JP2004253612A - Tentative fixing method of semiconductor wafer, electronic component, and circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定する方法に関し、より詳細には、加熱処理により容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる半導体ウエハの仮固定方法に関する。また、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップが使用されている電子部品及び回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基材上に熱膨張性微小球などの発泡剤又は膨張剤を含む粘着剤層を設けた加熱剥離型粘着シートが知られている（特許文献１〜特許文献５参照）。この加熱剥離型粘着シートは、接着性と使用後の剥離性とを両立させた粘着シートであり、加熱により発泡剤等を発泡又は膨張させることで接着力が低下し、シリコンウエハなどの被着体より容易に剥離できるという特徴を有する。そのため、電子部品の製造工程時における仮固定手段などで用いられている。
【０００３】
しかしながら、このような従来の加熱剥離型粘着シートを、半導体ウエハ（シリコンウエハなど）のダイシングや裏面研磨等に用いた場合、加熱処理して粘着シートを剥離した半導体ウエハの表面には、肉眼では視認できない程度の極微細な汚染（特に、有機汚染）が多数残存する汚染問題が生じ、しかも製造された電子部品は実用に適さない場合もあり、大きな問題となっていた。
【０００４】
【特許文献１】
特公昭５０−１３８７８号公報
【特許文献２】
特公昭５１−２４５３４号公報
【特許文献３】
特開昭５６−６１４６８号公報
【特許文献４】
特開昭５６−６１４６９号公報
【特許文献５】
特開昭６０−２５２６８１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような汚染問題は、加熱前後の汚染状況の比較したところ、加熱処理により汚染物が飛躍的に増大していると考えられる。なお、レーザー表面検査装置を介した４インチのシリコンウエハ上でのパーティクル数測定において、加熱前のシートの剥離時では１０００個未満であったものが、加熱後には１００００個を超える１０倍以上に汚染度が増大していることが確認された例もある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる半導体ウエハの仮固定方法および、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップが使用されている電子部品並びに回路基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、半導体ウエハを粘着シートに仮固定する際に、粘着シートとして加熱剥離型粘着シートを用いるとともに、半導体ウエハの加熱剥離型粘着シート貼着面に特定の層を形成すると、加熱により容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハの表面の汚染度を低減することができることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、半導体ウエハを、基材の少なくとも一方の面に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートに仮固定する方法であって、半導体ウエハを、水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定することを特徴とする半導体ウエハの仮固定方法を提供する。
【０００９】
この半導体ウエハの仮固定方法では、さらに、加熱剥離型粘着シートにおける基材の熱膨張性粘着層に対して反対側の面に支持台座用粘着層が形成されており、該支持台座用粘着層の面に支持台座を貼付することが好適である。
【００１０】
本発明では、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率ＲＣ１（％）が、以下の関係式（１）を満足することが好ましい。
ＲＣ１≦３０＋ＲＣ２ （１）
［関係式（１）において、ＲＣ２は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］
【００１１】
また、半導体ウエハがシリコンウエハであり、且つ、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面における炭素元素比率ＲＣ１ Ｓｉが、以下の関係式（２）を満足することが好ましい。
ＲＣ１ Ｓｉ≦２．５ＲＳｉ （２）
［関係式（２）において、ＲＳｉは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］
【００１２】
なお、本発明は、また、前記半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを仮固定した後、加工して作製された半導体チップが使用されていることを特徴とする電子部品や回路基板を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を、必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の部材や部分などには同一の符号を付している場合がある。
本発明の仮固定方法では、図１や図２に示されるように、水溶性保護層を介して、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに貼付して仮固定を行っている。図１及び図２は、それぞれ、本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。図１及び２において、１は加熱剥離型粘着シート、１ａは加熱剥離型粘着シート１の基材、１ｂは加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層、１ｃは加熱剥離型粘着シート１の支持台座用粘着層、２は半導体ウエハ、３は水溶性保護層、４は支持台座である。
【００１４】
図１で示される半導体ウエハの仮固定状態では、半導体ウエハ２は、水溶性保護層３を介して、加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層１ｂの面に貼付された構成となっている。
【００１５】
また、図２で示される半導体ウエハの仮固定状態では、加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層１ｂの面には、水溶性保護層３を介して、半導体ウエハ２が貼付され、支持台座用粘着層１ｃの面には、支持台座４が貼付された構成となっている。従って、この図２で示される仮固定方法では、半導体ウエハ２は、水溶性保護層３を介して加熱剥離型粘着シート１に仮固定されているとともに、支持台座４により支持されている。
【００１６】
［水溶性保護層］
前記水溶性保護層３は、水溶性を有する層であり、半導体ウエハ２を加熱剥離型粘着シート１に貼付する前に、半導体ウエハ２の表面（加熱剥離型粘着シート１への貼着面）に予め設けることができる。水溶性保護層３は、水を利用した除去方法（例えば、水洗などの除去方法）により、半導体ウエハ表面から容易に除去することができる。
【００１７】
なお、水溶性保護層３は、水溶性であるとともに、半導体ウエハ２の表面を加熱剥離型粘着シート１による汚染から保護することができる特性（又は機能）を有していることが重要である。
【００１８】
また、水溶性保護層３は、半導体ウエハ２への密着性が良好であることも重要である。半導体ウエハ２と水溶性保護層３との密着性が低いと、該水溶性保護層３を介して半導体ウエハ２を加熱剥離型粘着シート１に仮固定した後に、半導体ウエハ２を加工する際に、半導体ウエハ２から、加熱剥離型粘着シート１が水溶性保護層３とともに剥離し易くなるためである。
【００１９】
水溶性保護層は、水溶性材料により形成することができる。このような水溶性材料としては、水溶性保護層を形成することができる材料であれば特に制限されないが、半導体ウエハの保護特性や、半導体ウエハへの密着性などの観点から、水溶性樹脂を好適に用いることができる。該水溶性樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール等のポリビニルアルコール系樹脂；ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール系樹脂；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコール系樹脂などが挙げられる。なお、水溶性樹脂などの水溶性材料は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２０】
水溶性保護層の形成方法としては、特に制限されないが、例えば、半導体ウエハの表面に水溶性材料を塗布する方法や、離型フィルム上に予め形成された水溶性保護層を半導体ウエハの表面に転写する方法などが挙げられる。なお、水溶性材料の塗布に際しては、公知乃至慣用のコーター（例えば、スピンコーターなど）を用いることができる。
【００２１】
水溶性保護層の厚みとしては、特に制限されず、半導体ウエハ表面を保護することができる厚みであればよく、具体的には、半導体ウエハが加熱剥離型粘着シートに所定時間貼付された後、該加熱剥離型粘着シートを加熱剥離した際に、半導体ウエハ表面における加熱剥離型粘着シートによる汚染が生じない又は低減できる厚みであることが重要である。しかしながら、加熱により加熱剥離型粘着シートを剥離させた後に、該水溶性保護層の除去作業性（例えば、水洗による除去作業性）を考慮すると、あまり厚すぎると除去作業性が低下するので、水溶性保護層の厚みの上限としては、２０μｍ程度であることが望ましい。より具体的には、水溶性保護層の厚みとしては、０．１〜１０μｍが好ましく、特に１〜５μｍが好適である。なお、半導体ウエハ表面に、パターンなどの凹凸がある場合は、水溶性保護層の厚みは、この限りではなく、該半導体ウエハ表面の凹凸を吸収することができるだけの厚みが必要である。
【００２２】
［加熱剥離型粘着シート］
図１に係る加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂとで構成されており、図２に係る加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、他方の面に形成された支持台座用粘着層１ｃとで構成されている。すなわち、加熱剥離型粘着シート１としては、図３や図４で示されているように、基材１ａと、該基材１ａの少なくとも一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂとを少なくとも有するものを用いることができる。図３及び図４は、それぞれ、本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。図３及び図４において、１ｅは加熱剥離型粘着シート１のセパレータであり、１、１ａ〜１ｃは前記に同じである。
【００２３】
具体的には、図３で示される加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、さらに、前記熱膨張性粘着層１ｂ上に形成されたセパレータ１ｅとで構成されている。図４で示される加熱剥離型粘着シート１は、基材１ａと、該基材１ａの一方の面に形成された熱膨張性粘着層１ｂと、他方の面に形成された支持台座用粘着層１ｃと、さらに、前記熱膨張性粘着層１ｂ上に形成されたセパレータ１ｅと、支持台座用粘着層１ｃ上に形成されたセパレータ１ｅとで構成されている。
【００２４】
［熱膨張性粘着層］
熱膨張性粘着層１ｂは、少なくとも、粘着性を付与するための粘着剤と、熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球（マイクロカプセル）とを含んでいる。そのため、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２に貼着した後、任意なときに熱膨張性粘着層１ｂを加熱して、熱膨張性微小球を発泡及び／又は膨張処理させることにより、熱膨張性粘着層１ｂが膨張し、この膨張により、熱膨張性粘着層１ｂと半導体ウエハ２との接着面積が減少し、熱膨張性粘着層１ｂによる接着力が減少して、加熱剥離型粘着シート１を容易に半導体ウエハ２から剥離させることができる。
【００２５】
（熱膨張性微小球）
熱膨張性微小球としては、公知の熱膨張性微小球から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、商品名「マツモトマイクロスフェア」［松本油脂製薬（株）製］などの市販品もある。
【００２６】
加熱処理により、熱膨張性粘着層の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有する熱膨張性微小球が好ましい。
【００２７】
熱膨張性微小球の配合量は、熱膨張性粘着層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着層を形成する粘着剤のベースポリマー１００重量部に対して、例えば１〜１５０重量部、好ましくは１０〜１３０重量部、さらに好ましくは２５〜１００重量部である。
【００２８】
熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１〜５０μｍ、特に１〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。なお、熱膨張性微小球の粒径の調整は、熱膨張性微小球の生成過程で行われていてもよく、生成後、分級などの手段により行われてもよい。
【００２９】
（粘着剤）
熱膨張性粘着層１ｂにおいて用いられている粘着剤としては、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張を可及的に拘束しないようなものが好ましい。該粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤を１種又は２種以上組み合わせて用いることができる（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いることもできる。これらの粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、粘着剤は、粘着性成分（ベースポリマー）等のポリマー成分などのほかに、粘着剤の種類等に応じて、架橋剤（例えば、ポリイソシアネート、アルキルエーテル化メラミン化合物など）、粘着付与剤（例えば、ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂などからなる常温で固体、半固体あるいは液状のもの）、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。
【００３０】
なお、加熱処理前の適度な接着力と加熱処理後の接着力の低下性のバランスの点から、より好ましい粘着剤は、動的弾性率が常温から１５０℃において０．５〜１００（Ｐａ）［５万〜１，０００万（ｄｙｎ／ｃｍ２）］の範囲にあるポリマーをベースとした粘着剤である。
【００３１】
熱膨張性粘着層は、例えば、粘着剤と、熱膨張性微小球と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法により形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、熱膨張性微小球、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤の混合物を、基材や、後述するゴム状有機弾性層上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着層を形成し、これを基材又はゴム状有機弾性層上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着層を形成することができる。なお、熱膨張性粘着層は単層、複層の何れであってもよい。
【００３２】
熱膨張性粘着層の厚さは、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、３００μｍ以下（好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下）程度である。厚さが過大であると、加熱処理後の剥離時に、熱膨張性粘着層に凝集破壊が生じて、粘着剤が半導体ウエハに残存し、半導体ウエハが過度に汚染されやすくなる。一方、熱膨張性粘着層の厚さが過小であると、加熱処理による熱膨張性粘着層の変形度が小さく、接着力が円滑に低下しにくくなったり、添加する熱膨張性微小球の粒径を過度に小さくする必要が生じる。かかる点より、熱膨張性粘着層の厚さは２μｍ以上、なかでも５μｍ以上、特に１０μｍ以上であるのが好ましい。
【００３３】
［基材］
基材１ａは、熱膨張性粘着層１ｂ等の支持母体として用いることができる。なお、基材１ａは単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００３４】
基材としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体（特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など）等の適宜な薄葉体を用いることができる。基材としては、熱膨張性粘着層の加熱処理温度で溶融しない耐熱性に優れるものが、加熱後の取扱性などの点より好ましい。基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられる。これらの素材は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００３５】
なお、基材として、プラスチック系基材が用いられている場合は、延伸処理等により伸び率などの変形性を制御していてもよい。また、基材としては、熱膨張性粘着層などに放射線硬化性の物質を使用する際は、放射線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
【００３６】
基材の厚さは、強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１〜１０００μｍ）、好ましくは１〜５００μｍ、さらに好ましくは３〜３００μｍ、特に５〜２５０μｍ程度であるが、これらに限定されない。
【００３７】
基材の表面は、熱膨張性粘着層等との密着性を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的方法による酸化処理等が施されていてもよく、下塗り剤によるコーティング処理等が施されていてもよい。また、熱膨張性粘着層等との剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の剥離剤などによるコーティング処理が施されていてもよい。
【００３８】
なお、本発明では、図１や図２に示されているように、基材の少なくとも一方の面（片面または両面）に熱膨張性粘着層を設けることができ、基材を熱膨張性粘着層の内部に埋設した形態などとすることもできる。
【００３９】
［支持台座用粘着層］
本発明では、加熱剥離型粘着シート１としては、図２や図４で示されているように、支持台座用粘着層１ｃを有していてもよい。すなわち、支持台座用粘着層１ｃは任意に設けることができる。支持台座用粘着層１ｃが具備されていると、該支持台座用粘着層１ｃを利用して半導体ウエハ２を支持台座４により支持させることができ、半導体ウエハ２の加工をより一層容易に行うことができる。
【００４０】
支持台座用粘着層１ｃを形成するための粘着剤としては、特に制限されず、上記熱膨張性粘着層１ｂにおいて用いられる粘着剤として例示された粘着剤（例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、クリ−プ特性改良型粘着剤、放射線硬化型粘着剤など）等の公知乃至慣用の粘着剤を用いることができる。これらの粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、該支持台座用粘着層は、半導体ウエハの貼付には用いられないので、低汚染性を有していなくてもよい。支持台座用粘着層を形成するための粘着剤には、例えば、可塑剤、充填剤、界面活性剤、老化防止剤、粘着性付与剤などの公知乃至慣用の添加剤が配合されていてもよい。
【００４１】
支持台座用粘着層の厚さとしては、例えば、３００μｍ以下（例えば、１〜３００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ）であってもよい。なお、支持台座用粘着層の形成方法としては、前記熱膨張性粘着層と同様の方法（例えば、基材上に塗布する方法、セパレータ上に塗布して粘着剤層を形成した後、これを基材上に転写する方法など）を利用することができる。なお、支持台座用粘着層は単層、複層の何れであってもよい。
【００４２】
［中間層］
本発明では、基材と熱膨張性粘着層の間に１層又は２層以上の中間層を設けることもできる。該中間層は、前述のように、剥離性の付与を目的とした剥離剤のコーティング層や、密着力の向上を目的とした下塗り剤のコーティング層などが挙げられる。なお、剥離剤のコーティング層や下塗り剤のコーティング層以外の中間層としては、例えば、良好な変形性の付与を目的とした層、半導体ウエハへの接着面積の増大を目的とした層、接着力の向上を目的とした層、半導体ウエハの表面形状に良好に追従させることを目的とした層、加熱による接着力低減の処理性の向上を目的とした層、加熱後の半導体ウエハよりの剥離性の向上を目的とした層などが挙げられる。
【００４３】
特に、加熱剥離型粘着シートの変形性の付与や加熱後の剥離性の向上などの点より、基材と熱膨張性粘着層との間の中間層として、例えば、図５や図６で示されるように、ゴム状有機弾性層を設けることができる。図５及び図６は、それぞれ、本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。図５及び図６において、１ｄは加熱剥離型粘着シート１のゴム状有機弾性層であり、１、１ａ〜１ｃ、１ｅは前記に同じである。具体的には、図５及び６で示される加熱剥離型粘着シート１では、基材１ａと、熱膨張性粘着層１ｂとの間に、ゴム状有機弾性層１ｄが形成されている。
【００４４】
このように、ゴム状有機弾性層１ｄを設けることにより、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２に水溶性保護層３を介して接着する際に、前記加熱剥離型粘着シート１の表面（熱膨張性粘着層１ｂの表面）を半導体ウエハ２の表面形状に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができ、また、前記加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２から加熱剥離する際に、熱膨張性粘着層１ｂの加熱膨張を高度に（精度よく）コントロールし、熱膨張性粘着層１ｂを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。なお、ゴム状有機弾性層１ｄは、必要に応じて設けられる層であり、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００４５】
ゴム状有機弾性層１ｄは、図５や６で示されるように、熱膨張性粘着層１ｂの基材１ａ側の面に、熱膨張性粘着層１ｂに重畳させた形態で設けることが好ましい。なお、基材１ａと熱膨張性粘着層１ｂとの間の中間層以外の層としても設けることができる。ゴム状有機弾性層１ｄは、基材１ａの片面又は両面に介在させることができる。
【００４６】
ゴム状有機弾性層１ｄは、例えば、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に基づくＤ型シュアーＤ型硬度が、５０以下、特に４０以下の天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂により形成することが好ましい。
【００４７】
前記合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂としては、例えば、ニトリル系、ジエン系、アクリル系などの合成ゴム；ポリオレフィン系、ポリエステル系などの熱可塑性エラストマー；エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリブタジエン、軟質ポリ塩化ビニルなどのゴム弾性を有する合成樹脂などが挙げられる。なお、ポリ塩化ビニルなどのように本質的には硬質系ポリマーであっても、可塑剤や柔軟剤等の配合剤との組み合わせによりゴム弾性が発現しうる。このような組成物も、前記ゴム状有機弾性層の構成材料として使用できる。また、熱膨張性粘着層を構成する粘着剤等の粘着性物質などもゴム状有機弾性層の構成材料として好ましく用いることができる。
【００４８】
ゴム状有機弾性層は、例えば、前記天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂などのゴム状有機弾性層形成材を含むコーティング液を基材上に塗布する方式（コーティング法）、前記ゴム状有機弾性層形成材からなるフィルム、又は予め１層以上の熱膨張性粘着層上に前記ゴム状有機弾性層形成材からなる層を形成した積層フィルムを基材と接着する方式（ドライラミネート法）、基材の構成材料を含む樹脂組成物と前記ゴム状有機弾性層形成材を含む樹脂組成物とを共押出しする方式（共押出し法）などの形成方法により形成することができる。
【００４９】
ゴム状有機弾性層の厚さは、一般的には５００μｍ以下（例えば、１〜５００μｍ）、好ましくは３〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜１５０μｍ程度である。ゴム状有機弾性層は単層であってもよく、２以上の層で構成してもよい。
【００５０】
なお、ゴム状有機弾性層は、天然ゴムや合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂を主成分とする粘着性物質で形成されていてもよく、また、かかる成分を主体とする発泡フィルム等で形成されていてもよい。発泡は、慣用の方法、例えば、機械的な攪拌による方法、反応生成ガスを利用する方法、発泡剤を使用する方法、可溶性物質を除去する方法、スプレーによる方法、シンタクチックフォームを形成する方法、焼結法などにより行うことができる。
【００５１】
また、ゴム状有機弾性層としては、熱膨張性粘着層や支持台座用粘着層に放射線硬化性の物質を使用する際は、放射線の透過を阻害しないものを使用することが好ましい。
【００５２】
なお、前記中間層（ゴム状有機弾性層等）は、基材と支持台座用粘着層との間などの他の部位に設けることも可能である。
【００５３】
［セパレータ］
本発明では、セパレータ１ｅとしては、慣用の剥離紙などを使用できる。セパレータ１ｅは熱膨張性粘着層１ｂや支持台座用粘着層１ｃの保護材として用いられており、加熱剥離型粘着シート１を半導体ウエハ２や支持台座４に貼着する際に剥がされる。セパレータ１ｅは必ずしも設けられていなくてもよい。
【００５４】
セパレータとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤により表面処理されたプラスチックフィルムや紙等の剥離層を有する基材；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマーからなる低接着性基材；オレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）等の無極性ポリマーからなる低接着性基材などを用いることができる。なお、セパレータは、熱膨張性粘着層を支持するための基材として用いることも可能である。
【００５５】
なお、セパレータは公知乃至慣用の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
【００５６】
加熱剥離型粘着シートは、前述のような層構成を有しており、例えば、商品名「リバアルファ」（日東電工社製）などが市販されている。
【００５７】
加熱剥離型粘着シートは、シート状、テープ状などの形態を有することができる。加熱剥離型粘着シートは、熱膨張性粘着層の粘着剤により、半導体ウエハに水溶性保護層を介して接着させる際には予め設定した接着力で接着でき、熱膨張性粘着層の熱膨張性微小球により、接着状態を解きたいときには加熱処理により容易に剥離乃至分離できる。
【００５８】
また、基材と熱膨張性粘着層との間にゴム状有機弾性層が設けられた加熱剥離型粘着シートでは、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハに接着する際には、ゴム状有機弾性層の弾性により、加熱剥離型粘着シートの表面（熱膨張性粘着層の表面）が半導体ウエハの表面形状に良好に追従して大きな接着面積が得られ、接着強度を高めることができると共に、加熱剥離させる際には、熱膨張性粘着層の膨張（体積変化）を精度よくコントロールでき、厚さ方向に優先して且つ均一に膨張させることができ、剥離が一層容易となる。また、熱膨張性粘着層に含まれる熱膨張性微小球の粒径が多少大きくても、それに起因する凹凸がゴム状有機弾性層により吸収されるので、熱膨張性粘着層の表面粗さを小さくなるように調整することができる。
【００５９】
［半導体ウエハ］
半導体ウエハ２としては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に限定はないが、例えば、シリコンウエハを好適に用いることができる。なお、本発明の仮固定方法のポイントである「水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定する方法」は、半導体ウエハ以外の部品（例えば、多層基板、積層セラミック、一括封止モジュールなど）を仮固定する方法としても利用することができる。すなわち、本発明は、「仮固定用電子系部品を、水溶性保護層を介して、基材の少なくとも一方の面に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面に貼付して仮固定する方法」にも関している。もちろん、前記仮固定用電子系部品としては、前述のように、半導体ウエハ以外の部品（多層基板、積層セラミック、一括封止モジュールなど）が用いられる。また、これらの仮固定用電子系部品は、前記仮固定方法により仮固定した後に、加工を行うことができる。
【００６０】
［支持台座］
支持台座４としては、半導体ウエハ２を支持することができるものであれば特に制限されず、半導体ウエハを加工する際に用いられている公知乃至慣用の支持台座を用いることができる。具体的には、支持台座としては、ステンレス板、ガラス板、ダミーウエハなどが挙げられる。支持台座は、半導体ウエハの種類、半導体ウエハの加工方法などに応じて適宜選択することができる。
【００６１】
このように、本発明の半導体ウエハの仮固定方法では、半導体ウエハを水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートに仮固定しているので、半導体ウエハの表面における加熱剥離型粘着シートによる汚染を低減することができる。また、加熱剥離型粘着シートは加熱により容易に剥離させることができ、一方、水溶性保護層は水を利用した除去方法（例えば、水洗など）により容易に除去することができる。従って、本発明の半導体ウエハの仮固定方法によると、仮固定に使用した粘着シートや水溶性保護層は容易に剥離又は除去することができ、しかも、半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる。
【００６２】
具体的には、本発明の半導体ウエハの仮固定方法では、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率ＲＣ１（％）として、以下の関係式（１）を満足させることができる。
ＲＣ１≦３０＋ＲＣ２ （１）
［関係式（１）において、ＲＣ２は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］
【００６３】
すなわち、本発明の仮固定方法では、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面が半導体ウエハ（シリコンウエハ等）の一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、半導体ウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、半導体ウエハに所望の加工を行った後、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、半導体ウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによる炭素元素比率ＲＣ１（％）と、前記加熱剥離型粘着シートが貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の半導体ウエハの表面におけるＸＰＳによる炭素元素比率ＲＣ２（％）との差［ＲＣ１−ＲＣ２］（「ΔＲＣ１−２」と称する場合がある）が、３０以下であることが好適である。
【００６４】
特に、半導体ウエハがシリコンウエハである場合は、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面における炭素元素比率ＲＣ１ Ｓｉとして、以下の関係式（２）を満足させることができる。
ＲＣ１ Ｓｉ≦２．５ＲＳｉ （２）
［関係式（２）において、ＲＳｉは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］
【００６５】
すなわち、半導体ウエハがシリコンウエハである場合、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面がシリコンウエハの一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、シリコンウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、シリコンウエハに所望の加工を行った後、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、シリコンウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによる炭素元素比率ＲＣ１ Ｓｉ（％）と、加熱剥離型粘着シートの熱膨張性粘着層の面がシリコンウエハの一方の面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接着するように、シリコンウエハの表面に水溶性保護層を介して加熱剥離型粘着シートを貼付して仮固定を行い、必要に応じてさらに支持台座により支持させて、例えば、シリコンウエハに所望の加工を行った後、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を水洗等により除去した後の、シリコンウエハの表面（加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面）におけるＸＰＳによるケイ素元素比率ＲＳｉ（％）との比［ＲＣ１ Ｓｉ／ＲＳｉ］（「ＲＣ／Ｓｉ」と称する場合がある）が２．５以下であることが好適である。
【００６６】
本発明では、前記関係式（１）及び（２）のうち少なくとも一方の関係式を満足していることが望ましく、特に、半導体ウエハがシリコンウエハである場合、前記関係式（１）及び（２）の両方を満足していることが好ましい。
【００６７】
なお、ΔＲＣ１−２としては、３０以下であれば特に制限されず、例えば、０〜３０［好ましくは２０以下（例えば、０．１〜２０）、さらに好ましくは５以下（例えば、０．５〜５）］の範囲から選択することができる。なお、ΔＲＣ１−２はマイナスの数値であってもよい。ΔＲＣ１−２が３０を超えると、加熱剥離型粘着シートが水溶性保護層を介して接着していた半導体ウエハの表面（水溶性保護層の除去面）における汚染度が高くなり、加工して得られる半導体チップ等の部品は不良品となり、実用することできなくなる場合がある。
【００６８】
また、ＲＣ／Ｓｉとしては、２．５以下であれば特に制限されないが、例えば、０〜２．５［好ましくは２．２５以下（例えば、０．０５〜２．２５）、さらに好ましくは１．５以下（例えば、０．１〜１．５）、特に０．５以下（例えば、０．２〜０．５）］の範囲から選択することができる。ＲＣ／Ｓｉが２．５を超えると、加熱剥離型粘着シートが水溶性保護層を介して接着していたシリコンウエハの表面（水溶性保護層の除去面）における汚染度が高くなり、加工して得られる半導体チップ等の部品は不良品となり、実用することできなくなる場合がある。
【００６９】
このような元素比率［炭素元素比率ＲＣ１（半導体ウエハがシリコンウエハである場合は、炭素元素比率ＲＣ１ Ｓｉ）（％）、炭素元素比率ＲＣ２（％）、ケイ素元素比率ＲＳｉ（％）など］は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；Ｘ線光電子分光分析）により測定される。具体的には、ＸＰＳによる炭素元素比率ＲＣ１（％）やケイ素元素比率ＲＳｉ（％）は、例えば、加熱剥離型粘着シートを熱膨張性粘着層の面が半導体ウエハの表面に予め形成されている水溶性保護層の表面に接触するように、水溶性保護層を介して、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハに貼付させた後、１３０℃の熱風乾燥器中で１０分間加熱処理を行い、半導体ウエハから加熱剥離型粘着シートを剥離させ、さらに水洗により半導体ウエハから水溶性保護層を除去した後、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製のモデル名「５４００」）を用いて、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で、半導体ウエハにおける加熱剥離型粘着シートが貼付していた側の面のＸ線光電子分光分析を行うことにより、炭素元素比率ＲＣ１（％）やケイ素元素比率ＲＳｉ（％）を測定することができる。一方、ＸＰＳによる炭素元素比率ＲＣ２（％）は、例えば、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製のモデル名「５４００」）を用いて、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で［炭素元素比率ＲＣ１（％）やケイ素元素比率ＲＳｉ（％）の測定と同一装置及び同条件で］、加熱剥離型粘着シートを貼付する前で且つ水溶性保護層が設けられる前の半導体ウエハの表面のＸ線光電子分光分析を行うことにより、炭素元素比率ＲＣ２（％）を測定することができる。
【００７０】
なお、加熱剥離型粘着シートを半導体ウエハより剥離する際の加熱処理は、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱温度は、熱膨張性粘着層中の熱膨張性微小球の発泡開始温度以上であればよいが、加熱処理の条件は、半導体ウエハの表面状態や熱膨張性微粒子の種類等による接着面積の減少性、基材や半導体ウエハの耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件は、温度１００〜２５０℃で、５〜９０秒間（ホットプレートなど）または５〜１５分間（熱風乾燥機など）である。かかる加熱条件で、通例、熱膨張性粘着層の熱膨張性微小球が膨張及び／又は発泡して熱膨張性粘着層が膨張変形することにより凹凸状変形し、接着力が低下ないし喪失する。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
【００７１】
また、水溶性保護層を半導体ウエハから除去する際の除去処理は、水を利用した除去方法であれば特に制限されないが、例えば、流水洗浄、水中での超音波洗浄（純水超音波洗浄等）などの適当な方法を利用することができる。
【００７２】
本発明の半導体ウエハの仮固定方法は、加工時には、強い接着力で半導体ウエハを接着することができ、加工後には、その接着状態を解除することができ、しかも、半導体ウエハ表面における汚染が少ない用途で好適に利用される。
【００７３】
本発明では、前記半導体ウエハの仮固定方法により半導体ウエハを仮固定した後、半導体ウエハを加工することができる。前記半導体ウエハの加工としては、例えば、半導体ウエハの裏面研磨処理加工、ダイシング処理加工、微細加工などの種々の加工が挙げられる。なお、このような加工において、加熱剥離型粘着シートは、加工時の半導体ウエハを保護する機能も有している。
【００７４】
半導体ウエハを仮固定した後、加工することにより、例えば、半導体チップを得ることができる。本発明の加工方法により加工された半導体ウエハによる半導体チップは、その表面の汚染性が低いため、この観点からは不良品とはならず、実用に供することができ、電子部品用半導体チップ、回路基板用半導体チップなどとして有用である。すなわち、本発明の電子部品や回路基板では、前記半導体ウエハの仮固定方法を利用して、半導体ウエハを加工して作製された半導体チップが使用されている。
【００７５】
【発明の効果】
本発明の半導体ウエハの仮固定方法によれば、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができ、しかも剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができる。また、この仮固定方法を利用して作製された半導体チップは、その表面の汚染が低減されているので、電子部品や回路基板に使用される半導体チップとして有用である。
【００７６】
【実施例】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００７７】
（実施例１）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリビニルアルコール水溶液［商品名「ＰＶＡ−２０５」（株）クラレ製］をスピンコーターにて乾燥後の厚さが３μｍとなるように塗布し乾燥して、ポリビニルアルコール層（厚み３μｍ）を形成した。
前記シリコンミラーウエハ表面に形成されたポリビニルアルコール層上（塗布面）に、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９５ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製；ポリエチレンテレフタレートを基材とする加熱剥離型粘着シート］を貼り合わせ、ダイサー（デュスコ社製のＤＦＤ−６５１型）にて、１０ｍｍ□チップにダイシングした後、熱風乾燥器［恒温器：タバイエスペック（株）製のＳＰＨ−２０１型］中で、１３０℃×１０分間加熱剥離処理し、得られたチップを回収した。その後、このチップの剥離面のポリビニルアルコール層を純水超音波洗浄にて除去し、乾燥して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。
【００７８】
（実施例２）
ポリエチレングリコール水溶液［商品名「ＰＥＧ１５４０」第一工業製薬（株）製］を、厚さ３８μｍのシリコーン剥離処理ポリエステルフィルム［商品名「＃３８セラピール」東洋メタライジング（株）製］の剥離処理面に、乾燥後の厚さが３μｍとなるように塗布し乾燥して、ポリエチレングリコール層（厚み３μｍ）を形成し、さらに、該ポリエチレングリコール層をシリコンミラーウエハ表面に転写した。
前記シリコンミラーウエハ表面に形成されたポリエチレングリコール層上（転写面）に、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９３ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製；ポリエチレンテレフタレートを基材とする加熱剥離型粘着シート］を貼り合わせ、ダイサー（デュスコ社製のＤＦＤ−６５１型）にて、１０ｍｍ□チップにダイシングした後、熱風乾燥器［恒温器：タバイエスペック（株）製のＳＰＨ−２０１型］中で、１３０℃×１０分間加熱剥離処理し、得られたチップを回収した。その後、このチップの剥離面のポリエチレングリコール層を純水超音波洗浄にて除去し、乾燥して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。
【００７９】
（比較例１）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリビニルアルコール水溶液を塗布せず、シリコンミラーウエハ表面に直接、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９５ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製］の粘着層を貼り合わせたこと以外は、実施例１と同様にして、チップを回収して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。もちろん、シリコンミラーウエハ表面にはポリビニルアルコール層が形成されていないので、純水超音波洗浄は行っていない。
【００８０】
（比較例２）
シリコンミラーウエハ表面に、ポリエチレングリコール層を転写せず、シリコンミラーウエハ表面に直接、商品名「リバアルファ『Ｎｏ．３１９３ＭＳ：１２０℃加熱剥離タイプ』」［日東電工（株）製］の粘着層を貼り合わせたこと以外は、実施例２と同様にして、チップを回収して、シリコンミラーウエハによるチップを得た。もちろん、シリコンミラーウエハ表面にはポリエチレングリコール層が形成されていないので、純水超音波洗浄は行っていない。
【００８１】
（評価）
実施例および比較例により得られたシリコンミラーウエハによるチップの表面を、Ｘ線光電子分光分析装置を用いて、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；Ｘ線光電子分光分析）により、表面の炭素元素比率ＲＣ１（％）を測定し、同時にその時の表面のケイ素元素比率ＲＳｉ（％）も測定する。また、オリジナルの鏡面処理した４吋シリコンウエハ面（粘着シートを貼着する前の鏡面処理した４吋シリコンウエハ面）を、Ｘ線光電子分光分析装置を用いて、ＸＰＳにより、表面の炭素元素比率ＲＣ２（％）を測定する。
【００８２】
このようにして測定されたＲＣ１、ＲＳｉ、ＲＣ２により、ＲＣ１とＲＣ２との差［ＲＣ１−ＲＣ２（＝ΔＲＣ１−２）］、およびＲＣ１とＲＳｉ（％）との比［ＲＣ１／ＲＳｉ（＝ＲＣ／Ｓｉ）］を求めて、汚染性を評価した。評価結果は、表１のそれぞれの欄に示した。なお、ΔＲＣ１−２およびＲＣ／Ｓｉは、その値大きいほど、汚染度が大きいことを意味している。また、加熱前よりも加熱後の方が大きいほど、加熱処理により汚染度が増大していることを意味している。
【００８３】
Ｘ線光電子分光分析装置は、アルバックファイ社製のモデル名「５４００」を用い、Ｘ線源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ）、取りだし角：４５°、測定面積：１×３．５ｍｍの条件で測定した。
【００８４】
【表１】
表１より、ΔＲＣ１−２は、実施例では３０以下（特に２０以下）であるが、比較例では４０以上であり、実施例による仮固定方法では、ΔＲＣ１−２を大きく低減させることができることが確認された。
【００８６】
また、ＲＣ／Ｓｉは、実施例では２．５以下（特に１．０以下）であるが、比較例では、４．０以上であり、実施例による仮固定方法では、ＲＣ／Ｓｉを大きく低減させることができることが確認された。
【００８７】
従って、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定する際に、水溶性保護層を利用すると、加熱処理により粘着シートを容易に剥離することができるとともに、剥離後の半導体ウエハ表面の汚染を低減することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。
【図２】本発明の仮固定方法により、半導体ウエハを加熱剥離型粘着シートに仮固定した状態の例を部分的に示す概略断面図である。
【図３】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図４】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図５】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【図６】本発明で使用される加熱剥離型粘着シートの例を部分的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 加熱剥離型粘着シート
１ａ 加熱剥離型粘着シート１の基材
１ｂ 加熱剥離型粘着シート１の熱膨張性粘着層
１ｃ 加熱剥離型粘着シート１の支持台座用粘着層
１ｄは加熱剥離型粘着シート１のゴム状有機弾性層
１ｅは加熱剥離型粘着シート１のセパレータ
２ 半導体ウエハ
３ 水溶性保護層
４ 支持台座[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for temporarily fixing a semiconductor wafer to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, and more particularly, it can be easily peeled off by heat treatment, and can reduce contamination on the surface of the semiconductor wafer after peeling. The present invention relates to a method for temporarily fixing a semiconductor wafer. In addition, the present invention relates to an electronic component and a circuit board using a semiconductor chip manufactured by using the temporary fixing method.
[0002]
[Prior art]
BACKGROUND ART Conventionally, a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer containing a foaming agent such as heat-expandable microspheres or a swelling agent is provided on a substrate (see
[0003]
However, when such a conventional heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is used for dicing or polishing the back surface of a semiconductor wafer (eg, a silicon wafer), the surface of the semiconductor wafer from which the pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off by heat treatment is not visible to the naked eye. There has been a pollution problem in which a large amount of extremely minute pollution (especially, organic pollution) that cannot be visually recognized remains, and the manufactured electronic component is not suitable for practical use in some cases.
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 50-13878
[Patent Document 2]
Japanese Patent Publication No. 51-24534
[Patent Document 3]
JP-A-56-61468
[Patent Document 4]
JP-A-56-61469
[Patent Document 5]
JP-A-60-252681
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As for such a contamination problem, it is considered that the contaminants are dramatically increased by the heat treatment when the contamination states before and after heating are compared. In the measurement of the number of particles on a 4-inch silicon wafer using a laser surface inspection device, the number of particles was less than 1000 when the sheet was peeled before heating, but increased to more than 10 times after heating by over 10,000. In some cases, it has been confirmed that the degree of contamination has increased.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for temporarily fixing a semiconductor wafer which can easily peel off an adhesive sheet by a heat treatment and can reduce contamination on the surface of a semiconductor wafer after peeling, and a method for temporarily fixing the semiconductor wafer. An object of the present invention is to provide an electronic component and a circuit board using a semiconductor chip manufactured by utilizing the electronic component.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, when temporarily fixing a semiconductor wafer to an adhesive sheet, using a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet as the pressure-sensitive adhesive sheet, and applying a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet to the semiconductor wafer It has been found that when a specific layer is formed on the contact surface, the semiconductor wafer can be easily peeled off by heating, and the degree of contamination on the surface of the semiconductor wafer after peeling can be reduced. The present invention has been completed based on these findings.
[0008]
That is, the present invention is a method of temporarily fixing a semiconductor wafer to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet in which a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer containing heat-expandable microspheres is formed on at least one surface of a substrate, A method for temporarily fixing a semiconductor wafer, wherein the wafer is temporarily fixed to a surface of a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet via a water-soluble protective layer.
[0009]
In this method of temporarily fixing a semiconductor wafer, a pressure-sensitive adhesive layer for a support pedestal is further formed on a surface of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet opposite to the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer for a support pedestal It is preferable to attach a support pedestal to the surface.
[0010]
In the present invention, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is peeled from the semiconductor wafer by heating, and after removing the water-soluble protective layer, the carbon element ratio R on the surface of the semiconductor wafer is measured by XPS.C1(%) Preferably satisfies the following relational expression (1).
RC1≤30 + RC2 (1)
[In relational expression (1), RC2Shows the carbon element ratio (%) on the surface of the semiconductor wafer by XPS before being attached to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and before the water-soluble protective layer is provided. ]
[0011]
Further, the semiconductor wafer is a silicon wafer, and the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heated and peeled off from the silicon wafer, and after removing the water-soluble protective layer, the carbon element ratio R on the surface of the silicon wafer is measured by XPS.C1 SiPreferably satisfies the following relational expression (2).
RC1 Si≤2.5RSi (2)
[In relational expression (2), RSiIndicates the silicon element ratio (%) on the surface of the silicon wafer by XPS after the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heated and peeled off from the silicon wafer and the water-soluble protective layer is further removed. ]
[0012]
According to the present invention, there is provided an electronic component or circuit, wherein a semiconductor chip prepared by processing and temporarily processing a semiconductor wafer using the method for temporarily fixing a semiconductor wafer is used. Provide a substrate.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. Note that the same members or parts may be denoted by the same reference numerals.
In the temporary fixing method of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor wafer is stuck to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet via a water-soluble protective layer for temporary fixing. 1 and 2 are schematic cross-sectional views each partially showing an example of a state in which a semiconductor wafer is temporarily fixed to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet by a temporary fixing method of the present invention. 1 and 2, 1 is a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, 1a is a base material of the heat-peelable pressure-sensitive
[0014]
In a temporarily fixed state of the semiconductor wafer shown in FIG. 1, the
[0015]
In the temporary fixing state of the semiconductor wafer shown in FIG. 2, the
[0016]
[Water-soluble protective layer]
The water-soluble
[0017]
It is important that the water-soluble
[0018]
It is also important that the water-soluble
[0019]
The water-soluble protective layer can be formed from a water-soluble material. Such a water-soluble material is not particularly limited as long as it is a material capable of forming a water-soluble protective layer.From the viewpoint of the protection properties of the semiconductor wafer and the adhesion to the semiconductor wafer, a water-soluble resin is used. It can be suitably used. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol resins such as polyvinyl alcohol; polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral; and polyalkylene glycol resins such as polyethylene glycol and polypropylene glycol. In addition, a water-soluble material such as a water-soluble resin can be used alone or in combination of two or more.
[0020]
The method of forming the water-soluble protective layer is not particularly limited. For example, a method of applying a water-soluble material to the surface of a semiconductor wafer, or a method of forming a water-soluble protective layer previously formed on a release film on the surface of the semiconductor wafer. Transfer method and the like can be mentioned. In applying the water-soluble material, a known or commonly used coater (for example, a spin coater) can be used.
[0021]
The thickness of the water-soluble protective layer is not particularly limited as long as it can protect the surface of the semiconductor wafer.Specifically, after the semiconductor wafer is attached to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet for a predetermined time, When the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heat-peeled, it is important that the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet has such a thickness that contamination on the surface of the semiconductor wafer by the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet does not occur or is reduced. However, considering the workability of removing the water-soluble protective layer after the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet has been peeled off by heating (for example, the workability of removal by washing with water), if the thickness is too large, the workability of removal is reduced. The upper limit of the thickness of the protective layer is preferably about 20 μm. More specifically, the thickness of the water-soluble protective layer is preferably from 0.1 to 10 μm, and particularly preferably from 1 to 5 μm. When the surface of the semiconductor wafer has irregularities such as a pattern, the thickness of the water-soluble protective layer is not limited to this, and the thickness must be large enough to absorb the irregularities on the surface of the semiconductor wafer.
[0022]
[Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet]
The heat-peelable pressure-
[0023]
Specifically, the heat-peelable pressure-
[0024]
[Heat-expandable adhesive layer]
The heat-expandable pressure-
[0025]
(Thermal expansion microspheres)
The heat-expandable microspheres can be appropriately selected from known heat-expandable microspheres. As the thermally expandable microsphere, a microencapsulated foaming agent can be suitably used. Examples of such heat-expandable microspheres include microspheres in which a substance such as isobutane, propane, or pentane that is easily gasified and expanded by heating is contained in an elastic shell. The shell is often formed of a heat-meltable substance or a substance that breaks due to thermal expansion. Examples of the material for forming the shell include a vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone. The heat-expandable microspheres can be produced by a conventional method, for example, a coacervation method, an interfacial polymerization method, or the like. In addition, as the heat-expandable microspheres, there are commercially available products such as “Matsumoto Microsphere” (trade name, manufactured by Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.).
[0026]
In order to efficiently and stably reduce the adhesive force of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer by the heat treatment, a moderate strength that does not burst until the volume expansion coefficient becomes 5 times or more, especially 7 times or more, especially 10 times or more. Preferred are thermally expandable microspheres.
[0027]
The blending amount of the heat-expandable microspheres can be appropriately set according to the expansion ratio of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer and the deteriorating property of the adhesive force. The amount is, for example, 1 to 150 parts by weight, preferably 10 to 130 parts by weight, and more preferably 25 to 100 parts by weight with respect to parts by weight.
[0028]
The particle diameter (average particle diameter) of the heat-expandable microspheres can be appropriately selected according to the thickness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer. The average particle diameter of the heat-expandable microspheres can be selected, for example, from the range of 100 μm or less (preferably 80 μm or less, more preferably 1 to 50 μm, particularly 1 to 30 μm). The adjustment of the particle diameter of the heat-expandable microspheres may be performed in the process of generating the heat-expandable microspheres, or may be performed by means such as classification after the generation.
[0029]
(Adhesive)
The pressure-sensitive adhesive used in the heat-expandable pressure-
[0030]
In view of the balance between the appropriate adhesive strength before the heat treatment and the decrease in the adhesive strength after the heat treatment, a more preferred pressure-sensitive adhesive has a dynamic elastic modulus of 0.5 to 100 (Pa) at room temperature to 150 ° C. [50,000 to 10 million (dyn / cm2)] Is a polymer-based pressure-sensitive adhesive.
[0031]
The heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is formed by, for example, a conventional method of forming a sheet-like layer by mixing a pressure-sensitive adhesive, heat-expandable microspheres, and a solvent or other additives as necessary. be able to. Specifically, for example, a method of applying a mixture of a pressure-sensitive adhesive, heat-expandable microspheres, and a solvent or other additives as necessary, to a substrate or a rubber-like organic elastic layer described later, Applying the mixture to a separator (such as release paper) to form a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, and transferring (transferring) the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer onto a substrate or a rubber-like organic elastic layer, for example, Can be formed. The heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer may be a single layer or multiple layers.
[0032]
The thickness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer can be appropriately selected depending on, for example, the ability to reduce the adhesive strength, and is, for example, about 300 μm or less (preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less). If the thickness is excessive, cohesive failure occurs in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer at the time of peeling after the heat treatment, so that the pressure-sensitive adhesive remains on the semiconductor wafer and the semiconductor wafer is likely to be excessively contaminated. On the other hand, if the thickness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is too small, the degree of deformation of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer due to the heat treatment is small, and the adhesive force is not easily reduced smoothly. It becomes necessary to make the diameter excessively small. From this point, the thickness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, and particularly preferably 10 μm or more.
[0033]
[Base material]
The substrate 1a can be used as a support base for the heat-expandable pressure-
[0034]
Examples of the base material include paper base materials such as paper; fibrous base materials such as cloth, nonwoven fabric and net; metal base materials such as metal foil and metal plate; plastic base materials such as plastic films and sheets. A rubber-based substrate such as a rubber sheet; a foam such as a foam sheet, or a laminate thereof (particularly, a laminate of a plastic-based substrate and another substrate, or a laminate of plastic films (or sheets)) Etc.) can be used. As the base material, a base material which does not melt at the heat treatment temperature of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer and has excellent heat resistance is preferable from the viewpoint of handleability after heating. As the substrate, a plastic substrate such as a plastic film or sheet can be suitably used. Examples of such a plastic material include olefins having an α-olefin as a monomer component such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), ethylene-propylene copolymer, and ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). Polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); polyvinyl chloride (PVC); polyphenylene sulfide (PPS); polyamide (nylon), wholly aromatic polyamide (aramid) ) And polyetheretherketone (PEEK). These materials can be used alone or in combination of two or more.
[0035]
When a plastic substrate is used as the substrate, the deformability such as elongation may be controlled by a stretching treatment or the like. When a radiation-curable substance is used for the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer or the like, it is preferable to use a substrate that does not hinder the transmission of radiation.
[0036]
The thickness of the substrate can be appropriately selected depending on the strength, flexibility, purpose of use, and the like. For example, generally, the thickness is generally 1000 μm or less (eg, 1 to 1000 μm), preferably 1 to 500 μm, more preferably 3 to 500 μm. The thickness is 300 μm, particularly about 5 to 250 μm, but is not limited thereto.
[0037]
The surface of the substrate is chemically or physically treated by a conventional surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric shock exposure, ionizing radiation treatment, etc., in order to enhance the adhesion with the heat-expandable adhesive layer. Oxidation treatment or the like by a standard method may be performed, or coating treatment or the like with a primer may be performed. Further, in order to impart releasability from the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer or the like, for example, a coating treatment with a release agent such as a silicone-based resin or a fluorine-based resin may be performed.
[0038]
In the present invention, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer can be provided on at least one surface (one or both surfaces) of the substrate, and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive It is also possible to adopt a form embedded in the layer.
[0039]
[Adhesive layer for support pedestal]
In the present invention, as shown in FIGS. 2 and 4, the heat-peelable pressure-
[0040]
The pressure-sensitive adhesive for forming the support base pressure-
[0041]
The thickness of the support base adhesive layer may be, for example, 300 μm or less (for example, 1 to 300 μm, preferably 5 to 100 μm). In addition, as a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer for the support pedestal, the same method as the above-mentioned heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer (for example, a method of coating on a base material, forming a pressure-sensitive adhesive layer by coating on a separator, Transfer on a substrate) can be used. The pressure-sensitive adhesive layer for the support pedestal may be a single layer or a multiple layer.
[0042]
[Intermediate layer]
In the present invention, one or more intermediate layers may be provided between the substrate and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer. As described above, examples of the intermediate layer include a coating layer of a release agent for imparting releasability and a coating layer of an undercoat agent for improving adhesion. The intermediate layer other than the coating layer of the release agent and the coating layer of the undercoating agent includes, for example, a layer for imparting good deformability, a layer for increasing the adhesion area to the semiconductor wafer, and an adhesive force. To improve the surface shape of the semiconductor wafer, to improve the processability of reducing the adhesive force by heating, to peel off the semiconductor wafer after heating And the like for the purpose of improving the film thickness.
[0043]
In particular, as shown in FIGS. 5 and 6, as an intermediate layer between the base material and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, from the viewpoint of imparting the deformability of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and improving the peelability after heating. As described above, a rubbery organic elastic layer can be provided. FIGS. 5 and 6 are schematic cross-sectional views partially showing examples of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention. 5 and 6,
[0044]
Thus, by providing the rubber-like organic
[0045]
As shown in FIGS. 5 and 6, the rubbery organic
[0046]
The rubber-like organic
[0047]
Examples of the synthetic rubber or synthetic resin having rubber elasticity include nitrile-based, diene-based, and acrylic-based synthetic rubbers; polyolefin-based and polyester-based thermoplastic elastomers; ethylene-vinyl acetate copolymer, polyurethane, and polybutadiene. And synthetic resins having rubber elasticity such as soft polyvinyl chloride. In addition, even if it is essentially a hard polymer such as polyvinyl chloride, rubber elasticity can be exhibited by combination with a compounding agent such as a plasticizer or a softener. Such a composition can also be used as a constituent material of the rubbery organic elastic layer. In addition, an adhesive substance such as an adhesive constituting the thermally expandable adhesive layer can be preferably used as a constituent material of the rubbery organic elastic layer.
[0048]
The rubber-like organic elastic layer is formed by applying a coating liquid containing a rubber-like organic elastic layer forming material such as the natural rubber, synthetic rubber or synthetic resin having rubber elasticity onto a base material (coating method). Bonding a film made of an organic elastic layer forming material or a laminated film in which a layer made of the rubbery organic elastic layer forming material is formed on at least one thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer to a substrate (dry lamination method) ), The resin composition containing the constituent material of the base material and the resin composition containing the rubber-like organic elastic layer forming material can be formed by a forming method such as a co-extrusion method (co-extrusion method).
[0049]
The thickness of the rubbery organic elastic layer is generally 500 μm or less (for example, 1 to 500 μm), preferably 3 to 300 μm, and more preferably about 5 to 150 μm. The rubbery organic elastic layer may be a single layer or may be composed of two or more layers.
[0050]
The rubber-like organic elastic layer may be formed of an adhesive substance containing natural rubber, synthetic rubber, or a synthetic resin having rubber elasticity as a main component, or may be formed of a foamed film or the like mainly containing such a component. It may be. Foaming is a conventional method, for example, a method using mechanical stirring, a method using a reaction product gas, a method using a foaming agent, a method for removing a soluble substance, a method using a spray, a method for forming a syntactic foam, It can be performed by a sintering method or the like.
[0051]
When a radiation-curable substance is used for the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive layer for the support pedestal, it is preferable to use a material that does not hinder the transmission of radiation.
[0052]
The intermediate layer (rubber-like organic elastic layer or the like) can be provided at another portion such as between the base material and the adhesive layer for the support pedestal.
[0053]
[Separator]
In the present invention, a common release paper or the like can be used as the separator 1e. The separator 1e is used as a protective material for the heat-expandable pressure-
[0054]
As the separator, for example, a substrate having a release layer such as a plastic film or paper surface-treated with a release agent such as a silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based, or molybdenum sulfide; polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoro Low-adhesive base material composed of a fluorine-based polymer such as ethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer, chlorofluoroethylene / vinylidene fluoride copolymer; olefin-based resin (for example, For example, a low-adhesion substrate made of a nonpolar polymer such as polyethylene or polypropylene) can be used. The separator can be used as a substrate for supporting the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer.
[0055]
The separator can be formed by a known or common method. The thickness of the separator is not particularly limited.
[0056]
The heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet has the above-described layer constitution, and for example, a product name “Riba Alpha” (manufactured by Nitto Denko Corporation) is commercially available.
[0057]
The heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet can have a form such as a sheet shape or a tape shape. The heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet can be adhered to the semiconductor wafer with a predetermined adhesive force when the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is adhered to the semiconductor wafer via the water-soluble protective layer. When it is desired to release the adhesive state by the microspheres, it can be easily peeled or separated by heat treatment.
[0058]
In the case of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet in which a rubber-like organic elastic layer is provided between a substrate and a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, when the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is bonded to a semiconductor wafer, the rubber-like organic elastic layer is Due to the elasticity of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive sheet (the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer) satisfactorily follows the surface shape of the semiconductor wafer, and a large bonding area can be obtained. In this case, the expansion (change in volume) of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer can be accurately controlled, and the expansion can be performed uniformly and preferentially in the thickness direction, and the peeling can be further facilitated. In addition, even if the particle diameter of the heat-expandable microspheres contained in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is somewhat large, unevenness due to the particle size is absorbed by the rubber-like organic elastic layer, so that the surface roughness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is reduced. It can be adjusted to be smaller.
[0059]
[Semiconductor wafer]
The
[0060]
[Support pedestal]
The support pedestal 4 is not particularly limited as long as it can support the
[0061]
As described above, according to the method for temporarily fixing a semiconductor wafer of the present invention, the semiconductor wafer is temporarily fixed to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet via the water-soluble protective layer. Can be reduced. The heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet can be easily peeled off by heating, while the water-soluble protective layer can be easily removed by a removal method using water (for example, washing with water). Therefore, according to the method for temporarily fixing a semiconductor wafer of the present invention, the pressure-sensitive adhesive sheet and the water-soluble protective layer used for the temporary fixing can be easily peeled or removed, and the contamination of the semiconductor wafer surface can be reduced. .
[0062]
Specifically, in the method for temporarily fixing a semiconductor wafer of the present invention, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is peeled from the semiconductor wafer by heating, and after removing the water-soluble protective layer, the carbon on the surface of the semiconductor wafer by XPS is removed. Element ratio RC1(%), The following relational expression (1) can be satisfied.
RC1≤30 + RC2 (1)
[In relational expression (1), RC2Shows the carbon element ratio (%) on the surface of the semiconductor wafer by XPS before being attached to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and before the water-soluble protective layer is provided. ]
[0063]
That is, in the temporary fixing method of the present invention, the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet adheres to the surface of the water-soluble protective layer previously formed on one surface of a semiconductor wafer (such as a silicon wafer). As described above, a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the surface of a semiconductor wafer via a water-soluble protective layer to temporarily fix the sheet, and further supported by a support pedestal as necessary. After the heating, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heated to be peeled off from the semiconductor wafer, and the water-soluble protective layer is removed by washing with water or the like. Element ratio R by XPSC1(%) And the carbon element ratio R by XPS on the surface of the semiconductor wafer before the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is attached and before the water-soluble protective layer is provided.C2(%) [RC1-RC2] (“ΔRC1-2), But is preferably 30 or less.
[0064]
In particular, when the semiconductor wafer is a silicon wafer, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heated and peeled off from the silicon wafer, and after removing the water-soluble protective layer, the carbon element ratio R on the surface of the silicon wafer is measured by XPS.C1 SiAs a result, the following relational expression (2) can be satisfied.
RC1 Si≤2.5RSi (2)
[In relational expression (2), RSiIndicates the silicon element ratio (%) on the surface of the silicon wafer by XPS after the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is heated and peeled off from the silicon wafer and the water-soluble protective layer is further removed. ]
[0065]
That is, when the semiconductor wafer is a silicon wafer, silicon is bonded so that the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet adheres to the surface of the water-soluble protective layer previously formed on one surface of the silicon wafer. A heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is adhered to the surface of the wafer via a water-soluble protective layer to temporarily fix the sheet, and, if necessary, further supported by a support base, for example, after performing desired processing on a silicon wafer, XPS on the surface of the silicon wafer (on the side to which the heat-peelable adhesive sheet was attached) after the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet was peeled off from the silicon wafer by heating and the water-soluble protective layer was removed by washing with water or the like. Element ratio R according toC1 Si(%), The surface of the silicon wafer is water-soluble so that the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet adheres to the surface of the water-soluble protective layer previously formed on one surface of the silicon wafer. A heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is adhered via a protective layer to temporarily fix, and if necessary, further supported by a support pedestal, for example, after performing desired processing on the silicon wafer, heat-peelable from the silicon wafer The silicon element ratio R by XPS on the surface of the silicon wafer (the surface on which the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet was attached) after the pressure-sensitive adhesive sheet was peeled off by heating and the water-soluble protective layer was removed by washing with water or the like.Si(%) [RC1 Si/ RSi] ("RC / SiIs sometimes 2.5 or less.
[0066]
In the present invention, it is desirable that at least one of the relational expressions (1) and (2) is satisfied. In particular, when the semiconductor wafer is a silicon wafer, the relational expressions (1) and (2) are preferably satisfied. ) Is preferably satisfied.
[0067]
Note that ΔRC1-2Is not particularly limited as long as it is 30 or less, for example, in the range of 0 to 30 (preferably 20 or less (eg, 0.1 to 20), more preferably 5 or less (eg, 0.5 to 5)). You can choose from. Note that ΔRC1-2May be a negative number. ΔRC1-2Exceeds 30, the degree of contamination on the surface of the semiconductor wafer (the surface from which the water-soluble protective layer has been removed) to which the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet has adhered via the water-soluble protective layer increases, and the semiconductor chip obtained by processing Parts may be defective and may not be practical.
[0068]
Also, RC / SiIs not particularly limited as long as it is 2.5 or less, for example, 0 to 2.5 [preferably 2.25 or less (eg, 0.05 to 2.25), and more preferably 1.5 or less (eg, , 0.1 to 1.5), especially 0.5 or less (eg, 0.2 to 0.5)]. RC / SiExceeds 2.5, the degree of contamination on the surface of the silicon wafer (the surface from which the water-soluble protective layer has been removed) to which the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet has adhered via the water-soluble protective layer increases, and is obtained by processing. Components such as semiconductor chips may be defective and may not be practical.
[0069]
Such an element ratio [carbon element ratio RC1(If the semiconductor wafer is a silicon wafer, the carbon element ratio RC1 Si) (%), Carbon element ratio RC2(%), Silicon element ratio RSi(%) Etc.] is measured by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy; X-ray photoelectron spectroscopy). Specifically, the carbon element ratio R by XPSC1(%) Or silicon element ratio RSi(%) Means, for example, that the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is interposed through the water-soluble protective layer so that the surface of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer contacts the surface of the water-soluble protective layer previously formed on the surface of the semiconductor wafer. After the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is applied to the semiconductor wafer, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the semiconductor wafer by performing a heat treatment in a hot air dryer at 130 ° C. for 10 minutes, and then the water-soluble pressure-sensitive adhesive sheet is washed with water. After removing the protective layer, using an X-ray photoelectron spectrometer (model name “5400” manufactured by ULVAC-PHI), an X-ray source: MgKα15KV (300 W), an extraction angle: 45 °, and a measurement area: 1 × 3 By performing X-ray photoelectron spectroscopy analysis on the surface of the semiconductor wafer on which the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet was stuck under a condition of 0.5 mm, the carbon element ratio RC1(%) Or silicon element ratio RSi(%) Can be measured. On the other hand, the carbon element ratio R by XPSC2(%) Is, for example, using an X-ray photoelectron spectrometer (model name “5400” manufactured by ULVAC-PHI), an X-ray source: MgKα15KV (300 W), an extraction angle: 45 °, and a measurement area: 1 × 3. Under the condition of 0.5 mm [carbon element ratio RC1(%) Or silicon element ratio RSi(Under the same apparatus and under the same conditions as the measurement of (%)), the X-ray photoelectron spectroscopic analysis of the surface of the semiconductor wafer before the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is applied and before the water-soluble protective layer is provided, Element ratio RC2(%) Can be measured.
[0070]
The heat treatment for peeling the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet from the semiconductor wafer can be performed by using an appropriate heating means such as a hot plate, a hot-air dryer, a near-infrared lamp, and an air dryer. The heating temperature may be equal to or higher than the foaming start temperature of the heat-expandable microspheres in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer. It can be appropriately set depending on the reduction property, the heat resistance of the base material and the semiconductor wafer, the heating method (heat capacity, heating means, etc.). General heat treatment conditions are a temperature of 100 to 250 ° C. for 5 to 90 seconds (hot plate or the like) or 5 to 15 minutes (hot air dryer or the like). Under such heating conditions, the heat-expandable microspheres of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer usually expand and / or foam, and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer expands and deforms, so that the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is deformed unevenly, and the adhesive strength is reduced or lost. Note that the heat treatment can be performed at an appropriate stage depending on the purpose of use. In some cases, an infrared lamp or heated water can be used as the heating source.
[0071]
The removal treatment for removing the water-soluble protective layer from the semiconductor wafer is not particularly limited as long as it is a removal method using water. Examples of the removal treatment include running water cleaning, ultrasonic cleaning in water (pure water ultrasonic cleaning, and the like). ) Can be used.
[0072]
The method for temporarily fixing a semiconductor wafer according to the present invention can bond a semiconductor wafer with a strong adhesive force during processing, can release the bonded state after processing, and has less contamination on the surface of the semiconductor wafer. It is suitably used for applications.
[0073]
In the present invention, after the semiconductor wafer is temporarily fixed by the semiconductor wafer temporary fixing method, the semiconductor wafer can be processed. Examples of the processing of the semiconductor wafer include various processings such as a polishing processing of a back surface of the semiconductor wafer, a dicing processing, and a fine processing. In such processing, the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet also has a function of protecting the semiconductor wafer during processing.
[0074]
After temporarily fixing the semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be processed, for example, to obtain a semiconductor chip. A semiconductor chip formed by a semiconductor wafer processed by the processing method of the present invention does not become a defective product from this viewpoint due to low surface contamination, and can be put to practical use. It is useful as a semiconductor chip for a substrate. That is, in the electronic component and the circuit board of the present invention, a semiconductor chip manufactured by processing a semiconductor wafer by using the method of temporarily fixing the semiconductor wafer is used.
[0075]
【The invention's effect】
According to the method for temporarily fixing a semiconductor wafer of the present invention, the pressure-sensitive adhesive sheet can be easily peeled off by heat treatment, and the contamination of the surface of the semiconductor wafer after peeling can be reduced. In addition, a semiconductor chip manufactured by using the temporary fixing method is useful as a semiconductor chip used for an electronic component or a circuit board because the surface of the semiconductor chip is reduced in contamination.
[0076]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
[0077]
(Example 1)
A polyvinyl alcohol aqueous solution (trade name “PVA-205” manufactured by Kuraray Co., Ltd.) is applied to the surface of the silicon mirror wafer by a spin coater so as to have a thickness of 3 μm after drying, and dried. 3 μm).
On the polyvinyl alcohol layer (coated surface) formed on the surface of the silicon mirror wafer, a product name “Riba Alpha“ No. 3195MS: 120 ° C. heat peeling type ”” [manufactured by Nitto Denko Corporation; polyethylene terephthalate as base material Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet], and diced into a 10 mm square chip with a dicer (DFS-651 manufactured by Dusco Corporation), and then a hot air dryer [thermostat: SPH-201 manufactured by Tabai Espec Corp.] The resulting chip was recovered by heating in a mold at 130 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the polyvinyl alcohol layer on the peeled surface of the chip was removed by pure water ultrasonic cleaning and dried to obtain a chip made of a silicon mirror wafer.
[0078]
(Example 2)
A polyethylene glycol aqueous solution [trade name "PEG1540" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.] is applied to the release-treated surface of a 38 μm-thick silicone release-treated polyester film [trade name "# 38 Therapy" manufactured by Toyo Metallizing Co., Ltd.]. The resultant was coated so as to have a thickness of 3 μm after drying, and dried to form a polyethylene glycol layer (thickness: 3 μm). Further, the polyethylene glycol layer was transferred to the surface of the silicon mirror wafer.
On the polyethylene glycol layer (transfer surface) formed on the surface of the silicon mirror wafer, a product name “Ribaalpha“ No. 3193MS: 120 ° C. heat peeling type ”” [manufactured by Nitto Denko Corporation; polyethylene terephthalate as a base material] Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet], and diced into a 10 mm square chip with a dicer (DFS-651 manufactured by Dusco Corporation), and then a hot air dryer [thermostat: SPH-201 manufactured by Tabai Espec Corp.] The resulting chip was recovered by heating in a mold at 130 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the polyethylene glycol layer on the peeled surface of the chip was removed by ultrasonic cleaning with pure water and dried to obtain a chip made of a silicon mirror wafer.
[0079]
(Comparative Example 1)
The polyvinyl alcohol aqueous solution is not applied to the surface of the silicon mirror wafer, and the adhesive layer of the product name “Riba Alpha“ No. 3195MS: 120 ° C. heat peeling type ”” (manufactured by Nitto Denko Corporation) is directly applied to the silicon mirror wafer surface. Except for bonding, chips were collected in the same manner as in Example 1 to obtain chips using a silicon mirror wafer. Of course, since no polyvinyl alcohol layer is formed on the surface of the silicon mirror wafer, ultrasonic cleaning with pure water is not performed.
[0080]
(Comparative Example 2)
The polyethylene glycol layer is not transferred to the silicon mirror wafer surface, and the adhesive layer of the product name “Riba Alpha“ No. 3193MS: 120 ° C. heat peeling type ”” (manufactured by Nitto Denko Corporation) is directly applied to the silicon mirror wafer surface. Except for bonding, chips were collected in the same manner as in Example 2 to obtain chips using a silicon mirror wafer. Of course, since no polyethylene glycol layer is formed on the surface of the silicon mirror wafer, ultrasonic cleaning with pure water is not performed.
[0081]
(Evaluation)
Using a X-ray photoelectron spectrometer, the surface of the chip formed by the silicon mirror wafer obtained in each of Examples and Comparative Examples was subjected to XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy; X-ray photoelectron spectroscopy) to determine the carbon element ratio R on the surface.C1(%), And at the same time, the silicon element ratio R on the surface at that time.Si(%) Is also measured. Further, the original mirror-finished 4-inch silicon wafer surface (the mirror-finished 4-inch silicon wafer surface before the adhesive sheet was stuck) was subjected to XPS using an X-ray photoelectron spectrometer to determine the carbon element ratio on the surface. RC2(%) Is measured.
[0082]
The R thus measuredC1, RSi, RC2By RC1And RC2And the difference [RC1-RC2(= ΔRC1-2)], And RC1And RSi(%) [RC1/ RSi(= RC / Si)] Was evaluated, and the contamination was evaluated. The evaluation results are shown in each column of Table 1. Note that ΔRC1-2And RC / SiMeans that the greater the value, the greater the pollution degree. Further, it means that the degree of contamination is increased by the heat treatment as the value after the heating is larger than that before the heating.
[0083]
The X-ray photoelectron spectroscopy analyzer was measured using a model name “5400” manufactured by ULVAC-PHI, Inc. under the conditions of an X-ray source: MgKα15KV (300 W), a take-out angle: 45 °, and a measurement area: 1 × 3.5 mm.
[0084]
[Table 1]
From Table 1, ΔRC1-2Is not more than 30 (especially not more than 20) in the example, but not less than 40 in the comparative example.C1-2Was confirmed to be able to be greatly reduced.
[0086]
Also, RC / SiIs 2.5 or less (especially 1.0 or less) in the example, but is 4.0 or more in the comparative example.C / SiWas confirmed to be able to be greatly reduced.
[0087]
Therefore, when the semiconductor wafer is temporarily fixed to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, if the water-soluble protective layer is used, the pressure-sensitive adhesive sheet can be easily peeled off by heat treatment, and the contamination of the semiconductor wafer surface after peeling is reduced. It was confirmed that it could be done.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view partially showing an example of a state in which a semiconductor wafer is temporarily fixed to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet by a temporary fixing method of the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view partially showing an example of a state in which a semiconductor wafer is temporarily fixed to a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet by a temporary fixing method of the present invention.
FIG. 3 is a schematic sectional view partially showing an example of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention.
FIG. 4 is a schematic sectional view partially showing an example of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention.
FIG. 5 is a schematic sectional view partially showing an example of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention.
FIG. 6 is a schematic sectional view partially showing an example of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet used in the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Heat release adhesive sheet
1a Base of Heat-
1b Thermal expansion adhesive layer of heat-
1c Adhesive layer for support pedestal of heat-
1d is a rubbery organic elastic layer of the heat-peelable pressure-
1e is a separator of the heat-peelable pressure-
2 Semiconductor wafer
3 Water-soluble protective layer
4 Support pedestal
Claims (6)
ＲＣ１≦３０＋ＲＣ２ （１）
［関係式（１）において、ＲＣ２は、加熱剥離型粘着シートに貼付される前で且つ水溶性保護層が設けられる前の、ＸＰＳによる半導体ウエハの表面における炭素元素比率（％）を示す。］After heat-peeling the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet from the semiconductor wafer and removing the water-soluble protective layer, the carbon element ratio R C1 (%) on the surface of the semiconductor wafer by XPS is represented by the following relational expression (1). 3. The method of temporarily fixing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the following condition is satisfied.
R C1 ≦ 30 + R C2 (1)
[In the relational expression (1), R C2 indicates a carbon element ratio (%) on the surface of the semiconductor wafer by XPS before being attached to the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and before the water-soluble protective layer is provided. ]
ＲＣ１ Ｓｉ≦２．５ＲＳｉ （２）
［関係式（２）において、ＲＳｉは、シリコンウエハから加熱剥離型粘着シートを加熱して剥離させ、さらに水溶性保護層を除去した後の、ＸＰＳによるシリコンウエハの表面におけるケイ素元素比率（％）を示す。］After the semiconductor wafer is a silicon wafer, and the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the silicon wafer by heating, and the water-soluble protective layer is further removed, the carbon element ratio R C1 Si on the surface of the silicon wafer by XPS is 4. The method according to claim 1, wherein the following relational expression (2) is satisfied.
R C1 Si ≦ 2.5R Si (2)
[In the relational expression (2), R Si is a silicon element ratio (%) on the surface of the silicon wafer by XPS after the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the silicon wafer by heating and the water-soluble protective layer is removed. ). ]
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