JP2005071705A - Image display device - Google Patents

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祥子 平原
Masaru Nikaido
勝 二階堂
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display device improved in withstand voltage characteristic and display quality by suppressing the bleeding of a spacer forming material. <P>SOLUTION: A spacer structure 22 is provided between a first substrate 10 on which a fluorescent screen is formed and a second substrate 12 on which a plurality of electron emission sources 18 are provided. The spacer structure is provided with a sheet-like grid 24 facing the first and second substrates and having a plurality of electron beam passage holes facing the electron emission sources respectively, and a plurality of spacers raised on at least one surface of the grid. The grid has a plurality of recessed parts 27 formed on at least one surface, and the spacers are raised in the recessed parts, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサ構体とを備えた画像表示装置に関する。   The present invention relates to an image display device including a substrate disposed oppositely and a spacer structure disposed between the substrates.

近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス(以下、FEDと称する)の一種として、表面伝導型電子放出装置(以下、SEDと称する)の開発が進められている。   2. Description of the Related Art In recent years, various flat-type image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). For example, a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) is being developed as a kind of field emission device (hereinafter referred to as FED) that functions as a flat display device.

このSEDは、所定の間隔をおいて対向配置された第1基板および第2基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第1基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、第2基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。各電子放出素子は、電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。   The SED includes a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates form a vacuum envelope by joining peripheral portions to each other through rectangular side walls. ing. Three color phosphor layers are formed on the inner surface of the first substrate, and on the inner surface of the second substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron source for exciting the phosphor. Each electron-emitting device includes an electron-emitting portion and a pair of electrodes that apply a voltage to the electron-emitting portion.

上記のようなSEDにおいて、第1基板および第2基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、第1基板および第2基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている。   In the SED as described above, it is important to maintain a high degree of vacuum in the space between the first substrate and the second substrate, that is, in the vacuum envelope. When the degree of vacuum is low, the lifetime of the electron-emitting device, and hence the lifetime of the device, is reduced. Further, in order to support an atmospheric pressure load acting between the first substrate and the second substrate and maintain a gap between the substrates, a large number of plate-like or columnar spacers are arranged between the two substrates.

スペーサを第1基板および第2基板の全面に渡って配置するためには、第1基板の蛍光体、第2基板の電子放出素子に接触しないように、極めて薄い板状、あるいは極めて細い柱状のスペーサが必要となる。これらのスペーサは、電子放出素子の極めて近くに設置せざるを得ないため、スペーサとして絶縁体材料を使用する必要がある。同時に、第1基板および第2基板の薄板化を検討した場合、一層多くのスペーサが必要となり、更に製造が困難となる。   In order to dispose the spacers over the entire surfaces of the first substrate and the second substrate, an extremely thin plate or an extremely thin columnar shape is used so as not to contact the phosphor of the first substrate and the electron-emitting device of the second substrate. A spacer is required. Since these spacers must be placed very close to the electron-emitting device, it is necessary to use an insulating material as the spacer. At the same time, when considering the reduction of the thickness of the first substrate and the second substrate, more spacers are required, and the manufacturing becomes more difficult.

第1基板の蛍光体間、および第2基板の電子放出素子間に対するスペーサの位置合わせについては、蛍光体間あるいは電子放出素子間を狙って直接スペーサを取り付ける方法、あるいは、電子の通過する孔が予め形成された金属板上に多数のスペーサを高い位置精度で形成し、この金属板上に形成されたスペーサを第1基板または第2基板に位置合わせする方法が考えられる。   As for the alignment of the spacers with respect to the phosphors on the first substrate and between the electron-emitting devices on the second substrate, a method of attaching the spacers directly between the phosphors or between the electron-emitting devices, or a hole through which electrons pass A method is conceivable in which a large number of spacers are formed on a previously formed metal plate with high positional accuracy, and the spacers formed on the metal plate are aligned with the first substrate or the second substrate.

後者の場合、それぞれスペーサ形状に対応する多数の孔が形成された2枚の成形型を金属板の表裏面に密着させ、金属板と2枚の成形型によってスペーサ形成用の貫通孔を規定する。この状態で、各貫通孔にペースト状のスペーサ形成材料を充填する。また、スペーサ形成材料のはみ出し分は、成形型の表面をスキージ等によって掻き取ることにより除去する。続いて、充填されたスペーサ形成材料を成形型内部で硬化させた後、金属板から2枚の成形型を取り外すことにより、金属板上に形成された柱状のスペーサを得る方法等が考えられる(例えば、特許文献1)。
特開2002−082850号公報
In the latter case, two molding dies each having a large number of holes corresponding to the spacer shape are brought into close contact with the front and back surfaces of the metal plate, and the through holes for spacer formation are defined by the metal plate and the two molding dies. . In this state, each through hole is filled with a paste-like spacer forming material. Further, the protruding portion of the spacer forming material is removed by scraping the surface of the mold with a squeegee or the like. Subsequently, after the filled spacer forming material is cured inside the mold, a method of obtaining a columnar spacer formed on the metal plate by removing two molds from the metal plate can be considered ( For example, Patent Document 1).
JP 2002-082850 A

上記の方法において、金属板と成形型とが厳格に密着していなければ、金属板と成形型との間にスペーサ形成材料が入り込んでしまう。この場合、正常な形状のスペーサを形成できないばかりでなく、金属板に予め形成されていた電子の通過孔がスペーサ形成材料によって塞がれてしまう恐れもある。また、金属板上に滲み出したスペーサ形成材料および接着剤成分は、その滲み形状が不規則であり放電の発生源となり易い。スペーサ形成材料の滲み部分が帯電した場合、電子放出素子から放出された電子ビームが滲み部分に引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。   In the above method, if the metal plate and the mold are not strictly adhered, the spacer forming material enters between the metal plate and the mold. In this case, not only a spacer having a normal shape cannot be formed, but also there is a possibility that an electron passage hole previously formed in the metal plate is blocked by the spacer forming material. Further, the spacer forming material and the adhesive component that have oozed out on the metal plate have irregular bleed shapes and are likely to be a source of electric discharge. When the bleeding portion of the spacer forming material is charged, the electron beam emitted from the electron-emitting device is attracted to the bleeding portion and deviates from the original trajectory. As a result, there is a problem that electron beam mislanding occurs in the phosphor layer and the color purity of the display image is deteriorated.

この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、スペーサ形成材料の滲みを抑制し、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display device that suppresses bleeding of a spacer forming material and has improved withstand voltage characteristics and display quality.

上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、 蛍光面が形成された第1基板と、上記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、上記第1および第2基板の間に設けられ上記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、上記スペーサ構体は、上記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、上記グリッドは上記少なくとも一方の表面に形成された複数の凹所を有し、各スペーサは上記凹所内に立設されていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, an image display device according to an aspect of the present invention includes a first substrate on which a phosphor screen is formed, and a first substrate with a predetermined gap between the first substrate and the phosphor screen. A second substrate provided with a plurality of electron emission sources to be excited, and a spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates, The spacer structure is opposed to the first and second substrates and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and on at least one surface of the grid. A plurality of spacers erected on the surface, the grid has a plurality of recesses formed on the at least one surface, and each spacer is erected in the recesses. Have

また、この発明の他の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第1基板と、上記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、上記第1および第2基板の間に設けられ上記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、上記スペーサ構体は、上記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、上記グリッドは上記少なくとも一方の表面に形成され各スペーサの上記グリッド側端の周囲に位置した複数の溝を有している
することを特徴としている。
An image display device according to another aspect of the present invention includes a first substrate on which a phosphor screen is formed, and a plurality of the first substrate that is opposed to the first substrate with a predetermined gap and that excites the phosphor screen. And a spacer structure that is provided between the first and second substrates and supports an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates, and the spacer structure. Is opposed to the first and second substrates and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes respectively facing the electron emission source, and standing on at least one surface of the grid A plurality of spacers, wherein the grid has a plurality of grooves formed on the at least one surface and positioned around the grid-side end of each spacer.

この発明によれば、グリッド上におけるスペーサ形成材料の滲みを抑制することができ、スペーサ形成材料の滲みに起因する放電の発生、電子ビームに与える悪影響を抑制し、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することができる。   According to the present invention, the bleeding of the spacer forming material on the grid can be suppressed, the occurrence of discharge due to the bleeding of the spacer forming material and the adverse effect on the electron beam are suppressed, and the withstand voltage characteristics and the display quality are improved. An image display device can be provided.

以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてFEDの一種である表面伝導型電子放出装置(以下、SEDと称する)に適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第1基板10および第2基板12を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対応配置されている。第1基板10および第2基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁14を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器15を構成している。
An embodiment in which the present invention is applied to a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) which is a kind of FED as a flat-type image display device will be described in detail below with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the SED includes a first substrate 10 and a second substrate 12 each made of a rectangular glass plate, and these substrates have a gap of about 1.0 to 2.0 mm. Corresponding arrangement. The 1st board | substrate 10 and the 2nd board | substrate 12 comprise the flat vacuum envelope 15 by which the peripheral parts were joined through the rectangular-frame-shaped side wall 14 which consists of glass, and the inside was maintained at the vacuum.

第1基板10の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑に発光する蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状や矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム等からなるメタルバック17およびゲッタ膜19が順に形成されている。   A phosphor screen 16 that functions as a phosphor screen is formed on the inner surface of the first substrate 10. The phosphor screen 16 is configured by arranging phosphor layers R, G, and B that emit red, blue, and green, and a light shielding layer 11, and these phosphor layers are formed in a stripe shape, a dot shape, or a rectangular shape. ing. On the phosphor screen 16, a metal back 17 and a getter film 19 made of aluminum or the like are sequentially formed.

第2基板12の内面には、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bを励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第2基板12の内面上には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器15の外部に引出されている。   On the inner surface of the second substrate 12, a number of surface conduction electron-emitting elements 18 that emit electron beams are provided as electron sources for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. . These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each electron-emitting device 18 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. On the inner surface of the second substrate 12, a large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 15.

接合部材として機能する側壁14は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材20により、第1基板10の周縁部および第2基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。   The side wall 14 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the first substrate 10 and the peripheral edge of the second substrate 12 by, for example, a sealing material 20 such as low-melting glass or low-melting metal. Are joined.

図2ないし図5に示すように、SEDは、第1基板10および第2基板12の間に配設されたスペーサ構体22を備えている。本実施の形態において、スペーサ構体22は、矩形状の金属板からなるグリッド24と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、で構成されている。   As shown in FIGS. 2 to 5, the SED includes a spacer structure 22 disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. In the present embodiment, the spacer structure 22 is composed of a grid 24 made of a rectangular metal plate, and a large number of columnar spacers standing upright on both sides of the grid.

詳細に述べると、グリッド24は第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド24には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔26が形成されている。電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。グリッド24の第1および第2表面24a、24bには、ハーフエッチング等によりそれぞれ複数の凹所27が形成されている。これらの凹所27は、スペーサが立設される領域、すなわち、隣合う2つの電子ビーム通過孔26の間に形成され、所定のピッチで配列されている。   More specifically, the grid 24 has a first surface 24a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24b facing the inner surface of the second substrate 12, and is arranged in parallel to these substrates. A large number of electron beam passage holes 26 are formed in the grid 24 by etching or the like. The electron beam passage apertures 26 are respectively arranged to face the electron emission elements 18 and transmit the electron beams emitted from the electron emission elements. A plurality of recesses 27 are formed in the first and second surfaces 24a and 24b of the grid 24 by half etching or the like. These recesses 27 are formed in a region where the spacer is erected, that is, between the two adjacent electron beam passage holes 26, and are arranged at a predetermined pitch.

グリッド24は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ0.1〜0.3mmに形成されている。グリッド24の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Fe、NiFeからなる酸化膜が形成されている。また、グリッド24の表面24a、24b、並びに、各電子ビーム通過孔26の壁面は、放電電流制限効果を有する高抵抗膜により被覆されている。この高抵抗膜は、ガラスを主成分とする高抵抗物質で形成され、1×10〜1×1015Ω/□の抵抗値を有している。 The grid 24 is formed with a thickness of 0.1 to 0.3 mm using, for example, an iron-nickel metal plate. On the surface of the grid 24, an oxide film made of an element constituting a metal plate, for example, an oxide film made of Fe 3 O 4 or NiFe 2 O 4 is formed. The surfaces 24a and 24b of the grid 24 and the wall surfaces of the electron beam passage holes 26 are covered with a high resistance film having a discharge current limiting effect. This high resistance film is formed of a high resistance material mainly composed of glass and has a resistance value of 1 × 10 8 to 1 × 10 15 Ω / □.

グリッド24の第1表面24a上には、各凹所27に重ねて第1スペーサ30aが一体的に立設され、隣合う電子ビーム通過孔26間に位置している。第1スペーサ30aの先端は、ゲッタ膜19、メタルバック17、および蛍光体スクリーン16の遮光層11を介して第1基板10の内面に当接している。グリッド24の第2表面24b上には、各凹所27に重ねて第2スペーサ30bが一体的に立設され、隣合う電子ビーム通過孔26間に位置している。第2スペーサ30bの先端は第2基板12の内面に当接している。ここで、各第2スペーサ30bの先端は、第2基板12の内面上に設けられた配線21上に位置している。各第1および第2スペーサ30a、30bは互いに整列して位置し、グリッド24を両面から挟み込んだ状態でグリッド24と一体に形成されている。   On the first surface 24 a of the grid 24, a first spacer 30 a is integrally provided so as to overlap each recess 27 and is positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the first spacer 30 a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 through the getter film 19, the metal back 17, and the light shielding layer 11 of the phosphor screen 16. On the second surface 24 b of the grid 24, a second spacer 30 b is integrally provided so as to overlap each recess 27, and is positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the second spacer 30 b is in contact with the inner surface of the second substrate 12. Here, the tip of each second spacer 30 b is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are aligned with each other, and are formed integrally with the grid 24 with the grid 24 sandwiched from both sides.

図5に示すように、第1および第2スペーサ30a、30bの各々は、グリッド24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第1スペーサ30aはほぼ楕円状の横断面形状を有し、グリッド24側に位置した基端の径が約0.3mm×2mm、延出端の径が約0.2mm×2mm、高さが約0.6mmに形成されている。各第2スペーサ30bはほぼ楕円状の横断面形状を有し、グリッド24側に位置した基端の径が約0.3mm×2mm、延出端の径が約0.2mm×2mm、高さが約0.8mmに形成されている。   As shown in FIG. 5, each of the first and second spacers 30a and 30b is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end. For example, each first spacer 30a has a substantially elliptical cross-sectional shape, the diameter of the proximal end located on the grid 24 side is about 0.3 mm × 2 mm, the diameter of the extended end is about 0.2 mm × 2 mm, The height is about 0.6 mm. Each of the second spacers 30b has a substantially elliptical cross-sectional shape, the diameter of the proximal end located on the grid 24 side is about 0.3 mm × 2 mm, the diameter of the extended end is about 0.2 mm × 2 mm, and the height. Is formed in about 0.8 mm.

図4および図5に示すように、各凹所27は、第1あるいは第2スペーサ30a、30bの基端に対応した楕円形に形成されているとともに、スペーサ基端よりも大きな径および大きな面積に形成されている。各第1および第2スペーサ30a、30bの基端の端縁と凹所27の端縁との間には、スペーサ基端の全周に渡って延びる隙間Gが形成されている。グリッド24の隣合う電子ビーム通過孔26間の間隔をDとした場合、隙間Gは、間隔Dの5ないし30%に形成されている。本実施の形態において、隙間Gは例えば0.1mmに形成されている。また、各凹所27の深さdは、上記間隔Dの5ないし30%に形成されている。なお、この隙間Gは、必ずしも第1および第2スペーサの基端全周に渡って設けられていない場合でもよく、あるいは、隙間は全周に渡って均一でなくてもよい。   As shown in FIGS. 4 and 5, each recess 27 is formed in an oval shape corresponding to the base end of the first or second spacer 30a, 30b, and has a larger diameter and a larger area than the spacer base end. Is formed. A gap G extending over the entire periphery of the spacer base end is formed between the base end edge of each of the first and second spacers 30a and 30b and the end edge of the recess 27. When the interval between adjacent electron beam passage holes 26 of the grid 24 is D, the gap G is formed to be 5 to 30% of the interval D. In the present embodiment, the gap G is formed to be 0.1 mm, for example. Further, the depth d of each recess 27 is formed to be 5 to 30% of the interval D. The gap G may not necessarily be provided over the entire circumference of the base ends of the first and second spacers, or the gap may not be uniform over the entire circumference.

上記のように構成されたスペーサ構体22は第1基板10および第2基板12間に配設されている。そして、第1および第2スペーサ30a、30bは、第1基板10および第2基板12の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。   The spacer structure 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are in contact with the inner surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 12, thereby supporting the atmospheric pressure load acting on these substrates, and the interval between the substrates being a predetermined value. To maintain.

SEDは、グリッド24および第1基板10のメタルバック17に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド24およびメタルバック17にそれぞれ接続され、例えば、グリッド24に12kV、メタルバック17に10kVの電圧を印加する。そして、SEDにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン16およびメタルバック17にアノード電圧が印加され、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン16へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン16の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。   The SED includes a voltage supply unit (not shown) that applies a voltage to the grid 24 and the metal back 17 of the first substrate 10. The voltage supply unit is connected to the grid 24 and the metal back 17, and applies a voltage of 12 kV to the grid 24 and 10 kV to the metal back 17, for example. When an image is displayed in the SED, an anode voltage is applied to the phosphor screen 16 and the metal back 17, and the electron beam emitted from the electron emitter 18 is accelerated by the anode voltage to collide with the phosphor screen 16. . As a result, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light and display an image.

次に、以上のように構成されたSEDの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体22の製造方法について説明する。
図6に示すように、スペーサ構体22を製造する場合、まず、所定寸法のグリッド24、このグリッドとほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型36aおよび下型36bを用意する。この場合、Fe−50%Niからなる板厚0.15mmの金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔26を形成しグリッド24とする。また、グリッド24の両表面をハーフエッチングすることにより、複数の凹所27を形成する。その後、グリッド24全体を酸化処理した後、電子ビーム通過孔26の内面を含めグリッド表面に絶縁膜を形成する。更に、絶縁膜の上に、ガラスを主成分としたコート液を塗布し、乾燥した後、焼成することにより、高抵抗膜を形成する。
Next, the manufacturing method of SED comprised as mentioned above is demonstrated. First, a method for manufacturing the spacer structure 22 will be described.
As shown in FIG. 6, when manufacturing the spacer structure 22, first, a grid 24 having a predetermined size and a rectangular plate-like upper die 36 a and lower die 36 b having substantially the same dimensions as this grid are prepared. In this case, a metal plate having a thickness of 0.15 mm made of Fe-50% Ni is degreased, washed and dried, and then the electron beam passage hole 26 is formed by etching to form the grid 24. In addition, a plurality of recesses 27 are formed by half-etching both surfaces of the grid 24. Thereafter, after the entire grid 24 is oxidized, an insulating film is formed on the grid surface including the inner surface of the electron beam passage hole 26. Further, a coating solution containing glass as a main component is applied on the insulating film, dried, and baked to form a high resistance film.

成形型としての上型36aおよび下型36bは、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により平坦な板状に形成する。上型36aは、グリッド24に当接される平坦な当接面41aと、第1スペーサ30aを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔40aと、を有している。スペーサ形成孔40aはそれぞれ上型36aの当接面41aに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、下型36bは、平坦な当接面41bと、第2スペーサ30bを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔40bと、を有している。スペーサ形成孔40bはそれぞれ下型36bの当接面41bに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。   The upper mold 36a and the lower mold 36b as the molds are formed in a flat plate shape using a transparent material that transmits ultraviolet rays, for example, transparent silicon, transparent polyethylene terephthalate, or the like. The upper die 36a has a flat contact surface 41a that is in contact with the grid 24, and a large number of bottomed spacer forming holes 40a for forming the first spacers 30a. Each of the spacer formation holes 40a opens on the contact surface 41a of the upper die 36a and is arranged at a predetermined interval. Similarly, the lower mold 36b has a flat contact surface 41b and a large number of bottomed spacer forming holes 40b for forming the second spacer 30b. Each of the spacer formation holes 40b opens on the contact surface 41b of the lower mold 36b and is arranged at a predetermined interval.

その後、上型36aのスペーサ形成孔40aおよび下型26bのスペーサ形成孔40bにスペーサ形成材料46を充填する。スペーサ形成材料46としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ(有機成分)およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。   After that, the spacer forming material 46 is filled into the spacer forming hole 40a of the upper die 36a and the spacer forming hole 40b of the lower die 26b. As the spacer forming material 46, a glass paste containing at least an ultraviolet curable binder (organic component) and a glass filler is used. The specific gravity and viscosity of the glass paste are appropriately selected.

続いて、図7に示すように、スペーサ形成材料46の充填されたスペーサ形成孔40aが電子ビーム通過孔26間に位置するように、上型36aを位置決めし当接面41aをグリッド24の第1表面24aに密着させる。同様に、下型36bを、各スペーサ形成孔40bが電子ビーム通過孔26間に位置するように位置決めし、当接面41bをグリッド24の第2表面24bに密着させる。なお、グリッド24のスペーサ立設位置、すなわち、各凹所27には、ディスペンサあるいは印刷により、予め接着剤を塗布しておく。これにより、グリッド24、上型36aおよび下型36bからなる組立体42を構成する。組立体42において、上型36aのスペーサ形成孔40aと下型36bのスペーサ形成孔40bとは、グリッド24を挟んで対向して配列されている。   Subsequently, as shown in FIG. 7, the upper die 36 a is positioned so that the spacer forming holes 40 a filled with the spacer forming material 46 are positioned between the electron beam passage holes 26, and the contact surfaces 41 a are arranged on the grid 24. One surface 24a is closely attached. Similarly, the lower die 36b is positioned so that each spacer forming hole 40b is positioned between the electron beam passage holes 26, and the contact surface 41b is brought into close contact with the second surface 24b of the grid 24. Note that an adhesive is applied in advance to the spacer standing position of the grid 24, that is, each recess 27 by dispenser or printing. Thus, an assembly 42 including the grid 24, the upper mold 36a, and the lower mold 36b is configured. In the assembly 42, the spacer forming holes 40a of the upper mold 36a and the spacer forming holes 40b of the lower mold 36b are arranged to face each other with the grid 24 in between.

次いで、図8に示すように、組立体42を偏平な真空容器50内に配置し、大気圧を利用して上型36aおよび下型36bをグリッド24に密着させる。ここで真空容器50について詳細に説明する。
真空容器50は、それぞれ矩形板状に形成された第1主壁52および第2主壁54を有し、これらの第1および第2主壁は隙間をおいて対向配置されている。第1および第2主壁52、54の周縁部間には矩形枠状の側壁55が設けられている。側壁55は第1主壁52の内面周縁部に気密に固定され、第1主壁に対してほぼ垂直に立設されている。側壁55の自由端、ここでは、上端は、Oリング56を介して第2主壁54の内面周縁部に気密に当接している。このように構成された真空容器50内部は、第2主壁54の周縁部に設けられた排気バルブ57を介して、真空ポンプ58に接続されている。
Next, as shown in FIG. 8, the assembly 42 is placed in a flat vacuum vessel 50, and the upper die 36 a and the lower die 36 b are brought into close contact with the grid 24 using atmospheric pressure. Here, the vacuum vessel 50 will be described in detail.
The vacuum vessel 50 has a first main wall 52 and a second main wall 54 each formed in a rectangular plate shape, and the first and second main walls are arranged to face each other with a gap. A rectangular frame-shaped side wall 55 is provided between the peripheral portions of the first and second main walls 52 and 54. The side wall 55 is airtightly fixed to the inner peripheral edge portion of the first main wall 52 and is erected substantially perpendicular to the first main wall. The free end of the side wall 55, here the upper end, is in airtight contact with the inner peripheral edge of the second main wall 54 via the O-ring 56. The interior of the vacuum container 50 configured in this way is connected to a vacuum pump 58 via an exhaust valve 57 provided at the peripheral edge of the second main wall 54.

第1および第2主壁52、54は、グリッド24よりも大きな平面寸法に形成されている。また、第1および第2主壁52、54は、弾性変形可能であるとともに紫外線を透過可能な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート、ガラス等によって形成されている。後述するように、組立体42全体が均一に加圧されるように、第1および第2主壁52、54の内面には、ほぼ全面に渡って凹凸部が形成されている。   The first and second main walls 52 and 54 are formed to have a larger planar dimension than the grid 24. The first and second main walls 52 and 54 are made of a material that can be elastically deformed and can transmit ultraviolet rays, such as transparent silicon, transparent polyethylene terephthalate, and glass. As will be described later, uneven portions are formed on the inner surfaces of the first and second main walls 52 and 54 so that the entire assembly 42 is uniformly pressurized.

上記のように構成された真空容器50を用いて組立体42を挟持する場合、まず、第2主壁54を取り外した状態で、第1主壁52の内面上に圧力拡散板60aを敷設する。この圧力拡散板60a上に組立体42を載置し、例えば、下型36bを第1主壁52と対向させる。   When sandwiching the assembly 42 using the vacuum container 50 configured as described above, first, the pressure diffusion plate 60a is laid on the inner surface of the first main wall 52 with the second main wall 54 removed. . The assembly 42 is placed on the pressure diffusion plate 60a, and for example, the lower mold 36b is opposed to the first main wall 52.

次に、組立体42の上に圧力拡散板60bを配置し、更に、第2主壁54を重ねて配置し、組立体42の上型36aと対向させるとともに周縁部をOリング56に重ね合わせる。なお、圧力拡散板60a、60bは紫外線透過材料により形成されている。   Next, the pressure diffusion plate 60 b is disposed on the assembly 42, and the second main wall 54 is disposed so as to be opposed to the upper mold 36 a of the assembly 42 and the peripheral portion is superimposed on the O-ring 56. . The pressure diffusion plates 60a and 60b are made of an ultraviolet transmissive material.

この状態で、排気手段としての真空ポンプ58を作動させ、真空容器50内を所定の真空度となるまで排気した後、排気バルブ57を閉じて真空容器内を真空に維持する。真空容器50内が真空になると、真空容器の第1および第2主壁52、54に対して大気圧が作用する。そのため、第1および第2主壁52、54は、内部には配置された組立体42を両面側から押圧し、上型36aおよび下型36bをグリッド24に密着させる。   In this state, the vacuum pump 58 as an evacuation unit is operated to evacuate the vacuum vessel 50 to a predetermined degree of vacuum, and then the exhaust valve 57 is closed to maintain the vacuum vessel in a vacuum. When the inside of the vacuum vessel 50 is evacuated, atmospheric pressure acts on the first and second main walls 52 and 54 of the vacuum vessel. For this reason, the first and second main walls 52 and 54 press the assembly 42 disposed inside from both sides, thereby bringing the upper mold 36 a and the lower mold 36 b into close contact with the grid 24.

この際、前述した通り、真空容器50の第1および第2主壁52、54は弾性変形可能な材料で形成されているため、組立体42に沿って弾性変形し上型36aおよび下型36bに密着する。また、第1および第2主壁52、54の内面は凹凸に形成されている。そのため、大気圧はそれぞれ圧力拡散板60a、60bを介して上型36aおよび下型36bの全面に均一に作用する。従って、グリッド24、上型36aおよび下型36bは、極めて良好な密着状態に維持される。   At this time, as described above, since the first and second main walls 52 and 54 of the vacuum vessel 50 are formed of an elastically deformable material, the upper die 36a and the lower die 36b are elastically deformed along the assembly 42. Close contact with. Further, the inner surfaces of the first and second main walls 52 and 54 are formed to be uneven. Therefore, the atmospheric pressure acts uniformly on the entire surfaces of the upper die 36a and the lower die 36b through the pressure diffusion plates 60a and 60b, respectively. Therefore, the grid 24, the upper mold 36a, and the lower mold 36b are maintained in an extremely good contact state.

上記のように大気圧を利用してグリッド24、上型36aおよび下型36bを密着させた状態で、真空容器50の外側に配置された紫外線ランプ62a、62bから第1および第2主壁52、54に向けて紫外線(UV)を照射する。ここで、真空容器50の第1および第2主壁52、54、圧力拡散板60a、60b、上型36aおよび下型36bはそれぞれ紫外線透過材料で形成されている。そのため、紫外線ランプ62a、62bから照射された紫外線は、真空容器50の第1および第2主壁52、54、圧力拡散板60a、60b、上型36aおよび下型36bを透過し、充填されたスペーサ形成材料46に照射される。これにより、組立体42の極めて良好な密着を維持した状態で、スペーサ形成材料46を紫外線硬化させることができる。   As described above, the first and second main walls 52 from the ultraviolet lamps 62a and 62b disposed outside the vacuum vessel 50 in a state where the grid 24, the upper mold 36a and the lower mold 36b are brought into close contact with each other using atmospheric pressure. , 54 is irradiated with ultraviolet rays (UV). Here, the first and second main walls 52 and 54, the pressure diffusion plates 60a and 60b, the upper mold 36a and the lower mold 36b of the vacuum vessel 50 are each formed of an ultraviolet transmitting material. Therefore, the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet lamps 62a and 62b are transmitted through the first and second main walls 52 and 54, the pressure diffusion plates 60a and 60b, the upper mold 36a and the lower mold 36b of the vacuum vessel 50 and filled. The spacer forming material 46 is irradiated. As a result, the spacer forming material 46 can be UV-cured while maintaining extremely good adhesion of the assembly 42.

続いて、真空容器50の真空を解除し、組立体42を真空容器から取り出す。この際、第2主壁54はOリングに接触しているのみであることから、真空を解除することにより真空容器を容易に開放することができる。その後、図9に示すように、硬化したスペーサ形成材料46をグリッド24上に残すように、上型36aおよび下型36bをグリッド24から剥離する。次に、スペーサ形成材料46が設けられたグリッド24を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約500〜550℃で30分〜1時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド24上に第1および第2スペーサ30a、30bが作り込まれたスペーサ構体22が得られる。   Subsequently, the vacuum in the vacuum container 50 is released, and the assembly 42 is taken out from the vacuum container. At this time, since the second main wall 54 is only in contact with the O-ring, the vacuum container can be easily opened by releasing the vacuum. Thereafter, as shown in FIG. 9, the upper mold 36 a and the lower mold 36 b are peeled from the grid 24 so that the cured spacer forming material 46 remains on the grid 24. Next, after the grid 24 provided with the spacer forming material 46 is heat-treated in a heating furnace and the binder is blown out from the spacer forming material, the spacer forming material is finally fired at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. To do. Thereby, the spacer structure 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24 is obtained.

一方、SEDの製造においては、予め、蛍光体スクリーン16およびメタルバック17の設けられた第1基板10と、電子放出素子18および配線21が設けられているとともに側壁14が接合された第2基板12と、を用意しておく。   On the other hand, in the manufacture of the SED, the first substrate 10 provided with the phosphor screen 16 and the metal back 17 in advance, the second substrate on which the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are provided and the side wall 14 is joined. 12 are prepared.

続いて、上記のようにして得られたスペーサ構体22を第2基板12上に位置決め配置する。この状態で、第1基板10、第2基板12、およびスペーサ構体22を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁14を介して第1基板を第2基板に接合する。これにより、スペーサ構体22を備えたSEDが製造される。   Subsequently, the spacer structure 22 obtained as described above is positioned on the second substrate 12. In this state, the first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer structure 22 are arranged in the vacuum chamber, the inside of the vacuum chamber is evacuated, and then the first substrate is bonded to the second substrate via the side wall 14. . Thereby, SED provided with the spacer structure 22 is manufactured.

以上のように構成されたSEDによれば、グリッド24表面のスペーサ立設位置に凹所27を設けることにより、スペーサ構体を製造する際、グリッド表面上におけるスペーサ形成材料の滲みを凹所の範囲内に抑制することができる。これにより、各スペーサの基端からグリッド表面上に滲みでたスペーサ形成材料の滲みの幅を、スペーサ基端の端縁と凹所27の端縁との隙間Gの範囲とし、従来に比較して大幅に低減することが可能となる。従って、スペーサ形成材料の滲みに起因する放電の発生を防止し、SEDの耐電圧特性を向上することができる。同時に、滲み部分の帯電に起因する電子ビームの軌道ずれを防止し、電子ビームのランディング特性の向上および輝度向上を図することができる。更に、電子ビーム通過孔26がスペーサ形成材料によって塞がれてしまう恐れもない。その結果、表示品位の向上したSEDを得ることができる。   According to the SED configured as described above, when the spacer structure is manufactured by providing the recess 27 at the spacer standing position on the surface of the grid 24, the bleeding of the spacer forming material on the grid surface is within the range of the recess. Can be suppressed within. As a result, the width of the spacer forming material bleeding from the base end of each spacer onto the grid surface is set to the range of the gap G between the end of the spacer base end and the end of the recess 27, compared to the conventional case. Can be greatly reduced. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of discharge due to the bleeding of the spacer forming material and improve the withstand voltage characteristics of the SED. At the same time, it is possible to prevent an electron beam trajectory shift due to charging of the bleeding portion, and to improve the landing characteristics and brightness of the electron beam. Furthermore, there is no possibility that the electron beam passage hole 26 is blocked by the spacer forming material. As a result, an SED with improved display quality can be obtained.

次に、この発明の他の実施の形態に係るSEDについて説明する。本実施の形態によれば、図10および図11に示すように、グリッド24の第1および第2表面24a、24bにおいて、各スペーサ立設位置には、前述した凹所に代えて環状の溝28が設けられている。すなわち、各溝28は、第1あるいは第2スペーサ30a、30bのグリッド側端縁の全周に沿って延び、このグリッド側端の周囲を囲んで形成されている。各溝28はエッチング等により形成され、その幅Wおよび深さdは、いずれも隣合う電子ビーム通過孔26間の間隔Dの5ないし30%に形成されている。
他の構成は前述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
Next, an SED according to another embodiment of the present invention will be described. According to the present embodiment, as shown in FIGS. 10 and 11, in the first and second surfaces 24a and 24b of the grid 24, annular spacers are provided at the spacer standing positions instead of the recesses described above. 28 is provided. That is, each groove 28 extends along the entire circumference of the grid-side end edge of the first or second spacer 30a, 30b, and is formed so as to surround the periphery of the grid-side end. Each groove 28 is formed by etching or the like, and its width W and depth d are both 5 to 30% of the distance D between adjacent electron beam passage holes 26.
Other configurations are the same as those of the above-described embodiment, and the same portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.

このように構成された第2の実施の形態においても、グリッド24表面のスペーサ立設位置を囲んだ溝28を設けることにより、スペーサ構体を製造する際、グリッド表面上におけるスペーサ形成材料の滲みを溝によって抑制することができる。従って、第2の実施の形態においても、前述した第1の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。   Also in the second embodiment configured as described above, by providing the groove 28 surrounding the spacer standing position on the surface of the grid 24, when the spacer structure is manufactured, the spacer forming material bleeds on the grid surface. It can be suppressed by the groove. Therefore, also in 2nd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment mentioned above can be acquired.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

上述した実施の形態において、スペーサ構体は、第1および第2スペーサおよびグリッドを一体的に備えた構成としたが、第2スペーサは第2基板12上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、グリッドおよび第2スペーサのみを備え、グリッドが第1基板に接触した構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the spacer structure is configured to integrally include the first and second spacers and the grid, but the second spacer may be formed on the second substrate 12. Further, the spacer structure may include only the grid and the second spacer, and the grid may be in contact with the first substrate.

その他、スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施の形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。スペーサ形成材料の充填条件は必要に応じて種々選択可能である。また、この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。   In addition, the diameter and height of the spacer, the dimensions, materials, and the like of the other components are not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately selected as necessary. Various filling conditions for the spacer forming material can be selected as necessary. In addition, the present invention is not limited to the one using a surface conduction electron-emitting device as an electron source, but can be applied to an image display device using another electron source such as a field emission type or a carbon nanotube.

この発明の第1の実施の形態に係るSEDを示す斜視図。The perspective view which shows SED which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1の線A−Aに沿って破断した上記SEDの斜視図。The perspective view of said SED fractured | ruptured along line AA of FIG. 上記SEDを拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows said SED. 上記スペーサ構体の一部を拡大して示す斜視図。The perspective view which expands and shows a part of said spacer structure. 図4の線B−Bに沿った断面図。Sectional drawing along line BB of FIG. 上記スペーサ構体の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the said spacer structure. 成形型およびグリッドを密着させた組立体を示す断面図。Sectional drawing which shows the assembly which closely_contact | adhered the shaping | molding die and the grid. 上記スペーサ構体の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the said spacer structure. 上記成形型を開放した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which open | released the said shaping | molding die. この発明の第2の実施の形態に係るSEDのスペーサ構体の一部を拡大して示す斜視図。The perspective view which expands and shows a part of spacer structure of SED which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 図10の線C−Cに沿った断面図。Sectional drawing along line CC of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10…第1基板、 12…第2基板、 14…側壁、 15…真空外囲器、
16…蛍光体スクリーン、 18…電子放出素子、 22…スペーサ構体、
24…グリッド、 26…電子ビーム通過孔、 27…凹所、
28…溝、 30a…第1スペーサ、 30b…第2スペーサ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 14 ... Side wall, 15 ... Vacuum envelope,
16 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device, 22 ... spacer structure,
24 ... Grid, 26 ... Electron beam passage hole, 27 ... Recess,
28: groove, 30a: first spacer, 30b: second spacer.

Claims (10)

蛍光面が形成された第1基板と、
上記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、
上記第1および第2基板の間に設けられ上記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
上記スペーサ構体は、上記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、上記グリッドは上記少なくとも一方の表面に形成された複数の凹所を有し、各スペーサは上記凹所内に立設されていることを特徴とする画像表示装置。
A first substrate on which a phosphor screen is formed;
A second substrate provided opposite to the first substrate with a predetermined gap and provided with a plurality of electron emission sources for exciting the phosphor screen;
A spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
The spacer structure is opposed to the first and second substrates and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and on at least one surface of the grid. A plurality of spacers standing on the surface, the grid has a plurality of recesses formed on the at least one surface, and each spacer is set up in the recess. An image display device.
上記各凹所は、上記各スペーサのグリッド側の端よりも大きな面積を有し、各スペーサのグリッド側端の端縁と上記凹所の端縁との間に隙間が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。   Each recess has a larger area than the end of each spacer on the grid side, and a gap is formed between the edge of each spacer on the grid side and the end of the recess. The image display device according to claim 1, wherein 上記各スペーサのグリッド側端の端縁と上記凹所の端縁との間に隙間は、各スペーサのグリッド側端の全周に渡って延びていることを特徴とする請求項2に記載の画像表示装置。   The clearance gap between the edge of the grid side end of each said spacer and the edge of the said recessed part is extended over the perimeter of the grid side end of each spacer, The Claim 2 characterized by the above-mentioned. Image display device. 上記各スペーサおよび各凹所は、上記グリッドの隣合う電子ビーム通過孔間に設けられ、上記各スペーサのグリッド側端の端縁と上記凹所の端縁との間に隙間は、上記隣合う電子ビーム間の間隔の5ないし30%に形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の画像表示装置。   The spacers and the recesses are provided between adjacent electron beam passage holes of the grid, and a gap is provided between the edge of the grid side end of each spacer and the edge of the recess. 4. The image display device according to claim 2, wherein the image display device is formed at 5 to 30% of an interval between electron beams. 上記各スペーサおよび各凹所は、上記グリッドの隣合う電子ビーム通過孔間に設けられ、上記各凹所の深さは、上記隣合う電子ビーム通過孔間の間隔の5ないし30%に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The spacers and the recesses are provided between adjacent electron beam passage holes of the grid, and the depth of the recesses is 5 to 30% of the interval between the adjacent electron beam passage holes. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is provided. 上記グリッドは、上記第1基板に対向した第1表面と、上記第2基板に対向した第2表面と、上記第1および第2表面にそれぞれ形成された複数の凹所と、を有し、上記スペーサは、上記第1表面上で上記凹所内に立設された複数の第1スペーサと、上記第2表面上で上記凹所内に立設された複数の第2スペーサと、を含んでいることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The grid has a first surface facing the first substrate, a second surface facing the second substrate, and a plurality of recesses respectively formed on the first and second surfaces, The spacer includes a plurality of first spacers standing in the recess on the first surface and a plurality of second spacers standing in the recess on the second surface. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is an image display device. 蛍光面が形成された第1基板と、
上記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、
上記第1および第2基板の間に設けられ上記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
上記スペーサ構体は、上記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、上記グリッドは上記少なくとも一方の表面に形成され各スペーサの上記グリッド側端の周囲に位置した複数の溝を有していることを特徴とする画像表示装置。
A first substrate on which a phosphor screen is formed;
A second substrate provided opposite to the first substrate with a predetermined gap and provided with a plurality of electron emission sources for exciting the phosphor screen;
A spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
The spacer structure is opposed to the first and second substrates and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and on at least one surface of the grid. And the grid has a plurality of grooves formed on the at least one surface and positioned around the grid-side end of each spacer. Image display device.
上記各スペーサは、上記グリッドの隣合う電子ビーム通過孔間に設けられ、上記各溝の幅は、上記隣合う電子ビーム間の間隔の5ないし30%に形成されていることを特徴とする請求項7に記載の画像表示装置。   The spacers are provided between adjacent electron beam passage holes of the grid, and the width of each groove is 5 to 30% of the interval between the adjacent electron beams. Item 8. The image display device according to Item 7. 上記各スペーサは、上記グリッドの隣合う電子ビーム通過孔間に設けられ、上記各溝の深さは、上記隣合う電子ビーム間の間隔の5ないし30%に形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の画像表示装置。   Each of the spacers is provided between adjacent electron beam passage holes of the grid, and each groove has a depth of 5 to 30% of the interval between the adjacent electron beams. The image display device according to claim 7 or 8. 上記グリッドは、上記第1基板に対向した第1表面と、上記第2基板に対向した第2表面と、上記第1および第2表面にそれぞれ形成された複数の上記溝と、を有し、上記スペーサは、上記第1表面上に立設された複数の第1スペーサと、上記第2表面上に立設された複数の第2スペーサと、を含んでいることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1項に記載の画像表示装置。   The grid has a first surface facing the first substrate, a second surface facing the second substrate, and a plurality of grooves formed on the first and second surfaces, respectively. The spacer includes a plurality of first spacers erected on the first surface and a plurality of second spacers erected on the second surface. 10. The image display device according to any one of items 9 to 9.
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