JP2005153062A - 半導体構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】支持基板から分離された可動部であって、構造的に一体化され且つ電気的に分離された2以上の部位からなる可動部を有する半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板の第1の主表面からこの第1の基板を選択的に除去して凹部を形成する凹部形成工程と、この凹部に絶縁体を埋め込む凹部埋め込み工程と、第1の主表面に対向する第2の主表面から第1の基板を一様に除去して、絶縁体が埋め込まれた第1の基板の凸部を残す裏面エッチング工程とを有する。
【選択図】図3
【解決手段】第1の基板の第1の主表面からこの第1の基板を選択的に除去して凹部を形成する凹部形成工程と、この凹部に絶縁体を埋め込む凹部埋め込み工程と、第1の主表面に対向する第2の主表面から第1の基板を一様に除去して、絶縁体が埋め込まれた第1の基板の凸部を残す裏面エッチング工程とを有する。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体構造の製造方法に関し、特に、微小電気機械システムによる半導体構造の製造方法に関する。
近年、微小電気機械システム(micro-electro-mechanical systems:MEMS)による静電マイクロアクチュエータを用いた光スイッチ或いは光シャッター等の光デバイスが実用化されている。MEMSプロセスによれば、複雑で微細な3次元構造体を形成することが出来る。
従来、少なくとも1つの固定電極あるいは可動電極の凹凸パターンを半導体基板の一方の主面に形成した後、当該半導体基板の凹凸パターンを形成した主面を他の基板に張り付け、前記半導体基板から前記凹凸パターンを分離する微小可動機械の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、SOIウェハを用いて絶縁膜をエッチングすることにより梁構造体を形成する半導体力学量センサにおいて、梁構造体を貫通する溝に耐エッチング性を有する材料を埋め込むことにより、梁構造体を安定して支持するMEMSプロセスが知られている(例えば、特許文献2参照)。
特許第2682181号公報(第4頁左欄第39行目〜45行目)
特開2000−164890号公報([0008]〜[0009]段落)
特許文献1及び2に示されたMEMSプロセスにおいて、他の基板(支持基板)に接続されていない可動部を、構造的に結合しながら電気的に分離した2以上の部位になるように形成することが出来なかった。具体的には、特許文献2において、梁構造体は溝に埋め込まれた材料によって支持基板に安定して支持、すなわち接続されるが、支持基板に接続されていない可動部(例えば、可動電極等)に耐エッチング材料は埋め込まれていないため、2以上の部位が結合した1つの可動部を電気的に分離することが出来ない。
本発明の特徴は、第1の基板の第1の主表面からこの第1の基板を選択的に除去して凹部を形成する凹部形成工程と、この凹部に絶縁体を埋め込む凹部埋め込み工程と、第1の主表面に対向する第2の主表面から第1の基板を一様に除去して、絶縁体が埋め込まれた第1の基板の凸部を残す裏面エッチング工程とを有する半導体構造の製造方法であることを要旨とする。
本発明によれば、支持基板から分離された可動部であって、構造的に一体化され且つ電気的に分離された2以上の部位からなる可動部を形成することが出来る半導体構造の製造方法を提供することができる。
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは類似の部分には同一あるいは類似な符号を付している。
本発明の実施の形態では、MEMS構造の一例として、シリコン等の半導体基板を用いて形成される半導体構造(静電アクチュエータ)について説明する。なお、本発明の実施の形態に係わる技術は、先の出願(特願2003−329845号)の周辺技術として位置付けされる。
図1に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体構造は、第2の基板12と、第2の基板12の上に配置された第1の基板11とを有し、第1の基板11内にパターン幅の異なる複数の凸部13、14、15、・・・が形成されている。凸部13は、第2の基板12の上に直接、接合されている固定部であるが、凸部14、15・・・は、第2の基板12に接合されていない、すなわち第2の基板12から分離されている可動部である。また、凸部15は、構造的に一体化され且つ電気的に分離された2以上の部位からなる。具体的には、凸部15は、第1の部位15aと、第1の部位15aに対して構造的に一体化され且つ電気的に分離された第2の部位15cと、第1の部位15aと第2の部位15cとの間に配置された絶縁体15bとを有する。
図2(a)、図2(b)及び図3(a)乃至図3(d)を参照して、図1に示した半導体構造の製造方法を説明する。
(イ)先ず図2(a)に示すように、単結晶シリコンからなる第1の基板11を用意し、熱酸化法或いは化学的気相成長(Chemical vapor deposition:CVD)法等を用いて第1の基板11の第1の主表面上に一様に酸化膜を形成する。スピン塗布法及びフォトリソグラフィ法を用いて、酸化膜の上にレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして、選択的に酸化膜を除去する。残された酸化膜パターン20は、図1の絶縁体15b等が形成される領域に対応した開口を有する。
(ロ)酸化膜パターン20をマスクとして、深掘り(高アスペクト)反応性イオンエッチング(DRIE)法などのドライエッチング方法を使って、第1の基板11の第1の主表面から第1の基板11を垂直方向に選択的に除去して、第1の主表面に対して略垂直な凹部21a、21bを形成する。ここまでの工程を「凹部形成工程」と呼ぶ。その後、酸化膜パターン20を弗化水素酸溶液で除去する。なお、酸化膜パターン20をマスクとしてDRIE法を使う場合、アスペクト比が50程度の垂直性の高い溝(凹部21a、21b)を形成できる。また、凹部21a、21bの幅は例えば2μm程度である。
(ハ)図2(b)に示すように、熱酸化法を用いて第1の基板11の第1の主表面及びこれに対向する第2の主表面にそれぞれ一様に酸化膜22、23を形成する。この時、凹部21a、21bの内部にも酸化膜22a、22bが埋め込まれる。この工程を「凹部埋め込み工程」と呼ぶ。なお、幅2μm程度の凹部21a、21bには、パイロ酸化法を用いた場合、13時間程度の処理時間で酸化膜22a、22bが埋め込まれる。また、凹部21a、21bの幅は、幅2μm程度以下の値において、絶縁耐圧との関係から決定されることが望ましい。
(ニ)埋め込まれた酸化膜22a、22bを残して第1の基板11の第1の主表面に堆積された酸化膜22のみを除去する。その後、熱酸化法或いはCVD法等を用いて第1の基板11の第1の主表面上に一様に酸化膜を形成する。スピン塗布法及びフォトリソグラフィ法を用いて、酸化膜の上にレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして、選択的に酸化膜を除去する。残された酸化膜パターン24a、24bは、図1の凸部13、14、15、・・・が形成される領域に選択的に形成される。可動部である凸部14、15、・・・に対応する酸化膜パターン24aの膜厚は、固定部である凸部13に対応する酸化膜パターン24bに比べて数μm〜十数μm程度薄く形成されている。
(ホ)図3(b)に示すように、酸化膜パターン24a、24bをマスクとして、DRIE法などのドライエッチング方法を使って、第1の主表面から第1の基板11を選択的に除去して凸部13、14、15、・・・を形成する。この工程を「凸部形成工程」と呼ぶ。第1の基板11の第1の主表面から深さ100μm程度、第1の基板11を垂直方向に選択的に除去する。第1の基板11のエッチング進行と共に、酸化膜パターン24a、24bも少しづつエッチングされ、エッチング終了時には、酸化膜パターン24a、24bのうち、固定部を構成する凸部13上の酸化膜パターン24bのみが残り、可動部を構成する凸部14、15、・・・上の酸化膜パターン24aは総て除去される。更に、酸化膜パターン24aが総て除去された後のエッチング終了前の短時間、可動部を構成する凸部14、15、・・・の一部も除去されて、凸部14、15、・・・の高さは、凸部13よりも5〜10μm程度低くなる。その後、図3(c)に示すように、酸化膜パターン24bを弗化水素酸溶液で除去する。この時、酸化膜22a、22bは除去されない。
(へ)図3(d)に示すように、単結晶シリコンからなる第2の基板12を用意し、第1の基板11の第1の主表面を第2の基板12の主表面に接合する。この工程を「基板接合工程」と呼ぶ。具体的には、図3(d)に示す第1の基板11は、図3(c)に示した第1の基板11の第1及び第2の主表面を入れ替えた状態を示す。第1の基板11の第1の主表面を第2の基板12の主表面と重ね合わせた状態で、第1の基板11と第2の基板12とを接合する。なお、基板接合工程の前に、第2の基板12に対する加工処理は施されず、第2の基板12の主表面は平坦である。したがって、基板接合工程によって固定部となる凸部13が第2の基板12に接合され、可動部となる凸部14、15、・・・は第2の基板12から分離し、中空に浮いている。
(ト)最後に、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)法或いはDRIE法などを用いて第1の主表面に対向する第2の主表面から第1の基板を一様に除去して、酸化膜22a、22bが埋め込まれた第1の基板11の凸部15、及びその他の凸部13、14、・・・を残す。この工程を「裏面エッチング工程」と呼ぶ。この工程により、第2の基板12から分離していた凸部14、15、・・・は、第2の基板12から分離した可動部となる。以上の工程を経て、図1に示した半導体構造が完成する。酸化膜22bは図1に示した凸部15の絶縁体15bに相当する。
以上説明したように、図3(a)及び図3(b)に示した「凸部形成工程」とは別の工程として、図2(a)及び図2(b)に示した「凹部形成工程」及び「凹部埋め込み工程」を実施することで、酸化膜22bが埋め込まれた第1の基板11の凸部15を形成することが出来る。すなわち、実施の形態に係わる半導体構造の製造方法によれば、支持基板(第2の基板)12から分離された可動部15であって、構造的に一体化され且つ電気的に分離された2以上の部位(15a、15b)からなる可動部15を有する半導体構造を形成することが出来る。
なおここでは、「凹部形成工程」及び「凹部埋め込み工程」を実施した後に「凸部形成工程」を実施した場合を示したが、順序を入れ替えて実施しても構わない。
また、図2(b)に示した凹部埋め込み工程において、熱酸化法を用いて酸化膜22a、22bを凹部21a、21bに埋め込む場合を説明したが、凹部埋め込み工程はこれに限定されるものではない。熱酸化法の替わりにCVD法或いはSpin On Glass(SOG)法を用いて酸化膜22a、22bを埋め込んでも構わない。更に、酸化膜22a、22bの替わりに多結晶シリコン膜を凹部21a、21bに埋め込んでも構わない。この場合、CVD法及び熱酸化法を用いて多結晶シリコン膜を形成する。なお、パイロ酸化法により形成された酸化膜は、TEOS法やSOG法により形成された酸化膜よりも膜質は高い。しかし、プロセス時間は、TEOS法やSOG法の方が短い。したがって、高い絶縁性を必要とする側壁周辺部の凹部だけをパイロ酸化を用いて埋めた後、TEOS法やSOG法を併用して残りの凹部を埋めることよって、十分な絶縁性及び時間短縮を図ることが出来る。更に、パイロ酸化法で十分な絶縁性を持つ厚みを形成しておけば、残りの部分はCVD法を用いてポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)で埋めても十分な絶縁性及び支持構造を容易に形成することが出来る。
(凹部21bに埋め込まれた絶縁体15bの平面形状の実施例)
図4に示すように、第1の部位15aと第2の部位15cは、絶縁体15b1により絶縁分離されている。図2(a)及び図2(b)に示した凹部21bに埋め込まれた絶縁体15b1の平面形状は、絶縁体15b1の端部に絶縁体15b1の幅よりも大きいダミー溝構造を有する。すなわち、「凹部形成工程」において、凹部21bと同時に、凹部21bの平面形状の端部に凹部21bの幅よりも大きいダミー溝構造を設け、凹部21b及びダミー溝構造に酸化膜を埋め込む。このことにより、凹部21bに酸化膜を埋め込む熱酸化法において酸素が凹部21bの内部に侵入しやすくなり、凹部21bの内部側壁から酸化膜が、速やかに且つ良好に成長する。なお、ダミー溝構造の形状に特に制約はなく、酸素が侵入しやすい構造であることが重要である。
図4に示すように、第1の部位15aと第2の部位15cは、絶縁体15b1により絶縁分離されている。図2(a)及び図2(b)に示した凹部21bに埋め込まれた絶縁体15b1の平面形状は、絶縁体15b1の端部に絶縁体15b1の幅よりも大きいダミー溝構造を有する。すなわち、「凹部形成工程」において、凹部21bと同時に、凹部21bの平面形状の端部に凹部21bの幅よりも大きいダミー溝構造を設け、凹部21b及びダミー溝構造に酸化膜を埋め込む。このことにより、凹部21bに酸化膜を埋め込む熱酸化法において酸素が凹部21bの内部に侵入しやすくなり、凹部21bの内部側壁から酸化膜が、速やかに且つ良好に成長する。なお、ダミー溝構造の形状に特に制約はなく、酸素が侵入しやすい構造であることが重要である。
図5に示すように、図2(a)及び図2(b)に示した凹部21bに埋め込まれた絶縁体15b2の平面形状において、絶縁体15b2の端部の幅は絶縁体15b2の中央部よりも狭い。すなわち、「凹部形成工程」において、凹部21bの端部の幅を凹部21bの中央部よりも狭く形成する。このことによって、凹部21bに酸化膜を埋め込む熱酸化法において酸素が凹部21bの内部に侵入しやすくなる。また、中央部から両端の結合が始まり、所望の強度を得られた段階で「凹部埋め込み工程」を終了すればよく、形成時間を必要最小限まで短縮することが出来る。
図6に示すように、図2(a)及び図2(b)に示した凹部21bに埋め込まれた絶縁体15b3は、鉤型の平面形状を有する。すなわち、「凹部形成工程」において、鉤型の平面形状を有する凹部21bを形成する。このことにより、絶縁体15b3を介して結合される第1の部位15a及び第2の部位15cの接合強度を大きくすることが出来る。
上記のように、本発明は、1つの実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。すなわち、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
「凹部埋め込み工程」に熱酸化方法を用いることによって、容易に良質の酸化膜を埋め込むことが出来る。
「凹部埋め込み工程」にCVD法を用いることによって、短時間で容易に酸化膜を埋め込むことが出来る。
「凹部埋め込み工程」にSOG法を用いることによって、短時間で容易に酸化膜を埋め込むことが出来る。
「凹部埋め込み工程」に熱酸化法及びCVD法による多結晶シリコン形成を用いることにより短時間で十分な絶縁性を有する絶縁体を容易に埋め込むことが出来る。
11…第1の基板
12…第2の基板
13…凸部
14…凸部
15…凸部
15…可動部
15a…第1の部位
15b、15b1、15b2、15b3…絶縁体
15c…第2の部位
20、24a、24b…酸化膜パターン
21a、21b…凹部
22、22a、22b…酸化膜
12…第2の基板
13…凸部
14…凸部
15…凸部
15…可動部
15a…第1の部位
15b、15b1、15b2、15b3…絶縁体
15c…第2の部位
20、24a、24b…酸化膜パターン
21a、21b…凹部
22、22a、22b…酸化膜
Claims (6)
- 第1の基板の第1の主表面から前記第1の基板を選択的に除去して凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に絶縁体を埋め込む凹部埋め込み工程と、
前記第1の主表面に対向する第2の主表面から前記第1の基板を一様に除去して、前記絶縁体が埋め込まれた前記第1の基板の凸部を残す裏面エッチング工程
とを有することを特徴とする半導体構造の製造方法。 - 前記第1の主表面から前記第1の基板を選択的に除去して前記凸部を形成する凸部形成工程と、
前記第1の主表面を第2の基板の主表面に接合する基板接合工程
とを更に有することを特徴とする請求項1記載の半導体構造の製造方法。 - 前記凸部は、前記第2の基板から分離された可動部であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体構造の製造方法。
- 前記凹部形成工程において、前記凹部と同時に、前記凹部の平面形状の端部に前記凹部の幅よりも大きいダミー溝構造を設けることを特徴とする請求項1乃至3何れか1項記載の半導体構造の製造方法。
- 前記凹部の平面形状において、前記凹部の端部の幅は前記凹部の中央部よりも狭いことを特徴とする請求項1乃至3何れか1項記載の半導体構造の製造方法。
- 前記凹部は鉤型の平面形状を有することを特徴とする請求項1乃至3何れか1項記載の半導体構造の製造方法。
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Cited By (2)
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JP2012101294A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Denso Corp | 絶縁構造体及び絶縁構造体の製造方法 |
KR101847793B1 (ko) | 2014-11-10 | 2018-05-28 | 트로닉스 마이크로시스템즈 | 전기 기계 장치를 제조하기 위한 방법 및 해당 장치 |
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2003
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KR101847793B1 (ko) | 2014-11-10 | 2018-05-28 | 트로닉스 마이크로시스템즈 | 전기 기계 장치를 제조하기 위한 방법 및 해당 장치 |
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