JP2004207367A - Light emitting diode and light emitting diode arrangement plate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子をマウントする基板として熱伝導性に優れたセラミックス基板を用いてさらに放熱板を付けることによって、放熱性を良くして大電流を流す発光素子にも対応することができる発光ダイオードに関するものである。
【0002】
なお、本明細書中においては、LEDチップそのものは「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載したパッケージ樹脂またはレンズ系等の光学装置を含む全体を「発光ダイオード」または「LED」と呼ぶこととする。
【0003】
【従来の技術】
【特許文献1】特開平9−181394号公報
図9に、従来のフリップチップ型発光ダイオードの一例を示す。図9は従来のフリップチップ型発光ダイオードの一例を示す断面図である。図9に示されるように、このフリップチップ型LED51は、発光素子52下面の2つの電極にそれぞれ金バンプ53を介してアルミナ基板55上の金メッキ回路パターン54を接続し、厚さのある1対の金属リード56の間を金メッキ回路パターン54で接続している。放熱性を考えると、金属リード56の間を直接金バンプ53で接続する構造が望ましいが、かかる隙間は部材の厚さ程度までしか狭くできない。そこで、やむを得ず図9に示すような2段構造をとっているが、この構造では発光素子52の発した熱の逃げ道が薄いため、やはり放熱性が不足しており、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子には対応できない。
【0004】
そこで、上記特許文献1に記載の技術においては、同じ光を発するデバイスでもレーザダイオード(以下、「LD」とも略する。)の例であるが、やはり同一面に正負の両電極が設けられており、しかも正電極と負電極の間に段差があるため、そのままサブマウント(ヒートシンク)にハンダ付けしたのではLDが斜めになってしまい、接触面積が小さく放熱性に劣る等の問題があった。これに対して、サブマウントにLDとほぼ同じ段差を設けることによって、LDを水平にハンダ付けすることができ、正負の両電極とサブマウントとの接触面積が大きくなり、LDからサブマウントへの放熱性が良くなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に記載の技術においても、サブマウントからさらに外部への放熱手段が開示されておらず、LDとサブマウントはほぼ同程度の大きさであるため、このままでは放熱性が不足で発光時にLDの温度が上昇してしまうという問題点があった。
【0006】
そこで、本発明においては、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる発光ダイオード及び発光ダイオード配列板の提供を課題とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明にかかるLEDは、発光素子と、高熱伝導性のセラミックス基板と、放熱板とを具備し、前記放熱板の上に前記セラミックス基板が固着され、前記セラミックス基板の上に前記発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板と前記放熱板とのコンタクトは、前記セラミックス基板の前記発光素子がマウントされている位置の裏面の範囲を含むものである。
【0008】
ここで、高熱伝導性のセラミックスとしては、窒化アルミニウム(AlN)等がある。
【0009】
これによって、発光素子が発光するときに出す熱は、直ちに高熱伝導性のセラミックス基板に伝えられ、さらに放熱板に伝達されて放熱板の表面から空気中に放散される。このように、本発明にかかるLEDは発光素子がマウントされたセラミックス基板全体から熱が伝達されるので、極めて放熱性に優れたものとなる。しかも発光素子がマウントされた位置の裏面の範囲を含んでセラミックス基板と放熱板がコンタクトしているので、より迅速に放熱板まで熱が伝達される。
【0010】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0011】
請求項2の発明にかかるLEDは、請求項1の構成において、前記発光素子が前記セラミックス基板にフリップ構造でマウントされているものである。
【0012】
したがって、高熱伝導性のセラミックス基板に形成された回路パターンの電極部分に、発光素子の下面に設けられた正負の電極が金バンプ等を介して直接マウントされるので、放熱性に極めて優れた構造となる。
【0013】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0014】
請求項3の発明にかかるLEDは、請求項1または請求項2の構成において、前記放熱板は金属製であり、前記セラミックス基板の外側で波形に折り曲げられているものである。
【0015】
したがって、金属製の放熱板の波形に折り曲げられた部分が放熱フィンの役目を果たし、放熱板の放熱性がより一層向上する。
【0016】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0017】
請求項4の発明にかかるLEDは、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成において、前記放熱板に複数の貫通孔が穿設されているものである。
【0018】
これによって、放熱板周囲の空気の対流が向上し、放熱板の放熱性は一段と向上する。
【0019】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0020】
請求項5の発明にかかるLEDは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成において、前記放熱板は金属製であり、前記放熱板に切り込みを入れて前記放熱板に対して折り曲げてなる放熱フィンが形成されているものである。
【0021】
これによって、放熱フィンと放熱フィンを折り曲げた跡の貫通孔とが相俟って、放熱板の表面積を増すとともに放熱板周囲の空気の対流を向上させることで放熱板の放熱性は飛躍的に向上し、発光素子の熱をさらに効率良く空気中に放散する。
【0022】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0023】
請求項6の発明にかかるLED配列板は、貫通孔が形成された回路基板に、発光素子と、高熱伝導性のセラミックス基板と、放熱板とを具備し、前記放熱板の上に前記セラミックス基板が固着され、前記セラミックス基板の上に前記発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板と前記放熱板とのコンタクトは、前記セラミックス基板の前記発光素子がマウントされている位置の裏面の範囲を含むものである発光ダイオードが1個以上設置されているものである。
【0024】
これによって、発光素子が発光するときに出す熱は、直ちに高熱伝導性のセラミックス基板に伝えられ、さらに放熱板に伝達されて放熱板の表面から空気中に放散される。このように、本発明にかかるLED配列板のLEDは発光素子がマウントされたセラミックス基板全体から熱が伝達されるので、極めて放熱性に優れたものとなる。しかも発光素子がマウントされた位置の裏面の範囲を含んでセラミックス基板と放熱板がコンタクトしているので、より迅速に放熱板まで熱が伝達される。
【0025】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLED配列板となる。
【0026】
請求項7の発明にかかるLEDは、回路基板に括れた部分を有する貫通孔が穿設され、高熱伝導性のセラミックス基板が前記括れた部分に橋渡しされるとともに前記セラミックス基板の回路パターンと前記回路基板の回路パターンとの導通がとられ、前記セラミックス基板の回路パターン上に発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板の下面に前記貫通孔よりも一回り小さい放熱板が前記貫通孔の縁に接触しないように固着されているものである。
【0027】
かかる構造によって、発光素子から回路基板の電源線までの導通がとられるとともに、発光時に出た熱は高熱伝導性のセラミックス基板全体を伝わって、セラミックス基板の下面に固着された放熱板に伝達される。この放熱板は発光素子よりずっと大きく表面積も広いため、発光素子から出た熱は放熱板から空気中に放散される。
【0028】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0029】
請求項8の発明にかかるLED配列板は、請求項7に記載のLEDが前記回路基板に複数個配列されているものである。
【0030】
これによって、放熱性に優れたLEDを回路基板上に集積することができ、回路基板は放熱の役割は果たしていないので、LED配列板の使用目的に応じた個数・配列・間隔でLEDを並べることができ、各発光素子に使用目的に応じた光学系を取付けることができる。
【0031】
このようにして、放熱性に優れたLEDを使用目的に応じて回路基板上に並べることができるLED配列板となる。
【0032】
請求項9の発明にかかるLEDまたはLED配列板は、請求項7または請求項8の構成において、前記放熱板に複数の小さい貫通孔が穿設されているものである。
【0033】
これによって、放熱板の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【0034】
請求項10の発明にかかるLEDまたはLED配列板は、請求項7または請求項8の構成において、前記放熱板は金属製であり、前記放熱板に切り込みを入れて前記放熱板に対して折り曲げてなる放熱フィンが形成されているものである。
【0035】
これによって、放熱板の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0037】
実施の形態1
まず、本発明にかかる発光ダイオードの実施の形態1について、図1乃至図3を参照して説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す平面図、(b)は(a)からセラミックス基板を取り除いた状態を示す平面図、(c)は(a)のA−A断面を示す断面図である。図2(a)は本発明の実施の形態1の変形例にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す(b)のB−B断面図、(b)は底面図である。図3は本発明の実施の形態1の別の変形例にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す側面図である。
【0038】
図1(b)に示されるように、同一部材をプレス加工することで放熱板6と電力供給端子5a,5bとを分離形成し、電力供給端子5a,5bを図示しない電源に接続している。この上に図1(a)に示されるように、四隅が4分の1円ずつ打ち抜かれたAlNセラミックス基板(以下、「AlN基板」とも略する。)3が接着固定されている。このAlN基板3には銀メッキで回路パターン4a,4bが形成されており、右上隅と左下隅では側面から裏面まで回り込んで、前記電極接着部分8a,8bに当接する位置まで達している。
【0039】
そして、図1(c)に示されるように、AlN基板3の回路パターン4a,4bの上には、複数の金バンプ9を介して発光素子2がマウントされている。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する。以上の構成によって、発光素子2への電力が下面の正負の電極から複数の金バンプ9、回路パターン4a,4b、電極接着部分8a,8bそして電力供給回路5a,5bによって図示しない電源から供給されて、発光素子2が発光する。このとき発光素子2から発せられる熱は、複数の金バンプ9から回路パターン4a,4bへ伝えられ、そして高熱伝導性のセラミックス基板としてのAlN基板3の全体を伝わって、放熱板6から空気中へ放散される。
【0040】
ここで、放熱板6はAlN基板3の発光素子2がマウントされている位置の裏面位置がコンタクトされるとともに、AlN基板3の下面の大部分の面積でコンタクトされることによって、効率的な外部放熱が実現できている。
【0041】
このように、高熱伝導性のセラミックス基板であるAlN基板3に発光素子2をマウントしたことによって、厚手の金属リードの間を直接金バンプ9で接続して発光素子2をマウントする構造と同等の放熱性が得られることになる。また、さらに発光素子2とAlN基板3との隙間には熱伝導性材料を充填しても良い。
【0042】
このようにして、本実施の形態1のLED1は、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる。
【0043】
次に、本実施の形態1の変形例にかかるLEDについて、図2を参照して説明する。図2に示されるように、本実施の形態1の変形例にかかるLED15は、放熱板6から上の構造についてはLED1と全く同一である。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する点も同様である。
【0044】
異なるのは、図2に示されるように、放熱板6の裏面にピン放熱板13が接着されている点である。このピン放熱板13には10本の放熱ピン14が設けられており、ピン放熱板13は発光素子2の真下に位置するので、発光素子2の発光時に発せられる熱がより迅速に放熱ピン14から空気中に放散される。また、これによって、発熱源に近い箇所の熱の局在を緩和できる。
【0045】
次に、本実施の形態1の別の変形例にかかるLEDについて、図3を参照して説明する。図3に示されるように、本実施の形態1の別の変形例にかかるLED11は、AlN基板3から上の構造についてはLED1と全く同一である。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する点も同様である。
【0046】
異なるのは、AlN基板3を接着固定した銅合金板からなる放熱板12が、AlN基板3の外側で波形に折り曲げられて放熱フィン12aを形成している点である。これによって、発光素子2の発光時に発せられる熱が2個の金バンプ9から回路パターン4a,4bへ伝えられ、AlN基板3の全体を伝わって、放熱板12へ伝えられると、正面から見た放熱板12の面積は変わらないが、実質の放熱板12の面積を広くとれるのでより迅速に放熱フィン12aから空気中に放散される。
【0047】
このようにして、本実施の形態1の変形例LED11は、発光素子2から出た熱をより迅速に放熱することができ、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる。
【0048】
実施の形態2
次に、本発明にかかる発光ダイオードの実施の形態2について、図4を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態2にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す断面図である。なお、実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して一部説明を省略する。
【0049】
図4に示されるように、本実施の形態2にかかるLED21は、ガラス製の凸レンズ22を備えている。このガラスレンズ22が被せられる発光素子2からAlN基板3までの構造は、実施の形態1のLED1と全く同じである。ガラスレンズ22の下面には、発光素子2と2個の金バンプ9を収容できる必要最小限の空間と樹脂注入孔24が設けられている。ここで、ガラスレンズ22の左端22aの部分は最初は取付けられておらず、樹脂注入孔24は外部へ貫通している。
【0050】
AlN基板3が放熱板6に接着固定された状態でガラスレンズ22が被せられ、ガラスレンズ22とAlN基板3及び放熱板6の接着部分には封着用ガラス(フリット)が塗布されて、高温(400℃前後)で強固に封着される。なお、マウントされている発光素子2もこの400℃前後の高温に耐えることができ、発光特性の低下等は全く起こらない。冷却後、樹脂注入孔24から光透過性樹脂としての透明シリコーン樹脂23が注入され、空間内に充填されて発光素子2が封止される。その後、透明シリコーン樹脂23を熱硬化させ、ガラスレンズ22の左端22aの部分を接着することによって、本実施の形態2のLED21が完成する。
【0051】
こうして製造されたLED21は、集光レンズとして熱膨張率の低いガラスレンズ22を用いているので、同じく熱膨張率の低いAlN基板3との相性が良く、温度が急激に変化してもAlN基板3とガラスレンズ22が剥がれたりすることはない。
【0052】
なお、発光素子2を青色発光素子として、青色光を照射されて黄色の蛍光を発する蛍光体を透明シリコーン樹脂23に混合することによって、青色光と黄色光が混合されて白色光を発するLEDとすることもできる。また、発光素子2及び金バンプ9を封止する光透過性樹脂として透明シリコーン樹脂23を用いているが、透明エポキシ樹脂を始めとするその他の樹脂材料を用いても良い。
【0053】
このようにして、本実施の形態2のLED21は、集光性にも優れ、急激な温度変化にも強く、かつ十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる。
【0054】
実施の形態3
次に、本発明にかかる発光ダイオードの実施の形態3について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態3にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す断面図である。なお、実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して一部説明を省略する。
【0055】
図5に示されるように、本実施の形態3にかかるLED31は、実施の形態2と異なり、光透過性樹脂を介さず発光素子2を直接低融点ガラス25で封止して凸レンズとしている。低融点ガラス25には様々な種類があるが、融点は大体400℃前後なので、マウントされている発光素子2もこの400℃前後の高温に耐えることができ、発光特性の低下等は全く起こらない。また、溶融状態の低融点ガラス25は光透過性樹脂よりも粘度が高いが、発光素子2は2個の金バンプ9によるフリップチップ構造でマウントされており、ワイヤを用いていないので、レンズ封止金型に溶融状態の低融点ガラス25を流し込むときにも断線等の心配はない。
【0056】
また、低融点ガラス25は溶融状態において、封着用ガラスと同様にAlN基板3及び放熱板6と強固な接着構造を形成するので、封着用ガラスを用いる必要はない。
【0057】
こうして製造されたLED31は、集光レンズとして熱膨張率の低い低融点ガラスレンズ25を用いているので、同じく熱膨張率の低いAlN基板3との相性が良く、温度が急激に変化してもAlN基板3と低融点ガラスレンズ25が剥がれたりすることはない。
【0058】
このようにして、本実施の形態3のLED31は、製造が容易で集光性にも優れ、急激な温度変化にも強く、かつ十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる。
【0059】
実施の形態4
次に、本発明にかかる発光ダイオード及び発光ダイオード配列板の実施の形態4について、図6乃至図8を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態4にかかる発光ダイオードの全体構成及び発光ダイオード配列板の一部を示す平面図である。図7は本発明の実施の形態4の第1変形例にかかる発光ダイオードの全体構成を示す平面図である。図8(a)は本発明の実施の形態4の第2変形例にかかる発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。なお、実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付して一部説明を省略する。
【0060】
図6に示されるように、本実施の形態4においては、ガラスエポキシ基板(以下、「ガラエポ基板」とも略する。)37に長方形を2個つなげた形の貫通孔37aが複数個縦横に穿設されている。したがって、長方形がつながる部分は貫通孔37aが括れた形状になるので、貫通孔37aは本発明の「括れた部分を有する貫通孔」に相当する。この括れた部分にAlN基板3が橋渡しされて、表面の回路パターン4a,4bの上に、図示されない複数の金バンプを介して発光素子2がフリップ構造でマウントされている。
【0061】
さらに、表面の回路パターン4aの左上隅と表面の回路パターン4bの右下隅は、AlN基板3の側面から裏面へ回り込んで、ガラエポ基板37の表面の図示しない回路パターンとハンダ付けされて、導通がとられるとともに固定されている。そして、AlN基板3の裏面には貫通孔37aより一回り小さい銅合金板からなる放熱板38がメタライズによって接着されている。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する。
【0062】
こうして本実施の形態4のLED36が形成され、発光素子2が発光する際に出る熱は、熱伝導性に優れたAlN基板3の全体を伝わって、さらに放熱板38に伝えられ、放熱板38の表面から空気中に放散される。このようにして、本実施の形態4のLED36は、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができる。
【0063】
かかるLED36がガラエポ基板37上に縦横に形成されることによって、LED配列板35となる。ここで、ガラエポ基板37により、複数のLEDを整然と配列できるとともに、複数のLEDの回路的な配列を容易に自由に形成することができる。また、各発光素子2に使用目的に応じたレンズ系等の光学系を容易に取付けることも可能にできる。
【0064】
次に、本実施の形態4の第1変形例にかかるLEDについて、図7を参照して説明する。図7に示されるように、本実施の形態4の第1変形例にかかるLED41も、ガラエポ基板に長方形を2個つなげた形の貫通孔37aが穿設されており、長方形がつながる部分は貫通孔37aが括れた形状になるので、この括れた部分にAlN基板3が橋渡しされて、表面の回路パターン4a,4bの上に、図示されない複数の金バンプを介して発光素子2がフリップ構造でマウントされている。
【0065】
さらに、表面の回路パターン4aの左上隅と表面の回路パターン4bの右下隅は、AlN基板3の側面から裏面へ回り込んで、ガラエポ基板37の表面の図示しない回路パターンとハンダ付けされて、導通がとられるとともに固定されている。そして、AlN基板3の裏面には貫通孔37aより一回り小さい銅合金板からなる放熱板42がハンダ付けされている。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する。
【0066】
ここで、銅合金板からなる放熱板42には、ほぼ円形の小さい貫通孔43が多数穿設されている。これによって、放熱板42周囲の空気の対流が向上し、放熱板42の放熱性は一段と良くなり、AlN基板3を伝わってきた発光素子2の熱をより効率良く空気中に放散する。なお、複数の小さい貫通孔43の形状は円形に限らず、他の形状でも構わない。
【0067】
かかるLED41をガラエポ基板に複数個配列すれば、より放熱性に優れたLED配列板となる。このようにして、放熱板42の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【0068】
次に、本実施の形態4の第2変形例にかかるLEDについて、図8を参照して説明する。図8に示されるように、本実施の形態4の第2変形例にかかるLED46も、ガラエポ基板37に長方形を2個つなげた形の貫通孔37aが穿設されており、長方形がつながる部分は貫通孔37aが括れた形状になるので、この括れた部分にAlN基板3が橋渡しされて、表面の回路パターン4a,4bの上に、図示されない2個の金バンプを介して発光素子2がフリップチップ構造でマウントされている。
【0069】
さらに、表面の回路パターン4aの左上隅と表面の回路パターン4bの右下隅は、AlN基板3の側面から裏面へ回り込んで、ガラエポ基板37の表面の図示しない回路パターンとハンダ付けされて、導通がとられるとともに固定されている。そして、AlN基板3の裏面には貫通孔37aより一回り小さい銅合金板からなる放熱板47がメタライズによって接着されている。なお、発光素子2の周囲には図示しないレンズ系が設けられており、発光素子2の発光面から放射される光を集光する。
【0070】
ここで、放熱板47には多数の長方形の一辺を残した切り込みが入れられて、その一辺において略垂直に下方へ折り曲げられることによって、多数の放熱フィン49が形成されている。これらの放熱フィン49と、放熱フィン49を折り曲げた跡の長方形の貫通孔48とが相俟って、放熱板47の表面積を増すとともに空気の対流を向上させることで放熱板47の放熱性は飛躍的に大きくなり、AlN基板3を伝わってきた発光素子2の熱をさらに効率良く空気中に放散する。なお、放熱フィン49の形状は長方形に限らず、他の形状でも構わない。
【0071】
かかるLED46をガラエポ基板に複数個配列すれば、より放熱性に優れたLED配列板となる。このようにして、放熱板47の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【0072】
上記各実施の形態においては、発光素子2として青色発光素子を用いた場合を想定したため、青色の反射率の高い銀メッキで回路パターン4a,4bを形成しているが、何色の発光素子を用いても構わない。なお、赤色発光素子を用いた場合には、赤色の反射率の高い金メッキで回路パターンを形成するのが望ましい。
【0073】
また、上記各実施の形態においては、セラミックス基板としてAlN(窒化アルミニウム)セラミックス基板3を用いた場合について説明したが、熱伝導率が高いセラミックスであればどのようなセラミックス基板を用いても構わない。
【0074】
さらに、発光ダイオード配列板に用いる基板はガラエポ基板に限らず、セラミックス基板等、他の材料でも構わない。
【0075】
発光ダイオード及び発光ダイオード配列板のその他の部分の構成、形状、数量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記各実施の形態に限定されるものではない。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明にかかるLEDは、発光素子と、高熱伝導性のセラミックス基板と、放熱板とを具備し、前記放熱板の上に前記セラミックス基板が固着され、前記セラミックス基板の上に前記発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板と前記放熱板とのコンタクトは、前記セラミックス基板の前記発光素子がマウントされている位置の裏面の範囲を含むものである。
【0077】
ここで、高熱伝導性のセラミックスとしては、窒化アルミニウム(AlN)等がある。
【0078】
これによって、発光素子が発光するときに出す熱は、直ちに高熱伝導性のセラミックス基板に伝えられ、さらに放熱板に伝達されて放熱板の表面から空気中に放散される。このように、本発明にかかるLEDは発光素子がマウントされたセラミックス基板全体から熱が伝達されるので、極めて放熱性に優れたものとなる。しかも発光素子がマウントされた位置の裏面の範囲を含んでセラミックス基板と放熱板がコンタクトしているので、より迅速に放熱板まで熱が伝達される。
【0079】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0080】
請求項2の発明にかかるLEDは、請求項1の構成において、前記発光素子が前記セラミックス基板にフリップ構造でマウントされているものである。
【0081】
したがって、高熱伝導性のセラミックス基板に形成された回路パターンの電極部分に、発光素子の下面に設けられた正負の電極が金バンプ等を介して直接マウントされるので、放熱性に極めて優れた構造となる。
【0082】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0083】
請求項3の発明にかかるLEDは、請求項1または請求項2の構成において、前記放熱板は金属製であり、前記セラミックス基板の外側で波形に折り曲げられているものである。
【0084】
したがって、金属製の放熱板の波形に折り曲げられた部分が放熱フィンの役目を果たし、放熱板の放熱性がより一層向上する。
【0085】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0086】
請求項4の発明にかかるLEDは、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成において、前記放熱板に複数の貫通孔が穿設されているものである。
【0087】
これによって、放熱板周囲の空気の対流が向上し、放熱板の放熱性は一段と向上する。
【0088】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0089】
請求項5の発明にかかるLEDは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成において、前記放熱板は金属製であり、前記放熱板に切り込みを入れて前記放熱板に対して折り曲げてなる放熱フィンが形成されているものである。
【0090】
これによって、放熱フィンと放熱フィンを折り曲げた跡の貫通孔とが相俟って、放熱板の表面積を増すとともに放熱板周囲の空気の対流を向上させることで放熱板の放熱性は飛躍的に向上し、発光素子の熱をさらに効率良く空気中に放散する。
【0091】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0092】
請求項6の発明にかかるLED配列板は、貫通孔が形成された回路基板に、発光素子と、高熱伝導性のセラミックス基板と、放熱板とを具備し、前記放熱板の上に前記セラミックス基板が固着され、前記セラミックス基板の上に前記発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板と前記放熱板とのコンタクトは、前記セラミックス基板の前記発光素子がマウントされている位置の裏面の範囲を含むものである発光ダイオードが1個以上設置されているものである。
【0093】
これによって、発光素子が発光するときに出す熱は、直ちに高熱伝導性のセラミックス基板に伝えられ、さらに放熱板に伝達されて放熱板の表面から空気中に放散される。このように、本発明にかかるLED配列板のLEDは発光素子がマウントされたセラミックス基板全体から熱が伝達されるので、極めて放熱性に優れたものとなる。しかも発光素子がマウントされた位置の裏面の範囲を含んでセラミックス基板と放熱板がコンタクトしているので、より迅速に放熱板まで熱が伝達される。
【0094】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLED配列板となる。
【0095】
請求項7の発明にかかるLEDは、回路基板に括れた部分を有する貫通孔が穿設され、高熱伝導性のセラミックス基板が前記括れた部分に橋渡しされるとともに前記セラミックス基板の回路パターンと前記回路基板の回路パターンとの導通がとられ、前記セラミックス基板の回路パターン上に発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板の下面に前記貫通孔よりも一回り小さい放熱板が前記貫通孔の縁に接触しないように固着されているものである。
【0096】
かかる構造によって、発光素子から回路基板の電源線までの導通がとられるとともに、発光時に出た熱は高熱伝導性のセラミックス基板全体を伝わって、セラミックス基板の下面に固着された放熱板に伝達される。この放熱板は発光素子よりずっと大きく表面積も広いため、発光素子から出た熱は放熱板から空気中に放散される。
【0097】
このようにして、十分な放熱性を有し、大電流を流す発光素子のように発熱量が多い発光素子にも対応することができるLEDとなる。
【0098】
請求項8の発明にかかるLED配列板は、請求項7に記載のLEDが前記回路基板に複数個配列されているものである。
【0099】
これによって、放熱性に優れたLEDを回路基板上に集積することができ、回路基板は放熱の役割は果たしていないので、LED配列板の使用目的に応じた個数・配列・間隔でLEDを並べることができ、各発光素子に使用目的に応じた光学系を取付けることができる。
【0100】
このようにして、放熱性に優れたLEDを使用目的に応じて回路基板上に並べることができるLED配列板となる。
【0101】
請求項9の発明にかかるLEDまたはLED配列板は、請求項7または請求項8の構成において、前記放熱板に複数の小さい貫通孔が穿設されているものである。
【0102】
これによって、放熱板の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【0103】
請求項10の発明にかかるLEDまたはLED配列板は、請求項7または請求項8の構成において、前記放熱板は金属製であり、前記放熱板に切り込みを入れて前記放熱板に対して折り曲げてなる放熱フィンが形成されているものである。
【0104】
これによって、放熱板の放熱効果がより一層大きくなり、さらに放熱性に優れたLED及びLED配列板となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す平面図、(b)は(a)からセラミックス基板を取り除いた状態を示す平面図、(c)は(a)のA−A断面を示す断面図である。
【図2】図2(a)は本発明の実施の形態1の変形例にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す(b)のB−B断面図、(b)は底面図である。
【図3】図3は本発明の実施の形態1の別の変形例にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す側面図である。
【図4】図4は本発明の実施の形態2にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す断面図である。
【図5】図5は本発明の実施の形態3にかかる発光ダイオードの全体構成(両端は省略)を示す断面図である。
【図6】図6は本発明の実施の形態4にかかる発光ダイオードの全体構成及び発光ダイオード配列板の一部を示す平面図である。
【図7】図7は本発明の実施の形態4の第1変形例にかかる発光ダイオードの全体構成を示す平面図である。
【図8】図8(a)は本発明の実施の形態4の第2変形例にかかる発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。
【図9】図9は従来のフリップチップ型発光ダイオードの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1,11,21,31,36,41,46 発光ダイオード
2 発光素子
3 セラミックス基板
4a,4b セラミックス基板の回路パターン
6,12,38,42,47 放熱板
12a 波形
35 発光ダイオード配列板
37 回路基板
37a 括れた部分を有する貫通孔
43 複数の小さい貫通孔
49 放熱フィン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention uses a ceramic substrate having excellent thermal conductivity as a substrate on which the light emitting element is mounted, and further attaches a heat radiating plate, thereby improving heat radiation and supporting a light emitting element through which a large current flows. It relates to a diode.
[0002]
In this specification, the LED chip itself is referred to as a “light emitting element”, and the entirety including an optical device such as a package resin or a lens system on which the LED chip is mounted is referred to as a “light emitting diode” or “LED”. I do.
[0003]
[Prior art]
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-181394
FIG. 9 shows an example of a conventional flip-chip type light emitting diode. FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional flip-chip type light emitting diode. As shown in FIG. 9, in the flip-
[0004]
In the technology described in Patent Document 1, although a device that emits the same light is an example of a laser diode (hereinafter abbreviated as “LD”), both positive and negative electrodes are provided on the same surface. In addition, since there is a step between the positive electrode and the negative electrode, soldering the submount (heat sink) as it is would cause the LD to be inclined, resulting in a small contact area and poor heat dissipation. . On the other hand, by providing the submount with substantially the same level difference as the LD, the LD can be soldered horizontally, the contact area between the positive and negative electrodes and the submount increases, and the Heat dissipation is improved.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the technology described in Patent Document 1 does not disclose a heat radiating means from the submount to the outside, and the LD and the submount are almost the same size. Thus, there is a problem that the temperature of the LD rises during light emission.
[0006]
In view of the above, an object of the present invention is to provide a light emitting diode and a light emitting diode array plate which have sufficient heat dissipation and can cope with a light emitting element which generates a large amount of heat, such as a light emitting element flowing a large current. Things.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The LED according to the first aspect of the present invention includes a light emitting element, a ceramic substrate having high thermal conductivity, and a radiator plate, wherein the ceramic substrate is fixed on the radiator plate, and the light emission is provided on the ceramic substrate. The element is mounted, and the contact between the ceramic substrate and the radiator plate includes a range of a back surface of the ceramic substrate at a position where the light emitting element is mounted.
[0008]
Here, as ceramics having high thermal conductivity, aluminum nitride (AlN) and the like are available.
[0009]
Thus, heat generated when the light emitting element emits light is immediately transmitted to the ceramic substrate having high thermal conductivity, further transmitted to the heat radiating plate, and radiated from the surface of the heat radiating plate into the air. As described above, since the LED according to the present invention transmits heat from the entire ceramic substrate on which the light emitting element is mounted, the LED has extremely excellent heat dissipation. In addition, since the ceramic substrate and the radiator plate are in contact with each other including the area of the back surface at the position where the light emitting element is mounted, heat is more quickly transmitted to the radiator plate.
[0010]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0011]
An LED according to a second aspect of the present invention is the LED according to the first aspect, wherein the light emitting element is mounted on the ceramic substrate in a flip structure.
[0012]
Therefore, the positive and negative electrodes provided on the lower surface of the light emitting element are directly mounted on the electrode portions of the circuit pattern formed on the ceramic substrate having high thermal conductivity via gold bumps or the like, so that the structure having extremely excellent heat dissipation is provided. It becomes.
[0013]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0014]
An LED according to a third aspect of the present invention is the LED according to the first or second aspect, wherein the heat radiating plate is made of metal and is bent in a waveform outside the ceramic substrate.
[0015]
Therefore, the corrugated portion of the metal radiator plate serves as a radiator fin, and the radiator further improves the heat radiation.
[0016]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0017]
An LED according to a fourth aspect of the present invention is the LED according to any one of the first to third aspects, wherein a plurality of through holes are formed in the heat sink.
[0018]
Thereby, the convection of the air around the heat sink is improved, and the heat dissipation of the heat sink is further improved.
[0019]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0020]
An LED according to a fifth aspect of the present invention is the LED according to any one of the first to fourth aspects, wherein the heat radiating plate is made of metal, and a cut is made in the heat radiating plate to be bent with respect to the heat radiating plate. Radiating fins are formed.
[0021]
The heat radiation fins and the through-holes of the bent heat radiation fins combine to increase the surface area of the heat radiation plate and improve the convection of the air around the heat radiation plate, thereby dramatically improving the heat radiation of the heat radiation plate. The heat of the light emitting element is more efficiently dissipated into the air.
[0022]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0023]
An LED array plate according to the invention of
[0024]
Thus, heat generated when the light emitting element emits light is immediately transmitted to the ceramic substrate having high thermal conductivity, further transmitted to the heat radiating plate, and radiated from the surface of the heat radiating plate into the air. As described above, since the LED of the LED array plate according to the present invention transmits heat from the entire ceramic substrate on which the light emitting element is mounted, the LED has extremely excellent heat dissipation. In addition, since the ceramic substrate and the radiator plate are in contact with each other including the area of the back surface at the position where the light emitting element is mounted, heat is more quickly transmitted to the radiator plate.
[0025]
In this way, an LED array plate having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0026]
8. The LED according to
[0027]
With this structure, conduction from the light emitting element to the power supply line of the circuit board is achieved, and heat generated during light emission is transmitted through the entire ceramic substrate having high thermal conductivity and transmitted to the heat sink fixed to the lower surface of the ceramic substrate. You. Since the heat sink is much larger than the light emitting element and has a larger surface area, the heat emitted from the light emitting element is dissipated into the air from the heat sink.
[0028]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0029]
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided an LED array board, wherein a plurality of the LEDs according to the seventh aspect are arranged on the circuit board.
[0030]
As a result, LEDs with excellent heat dissipation can be integrated on the circuit board, and the circuit board does not play the role of heat dissipation, so arrange the LEDs in the number, arrangement, and interval according to the purpose of use of the LED array board. Thus, an optical system according to the purpose of use can be attached to each light emitting element.
[0031]
In this way, an LED array plate in which LEDs having excellent heat dissipation properties can be arranged on a circuit board according to the purpose of use.
[0032]
According to a ninth aspect of the present invention, in the LED or the LED array plate according to the seventh or eighth aspect, a plurality of small through holes are formed in the heat sink.
[0033]
Thereby, the heat radiation effect of the heat radiation plate is further increased, and the LED and the LED array plate having further excellent heat radiation properties are obtained.
[0034]
An LED or an LED array plate according to a tenth aspect of the present invention is the LED or the LED array plate according to the seventh or eighth aspect, wherein the heat sink is made of metal, and a cut is made in the heat sink to be bent with respect to the heat sink. Radiating fins are formed.
[0035]
Thereby, the heat radiation effect of the heat radiation plate is further increased, and the LED and the LED array plate having further excellent heat radiation properties are obtained.
[0036]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0037]
Embodiment 1
First, a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a plan view showing the entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a plan view showing a state where the ceramic substrate is removed from FIG. (c) is a sectional view showing an AA section of (a). FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2B, illustrating the entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a bottom view. FIG. 3 is a side view showing the entire configuration (both ends are omitted) of a light emitting diode according to another modification of the first embodiment of the present invention.
[0038]
As shown in FIG. 1B, the
[0039]
Then, as shown in FIG. 1C, the
[0040]
Here, the
[0041]
As described above, by mounting the
[0042]
In this manner, the LED 1 of the first embodiment has a sufficient heat radiation property and can cope with a light-emitting element having a large amount of heat generation, such as a light-emitting element that flows a large current.
[0043]
Next, an LED according to a modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the
[0044]
The difference is that, as shown in FIG. 2, a
[0045]
Next, an LED according to another modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the
[0046]
The difference is that the
[0047]
In this manner, the
[0048]
Next, a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the second embodiment of the present invention. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a part of the description will be omitted.
[0049]
As shown in FIG. 4, the
[0050]
The
[0051]
Since the
[0052]
Note that the
[0053]
In this manner, the
[0054]
Next, a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the third embodiment of the present invention. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a part of the description will be omitted.
[0055]
As shown in FIG. 5, the
[0056]
In addition, since the low-melting
[0057]
Since the
[0058]
As described above, the
[0059]
Embodiment 4
Next, a light emitting diode and a light emitting diode array plate according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view showing an entire configuration of a light emitting diode and a part of a light emitting diode array plate according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 7 is a plan view showing an overall configuration of a light emitting diode according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention. FIG. 8A is a plan view showing the entire configuration of a light emitting diode according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a part of the description will be omitted.
[0060]
As shown in FIG. 6, in the fourth embodiment, a plurality of through-
[0061]
Further, the upper left corner of the
[0062]
Thus, the
[0063]
The
[0064]
Next, an LED according to a first modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7, the LED 41 according to the first modification of the fourth embodiment also has a through
[0065]
Further, the upper left corner of the
[0066]
Here, a large number of substantially circular small through
[0067]
By arranging a plurality of such LEDs 41 on the glass epoxy board, an LED array plate having more excellent heat dissipation can be obtained. In this manner, the heat radiation effect of the
[0068]
Next, an LED according to a second modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 8, the
[0069]
Further, the upper left corner of the
[0070]
Here, the
[0071]
By arranging a plurality of
[0072]
In each of the above-described embodiments, the
[0073]
In each of the above embodiments, the case where the AlN (aluminum nitride)
[0074]
Further, the substrate used for the light emitting diode array plate is not limited to the glass epoxy substrate, but may be another material such as a ceramic substrate.
[0075]
The configuration, shape, quantity, material, size, connection relationship, and the like of the light emitting diode and other portions of the light emitting diode array plate are not limited to the above embodiments.
[0076]
【The invention's effect】
As described above, the LED according to the first aspect of the present invention includes a light emitting element, a ceramic substrate having high thermal conductivity, and a radiator plate, and the ceramic substrate is fixed on the radiator plate. The light emitting element is mounted on a substrate, and a contact between the ceramic substrate and the heat sink includes a range of a back surface of the ceramic substrate at a position where the light emitting element is mounted.
[0077]
Here, as ceramics having high thermal conductivity, aluminum nitride (AlN) and the like are available.
[0078]
Thus, heat generated when the light emitting element emits light is immediately transmitted to the ceramic substrate having high thermal conductivity, further transmitted to the heat radiating plate, and radiated from the surface of the heat radiating plate into the air. As described above, since the LED according to the present invention transmits heat from the entire ceramic substrate on which the light emitting element is mounted, the LED has extremely excellent heat dissipation. In addition, since the ceramic substrate and the radiator plate are in contact with each other including the area of the back surface at the position where the light emitting element is mounted, heat is more quickly transmitted to the radiator plate.
[0079]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0080]
An LED according to a second aspect of the present invention is the LED according to the first aspect, wherein the light emitting element is mounted on the ceramic substrate in a flip structure.
[0081]
Therefore, the positive and negative electrodes provided on the lower surface of the light emitting element are directly mounted on the electrode portions of the circuit pattern formed on the ceramic substrate having high thermal conductivity via gold bumps or the like, so that the structure having extremely excellent heat dissipation is provided. It becomes.
[0082]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0083]
An LED according to a third aspect of the present invention is the LED according to the first or second aspect, wherein the heat radiating plate is made of metal and is bent in a waveform outside the ceramic substrate.
[0084]
Therefore, the corrugated portion of the metal radiator plate serves as a radiator fin, and the radiator further improves the heat radiation.
[0085]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0086]
An LED according to a fourth aspect of the present invention is the LED according to any one of the first to third aspects, wherein a plurality of through holes are formed in the heat sink.
[0087]
Thereby, the convection of the air around the heat sink is improved, and the heat dissipation of the heat sink is further improved.
[0088]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0089]
An LED according to a fifth aspect of the present invention is the LED according to any one of the first to fourth aspects, wherein the heat radiating plate is made of metal, and a cut is made in the heat radiating plate to be bent with respect to the heat radiating plate. Radiating fins are formed.
[0090]
The heat radiation fins and the through-holes of the bent heat radiation fins combine to increase the surface area of the heat radiation plate and improve the convection of the air around the heat radiation plate, thereby dramatically improving the heat radiation of the heat radiation plate. The heat of the light emitting element is more efficiently dissipated into the air.
[0091]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0092]
An LED array plate according to the invention of
[0093]
Thus, heat generated when the light emitting element emits light is immediately transmitted to the ceramic substrate having high thermal conductivity, further transmitted to the heat radiating plate, and radiated from the surface of the heat radiating plate into the air. As described above, since the LED of the LED array plate according to the present invention transmits heat from the entire ceramic substrate on which the light emitting element is mounted, the LED has extremely excellent heat dissipation. In addition, since the ceramic substrate and the radiator plate are in contact with each other including the area of the back surface at the position where the light emitting element is mounted, heat is more quickly transmitted to the radiator plate.
[0094]
In this way, an LED array plate having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0095]
8. The LED according to
[0096]
With this structure, conduction from the light emitting element to the power supply line of the circuit board is achieved, and heat generated during light emission is transmitted through the entire ceramic substrate having high thermal conductivity and transmitted to the heat sink fixed to the lower surface of the ceramic substrate. You. Since the heat sink is much larger than the light emitting element and has a larger surface area, the heat emitted from the light emitting element is dissipated into the air from the heat sink.
[0097]
In this manner, an LED having sufficient heat dissipation and capable of coping with a light emitting element having a large amount of heat generation, such as a light emitting element flowing a large current.
[0098]
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided an LED array board, wherein a plurality of the LEDs according to the seventh aspect are arranged on the circuit board.
[0099]
As a result, LEDs with excellent heat dissipation can be integrated on the circuit board, and the circuit board does not play the role of heat dissipation, so arrange the LEDs in the number, arrangement, and interval according to the purpose of use of the LED array board. Thus, an optical system according to the purpose of use can be attached to each light emitting element.
[0100]
In this way, an LED array plate in which LEDs having excellent heat dissipation properties can be arranged on a circuit board according to the purpose of use.
[0101]
According to a ninth aspect of the present invention, in the LED or the LED array plate according to the seventh or eighth aspect, a plurality of small through holes are formed in the heat sink.
[0102]
Thereby, the heat radiation effect of the heat radiation plate is further increased, and the LED and the LED array plate having further excellent heat radiation properties are obtained.
[0103]
An LED or an LED array plate according to a tenth aspect of the present invention is the LED or the LED array plate according to the seventh or eighth aspect, wherein the heat sink is made of metal, and a cut is made in the heat sink to be bent with respect to the heat sink. Radiating fins are formed.
[0104]
Thereby, the heat radiation effect of the heat radiation plate is further increased, and the LED and the LED array plate having further excellent heat radiation properties are obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a plan view showing the entire configuration (both ends are omitted) of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a state in which a ceramic substrate is removed from FIG. FIG. 2C is a plan view, and FIG. 2C is a cross-sectional view illustrating the AA cross section of FIG.
FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2B, illustrating an entire configuration (both ends are omitted) of a light-emitting diode according to a modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. It is.
FIG. 3 is a side view showing an overall configuration (both ends are omitted) of a light emitting diode according to another modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the entire configuration (both ends are omitted) of the light emitting diode according to the third embodiment of the present invention;
FIG. 6 is a plan view showing an entire configuration of a light emitting diode and a part of a light emitting diode array plate according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing an overall configuration of a light emitting diode according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8A is a plan view showing an entire configuration of a light emitting diode according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional flip-chip type light emitting diode.
[Explanation of symbols]
1,11,21,31,36,41,46 Light emitting diode
2 Light-emitting element
3 Ceramic substrate
4a, 4b Circuit pattern of ceramic substrate
6,12,38,42,47 Heat sink
12a waveform
35 Light emitting diode array board
37 circuit board
37a through-hole with constricted part
43 Multiple small through holes
49 Heat radiation fins
Claims (10)
高熱伝導性のセラミックス基板と、
放熱板とを具備し、
前記放熱板の上に前記セラミックス基板が固着され、前記セラミックス基板の上に前記発光素子がマウントされ、前記セラミックス基板と前記放熱板とのコンタクトは、前記セラミックス基板の前記発光素子がマウントされている位置の裏面の範囲を含むものであることを特徴とする発光ダイオード。A light emitting element,
A ceramic substrate having high thermal conductivity,
With a heat sink,
The ceramic substrate is fixed on the heat sink, the light emitting element is mounted on the ceramic substrate, and the contact between the ceramic substrate and the heat sink is mounted with the light emitting element of the ceramic substrate. A light-emitting diode comprising a range of a back surface of a position.
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---|---|
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Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080312A (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2006108640A (en) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting device |
KR100593935B1 (en) | 2005-03-24 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode package and method for manufacturing the same |
JP2006202962A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting apparatus |
KR100694889B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-03-14 | 최규연 | Power led package |
JP2007067300A (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Asahi Glass Co Ltd | Light emitting device and method of manufacturing same |
JP2007080884A (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | Light emitting device, method of manufacturing the same, and intermediate part therefor |
JP2007129053A (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led luminescent device |
WO2007126074A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Shimane Prefectural Government | Semiconductor light emitting module, device, and its manufacturing method |
JP2007311786A (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Light emitting device package, and light emitting device package array |
KR100862457B1 (en) * | 2004-12-29 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | Structure for flip-chip bonding a light emitting device using metal column |
EP2023699A2 (en) | 2007-08-10 | 2009-02-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiation package and semiconductor device |
US7491981B2 (en) | 2004-09-07 | 2009-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device and glass seal member therefor |
JP2009049405A (en) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Eisho Ri | Cooling structure of streetlight employing light emitting diode |
JP2009088534A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | Light emitting diode device |
JP2010508655A (en) * | 2006-10-31 | 2010-03-18 | クリー インコーポレイテッド | Integrated heat spreader for LED and related assemblies |
JP2010514153A (en) * | 2006-12-15 | 2010-04-30 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Tunable white point light source using wavelength conversion element |
JP2010219350A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
US7842526B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-11-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of producing same |
JP2012109609A (en) * | 2006-08-21 | 2012-06-07 | Cree Inc | Method of forming semiconductor light-emitting device package by liquid injection molding method, and molded semiconductor light-emitting device ribbon |
US8294160B2 (en) | 2005-01-20 | 2012-10-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device including a sealing portion, and method of making the same |
JP2013084574A (en) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Posco Led Co Ltd | Optical semiconductor lighting device |
TWI491083B (en) * | 2010-10-21 | 2015-07-01 | Chuen Wong | A light emitting diode with a superheat conduit can replace a universal platform |
JP2015130434A (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light-emitting device, light source for illumination and luminaire |
-
2002
- 2002-12-24 JP JP2002372437A patent/JP2004207367A/en active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7491981B2 (en) | 2004-09-07 | 2009-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device and glass seal member therefor |
US7842526B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-11-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of producing same |
JP2006108640A (en) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting device |
JP4590994B2 (en) * | 2004-09-09 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2006080312A (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
KR100862457B1 (en) * | 2004-12-29 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | Structure for flip-chip bonding a light emitting device using metal column |
JP2006202962A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting apparatus |
US8294160B2 (en) | 2005-01-20 | 2012-10-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device including a sealing portion, and method of making the same |
KR100593935B1 (en) | 2005-03-24 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode package and method for manufacturing the same |
JP2007067300A (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Asahi Glass Co Ltd | Light emitting device and method of manufacturing same |
JP2007080884A (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | Light emitting device, method of manufacturing the same, and intermediate part therefor |
JP2007129053A (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led luminescent device |
DE102006050376B4 (en) | 2005-11-02 | 2019-05-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | light emitting diode package |
WO2007126074A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Shimane Prefectural Government | Semiconductor light emitting module, device, and its manufacturing method |
JP2009290238A (en) * | 2006-04-28 | 2009-12-10 | Shimane Pref Gov | Semiconductor light emitting module, and manufacturing method thereof |
JP2007311786A (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Light emitting device package, and light emitting device package array |
KR100694889B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-03-14 | 최규연 | Power led package |
JP2012109609A (en) * | 2006-08-21 | 2012-06-07 | Cree Inc | Method of forming semiconductor light-emitting device package by liquid injection molding method, and molded semiconductor light-emitting device ribbon |
JP2010508655A (en) * | 2006-10-31 | 2010-03-18 | クリー インコーポレイテッド | Integrated heat spreader for LED and related assemblies |
JP2010514153A (en) * | 2006-12-15 | 2010-04-30 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Tunable white point light source using wavelength conversion element |
US8368206B2 (en) | 2007-08-10 | 2013-02-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiation package and semiconductor device |
EP2023699A2 (en) | 2007-08-10 | 2009-02-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiation package and semiconductor device |
JP2009049405A (en) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Eisho Ri | Cooling structure of streetlight employing light emitting diode |
JP2009088534A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | Light emitting diode device |
JP2010219350A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
TWI491083B (en) * | 2010-10-21 | 2015-07-01 | Chuen Wong | A light emitting diode with a superheat conduit can replace a universal platform |
JP2013084574A (en) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Posco Led Co Ltd | Optical semiconductor lighting device |
US8602609B2 (en) | 2011-10-11 | 2013-12-10 | Posco Led Company Ltd. | Optical semiconductor lighting apparatus |
JP2015130434A (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light-emitting device, light source for illumination and luminaire |
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