするか、又は上部電極6にレーザーを照射することによって、上部電極6を導電性の低い領域6aと導電性の高い領域6bに区分しているので、エッチング液等で上部電極6をパターニングする場合よりも、上部電極6の領域6bの損傷を抑えることができる。   In addition, the upper electrode 6 is divided into a region 6a having a low conductivity and a region 6b having a high conductivity by irradiating the upper electrode 6 with ions or irradiating the upper electrode 6 with a laser. The damage to the region 6b of the upper electrode 6 can be suppressed as compared with the case where the upper electrode 6 is patterned by, for example.

また、イオンドープ法又はレーザー照射法を用いているので、上部電極6上に導電性保護膜7を成膜した状態でも上部電極6を導電性の低い領域6aと導電性の高い領域6bに区分することができる。このように上部電極6上に導電性保護膜7を成膜した状態であるため、上部電極6をレジストマスク8、レジストマスク8の除去液、レジストマスク8の洗浄液から保護することができる。   Further, since the ion doping method or the laser irradiation method is used, the upper electrode 6 is divided into the region 6a having low conductivity and the region 6b having high conductivity even when the conductive protective film 7 is formed on the upper electrode 6. can do. Since the conductive protective film 7 is thus formed on the upper electrode 6, the upper electrode 6 can be protected from the resist mask 8, the resist mask 8 removal liquid, and the resist mask 8 cleaning liquid.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態では上部電極6をカソードとし、下部電極4をアノードとしたが、上部電極6を高仕事関数の材料からなるアノードとし、下部電極4を低仕事関数の材料からなるカソードとしても良い。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the upper electrode 6 is a cathode and the lower electrode 4 is an anode, but the upper electrode 6 may be an anode made of a high work function material and the lower electrode 4 may be a cathode made of a low work function material. good.

また、エレクトロルミネッセンス層5として有機化合物を用いたが、無機化合物を蒸着することでエレクトロルミネッセンス層5を成膜しても良い。エレクトロルミネッセンス層5を無機化合物とする場合には、エレクトロルミネッセンス層5を成膜する前に酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜を下部電極4上にべた一面に成膜し、エレクトロルミネッセンス層5を成膜した後に、更に絶縁膜をエレクトロルミネッセンス層5上に成膜する。その後は、上記実施形態の場合と同様に、上部電極6、導電性保護膜7を順に成膜し、レジストマスク8を形成した状態でイオンをドープし又はレーザーを照射することによって、上部電極6及び導電性保護膜7をパターニングする。   Moreover, although the organic compound was used as the electroluminescent layer 5, you may form the electroluminescent layer 5 into a film by vapor-depositing an inorganic compound. In the case where the electroluminescent layer 5 is an inorganic compound, an insulating film such as silicon oxide or silicon nitride is formed on the entire surface of the lower electrode 4 before the electroluminescent layer 5 is formed, and the electroluminescent layer 5 is formed. After the film formation, an insulating film is further formed on the electroluminescence layer 5. Thereafter, as in the case of the above-described embodiment, the upper electrode 6 and the conductive protective film 7 are formed in this order, and the upper electrode 6 is doped with ions or irradiated with a laser while the resist mask 8 is formed. Then, the conductive protective film 7 is patterned.

エレクトロルミネッセンス表示パネルを製造する際の一工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating one process at the time of manufacturing an electroluminescent display panel. 図1の次の工程を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 1. 図2の次の工程を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 2. 図3の次の工程を説明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 3. 図4の次の工程を説明するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 4. 図5の次の工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the next process of FIG. 図6の次の工程を説明するための断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 6.

符号の説明Explanation of symbols

2 透明基板
3R、3B、3G カラーフィルタ
4 下部電極
5 エレクトロルミネッセンス層
6 上部電極
7 導電性保護膜
8 レジストマスク
2 Transparent substrate 3R, 3B, 3G Color filter 4 Lower electrode 5 Electroluminescence layer 6 Upper electrode 7 Conductive protective film 8 Resist mask

Claims (5)

基板上に形成された下部電極上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッセンス層成膜工程と、
前記エレクトロルミネッセンス層上に上部電極を成膜する上部電極成膜工程と、
前記上部電極に対して所定パターンでイオンをドープするイオンドープ工程と、を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
An electroluminescence layer forming step of forming an electroluminescence layer on the lower electrode formed on the substrate;
An upper electrode film forming step of forming an upper electrode on the electroluminescence layer;
And an ion doping step of doping ions with a predetermined pattern with respect to the upper electrode.
前記基板として、二次元アレイ状に配列された複数色のカラーフィルタによって被覆された透明基板を用い、前記下部電極として、前記複数色のカラーフィルタ全体を被覆した透明電極を用い、前記イオンドープ工程では、前記複数色のカラーフィルタのそれぞれに対応したパターンで前記上部電極に対してイオンをドープすることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。   As the substrate, a transparent substrate covered with a plurality of color filters arranged in a two-dimensional array is used, and as the lower electrode, a transparent electrode covering the entire color filters of the plurality of colors is used, and the ion doping step The method for manufacturing an electroluminescent display panel according to claim 1, wherein ions are doped into the upper electrode in a pattern corresponding to each of the color filters of the plurality of colors. 前記上部電極成膜工程と前記イオンドープ工程との間において、前記上部電極上に導電性保護膜を成膜する導電性保護膜成膜工程を更に含み、
前記イオンドープ工程において、前記上部電極とともに前記導電性保護膜に対して所定パターンでイオンをドープすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
A conductive protective film forming step of forming a conductive protective film on the upper electrode between the upper electrode film forming step and the ion doping step;
3. The method of manufacturing an electroluminescence display panel according to claim 1, wherein, in the ion doping step, ions are doped in a predetermined pattern with respect to the conductive protective film together with the upper electrode.
前記イオンドープ工程では、前記上部電極上に複数のマスクを離間した状態に配置して、前記複数のマスクの間を通じて前記上部電極にイオンをドープすることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。   4. The ion doping process according to claim 1, wherein a plurality of masks are arranged on the upper electrode in a state of being separated from each other, and ions are doped into the upper electrode through the plurality of masks. 5. A method for producing an electroluminescent display panel according to claim 1. 前記複数のマスクを格子状に配置することを特徴とする請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。   The method of manufacturing an electroluminescent display panel according to claim 4, wherein the plurality of masks are arranged in a grid pattern.
JP2004051594A 2004-02-26 2004-02-26 Manufacturing method of electroluminescent display panel Pending JP2005243428A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004051594A JP2005243428A (en) 2004-02-26 2004-02-26 Manufacturing method of electroluminescent display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004051594A JP2005243428A (en) 2004-02-26 2004-02-26 Manufacturing method of electroluminescent display panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005243428A true JP2005243428A (en) 2005-09-08

Family

ID=35024938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004051594A Pending JP2005243428A (en) 2004-02-26 2004-02-26 Manufacturing method of electroluminescent display panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005243428A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268062A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Hitachi Displays Ltd Organic electroluminescent display

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268062A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Hitachi Displays Ltd Organic electroluminescent display
JP4489472B2 (en) * 2004-03-19 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ Organic electroluminescence display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10547017B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR102315094B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
KR100489590B1 (en) Transmissive Type Organic Electroluminescent Device and method for fabricating the same
KR102584253B1 (en) Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same
EP3021363B1 (en) Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
CN108400154B (en) OLED panel
JP2006286600A (en) Light-emitting display device and manufacturing method of the same
US20160133678A1 (en) Organic light-emitting diode display and method for manufacturing the same
JP2007250244A (en) Electroluminescent device, electronic apparatus, and manufacturing method of electroluminescent device
KR102122518B1 (en) Transparent Organic Light Emitting Diode Display Having Hight Transmittance And Method For Manufacturing The Same
US20200136047A1 (en) Method of manufacturing an oled display device and oled display device
KR20160056483A (en) Color Filter Array Substrate and Method For Fabricating the Same, and Organic Light Emitting Diode Display Device Using the Same
US20090267059A1 (en) Organic light emitting device
KR20080003079A (en) Organic light emitting display device and and method for fabricating the same
KR100768692B1 (en) Organic light emitting diode and manufacturing process thereof
JP2007141646A (en) Organic el display panel and manufacturing method of the same
CN108666437B (en) Display panel and manufacturing method thereof
KR20070002775A (en) Dual panel type organic electroluminescent device and method for fabricating the same
JP2005243428A (en) Manufacturing method of electroluminescent display panel
KR102008513B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR102230529B1 (en) Organic light emitting display device and method for fabricating of the same
JP2006172940A (en) Display and its manufacturing method
KR100866886B1 (en) Method for manufacturing organic light emitting diode device
KR100749490B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for fabricating thereof
JP2009230987A (en) El panel and el panel manufacturing method