JP2005150759A - Scanning exposure device - Google Patents

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Yasuo Araki
康雄 荒木
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device which can prevent the positional deviation of a mask. <P>SOLUTION: This scanning exposure device which transfers a pattern formed on a mask 12 to a substrate 16 by relatively moving the mask 12 and the substrate 16 in synchronization comprises a mask hold member 18 for placing the mask 12 thereon, a mask stage 20 for moving the mask hold member 18, and pressing means 72, 88a and 88b for pressing the mask 12 against the mask hold member 18. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マスクと感光基板とを同期して相対移動する走査型の露光装置に関する。   The present invention relates to a scanning exposure apparatus that relatively moves a mask and a photosensitive substrate synchronously.

半導体集積回路や液晶表示用基板を製造するために使用される投影露光装置は、照明光学系から射出された照明光をマスクに照射して該マスクのパターン像を投影光学系を介して感光基板上に結像する。この種の装置は、基板上の同一領域に複数のパターンを重ね合わせて露光するため、露光処理する層と前回露光処理された層との間で高い重ね合わせ精度が要求される。   A projection exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display substrate irradiates a mask with illumination light emitted from an illumination optical system and applies a pattern image of the mask to the photosensitive substrate via the projection optical system. Image on top. Since this type of apparatus exposes a plurality of patterns superimposed on the same region on the substrate, a high overlay accuracy is required between the layer to be exposed and the layer previously exposed.

投影露光装置として現在では、露光用の照明光に対してマスクと感光基板とを同期して相対的に走査しながら露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が提案、実用化されている。このようなステップ・アンド・スキャン方式の露光装置においては、マスクホルダに保持されたマスクを移動可能なマスクステージ上に搭載し、感光基板を移動可能な基板ステージ上に搭載する。マスクステージ上のマスクは、その外周の一部をマスクホルダに真空吸着によって固定されている。そして、マスクステージと基板ステージとを同期して移動することによって、マスクに形成された転写パターンを感光基板上に投影する。このようなステップ・アンド・スキャン方式の露光装置においては、処理能力(スループット)の向上のために、マスクを搭載したマスクステージ及び感光基板を搭載した基板ステージの高速移動、及び高加速度化が必要となってきている。   Currently, as a projection exposure apparatus, a step-and-scan exposure apparatus that performs exposure while synchronously scanning a mask and a photosensitive substrate with respect to exposure illumination light has been proposed and put into practical use. . In such a step-and-scan exposure apparatus, a mask held by a mask holder is mounted on a movable mask stage, and a photosensitive substrate is mounted on a movable substrate stage. A part of the outer periphery of the mask on the mask stage is fixed to the mask holder by vacuum suction. Then, the transfer pattern formed on the mask is projected onto the photosensitive substrate by moving the mask stage and the substrate stage synchronously. In such a step-and-scan exposure apparatus, it is necessary to move the mask stage with the mask and the substrate stage with the photosensitive substrate mounted at a high speed and increase the acceleration in order to improve the throughput (throughput). It has become.

ところが、マスクステージを高速で駆動すると、マスクホルダ上でマスクの位置がずれる可能性がある。すなわち、マスクステージの加速時又は減速時に慣性力によってマスクがマスクホルダー上を滑ることがある。特に、縮小投影型の露光装置においては、マスクの移動距離が感光基板に比べて縮小倍率分だけ長いため、マスクの位置ずれの問題は顕著になる。ここで、マスクの位置は、例えば、マスクステージ上の干渉計移動鏡を利用した移動鏡システムによって計測されるため、マスクホルダ上でマスクの位置がずれると、干渉計移動鏡に対するマスクの位置が変化してしまう。この様なマスクの位置ずれは、マスクステージ上だけの問題だけではなく、結局、感光基板上でのマスクパターンの重ね合わせ精度の悪化につながる。   However, if the mask stage is driven at a high speed, the position of the mask may be shifted on the mask holder. That is, the mask may slide on the mask holder due to inertial force when the mask stage is accelerated or decelerated. In particular, in the reduction projection type exposure apparatus, the movement distance of the mask is longer than the photosensitive substrate by the reduction magnification, so that the problem of mask misalignment becomes significant. Here, since the position of the mask is measured by, for example, a moving mirror system using an interferometer moving mirror on the mask stage, if the position of the mask is shifted on the mask holder, the position of the mask with respect to the interferometer moving mirror is changed. It will change. Such misalignment of the mask is not only a problem only on the mask stage, but also eventually deteriorates the overlay accuracy of the mask pattern on the photosensitive substrate.

本発明は、上記のような状況に鑑みて成されたものであり、マスクの位置ずれを防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to prevent misalignment of a mask.

上記課題を解決するため、本発明の走査型露光装置は、マスクと基板とを同期して相対移動させることにより、マスクに形成されたパターンを基板に転写する走査型露光装置であって、マスクを載置し、走査方向に移動可能なマスク保持部材と、マスク保持部材に対してマスクを押し付ける押付け手段と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, a scanning exposure apparatus according to the present invention is a scanning exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a substrate by synchronously moving the mask and the substrate. And a mask holding member movable in the scanning direction, and pressing means for pressing the mask against the mask holding member.

上記構成において、マスク保持手段と押付け手段とが設けられたマスクステージと、このマスクステージを走査方向に移動させる駆動手段と、を更に設けてよい。   In the above configuration, a mask stage provided with a mask holding means and a pressing means, and a driving means for moving the mask stage in the scanning direction may be further provided.

また、押付け手段は、マスクのパターン形成面に対して垂直な方向からマスクを押し付けるようにしてもよい。   Further, the pressing means may press the mask from a direction perpendicular to the pattern forming surface of the mask.

さらに、押付け手段は、マスクが移動する方向に対して垂直な方向からマスクを押し付けるようにしてもよい。   Further, the pressing means may press the mask from a direction perpendicular to the direction in which the mask moves.

マスクをマスク保持部材に対して吸着する吸着手段を併用してもよい。   You may use together the adsorption | suction means which adsorb | sucks a mask with respect to a mask holding member.

また、マスクの上面とマスク保持部材との間に密閉空間を形成する密閉手段を更に設けてもよい。   Further, a sealing means for forming a sealed space between the upper surface of the mask and the mask holding member may be further provided.

また、マスクの撓みに起因するマスクのパターンの投影像の結像誤差を補正するために、投影光学系を調整する調整手段を更に設けてもよい。   Further, in order to correct an imaging error of the projection image of the mask pattern caused by the deflection of the mask, an adjusting means for adjusting the projection optical system may be further provided.

押付け手段は、マスクの上面に対して接触、離脱可能に設けられた押圧部材を含む構成としてもよい。   The pressing means may include a pressing member provided so as to be able to contact and detach from the upper surface of the mask.

また、押付け手段は、磁力を用いたものとしてもよい。   The pressing means may use magnetic force.

押付け手段が磁力を用いる場合、その押付け手段は、マスクに対して接触、離脱可能に設けられた押圧部材と、マスク保持部材に固定された電磁石と、押圧部材に固定され、電磁石に対向して配置される永久磁石と、マスクのマスク保持部材に対する固定及びその解除を行うように、電磁石の磁性を制御する制御手段と、を含むように構成してもよい。   When the pressing means uses a magnetic force, the pressing means includes a pressing member provided so as to be able to contact and detach from the mask, an electromagnet fixed to the mask holding member, and fixed to the pressing member so as to face the electromagnet. You may comprise so that the permanent magnet arrange | positioned and the control means which controls the magnetism of an electromagnet may be performed so that the mask may be fixed to the mask holding member and released.

また、押付け手段は、マスクを押し付ける押付け力をコントロールできるように構成してもよい。   The pressing means may be configured to control the pressing force for pressing the mask.

本発明によれば、マスクをマスク保持部材に押し付けるようにしたため、マスクステージよってマスクを高加速度で駆動した場合にも位置ずれを生じることがない。   According to the present invention, since the mask is pressed against the mask holding member, no displacement occurs even when the mask is driven at high acceleration by the mask stage.

以下、本発明の実施の形態を以下に示す実施例に基づいて説明する。なお、これから説明する各実施例は、半導体デバイス製造用の走査型投影露光装置に本発明を適用したものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on the following examples. In each of the embodiments described below, the present invention is applied to a scanning projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device.

図1は本発明の第1実施例にかかる投影露光装置全体の構成を示し、図2は当該投影露光装置のレチクルステージ周辺の構成を示す。本実施例の投影露光装置は、照明光学系から射出される露光用の光をコンデンサレンズ10を介してレチクル12に照射し、レチクル12上に形成された所定のパターンの像を、投影光学系14を介してウエハ16上に転写するものである。投影光学系14は、架台17によって装置に対して固定されており、所定の縮小倍率(1/4,1/5等)でレチクル12のパターンの像をウエハ16上に投影するようになっている。   FIG. 1 shows the overall configuration of the projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the configuration around the reticle stage of the projection exposure apparatus. The projection exposure apparatus of the present embodiment irradiates the reticle 12 with exposure light emitted from the illumination optical system via the condenser lens 10, and generates an image of a predetermined pattern formed on the reticle 12. 14 is transferred onto the wafer 16 via 14. The projection optical system 14 is fixed to the apparatus by a gantry 17 and projects a pattern image of the reticle 12 onto the wafer 16 at a predetermined reduction magnification (1/4, 1/5, etc.). Yes.

レチクル12は、その外周部4カ所においてレチクルホルダ18に真空吸着によって固定された状態でレチクルステージ20上に載置されている。レチクルステージ20は、レチクルステージ駆動系24によって走査方向(Y方向)に所定の速度で移動可能になっている。レチクルステージ20上には、レチクル干渉計26から出力されるレーザ光を反射する移動鏡28が固定配置されており、レチクル干渉計26によってレチクルステージ20の位置を常時モニターできるようになっている。なお、図1においては、走査方向(Y方向)の位置を計測するレチクル干渉計26及び移動鏡28のみ示しているが、実際には、非走査方向(X方向)の位置を計測する干渉計及び移動鏡も備えられている。   The reticle 12 is placed on the reticle stage 20 in a state of being fixed to the reticle holder 18 by vacuum suction at four locations on the outer periphery thereof. The reticle stage 20 is movable at a predetermined speed in the scanning direction (Y direction) by the reticle stage drive system 24. A movable mirror 28 that reflects the laser beam output from the reticle interferometer 26 is fixedly disposed on the reticle stage 20 so that the position of the reticle stage 20 can be constantly monitored by the reticle interferometer 26. In FIG. 1, only the reticle interferometer 26 and the movable mirror 28 for measuring the position in the scanning direction (Y direction) are shown, but in reality, the interferometer for measuring the position in the non-scanning direction (X direction). And a moving mirror is also provided.

レチクルホルダ18の底部には、アパーチャガラス30が取り付けられ、レチクルホルダ18と、レチクル12と、このアパーチャガラス30とによって、レチクル12の下側に外気と遮断された密閉空間32を形成している。なお、密閉空間32を形成するために、アパーチャガラス30を用いたのは、照明光を透過させるためである。密閉空間32には、バキューム配管34を介してバキュームソース36が接続されている。そして、バキュームソース36によって密閉空間32の気圧を外気圧より低くすることにより、レチクル12をレチクルホルダ18に強く保持できるようになっている。この時、レチクル12は密閉空間32と外気との気圧差によって変形が生じることがあるが、その変形に起因するレチクルパターンの投影像の結像誤差は、制御部38がレンズコントローラ40を介して投影光学系14の結像状態を調整することによってキャンセルするようになっている。   An aperture glass 30 is attached to the bottom of the reticle holder 18, and the reticle holder 18, the reticle 12, and the aperture glass 30 form a sealed space 32 that is shielded from the outside air below the reticle 12. . The reason why the aperture glass 30 is used to form the sealed space 32 is to transmit illumination light. A vacuum source 36 is connected to the sealed space 32 via a vacuum pipe 34. The reticle 12 can be strongly held by the reticle holder 18 by making the pressure of the sealed space 32 lower than the external pressure by the vacuum source 36. At this time, the reticle 12 may be deformed due to a pressure difference between the sealed space 32 and the outside air. An imaging error of the projection image of the reticle pattern caused by the deformation is caused by the control unit 38 via the lens controller 40. The image is canceled by adjusting the imaging state of the projection optical system 14.

投影光学系14の下方に配置されたウエハ16は、ウエハホルダ42に真空吸着された状態で、ウエハステージ44上に載置されている。ウエハステージ44は、ウエハステージ駆動系46によって、投影光学系14の光軸に垂直な面内(XY面内)で移動可能に構成され、ウエハ16がレチクル12の走査と同期して移動するように駆動される。ウエハステージ44上には、ウエハ干渉計48から出力されるレーザ光を反射する移動鏡50が固定されており、この移動鏡50からの反射光と投影光学系14の下端に設置された固定鏡(図示せず)からの反射光とからなる干渉光によって、ウエハステージ44の位置を常時モニターできるようになっている。なお、図1においては、Y方向の位置を計測するウエハ干渉計48及び移動鏡50のみ示しているが、実際には、X方向の位置を計測する干渉計及び移動鏡も備えられている。   The wafer 16 disposed below the projection optical system 14 is placed on the wafer stage 44 while being vacuum-sucked by the wafer holder 42. The wafer stage 44 is configured to be movable in a plane (XY plane) perpendicular to the optical axis of the projection optical system 14 by a wafer stage drive system 46 so that the wafer 16 moves in synchronization with the scanning of the reticle 12. Driven by. A movable mirror 50 that reflects the laser light output from the wafer interferometer 48 is fixed on the wafer stage 44, and the reflected light from the movable mirror 50 and a fixed mirror installed at the lower end of the projection optical system 14. The position of the wafer stage 44 can be constantly monitored by interference light consisting of reflected light from (not shown). In FIG. 1, only the wafer interferometer 48 and the movable mirror 50 for measuring the position in the Y direction are shown, but actually, an interferometer and a movable mirror for measuring the position in the X direction are also provided.

次に、以上のような構成の第1実施例の動作及び原理について説明する。コンデンサレンズ10を通って集光された均一な照明光でレチクル12が照明されると、レチクル12上の照明領域に対しててレチクルステージ20が走査方向(Y方向)に移動し、これと同期してウエハ16を搭載したウエハステージ44がレチクルステージ20の移動方向と逆方向に移動する。この時、レチクル12とウエハ16の相対的な位置はレチクル干渉計26、及びとウエハ干渉計48によりそれぞれモニタされる。   Next, the operation and principle of the first embodiment having the above configuration will be described. When the reticle 12 is illuminated with uniform illumination light collected through the condenser lens 10, the reticle stage 20 moves in the scanning direction (Y direction) relative to the illumination area on the reticle 12, and synchronizes with this. Then, the wafer stage 44 on which the wafer 16 is mounted moves in the direction opposite to the movement direction of the reticle stage 20. At this time, the relative positions of the reticle 12 and the wafer 16 are monitored by the reticle interferometer 26 and the wafer interferometer 48, respectively.

ここで、レチクル12の移動時の慣性力をFk 、レチクル12の摩擦によるレチクルホルダ18への保持力をFh、レチクル12の質量をm、レチクル12に働く垂直抗力をN、レチクル12の移動時の加速度をa、レチクル12とレチクルホルダ18との摩擦係数をμすると、以下の式(1),式(2)が成り立つ。
Fk =ma ・・・・・(1)
Fh=Nμ ・・・・・(2)
Here, the inertial force at the time of movement of the reticle 12 is Fk, the holding force to the reticle holder 18 by the friction of the reticle 12 is Fh, the mass of the reticle 12 is m, the normal force acting on the reticle 12 is N, and the reticle 12 is moving Is expressed as a, and the friction coefficient between the reticle 12 and the reticle holder 18 is μ, the following equations (1) and (2) are established.
Fk = ma (1)
Fh = Nμ (2)

また、レチクル12が移動時の慣性力で動かないためには、以下の式(3)の条件を満たす必要がある。
Fk <Fh ・・・・・(3)
Further, in order for the reticle 12 not to move with the inertial force at the time of movement, the following equation (3) must be satisfied.
Fk <Fh (3)

そして、上記の式(1)、式(2)及び式(3)より、以下の式(4)が導き出される。
a <Nμ/m ・・・・・ (4)
Then, the following expression (4) is derived from the above expressions (1), (2), and (3).
a <Nμ / m (4)

ここで、レチクル12の質量mと、レチクル12とレチクルホルダ18との間の摩擦係数μは、ほぼ一定値であるので、加速度aを大きくするためには、Nを大きくすればよいことがわかる。また、レチクル12を真空吸着によりレチクルホルダ18に保持する場合、吸着面積をS、外気圧をPo、真空圧をPvとすると、以下の式(5)が成り立つ。
N=S(Po−Pv) ・・・・・(5)
Here, since the mass m of the reticle 12 and the friction coefficient μ between the reticle 12 and the reticle holder 18 are substantially constant values, it can be seen that N can be increased in order to increase the acceleration a. . When the reticle 12 is held on the reticle holder 18 by vacuum suction, the following equation (5) is established, where S is the suction area, Po is the external pressure, and Pv is the vacuum pressure.
N = S (Po−Pv) (5)

本実施例においては、レチクル12の下側の密閉空間32の気圧を外気圧より低く設定しているため、レチクル12のレチクルホルダ18に対する吸着面を転写パターンが形成された領域を含む広い範囲まで拡大することができる。すなわち、吸着面積Sをレチクル12の面積より一回り小さい面積にまで拡大したのと等価と見ることができる。その結果、式(4)、式(5)より、レチクル12移動時の加速度aを大きくすることが可能となる。また、レチクル12のパタンーン面が外気と遮断されているので、レチクル12の汚染を防止できるという利点もある。   In this embodiment, since the air pressure in the sealed space 32 below the reticle 12 is set lower than the external air pressure, the suction surface of the reticle 12 with respect to the reticle holder 18 extends to a wide range including the region where the transfer pattern is formed. Can be enlarged. That is, it can be regarded as equivalent to expanding the adsorption area S to an area slightly smaller than the area of the reticle 12. As a result, it is possible to increase the acceleration a during movement of the reticle 12 from the equations (4) and (5). In addition, since the pattern surface of the reticle 12 is blocked from the outside air, there is an advantage that contamination of the reticle 12 can be prevented.

図3は、本発明の第2実施例にかかる投影露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と同様であるため、本実施例においては図示及びその説明を省略する。また、図3中、上記第1実施例と同一又は対応する構成要素に関しては、同一の符号を付し、ここでは重複した説明を省略する。図において、レチクルホルダ18の底面付近にはアパーチャガラス30が配置され、上記第1実施例と同様に、レチクル12,レチクルホルダ18,アパーチャガラス30とによって第1密閉空間32が形成されている。レチクル12の上部には、隔壁54が設けられ、隔壁54の天井部分にはアパーチャガラス56が設置されている。そして、レチクル12の上面と、これら隔壁54及びアパーチャガラス56によって、第2密閉空間58が形成される。   FIG. 3 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. The configuration other than the vicinity of the reticle stage of the projection exposure apparatus of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, and therefore illustration and description thereof are omitted in this embodiment. In FIG. 3, the same or corresponding components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted here. In the figure, an aperture glass 30 is disposed in the vicinity of the bottom surface of the reticle holder 18, and a first sealed space 32 is formed by the reticle 12, the reticle holder 18, and the aperture glass 30 as in the first embodiment. A partition wall 54 is provided on the top of the reticle 12, and an aperture glass 56 is installed on the ceiling portion of the partition wall 54. A second sealed space 58 is formed by the upper surface of the reticle 12, the partition wall 54, and the aperture glass 56.

第1及び第2密閉空間32,58には、バキューム配管60が接続され、バキュームソース36によって第1及び第2密閉空間32,58の気圧を外気圧より低く調整するようになっている。これによって、レチクル12をレチクルホルダ18に強く保持することができる。この場合、レチクル12の下側の第1密閉空間32とレチクル12の上側の密閉空間58とをバキューム配管60で互いに連結し、両密閉空間32,58の圧力を同じにすることにより、レチクル12の上面と下面にかかる圧力差によってレチクル12に変形が生じることを防止できる。   A vacuum pipe 60 is connected to the first and second sealed spaces 32 and 58, and the air pressure in the first and second sealed spaces 32 and 58 is adjusted to be lower than the external pressure by the vacuum source 36. As a result, the reticle 12 can be strongly held by the reticle holder 18. In this case, the first sealed space 32 on the lower side of the reticle 12 and the sealed space 58 on the upper side of the reticle 12 are connected to each other by the vacuum pipe 60 so that the pressures of the sealed spaces 32 and 58 are the same. It is possible to prevent the reticle 12 from being deformed by the pressure difference between the upper surface and the lower surface of the reticle.

本実施例においても、レチクル12の上下の密閉空間32,58の気圧を外気圧より低く設定しているため、レチクル12のレチクルホルダ18に対する吸着面を転写パターンが形成された領域を含む広い範囲まで拡大することができる。
すなわち、吸着面積Sをレチクル12の面積より一回り小さい面積にまで拡大したのと等価と見ることができる。その結果、式(4)、式(5)より、レチクル12移動時の加速度aを大きくすることが可能となる。
Also in this embodiment, since the air pressure in the upper and lower sealed spaces 32, 58 of the reticle 12 is set lower than the external air pressure, the suction surface of the reticle 12 with respect to the reticle holder 18 includes a wide range including the region where the transfer pattern is formed. Can be expanded to.
That is, it can be regarded as equivalent to expanding the adsorption area S to an area slightly smaller than the area of the reticle 12. As a result, it is possible to increase the acceleration a during movement of the reticle 12 from the equations (4) and (5).

図4は、本発明の第3実施例にかかる投影露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と同様であるため、本実施例においては図示及びその説明を省略する。また、図4中、上記第1及び第2実施例と同一又は対応する構成要素に関しては、同一の符号を付し、ここでは重複した説明を省略する。図において、レチクル12が載置されるレチクルホルダ62の上面には、吸着用の穴(図示せず)が形成されており、バキューム配管64を介してバキュームソース66によって、レチクル12を真空吸着で固定するようになっている。   FIG. 4 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention. The configuration other than the vicinity of the reticle stage of the projection exposure apparatus of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, and therefore illustration and description thereof are omitted in this embodiment. Also, in FIG. 4, the same or corresponding components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted here. In the drawing, a suction hole (not shown) is formed on the upper surface of a reticle holder 62 on which the reticle 12 is placed, and the reticle 12 is vacuum-sucked by a vacuum source 66 through a vacuum pipe 64. It is designed to be fixed.

また、レチクルホルダ62の底面にはアパーチャガラス30が配置され、上記第1及び第2実施例と同様に、レチクル12,レチクルホルダ62,アパーチャガラス30とによって第1密閉空間67が形成されている。レチクル12の上部には、隔壁68が設けられ、隔壁68の天井部分にはアパーチャガラス70が設置されている。そして、レチクル12の上面と、これら隔壁68及びアパーチャガラス70によって、第2密閉空間72が形成される。第2密閉空間72は、エア配管74及びレギュレータ76を介してコンプレッサ78に接続されている。
そして、コンプレッサ78によって、レチクル12の上下の第1及び第2密閉空間67,72の圧力を大気圧よりも高く設定する。これにより、レチクル12がレチクルホルダ62に対して押し付けられるような状態になり、レチクル12のレチクルホルダ62に対する保持力が強くなる。この場合、レギュレータ76を用いて、レチクル12の上下の第1及び第2密閉空間67,72の圧力をコントロールすることにより、その保持力をコントロールすることができる。例えば、レチクル12の上側の第2密閉空間72内の気圧を下側の第1密閉空間67内の気圧より若干大きく設定する。
The aperture glass 30 is disposed on the bottom surface of the reticle holder 62, and a first sealed space 67 is formed by the reticle 12, the reticle holder 62, and the aperture glass 30 as in the first and second embodiments. . A partition wall 68 is provided on the top of the reticle 12, and an aperture glass 70 is installed on the ceiling portion of the partition wall 68. A second sealed space 72 is formed by the upper surface of the reticle 12, the partition walls 68, and the aperture glass 70. The second sealed space 72 is connected to the compressor 78 via an air pipe 74 and a regulator 76.
Then, the compressor 78 sets the pressure in the first and second sealed spaces 67 and 72 above and below the reticle 12 to be higher than the atmospheric pressure. Accordingly, the reticle 12 is pressed against the reticle holder 62, and the holding force of the reticle 12 on the reticle holder 62 is increased. In this case, the holding force can be controlled by controlling the pressure in the first and second sealed spaces 67 and 72 above and below the reticle 12 using the regulator 76. For example, the air pressure in the second sealed space 72 on the upper side of the reticle 12 is set to be slightly larger than the pressure in the first sealed space 67 on the lower side.

本実施例においては、レチクル12の上下の密閉空間67,72の気圧を外気圧より高く設定するとともに、レチクル12とレチクルステージ62との接触面をバキューム吸着することにより、圧力差(Po−Pv)を大きくすることができ。その結果、式(4)、式(5)より、レチクル12移動時の加速度aを大きくすることが可能となる。   In the present embodiment, the pressure difference (Po−Pv) is set by setting the air pressure in the upper and lower sealed spaces 67 and 72 of the reticle 12 higher than the external air pressure, and vacuum adsorbing the contact surface between the reticle 12 and the reticle stage 62. ) Can be increased. As a result, it is possible to increase the acceleration a during movement of the reticle 12 from the equations (4) and (5).

図5は、本発明の第4実施例にかかる投影露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と同様であるため、本実施例においては重複する図示及びその説明を省略する。また、図5中、上記第1,第2及び第3実施例と同一又は対応する構成要素に関しては、同一の符号を付すものとする。図において、レチクル12が載置されるレチクルホルダ80の両側には、電磁石82a,82bが固定配置されている。電磁石82a,82bの側部には、それぞれ支持ブロック84a,84bが設置されている。   FIG. 5 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. Since the configuration other than the periphery of the reticle stage of the projection exposure apparatus of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, overlapping illustrations and descriptions thereof are omitted in this embodiment. In FIG. 5, the same or corresponding components as those in the first, second and third embodiments are denoted by the same reference numerals. In the figure, electromagnets 82a and 82b are fixedly arranged on both sides of a reticle holder 80 on which the reticle 12 is placed. Support blocks 84a and 84b are installed on the sides of the electromagnets 82a and 82b, respectively.

支持ブロック84a,84bには、ヒンジ86a,86bを介してレチクル押さえ部材88a,88bがそれぞれ取り付けられ、レチクル押え部材88a,88bの下面には、それぞれ永久磁石90a,90bが取り付けてある。電磁石82a,82bには、磁力発生用の電流供給部92a,92bがそれぞれ接続されている。そして、電流制御部94の制御により、電流供給部92a,92bより電磁石82a,82bに電流が供給されると、電磁石82a,82bの上部に磁界が発生するようになっている。   Reticle pressing members 88a and 88b are attached to the support blocks 84a and 84b via hinges 86a and 86b, respectively, and permanent magnets 90a and 90b are attached to the lower surfaces of the reticle pressing members 88a and 88b, respectively. The electromagnets 82a and 82b are connected to current supply portions 92a and 92b for generating magnetic force, respectively. When current is supplied from the current supply units 92a and 92b to the electromagnets 82a and 82b under the control of the current control unit 94, a magnetic field is generated above the electromagnets 82a and 82b.

上記のような実施例において、電流制御部94は、レチクル12の交換時においては、電磁石82a,82bに対して、永久磁石90a,90bと反発し合うような方向の磁力が発生するように、電流供給部92a,92bを制御する。そして、電磁石82a,82bと永久磁石90a,90bの反発力によって、レチクル押え部材88a,88bが上方に退避する。レチクル押さえ部材88a,88bが開放(退避)している状態で、レチクル12をレチクルホルダ80上に載置した後は、電流制御部94により、電磁石82a,82bに対して、永久磁石90a,90bと引き合うような方向の磁力が発生するように、電流供給部92a,92bを制御する。そして、レチクル押え部材88a,88bが電磁石82a,82bと永久磁石90a,90bの吸引力により、レチクル12をレチクルホルダ80に対して押し付ける。これによって、レチクル12がレチクルホルダ80に対して固定される。この場合、電磁石82a,82bに流す電流値を調整することにより、レチクル12の保持力をコントロールすることができる。また、電磁石82a,82bと永久磁石90a,90bとの間隔を小さくすれば、少ない電流値で大きな保持力が得られる。   In the embodiment as described above, the current control unit 94 generates a magnetic force in a direction repelling the permanent magnets 90a and 90b with respect to the electromagnets 82a and 82b when the reticle 12 is replaced. The current supply units 92a and 92b are controlled. The reticle pressing members 88a and 88b are retracted upward by the repulsive force of the electromagnets 82a and 82b and the permanent magnets 90a and 90b. After the reticle 12 is placed on the reticle holder 80 with the reticle pressing members 88a and 88b opened (withdrawn), the permanent magnets 90a and 90b are applied to the electromagnets 82a and 82b by the current control unit 94. The current supply units 92a and 92b are controlled so as to generate a magnetic force in a direction that attracts them. Then, the reticle pressing members 88a and 88b press the reticle 12 against the reticle holder 80 by the attractive force of the electromagnets 82a and 82b and the permanent magnets 90a and 90b. As a result, the reticle 12 is fixed to the reticle holder 80. In this case, the holding force of the reticle 12 can be controlled by adjusting the current value flowing through the electromagnets 82a and 82b. Further, if the distance between the electromagnets 82a and 82b and the permanent magnets 90a and 90b is reduced, a large holding force can be obtained with a small current value.

本実施例においては、磁力によりレチクル12をレチクルホルダ80に押し付けることにより垂直抗力をNを大きくすることができ、式(4)より、レチクル移動時の加速度aを大きくすることが可能となる。   In this embodiment, the vertical drag N can be increased by pressing the reticle 12 against the reticle holder 80 by a magnetic force, and the acceleration a during movement of the reticle can be increased from the equation (4).

このように本発明においては、マスクをマスク保持部材に押し付けるようにしたため、マスクステージよってマスクを高加速度で駆動した場合にも位置ずれを生じることがない。   As described above, in the present invention, since the mask is pressed against the mask holding member, no positional deviation occurs even when the mask is driven at a high acceleration by the mask stage.

また、磁力によってマスクをマスク保持部材に対して固定する場合、従来のようにマスクの一部のみを真空吸着によって固定する場合に比べて、マスクをマスク保持部材に対して強く固定することができる。例えば、マスクの交換時には、電磁石と永久磁石が反発し合うようにして、押え部材を上方に退避させる。そして、マスクをマスク保持部材上に載置した後、電磁石と永久磁石とが引き合うようにし、押え部材が電磁石と永久磁石の吸引力により、マスクをマスク保持部材に対して押し付ける。この時、電磁石に流す電流値を調整することにより、マスクの保持力をコントロールすることができる。   In addition, when the mask is fixed to the mask holding member by magnetic force, the mask can be strongly fixed to the mask holding member as compared with the conventional case where only a part of the mask is fixed by vacuum suction. . For example, when replacing the mask, the presser member is retracted upward so that the electromagnet and the permanent magnet repel each other. Then, after placing the mask on the mask holding member, the electromagnet and the permanent magnet are attracted to each other, and the pressing member presses the mask against the mask holding member by the attractive force of the electromagnet and the permanent magnet. At this time, the holding force of the mask can be controlled by adjusting the value of the current flowing through the electromagnet.

以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想としての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。   As mentioned above, although the Example of this invention was described, this invention is not limited to these Example, In the range which does not deviate from the summary as a technical idea of this invention shown by the claim Can be changed.

図1は、本発明の第1実施例にかかる投影露光装置の構成を示す概念図(正面図)である。FIG. 1 is a conceptual diagram (front view) showing the configuration of the projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、第1実施例の要部であるレチクルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図である。FIG. 2 is a front view with a partial cross section showing the configuration around the reticle stage, which is the main part of the first embodiment. 図3は、本発明の第2実施例の要部であるレチクルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図である。FIG. 3 is a front view with a partial cross section showing the configuration around the reticle stage, which is the main part of the second embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第3実施例の要部であるレチクルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図である。FIG. 4 is a front view with a partial cross section showing the structure around the reticle stage, which is the main part of the third embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第4実施例の要部であるレチクルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図である。FIG. 5 is a front view with a partial cross section showing the structure around the reticle stage, which is the main part of the fourth embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

12・・・レチクル
14・・・投影光学系
16・・・ウエハ
18,62,80・・・レチクルホルダ
20・・・レチクルステージ
30,56,70・・・アパーチャガラス
32・・・密閉空間
34,64・・・バキューム配管
36,66・・・バキュームソース
38・・・制御部
40・・・レンズコントローラ
54,68・・・隔壁
56・・・アパーチャガラス
58・・・第2密閉空間
60・・・バキューム配管
67・・・第1密閉空間
72・・・第2密閉空間
74・・・エア配管
76・・・レギュレータ
78・・・コンプレッサ
82a,82b・・・電磁石
84a,84b・・・ブロック
86a,86b・・・ヒンジ
88a,88b・・・レチクル押さえ部材
90a,90b・・・永久磁石
92a,92b・・・電流供給部
94・・・電流制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Reticle 14 ... Projection optical system 16 ... Wafer 18, 62, 80 ... Reticle holder 20 ... Reticle stage 30, 56, 70 ... Aperture glass 32 ... Sealed space 34 , 64 ... Vacuum piping 36, 66 ... Vacuum source 38 ... Control unit 40 ... Lens controller 54, 68 ... Partition wall 56 ... Aperture glass 58 ... Second sealed space 60 ..Vacuum piping 67 ... first sealed space 72 ... second sealed space 74 ... air piping 76 ... regulator 78 ... compressors 82a, 82b ... electromagnets 84a, 84b ... block 86a, 86b ... Hinges 88a, 88b ... Reticle holding members 90a, 90b ... Permanent magnets 92a, 92b ... Current supply unit 94 ... Current Control unit

Claims (11)

マスクと基板とを同期して相対移動させることにより、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に転写する走査型露光装置であって、
前記マスクを載置し、走査方向に移動可能なマスク保持部材と、
前記マスク保持部材に対して前記マスクを押し付ける押付け手段と、を備えたことを特徴とする走査型露光装置。
A scanning exposure apparatus that transfers a pattern formed on the mask to the substrate by relatively moving the mask and the substrate synchronously,
A mask holding member that mounts the mask and is movable in the scanning direction;
And a pressing unit that presses the mask against the mask holding member.
前記マスク保持手段と前記押付け手段とが設けられたマスクステージと、該マスクステージを前記走査方向に移動させる駆動手段と、を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a mask stage provided with the mask holding unit and the pressing unit; and a driving unit that moves the mask stage in the scanning direction. 前記押付け手段は、前記マスクのパターン形成面に対して垂直な方向から該マスクを押し付けることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the pressing unit presses the mask from a direction perpendicular to a pattern forming surface of the mask. 前記押付け手段は、前記走査方向に対して垂直な方向から該マスクを押し付けることを特徴とする請求項3に記載の走査型露光装置。   4. The scanning exposure apparatus according to claim 3, wherein the pressing means presses the mask from a direction perpendicular to the scanning direction. 前記マスクを前記マスク保持部材に対して吸着する吸着手段を更に備えることを特徴とする請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の走査型露光装置。   5. The scanning exposure apparatus according to claim 1, further comprising suction means for sucking the mask with respect to the mask holding member. 6. 前記マスクの上面と前記マスク保持部材との間に密閉空間を形成する密閉手段を更に備えたことを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか一項に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to claim 1, further comprising a sealing unit that forms a sealed space between an upper surface of the mask and the mask holding member. . 前記パターンを前記基板に転写するための投影光学系と、
前記マスクの撓みに起因する前記パターンの投影像の結像誤差を補正すべく前記投影光学系を調整する調整手段を更に備えたことを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか一項に記載の走査型露光装置。
A projection optical system for transferring the pattern to the substrate;
7. The apparatus according to claim 1, further comprising an adjusting unit that adjusts the projection optical system to correct an imaging error of a projection image of the pattern caused by the deflection of the mask. The scanning exposure apparatus according to one item.
前記押付け手段は、前記マスクの上面に対して接触、離脱可能に設けられた押圧部材を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか一項に記載の走査型露光装置。   5. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the pressing unit includes a pressing member provided so as to be able to contact and detach from the upper surface of the mask. 6. . 前記押付け手段は、磁力を用いたものであることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか一項または請求項8に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressing means uses a magnetic force. 前記押付け手段は、
前記マスクに対して接触、離脱可能に設けられた押圧部材と、
前記マスク保持部材に固定された電磁石と、
前記押圧部材に固定され、前記電磁石に対向して配置される永久磁石と、
前記マスクの前記マスク保持部材に対する固定及びその解除を行うように、前記電磁石の磁性を制御する制御手段と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の走査型露光装置。
The pressing means is
A pressing member provided so as to be able to contact and detach from the mask;
An electromagnet fixed to the mask holding member;
A permanent magnet fixed to the pressing member and disposed opposite the electromagnet;
The scanning exposure apparatus according to claim 9, further comprising a control unit that controls magnetism of the electromagnet so as to fix and release the mask with respect to the mask holding member.
前記押付け手段は、前記マスクを押し付ける押付け力をコントロール可能であることを特徴とする請求項1から請求項10のうちのいずれか一項に記載の走査型露光装置。   11. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the pressing unit can control a pressing force for pressing the mask. 11.
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