JP2005108934A - Aligner and exposure method - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide aligner or the like which is equipped with blind (proximity blind), capable of restraining generation of contamination from blind drive mechanism. <P>SOLUTION: Blind mechanism 30 is fixed to a reticle stage 3 and is provided with two Y-direction blind boards 31 movable to scanning direction (Y direction) of exposure region CP, and two X-direction blind boards 33 movable to direction (X direction) which intersects perpendicularly the scanning direction. Each of the blind boards is driven by drive mechanism 41, 43 so that shadow of each edge settled in pin hole defect-free region PFA. During exposure, the blind mechanism 30 moves together with the reticle stage 3, while being fixed to the reticle 2, so that generation of contamination from the driving mechanism 41, 43 can be prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、EUV光(Extreme Ultra Violet光、 極端紫外光)や紫外光レーザ、荷電粒子線等のエネルギ線を用いる露光装置及び露光方法に関する。特には、原版のパターン領域を画するためのプロキシミティブラインド機構を備えた露光装置等に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method using energy rays such as EUV light (Extreme Ultra Violet light, extreme ultraviolet light), an ultraviolet laser, and a charged particle beam. In particular, the present invention relates to an exposure apparatus equipped with a proximity blind mechanism for drawing a pattern area of an original.

EUV露光装置を例にとって説明する。
EUV露光装置の照明光学系と投影光学系は、反射ミラーからなる光学素子で構成されている。例えば、Mo/Si多層膜がコートされた反射ミラーにおいては、EUV光の垂直反射率は最大でも70%である。照明光学系を構成するミラーとして使用が検討されている斜入射ミラーにおいては、反射率が80〜90%と想定されている。照明光学系や投影光学系には、複数枚(例えば、投影光学系においては4枚、6枚又は8枚)のミラーが使用されており、反射率の高い斜入射ミラーを使用した場合でも、光学系全体の反射率はかなり低くなってしまう。
このため、照明光学系や投影光学系に用いられる反射ミラーの枚数を極力少なくすることが要求されている。
An EUV exposure apparatus will be described as an example.
The illumination optical system and the projection optical system of the EUV exposure apparatus are composed of optical elements composed of reflection mirrors. For example, in a reflection mirror coated with a Mo / Si multilayer film, the vertical reflectance of EUV light is 70% at the maximum. In an oblique incidence mirror that is being considered for use as a mirror constituting an illumination optical system, the reflectance is assumed to be 80 to 90%. In the illumination optical system and the projection optical system, a plurality of mirrors (for example, 4, 6, or 8 in the projection optical system) are used, and even when an oblique incidence mirror having a high reflectance is used, The reflectivity of the entire optical system becomes considerably low.
For this reason, it is required to minimize the number of reflection mirrors used in the illumination optical system and the projection optical system.

ところで、露光装置には、照明光がレチクル上のパターン領域外に当たることを防ぐために、ブラインド機構が設けられている。レチクル上のパターン領域外の部分は吸収膜で覆われており、理想的には照明光を反射しない部分であるが、吸収膜にはピンホール欠陥等が存在する場合がある。照明光がこのような欠陥に当たると、その欠陥で照明光が反射し、投影光学系を通ってウェハまで導かれ、ウェハ上で欠陥パターンとして転写されることがある。このような現象を“かぶり”と呼んでいる。このかぶりを防止するため、ブラインド機構によって原版の露光領域を制限(露光領域外をブラインドで覆う又は隠す)し、照明光がパターン領域外に当たることを防いでいる。   By the way, the exposure apparatus is provided with a blind mechanism in order to prevent illumination light from hitting outside the pattern area on the reticle. The portion outside the pattern region on the reticle is covered with an absorption film, and ideally is a portion that does not reflect illumination light, but there may be pinhole defects or the like in the absorption film. When the illumination light hits such a defect, the illumination light may be reflected by the defect, guided to the wafer through the projection optical system, and transferred as a defect pattern on the wafer. This phenomenon is called “fogging”. In order to prevent this fogging, the exposure area of the original is limited (covering or hiding the outside of the exposure area with a blind) by a blind mechanism to prevent the illumination light from hitting outside the pattern area.

上述のように、レチクルのパターン領域の周囲には、ピンホール欠陥が存在しないことが保証された領域(ピンホール欠陥フリー領域)が設けられている。同領域には、従来の光露光機では露光光を通さず、EUV露光機ではEUV光を反射しないような膜が形成されている。この領域内にピンホール欠陥がないことを保証するには、同領域内を慎重に検査する必要があり、欠陥が見つかった場合は修正する必要がある。このような検査や修正作業を考慮すると、同領域の寸法は小さい方が好ましい。当然、ピンホール欠陥フリー領域を広くすると、レチクル作製コストが高くなる。   As described above, an area (pinhole defect free area) in which no pinhole defect is guaranteed is provided around the pattern area of the reticle. In this region, a film that does not allow exposure light to pass through with a conventional light exposure machine and does not reflect EUV light with an EUV exposure machine is formed. In order to ensure that there are no pinhole defects in this area, it is necessary to carefully inspect the area and correct any defects found. In consideration of such inspection and correction work, it is preferable that the size of the region is small. Naturally, if the pinhole defect free region is widened, the cost of reticle fabrication increases.

露光装置のブラインド機構の代表例について説明する。
現在主流の光露光機(露光光としてi線、KrF、ArFなどを使用)では、一般に照明光学系の途中にレチクル面と光学的に共役な面、すなわち中間結像面を設けて、同面にブラインド機構を配置している。ブラインド機構は、照明ビーム(照明光束)の外形を決定する固定ブラインドと、レチクル上の露光領域を制限する可動式、又は、走査型の可動ブラインドから構成される。
A typical example of the blind mechanism of the exposure apparatus will be described.
In mainstream light exposure machines (using i-line, KrF, ArF, etc. as exposure light), generally a surface optically conjugate with the reticle surface, that is, an intermediate imaging surface is provided in the middle of the illumination optical system. The blind mechanism is arranged in The blind mechanism includes a fixed blind that determines the outer shape of the illumination beam (illumination beam) and a movable or scanning movable blind that limits the exposure area on the reticle.

固定ブラインドは、レチクルに照射される照明ビームの形状を決定するためのものである。照明ビームの短手方向の長さ(露光走査方向の幅)を事前に調整することにより、ダイナミック照度均一性を得ることができる。   The fixed blind is for determining the shape of the illumination beam irradiated on the reticle. Dynamic illuminance uniformity can be obtained by adjusting in advance the length of the illumination beam in the short direction (width in the exposure scanning direction).

可動ブラインドは、レチクルのパターン領域に応じ、あるいは、使用するレチクルの露光領域の寸法が変わるのに応じて動けるようになっている。スキャン露光の場合の典型的な可動ブラインドは、非走査方向(走査方向と直交する方向、X方向)に可動の2枚のX方向ブラインド部材と、走査方向(Y方向)にレチクルと同期して移動する2枚のY方向ブラインド部材とから構成される。   The movable blind can be moved in accordance with the pattern area of the reticle or as the dimension of the exposure area of the reticle to be used changes. A typical movable blind in the case of scanning exposure is synchronized with a reticle in the X direction and two X direction blind members that are movable in the non-scanning direction (direction orthogonal to the scanning direction, X direction). It consists of two Y-direction blind members that move.

X方向ブラインド部材は、各種のレチクルの露光領域の寸法(幅)に応じて、レチクル交換時にレチクルに対して相対的に移動する。そして、露光領域の外側のピンホール欠陥フリー領域内にブラインド部材のエッジの影が収まるように位置が調整される。X方向ブラインド部材は、露光に使用するレチクルの露光領域の寸法に合わせていったん位置を決めると、他のレチクルに交換するまで移動しない。
Y方向ブラインド部材も、ピンホール欠陥フリー領域にブラインド部材のエッジの影が収まるように位置が調整される。Y方向ブラインド部材は、レチクルの動きに同期して移動する。
このような可動ブラインドを設けることにより、ピンホール欠陥フリー領域を必要最小限の大きさにしている。
The X-direction blind member moves relative to the reticle when exchanging the reticle in accordance with the size (width) of the exposure area of various reticles. Then, the position is adjusted so that the shadow of the edge of the blind member falls within the pinhole defect free area outside the exposure area. Once the position of the X-direction blind member is determined in accordance with the size of the exposure area of the reticle used for exposure, the X-direction blind member does not move until it is replaced with another reticle.
The position of the Y-direction blind member is also adjusted so that the shadow of the edge of the blind member falls within the pinhole defect free region. The Y-direction blind member moves in synchronization with the movement of the reticle.
By providing such a movable blind, the pinhole defect free area is made the minimum necessary size.

特開平11−219900号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-219900

EUV露光機において、従来の光露光機と同様のブラインド機構を設けようとすると、照明光学系中にレチクルと共役な面を作るために、最少限のミラー構成に対して少なくとも3枚のミラーを追加する必要がある。このようにミラーを追加すると、光学系全体の反射率がさらに低下し、スループットを大幅に低下させてしまう。このため、EUV露光機に、光露光機と同様の中間結像点設置式のブラインド機構を設けることは現実的ではない。   In an EUV exposure machine, if a blind mechanism similar to that of a conventional light exposure machine is to be provided, at least three mirrors are required for the minimum mirror configuration in order to create a plane conjugate with the reticle in the illumination optical system. Need to add. If a mirror is added in this way, the reflectivity of the entire optical system is further reduced, and the throughput is greatly reduced. For this reason, it is not realistic to provide an EUV exposure machine with an intermediate imaging point installation type blind mechanism similar to the light exposure machine.

そこで、ブラインド機構として、露光装置のレチクル近傍に配置できるプロキシミティブラインドを採用することが有望とされている(例えば、特許文献1参照)。このプロキシミティブラインドは、投影光学系に対して固定された固定式のブラインドと、レチクルの移動や寸法替えに応じて移動する可動式のブラインドがある。可動式のブラインドをレチクルと同期して走査させると、ブラインドを駆動するための駆動系からの異物が発生しやすくなる。ブラインドはレチクルに近接して配置されており、また、EUV露光用のレチクルには、光露光用のレチクルのようなパターン面を保護するペリクルが存在しない。このようなことにより異物がレチクルに付着しやすくなる。レチクルに異物が付着すると、パターン転写欠陥等が生じるおそれがあるため、異物の発生を極力低減する必要がある。   Accordingly, it is considered promising to adopt a proximity blind that can be arranged near the reticle of the exposure apparatus as the blind mechanism (see, for example, Patent Document 1). This proximity blind includes a fixed blind fixed with respect to the projection optical system and a movable blind that moves in accordance with the movement and dimension change of the reticle. When the movable blind is scanned in synchronization with the reticle, foreign matter from the drive system for driving the blind tends to be generated. The blinds are arranged in close proximity to the reticle, and the reticle for EUV exposure does not have a pellicle that protects the pattern surface like the reticle for optical exposure. This makes it easier for foreign matter to adhere to the reticle. If foreign matter adheres to the reticle, pattern transfer defects or the like may occur. Therefore, it is necessary to reduce the generation of foreign matter as much as possible.

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、ブラインド駆動機構からの異物の発生を抑制できるブラインド(プロキシミティブラインド)を備えた露光装置等を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an exposure apparatus provided with a blind (proximity blind) capable of suppressing the generation of foreign matter from the blind drive mechanism.

上記の問題点を解決するため、本発明の第1の露光装置は、 感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、 前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、 前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、 前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、 前記マスク上の露光領域を制限する、前記マスクステージに搭載された可動式のブラインドを有することを特徴とする。
本発明においては、 露光中は前記ブラインドが前記マスクに対して固定されたまま前記マスクステージとともに移動することとできる。
In order to solve the above problems, a first exposure apparatus of the present invention includes a mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is mounted on a sensitive substrate; An exposure apparatus comprising: a sensitive substrate stage that is mounted and moved; and an exposure optical system that transfers the pattern, wherein the exposure is performed while scanning the mask and the sensitive substrate with respect to the optical system. And a movable blind mounted on the mask stage for limiting the exposure area.
In the present invention, the blind can be moved together with the mask stage while being fixed to the mask during exposure.

露光中にブラインドは移動しないため、ブラインド駆動系からの異物の発生を防ぐことができる。また、露光中は、照明ビームは、予めブラインド機構で制限された露光領域をスキャンするため、照明ビームはピンホールが存在するおそれのあるような領域を照射せず、不適正露光が生じない。また、露光領域の大きさに合わせてブラインドを移動させるので、露光領域の大きさが異なる種々のマスクに対応できる。   Since the blind does not move during exposure, the generation of foreign matter from the blind drive system can be prevented. Further, during exposure, the illumination beam scans an exposure area previously limited by a blind mechanism, so that the illumination beam does not irradiate an area where a pinhole may exist, and improper exposure does not occur. Further, since the blind is moved in accordance with the size of the exposure area, it is possible to deal with various masks having different exposure area sizes.

本発明においては、 前記ブラインドが、 前記露光領域の走査方向(Y方向)に可動な2枚のY方向ブラインド板と、 前記露光領域の走査方向と直交する方向(X方向)に可動な2枚のX方向ブラインド板と、 前記Y方向ブラインド板を駆動する機構と、 前記X方向ブラインド板を駆動する機構と、を備えることにより、種々の大きさの露光領域のY方向両端縁とX方向両端縁とを画することができる。   In the present invention, the blinds are two Y-direction blind plates movable in the scanning direction (Y direction) of the exposure area, and two sheets movable in a direction (X direction) orthogonal to the scanning direction of the exposure area. X-direction blind plate, a mechanism for driving the Y-direction blind plate, and a mechanism for driving the X-direction blind plate, whereby both Y-direction end edges and X-direction end edges of exposure regions of various sizes are provided. A border can be drawn.

本発明においては、 前記マスクステージ上において、 前記Y方向ブラインド板とX方向ブラインド板は一部が重なって配置され、 前記Y方向ブラインド板駆動機構とX方向ブラインド板駆動機構は重ならずに配置されていることとすれば、両ブラインド板を干渉させずに駆動できる。また、両ブラインド板を比較的近い位置に(光軸方向のほぼ同じ高さ位置に)配置できるので、光学的性能の観点から好ましい。   In the present invention, on the mask stage, the Y-direction blind plate and the X-direction blind plate are partially overlapped, and the Y-direction blind plate drive mechanism and the X-direction blind plate drive mechanism are not overlapped. If this is done, the two blind plates can be driven without causing interference. Further, both blind plates can be arranged at relatively close positions (at substantially the same height position in the optical axis direction), which is preferable from the viewpoint of optical performance.

本発明の第2の露光装置は、 感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、 前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、 前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、 前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、 前記マスクの露光領域を制限する開口が設けられた、前記マスクステージに取り付け及び取り外し可能なブラインドを有することを特徴とする。   A second exposure apparatus of the present invention includes a mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is transferred on a sensitive substrate, a sensitive substrate stage that moves by mounting the sensitive substrate, An exposure optical system for transferring the pattern, and exposing the optical system while scanning the mask and a sensitive substrate with respect to the optical system, wherein an opening for limiting an exposure area of the mask is provided. In addition, a blind that can be attached to and detached from the mask stage is provided.

ブラインドにマスクの露光領域の寸法に合わせた寸法の開口を予め設けておくことにより、つまり、ブラインドをマスクに合わせてオーダーメードしておくことにより、露光時に露光領域を制限するためのブラインドの移動を行う必要がない。また、ブラインドをマスクステージに取り付け取り外し可能とすれば、マスクに設けられたアライメントマーク等を使用したマスクの位置決めなどの露光前作業を行う際に、ブラインドが邪魔になることがない。なお、ブラインドの取り付け取り外しには、マスクを搬送する搬送ロボットを使用できる。   Moving the blind to limit the exposure area at the time of exposure by providing an opening in the blind that matches the size of the exposure area of the mask, that is, by making the blind tailored to the mask. There is no need to do. Further, if the blind can be attached to and removed from the mask stage, the blind will not be an obstacle when performing pre-exposure operations such as mask positioning using alignment marks provided on the mask. Note that a transfer robot that transfers the mask can be used to attach and remove the blinds.

本発明の第3の露光装置は、 感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、 前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、 前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、 前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、 前記マスクに、該マスク上の露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドが固定されていることを特徴とする。
本発明においては、 前記ブラインドは、前記マスクに形成された、該マスクの位置決めや識別等を行うためのマーク(アライメントマーク、識別IDマーク等)の部分を覆っていないことが好ましい。
A third exposure apparatus of the present invention includes a mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is mounted on a sensitive substrate, a sensitive substrate stage that moves by mounting the sensitive substrate, An exposure optical system for transferring the pattern, and exposing the optical system while scanning the mask and a sensitive substrate with respect to the optical system, wherein the exposure area on the mask is limited to the mask. The mask-specific blind provided with an opening is fixed.
In the present invention, the blind preferably does not cover a portion of a mark (alignment mark, identification ID mark, etc.) formed on the mask for positioning or identifying the mask.

この例においても、露光時に露光領域を制限するためのブラインドの移動を行う必要がない。また、マスクの位置決めや識別等を行うためのマークをブラインドから露出させておけば、ブラインドが固定されたマスクをマスクステージに載置した後で、マスクの位置決め等の露光前作業を行うことができる。   In this example as well, it is not necessary to move the blind to limit the exposure area during exposure. In addition, if marks for positioning and identifying the mask are exposed from the blinds, pre-exposure operations such as mask positioning can be performed after the mask on which the blinds are fixed is placed on the mask stage. it can.

本発明の第1の露光方法は、 感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、 前記マスクの前記マスクステージへの位置決め等の露光前操作を行った後、該マスク上の露光領域を前記マスクステージに搭載された可動式のブラインドによって制限し、その後に露光することを特徴とする。   The first exposure method of the present invention is a method in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and exposure is performed while scanning a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate. And after performing pre-exposure operations such as positioning of the mask on the mask stage, the exposure area on the mask is limited by a movable blind mounted on the mask stage, and then exposure is performed. Features.

本発明の第2の露光方法は、 感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、 前記マスクの前記マスクステージへの位置決め等の露光前操作を行った後、該マスクの露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドを該マスクに装着し、その後に露光することを特徴とする。   The second exposure method of the present invention is a method in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and exposure is performed while scanning a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate. After performing pre-exposure operations such as positioning of the mask on the mask stage, the mask-specific blind provided with an opening for limiting the exposure area of the mask is mounted on the mask, and thereafter It is characterized by exposing.

本発明の第3の露光方法は、 感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、 前記マスクに、該マスク上の露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドを固定した状態で露光することを特徴とする。   The third exposure method of the present invention is a method in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and exposure is performed while scanning a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate. The mask is exposed in a state where a mask-specific blind provided with an opening for limiting an exposure region on the mask is fixed.

以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ブラインドをレチクルステージもしくはレチクルに固定しているため、レチクルの露光中に、レチクルステージとともに移動し、ブラインド部材は駆動しない。このため、ブラインド駆動系からの異物の発生を防ぐことができる。   As is apparent from the above description, according to the present invention, since the blind is fixed to the reticle stage or the reticle, it moves together with the reticle stage during exposure of the reticle, and the blind member is not driven. For this reason, generation | occurrence | production of the foreign material from a blind drive system can be prevented.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
まず、EUV露光装置の一例について説明する。
図3は、本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。
EUV露光装置は、光源を含む照明系ILを備えている。照明系ILから放射されたEUV光(一般に5〜20nmの波長の光が用いられ、具体的には、13.5nmの波長の光が使用される)は、折り返しミラー1で反射してレチクル(マスク)2に照射される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, an example of an EUV exposure apparatus will be described.
FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV exposure apparatus (four-projection system) according to the embodiment of the present invention.
The EUV exposure apparatus includes an illumination system IL including a light source. EUV light radiated from the illumination system IL (generally, light having a wavelength of 5 to 20 nm is used, specifically, light having a wavelength of 13.5 nm is used) is reflected by the folding mirror 1 to be reticle ( (Mask) 2 is irradiated.

反射型レチクル2は、パターン面を重力方向下側に向けた状態で、レチクルステージ(マスクステージ)3に吸着保持されている。このレチクルステージ3は、走査方向(Y方向)に100mm以上のストロークをもち、この走査方向と直交する方向(X方向)に微小ストロークをもち、光軸方向(Z方向)にも微小ストロークをもっている。XY方向の位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Z方向位置はレチクルフォーカス送光系4とレチクルフォーカス受光系5からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。   The reflective reticle 2 is held by suction on a reticle stage (mask stage) 3 with the pattern surface facing downward in the direction of gravity. The reticle stage 3 has a stroke of 100 mm or more in the scanning direction (Y direction), has a minute stroke in a direction orthogonal to the scanning direction (X direction), and also has a minute stroke in the optical axis direction (Z direction). . The position in the XY direction is monitored with high accuracy by a laser interferometer (not shown), and the position in the Z direction is monitored by a reticle focus sensor including a reticle focus light transmission system 4 and a reticle focus light reception system 5.

レチクルステージ3の下面には、ブラインド機構30が配置されている。ブラインド機構30の構成については後述する。   A blind mechanism 30 is disposed on the lower surface of the reticle stage 3. The configuration of the blind mechanism 30 will be described later.

レチクル2で反射したEUV光は、図中下側の投影光学鏡筒14内に入射する。このEUV光は、レチクル2に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル2には、EUV光を反射する多層膜(例えば、Mo/SiやMo/Be)が成膜されており、この多層膜上に吸着層(例えばNiやAl)の有無でパターニングされている。   The EUV light reflected by the reticle 2 enters the lower projection optical column 14 in the drawing. This EUV light includes information on a circuit pattern drawn on the reticle 2. The reticle 2 is formed with a multilayer film (for example, Mo / Si or Mo / Be) that reflects EUV light, and is patterned on the multilayer film with or without an adsorption layer (for example, Ni or Al). .

光学鏡筒14内に入射したEUV光は、第1ミラー6で反射した後、第2ミラー7、第3ミラー8、第4ミラー9で順次反射し、最終的にはウェハ10に対して垂直に入射する。これらのミラー等からなる投影光学系の縮小倍率は、例えば1/4や1/5である。この図では、ミラーは4枚であるが、N.A.をより大きくするためには、ミラーを6枚あるいは8枚にすると効果的である。鏡筒14の近傍には、アライメント用のオフアクシス顕微鏡15が配置されている。   The EUV light that has entered the optical barrel 14 is reflected by the first mirror 6, then sequentially reflected by the second mirror 7, the third mirror 8, and the fourth mirror 9, and finally perpendicular to the wafer 10. Is incident on. The reduction magnification of the projection optical system including these mirrors is, for example, 1/4 or 1/5. In this figure, there are four mirrors. A. It is effective to increase the number of mirrors to 6 or 8 in order to further increase. An alignment off-axis microscope 15 is disposed in the vicinity of the lens barrel 14.

ウェハ10は、ウェハステージ11上に載置されている。ウェハステージ11は、光軸と直交する面内(XY平面)を移動することができ、移動ストロークは例えば300〜400mmである。ウェハステージ11は、光軸方向にも微小のストロークで上下移動でき、光軸方向位置(Z方向位置)はウェハオートフォーカス送光系12とウェハオートフォーカス受光系13からなるウェハオートフォーカスセンサでモニタされている。ウェハステージ11のXY方向位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度でモニタされている。露光動作において、レチクルステージ3とウェハステージ11は、投影光学系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、4:1あるいは5:1で同期走査する。   The wafer 10 is placed on the wafer stage 11. The wafer stage 11 can move in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis, and the movement stroke is, for example, 300 to 400 mm. The wafer stage 11 can move up and down with a minute stroke in the optical axis direction, and the position in the optical axis direction (Z direction position) is monitored by a wafer autofocus sensor comprising a wafer autofocus light transmission system 12 and a wafer autofocus light reception system 13. Has been. The position in the XY direction of the wafer stage 11 is monitored with high accuracy by a laser interferometer (not shown). In the exposure operation, the reticle stage 3 and the wafer stage 11 are synchronously scanned at the same speed ratio as the reduction magnification of the projection optical system, that is, 4: 1 or 5: 1.

次に、図1の露光装置に搭載されているブラインド機構30について説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る露光装置に搭載されているブラインド機構の形状を示す図であり、図1(A)は平面図、図1(B)は側面図である。
まず、レチクル2の構成について説明する。
レチクル2は、ウェハステージ3に設けられたチャック21(図1(B)参照)に、パターン面が下となるように吸着されている。レチクル2のパターン面の中央部には、長方形のパターン領域CP(格子状ハッチングの部分)が設けられている。このパターン領域CPの周囲には、ピンホール欠陥フリー領域PFA(斜めハッチングの部分)が額縁状に設けられている。ピンホール欠陥フリー領域PFAとは、前述のようにピンホール欠陥がないことが保証された領域である。パターン領域CPは、パターン成形開口(図示されず)で輪帯状に成形された照明ビームIBでスキャン露光される。この照明ビームIBは、露光装置の投影光学系の光軸に対しては固定されているが、レチクル2がY方向にスキャン移動すると、パターン領域CP上を走査される。そして、ウェハ10もレチクル2と同期でスキャンし、ウェハ10上にレチクル2のパターン領域CPのパターンが投影される。
Next, the blind mechanism 30 mounted on the exposure apparatus in FIG. 1 will be described.
FIG. 1 is a view showing the shape of a blind mechanism mounted on an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (A) is a plan view and FIG. 1 (B) is a side view.
First, the configuration of the reticle 2 will be described.
The reticle 2 is adsorbed to a chuck 21 (see FIG. 1B) provided on the wafer stage 3 so that the pattern surface faces downward. At the center of the pattern surface of the reticle 2, a rectangular pattern region CP (lattice hatched portion) is provided. Around the pattern region CP, a pinhole defect free region PFA (an oblique hatched portion) is provided in a frame shape. The pinhole defect free area PFA is an area that is guaranteed not to have pinhole defects as described above. The pattern area CP is scan-exposed with an illumination beam IB shaped like a ring with a pattern shaping opening (not shown). The illumination beam IB is fixed with respect to the optical axis of the projection optical system of the exposure apparatus, but is scanned on the pattern region CP when the reticle 2 scans in the Y direction. The wafer 10 is also scanned in synchronization with the reticle 2, and the pattern of the pattern area CP of the reticle 2 is projected onto the wafer 10.

次に、ブラインド機構30について説明する。
ブラインド機構30は、走査方向(Y方向)に可動の一対のY方向ブラインド板31A、31Bと、走査方向と直交する方向(X方向)に可動の一対のX方向ブラインド板33A、33Bとを備える。レチクル2のパターン領域CPのY方向両端は、Y方向ブラインド板31で画され、X方向両端は、X方向ブラインド板33で画される。各ブラインド板31、33は、厚さ0.5mm程度の金属板等で作製される。
Next, the blind mechanism 30 will be described.
The blind mechanism 30 includes a pair of Y-direction blind plates 31A and 31B movable in the scanning direction (Y direction) and a pair of X-direction blind plates 33A and 33B movable in a direction orthogonal to the scanning direction (X direction). . Both ends in the Y direction of the pattern area CP of the reticle 2 are defined by the Y direction blind plates 31, and both ends in the X direction are defined by the X direction blind plates 33. Each blind plate 31, 33 is made of a metal plate having a thickness of about 0.5 mm.

X方向ブラインド板33とY方向ブラインド板31は、Z方向に離れて配置され、この例では、図1(B)に示すように、レチクル2のすぐ下方にX方向ブラインド板33が配置され、このX方向ブラインド板33の下方にY方向ブラインド板31が配置される。レチクル2のパターン面(下側の面)と、X方向ブラインド板33との間隔は、一例で、1〜2mmである。   The X-direction blind plate 33 and the Y-direction blind plate 31 are arranged apart from each other in the Z direction. In this example, as shown in FIG. 1B, the X-direction blind plate 33 is arranged immediately below the reticle 2, A Y-direction blind plate 31 is disposed below the X-direction blind plate 33. The distance between the pattern surface (lower surface) of the reticle 2 and the X-direction blind plate 33 is, for example, 1 to 2 mm.

各Y方向ブラインド板31は、レチクルステージ3下面のX方向の両側縁に設けられた駆動機構41A、41Bによって、Y方向に互いに接近する方向、及び、離れる方向に移動する。また、各X方向ブラインド板33は、レチクルステージ3下面のY方向の両側縁に設けられた駆動機構43A、43Bによって、X方向に互いに接近する方向、及び、離れる方向に移動する。図1(A)に示すように、各X方向ブラインド板33と各Y方向ブラインド板31とは、レチクルステージ3の4つの隅で重なっている。しかし、各ブラインド板の駆動機構43、41は、ステージ3下面の各辺に沿って配置されており、重なっていない。   Each Y-direction blind plate 31 is moved in a direction approaching and separating from each other in the Y direction by drive mechanisms 41A and 41B provided on both side edges in the X direction on the lower surface of the reticle stage 3. Each X-direction blind plate 33 is moved in a direction approaching and separating from each other in the X direction by drive mechanisms 43A and 43B provided on both side edges in the Y direction on the lower surface of the reticle stage 3. As shown in FIG. 1A, each X-direction blind plate 33 and each Y-direction blind plate 31 overlap at four corners of the reticle stage 3. However, the drive mechanisms 43 and 41 of each blind plate are arranged along each side of the lower surface of the stage 3 and do not overlap.

図2は、ブラインド板の駆動機構の一例を示す図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。ここでは、X方向ブラインド板33の駆動機構43について説明する。Y方向ブラインド板31の駆動機構41も同様の構成を有する。
駆動機構43は、例えば、2個のアクチュエータ固定子47と、4個のアクチュエータ移動子45とから構成される。アクチュエータとしては、例えば、電磁リニアモータ、超音波リニアモータなどを使用できる。各アクチュエータ固定子47は、例えば、厚さが0.1mmの金属板等で作製され、レチクルステージ3下面のY方向両側縁に固定されている。一方のアクチュエータ固定子47−1には、2個のアクチュエータ移動子45−1、45−2が配置され、他方のアクチュエータ固定子47−2にも2個のアクチュエータ移動子45−3、45−4が配置されている。
2A and 2B are diagrams illustrating an example of a blind plate driving mechanism, in which FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a side view. Here, the drive mechanism 43 of the X direction blind board 33 is demonstrated. The drive mechanism 41 of the Y-direction blind plate 31 has the same configuration.
The drive mechanism 43 includes, for example, two actuator stators 47 and four actuator movers 45. As the actuator, for example, an electromagnetic linear motor, an ultrasonic linear motor, or the like can be used. Each actuator stator 47 is made of, for example, a metal plate having a thickness of 0.1 mm, and is fixed to both side edges in the Y direction on the lower surface of the reticle stage 3. One actuator stator 47-1 is provided with two actuator movers 45-1 and 45-2, and the other actuator stator 47-2 is also provided with two actuator movers 45-3 and 45-. 4 is arranged.

各ブラインド板33は、2本の固定子47−1、47−2間を掛け渡すように配置されている。そして、一方のブラインド板33Aの両端部は、固定子47−1上の移動子45−1と、固定子47−2上の移動子45−3に固定されている。他方のブラインド板33Bの両端部は、固定子47−1上の移動子45−2と、固定子47−2上の移動子45−4に固定されている。アクチュエータが作動すると、各移動子45は固定子47に沿って移動し、各ブラインド板33が固定子47の長さ方向(X方向)に移動する。
このような構成により、両ブラインド板を光軸方向に対してほぼ同じ高さ位置に配置できる。このため、後述するブラインド板の位置決めの際に、両ブラインド板のエッジの影の出方がほぼ同じになり、位置決めしやすくなる。
Each blind plate 33 is arranged so as to span between the two stators 47-1 and 47-2. Then, both end portions of one blind plate 33A are fixed to a mover 45-1 on the stator 47-1 and a mover 45-3 on the stator 47-2. Both ends of the other blind plate 33B are fixed to a mover 45-2 on the stator 47-1 and a mover 45-4 on the stator 47-2. When the actuator is actuated, each moving element 45 moves along the stator 47, and each blind plate 33 moves in the length direction (X direction) of the stator 47.
With such a configuration, both blind plates can be arranged at substantially the same height with respect to the optical axis direction. For this reason, when the blind plates described later are positioned, the shadows of the edges of both blind plates are substantially the same, and positioning is easy.

次に、ブラインド機構30の作動を説明する。
レチクルステージ3にレチクル2を搭載する際や、レチクル2を交換する際は、各ブラインド板31、33は最も離れる方向に移動して、レチクルステージ2のチャック21下方に、レチクル2をチャック21に搬送するための空間を空けておく。そして、レチクル2がチャック21に搭載された後、ブラインド板31、33を最も離れる方向に移動させたままで、レチクル2の位置合わせや、レチクル表面の平坦度測定を行う。
Next, the operation of the blind mechanism 30 will be described.
When the reticle 2 is mounted on the reticle stage 3 or when the reticle 2 is exchanged, the blind plates 31 and 33 move in the farthest direction so that the reticle 2 is placed on the chuck 21 below the chuck 21 of the reticle stage 2. Leave a space for transportation. Then, after the reticle 2 is mounted on the chuck 21, the alignment of the reticle 2 and the measurement of the flatness of the reticle surface are performed while the blind plates 31 and 33 are moved in the farthest direction.

その後、図1に示すように、X方向ブラインド板駆動機構43を駆動して、各X方向ブラインド板33を、同板のエッジの影が、レチクル2のパターン領域CPのX方向両端のピンホール欠陥フリー領域PFAに収まるように移動させる。また、Y方向ブラインド板駆動機構41を駆動して、各Y方向ブラインド板31も、同板のエッジの影が、レチクル2のパターン領域CPのY方向両端のピンホール欠陥フリー領域PFAに収まるように移動させる。   Thereafter, as shown in FIG. 1, the X-direction blind plate driving mechanism 43 is driven, and the shadows of the edges of the X-direction blind plates 33 are pinholes at both ends in the X direction of the pattern region CP of the reticle 2. It is moved so as to be within the defect free area PFA. Further, the Y-direction blind plate driving mechanism 41 is driven so that the shadows of the edges of the Y-direction blind plates 31 also fall within the pinhole defect free areas PFA at both ends of the pattern area CP of the reticle 2 in the Y direction. Move to.

そして、この状態で走査露光を行う。走査露光時には、レチクルステージ3はY方向に移動し、照明ビームIBはパターン領域CPをスキャンする。ブラインド機構30はレチクルステージ3に固定されているため、レチクルステージ3とともにY方向に移動する。つまり、スキャン中にはブラインド機構30は駆動しないため、ブラインド板駆動機構41、43からの異物の発生を防ぐことができる。また、露光中は、照明ビームIBは、ブラインド機構30で制限されたパターン領域CPをスキャンするため、ピンホールの無い領域を確実に露光する。   In this state, scanning exposure is performed. At the time of scanning exposure, the reticle stage 3 moves in the Y direction, and the illumination beam IB scans the pattern region CP. Since the blind mechanism 30 is fixed to the reticle stage 3, it moves together with the reticle stage 3 in the Y direction. That is, since the blind mechanism 30 is not driven during scanning, the generation of foreign matter from the blind plate driving mechanisms 41 and 43 can be prevented. Further, during exposure, the illumination beam IB scans the pattern area CP limited by the blind mechanism 30, so that an area without a pinhole is reliably exposed.

次に、本発明の他の実施の形態について説明する。
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る露光装置のブラインド機構の構成を示す図であり、図4(A)は平面図、図4(B)は側面図である。
この例のブラインド機構50は、額縁状のブラインド板51で構成される。ブラインド板51の大きさは、レチクル2の大きさとほぼ等しい。ブラインド板51の中央には矩形の開口53が形成されている。開口53の大きさは、レチクル2のパターン領域CPの大きさに合わせて予め決められている。言い換えれば、レチクル2のパターン領域CPの大きさに合わせた開口53をもつブラインド板51をオーダーメードしておく。開口53の寸法は、具体的には、ブラインド板51がレチクルステージ3に取り付けられたときに、同板の開口53のエッジが、露光に供されるレチクル2のパターン領域CPの周囲のピンホール欠陥フリー領域内PFAに収まる寸法である。
Next, another embodiment of the present invention will be described.
4A and 4B are diagrams showing the configuration of the blind mechanism of the exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a side view.
The blind mechanism 50 in this example includes a frame-shaped blind plate 51. The size of the blind plate 51 is substantially equal to the size of the reticle 2. A rectangular opening 53 is formed at the center of the blind plate 51. The size of the opening 53 is determined in advance according to the size of the pattern region CP of the reticle 2. In other words, the blind plate 51 having the opening 53 that matches the size of the pattern region CP of the reticle 2 is made to order. Specifically, the size of the opening 53 is such that when the blind plate 51 is attached to the reticle stage 3, the edge of the opening 53 of the plate is a pinhole around the pattern region CP of the reticle 2 to be exposed. It is a dimension that fits in the defect-free area PFA.

このブラインド板51は、レチクルステージ3上に取り外し可能に取り付けられる。取り付けられたとき、ブラインド板51とレチクル2とは直接接触していない。同板51をレチクルステージ2に固定する手段としては、静電チャックや機械的なチャック等がある。   The blind plate 51 is detachably mounted on the reticle stage 3. When attached, the blind plate 51 and the reticle 2 are not in direct contact. Examples of means for fixing the plate 51 to the reticle stage 2 include an electrostatic chuck and a mechanical chuck.

露光時には、まず、レチクル2をステージ3のチャック21に搭載し、レチクル2の位置合わせやレチクル表面の平坦度測定等を行う。その後、レチクル搬送ロボットを利用するなどして、ブラインド板51をレチクルステージ3に取り付ける。その後、上述の例と同様に露光を行う。   At the time of exposure, first, the reticle 2 is mounted on the chuck 21 of the stage 3 to perform alignment of the reticle 2 and measurement of the flatness of the reticle surface. Thereafter, the blind plate 51 is attached to the reticle stage 3 by using a reticle transfer robot. Thereafter, exposure is performed in the same manner as in the above example.

ブラインド機構50を使用するレチクルに合わせてオーダーメードしておくことにより、露光時にパターン領域CPを制限するためのブラインド板の移動作業を行う必要がない。   By making tailored to the reticle that uses the blind mechanism 50, it is not necessary to perform the work of moving the blind plate to limit the pattern area CP during exposure.

図5は、本発明の第3の実施の形態に係る露光装置のブラインド機構の構成を示す図である。上側に示す図は平面図、下側に示す図は側面図である。
この例のブラインド機構60も、第2の例と同様に、中央に矩形の開口63が形成された額縁状のブラインド板61で構成されるが、ブラインド板61の寸法が小さく、ブラインド板61が予めレチクル2に固定されている。ブラインド板61をレチクル2に固定する手段としては、例えば、接着剤による貼り付けを使用できる。開口63の寸法は、開口63のエッジが、レチクル2のパターン領域CPの周囲のピンホール欠陥フリー領域PFA内に収まる寸法である。
FIG. 5 is a view showing the structure of the blind mechanism of the exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention. The figure shown on the upper side is a plan view, and the figure shown on the lower side is a side view.
As in the second example, the blind mechanism 60 of this example is also composed of a frame-shaped blind plate 61 having a rectangular opening 63 formed in the center. However, the size of the blind plate 61 is small, and the blind plate 61 It is fixed to the reticle 2 in advance. As a means for fixing the blind plate 61 to the reticle 2, for example, attachment with an adhesive can be used. The dimension of the opening 63 is a dimension in which the edge of the opening 63 fits in the pinhole defect free area PFA around the pattern area CP of the reticle 2.

一般に、レチクル2のパターン面には、アライメントマークAMやレチクル識別IDマーク等IDが形成されている。この例では、アライメントマークAMが、レチクル2のピンホール欠陥フリー領域PFAの外側に、Y方向に並んで配置されている。また、識別IDマークIDが、レチクル2の図の右辺の中央付近に配置されている。   In general, an ID such as an alignment mark AM or a reticle identification ID mark is formed on the pattern surface of the reticle 2. In this example, the alignment marks AM are arranged outside the pinhole defect free area PFA of the reticle 2 and aligned in the Y direction. Further, the identification ID mark ID is arranged near the center of the right side of the reticle 2 in the figure.

ブラインド板61のX方向両辺は、アライメントマークAMの内側で、かつ、ピンホール欠陥フリー領域PFAの外側に位置する。つまり、アライメントマークAMや識別IDマークIDはブラインド板で覆われていない。   Both sides of the blind plate 61 in the X direction are located inside the alignment mark AM and outside the pinhole defect free area PFA. That is, the alignment mark AM and the identification ID mark ID are not covered with the blind plate.

この例においては、まず、レチクル2にブラインド板61を貼り付ける。その後、同レチクル2をステージ3のチャック21に搭載し、レチクル2の位置決めや識別、レチクル表面の平坦度測定を行う。この際、アライメントマークAMや識別IDマークIDはブラインド板51で覆われていないため、通常のアライメントや識別作業を行うことができる。そして、上述の例と同様に露光を行う。   In this example, first, the blind plate 61 is attached to the reticle 2. Thereafter, the reticle 2 is mounted on the chuck 21 of the stage 3, and the reticle 2 is positioned and identified, and the flatness of the reticle surface is measured. At this time, since the alignment mark AM and the identification ID mark ID are not covered with the blind plate 51, normal alignment and identification work can be performed. Then, exposure is performed in the same manner as in the above example.

この例においても、露光時にパターン領域CPを制限するためのブラインドの移動を行う必要がない。また、レチクルの位置決めや識別等を行うためのマークがブラインド板61から露出しているので、ブラインド板61が固定されたレチクルをレチクルステージ3に載置した後で、レチクルの位置決め等の露光前作業を行うことができる。   Also in this example, it is not necessary to move the blind to limit the pattern area CP during exposure. In addition, since marks for positioning and identifying the reticle are exposed from the blind plate 61, after the reticle on which the blind plate 61 is fixed is placed on the reticle stage 3, before the exposure such as reticle positioning. Work can be done.

本発明の実施の形態に係る露光装置に搭載されているブラインド機構の形状を示す図であり、図1(A)は平面図、図1(B)は側面図である。FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a side view showing a shape of a blind mechanism mounted on an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. ブラインド板の駆動機構の一例を示す図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。It is a figure which shows an example of the drive mechanism of a blind board, FIG. 2 (A) is a top view, FIG.2 (B) is a side view. 本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the EUV exposure apparatus (4 sheet projection system) which concerns on embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る露光装置のブラインド機構の構成を示す図であり、図4(A)は平面図、図4(B)は側面図である。It is a figure which shows the structure of the blind mechanism of the exposure apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, FIG. 4 (A) is a top view, FIG.4 (B) is a side view. 本発明の第3の実施の形態に係る露光装置のブラインド機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the blind mechanism of the exposure apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 折り返しミラー 2 レチクル
3 レチクルステージ 4 レチクルフォーカス送光系
5 レチクルフォーカス受光系 6 第1ミラー
7 第2ミラー 8 第3ミラー
9 第4ミラー 10 ウェハ
11 ウェハステージ 14 光学鏡筒
15 オフアクシス顕微鏡 12 ウェハオートフォーカス送光系
13 ウェハオートフォーカス受光系 21 チャック
30 ブラインド機構 31 Y方向ブラインド板
33 X方向ブラインド板 41 駆動機構
43 駆動機構 45 移動子
47 固定子
50 ブラインド機構 51 ブラインド板
53 開口
60 ブラインド機構 61 ブラインド板
63 開口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Folding mirror 2 Reticle 3 Reticle stage 4 Reticle focus light transmission system 5 Reticle focus light reception system 6 First mirror 7 Second mirror 8 Third mirror 9 Fourth mirror 10 Wafer 11 Wafer stage 14 Optical barrel 15 Off-axis microscope 12 Wafer Autofocus light transmission system 13 Wafer autofocus light reception system 21 Chuck 30 Blind mechanism 31 Y direction blind plate 33 X direction blind plate 41 Drive mechanism 43 Drive mechanism 45 Mover 47 Stator 50 Blind mechanism 51 Blind plate 53 Opening 60 Blind mechanism 61 Blind plate 63 Opening

Claims (10)

感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、
前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、
前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、
前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、
前記マスク上の露光領域を制限する、前記マスクステージに搭載された可動式のブラインドを有することを特徴とする露光装置。
A mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is mounted on a sensitive substrate;
A sensitive substrate stage that carries and moves the sensitive substrate;
An exposure optical system for transferring the pattern,
An exposure apparatus that exposes the optical system while scanning the mask and the sensitive substrate,
An exposure apparatus comprising a movable blind mounted on the mask stage for limiting an exposure area on the mask.
露光中は前記ブラインドが前記マスクに対して固定されたまま前記マスクステージとともに移動することを特徴とする請求項1記載の露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the blind moves with the mask stage while being fixed to the mask during exposure. 前記ブラインドが、
前記露光領域の走査方向(Y方向)に可動な2枚のY方向ブラインド板と、
前記露光領域の走査方向と直交する方向(X方向)に可動な2枚のX方向ブラインド板と、
前記Y方向ブラインド板を駆動する機構と、
前記X方向ブラインド板を駆動する機構と、
を備えることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
The blind is
Two Y-direction blind plates movable in the scanning direction (Y direction) of the exposure area;
Two X-direction blind plates movable in a direction (X direction) orthogonal to the scanning direction of the exposure area;
A mechanism for driving the Y-direction blind plate;
A mechanism for driving the X-direction blind plate;
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising:
前記マスクステージ上において、
前記Y方向ブラインド板とX方向ブラインド板は一部が重なって配置され、
前記Y方向ブラインド板駆動機構とX方向ブラインド板駆動機構は重ならずに配置されていることを特徴とする請求項3記載の露光装置。
On the mask stage,
The Y-direction blind plate and the X-direction blind plate are partially overlapped,
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the Y-direction blind plate driving mechanism and the X-direction blind plate driving mechanism are arranged without overlapping.
感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、
前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、
前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、
前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、
前記マスクの露光領域を制限する開口が設けられた、前記マスクステージに取り付け及び取り外し可能なブラインドを有することを特徴とする露光装置。
A mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is mounted on a sensitive substrate;
A sensitive substrate stage that carries and moves the sensitive substrate;
An exposure optical system for transferring the pattern,
An exposure apparatus that exposes the optical system while scanning the mask and the sensitive substrate,
An exposure apparatus comprising: a blind that can be attached to and detached from the mask stage, provided with an opening for limiting an exposure area of the mask.
感応基板上に転写すべきパターンの形成されたマスク(レチクル含む)を搭載して移動するマスクステージと、
前記感応基板を搭載して移動する感応基板ステージと、
前記パターンを転写する露光光学系と、を具備し、
前記光学系に対して前記マスク及び感応基板を走査しながら露光する露光装置であって、
前記マスクに、該マスク上の露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドが固定されていることを特徴とする露光装置。
A mask stage that moves by mounting a mask (including a reticle) on which a pattern to be transferred is mounted on a sensitive substrate;
A sensitive substrate stage that carries and moves the sensitive substrate;
An exposure optical system for transferring the pattern,
An exposure apparatus that exposes the optical system while scanning the mask and the sensitive substrate,
An exposure apparatus, wherein a mask-specific blind provided with an opening for limiting an exposure area on the mask is fixed to the mask.
前記ブラインドは、前記マスクに形成された、該マスクの位置決めや識別等を行うためのマーク(アライメントマーク、識別IDマーク等)の部分を覆っていないことを特徴とする請求項5又は6記載の露光装置。   7. The blind according to claim 5, wherein the blind does not cover a portion of a mark (alignment mark, identification ID mark, etc.) formed on the mask for positioning and identifying the mask. Exposure device. 感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、
前記マスクの前記マスクステージへの位置決め等の露光前操作を行った後、該マスク上の露光領域を前記マスクステージに搭載された可動式のブラインドによって制限し、その後に露光することを特徴とする露光方法。
A pattern in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate are exposed while scanning,
After performing pre-exposure operations such as positioning of the mask on the mask stage, the exposure area on the mask is limited by a movable blind mounted on the mask stage, and then exposed. Exposure method.
感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、
前記マスクの前記マスクステージへの位置決め等の露光前操作を行った後、該マスクの露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドを該マスクに装着し、その後に露光することを特徴とする露光方法。
A pattern in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate are exposed while scanning,
After performing pre-exposure operations such as positioning of the mask to the mask stage, the mask-specific blind provided with an opening for limiting the exposure area of the mask is mounted on the mask and then exposed. An exposure method characterized by the above.
感応基板上に転写すべきパターンが形成されており、マスクステージに搭載されたマスク(レチクル含む)と、前記感応基板と、を走査しながら露光する方法であって、
前記マスクに、該マスク上の露光領域を制限する開口が設けられた、該マスク固有のブラインドを固定した状態で露光することを特徴とする露光方法。
A pattern in which a pattern to be transferred is formed on a sensitive substrate, and a mask (including a reticle) mounted on a mask stage and the sensitive substrate are exposed while scanning,
An exposure method comprising exposing the mask with a blind specific to the mask provided with an opening for limiting an exposure area on the mask.
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