JP2005216907A - Method of manufacturing metal wiring and mold for transferring metal wiring used therefor - Google Patents

Method of manufacturing metal wiring and mold for transferring metal wiring used therefor Download PDF

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JP2005216907A JP2004018272A JP2004018272A JP2005216907A JP 2005216907 A JP2005216907 A JP 2005216907A JP 2004018272 A JP2004018272 A JP 2004018272A JP 2004018272 A JP2004018272 A JP 2004018272A JP 2005216907 A JP2005216907 A JP 2005216907A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method which can easily manufacture fine metal wiring on a polymer substrate. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the metal wiring includes, for example, a step (1) of forming a second polymer layer (alkylsilane fluoride) on a part except the desired pattern on a silicon substrate by a photolithogaphy method, and a step of then forming selectively a first polymer layer (octadecyltrimethoxysilane) on a desired pattern part. The method further includes a step (2) of performing a metal (nickel) plating, thereby forming a plating layer made of the metal selectively on the first polymer layer, and a transfer mold is obtained. The method further includes a step (3) of bringing the transfer mold into pressure contact with the polymer substrate (polymethylmethacrylate, a molecular weight of about 25,000, a glass transition point of 105°C) at 180°C by 10 MPa, and transferring the wiring made of the metal plating layer to the polymer substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板表面に微細な金属配線を作製する技術に関する。詳しくは、金属が付着可能な基板上に金属を転写して金属配線を作製する方法、並びにその作製に用いられる金属転写用モールド等の器具及びそれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a technique for producing fine metal wiring on a substrate surface. Specifically, the present invention relates to a method for producing a metal wiring by transferring a metal onto a substrate to which a metal can adhere, a tool such as a metal transfer mold used for the production, and a method for producing them.

熱可塑性樹脂等のポリマーで作製された基板(以下「ポリマー基板」という。)は、ポリマーの有する高熱膨張係数等の性質により、一般的な無機材質の基板と同様の方法によって金属配線を形成(パターニング)することが困難である。このため、ポリマー基板に微細な金属配線を効率よく形成し得る方法の開発が従来よりなされている。
例えば、特許文献1には、予め無機基板上に金属膜を蒸着し、それをフォトリソグラフィ法によってパターニングして所望の金属パターン(配線)を形成しておき、その金属パターンが形成された無機基板を転写用モールドとして使用し、プラスティック基板上に当該金属パターンを転写することによって、目的のプラスチック基板の表面に金属パターンを形成する方法が開示されている。
しかしながら、かかる特許文献1に開示の方法では、転写用モールドを形成するため、煩雑な二つの工程即ち金属蒸着工程及びその後のフォトリソグラフィ工程(レジスト塗布、フォトマスク露光、現像、エッチング、レジスト除去等の複数の処理を包含する。)を経ねばならず、製造効率がよいとはいえない。また、蒸着された金属材料の大部分がフォトリソグラフィ工程におけるエッチング処理により除去(廃棄)されるため、製造コストの観点からも好ましくない。また、10μmライン及びスペース又はそれよりも微細な間隔の高密度パターンを形成することが困難であった。
A substrate made of a polymer such as a thermoplastic resin (hereinafter referred to as “polymer substrate”) has a metal wiring formed by a method similar to that of a general inorganic substrate due to the properties such as a high thermal expansion coefficient of the polymer ( Patterning) is difficult. For this reason, the development of a method capable of efficiently forming fine metal wiring on a polymer substrate has been conventionally performed.
For example, in Patent Document 1, a metal film is vapor-deposited on an inorganic substrate in advance and patterned by a photolithography method to form a desired metal pattern (wiring), and the inorganic substrate on which the metal pattern is formed Is used as a transfer mold, and a metal pattern is formed on the surface of a target plastic substrate by transferring the metal pattern onto a plastic substrate.
However, in the method disclosed in Patent Document 1, in order to form a transfer mold, two complicated processes, that is, a metal deposition process and a subsequent photolithography process (resist application, photomask exposure, development, etching, resist removal, etc.) In other words, the production efficiency is not good. In addition, since most of the deposited metal material is removed (discarded) by the etching process in the photolithography process, it is not preferable from the viewpoint of manufacturing cost. In addition, it is difficult to form a high-density pattern having 10 μm lines and spaces or finer intervals.

一方、非特許文献1に示されるナノインプリント法は、次世代の微細なナノレベルのリソグラフィ技術として、現在世界的に実用化研究が進められている。かかるナノインプリント法を直接的に適用して、基板上に塗布されたポリマー薄膜或いはポリマー基板上に、微細な凹凸構造を形成したモールドを押し付け、圧縮成形することで、ポリマー上にパターンを転写することができる。しかしながら、ナノインプリント法では、ポリマー上への形状の転写のみを考えており、金属から成るパターンを形成する場合には、パターン形成したポリマー膜又はポリマー基板をレジストとしてエッチングやリフトオフによって金属を微細加工する必要がある。即ち、インプリント法で直接金属パターンを形成することはできない。
従って、従来技術とは異なる、容易に微細な金属配線(パターン)をポリマー基板上に作製可能な新たな方法が求められている。
On the other hand, the nanoimprint method disclosed in Non-Patent Document 1 is currently being studied for practical application as a next-generation fine nano-level lithography technique. By directly applying such nanoimprinting method, a polymer thin film coated on a substrate or a mold having a fine concavo-convex structure is pressed on a polymer substrate, and the pattern is transferred onto the polymer by compression molding. Can do. However, the nanoimprint method only considers the transfer of the shape onto the polymer, and when forming a pattern made of metal, the metal is finely processed by etching or lift-off using the patterned polymer film or polymer substrate as a resist. There is a need. That is, the metal pattern cannot be directly formed by the imprint method.
Therefore, there is a need for a new method that can easily produce fine metal wiring (pattern) on a polymer substrate, which is different from the prior art.

特開2003−78235号公報JP 2003-78235 A 「アプライド.フィジックス.レターズ(Appl.Phys.Lett.)」、第71巻、第13号、p.1881〜1883、1997年9月29日“Appl. Phys. Lett.”, Vol. 71, No. 13, p. 1881-1883, September 29, 1997

そこで本発明は、かかる従来の課題を解決すべく開発されたものであり、容易に微細な金属配線をポリマー基板上に作製可能な方法を提供することを目的とする。また、その作製に好適に用いられる金属転写用モールド等の器具及びその製造方法を提供することを目的とする。また、ここで開示された方法によって金属配線が形成された基板その他の構造物を提供する。   Accordingly, the present invention has been developed to solve such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a method capable of easily producing fine metal wiring on a polymer substrate. Moreover, it aims at providing apparatuses, such as a metal transfer mold used suitably for the production, and its manufacturing method. Further, a substrate or other structure on which metal wiring is formed by the method disclosed herein is provided.

本発明により提供される方法の一つは、金属が付着可能な基板表面に所望のパターンの金属配線を作製する方法である。この方法は、金属配線転写用モールド本体を構成する基材上に前記パターンの第一高分子層を形成し、前記基材上の該パターン以外の部分には第二高分子層を形成する工程と、前記所定条件下でメッキ処理を行うことにより、前記第一高分子層上に選択的に前記金属から成るメッキ層を形成し、前記転写用モールドを得る工程と、該転写用モールドを金属が付着可能な基板に圧接し、該基板に前記金属メッキ層から成る配線を転写する工程とを含む。そして、第一高分子層は所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る第一の高分子物質から形成する一方、第二高分子層は該条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない第二の高分子物質から形成することを特徴とする。
本明細書において「金属配線」とは、所定の形態(パターン)で種々の基板上に形成された金属線をいう。例えば回路基板に形成された電子回路を構成する特定パターンの導線(導体)はここでいう金属配線の典型例であるがこれに限定されない。
また、本明細書において「基板」とは、かかる金属配線を形成する基材(支持材料)をいい、所定の材質や形状に限定されない。電子回路が形成され得る薄板状或いはチップ状の基材は、ここでいう基板に包含される典型例である。
One of the methods provided by the present invention is a method for producing a metal wiring having a desired pattern on a substrate surface to which metal can adhere. This method includes a step of forming a first polymer layer of the pattern on a substrate constituting a metal wiring transfer mold body, and forming a second polymer layer on a portion other than the pattern on the substrate. And performing a plating process under the predetermined conditions to selectively form a plating layer made of the metal on the first polymer layer to obtain the transfer mold; and And a step of pressing the substrate on which the metal plating layer can be attached and transferring the wiring made of the metal plating layer to the substrate. The first polymer layer is formed of a first polymer material on which a plating layer made of the metal can be deposited under predetermined plating conditions, while the second polymer layer is made of the metal under the condition. The plating layer is formed of a second polymer substance that does not substantially precipitate.
In this specification, “metal wiring” refers to metal wires formed on various substrates in a predetermined form (pattern). For example, the conductive wire (conductor) having a specific pattern constituting the electronic circuit formed on the circuit board is a typical example of the metal wiring here, but is not limited thereto.
Further, in this specification, the “substrate” refers to a base material (support material) for forming such metal wiring, and is not limited to a predetermined material or shape. A thin plate-like or chip-like substrate on which an electronic circuit can be formed is a typical example included in the substrate referred to herein.

かかる構成の方法では、実質的に、使用する転写用モールド(基材)の第一高分子層上にのみ選択的に金属パターン(金属層)を形成することができる。従って、精度の高い金属パターンを有する転写用モールドを製造し、それを用いて金属パターンを転写することによって、微細な金属配線を容易に基板上に作製することができる。かかる転写は、該モールドと基板とを圧接することによって容易に実現される。
また、本方法では、メッキ処理(典型的には無電解メッキ処理)によって第一高分子層上に金属配線パターン(金属メッキ層)を形成するため、効率的に金属配線パターンを形成することができる。このため、本発明によって提供されるモールドの使用により、高い製造効率で金属配線を基板上に作製することができる。
With this method, the metal pattern (metal layer) can be selectively formed substantially only on the first polymer layer of the transfer mold (base material) to be used. Therefore, by manufacturing a transfer mold having a highly accurate metal pattern and transferring the metal pattern using the mold, fine metal wiring can be easily formed on the substrate. Such transfer is easily realized by press-contacting the mold and the substrate.
Moreover, in this method, since a metal wiring pattern (metal plating layer) is formed on the first polymer layer by plating (typically electroless plating), the metal wiring pattern can be formed efficiently. it can. For this reason, metal wiring can be produced on a substrate with high production efficiency by using the mold provided by the present invention.

好ましくは、前記第一高分子層及び前記第二高分子層を形成する工程は、前記基材上に前記第二高分子層を形成すること、その第二高分子層のうちの前記パターンに対応する部分を除去すること、及び、その第二高分子層が除去された前記パターンに対応する部分に選択的に前記第一高分子層を形成することを含む。
この態様によると、基材上における所望パターンに対応する部分のみ精度よく第一高分子層を形成することができる。従って、後のメッキ処理によって、より高精度の金属配線パターン(メッキ層)を形成することができる。延いては、この態様で製造したモールドを使用することによって、より高精度の金属配線を基板上に形成することができる。
Preferably, in the step of forming the first polymer layer and the second polymer layer, the second polymer layer is formed on the substrate, and the pattern of the second polymer layer is formed. Removing a corresponding portion and selectively forming the first polymer layer in a portion corresponding to the pattern from which the second polymer layer has been removed.
According to this aspect, the first polymer layer can be formed with high accuracy only in the portion corresponding to the desired pattern on the substrate. Therefore, a metal wiring pattern (plating layer) with higher accuracy can be formed by a subsequent plating process. As a result, by using the mold manufactured in this manner, it is possible to form a metal wiring with higher accuracy on the substrate.

前記態様において、特に好ましくは、前記第二高分子層からの前記パターンに対応する部分の除去は、該部分への光又は電磁波照射によって行われることを特徴とする。かかる光又は電磁波(好ましくは真空紫外光)の照射は、好ましくは、所望するパターンに対応する透過部(開口部)を有するフォトマスクを介して行われる(即ちフォトパターニング技法の採用)。或いは、高エネルギー波である光又は電磁波のビームを用いて所定のパターン形成し得るように走査(即ち、ビーム自体を走査するビームスキャン及び/又は照射対象物をビームに対して走査するメカニカルスキャン)してもよい。
この態様によると、光又は電磁波(好ましくは真空紫外光)の照射部分のみについて第二高分子層を除去することができる。従って、周囲にある第二高分子層との境界が明瞭な第一高分子層からなるパターニング(即ちメッキ層形成部位)を形成することができる。
In the above aspect, it is particularly preferable that the portion corresponding to the pattern from the second polymer layer is removed by light or electromagnetic wave irradiation to the portion. Irradiation of such light or electromagnetic waves (preferably vacuum ultraviolet light) is preferably performed through a photomask having a transmission part (opening part) corresponding to a desired pattern (that is, employing a photopatterning technique). Alternatively, scanning is performed so that a predetermined pattern can be formed using a light beam or electromagnetic wave beam that is a high-energy wave (that is, a beam scan that scans the beam itself and / or a mechanical scan that scans an irradiation object with respect to the beam) May be.
According to this aspect, the second polymer layer can be removed only for the irradiated portion of light or electromagnetic waves (preferably vacuum ultraviolet light). Accordingly, it is possible to form a pattern (that is, a plating layer forming portion) composed of the first polymer layer having a clear boundary with the surrounding second polymer layer.

また、好ましくは、転写用モールド製造において、前記第二高分子層は、一部又は全部がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を備えた有機化合物から形成されることを特徴とする。
かかるフッ素置換した炭素鎖を有する化合物から第二高分子層を形成することにより、当該第二高分子層表面の反応性を低下させ(換言すれば安定性を高め)、当該部分への金属メッキ層の形成を阻止することができる。また、当該化合物の使用によって、第二高分子層の粘着性、摩擦抵抗性等を低く抑えることができる。これにより、転写(圧接)工程時における転写用モールドと対象基板との好ましくない接着を抑止し得、金属パターン転写後の剥離が容易となる。
Preferably, in the production of a transfer mold, the second polymer layer is formed of an organic compound having an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group partially or entirely substituted with fluorine. .
By forming the second polymer layer from the compound having such a fluorine-substituted carbon chain, the reactivity of the surface of the second polymer layer is reduced (in other words, the stability is increased), and the metal plating is applied to the portion. Formation of the layer can be prevented. Moreover, the adhesiveness, friction resistance, etc. of a 2nd polymer layer can be restrained low by use of the said compound. As a result, undesired adhesion between the transfer mold and the target substrate during the transfer (pressure contact) step can be suppressed, and peeling after the metal pattern transfer is facilitated.

さらに好ましくは、転写用モールド製造において、前記第一高分子層は、前記フッ素含有有機化合物よりも長い炭素鎖であり一部が置換された又は置換されていないアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基とを備えた有機化合物から形成されることを特徴とする。
かかる長鎖を有する化合物から第一高分子層を形成することにより、所望するパターンに対応するメッキ層の形成とその転写を行うことができる。
特に好ましい一態様は、転写用モールド製造において、前記基材は表面に反応性基(例えばシラノール基その他の親水基)を有するシリコンで実質的に構成されており、前記第二高分子層は該反応性基と反応し得る官能基(例えばアルコキシ基)と一部又は全部がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基とを備えた有機ケイ素化合物から形成され、他方、前記第一高分子層は該反応性基と反応し得る官能基と前記フッ素含有有機ケイ素化合物よりも長い炭素鎖であり一部が置換された又は置換されていないアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基とを備えた有機ケイ素化合物から形成される。
かかるシリコン基板と有機ケイ素化合物(例えば、シラノール基と反応し得る官能基としてメトキシ基等のアルコキシ基を1つ、2つ又は3つ有するモノ、ジ又はトリアルコキシシラン)とを使用することによって、高精度の金属配線パターンを形成するモールドを製造し、それを使用して高精度の金属配線パターンを転写により基板上に作製することができる。
More preferably, in the production of a transfer mold, the first polymer layer is a carbon chain longer than the fluorine-containing organic compound, and a partially substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group or alkynyl group. It is formed from the organic compound provided with.
By forming the first polymer layer from the compound having such a long chain, the plating layer corresponding to the desired pattern can be formed and transferred.
In a particularly preferred embodiment, in the transfer mold production, the substrate is substantially composed of silicon having a reactive group (for example, a silanol group or other hydrophilic group) on the surface, and the second polymer layer is The first polymer is formed from an organosilicon compound having a functional group capable of reacting with a reactive group (for example, an alkoxy group) and an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group partially or wholly substituted with fluorine. The layer is an organic having a functional group capable of reacting with the reactive group and a carbon chain longer than the fluorine-containing organosilicon compound, and a partially substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group or alkynyl group. It is formed from a silicon compound.
By using such a silicon substrate and an organosilicon compound (for example, a mono, di or trialkoxysilane having one, two or three alkoxy groups such as methoxy groups as functional groups capable of reacting with silanol groups) A mold for forming a high-precision metal wiring pattern can be manufactured, and a high-precision metal wiring pattern can be produced on the substrate by transfer.

また、好ましくは、前記第一高分子層及び/又は第二高分子層は単分子層によって構成されていることを特徴とする。かかる高分子層が単分子層であることにより、当該高分子層の厚さをほぼ一定とすることができる。このため、より精度の高い微細な金属パターンの転写を実現することができる。   Preferably, the first polymer layer and / or the second polymer layer is constituted by a monomolecular layer. When the polymer layer is a monomolecular layer, the thickness of the polymer layer can be made almost constant. For this reason, it is possible to realize transfer of a fine metal pattern with higher accuracy.

ここで開示される方法は、ポリマー基板表面に金属配線を作製するのに好適な方法である。好ましくは、前記基板としてガラス転移を示すポリマーから成る基板又は金属配線を形成する表面部分が該ポリマーによって形成されている基板(以下「ポリマー被覆基板」という。)を使用し、前記転写工程は、該ポリマーのガラス転移点以上の温度であって該基板のポリマー形成部分の形態が保ち得る温度範囲内で行われることを特徴とする。
この温度範囲で転写することによって、ポリマー基板(又はポリマー被覆基板)と金属メッキ層の密着性を向上させることができる。
The method disclosed here is a method suitable for producing a metal wiring on the surface of a polymer substrate. Preferably, a substrate made of a polymer exhibiting glass transition or a substrate in which a surface portion forming a metal wiring is formed of the polymer (hereinafter referred to as “polymer-coated substrate”) is used as the substrate, and the transfer step includes The temperature is higher than the glass transition point of the polymer, and the temperature is within a temperature range in which the shape of the polymer-forming portion of the substrate can be maintained.
By transferring in this temperature range, the adhesion between the polymer substrate (or polymer-coated substrate) and the metal plating layer can be improved.

本発明は他の側面として、ここで開示したいずれかの方法によって作製された金属配線を有する基板その他の構造物を提供する。本発明の方法によれば、金属パターンを精度よく形成可能であるため、特に微細な金属配線を有する電子材料、生化学材料等の構造物を得ることができる。   As another aspect, the present invention provides a substrate or other structure having a metal wiring manufactured by any of the methods disclosed herein. According to the method of the present invention, since a metal pattern can be formed with high accuracy, it is possible to obtain a structure such as an electronic material or a biochemical material having particularly fine metal wiring.

また、本発明は他の側面として、ここで開示した金属配線作製方法に使用されるモールド及びその製造方法を提供する。即ち、ここで開示されるモールド製造方法の一つは、金属が付着可能な基板表面に対して所望のパターンの金属配線を転写するためのモールドを製造する方法であって、金属配線転写用モールド本体を構成する基材上に前記パターンの第一高分子層を形成し、前記基材上の該パターン以外の部分には第二高分子層を形成する工程と、前記所定条件下でメッキ処理を行うことにより、前記第一高分子層上に選択的に前記金属から成るメッキ層を形成する工程とを含む。そして、第一高分子層は所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る第一の高分子物質から形成する一方、第二高分子層は該条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない第二の高分子物質から形成することを特徴とする。
そして、典型的には、かかる方法によって、モールド本体を構成する基材と、該基材上に形成された前記パターンの第一高分子層であって、所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る高分子物質により形成された第一高分子層と、前記基材上の前記パターン以外の部分に形成された第二高分子層であって前記メッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない高分子物質により形成された第二高分子層と、前記第一高分子層上に選択的に形成された前記金属から成るメッキ層とを有する金属配線転写用モールドが提供される。好ましくは、上述したいずれかの態様の金属配線作製方法に記載される特徴を有するモールド及びその製造方法が提供される。
Moreover, this invention provides the mold used for the metal wiring preparation method disclosed here as another aspect, and its manufacturing method. That is, one of the mold manufacturing methods disclosed herein is a method for manufacturing a mold for transferring a metal wiring of a desired pattern onto a substrate surface to which metal can adhere, and is a metal wiring transfer mold. Forming a first polymer layer of the pattern on a substrate constituting the main body, and forming a second polymer layer on a portion other than the pattern on the substrate; and plating under the predetermined condition Forming a plating layer made of the metal selectively on the first polymer layer. The first polymer layer is formed of a first polymer material on which a plating layer made of the metal can be deposited under predetermined plating conditions, while the second polymer layer is made of the metal under the condition. The plating layer is formed of a second polymer substance that does not substantially precipitate.
And, typically, by such a method, a base material constituting the mold body, and a first polymer layer of the pattern formed on the base material, which is formed from the metal under predetermined plating conditions. And a second polymer layer formed on a portion other than the pattern on the substrate under the plating conditions. A metal wiring having a second polymer layer formed of a polymer material on which a plating layer made of metal does not substantially precipitate, and a plating layer made of the metal selectively formed on the first polymer layer A transfer mold is provided. Preferably, a mold having the characteristics described in the metal wiring manufacturing method according to any one of the aspects described above and a manufacturing method thereof are provided.

また、本発明は他の側面として、金属が付着可能な基板表面に対して所望のパターンの金属配線を転写するモールドを製造するためのテンプレート(即ち金属メッキ層が形成される前のモールド)を提供する。典型的には、モールド本体を構成する基材と、該基材上に形成された前記パターンの第一高分子層であって所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る高分子物質により形成された第一高分子層と、前記基材上の前記パターン以外の部分に形成された第二高分子層であって、前記メッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない高分子物質により形成された第二高分子層とを有するテンプレートが提供される。好ましくは、上述したいずれかの態様の金属配線作製方法に記載される特徴を有するモールドのテンプレートが提供される。   As another aspect of the present invention, there is provided a template for manufacturing a mold for transferring a metal wiring of a desired pattern onto a substrate surface to which metal can adhere (that is, a mold before a metal plating layer is formed). provide. Typically, a base material constituting the mold body, and a first polymer layer of the pattern formed on the base material, and a plating layer made of the metal can be deposited under predetermined plating conditions. A first polymer layer formed of a polymer substance and a second polymer layer formed on a portion other than the pattern on the substrate, wherein the plating layer made of the metal under the plating process condition A template is provided having a second polymeric layer formed of a polymeric material that does not substantially precipitate. Preferably, a mold template having the characteristics described in the metal wiring manufacturing method according to any one of the aspects described above is provided.

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項(例えば、所定の基材上に第一高分子層、第二高分子層及び金属メッキ層を形成する手段)以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. It should be noted that matters other than matters specifically mentioned in the present specification (for example, means for forming the first polymer layer, the second polymer layer, and the metal plating layer on a predetermined substrate) Matters necessary for implementation can be grasped as design matters of those skilled in the art based on the prior art in the field. The present invention can be carried out based on the contents disclosed in this specification and common technical knowledge in the field.

先ず、ここで開示される技術内容の理解に資するべく、金属転写用モールド及びその製造方法の具体例を図面を参照しつつ模式的に説明する。図1に金属転写用モールドの製造に用いられる金属配線作製用テンプレート1を模式的に示す。この金属配線作製用テンプレート1は、基材3と、上記のように定義づけられた第一高分子層5と、第二高分子層7とから構成される。   First, in order to contribute to an understanding of the technical contents disclosed herein, a specific example of a metal transfer mold and a manufacturing method thereof will be schematically described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows a metal wiring preparation template 1 used for manufacturing a metal transfer mold. This metal wiring preparation template 1 includes a base material 3, a first polymer layer 5 defined as described above, and a second polymer layer 7.

基材3は、高分子層を形成可能な表面を有するものであればいずれの基材でも特に制限なく用いることができる。特に機械的強度、熱安定性等が高い無機質、例えばシリコン、ガラス、セラミック(シリカ、アルミナ、ジルコニア等の酸化物、窒化ケイ素、炭化ケイ素等の非酸化物)等から成る基材が好ましい。特にシリコンやシリカは表面に高分子を結合させ得る反応性基(典型的にはシラノール基のような親水基)を容易に導入し得、高分子層の形成が容易であるために好適である。例えば、表面酸化層(シリカ層)を備えたシリコン基材に種々の親水化処理を施すことによって、その表面にシラノール基(Si−OH)を導入することができる。
なお、本発明の目的を達成し得る限りにおいてポリマー(例えば熱硬化性樹脂)から成る基材であってもよい。
As the substrate 3, any substrate can be used without particular limitation as long as it has a surface capable of forming a polymer layer. In particular, a substrate made of an inorganic material having high mechanical strength, thermal stability, etc., such as silicon, glass, ceramics (oxides such as silica, alumina and zirconia, non-oxides such as silicon nitride and silicon carbide) and the like is preferable. In particular, silicon and silica are suitable because a reactive group (typically a hydrophilic group such as a silanol group) capable of bonding a polymer to the surface can be easily introduced and a polymer layer can be easily formed. . For example, a silanol group (Si—OH) can be introduced on the surface of the silicon substrate provided with a surface oxide layer (silica layer) by performing various hydrophilic treatments.
In addition, the base material which consists of a polymer (for example, thermosetting resin) may be sufficient as long as the objective of this invention can be achieved.

第一高分子層5は、目的とする金属配線パターンと同じパターンに形成される。第一高分子層5は、所定のメッキ処理条件下において所定の金属からなるメッキ層が析出し得る第一の高分子物質から形成される。例えば、基材に結合可能な官能基と、金属との反応性を増大させ得るべく一部が置換された(例えば末端官能基としてアミノ基等の親水性基の導入)又は置換されていない比較的長い炭素鎖(好ましくは炭素鎖を構成するCの数が10以上、例えば10〜30)のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等とを有する高分子物質が好適に用いられる。
このような比較的長いアルキル(或いはアルケニル又はアルキニル)鎖を有する化合物は、基材表面に結合させた際に、それら鎖間のファンデルワールス力により、容易に高密度及び高配向の単分子層(即ち自己組織化単分子層;self-assembled monolayer)を形成し得るため好ましい。また、長鎖アルキル基のように比較的疎水性の高い基(鎖)に形成された金属メッキ層は剥離しやすく、基板への金属配線パターン転写に好ましい。
例えば、モールド本体を構成する基材がシラノール基を表面に備えたシリコンである場合、第一の高分子物質としては、比較的鎖長の長い主鎖又は側鎖を有し、メトキシ基のような基材に結合可能な官能基(好ましくは基材表面に存在する反応性基と結合する)を有する有機ケイ素化合物が好適である。例えば一般式:C2n+1Si(OC2m+13で示されるアルキルトリアルコキシシラン(好ましくはnが10〜30から選択される何れかの自然数であり、mが1又は2である。)が第一の高分子物質の好適例として挙げられる。
The first polymer layer 5 is formed in the same pattern as the target metal wiring pattern. The first polymer layer 5 is formed of a first polymer material on which a plating layer made of a predetermined metal can be deposited under predetermined plating conditions. For example, a comparison in which a functional group capable of binding to a substrate is partially substituted (for example, introduction of a hydrophilic group such as an amino group as a terminal functional group) or substituted so as to increase the reactivity with a metal. A polymer material having an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group or the like having a particularly long carbon chain (preferably having 10 or more, for example, 10 to 30 carbon atoms constituting the carbon chain) is preferably used.
When such a compound having a relatively long alkyl (or alkenyl or alkynyl) chain is bonded to the surface of the substrate, it can easily be formed into a monolayer having a high density and high orientation by van der Waals force between the chains. (Ie, a self-assembled monolayer) is preferable. In addition, a metal plating layer formed on a relatively hydrophobic group (chain) such as a long-chain alkyl group is easy to peel off and is preferable for transferring a metal wiring pattern to a substrate.
For example, when the base material constituting the mold body is silicon having silanol groups on the surface, the first polymer substance has a main chain or side chain with a relatively long chain length, such as a methoxy group. An organosilicon compound having a functional group capable of binding to a base material (preferably binding to a reactive group present on the surface of the base material) is suitable. For example, an alkyltrialkoxysilane represented by the general formula: C n H 2n + 1 Si (OC m H 2m + 1 ) 3 (preferably n is any natural number selected from 10 to 30, and m is 1 or 2. ) Is a preferred example of the first polymer substance.

他方、第二高分子層7は、所望の金属配線パターンに対応する部分以外の部分、即ち、図1に示すように、基材3上の第一高分子層5が形成されていない部分に形成されている。そして、かかる第二高分子層7は、所定のメッキ処理条件下において実質的に金属からなるメッキ層が析出しない第二の高分子物質から形成される。例えば、第二の高分子物質としては、金属との反応性が著しく低い高分子物質が好ましい。好ましい例として、基材に結合可能な官能基と、一部又は全部がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基等を備えた有機化合物が挙げられる。比較的長いアルキル(或いはアルケニル又はアルキニル)鎖を有する化合物は、単分子層を容易に形成し得るため好ましい。
フッ素の置換率は特に限定されないが、アルキル鎖を構成する水素原子の過半数(例えば70個数%以上の水素原子)又は実質的にほぼ全ての水素原子がフッ素原子で置換されているものが好ましい。例えば、前記一般式で示されるアルキルトリアルコキシシランにおいて、アルキル鎖を構成する水素原子の70個数%以上の水素原子がフッ素に置換されたもの(後述の実施例参照)が好適である。
On the other hand, the second polymer layer 7 is a portion other than a portion corresponding to a desired metal wiring pattern, that is, a portion where the first polymer layer 5 on the substrate 3 is not formed as shown in FIG. Is formed. The second polymer layer 7 is formed of a second polymer material that does not deposit a metal-plated layer under predetermined plating conditions. For example, the second polymer substance is preferably a polymer substance that has extremely low reactivity with metals. Preferable examples include an organic compound having a functional group capable of binding to a substrate and an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group or the like partially or entirely substituted with fluorine. A compound having a relatively long alkyl (or alkenyl or alkynyl) chain is preferable because a monomolecular layer can be easily formed.
The substitution rate of fluorine is not particularly limited, but a majority of the hydrogen atoms constituting the alkyl chain (for example, 70% or more hydrogen atoms) or substantially all of the hydrogen atoms are preferably substituted with fluorine atoms. For example, in the alkyltrialkoxysilane represented by the above general formula, those in which 70% by number or more of the hydrogen atoms constituting the alkyl chain are replaced by fluorine (see Examples described later) are preferable.

図示されるように、第一高分子層と第二高分子層の厚み(膜厚)については、第一高分子層のほうが第二高分子層よりも厚いことが好ましい。例えば、特に限定しないが、第一高分子層及び第二高分子層をそれぞれ前記のような炭素鎖(主鎖又は側鎖)を有する化合物から成る単分子層で構成する場合には、第二高分子層を形成するのに使用する化合物よりも長い炭素鎖を有する化合物を使用して第一高分子層を形成することが好ましい。このことにより、ポリマー基板との圧接時に第一高分子層上に形成された金属メッキ層がポリマー基板と接触し易く、金属メッキ層の正確な転写に寄与し得る。   As shown in the drawing, regarding the thickness (film thickness) of the first polymer layer and the second polymer layer, the first polymer layer is preferably thicker than the second polymer layer. For example, although not particularly limited, when the first polymer layer and the second polymer layer are each composed of a monomolecular layer made of a compound having a carbon chain (main chain or side chain) as described above, It is preferred to form the first polymer layer using a compound having a carbon chain longer than the compound used to form the polymer layer. As a result, the metal plating layer formed on the first polymer layer at the time of pressure contact with the polymer substrate can easily come into contact with the polymer substrate, and can contribute to accurate transfer of the metal plating layer.

図2に金属転写用モールド11を模式的に示す。この金属転写用モールド11は、基材3と、第一高分子層5と、第二高分子層7と、金属メッキ層13とから構成される。即ち、金属配線作製用テンプレート1における第一高分子層5上に金属メッキ層13が形成された構成である。
金属メッキ層13を構成する金属には特に制限がなく、種々のメッキ処理により析出可能ないずれの金属種であってもよい。好適な金属種として無電解メッキ処理で容易にメッキ層を形成可能なニッケル及び金が挙げられるが、これらに限られず、銀、銅、錫、亜鉛、鉄、コバルト、クロム、白金、パラジウムその他の白金族元素等が挙げられる。
なお、金属メッキ層は一層に限られず二層以上形成してもよい。例えば、第一高分子層上に先ず無電解メッキ処理によりニッケル層(下地メッキ層)を形成し、その後、無電解メッキ処理或いは電気メッキ処理により別のメッキ層(例えば金メッキ層)を積層してもよい。
FIG. 2 schematically shows the metal transfer mold 11. The metal transfer mold 11 includes a base material 3, a first polymer layer 5, a second polymer layer 7, and a metal plating layer 13. That is, the metal plating layer 13 is formed on the first polymer layer 5 in the metal wiring preparation template 1.
There is no restriction | limiting in particular in the metal which comprises the metal plating layer 13, Any metal seed | species which can be precipitated by various plating processes may be sufficient. Suitable metal species include, but are not limited to, nickel and gold, which can easily form a plating layer by electroless plating, and are not limited to silver, copper, tin, zinc, iron, cobalt, chromium, platinum, palladium, and others. Examples include platinum group elements.
Note that the metal plating layer is not limited to a single layer and may be formed in two or more layers. For example, a nickel layer (underlying plating layer) is first formed on the first polymer layer by electroless plating, and then another plating layer (for example, a gold plating layer) is laminated by electroless plating or electroplating. Also good.

次に、金属配線作製用テンプレート1及び金属転写用モールド11の製造プロセスを含む金属配線作製方法の好適な一例について図面を参照しつつ説明する。
図3に示すように、適当な基材3(ここではシリコン基材)を用意して、第二の高分子物質により第二高分子層7を形成する(図3の(1))。第二高分子層7の形成手段としては、従来公知の方法を特に制限なく適用することができる。
典型的には、先ず、基材3の表面に対して、化学処理、プラズマ処理、紫外光照射処理等の活性化処理を施し、第一の高分子物質および第二の高分子物質を基材表面に化学的に結合させるための種々の反応性基(表面官能基)を基材表面に導入する。例えば、シリコン基材3の場合では、好ましくは真空紫外光を照射して基材3表面を親水化(具体的にはシラノール基即ち水酸基を導入)し得る。同時に、当該紫外光照射により雰囲気酸素から発生したオゾンによって基材表面に残存する有機含有物を除去することができる。
Next, a preferred example of a metal wiring manufacturing method including a manufacturing process of the metal wiring manufacturing template 1 and the metal transfer mold 11 will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 3, a suitable base material 3 (here, a silicon base material) is prepared, and the second polymer layer 7 is formed from the second polymer material ((1) in FIG. 3). As a means for forming the second polymer layer 7, a conventionally known method can be applied without particular limitation.
Typically, first, the surface of the substrate 3 is subjected to activation treatment such as chemical treatment, plasma treatment, ultraviolet light irradiation treatment, etc., and the first polymer substance and the second polymer substance are used as the substrate. Various reactive groups (surface functional groups) for chemically bonding to the surface are introduced into the substrate surface. For example, in the case of the silicon substrate 3, it is preferable that the surface of the substrate 3 be hydrophilized (specifically, a silanol group, that is, a hydroxyl group is introduced) by irradiation with vacuum ultraviolet light. At the same time, organic substances remaining on the substrate surface can be removed by ozone generated from atmospheric oxygen by the ultraviolet light irradiation.

次いで、活性化された基材を第二の高分子物質の気相中において処理し、第二高分子層を成長させることができる(後述の実施例参照)。
好適には第二高分子層として、第二の高分子物質が所定方向に配向する単分子層に形成する。単分子層とすることにより、層の厚さを一定とし、より微細なパターンが形成可能である。第二高分子層7が単分子層よりも成長した場合には、所望により、過剰に吸着した分子を除去して単分子層に形成することができる。この単分子層形成手段としては、特に限定されず、使用した物質に応じて酸処理、アルカリ処理、水洗処理等を適宜組み合わせて行うことができる。
The activated substrate can then be treated in the gas phase of a second polymeric material to grow a second polymeric layer (see Examples below).
Preferably, the second polymer layer is formed as a monomolecular layer in which the second polymer substance is oriented in a predetermined direction. By using a monomolecular layer, the thickness of the layer can be made constant and a finer pattern can be formed. When the second polymer layer 7 grows more than the monomolecular layer, the excessively adsorbed molecules can be removed to form a monomolecular layer as desired. The monomolecular layer forming means is not particularly limited, and an acid treatment, an alkali treatment, a water washing treatment and the like can be appropriately combined depending on the substance used.

次に、所望の金属配線パターンと同じパターンが形成されるように、第二高分子層7の当該パターンに対応する部分を除去する(図3の(2))。これには、フォトリソグラフィ法の適用が好ましい。例えば、所望のパターンと同じ透過部(光透過可能な開口部)が形成されたフォトマスク8を用意し、フォトマスク8越しに所定の光源10(例えばエキシマランプ)から高エネルギー光(例えば真空紫外光)を照射する。このことによって、後述する実施例に記載のように、光照射部分即ち前記パターン部分の第二高分子層7のみを選択的に分解・除去することができる(図3の(3))。   Next, the portion corresponding to the pattern of the second polymer layer 7 is removed so that the same pattern as the desired metal wiring pattern is formed ((2) in FIG. 3). For this, application of a photolithography method is preferable. For example, a photomask 8 in which the same transmission part (light-transmitting opening) as the desired pattern is formed is prepared, and high energy light (eg, vacuum ultraviolet light) is transmitted from a predetermined light source 10 (eg, excimer lamp) through the photomask 8. Light). This makes it possible to selectively decompose and remove only the second polymer layer 7 in the light irradiated portion, that is, the pattern portion, as described in the examples described later ((3) in FIG. 3).

次いで、基板3に対して第一の高分子物質を付与し、第二高分子層7が除去された部分即ち所望のパターン部分に第一高分子層5を形成する。ここで第一の高分子物質として、第二の高分子物質と反応性が低いものを選択することにより、第二高分子層7が形成された部分には第一の高分子物質が反応せず、第二高分子層7が形成されていない(除去された)部分にのみ第一の高分子物質を選択的に結合させることができる(図3の(4))。第一高分子層形成手段は、前記第二高分子層の形成と同様、第一の高分子物質の気相反応によって行うことができる。これによって、金属配線作製用テンプレート1が完成する。   Next, the first polymer material is applied to the substrate 3 to form the first polymer layer 5 in a portion where the second polymer layer 7 is removed, that is, a desired pattern portion. Here, by selecting a material having low reactivity with the second polymer material as the first polymer material, the first polymer material reacts with the portion where the second polymer layer 7 is formed. First, the first polymer substance can be selectively bonded only to the portion where the second polymer layer 7 is not formed (removed) ((4) in FIG. 3). The first polymer layer forming means can be performed by a gas phase reaction of the first polymer substance, as in the formation of the second polymer layer. Thus, the metal wiring production template 1 is completed.

次に、この金属配線作製用テンプレート1を用いて、金属転写用モールド11を製造する。即ち、金属配線作製用テンプレート1に種々の金属メッキ処理を施すことによって、第一高分子層5上に選択的に金属メッキ層13を形成する(図3の(5))。
金属メッキ処理としては、従来公知のメッキ処理方法、例えば、無電解メッキ、真空メッキ(PVD、CVD)、電気メッキが挙げられる。好適には、所定の金属メッキ液中に浸漬し、還元反応を利用して対象物の表面にメッキ金属を析出させる無電解メッキが好ましい。無電解メッキは膜厚精度がきわめて高く、第一高分子層5の全体に亘ってほぼ均一な膜厚のメッキ層13が得られ得る。
Next, a metal transfer mold 11 is manufactured using the metal wiring preparation template 1. That is, a metal plating layer 13 is selectively formed on the first polymer layer 5 by performing various metal plating processes on the metal wiring preparation template 1 ((5) in FIG. 3).
Examples of the metal plating treatment include conventionally known plating treatment methods such as electroless plating, vacuum plating (PVD, CVD), and electroplating. Preferably, electroless plating is preferred in which a plating metal is deposited on the surface of an object by dipping in a predetermined metal plating solution and utilizing a reduction reaction. Electroless plating has extremely high film thickness accuracy, and a plating layer 13 having a substantially uniform film thickness can be obtained over the entire first polymer layer 5.

メッキ処理条件としては、第一高分子層上にメッキ層が形成されるとともに、第二高分子層上にメッキ層が実質的に形成されない条件を適宜選択することができる。例えば、第一高分子層及び/又は第二高分子層表面の処理、メッキ液の種類や濃度、メッキ温度或いは処理時間等を適宜決定すればよい。
必要に応じて或いは所望により、好適なメッキ処理を行うために、第一高分子層5に予め表面処理を行ってもよい。この前処理には、例えば無電解メッキ処理の場合、種々の活性化処理、反応促進処理及び表面洗浄処理等が包含される。これらメッキ処理に伴う前処理は、従来公知の処理であればよく、本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
As the plating treatment conditions, a condition in which a plating layer is formed on the first polymer layer and a plating layer is not substantially formed on the second polymer layer can be appropriately selected. For example, the treatment of the surface of the first polymer layer and / or the second polymer layer, the type and concentration of the plating solution, the plating temperature or the treatment time may be appropriately determined.
If necessary or desired, the first polymer layer 5 may be surface-treated in advance in order to perform a suitable plating treatment. For example, in the case of electroless plating, the pretreatment includes various activation treatments, reaction promotion treatments, surface cleaning treatments, and the like. The pretreatment associated with these plating treatments may be any conventionally known treatment and does not characterize the present invention, and thus detailed description thereof is omitted.

このようにして製造した金属転写用モールド11を用いて種々の基板の表面に金属配線を作製する。具体的には、図4(1)に示すように、好ましくは加熱条件下、金属転写用モールド11を基板21(ここでは所定のガラス転移点を有する熱可塑性樹脂から成るポリマー基板21)に圧接する。これにより、基板21表面上に金属メッキ層13を所定のパターンで転写・形成することができる。そして、金属メッキ層13が基板21に転写された後、モールド11を基板21から離す。これにより、図5に示すように、基板21の表面に所望のパターンの金属配線23が形成された構造物31(例えば回路基板)が得られ得る。   Metal wiring is produced on the surface of various substrates using the metal transfer mold 11 thus manufactured. Specifically, as shown in FIG. 4 (1), the metal transfer mold 11 is preferably pressed into contact with a substrate 21 (here, a polymer substrate 21 made of a thermoplastic resin having a predetermined glass transition point) under heating conditions. To do. Thereby, the metal plating layer 13 can be transferred and formed in a predetermined pattern on the surface of the substrate 21. Then, after the metal plating layer 13 is transferred to the substrate 21, the mold 11 is separated from the substrate 21. Thereby, as shown in FIG. 5, a structure 31 (for example, a circuit board) in which the metal wiring 23 having a desired pattern is formed on the surface of the substrate 21 can be obtained.

本発明の方法は、種々の材質及び形状の基板(基材)に対して適用可能であるが、ポリマー基板に対して好適に実施することができる。
ポリマー基板21としては、金属配線が形成され得る基板である限り、特に制限なく適用することができる。特に金属メッキ層13が転写され易く、熱可塑性で成形性の高いもの或いは粘着性を有するポリマーから成るポリマー基板或いはそのようなポリマーで構成された表面部分を有するポリマー被覆基板が好ましい。100℃前後(例えば70〜150℃程度)にガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂が好適である。具体的には、ポリメチルアクリレート等のアクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のメタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレンが挙げられる。
ガラス転移点(温度)を有するポリマー基板又はポリマー被覆基板を使用する場合、ポリマー基板21のガラス転移点温度以上であって該ポリマー基板21の形態(即ちポリマー形成部分の形態)が保ち得る温度範囲に基板21及びモールド11を加熱しつつ適当な圧力で圧接を行うことが好適である。これにより、図4(2)に示すように、金属メッキ層13(金属配線)は圧接時の圧力に応じてポリマー基板21中に埋め込まれた状態で当該基板に転写される。これにより、密着性に優れた金属配線23をポリマー基板21に作製することができる(図5)。
なお、かかる温度範囲は用いるポリマー基板21の材質に応じて適宜異なり得る。例えば、ポリメチルメタクリレート製基板の場合、105〜250℃、特に150〜200℃である。また、圧接の際の圧力も用いるポリマー基板21の材質及び処理温度に応じて適宜異なり得るが、3〜30MPa、特に5〜15MPa程度が好適である。
The method of the present invention can be applied to substrates (base materials) of various materials and shapes, but can be preferably implemented on polymer substrates.
As the polymer substrate 21, as long as it is a substrate on which a metal wiring can be formed, it can be applied without particular limitation. In particular, a polymer substrate made of a thermoplastic, highly moldable or adhesive polymer, or a polymer-coated substrate having a surface portion composed of such a polymer is preferable because the metal plating layer 13 is easily transferred. A thermoplastic resin having a glass transition temperature around 100 ° C. (for example, about 70 to 150 ° C.) is suitable. Specific examples include acrylic resins such as polymethyl acrylate, methacrylic resins such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyethylene terephthalate, and polystyrene.
When a polymer substrate or a polymer-coated substrate having a glass transition point (temperature) is used, the temperature range is equal to or higher than the glass transition temperature of the polymer substrate 21 and the form of the polymer substrate 21 (that is, the form of the polymer forming portion) can be maintained. It is preferable that the substrate 21 and the mold 11 are heated and pressed with an appropriate pressure. As a result, as shown in FIG. 4B, the metal plating layer 13 (metal wiring) is transferred to the substrate in a state of being embedded in the polymer substrate 21 in accordance with the pressure at the time of pressure contact. Thereby, the metal wiring 23 excellent in adhesiveness can be produced on the polymer substrate 21 (FIG. 5).
Such a temperature range can be appropriately changed depending on the material of the polymer substrate 21 used. For example, in the case of a substrate made of polymethyl methacrylate, the temperature is 105 to 250 ° C, particularly 150 to 200 ° C. Moreover, although the pressure at the time of press-contact may differ suitably according to the material and process temperature of the polymer substrate 21 to be used, 3-30 MPa, especially about 5-15 MPa are suitable.

上述のようにして、所望するパターンの金属配線23が形成された構造物31を製造することができる。ここで開示された方法によると、種々の形状の基板(基材)上に所望するパターンの金属配線を作製し得る。従って、本発明によって提供される構造物は、特定の産業分野の特定の形状・用途に限定されないことが当業者には理解される。
例えば、本発明によって提供される構造物には、高密度実装用プリント配線基板その他の電子機器、電子部品、生化学分野で使用され得る種々の分析チップ(DNAチップ等)、分析装置や医療用診断装置その他の計測装置に適用され得るセンサー類、種々の目的のマイクロマシンに装備される微小部品が包含される。
As described above, the structure 31 in which the metal wiring 23 having a desired pattern is formed can be manufactured. According to the method disclosed herein, a metal wiring having a desired pattern can be produced on various shapes of substrates (base materials). Therefore, it will be understood by those skilled in the art that the structure provided by the present invention is not limited to a specific shape and application in a specific industrial field.
For example, the structure provided by the present invention includes a printed wiring board for high-density mounting, other electronic devices, electronic components, various analysis chips (DNA chips, etc.) that can be used in the biochemical field, analysis devices, and medical applications. Sensors that can be applied to diagnostic devices and other measuring devices, and micro components equipped in various types of micromachines are included.

以下に説明する実施例によって、本発明を更に詳細に説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。   The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not intended to be limited to those shown in the examples.

<実施例1>
(1)基板の処理:
下記文献に記載の方法に従い、基板表面を洗浄及び親水化処理するとともに、表面に第二高分子層を形成した。
「サーフェイス.アンド.インターフェイス.アナラシス(Surface and Interface Analysis)」第34巻、第1号、第550〜554頁、2002年。
即ち、まず、n−型Si(100)ウェハー(信越半導体株式会社製品)を所定のサイズに切断した基材を用意した。これをエキシマランプ(ウシオ電気株式会社、型式UER20−172V、波長λ=172で出力10mWcm−2の仕事密度)から生じる真空紫外線光(UVU)によって約10分間暴露した。本実施例では、ランプから基材までの空気中における距離は10mmとした。このUVU照射によって、雰囲気空気中に存在する酸素分子は光励起して酸素原子及びオゾン分子(以下「活性酸素種」という。)を発生させた。一方、基材表面に存在する不純物としての有機分子は、その炭素−炭素及び炭素−水素結合が解離的に励起するとともに、発生した活性酸素種による酸化によって、分解された。従って、基材表面の有機分子の光化学的脱離によって、光照射された基材表面は洗浄された。
以上の処理により、シリコン基材表面は2nm以内の薄いシリカ層で覆われ、その表面に水酸基(シラノール基)を導入することができた。
<Example 1>
(1) Substrate processing:
According to the method described in the following document, the substrate surface was cleaned and hydrophilized, and a second polymer layer was formed on the surface.
“Surface and Interface Analysis” Vol. 34, No. 1, 550-554, 2002.
That is, first, a base material was prepared by cutting an n-type Si (100) wafer (product of Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.) into a predetermined size. This was exposed for about 10 minutes by vacuum ultraviolet light (UVU) generated from an excimer lamp (Ushio Inc., model UER20-172V, wavelength λ = 172 and output power 10 mWcm −2 ). In this example, the distance in the air from the lamp to the substrate was 10 mm. By this UVU irradiation, oxygen molecules present in the atmospheric air were photoexcited to generate oxygen atoms and ozone molecules (hereinafter referred to as “active oxygen species”). On the other hand, organic molecules as impurities present on the surface of the substrate were decomposed by oxidation by the generated active oxygen species while the carbon-carbon and carbon-hydrogen bonds were dissociatively excited. Therefore, the irradiated substrate surface was washed by photochemical desorption of organic molecules on the substrate surface.
By the above treatment, the surface of the silicon substrate was covered with a thin silica layer of 2 nm or less, and hydroxyl groups (silanol groups) could be introduced on the surface.

(2)第二高分子層の形成:
第二の高分子物質、ここではフルオロアルキルシラン、具体的にはFC(CF(CHSi(OCHで示される、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロ−デシル−1−トリメトキシシラン(信越化学工業株式会社製)を用意した。
而して、前記表面処理されたSiO/Si基材を0.2cmの第二の高分子物質液で満たされたガラスカップとともに65cm容積のTeflon(登録商標)容器中に配置し、該容器をシールした後、150℃に保持した炉中に入れ、そこで3時間保持した。
この処理によって、基材表面上の末端水酸基とヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロ−デシル−1−トリメトキシシランのメトキシ基、さらにこのメトキシ基間において脱離反応(脱アルコール反応)が起り、図6に示すように、基材3表面にフッ素置換されたアルキル基を側鎖とするポリシロキサン膜が形成された。
図示されるように、この膜の側鎖は一軸方向に延びる単分子層を形成しており、この単分子層が本実施例に係る第二高分子層に相当する。
(2) Formation of second polymer layer:
A second polymeric material, here a fluoroalkylsilane, specifically hepadecafluoro-1,1,2, represented by F 3 C (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 2-tetrahydro-decyl-1-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was prepared.
Thus, the surface-treated SiO 2 / Si substrate is placed in a 65 cm 3 volume Teflon® container with a glass cup filled with 0.2 cm 3 of the second polymer solution, After sealing the vessel, it was placed in a furnace maintained at 150 ° C. and held there for 3 hours.
By this treatment, a terminal hydroxyl group on the substrate surface and a methoxy group of heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydro-decyl-1-trimethoxysilane, and further a elimination reaction (dealcoholization reaction) between the methoxy groups As shown in FIG. 6, a polysiloxane film having a fluorine-substituted alkyl group as a side chain was formed on the surface of the substrate 3.
As shown in the figure, the side chain of this film forms a monomolecular layer extending in a uniaxial direction, and this monomolecular layer corresponds to the second polymer layer according to this example.

(3)第二高分子層のパターニング(除去処理):
一般的なフォトリソグラフィ技術によって、第二高分子層を微細加工した。即ち、波長172nmのエキシマランプ光を所望のパターン以外の部分に形成されたフォトマスク越しに照射し、その光エネルギーに因って所望のパターンに対応する部分の第二高分子層を分解・除去した。
(3) Patterning (removal process) of the second polymer layer:
The second polymer layer was finely processed by a general photolithography technique. That is, excimer lamp light having a wavelength of 172 nm is irradiated through a photomask formed in a portion other than a desired pattern, and the second polymer layer corresponding to the desired pattern is decomposed and removed depending on the light energy. did.

(4)第一高分子層の形成:
第一の高分子物質、ここではアルキルトリアルコキシシラン、具体的にはHC(CH17Si(OCHで示されるn−オクタデシルトリメトキシシラン(東京化成工業株式会社製)を用意した。
而して、前記第二高分子層が形成され、更にパターニングされた基板を0.2cmの第一の高分子物質液で満たされたガラスカップとともに65cm容積のTeflon(登録商標)容器中に配置し、該容器をシールした後、150℃に保持した炉中に入れ、そこで3時間保持した。
この処理によって、基材表面上の末端水酸基とn−オクタデシルトリメトキシシランのメトキシ基、さらにこのメトキシ基間において脱離反応(脱アルコール反応)が起り、図7に示すように、基材3表面の前記フォトパターニングによって第二高分子層が除去された部分に、炭素数18の長鎖アルキル基を側鎖とするポリシロキサン膜が形成された。
図示されるように、この膜の側鎖は一軸方向に延びる単分子層を形成しており、この単分子層が本実施例に係る第一高分子層に相当する。
なお、第二高分子層はその末端が全てフッ素により置換されたアルキル基であり、反応性が極めて低いため、第一の高分子物質は当該第二高分子層部分とは反応せず、第二高分子層が形成されていない所望のパターン部分の基材表面のみに選択的に反応した。
以上の工程により、金属配線を転写するモールドを製造するためのテンプレートが得られた。
(4) Formation of the first polymer layer:
N-octadecyltrimethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) represented by a first polymer substance, here alkyltrialkoxysilane, specifically, H 3 C (CH 2 ) 17 Si (OCH 3 ) 3 Prepared.
Thus, the substrate on which the second polymer layer is formed and further patterned is placed in a 65 cm 3 volume Teflon (registered trademark) container together with a glass cup filled with 0.2 cm 3 of the first polymer material liquid. The container was sealed and placed in a furnace maintained at 150 ° C. and held there for 3 hours.
By this treatment, a terminal hydroxyl group on the substrate surface and the methoxy group of n-octadecyltrimethoxysilane, and further, a elimination reaction (dealcoholization reaction) occurs between the methoxy groups, and as shown in FIG. A polysiloxane film having a long-chain alkyl group having 18 carbon atoms as a side chain was formed on the portion where the second polymer layer was removed by the photo-patterning.
As shown in the figure, the side chain of this film forms a monomolecular layer extending in a uniaxial direction, and this monomolecular layer corresponds to the first polymer layer according to this example.
Note that the second polymer layer is an alkyl group in which all ends are substituted with fluorine, and the reactivity is extremely low. Therefore, the first polymer substance does not react with the second polymer layer portion, It reacted selectively only on the base material surface of the desired pattern part in which the bipolymer layer was not formed.
Through the above steps, a template for manufacturing a mold for transferring metal wiring was obtained.

(5)メッキ処理:
次いで、以下のように浸漬及び洗浄工程を順に行うことにより、Niメッキ層を形成した。即ち、活性化溶液(商品名Activator for Plating,P−1、高純度化学株式会社製)50ml、反応促進溶液(商品名Stabilizer for Plating(反応促進)剤、高純度化学株式会社製)50ml、Ni無電解メッキ液(商品名Ni−701AL、Ni−P(P5%含有)、高純度化学株式会社製)50ml、及び超純水各50mlずつを入れたメッキ用槽をそれぞれ用意した。
まず、活性化溶液を入れたメッキ用槽中に前記で得られた基材を25℃で10分間浸漬して活性化処理を行った。次に、基材をこの溶液から取り出し、第一の超純水を入れたメッキ用槽(以下、超純水槽という)中に浸漬して洗浄した。続いて、基材を取り出し、反応促進溶液を入れたメッキ用槽中に25℃で3分間浸漬した。さらに、基材をこの溶液から取り出し、第二の超純水槽中に浸漬して洗浄した。そして、洗浄液から取り出し、Ni無電解メッキ液を入れたメッキ用槽中に浸漬し、80℃で3秒間処理した。これを取り出し、再び第三の超純水槽中に浸漬し、洗浄を行った。以上の工程によって、ニッケルが第一高分子層上に選択的に析出し、金属転写用モールドを完成した。この100倍のSEM写真を図8に示す(図中のスケールが100μm)。
(5) Plating treatment:
Next, the Ni plating layer was formed by sequentially performing the dipping and cleaning steps as follows. That is, 50 ml of an activation solution (trade name Activator for Platting, P-1, manufactured by High Purity Chemical Co., Ltd.), 50 ml of a reaction accelerating solution (trade name Stabilizer for Platting (reaction promotion), manufactured by High Purity Chemical Co., Ltd.), Ni Plating tanks each containing 50 ml of electroless plating solution (trade names: Ni-701AL, Ni-P (containing P5%), manufactured by High Purity Chemical Co., Ltd.) and 50 ml of ultrapure water were prepared.
First, the substrate obtained above was immersed in a plating tank containing an activation solution at 25 ° C. for 10 minutes for activation treatment. Next, the substrate was taken out from this solution and washed by immersing it in a plating tank containing the first ultrapure water (hereinafter referred to as an ultrapure water tank). Subsequently, the substrate was taken out and immersed in a plating tank containing the reaction promoting solution at 25 ° C. for 3 minutes. Furthermore, the base material was taken out from this solution and immersed in a second ultrapure water bath for cleaning. And it took out from the washing | cleaning liquid, it immersed in the tank for plating containing Ni electroless-plating liquid, and processed for 3 second at 80 degreeC. This was taken out and again immersed in a third ultrapure water tank for cleaning. Through the above steps, nickel was selectively deposited on the first polymer layer to complete a metal transfer mold. This 100 times SEM photograph is shown in FIG. 8 (scale in the figure is 100 μm).

(6)金属メッキ層の転写
転写するポリマー基板として、ポリメチルメタクリレート(分子量約25000、ガラス転移点105℃)を用意した。
前記にて得られたモールドをプレス機(理研精機株式会社製、型式P−16B)によって、温度180℃、プレス圧力10MPaの条件下に前記ポリマー基板に圧接した。
次いで、モールドをポリマー基板から離した。ここでモールドは剥離性に優れ、ポリマー基板には金属メッキ層が転写され、金属配線が形成された。図8と同倍率で撮影したSEM写真を図9に示す。図9から明らかなように、微細な金属配線が精度良く形成されていることが判る。
また、転写された金属配線は、ポリマー基板中に埋め込まれ、金属配線とポリマー基板との密着性に優れるものであった。さらに、転写後のモールドには、ポリマー基板が付着していなかった。従って、再び前記(5)メッキ処理工程と同様に金属メッキ層を形成することにより、再利用が可能である。
(6) Transfer of metal plating layer Polymethylmethacrylate (molecular weight of about 25000, glass transition point 105 ° C.) was prepared as a polymer substrate to be transferred.
The mold obtained above was pressed against the polymer substrate with a press machine (manufactured by Riken Seiki Co., Ltd., model P-16B) at a temperature of 180 ° C. and a press pressure of 10 MPa.
The mold was then released from the polymer substrate. Here, the mold was excellent in peelability, and the metal plating layer was transferred to the polymer substrate to form metal wiring. FIG. 9 shows an SEM photograph taken at the same magnification as FIG. As is apparent from FIG. 9, it can be seen that fine metal wiring is formed with high accuracy.
In addition, the transferred metal wiring was embedded in the polymer substrate, and the adhesion between the metal wiring and the polymer substrate was excellent. Furthermore, the polymer substrate was not attached to the mold after the transfer. Therefore, it can be reused by forming a metal plating layer again in the same manner as the above (5) plating process.

以上、本発明の好適な実施態様を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した態様を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but these are only examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the above-described embodiments. In addition, the technical elements described in the present specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology illustrated in the present specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.

一実施形態に係る金属配線作製用テンプレートの構成を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows typically the structure of the template for metal wiring preparation which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る金属転写用モールドの構成を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows typically the structure of the metal transfer mold which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る金属配線作製用テンプレート及び金属転写用モールドの製造工程を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows typically the manufacturing process of the template for metal wiring preparation which concerns on one Embodiment, and the mold for metal transfer. 一実施形態に係る金属配線の転写工程を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows typically the transfer process of the metal wiring which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る金属配線が形成された構造物を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows typically the structure in which the metal wiring which concerns on one Embodiment was formed. 一実施例における第二高分子層の単分子膜の化学構造を示す説明図。。Explanatory drawing which shows the chemical structure of the monomolecular film of the 2nd polymer layer in one Example. . 一実施例における第一高分子層の単分子膜の化学構造を示す説明図。Explanatory drawing which shows the chemical structure of the monomolecular film of the 1st polymer layer in one Example. 一実施例における金属転写用モールドのSEM写真。The SEM photograph of the metal transfer mold in one Example. 一実施例における金属配線が形成された構造物のSEM写真。The SEM photograph of the structure in which the metal wiring in one Example was formed.

符号の説明Explanation of symbols

1……金属配線作製用テンプレート
3……基材
5……第一高分子層
7……第二高分子層
11…金属転写用モールド
13…金属メッキ層
21…ポリマー基板
23…金属配線
31…金属配線が形成された構造物(基板)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal wiring preparation template 3 ... Base material 5 ... 1st polymer layer 7 ... 2nd polymer layer 11 ... Metal transfer mold 13 ... Metal plating layer 21 ... Polymer substrate 23 ... Metal wiring 31 ... Structure (substrate) with metal wiring

Claims (12)

金属が付着可能な基板表面に所望のパターンの金属配線を作製する方法であって:
金属配線転写用モールド本体を構成する基材上に前記パターンの第一高分子層を形成し、前記基材上の該パターン以外の部分には第二高分子層を形成する工程、ここで第一高分子層は所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る第一の高分子物質から形成する一方、第二高分子層は該条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない第二の高分子物質から形成する;
前記所定条件下でメッキ処理を行うことにより、前記第一高分子層上に選択的に前記金属から成るメッキ層を形成し、前記転写用モールドを得る工程;及び
該転写用モールドを金属が付着可能な基板に圧接し、該基板に前記金属メッキ層から成る配線を転写する工程;
を含む、金属配線作製方法。
A method for producing a metal wiring having a desired pattern on a substrate surface to which a metal can be attached:
Forming a first polymer layer of the pattern on a substrate constituting a metal wiring transfer mold body, and forming a second polymer layer on a portion other than the pattern on the substrate; One polymer layer is formed from a first polymer material on which a plating layer made of the metal can be deposited under a predetermined plating process condition, while a second polymer layer has a plating layer made of the metal under the condition. Formed from a second polymeric material that does not substantially precipitate;
A step of selectively forming the plating layer made of the metal on the first polymer layer by performing plating under the predetermined condition to obtain the transfer mold; and metal attached to the transfer mold Pressure-contacting to a possible substrate and transferring the wiring made of the metal plating layer to the substrate;
The metal wiring preparation method containing.
前記第一高分子層及び前記第二高分子層を形成する工程は、
前記基材上に前記第二高分子層を形成すること、
その第二高分子層のうちの前記パターンに対応する部分を除去すること、及び
その第二高分子層が除去された前記パターンに対応する部分に選択的に前記第一高分子層を形成すること、
を含む、請求項1に記載の方法。
The step of forming the first polymer layer and the second polymer layer includes
Forming the second polymer layer on the substrate;
Removing a portion of the second polymer layer corresponding to the pattern, and selectively forming the first polymer layer in a portion corresponding to the pattern from which the second polymer layer has been removed. about,
The method of claim 1 comprising:
前記第二高分子層からの前記パターンに対応する部分の除去は、該部分への光又は電磁波照射によって行われる、請求項2に記載の方法。   The method according to claim 2, wherein the portion corresponding to the pattern from the second polymer layer is removed by light or electromagnetic wave irradiation on the portion. 前記第二高分子層は、一部又は全部がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を備えた有機化合物から形成される、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。   The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the second polymer layer is formed from an organic compound having an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group partially or entirely substituted with fluorine. 前記第一高分子層は、前記フッ素含有有機化合物よりも長い炭素鎖であり一部が置換された又は置換されていないアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を備えた有機化合物から形成される、請求項4に記載の方法。   The first polymer layer is formed of an organic compound having an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group that is a carbon chain longer than the fluorine-containing organic compound and is partially substituted or unsubstituted. Item 5. The method according to Item 4. 前記基材は表面に反応性基を有するシリコンで実質的に構成されており、
前記第二高分子層は、該反応性基と反応し得る官能基と、一部又は全部がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基とを備えた有機ケイ素化合物から形成され、
前記第一高分子層は、該反応性基と反応し得る官能基と、前記フッ素含有有機ケイ素化合物よりも長い炭素鎖であり一部が置換された又は置換されていないアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基とを備えた有機ケイ素化合物から形成される、請求項5に記載の方法。
The base material is substantially composed of silicon having a reactive group on the surface,
The second polymer layer is formed from an organosilicon compound having a functional group capable of reacting with the reactive group and an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group partially or wholly substituted with fluorine,
The first polymer layer includes a functional group capable of reacting with the reactive group, a carbon chain longer than the fluorine-containing organosilicon compound, and a partially substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, or 6. The method of claim 5, wherein the method is formed from an organosilicon compound with an alkynyl group.
前記第一高分子層及び/又は第二高分子層は単分子層によって構成されている、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the first polymer layer and / or the second polymer layer is constituted by a monomolecular layer. 前記基板としてガラス転移を示すポリマーから成る基板又は金属配線を形成する表面部分が該ポリマーによって形成されている基板を使用し、前記転写工程は、該ポリマーのガラス転移点以上の温度であって該基板のポリマー形成部分の形態が保ち得る温度範囲内で行われる、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。   As the substrate, a substrate made of a polymer exhibiting a glass transition or a substrate in which a surface portion forming a metal wiring is formed of the polymer is used, and the transfer step is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the polymer. The method in any one of Claims 1-7 performed within the temperature range which can maintain the form of the polymer formation part of a board | substrate. 請求項1〜8のいずれかに記載の方法によって作製された金属配線を有する構造物。   The structure which has the metal wiring produced by the method in any one of Claims 1-8. 金属が付着可能な基板表面に対して所望のパターンの金属配線を転写するためのモールドを製造する方法であって:
金属配線転写用モールド本体を構成する基材上に前記パターンの第一高分子層を形成し、前記基材上の該パターン以外の部分には第二高分子層を形成する工程、ここで第一高分子層は所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る第一の高分子物質から形成する一方、第二高分子層は該条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない第二の高分子物質から形成する;及び
前記所定条件下でメッキ処理を行うことにより、前記第一高分子層上に選択的に前記金属から成るメッキ層を形成する工程;
を含む、金属配線転写用モールド製造方法。
A method of manufacturing a mold for transferring a metal wiring having a desired pattern to a substrate surface to which metal can be attached:
Forming a first polymer layer of the pattern on a substrate constituting a metal wiring transfer mold body, and forming a second polymer layer on a portion other than the pattern on the substrate; One polymer layer is formed from a first polymer material on which a plating layer made of the metal can be deposited under a predetermined plating process condition, while a second polymer layer has a plating layer made of the metal under the condition. Forming from a second polymer substance that does not substantially precipitate; and performing a plating process under the predetermined condition to selectively form a plating layer made of the metal on the first polymer layer;
A metal wiring transfer mold manufacturing method comprising:
金属が付着可能な基板表面に対して所望のパターンの金属配線を転写するためのモールドであって、
モールド本体を構成する基材と、
該基材上に形成された前記パターンの第一高分子層であって、所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る高分子物質により形成された第一高分子層と、
前記基材上の前記パターン以外の部分に形成された第二高分子層であって、前記メッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない高分子物質により形成された第二高分子層と、
前記第一高分子層上に選択的に形成された前記金属から成るメッキ層と、
を有する金属配線転写用モールド。
A mold for transferring a metal wiring of a desired pattern to a substrate surface to which metal can adhere,
A base material constituting the mold body;
A first polymer layer of the pattern formed on the substrate, the first polymer layer being formed of a polymer substance on which a plating layer made of the metal can be deposited under predetermined plating conditions; ,
A second polymer layer formed on a portion of the substrate other than the pattern, the second polymer layer being formed of a polymer material that does not substantially deposit a plating layer made of the metal under the plating conditions. A polymer layer;
A plating layer made of the metal selectively formed on the first polymer layer;
A metal wiring transfer mold comprising:
金属が付着可能な基板表面に対して所望のパターンの金属配線を転写するモールドを製造するためのテンプレートであって、
モールド本体を構成する基材と、
該基材上に形成された前記パターンの第一高分子層であって、所定のメッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が析出し得る高分子物質により形成された第一高分子層と、
前記基材上の前記パターン以外の部分に形成された第二高分子層であって、前記メッキ処理条件下において前記金属から成るメッキ層が実質的に析出しない高分子物質により形成された第二高分子層と、
を有するテンプレート。
A template for manufacturing a mold for transferring metal wiring of a desired pattern to a substrate surface to which metal can adhere,
A base material constituting the mold body;
A first polymer layer of the pattern formed on the substrate, the first polymer layer being formed of a polymer substance on which a plating layer made of the metal can be deposited under predetermined plating conditions; ,
A second polymer layer formed on a portion of the substrate other than the pattern, the second polymer layer being formed of a polymer material that does not substantially deposit a plating layer made of the metal under the plating conditions. A polymer layer;
Template with.
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