JP2005173184A - Display device and method for controlling drive of the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device and its drive controlling method by which each light emitting element can be allowed to emit light at a suitable luminance gradation corresponding to display data independently of the deterioration or dispersion of light emitting characteristics of respective display pixels due to changes in external environments or secular change and image information can be effectively displayed. <P>SOLUTION: The display device 100 is provided with at least a display panel 110 on which a plurality of display pixels are arrayed like a matrix, a light guide plate 140 arranged on the rear side of the display panel 110, a light receiving sensor part 150 stuck to the side end face of the light guide plate 140 and capable of detecting specific quantity corresponding to the light emitting characteristic of each display pixel, a correction control circuit 160 for correcting display data so as to maintain the light emitting characteristic of each display pixel at a fixed state, and a data driver 130 for setting gradation signal voltage Vdata to be supplied to each display pixel on the basis of the corrected display data. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示装置及びその駆動制御方法に関し、特に、表示データに応じた駆動電流を供給することにより所定の輝度階調で発光する電流制御型(又は、電流駆動型)の発光素子を、複数配列してなる表示パネル(画素アレイ)を備えた表示装置、及び、その駆動制御方法に関する。   The present invention relates to a display device and a drive control method thereof, and in particular, a current control type (or current drive type) light emitting element that emits light at a predetermined luminance gradation by supplying a drive current according to display data. The present invention relates to a display device including a plurality of arrayed display panels (pixel arrays) and a drive control method thereof.

近年、パーソナルコンピュータや映像機器のモニタ、ディスプレイとして多用されている液晶表示装置(LCD)に続く次世代の表示デバイス(ディスプレイ)として、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略記する)や無機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「無機EL素子」と略記する)、あるいは、発光ダイオード(LED)等のような自己発光型の光学要素(発光素子)を、2次元配列した表示パネルを備えた発光素子型のディスプレイの、本格的な実用化に向けた研究開発が盛んに行われている。   In recent years, organic electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”) are being used as next-generation display devices (displays) following liquid crystal display devices (LCDs) that are widely used as monitors and displays for personal computers and video equipment. And an inorganic electroluminescent element (hereinafter abbreviated as “inorganic EL element”) or a self-luminous optical element (light emitting element) such as a light emitting diode (LED) is provided in a two-dimensional array. Research and development for full-scale practical application of light emitting element type displays has been actively conducted.

特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイにおいては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化、低消費電力化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。   In particular, a light-emitting element type display using an active matrix driving method has a faster display response speed, no viewing angle dependency, higher luminance and higher contrast, and higher display image quality than liquid crystal display devices. In addition to being able to achieve finer and lower power consumption, it does not require a backlight unlike a liquid crystal display device, and thus has an extremely advantageous feature that it can be made thinner and lighter.

そして、このような発光素子型ディスプレイにおいては、上記発光素子の動作(発光状態)を制御するための駆動制御機構や制御方法が種々提案されている。例えば、特許文献1や特許文献2等に記載されているように、表示パネルを構成する各表示画素に、上記発光素子に加えて、該発光素子の発光状態を駆動制御するための、複数のスイッチング素子からなる駆動回路(以下、便宜的に、「発光駆動回路」と記す。後述する「画素駆動回路」と同等)を備えた構成が知られている。   In such a light emitting element type display, various drive control mechanisms and control methods for controlling the operation (light emission state) of the light emitting element have been proposed. For example, as described in Patent Document 1, Patent Document 2, and the like, each display pixel constituting the display panel includes a plurality of light emitting elements for driving and controlling the light emitting state of the light emitting element in addition to the light emitting element. 2. Description of the Related Art A configuration including a drive circuit composed of switching elements (hereinafter referred to as a “light emission drive circuit” for the sake of convenience and equivalent to a “pixel drive circuit” described later) is known.

図22は、従来技術における有機EL素子を備えた発光素子型ディスプレイの各表示画素の要部構成例を示す等価回路図である。
特許文献1に記載された表示画素は、図22(a)に示すように、表示パネル(図示を省略)にマトリクス状に配設された複数の走査ラインSL及びデータラインDLの各交点近傍に、ゲート端子が走査ラインSLに、ソース端子及びドレイン端子がデータラインDL及び接点N61に各々接続された薄膜トランジスタ(TFT)Tr61と、ゲート端子が接点N61に、ソース端子(S)が接地電位Vgndに接続された薄膜トランジスタTr62と、を備えた発光駆動回路DP1、及び、アノード端子が該発光駆動回路DP1に設けられた薄膜トランジスタTr62のドレイン端子(D)に接続され、カソード端子が接地電位Vgndよりも低い負電圧からなる定電源電圧(低電位電源)Vssに接続された有機EL素子OELを有して構成されている。
FIG. 22 is an equivalent circuit diagram illustrating a configuration example of a main part of each display pixel of a light emitting element type display including an organic EL element according to a conventional technique.
As shown in FIG. 22A, the display pixel described in Patent Document 1 is near each intersection of a plurality of scanning lines SL and data lines DL arranged in a matrix on a display panel (not shown). A thin film transistor (TFT) Tr61 whose gate terminal is connected to the scanning line SL, whose source terminal and drain terminal are connected to the data line DL and the contact N61, and whose gate terminal is the contact N61 and whose source terminal (S) is the ground potential Vgnd. A light emitting drive circuit DP1 having a connected thin film transistor Tr62, and an anode terminal connected to the drain terminal (D) of the thin film transistor Tr62 provided in the light emission drive circuit DP1, and a cathode terminal lower than the ground potential Vgnd It has an organic EL element OEL connected to a constant power supply voltage (low potential power supply) Vss composed of a negative voltage. That.

なお、図22(a)において、CP1は、薄膜トランジスタTr62のゲート−ソース間に形成される寄生容量(保持容量)である。また、薄膜トランジスタTr61はnチャンネル型の電界効果型トランジスタにより構成され、薄膜トランジスタTr62はpチャンネル型の電界効果型トランジスタにより構成されている。
そして、このような構成を有する発光駆動回路DP1においては、以下に示すように、薄膜トランジスタTr61及びTr62からなる2個の電界効果型トランジスタ(スイッチング手段)を所定のタイミングでオン、オフ制御することにより、有機EL素子OELを発光制御する。
In FIG. 22A, CP1 is a parasitic capacitance (retention capacitance) formed between the gate and source of the thin film transistor Tr62. The thin film transistor Tr61 is formed of an n-channel field effect transistor, and the thin film transistor Tr62 is formed of a p-channel field effect transistor.
In the light emission drive circuit DP1 having such a configuration, as shown below, two field effect transistors (switching means) composed of thin film transistors Tr61 and Tr62 are controlled to be turned on and off at a predetermined timing. The organic EL element OEL is controlled to emit light.

すなわち、発光駆動回路DP1において、走査ラインSLにハイレベルの走査信号Vselを印加して表示画素を選択状態に設定すると、薄膜トランジスタTr61がオン動作し、このとき、データラインDLに表示データ(画像信号)に応じて印加されていた階調信号電圧Vpixが上記薄膜トランジスタTr61を介して、薄膜トランジスタTr62のゲート端子(接点N61)に印加される。これにより、薄膜トランジスタTr62が上記階調信号電圧Vpixに応じた導通状態でオン動作して、接地電位Vgndから薄膜トランジスタTr62を介して定電源電圧Vss方向に所定の発光駆動電流が流れ、有機EL素子OELが上記表示データ(階調信号電圧Vpix)に応じた輝度階調で発光する。   That is, in the light emission drive circuit DP1, when the high-level scanning signal Vsel is applied to the scanning line SL to set the display pixel to a selected state, the thin film transistor Tr61 is turned on. ) Is applied to the gate terminal (contact N61) of the thin film transistor Tr62 through the thin film transistor Tr61. As a result, the thin film transistor Tr62 is turned on in a conductive state corresponding to the gradation signal voltage Vpix, and a predetermined light emission drive current flows from the ground potential Vgnd through the thin film transistor Tr62 in the direction of the constant power supply voltage Vss. Emits light with a luminance gradation corresponding to the display data (gradation signal voltage Vpix).

次いで、走査ラインSLにローレベルの走査信号Vselを印加して表示画素を非選択状態に設定すると、薄膜トランジスタTr61がオフ動作することにより、データラインDLと発光駆動回路DP1とが電気的に遮断される。これにより、薄膜トランジスタTr62のゲート端子に印加されていた電圧が寄生容量CP1により保持されて、薄膜トランジスタTr62は、オン状態を維持することになり、接地電位Vgndから薄膜トランジスタTr62を介して有機EL素子OELに発光駆動電流が流れる状態が維持され、発光動作が継続される。この発光動作は、次の表示データに応じた階調信号電圧Vpixが各表示画素に書き込まれるまで、例えば、1フレーム期間継続されるように制御される。
このような駆動制御方法は、各表示画素に印加する電圧(薄膜トランジスタTr62のゲート端子に印加される階調信号電圧Vpix)を調整することにより、有機EL素子OELに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所定の輝度階調で発光動作させていることから、電圧指定方式又は電圧印加方式と呼ばれている。
Next, when the low-level scanning signal Vsel is applied to the scanning line SL to set the display pixel to a non-selected state, the thin film transistor Tr61 is turned off, thereby electrically disconnecting the data line DL and the light emission driving circuit DP1. The As a result, the voltage applied to the gate terminal of the thin film transistor Tr62 is held by the parasitic capacitance CP1, and the thin film transistor Tr62 is maintained in the on state. The ground potential Vgnd is applied to the organic EL element OEL via the thin film transistor Tr62. The state in which the light emission drive current flows is maintained, and the light emission operation is continued. This light emission operation is controlled so as to be continued, for example, for one frame period until the gradation signal voltage Vpix corresponding to the next display data is written to each display pixel.
Such a drive control method adjusts the voltage applied to each display pixel (the gradation signal voltage Vpix applied to the gate terminal of the thin film transistor Tr62), thereby adjusting the current value of the light emission drive current that flows through the organic EL element OEL. Since it is controlled to emit light at a predetermined luminance gradation, it is called a voltage designation method or a voltage application method.

一方、特許文献2等に記載された表示画素は、図22(b)に示すように、相互に並行して配設された第1及び第2の走査ラインSL1、SL2とデータラインDLとの各交点近傍に、ゲート端子が第1の走査ラインSL1に、ソース端子及びドレイン端子がデータラインDL及び接点N71に各々接続された薄膜トランジスタTr71と、ゲート端子が第2の走査ラインSL2に、ソース端子及びドレイン端子が接点N71及び接点N72に各々接続された薄膜トランジスタTr72と、ゲート端子が接点N72に、ドレイン端子が接点N71に各々接続され、ソース端子に高電源電圧Vddが印加された薄膜トランジスタTr73と、ゲート端子が接点N72に接続され、ソース端子に高電源電圧Vddが印加された薄膜トランジスタTr74とを備えた画素駆動回路DP2、及び、階画素駆動回路DP2の薄膜トランジスタTr74のドレイン端子にアノード端子が接続され、カソード端子に接地電位が印加された有機EL素子OELを有して構成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 22B, the display pixel described in Patent Document 2 and the like includes first and second scanning lines SL1 and SL2 and a data line DL arranged in parallel to each other. Near each intersection, a thin film transistor Tr71 having a gate terminal connected to the first scan line SL1, a source terminal and a drain terminal connected to the data line DL and the contact N71, and a gate terminal connected to the second scan line SL2, respectively. And a thin film transistor Tr72 having a drain terminal connected to the contact N71 and the contact N72, a gate terminal connected to the contact N72, a drain terminal connected to the contact N71, and a high power supply voltage Vdd applied to the source terminal, A thin film transistor Tr74 having a gate terminal connected to the contact N72 and a high power supply voltage Vdd applied to the source terminal And the organic EL element OEL in which the anode terminal is connected to the drain terminal of the thin film transistor Tr74 of the lower pixel driving circuit DP2 and the ground potential is applied to the cathode terminal. .

なお、図22(b)において、薄膜トランジスタTr71はnチャネル型の電界効果型トランジスタにより構成され、薄膜トランジスタTr72乃至Tr74はpチャネル型の電界効果型トランジスタにより構成されている。また、CP2は、薄膜トランジスタTr73及びTr74のゲート−ソース間に形成される寄生容量である。
そして、このような構成を有する発光駆動回路DP2においては、薄膜トランジスタTr71乃至Tr74からなる4個のトランジスタ(スイッチング手段)を所定のタイミングでオン、オフ制御することにより、以下に示すように、有機EL素子OELを発光制御する。
In FIG. 22B, the thin film transistor Tr71 is composed of an n-channel field effect transistor, and the thin film transistors Tr72 to Tr74 are composed of p-channel field effect transistors. CP2 is a parasitic capacitance formed between the gate and source of the thin film transistors Tr73 and Tr74.
In the light emission driving circuit DP2 having such a configuration, the four transistors (switching means) composed of the thin film transistors Tr71 to Tr74 are controlled to be turned on and off at a predetermined timing, so that an organic EL can be obtained as shown below. The element OEL is controlled to emit light.

すなわち、発光駆動回路DP2において、図示を省略したゲートドライバにより、走査ラインSL1にハイレベルの走査信号Vsel1を、走査ラインSL2にローレベルの走査信号Vsel2を各々印加して表示画素を選択状態に設定すると、薄膜トランジスタTr71及びTr72がオン動作して、図示を省略したデータドライバによりデータラインDLに供給された、表示データに応じた階調電流Ipixが薄膜トランジスタTr71及びTr72を介して接点N72に取り込まれるとともに、該階調電流Ipixの電流レベルが薄膜トランジスタTr73により電圧レベルに変換されてゲート−ソース間に所定の電圧が生じる(書込動作)。   That is, in the light emission drive circuit DP2, a high-level scanning signal Vsel1 is applied to the scanning line SL1 and a low-level scanning signal Vsel2 is applied to the scanning line SL2 by a gate driver (not shown) to set the display pixel in a selected state. Then, the thin film transistors Tr71 and Tr72 are turned on, and the gradation current Ipix corresponding to the display data supplied to the data line DL by the data driver (not shown) is taken into the contact N72 via the thin film transistors Tr71 and Tr72. The current level of the gradation current Ipix is converted to a voltage level by the thin film transistor Tr73, and a predetermined voltage is generated between the gate and the source (writing operation).

次いで、例えば、走査ラインSL2にハイレベルの走査信号Vsel2を印加すると、薄膜トランジスタTr72がオフ動作することにより、薄膜トランジスタTr73のゲート−ソース間に生じた電圧が寄生容量CP2により保持され、次に、走査ラインSL1にローレベルの走査信号Vsel1を印加すると、薄膜トランジスタTr71がオフ動作することにより、データラインDLと画素駆動回路DP2とが電気的に遮断される。これにより、上記寄生容量CP2に保持された電圧に基づく電位差により、薄膜トランジスタTr74がオン動作して、高電源電圧Vddから所定の発光駆動電流が薄膜トランジスタTr74及び有機EL素子OELを介して接地電位に流れ、有機EL素子OELが表示データに応じた輝度階調で発光する(発光動作)。   Next, for example, when a high level scanning signal Vsel2 is applied to the scanning line SL2, the thin film transistor Tr72 is turned off, whereby the voltage generated between the gate and the source of the thin film transistor Tr73 is held by the parasitic capacitance CP2, and then the scanning is performed. When the low level scanning signal Vsel1 is applied to the line SL1, the thin film transistor Tr71 is turned off, thereby electrically disconnecting the data line DL and the pixel driving circuit DP2. Thereby, the thin film transistor Tr74 is turned on by the potential difference based on the voltage held in the parasitic capacitance CP2, and a predetermined light emission drive current flows from the high power supply voltage Vdd to the ground potential via the thin film transistor Tr74 and the organic EL element OEL. The organic EL element OEL emits light with a luminance gradation corresponding to display data (light emission operation).

ここで、薄膜トランジスタTr74を介して有機EL素子OELに供給される発光駆動電流は、表示データの輝度階調に基づいた電流値になるように制御され、この発光動作は、次の表示データに応じた階調電流Ipixが各表示画素に書き込まれるまで、例えば、1フレーム期間継続されるように制御される。
このような駆動制御方法は、各表示画素(薄膜トランジスタTr73のゲート端子;接点N72)に表示データに応じた電流値を指定した階調電流Ipixを供給し、該電流値に応じて保持される電圧に基づいて、有機EL素子OELに流す発光駆動電流を制御して、所定の輝度階調で発光動作させていることから、電流指定方式又は電流印加方式と呼ばれている。
Here, the light emission drive current supplied to the organic EL element OEL via the thin film transistor Tr74 is controlled to have a current value based on the luminance gradation of the display data, and this light emission operation depends on the next display data. Until the gradation current Ipix is written to each display pixel, for example, control is performed so as to continue for one frame period.
In such a drive control method, each display pixel (the gate terminal of the thin film transistor Tr73; the contact N72) supplies a gradation current Ipix designating a current value according to display data, and a voltage held according to the current value. On the basis of the above, the light emission drive current that flows through the organic EL element OEL is controlled to perform the light emission operation at a predetermined luminance gradation, and therefore, this is called a current designation method or a current application method.

特開2002−156923号公報 (第4頁、図2)JP 2002-156923 A (page 4, FIG. 2) 特開2001−147659号公報 (第7頁〜第8頁、図1)JP 2001-147659 A (pages 7 to 8, FIG. 1)

しかしながら、従来技術に示したような発光駆動回路を表示画素に備えた表示装置においては、以下に示すような問題を有していた。
すなわち、図22(a)に示したような電圧指定方式を採用した発光駆動回路DP1を備えた表示画素においては、各表示画素に印加される階調信号電圧Vpixに応じて、有機EL素子OELに流れる発光駆動電流の電流値が制御される構成を有しているため、発光駆動回路DP1を構成する薄膜トランジスタTr61及びTr62の素子特性(チャネル抵抗等)や有機EL素子OELの素子特性(抵抗等)が、周囲の温度等の外部環境や使用時間等に依存してバラツキや変動(劣化)を生じた場合には、有機EL素子OELに供給される発光駆動電流の電流値が変化する悪影響を与えるため、長期間にわたり安定的に所望の発光特性(所定の輝度階調での発光動作)を実現することが困難になるという問題を有していた。
また、表示画質の高精細化を図るために、表示パネルを構成する各表示画素を微細化すると、発光駆動回路DP1を構成する薄膜トランジスタTr61及びTr62の素子特性のバラツキが大きくなるため、適正な階調制御が行えなくなり、各表示画素の表示特性にバラツキが生じて画質の劣化を招くという問題を有していた。
However, the display device provided with the light emission drive circuit as shown in the prior art in the display pixel has the following problems.
That is, in the display pixel including the light emission drive circuit DP1 adopting the voltage specifying method as shown in FIG. 22A, the organic EL element OEL is set according to the gradation signal voltage Vpix applied to each display pixel. Therefore, the element characteristics (channel resistance, etc.) of the thin film transistors Tr61 and Tr62 constituting the light emission drive circuit DP1 and the element characteristics (resistance, etc.) of the organic EL element OEL are controlled. ), However, when there are variations or fluctuations (deterioration) depending on the external environment such as the ambient temperature and the usage time, the adverse effect of changing the current value of the light emission drive current supplied to the organic EL element OEL. Therefore, it has been difficult to stably realize desired light emission characteristics (light emission operation at a predetermined luminance gradation) over a long period of time.
In addition, if each display pixel constituting the display panel is miniaturized in order to improve the display image quality, the variation in element characteristics of the thin film transistors Tr61 and Tr62 constituting the light emission drive circuit DP1 increases. As a result, there is a problem that the gradation control cannot be performed, and the display characteristics of each display pixel vary, resulting in deterioration of image quality.

一方、図22(b)に示したような電流指定方式を採用した発光駆動回路DP2を備えた表示画素においては、各表示画素に供給される表示データに応じた階調電流Ipixの電流レベルを電圧レベルに変換する薄膜トランジスタTr73(電流/電圧変換用トランジスタ)、及び、有機EL素子OELに所定の電流値の駆動電流を供給する薄膜トランジスタTr74(発光駆動用トランジスタ)を備え、有機EL素子OELに供給する発光駆動電流の電流値を設定するように制御する構成を有しているので、上記電圧指定方式を採用した発光駆動回路DP1(図22(a))に比較して、各薄膜トランジスタTr73、Tr74の動作特性のバラツキの影響をある程度抑制することができるという利点を有している。
しかしながら、上述したような発光駆動回路DP2を構成する各薄膜トランジスタや有機EL素子OELにおける、外的環境の変化や経時変化等に伴う素子特性の劣化を完全に(より適切かつ良好に)抑制できるものではなく、依然として、長期間にわたり安定した発光特性、さらには、良好な表示画質を実現することが困難であるという問題を有していた。
On the other hand, in the display pixel having the light emission drive circuit DP2 adopting the current designating method as shown in FIG. 22B, the current level of the gradation current Ipix corresponding to the display data supplied to each display pixel is set. A thin film transistor Tr73 (current / voltage conversion transistor) that converts to a voltage level and a thin film transistor Tr74 (light emission drive transistor) that supplies a drive current of a predetermined current value to the organic EL element OEL are provided and supplied to the organic EL element OEL. Therefore, the thin film transistors Tr73 and Tr74 are compared with the light emission drive circuit DP1 (FIG. 22A) employing the voltage designation method. This has the advantage that the influence of variations in the operating characteristics can be suppressed to some extent.
However, in each thin film transistor and organic EL element OEL constituting the light emission drive circuit DP2 as described above, the deterioration of element characteristics due to changes in the external environment, changes with time, etc. can be completely (more appropriately and satisfactorily) suppressed. However, it still has a problem that it is difficult to realize stable light emission characteristics over a long period of time, and further, good display image quality.

そこで、本発明は、上述した種々の問題点に鑑み、外的環境の変化や経時変化による各表示画素の発光特性の劣化やバラツキに関わらず、表示データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、長期間にわたり画像情報を良好に表示することができる表示装置及びその駆動制御方法を提供することを目的とする。   Therefore, in view of the various problems described above, the present invention emits light with an appropriate luminance gradation according to display data regardless of deterioration or variation in the light emission characteristics of each display pixel due to changes in the external environment or changes over time. It is an object of the present invention to provide a display device that can be operated and can display image information satisfactorily over a long period of time and a drive control method thereof.

請求項1記載の発明は、透明な絶縁性基板上に複数の表示画素が2次元配列された表示パネルの、行ごとの前記表示画素を選択し、表示データに応じた階調信号を印加することにより、前記表示画素を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させて、前記表示パネルの表示面側に所望の画像情報を表示させる表示装置において、前記表示装置は、前記表示パネルの背面側に配置された導光板と、前記表示画素の発光特性に応じて、前記表示画素の各々に印加する前記階調信号を補正する補正回路部と、を有し、前記補正回路部は、前記導光板の少なくとも1つの側方端面に受光面が対向して設けられ、特定の階調信号を印加した場合の、前記表示画素の発光特性に応じた特定量を検出する特定量検出手段と、少なくとも前記検出された特定量に基づく検出階調データを保持する記憶手段と、前記記憶手段に保持された前記検出階調データと、前記表示画素における前記特定の階調信号に対応する前記特定量の初期値に基づく初期階調データとの比較結果に基づいて、前記表示データと前記特定量との関係を前記表示画素の初期状態における関係に近づけるように、前記表示画素に印加する前記階調信号を補正する補正信号を生成する信号補正手段と、を具備することを特徴とする。   The invention according to claim 1 selects the display pixels for each row of a display panel in which a plurality of display pixels are two-dimensionally arranged on a transparent insulating substrate, and applies a gradation signal according to display data. Thus, in the display device that causes the display pixels to emit light at a luminance gradation corresponding to the display data and displays desired image information on the display surface side of the display panel, the display device includes: A light guide plate disposed on the back side, and a correction circuit unit that corrects the gradation signal applied to each of the display pixels according to the light emission characteristics of the display pixel, and the correction circuit unit includes: A specific amount detection means for detecting a specific amount according to the light emission characteristics of the display pixel when a light receiving surface is provided opposite to at least one side end surface of the light guide plate and a specific gradation signal is applied; At least the detected feature An initial value based on an initial value of the specific amount corresponding to the specific gradation signal in the display pixel, and a storage means for holding detected gradation data based on the amount; the detected gradation data stored in the storage means; Based on the comparison result with the gradation data, a correction signal for correcting the gradation signal applied to the display pixel so that the relationship between the display data and the specific amount is close to the relationship in the initial state of the display pixel. And a signal correction means for generating.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の表示装置において、前記表示パネルは、前記絶縁性基板上に行方向に延伸して配設された複数の走査ライン、及び、列方向に延伸して配設された複数のデータラインを備え、前記複数の表示画素は、複数の走査ラインと複数のデータラインの各交点に配列され、前記表示装置は、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動回路と、前記表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に印加する信号駆動回路と、を備えることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the display panel extends in the column direction and a plurality of scanning lines arranged in the row direction on the insulating substrate. The display pixels are arranged at intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and the display device is arranged for each row of the display panel at a predetermined timing. A scanning drive circuit that sequentially applies a scanning signal to the display pixels of the display pixel to set the selected state, and generates a gradation signal according to the display data, and applies the gradation signal to the display pixels in the row set to the selected state And a signal driving circuit.

請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の表示装置において、前記特定量検出手段は、少なくとも、前記表示画素に対して、前記特定の階調信号を印加した場合の、前記表示画素における発光輝度に対応する輝度を測定する受光素子を備え、前記受光素子は、前記各表示画素に前記特定の階調信号を印加した場合に該表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出された光の一部を検出することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the first or second aspect, the specific amount detection unit applies the specific gradation signal to at least the display pixel. A light receiving element that measures the luminance corresponding to the light emission luminance of the light guide plate, and the light receiving element includes the light guide plate out of light emitted from the display pixel when the specific gradation signal is applied to the display pixel. A part of the light extracted to the side is detected.

請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置において、前記特定量検出手段は、前記導光板の一側方端面にのみ、少なくとも一つが密着して設けられていることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置において、前記特定量検出手段は、前記導光板の異なる複数の側方端面の各々に、少なくとも一つが密着して設けられていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to third aspects, at least one of the specific amount detecting means is provided in close contact with only one side end surface of the light guide plate. It is characterized by being.
According to a fifth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to third aspects, at least one of the specific amount detection means is in close contact with each of a plurality of different side end surfaces of the light guide plate. It is provided.

請求項6記載の発明は、請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置において、前記表示装置は、前記各表示画素と前記導光板との間に、前記表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出される光を集光して、該導光板に導光する集光手段を備えていることを特徴とする。
請求項7記載の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の表示装置において、前記導光板は、前記表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出される光を、前記特定量検出手段の設置方向に導光する導光手段を備えていることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to fifth aspects, the display device is configured to transmit light emitted from the display pixels between the display pixels and the light guide plate. Among these, it is characterized by comprising a light collecting means for condensing the light extracted to the light guide plate side and guiding it to the light guide plate.
A seventh aspect of the present invention is the display device according to any one of the first to sixth aspects, wherein the light guide plate emits light extracted from the display pixels to the light guide plate side. A light guide means for guiding light in the installation direction of the specific amount detection means is provided.

請求項8記載の発明は、請求項1乃至7のいずれかに記載の表示装置において、前記記憶手段は、前記検出階調データに加え、前記初期階調データを保持することを特徴とする。
請求項9記載の発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載の表示装置において、前記特定量検出手段による前記特定量の検出は、前記表示パネルへの電源投入時、及び、前記表示パネルへの電源投入後の所定時間以上経過後、の少なくとも何れかのタイミングで実行されることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to seventh aspects, the storage unit holds the initial gradation data in addition to the detected gradation data.
According to a ninth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to eighth aspects, the specific amount is detected by the specific amount detecting means when the display panel is powered on and the display panel. It is executed at least at any timing after elapse of a predetermined time or more after the power is turned on.

請求項10記載の発明は、請求項3乃至9のいずれかに記載の表示装置において、前記表示データは、デジタルデータからなり、前記補正回路部は、前記受光素子から出力される前記特定量の信号レベルをデジタルデータ化して、少なくとも前記検出階調データを生成する信号変換手段を備えることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the third to ninth aspects, the display data includes digital data, and the correction circuit unit has the specific amount output from the light receiving element. Signal conversion means for converting the signal level into digital data and generating at least the detected gradation data is provided.

請求項11記載の発明は、請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置において、前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする。
請求項12記載の発明は、請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置において、前記受光素子は、光導電センサであることを特徴とする。
請求項13記載の発明は、請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置において、前記受光素子は、ダブルゲート型のトランジスタ構造を有するフォトセンサであることを特徴とする。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the display device according to any one of the third to tenth aspects, the light receiving element is a photodiode.
According to a twelfth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the third to tenth aspects, the light receiving element is a photoconductive sensor.
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the third to tenth aspects, the light receiving element is a photosensor having a double-gate transistor structure.

請求項14記載の発明は、請求項1乃至13のいずれかに記載の表示装置において、前記表示画素は、少なくとも、前記走査駆動回路から印加される前記走査信号により、前記信号駆動回路から印加される前記階調信号を取り込む選択スイッチと、前記階調信号に応じた電流値を有する駆動電流を流す発光駆動スイッチと、前記階調信号に応じた電圧成分を蓄積する保持容量と、を有する発光駆動回路と、前記駆動電流の電流値に応じた輝度階調で発光動作する電流制御型の発光素子と、を備えることを特徴とする。   According to a fourteenth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to thirteenth aspects, the display pixel is applied from the signal driving circuit at least by the scanning signal applied from the scanning driving circuit. A light emitting drive switch that picks up the gradation signal, a light emission drive switch that passes a drive current having a current value corresponding to the gradation signal, and a storage capacitor that stores a voltage component corresponding to the gradation signal. A drive circuit and a current control type light emitting element that emits light with a luminance gradation corresponding to the current value of the drive current.

請求項15記載の発明は、請求項14記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセント素子であり、該有機エレクトロルミネッセント素子を構成し、所定の発光動作のために前記駆動電流を供給するための一対の電極のうち、前記導光板側の前記電極の任意の位置に、該有機エレクトロルミネッセント素子により放射される光の一部を、前記導光板側に取り出すための開口部が設けられていることを特徴とする。   According to a fifteenth aspect of the present invention, in the display device according to the fourteenth aspect, the light emitting element is an organic electroluminescent element, and the organic electroluminescent element is configured to perform the predetermined light emitting operation. To extract a part of light emitted by the organic electroluminescent element to the light guide plate side at an arbitrary position of the electrode on the light guide plate side among the pair of electrodes for supplying a drive current An opening is provided.

請求項16記載の発明は、透明な絶縁性基板上に複数の表示画素が2次元配列された表示パネルの、行ごとの前記表示画素を選択し、表示データに応じた階調信号を印加することにより、前記表示画素を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させて、前記表示パネルの表示面側に所望の画像情報を表示させる表示装置の駆動制御方法において、前記表示画素に対して、特定の階調信号を印加するステップと、前記表示パネルの背面側に配置された導光板の少なくとも1つの側方端面に、受光面が対向して設けられた受光素子により前記表示画素の発光特性に応じた特定量を検出するステップと、前記検出された特定量に基づく検出階調データを保持するステップと、前記保持された検出階調データと、前記表示画素における前記特定の階調信号に対応する前記特定量の初期値に基づく初期階調データとの比較結果に基づいて、前記表示データと前記特定量との関係を前記表示画素の初期状態における関係に近づけるように、前記表示画素に印加する前記階調信号を補正するステップと、を含むことを特徴とする。   According to a sixteenth aspect of the present invention, the display pixels for each row of the display panel in which a plurality of display pixels are two-dimensionally arranged on a transparent insulating substrate are selected and a gradation signal corresponding to display data is applied. Thus, in the display device drive control method for causing the display pixels to emit light at a luminance gradation corresponding to the display data and displaying desired image information on the display surface side of the display panel, A step of applying a specific gradation signal, and a light receiving element provided with a light receiving surface opposite to at least one side end surface of a light guide plate disposed on the back side of the display panel. A step of detecting a specific amount according to the light emission characteristic, a step of holding detection gradation data based on the detected specific amount, the held detection gradation data, and the specific pixel in the display pixel Based on the comparison result with the initial gradation data based on the initial value of the specific amount corresponding to the tone signal, the relationship between the display data and the specific amount is close to the relationship in the initial state of the display pixel. Correcting the gradation signal applied to the display pixel.

請求項17記載の発明は、請求項16記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定量を検出するステップは、前記表示画素に対して、特定の階調信号を印加した状態で放射される光のうち、前記導光板側に取り出された後、前記導光板内を伝搬して、前記側方端面から放射される光の一部を前記受光素子により検出することを特徴とする。
請求項18記載の発明は、請求項16又は17記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定量を検出するステップは、前記表示パネルへの電源投入時、及び、前記表示パネルへの電源投入後の所定時間以上経過後、の少なくとも何れかのタイミングで行われることを特徴とする。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the display device drive control method according to the sixteenth aspect, the step of detecting the specific amount is radiated in a state where a specific gradation signal is applied to the display pixel. Of the light, after being extracted to the light guide plate side, it propagates through the light guide plate, and a part of the light emitted from the side end surface is detected by the light receiving element.
According to an eighteenth aspect of the present invention, in the display device drive control method according to the sixteenth or seventeenth aspect, the step of detecting the specific amount is performed when the display panel is turned on and when the display panel is turned on. It is characterized in that it is performed at least at any timing after a predetermined time has elapsed.

請求項19記載の発明は、請求項16乃至18のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定の階調信号は、前記表示画素を最高の輝度階調で発光動作させるための信号レベルに設定されていることを特徴とする。
請求項20記載の発明は、請求項16乃至18のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定の階調信号は、前記表示画素を異なる複数の輝度階調で発光動作させるための信号レベルに設定されていることを特徴とする。
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the display device drive control method according to any one of the sixteenth to eighteenth aspects, the specific gradation signal is used for causing the display pixel to perform a light emission operation at a maximum luminance gradation. The signal level is set.
According to a twentieth aspect of the present invention, in the display device drive control method according to any one of the sixteenth to eighteenth aspects, the specific gradation signal causes the display pixel to emit light at a plurality of different luminance gradations. It is characterized by being set to the signal level.

請求項21記載の発明は、請求項16乃至20のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法において、前記表示画素は、前記階調信号に応じた電流値を有する駆動電流を流すとともに、該階調信号に応じた電圧成分を蓄積する発光駆動回路と、前記駆動電流の電流値に応じた輝度階調で発光動作する電流制御型の発光素子と、を備え、前記特定量を検出するステップは、前記表示画素の各々に設けられた前記発光駆動回路に対して、前記特定の階調信号を印加した場合の、前記発光素子の発光輝度に対応する輝度を測定することを特徴とすることを特徴とする。   In accordance with a twenty-first aspect of the present invention, in the drive control method for a display device according to any of the sixteenth to twentieth aspects, the display pixel passes a drive current having a current value corresponding to the gradation signal, and A step of detecting the specific amount, comprising: a light emission driving circuit that accumulates a voltage component according to a gradation signal; and a current control type light emitting element that emits light at a luminance gradation according to a current value of the driving current. Measuring the luminance corresponding to the light emission luminance of the light emitting element when the specific gradation signal is applied to the light emission driving circuit provided in each of the display pixels. It is characterized by.

すなわち、本発明に係る表示装置及びその駆動制御方法は、表示データに応じた階調信号(階調信号電圧又は階調信号電流)を各表示画素に印加することにより、該表示画素を構成する有機EL素子等の発光素子を所定の輝度階調で発光動作させて、所望の画像情報を表示パネルに表示する表示装置において、表示画素の発光特性に応じて、該表示画素に印加する階調信号の信号レベル(電圧値又は電流値)を補正する補正回路部を備えることにより、表示パネルへの電源投入時、あるいは、表示パネルへの電源投入後、所定時間以上経過後のタイミングで、各表示画素に輝度検出用データに基づく特定の階調信号(例えば、最高輝度階調での発光動作のための信号レベル;最高階調電圧又は最高階調電流)を印加した場合の、表示画素の発光輝度(発光特性に応じた特定量)を、表示パネルの背面側に配置された導光板の側方端面に受光面が対向するように設けられた受光素子により測定し、その検出データに基づく階調データ(検出階調データ)と該表示画素における初期状態における階調データ(初期階調データ)との比較に基づいて、画像情報の表示動作時において各表示画素に印加される階調信号の信号レベル(電圧値又は電流値)を、該表示画素の初期状態に近づけるように補正する動作を実行するように構成されている。   That is, the display device and the drive control method thereof according to the present invention configure the display pixel by applying a gradation signal (gradation signal voltage or gradation signal current) corresponding to the display data to each display pixel. In a display device that displays desired image information on a display panel by causing a light emitting element such as an organic EL element to emit light at a predetermined luminance gradation, a gradation applied to the display pixel according to the light emission characteristics of the display pixel By providing a correction circuit unit that corrects the signal level (voltage value or current value) of the signal, each time the power is turned on to the display panel or after a predetermined time has elapsed after the power is turned on to the display panel, When a specific gradation signal based on luminance detection data (for example, a signal level for light emission operation at the highest luminance gradation; highest gradation voltage or highest gradation current) is applied to the display pixel Departure The luminance (a specific amount corresponding to the light emission characteristics) is measured by a light receiving element provided so that the light receiving surface faces the side end surface of the light guide plate disposed on the back side of the display panel, and the level based on the detected data is measured. Based on the comparison between the tone data (detected tone data) and the tone data (initial tone data) in the initial state of the display pixel, the tone signal applied to each display pixel during the display operation of the image information An operation of correcting the signal level (voltage value or current value) so as to approach the initial state of the display pixel is performed.

ここで、本発明に係る補正回路部は、少なくとも、表示パネルの背面側に配置された導光板の少なくとも一つの側方端面に、受光面が対向するように1もしくは複数密着して設けられた受光素子を備え、表示画素から放射される光のうち、表示パネルの背面側に形成された開口部から取り出され、導光板内を伝搬する背面光の一部を検出する受光センサ部(特定量検出手段)と、該受光センサ部により検出された、特定の階調信号を印加した場合の表示画素の発光輝度に基づく検出階調データを保持する記憶部(記憶手段)と、記憶部に保持された各表示画素の検出階調データと特定の階調信号を印加した場合の発光輝度の初期値に基づく初期階調データとを比較して得られる補正値に基づいて表示データを補正し、補正後データ(補正信号)を生成する比較補正部(信号補正手段)と、を有している。   Here, at least one of the correction circuit units according to the present invention is provided in close contact with at least one side end surface of the light guide plate arranged on the back side of the display panel so that the light receiving surface is opposed. A light receiving sensor unit (a specific amount) that detects a part of the back light that is extracted from the opening formed on the back side of the display panel and propagates in the light guide plate out of the light emitted from the display pixel. Detection unit), a storage unit (storage unit) that holds detected gradation data based on the light emission luminance of the display pixel when a specific gradation signal is applied, detected by the light receiving sensor unit, and held in the storage unit Correcting the display data based on a correction value obtained by comparing the detected gradation data of each display pixel and the initial gradation data based on the initial value of the emission luminance when a specific gradation signal is applied, Data after correction (correction signal It has compared correcting unit for generating a (signal correction means), a a.

これにより、通常の画像表示動作に先立つ所定のタイミングで特定量検出動作が実行されて、特定の階調信号を印加した場合の表示画素の発光輝度に基づく検出階調データが保持され、通常の画像表示動作においては、該検出階調データと、当該表示画素の初期状態(初期特性)における特定の階調信号を印加した場合の発光輝度に基づく初期階調データと、を比較し、該比較結果に応じて各表示画素ごとの補正値(デジタル値)を生成して、各表示画素ごとの表示データを該補正値に基づいて補正するデータ補正動作が実行されて、該補正後データをデータドライバ(信号駆動回路)に供給することにより、各表示画素に印加する階調信号(階調信号電圧又は階調信号電流)が補正される。   As a result, the specific amount detection operation is executed at a predetermined timing prior to the normal image display operation, and the detected gradation data based on the emission luminance of the display pixel when the specific gradation signal is applied is retained. In the image display operation, the detected gradation data is compared with the initial gradation data based on the light emission luminance when a specific gradation signal in the initial state (initial characteristic) of the display pixel is applied. A correction value (digital value) is generated for each display pixel according to the result, and a data correction operation is performed to correct the display data for each display pixel based on the correction value. By supplying to the driver (signal driving circuit), the gradation signal (gradation signal voltage or gradation signal current) applied to each display pixel is corrected.

特に、本発明においては、受光センサ部を構成する受光素子を、導光板の側方端面の任意の位置に密着するように設けるとともに、該受光素子の受光面を、導光板の側方端面に対向するように設けることにより、1もしくは複数個の受光素子により、各表示画素(発光素子)から放射される光のうち、表示パネルの背面側に取り出され、導光板内を伝搬して側方端面から放射される背面光を、表示画素の発光特性に応じた特定量として良好に検出することができる。   In particular, in the present invention, the light receiving element constituting the light receiving sensor unit is provided so as to be in close contact with an arbitrary position on the side end surface of the light guide plate, and the light receiving surface of the light receiving element is provided on the side end surface of the light guide plate. By providing them so as to face each other, one or a plurality of light receiving elements are extracted from the light emitted from each display pixel (light emitting element) to the back side of the display panel, propagate in the light guide plate, and beside. The back light emitted from the end face can be favorably detected as a specific amount according to the light emission characteristics of the display pixel.

また、表示パネルの背面側に、各表示画素(発光素子)から放射される光の一部を背面光として取り出す開口部、さらには、各表示画素を構成する発光素子と導光板との間に、取り出した背面光を集光して導光板に導光する集光レンズや導光路等の集光手段や、導光板の表面に入射した背面光を、側方端面に設けられた受光センサ部方向に導光する楔形状の溝部(プリズムアレー)等の導光手段を備えることにより、各表示画素から取り出された背面光が微少であっても、表示画素の発光特性に応じた特定量を良好に検出することができる。   In addition, an opening for taking out part of light emitted from each display pixel (light emitting element) as back light on the back side of the display panel, and further, between the light emitting element and the light guide plate constituting each display pixel. Condensing means such as a condensing lens and a light guide that collects the extracted back light and guides it to the light guide plate, or a light receiving sensor unit provided on the side end surface of the back light incident on the surface of the light guide plate By providing light guide means such as a wedge-shaped groove (prism array) that guides light in the direction, even if the back light extracted from each display pixel is very small, a specific amount corresponding to the light emission characteristics of the display pixel can be obtained. It can be detected well.

したがって、受光センサ部により検出された、表示画素の発光特性に応じた特定量に基づいて、表示データに対する表示画素(発光素子)の発光輝度が、常に初期の発光輝度に近似するように該表示データ(すなわち、階調信号)を補正することができるので、各表示画素を構成する発光素子や機能素子(薄膜トランジスタ)の素子特性に経時変化やバラツキが生じた場合であっても、表示データに対して適宜補正された階調信号を各表示画素に印加して、各表示画素(発光素子)を初期状態に近似する発光輝度で発光動作させることができ、画像情報を長期にわたって良好かつ安定した画質で表示することができる。   Therefore, based on a specific amount detected by the light receiving sensor unit according to the light emission characteristics of the display pixel, the display pixel (light emitting element) with respect to the display data always displays the light emission luminance so as to approximate the initial light emission luminance. Since the data (that is, the gradation signal) can be corrected, even if the element characteristics of the light emitting element and the functional element (thin film transistor) constituting each display pixel change with time, the display data For each display pixel, an appropriately corrected gradation signal is applied to each display pixel so that each display pixel (light-emitting element) can emit light with a light emission luminance that approximates the initial state, and image information is good and stable over a long period of time. Can be displayed with image quality.

また、受光センサ部に設けられる受光素子として、例えば、フォトダイオードや光導電センサ、ダブルゲート型フォトセンサ等を適用することができ、特に、光導電センサやダブルゲート型フォトセンサ等の薄膜プロセスを用いた受光素子を適用することにより、受光センサ部の構成を簡素化かつ薄型化することができるので、補正回路部及び表示装置の装置規模の小型化を図りつつ、製造プロセスの簡素化や歩留まりの向上、センサ特性のばらつきの低減を図ることができ、小型、低コストで表示品質の良好な表示装置を実現することができる。   In addition, for example, a photodiode, a photoconductive sensor, a double gate type photo sensor, or the like can be applied as a light receiving element provided in the light receiving sensor unit. By applying the light receiving element used, the structure of the light receiving sensor portion can be simplified and thinned, so that the manufacturing process can be simplified and the yield can be reduced while reducing the device scale of the correction circuit portion and the display device. And a variation in sensor characteristics can be reduced, and a display device having a small size, low cost, and good display quality can be realized.

さらに、上記補正回路部は、各表示画素から得られた特定量の信号レベルをデジタルデータ化して上記階調データを生成する変換手段を備えることにより、上記データ補正動作において、予めデジタルデータとして保持された、発光素子の初期状態における特定の階調信号に対応する発光輝度に基づく初期階調データと、特定量検出動作により取得されたデジタルデータからなる検出階調データと、を比較する手法を適用することができる。   Further, the correction circuit unit includes conversion means for generating the gradation data by converting a specific amount of signal level obtained from each display pixel into digital data, so that it is held in advance as digital data in the data correction operation. A method for comparing the initial gradation data based on the light emission luminance corresponding to the specific gradation signal in the initial state of the light emitting element and the detected gradation data composed of digital data acquired by the specific amount detection operation. Can be applied.

ここで、上述したように、表示パネルの背面側に配置された導光板の側方端面に受光センサ部(受光素子)を複数設けた構成を適用することにより、特定の表示画素(発光素子)から放射される光のうち、開口部を介して取り出された背面光をより多く(受光素子の個数分)取り込んで、デジタルデータからなる検出階調データに変換することができるので、測定対象となっている特定の表示画素から放射される光以外のノイズ等の影響を抑制して、検出階調データの信頼性を高めることができ、より正確な表示データの補正処理を実現することができる。   Here, as described above, a specific display pixel (light emitting element) is applied by applying a configuration in which a plurality of light receiving sensor portions (light receiving elements) are provided on the side end surface of the light guide plate disposed on the back side of the display panel. Of the light radiated from the light, it can capture more back light (through the number of light receiving elements) extracted through the opening and convert it into detection gradation data consisting of digital data. The reliability of detected gradation data can be improved by suppressing the influence of noise other than light radiated from a specific display pixel, and more accurate display data correction processing can be realized. .

以下、本発明に係る表示装置及びその駆動制御方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
<表示装置>
まず、本発明に係る表示装置の構成について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る表示装置の全体構成の一実施形態を示すブロック図であり、図2は、本実施形態に係る表示装置の要部構成例を示す概略構成図である。ここで、以下の説明においては、表示パネルを構成する表示画素として、従来技術に示した電圧指定型の画素駆動回路(発光駆動回路)、及び、発光素子として有機EL素子を備えた回路構成を示すが、本発明に係る表示装置はこれに限るものではなく、少なくとも各表示画素において、階調信号電圧に基づいて発光駆動電流(駆動電流)の電流値が設定され、該電流値に応じた輝度階調で電流制御型の発光素子を駆動制御するものであれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子を備えたものであっても良好に適用することができる。なお、図1、図2においては、図示の都合上、表示パネルに対して導光板がずれて配置されているように示すが、後述する図4(a)、(b)に示すように、表示パネルの概ね全域に対向(整合)するように導光板が配置されている。また、従来技術と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
Hereinafter, a display device and a drive control method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments.
<Display device>
First, a configuration of a display device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram illustrating an embodiment of the overall configuration of a display device according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an exemplary configuration of a main part of the display device according to the present embodiment. Here, in the following description, a circuit configuration including a voltage-designated pixel driving circuit (light-emitting driving circuit) shown in the related art and an organic EL element as a light-emitting element is used as a display pixel constituting the display panel. However, the display device according to the present invention is not limited to this, and the current value of the light emission drive current (drive current) is set based on the gradation signal voltage at least in each display pixel, and the display device according to the current value. Any device including other light-emitting elements such as a light-emitting diode can be suitably applied as long as the current-controlled light-emitting element is driven and controlled with luminance gradation. In FIGS. 1 and 2, for convenience of illustration, the light guide plate is shown to be displaced from the display panel. However, as shown in FIGS. 4A and 4B described later, A light guide plate is disposed so as to face (align) the entire area of the display panel. Further, the same components as those in the conventional technology are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図1、図2に示すように、本実施形態に係る表示装置100Aは、概略、相互に直交するように配設された複数の走査ラインSL1、SL2、・・・(便宜的にn本とする。以下、総称して「走査ラインSL」とも記す)と複数のデータラインDL1、DL2、・・・(便宜的にm本とする。以下、総称して「データラインDL」とも記す)との各交点近傍に、少なくとも画素駆動回路(上述した発光駆動回路に相当する)DCA及び有機EL素子(電流制御型の発光素子)OELを備えた複数の表示画素EMAが配列された表示パネル110Aと、該表示パネル110Aの各走査ラインSLに接続され、各走査ラインSLに所定のタイミングで順次ハイレベルの走査信号Vscan1、Vscan2、・・・(以下、総称して「走査信号Vscan」とも記す)を印加することにより、行ごとの表示画素EMA群を選択状態に設定(走査)するゲートドライバ(走査駆動回路)120Aと、表示パネル110Aの各データラインDLに接続され、表示データ(具体的には、後述する補正後データ)に基づく階調信号電圧Vdata1、Vdata2、・・・(以下、総称して「階調信号電圧Vdata」とも記す;階調信号)を生成して、各データラインDLに供給するデータドライバ(信号駆動回路)130Aと、表示パネル110Aの視野側(表示面側)と反対側(背面側)に配置された導光板140と、該導光板140の側方端面に密着して設けられ、所定のタイミングで表示パネル110Aの各表示画素EMAに設けられた有機EL素子OELの発光特性(又は、素子特性)に応じた特定量(発光輝度)を検出する受光センサ部(特定量検出手段)150と、該受光センサ部150により検出された特定量に基づいて、各表示画素EMA(有機EL素子OEL)における発光特性を一定の状態に維持するように、データドライバ130Aに供給される表示データを補正する補正制御回路160と、少なくとも、ゲートドライバ120A及びデータドライバ130A、補正制御回路160の動作状態を制御するための走査制御信号及びデータ制御信号、補正制御信号を生成して出力するシステムコントローラ170と、表示装置100Aの外部から供給される映像信号に基づいて、デジタル信号からなる表示データ(表示信号)を生成して、上記補正制御回路160を介してデータドライバ130Aに供給するとともに、該表示データを表示パネル110Aに画像表示するためのタイミング信号(システムクロック等)を抽出、又は、生成してシステムコントローラ170に供給する表示信号生成回路180と、を備えて構成されている。ここで、本実施形態に係る受光センサ部150と補正制御回路160は、本発明に係る補正回路部を構成する。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the display device 100A according to the present embodiment is roughly composed of a plurality of scanning lines SL1, SL2,. (Hereinafter collectively referred to as “scan line SL”) and a plurality of data lines DL1, DL2,... (For convenience, hereinafter referred to as “data line DL”). A display panel 110A in which a plurality of display pixels EMA each including at least a pixel driving circuit (corresponding to the above-described light emission driving circuit) DCA and an organic EL element (current control type light emitting element) OEL are arranged in the vicinity of each intersection , Connected to each scanning line SL of the display panel 110A, and sequentially scanning the high-level scanning signals Vscan1, Vscan2,... (Hereinafter also collectively referred to as “scanning signal Vscan”) at a predetermined timing. Is applied to the gate driver (scanning drive circuit) 120A for setting (scanning) the display pixel EMA group for each row to the selected state, and to each data line DL of the display panel 110A, and display data (specifically, Is a grayscale signal voltage Vdata1, Vdata2,... (Hereinafter also collectively referred to as “grayscale signal voltage Vdata”; grayscale signal) based on corrected data (to be described later). A data driver (signal drive circuit) 130A supplied to the display panel, a light guide plate 140 disposed on the opposite side (rear side) of the display panel 110A, and a side end surface of the light guide plate 140 A specific amount (light emission luminance) corresponding to the light emission characteristic (or element characteristic) of the organic EL element OEL provided in each display pixel EMA of the display panel 110A is detected at a predetermined timing. Based on the light receiving sensor unit (specific amount detecting means) 150 and the specific amount detected by the light receiving sensor unit 150, the light emission characteristics in each display pixel EMA (organic EL element OEL) are maintained in a constant state. A correction control circuit 160 that corrects display data supplied to the data driver 130A, and at least a scanning control signal, a data control signal, and a correction control for controlling the operation state of the gate driver 120A, the data driver 130A, and the correction control circuit 160 Based on a system controller 170 that generates and outputs a signal, and a video signal supplied from the outside of the display device 100A, display data (display signal) including a digital signal is generated, and the correction control circuit 160 is used to generate display data. The display data is supplied to the data driver 130A and the display data is displayed on the display panel 110. Timing signal for displaying an image (system clock or the like) extract, or is configured to include a display signal generating circuit 180 supplies the generated by the system controller 170, to. Here, the light receiving sensor unit 150 and the correction control circuit 160 according to the present embodiment constitute a correction circuit unit according to the present invention.

以下、上記各構成について説明する。
(表示パネル110A)
本実施形態に係る表示装置100Aに適用可能な表示パネル110Aは、例えば、図2に示すように、相互に直交するように配設された走査ラインSL及びデータラインDLに加え、各データラインDLに並列に配設された電源ラインVL1、VL2、・・・(以下、総称して「電源ラインVL」とも記す)とを備え、走査ラインSLと、データラインDL及び電源ラインVLとの各交点に、上述した従来技術に示した電圧指定方式に対応した発光駆動回路DP1(図22(a)参照)と同等の回路構成を有する画素駆動回路DCAと有機EL素子OELを備えた表示画素EMAが接続された構成を有している。ここで、電源ラインVLは、一端側が正電圧からなる定電源電圧(高電位電源)Vddに接続されている。
Hereafter, each said structure is demonstrated.
(Display panel 110A)
A display panel 110A applicable to the display device 100A according to the present embodiment includes, for example, each data line DL in addition to the scanning lines SL and the data lines DL arranged so as to be orthogonal to each other, as shown in FIG. Are arranged in parallel with each other, and each intersection of the scanning line SL, the data line DL, and the power supply line VL is provided with the power supply lines VL1, VL2,. In addition, a display pixel EMA having a pixel drive circuit DCA and an organic EL element OEL having a circuit configuration equivalent to that of the light emission drive circuit DP1 (see FIG. 22A) corresponding to the voltage specifying method shown in the above-described prior art is provided. It has a connected configuration. Here, the power supply line VL is connected to a constant power supply voltage (high potential power supply) Vdd having a positive voltage at one end side.

すなわち、各表示画素EMAは、図2に示すように、ゲート端子が走査ラインSLに、ソース端子及びドレイン端子がデータラインDL及び接点N11に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタ(選択トランジスタ;選択スイッチ)Tr11と、ゲート端子が接点N11に、ソース端子が電源ラインVLに接続されたpチャネル型の薄膜トランジスタ(発光駆動トランジスタ;発光駆動スイッチ)Tr12と、を備えた画素駆動回路DCA、及び、アノード端子が該画素駆動回路DCAの薄膜トランジスタTr12のドレイン端子に接続され、カソード端子が接地電位(Vgnd)に接続された有機EL素子OELを有して構成されている。なお、図2に示した画素駆動回路DCAにおいて、Caは薄膜トランジスタTr12のゲート−ソース間に形成される寄生容量(保持容量)、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。   That is, as shown in FIG. 2, each display pixel EMA includes an n-channel thin film transistor (selection transistor; selection transistor) having a gate terminal connected to the scanning line SL and a source terminal and a drain terminal connected to the data line DL and the contact N11. A pixel drive circuit DCA having a switch Tr11, and a p-channel thin film transistor (light emission drive transistor; light emission drive switch) Tr12 having a gate terminal connected to the contact N11 and a source terminal connected to the power supply line VL, and an anode The organic EL element OEL has a terminal connected to the drain terminal of the thin film transistor Tr12 of the pixel drive circuit DCA and a cathode terminal connected to the ground potential (Vgnd). In the pixel driving circuit DCA shown in FIG. 2, Ca is a parasitic capacitance (holding capacitance) formed between the gate and the source of the thin film transistor Tr12 or an auxiliary capacitance additionally formed between the gate and the source. is there.

このような構成を有する表示画素EMAにおいては、所定のタイミングでゲートドライバ120Aから走査ラインSLに印加される走査信号Vscan、及び、データドライバ130AからデータラインDLに印加される階調信号電圧Vdataに基づいて、画素駆動回路DCAにより有機EL素子OELに流れる発光駆動電流が制御され、発光動作及び発光時の輝度階調が制御される。なお、表示パネル110Aに形成される表示画素EMAの具体的な回路レイアウト及び断面構成については、詳しく後述する。   In the display pixel EMA having such a configuration, the scanning signal Vscan applied to the scanning line SL from the gate driver 120A at a predetermined timing and the gradation signal voltage Vdata applied to the data line DL from the data driver 130A. Based on this, the light emission drive current flowing through the organic EL element OEL is controlled by the pixel drive circuit DCA, and the light emission operation and the luminance gradation during light emission are controlled. A specific circuit layout and cross-sectional configuration of the display pixel EMA formed on the display panel 110A will be described in detail later.

なお、本実施形態においては、表示画素EMAを構成する画素駆動回路DCAとして、従来技術に示した構成と同様に、nチャネル型の薄膜トランジスタ(選択トランジスタ)Tr11と、pチャネル型の薄膜トランジスタ(発光駆動トランジスタ)Tr12と、を備えた回路構成を適用した場合について説明した。このような回路構成によれば、pチャネル型とnチャネル型の薄膜トランジスタが混在した回路構成を有しているので、ポリシリコン製造プロセスを適用して、良好な動作特性を有する薄膜トランジスタを製造することができ、表示画素の発光特性のバラツキを抑制した画素駆動回路を実現することができる。   In the present embodiment, as the pixel driving circuit DCA constituting the display pixel EMA, the n-channel type thin film transistor (selection transistor) Tr11 and the p-channel type thin film transistor (light emission driving) are provided as in the configuration shown in the prior art. The case where the circuit configuration including the transistor Tr12 is applied has been described. According to such a circuit configuration, a p-channel type and an n-channel type thin film transistor are mixed, so that a thin film transistor having good operating characteristics can be manufactured by applying a polysilicon manufacturing process. Thus, it is possible to realize a pixel driving circuit in which variation in light emission characteristics of display pixels is suppressed.

また、本発明に適用可能な画素駆動回路は、上述したようなpチャネル型とnチャネル型の薄膜トランジスタが混在した回路構成に限定されるものではなく、単一チャネル型の薄膜トランジスタからなる回路構成を適用することもできる。すなわち、本実施形態においては、画素駆動回路として適用可能な一例を示したものに過ぎず、少なくとも、表示画素(画素駆動回路)を走査信号に基づいて選択状態に設定する選択トランジスタと、該選択状態において印加される階調信号電圧に基づいて、表示データに基づく所定の発光駆動電流を生成して発光素子に供給する発光駆動トランジスタと、を備えた画素駆動回路であれば、他の回路構成を有するものであってもよい。   Further, the pixel driving circuit applicable to the present invention is not limited to the circuit configuration in which the p-channel type and the n-channel type thin film transistor are mixed as described above, but has a circuit configuration including a single-channel type thin film transistor. It can also be applied. That is, in the present embodiment, only an example applicable as a pixel driving circuit is shown, and at least a selection transistor that sets a display pixel (pixel driving circuit) to a selected state based on a scanning signal, and the selection If the pixel drive circuit includes a light emission drive transistor that generates a predetermined light emission drive current based on display data and supplies the light emission element based on the grayscale signal voltage applied in the state, other circuit configurations It may have.

(ゲートドライバ120A)
ゲートドライバ120Aは、システムコントローラ170から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインSLにハイレベルの走査信号Vscanを順次印加することにより、各行ごとの表示画素EMA群を選択状態に設定し、データドライバ130AによりデータラインDLを介して印加される所定の階調信号電圧Vdataの、画素駆動回路DCAへの書き込みを行うように制御する。
(Gate driver 120A)
Based on the scanning control signal supplied from the system controller 170, the gate driver 120A sequentially applies the high level scanning signal Vscan to each scanning line SL, thereby setting the display pixel EMA group for each row to the selected state. Then, control is performed so that a predetermined grayscale signal voltage Vdata applied by the data driver 130A via the data line DL is written to the pixel driving circuit DCA.

ここで、ゲートドライバ120Aは、具体的には、例えば、図2に示すように、シフトレジスタとバッファからなるシフトブロックSBを、各走査ラインSLに対応させて複数段備え、後述するシステムコントローラ170から供給される走査制御信号(走査スタート信号SST、走査クロック信号SCK等)に基づいて、シフトレジスタにより表示パネル110Aの上方から下方にシフト信号を順次シフトしつつ、生成されたシフト信号を、バッファを介して所定の電圧レベル(ハイレベル)に変換して走査信号Vscan(Vscan1〜VscanN)として各走査ラインSLに出力する。   Here, specifically, the gate driver 120A, for example, as shown in FIG. 2, includes a plurality of stages of shift blocks SB each composed of a shift register and a buffer corresponding to each scanning line SL. The shift signal is sequentially shifted from the upper side to the lower side of the display panel 110A by the shift register based on the scanning control signals (scanning start signal SST, scanning clock signal SCK, etc.) supplied from the buffer, and the generated shift signal is buffered. Then, it is converted to a predetermined voltage level (high level) and is output to each scanning line SL as a scanning signal Vscan (Vscan1 to VscanN).

(データドライバ130A)
図3は、本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの要部構成例を示すブロック図である。
データドライバ130Aは、システムコントローラ170から供給されるデータ制御信号に基づいて、表示信号生成回路180から出力され、後述する補正制御回路160を介して供給されるデジタル信号からなる表示データ(補正後データ)を所定のタイミングで取り込んで保持し、該表示データに対応するアナログ信号電圧を生成して、階調信号電圧Vdataとして各データラインDLに印加する。
(Data driver 130A)
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration example of a main part of a data driver applied to the display device according to the present embodiment.
Based on the data control signal supplied from the system controller 170, the data driver 130A outputs display data (after-correction data) that is output from the display signal generation circuit 180 and is supplied via a correction control circuit 160 described later. ) At a predetermined timing, an analog signal voltage corresponding to the display data is generated, and applied to each data line DL as a gradation signal voltage Vdata.

ここで、データドライバ130Aは、具体的には、例えば、図3に示すように、システムコントローラ170から供給されるデータ制御信号(シフトクロック信号CLK、サンプリングスタート信号STR)に基づいて、順次シフト信号を出力するシフトレジスタ回路131と、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路180から補正制御回路160を介して供給される1行分の表示データ(補正後データ)を順次取り込むデータレジスタ回路132と、データ制御信号(データラッチ信号STB)に基づいて、データレジスタ回路132により取り込まれた1行分の表示データを一括保持するデータラッチ回路133と、階調基準電圧V0〜Vpに基づいて、上記保持された表示データを所定のアナログ信号電圧に変換するD/Aコンバータ134と、データ制御信号(出力イネ−ブル信号OE)に基づくタイミングで、当該アナログ信号電圧を階調信号電圧Vdata(Vdata1〜VdataM)として、各データラインDLに印加する出力回路135と、を有して構成されている。
このようなデータドライバ130Aにより、表示信号生成回路180から補正制御回路160を介して供給される、デジタル信号からなる表示データの補正後データに対応した階調信号電圧(アナログ信号)Vdataが生成されて、所定のタイミングで各データラインDLに一括して、もしくは、順次出力される。
Here, specifically, the data driver 130A sequentially shifts the shift signal based on the data control signals (shift clock signal CLK, sampling start signal STR) supplied from the system controller 170, for example, as shown in FIG. , And data for sequentially fetching display data (corrected data) for one row supplied from the display signal generation circuit 180 via the correction control circuit 160 based on the input timing of the shift signal. Based on the register circuit 132, the data latch circuit 133 that collectively holds display data for one row fetched by the data register circuit 132 based on the data control signal (data latch signal STB), and the gradation reference voltages V0 to Vp. Based on this, the stored display data is changed to a predetermined analog signal voltage. Output circuit that applies the analog signal voltage as the gradation signal voltage Vdata (Vdata1 to VdataM) to each data line DL at a timing based on the D / A converter 134 and the data control signal (output enable signal OE). 135.
By such a data driver 130A, a gradation signal voltage (analog signal) Vdata corresponding to corrected data of display data composed of a digital signal supplied from the display signal generation circuit 180 via the correction control circuit 160 is generated. Thus, the data lines DL are output collectively or sequentially at a predetermined timing.

(導光板140、受光センサ部150)
図4は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル(表示画素)と導光板及び受光センサ部との関係を示す概略構成図である。ここで、図4(b)においては、導光板内を伝搬する背面光の光路を明確にするために、そのハッチングを一部省略した。
表示パネル110Aに2次元配列される各表示画素EMAは、具体的には、ガラス基板等の透明な絶縁性基板111の一面側(図面下方側)に、図4(b)に示すように、概略、ITO(Indium Thin Oxide)等の透明電極材料からなるアノード電極112、有機化合物等の発光材料からなる有機EL層113、及び、金属材料からなる反射特性を有するカソード電極114を順次積層してなる有機EL素子OELと、各有機EL素子OELごとに薄膜形成された画素駆動回路(図示を省略)と、を備えた複数の表示画素が2次元配列(例えば、マトリクス状に配列)された構成を有している。なお、図4(b)においては、図示の都合上、絶縁性基板111上に形成された複数の有機EL素子OELのうちの1個のみを示す。
(Light guide plate 140, light receiving sensor unit 150)
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a relationship between a display panel (display pixel) applied to the display device according to the present embodiment, a light guide plate, and a light receiving sensor unit. Here, in FIG. 4B, in order to clarify the optical path of the back light propagating through the light guide plate, a part of the hatching is omitted.
Specifically, each display pixel EMA arranged two-dimensionally on the display panel 110A is arranged on one surface side (lower side of the drawing) of a transparent insulating substrate 111 such as a glass substrate, as shown in FIG. In general, an anode electrode 112 made of a transparent electrode material such as ITO (Indium Thin Oxide), an organic EL layer 113 made of a light emitting material such as an organic compound, and a cathode electrode 114 made of a metal material and having a reflective property are sequentially laminated. A configuration in which a plurality of display pixels each including an organic EL element OEL and a pixel driving circuit (not shown) formed in a thin film for each organic EL element OEL are two-dimensionally arranged (for example, arranged in a matrix) have. In FIG. 4B, only one of the plurality of organic EL elements OEL formed on the insulating substrate 111 is shown for convenience of illustration.

ここで、有機EL層113は、例えば、図4(b)に示すように、高分子系のホール輸送材料からなるホール輸送層(正孔注入層)113aと、高分子系の電子輸送性発光材料からなる電子輸送性発光層(発光層)113bを積層して構成されている。なお、図示を省略したが、このような有機EL素子OEL(表示画素)は、例えば、エポキシ系等の封止層や封止基板(封止ガラス又は封止フィルム)により封止、密閉され、外気から遮断された構成を有している。   Here, for example, as shown in FIG. 4B, the organic EL layer 113 includes a hole transport layer (hole injection layer) 113a made of a polymer hole transport material and a polymer electron transporting light emission. An electron transporting light emitting layer (light emitting layer) 113b made of a material is laminated. Although not shown, such an organic EL element OEL (display pixel) is sealed and sealed with, for example, an epoxy-based sealing layer or a sealing substrate (sealing glass or sealing film), It has a configuration that is cut off from the outside air.

そして、本実施形態に適用される表示画素EMAにおいては特に、図4(b)に示すように、有機EL素子OELを構成するカソード電極114の任意の位置に、少なくとも有機EL層113が露出する開口部HLaが設けられ、後述する発光動作において、有機EL層113により放射される光hν(大半が表示パネル110の前面方向に放出される)の一部(背面光LTb)が、該開口部HLaを介して、視野側とは反対側の背面側(図面下方)に出射されるように構成されている。なお、表示画素EMA(特に、有機EL素子OEL)の具体的な構成例については、詳しく後述する。   In the display pixel EMA applied to this embodiment, at least the organic EL layer 113 is exposed at an arbitrary position of the cathode electrode 114 constituting the organic EL element OEL, as shown in FIG. 4B. An opening HLa is provided, and in the light emission operation described later, a part of the light hν emitted from the organic EL layer 113 (mostly emitted toward the front surface of the display panel 110) (back light LTb) Via HLa, the light is emitted to the back side (downward in the drawing) opposite to the visual field side. A specific configuration example of the display pixel EMA (particularly, the organic EL element OEL) will be described in detail later.

また、導光板140は、ガラスやアクリル等の透光性の絶縁性平板からなり、図4(a)、(b)に示すように、上記表示パネル110Aの背面側であって、有機EL素子OELを封止する封止層や封止基板(図示を省略)に対して、離間して、もしくは、密着して配置された構成を有している。ここで、表示パネル110Aと導光板140とは、少なくとも有機EL素子OELから放射され、上記カソード電極114に設けられた開口部HLaを介して出射される背面光LTbが、導光板140の入射面において極力反射や散乱が抑制された状態で導光板140内に到達するように、表示パネル110Aと導光板140間に、相互に屈折率が連続(光学的に連続)するような部材を介在させた構成を適用することができる。   The light guide plate 140 is made of a light-transmitting insulating flat plate such as glass or acrylic, and is on the back side of the display panel 110A as shown in FIGS. It has a configuration in which the OEL is sealed or in close contact with a sealing layer or a sealing substrate (not shown). Here, the display panel 110 </ b> A and the light guide plate 140 are configured such that the back light LTb emitted from at least the organic EL element OEL and emitted through the opening HLa provided in the cathode electrode 114 is the incident surface of the light guide plate 140. In order to reach the inside of the light guide plate 140 in a state in which reflection and scattering are suppressed as much as possible, a member having a refractive index continuous (optically continuous) is interposed between the display panel 110A and the light guide plate 140. The configuration can be applied.

また、受光センサ部150は、例えば、図4(a)、(b)に示すように、上述した導光板140の側面(側方端面)140sに密着するように設置された構成を有している。
ここで、本実施形態に適用される受光センサ部150は特に、各表示画素EMAの発光特性に応じた特定量、すなわち、各表示画素EMAに設けられた有機EL素子OELから放射される光の一部を受光することにより、各有機EL素子OELの発光輝度を測定するためのフォトダイオード等の受光素子を備え、該受光素子がシリコン基板やガラス基板上に形成されて切断されたセンサ基板が、図4(b)に示したような導光板140を構成するガラス基板等の透明な絶縁性平板の側方端面140sに、該受光素子の受光面が対向するように、例えば接着剤141を介して接着されて、密着して設けられた構成を有している。また、接続配線151は、補正制御回路160と受光センサ部150間を接続する配線であり、例えば、フレキシブル配線が適用される。なお、受光センサ部150の具体的な回路構成については、詳しく後述する。
In addition, the light receiving sensor unit 150 has a configuration installed so as to be in close contact with the side surface (side end surface) 140s of the light guide plate 140 described above, for example, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). Yes.
Here, the light receiving sensor unit 150 applied to the present embodiment particularly has a specific amount corresponding to the light emission characteristics of each display pixel EMA, that is, the light emitted from the organic EL element OEL provided in each display pixel EMA. A sensor substrate having a light receiving element such as a photodiode for measuring the light emission luminance of each organic EL element OEL by receiving a part of the light is formed on a silicon substrate or a glass substrate and cut. For example, an adhesive 141 is applied so that the light receiving surface of the light receiving element faces the side end surface 140s of a transparent insulating flat plate such as a glass substrate constituting the light guide plate 140 as shown in FIG. It has the structure provided by adhering through and closely contacting. The connection wiring 151 is a wiring for connecting the correction control circuit 160 and the light receiving sensor unit 150, and for example, a flexible wiring is applied. A specific circuit configuration of the light receiving sensor unit 150 will be described later in detail.

このような構成を有する表示パネル110A(有機EL素子OEL)において、図4(b)に示すように、直流電圧源115からアノード電極112に正電圧、カソード電極114に負電圧を印加することにより、ホール輸送層113aに注入されたホールと電子輸送性発光層113bに注入された電子が有機EL層113内で再結合する際のエネルギーに基づいて光hνが放射される。そして、この光hνは、透明なアノード電極112を透過して、あるいは、カソード電極114で反射して、絶縁性基板111の他面側(視野側;図面上方側)に放出されるとともに、その光hνの一部が、カソード電極114に設けられた開口部HLaを介して表示パネル110Aの背面側に設けられた導光板140内に背面光LTbとして放出される。このとき、光hνの発光強度は、アノード電極112とカソード電極114間に流れる電流量に応じて制御される。   In the display panel 110A (organic EL element OEL) having such a configuration, by applying a positive voltage from the DC voltage source 115 to the anode electrode 112 and a negative voltage to the cathode electrode 114, as shown in FIG. The light hν is emitted based on the energy when the holes injected into the hole transport layer 113a and the electrons injected into the electron transport light emitting layer 113b are recombined in the organic EL layer 113. The light hν is transmitted through the transparent anode electrode 112 or reflected by the cathode electrode 114, and is emitted to the other surface side (viewing side; upper side in the drawing) of the insulating substrate 111. A part of the light hν is emitted as back light LTb into the light guide plate 140 provided on the back side of the display panel 110A through the opening HLa provided in the cathode electrode 114. At this time, the emission intensity of the light hν is controlled according to the amount of current flowing between the anode electrode 112 and the cathode electrode 114.

(補正制御回路160)
補正制御回路160は、例えば、図2に示すように、各表示画素EMA(有機EL素子OEL)における発光特性に応じた特定量、具体的には、特定の階調レベルに対応した階調信号電圧を印加した状態における有機EL素子OELの発光輝度を測定する受光センサ部150から出力された検出データ(アナログ信号レベル)が入力される増幅器(アンプ)AMPと、該増幅器AMPにより所定の信号レベルに増幅された上記検出データを、アナログ−デジタル変換処理してデジタル階調データに変換するアナログ−デジタル変換器(以下、「A/Dコンバータ」と略記する;信号変換手段)ADCと、各表示画素ごとの上記デジタル階調データ(検出階調データ)を順次取り込んで、一時的に記憶するバッファメモリ等からなる記憶部(記憶手段)BMと、表示信号生成回路180とデータドライバ130Aとの間に設けられ、表示信号生成回路180から供給される表示データ(デジタル信号)に対して、上記記憶部BMに記憶された各表示画素EMA(有機EL素子OEL)ごとのデジタル階調データと予め記憶された各表示画素EMAの初期状態における発光輝度に基づくデジタル階調データ(初期階調データ)とを比較して補正値を生成し、該補正値に基づいて、上記特定の階調レベルの表示データにおける発光輝度が常に初期状態における発光輝度に等しくなる方向に補正処理を行い、該補正値をデータドライバ130Aに補正後データ(補正信号)として供給する比較補正部(信号補正手段)CMRと、を有して構成されている。
(Correction control circuit 160)
For example, as shown in FIG. 2, the correction control circuit 160 has a specific amount corresponding to the light emission characteristic in each display pixel EMA (organic EL element OEL), specifically, a grayscale signal corresponding to a specific grayscale level. An amplifier (amplifier) AMP to which detection data (analog signal level) output from the light receiving sensor unit 150 that measures the light emission luminance of the organic EL element OEL in a state where a voltage is applied is input, and a predetermined signal level by the amplifier AMP Analog-to-digital converter (hereinafter abbreviated as “A / D converter”; signal conversion means) ADC that converts the detected data amplified to analog to digital gradation data by analog-to-digital conversion processing, and each display A storage unit (recording unit) including a buffer memory or the like that sequentially captures the digital gradation data (detection gradation data) for each pixel and temporarily stores it. Means) Each display stored in the storage unit BM with respect to display data (digital signal) provided between the BM and the display signal generation circuit 180 and the data driver 130A and supplied from the display signal generation circuit 180. A correction value is generated by comparing digital gradation data for each pixel EMA (organic EL element OEL) with digital gradation data (initial gradation data) based on light emission luminance in the initial state of each display pixel EMA stored in advance. Then, based on the correction value, correction processing is performed in a direction in which the light emission luminance in the display data of the specific gradation level is always equal to the light emission luminance in the initial state, and the correction value is sent to the data driver 130A after correction data ( And a comparison correction unit (signal correction means) CMR supplied as a correction signal).

ここで、これらの構成からなる補正制御回路160は、後述するシステムコントローラ170から出力される補正制御信号に基づいて、動作状態(少なくとも、各表示画素において検出された発光輝度に基づく検出データを取り込み保持する特定量検出動作を実行するか否か)が制御される。なお、各表示画素の初期状態における発光輝度に基づくデジタル階調データは、例えば、当該表示装置の工場出荷時点等で、記憶部BMに記憶されるものであってもよく、また、これに限らず、記憶部BMとは別の記憶部に記憶されるものであってもよい。   Here, the correction control circuit 160 configured as described above captures the operation state (at least detection data based on the emission luminance detected in each display pixel) based on a correction control signal output from the system controller 170 described later. Whether or not to perform the specific amount detection operation to be held is controlled. The digital gradation data based on the light emission luminance in the initial state of each display pixel may be stored in the storage unit BM at the time of shipment of the display device from the factory, for example, and is not limited thereto. Instead, it may be stored in a storage unit different from the storage unit BM.

(システムコントローラ170)
システムコントローラ170は、少なくとも、ゲートドライバ120A及びデータドライバ130A、補正制御回路160の各々に対して、動作状態を制御する走査制御信号(上述した走査スタート信号SST、走査クロック信号SCK等)及びデータ制御信号(上述した出力イネーブル信号OE、データラッチ信号STB、サンプリングスタート信号STR、シフトクロック信号CLK等)、補正制御信号を出力することにより、各ドライバ及び制御回路を所定のタイミングで動作させて、表示信号生成回路180から出力される表示データを、上記補正制御回路160により生成された補正値に基づいて補正処理するとともに、走査信号Vscan及び階調信号電圧Vdataを生成させ、各走査ラインSL及びデータラインDLに印加して各表示画素EMAにおける発光動作を連続的に実行させて、所定の映像信号に基づく画像情報を表示パネル110Aに表示させる制御を行う。
(System controller 170)
The system controller 170 scans at least the gate driver 120A, the data driver 130A, and the correction control circuit 160 with a scanning control signal (such as the above-described scanning start signal SST and scanning clock signal SCK) and data control. By outputting signals (the above-described output enable signal OE, data latch signal STB, sampling start signal STR, shift clock signal CLK, etc.) and correction control signals, each driver and control circuit are operated at a predetermined timing to display The display data output from the signal generation circuit 180 is corrected based on the correction value generated by the correction control circuit 160, and the scanning signal Vscan and the gradation signal voltage Vdata are generated, and each scanning line SL and data are generated. Each display by applying to line DL The light emitting operation in the element EMA are continuously executed, performs control to display on the display panel 110A of image information based on a predetermined video signal.

(表示信号生成回路180)
表示信号生成回路180は、例えば、表示装置100Aの外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出して、表示パネル110Aの1行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データとして、上記補正制御回路160を介してデータドライバ130Aのデータレジスタ回路132に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号(コンポジット映像信号)のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路180は、図1に示すように、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ170に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ170は、表示信号生成回路180から供給されるタイミング信号に基づいて、ゲートドライバ120Aやデータドライバ130A、補正制御回路160に対して個別に供給する走査制御信号及びデータ制御信号、補正制御信号を生成する。
(Display signal generation circuit 180)
For example, the display signal generation circuit 180 extracts a luminance gradation signal component from a video signal supplied from the outside of the display device 100A, and converts the luminance gradation signal component into a digital signal for each row of the display panel 110A. Is supplied to the data register circuit 132 of the data driver 130A through the correction control circuit 160. Here, when the video signal includes a timing signal component that defines the display timing of image information, such as a television broadcast signal (composite video signal), the display signal generation circuit 180 is configured as shown in FIG. In addition to the function of extracting the luminance gradation signal component, a function of extracting the timing signal component and supplying it to the system controller 170 may be provided. In this case, the system controller 170 scans signals and data supplied individually to the gate driver 120A, the data driver 130A, and the correction control circuit 160 based on the timing signal supplied from the display signal generation circuit 180. A control signal and a correction control signal are generated.

なお、表示装置100Aの外部から供給される映像信号がデジタル信号により形成され、また、タイミング信号が映像信号とは別に供給されている場合には、当該映像信号(デジタル信号)をそのまま表示データとして、補正制御回路160を介してデータドライバ130Aに供給するとともに、当該タイミング信号を直接システムコントローラ170に供給するようにして、表示信号生成回路180を省略するようにしてもよい。後述する表示装置の駆動制御方法においては、図1に示したように、映像信号に基づいて、表示信号生成回路180により表示データが生成され、補正制御回路160を介してデータドライバ130Aに供給される場合について説明する。   When the video signal supplied from the outside of the display device 100A is formed by a digital signal and the timing signal is supplied separately from the video signal, the video signal (digital signal) is used as display data as it is. The display signal generation circuit 180 may be omitted by supplying the data driver 130A via the correction control circuit 160 and supplying the timing signal directly to the system controller 170. In the display device drive control method to be described later, as shown in FIG. 1, display data is generated by the display signal generation circuit 180 based on the video signal, and is supplied to the data driver 130A via the correction control circuit 160. A description will be given of the case.

次に、上述した本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素部について、図面を参照してさらに詳しく説明する。
図5は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素部の具体例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。
図2に示したような等価回路を有する表示画素EMAは、CAD等を用いたレイアウト設計工程において、具体的には、図5(a)に示すように、例えば、行方向に配設される走査ラインSLと、この走査ラインSLに直交して配設されるデータラインDLと、データラインDLに並行して配設される電源ラインVLと、により囲まれた矩形状領域に画素形成領域が規定される。そして、該画素形成領域の略外縁部(走査ラインSL、データラインDL及び電源ラインVL)に沿って、薄膜トランジスタTr11、Tr12やコンデンサCa、該薄膜トランジスタTr11、Tr12間を接続する素子間配線部が配置される(図2に示した画素駆動回路DCA参照)。
Next, the display pixel portion applied to the display device according to the present embodiment described above will be described in more detail with reference to the drawings.
FIG. 5 is a configuration diagram showing a specific example (circuit layout and cross-sectional structure) of a display pixel portion applied to the display device according to the present embodiment.
In the layout design process using CAD or the like, the display pixel EMA having an equivalent circuit as shown in FIG. 2 is specifically arranged in the row direction, for example, as shown in FIG. A pixel formation region is formed in a rectangular region surrounded by the scanning line SL, the data line DL disposed orthogonal to the scanning line SL, and the power supply line VL disposed in parallel to the data line DL. It is prescribed. The thin film transistors Tr11 and Tr12, the capacitor Ca, and the inter-element wiring portion for connecting the thin film transistors Tr11 and Tr12 are arranged along substantially the outer edge (scanning line SL, data line DL, and power supply line VL) of the pixel formation region. (Refer to the pixel drive circuit DCA shown in FIG. 2).

また、有機EL素子OELは、上記画素形成領域のうち、薄膜トランジスタTr11、Tr12や素子間配線部等の形成領域を除く領域(有機EL素子形成領域)ARelの絶縁性基板111上に、図5(b)に示すように、絶縁膜(薄膜トランジスタTr12のゲート絶縁膜)を介して、薄膜トランジスタTr12のドレイン電極に接続されたITO等の透明なアノード電極112と、ホール輸送層113aと、電子輸送性発光層113bと、金属層等の不透明なカソード電極114を順次積層して構成されている。   Further, the organic EL element OEL is formed on the insulating substrate 111 in the area (organic EL element formation area) ARel excluding the formation areas such as the thin film transistors Tr11 and Tr12 and the inter-element wiring portion in the pixel formation area shown in FIG. As shown in b), a transparent anode electrode 112 such as ITO connected to the drain electrode of the thin film transistor Tr12 through the insulating film (gate insulating film of the thin film transistor Tr12), the hole transport layer 113a, and the electron transport light emission The layer 113b and an opaque cathode electrode 114 such as a metal layer are sequentially stacked.

ここで、隣接する表示画素EMAの有機EL素子形成領域ARelとの間の境界部分には、両領域を隔離する絶縁性材料からなる隔壁116が設けられ、該隔壁116が形成される領域の絶縁性基板111上には、上記画素駆動回路DCAを構成する薄膜トランジスタTr11、Tr12や素子間配線部等が形成されている。また、有機EL素子OELを構成する各層のうち、カソード電極114の任意の位置には、開口部HLaが設けられている。さらに、該開口部HLaが形成された有機EL素子OEL及び隔壁116を含む絶縁性基板111上の全領域は、封止層117及び封止基板118により封止され、該封止基板118と離間して導光板(図示を省略)140が配置、もしくは、該封止基板118に密着するように導光板(図示を省略)140が接合されている。   Here, a partition 116 made of an insulating material that separates both regions is provided at a boundary portion between the adjacent display pixels EMA and the organic EL element formation region ARel, and insulation of the region where the partition 116 is formed is provided. On the conductive substrate 111, thin film transistors Tr11 and Tr12, an inter-element wiring portion, and the like constituting the pixel driving circuit DCA are formed. In addition, an opening HLa is provided at an arbitrary position of the cathode electrode 114 in each layer constituting the organic EL element OEL. Further, the entire region on the insulating substrate 111 including the organic EL element OEL in which the opening HLa is formed and the partition wall 116 is sealed by the sealing layer 117 and the sealing substrate 118, and separated from the sealing substrate 118. Then, a light guide plate (not shown) 140 is arranged or bonded so as to be in close contact with the sealing substrate 118.

なお、図5(a)においては、図示を簡明にするために、絶縁性基板111上にレイアウト形成された走査ラインSL、データラインDL、電源ラインVLと、薄膜トランジスタTr11、Tr12、アノード電極112のみを示し、また、図5(b)においては、有機EL素子OEL(有機EL素子形成領域ARelの各層)、薄膜トランジスタTr12、隔壁116、封止層117及び封止基板118のみを示した。さらに、図5(a)において、有機EL素子形成領域ARel内に図示したHLaは、図示を省略したカソード電極114の任意の位置に形成される開口部の一例を示し、また、EG1、ES1、ED1は、各々薄膜トランジスタTr11のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を示し、EG2、ES2、ED2は、各々薄膜トランジスタTr12のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を示す。   In FIG. 5A, only the scanning line SL, the data line DL, the power supply line VL, the thin film transistors Tr11, Tr12, and the anode electrode 112 formed on the insulating substrate 111 are laid out in order to simplify the illustration. In FIG. 5B, only the organic EL element OEL (each layer of the organic EL element formation region ARel), the thin film transistor Tr12, the partition wall 116, the sealing layer 117, and the sealing substrate 118 are shown. Further, in FIG. 5A, HLa illustrated in the organic EL element formation region ARel indicates an example of an opening formed at an arbitrary position of the cathode electrode 114 which is not illustrated, and EG1, ES1, ED1 represents a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of the thin film transistor Tr11, and EG2, ES2, and ED2 represent a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of the thin film transistor Tr12, respectively.

次いで、上述したような有機EL素子OELを含む表示画素部の製造方法について、簡単に説明する。
図6は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素部の製造方法の一例を示す断面構成図である。ここでは、図示の都合上、有機EL素子形成領域ARelと薄膜トランジスタTr12の断面のみを示す。
Next, a method for manufacturing a display pixel unit including the organic EL element OEL as described above will be briefly described.
FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram illustrating an example of a method for manufacturing a display pixel portion applied to the display device according to the present embodiment. Here, for the sake of illustration, only the cross section of the organic EL element formation region ARel and the thin film transistor Tr12 is shown.

本実施形態に係る表示画素部の製造方法は、まず、図6(a)に示すように、表示パネル110Aのパネル基板となるガラス等の透明な絶縁性基板111の一面側であって、所定の画素形成領域内に、画素駆動回路DCAを構成する薄膜トランジスタTr11、Tr12を形成する。ここで、薄膜トランジスタTr12のドレイン電極に電気的に接続するように、有機EL素子形成領域ARelにアノード電極112となる電極層を形成する。   As shown in FIG. 6A, the manufacturing method of the display pixel unit according to the present embodiment is performed on the one surface side of a transparent insulating substrate 111 such as glass to be a panel substrate of the display panel 110A. Thin film transistors Tr11 and Tr12 constituting the pixel drive circuit DCA are formed in the pixel formation region. Here, an electrode layer to be the anode electrode 112 is formed in the organic EL element formation region ARel so as to be electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor Tr12.

次いで、図6(b)に示すように、隣接する表示画素EMA間の境界領域を含み、上記有機EL素子形成領域ARelに形成したアノード電極112が露出するように、絶縁材料からなる隔壁116を形成する。ここで、隔壁116は、例えば、スピンコート法により、薄膜トランジスタTr12及びアノード電極112が形成された絶縁性基板111の一面側全域に、ポリイミド系の樹脂を均一な厚さで塗布した後、焼成する。その後、少なくとも有機EL素子形成領域ARelのアノード電極112が露出するように露光、現像、洗浄の各処理を施すことにより形成される。これにより、表示画素間の境界領域に、例えば、厚み7μmの隔壁が形成される。   Next, as shown in FIG. 6B, a partition wall 116 made of an insulating material is included so as to expose the anode electrode 112 formed in the organic EL element formation region ARel including the boundary region between adjacent display pixels EMA. Form. Here, the partition wall 116 is baked after a polyimide resin is applied to the entire area of one surface of the insulating substrate 111 on which the thin film transistor Tr12 and the anode electrode 112 are formed by a spin coating method, for example. . Thereafter, exposure, development, and cleaning are performed so that at least the anode electrode 112 in the organic EL element formation area ARel is exposed. Thereby, for example, a partition wall having a thickness of 7 μm is formed in the boundary region between the display pixels.

次いで、図6(c)に示すように、上記隔壁116及びアノード電極112を含む絶縁性基板111の一面側全域に、高分子系のホール輸送材料を積層形成する。これにより、アノード電極112上に、例えば、厚み55nm(550Å)のホール輸送層113aが形成される。
さらに、上記隔壁116により周囲が囲まれた有機EL素子形成領域116のホール輸送層113a上に、例えば、インクジェット法により高分子系の電子輸送性発光材料を塗布し、厚み70nm(700Å)の電子輸送性発光層113bを形成する。
Next, as shown in FIG. 6C, a polymer-based hole transport material is laminated on the entire area of one surface of the insulating substrate 111 including the partition wall 116 and the anode electrode 112. As a result, a hole transport layer 113a having a thickness of, for example, 55 nm (550 mm) is formed on the anode electrode 112.
Furthermore, on the hole transport layer 113a of the organic EL element formation region 116 surrounded by the partition wall 116, for example, a polymer electron transporting light emitting material is applied by an ink jet method, and an electron having a thickness of 70 nm (700 mm) is applied. The transporting light emitting layer 113b is formed.

次いで、図6(d)に示すように、絶縁性基板111の一面側全域に、カソード電極114となる非透光性の金属層を積層形成する。ここで、金属層は、スパッタ法等によりバリウム(Ba)層を厚み1.5nm(15Å)に形成した後、アルミニウム(Al)層を厚み500nm(5000Å)に積層する。その後、該金属層をエッチングして、有機EL素子形成領域ARelにカソード電極114を形成するとともに、該カソード電極114と一体的に、接地電位に接続される配線部分(接地配線)を形成する。
これにより、隔壁116により周囲が囲まれた有機EL素子形成領域ARel内に、アノード電極112、有機EL層113(ホール輸送層113a、電子輸送性発光層113b)、カソード電極114が順次積層された有機EL素子OELが形成される。
Next, as illustrated in FIG. 6D, a non-light-transmitting metal layer that becomes the cathode electrode 114 is stacked over the entire surface of the one surface of the insulating substrate 111. Here, the metal layer is formed by forming a barium (Ba) layer to a thickness of 1.5 nm (15 mm) by sputtering or the like, and then laminating an aluminum (Al) layer to a thickness of 500 nm (5000 mm). Thereafter, the metal layer is etched to form a cathode electrode 114 in the organic EL element formation region ARel, and a wiring portion (ground wiring) connected to the ground potential is formed integrally with the cathode electrode 114.
Thus, the anode electrode 112, the organic EL layer 113 (the hole transport layer 113a and the electron transport light emitting layer 113b), and the cathode electrode 114 were sequentially stacked in the organic EL element formation region ARel surrounded by the partition wall 116. An organic EL element OEL is formed.

次いで、カソード電極114の任意の位置に有機EL層(電子輸送性発光層113b)が露出するように開口部HLaをエッチング形成し、さらに、絶縁性基板111の一面側全域に、透光性の樹脂材料からなる封止層117を形成した後、封止基板118を密着接合することにより、図5に示したような表示画素部が得られる。ここで、封止層117としては、例えば、エポキシ系等の透光性の樹脂材料を厚さ0.05mmで積層し、封止基板118としては、例えば、厚さ0.1mmのガラス平板を接合する。   Next, an opening HLa is formed by etching so that the organic EL layer (electron transporting light emitting layer 113b) is exposed at an arbitrary position of the cathode electrode 114, and further, a translucent material is formed on the entire surface of the insulating substrate 111. After the sealing layer 117 made of a resin material is formed, the sealing pixel 118 is closely bonded to obtain a display pixel portion as shown in FIG. Here, as the sealing layer 117, for example, an epoxy-based light-transmitting resin material is laminated with a thickness of 0.05 mm, and as the sealing substrate 118, for example, a glass flat plate with a thickness of 0.1 mm is used. Join.

なお、上述した製造方法においては、隔壁116を構成する絶縁性材料として、ポリイミド系のレジスト材を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、フッ素樹脂や、さらに他の樹脂材料等も良好に適用することができる。
また、隣接する画素形成領域相互の境界部分に設けられる隔壁116は、上述した電子輸送性発光層113bを成膜する際に、インクジェット法により吹き付け塗布される発光材料が、有機EL素子形成領域ARelからはみ出すことなく、良好に形成されるように(すなわち、アノード電極112に対してカソード電極114が整合性良く積層形成されるように)するためのプロセス上の役割と、隔壁116上に延在して形成されるカソード電極114(接地配線を含む)と画素駆動回路DCAを形成する薄膜トランジスタTr11、Tr12との配線層間に生じる容量成分を抑制する電気特性上の役割と、を有している。
In the above-described manufacturing method, the case where a polyimide resist material is applied as the insulating material constituting the partition wall 116 has been described. However, the present invention is not limited to this, and a fluororesin, Other resin materials and the like can also be applied favorably.
Further, the partition wall 116 provided at the boundary portion between adjacent pixel formation regions is formed by using a light emitting material sprayed and applied by an ink jet method when forming the above-described electron transporting light emitting layer 113b. A process role for ensuring good formation (ie, the cathode electrode 114 is laminated with good consistency with respect to the anode electrode 112) without protruding, and extending on the partition wall 116; The cathode electrode 114 (including the ground wiring) formed in this manner and the thin film transistors Tr11 and Tr12 that form the pixel driving circuit DCA have a role in electrical characteristics that suppress capacitance components generated between the wiring layers.

さらに、上記封止層117及び封止基板118は、いずれも略100%の透光率を有するものを適用することにより、有機EL層113から放射された光の一部(背面光LTb)を、カソード電極114に設けられた開口部HLaを介して表示パネル110の背面側に取り出し、封止層117及び封止基板118を透過して、導光板140に良好に伝搬させることができる。ここで、本発明はこの構成に限定されるものではなく、カソード電極114に設けられた開口部HLa上に積層形成された封止層117及び封止基板118に、ケミカルエッチング法やレーザー加工法等を適用して開口部を形成して上記開口部HLaに貫通させ、該開口部を介して表示パネル110の背面側に有機EL層113(電子輸送性発光層113b)が露出するようにした構成を適用するものであっても良い。これによれば、背面光LTbの取り出し効率をさらに向上させることができる。なお、この場合、封止層117及び封止基板118は、透光性の材料を適用しなくても良く、材料や部材の選択自由度を向上させることができる。   Further, the sealing layer 117 and the sealing substrate 118 are both those having a light transmittance of approximately 100%, so that a part of the light emitted from the organic EL layer 113 (back light LTb) is applied. Then, it can be taken out to the back side of the display panel 110 through the opening HLa provided in the cathode electrode 114, can be transmitted through the sealing layer 117 and the sealing substrate 118, and can be favorably propagated to the light guide plate 140. Here, the present invention is not limited to this configuration, and a chemical etching method or a laser processing method is applied to the sealing layer 117 and the sealing substrate 118 that are stacked on the opening HLa provided in the cathode electrode 114. Etc. is applied to form an opening and penetrate the opening HLa so that the organic EL layer 113 (electron transporting light-emitting layer 113b) is exposed on the back side of the display panel 110 through the opening. A configuration may be applied. According to this, the extraction efficiency of the back light LTb can be further improved. Note that in this case, the light-transmitting material does not have to be applied to the sealing layer 117 and the sealing substrate 118, and the degree of freedom in selecting materials and members can be improved.

ここで、本実施形態に係る表示画素部の構成においては、各表示画素EMA(有機EL素子)における発光特性を検出するために、上述したように、カソード電極114の任意の位置に開口部HLaが設けられ、表示パネル110Aの背面側に、上記光hνの一部(背面光LTb)が取り出される構成を有しているため、視野側に放出される光(表示光LTf)の取り出し率は、開口部HLaの大きさや形状等に応じて低下することになる。   Here, in the configuration of the display pixel unit according to the present embodiment, in order to detect the light emission characteristic in each display pixel EMA (organic EL element), as described above, the opening HLa is formed at an arbitrary position of the cathode electrode 114. And a part of the light hν (back light LTb) is extracted on the back side of the display panel 110A. , It decreases according to the size and shape of the opening HLa.

そこで、本実施形態においては、以下に示すような背面光の取り出し効率を改善する構成を適用することにより、カソード電極に設けられる開口部の大きさを小さくして視野側へ放出される光量(表示光の取り出し効率)の低下を極力抑制しつつ、表示パネルの背面側に設けられた導光板を介して、各表示画素から放出される光のごく一部を良好に受光センサ部に到達(入射)させることができる。ここでは、有機EL層から放射される光の取り出し効率を改善する手法として、表示画素部の有機EL素子におけるカソード電極側の構造によるものと、表示パネルの背面側に配置される導光板の構造によるものを示す。これらの手法は、上述した本実施形態に係る表示装置に、単独で適用するものであっても良いし、双方を組み合わせて適用するものであっても良い。   Therefore, in the present embodiment, by applying a configuration that improves the back light extraction efficiency as described below, the size of the opening provided in the cathode electrode is reduced and the amount of light emitted to the visual field side ( A small part of the light emitted from each display pixel can reach the light receiving sensor portion satisfactorily through the light guide plate provided on the back side of the display panel while suppressing the decrease in display light extraction efficiency as much as possible ( Incident). Here, as a technique for improving the extraction efficiency of light emitted from the organic EL layer, a structure based on the cathode electrode side in the organic EL element of the display pixel unit and a structure of the light guide plate disposed on the back side of the display panel Indicates that. These methods may be applied independently to the display device according to the present embodiment described above, or may be applied in combination.

図7は、本実施形態に係る放射光の取り出し効率を改善するための、表示画素部の具体構成例を示す概略断面図である。ここで、上述した表示画素部(図5参照)と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、図7においては、背面光の概略光路の図示を簡明にするために封止材のハッチングを省略して示す。なお、図7においては、導光板の図示を省略するが、各図の上方に位置するものとする。図8は、本実施形態に係る放射光の取り出し効率を改善するための、導光板の具体構成例を示す概略構成図である。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a specific configuration example of the display pixel unit for improving the radiation light extraction efficiency according to the present embodiment. Here, about the structure equivalent to the display pixel part (refer FIG. 5) mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted. Further, in FIG. 7, the hatching of the sealing material is omitted in order to simplify the schematic optical path of the back light. In FIG. 7, the light guide plate is not shown, but is located above each figure. FIG. 8 is a schematic configuration diagram illustrating a specific configuration example of the light guide plate for improving the radiation light extraction efficiency according to the present embodiment.

本実施形態における放射光の取り出し効率を改善するための表示画素部の第1の例は、例えば、図7(a)に示すように、図5に示した表示画素部において、有機EL素子OELを構成するカソード電極114の背面側(視野側とは反対側;図面上方)であって、上述したカソード電極114に形成された開口部HLa上に、例えば、アクリル等の透光性の樹脂材料により形成された集光レンズ(集光手段)119aを設けた構成を有している。   The first example of the display pixel unit for improving the extraction efficiency of the emitted light in the present embodiment is, for example, as shown in FIG. 7A, in the display pixel unit shown in FIG. On the back side (opposite side of the visual field side; upper side in the drawing) of the cathode electrode 114 constituting the light-transmitting resin material such as acrylic on the opening HLa formed in the cathode electrode 114 described above It has the structure which provided the condensing lens (condensing means) 119a formed by this.

このような構成を有する表示画素部によれば、有機EL素子OELのカソード電極114に形成された開口部HLaを介して表示パネル110Aの背面側に拡散して放射される背面光LTbを、集光レンズ119aにより収束させて、導光板140に入射させることができるので、開口部HLaを介して取り出される背面光LTbが有機EL素子OELから放射される光のごく一部であっても、該背面光LTbを効率的に(高い取り出し効率で)導光板140を介して受光センサ部150に到達させることができる。   According to the display pixel unit having such a configuration, the back light LTb diffused and emitted to the back side of the display panel 110A through the opening HLa formed in the cathode electrode 114 of the organic EL element OEL is collected. Since the light can be converged by the optical lens 119a and incident on the light guide plate 140, even if the back light LTb extracted through the opening HLa is a small part of the light emitted from the organic EL element OEL, The back light LTb can efficiently reach the light receiving sensor unit 150 via the light guide plate 140 (with high extraction efficiency).

また、本実施形態における放射光の取り出し効率を改善するための表示画素部の第2の例は、例えば、図7(b)に示すように、有機EL素子OELを構成するカソード電極114の背面側で、かつ、隔壁116に囲まれた領域であって、カソード電極114に形成された開口部HLa上を除く領域に、非透光性の金属層119bを積層充填することにより、開口部HLa上に導光路(集光手段)GHLを設けた構成を有している。   Further, a second example of the display pixel unit for improving the extraction efficiency of the emitted light in the present embodiment is, for example, as shown in FIG. 7B, the back surface of the cathode electrode 114 constituting the organic EL element OEL. The non-translucent metal layer 119b is stacked and filled in a region on the side and surrounded by the partition wall 116 except for the top of the opening HLa formed in the cathode electrode 114, thereby forming the opening HLa. The light guide path (light collecting means) GHL is provided on the top.

このような構成を有する表示画素部によれば、カソード電極114に形成された開口部HLaを介して表示パネル110Aの背面側に拡散して放射される背面光LTbを、非透光性の金属層119bに形成された導光路GHLを介して、導光板140に入射させることができるので、有機EL素子OELから開口部HLaを介して放射される背面光LTbを、効率的に導光板140を介して受光センサ部150に到達させることができる。   According to the display pixel portion having such a configuration, the back light LTb diffused and emitted to the back side of the display panel 110A through the opening HLa formed in the cathode electrode 114 is converted into a non-transparent metal. Since the light can be incident on the light guide plate 140 through the light guide path GHL formed in the layer 119b, the back light LTb radiated from the organic EL element OEL through the opening HLa can be efficiently passed through the light guide plate 140. Through the light receiving sensor unit 150.

さらに、本実施形態における放射光の取り出し効率を改善するための表示画素部の第3の例は、例えば、図7(c)に示すように、封止基板118と導光板140間(ここでは、封止基板118の上面)であって、少なくとも、カソード電極114に形成された開口部HLa上の領域に、例えば、アクリル等の透光性の樹脂材料により形成された集光レンズ(集光手段)119cを設けた構成を有している。   Furthermore, a third example of the display pixel unit for improving the extraction efficiency of the emitted light in the present embodiment is, for example, between the sealing substrate 118 and the light guide plate 140 (here, as shown in FIG. 7C). , A condensing lens (condensing light) formed of a light-transmitting resin material such as acrylic on at least a region on the opening HLa formed in the cathode electrode 114 on the upper surface of the sealing substrate 118. Means) It has a configuration provided with 119c.

このような構成を有する表示画素部によれば、カソード電極114に形成された開口部HLaを介して表示パネル110Aの背面側に拡散して放射される背面光LTbを、集光レンズ119cにより収束させて、導光板140に入射させることができるので、有機EL素子OELから開口部HLaを介して放射される背面光LTbを、効率的に導光板140を介して受光センサ部150に到達させることができる。ここで、図7(c)においては、突状の断面形状を有する集光レンズ119cを各表示画素EMA(有機EL素子OEL)の形成領域に対応して個別に設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、集光作用を有する平面レンズを、封止基板118と図示を省略した導光板140との間に介在させるようにした構成を適用するものであっても良い。   According to the display pixel unit having such a configuration, the back light LTb diffused and emitted to the back side of the display panel 110A through the opening HLa formed in the cathode electrode 114 is converged by the condenser lens 119c. Therefore, the back light LTb radiated from the organic EL element OEL through the opening HLa can efficiently reach the light receiving sensor unit 150 through the light guide plate 140. Can do. Here, FIG. 7C shows a configuration in which the condensing lens 119c having a projecting cross-sectional shape is individually provided corresponding to the formation region of each display pixel EMA (organic EL element OEL). The present invention is not limited to this, and applies a configuration in which a planar lens having a condensing function is interposed between the sealing substrate 118 and the light guide plate 140 (not shown). Also good.

また、本実施形態における放射光の取り出し効率を改善するための導光板は、例えば、図8(a)に示すように、表示パネル110Aの背面側(図面下方)に配置された導光板140の他面側(表示パネル110A側とは反対側)に、楔形の断面形状を有する、ミクロンオーダーの溝部(マイクロプリズムアレー;導光手段)μPAを所定の配列パターンで複数形成した構成を有している。ここで、溝部μPAを構成する楔形の断面は、概略、導光板140の他面側に垂直な面(垂直面)PLaと傾斜した面(傾斜面)PLbとを有している。そして、各溝部μPAは、図8(b)に示すように、例えば、上述した表示パネル110Aに配列された各表示画素EMの配置に対応するとともに、各溝部μPAの傾斜面PLbが、該溝部μPAにおける、導光板140の側方端面140sに設けられた受光センサ部150の方向と垂直になるように配置されている。なお、溝部μPAは、例えば、3μmの大きさに形成されている。   Moreover, the light guide plate for improving the extraction efficiency of the radiated light in the present embodiment is, for example, as shown in FIG. 8A, a light guide plate 140 disposed on the back side (downward in the drawing) of the display panel 110A. On the other side (the side opposite to the display panel 110A side), a plurality of micron-order groove portions (microprism array; light guide means) μPA having a wedge-shaped cross-sectional shape are formed in a predetermined arrangement pattern. Yes. Here, the wedge-shaped cross section constituting the groove μPA generally has a surface (vertical surface) PLa perpendicular to the other surface side of the light guide plate 140 and an inclined surface (inclined surface) PLb. As shown in FIG. 8B, each groove portion μPA corresponds to, for example, the arrangement of the display pixels EM arranged on the display panel 110A described above, and the inclined surface PLb of each groove portion μPA corresponds to the groove portion. In μPA, the light guide plate 140 is disposed so as to be perpendicular to the direction of the light receiving sensor unit 150 provided on the side end surface 140s of the light guide plate 140. The groove μPA is formed with a size of 3 μm, for example.

このような構成を有する導光板140によれば、表示パネル110Aから(有機EL素子OELのカソード電極114に形成された開口部HLaを介して)背面側に放射され、導光板140に入射された背面光LTbが、例えば、各表示画素EMAごとに対応して設けられた溝部μPAの傾斜面PLbにおいて受光センサ部150方向に反射し、導光板140内で反射を繰り返して、導光板140の側方端面140sに設けられた受光センサ部150に入射するので、各表示画素EMA(有機EL素子OEL)から放射される光の一部を、効率的受光センサ部150に到達させることができ、該有機EL素子OELの発光特性を良好に検出することができる。   According to the light guide plate 140 having such a configuration, the light is emitted from the display panel 110A to the back side (through the opening HLa formed in the cathode electrode 114 of the organic EL element OEL) and is incident on the light guide plate 140. The back light LTb is reflected in the direction of the light receiving sensor unit 150 on the inclined surface PLb of the groove μPA provided corresponding to each display pixel EMA, for example, and is repeatedly reflected in the light guide plate 140, so that the light guide plate 140 side Since the light is incident on the light receiving sensor unit 150 provided on the end surface 140s, a part of the light emitted from each display pixel EMA (organic EL element OEL) can reach the efficient light receiving sensor unit 150. The light emission characteristics of the organic EL element OEL can be detected well.

したがって、本実施形態に係る表示装置においては、図4に示したように、表示パネル110Aの背面側に配置された導光板140の側方端面140sの任意の位置に、受光面が側方端面140sに対向するように、受光センサ部(受光素子)150を設けることにより、上記有機EL素子OELから放射された光の一部が、カソード電極114に形成された開口部HLaを介して表示パネル110Aの背面側に背面光LTbとして取り出され、導光板140内を(受光センサ部150方向に)伝搬して側方端面140sに設けられた受光センサ部150により、有機EL素子OELから放射された光に対応した電気信号として検出することができる。   Therefore, in the display device according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the light receiving surface is located on the side end surface at an arbitrary position on the side end surface 140 s of the light guide plate 140 disposed on the back side of the display panel 110 </ b> A. By providing the light receiving sensor part (light receiving element) 150 so as to oppose 140s, a part of the light emitted from the organic EL element OEL is displayed through the opening HLa formed in the cathode electrode 114. 110A is extracted as back light LTb on the back side of 110A, propagates in the light guide plate 140 (in the direction of the light receiving sensor unit 150), and is emitted from the organic EL element OEL by the light receiving sensor unit 150 provided on the side end surface 140s. It can be detected as an electrical signal corresponding to light.

ここで、上述したように、受光素子の受光面は、導光板140の側方端面140sに対向するように設けられ、導光板140と受光センサ部150とを密着して接合する接着剤として、例えば、少なくとも相互に屈折率が連続(光学的に連続)するような接着材料を用いる。これにより、導光板140内から該側方端面140sを介して受光素子に光が良好に入射するように構成されている。すなわち、導光板140と受光センサ部150との接着面において、本来、導光板140の側方端面140sから放出されるべき光が反射することなく良好に受光センサ部150側に到達するように構成されている。   Here, as described above, the light receiving surface of the light receiving element is provided so as to oppose the side end surface 140s of the light guide plate 140, and as an adhesive that adheres and bonds the light guide plate 140 and the light receiving sensor unit 150 together. For example, an adhesive material having a refractive index continuous (optically continuous) is used at least. Accordingly, the light is preferably incident on the light receiving element from the light guide plate 140 through the side end face 140s. That is, the light receiving plate 140 and the light receiving sensor unit 150 are configured so that the light to be emitted from the side end surface 140s of the light guiding plate 140 can reach the light receiving sensor unit 150 side without reflection. Has been.

次に、上述した実施形態に適用可能な受光センサ部の一具体例について説明する。
図9は、本実施形態に係る表示装置に適用される受光センサ部の一具体例を示す回路図である。
本実施形態に適用される受光センサ部150は、例えば、フォトダイオードを受光素子として備えた構成を適用することができる。
Next, a specific example of the light receiving sensor unit applicable to the above-described embodiment will be described.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a specific example of the light receiving sensor unit applied to the display device according to the present embodiment.
For the light receiving sensor unit 150 applied to the present embodiment, for example, a configuration including a photodiode as a light receiving element can be applied.

具体的には、図9に示すように、一端側が高電位電源(電源電圧Vdd)に接続され、他端側が接点N21に接続されたフォトダイオードPDと、一端側が接点N21に接続され、他端側が接地電位Vgndに接続された抵抗Rpと、ゲート端子に後述するリセット信号Vresetが印加され、ソース端子及びドレイン端子が接点N21及び接地電位に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタTr23と、ゲート端子が接点N21に、ソース端子が高電位電源(Vdd)に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタTr21と、ゲート端子に後述する画素選択信号Vdcが印加され、ソース端子及びドレイン端子が薄膜トランジスタTr21のドレイン端子及び検出端子TMfに各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタTr22と、を備えた回路構成を適用することができる。   Specifically, as shown in FIG. 9, one end is connected to a high potential power supply (power supply voltage Vdd), the other end is connected to a contact N21, and one end is connected to a contact N21, and the other end is connected. A resistor Rp whose side is connected to the ground potential Vgnd, a reset signal Vreset, which will be described later, is applied to the gate terminal, an n-channel thin film transistor Tr23 whose source terminal and drain terminal are respectively connected to the contact N21 and the ground potential, and a gate terminal Is applied to the contact N21, the n-channel thin film transistor Tr21 having the source terminal connected to the high-potential power supply (Vdd), and the pixel selection signal Vdc described later is applied to the gate terminal, and the source terminal and drain terminal are the drain of the thin film transistor Tr21. An n-channel type thin film transistor Tr22 connected to each of the terminal and the detection terminal TMf, Can be applied to the example was circuitry.

ここで、画素選択信号Vdcは、少なくとも、発光輝度の測定対象となっている表示画素EMA(有機EL素子OEL)が発光状態となるタイミングに同期してハイレベル状態に設定される制御信号であり、リセット信号Vresetは、各表示画素EMAにおける発光輝度の測定動作の終了ごとに(もしくは、該発光輝度の測定動作に先立って)ハイレベル状態に設定され、接点N21に蓄積された電荷を接地電位Vgndに放電して初期化する制御信号である。これらの制御信号Vdc、Vresetは、例えば、上述した補正制御回路160、あるいは、システムコントローラ170により生成されて所定のタイミングで受光センサ部150に印加される。また、検出端子TMfは、後述する補正制御回路160に設けられる増幅器AMPに接続されている。   Here, the pixel selection signal Vdc is a control signal that is set to a high level state in synchronization with at least the timing at which the display pixel EMA (organic EL element OEL), which is a measurement target of light emission luminance, enters a light emission state. The reset signal Vreset is set to a high level every time the light emission luminance measurement operation in each display pixel EMA is completed (or prior to the light emission luminance measurement operation), and the charge accumulated at the contact N21 is set to the ground potential. This is a control signal that is discharged to Vgnd and initialized. These control signals Vdc and Vreset are generated by, for example, the correction control circuit 160 or the system controller 170 described above and applied to the light receiving sensor unit 150 at a predetermined timing. The detection terminal TMf is connected to an amplifier AMP provided in a correction control circuit 160 described later.

<表示装置の駆動制御方法>
次に、上述した構成を有する表示装置における駆動制御動作(駆動制御方法)について、図面を参照して具体的に説明する。
図10は、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法に適用される特定量検出動作の一例を示すタイミングチャートである。
<Display device drive control method>
Next, a drive control operation (drive control method) in the display device having the above-described configuration will be specifically described with reference to the drawings.
FIG. 10 is a timing chart showing an example of the specific amount detection operation applied to the display device drive control method according to the present embodiment.

本実施形態に係る表示装置における駆動制御方法は、表示装置100Aの外部から供給される映像信号に基づいて、表示パネル110Aに所望の画像情報を表示する画像表示動作と、通常の画像表示動作に先立つ、例えば表示パネル110Aへの電源投入時等のタイミング、あるいは、画像表示動作が所定時間経過した後の適当なタイミングで、各表示画素EMの発光特性に応じた特定量(有機EL素子OELの発光輝度)を検出して、デジタル階調データとして保持する特定量検出動作と、上記画像表示動作時に、特定量検出動作により取得されたデジタル階調データ(検出階調データ)に基づいて補正値を生成し、表示信号生成回路160からデータドライバ130Aに供給される表示データ(デジタル信号)を補正するデータ補正動作と、を含んでいる。以下、各動作について説明する。なお、特定量検出動作の実行タイミングについては、後述する。   The drive control method in the display device according to the present embodiment includes an image display operation for displaying desired image information on the display panel 110A and a normal image display operation based on a video signal supplied from the outside of the display device 100A. Prior to, for example, a specific amount corresponding to the light emission characteristics of each display pixel EM (at the time of turning on the power to the display panel 110A or at an appropriate timing after the image display operation has elapsed for a predetermined time) (Luminance Luminance) is detected and held as digital gradation data, and the correction value is based on the digital gradation data (detection gradation data) acquired by the specific amount detection operation during the image display operation. Correction operation for correcting display data (digital signal) supplied from the display signal generation circuit 160 to the data driver 130A , It contains. Hereinafter, each operation will be described. The execution timing of the specific amount detection operation will be described later.

(特定量検出動作)
まず、本実施形態に係る特定量検出動作は、少なくとも、システムコントローラ170から補正制御回路160における特定量の取り込み保持動作を実行するための補正制御信号が供給されるとともに、ゲートドライバ120A及びデータドライバ130Aにおいて、以下に示すような動作を実行するための走査制御信号及びデータ制御信号が供給されることにより実行される。
(Specific amount detection operation)
First, in the specific amount detection operation according to the present embodiment, at least a correction control signal for executing a specific amount capturing and holding operation in the correction control circuit 160 is supplied from the system controller 170, and the gate driver 120A and the data driver In 130A, it is executed by supplying a scanning control signal and a data control signal for executing the following operation.

特定量検出動作においては、図10に示すように、まず、走査制御信号の供給に先立つタイミングで、システムコントローラ170から補正制御回路160に供給される補正制御信号に基づいて、リセット信号Vresetが受光センサ部150に印加される。これにより、図9に示した受光センサ部150に設けられた薄膜トランジスタTr23がオン動作して、薄膜トランジスタTr21のゲート端子(接点N21)の電位が接地電位Vgndに設定されるリセット動作が行われる。   In the specific amount detection operation, as shown in FIG. 10, the reset signal Vreset is first received based on the correction control signal supplied from the system controller 170 to the correction control circuit 160 at a timing prior to the supply of the scanning control signal. Applied to the sensor unit 150. Accordingly, the thin film transistor Tr23 provided in the light receiving sensor unit 150 illustrated in FIG. 9 is turned on, and a reset operation is performed in which the potential of the gate terminal (contact N21) of the thin film transistor Tr21 is set to the ground potential Vgnd.

次いで、システムコントローラ170から供給される走査制御信号に基づくタイミングで、ゲートドライバ120Aにより1行目の走査ラインSL1にハイレベルの走査信号Vscan1を所定の期間(例えば、1水平走査期間)継続して印加することにより、走査ラインSL1に接続された各表示画素EMAの画素駆動回路DCAに設けられた薄膜トランジスタ(選択トランジスタ)Tr11をオン動作させ、当該行の表示画素群を選択状態に設定する。このとき、走査ラインSL1に走査信号Vscan1が印加されるタイミングに同期して、受光センサ部150に画素選択信号Vdcが印加されることにより、受光センサ部150に設けられた薄膜トランジスタTr22もオン動作し、フォトダイオードPDからの検出データを取り出し可能な検出待機状態に設定される。   Next, at a timing based on the scan control signal supplied from the system controller 170, the gate driver 120A continues the high level scan signal Vscan1 to the first scan line SL1 for a predetermined period (for example, one horizontal scan period). By applying, the thin film transistor (select transistor) Tr11 provided in the pixel drive circuit DCA of each display pixel EMA connected to the scanning line SL1 is turned on, and the display pixel group in the row is set to the selected state. At this time, the pixel selection signal Vdc is applied to the light receiving sensor unit 150 in synchronization with the timing at which the scanning signal Vscan1 is applied to the scanning line SL1, so that the thin film transistor Tr22 provided in the light receiving sensor unit 150 is also turned on. The detection standby state in which the detection data from the photodiode PD can be taken out is set.

次いで、この選択状態(選択期間)において、データドライバ130Aに対して輝度検出用データとして、1列目の表示画素に対してのみ、例えば、最高階調表示(最高階調レベルでの発光動作)を行い、かつ、他の列の表示画素に対しては、例えば、最低階調表示(最適階調レベルでの発光動作;黒表示動作)を行うためのデジタル信号からなるシリアルデータ(表示データ)が供給される。これにより、データドライバ130Aは、システムコントローラ170から供給されるデータ制御信号に基づくタイミングで、図10に示すように、上記輝度検出用データに基づいて、最高階調電圧(MSB)からなる階調信号電圧(特定の階調信号)Vdata1、及び、最低階調電圧(Vgnd)からなる階調信号電圧Vdata2〜VdataMを生成して、各データラインDLを介して、選択状態に設定された1行目の表示画素群に一斉に印加する。   Next, in this selection state (selection period), for example, the highest gradation display (light emission operation at the highest gradation level) is performed only for the display pixels in the first column as luminance detection data for the data driver 130A. In addition, for display pixels in other columns, for example, serial data (display data) composed of digital signals for performing the lowest gradation display (light emission operation at the optimum gradation level; black display operation) Is supplied. As a result, the data driver 130A has a gradation based on the maximum gradation voltage (MSB) at the timing based on the data control signal supplied from the system controller 170, as shown in FIG. One row set to a selected state via each data line DL by generating the signal voltage (specific gradation signal) Vdata1 and gradation signal voltages Vdata2 to VdataM composed of the lowest gradation voltage (Vgnd). Applied to the display pixel group of the eye all at once.

これにより、各データラインDLに印加された階調信号電圧Vdata1〜VdataMが、各表示画素に設けられた画素駆動回路DCAの薄膜トランジスタTr11を介して、薄膜トランジスタTr12のゲート端子に印加されることにより、1行1列目の表示画素の画素駆動回路DCAに設けられた薄膜トランジスタTr12のみが、該ゲート電圧(すなわち、階調信号電圧Vdata1)に応じた導通状態でオン動作し、他の列の表示画素の薄膜トランジスタTr12がオフ動作する。   Thereby, the gradation signal voltages Vdata1 to VdataM applied to each data line DL are applied to the gate terminal of the thin film transistor Tr12 via the thin film transistor Tr11 of the pixel drive circuit DCA provided in each display pixel. Only the thin film transistor Tr12 provided in the pixel driving circuit DCA of the display pixel in the first row and first column is turned on in a conductive state according to the gate voltage (that is, the gradation signal voltage Vdata1), and the display pixels in other columns The thin film transistor Tr12 is turned off.

したがって、1行1列目の表示画素の画素駆動回路DCAに設けられた薄膜トランジスタTr12においてのみ、高電位電源(電源電圧Vdd)と接地電位Vgnd間の電位差、及び、階調信号電圧Vdata1の電圧値に応じて、高電位定電源(電源電圧Vdd)側から薄膜トランジスタTr12及び有機EL素子OELを介して接地電位Vgndに発光駆動電流が流れ、有機EL素子OELは、最高階調レベルに相当する輝度階調で発光動作し、他の列の表示画素の有機EL素子OELは非発光状態を維持する。   Accordingly, only in the thin film transistor Tr12 provided in the pixel driving circuit DCA of the display pixel in the first row and first column, the potential difference between the high potential power supply (power supply voltage Vdd) and the ground potential Vgnd and the voltage value of the gradation signal voltage Vdata1. Accordingly, a light emission driving current flows from the high potential constant power supply (power supply voltage Vdd) side to the ground potential Vgnd through the thin film transistor Tr12 and the organic EL element OEL, and the organic EL element OEL has a luminance level corresponding to the highest gradation level. The organic EL elements OEL of the display pixels in other columns maintain a non-light emitting state.

そして、この1行1列目の表示画素EMAにおいて、有機EL素子OELから放射された最高階調レベルの光は、表示パネル110Aを構成する透明な絶縁性基板111を透過して視野側に表示光LTfとして放出されるとともに、有機EL素子OELのカソード電極114に形成された開口部HLaを介して背面光LTbとして出射され、表示パネル110Aの背面側に配置された導光板140内を伝搬して、該導光板140の側方端面140sに受光面が対向するように設置された受光センサ部150(フォトダイオードPD)に入射する。これにより、該光の強度(受光強度;有機EL素子OELの発光輝度に対応する)に応じた信号電流が電源電圧VddからフォトダイオードPD及び抵抗Rpを介して接地電位Vgndに流れ、接点N21(すなわち、増幅トランジスタとして機能する薄膜トランジスタTr21のゲート電極)に、該受光強度に応じた電圧を生じる。   In the display pixel EMA in the first row and first column, the light of the highest gradation level emitted from the organic EL element OEL is transmitted through the transparent insulating substrate 111 constituting the display panel 110A and displayed on the view side. While being emitted as light LTf, it is emitted as back light LTb through the opening HLa formed in the cathode electrode 114 of the organic EL element OEL, and propagates through the light guide plate 140 disposed on the back side of the display panel 110A. Then, the light enters the light receiving sensor unit 150 (photodiode PD) installed so that the light receiving surface faces the side end surface 140s of the light guide plate 140. As a result, a signal current corresponding to the intensity of the light (light receiving intensity; corresponding to the light emission luminance of the organic EL element OEL) flows from the power supply voltage Vdd to the ground potential Vgnd via the photodiode PD and the resistor Rp, and the contact N21 ( That is, a voltage corresponding to the received light intensity is generated at the gate electrode of the thin film transistor Tr21 functioning as an amplification transistor.

これにより、薄膜トランジスタTr21は、該電圧(受光強度)に応じた導通状態でオン動作することになるので、電源電圧Vddから薄膜トランジスタTr21及びTr22、検出端子TMfを介して補正制御回路160に、フォトダイオードPDの受光強度、すなわち、有機EL素子OELの発光輝度に応じた信号レベルを有する検出データ(アナログ信号電流)が入力される。
この検出データは、上述したように、増幅器AMPにより所定の信号レベルに増幅処理された後、A/DコンバータADCによりデジタル信号に変換されて、記憶部BMの所定の記憶領域にデジタル階調データ(検出階調データ)として格納される。
As a result, the thin film transistor Tr21 is turned on in a conductive state corresponding to the voltage (light receiving intensity), so that the photodiode is supplied from the power supply voltage Vdd to the correction control circuit 160 via the thin film transistors Tr21 and Tr22 and the detection terminal TMf. Detection data (analog signal current) having a signal level corresponding to the light reception intensity of the PD, that is, the light emission luminance of the organic EL element OEL is input.
As described above, this detection data is amplified to a predetermined signal level by the amplifier AMP, then converted to a digital signal by the A / D converter ADC, and the digital gradation data is stored in a predetermined storage area of the storage unit BM. Stored as (detected gradation data).

次いで、上述した1行1列目の表示画素における輝度検出動作の場合と同様に、受光センサ部150にリセット信号Vresetが印加されることにより、薄膜トランジスタTr21のゲート端子(接点N21)の電位が接地電位Vgndにリセットされる。
次いで、選択状態に設定された表示画素群のうち、2列目の表示画素に対してのみ、最高階調表示を行い、かつ、他の列の表示画素に対しては、最低階調表示を行うための輝度検出用データがデータドライバ130Aに供給されることにより、図10に示すように、上述した1列目の表示画素と同様に、2列目のデータラインDL2に対してのみ、最高階調電圧(MSB)からなる階調信号電圧Vdata2が印加されるとともに、他のデータラインに対しては、最低階調電圧(Vgnd)からなる階調信号電圧Vdata1、Vdata3〜VdataMが印加される。
Next, as in the case of the luminance detection operation in the display pixel in the first row and first column described above, the potential of the gate terminal (contact N21) of the thin film transistor Tr21 is grounded by applying the reset signal Vreset to the light receiving sensor unit 150. The potential is reset to Vgnd.
Next, in the display pixel group set in the selected state, the highest gradation display is performed only for the display pixels in the second column, and the lowest gradation display is performed for the display pixels in the other columns. By supplying the luminance detection data to be performed to the data driver 130A, as shown in FIG. 10, only the second column data line DL2 is the same as the first column display pixel as described above. A gradation signal voltage Vdata2 composed of a gradation voltage (MSB) is applied, and gradation signal voltages Vdata1, Vdata3 to VdataM composed of a minimum gradation voltage (Vgnd) are applied to the other data lines. .

これにより、1行2列目の表示画素EMAの画素駆動回路DCAに設けられた有機EL素子OELが、階調信号電圧Vdata2に基づいて、最高階調レベルで発光動作するとともに、他の列の表示画素EMAの有機EL素子OELは非発光状態を維持することになるので、受光センサ部150により1行2列目の表示画素EMAにおける有機EL素子OELの発光輝度が検出されて、該発光輝度に応じた信号レベルを有する検出データが検出端子TMfを介して補正制御回路160に出力され、デジタル信号に変換されて、記憶部BMの所定の記憶領域にデジタル階調データとして格納される。
以下、このような各表示画素における特定量検出動作(リセット動作、発光動作及び輝度検出動作)を、各行各列の表示画素EMAについて、順次繰り返し実行することにより、表示パネル110Aを構成する全ての表示画素EMA(有機EL素子OEL)における発光特性に応じた特定量をデジタル階調データとして取得することができる。
As a result, the organic EL element OEL provided in the pixel drive circuit DCA of the display pixel EMA in the first row and second column emits light at the highest gradation level based on the gradation signal voltage Vdata2, and other columns. Since the organic EL element OEL of the display pixel EMA maintains the non-light emission state, the light emission luminance of the organic EL element OEL in the display pixel EMA in the first row and the second column is detected by the light receiving sensor unit 150. Detection data having a signal level corresponding to the signal level is output to the correction control circuit 160 via the detection terminal TMf, converted into a digital signal, and stored as digital gradation data in a predetermined storage area of the storage unit BM.
Hereinafter, the specific amount detection operation (reset operation, light emission operation, and luminance detection operation) in each display pixel is sequentially repeated for the display pixels EMA in each row and each column, whereby all of the display panel 110A is configured. A specific amount corresponding to the light emission characteristic in the display pixel EMA (organic EL element OEL) can be acquired as digital gradation data.

ここで、本実施形態に示した特定量検出動作は、後述する画像表示動作に先立つ任意のタイミングで、事前に実行するものであってもよいし、表示装置の起動時や終了時、画像表示動作実行時以外の待機時等に、定期的、あるいは、不定期に実行するものであってもよい。この特定量検出動作の実行タイミングの例については後述する。
また、本実施形態においては、輝度検出用データとして最高階調レベルに相当する表示データをデータドライバ130Aに供給し、これに対応する階調信号電圧Vdataを各表示画素に供給する場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、他の階調レベルに対応した輝度階調で、各表示画素の有機EL素子OELを発光動作させ、該発光輝度を検出するものであってもよい。
Here, the specific amount detection operation shown in the present embodiment may be executed in advance at an arbitrary timing prior to an image display operation to be described later, or when the display device is activated or terminated, an image display is performed. It may be executed regularly or irregularly, such as during a standby time other than when the operation is executed. An example of the execution timing of the specific amount detection operation will be described later.
Further, in the present embodiment, a case has been described in which display data corresponding to the highest gradation level is supplied to the data driver 130A as luminance detection data, and the corresponding gradation signal voltage Vdata is supplied to each display pixel. However, the present invention is not limited to this, and the organic EL element OEL of each display pixel is caused to emit light at a luminance gradation corresponding to another gradation level, and the emission luminance is detected. May be.

さらに、本実施形態においては、特定量検出動作時にデータドライバ130に輝度検出用データを供給する構成について特に限定するものではないが、例えば、補正制御回路160に設けられた記憶部BMの所定の記憶領域に輝度検出用データを予め保持し、適宜読み出すようにしてもよいし、表示信号生成回路180により、あるいは、表示装置100Aの外部から表示信号生成回路180を介して、輝度検出用データを供給するものであってもよい。   Furthermore, in the present embodiment, the configuration for supplying the luminance detection data to the data driver 130 during the specific amount detection operation is not particularly limited, but for example, a predetermined value of the storage unit BM provided in the correction control circuit 160 The luminance detection data may be stored in the storage area in advance and read as appropriate, or the luminance detection data may be read by the display signal generation circuit 180 or from the outside of the display device 100A via the display signal generation circuit 180. It may be supplied.

(特定量検出動作の実行タイミング)
次に、上述した特定量検出動作を実行するタイミングについて説明する。
図11は、本実施形態に係る特定量検出動作に係わる駆動制御動作の一例を示すフローチャートである。
本実施形態に係る特定量検出動作は、例えば、図11に示すように、まず、表示パネル110Aに電源が投入された直後であって、その後の通常の画像表示動作に先立つタイミングで実行される(S101、S102)。この場合、例えば、当該表示パネル110A(表示装置100A)を備えた電子機器等の使用開始に先立つタイミングで行われることになる。また、上記タイミングは、当該電子機器本体への電源投入時に限らず、例えば、電子機器の使用中に待機状態となって表示パネル110Aへの電源供給が遮断され、表示が消された後、再び使用状態となって、表示パネル110Aへの電源供給が再度投入されて、表示が開始された直後のタイミングであってもよい。これらのタイミングで特定量検出動作を行うことにより、電子機器の使い勝手に支障を与えることなく、特定量検出動作を行い、それによる階調信号電圧Vdataの補正を良好に行うことができる。
(Execution timing of specific amount detection operation)
Next, timing for executing the above-described specific amount detection operation will be described.
FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a drive control operation related to the specific amount detection operation according to the present embodiment.
For example, as illustrated in FIG. 11, the specific amount detection operation according to the present embodiment is performed immediately after the power is turned on to the display panel 110A and at a timing prior to the subsequent normal image display operation. (S101, S102). In this case, for example, it is performed at a timing prior to the start of use of an electronic device or the like provided with the display panel 110A (display device 100A). The timing is not limited to when the power to the electronic device main body is turned on. For example, the power supply to the display panel 110A is cut off when the electronic device is in use, and the display is turned off. It may be a timing immediately after the display is started after the power supply to the display panel 110A is turned on again after entering the use state. By performing the specific amount detection operation at these timings, it is possible to perform the specific amount detection operation without hindering the usability of the electronic device, and to favorably correct the gradation signal voltage Vdata.

次いで、図10に示すように、本実施形態に係る特定量検出動作は、表示パネル110Aによる通常の画像読取装置表示動作が行われて(S103)、所定時間が経過した後のタイミングでも実行されるようにしてもよい(S104、S105)。すなわち、画像表示動作中に所定時間間隔で特定量検出動作を行って、随時、階調信号電圧の補正を行うものであり(S103〜S105)、ここで、特定量検出動作を実行する時間間隔は、表示画素に用いる発光素子(有機EL素子OEL)の特性劣化の程度に応じて、適当な時間を設定する。また、この場合、表示パネル110Aを備えた電子機器等の使用中に特定量検出動作状態に切替わることを避けるために、例えば、所定時間が経過した後、当該電子機器が待機状態となったときに特定量検出動作を行うようにしてもよい。
なお、上記実行タイミングにおいて、特定量検出動作は、表示パネル110A(表示装置100A)に電源が投入された直後のタイミング、及び、通常の画像表示動作が行われて所定時間が経過した後のタイミングの双方で実行される場合のみ示したが、いずれか一方のタイミングにおいてのみ実行されるものであってもよい。
Next, as shown in FIG. 10, the specific amount detection operation according to the present embodiment is also executed at a timing after a normal image reading device display operation by the display panel 110A is performed (S103) and a predetermined time has elapsed. You may make it do (S104, S105). That is, the specific amount detection operation is performed at predetermined time intervals during the image display operation, and the gradation signal voltage is corrected as needed (S103 to S105). Here, the time interval for executing the specific amount detection operation Is set to an appropriate time according to the degree of deterioration of the characteristics of the light emitting element (organic EL element OEL) used for the display pixel. Further, in this case, in order to avoid switching to the specific amount detection operation state during use of the electronic device or the like provided with the display panel 110A, for example, the electronic device is in a standby state after a predetermined time has elapsed. Sometimes, a specific amount detection operation may be performed.
In the execution timing, the specific amount detection operation is performed immediately after the power is turned on to the display panel 110A (display device 100A) and after a predetermined time elapses after the normal image display operation is performed. However, it may be executed only at one of the timings.

(画像表示動作/データ補正動作)
次に、本実施形態における通常の画像情報の表示動作、及び、データ補正動作について説明する。
図12は、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法に適用される画像表示動作の一例を示すタイミングチャートである。ここで、上述した特定量検出動作と同等の動作については、その説明を簡略化して説明する。
(Image display operation / data correction operation)
Next, the normal image information display operation and data correction operation in the present embodiment will be described.
FIG. 12 is a timing chart illustrating an example of an image display operation applied to the display device drive control method according to the present embodiment. Here, the operation equivalent to the above-described specific amount detection operation will be described in a simplified manner.

本実施形態における通常の画像表示動作は、図1、図2に示した表示装置において、少なくとも、システムコントローラ170から補正制御回路160に対して、特定量検出動作を停止するとともに、表示信号生成回路180からの表示データを補正するデータ補正動作を実行するための補正制御信号が供給され、また、ゲートドライバ120A及びデータドライバ130Aに対して、以下に示すような動作を実行するための走査制御信号及びデータ制御信号が供給されることにより実行される。   In the normal image display operation in the present embodiment, at least the specific amount detection operation from the system controller 170 to the correction control circuit 160 is stopped in the display device shown in FIGS. A correction control signal for executing a data correction operation for correcting display data from 180 is supplied, and a scan control signal for executing the following operation for the gate driver 120A and the data driver 130A. And a data control signal is supplied.

画像表示動作においては、まず、表示信号生成回路180により1行分の表示データ(n行×m列からなる表示パネル110Aのi行目の表示画素群に対応した表示データ;1≦i≦n)が、補正制御回路160の比較補正部CMRを介して、データドライバ130Aに供給される。ここで、表示信号生成回路180から出力される表示データは、例えば、表示装置100Aの外部から供給される映像信号に基づいて生成されるデジタル信号からなるシリアルデータであって、当該表示装置100Aの表示パネル110Aを構成する表示画素EMAの発光特性の劣化(すなわち、各表示画素EMAに設けられた画素駆動回路DCAを構成する薄膜トランジスタTr11、TR12や有機EL素子OELの素子特性の経時変化やバラツキに起因する有機EL素子OELの発光輝度の変動)を考慮したものではない。   In the image display operation, first, display data for one row is displayed by the display signal generation circuit 180 (display data corresponding to the display pixel group in the i-th row of the display panel 110A having n rows × m columns; 1 ≦ i ≦ n). ) Is supplied to the data driver 130 </ b> A via the comparison correction unit CMR of the correction control circuit 160. Here, the display data output from the display signal generation circuit 180 is, for example, serial data including a digital signal generated based on a video signal supplied from the outside of the display device 100A. Degradation of light emission characteristics of the display pixels EMA constituting the display panel 110A (that is, due to temporal changes and variations in element characteristics of the thin film transistors Tr11 and TR12 and the organic EL elements OEL constituting the pixel drive circuit DCA provided in each display pixel EMA) This does not take into account the resulting variation in emission luminance of the organic EL element OEL.

そこで、本実施形態における画像表示動作では、当該表示装置を適用した電子機器等の工場出荷後、任意の時間が経過した後に、上述した特定量検出動作により取得され、記憶部BMに保持された、各表示画素EMAの発光特性に応じた特定量(特定の階調信号電圧を印加した場合における有機EL素子OELの発光輝度に応じたデジタル階調データ;検出階調データ)と、例えば、工場出荷時点で上述した特定量検出動作により取得されて予め記憶部BMに保持された初期値であって、当該画像表示動作において供給された表示データに対応する階調信号電圧における有機EL素子OELの発光特性に応じた特定量(特定の階調信号電圧を印加した場合における有機EL素子OELの発光輝度の初期値;初期階調データ)と、を比較し、該比較結果に基づいて、各表示画素EMA(有機EL素子OEL)の発光輝度が初期の発光輝度に近似するようにするための補正値(デジタル値)を生成して、上記表示信号生成回路180から供給される各表示画素EMAごとの表示データを、該補正値に基づいて補正する処理を実行して、補正後データとしてデータドライバ130に供給する(データ補正動作)。   Therefore, in the image display operation according to the present embodiment, after an arbitrary time has elapsed after the factory shipment of the electronic apparatus or the like to which the display device is applied, the specific amount detection operation described above acquires and is stored in the storage unit BM. A specific amount according to the light emission characteristics of each display pixel EMA (digital gradation data according to the light emission luminance of the organic EL element OEL when a specific gradation signal voltage is applied; detection gradation data), for example, a factory The initial value obtained by the above-described specific amount detection operation at the time of shipment and stored in the storage unit BM in advance, and the organic EL element OEL at the gradation signal voltage corresponding to the display data supplied in the image display operation. A specific amount corresponding to the light emission characteristic (initial value of light emission luminance of the organic EL element OEL when a specific gradation signal voltage is applied; initial gradation data) Based on the comparison result, a correction value (digital value) is generated so that the light emission luminance of each display pixel EMA (organic EL element OEL) approximates the initial light emission luminance. A process of correcting display data for each display pixel EMA to be supplied is executed based on the correction value and supplied to the data driver 130 as corrected data (data correction operation).

データドライバ130Aは、補正制御回路160(比較補正部CMR)を介して供給された補正後データに基づいて、当該i行目の各表示画素EMAに対応する階調信号電圧Vdataを生成して、各列のデータラインDLに一斉に印加する。
このとき、図12に示すように、ゲートドライバ120Aによりi行目の走査ラインSLiにハイレベルの走査信号Vscaniを印加することにより、図2に示した、当該行の各表示画素EMAの画素駆動回路DCAに設けられた薄膜トランジスタ(選択トランジスタ)Tr11がオン動作して、薄膜トランジスタ(発光駆動トランジスタ)Tr12のゲート端子に、各データラインDLに印加された上記階調信号電圧Vdataに基づくゲート電圧が印加されて、当該ゲート電圧に応じた導通状態でオン動作する。
The data driver 130A generates a gradation signal voltage Vdata corresponding to each display pixel EMA in the i-th row based on the corrected data supplied via the correction control circuit 160 (comparison correction unit CMR), It is applied simultaneously to the data lines DL in each column.
At this time, as shown in FIG. 12, by applying a high level scanning signal Vscani to the i-th scanning line SLi by the gate driver 120A, the pixel driving of each display pixel EMA in the row shown in FIG. The thin film transistor (selection transistor) Tr11 provided in the circuit DCA is turned on, and a gate voltage based on the gradation signal voltage Vdata applied to each data line DL is applied to the gate terminal of the thin film transistor (light emission drive transistor) Tr12. Then, it is turned on in a conductive state corresponding to the gate voltage.

これにより、高電位電源(電源電圧Vdd)側から電源ラインVLを介して、i行目の表示画素群(例えば、i行j列目の表示画素EMA;1≦j≦m)の薄膜トランジスタTr12及び有機EL素子OELに、階調信号電圧Vdatajに基づく電流値を有する発光駆動電流が流れ、有機EL素子OELが表示データ(厳密には、表示データを補正処理した補正後データ)に基づく所定の輝度で発光動作する(選択期間Tse)。このとき、薄膜トランジスタTr12のゲート−ソース間に生じる電位差により、ゲート−ソース間寄生容量Caが充電される。ここで、各表示画素EMAに印加される階調信号電圧Vdataは、上記データ補正動作により、発光素子の初期の発光輝度に基づいて電圧値が設定(補正)されているので、各有機EL素子OELは初期状態に近似した輝度階調で発光動作する。   Thereby, the thin film transistor Tr12 of the display pixel group in the i-th row (for example, the display pixel EMA in the i-th row and j-th column; 1 ≦ j ≦ m) from the high potential power supply (power supply voltage Vdd) side through the power supply line VL A light emission driving current having a current value based on the gradation signal voltage Vdataj flows through the organic EL element OEL, and the organic EL element OEL has a predetermined luminance based on display data (strictly, corrected data obtained by correcting display data). The light emission operation is performed (selection period Tse). At this time, the gate-source parasitic capacitance Ca is charged by the potential difference generated between the gate and the source of the thin film transistor Tr12. Here, since the gradation signal voltage Vdata applied to each display pixel EMA is set (corrected) based on the initial light emission luminance of the light emitting element by the data correction operation, each organic EL element. The OEL emits light with a luminance gradation approximate to the initial state.

次いで、図12に示すように、ゲートドライバ120Aによりi行目の走査ラインSLiにローレベルの走査信号Vscaniを印加して、当該行の表示画素群の画素駆動回路DCAに設けられた薄膜トランジスタTr11をオフ動作させることにより、薄膜トランジスタTr12のゲート端子への階調信号電圧Vdataiの印加を遮断する。このとき、上記選択期間Tseに、薄膜トランジスタTr12のゲート−ソース間に印加されていた電位差は、寄生容量Caに電圧成分として保持されるため、薄膜トランジスタTr12は、この電圧成分によりオン状態を維持し、上記選択期間Tseと同等の発光駆動電流がi行目の各表示画素の薄膜トランジスタTr12及び有機EL素子OELに流れ、初期状態に近似した輝度階調で発光する動作を継続する(非選択期間Tnse)。
このような画像表示動作において設定される選択期間Tse及び非選択期間Tnseは、その総和(合計時間)が、例えば、表示パネル110Aに1画面分の画像情報を表示する動作期間である1フレーム期間Tcycになるように設定される。
Next, as shown in FIG. 12, a low-level scanning signal Vscani is applied to the i-th scanning line SLi by the gate driver 120A, and the thin film transistor Tr11 provided in the pixel driving circuit DCA of the display pixel group in the row is changed. By turning off, the application of the gradation signal voltage Vdatai to the gate terminal of the thin film transistor Tr12 is cut off. At this time, the potential difference applied between the gate and the source of the thin film transistor Tr12 during the selection period Tse is held as a voltage component in the parasitic capacitance Ca, so that the thin film transistor Tr12 maintains the on state by this voltage component, The light emission drive current equivalent to the selection period Tse flows through the thin film transistor Tr12 and the organic EL element OEL of each display pixel in the i-th row, and continues the operation of emitting light with a luminance gradation approximate to the initial state (non-selection period Tnse). .
The selection period Tse and non-selection period Tnse set in such an image display operation have a sum (total time) of, for example, one frame period that is an operation period for displaying image information for one screen on the display panel 110A. It is set to be Tcyc.

以下、同様に、(i+1)行目の表示画素群についても、図12に示すように、選択期間Tseにおいて、走査ラインSL(i+1)に走査信号Vscan(i+1)が印加されることにより、補正処理された表示データ(補正後データ)に基づく階調信号電圧Vdataが各列のデータラインDLを介して、当該行の各表示画素に印加されて、有機EL素子OELが発光動作するとともに、該発光動作に伴う電圧成分が寄生容量Caに保持される。そして、非選択期間Tnseにおいては、各表示画素EMAの寄生容量Caに保持された電圧に基づいて、当該行の各表示画素EMA(有機EL素子OEL)が所定の輝度階調で発光する動作が維持される。
このようなデータ補正動作を含む一連の画像表示動作を、各行について順次繰り返し実行することにより、1画面分の画像情報が表示パネル110に表示される。
Hereinafter, similarly, as for the display pixel group in the (i + 1) th row, as shown in FIG. 12, the scanning signal Vscan (i + 1) is applied to the scanning line SL (i + 1) in the selection period Tse. Thus, the gradation signal voltage Vdata based on the corrected display data (corrected data) is applied to each display pixel in the row via the data line DL in each column, and the organic EL element OEL performs a light emission operation. At the same time, the voltage component accompanying the light emission operation is held in the parasitic capacitance Ca. In the non-selection period Tnse, an operation in which each display pixel EMA (organic EL element OEL) in the row emits light with a predetermined luminance gradation based on the voltage held in the parasitic capacitance Ca of each display pixel EMA. Maintained.
By sequentially repeating a series of image display operations including such a data correction operation for each row, image information for one screen is displayed on the display panel 110.

したがって、本実施形態に係る表示装置及びその駆動制御方法によれば、通常の画像表示動作に先立って、あるいは、画像表示動作時以外の任意のタイミング(表示装置起動時や待機時等)で、特定量測定動作を実行することにより、輝度検出用データに基づく特定の階調信号電圧の印加に対して、各表示画素(有機EL素子)における発光特性(発光輝度)に応じたデジタル階調データを取り込み保持し、該デジタル階調データに基づいて、各表示画素ごとの発光特性に対応した補正値を随時生成(すなわち、補正値に基づいて補正処理された補正後データに基づいて生成される階調信号電圧により、各表示画素の発光素子が発光動作した場合に得られる発光輝度が初期の発光輝度に近似するように、予め補正値を設定)することができる。   Therefore, according to the display device and the drive control method thereof according to the present embodiment, prior to the normal image display operation, or at any timing other than the image display operation (when the display device is activated, at the standby time, etc.) By executing a specific amount measurement operation, digital gradation data corresponding to light emission characteristics (light emission luminance) in each display pixel (organic EL element) with respect to application of a specific gradation signal voltage based on luminance detection data And a correction value corresponding to the light emission characteristic of each display pixel is generated as needed based on the digital gradation data (that is, generated based on the corrected data corrected based on the correction value). With the gradation signal voltage, a correction value can be set in advance so that the light emission luminance obtained when the light emitting element of each display pixel performs a light emission operation approximates the initial light emission luminance.

これにより、通常の画像表示動作において、データドライバに供給される表示データに、上記補正値に基づく補正処理を施して、各表示画素の発光特性(すなわち、各表示画素に設けられた画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタや有機EL素子の素子特性の経時変化やバラツキに起因する有機EL素子の発光輝度の変動)に応じたデジタルデータ(補正後データ)に補正するデータ補正動作を行い、階調信号電圧を生成して各表示画素に印加することができるので、表示データにより指定される輝度階調に対する有機EL素子(発光素子)の発光輝度の関係を常に初期状態に近似した状態に維持させることができ、各表示画素(発光素子)における発光特性の劣化やバラツキを補正して、画像情報を長期にわたって良好かつ安定した画質で表示することができる。   Thus, in a normal image display operation, the display data supplied to the data driver is subjected to correction processing based on the correction value, and the light emission characteristics of each display pixel (that is, the pixel driving circuit provided in each display pixel) The data correction operation is performed to correct the digital data (corrected data) according to the change in the light emission luminance of the organic EL element due to the time-dependent changes and variations in the element characteristics of the thin film transistors and organic EL elements that constitute the gray scale signal. Since a voltage can be generated and applied to each display pixel, the relationship of the light emission luminance of the organic EL element (light emitting element) to the luminance gradation specified by the display data is always maintained in a state that approximates the initial state. It is possible to correct the deterioration and variation of the light emission characteristics of each display pixel (light emitting element), and to make the image information good and stable over a long period of time. It can be displayed.

なお、本実施形態においては、特定量検出動作として、単一の階調レベル(最高階調レベル)のみを有する輝度検出用データにより、各表示画素における発光輝度を検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、複数の階調レベルに対応する輝度検出用データを供給することにより、各表示画素の有機EL素子を異なる輝度階調で発光動作させ、各発光状態(輝度階調)における輝度を検出して、各表示画素(有機EL素子)について、複数の階調条件での検出階調データを取得して補正制御回路(記憶部)に保持するようにしてもよい。   In the present embodiment, as the specific amount detection operation, the case where the light emission luminance in each display pixel is detected by the luminance detection data having only a single gradation level (maximum gradation level) has been described. The present invention is not limited to this. For example, by supplying luminance detection data corresponding to a plurality of gradation levels, the organic EL element of each display pixel is caused to emit light at different luminance gradations. The luminance in the light emission state (luminance gradation) is detected, and the detected gradation data under a plurality of gradation conditions is acquired for each display pixel (organic EL element) and held in the correction control circuit (storage unit). It may be.

これにより、上述した画像表示動作及びデータ補正動作において、表示画素(有機EL素子)の発光特性を、画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタや有機EL素子の素子特性の経時変化やバラツキに関わらず、表示データにより指定される輝度階調に対する有機EL素子(発光素子)の発光輝度の関係を常に初期状態に近似した状態に維持させることができ、画像情報を長期にわたって良好かつ安定した画質で表示することができる。   As a result, in the image display operation and data correction operation described above, the light emission characteristics of the display pixel (organic EL element) can be displayed regardless of the temporal changes and variations in the element characteristics of the thin film transistors and organic EL elements constituting the pixel drive circuit. The relationship of the light emission luminance of the organic EL element (light emitting element) to the luminance gradation specified by the data can always be maintained close to the initial state, and the image information can be displayed with good and stable image quality over a long period of time. Can do.

また、本実施形態においては、表示パネルを構成する全ての表示画素について、特定の輝度検出用データにより発光輝度を検出する特定量検出動作を順次実行し、各表示画素ごとに記憶部に保持された検出階調データと、予め各表示画素ごとに保持された初期階調データとを比較し、各表示画素ごとに補正値を生成して表示データを補正するデータ補正動作を実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。   Further, in the present embodiment, a specific amount detection operation for detecting light emission luminance by specific luminance detection data is sequentially executed for all the display pixels constituting the display panel, and each display pixel is held in the storage unit. The case where the detected gradation data and the initial gradation data previously stored for each display pixel are compared, and a correction value is generated for each display pixel to execute a data correction operation for correcting the display data is described. However, the present invention is not limited to this.

例えば、各表示画素の発光素子(有機EL素子)の素子特性の変化傾向(劣化傾向)がほぼ揃っているような場合においては、例えば、1画素おきや、数画素おきのように、適当に選択した表示画素についてのみ、上述した特定量検出動作及びデータ補正動作を実行するようにしたものであってもよいし、上記適当に選択した表示画素について得られた検出階調データと初期階調データに基づいて得られた補正値の平均値や変化傾向等に基づいて、表示パネルを構成する全ての表示画素の各々に供給される表示データを補正するようにデータ補正動作を実行するものであってもよい。
これによれば、特定量検出動作及びデータ補正動作の際に、処理対象となるデータ量を大幅に削減することができるので、補正制御回路やシステムコントローラ等における処理負担を軽減して、補正処理に係わる時間を短縮することができる。
For example, when the change tendency (deterioration tendency) of the element characteristics of the light emitting elements (organic EL elements) of each display pixel is almost uniform, for example, every other pixel or every few pixels, The specific amount detection operation and the data correction operation described above may be executed only for the selected display pixel, or the detected gradation data and the initial gradation obtained for the appropriately selected display pixel. A data correction operation is performed so as to correct display data supplied to each of all the display pixels constituting the display panel based on an average value or a change tendency of correction values obtained based on the data. There may be.
According to this, during the specific amount detection operation and the data correction operation, the amount of data to be processed can be greatly reduced, so that the processing load on the correction control circuit, the system controller, etc. is reduced, and the correction processing is performed. It is possible to reduce the time involved in

さらに、上述した実施形態においては、表示パネルの背面側に配置された導光板を構成する透明な絶縁性平板の一側方端面の略中央付近にのみ、受光センサ部(受光素子)を配置した構成(図4(a)参照)を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、側方端面の任意の位置、例えば、隣り合う2つの側方端面相互により形成される導光板の角部近傍の位置等に配置するものであってもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the light receiving sensor unit (light receiving element) is disposed only in the vicinity of the approximate center of one side end surface of the transparent insulating flat plate constituting the light guide plate disposed on the back side of the display panel. Although the configuration (see FIG. 4A) is shown, the present invention is not limited to this, and a light guide plate formed by any position of the side end surfaces, for example, two adjacent side end surfaces. You may arrange | position in the position of the corner | angular part vicinity, etc.

要するに、本発明は、有機EL層から放射される光のうち、表示パネルの背面側に取り出され、導光板内を伝搬した背面光の一部を受光センサ部(受光素子)により検出することにより、有機EL素子(発光素子)の発光特性に係る特定量を検出するものであるので、該背面光を良好に受光することができる任意の位置に、受光面が対向するように設けられるものであればよい。特に、図8に示したように、導光板に微小な溝部(プリズムアレー)を配列形成した構成を適用する場合にあっては、該溝部の形状や配置パターン等を適宜設定することにより、側方端面の任意の位置に配置された受光センサ部に対して、上記背面光を効率的に伝搬することができる。   In short, the present invention detects a part of the back light which is taken out from the back side of the display panel and propagates in the light guide plate among the light emitted from the organic EL layer by the light receiving sensor unit (light receiving element). Since a specific amount related to the light emission characteristics of the organic EL element (light emitting element) is detected, the light receiving surface is provided at an arbitrary position where the back light can be favorably received. I just need it. In particular, as shown in FIG. 8, in the case of applying a configuration in which minute grooves (prism arrays) are arranged on the light guide plate, the shape and arrangement pattern of the grooves can be set as appropriate. The back light can be efficiently propagated to the light receiving sensor unit disposed at an arbitrary position on the end face.

(表示画素部の他の構成例)
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示画素部(開口部)の他の構成例について、図面を参照して説明する。
図13は、本発明に係る表示装置に適用される表示画素部の他の構成例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。ここで、図5に示した表示画素部と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
(Another configuration example of the display pixel portion)
Next, another configuration example of the display pixel portion (opening) applied to the display device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 13 is a configuration diagram showing another configuration example (circuit layout and cross-sectional structure) of the display pixel portion applied to the display device according to the present invention. Here, about the structure equivalent to the display pixel part shown in FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected and the description is simplified or abbreviate | omitted.

本発明に係る表示装置に適用可能な表示画素EMA′の他の構成例は、図13(a)、(b)に示すように、走査ラインSL、データラインDL及び電源ラインVLにより囲まれた画素形成領域において、隔壁116により規定された有機EL素子形成領域ARelに、アノード電極112、有機EL層113(ホール輸送層113a、電子輸送性発光層113b)、カソード電極114を順次積層して構成される有機EL素子OELの縁辺部の一部領域から、上記隔壁116が形成された領域の一部の、カソード電極114及び隔壁116がエッチング除去されて、有機EL層113の一部や隔壁116の下層に形成された薄膜トランジスタTr12の一部が露出する開口部HLbが形成された構成を有している。すなわち、開口部HLbを介して、有機EL層113から直接放射された光の一部、及び、有機EL層113の側面方向に放射されて薄膜トランジスタTr12側に拡散された光の一部、を取り出すように構成されたものである。   Another configuration example of the display pixel EMA ′ applicable to the display device according to the present invention is surrounded by the scanning line SL, the data line DL, and the power supply line VL as shown in FIGS. In the pixel formation region, an anode electrode 112, an organic EL layer 113 (a hole transport layer 113a, an electron transport light emitting layer 113b), and a cathode electrode 114 are sequentially stacked on the organic EL element formation region ARel defined by the partition wall 116. The cathode electrode 114 and the partition wall 116 in a part of the region where the partition wall 116 is formed are etched away from a partial region of the edge portion of the organic EL element OEL to be a part of the organic EL layer 113 and the partition wall 116. The opening HLb from which a part of the thin film transistor Tr12 formed in the lower layer is exposed is formed. That is, a part of the light directly emitted from the organic EL layer 113 and a part of the light emitted toward the side surface of the organic EL layer 113 and diffused to the thin film transistor Tr12 side are taken out through the opening HLb. It is comprised as follows.

また、図5に示した表示画素部と同様に、上記開口部HLbが形成された有機EL素子OEL及び隔壁116を含む絶縁性基板111上の全領域は、透光性の封止層117及び封止基板118により封止され、該封止基板118と離間して導光板(図示を省略)140が配置、もしくは、該封止基板118に密着するように導光板(図示を省略)140が接合されている。   Similarly to the display pixel portion shown in FIG. 5, the entire region on the insulating substrate 111 including the organic EL element OEL in which the opening HLb is formed and the partition wall 116 is formed with a light-transmitting sealing layer 117 and A light guide plate (not shown) 140 is disposed by being sealed by the sealing substrate 118 and spaced apart from the sealing substrate 118, or the light guide plate (not shown) 140 is in close contact with the sealing substrate 118. It is joined.

このような構成を有する表示画素部によれば、上述した実施形態(図5参照)と同様に、有機EL素子OELの有機EL層113において放射される光の一部を、カソード電極114から隔壁116の形成領域に延在して形成された開口部HLbを介して背面光として取り出し、表示パネル110Aの背面側に配置された導光板140に入射することができるので、該導光板140の側方端面140sに受光面が対向するように設けられた受光センサ部150により、該表示画素EMA′(有機EL素子OEL)の発光輝度に対応した光を検出することができる。この場合、有機EL層113から直接放射された光の一部、及び、有機EL層113の側面方向に拡散された光の一部を取り出す構成を有しているので、図5に示した構成に比較して、開口部HLbにより露出される有機EL層113の面積をより小さくすることができて、表示光の取り出し効率の低下を更に抑制することができる。   According to the display pixel unit having such a configuration, a part of light emitted from the organic EL layer 113 of the organic EL element OEL is separated from the cathode electrode 114 into the partition wall, as in the above-described embodiment (see FIG. 5). 116 can be extracted as back light through an opening HLb formed to extend to the formation region 116 and can enter the light guide plate 140 disposed on the back side of the display panel 110A. Light corresponding to the light emission luminance of the display pixel EMA ′ (organic EL element OEL) can be detected by the light receiving sensor unit 150 provided so that the light receiving surface faces the end surface 140s. In this case, since a part of the light directly emitted from the organic EL layer 113 and a part of the light diffused in the side surface direction of the organic EL layer 113 are taken out, the structure shown in FIG. As compared with the above, the area of the organic EL layer 113 exposed through the opening HLb can be further reduced, and the reduction in display light extraction efficiency can be further suppressed.

次に、本発明に係る表示装置に適用される導光板と受光センサ部とのさらに他の関係について、図面を参照して説明する。
上述した各実施形態においては、図4に示したように、導光板140の一側方端面140sに、唯一の受光センサ部(受光素子)150を密着して設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、以下に示すように、複数の受光センサ部(受光素子)を備えるものであってもよい。
Next, still another relationship between the light guide plate and the light receiving sensor portion applied to the display device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
In each of the above-described embodiments, as shown in FIG. 4, the configuration in which the only light receiving sensor unit (light receiving element) 150 is provided in close contact with the one side end surface 140 s of the light guide plate 140 is shown. The present invention is not limited to this, and may include a plurality of light receiving sensor portions (light receiving elements) as shown below.

図14は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルと受光センサ部との他の関係を示す概略斜視図である。ここで、導光板と受光センサ部との関係については、図4(b)に示した概略断面図を適宜参照するものとする。また、図15は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルと導光板及び受光センサ部との他の関係を示す概略斜視図である。   FIG. 14 is a schematic perspective view showing another relationship between the display panel and the light receiving sensor unit applied to the display device according to the present invention. Here, regarding the relationship between the light guide plate and the light receiving sensor unit, the schematic cross-sectional view shown in FIG. FIG. 15 is a schematic perspective view showing another relationship between the display panel, the light guide plate, and the light receiving sensor unit applied to the display device according to the present invention.

図14(a)に示す構成例においては、表示パネル110Aの背面側に配置された導光板140(図4(b)参照)の対向する二つの側方端面(図面右方及び左方の端面)に、各1個ずつの計2個の受光センサ部150a、150bを備えた構成を有している。また、図14(b)に示す構成例においては、導光板140の全ての側方端面(図面左右方及び前後方の端面)に、各1個ずつの計4個の受光センサ部150c〜150fを備えた構成を有している。   In the configuration example shown in FIG. 14A, two opposing side end surfaces (the right and left end surfaces in the drawing) of the light guide plate 140 (see FIG. 4B) disposed on the back side of the display panel 110A. ) Has a configuration including two light receiving sensor portions 150a and 150b, one each. In addition, in the configuration example shown in FIG. 14B, a total of four light receiving sensor portions 150c to 150f, one for each side end surface (left and right side in the drawing and front and rear end surfaces) of the light guide plate 140, one each. It has the composition provided with.

このように、異なる複数の側方端面の各々に受光センサ部(受光素子)を密着して設置することにより、特定の表示画素(有機EL素子)から放射される光のうち、背面光をより多く(すなわち、受光センサ部の設置数分)取り込んで検出することができるので、測定対象となっている特定の表示画素から放射される光以外のノイズ等の影響を抑制して、補正制御回路に取り込まれる検出データの信頼性を高めることができ、より正確な表示データの補正処理を実現することができる。   In this way, by installing the light receiving sensor part (light receiving element) in close contact with each of a plurality of different side end surfaces, the back light from the light emitted from the specific display pixel (organic EL element) is more Since many (that is, the number of light receiving sensor units installed) can be captured and detected, the influence of noise other than light emitted from the specific display pixel being measured is suppressed, and a correction control circuit Thus, the reliability of the detection data captured in the image data can be increased, and more accurate display data correction processing can be realized.

また、図14(c)に示す構成例においては、複数個の受光素子を一次元配列してアレイ状に形成したセンサ基板からなる受光センサ部150gを、導光板140の特定の側方端面(図面前方の端面)にのみ密着して設置した構成を有している。ここで、受光センサ部150gに設けられた複数個の受光素子は、図4(b)に示した構成と同様に、各受光面が上記導光板140の特定の側方端面に対向するように形成されるとともに、受光センサ部150gと導光板140とが、所定の接着剤を介して接着されて、光学的に連続するように構成されている。   In the configuration example shown in FIG. 14C, the light receiving sensor unit 150g formed of a sensor substrate in which a plurality of light receiving elements are arranged in a one-dimensional array is connected to a specific side end face ( It has a configuration in which it is installed in close contact only with the front end face of the drawing. Here, in the plurality of light receiving elements provided in the light receiving sensor unit 150g, each light receiving surface is opposed to a specific side end surface of the light guide plate 140, as in the configuration shown in FIG. In addition to being formed, the light receiving sensor unit 150g and the light guide plate 140 are configured to be optically continuous by being bonded via a predetermined adhesive.

このように、特定の側方端面にのみ、複数の受光素子がアレイ状に形成された受光センサ部を密着して設置することにより、上述した構成例と同様に、特定の表示画素(有機EL素子)から放射される光をより多く検出することができるので、補正制御回路に取り込まれる検出データの信頼性を高めることができ、より正確な表示データの補正処理を実行することができる。また、複数の受光素子がアレイ状に形成されているので、受光センサ部の絶縁性基板の側方端面への取り付け作業を簡素化することができるとともに、部品点数を削減して製品コストの低減を図ることができる。   In this way, a specific display pixel (organic EL) can be formed in the same manner as in the configuration example described above by closely attaching a light receiving sensor unit in which a plurality of light receiving elements are formed in an array only on a specific side end surface. Since more light emitted from the element) can be detected, the reliability of detection data taken into the correction control circuit can be improved, and more accurate display data correction processing can be executed. In addition, since a plurality of light receiving elements are formed in an array, it is possible to simplify the work of attaching the light receiving sensor part to the side end face of the insulating substrate and reduce the number of parts and reduce the product cost. Can be achieved.

なお、図14(c)においては、複数個の受光素子を一次元配列した受光センサ部が特定の側方端面にのみ設けられた構成を示したが、図14(a)、(b)の場合と同様に、対向する2面、もしくは、全ての側方端面の各々に、同等の受光センサ部が設けられた構成を有するものであってもよい。また、図14(c)においては、複数個の受光素子を、薄膜技術を適用して基板上にアレイ状に形成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図4(a)や図14(a)等に示したような単一の受光素子を備えた個別の受光センサ部(基板)を、同一の側方端面に、相互に間隔を空けて、もしくは、相互に密着させて、複数個配列するようにしたものであってもよい。   FIG. 14C shows a configuration in which a light receiving sensor unit in which a plurality of light receiving elements are arranged one-dimensionally is provided only on a specific side end surface. Similarly to the case, it may have a configuration in which an equivalent light receiving sensor portion is provided on each of two opposing surfaces or all side end surfaces. Further, in FIG. 14C, the case where a plurality of light receiving elements are formed in an array on a substrate by applying thin film technology has been described, but the present invention is not limited to this. Individual light receiving sensor parts (substrates) having a single light receiving element as shown in FIG. 4 (a) or FIG. 14 (a) are spaced apart from each other on the same side end surface, or A plurality may be arranged in close contact with each other.

また、図14(a)〜(c)に示した構成においては、導光板の側方端面に複数の受光センサ部を配置することにより、特定の表示画素から放出される背面光をより多く受光することにより、検出データの精度を高めるものであるので、導光板140の構成としては、図8に示したような溝部(プリズムアレー)μPAが形成されていない、通常の絶縁性平板(すなわち、図4に示したような導光板)を適用することができる。   In the configuration shown in FIGS. 14A to 14C, a plurality of light receiving sensor portions are arranged on the side end surface of the light guide plate, so that more back light emitted from a specific display pixel is received. Therefore, the structure of the light guide plate 140 is a normal insulating flat plate (that is, a groove (prism array) μPA as shown in FIG. 8 is not formed. A light guide plate as shown in FIG. 4 can be applied.

さらに、上述した図4及び図14に示した表示パネルと導光板及び受光センサ部との関係においては、受光センサ部150を薄膜技術を適用して基板状に形成し、導光板の所定の側方端面に密着するように設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図15(a)に示すように、導光板140の任意の側方端面に円弧状の凹部142aを形成し、あるいは、図15(b)に示すように、導光板140の任意の側方端面相互により形成される角部に円弧状の凹部142bを形成し、該凹部142a、142bに対向するように、円柱状に形成された受光センサ部(受光素子)150を設けた構成を適用してもよい。ここで、受光センサ部(受光素子)150の受光面は、円弧状の凹部142a、142bの端面に対向するように配置されている。   Furthermore, in the relationship between the display panel shown in FIGS. 4 and 14 described above, the light guide plate, and the light receiving sensor unit, the light receiving sensor unit 150 is formed in a substrate shape by applying thin film technology, and a predetermined side of the light guide plate Although the configuration provided so as to be in close contact with the side end surface is shown, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. An arcuate recess 142a is formed, or as shown in FIG. 15 (b), an arcuate recess 142b is formed at a corner formed by any side end surfaces of the light guide plate 140, and the recess 142a, A configuration in which a light receiving sensor unit (light receiving element) 150 formed in a columnar shape is provided so as to face 142b may be applied. Here, the light-receiving surface of the light-receiving sensor unit (light-receiving element) 150 is disposed so as to face the end surfaces of the arc-shaped concave portions 142a and 142b.

これによれば、有機EL層113から放射され、カソード電極114に設けられた開口部を介して背面光として取り出され、導光板140内を反射して伝搬された光の一部が、円弧状の凹部142a、142bの端面から、該円弧の中心に配置された受光センサ部150方向に放射されることになるので、導光板140からより多くの光を受光して、有機EL素子OELの発光輝度に良好に対応した検出データを得ることができ、より適切な表示データの補正処理を行うことができる。   According to this, a part of the light radiated from the organic EL layer 113 and extracted as back light through the opening provided in the cathode electrode 114 and reflected and propagated in the light guide plate 140 is arc-shaped. The light is emitted from the end surfaces of the recesses 142a and 142b toward the light receiving sensor unit 150 disposed at the center of the arc, so that more light is received from the light guide plate 140 and the organic EL element OEL emits light. Detection data corresponding to brightness can be obtained, and more appropriate display data correction processing can be performed.

加えて、上述した実施形態及び各構成例においては、受光センサ部150として、図14に示したようなフォトダイオードPDを受光素子として適用した回路構成のみを示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、受光する光の強度や光量に応じて、出力される電気信号が変化するものであれば、例えば、以下に示すような光導電センサやダブルゲート型フォトセンサ等の他の受光素子を適用するものであってもよいことはいうまでもない。   In addition, in the above-described embodiment and each configuration example, only the circuit configuration in which the photodiode PD as shown in FIG. 14 is applied as the light receiving element is shown as the light receiving sensor unit 150. However, the present invention is not limited to this. As long as the electrical signal to be output changes depending on the intensity and the amount of light received, for example, other photoconductive sensors and double gate type photo sensors as shown below It goes without saying that a light receiving element may be applied.

以下、本発明に係る表示装置に適用可能な受光素子(光導電センサ、ダブルゲート型フォトセンサ)について、図面を参照して簡単に説明する。
図16は、本発明に係る表示装置に適用される受光センサ部の他の具体例を示す受光素子の断面構成図及び受光センサ部の回路図である。図16においては、受光センサ部を構成する受光素子として、光導電センサを適用した場合について説明する。
Hereinafter, a light receiving element (photoconductive sensor, double gate type photosensor) applicable to the display device according to the present invention will be briefly described with reference to the drawings.
FIG. 16 is a cross-sectional configuration diagram of a light receiving element and a circuit diagram of the light receiving sensor portion showing another specific example of the light receiving sensor portion applied to the display device according to the present invention. In FIG. 16, the case where a photoconductive sensor is applied as a light receiving element which comprises a light receiving sensor part is demonstrated.

本具体例に係る受光センサ部に適用される受光素子は、周知の光導電センサであって、概略、図16(a)に示すような、遮光性の下部電極層31と透光性の上部電極層33との間に、光導電層32が介在するように積層された構成を有し、上部電極層33を介して光導電層32に光が照射されることにより、光導電層32の抵抗値が変化(低下)して電極層31、33間に流れる電流値が変化する特性を有している。そして、光導電センサPRは、透光性の上部電極層33側が、表示パネル110Aの背面側に配置された導光板140の側方端面140sに受光面が対向して密着するように設定されている。   The light receiving element applied to the light receiving sensor unit according to this specific example is a well-known photoconductive sensor, and schematically shows a light-shielding lower electrode layer 31 and a light-transmissive upper part as shown in FIG. The photoconductive layer 32 has a structure in which the photoconductive layer 32 is interposed between the photoconductive layer 32 and the photoconductive layer 32 is irradiated with light through the upper electrode layer 33. The resistance value changes (decreases) and the current value flowing between the electrode layers 31 and 33 changes. The photoconductive sensor PR is set so that the translucent upper electrode layer 33 side is in close contact with the light receiving surface facing the side end surface 140s of the light guide plate 140 disposed on the back side of the display panel 110A. Yes.

ここで、光導電センサPRを構成する光導電層32としては、例えば、アモルファスシリコン系、セレン系等の材料を良好に適用することができる。また、他の光導電性材料としては、ポリビニルカルバゾール系、ホストポリマー等の材料に光導電性の色素をドープ(混入)した有機系材料を良好に適用することもできる。なお、上述したような光導電センサPRは、遮光性の基板34上に積層形成され、該光導電センサPRの周囲が、透光性の絶縁層35、36により被覆された構成を有している。   Here, as the photoconductive layer 32 constituting the photoconductive sensor PR, for example, an amorphous silicon-based material, a selenium-based material, or the like can be favorably applied. In addition, as other photoconductive materials, organic materials obtained by doping (mixing) photoconductive dyes into materials such as polyvinyl carbazole and host polymers can be favorably applied. The photoconductive sensor PR as described above is laminated on the light-shielding substrate 34, and the periphery of the photoconductive sensor PR is covered with the light-transmitting insulating layers 35 and 36. Yes.

そして、本具体例に係る受光センサ部は、例えば、図16(b)に示すように、所定のセンス電圧Vsensの電圧源と検出端子TMfとの間に、上述したような光導電センサPRとnチャネル型の薄膜トランジスタTr31の電流路が直列に接続されるとともに、薄膜トランジスタTr31のゲート端子に、発光輝度の測定対象となっている表示画素(発光素子)の発光状態に同期して制御される画素選択信号Vdcが印加される回路構成を適用することができる。   Then, as shown in FIG. 16B, for example, the light receiving sensor unit according to this specific example includes the photoconductive sensor PR as described above between the voltage source of the predetermined sense voltage Vsens and the detection terminal TMf. The current path of the n-channel type thin film transistor Tr31 is connected in series, and the gate terminal of the thin film transistor Tr31 is controlled in synchronization with the light emission state of the display pixel (light emitting element) whose light emission luminance is to be measured. A circuit configuration to which the selection signal Vdc is applied can be applied.

これにより、特定の表示画素(発光素子)の発光動作により放射された光の一部が、表示パネル110Aの背面側に取り出され、導光板140内を伝搬して、該導光板140の側方端面140sに受光面が対向するように設けられた受光センサ部150(光導電センサPRの上部電極を介して光導電層32)に背面光LTbとして入射することにより、該入射した光の強度(受光強度)に応じて、光導電センサPRの抵抗値が低下する。このとき、当該特定の表示画素の発光動作に同期してハイレベルの画素選択信号Vdcが印加されることにより、受光センサ部150の薄膜トランジスタTr31がオン動作するので、センス電圧Vsensの電圧源から光導電センサPR及び薄膜トランジスタTr31を介して流れる電流が検出データとして、検出端子TMfを介して補正制御回路160(増幅器AMP)に出力される。ここで、検出データとして出力される電流は、特定の表示画素における発光輝度に対応した電流値を有する。   Thereby, a part of the light emitted by the light emitting operation of the specific display pixel (light emitting element) is extracted to the back side of the display panel 110A, propagates in the light guide plate 140, and is lateral to the light guide plate 140. By making the light receiving sensor unit 150 (the photoconductive layer 32 through the upper electrode of the photoconductive sensor PR) provided as the light receiving surface facing the end surface 140s as the back light LTb, the intensity of the incident light ( The resistance value of the photoconductive sensor PR decreases in accordance with the (received light intensity). At this time, the high-level pixel selection signal Vdc is applied in synchronization with the light emission operation of the specific display pixel, so that the thin film transistor Tr31 of the light receiving sensor unit 150 is turned on, so that light from the voltage source of the sense voltage Vsens is emitted. The current flowing through the conductive sensor PR and the thin film transistor Tr31 is output as detection data to the correction control circuit 160 (amplifier AMP) through the detection terminal TMf. Here, the current output as detection data has a current value corresponding to the light emission luminance in a specific display pixel.

したがって、このような構成を有する受光センサ部を備えた表示装置によれば、受光センサ部を構成する受光素子の構造を簡素化かつ薄型化することができるので、上述したフォトダイオードを適用した受光センサ部(図9参照)や、後述するダブルゲート型フォトセンサを適用した受光センサ部(図17参照)等の構成に比較して、装置規模の大幅な小型化を図りつつ、製造プロセスの簡素化や歩留まりの向上、センサ特性のばらつきの低減を図ることができ、小型、低コストで表示品質の良好な表示装置を実現することができる。   Therefore, according to the display device provided with the light receiving sensor unit having such a configuration, the structure of the light receiving element constituting the light receiving sensor unit can be simplified and thinned. Compared to the configuration of a sensor unit (see FIG. 9) and a light receiving sensor unit (see FIG. 17) to which a double gate type photosensor described later is applied, the size of the apparatus is greatly reduced and the manufacturing process is simplified. , Improvement in yield, and reduction in variation in sensor characteristics can be achieved, and a display device with good display quality can be realized with a small size and low cost.

図17は、本発明に係る表示装置に適用される受光センサ部のさらに他の具体例を示す受光素子の断面構成図及び受光センサ部の回路図である。図17においては、受光センサ部を構成する受光素子として、ダブルゲート型フォトセンサを適用した場合について説明する。また、図18は、本具体例における受光センサ部(受光素子)の基本的な駆動制御方法を示すタイミングチャートである。   FIG. 17 is a cross-sectional configuration diagram of a light receiving element and a circuit diagram of the light receiving sensor unit showing still another specific example of the light receiving sensor unit applied to the display device according to the present invention. In FIG. 17, a case where a double gate type photosensor is applied as a light receiving element constituting the light receiving sensor unit will be described. FIG. 18 is a timing chart showing a basic drive control method of the light receiving sensor unit (light receiving element) in this specific example.

本具体例に係る受光センサ部に適用される受光素子は、いわゆるダブルゲート型のトランジスタ構造を有するフォトセンサ(ダブルゲート型フォトセンサ)であって、概略、図17に示すように、励起光(ここでは、可視光)の入射により電子−正孔対が生成されるアモルファスシリコン等の半導体層(チャネル領域)41と、半導体層41の両端に、各々nシリコンからなる不純物層(オーミックコンタクト層)47、48を介して形成され、クロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等から選択された導電性材料からなり、可視光に対して不透明なソース電極42(ソース端子S)及びドレイン電極43(ドレイン端子D)と、半導体層41の上方(図面上方)にブロック絶縁膜(ストッパ膜)44及びトップゲート絶縁膜45を介して形成され、酸化スズ膜やITO膜(インジウム−スズ酸化膜)等の透明電極層からなり、可視光に対して透過性を示すトップゲート電極TG(第1のゲート電極;トップゲート端子)と、半導体層41の下方(図面下方)にボトムゲート絶縁膜46を介して形成され、クロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等から選択された導電性材料からなり、可視光に対して不透明なボトムゲート電極BG(第2のゲート電極;ボトムゲート端子)と、を有して構成されている。そして、このような構成を有するダブルゲート型フォトセンサPWは、図17(a)に示すように、絶縁性基板SUB上に形成されている。また、該ダブルゲート型フォトセンサPWを含む絶縁性基板SUBの一面側全域には保護絶縁膜(パッシベーション膜)49が被覆形成されている。 The light receiving element applied to the light receiving sensor unit according to this specific example is a photosensor having a so-called double gate type transistor structure (double gate type photosensor). As schematically shown in FIG. Here, a semiconductor layer (channel region) 41 such as amorphous silicon in which electron-hole pairs are generated by incidence of visible light, and an impurity layer (ohmic contact layer) made of n + silicon on both ends of the semiconductor layer 41, respectively. ) 47, 48, and made of a conductive material selected from chromium, chromium alloy, aluminum, aluminum alloy, etc., and is opaque to visible light source electrode 42 (source terminal S) and drain electrode 43 ( The drain terminal D) and the semiconductor layer 41 (above the drawing) with a block insulating film (stopper film) 44 and a top gate insulating film 45 interposed therebetween. A top gate electrode TG (first gate electrode; top gate terminal) which is formed of a transparent electrode layer such as a tin oxide film or an ITO film (indium-tin oxide film) and is transparent to visible light; The bottom is formed below the semiconductor layer 41 (downward in the drawing) via the bottom gate insulating film 46, and is made of a conductive material selected from chromium, chromium alloy, aluminum, aluminum alloy, etc., and is opaque to visible light. And a gate electrode BG (second gate electrode; bottom gate terminal). The double-gate photosensor PW having such a configuration is formed on an insulating substrate SUB as shown in FIG. A protective insulating film (passivation film) 49 is formed on the entire surface of the one surface side of the insulating substrate SUB including the double-gate photosensor PW.

なお、図17(a)において、少なくとも、トップゲート絶縁膜45、ブロック絶縁膜44を構成する絶縁膜、及び、トップゲート電極TG上に設けられる保護絶縁膜49は、いずれも半導体層41を励起する可視光に対して高い透過率を有する材質、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等により構成されている。ここで、ダブルゲート型フォトセンサPWは、トップゲート電極TG側(例えば、保護絶縁膜49の上面)が、表示パネル110の背面側に配置された導光板140の側方端面140sに受光面が対向して密着するように設置されている。   In FIG. 17A, at least the top gate insulating film 45, the insulating film constituting the block insulating film 44, and the protective insulating film 49 provided on the top gate electrode TG all excite the semiconductor layer 41. It is made of a material having a high transmittance with respect to visible light, such as silicon nitride or silicon oxide. Here, the double gate type photosensor PW has a light receiving surface on the side end surface 140s of the light guide plate 140 disposed on the back side of the display panel 110 on the top gate electrode TG side (for example, the upper surface of the protective insulating film 49). It is installed so as to be in close contact with each other.

そして、本具体例に係る受光センサ部150は、例えば、図17(b)に示すように、所定の電源電圧(低電位電源)Vssと検出端子TMfとの間に、上述したようなダブルゲート型フォトセンサPWとnチャネル型の薄膜トランジスタTr41の電流路が相互に直列に接続されるとともに、ダブルゲート型フォトセンサPWとnチャネル型の薄膜トランジスタTr41との接続接点と所定のプリチャージ電圧Vpgとの間に、nチャネル型の薄膜トランジスタTr42の電流路が接続された回路構成を適用することができる。   The light receiving sensor unit 150 according to this specific example includes a double gate as described above between a predetermined power supply voltage (low potential power supply) Vss and the detection terminal TMf, as shown in FIG. The current paths of the photosensor PW and the n-channel thin film transistor Tr41 are connected in series with each other, and a connection point between the double-gate photosensor PW and the n-channel thin film transistor Tr41 and a predetermined precharge voltage Vpg. A circuit configuration in which a current path of an n-channel thin film transistor Tr42 is connected therebetween can be applied.

ここで、薄膜トランジスタTr41及びTr42のゲート端子には、特定の表示画素(発光素子)の発光輝度を検出する一連の制御動作(後述する輝度検出動作)を実行するための出力イネーブル信号EN及びプリチャージ信号φpgが各々印加されるように構成され、また、ダブルゲート型フォトセンサPWのトップゲート電極(トップゲート端子)TG及びボトムゲート電極(ボトムゲート端子)BGには、トップゲート制御信号φTG及びボトムゲート制御信号φBGが各々印加されるように構成されている。なお、各制御信号については、後述する輝度検出動作において説明する。   Here, the gate terminals of the thin film transistors Tr41 and Tr42 are provided with an output enable signal EN and a precharge for performing a series of control operations (luminance detection operations described later) for detecting the emission luminance of a specific display pixel (light emitting element). Each of the signals φpg is applied, and the top gate control signal φTG and the bottom are applied to the top gate electrode (top gate terminal) TG and the bottom gate electrode (bottom gate terminal) BG of the double gate type photosensor PW. The gate control signal φBG is applied to each. Each control signal will be described in the luminance detection operation described later.

これにより、特定の表示画素(発光素子)の発光動作により放射された光の一部が、表示パネル110Aの背面側に取り出され、導光板140内を伝搬して、該導光板140の側方端面140sに受光面が対向するように設けられた受光センサ部150(ダブルゲート型フォトセンサPWのトップゲート電極TGを介して半導体層41)に背面光LTbとして入射することにより、該入射した光の量に応じて、半導体層に蓄積積されるキャリヤの量が変化してドレイン電圧VDが変化する。このとき、当該特定の表示画素の発光動作に同期してハイレベルの出力イネーブル信号ENが印加されることにより、受光センサ部150の薄膜トランジスタTr41がオン動作するので、該ドレイン電圧VDが検出データとして、検出端子TMfを介して補正制御回路160(増幅器AMP)に出力される。   Thereby, a part of the light emitted by the light emitting operation of the specific display pixel (light emitting element) is extracted to the back side of the display panel 110A, propagates in the light guide plate 140, and is lateral to the light guide plate 140. The incident light is incident on the light receiving sensor unit 150 (the semiconductor layer 41 via the top gate electrode TG of the double gate type photosensor PW) provided so that the light receiving surface faces the end surface 140s as the back light LTb. The amount of carriers accumulated and accumulated in the semiconductor layer changes according to the amount of, and the drain voltage VD changes. At this time, the high-level output enable signal EN is applied in synchronization with the light emission operation of the specific display pixel, so that the thin film transistor Tr41 of the light receiving sensor unit 150 is turned on. Therefore, the drain voltage VD is used as detection data. , And output to the correction control circuit 160 (amplifier AMP) via the detection terminal TMf.

次いで、上述したような構成を有するダブルゲート型フォトセンサPWの輝度検出動作(駆動制御方法)について、詳しく説明する。
ダブルゲート型フォトセンサPWの輝度検出動作は、図18に示すように、所定の処理動作期間(処理サイクル)に、リセット期間Trst、電荷蓄積間Ta、プリチャージ期間Tprch、読み出し期間Treadの、各動作期間を設定することにより実現される。
Next, the luminance detection operation (drive control method) of the double-gate photosensor PW having the above-described configuration will be described in detail.
As shown in FIG. 18, the luminance detection operation of the double gate type photosensor PW includes a reset period Trst, a charge accumulation period Ta, a precharge period Tprch, and a readout period Tread in a predetermined processing operation period (processing cycle). This is realized by setting an operation period.

具体的には、まず、リセット期間Trstにおいては、図18に示すように、ダブルゲート型フォトセンサPWのトップゲート電極(トップゲート端子)TGに、トップゲート制御信号φTとしてリセットパルス(例えば、+15Vのハイレベル)を印加して、半導体層41に蓄積されているキャリヤ(ここでは、正孔)を放出するリセット動作(初期化動作)を実行する。   Specifically, first, in the reset period Trst, as shown in FIG. 18, a reset pulse (for example, + 15V) is applied to the top gate electrode (top gate terminal) TG of the double gate type photosensor PW as the top gate control signal φT. ) Is applied, and a reset operation (initialization operation) for releasing carriers (here, holes) accumulated in the semiconductor layer 41 is executed.

次いで、電荷蓄積期間Taにおいては、トップゲート電極TGに、トップゲート制御信号φTとしてローレベルのバイアス電圧(例えば、−15V)を印加することにより、上記リセット動作を終了し、電荷蓄積動作(電荷蓄積期間Ta)をスタートする。ここで、電荷蓄積期間Taにおいては、特定の表示画素から放射され、表示パネル110Aの背面側に取り出され、導光板140内を伝搬して、側方端面140sから放射された背面光LTbが透明電極層からなるトップゲート電極TGを通過して半導体層41に入射する。これにより、電荷蓄積期間Ta中に半導体層41に入射した光量に応じて、半導体層41の入射有効領域(キャリヤ発生領域)で電子−正孔対が生成され、半導体層41とブロック絶縁膜44との界面近傍(チャネル領域周辺)に正孔が蓄積される。   Next, in the charge accumulation period Ta, by applying a low-level bias voltage (for example, −15 V) as the top gate control signal φT to the top gate electrode TG, the reset operation is completed, and the charge accumulation operation (charge The accumulation period Ta) is started. Here, in the charge accumulation period Ta, the back light LTb emitted from a specific display pixel, extracted to the back side of the display panel 110A, propagated through the light guide plate 140, and emitted from the side end face 140s is transparent. The light passes through the top gate electrode TG made of an electrode layer and enters the semiconductor layer 41. Thereby, electron-hole pairs are generated in the incident effective region (carrier generation region) of the semiconductor layer 41 in accordance with the amount of light incident on the semiconductor layer 41 during the charge accumulation period Ta, and the semiconductor layer 41 and the block insulating film 44 are generated. Holes are accumulated in the vicinity of the interface (around the channel region).

そして、電荷蓄積期間Taに並行して設定されるプリチャージ期間Tprchにおいては、ハイレベルのプリチャージ信号φpgを印加することにより薄膜トランジスタTr42をオン動作させ、ハイレベルのプリチャージパルス(プリチャージ電圧)Vpgをダブルゲート型フォトセンサPWのドレイン電極43に印加して、電荷を保持させるプリチャージ動作を実行する。   In the precharge period Tprch set in parallel with the charge accumulation period Ta, the thin film transistor Tr42 is turned on by applying a high level precharge signal φpg, and a high level precharge pulse (precharge voltage) is applied. Vpg is applied to the drain electrode 43 of the double gate type photosensor PW to execute a precharge operation for holding charges.

次いで、読み出し期間Treadにおいては、上記プリチャージ期間Tprchを経過した後、ダブルゲート型フォトセンサPWのボトムゲート電極BGに、ボトムゲート制御信号φBとしてハイレベルの読み出しパルス(例えば、+10V)を印加することにより、電荷蓄積期間Taにチャネル領域に蓄積されたキャリヤ(正孔)に応じた電圧値を有するドレイン電圧VDが生成される読み出し動作が実行される。   Next, in the read period Tread, after the precharge period Tprch has elapsed, a high level read pulse (for example, +10 V) is applied as the bottom gate control signal φB to the bottom gate electrode BG of the double gate type photosensor PW. Thus, a read operation is performed in which a drain voltage VD having a voltage value corresponding to carriers (holes) accumulated in the channel region during the charge accumulation period Ta is generated.

ここで、ドレイン電圧VDの変化傾向は、電荷蓄積期間Taに蓄積されたキャリヤが多い場合(明状態)には、ドレイン電圧VDが急峻に低下する傾向を示し、一方、蓄積されたキャリヤが少ない場合(暗状態)には緩やかに低下する傾向を示すので、例えば、読み出し期間Treadの開始から所定の時間経過後のドレイン電圧VD(=Vrd)を検出することにより、ダブルゲート型フォトセンサPWに入射した光の量、すなわち、表示パネル110Aを構成する特定の表示画素(発光素子)から放射された光(発光輝度)に対応した検出データが得られる。
そして、検出データ出力期間Toutにおいては、ハイレベルの出力イネーブル信号ENを印加することにより薄膜トランジスタTr41をオン動作させて、上記ドレイン電圧VD(=Vrd)を検出端子TMfを介して、検出データとして補正制御回路160に出力する。
Here, the change tendency of the drain voltage VD shows a tendency that the drain voltage VD sharply decreases when there are many carriers accumulated in the charge accumulation period Ta (bright state), while there are few accumulated carriers. In such a case (dark state), it tends to decrease gradually. For example, by detecting the drain voltage VD (= Vrd) after the elapse of a predetermined time from the start of the read period Tread, the double gate type photosensor PW is detected. Detection data corresponding to the amount of incident light, that is, light emitted from a specific display pixel (light emitting element) constituting the display panel 110A (light emission luminance) is obtained.
In the detection data output period Tout, the thin film transistor Tr41 is turned on by applying a high level output enable signal EN, and the drain voltage VD (= Vrd) is corrected as detection data via the detection terminal TMf. Output to the control circuit 160.

したがって、このような構成を有する受光センサ部を備えた表示装置によれば、受光センサ部を構成する機能素子を簡素化及び薄型化することができるので、上述したフォトダイオードを適用した構成(図9参照)に比較して、装置規模の小型化を図ることができ、小型で表示品質の良好な表示装置を実現することができる。
なお、上述した各具体例に示した受光素子を備えた受光センサ部は、図14(a)、(b)に示したように、導光板の特定の側方端面に唯一設けられるものであってもよいし、薄膜プロセスを適用して複数の受光素子(光導電センサやダブルゲート型フォトセンサ)を一次元配列したセンサアレイを形成して、図14(c)に示したように、特定の側方端面、あるいは、複数の側方端面の各々に、各受光面が対向して密着するように設置するようにした構成を適用するものであってもよい。
Therefore, according to the display device including the light receiving sensor unit having such a configuration, the functional elements constituting the light receiving sensor unit can be simplified and thinned, and thus the configuration in which the photodiode described above is applied (see FIG. 9), the scale of the device can be reduced, and a small display device with good display quality can be realized.
Note that the light receiving sensor unit including the light receiving element shown in each of the above specific examples is only provided on a specific side end surface of the light guide plate, as shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b). Alternatively, a thin film process is applied to form a sensor array in which a plurality of light receiving elements (photoconductive sensors and double gate type photosensors) are arranged one-dimensionally, as shown in FIG. A configuration may be applied in which each light receiving surface is disposed so as to be opposed to and in close contact with each of the side end surfaces or the plurality of side end surfaces.

<表示装置の他の構成例>
次に、上述した本発明に係る導光板及び補正回路部を適用可能な表示装置(表示パネル及びその周辺回路)の他の構成例について、図面を参照して説明する。
図19は、本発明に係る表示装置の他の構成例を示す概略構成図であり、図20は、本構成例に適用されるデータドライバの一例の要部を示すブロック図である。なお、上述した実施形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
<Other configuration examples of display device>
Next, another configuration example of the display device (display panel and its peripheral circuit) to which the above-described light guide plate and correction circuit unit according to the present invention can be applied will be described with reference to the drawings.
FIG. 19 is a schematic configuration diagram showing another configuration example of the display device according to the present invention, and FIG. 20 is a block diagram showing a main part of an example of a data driver applied to this configuration example. In addition, about the structure equivalent to embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and the description is simplified or abbreviate | omitted.

上述した実施形態においては、本発明に係る導光板及び補正回路部が適用される表示装置として、電圧指定方式に対応した表示パネル、ゲートドライバ及びデータドライバを備えた構成を示したが、本発明は、表示パネルを構成する各表示画素における発光特性(画素駆動回路を構成する機能素子や発光素子の素子特性)が、周囲の温度等の外的環境や使用時間に依存して変化(劣化)するような場合に、このような特性の劣化を抑制することを特徴としているので、上記電圧指定方式に限定されるものではない。本構成例においては、上述した従来技術に示したような電流指定方式に対応した構成(表示パネル、ゲートドライバ及びデータドライバ)を有する場合について説明する。   In the above-described embodiment, the display device to which the light guide plate and the correction circuit unit according to the present invention are applied has a configuration including a display panel, a gate driver, and a data driver corresponding to the voltage designation method. Is a change (deterioration) in light emission characteristics (functional elements constituting the pixel driving circuit and element characteristics of the light emitting elements) depending on the external environment such as the ambient temperature and the usage time. In such a case, it is characterized by suppressing such deterioration of characteristics, and is not limited to the voltage designation method. In this configuration example, a case will be described in which a configuration (display panel, gate driver, and data driver) corresponding to the current designation method as shown in the above-described prior art is provided.

図19に示すように、本構成例に係る表示装置100Bは、上述した実施形態と同等の構成を有する導光板140、受光センサ部150、補正制御回路160、システムコントローラ(図示を省略)、表示信号生成回路(図示を省略)に加え、電流指定方式に対応した回路構成を有する表示画素EMB(詳しくは後述する)からなる表示パネル110Bと、各表示画素EMBを選択状態に設定するとともに、各表示画素EMBの非選択状態で所定の電源電圧Vsc1、Vsc2、・・・(以下、総称して「電源電圧Vsc」とも記す)を供給するゲートドライバ120Bと、選択状態に設定された各表示画素EMBに表示データに応じた階調信号電流Idata1、Idata2、・・・(以下、総称して「階調信号電流Idata」とも記す;階調信号)を供給するデータドライバ130Bと、を備えた構成を有している。ここで、上述した実施形態と同等の構成を有する導光板140、受光センサ部150、補正制御回路160、システムコントローラ、表示信号生成回路については、その説明を省略する。   As shown in FIG. 19, a display device 100B according to this configuration example includes a light guide plate 140, a light receiving sensor unit 150, a correction control circuit 160, a system controller (not shown), and a display that have the same configuration as the above-described embodiment. In addition to the signal generation circuit (not shown), the display panel 110B including a display pixel EMB (details will be described later) having a circuit configuration corresponding to the current designation method, and each display pixel EMB are set to a selected state. A gate driver 120B for supplying predetermined power supply voltages Vsc1, Vsc2,... (Hereinafter collectively referred to as “power supply voltage Vsc”) in a non-selected state of the display pixel EMB, and each display pixel set in the selected state Data for supplying gradation signal currents Idata1, Idata2,... (Hereinafter collectively referred to as “gradation signal current Idata”; gradation signals) according to display data to the EMB. And a driver 130B. Here, description of the light guide plate 140, the light receiving sensor unit 150, the correction control circuit 160, the system controller, and the display signal generation circuit having the same configuration as that of the above-described embodiment is omitted.

(表示パネル110B)
本構成例に係る表示パネル110Bは、例えば、図19に示すように、相互に直交するように配設された走査ラインSL及びデータラインDLに加え、各走査ラインSLに並行に配設された電源電圧供給ラインVL1、VL2、・・・(以下、総称して「電源ラインVL」とも記す)とを備え、走査ラインSL及び電源ラインVLとデータラインDLとの各交点近傍に、電流指定方式に対応した回路構成を有する画素駆動回路(発光駆動回路)DCBと有機EL素子(電流制御型の発光素子)OELを備えた表示画素EMBが接続された構成を有している。
ここで、各表示画素EMBは、従来技術に示した電流指定型の画素駆動回路(図22(b)参照)を備えるものであってもよいし、従来の回路構成に比較して、薄膜トランジスタの数を削減することができるとともに、チャネル極性を単一化することができる回路構成(例えば、画素駆動回路DCB)を備えたものであってもよい。
(Display panel 110B)
For example, as shown in FIG. 19, the display panel 110 </ b> B according to the present configuration example is arranged in parallel to the scanning lines SL in addition to the scanning lines SL and the data lines DL arranged so as to be orthogonal to each other. Power supply voltage supply lines VL1, VL2,... (Hereinafter collectively referred to as “power supply line VL”), and a current designation method in the vicinity of each intersection of the scan line SL, the power supply line VL, and the data line DL The pixel drive circuit (light emission drive circuit) DCB having a circuit configuration corresponding to the above and the display pixel EMB provided with the organic EL element (current control type light emitting element) OEL are connected.
Here, each display pixel EMB may be provided with the current designation type pixel driving circuit (see FIG. 22B) shown in the prior art, and the thin film transistor of the thin film transistor as compared with the conventional circuit configuration. A circuit configuration (for example, a pixel drive circuit DCB) that can reduce the number and can unify the channel polarity may be used.

本構成例に係る画素駆動回路DCBは、具体的には、図19に示すように、ゲート端子が走査ラインSLに、ソース端子が電源ラインVLに、ドレイン端子が接点N51に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタ(選択スイッチ)Tr51と、ゲート端子が走査ラインSLに、ソース端子及びドレイン端子がデータラインDL及び接点N52に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタ(選択スイッチ)Tr52と、ゲート端子が接点N51に、ソース端子及びドレイン端子が電源ラインVL及び接点N52に各々接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタ(発光駆動スイッチ)Tr53と、接点N51及び接点N52間に接続されたコンデンサCbと、を備えた構成を有し、有機EL素子OELのアノード端子が接点N52に、カソード端子が接地電位(Vgnd)に各々接続されている。なお、図19に示した画素駆動回路DCBにおいて、Cbは薄膜トランジスタTr53のゲート−ソース間に形成される寄生容量(保持容量)、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。   Specifically, in the pixel drive circuit DCB according to this configuration example, as shown in FIG. 19, the gate terminal is connected to the scanning line SL, the source terminal is connected to the power supply line VL, and the drain terminal is connected to the contact N51. A channel type thin film transistor (selection switch) Tr51, an n channel type thin film transistor (selection switch) Tr52 having a gate terminal connected to the scanning line SL, a source terminal and a drain terminal connected to the data line DL and a contact N52, and a gate terminal Is connected to the contact N51, the n-channel thin film transistor (light emission drive switch) Tr53 whose source terminal and drain terminal are connected to the power supply line VL and the contact N52, respectively, and the capacitor Cb connected between the contact N51 and the contact N52. The anode terminal of the organic EL element OEL is a contact N5. The cathode terminal are respectively connected to the ground potential (Vgnd). In the pixel driving circuit DCB shown in FIG. 19, Cb is a parasitic capacitance (holding capacitance) formed between the gate and source of the thin film transistor Tr53, or an auxiliary capacitance additionally formed between the gate and source. is there.

このような構成を有する表示画素EMBにおいては、所定のタイミングでゲートドライバ120から走査ラインSLに印加される走査信号Vscan、及び、該走査信号Vscanに同期して電源ラインVLに印加される電源電圧Vsc、データドライバ130からデータラインDLに印加される階調信号電流Idataに基づいて、画素駆動回路DCBにより有機EL素子OELに流れる発光駆動電流が制御され、発光動作及び発光時の輝度階調が制御される。なお、表示パネル110に形成される表示画素EMBの具体的な駆動制御動作及び断面構成については、詳しく後述する。   In the display pixel EMB having such a configuration, the scanning signal Vscan applied from the gate driver 120 to the scanning line SL at a predetermined timing, and the power supply voltage applied to the power supply line VL in synchronization with the scanning signal Vscan. Based on Vsc, the gradation signal current Idata applied from the data driver 130 to the data line DL, the light emission drive current flowing through the organic EL element OEL is controlled by the pixel drive circuit DCB, and the light emission operation and the luminance gradation during light emission are controlled. Be controlled. The specific drive control operation and cross-sectional configuration of the display pixel EMB formed on the display panel 110 will be described in detail later.

(ゲートドライバ120B)
ゲートドライバ120Bは、上述した実施形態に示したゲートドライバ(図2参照)と同様に、システムコントローラ(図示を省略)から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインSLにハイレベルの走査信号Vscanを順次印加するとともに、各電源ラインVLに該走査信号Vscanの反転信号である(反転極性となる信号レベル(ローレベル)を有する)電源電圧Vscを、走査信号Vscanに同期して印加することにより、各行ごとの表示画素EM群を選択状態に設定し、データドライバ130BによりデータラインDLを介して印加される所定の階調信号電流Idataの、画素駆動回路DCBへの書き込みを行うように制御する。
(Gate driver 120B)
Similarly to the gate driver (see FIG. 2) shown in the above-described embodiment, the gate driver 120B scans each scanning line SL at a high level based on a scanning control signal supplied from a system controller (not shown). The signal Vscan is sequentially applied, and a power supply voltage Vsc that is an inverted signal of the scanning signal Vscan (having a signal level (low level) having an inverted polarity) is applied to each power supply line VL in synchronization with the scanning signal Vscan. As a result, the display pixel EM group for each row is set to a selected state, and a predetermined gradation signal current Idata applied via the data line DL by the data driver 130B is written to the pixel drive circuit DCB. Control.

また、上記選択状態の後に、各走査ラインSLにローレベルの走査信号Vscanを印加するとともに、各電源ラインVLにハイレベルの電源電圧Vscを同期して印加することにより、各行ごとの表示画素EM群を非選択状態に設定し、各画素駆動回路DCBに書き込まれた階調信号電流Idataに基づく輝度階調で有機EL素子OELを発光動作させるように制御する。   In addition, after the selection state, a low level scanning signal Vscan is applied to each scanning line SL, and a high level power supply voltage Vsc is applied to each power supply line VL in synchronism to thereby display pixels EM for each row. The group is set to a non-selected state, and the organic EL element OEL is controlled to emit light at a luminance gradation based on the gradation signal current Idata written to each pixel driving circuit DCB.

ここで、ゲートドライバ120Bは、具体的には、例えば、図19に示すように、シフトレジスタとバッファからなるシフトブロックSB′を、各走査ラインSL及び電源ラインVLに対応させて複数段備え、図示を省略したシステムコントローラから供給される走査制御信号(走査スタート信号SST、走査クロック信号SCK等)に基づいて、シフトレジスタにより表示パネル110Bの上方から下方にシフト信号を順次シフトしつつ、生成されたシフト信号を、バッファを介して所定の電圧レベル(ハイレベル)に変換して走査信号Vscanとして各走査ラインSLに出力するとともに、該走査信号Vscanの反転信号であって、所定の信号レベルを有する電源電圧Vscを各電源ラインVLに出力する。   Here, specifically, for example, as shown in FIG. 19, the gate driver 120B includes a plurality of stages of shift blocks SB ′ including a shift register and a buffer corresponding to each scanning line SL and power supply line VL. Based on a scan control signal (scan start signal SST, scan clock signal SCK, etc.) supplied from a system controller (not shown), the shift register sequentially generates shift signals from the top to the bottom of the display panel 110B. The shifted signal is converted to a predetermined voltage level (high level) through a buffer and output to each scanning line SL as a scanning signal Vscan, and an inverted signal of the scanning signal Vscan, the predetermined signal level being The power supply voltage Vsc is output to each power supply line VL.

なお、本構成例においては、図19に示したように、ゲートドライバ120Bに設けられた各段のシフトブロックSB′により、各行の走査ラインに印加される走査信号Vscanと、電源ラインに印加される電源電圧Vscを生成して、出力する構成(すなわち、走査信号生成機能と電源電圧生成機能の双方を一体的に備えた構成)を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、表示パネル110Bを挟んで対向する位置に、走査信号Vscanを生成、出力する機能のみを有するゲートドライバ(すなわち、上述した実施形態に示したゲートドライバ120Aに相当する)と、電源電圧Vscを生成、出力する機能のみを有する電源ドライバを、個別に設けた構成を有するものであってもよい。   In this configuration example, as shown in FIG. 19, the scanning signal Vscan applied to the scanning line of each row and the power supply line are applied by the shift block SB ′ of each stage provided in the gate driver 120B. A configuration for generating and outputting a power supply voltage Vsc (that is, a configuration in which both a scanning signal generation function and a power supply voltage generation function are integrated) is shown, but the present invention is not limited to this. For example, a gate driver having only a function of generating and outputting a scanning signal Vscan at a position facing the display panel 110B (ie, corresponding to the gate driver 120A shown in the above-described embodiment), and a power supply voltage Vsc The power supply driver having only the function of generating and outputting the power may be provided individually.

(データドライバ130B)
データドライバ130Bは、例えば、上述した実施形態に示したデータドライバ(図2参照)と同様に、システムコントローラ(図示を省略)から供給されるデータ制御信号に基づいて、表示信号生成回路から補正制御回路160を介して供給される表示データ(補正後データ)を取り込み保持し、該表示データに対応するアナログ信号電流を生成して、階調信号電流Idataとして各データラインDLに印加する。
(Data driver 130B)
The data driver 130B performs correction control from the display signal generation circuit based on a data control signal supplied from a system controller (not shown), for example, similarly to the data driver (see FIG. 2) shown in the above-described embodiment. The display data (corrected data) supplied via the circuit 160 is captured and held, an analog signal current corresponding to the display data is generated, and applied to each data line DL as a gradation signal current Idata.

ここで、データドライバ130Bは、図20に示すように、上述した実施形態に示したデータドライバ(図3参照)と同様の、シフトレジスタ回路131、データレジスタ回路132、データラッチ回路133、D/Aコンバータ134に加え、D/Aコンバータ134によりアナログ信号電圧に変換された表示データに対応する階調信号電流Idataを生成し、システムコントローラから供給される出力イネ−ブル信号OEに基づいて、各データラインDLに供給する電圧電流変換・電流変換回路136と、を有して構成されている。   Here, as shown in FIG. 20, the data driver 130B has the same shift register circuit 131, data register circuit 132, data latch circuit 133, D / D as the data driver (see FIG. 3) shown in the above-described embodiment. In addition to the A converter 134, the gradation signal current Idata corresponding to the display data converted into the analog signal voltage by the D / A converter 134 is generated, and based on the output enable signal OE supplied from the system controller, A voltage-current conversion / current conversion circuit 136 that supplies the data line DL.

このようなデータドライバ130Bにより、表示信号生成回路から補正制御回路160を介して供給される、デジタル信号からなる表示データの補正後データに対応した階調信号電流Idataが生成されて、所定のタイミングで各データラインDLに一括して、もしくは、順次供給される(階調信号電流Idataが負極性の場合には、データラインDL側からデータドライバ130B側に引き込む方向に、当該階調信号電流Idataが流れるように制御される)。   By such a data driver 130B, the gradation signal current Idata corresponding to the corrected data of the display data composed of digital signals supplied from the display signal generation circuit via the correction control circuit 160 is generated, and a predetermined timing is generated. Are supplied to the data lines DL all at once or sequentially (when the gradation signal current Idata has a negative polarity, the gradation signal current Idata is drawn in the direction from the data line DL side to the data driver 130B side. Is controlled to flow).

次いで、本構成例に係る表示装置に適用される表示画素部について、図面を参照して簡単に説明する。
図21は、本構成例に係る表示装置に適用される表示画素部の具体例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。上述した実施形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
Next, a display pixel portion applied to the display device according to this configuration example will be briefly described with reference to the drawings.
FIG. 21 is a configuration diagram showing a specific example (circuit layout and cross-sectional structure) of a display pixel portion applied to the display device according to this configuration example. About the structure equivalent to embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and the description is simplified or abbreviate | omitted.

図19に示したような等価回路を有する表示画素EMBは、CAD等を用いたレイアウト設計工程においては、例えば、図21(a)に示すように、行方向に配設される走査ラインSLと、この走査ラインSLに並行して配設される電源ラインVLと、走査ラインSL及び電源ラインVLに直交して配設されるデータラインDLと、により囲まれた矩形状領域に画素形成領域が規定され、該画素形成領域の略外縁部(走査ラインSL、データラインDL及び電源ラインVL)に沿って、薄膜トランジスタTr51〜Tr53やコンデンサCb、該薄膜トランジスタTr51〜Tr53間を接続する素子間配線部が配置される。   In the layout design process using CAD or the like, the display pixel EMB having an equivalent circuit as shown in FIG. 19 has, for example, scanning lines SL arranged in the row direction as shown in FIG. A pixel formation region is formed in a rectangular region surrounded by the power supply line VL arranged in parallel with the scan line SL and the data line DL arranged orthogonal to the scan line SL and the power supply line VL. A thin film transistor Tr51 to Tr53, a capacitor Cb, and an inter-element wiring portion that connects between the thin film transistors Tr51 to Tr53 are defined along substantially the outer edges (scanning line SL, data line DL, and power supply line VL) of the pixel formation region. Be placed.

また、有機EL素子OELは、上記画素形成領域のうち、薄膜トランジスタTr51〜Tr53や素子間配線部等の形成領域を除く有機EL素子形成領域ARelの絶縁性基板111上に、図21(b)に示すように、図5(b)に示す場合と同様に、絶縁膜(薄膜トランジスタTr51〜Tr53のゲート絶縁膜)を介して、薄膜トランジスタTr52、Tr53のドレイン電極に接続された透明なアノード電極112と、有機EL層113(ホール輸送層113a、電子輸送性発光層113b)と、不透明なカソード電極114を順次積層して構成されている。   Further, the organic EL element OEL is formed on the insulating substrate 111 in the organic EL element formation area ARel excluding the formation areas such as the thin film transistors Tr51 to Tr53 and the inter-element wiring portion in the pixel formation area, as shown in FIG. As shown in FIG. 5B, the transparent anode electrode 112 connected to the drain electrodes of the thin film transistors Tr52 and Tr53 via the insulating film (the gate insulating films of the thin film transistors Tr51 to Tr53), as in the case shown in FIG. The organic EL layer 113 (a hole transport layer 113a and an electron transport light emitting layer 113b) and an opaque cathode electrode 114 are sequentially stacked.

ここで、隣接する表示画素EMBの有機EL素子形成領域ARelとの間の境界部分には、上記薄膜トランジスタTr51〜Tr53や素子間配線部等が形成されるとともに、その上層には、有機EL素子形成領域ARel相互を隔離する隔壁116が設けられている。また、カソード電極114の任意の位置には、開口部HLaが設けられている。
なお、図21(a)において、有機EL素子形成領域ARel内に図示したHLaは、図示を省略したカソード電極114の任意の位置に形成される開口部の一例を示し、また、EG3、ES3、ED3は、各々薄膜トランジスタTr51のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を示し、EG4、ES4、ED4は、各々薄膜トランジスタTr52のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を示し、EG5、ES5、ED5は、各々薄膜トランジスタTr53のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を示す。
Here, the thin film transistors Tr51 to Tr53, the inter-element wiring portion, and the like are formed at a boundary portion between the adjacent display pixels EMB and the organic EL element formation region ARel, and an organic EL element formation is formed on the upper layer thereof. A partition wall 116 that separates the areas ARel from each other is provided. In addition, an opening HLa is provided at an arbitrary position of the cathode electrode 114.
In FIG. 21A, HLa illustrated in the organic EL element formation region ARel indicates an example of an opening formed at an arbitrary position of the cathode electrode 114 (not illustrated), and EG3, ES3, ED3 represents a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of the thin film transistor Tr51. EG4, ES4, and ED4 represent a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of the thin film transistor Tr52, respectively. EG5, ES5, and ED5 represent a thin film transistor Tr53. The gate electrode, source electrode, and drain electrode are shown.

次いで、上述した画素駆動回路を備えた表示画素の駆動制御方法について簡単に説明する。
図19に示したような表示画素を備えた表示パネル110Bの駆動制御動作は、まず、書込動作期間において、ゲートドライバ120Bから走査ラインSLに対して、選択レベル(ハイレベル)の走査信号Vscanを印加するとともに、該走査信号に同期して反転極性を有するローレベルの電源電圧Vscを電源ラインVLに対して印加する。また、このタイミングに同期して、データドライバ130Bにおいて、上述した実施形態に示した画像表示動作又は特定量検出動作と同様に、表示データ(補正後データ)、もしくは、輝度検出用データに応じた階調信号電流Idataを生成してデータラインDLに供給する。なお、ここでは、階調信号電流Idataとして、負極性の電流を供給し、表示画素EMB(画素駆動回路DCB)側からデータラインDLを介してデータドライバ130B方向に当該電流を引き込むように設定するものとする。これにより、画素駆動回路DCBを構成する薄膜トランジスタTr51及びTr52がオン動作して、ローレベルの電源電圧Vscが接点N51に印加されるとともに、階調信号電流Idataの引き込み動作により薄膜トランジスタTr52を介してローレベルの電源電圧Vscよりも低電位の電圧レベルが接点N52に印加される。
Next, a driving control method for a display pixel including the above-described pixel driving circuit will be briefly described.
In the drive control operation of the display panel 110B having the display pixels as shown in FIG. 19, first, the scanning signal Vscan of the selection level (high level) is applied from the gate driver 120B to the scanning line SL in the writing operation period. And a low-level power supply voltage Vsc having an inverted polarity is applied to the power supply line VL in synchronization with the scanning signal. In synchronism with this timing, the data driver 130B corresponds to display data (corrected data) or luminance detection data in the same manner as the image display operation or the specific amount detection operation described in the above embodiment. A gradation signal current Idata is generated and supplied to the data line DL. Here, a negative current is supplied as the gradation signal current Idata, and the current is drawn in the direction of the data driver 130B from the display pixel EMB (pixel drive circuit DCB) via the data line DL. Shall. As a result, the thin film transistors Tr51 and Tr52 constituting the pixel drive circuit DCB are turned on, the low level power supply voltage Vsc is applied to the contact N51, and the grayscale signal current Idata is pulled in via the thin film transistor Tr52. A voltage level lower than the level power supply voltage Vsc is applied to the contact N52.

このように、接点N51及びN52間(薄膜トランジスタTr53のゲート−ソース間)に電位差が生じることにより、薄膜トランジスタTr53がオン動作して、電源ラインVLから薄膜トランジスタTr53、接点N52、薄膜トランジスタTr52を介して、データラインDL方向に階調信号電流Idataに対応した書込電流が流れる。
このとき、コンデンサCbには、接点N51及びN52間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される(充電される)。また、このとき、有機EL素子OELのアノード端子(接点N52)に印加される電位は、カソード端子の電位(接地電位)よりも低くなり、有機EL素子OELに逆バイアス電圧が印加されることになるため、有機EL素子OELには発光駆動電流が流れず、発光動作は行われない。
As described above, the potential difference is generated between the contacts N51 and N52 (between the gate and the source of the thin film transistor Tr53), so that the thin film transistor Tr53 is turned on. A write current corresponding to the gradation signal current Idata flows in the line DL direction.
At this time, the capacitor Cb accumulates charges corresponding to the potential difference generated between the contacts N51 and N52 and holds (charges) as a voltage component. At this time, the potential applied to the anode terminal (contact N52) of the organic EL element OEL is lower than the potential of the cathode terminal (ground potential), and a reverse bias voltage is applied to the organic EL element OEL. Therefore, no light emission drive current flows through the organic EL element OEL, and no light emission operation is performed.

次いで、発光動作期間においては、ゲートドライバ120Bにより走査ラインSLに対して、非選択レベル(ローレベル)の走査信号Vscanを印加するとともに、電源ラインVLに対して、ハイレベルの電源電圧Vscを印加する。また、このタイミングに同期して、階調信号電流Idataの引き込み動作を停止する。
これにより、薄膜トランジスタTr51及びTr52がオフ動作して、接点N51への電源電圧Vscの印加が遮断されるとともに、接点N52への階調信号電流Idataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサCbは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。
Next, in the light emission operation period, the gate driver 120B applies the non-selection level (low level) scanning signal Vscan to the scanning line SL and also applies the high level power supply voltage Vsc to the power supply line VL. To do. Further, in synchronization with this timing, the gradation signal current Idata drawing operation is stopped.
Thereby, the thin film transistors Tr51 and Tr52 are turned off, the application of the power supply voltage Vsc to the contact N51 is cut off, and the application of the voltage level due to the drawing operation of the gradation signal current Idata to the contact N52 is cut off. Therefore, capacitor Cb holds the charge accumulated in the above-described write operation.

このように、コンデンサCbが書込動作時に蓄積された電荷(充電電圧)を保持することにより、接点N51及びN52間(薄膜トランジスタTr53のゲート−ソース間)の電位差が保持されることになり、薄膜トランジスタTr53はオン状態を維持する。また、電源ラインVLには、接地電位よりも高い電圧レベルを有する電源電圧Vscが印加されるので、電源ラインVLから薄膜トランジスタTr53、接点N52を介して、有機EL素子OELに順バイアス方向に発光駆動電流が流れ、発光動作が行われる。   As described above, the capacitor Cb holds the charge (charge voltage) accumulated during the writing operation, whereby the potential difference between the contacts N51 and N52 (between the gate and the source of the thin film transistor Tr53) is held. Tr53 is kept on. Further, since the power supply voltage Vsc having a voltage level higher than the ground potential is applied to the power supply line VL, light emission is driven from the power supply line VL to the organic EL element OEL through the thin film transistor Tr53 and the contact N52 in the forward bias direction. A current flows and a light emitting operation is performed.

ここで、コンデンサCbに保持される充電電圧は、上記書込動作時において薄膜トランジスタTr53に階調信号電流Idataに対応する書込電流を流す際の電位差に相当するので、有機EL素子OELに流れる発光駆動電流は、上記書込電流と同等の電流値を有することになり、発光動作期間においては、書込動作期間に書き込まれた階調信号電流に対応する電圧成分に基づいて、有機EL素子OELは所望の輝度階調で発光する動作を継続する。
そして、このような一連の駆動制御動作を、表示パネル110Bを構成する全ての行の表示画素EMBについて順次繰り返し実行することにより、上述した実施形態に示したような画像表示動作又は特定量検出動作が実行される。
Here, the charging voltage held in the capacitor Cb corresponds to a potential difference when a writing current corresponding to the gradation signal current Idata is supplied to the thin film transistor Tr53 during the writing operation, and thus the light emission flowing through the organic EL element OEL. The drive current has a current value equivalent to the write current, and in the light emission operation period, the organic EL element OEL is based on the voltage component corresponding to the gradation signal current written in the write operation period. Continues the operation of emitting light at a desired luminance gradation.
Then, such a series of drive control operations are sequentially repeated for all the display pixels EMB of the display panel 110B, thereby performing the image display operation or the specific amount detection operation as described in the above-described embodiment. Is executed.

したがって、本構成例に示したような電流指定型の駆動方式に対応した表示パネル(表示画素)及びその周辺回路を備えた表示装置においても、通常の画像表示動作に先立つ任意のタイミングで、表示パネルを構成する各表示画素(発光素子)を、輝度検出用データに基づいて発光動作させて検出階調データを取得する特定量検出動作を実行した後、通常の画像表示動作において、上記特定量検出動作により取得された各画素ごとの検出階調データと初期階調データとの比較により生成される補正値に基づいて、表示信号生成回路から供給される表示データが補正されてデータドライバに供給されるので、表示データにより指定される輝度階調に対する発光素子(有機EL素子)の発光輝度の関係を常に初期状態に近似した状態に維持させることができ、各表示画素(発光素子)における発光特性の劣化やバラツキを補正して、画像情報を長期にわたって良好かつ安定した画質で表示することができる。   Therefore, even in a display device including a display panel (display pixel) corresponding to a current designation type driving method as shown in this configuration example and its peripheral circuit, display is performed at an arbitrary timing prior to a normal image display operation. After performing a specific amount detection operation for obtaining detected gradation data by causing each display pixel (light emitting element) constituting the panel to perform a light emission operation based on luminance detection data, in the normal image display operation, the specific amount described above is used. The display data supplied from the display signal generation circuit is corrected and supplied to the data driver based on the correction value generated by comparing the detected gradation data and the initial gradation data for each pixel acquired by the detection operation. Therefore, the relationship of the light emission luminance of the light emitting element (organic EL element) to the luminance gradation specified by the display data is always maintained in a state that approximates the initial state. Bets can be, deterioration or fluctuation of the emission characteristics in each display pixel (light emitting element) is corrected, the image information can be displayed with good and stable quality over a long period.

なお、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素EMBとして、nチャネル型の薄膜トランジスタTr51〜Tr53からなる画素駆動回路DCBを備えた構成を示した。このような回路構成によれば、nチャネル型の薄膜トランジスタのみを適用した回路構成を有しているので、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定した薄膜トランジスタを安価に製造することができ、表示画素の発光特性のバラツキを抑制した画素駆動回路を実現することができる。   In this configuration example, a configuration in which the pixel drive circuit DCB including n-channel thin film transistors Tr51 to Tr53 is provided as the display pixel EMB configuring the display panel is shown. According to such a circuit configuration, since only a n-channel type thin film transistor is applied, a thin film transistor with stable operating characteristics can be obtained using an amorphous silicon semiconductor manufacturing technology that has already been established. A pixel driving circuit that can be manufactured at low cost and suppresses variation in light emission characteristics of display pixels can be realized.

また、本構成例においては、表示パネルを構成する表示画素として、薄膜トランジスタを3個備えた電流指定型の画素駆動回路を示したが、本発明に係る表示装置はこれに限るものではなく、少なくとも各表示画素において、階調信号電流に基づいて発光駆動電流の電流値が設定され、該電流値に応じた輝度階調で電流制御型の発光素子を駆動制御するものであれば、他の回路構成を有するものであってもよい。   Further, in this configuration example, the current designation type pixel driving circuit including three thin film transistors is shown as the display pixel constituting the display panel, but the display device according to the present invention is not limited to this, and at least In each display pixel, if the current value of the light emission driving current is set based on the gradation signal current and the current control type light emitting element is driven and controlled with the luminance gradation corresponding to the current value, other circuits are used. It may have a configuration.

本発明に係る表示装置の全体構成の一実施形態を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an embodiment of an overall configuration of a display device according to the present invention. 本実施形態に係る表示装置の要部構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the principal part structural example of the display apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置に適用されるデータドライバの要部構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structural example of the data driver applied to the display apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル(表示画素)と導光板及び受光センサ部との関係を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the relationship between the display panel (display pixel) applied to the display apparatus which concerns on this embodiment, a light-guide plate, and a light-receiving sensor part. 本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素部の具体例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。It is a block diagram which shows the specific example (circuit layout and cross-sectional structure) of the display pixel part applied to the display apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素部の製造方法の一例を示す断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram which shows an example of the manufacturing method of the display pixel part applied to the display apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る放射光の取り出し効率を改善するための、表示画素部の具体構成例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the specific structural example of a display pixel part for improving the extraction efficiency of the emitted light which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る放射光の取り出し効率を改善するための、導光板の具体構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the specific structural example of the light-guide plate for improving the extraction efficiency of the emitted light which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置に適用される受光センサ部の一具体例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows one specific example of the light reception sensor part applied to the display apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法に適用される特定量検出動作の一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows an example of specific quantity detection operation applied to the drive control method of a display concerning this embodiment. 本実施形態に係る特定量検出動作に係わる駆動制御動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the drive control operation | movement concerning the specific amount detection operation | movement which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法に適用される画像表示動作の一例を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart illustrating an example of an image display operation applied to the display device drive control method according to the embodiment. 本発明に係る表示装置に適用される表示画素部の他の構成例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。It is a block diagram which shows the other structural example (circuit layout and cross-sectional structure) of the display pixel part applied to the display apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る表示装置に適用される表示パネルと受光センサ部との他の関係を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the other relationship between the display panel applied to the display apparatus which concerns on this invention, and a light-receiving sensor part. 本発明に係る表示装置に適用される表示パネルと導光板及び受光センサ部との他の関係を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the other relationship between the display panel applied to the display apparatus which concerns on this invention, a light-guide plate, and a light-receiving sensor part. 本発明に係る表示装置に適用される受光センサ部の他の具体例を示す受光素子の断面構成図及び受光センサ部の回路図である。It is the cross-sectional block diagram of the light receiving element which shows the other specific example of the light receiving sensor part applied to the display apparatus which concerns on this invention, and the circuit diagram of a light receiving sensor part. 本発明に係る表示装置に適用される受光センサ部のさらに他の具体例を示す受光素子の断面構成図及び受光センサ部の回路図である。It is the cross-sectional block diagram of the light receiving element which shows the other specific example of the light receiving sensor part applied to the display apparatus which concerns on this invention, and the circuit diagram of a light receiving sensor part. 本具体例における受光センサ部(受光素子)の基本的な駆動制御方法を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the basic drive control method of the light receiving sensor part (light receiving element) in this example. 本発明に係る表示装置の他の構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the other structural example of the display apparatus which concerns on this invention. 本構成例に適用されるデータドライバの要部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part of the data driver applied to this structural example. 本構成例に係る表示装置に適用される表示画素部の具体例(回路レイアウト及び断面構造)を示す構成図である。It is a block diagram which shows the specific example (circuit layout and cross-sectional structure) of the display pixel part applied to the display apparatus which concerns on this structural example. 従来技術における有機EL素子を備えた発光素子型ディスプレイの各表示画素の要部構成例を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the principal part structural example of each display pixel of the light emitting element type display provided with the organic EL element in a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

100A、100B 表示装置
110A、110B 表示パネル
120A、120B ゲートドライバ
130A、130B データドライバ
140 導光板
150 受光センサ部
160 補正制御回路
170 システムコントローラ
EMA、EMB 表示画素
DCA、DCB 画素駆動回路
OEL 有機EL素子
ADC A/Dコンバータ
BM 記憶部
CMR 比較補正部
100A, 100B Display device 110A, 110B Display panel 120A, 120B Gate driver 130A, 130B Data driver 140 Light guide plate 150 Light receiving sensor unit 160 Correction control circuit 170 System controller EMA, EMB Display pixel DCA, DCB Pixel drive circuit OEL Organic EL element ADC A / D converter BM storage unit CMR comparison correction unit

Claims (21)

透明な絶縁性基板上に複数の表示画素が2次元配列された表示パネルの、行ごとの前記表示画素を選択し、表示データに応じた階調信号を印加することにより、前記表示画素を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させて、前記表示パネルの表示面側に所望の画像情報を表示させる表示装置において、
前記表示装置は、前記表示パネルの背面側に配置された導光板と、前記表示画素の発光特性に応じて、前記表示画素の各々に印加する前記階調信号を補正する補正回路部と、を有し、
前記補正回路部は、
前記導光板の少なくとも1つの側方端面に受光面が対向して設けられ、特定の階調信号を印加した場合の、前記表示画素の発光特性に応じた特定量を検出する特定量検出手段と、
少なくとも前記検出された特定量に基づく検出階調データを保持する記憶手段と、
前記記憶手段に保持された前記検出階調データと、前記表示画素における前記特定の階調信号に対応する前記特定量の初期値に基づく初期階調データとの比較結果に基づいて、前記表示データと前記特定量との関係を前記表示画素の初期状態における関係に近づけるように、前記表示画素に印加する前記階調信号を補正する補正信号を生成する信号補正手段と、
を具備することを特徴とする表示装置。
A display panel in which a plurality of display pixels are two-dimensionally arranged on a transparent insulating substrate is selected for each row, and a grayscale signal corresponding to display data is applied, whereby the display pixels are In a display device that displays a desired image information on a display surface side of the display panel by performing a light emission operation at a luminance gradation according to display data.
The display device includes: a light guide plate disposed on a back side of the display panel; and a correction circuit unit that corrects the gradation signal applied to each of the display pixels according to a light emission characteristic of the display pixel. Have
The correction circuit unit includes:
A specific amount detection means for detecting a specific amount according to the light emission characteristics of the display pixel when a light receiving surface is provided opposite to at least one side end surface of the light guide plate and a specific gradation signal is applied; ,
Storage means for holding detected gradation data based on at least the detected specific amount;
Based on a comparison result between the detected gradation data held in the storage means and initial gradation data based on the initial value of the specific amount corresponding to the specific gradation signal in the display pixel, the display data And a signal correction means for generating a correction signal for correcting the gradation signal applied to the display pixel so that the relationship between the specific amount and the specific amount approaches the relationship in the initial state of the display pixel;
A display device comprising:
前記表示パネルは、前記絶縁性基板上に行方向に延伸して配設された複数の走査ライン、及び、列方向に延伸して配設された複数のデータラインを備え、前記複数の表示画素は、複数の走査ラインと複数のデータラインの各交点近傍に配列され、
前記表示装置は、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動回路と、前記表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に印加する信号駆動回路と、を備えることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
The display panel includes a plurality of scan lines arranged in a row direction on the insulating substrate and a plurality of data lines arranged in a column direction, and the plurality of display pixels. Are arranged in the vicinity of each intersection of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines,
The display device sequentially applies a scanning signal to the display pixels for each row of the display panel at a predetermined timing, and generates a gradation signal corresponding to the display data, and a scanning drive circuit that sets the selected state. The display device according to claim 1, further comprising: a signal driving circuit that applies to the display pixels in the row set in the selected state.
前記特定量検出手段は、少なくとも、前記表示画素に対して、前記特定の階調信号を印加した場合の、前記表示画素における発光輝度に対応する輝度を測定する受光素子を備え、
前記受光素子は、前記各表示画素に前記特定の階調信号を印加した場合に該表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出された光の一部を検出することを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
The specific amount detection means includes at least a light receiving element that measures luminance corresponding to light emission luminance in the display pixel when the specific gradation signal is applied to the display pixel.
The light receiving element detects a part of light extracted toward the light guide plate among light emitted from the display pixel when the specific gradation signal is applied to each display pixel. The display device according to claim 1 or 2.
前記特定量検出手段は、前記導光板の一側方端面にのみ、少なくとも一つが密着して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein at least one of the specific amount detection means is provided in close contact with only one side end surface of the light guide plate. 前記特定量検出手段は、前記導光板の異なる複数の側方端面の各々に、少なくとも一つが密着して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein at least one of the specific amount detection means is provided in close contact with each of a plurality of different side end surfaces of the light guide plate. 前記表示装置は、前記各表示画素と前記導光板との間に、前記表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出される光を集光して、該導光板に導光する集光手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置。 The display device condenses the light extracted from the display pixels to the light guide plate among the display pixels and the light guide plate, and guides the light to the light guide plate. The display device according to claim 1, further comprising a light collecting unit. 前記導光板は、前記表示画素から放射される光のうち、前記導光板側に取り出される光を、前記特定量検出手段の設置方向に導光する導光手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の表示装置。 The light guide plate includes light guide means that guides light extracted from the display pixel to the light guide plate side in a direction in which the specific amount detection means is installed. The display device according to claim 1. 前記記憶手段は、前記検出階調データに加え、前記初期階調データを保持することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the storage unit stores the initial gradation data in addition to the detected gradation data. 前記特定量検出手段による前記特定量の検出は、前記表示パネルへの電源投入時、及び、前記表示パネルへの電源投入後の所定時間以上経過後、の少なくとも何れかのタイミングで実行されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の表示装置。 The detection of the specific amount by the specific amount detection means is performed at least at a timing when the power to the display panel is turned on and after a predetermined time or more after the power is turned on to the display panel. The display device according to claim 1, wherein: 前記表示データは、デジタルデータからなり、
前記補正回路部は、前記受光素子から出力される前記特定量の信号レベルをデジタルデータ化して、少なくとも前記検出階調データを生成する信号変換手段を備えることを特徴とする請求項3乃至9のいずれかに記載の表示装置。
The display data comprises digital data,
10. The correction circuit unit includes signal conversion means for converting the specific signal level output from the light receiving element into digital data and generating at least the detected gradation data. The display apparatus in any one.
前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein the light receiving element is a photodiode. 前記受光素子は、光導電センサであることを特徴とする請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein the light receiving element is a photoconductive sensor. 前記受光素子は、ダブルゲート型のトランジスタ構造を有するフォトセンサであることを特徴とする請求項3乃至10のいずれかに記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein the light receiving element is a photosensor having a double gate type transistor structure. 前記表示画素は、少なくとも、
前記走査駆動回路から印加される前記走査信号により、前記信号駆動回路から印加される前記階調信号を取り込む選択スイッチと、前記階調信号に応じた電流値を有する駆動電流を流す発光駆動スイッチと、前記階調信号に応じた電圧成分を蓄積する保持容量と、を有する発光駆動回路と、
前記駆動電流の電流値に応じた輝度階調で発光動作する電流制御型の発光素子と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の表示装置。
The display pixel is at least
A selection switch for taking in the gradation signal applied from the signal driving circuit by the scanning signal applied from the scanning driving circuit; and a light emission driving switch for supplying a driving current having a current value corresponding to the gradation signal; A light-emission driving circuit having a storage capacitor for storing a voltage component corresponding to the gradation signal,
A current-controlled light-emitting element that emits light at a luminance gradation corresponding to the current value of the drive current;
The display device according to claim 1, further comprising:
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセント素子であり、
該有機エレクトロルミネッセント素子を構成し、所定の発光動作のために前記駆動電流を供給するための一対の電極のうち、前記導光板側の前記電極の任意の位置に、該有機エレクトロルミネッセント素子により放射される光の一部を、前記導光板側に取り出すための開口部が設けられていることを特徴とする請求項14記載の表示装置。
The light emitting element is an organic electroluminescent element,
Among the pair of electrodes that constitute the organic electroluminescent element and supply the driving current for a predetermined light emitting operation, the organic electroluminescent element is disposed at an arbitrary position of the electrode on the light guide plate side. The display device according to claim 14, wherein an opening is provided for extracting a part of light emitted from the cent element to the light guide plate side.
透明な絶縁性基板上に複数の表示画素が2次元配列された表示パネルの、行ごとの前記表示画素を選択し、表示データに応じた階調信号を印加することにより、前記表示画素を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させて、前記表示パネルの表示面側に所望の画像情報を表示させる表示装置の駆動制御方法において、
前記表示画素に対して、特定の階調信号を印加するステップと、
前記表示パネルの背面側に配置された導光板の少なくとも1つの側方端面に、受光面が対向して設けられた受光素子により前記表示画素の発光特性に応じた特定量を検出するステップと、
前記検出された特定量に基づく検出階調データを保持するステップと、
前記保持された検出階調データと、前記表示画素における前記特定の階調信号に対応する前記特定量の初期値に基づく初期階調データとの比較結果に基づいて、前記表示データと前記特定量との関係を前記表示画素の初期状態における関係に近づけるように、前記表示画素に印加する前記階調信号を補正するステップと、
を含むことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
A display panel in which a plurality of display pixels are two-dimensionally arranged on a transparent insulating substrate is selected for each row, and a grayscale signal corresponding to display data is applied, whereby the display pixels are In a drive control method of a display device that performs a light emission operation at a luminance gradation according to display data and displays desired image information on the display surface side of the display panel.
Applying a specific gradation signal to the display pixel;
Detecting a specific amount according to the light emission characteristics of the display pixel by a light receiving element provided with a light receiving surface facing at least one side end surface of a light guide plate disposed on the back side of the display panel;
Holding detected gradation data based on the detected specific amount;
Based on the comparison result between the held detected gradation data and the initial gradation data based on the initial value of the specific amount corresponding to the specific gradation signal in the display pixel, the display data and the specific amount Correcting the gradation signal applied to the display pixels so that the relationship between
A drive control method for a display device, comprising:
前記特定量を検出するステップは、前記表示画素に対して、特定の階調信号を印加した状態で放射される光のうち、前記導光板側に取り出された後、前記導光板内を伝搬して、前記側方端面から放射される光の一部を前記受光素子により検出することを特徴とする請求項16記載の表示装置の駆動制御方法。 The step of detecting the specific amount propagates through the light guide plate after being extracted to the light guide plate side of the light emitted in a state where a specific gradation signal is applied to the display pixel. The drive control method for a display device according to claim 16, wherein a part of light emitted from the side end face is detected by the light receiving element. 前記特定量を検出するステップは、前記表示パネルへの電源投入時、及び、前記表示パネルへの電源投入後の所定時間以上経過後、の少なくとも何れかのタイミングで行われることを特徴とする請求項16又は17記載の表示装置の駆動制御方法。 The step of detecting the specific amount is performed at least at a timing when the power to the display panel is turned on and after a predetermined time or more after the power is turned on to the display panel. Item 18. A drive control method for a display device according to Item 16 or 17. 前記特定の階調信号は、前記表示画素を最高の輝度階調で発光動作させるための信号レベルに設定されていることを特徴とする請求項16乃至18のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法。 19. The display device drive according to claim 16, wherein the specific gradation signal is set to a signal level for causing the display pixel to emit light at a maximum luminance gradation. Control method. 前記特定の階調信号は、前記表示画素を異なる複数の輝度階調で発光動作させるための信号レベルに設定されていることを特徴とする請求項16乃至18のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法。 19. The display device according to claim 16, wherein the specific gradation signal is set to a signal level for causing the display pixel to perform a light emission operation at a plurality of different luminance gradations. Drive control method. 前記表示画素は、前記階調信号に応じた電流値を有する駆動電流を流すとともに、該階調信号に応じた電圧成分を蓄積する発光駆動回路と、前記駆動電流の電流値に応じた輝度階調で発光動作する電流制御型の発光素子と、を備え、
前記特定量を検出するステップは、前記表示画素の各々に設けられた前記発光駆動回路に対して、前記特定の階調信号を印加した場合の、前記発光素子の発光輝度に対応する輝度を測定することを特徴とすることを特徴とする請求項16乃至20のいずれかに記載の表示装置の駆動制御方法。
The display pixel passes a driving current having a current value corresponding to the gradation signal, and accumulates a voltage component corresponding to the gradation signal, and a luminance scale corresponding to the current value of the driving current. A current-controlled light-emitting element that emits light with a tone,
The step of detecting the specific amount measures a luminance corresponding to the light emission luminance of the light emitting element when the specific gradation signal is applied to the light emission driving circuit provided in each of the display pixels. 21. The display device drive control method according to claim 16, wherein the display device drive control method is performed.
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