JP2004219751A - 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置 - Google Patents

光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004219751A
JP2004219751A JP2003007445A JP2003007445A JP2004219751A JP 2004219751 A JP2004219751 A JP 2004219751A JP 2003007445 A JP2003007445 A JP 2003007445A JP 2003007445 A JP2003007445 A JP 2003007445A JP 2004219751 A JP2004219751 A JP 2004219751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
waveguide
optical waveguide
optical
waveguide device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003007445A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiminori Mizuuchi
公典 水内
Kazuhisa Yamamoto
和久 山本
Takashi Yoshino
隆史 吉野
Tatsuo Kawaguchi
竜生 川口
Minoru Imaeda
美能留 今枝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2003007445A priority Critical patent/JP2004219751A/ja
Priority to US10/542,424 priority patent/US7171094B2/en
Priority to CNB2003801088382A priority patent/CN100351696C/zh
Priority to EP03781005A priority patent/EP1584975B1/en
Priority to PCT/JP2003/016487 priority patent/WO2004063808A1/ja
Priority to AT03781005T priority patent/ATE480794T1/de
Priority to AU2003289497A priority patent/AU2003289497A1/en
Priority to DE60334150T priority patent/DE60334150D1/de
Publication of JP2004219751A publication Critical patent/JP2004219751A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/37Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G02F1/377Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
    • G02F1/3775Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/365Non-linear optics in an optical waveguide structure
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/355Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3558Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/06Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
    • G02F2201/063Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide ridge; rib; strip loaded

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】波長の異なる光をシングルモードに伝搬可能な、光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光導波路デバイス100は、入射光の波長を変換して変換光を出射する導波層102を備えている。導波層102には、リッジ導波路103と、リッジ導波路103の両側に2つの凹部104を介して形成されたスラブ導波路105とが設けられている。導波層102は、入射光に対してマルチモード条件を満足し、リッジ導波路103を伝搬する光はシングルモードである。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報処理および光通信分野で利用される光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光情報処理分野、光通信分野において、光多重通信による通信容量の増大が図られている。1つのファイバー内に多数の波長を電送する波長多重方式によりファイバー内を電送する容量を飛躍的に増大させることが可能となる。波長多重方式の伝送において、光を波長によって分波合波する光ルーティングが重要なデバイスとなる。特定の波長を異なる波長の光に変換することで信号光を制御する。この光ルーティングの方式として非線形光学効果を利用した差周波変換が利用されている。信号光とポンプ光を非線形光学素子内に導き、信号光とポンプ光の差周波を新たな信号光とすることで、信号光の波長を一括して波長変換することが可能となる。非線形光学効果を利用するため高速な波長変換が可能となる。このような波長変換素子として擬似位相整合を利用した導波路型の差周波発生素子が提案されている(非特許文献1)。
【0003】
図8は、従来の光導波路型差周波発生素子の構成図である。LiNbO基板に周期状分極反転構造801とプロトン交換導波路802が形成されている。光導波路の入射部には、セグメントテーパ導波路803が形成されている。信号光として波長1.56μm帯の光、ポンプ光は波長0.78μm、差周波は波長1.56μm帯である。光導波路は1.56μmの信号光と差周波が導波する条件であるため、波長0.78μmのポンプ光に対してはマルチモード条件の導波路となる。マルチモード条件のプロトン交換導波路にシングルモードの光を結合させるのは難しい。このため、信号光とポンプ光の入射部を別にし、かつポンプ光にはセグメントテーパ導波路803を用いている。
【0004】
セグメントテーパ導波路803は、導波路の入射部においてはポンプ光の光に対してシングルモード条件であり、徐々にマルチモード条件の光導波路に導波光を導くことで、マルチモード導波路内をシングルモードで伝搬させている。つまり、セグメントテーパ導波路を用いて導波路内でシングルモード導波路のシングルモード伝搬光をマルチモード導波路のシングルモード伝搬光に変換していた。信号光、ポンプ光を、分極反転構造を有する光導波路内でシングルモード伝搬させることで、導波路内でのオーバラップが増大し、高効率で差周波を発生することが可能となる。
【0005】
【非特許文献1】
M.H.Chou, et al., OPTICS LETTERS, 1998, vol.23, No.13, p1004−1006)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の光導波路デバイスに用いられている光導波路はストライプ状の3次元導波路であり、屈折率分布が対称構造ではない。このため、マルチモード導波路に外部からシングルモードのみを励振することは非常に困難であり、トレランスも非常に狭いという課題があった。これは、外部からの入射光のビームスポットの電界分布を光導波路のシングルモードの電界分布に正確に一致させないと、マルチモードが容易に励振されてしまうからである。通常のレンズ結合や光ファイバー結合ではマルチモード導波路においてシングルモードのみを選択的に励起できない。
【0007】
本発明は上述の問題点に鑑み、波長の異なる光をシングルモードに伝搬可能な、光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の光導波路デバイスは、入射光の波長を変換して変換光を出射する導波層を備えた光導波路デバイスであって、前記導波層に設けられたリッジ導波路と、前記リッジ導波路の両側に凹部を介して形成されたスラブ導波路とを備え、前記導波層は、前記入射光に対してマルチモード条件を満足し、前記リッジ導波路を伝搬する光はシングルモードである。
【0009】
リッジ導波路の両側に凹部を介してスラブ導波路を設けた構成としたことにより、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することができる光導波路デバイスを実現できる。
【0010】
本発明の光導波路デバイスにおいて、入射光の波長は、前記変換光の波長よりも小さいことが好ましい。それにより、高効率な波長変換素子が実現できる。
【0011】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記導波層は、非線形光学結晶からなり、前記変換光の波長は、前記入射光の波長の2倍であることが好ましい。それにより、高効率なダウンコンバージョンの光導波路デバイスが実現できる。
【0012】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記導波層は、非線形光学結晶からなり、前記入射光は、複数の波長の光であり、前記入射光と共にポンプ光がさらに入射され、前記変換光は、前記ポンプ光と前記入射光の差周波光であることが好ましい。それにより、差周波を用いた波長変換素子である光導波路デバイスが実現できる。
【0013】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記リッジ導波路が周期状の分極反転構造を有することが好ましい。それにより、高効率な波長変換素子が実現できる。
【0014】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記分極反転構造は、分極反転周期が互いに異なる2つの領域を、光の伝搬方向に対して直列に有し、前記入射光は、複数の波長の光であり、前記入射光と共に第1および第2のポンプ光がさらに入射され、前記2つの領域のうち光の入射側に近い領域を第1の領域とし、もう1つの領域を第2の領域とすると、前記第1領域で、前記入射光が第1のポンプ光との差周波光に変換され、前記第2領域で、前記第1領域で変換された差周波光が、第2のポンプ光との差周波光に変換されることが好ましい。それにより、波長変換させた信号光の周波数の大小が変わらない光導波路デバイスを実現できる。
【0015】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記リッジ導波路の幅が前記スラブ導波路の幅より狭いことが好ましい。それにより、リッジ導波路の実効屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率よりも小さくなるため、マルチモードの導波光がスラブ導波路に引き寄せられる。そのため、シングルモードの伝搬が効果的に起こる。
【0016】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記導波層は、非線形光学結晶の薄膜からなることが好ましい。結晶を薄膜化した導波路構造は、導波路内に不純物を含まないため、低損失で、非線形光学定数が高く、耐光損傷強度に優れる。これにより、高出力のポンプ光の導波が必要な差周波デバイスにおいても、安定な出力特性が得られる。
【0017】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記薄膜は、光学基板に接着されていることが好ましい。あるいは、前記薄膜が、光学基板に直接接合されていることも好ましい。
【0018】
本発明の光導波路デバイスにおいて、2層以上のクラッド層が積層されていることが好ましい。それにより、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード伝搬が可能な波長領域が広い、光導波路デバイスが実現できる。
【0019】
上記構成の光導波路デバイスにおいて、前記クラッド層のうち、前記リッジ導波路に接するクラッド層は、他のクラッド層より高い屈折率を有することが好ましい。また、前記リッジ導波路に接するクラッド層は、Nbを含む酸化物であることがさらに好ましい。
【0020】
本発明の光導波路デバイスにおいて、前記導波層は、深さ方向にステップ状の屈折率分布を有していることが好ましい。それにより、シングルモード光を選択的に励振することができる光導波路デバイスを実現できる。
【0021】
また、本発明の光導波路レーザは、光源と、上述のいずれかの構成にかかる光導波路デバイスとを備えた光導波路レーザであって、前記光導波路デバイスの導波層がレーザ媒質である。それにより、高効率で安定した光導波路レーザが実現できる。
【0022】
前記導波層は、Er,Nd,Pr、Tuの少なくとも1つを含むことが好ましい。
【0023】
また、本発明の光学装置は、上述のいずれかの構成にかかる光導波路デバイスを備えている。それにより、高速動作が可能な光学装置を実現できる。
【0024】
【発明の実施の形態】
まず、光導波路の横モードのシングル、マルチモードについて説明する。導波路を伝搬する光の電界分布は導波路の屈折率、形状、大きさにより決定される。導波路の形状を光の波長と同程度のサイズにすると、導波路を伝搬する電界分布が離散的に存在するようになり横モードに分離できる。導波路形状が小さくなり、一つの横モードしか存在しえない状態になったときの導波路をシングルモード導波路という。導波路内に2つ以上の横モードが存在可能になった場合をマルチモード導波路という。導波路サイズが小さくなって光の伝搬が困難になった場合をカットオフ状態という。導波路をシングルモードにするかマルチモードにするかは、導波路の形状、屈折率、光の波長、等により設計するが、通常の光導波路デバイスは導波光に対してシングルモード条件に設計される。シングルモード条件とは、マルチモードに対して光導波路がカットオフとなる条件で、導波路はシングルモードの導波光しか導波しない。この理由は主に、結合における問題と導波路デバイスの特性に起因する。
【0025】
マルチモード導波路がデバイス特性に与える影響とは、導波路に伝搬定数の異なる複数の導波光(マルチモード)が存在することに起因する。導波光を何らかの形で制御する場合、複数の伝搬定数の光が存在すると、それぞれが異なった影響を及ぼすため効果が低減する。例えば、光波長変換素子においては、伝搬定数により位相整合条件が異なるため変換効率が大幅に低下するし、電気光学効果を利用したスイッチ等でも同様に効果が低下するため、スイッチング特性のS/N比が大幅に低下する。このため、導波路を用いたデバイスにおいては、シングルモード伝搬で、伝搬光をひとつに制限することでデバイス特性の向上を図っている。
しかしながら、シングルモード導波路の使用が絶対的な条件ではない。マルチモード導波路においてもシングルモードを選択的に励起することが可能となれば、シングルモード導波路と同様にひとつの伝搬定数を持った光しか導波しないため、デバイス特性の劣化は防止できる。
【0026】
また直交関係が成り立っているので、摂動等が存在しない限り、導波路内でシングルモードからマルチモードに光が変換されることはない。マルチモード導波路の最大の欠点は、結合の問題である。光導波路に光を入射する場合、レンズによる集光光またはファイバーによる結合により導波光を励起する。導波路と入射光の電界分布が一致すれば高効率で導波光を励起できる。マルチモード導波路においても、シングルモードの電界分布と全く等しい電界分布を外部から励起すればシングルモードのみ選択的に励起できる。
【0027】
しかしながら、実際にはモードの電界分布を完全に一致させることは非常に難しく、結合ずれ等のトレランスも非常に厳しくなる。このため容易にマルチモードの導波光が励起されてしまいシングルモードのみでの励起が難しくなる。さらに、通常用いられているようなプロトン交換またはTi拡散等の拡散を利用した光導波路は、屈折率分布がグレーディッドになっており、深さ方向に非対称な屈折率分布を持った構造である。このため導波モードも複雑な非対称構造をとり、マルチモード導波路におけるシングルモード励起をより難しくしている。
【0028】
これらの理由より、入射光および導波光の波長が同程度の場合、導波路はこれらの光に対して、構造がシングルモードのみ導波するシングルモード条件に設計する。しかし、波長が大きく異なる光の導波が必要で、かつ入射光として波長の短い光の入射が必要な場合は、デバイスの特性劣化が問題となってくる。
【0029】
以下に、波長の異なる光のシングルモード伝搬が可能であり、デバイスの特性劣化が生じない、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【0030】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1に係る光導波路デバイスについて図1を用いて説明する。
図1において、光導波路デバイス100は、LiNbOからなる基板101上にプロトン交換LiNbOからなる導波層102が形成された構成である。導波層102には、2つの凹部104が形成され、これらの凹部104に挟まれたリッジ導波路(光導波路)103が形成されている。2つの凹部104の外側には、スラブ導波路105が形成されている。つまり、導波層102は、リッジ導波路103の両側に、凹部104を介して、スラブ導波路105が形成された構成である。
【0031】
また、リッジ導波路103には周期状の分極反転構造106が形成されている。アニールしないプロトン交換導波路構造を用いているため、深さ方向の屈折率分布はステップ状である。
【0032】
このような構成の光導波路デバイス100の導波層102は、マルチモード導波路構造であってもシングルモード導波光を選択的に励振することが可能である。リッジ導波路103に、波長が1.56μm帯の光が導波可能なように、リッジ導波路幅d1を6μm、導波層の深さd2を5μm、凹部の深さd3を2μmとした。この導波層102は、波長1.56μmの光に対してシングルモード条件となった。
【0033】
次に、波長0.78μmの赤外光をレンズ等の集光光学系を用いて、導波層102に入射して結合実験を行った。その結果、導波層102は波長0.78μmの光に対して2次の横モードマルチ条件(シングルモード以外に1次、2次の高次のマルチモードが伝搬可能)であった。以上の結合実験において、導波層102に結合する光はすべてシングルモードであり、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することが可能であることがわかる。この理由を、モードプロファイルを基に解析した。以下にこの理由について説明する。
【0034】
図2は、実施の形態1に係る光導波路の入射端面における電界分布を示す図である。導波層102中を、伝搬する光のモードを導波路形状から解析すると、図2に示すように、3種類の電界分布を有するモードが励起されることが明らかになった。図2(a)は0次モード(シングルモード)、図2(b)は1次モード、図2(c)は2次モードである。図から分かるように、図2(b)、図2(c)に示されたマルチモードの場合は、凹部104の下側の導波層に電界107が大きく浸みだしているのがわかる。さらに凹部の外側に形成されているスラブ導波路105に、マルチモードの電界107が吸収されている。それにより、導波層102の伝搬損失が大幅に増大することが判明した。スラブ導波路105はリッジ導波路103に対して実効屈折率が大きいため、スラブ導波路105へ浸みだした光はすぐにスラブ導波路105へ吸収され、導波損失となる。すなわち、実施の形態1の導波層102においては、マルチモードは存在するが、伝搬損失が非常に大きく、ほとんど励振されないことがわかる。導波層102へ光が入射された場合、入射光との結合部においてマルチモード光は放射される。そのため、結合効率を最大にとる条件でシングルモードが選択的に励起される。つまり、実施の形態1の光導波路デバイス100の導波層102は、マルチモード光の伝搬損失が非常に大きいため、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することが可能である。
【0035】
なお、リッジ導波路103の幅d1がスラブ導波路105の幅d5より狭くなるようにすると好ましい。導波路の実効的な屈折率を表わす実効屈折率は、導波路を形成する材質の屈折率と形状に依存する。リッジ導波路103の幅d1がスラブ導波路105の幅d5より狭くなるようにすることで、リッジ導波路103の実効屈折率がスラブ導波路105の実効屈折率よりも小さくなる。そのため、スラブ導波路105へ浸みだした光はすぐにスラブ導波路105へ吸収され、導波損失となる。このように、リッジ導波路103の幅d1がスラブ導波路105の幅d5より狭くなると、マルチモード光の伝搬損失が非常に大きくなる。そのため、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することが可能である。
【0036】
この導波層102において、凹部104の幅d4は、リッジ導波路103の幅d1の50%よりも大きく200%程度までが望ましい。広すぎるとリッジ導波路103への影響が無くなりマルチモードの伝搬損失が増加しない。また、50%以下であるとリッジ導波路103中の光の伝搬に大きく影響を与えるため、シングルモードの伝搬損失自体も増大してしまうためである。
【0037】
なお、リッジ導波路103がステップ状の屈折率分布を有することも、導波層102が、シングルモード光を選択的に励振する理由でもある。以下に具体的に説明する。仮に、リッジ導波路103がグレーディッドな屈折率分布を持つとき、屈折率はリッジ導波路103の表面から下部に行くほど連続的に小さくなる。したがって、導波モードはリッジ導波路103の表面近傍を中心に閉じ込められる。このため、マルチモードも表面近傍に偏った電界分布をとり、実施の形態1と同様の光導波路構造であっても、凹部104の下側の導波層を介したスラブ導波路105への漏れが非常に小さくなる。そのため、マルチモードの伝搬損失が小さくなり、シングルモードのみを選択的に励起するのが難しくなる。
【0038】
以上のように、実施の形態1の光導波路デバイスにおいては、マルチモード条件にもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することが可能である
また、このリッジ導波路構造の光導波路デバイス100を、2重クラッド構造とすることで、マルチモード条件の導波路においても、シングルモード伝搬が可能な波長領域をさらに広げることが可能になる。
【0039】
以下に、2重クラッド構造の光導波路デバイスについて図3を用いて説明する。 図3は、2重クラッド構造の光導波路デバイスの構成図であり、図3(a)は光導波路デバイスの斜視図で、図3(b)は、入射端面図である。2重クラッド構造の光導波路デバイス200は、シングルモード伝搬の条件を緩和する。
【0040】
図3(a)に示すように、光導波路デバイス200は、リッジ導波路103のクラッド層として2層クラッド(クラッド201,クラッド202)を設けた構造である。リッジ導波路103に接する方のクラッド202にはリッジ導波路103と屈折率が近い材料を用いることが好ましい。たとえば、Nbを含む酸化物を含む構成であるとしてもよい。具体的には、透過特性の高い高屈折率材料としてNbとTaの混合膜を用いることができる。
【0041】
図3(b)に示すように、このような構造の光導波路デバイス200には、波長の異なる2つの光が伝搬し、伝搬する領域は同一ではない。例えば、波長0.78μmの光と波長1.56μmの光を伝搬させると、波長の短い光(波長0.78μm)は、リッジ導波路103内の領域207を導波し、波長の長い光(波長1.56μm)はクラッド層202を含む領域208を導波する。
【0042】
以上説明した2重クラッドのリッジ導波路構造の光導波路デバイス200は、シングルモード伝搬の条件を緩和する。このように、実施の形態1の光導波路デバイスを2層クラッドとすることで、さらに、性能を上げることができる。
【0043】
また、本実施形態の光導波路デバイスは高調波発生にも有効である。2次、3次高調波発生の場合、変換光に対して、入射光の波長が長いため、入射光に対して最適な設計が可能であり、シングルモード化が容易である。しかしながら、マルチモード条件に設計することで、光導波路の伝搬損失が大幅に低減できることより、本発明の構成は高効率化に有効である。
【0044】
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2に係る光導波路デバイスについて説明する。実施の形態2の光導波路デバイスは、ダウンコンバージョンの光導波路デバイスである。ダウンコンバージョンとは、波長λの光を波長2λの光に変換するデバイスである。
【0045】
入射する光の波長λが、変換光の波長2λより短いため、従来の光導波路では導波路条件を変換光に合わせて設計すると、入射光に対してマルチモード条件になる。そのため、波長λに合わせて光導波路をシングルモードに設計すると2λの光はカットオフになるため、デバイスが実現できない。
【0046】
実施の形態2の光導波路デバイスは、波長λの光を波長2λの光に変換するデバイスである。実施の形態2の光導波路デバイスは、図1に示す実施の形態1の光導波路デバイスと同様の構成である。この構成のダウンコンバージョンの光導波路デバイスを実際に作製した。導波層102を形成する基板にMgドープのLiNbO基板を用い、リッジ度導波路103には周期状の分極反転構造を形成した。
【0047】
この導波層102に波長0.4μmの光を入射すると、周期状の分極反転構造(周期:約2.7μm)によって波長0.8μmの赤外光に変換された。リッジ導波路103の構造は、リッジ導波路幅d1が4μm程度である。導波層102は、光導波路としてはストレートな構造で、光の入射部に、光の結合特性を制御してシングルモード化するようなテーパ構造は設けなかった。導波層102は波長0.4μmの青色光に対してはマルチモード条件であるが、レンズを組み合わせた集光光学系を用いて、波長0.4μmの青色光をシングルモードの状態で選択的に入射することができた。結合効率は80%であり、マルチモードの導波は観測されなかった。また結合のトレランスもシングルモードの導波路に励起する場合と差がなかった。
【0048】
ダウンコンバージョンの変換効率は10%程度であり、導波層102を波長0.4μmの光がシングルモード伝搬し、かつ屈折率分布がステップ形状であるため、波長0.8μmの光との大きなオーバラップが得られ、高効率の変換を達成した。なお、素子長は10mmであった。
【0049】
通常テーパ等を形成するとテーパ部のスペースとして、1〜2ミリ程度必要となるため、効率は10%から20%低下する。さらにテーパで効率よく導波モードを変換するのが難しいため、効率はさらに低下するし、作製歩留まりも悪い。
【0050】
これに対して、実施の形態2の導波層102は、形状が簡単であるため歩留まりも高く、再現性の良い高効率変換特性が得られた。導波層102を用いて、高効率なダウンコンバージョンの光導波路デバイスが実現できる。
【0051】
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3に係る光導波路デバイスについて説明する。実施の形態3の光導波路デバイスは差周波デバイスである。
【0052】
波長多重光通信において、信号を搬送する光の波長を変換する光ルータが必要となる。現在は、光を一旦、電気信号に変換し、これを再び光に変換することで波長の変換を実現している。しかし、高速化を実現するには、光−光波長変換が必要となる。これを実現するには、差周波を利用した波長変換が有効である。例えば、入力光として信号光である波長1.56μm帯の光とポンプ光である波長0.78μm帯の光とを差周波デバイスに入射することで、信号光を波長0.78μmのポンプ光の差周波に変換できる。また、波長1.56μm近傍の光を一括して差周波に変換できる。
【0053】
図4は、実施の形態3に係る光導波路デバイスの波長変換を説明する図である。図4(a)は光導波路デバイスの構成図であり、図4(b)は信号光と差周波光との周波数と強度の関係を示す図である。
【0054】
実施の形態3の光導波路デバイス300は、図1に示した実施の形態1の光導波路デバイス100と同様の構成である。光導波路デバイス300は、MgOドープLiNbOからなる導波層301を備えている。導波層301は、周期状の分極反転構造305を有するリッジ導波路302と、凹部303と、スラブ導波路304とを備えていて、基板306上に形成されている。導波層301に、ポンプ光として波長λの光と信号光として複数の波長λinの光を入射すると、波長λinとλの差周波λoutの光が出射される。ポンプ光として周波数ω0=2π/λの光を、信号光として周波数ω1=2π/λと、周波数ω2=2π/λの2つの光を導波層301に入射させると、周波数ω1の信号光は周波数(ω0−ω1)の光に変換され、ω2の信号光は周波数(ω0−ω2)の光に変換される。これらの光のスペクトル図は、図4(b)に示されている。横軸は周波数であり、縦軸は光の強度を示している。このように、光導波路デバイス300は、差周波デバイスとして用いることができる。
【0055】
MgドープのLiNbOを用い、周期状の分極反転を形成した導波層にリッジ導波路構造を形成した光導波路デバイスの場合を考える。この導波路では波長1.56μm帯の光の導波が必要なため、波長0.78μmのポンプ光に対しては、マルチモード条件となってしまう。しかしながら、実施の形態3の光導波路デバイス300であれば、ポンプ光をシングルモードで導波させることが可能となり、高効率な波長変換が実現でき、素子長10mmで、変換効率90%以上を達成できた。
【0056】
また、差周波デバイスとして、リッジ導波路302における分極反転構造305の分極反転周期が途中で変化する光導波路デバイスも、本発明の一実施形態である。図5を用いてこの光導波路デバイスについて説明する。図5は、実施の形態3に係る他の構成の光導波路デバイスを説明する図であり、図5(a)は光導波路デバイスの構成図で、図5(b)は信号光と差周波光との周波数と強度の関係を示す図である。
【0057】
図4に示された光導波路デバイス300では、図4(b)に示されているように、周波数ω1の信号光は周波数(ω0−ω1)の光に変換され、周波数ω2の信号光は周波数(ω0−ω2)の光に変換されている。ω1は、ω2よりも小さいが、(ω0−ω1)は、(ω0−ω2)よりも大きい。したがって、信号光は、変換後には、周波数の大小が逆になっている。
【0058】
図5の光導波路デバイス400は、変換後においても周波数の大小が逆転しない。光導波路デバイス400は、リッジ導波路302における分極反転構造305の分極反転周期が、第1の領域307と第2の領域308において異なる。
【0059】
光導波路デバイス400に、信号光として波長の異なる複数の光(λin)とポンプ光として波長λ、λの光を入射する。信号光(λin)として、周波数ω1の光と周波数ω2の光がリッジ導波路302に入射されると、まず、第1の領域307で、これらの信号光と波長λのポンプ光との差周波光((ωa−ω1)と(ωa−ω2))に変換される。なお、第1の領域307は、ポンプ光ωaと信号光とが位相整合するよう分極反転周期が設計されている。
【0060】
次に、この差周波光が、第2の領域308に入射され、ポンプ光λとの差周波光((ωb−ωa+ω1)と(ωb−ωa+ω2))に変換される。なお、第2の領域308は、ポンプ光ωbと第1の領域307からの差周波光が位相整合するよう分極反転周期が設計されている。このように信号光が2回、差周波光に変換される。
【0061】
以上の関係を図5(b)に示している。このように、最終的な変換光の波長の大小関係は、信号光の大小関係と同じになる。(ωb−ωa+ω1)は、(ωb−ωa+ω2)よりも小さいので、元の信号光の周波数ω1、ω2との大小関係と等しい。したがって、光導波路デバイス400を用いることで、信号光の波長の関係を変えることなく、一括して波長を変換できる。
【0062】
実施の形態3では、光導波路構造として、プロトン交換層に形成したリッジ導波路構造を示したが、エピ基板または非線形光学結晶を薄膜化した導波路構造としてもよい。すなわち、非線形光学結晶を光学基板に接着または直接接合し、これを研磨により薄膜化(光学薄膜)して導波層を形成して、さらに導波層をリッジ加工することで光導波路を形成できる。例えば、図6(a)および(b)に、その光導波路デバイスの二つの構成例を示す。図6(a)に示している光導波路デバイスは、LiNbOからなる基板101上に接着剤110を介して導波層102が接着された構成である。導波層102は、周期状の分極反転構造106を有するMgOドープしたLiNbO基板を薄膜化し、これにリッジ加工を施して、2つの凹部104と、これらの凹部104に挟まれたリッジ導波路(光導波路)103と、2つの凹部104の外側にスラブ導波路105とを形成したものである。図6(b)に示している光導波路デバイスは、上述のように形成された導波層102上の凹部104が形成された側に、接着剤110を介して基板101が接着された構成である。
【0063】
結晶を薄膜化した導波路構造は、導波路内に不純物を含まないため、低損失で、非線形光学定数が高く、高効率な差周波、ダウンコンバージョンデバイスが実現できる。また、耐光損傷強度に優れるため、高出力のポンプ光の導波が必要な差周波デバイスにおいても安定な出力特性が得られた。導波層102としては、非線形材料でなくても、ガラス、シリコン、レーザ媒質、半導体等の利用が可能である。導波光に対して透明な材料であれば導波路形状に加工することで導波路が実現できる。なお、光学基板とは、その表面精度が光の波長オーダ以下の高精度で研磨されている基板である。
【0064】
上記説明では、信号光としては2種類の波長の光で説明したが、波長多重の場合は複数の異なる波長の信号光が多数利用される。実施の形態3の光導波路デバイスはこれらの波長を一括して波長変換することが可能である。波長変換可能な波長範囲は分極反転周期構造に依存する。また、位相整合波長範囲を拡大するため、分極反転の周期構造を単一周期ではなく、部分的に変調した周期構造にすることも有効である。
【0065】
また、波長λ、λは異なる値であり、それらの波長の光と位相整合するように、領域307、308の位相整合波長も異なるように設計するのが好ましい。そうすることで、信号光が目的と異なる波長に変換されてしまうことを防ぐことができる。そのため、ノイズの発生および信号強度の低下も防ぐことができる。
【0066】
以上の実施の形態1〜3では、光導波路デバイスにおいて、LiNbO結晶でリッジ導波路を形成する例を説明したが、他にLiTaO、KTP等の非線形材料で形成してもよい。
【0067】
また、光導波路デバイスの高効率化のためオフカット基板で導波層を構成することが望ましい。オフカット基板を用いて、分極反転構造を形成することで、分極反転厚みが増大し、光導波路とのオーバラップの増加が可能となるため、変換効率の向上を図ることができる。なお、X板の結晶において結晶Y軸を中心にX、Z軸をθ°回転させたときのθをオフカット角度とすると、分極反転厚みはオフカット角とともに増大する。オフカット角度θとしては3°〜15°程度が望ましい。
【0068】
また、Zカット基板で導波層を構成してもよい。Zカット基板は深い分極反転が形成で、かつ分極反転が形成されている領域を広くできるため有効である。だたし、この場合、半導体レーザと偏光を合わせるためλ/2板が必要である。また、通信用の1.5μm帯のレーザは出射ビームの広がり角が縦横同程度に制御されているものもあるので、これを用いればλ/2板が必要なくなり、低コスト化に有効である。
【0069】
光導波路内に複数の波長の異なる光を入射する方法としては、光学フィルターを用いて、複数の光を同一光路に合波した後、集光光学系を用いて導波路に入射する方法がある。本発明の光導波路デバイスは、波長の異なる光に対してシングルモード励起が容易なため、集光光学系による光励起によって、効率よくシングルモード励起が可能となる。
【0070】
さらに複数の波長の光を励起する方法としては光ファイバーカップラを利用する方法もある。波長の異なる光を光ファイバーカップラにより一つの光ファイバーに合波し、これを本発明の光導波路に結合させる。光ファイバーカップラは市販されており、異なる波長を効率よく合波できる。光ファイバーはリッジ導波路端面に直接結合させればよい。光ファイバーカップラにより合波した光を効率よく光導波路に結合させることができる。このときの、結合効率は80%以上であり、光導波路と光ファイバーの結合ずれに対しても、広い許容度が得られた。図7は、光ファイバーと光導波路の結合ズレに対する結合パワー特性を示している。図7(a)は、本発明の光導波路デバイスによるものであり、図7(b)は従来のマルチモードの埋め込み側光導波路によるものである。
【0071】
位置ズレは、導波路幅方向のズレを示している。ファイバーを最適位置に調整しても、導波路を伝搬するモードの電界分布とファイバーを伝搬する導波光の電界分布の違いにより0次モードと1次モードが同時に伝搬してしまう。さらにファイバーが結合位置の最適値からわずかにずれると、1次モードの割合が増大し、0次モードが大幅に低下する。このように、従来のマルチモード導波路においては、シングルモードを選択的に導波させることが非常に難しく。また位置ズレに対してもマルチモード化が激しくなるため、調整が非常に難しかった。これに対して、本発明の光導波路デバイスの結合特性は、位置ズレに対するマルチモード化が抑圧されている。このため、マルチモード導波路においてもシングルモード励起が容易で結合ズレに対して、大きな許容度を有する。
【0072】
なお、光ファイバー結合に対する特性は、集光光学系による導波路の結合特性についても同様である。
【0073】
また、上述の各実施形態では、直線導波路を用いた光導波路デバイスについて説明したが、その他、Y分岐、方向性結合器、曲がり導波路等を用いた光導波路構造でもよい。
【0074】
本発明の光導波路デバイスは、例えば、光導波路レーザ、光増幅導波路、複数の光を制御する光導波路デバイス等に用いると有効である。導波路レーザ、導波路増幅器は、ポンピング光として短波の光が必要であり、レーザ光または光増幅として長波の光を発生する。光導波路レーザは、本発明の光導波路デバイスの導波層に、Er,Nd,Ps、Tu等をドープしたレーザ媒質を用いることで実現できる。光導波路レーザでは、入射光(ポンプ光)に対して導波光(レーザ光)は長波長となり、導波路設計上、入射光に対してマルチモードになる。しかしながら、ポンプ光をマルチモード伝搬させるとポンプ効率が大幅に低下する。これを防止するため、本発明の光導波路デバイスは非常に有効である。ポンプ光、レーザ光ともにシングルモード伝搬が可能なため、高効率の導波路レーザが実現できる。
【0075】
(実施の形態4)
本発明の実施の形態4に係る光学装置について説明する。実施の形態1〜3の光導波路デバイスの光導波路の入出射端面に光ファイバーを結合させることで、様々な光学装置が実現できる。例えば、波長多重通信において、複数の波長の光を一括して他の波長に変換できる。また、非線形光学効果を利用した波長変換であるため、非常に高速であり、高速通信には非常に有効である。
【0076】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、マルチモード条件の光導波路であるにもかかわらず、シングルモード光を選択的に励振することが可能な光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る光導波路デバイスの構成図
【図2】実施の形態1に係る光導波路の入射端面における電界分布を示す図
【図3】2重クラッド構造の光導波路デバイスの構成図であり、図3(a)は光導波路デバイスの斜視図で、図3(b)は入射端面図
【図4】本発明の実施の形態3に係る光導波路デバイスの波長変換を説明する図であり、図4(a)は光導波路デバイスの構成図で、図4(b)は信号光と差周波光との周波数と強度の関係を示す図
【図5】本発明の実施の形態3に係る他の構成の光導波路デバイスの波長変換を説明する図であり、図5(a)は光導波路デバイスの構成図で、図5(b)は信号光と差周波光との周波数と強度の関係を示す図
【図6】本発明の他の構成の光導波路デバイスの構成図
【図7】光ファイバーと光導波路の結合ズレに対する結合パワー特性を示す図であり、図7(a)は、本発明の光導波路デバイスの特性図であり、図7(b)は従来のマルチモードの埋め込み側光導波路デバイスの特性図
【図8】従来の光導波路デバイスの構成を示す図
【符号の説明】
100、200、300、400 光導波路デバイス
101、306 基板
102、301 導波層
103、302 リッジ導波路
104、303 凹部
105、304 スラブ導波路
106、305 分極反転構造
107 電界分布
110 接着剤
201、202 クラッド層
307、308 領域
801 周期状分極反転構造
802 プロトン交換導波路
803 セグメントテーパ導波路

Claims (17)

  1. 入射光の波長を変換して変換光を出射する導波層を備えた光導波路デバイスであって、
    前記導波層に設けられたリッジ導波路と、
    前記リッジ導波路の両側に凹部を介して形成されたスラブ導波路とを備え、
    前記導波層は、前記入射光に対してマルチモード条件を満足し、
    前記リッジ導波路を伝搬する光はシングルモードである、光導波路デバイス。
  2. 前記入射光の波長は、前記変換光の波長よりも小さい、請求項1に記載の光導波路デバイス。
  3. 前記導波層は、非線形光学結晶からなり、
    前記変換光の波長は、前記入射光の波長の2倍である、請求項1に記載の光導波路デバイス。
  4. 前記導波層は、非線形光学結晶からなり、
    前記入射光は、複数の波長の光であり、
    前記入射光と共にポンプ光がさらに入射され、
    前記変換光は、前記ポンプ光と前記入射光の差周波光である請求項1に記載の光導波路デバイス。
  5. 前記リッジ導波路が周期状の分極反転構造を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
  6. 前記分極反転構造は、分極反転周期が互いに異なる2つの領域を、光の伝搬方向に対して直列に有し、
    前記入射光は、複数の波長の光であり、
    前記入射光と共に第1および第2のポンプ光がさらに入射され、
    前記2つの領域のうち光の入射側に近い領域を第1の領域とし、もう1つの領域を第2の領域とすると、
    前記第1領域で、前記入射光が第1のポンプ光との差周波光に変換され、
    前記第2領域で、前記第1領域で変換された差周波光が、第2のポンプ光との差周波光に変換される、請求項1に記載の光導波路デバイス。
  7. 前記リッジ導波路の幅が前記スラブ導波路の幅より狭い、請求項1〜6のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
  8. 前記導波層は、非線形光学結晶の薄膜からなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
  9. 前記薄膜は、光学基板に接着されている、請求項8に記載の光導波路デバイス。
  10. 前記薄膜が、光学基板に直接接合されている、請求項8に記載の光導波路デバイス。
  11. 前記導波層に、2層以上のクラッド層が積層されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
  12. 前記クラッド層のうち、前記リッジ導波路に接するクラッド層は、他のクラッド層より高い屈折率を有する、請求項11に記載の光導波路デバイス。
  13. 前記リッジ導波路に接するクラッド層は、Nbを含む酸化物である、請求項11または12に記載の光導波路デバイス。
  14. 前記導波層は、深さ方向にステップ状の屈折率分布を有している、請求項1〜13のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
  15. 光源と、請求項1〜14のいずれか一項に記載の光導波路デバイスとを備えた光導波路レーザであって、
    前記光導波路デバイスの導波層がレーザ媒質である、光導波路レーザ。
  16. 前記導波層は、Er,Nd,Pr、Tuの少なくとも1つを含む、請求項15に記載の光導波路レーザ。
  17. 請求項1〜14のいずれか一項に記載の光導波路デバイスを備えた、光学装置。
JP2003007445A 2003-01-15 2003-01-15 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置 Pending JP2004219751A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003007445A JP2004219751A (ja) 2003-01-15 2003-01-15 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置
US10/542,424 US7171094B2 (en) 2003-01-15 2003-12-22 Optical waveguide device, optical waveguide laser using the same and optical apparatus equipped with the same
CNB2003801088382A CN100351696C (zh) 2003-01-15 2003-12-22 光波导器件、使用该光波导器件的光波导激光器和装有该光波导器件的光学装置
EP03781005A EP1584975B1 (en) 2003-01-15 2003-12-22 Optical waveguide device, optical waveguide laser using same and optical apparatus having same
PCT/JP2003/016487 WO2004063808A1 (ja) 2003-01-15 2003-12-22 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置
AT03781005T ATE480794T1 (de) 2003-01-15 2003-12-22 Optische wellenleitervorrichtung, diese verwendender optischer wellenleiterlaser und optisches gerät damit
AU2003289497A AU2003289497A1 (en) 2003-01-15 2003-12-22 Optical waveguide device, optical waveguide laser using same and optical apparatus having same
DE60334150T DE60334150D1 (de) 2003-01-15 2003-12-22 Optische wellenleitervorrichtung, diese verwendender optischer wellenleiterlaser und optisches gerät damit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003007445A JP2004219751A (ja) 2003-01-15 2003-01-15 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004219751A true JP2004219751A (ja) 2004-08-05

Family

ID=32709114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003007445A Pending JP2004219751A (ja) 2003-01-15 2003-01-15 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7171094B2 (ja)
EP (1) EP1584975B1 (ja)
JP (1) JP2004219751A (ja)
CN (1) CN100351696C (ja)
AT (1) ATE480794T1 (ja)
AU (1) AU2003289497A1 (ja)
DE (1) DE60334150D1 (ja)
WO (1) WO2004063808A1 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006041172A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Ngk Insulators, Ltd. 光導波路基板および高調波発生デバイス
WO2006103938A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 Riken フォトニック結晶およびその製造方法
JP2006267324A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子およびコヒーレント光源
JP2007183316A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Precise Gauges Co Ltd 波長変換導波路素子及びその製造方法
JP2007241078A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2007256324A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
WO2007111083A1 (ja) * 2006-03-29 2007-10-04 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. 光制御素子及びその製造方法
JP2007286530A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Totoku Electric Co Ltd 波長変換モジュール
JP2008209449A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2008224708A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2008270344A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Fujifilm Corp 固体レーザ装置
JP2009025399A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Oki Electric Ind Co Ltd 導波路素子及び波長変換素子
WO2011025051A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 Ricoh Company, Ltd. Electro-optical element
JP2011075917A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光導波路素子
WO2014050230A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 日本電気株式会社 高次モードフィルタ
WO2015079974A1 (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 日本碍子株式会社 グレーティング素子および外部共振器型発光装置
JP2018005034A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 株式会社島津製作所 レーザ装置及び波長変換素子
WO2019053854A1 (ja) * 2017-09-14 2019-03-21 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2024100865A1 (ja) * 2022-11-10 2024-05-16 日本電信電話株式会社 光導波路素子およびその製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7483609B2 (en) * 2004-03-30 2009-01-27 Hamamatsu Foundation For Science And Technology Promotion Image wavelength conversion device, method of manufacturing the device, and image conversion system using the device
JP4721924B2 (ja) * 2005-12-09 2011-07-13 富士通株式会社 光導波路を伝搬する光と回折格子とを結合させた光素子
EP1873583B1 (en) * 2006-06-28 2009-11-04 JDS Uniphase Corporation A wafer scale method of manufacturing optical waveguide devices and the waveguide devices made thereby
KR100826436B1 (ko) * 2006-11-03 2008-04-29 삼성전기주식회사 파장변환 레이저 장치
US7742222B2 (en) * 2008-02-29 2010-06-22 Corning Incorporated Conversion device with multi-faceted output face and laser projection system incorporating the same
US7589886B1 (en) * 2008-08-12 2009-09-15 Hc Photonics Corp. Wavelength converter structure and method for preparing the same
US8201947B2 (en) * 2008-12-10 2012-06-19 Hc Photonics Corp. Wavelength converter and green light source and projection apparatus using the same
JP5358224B2 (ja) * 2009-03-05 2013-12-04 日本碍子株式会社 波長変換素子の製造方法
JP5074436B2 (ja) * 2009-03-06 2012-11-14 日本碍子株式会社 高調波発生素子
KR101144275B1 (ko) 2010-08-10 2012-05-11 주식회사 코맥스 도파로 구조체 및 파장 변환 패키지
FR2970788B1 (fr) * 2011-01-26 2013-07-26 Marc Alexandre Bouvrot Circuit electro-optique en structure micro-massive a base de matériaux electro-optiques a coefficient géant, et procédé de fabrication
US9977188B2 (en) 2011-08-30 2018-05-22 Skorpios Technologies, Inc. Integrated photonics mode expander
US8989522B2 (en) * 2012-05-09 2015-03-24 Kotura, Inc. Isolation of components on optical device
JP6131552B2 (ja) * 2012-09-24 2017-05-24 沖電気工業株式会社 波長変換素子及びその製造方法
CN103213204B (zh) * 2013-04-24 2015-04-08 中国电子科技集团公司第四十四研究所 铌酸锂起偏器芯片加工方法
JP6648008B2 (ja) 2013-06-12 2020-02-14 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 光変調器、波長分割多重システムおよび光変調器デバイス
FR3017216B1 (fr) 2014-01-31 2017-05-26 Univ De Franche-Comte Methode de fabrication d'un guide d'onde optique a structure "ridge" a faibles pertes de couplage entre le guide d'onde optique a structure "ridge" et une fibre optique, et guide d'onde optique a structure "ridge" fabrique par cette methode
WO2015134968A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-11 Skorpios Technologies, Inc. High-order-mode filter for semiconductor waveguides
US9664855B2 (en) * 2014-03-07 2017-05-30 Skorpios Technologies, Inc. Wide shoulder, high order mode filter for thick-silicon waveguides
WO2015183992A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Skorpios Technologies, Inc. Waveguide mode expander using amorphous silicon
CN104752954B (zh) * 2015-03-23 2018-02-27 西安理工大学 利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法
CN104792730B (zh) * 2015-04-17 2018-02-16 山东大学 一种基于光波导激光结构的血糖浓度探测器及其制备方法与应用
US11105974B2 (en) 2015-06-30 2021-08-31 Massachusetts Institute Of Technology Waveguide-coupled silicon-germanium photodetectors and fabrication methods for same
WO2017058319A2 (en) 2015-06-30 2017-04-06 Massachusetts Institute Of Technology Waveguide-coupled silicon-germanium photodetectors and fabrication methods for same
US10649148B2 (en) 2017-10-25 2020-05-12 Skorpios Technologies, Inc. Multistage spot size converter in silicon photonics
JP7070063B2 (ja) * 2018-05-11 2022-05-18 日本電信電話株式会社 波長変換素子および波長変換素子の作製方法
US11360263B2 (en) 2019-01-31 2022-06-14 Skorpios Technologies. Inc. Self-aligned spot size converter
CN110989076B (zh) * 2019-12-12 2021-05-18 华中科技大学 一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法
US10901074B1 (en) * 2020-02-17 2021-01-26 Hesai Technology Co., Ltd. Systems and methods for improving Lidar performance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183603A (ja) * 1988-01-14 1989-07-21 Mitsubishi Electric Corp テーパ導波路
US5544268A (en) * 1994-09-09 1996-08-06 Deacon Research Display panel with electrically-controlled waveguide-routing
JP3432993B2 (ja) * 1996-03-29 2003-08-04 日本碍子株式会社 光導波路デバイスの製造方法
ATE199196T1 (de) 1997-03-27 2001-02-15 Tno Erbiumdotierter planarer wellenleiter
US5982963A (en) * 1997-12-15 1999-11-09 University Of Southern California Tunable nonlinearly chirped grating
JP4094756B2 (ja) * 1999-01-05 2008-06-04 三菱電機株式会社 半導体レーザダイオード
US6631231B2 (en) * 2000-03-21 2003-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide elements, optical wavelength conversion elements, and process for producing optical waveguide elements
JP2002365680A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Ngk Insulators Ltd 三次元光導波路、光導波路デバイス、高調波発生装置および三次元光導波路の製造方法

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012053488A (ja) * 2004-10-12 2012-03-15 Ngk Insulators Ltd 光導波路基板および高調波発生デバイス
JPWO2006041172A1 (ja) * 2004-10-12 2008-05-22 日本碍子株式会社 光導波路基板および高調波発生デバイス
JP5083865B2 (ja) * 2004-10-12 2012-11-28 日本碍子株式会社 光導波路基板および高調波発生デバイス
US7373065B2 (en) 2004-10-12 2008-05-13 Ngk Insulators, Ltd. Optical waveguide substrate and harmonics generating device
WO2006041172A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Ngk Insulators, Ltd. 光導波路基板および高調波発生デバイス
JP2006267324A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子およびコヒーレント光源
WO2006103938A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 Riken フォトニック結晶およびその製造方法
JP4875611B2 (ja) * 2005-03-28 2012-02-15 独立行政法人理化学研究所 フォトニック結晶の製造方法
JP2007183316A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Precise Gauges Co Ltd 波長変換導波路素子及びその製造方法
JP2007241078A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
US7738161B2 (en) 2006-03-10 2010-06-15 Ngk Insulators, Ltd. Wavelength converting devices
JP2007256324A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP4662872B2 (ja) * 2006-03-20 2011-03-30 日本碍子株式会社 波長変換素子
WO2007111083A1 (ja) * 2006-03-29 2007-10-04 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. 光制御素子及びその製造方法
JP2007264487A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光制御素子及びその製造方法
US7831122B2 (en) 2006-03-29 2010-11-09 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Optical control device and manufacturing method thereof
JP2007286530A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Totoku Electric Co Ltd 波長変換モジュール
JP2008209449A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2008224708A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP4557264B2 (ja) * 2007-03-08 2010-10-06 日本碍子株式会社 波長変換素子
JP2008270344A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Fujifilm Corp 固体レーザ装置
JP2009025399A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Oki Electric Ind Co Ltd 導波路素子及び波長変換素子
US8897614B2 (en) 2009-08-26 2014-11-25 Ricoh Company, Ltd. Electro-optical element
WO2011025051A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 Ricoh Company, Ltd. Electro-optical element
JP2011048067A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Ricoh Co Ltd 電気光学素子
TWI454764B (zh) * 2009-08-26 2014-10-01 Ricoh Co Ltd 光電元件
JP2011075917A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光導波路素子
WO2014050230A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 日本電気株式会社 高次モードフィルタ
JPWO2014050230A1 (ja) * 2012-09-25 2016-08-22 日本電気株式会社 高次モードフィルタ
WO2015079974A1 (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 日本碍子株式会社 グレーティング素子および外部共振器型発光装置
JP5936777B2 (ja) * 2013-11-27 2016-06-22 日本碍子株式会社 グレーティング素子および外部共振器型発光装置
US9859684B2 (en) 2013-11-27 2018-01-02 Ngk Insulators, Ltd. Grating element and external-resonator-type light emitting device
JP2018005034A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 株式会社島津製作所 レーザ装置及び波長変換素子
WO2019053854A1 (ja) * 2017-09-14 2019-03-21 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2024100865A1 (ja) * 2022-11-10 2024-05-16 日本電信電話株式会社 光導波路素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060109542A1 (en) 2006-05-25
EP1584975A1 (en) 2005-10-12
ATE480794T1 (de) 2010-09-15
DE60334150D1 (de) 2010-10-21
AU2003289497A1 (en) 2004-08-10
WO2004063808A1 (ja) 2004-07-29
EP1584975A4 (en) 2006-09-06
US7171094B2 (en) 2007-01-30
CN1739060A (zh) 2006-02-22
EP1584975B1 (en) 2010-09-08
AU2003289497A8 (en) 2004-08-10
CN100351696C (zh) 2007-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004219751A (ja) 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置
US5815309A (en) Optical amplifier and process for amplifying an optical signal propagating in a fiber optic
US6289027B1 (en) Fiber optic lasers employing fiber optic amplifiers
NZ286334A (en) Acoustooptical waveguide for channel splitting in multiplex communications
WO2013069497A1 (ja) レーザ光源
JP2006284791A (ja) マルチモード干渉光カプラ
JP6871137B2 (ja) ハイブリッド光回路
JP4653393B2 (ja) 光制御素子
US9007677B2 (en) Wavelength conversion element and manufacturing method thereof
JP2011064895A (ja) 波長変換デバイス及び波長変換装置
JP4482979B2 (ja) 波長変換装置
US20230168431A1 (en) Photonic Systems Comprising an Asymmetric Coupler and Methods of Fabrication
US6198569B1 (en) Multiple window dense wavelength divison multiplexed communications link with optical amplification and dispersion compensation
US6867902B2 (en) Parametric device for wavelength conversion
JP4573726B2 (ja) 光スイッチ
KR20230003541A (ko) 양자 적용을 위한 광자 쌍 소스
JP6364706B2 (ja) 光モジュール
JP2011102891A (ja) 光機能導波路
JPH10160951A (ja) 光合分波回路
JP2004020588A (ja) 波長変換装置
KR100401126B1 (ko) 전광 파장 변환기 및 그 변환 방법
JP3548472B2 (ja) 光波長変換装置
JP3762654B2 (ja) 光学装置
JP2005321485A (ja) 光波長変換モジュール
JP2000010130A (ja) 波長変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090908

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100105