JP2005191759A - 電流制御回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】コイルを流れる電流を効果的にオンオフする。
【解決手段】出力端(電流吸い込み端)10に対し、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12をグランドに向けて直列接続する。第2NチャネルトランジスタQ12のゲートへLを入力したときに、コンデンサCに充電し、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートへHを入力したときに、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12をオンする。このとき、コンデンサCの電荷は抵抗Rを介しグランドに流れ、その段階で第1NチャネルトランジスタQ10がオフする。このとき、出力端に接続されたコイルに逆起電力が生じても、第1NチャネルトランジスタQ10のボディーダイオードD10が逆方向電流を阻止する。
【選択図】図1
【解決手段】出力端(電流吸い込み端)10に対し、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12をグランドに向けて直列接続する。第2NチャネルトランジスタQ12のゲートへLを入力したときに、コンデンサCに充電し、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートへHを入力したときに、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12をオンする。このとき、コンデンサCの電荷は抵抗Rを介しグランドに流れ、その段階で第1NチャネルトランジスタQ10がオフする。このとき、出力端に接続されたコイルに逆起電力が生じても、第1NチャネルトランジスタQ10のボディーダイオードD10が逆方向電流を阻止する。
【選択図】図1
Description
トランス一次側コイルに流れる電流を制御する電流制御回路、特にトランス一次側コイルによる逆起電力による逆流電流を防止するものに関する。
液晶のバックライトには、CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)が広く利用されている。このCCFLには、交流電流を印加する必要があり、トランスの1次側コイルに交流電流を供給し、2次側コイルに接続したCCFLを発光させている。従って、トランスの1次側コイル交流電流を供給する回路が必要となる。
この回路として、例えば図3に示すプッシュプルアンプのような構成が採用される。この回路では、電源VDDと出力端の間に、PチャネルトランジスタQ1が設けられ、出力端とグランドの間に、ダイオードSBD、NチャネルトランジスタQ2が配置される。トランジスタQ1をオン、トランジスタQ2をオフすることで、電源VDDからの電流が出力端から流れ出し、トランジスタQ1をオフ、トランジスタQ2をオンすることで、出力端から電流が吸い込まれる。
そして、出力端にトランスの一次側コイルを接続し、二次側コイルにCCFLを接続する。これによって、トランスの一次側コイルに所定の交流電流を供給し、二次側コイルに接続されたCCFLを発光させることができる。なお、CCFLの駆動回路については、特許文献1などに記載がある。
ここで、上述のような回路において、トランジスタQ2をオンオフした場合、ダイオードSBDにはかなり大きな逆電圧がかかる。一方、トランジスタQ2のオン時においては、かなりの大電流が流れる。携帯機器などにおける液晶ディスプレイ用のバックライト等においても、ピーク電流は10A以上となる場合が多い。このため、ダイオードSBDには、通常ショットキーバリアダイオード(SBD)が採用される。それでもダイオードSBDでのオン抵抗による発熱が問題となり、サイズの大きなものを採用する必要があり、例えばSMP(面実装パッケージ)クラスのものが必要となる。従って、スペース的に問題となると共に、コストが高くなってしまうという問題もある。
本発明は、トランス一次側コイルが接続される電流引き込み端子と、ソースが前記電流引き込み端子に接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第1Nチャネルトランジスタと、ドレインが前記第1Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースがグランドに接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第2Nチャネルトランジスタと、を有し、前記第1および第2Nチャネルトランジスタをオンすることで、前記電流引き込み端子からの電流を前記第1および第2Nチャネルトランジスタを介し、グランドに流し、前記第1および第2Nチャネルトランジスタをオフすることで前記電流引き込み端子からの電流を停止させると共に、グランドからトランス一次側コイルに向けて流れる電流を前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードによって阻止することを特徴とする。
また、本発明は、トランス一次側コイルが接続される電流引き込み端子と、ソースが前記電流引き込み端子に接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第1Nチャネルトランジスタと、ドレインが前記第1Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースがグランドに接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有するとともに、ゲートに入力信号を受け入れる第2Nチャネルトランジスタと、前記第1Nチャネルトランジスタのゲートとグランドの間に接続された抵抗と、前記第1Nチャネルトランジスタのゲートと前記第2Nチャネルトランジスタのゲートとの間に接続されたコンデンサと、前記第1Nチャネルトランジスタのドレインからそのゲートへの電流を許容するダイオードと、を有し、入力信号をHレベルにすることにより第2Nチャネルトランジスタをオンすると共に、第1Nチャネルトランジスタのドレインをグランド電位にして第1Nチャネルトランジスタもオンし、前記電流引き込み端子からの電流を前記第1および第2Nチャネルトランジスタを介しグランドに流し、その後コンデンサの充電電圧が抵抗を介し放電されることによって第1Nチャネルトランジスタをオフし、前記電流引き込み端子からの電流を停止させる共に、グランドからトランス一次側コイルに向けて流れる電流を前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードによって阻止し、入力信号をLレベルとすることにより前記第2Nチャネルトランジスタをオフすると共に、前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードを介する前記電流引き込み端子からの電流でコンデンサを充電した状態することを特徴とする。
本発明によれば、第1Nチャネルトランジスタをオフしたときに、そのボディーダイオードが逆方向電流を阻止する。従って、逆流防止用のダイオードを設ける必要がなくなる。そして、トランジスタのオン抵抗はダイオードのオン抵抗より小さくでき、従ってオン時の大電流による発熱を防止することができる。また、回路全体のサイズを小さくすることができる。
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
図1に、実施形態の回路を示す。電源には、PチャネルトランジスタQ1のソースが接続され、このトランジスタQ1のドレインは、出力端(吐き出し吸い込み端)10に接続されている。また、トランジスタQ1には、その駆動信号Vgが供給されており、トランジスタQ1がオンすることで、電源からの電流が出力端10から吐き出される。なお、トランジスタQ1には、ドレインからソース(出力端10側から電源に向けて)電流を流すボディーダイオードD1が形成されている。
一方、出力端には、第1NチャネルトランジスタQ10のソースが接続されている。この第1NチャネルトランジスタQ10のドレインには、第2NチャネルトランジスタQ12のドレインが接続され、この第2NチャネルトランジスタQ12のソースはグランドに接続されている。なお、これら第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12には、それぞれそのソースからドレインに向けて流すボディーダイオードD10、D12が形成されている。
また、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12の両者のドレインの接続点には、ツェナーダイオードZDのアノードが接続され、そのカソードは、第1NチャネルトランジスタQ10のゲートに接続されている。また、この第1NチャネルトランジスタQ10のゲートには、他端がグランドに接続された抵抗Rと、他端が第2Nチャネルトランジスタのゲートに接続されたコンデンサCの一端がそれぞれ接続されている。
そして、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートには、トランジスタQ1のゲートに供給される駆動信号Vgとは、逆相の駆動信号(Vgアッパーバー)が供給されている。
この回路において、矩形波である駆動信号Vgおよびその反転信号Vg(アッパーバー)がトランジスタQ1、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートに入力されると、上述の従来例と同様に、トランジスタQ1のオンにより、出力端10から電流が吐き出される。
このとき、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートにはLレベルが入力されるため、第2NチャネルトランジスタQ12はオフとなる。また、出力端10の電圧が高い(電源電圧)ため、出力端から第1NチャネルトランジスタQ10のボディーダイオードD10、およびツェナーダイオードZDを介し、コンデンサCに電流が流れ込む。また、第1NチャネルトランジスタQ10は、ボディーダイオードD10にソースからドレインへ向けて電流が流れているために、これらの間に電位差がなくオフとなっている。従って、第1NチャネルトランジスタQ10のゲート電圧は出力端の電圧、すなわち電源電圧になっている。なお、抵抗Rを介し電流がグランドに流れるが、出力端10からの電流量が大きいため、この電流量は問題にならない。
次に、駆動信号VgがLになると、トランジスタQ1はオフとなり、第2NチャネルトランジスタQ12のゲートがHレベルになり、第2NチャネルトランジスタQ12がオンする。また、第1NチャネルトランジスタQ10のゲートはコンデンサCがあるため電源電圧に入力信号Vg(アッパーバー)のH分の電圧が加算された電圧になると共に、ドレインがグランド電位となり、第1NチャネルトランジスタQ10もオンする。これによって、出力端10からの電流が、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12を介し、グランドに向けて流れる。
このように、出力端からの吸い込み電流は、オン状態のNチャネルトランジスタQ10を介しグランドに向けて流れ、そのオン抵抗は50mΩ程度とダイオードに比べ十分小さくできる。
なお、コンデンサCは、200nF、抵抗Rは、10Ω程度とできる。
ここで、第1NチャネルトランジスタQ10のドレイン電圧はグランド電位であり、コンデンサCへの充電電流はなく、従ってコンデンサCの充電電圧は、抵抗Rを介し、グランドに流れる。従って、所定時間後には、駆動信号Vgの変化前に第1NチャネルトランジスタQ10のゲート電圧が十分グランド電圧に近づき、第1NチャネルトランジスタQ10がオフする。
このように、第1NチャネルトランジスタQ10のゲート電圧は、徐々に変化するため、比較的ソフトなスイッチングを達成することができ、出力端に接続されたトランスの一次側コイルによる逆起電力の発生を比較的小さなものにできる。そして、第1NチャネルトランジスタQ10のオフと共に、そのボディーダイオードD10によって、第2NチャネルトランジスタQ12のボディーダイオードD12を介しグランドからトランスの一次側コイルに向けての逆流電流を防止することができるため、別のダイオード等を必要としない。
なお、第1NチャネルトランジスタQ10のオフによって、そのソース側電圧は振動するが、ドレイン側電圧はグランド電位に保たれる。なお、第1NチャネルトランジスタQ10がオフになったときには、第2NチャネルトランジスタQ12がまだオンしているため、出力端からグランドへの電流を流すことができ、トランスにおける余剰の電流を吐き出すことができる。
本実施形態の回路によれば、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12、コンデンサC、抵抗R、ツェナーダイオードZDなどを1つの銅フレーム上に搭載し、他の部品は、ワイヤーで配線し、これを樹脂モールドして1つのパッケージにすることができる。
これによって、サイズを小さくでき、またオン抵抗が小さいため発熱を抑えることができる。これによって、部品実装面積、工数を低減することができ、全体のコストを低減できるという効果が得られる。
図2には、第1および第2NチャネルトランジスタQ10、Q12に好適なトランジスタの構成が示してある。半導体基板20の裏面にはドレイン電極22が形成されている。半導体基板20の下部には、N+領域が形成され、その上にN−領域、P領域が形成されている。
P領域の表面部には、N+のソース領域が形成され、ここにソース電極24が形成されている。また、このソース領域に平面的に隣接する領域にP領域を上面から貫通してN−領域にいたるトレンチ型のゲート電極26が形成されている。なお、ゲート電極26のトレンチ部の表面には、ゲート絶縁膜が形成されている。このような構成において、ソース、ドレイン間に所定の電圧を印加して、ゲート電極に正の電圧を印加することで、ゲート電極に近いP領域(チャネル領域CHに)に反転領域が形成されソースドレイン間に電流が流れる。そして、この構成において、P領域がソース領域と同電位に維持されることで、ソースドレイン間にボディーダイオードが形成される。
本実施形態では、例えばこのような構成のNチャネルトランジスタを利用する。なお、トレンチタイプでなくても、同様のボディーダイオードが形成されるため、本実施形態のNチャネルトランジスタQ10、Q12がトレンチタイプに限定されるわけではない。
10 出力端、20 半導体基板、22 ドレイン電極、C コンデンサ、D1,D10,D12 ボディーダイオード、Q1 Pチャネルトランジスタ、Q2,Q10,Q12 Nチャネルトランジスタ、R 抵抗、SBD ダイオード、ZD ツェナーダイオード。
Claims (2)
- トランス一次側コイルが接続される電流引き込み端子と、
ソースが前記電流引き込み端子に接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第1Nチャネルトランジスタと、
ドレインが前記第1Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースがグランドに接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第2Nチャネルトランジスタと、
を有し、
前記第1および第2Nチャネルトランジスタをオンすることで、前記電流引き込み端子からの電流を前記第1および第2Nチャネルトランジスタを介し、グランドに流し、前記第1および第2Nチャネルトランジスタをオフすることで前記電流引き込み端子からの電流を停止させると共に、グランドからトランス一次側コイルに向けて流れる電流を前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードによって阻止することを特徴とする電流制御回路。 - トランス一次側コイルが接続される電流引き込み端子と、
ソースが前記電流引き込み端子に接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有する第1Nチャネルトランジスタと、
ドレインが前記第1Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースがグランドに接続され、ソースからドレインに向けて電流を流すボディーダイオードを有するとともに、ゲートに入力信号を受け入れる第2Nチャネルトランジスタと、
前記第1Nチャネルトランジスタのゲートとグランドの間に接続された抵抗と、
前記第1Nチャネルトランジスタのゲートと前記第2Nチャネルトランジスタのゲートとの間に接続されたコンデンサと、
前記第1Nチャネルトランジスタのドレインからそのゲートへの電流を許容するダイオードと、
を有し、
入力信号をHレベルにすることにより第2Nチャネルトランジスタをオンすると共に、第1Nチャネルトランジスタのドレインをグランド電位にして第1Nチャネルトランジスタもオンし、前記電流引き込み端子からの電流を前記第1および第2Nチャネルトランジスタを介しグランドに流し、その後コンデンサの充電電圧が抵抗を介し放電されることによって第1Nチャネルトランジスタをオフし、前記電流引き込み端子からの電流を停止させる共に、グランドからトランス一次側コイルに向けて流れる電流を前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードによって阻止し、
入力信号をLレベルとすることにより前記第2Nチャネルトランジスタをオフすると共に、前記第1Nチャネルトランジスタのボディーダイオードを介する前記電流引き込み端子からの電流でコンデンサを充電した状態することを特徴とする電流制御回路。
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