JP2004319579A - Semiconductor device - Google Patents

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Kiyoshi Mita
清志 三田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Kanto Sanyo Semiconductors Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which reliability is enhanced for temperature variation. <P>SOLUTION: The semiconductor device 10A comprises a semiconductor element 11, a flexible sheet 14 mounting the semiconductor element 11, and sealing resin 12 covering the semiconductor element 11 with the surface abutting against the flexible sheet wherein the forward end part of the flexible sheet 14 extends to the rear surface of the sealing resin 12 and an external electrode 15 is formed at the forward end part. Consequently, the external electrode is protected against damage due to thermal stress being generated when the semiconductor element is used. Since the forward end part of the flexible sheet and the rear surface of sealing resin are bonded through thermoplastic adhesive resin, thermal stress is buffered by the adhesive resin thus enhancing reliability of the semiconductor device. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&amp;NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、フレキシブルシートを用いた小型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７を参照して従来型の半導体装置１００の構成を説明する（下記特許文献１参照）。
【０００３】
フレキシブルシートやガラスエポキシ基板から成る実装基板１０４の表面には、第１のパッド１０５が形成され、裏面には第１のパッド１０５と電気的に接続された第２のパッド１０６が形成されている。第１のパッド１０５と第２のパッド１０６とは、実装基板１０４を貫通する孔を介して電気的に接続されている。
【０００４】
半導体素子１０１は、実装基板１０４上に固着され、金属細線１０２を介して第１のパッド１０５と電気的に接続されている。また、半導体素子１０１と実装基板１０４の表面は封止樹脂１０３により封止されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１７４１６９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した半導体装置１００では、シリコンから成る半導体素子１０１と他の樹脂部材との熱膨張率が大きく異なる。従って、樹脂形成の工程や、半導体装置の実装を行うリフローの工程や、使用状況下の温度変化により発生する熱応力により、半導体素子１０１の接続部の接続信頼性に問題が発生していた。また、半導体装置１００は、半田等のロウ材により基板に実装されるが、温度変化によりそのロウ材にクラックが発生してしまう問題があった。
【０００７】
本発明は上記した問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、温度変化に対する信頼性を向上させた半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が実装されたフレキシブルシートと、前記半導体素子を被覆して表面が前記フレキシブルシートに当接する封止樹脂とを具備し、前記フレキシブルシートの先端部は前記封止樹脂の裏面まで延在し、前記先端部に外部電極が形成されることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
先ず、図１を参照して本発明にかかる半導体装置１０Ａの構造を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０Ａの断面図であり、図１（Ｂ）はその裏面図である。また、図１（Ｃ）は半導体装置に用いられるフレキシブルシート１４の展開図である。
【００１０】
本発明の半導体装置１０Ａは、半導体素子１１と、半導体素子１１が実装されたフレキシブルシート１４と、半導体素子１１を被覆して表面がフレキシブルシートに当接する封止樹脂１２とを具備し、フレキシブルシート１４の先端部１４Ａは封止樹脂１２の裏面まで延在し、先端部１４Ａに外部電極１５が形成される構成となっている。このような構成の半導体装置１０Ａの詳細を以下にて詳述する。
【００１１】
図１（Ａ）を参照して、半導体素子１１は、例えばＩＣチップであり、フレキシブルシート１４に固着されて、フレキシブルシートの表面に形成された導電路と電気的に接続されている。ここでは、金属細線１３を介して、半導体素子１１とフレキシブルシート１４の導電路とが電気的に接続されている。
【００１２】
封止樹脂１２は、例えば熱硬化性樹脂からなり、半導体素子１１を被覆している。従って、半導体素子１１を被覆する封止樹脂１２の表面は、半導体素子１１が実装される箇所付近のフレキシブルシート１４に当接している。また、封止樹脂１２の裏面には、接着樹脂１６を介して、フレキシブルシートの先端部１４Ａが接着している。
【００１３】
フレキシブルシート１４は、例えばポリイミド系材料から成り、その表面には導電パターンが形成されている。フレキシブルシート１４には半導体素子１１が実装され、フレキシブルシートの表面に形成された導電パターンと半導体素子１１とが電気的に接続されている。そして、フレキシブルシート１４は、封止樹脂１２を包み込むように、封止樹脂１２の表面から裏面に延在している。封止樹脂１２の裏面に延在したフレキシブルシート１４の先端部１４Ａは、接着樹脂１６により、封止樹脂１２に接着される。そして、フレキシブルシート１４の先端部１４Ａには、半田等のロウ材から成る外部電極１５が形成されている。また、フレキシブルシート１４に複数層の導電パターンが構成されても良い。
【００１４】
図１（Ｃ）を参照して、フレキシブルシート１４を更に詳細に説明する。フレキシブルシート１４の外形は略十字の如き形状を有し、中央部に半導体素子１１が固着される領域が形成され、その周囲に第１のパッド１８Ａが形成される。ここでは、半導体素子１１は金属細線１３を介して接続されるので、ボンディングパッドとなる第１のパッド１８Ａが形成されている。そして、第１のパッド１８Ａと同様の材料から成る配線部１７が、先端部１４Ａまで延在している。先端部１４Ａには、配線部１７と接続された第２のパッド１８Ｂが形成され、この第２のパッド１８Ｂに外部電極１５が構成される。ここでは、フレキシブルシート１４に於いて、半導体素子１１が実装される面と、外部電極２３が形成される面とが異なる。従って、半導体素子１１に接続する第１のパッド１８Ａが形成される面と、外部電極１５が付着される第２のパッド１８Ｂが形成される面も異なる。
【００１５】
接着樹脂１６は、平坦面に形成される封止樹脂１２の裏面とフレキシブルシート１４とを接着させる働きを有する。ここでは、接着樹脂１６として熱可塑性の樹脂を採用することができる。熱可塑性樹脂は高温時に於いて軟化するので、半導体素子１１の発熱により発生する熱応力を、軟化した接着樹脂１６で緩和することができる。従って、熱応力により外部電極１５が破損してしまうのを防止することができる。
【００１６】
図２を参照して、他の形態の半導体装置の構成を説明する。図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は、各半導体装置の断面図である。
【００１７】
図２（Ａ）を参照して、他の形態の半導体素子１０Ｂの構成を説明する。同図に示す半導体装置１０Ｂでは、フレキシブルシート１４の裏面に第２の半導体素子１１Ｂが実装され、第２の半導体素子１１Ｂが第２の封止樹脂１２Ｂにより封止されている。従って、フレキシブルシート１４の両面に導電パターンが設けられ、第１の半導体素子１２Ａおよび第２の半導体素子１２Ｂがその両面に実装されている。また、フレキシブルシート１４は、第１の封止樹脂１２Ａを包み込むように、その裏面まで延在している。他の構成は、図１に示したものと同様である。
【００１８】
図２（Ｂ）を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｃの構成を説明する。ここでは、第１の半導体素子１１Ａおよび第２の半導体素子１１Ｂは、フェイスダウンで実装されている。
【００１９】
図２（Ｃ）を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｄの構成を説明する。ここでは、第１の半導体素子１１Ａのみがフレキシブルシート１４の表面に実装されている。そして、第１の半導体素子１１Ａは第１の封止樹脂１２Ａにより封止されている。従って、フレキシブルシート１４の表面に第１の半導体素子１１Ｂが実装され、更に、外部電極１５が形成されている。このことから、第１のパッド１８Ａ、第２のパッド１８Ｂおよび配線部１７が、フレキシブルシート１４の片面に形成されるので、片面のみに導電パターンを有するフレキシブルシート１４を用いることができる。また、ここでは、第２の封止樹脂１２Ｂ内部には半導体素子は内蔵されない。
【００２０】
続いて、図３から図６を参照して、本発明にかかる半導体装置の製造方法を説明する。ここでは、一実施例として、図１に示す半導体装置１０Ａの製造方法を説明する。
【００２１】
図３を参照して、ポリイミド樹脂等から成るフレキシブルシート１４を説明する。図３（Ａ）はフレキシブルシート１４の平面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。フレキシブルシート１４の表面には導電パターンが形成されており、この導電パターンにより、第１のパッド１８Ａ、第２のパッド１８Ｂ、第１のパッド１８Ａと第２のパッド１８Ｂとを接続する配線部１７が形成されている。第１のパッド１８Ａは、金属細線またはバンプを介して半導体素子１１と電気的に接続される。また、第２のパッド１８Ｂには外部電極が形成される。従って、フレキシブルシート１４に於いて、半導体素子１１が実装される面と、外部電極が形成される面とが異なる場合は、第１のパッド１８Ａと第２のパッド１８Ｂは異なるフレキシブルシート１４の面に形成される。この様な場合は、第１のパッド１８Ａまたは第２のパッド１８Ｂは、フレキシブルシート１４を貫通して配線部１７と電気的に接続される。
【００２２】
次に、図４を参照して、半導体素子１１を実装する。ここでは、半導体素子１１がフェイスアップでフレキシブルシート１４に実装され、金属細線１３により、半導体素子１１と第１のパッド１８Ａとが電気的に接続される。ここで、半導体素子１１はフェイスダウンで実装されても良い。
【００２３】
次に、図５を参照して、半導体素子１１を封止する。ここでは、半導体素子１１およびフレキシブルシート１４の表面を被覆するように、封止樹脂１２が形成される。封止樹脂１２の形成は、トランスファーモールドにより行うことができる。封止樹脂１２の表面はフレキシブルシート１４に当接し、封止樹脂１２の裏面は平坦面に形成される。
【００２４】
次に、図６を参照して、フレキシブルシート１４を所定の形状に成形する。ここでは、プレス機を用いたパンチング等により、フレキシブルシート１４を所定の形状に成形している。
【００２５】
所定の形状に成形された、フレキシブルシート１４の先端部１４Ａは、封止樹脂１２の裏面に位置するように曲折される。そして、フレキシブルシート１４の先端部１４Ａと封止樹脂１２の裏面とは、接着樹脂を介して接着される。上記のような工程を経て、例えば図１に示すような半導体装置が製造される。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子は実装されるフレキシブルシートの先端部を、半導体素子を封止する封止樹脂の裏面まで延在させ、この先端部に外部電極を形成している。従って、半導体素子の使用状況下等で発生する熱応力により、外部電極が破損してしまうのを防止している。また、フレキシブルシートの先端部と封止樹脂の裏面とは、熱可塑性樹脂から成る接着樹脂により接着されているので、この接着樹脂が熱応力を緩衝することにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の断面図（Ａ）、裏面図（Ｂ）、半導体装置を構成するフレキシブルシートの展開図（Ｃ）である。
【図２】本発明の半導体装置の断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】従来の半導体装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体装置
１１ 半導体素子
１２ 封止樹脂
１３ 金属細線
１４ フレキシブルシート
１５ 外部電極
１６ 接着樹脂[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a small semiconductor device using a flexible sheet.
[0002]
[Prior art]
The configuration of a conventional semiconductor device 100 will be described with reference to FIG. 7 (see Patent Document 1 below).
[0003]
A first pad 105 is formed on the front surface of a mounting substrate 104 made of a flexible sheet or a glass epoxy substrate, and a second pad 106 electrically connected to the first pad 105 is formed on the back surface. . The first pad 105 and the second pad 106 are electrically connected via a hole penetrating the mounting board 104.
[0004]
The semiconductor element 101 is fixed on the mounting board 104 and is electrically connected to the first pad 105 via the thin metal wire 102. The surfaces of the semiconductor element 101 and the mounting substrate 104 are sealed with a sealing resin 103.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2000-174169 A
[Problems to be solved by the invention]
However, in the semiconductor device 100 described above, the coefficient of thermal expansion between the semiconductor element 101 made of silicon and another resin member is significantly different. Therefore, there has been a problem in connection reliability of a connection portion of the semiconductor element 101 due to a resin forming process, a reflow process for mounting a semiconductor device, and a thermal stress generated by a temperature change under a use condition. In addition, the semiconductor device 100 is mounted on a substrate by using a brazing material such as solder. However, there is a problem that a crack occurs in the brazing material due to a temperature change.
[0007]
The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide a semiconductor device with improved reliability against temperature changes.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor element, a flexible sheet on which the semiconductor element is mounted, and a sealing resin that covers the semiconductor element and has a surface that abuts the flexible sheet. The portion extends to the back surface of the sealing resin, and an external electrode is formed at the tip.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First, the structure of a semiconductor device 10A according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view of the semiconductor device 10A, and FIG. 1B is a rear view thereof. FIG. 1C is a development view of a flexible sheet 14 used for a semiconductor device.
[0010]
A semiconductor device 10A according to the present invention includes a semiconductor element 11, a flexible sheet 14 on which the semiconductor element 11 is mounted, and a sealing resin 12 that covers the semiconductor element 11 and has a surface in contact with the flexible sheet. 14 has a configuration in which an external electrode 15 is formed on the distal end 14A, extending to the rear surface of the sealing resin 12. Details of the semiconductor device 10A having such a configuration will be described in detail below.
[0011]
Referring to FIG. 1A, a semiconductor element 11 is, for example, an IC chip, is fixed to a flexible sheet 14, and is electrically connected to a conductive path formed on a surface of the flexible sheet. Here, the semiconductor element 11 and the conductive path of the flexible sheet 14 are electrically connected via the thin metal wire 13.
[0012]
The sealing resin 12 is made of, for example, a thermosetting resin, and covers the semiconductor element 11. Therefore, the surface of the sealing resin 12 covering the semiconductor element 11 is in contact with the flexible sheet 14 near the location where the semiconductor element 11 is mounted. Further, the front end portion 14A of the flexible sheet is adhered to the back surface of the sealing resin 12 via the adhesive resin 16.
[0013]
The flexible sheet 14 is made of, for example, a polyimide-based material, and has a conductive pattern formed on the surface thereof. The semiconductor element 11 is mounted on the flexible sheet 14, and the conductive element formed on the surface of the flexible sheet is electrically connected to the semiconductor element 11. The flexible sheet 14 extends from the front surface to the back surface of the sealing resin 12 so as to surround the sealing resin 12. The tip portion 14A of the flexible sheet 14 extending to the back surface of the sealing resin 12 is adhered to the sealing resin 12 by the adhesive resin 16. Further, an external electrode 15 made of a brazing material such as solder is formed on the distal end portion 14A of the flexible sheet 14. Further, a plurality of conductive patterns may be formed on the flexible sheet 14.
[0014]
The flexible sheet 14 will be described in more detail with reference to FIG. The outer shape of the flexible sheet 14 has a substantially cross-like shape, a region to which the semiconductor element 11 is fixed is formed in the center, and a first pad 18A is formed around the region. Here, since the semiconductor element 11 is connected via the thin metal wire 13, a first pad 18A serving as a bonding pad is formed. The wiring portion 17 made of the same material as the first pad 18A extends to the tip portion 14A. A second pad 18B connected to the wiring portion 17 is formed on the tip portion 14A, and the external electrode 15 is formed on the second pad 18B. Here, the surface of the flexible sheet 14 on which the semiconductor element 11 is mounted is different from the surface on which the external electrodes 23 are formed. Therefore, the surface on which the first pad 18A connected to the semiconductor element 11 is formed is different from the surface on which the second pad 18B to which the external electrode 15 is attached is formed.
[0015]
The adhesive resin 16 has a function of bonding the back surface of the sealing resin 12 formed on the flat surface and the flexible sheet 14. Here, a thermoplastic resin can be used as the adhesive resin 16. Since the thermoplastic resin is softened at a high temperature, the thermal stress generated by the heat generated by the semiconductor element 11 can be reduced by the softened adhesive resin 16. Therefore, it is possible to prevent the external electrode 15 from being damaged by thermal stress.
[0016]
A configuration of a semiconductor device according to another embodiment will be described with reference to FIG. 2A, 2B, and 2C are cross-sectional views of each semiconductor device.
[0017]
With reference to FIG. 2A, a configuration of a semiconductor element 10B of another embodiment will be described. In the semiconductor device 10B shown in the figure, the second semiconductor element 11B is mounted on the back surface of the flexible sheet 14, and the second semiconductor element 11B is sealed with the second sealing resin 12B. Accordingly, conductive patterns are provided on both surfaces of the flexible sheet 14, and the first semiconductor element 12A and the second semiconductor element 12B are mounted on both surfaces. The flexible sheet 14 extends to the back surface so as to surround the first sealing resin 12A. Other configurations are the same as those shown in FIG.
[0018]
With reference to FIG. 2B, a configuration of a semiconductor device 10C of another embodiment will be described. Here, the first semiconductor element 11A and the second semiconductor element 11B are mounted face down.
[0019]
A configuration of a semiconductor device 10D according to another embodiment will be described with reference to FIG. Here, only the first semiconductor element 11 </ b> A is mounted on the surface of the flexible sheet 14. The first semiconductor element 11A is sealed with a first sealing resin 12A. Therefore, the first semiconductor element 11B is mounted on the surface of the flexible sheet 14, and the external electrodes 15 are further formed. For this reason, since the first pad 18A, the second pad 18B, and the wiring portion 17 are formed on one surface of the flexible sheet 14, the flexible sheet 14 having a conductive pattern on only one surface can be used. Here, the semiconductor element is not built in the second sealing resin 12B.
[0020]
Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Here, as one example, a method of manufacturing the semiconductor device 10A shown in FIG. 1 will be described.
[0021]
The flexible sheet 14 made of a polyimide resin or the like will be described with reference to FIG. FIG. 3A is a plan view of the flexible sheet 14, and FIG. 3B is a cross-sectional view thereof. A conductive pattern is formed on the surface of the flexible sheet 14, and the conductive pattern is used to form a first pad 18A, a second pad 18B, and a wiring portion 17 for connecting the first pad 18A and the second pad 18B. Are formed. The first pad 18A is electrically connected to the semiconductor element 11 via a thin metal wire or a bump. An external electrode is formed on the second pad 18B. Therefore, when the surface on which the semiconductor element 11 is mounted is different from the surface on which the external electrodes are formed in the flexible sheet 14, the first pad 18 </ b> A and the second pad 18 </ b> B are on different surfaces of the flexible sheet 14. Is formed. In such a case, the first pad 18A or the second pad 18B penetrates the flexible sheet 14 and is electrically connected to the wiring portion 17.
[0022]
Next, referring to FIG. 4, the semiconductor element 11 is mounted. Here, the semiconductor element 11 is mounted face up on the flexible sheet 14, and the semiconductor element 11 and the first pad 18 </ b> A are electrically connected by the thin metal wires 13. Here, the semiconductor element 11 may be mounted face down.
[0023]
Next, referring to FIG. 5, the semiconductor element 11 is sealed. Here, the sealing resin 12 is formed so as to cover the surfaces of the semiconductor element 11 and the flexible sheet 14. The formation of the sealing resin 12 can be performed by transfer molding. The front surface of the sealing resin 12 contacts the flexible sheet 14, and the back surface of the sealing resin 12 is formed as a flat surface.
[0024]
Next, referring to FIG. 6, the flexible sheet 14 is formed into a predetermined shape. Here, the flexible sheet 14 is formed into a predetermined shape by punching or the like using a press machine.
[0025]
The front end portion 14A of the flexible sheet 14 formed into a predetermined shape is bent so as to be located on the back surface of the sealing resin 12. Then, the front end portion 14A of the flexible sheet 14 and the back surface of the sealing resin 12 are bonded via an adhesive resin. Through the steps described above, for example, a semiconductor device as shown in FIG. 1 is manufactured.
[0026]
【The invention's effect】
According to the semiconductor device of the present invention, the front end of the flexible sheet on which the semiconductor element is mounted extends to the back surface of the sealing resin that seals the semiconductor element, and the external electrode is formed at the front end. Therefore, it is possible to prevent the external electrodes from being damaged by thermal stress generated under the usage condition of the semiconductor element. Also, since the leading end of the flexible sheet and the back surface of the sealing resin are bonded by an adhesive resin made of a thermoplastic resin, the adhesive resin buffers thermal stress, thereby improving the reliability of the semiconductor device. be able to.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view (A), a rear view (B), and a developed view (C) of a flexible sheet constituting a semiconductor device of the present invention.
FIGS. 2A to 2C are a cross-sectional view, a cross-sectional view, and a cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
FIGS. 3A and 3B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention; FIGS.
FIGS. 4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention; FIGS.
FIGS. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention; FIGS.
6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device 11 Semiconductor element 12 Sealing resin 13 Fine metal wire 14 Flexible sheet 15 External electrode 16 Adhesive resin

Claims (3)

半導体素子と、前記半導体素子が実装されたフレキシブルシートと、前記半導体素子を被覆して表面が前記フレキシブルシートに当接する封止樹脂とを具備し、
前記フレキシブルシートの先端部は前記封止樹脂の裏面まで延在し、前記先端部に外部電極が形成されることを特徴とする半導体装置。A semiconductor element, a flexible sheet on which the semiconductor element is mounted, and a sealing resin covering the semiconductor element and having a surface in contact with the flexible sheet,
A semiconductor device, wherein a front end of the flexible sheet extends to a back surface of the sealing resin, and an external electrode is formed at the front end. 前記フレキシブルシートの先端部と前記封止樹脂とは、熱可塑性樹脂から成る接着剤を介して接着されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the front end of the flexible sheet and the sealing resin are bonded via an adhesive made of a thermoplastic resin. 前記フレキシブルシートの両面に第１の半導体素子および第２の半導体素子が実装され、前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は第１の封止樹脂および第２の封止樹脂により被覆され、前記第１の封止樹脂または前記第２の封止樹脂の裏面に前記フレキシブルシートの先端部が延在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。A first semiconductor element and a second semiconductor element are mounted on both surfaces of the flexible sheet, and the first semiconductor element and the second semiconductor element are covered with a first sealing resin and a second sealing resin. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a tip portion of the flexible sheet extends on a back surface of the first sealing resin or the second sealing resin. 3.
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