JP2004273722A

JP2004273722A - Method for processing wafer

Info

Publication number: JP2004273722A
Application number: JP2003061792A
Authority: JP
Inventors: Yasuaki Yokoyama; 泰明横山; Nobuo Bessho; 信夫別所
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2003-03-07
Filing date: 2003-03-07
Publication date: 2004-09-30

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a wafer in which the wafer being processed is held tightly on a substrate and can be stripped easily without breaking the element on the surface when the rear surface of the wafer having semiconductor elements (a fine pattern or holes) on the surface is processed, and a fixing agent layer adhering to the wafer can be removed and/or cleaned easily while eliminating the problem of contaminating the wafer. <P>SOLUTION: After the wafer surface having semiconductor elements is pasted to a substrate using a compound having liquid crystal properties as a wafer fixing agent and heating at a temperature not lower than the melting point of the compound, rear surface provided with no semiconductor element is polished and then the wafer thus heated and polished is removed from the substrate before the wafer fixing agent is cleaned using a solvent. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に半導体素子を有するウェハの裏面を研磨加工処理するときに、液晶性を有する化合物を含有する固定化剤を用いて該ウェハの素子を有する面を基体に密着させ保持した後、該ウェハの裏面を研磨加工処理するウェハの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体用ウェハおよび／またはデバイスの搭載されたウェハは、その使用する目的に応じて種々の表面および／または裏面の表面加工が行われる。例えば、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの表面加工技術による表面および／または裏面の均一化表面加工は、被加工物の加工される基準面がどこにあるか設定し、かつ加工材に対して加工時に一定の平面を保持することが必要になる。その加工される基準面の設定として、ウェハの表面または裏面を、例えば硬質プレートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）に密着させてウェハを保持するが、加工処理時にウェハが厳密に保持されることが必要になる。
【０００３】
ウェハの表面または裏面を、例えば硬質プレートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）、ガラスやセラミックス基板および／またはウェハなどの基体に密着させて被加工体のウェハを保持する方法として、例えば、ワックスマウンテイング法と呼ばれる方法が存在する。このワックスマウンティング法は、ワックスを接着剤に用いてウェハの裏面と高精度の表面を有する硬質プレート（例えば高精度平面のセラミックスプレート）を密着させる（ウェハの裏面基準と呼ばれる）。この方法は、硬質プレート表面の平坦精度とワックスとの厚さを管理することによって、ウェハの裏面に倣って表面の表面加工が行われる。この方法は、表面加工に用いる被加工体のウェハの表面が基本的に平坦であることが必要で、デバイス搭載過程でのウェハ処理には適さないと言われ、ベアシリコンの表面加工に広く用いられている。しかし、この表面加工で接着剤として用いるワックスは、加工処理後の洗浄が難しく汚染の問題があり、またワックス中の金属不純物が洗浄後の被加工体ウェハの表面に残存し、それがウェハまたはデバイス中に拡散（マイグレーション）する汚染の問題がある。
【０００４】
シリコンウェハを含め全てのウェハ表面を何らかの加工を施す場合は、前述のＣＭＰの場合と同様に被加工体であるウェハの加工されない面を要求されるある特定の状態に保持する必要がある。そのために種々の接着剤が開発されているが、一般的に接着剤と呼ばれる材料は加工後の被加工体であるウェハを基体から外す際に容易に剥がすことができず、ウェハが割れる問題があった。さらに、剥離したウェハ上に付着する接着剤層の除去および／または洗浄が難しく、ウェハが汚染される問題があった。特に、本発明が目的とする表面に半導体素子を有するウェハの裏面を加工処理する場合は、基体とウェハの表面を貼り合わせた後、裏面を加工処理するが、裏面を加工処理する際に表面の素子（例えばパターンやホールなど）が加工時の圧力で破壊されたり、加工処理後の剥離時に表面の素子が破壊される問題があった。特に、研磨後のウェハが薄い場合は、剥離時のウェハの破断および／または素子の破壊が問題になっていた。同様の目的で仮止め用として粘着材と呼ばれる材料も種々開発されているが、加工時に被加工体を十分に保持し、かつ容易に被加工体の剥離、さらに被加工体上に付着する接着剤層の除去および／または洗浄することができ、表面の半導体素子の破壊がなく汚染のない満足のいく材料は見出されていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、表面に半導体素子（微細パターンやホール）を有するウェハの裏面を加工処理するときに、該ウェハを基体に密着させ保持し、裏面加工時に表面の素子の破壊がなく、かつ被加工体のウェハが容易に剥離でき、さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去および／または洗浄ができ、被加工体のウェハに対する汚染の問題がないウェハの裏面を処理するウェハの加工方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に半導体素子を有するウェハ面を、ウェハ固定化剤として液晶性を有する化合物を用いて基体に貼り合せた後、半導体素子を有しない裏面を加工処理するウェハ加工方法に関する。
本発明のウェハ加工方法では、表面に半導体素子を有するウェハ面を、ウェハ固定化剤として液晶性を有する化合物を用いて基体に貼り合せる際、ウェハ固定化剤として用いた液晶性を有する化合物の融点以上の温度に該ウェハ固定化剤を加熱することが好ましい。
また、本発明のウェハ加工方法では、次いで、ウェハ固定化剤として用いた液晶性を有する化合物の融点以上の温度に加温してウェハを基体から外すことが好ましい。
さらに、本発明のウェハ加工方法では、次いで、基体から外されたウェハをウェハ固定化剤の溶剤で洗浄することが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は、表面に半導体素子を有するウェハの表面と基体とを液晶性を有する化合物からなるウェハ固定化剤を用いて貼り合わせることを特徴とする。
本発明に用いることができる液晶性を有する化合物は、異方性結晶から等方性結晶に移る転移点と等方的結晶から等方性液体に移る融点を有するもの、および異方性結晶から異方性液体に移る融点と異方性液体と等方性液体に移る透明点を有するものの何れも用いることができる。本発明のウェハ固定化剤は、基体と被加工体のウェハとを密着させることから、基体および／またはウェハ上に塗布し貼り合わせた後の状態が、室温で結晶または固体状態である液晶性を有する化合物、具体的には融点が３５℃以上の液晶性を有する化合物を用いるのが好ましい。
【０００８】
本発明に用いることができる液晶性を有する化合物としては、具体的には、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステアリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミチン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウムクロライド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド、３−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウムメチルスルホネート、３−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウム−ｐ−メチルフェニルスルホネート、４−シアノ−４’−オクチルオキシビフェニル、４−シアノ−４’―ドデシルオキシビフェニル、４−シアノ−４’−オクタノイルオキシビフェニル、ｐ−オクチルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステル、
【０００９】
ヘプタ−２，４−ジエン酸、オクタ−２，４−ジエン酸、ノナ−２，４−ジエン酸、デカ−２，４−ジエン酸、ウンデカ−２，４−ジエン酸、ノナ−２−エン−４−イン酸、パルミチック酸、ドコサン（ベヘン）酸、１，１０−デカンジカルボン酸（ドデカン二酸）、１，１２−ドデカンジカルボン酸、１，１０−デカンジカルボン酸ジヒドラジド、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸、ｐ−ｎ−アミル安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、ω−ｎ−ブチルソルビン酸、ｐ’−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ−アゾキシアニソール、ｐ−アゾキシフェネトール、アニシリデン−ｐ−アミノフェニルアセテート、ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリン、ｐ−エトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリン、５−クロロ−６−ｎ−プロピルオキシ−２−ナフトエ酸、１−ベンゼンアゾ−アニサル−４−ナフチルアミン、ｐ−メトキシ−ｐ’−ブチルアゾキシベンゼン、ジヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−ヘキシルカルボネート−ｐ’−ヘプチルオキシフェニル安息香酸、ｐ−アセトキシケイヒ酸、ｐ−メトキシ−α−ケイヒ酸、フェニルペンタジエン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−ブロモケイヒ酸、ｐ−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−エトキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ−ブロモ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−プロピルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、７−メトキシ−２−フルオレン酸、６−メトキシ−２−ナフチル酸、６−エトキシ−２−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−クロロ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−ブロモ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−クロロ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ブロモ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸メチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸エチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−クロロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−ニトロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ，ｐ’−ビフェニルジカルボン酸ビフェニルエステル、ｐ，ｐ’−テルフェニルジカルボン酸ジメチルエステル、エチレングリコールビス（ｏ−カルボエトキシ−ｐ−オキシフェニルエステル）、ビス（ｐ−メトキシシンナミル）アセトン、ジアリリデンシクロペンタノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロペンタノン、ジアリリデンシクロヘキサノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロヘキサノン、ビス〔ｐ−（ベンゾイルオキシ）ベンザル〕−β−メチルシクロヘキサノン、ｐ，ｐ’−ビス（ビフェニルカルビノール）ビフェニル、１−クロロ−１，２−ビス（ｐ−アセトキシフェニル）エチレン、ｐ−アセトキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−シアノアニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−ニトロシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルアニリン、ベンザル−ｐ−アミノ安息香酸ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノ安息香酸、ベンザル−ｐ−アミノ（β−メチル）ケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルヒドロケイヒ酸、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸ブチルエステル、ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノメチルケイヒ酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−α−メチルケイヒ酸プロピルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ−α−エチルケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ジメチルアミノビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ホルミルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ベンゾイルアミノビフェニル、シンナミル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフェナンスレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザルアミノフルオレン、ｐ−ノニルオキシベンザルフェニルヒドラジン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−（ジメチル）アジン、ビス（ｐ−フェニルベンザル）アジン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルフェニルヒドラジン、テレフタル−ビス−（ｐ−クロロアニリン）、テレフタル−ビス（ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−クロロベンザル）−ｐ−フェニレンジアミン、ビス（ｐ−メチルベンザル）−ｐ−トルイレンジアミン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｏ−オキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノジメチルビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−１，４−ジアミノナフタレン、ビス（ｐ−メトキシ−ｍ−メチルベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノクオーターフェニル、ｐ−メトキシ−ｐ’−オキシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジ−ｎ−ヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−アセトキシベンゼン−ｐ−アゾ安息香酸エチルエステル、ベンゾイル−ｐ−オキシベンゼン−ｐ−アゾ−α−メチルケイヒ酸アミルエステル、ｐ，ｐ’−アゾ安息香酸モノエチルエステル、１−アセトキシナフタリン−４−ｐ−アセチルアゾベンゼン、ベンザル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−メチルアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−エトキシアゾベンゼン、シンナミル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフタリン−４−アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アセチルアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−メトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−エトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ｐ−シンナミル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−イソプロピルベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノアゾベンンゼン、（ｐ−エトキシベンゼン）−ｐ−アゾ（ｐ−メトキシベンゾイル）−ｏ−オキシベンザル−（ｐ’−エトキシ）アニリン、ｐ，ｐ’−アゾベンザル−ビス−アニリン、ベンザル−ｐ−アミノビフェニルアゾベンゼン、テレフタル−ビス（ｐ−アミノアゾベンゼン）、ｐ，ｐ’−ジアセトキシアゾキシベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾキシベンゼン（アゾキシアニソール）、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸フェニルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ安息香酸ジメチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシチオ安息香酸ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシケイヒ酸ジヘプチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチルケイヒ酸ジオクチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチル−β−ブロムケイヒ酸ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−β−メチルケイヒ酸ジメチルエステル、ジ−ｐ−メトキシベンゾイルジスルフイド、炭酸メチルコレステリルエステル、炭酸エチルコレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６−コレステン−３β−０１−エステル、ｐ−メトキシ安息香酸コレステリルエステル、ｐ−アミノ安息香酸コレステリルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチル安息香酸ｐ’−シアノフェニルエステル、４−シアノ−４’−ペンチルジシクロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸−ｐ−シアノフェニルエステル、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタン、ｐ−シアノ−（４−ヘプチル−２，６−ジオキサシクロヘキシル）ベンゼン、ｐ−シアノ−（５−ペンチル−２−ピリミジル）ベンゼン、ｐ−シアノ−〔４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−（ｐ−シアノフェニル）−４’−ヘプチルビシクロヘキシル、ｐ−シアノ−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４’−プロピル−４−ビシクロヘキシル）エタン、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−２−シアノ−４−ペンチルフェニルエステル、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−２，３−ジシアノ−４−ペンチルオキシフェニルエステル、ｐ−（３−ペンチル−６−ピリダジニル）ペンチルオキシベンゼン、ｐ−（１−シアノ−４−プロピルシクロヘキシル）−ｐ’−ペンチルビフェニル、２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、４−（３，４−ジフルオロフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−〔４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル〕−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタン、３，４−ジフルオロ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、
【００１０】
プロピオン酸コレステロール、安息香酸コレステロール、パルミチン酸コレステロール、塩化コレステロール、ギ酸コレステロール、酢酸コレステロール、ペラルゴン酸コレステロール、ｐ−アミノケイヒ酸コレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６；７，８−コレスタジエン−３β−０１−エステル、
【００１１】
ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオキシ−２−ナフトエ酸、ｐ−ｎ―ノニルオキシベンザル−ｐ’−トルイジン、ミリスチン酸コレステロール、オクタン酸コレステロール、ｐ−ｎ−ノニルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、５−ヨード−６−ｎ―ノニル−２−ナフトエ酸、ｎ−ノナン酸コレステロール、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−クロロケイヒ酸、ｐ−アミロキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ニトロ−２−ナフチル酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン酸プロピルエステル、２−アセチル−７−ｎ−ヘプチルオキシフルオレン、ジ−ｐ，ｐ’−エチル−３，６−ビフェニルピリダジン、ジメチル−ｐ、ｐ’−ジオキシテルフェニル、ｐ，ｐ’−ジアミノクオータフェニルキンキフェニル、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−エチルアニリン、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−プロピルアニリン、ｐ−ヘキシルオキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、２−ｐ−ｎ−ヘキシルオキシベンザルアミノフェナンスレン、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノテルフェニル、ビス（ｐ−アミノオキシベンザル）−ｐ’−フェニレンジアミン、ビス（ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｐ−プロポキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−ペンチルオキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾケイヒ酸エチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾケイヒ酸ジメチルエステル、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｍ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−エトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジヘキシルオキシアゾキシベンゼン、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシチオ安息香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸（ｐ−エチル）フェニルエステル、ビス（ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸）−ｍ−ジオキシベンゼンエステル、４−（ｐ−フルオロフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−（３，４−ジフルオロフェニル）−２−〔４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）〕エタン、４−（ｐ−トリフルオロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、４−（ｐ−ジフルオロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、４−トリフルオロメトキシ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルアセチレン、
【００１２】
１つのべンゼン環の１，３，５位にステロイドエステル基を有する化合物などのデイスコチック液晶、芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドなどの液晶性を有する高分子液晶化合物などを用いることができる。
【００１３】
これら液晶性を有する化合物は、単独で用いてもよく、２種類以上の液晶性を有する化合物を混合して用いてもよい。これら液晶性を有する化合物のうち、単独および／または２種類以上の混合物の融点が３５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。さらに、これら液晶性を有する化合物は、溶剤に溶解した溶液状態で用いることができる。
【００１４】
本発明のウェハ固定化剤は、上記の液晶性を有する化合物をそのまま用いてもよいが、液晶性を有する化合物と溶剤とからなる溶液として用いることができる。
このウェハ固定化剤に用いることができる溶剤は、用いる液晶性を有する化合物が溶解するものであれば、何れの溶剤も使用することができ、特に限定されるものではない。例えば、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ウンデカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、フェノールなどのアルコール類、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸などのカルボン酸類、ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、デカリン、テトラリン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの炭化水素系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、乳酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎーメチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、クロロホルム、塩化メチレンなどの極性溶剤、乳酸などの水溶性有機溶剤の水溶液が用いられる。
これら溶剤は、単独でも２種類以上を混合して用いても良い。
【００１５】
本発明の、ウェハ固定化剤は、粘度を調整するために必要に応じて酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物の微粒子などと適宜混合して使用することができる。
【００１６】
また、本発明のウェハ固定化剤は、粘度を調整するために、必要に応じて有機ポリマー、例えばポリ（無水アゼライン酸）、ポリ〔２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノール−ｃｏ―４−ヒドロキシ安息香酸〕、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノベンゾエート）、ポリ（１−ブテン）、ポリ（１，４−ブテンアジペート−ｃｏ−１，４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）ジオール、ポリ（１，４−ブチレンアジペート−ｃｏ−ポリカプロラクタム）、ポリ（１，４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ〔ブチレンテレフタレート−ｃｏ―ポリ（アルキレングリコール）テレフタレート〕、ポリカプロラクトンジオール、ポリカルボメチルシラン、ポリクロロプレン、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−ｃｏ−ビニリデンフルオライド）、ポリ〔（ｏ−クレシルグリシジルエーテル）−ｃｏ−ホルムアルデヒド〕、ポリ〔ジメチルシロキサン−ｃｏ−メチル（ステアロイルオキシアルキル）シロキサン〕、ポリエチレン、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）のナトリウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレンアジペート）のトリレン−２，４−ジイソシアネート反応物、ポリ（エチレンアゼレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン−ｃｏ−１−ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−カーボンモノオキシド）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチレン）ジオール、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリエチレン−ｇｒａｆｔ−無水マレイン酸、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）のナトリウムまたはリチウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート−ｃｏ−アクリル酸）、ポリエチレンモノアルコール、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−オクテン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレン−ｂｌｏｃｋ−ポリ（エチレングリコール）、ポリ（エチレンスクシネート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−トリアルコキシビニルシラン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレンオキシド−ｃｏ―ジフルオロメチレンオキシド）モノアルキルアミド、ポリ（１，６−ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサメチレンカーボネート）、ポリ（３−ヒドロキシブタン酸）、ポリイソプレン、ポリラウリルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポリテトラヒドロフラン、ポリ（オキシメチレン）アセテート、ポリプロピレン、ポリ（１，３−プロピレンアジペート）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−エチレン）、ポリ（１，３−プロピレングルタレート）、ポリ（１，３−プロピレンスクシネート）、ポリ（無水セバシン酸）、ポリスチレン、ポリ（ビニルアルコール−ｃｏ−エチレン）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−ビニルクロライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（ビニル−Ｎ−オクタデシルカルバメート）、ポリ（ビニルトルエン−ｃｏ−α−メチルスチレン）などを添加して用いてもよい。これら有機ポリマーの添加量は、本発明に用いる液晶性を有する化合物の融点に依存するが、液晶性を有する化合物に対して２００重量％以下、好ましくは１５０重量％以下で用いることができる。
【００１７】
また、ウェハ固定化剤の被加工体であるウェハまたは／および基体に対する濡れ性を改良したり、塗布性および／または塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などを防止するため、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤を少量添加することができる。添加することのできる非イオン系界面活性剤としては、フッ化アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤、またはオキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができる。上記フッ素系界面活性剤としては、Ｃ_９Ｆ_１９ＣＯＮＨＣ_１２Ｈ_２５、Ｃ_８Ｆ_１７ＳＯ_２ＮＨ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_６Ｈ、Ｃ_９Ｆ_１７Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ_９Ｆ_１７、Ｃ_９Ｆ_１７Ｏ（プルロニックＰ−８４）Ｃ_９Ｆ_１７などを挙げることができる。（ここで、プルロニックＬ−３５：旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量１，９００；プルロニックＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量４，２００；テトロニック−７０４：旭電化工業（株）製、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体）、平均分子量５，０００）などを挙げることができる。これらのフッ素系界面活性剤の具体例としては、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げることがでる。また、ポリエーテルアルキル系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックポリマーなどを挙げることができる。これらのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例としては、エマルゲン１０５、同４３０、同８１０、同９２０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−４０Ｓ、ブリッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラッセル２０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６０、マージ４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール５５（三洋化成（株）製）などを挙げることができる。上記以外の非イオン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体などがあり、具体的にはケミスタット２５００（三洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８（サンノプコ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工業（株）製）などを挙げることができる。
【００１８】
かくして得られたウェハ固定化剤は、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの支持体である基体に塗布するが、塗布方法は特に限定されず、刷毛塗り、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、インクジェット、印刷法などを用いることができる。塗布は１回で、または複数回、重ね塗りすることもできる。塗布し溶剤を飛散した後の好適な固定化剤層の厚みは、塗布方法、仮止め剤中の液晶性を有する化合物の濃度に依存して適宜変動するが、固定化剤層の厚みは０．００１〜１００μｍが好ましく、０．００５〜１０μｍであるのがさらに好ましい。
【００１９】
本発明のウェハ固定化剤は、被加工体であるウェハまたは／および基体に塗布した後、用いた溶剤を飛散させるが、室温で放置して溶剤を飛散させてもよく、加熱して溶剤を飛散させてもよい。加熱して溶剤を飛散させる場合は、固定化剤組成物に用いた液晶性を有する化合物の融点以上〜融点＋２００℃以下の温度で、好ましくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃以下の温度、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃以下の温度で溶剤を飛散するのがよい。
【００２０】
さらに、本発明のウェハ固定化剤は、ペレット状で用いることもできる。このウェハ固定化用ペレットは、射出成型法、鋳型成型法、キャスティング法、フィルムのカッテイング法などの公知の方法を用いて製造することができる。射出成型法または鋳型成型法で製造する場合の温度は、ウェハ接着用ペレットに用いた液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーの融点〜融点＋３００℃、好ましくは融点＋５℃〜融点＋２５０℃、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋２００℃である。鋳型成型時の時間は、１〜１２０分、好ましくは２〜９０分、さらに好ましくは５〜６０分である。キャスティング時の溶剤の飛散温度は、用いた溶剤の沸点に依存するが、用いた溶剤の沸点〜溶剤の沸点＋２００℃、好ましくは溶剤の沸点＋５℃〜溶剤の沸点＋１５０℃、さらに好ましくは溶剤の沸点＋１０℃〜溶剤の沸点＋１００℃である。
【００２１】
本発明のペレット形状のウェハ固定化剤の形状は、特に限定されるものではないが、例えば円柱、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱のような多角柱、円錐、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐のような多角錐、フットボール形状、立方体のような多面体などが挙げられる。これらのうち、本発明のウェハ用固定化剤として用いる場合は、被加工体のウェハと基体とを水平に保つために円柱や多角柱が好ましく、さらに、ペレットを作る容易さを加味すると円柱が特に好ましい。
【００２２】
かくして得られたウェハ固定化用ペレットは、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの支持体である基体上にセットするが、セットする方法は特に限定されるものではない。
【００２３】
本発明の固定化用ペレットは、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの基体にセットした後、被加工体であるウェハとウェハの基体とを圧着して貼り合わせるが、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの基体の少なくとも一方を固定化剤用ペレットに用いた液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーの融点以上の温度に加温した状態で貼り合わせるのが好ましい。この貼り合わせる温度は、ウェハ固定化剤用ペレットに用いた液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーの融点に依存するが、液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーの融点〜融点＋３００℃、好ましくは融点＋５℃〜融点＋２５０℃、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋２００℃である。貼り合わせる時間は、１〜１２０分、好ましくは２〜９０分、さらに好ましくは５〜６０分である。
【００２４】
本発明に用いるウェハ固定化用ペレットの重量およびサイズは、被加工体の加工面および／または接着面のサイズに依存し、任意に選択するが、被加工体であるウェハとウェハの支持体である基体間に形成される固定化剤層の厚みが、０．０１μｍ〜２０ｍｍ、好ましくは０．０５μｍ〜１０ｍｍ、さらに好ましくは０．１μｍ〜５ｍｍである。
【００２５】
被加工体であるウェハとウェハの基体とを貼り合わせるときの圧力は、特に限定されるものではなく、被加工体のウェハを加工処理するのに耐えられる密着性が得られればよく、用いた液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーによって任意に選択することができる。
【００２６】
ウェハを支持する基体に貼り合わされた被加工体ウェハは、そのウェハの使用目的に応じて特定の加工処理、例えば研磨加工処理が施される。場合によっては、ウェハの基体に貼り合わされたウェハは、そのまま場所を移す（ウェハの搬送という）ために用いることもできる。何れの場合もその使用目的の処理が施された後、ウェハと基体とを剥離するが、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの基体の少なくとも一方を加温して剥離する。ウェハと基体を剥離するときの温度は、用いた液晶性を有する化合物の融点以上の温度、好ましくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃で、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃である。
ここで、研磨加工処理とは、機械的研磨作用と化学的研磨作用の相乗性を利用した、いわゆるＣＭＰ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）である。
【００２７】
研磨加工処理した後に剥離した被加工体のウェハは、ウェハに付着し残存したウェハ固定化剤を溶剤で洗浄するが、ウェハ固定化剤に接する表面が半導体素子を有するために素子の中に入ったウェハ固定化剤を十分に洗い落とすことが要求される。この洗浄に用いる溶剤は、用いた液晶性を有する化合物または液晶性を有する化合物および有機ポリマーが溶解する溶剤が任意に選択される。具体的には、本発明の液晶性を有する化合物または固定化剤および固定化用ペレットを製造するために用いる溶剤と同じ溶剤を用いることができる。また、洗浄溶剤として水酸化カリウムのような無機アルカリの水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのような有機塩基の水溶液、塩酸やフッ酸のような無機酸の水溶液、酢酸、酪酸、乳酸のような有機酸の水溶液を用いることができ、これら無機および有機化合物の水溶液は、有機溶剤、例えばエタノール、イソプロパノール、ブタノール、ジオキサン、テトラヒドロフランのような水溶性有機溶剤を添加して用いることもできる。
【００２８】
【実施例】
以下に、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２９】
実施例１
固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）（融点＝７４〜８０℃）０．５４７ｇを、ＳＴＩ工程を経て得られる幅２５０μｍ、溝深さ０．８μｍの溝がピッチ５００μｍで形成されたシリコン基板上に、積層膜厚２μｍ、かつ０．９μｍでＴＥＯＳ（トリエトキシシラン）膜が形成された６インチシリコンウェハ（ＳＫＷ社製）全面に均一に塗布した後、１２０℃に加熱し、市販ＣＭＰ装置の硬質プレート上に貼り付け、定盤上のパッドに２００ｇ／ｃｍ^２の圧力で圧着して貼り合わせた。次に、パッド上に市販の研磨材溶液を塗布しながら硬質プレートに貼り付けた面と反対側の面を、研磨した。研磨条件は、ＪＳＲ社製スラリー品名「ＣＭＳ１１０１」、化学機械研磨装置形式「ＥＰＯ１１２」、スラリー供給量２００ｍｌ／分、研磨加重４００ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数７０ｒｐｍで表面から厚さ１００ｎｍ研磨した。研磨した後、６インチシリコンウェハの研磨した側から１２０℃の熱風を吹き付け加温した後、ウェハを硬質プレートから剥離した。剥離した６インチシリコンウェハを洗浄溶剤として２重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いてウェハに付着した固定化剤を洗浄し除去した。６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いたウェハ固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本加工処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３０】
実施例２
実施例１のドコサン酸０．５４７ｇの代わりに０．５４７ｇの１，１０−デカンジカルボン酸（ドデカン二酸）（融点＝１２８〜１３１℃）を用い、加熱温度として１５０℃を用いた以外は、実施例１と同様に６インチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨処理した後、実施例１と同様に、６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察した所、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本加工処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３１】
実施例３
実施例１のドコサン酸の代わりにドコサン酸の５重量％テトラヒドロフラン／トルエン（容積比＝８０／２０）混合溶液１０ｇをスピンコートで６インチシリコンウェハに塗布し１２０℃／３０分で乾燥した後、再度加温して貼り合わせた以外は、実施例１と同様にシリコンウェハを表面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様に、６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。
次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本加工処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３２】
実施例４
固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）０．５４７ｇを直径２０ｍｍの柱状加圧成型器に秤量し、２００ｋｇ・ｃｍ^−２の圧力を５分間かけ、直径２０ｍｍ厚さ１．７ｍｍの円柱状ペレットを得た。このペレットを実施例１で用いたウェハ上におき、実施例１と同様に硬質プレート上に貼り合わせた。該ペレットは８０℃位から溶解し、２〜３分で溶融ドコサン酸が６インチウェハ全面に広がった。室温に戻した後、実施例１と同様に貼り付けた面と反対側の面を研磨した。研磨した後、６インチシリコンウェハの研磨した側から１２０℃の熱風を吹き付け加温した後、ウェハを硬質プレートから剥離した。剥離した６インチウェハを洗浄溶剤として２重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いてウェハに付着した固定化剤を洗浄し除去した。６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本加工処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３３】
実施例５
実施例４のドコサン酸０．５４７ｇの代わりに０．５４７ｇの１，１０−デカンジカルボン酸を用いたこと、および１，１０−デカンジカルボン酸を溶融するための熱風の温度を１５０℃にした以外は、実施例４と同様に６インチシリコンウェハを市販ＣＭＰ装置の硬質プレート上に貼り付け、６インチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨処理した後、実施例４と同様に、６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３４】
実施例６
固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）１０ｇを１２０℃に加温し溶融させた後、直径１０ｍｍの柱状成型器に溶融ドコサン酸を注ぎ、室温に戻してから柱状成型器から固体状のドコサン酸を抜き、直径１０ｍｍ長さ約１０ｃｍの円柱状ドコサン酸を得た。この円柱状ドコサン酸をダイヤモンドカッターを用いて厚さ３ｍｍのペレットに加工した。この直径１０ｍｍ厚さ３ｍｍのペレットを用いて、実施例４と同様に市販研磨機で６インチシリコンウェハの表面研磨を行った。表面研磨した後、実施例４と同様に処理し、６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３５】
実施例７
実施例６のドコサン酸１０ｇの代わりに１０ｇの１，１０−デカンジカルボン酸を用い１５０℃に加温し溶融した以外は、実施例６と同様に、直径１０ｍｍ長さ約１０ｃｍの円柱状ドコサン酸を得た。この円柱状１，１０−デカンジカルボン酸をダイヤモンドカッターを用いて厚さ３ｍｍのペレットに加工した。このペレットを用いて熱風の温度を１５０℃にした以外は、実施例３と同様に６インチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨処理した後、実施例６と同様に、６インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲおよびＥＳＣＡで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、貼り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。次に、該ウェハのパターンを有する断面をＳＥＭで観察したところ、パターン中およびベタ基板上には固定化剤が全く残っていないことを確認した。また、貼り合わせ前のパターンのＳＥＭ写真と比較したが、両者のパターンは同等で本処理中にパターンの破壊および変形が起きていないことが確認された。
【００３６】
比較例１
実施例１のドコサン酸の代わりに市販のエポキシ接着剤［セメダイン（株）製、「ＥＰ１６０」］０．５４７ｇを用いた以外は、実施例１と同様に６インチシリコンウェハを表面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様に、硬質プレートから外そうとしたが、６インチシリコンウェハが破損した。また、破損したが一部の剥離したシリコウェハのエポキシ樹脂を接着させた面をＦＴ−ＩＲで表面観察したところ、有機物に帰属される吸収が観察され、貼り合わせに用いた接着剤が洗浄で除去しきれなかったことを示した。
【００３７】
【発明の効果】
本発明は、特定の液晶性を有する化合物を含有するウェハ固定化剤を用いることにより、ウェハの表面に半導体素子を有する面を硬質プレートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）および／またはウェハなどの基体に密着させ保持することができ、かつ被加工体のウェハが容易に剥離でき、さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去および／または洗浄ができ、被加工体のウェハに対する汚染および基板表面の半導体素子の破壊などの問題がない、半導体用ウェハの加工処理ができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for polishing a back surface of a wafer having semiconductor elements on the front surface, by using a fixing agent containing a compound having a liquid crystallinity to hold the surface having the elements of the wafer in close contact with the substrate and holding the wafer. The present invention also relates to a wafer processing method for polishing the back surface of the wafer.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor wafer and / or a wafer on which devices are mounted are subjected to various surface treatments on the front surface and / or the back surface according to the purpose of use. For example, uniform surface treatment of the front surface and / or the back surface by a surface processing technology such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) is performed by setting where a reference surface to be processed of a workpiece is located and at the time of processing the processed material. It is necessary to maintain a certain plane. As a setting of the reference plane to be processed, the wafer is held by bringing the front or back surface of the wafer into close contact with, for example, a hard plate and / or an elastic carrier (backing material). It becomes necessary.
[0003]
As a method for holding the wafer as a workpiece by bringing the front or back surface of the wafer into close contact with a base such as a hard plate and / or an elastic carrier (backing material), a glass or ceramic substrate and / or a wafer, for example, a wax There is a method called a mounting method. In this wax mounting method, a hard plate having a high-precision surface (for example, a high-precision flat ceramic plate) is brought into close contact with a back surface of a wafer by using wax as an adhesive (referred to as a wafer back surface reference). In this method, the surface processing is performed in accordance with the back surface of the wafer by controlling the flatness of the surface of the hard plate and the thickness of the wax. This method requires that the surface of the wafer to be processed used for surface processing is basically flat, and is said to be unsuitable for wafer processing in the device mounting process, and is widely used for bare silicon surface processing. Have been. However, the wax used as an adhesive in this surface processing is difficult to clean after processing and has a problem of contamination, and metal impurities in the wax remain on the surface of the wafer to be processed after cleaning, which is the wafer or the wafer. There is a problem of contamination that diffuses (migrate) into the device.
[0004]
In the case where all the wafer surfaces including the silicon wafer are subjected to some processing, it is necessary to keep the non-processed surface of the wafer to be processed in a required specific state as in the case of the above-described CMP. For this purpose, various adhesives have been developed, but the material generally called an adhesive cannot be easily peeled off when the wafer, which is the workpiece after processing, is removed from the base, and there is a problem that the wafer is broken. there were. Further, it is difficult to remove and / or clean the adhesive layer adhering to the peeled wafer, and there is a problem that the wafer is contaminated. In particular, when processing the back surface of a wafer having a semiconductor element on the front surface intended by the present invention, the back surface is processed after bonding the substrate and the front surface of the wafer. (For example, patterns and holes) are destroyed by the pressure at the time of processing, or the elements on the surface are destroyed at the time of peeling after the processing. In particular, when the polished wafer is thin, breakage of the wafer at the time of peeling and / or destruction of elements have been a problem. For the same purpose, various materials called adhesives have also been developed for temporary fixing, but they hold the workpiece sufficiently during processing, peel off the workpiece easily, and adhere to the workpiece. No satisfactory material has been found which can be removed and / or washed without destruction of the surface semiconductor elements and without contamination.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to process a back surface of a wafer having a semiconductor element (a fine pattern or a hole) on the front surface and hold the wafer in close contact with a substrate, so that the front surface element is not destroyed during the back surface processing, and The wafer to be processed can be easily peeled off, the fixing agent layer adhered to the wafer can be easily removed and / or washed, and the back surface of the wafer for processing the back surface of the wafer without any problem of contamination of the wafer to be processed. It is to provide a processing method.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a wafer processing method in which a wafer surface having semiconductor elements on its surface is bonded to a substrate using a compound having liquid crystallinity as a wafer fixing agent, and then the back surface having no semiconductor elements is processed.
In the wafer processing method of the present invention, when a wafer surface having semiconductor elements on its surface is bonded to a substrate using a liquid crystal compound as a wafer fixing agent, the liquid crystal compound used as the wafer fixing agent is bonded to the substrate. Preferably, the wafer fixing agent is heated to a temperature equal to or higher than the melting point.
Further, in the wafer processing method of the present invention, it is preferable that the wafer is removed from the substrate by heating to a temperature equal to or higher than the melting point of the compound having liquid crystallinity used as the wafer fixing agent.
Further, in the wafer processing method of the present invention, it is preferable that the wafer removed from the base is then washed with a solvent of a wafer fixing agent.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The present invention is characterized in that the surface of a wafer having semiconductor elements on its surface and a substrate are bonded together using a wafer fixing agent made of a compound having liquid crystallinity.
Compounds having liquid crystallinity that can be used in the present invention include those having a transition point from anisotropic crystal to an isotropic crystal and a melting point from an isotropic crystal to an isotropic liquid, and from anisotropic crystal. Any of those having a melting point which transfers to anisotropic liquid and a clearing point which transfers to anisotropic liquid and isotropic liquid can be used. Since the wafer fixing agent of the present invention makes the substrate and the wafer to be processed adhere to each other, the state after application and bonding on the substrate and / or the wafer is a crystalline or solid state at room temperature. It is preferable to use a compound having a liquid crystallinity having a melting point of 35 ° C. or higher.
[0008]
As the compound having liquid crystallinity that can be used in the present invention, specifically, sodium iso-butyrate, sodium oleate, potassium hexahydrobenzoate, sodium stearate, sodium myristate, sodium palmitate, sodium benzoate, Ethyl-p-azoxybenzoate, 1-n-dodecylpyridinium chloride, 1-n-dodecylpyridinium bromide, 1-n-dodecylpyridinium iododide, 2-n-tridecylpyridinium chloride, 3-n-dodecyloxymethylpyridinium Methylsulfonate, 3-n-dodecyloxymethylpyridinium-p-methylphenylsulfonate, 4-cyano-4'-octyloxybiphenyl, 4-cyano-4'-dodecyloxybiphenyl, 4-cyano- '- octanoyloxy biphenyl,-4-p-octyl oxybenzoate cyanophenyl esters,
[0009]
Hepta-2,4-dienoic acid, octa-2,4-dienoic acid, nona-2,4-dienoic acid, deca-2,4-dienoic acid, undeca-2,4-dienoic acid, nona-2-ene -4-ic acid, palmitic acid, docosane (behenic) acid, 1,10-decanedicarboxylic acid (dodecanediacid), 1,12-dodecanedicarboxylic acid, 1,10-decanedicarboxylic dihydrazide, pn-butyl Benzoic acid, pn-amylbenzoic acid, pn-hexyloxybenzoic acid, pn-octyloxy-m-fluorobenzoic acid, ω-n-butylsorbic acid, p′-methoxy-p-biphenylcarboxylic acid Acid, p-azoxyanisole, p-azoxyphenetol, anisylidene-p-aminophenylacetate, p-methoxybenzylidene-p-butylaniline, p-ethoxybenzylidyl -P-butylaniline, 5-chloro-6-n-propyloxy-2-naphthoic acid, 1-benzeneazo-anisal-4-naphthylamine, p-methoxy-p'-butylazoxybenzene, dihexyloxyazobenzene, p -Hexylcarbonate-p'-heptyloxyphenylbenzoic acid, p-acetoxycinnamic acid, p-methoxy-α-cinnamic acid, phenylpentadienoic acid, pn-hexyloxy-m-bromocinnamic acid, p-methoxy-p -Biphenylcarboxylic acid, p'-ethoxy-m'-chloro-p-biphenylcarboxylic acid, p'-butyloxy-m-bromo-p-biphenylcarboxylic acid, p'-n-propyloxy-m'-nitro-p -Biphenylcarboxylic acid, 7-methoxy-2-fluorenoic acid, 6-methoxy-2-naphthylic acid, 6-ethoxy -2-naphthylic acid, 6-n-propyloxy-5-chloro-2'-naphthylic acid, 6-n-propyloxy-5-bromo-2'-naphthylic acid, 6-n-butyloxy-5-chloro- 2-naphthylic acid, 6-n-butyloxy-5-bromo-2-naphthylic acid, 6-n-butyloxy-5-iodo-2-naphthylic acid, p'-n-hexyloxy-p-biphenylcarboxylic acid methyl ester P'-n-hexyloxy-p-biphenylcarboxylic acid ethyl ester, p'-n-hexyloxy-p-biphenylcarboxylic acid propyl ester, p'-n-dodecyloxy-m'-chlorobiphenylcarboxylic acid propyl ester P'-n-dodecyloxy-m'-nitrobiphenylcarboxylic acid propyl ester, p, p'-biphenyldicarboxylic acid biphenyl ester p, p'-terphenyldicarboxylic acid dimethyl ester, ethylene glycol bis (o-carboethoxy-p-oxyphenyl ester), bis (p-methoxycinnamyl) acetone, diarylidenecyclopentanone-bis (p-methoxy) Benzal) cyclopentanone, diarylidenecyclohexanone-bis (p-methoxybenzal) cyclohexanone, bis [p- (benzoyloxy) benzal] -β-methylcyclohexanone, p, p′-bis (biphenylcarbinol) biphenyl , 1-chloro-1,2-bis (p-acetoxyphenyl) ethylene, p-acetoxybenzal-p'-methoxyaniline, p-methoxybenzal-p'-cyanoaniline, p-methoxybenzal-p ' -Methoxyaniline, p-methoxycinnamyl-p'-methyl Niline, p-nitrocinnamyl-p'-methylaniline, p-methoxyphenylpentadienalaniline, p-cyanobenzal-p-aminobenzoic acid, benzal-p-aminobenzoic acid, benzal-p-amino (β-methyl) Cinnamic acid, p-methoxybenzal-p-amino-o-methylcinnamic acid, p-methoxybenzal-p-amino-o-methylhydrocinnamic acid, p-ethoxybenzal-p-aminobenzoic acid ethyl ester, p -Ethoxybenzal-p-aminocinnamic acid butyl ester, p-cyanobenzal-p-aminocinnamic acid ethyl ester, p-methylbenzal-p-aminocinnamic acid amyl ester, p-methoxybenzal-p-aminomethylcinnamic acid methyl ester, p -Methoxybenzal-p-α-methylcinnamic acid propyl ester, p -Ethoxybenzal-p-amino-α-ethylcinnamic acid ethyl ester, p-methoxycinnamyl-p-aminobenzoic acid ethyl ester, p-methoxybenzal-p-aminobiphenyl, benzal-p-amino-p′- Acetyl biphenyl, benzal-p-amino-p'-dimethylaminobiphenyl, benzal-p-amino-p'-formylaminobiphenyl, p-methylbenzal-p-amino-p'-acetylaminobiphenyl, p-methylbenzal-p- Amino-p'-benzoylaminobiphenyl, cinnamyl-p-amino-p'-acetylbiphenyl, 2-p-methoxybenzaminaminofluorene, 2-p-methoxybenzaminaminophenanthrene, 2-p-methoxybenzal Aminofluorene, 2-pn-butyloxybenzalaminofur Oren, p-nonyloxybenzalphenylhydrazine, bis (p-methoxybenzal)-(dimethyl) azine, bis (p-phenylbenzal) azine, p-methoxyphenylpentadienalphenylhydrazine, terephthal-bis- ( p-chloroaniline), terephthal-bis (p-aminobenzoic acid ethyl ester), bis (p-chlorobenzal) -p-phenylenediamine, bis (p-methylbenzal) -p-toluylenediamine, dibenzal-p, p ' -Diaminobiphenyl, bis (o-oxybenzal) -p, p'-diaminobiphenyl, disinnamyl-p, p'-diaminobiphenyl, bis (p-methoxybenzal) -p, p'-diaminodimethylbiphenyl, bis (p -Methoxybenzal) -2,7-diaminofluorene, bis (p (Methoxybenzal) -2,7-diaminofluorene, bis (p-methoxybenzal) -1,4-diaminonaphthalene, bis (p-methoxy-m-methylbenzal) -p, p'-diaminoterphenyl, dicinnamyl- p, p'-diaminoterphenyl, dibenzal-p, p'-diaminoquarterphenyl, p-methoxy-p'-oxyazobenzene, p, p'-dimethoxyazobenzene, p, p'-di-n-hexyloxyazoazobenzene P-acetoxybenzene-p-azobenzoic acid ethyl ester, benzoyl-p-oxybenzene-p-azo-α-methylcinnamic acid amyl ester, p, p′-azobenzoic acid monoethyl ester, 1-acetoxynaphthalene-4 -P-acetylazobenzene, benzal-p-aminoazobenzene, p-methoxybenz Monkey-p-amino-p'-methylazobenzene, p-methoxybenzal-p-amino-p'-ethoxyazobenzene, cinnamyl-p-aminoazobenzene, p-methoxybenzal-1-aminonaphthalene-4-azobenzene, p-Methoxybenzal-1-aminonaphthalin-4- (p'-acetylazobenzene), p-methylbenzal-1-aminonaphthalin-4- (p'-methoxyazobenzene), p-methylbenzal-1-aminonaphthalin-4 -(P'-ethoxyazobenzene), p-methylbenzal-1-aminonaphthalene-4- (p'-azobenzoic acid ethyl ester), p-cinnamyl-1-aminonaphthalene-4- (p'-ethylazobenzoate) Ester), bis (p-isopropylbenzal) -p, p′-diaminoazobenzene, (p Ethoxybenzene) -p-azo (p-methoxybenzoyl) -o-oxybenzal- (p′-ethoxy) aniline, p, p′-azobenzal-bis-aniline, benzal-p-aminobiphenylazobenzene, terephthal-bis (p -Aminoazobenzene), p, p'-diacetoxyazoxybenzene, p, p'-dimethoxyazoxybenzene (azoxyanisole), p-methoxybenzene-p-azoxybenzoic acid methyl ester, p-methoxybenzene-p -Phenyl azoxybenzoate, dimethyl p, p'-azoxybenzoate, diethyl p, p'-azoxythiobenzoate, diheptyl p, p'-azoxycinnamic acid, p, p'-azoxy-o-methylcinnamic acid Acid dioctyl ester, p, p'-azoxy-o-methyl- β-bromocinnamic acid diethyl ester, p, p′-azoxy-β-methylcinnamic acid dimethyl ester, di-p-methoxybenzoyl disulphide, methyl cholesteryl carbonate, ethyl cholesteryl carbonate, benzoic acid-Δ5,6-cholesten- 3β-01-ester, cholesteryl p-methoxybenzoate, cholesteryl p-aminobenzoate, p′-cyanophenyl pn-heptylbenzoate, 4-cyano-4′-pentyldicyclohexyl, 4-pentylcyclohexyl -1-carboxylic acid-p-cyanophenyl ester, 1- (p-cyanophenyl) -2- (4-pentylcyclohexyl) ethane, p-cyano- (4-heptyl-2,6-dioxacyclohexyl) benzene, p-cyano- (5-pentyl-2 Pyrimidyl) benzene, p-cyano- [4- (3-pentenyl) cyclohexyl] benzene, 4- (p-cyanophenyl) -4′-heptylbicyclohexyl, p-cyano- (4-pentylcyclohexyl) benzene, 1- (P-cyanophenyl) -2- (4'-propyl-4-bicyclohexyl) ethane, p- (4-propylcyclohexyl) benzoic acid-2-cyano-4-pentylphenyl ester, p- (4-propylcyclohexyl) ) Benzoic acid-2,3-dicyano-4-pentyloxyphenyl ester, p- (3-pentyl-6-pyridazinyl) pentyloxybenzene, p- (1-cyano-4-propylcyclohexyl) -p'-pentylbiphenyl , 2,3-difluoro-4-ethoxy-4 '-(4-pentylcyclohexyl) bif Nyl, 4- (3,4-difluorophenyl) -4′-pentylbicyclohexyl, 1- [4- (3,4-difluorophenyl) cyclohexyl] -2- (4-pentylcyclohexyl) ethane, 3,4- Difluoro-4 ′-(4-pentylcyclohexyl) biphenyl,
[0010]
Cholesterol propionate, cholesterol benzoate, cholesterol palmitate, cholesterol chloride, cholesterol formate, cholesterol acetate, cholesterol pelargonic acid, cholesteryl p-aminocinnamate, benzoic acid-Δ5,6; 7,8-cholestadiene-3β-01-ester ,
[0011]
pn-octyloxybenzoic acid, pn-octyloxy-m-chlorobenzoic acid, pn-dodecyloxybenzoic acid, 5-chloro-6-n-heptyloxy-2-naphthoic acid, pn -Nonyloxybenzal-p'-toluidine, cholesterol myristate, cholesterol octoate, pn-nonyloxy-m-fluorobenzoic acid, 5-iodo-6-n-nonyl-2-naphthoic acid, n-nonanoic acid Cholesterol, p'-n-hexyloxy-m'-nitro-p-biphenylcarboxylic acid, p-n-hexyloxy-m-chlorocinnamic acid, p-amyloxy-p-biphenylcarboxylic acid, p'-butyloxy-m ' -Chloro-p-biphenylcarboxylic acid, p'-n-hexyloxy-m'-nitro-p-biphenylcarboxylic acid, 7-n-heptyloxy C-2-fluoroenoic acid, 6-n-nonyloxy-5-iodo-2-naphthylic acid, 6-n-nonyloxy-5-nitro-2-naphthylic acid, 7-n-heptyloxy-2-fluorenoic acid propyl ester , 2-acetyl-7-n-heptyloxyfluorene, di-p, p'-ethyl-3,6-biphenylpyridazine, dimethyl-p, p'-dioxyterphenyl, p, p'-diaminoquaterphenylphenyl Phenyl, pn-nonyloxybenzal-p'-ethylaniline, pn-nonyloxybenzal-p'-propylaniline, p-hexyloxybenzal-p-aminocinnamic acid ethyl ester, p-methoxybenz Azil-p-aminocinnamic acid amyl ester, 2-pn-hexyloxybenzal aminophenanthrene, p-ethoxybenzal p-aminoterphenyl, bis (p-aminooxybenzal) -p'-phenylenediamine, bis (pn-butyloxybenzal) -p, p'-diaminobiphenyl, bis (p-propoxybenzal) -2,7-diaminofluorene, bis (p-pentyloxybenzal) -2,7-diaminofluorene, dibenzal-p, p'-diaminoterphenyl, p-methoxybenzene-p-azocinnamic acid ethyl ester, p, p'-Azocinnamic acid dimethyl ester, (benzoyl) -p-oxy-m-methoxybenzene-p'-acetylazobenzene, (benzoyl) -p-oxy-o-methoxybenzene-p'-acetylazobenzene, (benzoyl)- p-oxy-o-ethoxybenzene-p'-acetylazobenzene, p, p'-dihexyloxya Xybenzene, p-ethoxybenzene-p-azoxythiobenzoic acid ethyl ester, p-ethoxybenzene-p-azoxybenzoic acid (p-ethyl) phenyl ester, bis (p-ethoxybenzene-p-azoxybenzoic acid) -m-di Oxybenzene ester, 4- (p-fluorophenyl) -4′-pentylbicyclohexyl, 1- (3,4-difluorophenyl) -2- [4- (4′-pentylbicyclohexyl)] ethane, 4- ( p-trifluoromethoxyphenyl) -4′-pentylbicyclohexyl, 4- (p-difluoromethoxyphenyl) -4′-pentylbicyclohexyl, 4-trifluoromethoxy-4 ′-(4-pentylcyclohexyl) biphenyl, p -Trifluoromethoxyphenyl-p- (4-pentylcyclohexyl) Phenylacetylene,
[0012]
Discotic liquid crystal such as a compound having a steroid ester group at the 1, 3, and 5 positions of one benzene ring, and a polymer liquid crystal compound having a liquid crystal property such as aromatic polyester, polyamide, and polyimide can be used.
[0013]
These compounds having liquid crystallinity may be used alone or as a mixture of two or more compounds having liquid crystallinity. Of these compounds having liquid crystallinity, those having a melting point of 35 ° C. or more and 200 ° C. or less are preferable, and those having a melting point of 40 ° C. or more and 150 ° C. or less are preferable. Further, these compounds having liquid crystallinity can be used in a solution state dissolved in a solvent.
[0014]
As the wafer fixing agent of the present invention, the above-mentioned compound having liquid crystallinity may be used as it is, or may be used as a solution comprising a compound having liquid crystallinity and a solvent.
As the solvent that can be used for the wafer fixing agent, any solvent can be used as long as the compound having liquid crystallinity to be used is dissolved, and the solvent is not particularly limited. For example, alcohols such as isopropanol, butanol, hexanol, octanol, decanol, undecanol, benzyl alcohol, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, and phenol; carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, butyric acid, and lactic acid; Pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, cycloheptane, n-octane, cyclooctane, n-decane, cyclodecane, dicyclopentadiene hydride, benzene, toluene, xylene, durene, indene, decalin, tetralin , Tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, squalane, ethylbenzene, t-butylbenzene, trimethylbenzene and other hydrocarbon solvents, Ketones such as ton, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, ethers such as ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethyl acetate, and butyl acetate , Ethyl butyrate, ethyl lactate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol mono Esters such as tyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, hexamethylphosphamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, chloroform, methylene chloride An aqueous solution of a polar solvent such as lactic acid and a water-soluble organic solvent such as lactic acid is used.
These solvents may be used alone or in combination of two or more.
[0015]
The wafer fixing agent of the present invention can be used by being appropriately mixed with fine particles of a metal oxide such as aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, and silicon oxide, if necessary, for adjusting the viscosity.
[0016]
Further, in order to adjust the viscosity, the wafer fixing agent of the present invention may contain an organic polymer such as poly (azelaic anhydride) and poly [2,6-bis (hydroxymethyl) -4-methylphenol- co-4-hydroxybenzoic acid], poly (1,4-butanediol) bis (4-aminobenzoate), poly (1-butene), poly (1,4-butene adipate-co-1,4-butylene) Succinate) 1,6-diisocyanate hexane reactant, poly (1,4-butylene adipate) diol, poly (1,4-butylene adipate-co-polycaprolactam), poly (1,4-butylene succinate) 1,6-diisocyanate hexane reactant, poly [butylene terephthalate-co-poly (alkylene glycol) terephthalate], Caprolactone diol, polycarbomethylsilane, polychloroprene, poly (chlorotrifluoroethylene-co-vinylidene fluoride), poly [(o-cresylglycidyl ether) -co-formaldehyde], poly [dimethylsiloxane-co-methyl ( Stearoyloxyalkyl) siloxane], polyethylene, poly (ethylene-co-acrylic acid), sodium or zinc salt of poly (ethylene-co-acrylic acid), tolylene-2,4-diisocyanate reactant of poly (ethylene adipate), Poly (ethylene azelate), poly (ethylene-co-1-butene), poly (ethylene-co-1-butene-co-1-hexene), poly (ethylene-co-butyl acrylate-co-carbon monoxide) , Poly (eth -Co-butyl acrylate-co-maleic anhydride), poly (ethylene-co-butylene) diol, poly (ethylene-co-ethyl acrylate), poly (ethylene-co-ethyl acrylate-co-maleic anhydride), Poly (ethylene-co-glycidyl methacrylate), poly (ethylene glycol), polyethylene-graft-maleic anhydride, poly (ethylene-co-methacrylic acid), sodium or lithium or zinc salt of poly (ethylene-co-methacrylic acid) , Poly (ethylene-co-methyl acrylate), poly (ethylene-co-methyl acrylate-co-acrylic acid), polyethylene monoalcohol, poly (ethylene-co-1-octene), polyethylene oxide, polyethylene-block-poly ( Ethylene glycol), poly (ethylene succinate), poly (ethylene-co-trialkoxyvinylsilane), poly (ethylene-co-vinyl acetate), poly (hexafluoropropylene oxide-co-difluoromethylene oxide) monoalkylamide, Poly (1,6-hexamethylene adipate), poly (hexamethylene carbonate), poly (3-hydroxybutanoic acid), polyisoprene, polylauryl lactam-block-polytetrahydrofuran, poly (oxymethylene) acetate, polypropylene, poly ( 1,3-propylene adipate, poly (propylene-co-1-butene), poly (propylene-co-ethylene), poly (1,3-propylene glutarate), poly (1,3-propylene succinate) , Poly ( Water sebacic acid), polystyrene, poly (vinyl alcohol-co-ethylene), poly (vinylidene chloride-co-methyl acrylate), poly (vinylidene chloride-co-vinyl chloride), poly (vinylidene fluoride), poly (vinylidene fluoride) Ride-co-hexafluoropropylene), poly (vinyl-N-octadecylcarbamate), poly (vinyltoluene-co-α-methylstyrene) and the like may be added. The addition amount of these organic polymers depends on the melting point of the compound having liquid crystallinity used in the present invention, but can be used in an amount of 200% by weight or less, preferably 150% by weight or less based on the compound having liquid crystallinity.
[0017]
Further, the wettability of the wafer fixing agent with respect to a wafer or / and a substrate, which is a workpiece, is improved, and the coating property and / or the leveling property of a coated film is improved. In order to prevent the generation of water and the like, a small amount of a surface tension modifier such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic surfactant can be added as needed as long as the desired function is not impaired. Examples of the nonionic surfactant that can be added include a fluorine-based surfactant having a fluoroalkyl group or a perfluoroalkyl group, and a polyetheralkyl-based surfactant having an oxyalkyl group. Examples of the fluorine-based surfactant include C ₉ F ₁₉ CONHC ₁₂ H ₂₅ , C ₈ F ₁₇ SO ₂ NH— (C ₂ H ₄ O) ₆ H, and C ₉ F ₁₇ O (Pluronic L-35) C ₉ F. ₁₇ , C ₉ F ₁₇ O (Pluronic P-84) C ₉ F _{17 and the} like. (Here, Pluronic L-35: manufactured by Asahi Denka Kogyo KK, polyoxypropylene-polyoxyethylene block copolymer, average molecular weight 1,900; Pluronic P-84: manufactured by Asahi Denka Kogyo KK, polyoxy Propylene-polyoxyethylene block copolymer, average molecular weight 4,200; Tetronic-704, manufactured by Asahi Denka Kogyo KK, N, N, N ', N'-tetrakis (polyoxypropylene-polyoxyethylene block copolymer) Polymer), average molecular weight of 5,000). Specific examples of these fluorine-based surfactants include F-Top EF301, EF303, and EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171 and F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) AG710 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Florard FC-170C, FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106. (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, 1100 (manufactured by BM-Chemie), Schsego-Fluor (manufactured by Schwegmann) and the like. Examples of the polyether alkyl-based surfactant include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene allyl ether, polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, and oxyethyleneoxy. Propylene block polymers and the like can be mentioned. Specific examples of these polyetheralkyl-based surfactants include Emulgen 105, 430, 810, 920, Rheodol SP-40S, TW-L120, Emanol 3199, 4110, Exel P-40S, Bridge 30 , 52, 72, 92, Arassel 20, Emazor 320, Tween 20, 60, Merge 45 (all manufactured by Kao Corporation), Noni Ball 55 (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.), and the like. . Other nonionic surfactants include, for example, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, and polyalkylene oxide block copolymers. Specifically, Chemistat 2500 (Sanyo Chemical Industries, Ltd.) ), SN-EX9228 (manufactured by San Nopco), Nonal 530 (manufactured by Toho Chemical Industry), and the like.
[0018]
The thus obtained wafer fixing agent is applied to a wafer to be processed and / or a substrate to be a support of the wafer, but the application method is not particularly limited, and brush coating, spin coating, dip coating, curtain coating , Roll coat, spray coat, ink jet, printing method and the like can be used. The application can be performed once or a plurality of times. The preferable thickness of the fixing agent layer after the application and the solvent are scattered varies depending on the application method and the concentration of the compound having liquid crystallinity in the temporary fixing agent. 0.001 to 100 μm, more preferably 0.005 to 10 μm.
[0019]
After the wafer fixing agent of the present invention is applied to a wafer or / and a substrate which is a workpiece, the used solvent is scattered. However, the solvent may be scattered by being left at room temperature, or the solvent may be heated to be scattered. It may be scattered. When the solvent is scattered by heating, the temperature is not lower than the melting point of the compound having liquid crystallinity used in the fixing agent composition and not higher than the melting point + 200 ° C., preferably not lower than the melting point + 5 ° C. and not higher than the melting point + 150 ° C., more preferably. It is preferred that the solvent be scattered at a temperature of from the melting point + 10 ° C. to the melting point + 100 ° C. or lower.
[0020]
Further, the wafer fixing agent of the present invention can be used in the form of pellets. The pellet for fixing the wafer can be manufactured by a known method such as an injection molding method, a molding method, a casting method, and a film cutting method. The temperature in the case of manufacturing by injection molding or mold molding is from the melting point to the melting point of the compound having liquid crystallinity or the compound having the liquid crystallinity used for the wafer bonding pellets and the organic polymer + 300 ° C, preferably + 5 ° C to melting point. + 250 ° C, more preferably + 10 ° C to + 200 ° C. The time for molding the mold is 1 to 120 minutes, preferably 2 to 90 minutes, more preferably 5 to 60 minutes. The scattering temperature of the solvent at the time of casting depends on the boiling point of the solvent used, but the boiling point of the solvent used to the boiling point of the solvent + 200 ° C, preferably the boiling point of the solvent + 5 ° C to the boiling point of the solvent + 150 ° C, more preferably the solvent boiling point Boiling point + 10 ° C to boiling point of solvent + 100 ° C.
[0021]
The shape of the pellet-shaped wafer fixing agent of the present invention is not particularly limited, for example, a cylinder, a triangular prism, a quadrangular prism, a pentagonal prism, a polygonal prism such as a hexagonal prism, a cone, a triangular pyramid, a quadrangular pyramid, Examples include polygonal pyramids such as pentagonal pyramids and hexagonal pyramids, football shapes, and polyhedrons such as cubes. Among these, when used as the wafer fixing agent of the present invention, a column or a polygonal column is preferable in order to keep the wafer to be processed and the substrate horizontal. Particularly preferred.
[0022]
The pellet for wafer immobilization thus obtained is set on a wafer as a workpiece or / and on a substrate as a support for the wafer, but the setting method is not particularly limited.
[0023]
The pellet for immobilization of the present invention is set on a wafer or / and a substrate of a wafer as a workpiece, and then bonded by pressing the wafer as a workpiece and the substrate of the wafer. It is preferable that at least one of the wafer and / or the substrate of the wafer is bonded while being heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the compound having the liquid crystal property or the compound having the liquid crystal property and the organic polymer used in the pellet for the fixing agent. The bonding temperature depends on the melting point of the compound having liquid crystallinity or the compound having liquid crystallinity and the organic polymer used in the pellet for the wafer fixing agent, but the compound having liquid crystallinity or the compound having liquid crystallinity and the organic polymer Melting point + melting point + 300 ° C, preferably melting point + 5 ° C-melting point + 250 ° C, more preferably melting point + 10 ° C-melting point + 200 ° C. The bonding time is 1 to 120 minutes, preferably 2 to 90 minutes, and more preferably 5 to 60 minutes.
[0024]
The weight and size of the wafer fixing pellet used in the present invention depend on the size of the processing surface and / or the adhesion surface of the workpiece and are arbitrarily selected. The thickness of the fixing agent layer formed between certain substrates is 0.01 μm to 20 mm, preferably 0.05 μm to 10 mm, and more preferably 0.1 μm to 5 mm.
[0025]
The pressure at which the wafer to be processed and the substrate of the wafer are bonded to each other is not particularly limited, and any pressure may be used as long as an adhesive property enough to process the wafer to be processed can be obtained. It can be arbitrarily selected depending on a compound having liquid crystallinity or a compound having liquid crystallinity and an organic polymer.
[0026]
The workpiece wafer bonded to the base supporting the wafer is subjected to a specific processing, for example, a polishing processing, according to the purpose of use of the wafer. In some cases, the wafer bonded to the substrate of the wafer can be used for transferring a location (referred to as wafer transfer) as it is. In any case, the wafer and the substrate are separated after the processing for the purpose of use is performed, and at least one of the wafer to be processed and / or the substrate of the wafer is heated and separated. The temperature at which the wafer and the substrate are separated from each other is a temperature equal to or higher than the melting point of the compound having liquid crystallinity, preferably from + 5 ° C to + 150 ° C, more preferably from + 10 ° C to + 100 ° C.
Here, the polishing processing is a so-called CMP method (Chemical Mechanical Polishing) that utilizes the synergistic property of a mechanical polishing action and a chemical polishing action.
[0027]
The wafer, which has been peeled off after the polishing process, is washed with a solvent to remove the remaining wafer fixing agent that has adhered to the wafer, but enters the device because the surface in contact with the wafer fixing agent has semiconductor elements. It is required that the wafer fixing agent be sufficiently washed away. As the solvent used for this washing, a compound having liquid crystallinity used or a solvent in which the compound having liquid crystallinity and the organic polymer are dissolved is arbitrarily selected. Specifically, the same solvent as that used for producing the compound having a liquid crystallinity or the fixing agent of the present invention and the pellet for fixing can be used. Further, as a cleaning solvent, an aqueous solution of an inorganic alkali such as potassium hydroxide, an aqueous solution of an organic base such as tetramethylammonium hydroxide, an aqueous solution of an inorganic acid such as hydrochloric acid or hydrofluoric acid, or an organic solution such as acetic acid, butyric acid, or lactic acid. An aqueous solution of an acid can be used, and an aqueous solution of these inorganic and organic compounds can be used by adding an organic solvent, for example, a water-soluble organic solvent such as ethanol, isopropanol, butanol, dioxane, or tetrahydrofuran.
[0028]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[0029]
Example 1
0.547 g of solid powder docosanoic acid (behenic acid) (melting point = 74-80 ° C.) was placed on a silicon substrate having a width of 250 μm and a depth of 0.8 μm formed at a pitch of 500 μm obtained through an STI process. A uniform thickness is applied to the entire surface of a 6-inch silicon wafer (manufactured by SKW) on which a TEOS (triethoxysilane) film is formed at a thickness of 2 μm and 0.9 μm, and then heated to 120 ° C. It was pasted on a plate and pressure-bonded to a pad on a surface plate at a pressure of 200 g / cm ² to be pasted. Next, the surface opposite to the surface attached to the hard plate was polished while applying a commercially available abrasive solution on the pad. The polishing conditions were as follows: the slurry product name “CMS1101” manufactured by JSR Corporation, the chemical mechanical polishing apparatus type “EPO112”, the slurry supply amount 200 ml / min, the polishing load 400 g / cm ² , and the polishing speed of the platen was 70 rpm. After polishing, hot air of 120 ° C. was blown from the polished side of the 6-inch silicon wafer to heat it, and then the wafer was peeled from the hard plate. The fixing agent attached to the peeled 6-inch silicon wafer was removed using a 2% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a cleaning solvent. The cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed by FT-IR and ESCA, but no absorption attributed to organic matter was observed, indicating that the wafer fixing agent used for bonding was removed by the cleaning. Was. Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. In addition, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0030]
Example 2
Except that 0.547 g of 1,10-decanedicarboxylic acid (dodecandioic acid) (melting point = 128-131 ° C.) was used instead of 0.547 g of docosanoic acid of Example 1, and 150 ° C. was used as a heating temperature, As in Example 1, the surface of the 6-inch silicon wafer was polished. After the polishing treatment, the cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed by FT-IR and ESCA in the same manner as in Example 1. However, no absorption attributed to organic substances was observed, and the fixing used for bonding was performed. The agent was shown to have been removed by washing. Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. In addition, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0031]
Example 3
Instead of docosanoic acid of Example 1, 10 g of a 5 wt% mixed solution of docosanoic acid in tetrahydrofuran / toluene (volume ratio = 80/20) was applied to a 6-inch silicon wafer by spin coating, and dried at 120 ° C./30 minutes. The surface of the silicon wafer was polished in the same manner as in Example 1 except that it was heated again and bonded. After the surface was polished, the cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed with FT-IR and ESCA as in Example 1. However, no absorption attributed to organic matter was observed, and the fixing used for bonding was performed. The agent was shown to have been removed by washing.
Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. In addition, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0032]
Example 4
0.547 g of docosanoic acid (behenic acid) as a solid powder was weighed into a 20 mm diameter column-shaped pressure molding machine, and a pressure of 200 kg · cm ⁻² was applied for 5 minutes to obtain a columnar pellet having a diameter of 20 mm and a thickness of 1.7 mm. Was. The pellet was placed on the wafer used in Example 1 and bonded to a hard plate in the same manner as in Example 1. The pellets melted at about 80 ° C., and the molten docosanoic acid spread over the entire surface of the 6-inch wafer in a few minutes. After the temperature was returned to room temperature, the surface opposite to the surface to which the adhesive was applied was polished in the same manner as in Example 1. After polishing, hot air of 120 ° C. was blown from the polished side of the 6-inch silicon wafer to heat it, and then the wafer was peeled from the hard plate. Using the separated 6-inch wafer as a cleaning solvent, a 2% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was used to wash and remove the fixing agent attached to the wafer. The cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed by FT-IR and ESCA, but no absorption attributed to organic matter was observed, indicating that the fixing agent used for bonding was removed by washing. . Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. In addition, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0033]
Example 5
Except that 0.547 g of 1,10-decanedicarboxylic acid was used instead of 0.547 g of docosanoic acid in Example 4, and the temperature of hot air for melting 1,10-decanedicarboxylic acid was 150 ° C. In the same manner as in Example 4, a 6-inch silicon wafer was stuck on a hard plate of a commercially available CMP apparatus, and the surface of the 6-inch silicon wafer was polished. After the polishing treatment, the cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed by FT-IR and ESCA in the same manner as in Example 4. However, no absorption attributed to organic substances was observed, and the fixing used for bonding was performed. The agent was shown to have been removed by washing. Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. Further, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0034]
Example 6
After heating and melting 10 g of solid powder docosanoic acid (behenic acid) at 120 ° C., pour the molten docosanoic acid into a 10 mm-diameter columnar molding machine, return to room temperature, and remove solid docosanoic acid from the columnar molding machine. A cylindrical docosanoic acid having a diameter of 10 mm and a length of about 10 cm was obtained. This cylindrical docosanoic acid was processed into a pellet having a thickness of 3 mm using a diamond cutter. Using a pellet having a diameter of 10 mm and a thickness of 3 mm, the surface of a 6-inch silicon wafer was polished by a commercially available polishing machine in the same manner as in Example 4. After the surface was polished, the same treatment as in Example 4 was performed, and the cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed with FT-IR and ESCA. However, no absorption attributed to organic matter was observed. It was shown that the immobilizing agent was removed by washing. Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. Further, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0035]
Example 7
A cylindrical docosanoic acid having a diameter of 10 mm and a length of about 10 cm was prepared in the same manner as in Example 6, except that 10 g of 1,10-decanedicarboxylic acid was used instead of 10 g of docosanoic acid of Example 6 and heated and melted at 150 ° C. Got. This cylindrical 1,10-decanedicarboxylic acid was processed into a 3 mm-thick pellet using a diamond cutter. The surface of a 6-inch silicon wafer was polished in the same manner as in Example 3 except that the temperature of hot air was set to 150 ° C. using the pellets. After the polishing treatment, the cleaned surface of the 6-inch silicon wafer was observed by FT-IR and ESCA in the same manner as in Example 6, but no absorption attributed to organic substances was observed, and the fixing used for bonding was performed. The agent was shown to have been removed by washing. Next, when the cross section having the pattern of the wafer was observed by SEM, it was confirmed that no fixing agent remained in the pattern and on the solid substrate. Further, when compared with the SEM photograph of the pattern before bonding, it was confirmed that the two patterns were the same and that no destruction or deformation of the pattern occurred during the main processing.
[0036]
Comparative Example 1
A 6-inch silicon wafer was polished in the same manner as in Example 1, except that 0.547 g of a commercially available epoxy adhesive [“EP160” manufactured by Cemedine Co., Ltd.) was used instead of docosanoic acid of Example 1. After the surface was polished, an attempt was made to remove it from the hard plate as in Example 1, but the 6-inch silicon wafer was damaged. In addition, when the surface of the damaged silicon wafer to which the epoxy resin was adhered was partially observed by FT-IR, absorption attributed to organic substances was observed, and the adhesive used for bonding was removed by washing. It was shown that it could not be done.
[0037]
【The invention's effect】
The present invention uses a wafer fixing agent containing a compound having a specific liquid crystallinity to make a surface having semiconductor elements on a surface of a wafer a hard plate and / or an elastic carrier (backing material) and / or a wafer. Of the workpiece, the wafer of the workpiece can be easily peeled off, the fixing agent layer attached to the wafer can be easily removed and / or washed, and the workpiece can be contaminated on the wafer. In addition, the semiconductor wafer can be processed without any problem such as destruction of semiconductor elements on the substrate surface.

Claims

A wafer processing method in which a wafer surface having semiconductor elements on its front surface is bonded to a substrate using a compound having liquid crystallinity as a wafer fixing agent, and then the back surface having no semiconductor elements is polished.

When a wafer surface having semiconductor elements on its surface is bonded to a substrate using a liquid crystal compound as a wafer fixing agent, the wafer is fixed at a temperature equal to or higher than the melting point of the liquid crystal compound used as the wafer fixing agent. The method for processing a wafer according to claim 1, wherein the agent is heated.

3. The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer is detached from the substrate by heating to a temperature equal to or higher than the melting point of the compound having a liquid crystal property used as the wafer fixing agent.

4. The wafer processing method according to claim 3, wherein the wafer removed from the base is washed with a solvent of a wafer fixing agent.