JP2005135232A - Ic tag - Google Patents

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義宏 今村
Naoki Sugimoto
直樹 杉本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC tag capable of transmitting/receiving data to/from the external and storing data updating history to be informed and having heat resistance. <P>SOLUTION: The IC tag is constituted so that an integrated circuit provided with a receiving circuit, a transmitting circuit, a storage circuit, and an operation circuit is sealed with glass or ceramics so as to transmit/receive signals to/from the external by electromagnetic waves or supersonic waves. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明はICタグに関し、より詳細には外部との送受信が可能で、さらに耐熱性を高めたICタグに関する。   The present invention relates to an IC tag, and more particularly to an IC tag that can be transmitted / received to / from the outside and further has improved heat resistance.

例えば、商品の流通状態、または課金システムの簡易化などを図るために、集積回路を搭載したICタグを商品などに装着することが行われつつあり、国内では「ユビキタスIDセンター」、米国ではマサチューセッツ工科大学(MIT)を中心とする「オートIDセンター」が規格化を進め、一部は実用化されている。また、最近では、アンテナコイルを備え、外部の受信装置との間で格納データの送受信を行う非接触ICタグが開発され、注目を集めている(例えば、特許文献1参照)。   For example, in order to simplify the distribution status of products or billing systems, IC tags equipped with integrated circuits are being attached to products, etc., and are “Ubiquitous ID Center” in Japan and Massachusetts in the United States. The “Auto ID Center” centering on the Technical University (MIT) is proceeding with standardization, and some of them are put into practical use. Recently, a non-contact IC tag that has an antenna coil and transmits / receives stored data to / from an external receiving device has been developed and attracts attention (for example, see Patent Document 1).

これらのICタグは、通常の商品流通環境で使用されることを想定してシリコンICで作製されており、パッケージも150℃程度まで耐久性のあるプラスティックが使用されている。また、ICタグに使われる配線材料も特に高温耐久性を要求されないため、価格や加工性などを考慮してアルミニウムが多用されている。しかし、アルミニウムは融点が660.2℃であるためアルミニウム自体の温度耐久性は自己拡散が起こる400℃付近までと考えられるが、実際にはそれよりも低温でシリコンとの相互拡散が起こると考えられ、数百℃の温度に晒される用途には使用できない。例えば、ガラス、プラスチックス、金属、セラミックス、ゴム、木材などの加工プロセスでは200℃以上の高温プロセスとなり、シリコンICやアルミニウム配線の耐熱温度を上回る。   These IC tags are made of silicon IC on the assumption that they are used in a normal product distribution environment, and the package is also made of a plastic that is durable up to about 150 ° C. In addition, since the wiring material used for the IC tag is not particularly required to have high temperature durability, aluminum is often used in consideration of the price and workability. However, since aluminum has a melting point of 660.2 ° C, the temperature durability of aluminum itself is considered to be around 400 ° C where self-diffusion occurs, but in fact, it is thought that interdiffusion with silicon occurs at a lower temperature than that, It cannot be used for applications exposed to temperatures of several hundred degrees Celsius. For example, processing processes such as glass, plastics, metals, ceramics, rubber, and wood are high-temperature processes of 200 ° C. or higher, exceeding the heat resistance temperature of silicon ICs and aluminum wiring.

そのため、このような高温の加工プロセスでは、従来では、ガラスの表面または処理装置の内壁にミクロン(株)から商品名「ヒートラベル」にて市販されている温度検知器を装着し、加工中の温度を検出することが行われている。この「ヒートラベル」は、温度によって変色する化学物質をアルミニウムなどの熱伝導のよい金属に塗布したものであり、着色によって到達最高温度を判定する機能を有する。しかし、最高温度しか検知できないため的確な加工条件を得るには情報不足であり、また使用後は剥がされ廃棄されるのが通常の使用法であるため、加工物とした後の経時変化を知ることができず、例えばリサイクル可能か否かを判定する基準にはならない。   Therefore, in such a high-temperature processing process, conventionally, a temperature detector commercially available from Micron Corporation under the trade name “Heat Label” is attached to the surface of the glass or the inner wall of the processing apparatus, The temperature is detected. This “heat label” is obtained by applying a chemical substance that changes color depending on temperature to a metal having good thermal conductivity such as aluminum, and has a function of determining the maximum temperature achieved by coloring. However, since only the maximum temperature can be detected, there is insufficient information to obtain accurate processing conditions, and after use, it is the usual usage that is peeled off and discarded, so know the change over time after making the workpiece. For example, it is not a criterion for determining whether or not recycling is possible.

また、スイス連邦共和国・ソキマット社製「ガラスタグ」は最高90℃での温度環境における塗装、化学洗浄工程の無線によるプロセスデータの読出し・書込みが可能なICタグである。このガラスタグはICチップをガラス被覆して構成されており、焼きつけ塗装の環境からの保護、または化学的に活性な液体からのICチップの保護、または高環境雰囲気ガスによる酸化などの劣化を防ぐことができる。そして、このガラスタグは、洗浄やエッチング工程において、洗浄液やエッチング液に浸漬し、洗浄液やエッチング液の劣化状況などを検知することに使用される。そのため、このガラスタグは被加工物に埋め込んで使用する形態ではなく、被加工物が実際に受ける作用を検知できない。また、加工物とした後の経時変化を知ることもできない。   The “Glass Tag” manufactured by Sokimat Co., Switzerland is an IC tag that can read and write process data wirelessly during painting and chemical cleaning in a temperature environment up to 90 ° C. This glass tag is constructed by coating the IC chip with glass, and it protects the environment from baking coating, protects the IC chip from chemically active liquids, or prevents deterioration such as oxidation due to high ambient gas. be able to. And this glass tag is immersed in a cleaning solution or an etching solution in a cleaning or etching process, and is used for detecting a deterioration state of the cleaning solution or the etching solution. For this reason, this glass tag is not used by being embedded in a workpiece, and the action that the workpiece is actually subjected to cannot be detected. In addition, it is not possible to know a change with time after making a processed product.

さらに、このガラスタグは、90℃で最長1000時間の耐久性とされるので、ガラス、セラミックス、金属、耐熱性プラスティク部品、木製部品の製造には使用できない。   Furthermore, since this glass tag is durable at 90 ° C. for up to 1000 hours, it cannot be used for manufacturing glass, ceramics, metal, heat-resistant plastic parts, and wooden parts.

特開2001−325572号公報JP 2001-325572 A

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、外部とのデータの送受信が可能で、さらにデータの更新履歴を知ることができ、耐熱性を有するICタグを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide an IC tag having heat resistance, capable of transmitting / receiving data to / from the outside, knowing a data update history, and the like. To do.

本発明は、受信用回路、送信用回路、記憶回路および演算回路を備える集積回路を、ガラスまたはセラミックスで封止してなり、電磁波または超音波により外部との信号の送受信を行うことを特徴とするICタグを提供する。
また、電磁波が光であり、光透過性のガラスまたはセラミックスで封止されている上記ICタグを提供する。
また、温度センサ、圧力センサ、磁界センサ、および元素または分子用のセンサの少なくとも1つを備える上記ICタグを提供する。
また、記憶回路が送受信されたデータの履歴を記憶する上記ICタグを提供する。
また、集積回路がシリコン、III-V族化合物化合物、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミ(AlN)、窒化錫(SnN)またはダイアモンドで形成されている上記ICタグを提供する。
また、集積回路の配線材料が、Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rhまたはこれら各金属を母材とする合金である上記ICタグを提供する。
さらに、各回路および各センサが酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)からなる耐熱保護膜で被われている上記ICタグを提供する。
The present invention is characterized in that an integrated circuit including a receiving circuit, a transmitting circuit, a memory circuit, and an arithmetic circuit is sealed with glass or ceramics, and signals are transmitted to and received from the outside by electromagnetic waves or ultrasonic waves. An IC tag is provided.
Further, the present invention provides the above IC tag in which the electromagnetic wave is light and is sealed with light-transmitting glass or ceramics.
Also provided is the IC tag including at least one of a temperature sensor, a pressure sensor, a magnetic field sensor, and an element or molecule sensor.
Further, the IC tag for storing a history of data transmitted and received by the storage circuit is provided.
The integrated circuit is formed of silicon, a III-V compound compound, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (AlN), tin nitride (SnN), or diamond. The IC tag is provided.
Also, the wiring material of the integrated circuit is Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rh, or an alloy based on these metals. The above IC tag is provided.
Furthermore, the IC tag is provided in which each circuit and each sensor are covered with a heat-resistant protective film made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon carbide (SiC), or gallium nitride (GaN).

本発明のICタグは、耐熱性に優れるため、従来では使用できなかった高温プロセス、例えばガラス部材、プラスティック部材、セラミックス部材、ゴム部材、木部材、金属部材を加工するプロセスにも十分に使用可能である。そして、これら被加工物が加工中に実際に被る温度、歪み、圧力、特定物質の濃度を検知し、その履歴データを記憶し、必要に応じて外部から非接触的に読み出せるだけでなく、プロセスの制御データを非接触的に書き込み、または消去することによって部材と加工装置の制御システムとの間でデータの授受を行ない、それにより被加工物の加工を最適条件で行うことが可能になる。また、加工が終了した後にも、加工物にICタグを内蔵させたままとし、加工物が適用された商品の流通管理も可能となる。   Since the IC tag of the present invention is excellent in heat resistance, it can be sufficiently used in high-temperature processes that could not be used conventionally, such as processes for processing glass members, plastic members, ceramic members, rubber members, wood members, and metal members. It is. And, the temperature, strain, pressure and specific substance concentration that these workpieces actually undergo during processing are detected, the history data is stored, and if necessary, not only can be read from the outside in a non-contact manner, By writing or erasing process control data in a non-contact manner, data can be exchanged between the member and the control system of the processing apparatus, so that the workpiece can be processed under optimum conditions. . Further, even after the processing is completed, the IC tag is kept in the processed product, and distribution management of the product to which the processed product is applied is also possible.

以下、本発明に関して詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明のICタグは、受信用回路、送信用回路、記憶回路および演算回路を備える集積回路を、ガラスまたはセラミックスで封止したものである。ガラスまたはセラミックスは透明でもよいし、不透明であってもよい。これら各回路は、封止材料であるガラスやセミックスとの熱膨張差が小さいことから、シリコン、III-V族化合物、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミ(AlN)、窒化錫(SnN)またはダイアモンドで形成されていることが好ましい。また、これら各回路は、石英基板やサファイア基板上に公知のホトリソ工程により形成される。   The IC tag of the present invention is obtained by sealing an integrated circuit including a receiving circuit, a transmitting circuit, a memory circuit, and an arithmetic circuit with glass or ceramics. Glass or ceramics may be transparent or opaque. Each of these circuits has a small difference in thermal expansion from glass or cement as a sealing material, so silicon, III-V compound, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), nitride It is preferably made of aluminum (AlN), tin nitride (SnN) or diamond. Each of these circuits is formed on a quartz substrate or sapphire substrate by a known photolithography process.

受信用回路および送信用回路は、外部との送受信を電磁波または超音波で行うように構成されている。これらの通信媒体は、ICタグの使用形態や装着される部材に応じて適宜選択される。例えば、窒化ガリウムで作られたICタグは、窒化ガリウムが波長400〜550nmの光でデータの送受信を行うものであるから、埋め込まれた状態でこの波長の光を吸収するプラスチックなどの加工には利用できない。このため、超音波での送受信を行う必要がある。   The reception circuit and the transmission circuit are configured to perform transmission and reception with the outside using electromagnetic waves or ultrasonic waves. These communication media are appropriately selected according to the usage form of the IC tag and the member to be mounted. For example, an IC tag made of gallium nitride transmits and receives data using light with a wavelength of 400 to 550 nm. For processing plastics that absorb light of this wavelength in an embedded state, Not available. For this reason, it is necessary to perform transmission and reception with ultrasonic waves.

電磁波としては、光あるいは周波数0.1〜10GHz帯の電波が使用される。   As the electromagnetic wave, light or a radio wave having a frequency of 0.1 to 10 GHz is used.

光を媒体とする場合、受信用回路および送信用回路には各種フォトダイオードを用いることができ、使用する光の波長に応じて適宜選択できるが、ガラスやセラミックスとの熱膨張率差が小さいIII-V族化合物半導体からなる各種フォトダイオードが好ましい。電磁波が光で、光透過性のガラスまたはセラミックスにより封止すると、信号の送受信が光で行えて好ましい。   When light is used as a medium, various photodiodes can be used for the receiving circuit and the transmitting circuit, and can be appropriately selected according to the wavelength of the light used, but the difference in thermal expansion coefficient from glass or ceramics is small. Various photodiodes made of a -V group compound semiconductor are preferable. It is preferable that the electromagnetic wave is light and sealed with light-transmitting glass or ceramics because signal transmission and reception can be performed with light.

また、電波を媒体とする場合は、受信用回路および送信用回路にはアンテナコイルを用いることができ、使用周波数に応じてアンテナ長やコイル幅などを適宜選択する。アンテナ材料は、耐熱性を考慮して、Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rhまたはこれら各金属を母材とする合金とすることが好ましい。   When radio waves are used as a medium, an antenna coil can be used for the reception circuit and the transmission circuit, and the antenna length, the coil width, and the like are appropriately selected according to the frequency used. The antenna material is Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rh or each of these metals as a base material in consideration of heat resistance. It is preferable to use an alloy.

また、超音波を媒体とする場合は、圧電セラミックを用いることができる。   In addition, when an ultrasonic wave is used as a medium, a piezoelectric ceramic can be used.

記憶回路には、ロット番号やプロセス制御に必要なデータが格納されている。また、本発明のICタグは、温度センサ、圧力センサ、磁界センサ、ガスまたは分子用センサの少なくとも1つを備えることが好ましく、記憶回路はこれら各センサが検出したデータを記憶する。   The storage circuit stores lot numbers and data necessary for process control. The IC tag of the present invention preferably includes at least one of a temperature sensor, a pressure sensor, a magnetic field sensor, a gas or molecular sensor, and the storage circuit stores data detected by each of these sensors.

また、記憶回路は、受信用回路および送信用回路を通じて外部との送受信を行ったデータの変更履歴を記憶する機能を有することが好ましい。   The storage circuit preferably has a function of storing a change history of data transmitted / received to / from the outside through the reception circuit and the transmission circuit.

なお、上記各センサは他の回路要素とともに集積化可能なものであれば制限がないが、例えば以下の構成とすることができる。圧力センサとしては、Ta抵抗体を用いることができる。このTa抵抗体は、伸び縮みすると電気抵抗が変化する性質があり、この電気抵抗の変化を電流(電圧)値の変化として検知できる。温度センサとしては、Pt-PtRhの薄膜熱伝対を用いることができる。磁界センサとしては、励磁コイルや、アモルファスワイヤ磁性体を構成体とする2個のヘッドをもつMI磁界差センサを用いることができる。元素または分子用センサは、検出するガスまたは分子に応じて適宜選択されるが、例えば固体電解質膜を用いることにより、水、酸素および水素の平衡式から水分と酸素濃度(酸素ポテンシャル)を検知できる。   The sensors are not limited as long as they can be integrated with other circuit elements, but can be configured as follows, for example. As the pressure sensor, a Ta resistor can be used. This Ta resistor has the property that the electrical resistance changes when it expands and contracts, and this change in electrical resistance can be detected as a change in current (voltage) value. As the temperature sensor, a thin film thermocouple of Pt—PtRh can be used. As the magnetic field sensor, an MI magnetic field difference sensor having two heads composed of an exciting coil or an amorphous wire magnetic body can be used. The element or molecule sensor is appropriately selected according to the gas or molecule to be detected. For example, by using a solid electrolyte membrane, moisture and oxygen concentration (oxygen potential) can be detected from an equilibrium equation of water, oxygen and hydrogen. .

その他にも、プロセスに応じて適宜センサを選択して用いることができ、例えば、ロジウム(Rh)抵抗体薄膜からなる歪みセンサを組み込むことができるが、これに制限されない。   In addition, a sensor can be appropriately selected and used according to the process. For example, a strain sensor made of a rhodium (Rh) resistor thin film can be incorporated, but the present invention is not limited thereto.

演算回路は、記憶回路内のデータおよび各種センサによる検出データを基に所定の演算を行い、送信用回路を通じて外部に演算結果を出力する。また、受信用回路で受信した外部からの信号を記憶回路に送り、データの書き換えを行う。   The arithmetic circuit performs a predetermined calculation based on data in the memory circuit and data detected by various sensors, and outputs the calculation result to the outside through the transmission circuit. In addition, an external signal received by the receiving circuit is sent to the memory circuit to rewrite data.

また、上記の受信用回路、送信用回路、記憶回路、演算回路および各種センサを接続する配線材料は、耐熱性を考慮して、Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rhまたはこれら各金属を母材とする合金とすることが好ましい。   In addition, considering the heat resistance, the wiring materials connecting the above receiving circuit, transmitting circuit, memory circuit, arithmetic circuit and various sensors are Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, It is preferable to use Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rh, or an alloy based on these metals.

上記の受信用回路、送信用回路、記憶回路、演算回路および各種センサは集積化され、ガラスまたはセラミックスで封止される。ガラスおよびセラミックスは、熱膨張係数が概ね800℃まで集積回路の形成材料と同などであるため、本発明のICタグは概ね200℃以上、1気圧以上または減圧下での高温加工工程に耐えられるようになる。なお、封止のためのガラス及びセラミックスの厚さには制限がなく、ICタグの寸法や用途などを考慮して適宜選択される。   The above receiving circuit, transmitting circuit, memory circuit, arithmetic circuit and various sensors are integrated and sealed with glass or ceramics. Since glass and ceramics have the same thermal expansion coefficient as that of integrated circuit materials up to about 800 ° C., the IC tag of the present invention can withstand high-temperature processing steps at about 200 ° C. or more, 1 atmosphere or more, or reduced pressure. It becomes like this. Note that the thickness of the glass and ceramics for sealing is not limited, and is appropriately selected in consideration of the dimensions and applications of the IC tag.

また、上記の封止に際し、耐熱性をさらに向上させるために、受信用回路、送信用回路、記憶回路、演算回路および各種センサを酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)からなる耐熱保護膜で被覆し、その上をガラスまたはセラミックスで封止することが好ましい。耐熱保護膜による被覆は、公知の蒸着方法(例えばスパッタリング)により行うことができる。また、耐熱保護膜の膜厚には制限はないが、0.01〜1μmが適当である。   In order to further improve the heat resistance in the above sealing, the receiving circuit, transmitting circuit, memory circuit, arithmetic circuit and various sensors are made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon carbide (SiC). ), And a heat-resistant protective film made of gallium nitride (GaN), and the top is preferably sealed with glass or ceramics. The coating with the heat-resistant protective film can be performed by a known vapor deposition method (for example, sputtering). Moreover, although there is no restriction | limiting in the film thickness of a heat-resistant protective film, 0.01-1 micrometer is suitable.

本発明のICタグは上記のように構成されるが、その具体的な実施形態として、フロート法によるガラス板の製造および自動車用窓ガラスの製造に適用する例を示す。   The IC tag of the present invention is configured as described above. As a specific embodiment thereof, an example applied to manufacture of a glass plate by a float method and manufacture of a window glass for an automobile will be shown.

受信用回路および送信用回路としてGaN発光ダイオードを用い、記憶回路、演算回路の全てをシリコン製としてサファイア単結晶基板の上に集積化し、さらに圧力センサとしてTa抵抗体、温度センサとしてPt-PtRhの薄膜熱電対および酸素センサとして酸化カルシウムで安定化したジルコニア薄膜を組み込んで集積化し、記憶回路および演算回路の表面を厚さ0.1μmのGaNで覆いICチップを作製する。また、配線材料はMoとする。そして、旭硝子(株)製ガラス(カタログ番号ASF1700)からなる厚さ約100μmで4mm平方の2枚のガラス板でICチップを挟み込み、溶融して封止する。得られたICタグは、封入ガラスを含めて最大厚さ320μmである。ICタグは、ステンレス製で、先端の開口からICタグを一個ずつ押出す構成のカートリッジに収容され、ガラス板の製造工程に供される。   GaN light-emitting diodes are used as receiving circuits and transmitting circuits, and all of the memory circuits and arithmetic circuits are made of silicon and integrated on a sapphire single crystal substrate. Furthermore, Ta resistors as pressure sensors and Pt-PtRh as temperature sensors As a thin film thermocouple and an oxygen sensor, a zirconia thin film stabilized with calcium oxide is incorporated and integrated, and the surfaces of the memory circuit and the arithmetic circuit are covered with GaN having a thickness of 0.1 μm to produce an IC chip. The wiring material is Mo. Then, the IC chip is sandwiched between two glass plates each having a thickness of about 100 μm and 4 mm square made of glass manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. (catalog number ASF1700), and melted and sealed. The obtained IC tag has a maximum thickness of 320 μm including the encapsulated glass. The IC tag is made of stainless steel, accommodated in a cartridge configured to extrude the IC tags one by one from the opening at the tip, and used for the glass plate manufacturing process.

ガラス板の製造に際し、先ず、針状の圧痕子を溶融状態にあるガラス板表面に押し当て急に引き上げる。これにより、ガラス板の表面の圧痕子と接触した部分の外周が僅かに盛り上がり、凹部が形成される。次いで、カートリッジの先端を凹部に接近させ、先端の開口からICタグを押出し、この凹部に入れる。その後、ローラーで平坦にする過程で自動的にICタグがガラス表面近傍に埋設される。   When manufacturing a glass plate, first, a needle-shaped indenter is pressed against the surface of the glass plate in a molten state and pulled up suddenly. Thereby, the outer periphery of the part which contacted the indenter on the surface of the glass plate raised slightly, and a recessed part is formed. Next, the tip of the cartridge is brought close to the recess, the IC tag is pushed out from the opening at the tip, and is put into this recess. Thereafter, the IC tag is automatically embedded in the vicinity of the glass surface in the process of flattening with a roller.

ここで、フロート法によるガラス板は通常、冷却・裁断した後、表面が研磨されるため、研磨シロを見越した埋めこみ深さにしておく必要がある。また、用途により、寸法および厚さも異なる。そのため、ガラス板にICタグの埋め込むときは、これらを考慮してガラスの粘度、圧痕子の押し込み量、ローラーの押圧などを適宜調整して行う。   Here, since the glass plate by the float method is usually cooled and cut and then the surface is polished, it is necessary to make the embedding depth in anticipation of the polishing white. Moreover, a dimension and thickness differ also with an application. Therefore, when the IC tag is embedded in the glass plate, the viscosity of the glass, the pressing amount of the indenter, the pressing of the roller, and the like are appropriately adjusted in consideration of these.

また、次の方法によっても、ICタグをガラス板に埋めこむことができる。上記のカートリッジからICタグを溶融状態にあるガラス板表面に供給して載置し、その直後にガラス板と同一組成の薄いカバーガラス板(100μm程度)でICタグを被う。このカバーガラスは、高温雰囲気と、ガラス板と組成が同じであるためICタグを挟み込んだ状態でガラス板と接合する。そして、ローラーで平坦にする過程で自動的に、ローラーで抑え込まれてICタグがガラス表面近傍に埋設される。   Also, the IC tag can be embedded in the glass plate by the following method. The IC tag is supplied from the cartridge to the molten glass plate surface and placed, and immediately thereafter, the IC tag is covered with a thin cover glass plate (about 100 μm) having the same composition as the glass plate. Since this cover glass has the same composition as the glass plate at a high temperature, it is bonded to the glass plate with the IC tag sandwiched therebetween. And in the process of flattening with a roller, it is automatically suppressed by the roller and the IC tag is embedded in the vicinity of the glass surface.

一方で、延伸装置側には、ICタグとの送受信を行うために、ICタグの送信用回路および受信用回路に応じて、光、電波または超音波の送信および受信が可能な送信装置および受信装置、この例ではGaN発光ダイオードを備える送信装置および受信装置を装着する。   On the other hand, in order to perform transmission / reception with the IC tag, the stretching device side can transmit and receive light, radio waves or ultrasonic waves according to the transmission circuit and reception circuit of the IC tag, and reception. A device, in this example a transmitter device and a receiver device comprising a GaN light emitting diode, is mounted.

フロート法によるガラス板の製造では、ガラス板のレア-(徐冷炉)における冷却過程で圧縮応力を受ける、すなわちICタグを覆っているガラス母材から圧縮力を受けるため、ICタグには歪みが発生する。このときの圧縮力をICタグに組み込んだ圧力センサで検知し、検知した実際の圧力をGaN発光ダイオードから延伸装置に送り、延伸装置ではそれに応じて最適な延伸プロセスに調整することが可能になる。   In the production of glass plates by the float process, the IC tags are distorted because they are subjected to compressive stress during the cooling process in the rare (slow cooling furnace) of the glass plates, that is, the glass base material covering the IC tags is subjected to compressive force. To do. The compression force at this time is detected by a pressure sensor incorporated in the IC tag, and the detected actual pressure can be sent from the GaN light emitting diode to the stretching device, and the stretching device can be adjusted to an optimum stretching process accordingly. .

具体的には、歪みによる伸び縮みにより圧力センサであるTa抵抗体の電気抵抗が変化し、それに伴う電流(電圧)値の変化量をAD変換回路でデジタル信号に変換し、そのデータを記憶回路に送る。このときの歪みの大きさ(電気抵抗値)が記憶回路にデフォルト値として記憶されている規定の歪み範囲(抵抗値)に近づくと、ICタグの演算回路の微分制御機能が作動し、警報信号がICタグのGaN発光ダイオードから発信される。そして、延伸装置では、徐冷速度を遅くするために温度を上昇させるか、ガラス板の移動速度を落とすように徐冷装置を制御する。   Specifically, the electrical resistance of the Ta resistor, which is a pressure sensor, changes due to expansion and contraction due to strain, and the amount of change in the current (voltage) value associated therewith is converted to a digital signal by an AD conversion circuit, and the data is stored Send to. When the magnitude of the distortion (electric resistance value) at this time approaches the specified distortion range (resistance value) stored as a default value in the memory circuit, the differential control function of the IC tag arithmetic circuit is activated and an alarm signal is generated. Is transmitted from the GaN light emitting diode of the IC tag. And in an extending | stretching apparatus, in order to slow down a slow cooling rate, temperature is raised or a slow cooling apparatus is controlled so that the moving speed of a glass plate may be reduced.

また、ICタグの温度センサによりガラス板の実際の温度を同時に検知し、そのデータを延伸装置に送信し、延伸装置側では予め設定したガラス温度となるように、徐冷炉を制御する。   Further, the actual temperature of the glass plate is simultaneously detected by the temperature sensor of the IC tag, the data is transmitted to the stretching apparatus, and the slow cooling furnace is controlled so that the stretching apparatus side has a preset glass temperature.

さらに、酸素センサにより、ガラス中の酸素濃度を同時に検出し、そのデータを延伸装置に送信し、延伸装置側では予め設定した酸素温度となるように、雰囲気を制御する。   Further, the oxygen sensor simultaneously detects the oxygen concentration in the glass, transmits the data to the stretching apparatus, and the stretching apparatus side controls the atmosphere so that the oxygen temperature is set in advance.

このように、ICタグにより検知した実際の圧力やガラス温度、酸素濃度に基づいて最適な加工条件でガラス板の延伸が行われるため、得られるガラス板は特性に優れたものとなる。   Thus, since the glass plate is stretched under optimum processing conditions based on the actual pressure, glass temperature, and oxygen concentration detected by the IC tag, the obtained glass plate has excellent characteristics.

次いで、上記のガラス板から2枚の自動車用窓ガラス板を切り出し、透明接着剤で接合する。この接合工程では、2枚のガラス板の隙間に透明接着剤を注入し、加圧炉の中で熱圧縮して合わせガラスとして一体化される。2枚のガラス板それぞれにICタグが埋めこまれており、延伸工程における温度履歴、歪みのデータが記憶されているので、加圧炉の加圧工程で発生する歪みの変化がさらにデータとして追加されるだけでなく、接合後の残留歪みも記憶される。この接合加工が終了し、設計にそった彎曲面をもつ窓ガラスは、自動車の枠にはめ込まれるが、このとき窓ガラスのはめ込み条件を上記で得られたデータを基に最適条件で行うことができる。   Next, two automotive window glass plates are cut out from the glass plate and joined with a transparent adhesive. In this joining step, a transparent adhesive is injected into the gap between the two glass plates, and is thermally compressed in a pressure furnace to be integrated as a laminated glass. IC tags are embedded in each of the two glass plates, and temperature history and strain data in the stretching process are stored, so additional changes in strain generated during the pressurizing process of the pressurizing furnace are added as data. In addition, the residual strain after bonding is also stored. After this joining process is completed, the window glass with a curved surface conforming to the design is fitted into the frame of the automobile. At this time, the window glass fitting conditions can be performed under the optimum conditions based on the data obtained above. it can.

また、ICタグを窓ガラスに埋設しておくことにより、経時変化を示すデータを収集することができるようになる。従って、例えば、車検時など定期的にそのデータを読み込むことにより、未然に破損などを防ぐことが可能となる。さらに、廃棄またはリサイクルを検討する状況になったとき、残留歪みデータは再利用の可能性を判断する目安となる。   In addition, by burying the IC tag in the window glass, data indicating changes with time can be collected. Therefore, for example, it is possible to prevent damage or the like by reading the data periodically, such as at the time of vehicle inspection. Furthermore, when it becomes a situation to consider disposal or recycling, the residual strain data can be used as a guideline for judging the possibility of reuse.

Claims (7)

受信用回路、送信用回路、記憶回路および演算回路を備える集積回路を、ガラスまたはセラミックスで封止してなり、電磁波または超音波により外部との信号の送受信を行うことを特徴とするICタグ。   An IC tag, wherein an integrated circuit including a receiving circuit, a transmitting circuit, a memory circuit, and an arithmetic circuit is sealed with glass or ceramics, and signals are transmitted to and received from the outside by electromagnetic waves or ultrasonic waves. 電磁波が光であり、光透過性のガラスまたはセラミックスにより封止されている請求項1記載のICタグ。   2. The IC tag according to claim 1, wherein the electromagnetic wave is light and is sealed with light-transmitting glass or ceramics. 温度センサ、圧力センサ、磁界センサ、および元素または分子用のセンサの少なくとも1つを備える請求項1または2に記載のICタグ。   The IC tag according to claim 1 or 2, comprising at least one of a temperature sensor, a pressure sensor, a magnetic field sensor, and an element or molecule sensor. 記憶回路が送受信されたデータの履歴を記憶する請求項1〜3の何れか1項に記載のICタグ。   The IC tag according to claim 1, wherein the storage circuit stores a history of data transmitted and received. 集積回路がシリコン、III-V族化合物半導体、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミ(AlN)、窒化錫(SnN)またはダイアモンドで形成されている請求項1〜4の何れか1項に記載のICタグ。   The integrated circuit is formed of silicon, III-V compound semiconductor, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (AlN), tin nitride (SnN), or diamond. The IC tag according to any one of 1 to 4. 集積回路の配線材料が、Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rhまたはこれら各金属を母材とする合金である請求項1〜5の何れか1項に記載のICタグ。   Wiring materials for integrated circuits are Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Nb, Mo, Tc, Ru, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Rh, or alloys based on these metals. The IC tag according to any one of claims 1 to 5. 各回路および各センサが酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)からなる耐熱保護膜で被われている請求項3〜6の何れか1項に記載のICタグ。   Each circuit and each sensor are covered with a heat-resistant protective film made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon carbide (SiC), or gallium nitride (GaN). The IC tag described.
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